CN112534554B - 端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法 - Google Patents

端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带(1)，其具有黏弹性层(12)，在黏弹性层(12)的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，对于黏弹性层(12)，对圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，用[logG(t)max‑logG(t)min]求出的松弛弹性模量波动值X2为0.12以上。

Description

端子保护用胶带及带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及端子保护用胶带及使用该端子保护用胶带的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。
本申请基于2018年8月8日于日本提出申请的日本特愿2018-149700号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
以往，将用于MPU或门阵列等的多引脚的LSI封装安装于印刷布线基板时，作为具备多个电子部件的半导体装置，使用了在其连接焊盘上形成有由共晶焊料、高温焊料、金等构成的凸状电极(以下，在本说明书中称为“端子”)的半导体装置。并且，采用了使这些端子与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对、接触，进行熔融/扩散接合的安装方法。
随着个人计算机的普及，互联网也变得普遍，现在，智能手机或平板终端也可连接至互联网，通过无线通信技术介由互联网来传播数字化的影像、音乐、照片、文字信息等的情境日益增加。进而，IoT(物联网；Internet of Things)也随之普及，即将对用于在家电、汽车等各种应用领域中更智能地使用传感器、RFID(射频识别，Radio frequencyidentifier)、MEMS(微机电系统，Micro Electro Mechanical Systems)、无线组件等半导体器件的封装技术带来创新性的变革。
如此，在电子设备的持续进化中，对半导体器件的要求水准逐年提高。尤其为了响应高性能化、小型化、高集成化、低功耗化、低成本化的需求，散热措施、抑噪措施成为两个重要的点。
相应于这样的散热措施、抑噪措施，例如如专利文献1所公开的，采用了用导电材料覆盖电子部件模块而形成屏蔽层的方法。专利文献1中，将涂布于经单颗化(singulatiom)的电子部件模块的顶面及侧面的导电性树脂加热并使其固化，形成屏蔽层。
作为使用导电材料覆盖带端子的半导体装置而形成屏蔽层的方法，还已知溅射、离子镀、喷涂等方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-151372号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
专利文献1中公开的电子部件的制造方法中，将设置于集合基板的背面的外部端子电极以掩埋于粘着性片的状态在其之上涂布导电性树脂。由于在粘着性片的规定位置设置有遮蔽部，因此可防止外部端子电极与电磁波屏蔽膜发生电路短路。
然而，外部端子电极有时无法充分掩埋于粘着性片中，或者即使可掩埋，也可能随着时间流逝而发生浮起，外部端子电极与电磁波屏蔽膜发生电路短路。此外，在粘着性片的规定位置设置遮蔽部的工序很复杂。
因此，本发明的目的在于提供一种端子保护用胶带、及使用该端子保护用胶带的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，所述端子保护用胶带为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带，即使针对锡球等具有凹凸、容易发生浮起的端子电极，也可将其掩埋，且不发生浮起。
解决技术问题的技术手段
即，本发明提供以下的端子保护用胶带及使用该端子保护用胶带的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。
[1]一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带，
其具有黏弹性层，
在所述黏弹性层的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，
对于所述黏弹性层，对直径为8mm、厚度约为1mm的圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，根据最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)及从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)，基于下述式(1)求出的松弛弹性模量波动值X2满足下述式(2)。
X2＝logG(t)max-logG(t)min···(1)
0.12≤X2···(2)
[2]根据所述[1]所述的端子保护用胶带，其中，所述黏弹性层具有掩埋层及粘着剂层。
[3]根据所述[2]所述的端子保护用胶带，其依次具有所述粘着剂层、所述掩埋层及基材。
[4]根据所述[3]所述的端子保护用胶带，其为依次具有所述粘着剂层、所述掩埋层、所述基材及第二粘着剂层的双面胶带。
