TWI656189B - Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI656189B
TWI656189B TW104137921A TW104137921A TWI656189B TW I656189 B TWI656189 B TW I656189B TW 104137921 A TW104137921 A TW 104137921A TW 104137921 A TW104137921 A TW 104137921A TW I656189 B TWI656189 B TW I656189B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sheet
wafer
resin
bonding
weight
Prior art date
Application number
TW104137921A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201627452A (zh
Inventor
木村雄大
三隅貞仁
大西謙司
宍戶雄一郎
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW201627452A publication Critical patent/TW201627452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI656189B publication Critical patent/TWI656189B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明的目的在於，提供可以於短時間內固化、可以減少銅線與焊盤的接合不良、半導體晶片的破裂之接著薄片、附有切割薄片之接著薄片。
本發明係關於一種接著薄片，其在利用以3分鐘從25℃升溫到175℃、然後將175℃維持3小時的條件下藉由DSC測定所描繪的DSC曲線中，從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘，於10Hz下對藉由於175℃下加熱30分鐘使固化而得的固化物的黏彈性進行測定，所得到的200℃的伸張彈性係數為100MPa以上。本發明係關於附有切割薄片之接著薄片，其具備基材及配置於基材上的黏著劑層之切割片、與配置於黏著劑層上之接著薄片。

Description

接著薄片、附有切割薄片之接著薄片及半導體裝置之製造方法
本發明係關於接著薄片、附有切割薄片之接著薄片及半導體裝置之製造方法。
關於半導體裝置之方法，例如已知有包含：將半導體晶片用接著薄片固定在引線框等之被粘黏體上的步驟、與使接著薄片固化的步驟、與絲焊的步驟的半導體裝置之方法(例如參照專利文獻1)。
近年來，進行了從使用金線的絲焊到使用廉價的銅線的絲焊的轉型。另外，從半導體裝置之小型化的要求考慮，進行了半導體晶片之小型化。
〔現有技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2013-53190號公報
銅線由於容易氧化，因此難以與半導體晶片之焊盤接著，熔融球硬。因而，在使用了銅線的絲焊中，半導體晶片容易因從絲焊裝置中發出的超聲波而振動，容易產生銅線與焊盤的接合不良、晶片破裂。由於與引線框接觸的面積小的小型半導體晶片容易振動，因此特別容易產生接合不良、晶片破裂。
本發明的目的在於，解決前述問題，提供可以在短時間內固化、可以減少銅線與焊盤的接合不良、半導體晶片之破裂的接著薄片、附有切割薄片之接著薄片。本發明的目的還在於，提供可以在短時間內使接著薄片固化、可以減少銅線與焊盤的接合不良、半導體晶片之破裂的半導體裝置之製造方法。
本發明係關於半導體裝置之製造中所用的接著薄片。本發明的接著薄片具備以下的性質。即，在利用以3分鐘從25℃升溫到175℃、然後將175℃維持3小時的條件下藉由DSC測定所描繪的DSC曲線中，從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘。由於從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘，因此可以在短時間內使之固化。本發明的接著薄片更進一步具備以下的性質。即，在10Hz下對藉由在175℃下加熱30分鐘而固化得到的固化物的黏彈性進行測定，由此得到的200℃的伸張彈性係數為100MPa以上。由於200℃的伸張彈性係數 為100MPa以上，因此可以減少半導體晶片之振動，從而可以減少銅線與焊盤的接合不良、半導體晶片之破裂。
本發明的接著薄片較佳進一步具備以下的性質。即，利用將25℃~300℃的範圍中以每分鐘10℃升溫的條件下的DSC測定得到的反應熱較佳為80mJ/mg以上。
本發明之接著薄片較佳更進一步具備以下的性質。即，藉由於175℃下加熱30分鐘而固化得到的固化物的Tg較佳為150℃以上。
本發明的接著薄片較佳包含BET比表面積為4m2/g以上的二氧化矽填料。二氧化矽填料的含量較佳為50重量%以上。
本發明的接著薄片包含樹脂成分。較佳樹脂成分包含環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸樹脂。更佳樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含量為14重量%以下。酚醛樹脂的羥基當量較佳為120g/eq.以下。
本發明更進一步關於一種附有切割薄片之接著薄片，其包括具備基材及配置於基材上的黏著劑層的切割片、與配置於黏著劑層上的接著薄片。
本發明更進一步關於一種半導體裝置之製造方法，其包含：準備附有切割薄片之接著薄片的步驟、與在接著薄片上壓接半導體晶圓之步驟；藉由切割配置於接著薄片上的半導體晶圓，而形成包括具備焊盤的半導體晶片及配置於半導體晶片上的接著薄膜的黏晶用晶片的步 驟、與藉由在具備端子部的被黏物上壓接黏晶用晶片而形成附有晶片的被黏物的步驟、與藉由加熱附有晶片的被黏物而使接著薄膜固化的步驟、與在使接著薄膜固化的步驟之後進行的包含將包含銅的金屬線的一端與焊盤接合的步驟及將金屬線的另一端與端子部接合的步驟。
10‧‧‧附有切割薄片之接著薄片
1‧‧‧切割片
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧接著薄片
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
501‧‧‧焊盤
502‧‧‧晶片主體部
41‧‧‧黏晶用晶片
6‧‧‧被黏物
601‧‧‧端子部
602‧‧‧主體部
61‧‧‧附有半導體晶片之被黏物
7‧‧‧焊線
8‧‧‧密封樹脂
〔圖1〕是接著薄片的概略剖面圖。
〔圖2〕是附有切割薄片之接著薄片的概略剖面圖。
〔圖3〕是變形例的附有切割薄片之接著薄片的概略剖面圖。
〔圖4〕是表示在附有切割薄片之接著薄片上配置了半導體晶圓之樣子的概略的剖面圖。
〔圖5〕是表示將半導體晶圓單片化之樣子的概略的剖面圖。
〔圖6〕是附有半導體晶片之被黏物的概略剖面圖。
〔圖7〕是半導體裝置之概略剖面圖。
〔圖8〕是實施例2的DSC曲線。
〔用以實施本發明之形態〕
以下舉出實施方式，對本發明進行詳細說明，然而本發明並不僅限定於此等實施方式。
〔實施方式1〕 (接著薄片3)
如圖1所示，接著薄片3的形態為片狀。接著薄片3具備熱固性。
接著薄片3更進一步具備以下的性質。即，在利用以3分鐘從25℃升溫到175℃、然後將175℃維持3小時的條件下藉由DSC測定所描繪的DSC曲線中，從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘。由於從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘，因此可以在短時間內使之固化。另外，可以在標準的絲焊條件下使之完全或大致完全地固化，從而可以減少半導體晶片之振動。從到達175℃到反應峰消失的時間較佳為未達25分鐘。另一方面，從到達175℃到反應峰消失的時間的下限例如為5分鐘、10分鐘、15分鐘等。
所謂「反應峰消失」，是指以使測定用樣品與參比用樣品的溫度相等的方式對兩者施加的每單位時間的熱能的輸入的差一定。
從到達175℃到反應峰消失的時間可以利用固化促進劑的種類、固化促進劑的含量、樹脂的種類等來控制。
接著薄片3較佳進一步具備以下的性質。即，利用將25℃~300℃的範圍中以每分鐘10℃升溫的條件下的DSC測定得到的反應熱量較佳為80mJ/mg以上， 更佳為85mJ/mg以上。另一方面，反應熱量較佳為300mJ/mg以下，更佳為200mJ/mg以下。
所謂「反應熱」，是藉由將利用將25℃~300℃的範圍中以每分鐘10℃升溫的條件下的DSC測定所測定出的熱量除以試驗片的重量而算出的值。
藉由在10Hz下測定使接著薄片3固化而得的固化物的黏彈性所得到的200℃的伸張彈性係數為100MPa以上，較佳為200MPa以上。由於為100MPa以上，因此可以減少半導體晶片之振動，從而可以減少銅線與焊盤的接合不良、半導體晶片之破裂。200℃的伸張彈性係數較佳為1000MPa以下，更佳為700MPa以下。作為200℃的伸張彈性係數的上限，例如還可以例示出500MPa、400MPa等。
而且，固化物是藉由將接著薄片3在175℃加熱30分鐘、使之固化而得的物質。
固化物的200℃的伸張彈性係數可以利用酚醛樹脂的羥基當量、二氧化矽填料的含量、二氧化矽填料的粒徑等來控制。例如，藉由使用羥基當量小的酚醛樹脂、增加二氧化矽填料的含量、使用粒徑小的二氧化矽填料，就可以提高200℃的伸張彈性係數。
固化物的Tg較佳為150℃以上，更佳為180℃以上。如果為150℃以上，則容易將固化物的200℃的伸張彈性係數設定為100MPa以上。另一方面，固化物的Tg較佳為250℃以下，更佳為220℃以下。
固化物的Tg(「玻璃轉變溫度」)可以利用酚醛樹脂的羥基當量等來控制。
接著薄片3包含樹脂成分。作為樹脂成分，可以舉出丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等。
作為丙烯酸樹脂，沒有特別限定，可以舉出以具有碳數30以下、特別是碳數4~18之直鏈或支鏈之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸共聚物)等。作為前述烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作為形成聚合物(丙烯酸共聚物)的其他單體，並沒有特別限定，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之各種含有羧基的單體、馬來酸酐或衣康酸酐等之各種的酸酐單體、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等之各種含有羥基的單體、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙 磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含有磺酸基的單體、或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之各種含有磷酸基的單體。
在丙烯酸樹脂當中，較佳重量均分子量為10萬以上的丙烯酸樹脂，更佳為30萬~300萬的丙烯酸樹脂，進一步較佳為50萬~200萬的丙烯酸樹脂。這是因為，如果是該數值範圍內，其接著性及耐熱性優異。又，重量均分子量是利用GPC(凝膠滲透色譜)進行測定並利用聚苯乙烯換算算出的值。
丙烯酸樹脂較佳包含能夠與環氧基反應的官能基。由此，就可以使丙烯酸樹脂與環氧樹脂交聯。
作為能夠與環氧基反應的官能基，例如可以舉出羧基、羥基等。其中，由於與環氧基的反應性高的理由，因此較佳羧基。
丙烯酸樹脂的酸值較佳為5mgKOH/g以上，更佳為10mgKOH/g以上。另一方面，丙烯酸樹脂的酸值較佳為40mgKOH/g以下，更佳為25mgKOH/g以下。
而且，酸值可以利用JIS K 0070-1992中規定的中和滴定法來測定。
樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含量較佳為14重量%以下，更佳為12重量%以下，進一步較佳為11重量%以下。如果是14重量%以下，則可以提高200℃的伸張彈性係數。樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含量較佳為5重量%以上，更佳為7重量%以上。
作為環氧樹脂，沒有特別限定，例如可以使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或縮水甘油基胺型等之環氧樹脂。此等環氧樹脂中，特別佳酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂。此等因為，這些環氧樹脂富於與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性，耐熱性等優異。
環氧樹脂的環氧當量較佳為120g/eq.以上，更佳為140g/eq.以上，進一步較佳為150g/eq.以上。另一方面，環氧樹脂的環氧當量較佳為250g/eq.以下，更佳為200g/eq.以下。
又，環氧樹脂的環氧當量可以利用JIS K 7236-2009中規定的方法測定。
酚醛樹脂是作為環氧樹脂的固化劑發揮作用的物質，可以舉出例如苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、叔丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等之酚醛型酚醛樹脂、甲階酚醛型酚醛樹脂、聚對氧基苯乙烯等之聚氧基苯乙烯等。此等酚醛樹脂中，特別佳苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為，可以提高半導體裝置之連接可靠性。
酚醛樹脂的羥基當量較佳為120g/eq.以下，更 佳為110g/eq.以下。如果是120g/eq.以下，則可以提高交聯密度，可以提高200℃的伸張彈性係數。另一方面，酚醛樹脂的羥基當量較佳為80g/eq.以上，更佳為90g/eq.以上。