[5]一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将所述带端子的半导体装置的端子埋设于所述[1]～[4]中任一项所述的端子保护用胶带的黏弹性层的工序；及
在所述带端子的半导体装置的未埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层中的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序。
[6]一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于所述[1]～[4]中任一项所述的端子保护用胶带的黏弹性层的工序；
切割所述带端子的半导体装置集合体，将所述带端子的半导体装置集合体制成端子被埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层的带端子的半导体装置的工序；及
在所述带端子的半导体装置的未埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层中的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序。
发明效果
根据本发明，可提供一种端子保护用胶带、及使用该端子保护用胶带的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，所述端子保护用胶带为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带，即使针对锡球等容易发生浮起的端子电极，也可将其掩埋，且不发生浮起。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的端子保护用胶带的一个实施方式的剖面图。
图2为示意性地表示本发明的端子保护用胶带的另一个实施方式的剖面图。
图3为示意性地表示本发明的端子保护用胶带的另一个实施方式的剖面图。
图4为示意性地表示本发明的端子保护用胶带的另一个实施方式的剖面图。
图5为示意性地表示本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
图6为示意性地表示本发明的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的另一个实施方式的剖面图。
图7为示意性地表示比较例的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的实例的剖面图。
具体实施方式
图1为示意性地表示本发明的端子保护用胶带的一个实施方式的剖面图。另外，为了易于理解本发明的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图的重要部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图1所示的端子保护用胶带1为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带1，其具有由掩埋层13及粘着剂层14构成的黏弹性层12。在黏弹性层12的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上。
此外，对于所述黏弹性层，对直径为8mm、厚度约为1mm(是指0.9mm～1.1mm)的圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(即，36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，根据最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)及从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)，基于下述式(1)求出的松弛弹性模量波动值X2满足下述式(2)。
X2＝logG(t)max-logG(t)min···(1)
0.12≤X2···(2)
本实施方式的端子保护用胶带的黏弹性层可以仅由掩埋层构成，也可以具有掩埋层及粘着剂层。
如图1所示，本实施方式的端子保护用胶带可以在黏弹性层12的掩埋层13侧的最表层具备剥离膜21，也可以在黏弹性层12的粘着剂层14侧的最表层具备剥离膜20。
虽然在本实施方式的端子保护用胶带1中，黏弹性层12由掩埋层13及粘着剂层14构成，但只要黏弹性层12具有掩埋层13的功能，且50℃下的tanδ值及松弛弹性模量波动值X2在规定值的范围内，则黏弹性层12也可以仅由掩埋层13构成，本实施方式的端子保护用胶带并不限定于图1所示的端子保护用胶带，在不损害本发明的效果的范围内，可对图1所示的端子保护用胶带中的一部分构成进行变更、删除或追加。
图1所示的端子保护用胶带1可用于以下的工序：将两个剥离膜20、21剥离，载置于支撑体上，从其上方以端子侧朝下的方式按压带端子的半导体装置，将端子埋设于黏弹性层12，进一步在其上方形成电磁波屏蔽膜。在所述黏弹性层的动态黏弹性测定中，由于50℃下的tanδ值为0.2以上，因此在将带端子的半导体装置的端子埋设于黏弹性层12时，即使针对锡球等具有凹凸、容易发生浮起的端子电极，也可将其埋设，可使作为对象的带端子的半导体装置的端子形成面密合于黏弹性层12。进一步，由于黏弹性层12的松弛弹性模量波动值X2在所述式(2)所示的规定值的范围内，因此端子保持被埋设的状态，不会发生浮起，可以防止端子电极与电磁波屏蔽膜发生电路短路，也无需设置工序复杂的遮蔽部等。