對於環氧樹脂與酚醛樹脂的摻合比例，例如適合為以在環氧樹脂成分中的每1當量環氧基中使酚醛樹脂中的羥基為0.5~2.0當量的方式摻合。更適合為0.8~1.2當量。即因為，如果兩者的摻合比例脫離該範圍，則不能進行充分的固化反應，固化物的特性容易劣化。
樹脂成分100重量%中的環氧樹脂及酚醛樹脂的合計含量較佳為86重量%以上，更佳為88重量%以上，進一步較佳為89重量%以上。如果是86重量%以上，則可以提高200℃的伸張彈性係數。另一方面，環氧樹脂及酚醛樹脂的合計含量較佳為95重量%以下，更佳為93重量%以下。
接著薄片3較佳包含BET比表面積為4m2/g以上的二氧化矽填料。
二氧化矽填料的BET比表面積較佳為15m2/g以上。另一方面，二氧化矽填料的BET比表面積較佳為100m2/g以下，更佳為50m2/g以下。
BET比表面積利用BET吸附法(多點法)測定。具體而言，將接著薄片3在大氣氣氛下在700℃強熱2小時而使之灰化。將所得的灰分在110℃進行6小時以上的真空脫氣後，使用Quantachrome製4連式比表面積‧孔徑 分佈測定裝置「NOVA-4200e型」，在氮氣中、77.35K的溫度下進行測定。
二氧化矽填料的新摩氏硬度較佳為4以上。如果是4以上，則可以高效地提高200℃的伸張彈性係數。二氧化矽填料的新摩氏硬度的上限沒有特別限定，然而例如為10。
接著薄片3中的二氧化矽填料的含量較佳為50重量%以上，更佳為51重量%以上。如果是50重量%以上，則可以提高200℃的伸張彈性係數。另一方面，二氧化矽填料的含量較佳為70重量%以下，更佳為65重量%以下。
接著薄片3較佳包含固化促進劑。固化促進劑的含量相對於樹脂成分100重量份較佳為0.1~5重量份，更佳為0.1~3重量份。如果是0.1重量份以上，則可以在短時間內使之固化。
作為固化促進劑沒有特別限定，例如可以舉出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三鹵代硼烷系化合物等。
作為咪唑系化合物，可以舉出2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名： 1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1，)〕-乙基均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-十一烷基咪唑基-(1’)〕-乙基均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基均三嗪異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成股份有限公司製)。
作為三苯基膦系化合物，沒有特別限定，例如可以舉出三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等之三有機基膦、四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學公司製)。
作為三苯基硼烷系化合物，沒有特別限定，例如可以舉出三(對甲基苯基)膦等。另外，作為三苯基硼烷系化合物，更進一步包含具有三苯基膦結構的化合 物。作為具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構的化合物，沒有特別限定，例如可以舉出四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四-對三硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學公司製)。
作為胺基系化合物，沒有特別限定，例如可以舉出單乙醇胺三氟硼酸鹽(Stella-Chemifa股份有限公司製)、雙氰醯胺(Nacalai Tesque股份有限公司製等。
作為三鹵代硼烷系化合物，沒有特別限定，例如可以舉出三氯硼烷等。
接著薄片3也可以在前述成分以外，還適當地含有在膜製造中普遍使用的摻合劑，例如交聯劑等。
接著薄片3可以利用通常的方法製造。例如，可以製作含有前述各成分的接著劑組合物溶液，在以達到規定厚度的方式將接著劑組合物溶液塗佈於基材隔膜上而形成塗佈膜後，使塗佈膜乾燥，由此製造接著薄片3。
作為接著劑組合物溶液中所用的溶劑，沒有特別限定，較佳可以將前述各成分均勻地溶解、混煉或分散的有機溶劑。例如可以舉出二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環己酮等之酮系溶劑、甲苯、二甲苯等。塗佈方法沒有特別限定。作為溶劑塗敷的方法，例如可以舉出模塗佈、凹版塗佈、輥塗佈、 反向塗佈、逗點塗佈、管刀塗佈、絲網印刷等。其中，從塗佈厚度的均勻性高的方面考慮，較佳模塗佈。
作為基材隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等之剝離劑進行了表面塗佈的塑膠膜或紙等。作為接著劑組合物溶液的塗佈方法，可以舉出例如輥塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等。另外，塗布膜的乾燥條件沒有特別限定，例如可以在70~160℃的乾燥溫度、以1~5分鐘的乾燥時間進行。
作為接著薄片3的製造方法，例如也適合為將前述各成分利用混合器器混合、將所得的混合物壓製成形而製造接著薄片3的方法等。作為混合器，可以舉出行星式攪拌器等。
接著薄片3的厚度沒有特別限定，其較佳為5μm以上，更佳為15μm以上。如果小於5μm，則會有出現翹曲的半導體晶圓或產生與半導體晶片不接著的部位，會有接著面積變得不穩定的情況。另外，接著薄片3的厚度較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。如果大於100μm，則會因晶片黏接的載荷而使接著薄片3過度地伸出，從而會有污染焊盤的情況。
接著薄片3被用於半導體裝置之製造中。具體而言，被作為用於將引線框等被黏物與半導體晶片接著的膜(以下稱作「晶片貼裝膜」)使用。作為被黏物，可以舉出引線框、內插板、半導體晶片等。
接著薄片3較佳以附有切割薄片之接著薄片的形態使用。
(附有切割薄片之接著薄片10)
對於附有切割薄片之接著薄片10進行說明。
如圖2所示，附有切割薄片之接著薄片10具備切割片1及配置於切割片1上的接著薄片3。切割片1具備基材11及配置於基材11上的黏著劑層12。接著薄片3被配置於黏著劑層12上。
如圖3所示，附有切割薄片之接著薄片10可以是僅在工件(半導體晶圓4等)貼附部分形成有接著薄片3的構成。
基材11是成為附有切割薄片之接著薄片10的強度母體，較佳具有紫外線透過性的材料。作為基材11，例如可以舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等之聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等之聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃纖維布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚 偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。