如图2的端子保护用胶带2所示，本实施方式的端子保护用胶带可以为依次具有粘着剂层14、掩埋层13及基材11的构成，也可以在黏弹性层12的粘着剂层14侧的最表层具备剥离膜20。
图2所示的端子保护用胶带2可用于以下的工序：将剥离膜20剥离，将带端子的半导体装置以端子侧朝下的方式按压至作为支撑体的基材11上的黏弹性层12，将端子埋设于黏弹性层12，进一步在其上方形成电磁波屏蔽膜。在所述黏弹性层的动态黏弹性测定中，由于50℃下的tanδ值为0.2以上，因此在将带端子的半导体装置的端子埋设于黏弹性层12时，即使针对锡球等具有凹凸、容易发生浮起的端子电极，也可将其埋设，可使作为对象的带端子的半导体装置的端子形成面密合于黏弹性层12。进一步，由于黏弹性层12的松弛弹性模量波动值X2在所述式(2)所示的规定值的范围内，因此端子保持被埋设的状态，不会发生浮起，可以防止端子电极与电磁波屏蔽膜发生电路短路，无需设置工序复杂的遮蔽部等。
如图3的端子保护用胶带3所示，本实施方式的端子保护用胶带可以为依次具有粘着剂层14、掩埋层13及基材11的构成，也可以在黏弹性层12的粘着剂层14侧的最表层具备剥离膜20，也可以在基材11的与黏弹性层12相反的一侧具备用于贴附至支撑体的第二粘着剂层15(即，贴合粘着剂层)，还可以为在第二粘着剂层15侧的最表层具备剥离膜22的双面胶带。
图3所示的端子保护用胶带3可用于以下的工序：将剥离膜22剥离，如图4所示固定于支撑体30，进一步将剥离膜20剥离，将带端子的半导体装置以端子侧朝下的方式按压至黏弹性层12，将端子埋设于黏弹性层12，进一步在其上方形成电磁波屏蔽膜。在所述黏弹性层的动态黏弹性测定中，由于50℃下的tanδ值为0.2以上，因此在将带端子的半导体装置的端子埋设于黏弹性层12时，即使针对锡球等具有凹凸、容易发生浮起的端子电极，也可将其埋设，可使作为对象的带端子的半导体装置的端子形成面密合于黏弹性层12。进一步，由于黏弹性层12的松弛弹性模量波动值X2在所述式(2)所示的规定值的范围内，因此端子保持被埋设的状态，不会发生浮起，可以防止端子电极与电磁波屏蔽膜发生电路短路，无需设置工序复杂的遮蔽部等。
接着，对构成本实施方式的端子保护用胶带的各个层进行说明。
◎黏弹性层
在本实施方式的端子保护用胶带中，黏弹性层可用于保护带端子的半导体装置的端子形成面(换言之电路面)及设置于该端子形成面上的端子，在黏弹性层的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，对于所述黏弹性层，对直径为8mm、厚度约为1mm的圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％(即36°)的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，根据最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)及从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)，基于下述式(1)求出的松弛弹性模量波动值X2满足下述式(2)。
X2＝logG(t)max-logG(t)min···(1)
0.12≤X2···(2)
在本说明书中，“50℃下的黏弹性层的tanδ”可用50℃下的黏弹性层的损耗模量G”(50℃)除以储能模量G’(50℃)而得到。此外，后述的“25℃下的黏弹性层的tanδ”可用25℃下的黏弹性层的损耗模量G”(25℃)除以储能模量G’(25℃)而得到。
此外，在本说明书中，黏弹性层的“损耗模量G””及“储能模量G’”可通过下述方式得到：将厚度为310μm的黏弹性层设置于剪切黏度测定装置中，以频率：1Hz、升温速度：10℃/分钟的测定条件，从室温升温至100℃而进行测定。
在本说明书中，对于黏弹性层，准备直径为8mm、厚度约为1mm的圆柱形状的评价用试样，将其设置于黏弹性测定装置(例如，Anton paar GmbH制造，产品名称“MCR302”)，参考JIS K7244-7，在50℃下旋转夹具以扭转所述试样，通过装置控制持续施加10％(即36°)的恒定的扭转应变，测定松弛弹性模量G(t)，根据该结果可导出“最大松弛弹性模量G(t)max”。此外，在本说明书中，“最小松弛弹性模量G(t)min”可根据从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的松弛弹性模量G(t)而导出。
黏弹性层12的一个面粘着于半导体装置的端子形成面。优选黏弹性层12的所述一个面为粘着剂层。由此，将带端子的半导体装置贴附于粘着剂层14时的粘着力良好。
此外，松弛弹性模量波动值X2必须为0.12以上，优选为0.13以上，更优选为0.14以上。通过使松弛弹性模量波动值X2为所述下限值以上，将带端子的半导体装置贴附于粘着剂层14时，端子保持被埋设的状态，不会发生浮起。此外，松弛弹性模量波动值X2优选为0.42以下，更优选为0.35以下，特别优选为0.30以下。通过使松弛弹性模量波动值X2为所述上限值以下，不会过度埋设，可得到最合适的埋设性(以下，也称为掩埋性)。
松弛弹性模量波动值X2的上限值与下限值可任意组合。
例如，松弛弹性模量波动值X2优选为0.12以上0.42以下，更优选为0.13以上0.35以下，进一步优选为0.14以上0.30以下。
在黏弹性层的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，优选为0.3以上，更优选为0.5以上。通过使50℃下的tanδ值为所述下限值以上，可确保对端子电极的追随性与黏弹性层的流动性，因此端子电极的掩埋性得以提高。50℃下的tanδ值可设为6.5以下，可设为6.0以下，可设为5.4以下。