對於基材11的表面，為了提高與相鄰的層的密著性、保持性等，可以實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等之化學或物理的處理、借助底塗劑(例如後述的粘合物質)的塗佈處理。
基材11的厚度沒有特別限制，可以適當地決定，然而一般為5~200μm左右。
作為黏著劑層12的形成中所用的黏著劑沒有特別限制，例如可以使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等之一般的壓敏性接著劑。作為壓敏性接著劑，從半導體晶圓或玻璃等忌諱污染的電子零件的利用超純水或醇等之有機溶劑的清潔清洗性等方面考慮，較佳以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸系黏著劑。
作為丙烯酸聚合物，例如可以舉出將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等之烷基的碳數為1~30、特別是碳數為4~18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊基酯、環己基酯等)的1種或2種以上作為單體成分使用的丙烯酸系聚 合物等。又，所謂(甲基)丙烯酸酯，是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明的所謂(甲基)全都是相同的意思。
丙烯酸系聚合物也可以出於凝聚力、耐熱性等改性的目的，根據需要，包含對應於能夠與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚的其他單體成分的單元。作為此種單體成分，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等之含有羧基的單體：馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等之含有羥基的單體：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺內酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含有磺酸基的單體：2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含有磷酸基的單體：丙烯醯胺、丙烯腈等。此等可以共聚的單體成分可以使用1種或2種以上。此等可以共聚的單體的使用量較佳為全部單體成分的40重量%以下。
此外，為了使丙烯酸系聚合物交聯，也可以根據需要作為共聚用單體成分包含多官能性單體等。作為 此等多官能性單體，例如可以舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體也可以使用1種或2種以上。對於多官能性單體的使用量，從黏著特性等方面考慮，較佳為全部單體成分的30重量%以下。
丙烯酸系聚合物可以藉由將單一單體或2種以上的單體混合物聚合而得到。聚合可以利用溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等之任意的方式來進行。從防止對清潔的被黏物的污染等方面考慮，較佳低分子量物質的含量小的丙烯酸系聚合物。從這一點考慮，丙烯酸系聚合物的數平均分子量較佳為30萬以上，更佳為40萬~300萬左右。
另外，在前述黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數平均分子量，也可以適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體方法，可以舉出添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所有的交聯劑並使之反應的方法。在使用外部交聯劑的情況下，其使用量可以根據與要交聯的基礎聚合物的均衡，此外，更進一步根據作為黏著 劑的使用用途適當地決定。一般而言，相對於前述基礎聚合物100重量份，較佳摻合5重量份左右以下，更佳摻合0.1~5重量份。此外，在黏著劑中，根據需要，在前述成分以外，也可以使用以往公知的各種增黏劑、防老化劑等添加劑。
黏著劑層12可以利用輻射線固化型黏著劑來形成。放射線固化型黏著劑可以利用紫外線等之放射線的照射使交聯度增大而使其黏著力容易地降低。
藉由僅對圖2所示的黏著劑層12的與工件貼附部分對應的部分12a進行放射線照射，就可以設置與其他部分12b的黏著力的差。該情況下，由未固化的放射線固化型黏著劑形成的前述部分12b與接著薄片3黏著，可以確保切割時的保持力。
另外，藉由與圖3所示的接著薄片3對應地使放射線固化型的黏著劑層12固化，就可以形成黏著力明顯降低的前述部分12a。該情況下，可以將晶圓環固定在由未固化的放射線固化型黏著劑形成的前述部分12b上。
即，在利用放射線固化型黏著劑形成黏著劑層12的情況下，較佳以使黏著劑層12中的前述部分12a的黏著力<其他部分12b的黏著力的方式對前述部分12a進行放射線照射。
放射線固化型黏著劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等之放射線固化性的官能基、並且顯示 出黏著性的黏著劑。作為放射線固化型黏著劑，例如可以例示出在前述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等之一般的壓敏性黏著劑中摻合有放射線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型的放射線固化型黏著劑。
作為所摻合的放射線固化性的單體成分，例如可以舉出胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射線固化性的低聚物成分可以舉出胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量適合為100~30000左右的範圍。放射線固化性的單體成分或低聚物成分的摻合量可以根據前述黏著劑層的種類適當地決定能夠降低黏著劑層的黏著力的量。一般而言，相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等之基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較佳為40~150重量份左右。
另外，作為放射線固化型黏著劑，除了前述說明的添加型的放射線固化型黏著劑以外，還可以舉出作為基礎聚合物使用了在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物的內在型的放射線固化型黏著劑。內在型的放射線固化型黏著劑不需要含有作為低分子成分的低聚物成分等，或者不大量包含，因此低聚物成分等不 會隨時間推移而在粘合劑中移動，可以形成穩定的層結構的黏著劑層，因而較佳。