50℃下的tanδ的上限值与下限值可任意组合。
例如，50℃下的tanδ优选为0.2以上6.5以下，更优选为0.3以上6.0以下，进一步优选为0.5以上5.4以下。
优选所述黏弹性层的50℃下的储能模量G’(50℃)(MPa)满足下述式(3)。
0.01MPa≤G’(50℃)≤15MPa···(3)
通过满足式(3)，即使针对锡球等各种各样形状及大小的容易发生浮起的端子电极，也易于将其埋设。
G’(50℃)优选为0.01～15MPa，更优选为0.02～12.5MPa，进一步优选为0.03～10MPa。
优选本实施方式的端子保护用胶带的所述黏弹性层的25℃下的储能模量G’(25℃)(MPa)满足下述式(4)。
0.05MPa≤G’(25℃)≤20MPa···(4)
通过满足式(4)，常温下易于保持端子保护用胶带的形状，易于抑制掩埋层渗透至端部。
G’(25℃)优选为0.05～20MPa，更优选为0.06～15MPa，进一步优选为0.07～10MPa。
黏弹性层的厚度d1可根据适用的半导体装置的端子的高度h0而调整。黏弹性层的厚度优选为80～800μm，更优选为100～790μm，特别优选为130～780μm。
通过使黏弹性层的厚度为所述下限值以上，即使针对锡球等端子电极，也可将其埋设。此外，通过使掩埋层的厚度为所述上限值以下，可抑制端子保护用胶带的厚度变得过厚。
此处，“黏弹性层的厚度”是指黏弹性层整体的厚度，由掩埋层及粘着剂层的多个层构成的黏弹性层的厚度是指掩埋层及粘着剂层的总厚度。
在本说明书中，可将“层的厚度”设为在随机选择的5个位置测定的厚度的平均值所表示的值，按照JIS K77130，使用定压厚度测定器进行测定。
优选所述黏弹性层的厚度d1(μm)与所述端子的高度h0(μm)之间满足下述式(5)。
1.2≤d1/h0≤5.0···(5)
通过满足式(5)，即使针对锡球等各种各样形状及大小的容易发生浮起的端子电极，也易于将其埋设。
d1/h0优选为1.2～5.0，更优选为1.3～5.0，进一步优选为1.4～5.0。
在黏弹性层的动态黏弹性测定中，25℃下的tanδ值可以为0.2以上，也可以为0.10～1.4，优选为0.20～1.0，更优选为0.30～0.8。
使带端子的半导体装置的端子形成面密合于黏弹性层12时，优选使带端子的半导体装置的端子形成面直接密合于黏弹性层12的粘着剂层14。
此时，为了防止端子形成面及端子上的残胶，优选将粘着剂层14设定得比掩埋层13更硬。
○掩埋层
在本实施方式的端子保护用胶带中，掩埋层是指黏弹性层中埋设并保护带端子的半导体装置的端子的层。
掩埋层为片状或膜状，只要满足所述条件的关系，则其构成材料没有特别限定。在本说明书中，“片状或膜状”是指薄膜状，面内的厚度的偏差小且具有可挠性。
例如，当目的在于抑制因覆盖带着作为保护对象的端子的半导体装置的端子形成面的黏弹性层会反映出存在于半导体表面的端子的形状而导致黏弹性层变形时，作为所述掩埋层的优选构成材料，从更加提高掩埋层的贴附性的角度出发，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂(urethane(meth)acrylate)、丙烯酸类树脂等。
掩埋层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不限于掩埋层的情况，“多个层可以彼此相同也可以不同”是指“可以所有的层均相同，也可以所有的层均不同，还可以仅一部分的层相同”，此外，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一个彼此不同”。
掩埋层的厚度可根据带着作为保护对象的端子的半导体装置的端子形成面的端子的高度而适当调节，但从也可容易地吸收高度较高的端子的影响的点出发，优选黏弹性层的厚度在80～800μm的范围，比粘着剂层更厚，优选为50～600μm，更优选为70～550μm，特别优选为80～500μm。通过使掩埋层的厚度为所述下限值以上，能够形成端子的保护性能更高的黏弹性层。此外，通过使掩埋层的厚度为所述上限值以下，生产率及卷形状下的卷取适性得以提高。
其中，“掩埋层的厚度”是指掩埋层整体的厚度，例如由多个层构成的掩埋层的厚度是指构成掩埋层的所有层的总厚度。
掩埋层优选具有适合埋设端子的柔软的性质，优选比粘着剂层更柔软。
(掩埋层形成用组合物)
掩埋层可使用含有其构成材料的掩埋层形成用组合物而形成。
例如，将掩埋层形成用组合物涂布于掩埋层的形成对象面，根据所需进行干燥，通过能量射线的照射使其固化，由此能够在目标部位形成掩埋层。此外，将掩埋层形成用组合物涂布于剥离膜，根据所需进行干燥，通过能量射线的照射使其固化，由此能够形成目标厚度的掩埋层，还能够将掩埋层转印至目标部位。掩埋层的更具体的形成方法将与其他层的形成方法一同在后文中进行详细说明。掩埋层形成用组合物中的常温下不汽化的成分彼此的含量比通常与掩埋层的所述成分彼此的含量比相同。此处，“常温”是指没有特别进行冷却或加热的温度、即平常的温度，例如可列举出15～30℃的温度等。
使用公知的方法进行掩埋层形成用组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机(blade coater)、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机(screen coater)、迈耶棒涂布机、吻涂机(kiss coater)等各种涂布机的方法。
掩埋层形成用组合物的干燥条件没有特别限定，但当掩埋层形成用组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选以70～130℃、10秒钟～5分钟的条件进行干燥。