前述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、並且具有黏著性的聚合物。作為此等基礎聚合物，較佳以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可以舉出前述例示過的丙烯酸系聚合物。
碳-碳雙鍵向前述丙烯酸系聚合物中的導入法沒有特別限制，可以採用各種方法，但向聚合物側鏈中導入碳-碳雙鍵容易進行分子設計。例如，可以舉出預先將丙烯酸系聚合物中具有官能基的單體共聚後、使具有能夠與該官能基反應的官能團及碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的同時進行縮合或加成反應的方法。
作為此等官能基的組合的例子，可以舉出羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。此等官能基的組合當中從反應追蹤的容易度考慮，適合為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，利用此等官能基的組合，如果是生成前述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基可以處於丙烯酸系聚合物和前述化合物的任意一側，但在之較佳的組合中，適合為丙烯酸系聚合物具有羥基、前述化合物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可以舉出甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸 酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，使用將前述例示的含有羥基的單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得的聚合物。
前述內在型的放射線固化型黏著劑可以單獨地使用前述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，然而也可以以不使特性惡化的程度摻合前述放射線固化性的單體成分或低聚物成分。放射線固化性的低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份為30重量份的範圍內，較佳為0~10重量份的範圍。
在前述放射線固化型黏著劑中，在利用紫外線等使之固化的情況下含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，例如可以舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等之α-乙酮醇系化合物：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-〔4-(甲硫基)-苯基〕-2-嗎啉代丙烷-1-苯乙酮系化合物：苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等之苯偶姻醚系化合物：苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物：2-萘磺醯氯等之芳香族磺醯氯系化合物：1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等之光活性肟系化合物：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等之二苯甲酮系化合物：噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二 氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮系化合物：樟腦醌：鹵化酮：醯基膦氧化物：醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的摻合量相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等之基礎聚合物100重量份例如為0.05~20重量份左右。
另外，作為放射線固化型黏著劑，例如可以舉出日本特開昭60-196956號公報中公開的、含有具有2個以上的不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等之光聚合性化合物、與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等之光聚合引發劑的橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等。
在前述放射線固化型的黏著劑層12中，根據需要，也可以含有利用放射線照射而著色的化合物。藉由使黏著劑層12中含有利用放射線照射而著色的化合物，就可以僅對被放射線照射的部分進行著色。利用放射線照射而著色的化合物是在放射線照射前為無色或淡色、因放射線照射而變為有色的化合物，例如可以舉出隱色染料等。利用放射線照射而著色的化合物的使用比例可以適當地設定。
黏著劑層12的厚度沒有特別限定，然而從兼顧防止晶片切割面的缺口或保持接著薄片3的固定等方面考慮，較佳為1~50μm左右。較佳為2~30μm，更佳為5~25μm。
附有切割薄片之接著薄片10較佳由隔膜保護 (未圖示)。即，較佳在接著薄片3上配置有隔膜。隔膜具有作為在用於實際使用前保護接著薄片3的保護材料的功能。隔膜在向接著薄片3上貼附工件時被剝離。作為隔膜，也可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等之剝離劑進行了表面塗佈的塑膠膜或紙等。
附有切割薄片之接著薄片10可以利用通常的方法製造。例如，藉由將切割片1的黏著劑層12與接著薄片3貼合，就可以製造附有切割薄片之接著薄片10。
在剝離溫度25℃、剝離速度300mm/min的條件下，將接著薄片3從切割片1中拉剝離時的剝離力較佳為0.1N/10mm以上。如果小於0.1N/10mm，則有可能產生晶片飛出。另一方面，剝離力較佳為0.2N/10mm以下。如果大於0.2N/10mm，則會有拾取變得困難的趨勢。
(半導體裝置之製造方法)
如圖4所示，在附有切割薄片之接著薄片10上壓接半導體晶圓4。作為半導體晶圓4，可以舉出矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可以舉出氮化鎵晶圓等。
作為壓接方法，例如可以舉出利用壓接輥等之擠壓機構進行擠壓的方法等。
壓接溫度(貼附溫度)較佳為35℃以上，更佳為37℃以上。壓接溫度的上限越低越好，較佳為50℃ 以下，更佳為45℃以下。藉由在低溫下壓接，可以防止對半導體晶圓4的熱影響，從而可以抑制半導體晶圓4的翹曲。另外，壓力較佳為1×105Pa~1×107Pa，更佳為2×105Pa~8×106Pa。
如圖5所示，藉由切割半導體晶圓4，形成黏晶用晶片41。黏晶用晶片41具備半導體晶片5及配置於半導體晶片5上的接著膜31。半導體晶片5具備晶片主體部502及配置於晶片主體部502上的焊盤501。焊盤501為電極焊盤。作為焊盤501的材料，可以舉出鋁等。本步驟中，可以採用切入至附有切割薄片之接著薄片10的被稱作全切的切割方式等。作為切割裝置沒有特別限定，可以使用以往公知的裝置。另外，半導體晶圓4由於由附有切割薄片之接著薄片10接著固定，因此可以抑制晶片缺口或晶片飛散，並且還可以抑制半導體晶圓4的破損。
對黏晶用晶片41進行拾取。作為拾取的方法沒有特別限定，可以採用以往公知的各種方法。例如可以舉出將各個半導體晶片5從附有切割薄片之接著薄片10側用針頂起、然後用拾取裝置來拾取黏晶用晶片41的方法等。
在黏著劑層12為紫外線固化型的情況下，在向黏著劑層12照射紫外線後進行拾取。由此，由於黏著劑層12對黏晶用晶片41的黏著力降低，因此可以容易地拾取黏晶用晶片41。紫外線照射時的照射強度、照射時 間等條件沒有特別限定，只要適當地根據需要設定即可。
如圖6所示，藉由將黏晶用晶片41壓接在被黏物6上而得到附有半導體晶片之被黏體61。附有半導體晶片之被黏物61具備被黏物體6、配置於被黏物6上的接著膜31及配置於接著膜31上之半導體晶片5。被黏物6具備主體部602及配置於主體部602上的端子部601。
將黏晶用晶片41壓接在被黏物6上的溫度(以下稱作「晶片貼裝溫度」)較佳為80℃以上，更佳為90℃以上。另外，晶片貼裝溫度較佳為150℃以下，更佳為130℃以下。
藉由將附有半導體晶片之被黏物61在加壓下加熱而使接著薄膜31固化。由此，使半導體晶片5固著於被黏物6。藉由在加壓下使接著薄膜31固化，就可以使存在於接著薄膜31與被黏物6之間的空隙消失，從而可以確保接著薄膜31與被黏物6接觸的面積。
作為在加壓下進行加熱的方法，例如可以舉出對配置在填充有惰性氣體的腔室內的附有半導體晶片之被黏物61進行加熱的方法等。加壓氣氛的壓力較佳為0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa)以上，更佳為1kg/cm2(9.8×10-2MPa)以上，進一步較佳為5kg/cm2(4.9×10-1MPa)以上。如果是0.5kg/cm2以上，則可以使存在於接著薄膜31與被黏物6之間的空隙容易地消失。加壓氣氛的壓力較佳為20kg/cm2(1.96MPa)以下，更佳為18kg/cm2 (1.77MPa)以下，進一步較佳為15kg/cm2(1.47MPa)以下。如果是20kg/cm2以下，則可以抑制由過度的加壓造成的接著薄膜31的伸出。
加熱溫度較佳為80℃以上，更佳為120℃以上，進一步較佳為150℃以上，特別佳為170℃以上。如果是80℃以上，則可以將接著薄膜31設為適度的硬度，可以利用加壓熟化使空隙有效地消失。加熱溫度較佳為260℃以下，更佳為200℃以下，更佳為180℃以下。如果是260℃以下，則可以防止接著膜31的分解。
加熱時間較佳為0.1小時以上，更佳為0.2小時以上。加熱時間較佳為24小時以下，更佳為3小時以下，進一步較佳為1小時以下，特別佳為30分鐘以下。
如圖7所示，進行將焊盤501與端子部601用焊線7電連接的絲焊步驟。作為焊線7的材料，可以舉出銅等。
絲焊步驟包含將焊線7的一端與焊盤501接合的步驟、將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟等。
對於將焊線7的一端與焊盤501接合的步驟，具體而言，是藉由在將焊線7的一端壓接在焊盤501上的同時對焊線7施加超聲波而將焊線7與焊盤501接合的步驟。
較佳在175℃以上、更佳在200℃以上進行接合。另一方面，較佳在300℃以下、更佳在260℃以下進 行接合。
對於將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟，具體而言，是藉由在將焊線7的另一端壓接在端子部601上的同時對焊線7施加超聲波而將焊線7與端子部601接合的步驟。
在進行絲焊步驟後，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5密封的密封步驟。本步驟是為了保護搭載於被黏物6上的半導體晶片5、焊線7而進行的。本步驟是藉由將密封用的樹脂用模具成型而進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧系的樹脂。樹脂密封時的加熱溫度較佳為165℃以上，更佳為170℃以上，加熱溫度較佳為185℃以下，更佳為180℃以下。
根據需要，也可以在密封後再進行加熱(後固化步驟)。由此，就可以使密封步驟中固化不足的密封樹脂8完全地固化。加熱溫度可以適當地設定。
如上所述，可以利用包括如下步驟的方法來製造半導體裝置，即，準備附有切割薄片之接著薄片10的步驟、與在接著薄片3上壓接半導體晶圓4的步驟、藉由切割配置於接著薄片3上之半導體晶圓4而形成具備包含焊盤501的半導體晶片5及配置於半導體晶片5上的接著薄膜31的黏晶用晶片41的步驟、與藉由在具備端子部601的被黏物6上壓接黏晶用晶片41而形成附有晶片的被黏物61的步驟、與藉由加熱附有晶片的被黏物61而使接著膜31固化的步驟、與在使接著膜31固化的步驟後進 行的包含將包含銅的焊線7的一端與焊盤501接合的步驟及將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟。
〔實施例〕
以下，使用實施例對本發明進行詳細說明，然而本發明只要不超出其主旨，就不限定於以下的實施例。
對實施例中使用的成分進行說明。
丙烯酸橡膠：Nagase ChemteX公司製的Teisan Resin SG-708-6(包含羧基及羥基之丙烯酸酯共聚物、Mw：70萬、酸值：9mgKOH/g、玻璃化轉變溫度：4℃)
環氧樹脂1：日本化藥公司製的EPPN-501HY(環氧當量169g/eq.的環氧樹脂)
環氧樹脂2：日本化藥公司製的EOCN-1020(環氧當量198g/eq.的環氧樹脂)
環氧樹脂3：三菱化學公司製的jER828(環氧當量190g/eq.的環氧樹脂)
酚醛樹脂1：明和化成公司製的MEH-7851S(羥基當量209g/eq.的酚醛樹脂)
酚醛樹脂2：荒川化學公司製的P-180(羥基當量105g/eq.的酚醛樹脂)
二氧化矽填料：Admatechs公司製的SO-25R(BET比表面積為6.5m2/g、新摩氏硬度為7的球狀二氧化矽)
催化劑：北興化學工業股份有限公司製的TPP-MK (四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽)
〔接著薄片及附有切割薄片之接著薄片之製作〕
依照表1中記載的摻合比，將表1中記載的各成分及溶劑(甲乙酮)加入混合動力混合器(Kyence製HM-500)的攪拌釜中，以攪拌模式進行3分鐘攪拌、混合。將所得的清漆用模塗機塗佈在脫模處理膜(三菱樹脂股份有限公司製的MRA50)上後，使之乾燥，得到厚度20μm的接著薄片。從接著薄片中切出直徑230mm的圓形的接著薄片，將圓形的接著薄片在25℃貼附在切割片(日東電工股份有限公司製的P2130G)的黏著劑層上，製作出附有切割薄片之接著薄片。