掩埋层形成用组合物具有能量射线固化性时，优选通过能量射线的照射使其固化。
作为掩埋层形成用组合物，例如可列举出含有丙烯酸类树脂的掩埋层形成用组合物(I)等。
{掩埋层形成用组合物(I)}
掩埋层形成用组合物(I)含有丙烯酸类树脂。
作为掩埋层形成用组合物(I)，可将含有后述的第一粘着剂组合物(I-1)中的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)及选自由能量射线固化性化合物组成的组中的至少一种的组合物、含有第一粘着剂组合物(I-2)中的在作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的组合物用作掩埋层形成用组合物(I)。
掩埋层形成用组合物(I)中使用的粘着性树脂(I-1a)及能量射线固化性化合物与后述的第一粘着剂组合物(I-1)中使用的粘着性树脂(I-1a)及能量射线固化性化合物的说明相同。
掩埋层形成用组合物(I)中使用的粘着性树脂(I-2a)与后述的第一粘着剂组合物(I-2)中使用的粘着性树脂(I-2a)的说明相同。
掩埋层形成用组合物(I)优选进一步含有交联剂。掩埋层形成用组合物(I)中使用的交联剂与后述的第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)中使用的交联剂的说明相同。
掩埋层形成用组合物(I)可以进一步含有光聚合引发剂、其他添加剂。掩埋层形成用组合物(I)中使用的光聚合引发剂、其他添加剂与后述的第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)中使用的光聚合引发剂、其他添加剂的说明相同。
掩埋层形成用组合物(I)可以含有溶剂。掩埋层形成用组合物(I)、第一粘着剂组合物(I-2)中使用的溶剂与后述的第一粘着剂组合物(I-1)中使用的溶剂的说明相同。
通过调整掩埋层形成用组合物(I)中的粘着性树脂(I-1a)的分子量及能量射线固化性化合物的分子量中的任意一者或两者，可将掩埋层设计成具有适合埋设端子的柔软的性质。
此外，通过调整掩埋层形成用组合物(I)中的交联剂的含量，可将掩埋层设计成具有适合埋设端子的柔软的性质。
＜＜掩埋层形成用组合物的制备方法＞＞
掩埋层形成用组合物(I)等掩埋层形成用组合物可通过掺合用于构成该组合物的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器(mixer)进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
[掩埋层的组成]
本实施方式中的掩埋层的组成为从上述掩埋层形成用组合物(I)中去除溶剂后的组成。
掩埋层形成用组合物(I)为含有后述的第一粘着剂组合物(I-1)中的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)、与能量射线固化性化合物的组合物时，掩埋层(1)中的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于掩埋层(1)的总质量的含有比例优选为55～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。作为本发明的另一个侧面，作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于掩埋层(1)的总质量的含有比例可以为45～90质量％，也可以为50～85质量％。此外，能量射线固化性化合物相对于掩埋层(1)的总质量的含有比例优选为1～50质量％，进一步优选为5～45质量％。掩埋层(1)含有交联剂时，交联剂相对于掩埋层(1)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。
掩埋层形成用组合物(I)为含有在作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的组合物时，掩埋层(2)中的在侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)相对于掩埋层的总质量的含有比例优选为10～70质量％，更优选为15～65质量％，进一步优选为20～60质量％。此外，作为本发明的另一个侧面，作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于掩埋层(2)的总质量的含有比例可以为10～60质量％，可以为15～55质量％，也可以为20～55质量％。掩埋层(2)含有交联剂时，交联剂相对于掩埋层(2)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～7.8质量％。此外，本实施方式的掩埋层(2)可以进一步含有作为所述丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)。此时，作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)相对于掩埋层(2)的总质量的含有比例优选为35～85质量％，更优选为40～80质量％，进一步优选为35～75质量％。此外，本实施方式的掩埋层(2)进一步含有所述作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)时，相对于100质量份的所述粘着性树脂(1-2a)，所述粘着性树脂(1-1a)的含量优选为40～150质量份，更优选为50～140质量份，进一步优选为60～130质量份。