〔評估〕
對所得的接著薄片、附有切割薄片之接著薄片，進行了以下的評估。將結果表示於表1中。
(彈性係數及Tg的測定)
在60℃貼合接著薄片而得到厚度400μm的層合薄片。藉由將層合薄片加工為10mm×30mm×400μm的尺寸而得到加工品。藉由將加工品在175℃加熱30分鐘而使之固化。在固化後使用動態黏彈性系測定裝置(TA Instruments公司製的RSA III)測定加工品的黏彈性。測定條件是在溫度範圍-10℃~285℃、升溫速度10℃/min、 卡盤間距22.5mm、10Hz下進行。根據所得的彈性係數資料，讀取200℃的彈性係數。另外將所得的tanδ的峰的溫度設為Tg。
(反應熱之測定)
從接著薄片中切出10mg的試驗片。將試驗片用鋁盤夾持，從而準備了測定樣品。還準備了僅包含鋁盤的參比用樣品。使用差示掃描熱量測定裝置(Seiko Instruments公司製的DSC6220)，以升溫速度10℃/min、溫度範圍25℃~300℃進行了測定。藉由將所得的發熱反應峰的熱量除以樣品的重量而算出反應熱。
(峰消失時間之測定)
從接著薄片中切出10mg的試驗片。將試驗片用鋁盤夾持，從而準備了測定用樣品。還準備了僅包含鋁盤的參比用樣品。使用差示掃描熱量測定裝置(Seiko Instruments公司製的DSC6220)，在以3分鐘從25℃升溫到175℃、然後將175℃維持3小時的條件下進行了DSC測定。從DSC曲線中讀取從到達175℃到反應峰消失的時間。而且，所謂「反應峰消失」，是指以使測定用樣品與參比用樣品的溫度相等的方式對兩者施加的每單位時間的熱能的輸入的差一定。將實施例2的DSC曲線表示於圖8中。
(絲焊性)
研削對一面進行了鋁蒸鍍的晶圓，從而得到厚度100μm的切割用晶圓。將切割用晶圓貼附在附有切割薄片之接著薄片上，然後切割為2mm見方，由此得到附有接著薄片的晶片。將帶有接著薄片的晶片在120℃、0.1MPa、1sec的條件下晶片貼裝在Cu引線框上。藉由在175℃加熱30分鐘而使接著薄片固化。使用絲焊裝置(K & S公司製的Maxum Plus)，在一個晶片上焊接5條線直徑20μm的Cu金屬線。在輸出80Amp、時間10ms及載荷50g的條件下將Cu金屬線接在Cu引線框上。在200℃、輸出125Amp、時間10ms及載荷80g的條件下將Cu金屬線接在晶片上。將無法將5條Cu金屬線中的1條以上焊接在晶片上的情況判定為×，將可以將5條Cu金屬線中的5條焊接在晶片上的情況判定為○。

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置之製造所使用之接著薄片，在利用以3分鐘從25℃升溫到175℃、然後將175℃維持3小時的條件下藉由DSC測定所描繪的DSC曲線中，從到達175℃到反應峰消失的時間未達30分鐘，在10Hz下測定藉由於175℃下加熱30分鐘使固化而得的固化物的黏彈性，所得到的200℃的伸張彈性係數為100MPa以上。
  2. 如請求項1之接著薄片，其中，利用將25℃~300℃的範圍中以每分鐘10℃升溫的條件下的DSC測定得到的反應熱為80mJ/mg以上。
  3. 如請求項1之接著薄片，其中，藉由於將175℃加熱30分鐘使固化而得之固化物的Tg為150℃以上。
  4. 如請求項1之接著薄片，其包含BET比表面積為4m2/g以上的二氧化矽填料，前述二氧化矽填料的含量為50重量%以上。
  5. 如請求項1之接著薄片，其包含羥基當量為120g/eq.以下之酚醛樹脂。
  6. 如請求項1之接著薄片，其包含樹脂成分，前述樹脂成分包含環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸樹脂， 前述樹脂成分100重量%中之前述丙烯酸樹脂的含量為14重量%以下。
  7. 如請求項6之接著薄片，其中，前述酚醛樹脂之羥基當量為120g/eq.以下。
  8. 一種附有切割薄片之接著薄片，具備：切割片，其具備基材及配置於前述基材上的黏著劑層、與請求項1之接著薄片，其配置於前述黏著劑層上。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，包含：準備請求項8之附有切割薄片之接著薄片之步驟、與於前述接著薄片壓接半導體晶圓之步驟、與藉由切割配置於前述接著薄片上之前述半導體晶圓，而形成具備焊盤之半導體晶片及配置於前述半導體晶片上之接著薄膜之黏晶用晶片之步驟、與藉由於具備端子部的被黏著體壓接前述黏晶用晶片而形成附有晶片之被黏著體之步驟、與藉由加熱前述附有晶片之被黏著體而使前述接著薄膜固化之步驟、與於使前述黏著薄膜固化之步驟之後進行的包含將包含銅的金屬線之一端與前述焊盤接合的步驟及將前述金屬線的另一端與前述端子部接合之步驟。
TW104137921A 2014-11-25 2015-11-17 Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device TWI656189B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-238021 2014-11-25
JP2014238021A JP6356582B2 (ja) 2014-11-25 2014-11-25 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201627452A TW201627452A (zh) 2016-08-01
TWI656189B true TWI656189B (zh) 2019-04-11

Family

ID=56038944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104137921A TWI656189B (zh) 2014-11-25 2015-11-17 Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6356582B2 (zh)
KR (1) KR102408996B1 (zh)
CN (1) CN105623580B (zh)
TW (1) TWI656189B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018083986A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート
JP6961387B2 (ja) * 2017-05-19 2021-11-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
WO2018225544A1 (ja) * 2017-06-06 2018-12-13 日本化薬株式会社 光硬化性組成物及び電子部品用接着剤