掩埋层(1)中包含的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)、能量射线固化性化合物、掩埋层(2)中包含的在粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的组成等可以与后述的第一粘着剂组合物(I-1)中使用的作为丙烯酸类树脂的粘着性树脂(I-1a)、能量射线固化性化合物、在粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(1-2a)的说明相同。
在本实施方式中，优选为包含粘着性树脂(1-2a)、粘着性树脂(1-1a)及交联剂的掩埋层(2)。此时，粘着性树脂(1-1a)优选为具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元与来自含羧基单体的单元的丙烯酸类聚合物。此外，粘着性树脂(1-2a)优选为使具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、来自含羟基单体的单元的丙烯酸类聚合物反应而得到的丙烯酸类聚合物。交联剂可使用后述的第一粘着剂组合物(I-1)中例示的化合物，特别优选使用甲苯二异氰酸酯。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例优选为75～99质量％，更优选为80～98质量％，进一步优选为85～97质量％。作为本发明的另一个侧面，来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例可以为70～95质量％，也可以为80～95质量％。含羧基单体的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例优选为1.0～30质量％，更优选为2.0～25质量％，进一步优选为3.0～20质量％。作为本发明的另一个侧面，含羧基单体的结构单元相对于粘着性树脂(1-1a)的总质量的含有比例可以为3.0～20质量％，也可以为5.0～15质量％。粘着性树脂(1-1a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。此外，在粘着性树脂(1-1a)中，优选为丙烯酸烷基酯。其中，所述(甲基)丙烯酸烷基酯特别优选为丙烯酸正丁酯。此外，作为粘着性树脂(1-1a)中的含羧基单体，可列举出烯属不饱和一元羧酸、烯属不饱和二羧酸、烯属不饱和二羧酸的酐等，其中，优选烯属不饱和一元羧酸，更优选(甲基)丙烯酸，特别优选丙烯酸。
本实施方式的粘着性树脂(1-1a)的重均分子量优选为100,000～800,000，更优选为150,000～700,000，进一步优选为200,000～600,000。
另外，在本说明书中，除非另有说明，否则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为1.0～95质量％，更优选为2.0～90质量％，进一步优选为3.0～85质量％。来自含羟基单体的单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为1.0～50质量％，更优选为2.0～45质量％，进一步优选为3.0～40质量％。粘着性树脂(1-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为1～12，更优选为1～4。粘着性树脂(1-2a)优选具有2种以上的来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，更优选具有来自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯的结构单元，进一步优选具有来自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯的结构单元。作为粘着性树脂(1-2a)中的含羟基单体，可使用后述的第一粘着剂组合物(I-1)中例示的含羟基单体，特别优选使用丙烯酸2-羟基乙酯。作为具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物，可使用后述的第一粘着剂组合物(I-2)中例示的化合物，特别优选使用2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。将来自所述含羟基单体的所有羟基设为100mol时，所述具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物的使用量优选为10～150mol，更优选为20～140mol，进一步优选为30～130mol。
本实施方式的粘着性树脂(1-2a)的重均分子量优选为10,000～500,000，更优选为20,000～400,000，进一步优选为30,000～300,000。
○粘着剂层
以下，为了与后述的用于贴合于支撑体的第二粘着剂层区别开，有时将构成黏弹性层的粘着剂层称为“第一粘着剂层”。
第一粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。
作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸类树脂(由具有(甲基)丙烯酰基的树脂形成的粘着剂)、氨基甲酸酯类树脂(由具有氨基甲酸酯键的树脂形成的粘着剂)、橡胶类树脂(由具有橡胶结构的树脂形成的粘着剂)、硅酮类树脂(由具有硅氧烷键的树脂形成的粘着剂)、环氧类树脂(由具有环氧基的树脂形成的粘着剂)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等粘着性树脂，优选丙烯酸类树脂。