SG11202107968VA (en) * 2019-01-28 2021-08-30 Showa Denko Materials Co Ltd Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
WO2023152837A1 (ja) * 2022-02-09 2023-08-17 株式会社レゾナック フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004315688A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
JP2012092225A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Hitachi Chemical Co Ltd 接着フィルム、ダイシングテープ付接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2012186361A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7560821B2 (en) * 2005-03-24 2009-07-14 Sumitomo Bakelite Company, Ltd Area mount type semiconductor device, and die bonding resin composition and encapsulating resin composition used for the same
JP4939574B2 (ja) * 2008-08-28 2012-05-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5888805B2 (ja) 2011-09-01 2016-03-22 日東電工株式会社 接着フィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム
KR20150003287A (ko) * 2012-04-10 2015-01-08 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 반도체 장치, 다이 어태치 재료 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6431343B2 (ja) * 2014-11-21 2018-11-28 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004315688A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
JP2012092225A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Hitachi Chemical Co Ltd 接着フィルム、ダイシングテープ付接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2012186361A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN105623580A (zh) 2016-06-01
CN105623580B (zh) 2020-11-06
TW201627452A (zh) 2016-08-01
KR20160062692A (ko) 2016-06-02
JP6356582B2 (ja) 2018-07-11
KR102408996B1 (ko) 2022-06-14
JP2016100532A (ja) 2016-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6068386B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP5666335B2 (ja) 保護層形成用フィルム
JP6396189B2 (ja) 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
JP5830250B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN105623533B (zh) 粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法
CN107004589B (zh) 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
WO2015105028A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2011102383A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
TWI656189B (zh) Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device
JP2011023607A (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP2015195267A (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2015092594A (ja) 保護層形成用フィルム
CN104946146B (zh) 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
JP5749314B2 (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP5888805B2 (ja) 接着フィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム
JP2015130420A (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2008108828A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2017092365A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2017092296A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2020161571A (ja) ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム
TWI838470B (zh) 半導體背面密接膜及切晶帶一體型半導體背面密接膜
WO2015104987A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
TW201724229A (zh) 切割膠帶一體型接著薄片