另外，在本发明中，“粘着性树脂”为同时包含具有粘着性的树脂及具有粘合性的树脂的概念。例如，不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包含通过与添加剂等其他成分的同时使用而显示粘着性的树脂、或通过热或水等诱因(trigger)的存在而显示粘合性的树脂等。
第一粘着剂层可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
第一粘着剂层的厚度优选为1～1000μm，更优选为2～100μm，特别优选为8～20μm。
其中，“第一粘着剂层的厚度”是指第一粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的第一粘着剂层的厚度是指构成第一粘着剂层的所有层的总厚度。
第一粘着剂层可以使用能量射线固化性粘着剂而形成，也可以使用非能量射线固化性粘着剂而形成。使用能量射线固化性的粘着剂而形成的第一粘着剂层能够容易地调节固化前及固化后的物性。
在本发明中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的射线，作为其实例，可列举出紫外线、电子束等。
紫外线，例如可通过使用高压汞灯、熔融H灯(fusion H lamp)或氙灯等作为紫外线源而进行照射。电子束能够照射利用电子束加速器等产生的电子束。
在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。
{{第一粘着剂组合物}}
第一粘着剂层可使用含有粘着剂的第一粘着剂组合物而形成。例如，将第一粘着剂组合物涂布在第一粘着剂层的形成对象面上并根据所需进行干燥，由此能够在目标部位形成第一粘着剂层。此外，将第一粘着剂组合物涂布于剥离膜，并根据所需进行干燥，由此能够形成目标厚度的第一粘着剂层，还能够将第一粘着剂层转印至目标部位。第一粘着剂层的更具体的形成方法将与其他层的形成方法一同在后文中进行详细说明。第一粘着剂组合物中的常温下不汽化的成分彼此的含量比通常与第一粘着剂层的所述成分彼此的含量比相同。另外，在本实施方式中，“常温”是指没有特别进行冷却或加热的温度、即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。
使用公知的方法进行第一粘着剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。
第一粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但当第一粘着剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选以70～130℃、10秒钟～5分钟的条件进行干燥。
第一粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的第一粘着剂组合物、即能量射线固化性的第一粘着剂组合物，例如可列举出含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)(以下，有时简写作“粘着性树脂(I-1a)”)与能量射线固化性化合物的第一粘着剂组合物(I-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)(以下，有时简写作“粘着性树脂(I-2a)”)的第一粘着剂组合物(I-2)；含有所述粘着性树脂(I-2a)与能量射线固化性低分子化合物的第一粘着剂组合物(I-3)等。
{第一粘着剂组合物(I-1)}
如上所述，第一粘着剂组合物(I-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)及能量射线固化性化合物。
(粘着性树脂(I-1a))
优选所述粘着性树脂(I-1a)为丙烯酸类树脂。
作为所述丙烯酸类树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物。
所述丙烯酸类树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
作为所述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，优选所述烷基为直链状或支链状。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
从提高第一粘着剂层的粘着力的点出发，优选所述丙烯酸类聚合物具有来自所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。并且，从进一步提高第一粘着剂层的粘着力的点出发，所述烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。此外，优选所述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯为丙烯酸烷基酯。
优选所述丙烯酸类聚合物除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还进一步具有来自含官能团单体的结构单元。
作为所述含官能团单体，例如可列举出通过所述官能团与后述的交联剂进行反应而生成交联起点、或所述官能团与含不饱和基团化合物中的不饱和基团进行反应而可在丙烯酸类聚合物的侧链导入不饱和基团的含官能团单体。
作为含官能团单体中的所述官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
作为所述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(即不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为所述含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；所述烯属不饱和二羧酸的酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能团单体优选为含羟基单体、含羧基单体，更优选为含羟基单体。
构成所述丙烯酸类聚合物的含官能团单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在所述丙烯酸类聚合物中，相对于结构单元的总量，来自含官能团单体的结构单元的含量优选为1～35质量％，更优选为3～32质量％，特别优选为5～30质量％。
除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元及来自含官能团单体的结构单元以外，所述丙烯酸类聚合物还可以进一步具有来自其他单体的结构单元。
所述其他单体只要能够与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚，则没有特别限定。
作为所述其他单体，例如可列举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。
构成所述丙烯酸类聚合物的所述其他单体可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
所述丙烯酸类聚合物能够用作上述的非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)。
另一方面，能够将具有能量射线聚合性不饱和基团(能量射线聚合性基团)的含不饱和基团化合物与所述丙烯酸类聚合物中的官能团反应而生成的产物用作上述的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
另外，在本发明中，“能量射线聚合性”是指通过照射能量射线而进行聚合的性质。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的粘着性树脂(I-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于第一粘着剂组合物(I-1)的总质量，粘着性树脂(I-1a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
(能量射线固化性化合物)
作为第一粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物。
作为能量射线固化性化合物中的单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。
作为能量射线固化性化合物中的低聚物，例如可列举出上文中例示的单体聚合而成的低聚物等。
就分子量较大、第一粘着剂层的储能模量不易降低的点而言，优选能量射线固化性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
在本说明书中，“低聚物”是指重均分子量或式量为5,000以下的物质。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于第一粘着剂组合物(I-1)的总质量，所述能量射线固化性化合物的含量优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
(交联剂)
将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-1a)时，优选第一粘着剂组合物(I-1)进一步含有交联剂。
所述交联剂例如通过与所述官能团反应从而使粘着性树脂(I-1a)彼此交联。
作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷、乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘着剂的内聚力从而提高第一粘着剂层的粘着力的点、及容易获得等的点出发，优选交联剂为异氰酸酯类交联剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于粘着性树脂(I-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为1～10质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-1)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苯偶酰、二苯偶酰、二苯甲酮、2,4-二乙基噻吨酮、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。
此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-1)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
另外，反应延迟剂是指，例如抑制在保存中的第一粘着剂组合物(I-1)中，因第一粘着剂组合物(I-1)中混入的催化剂的作用而进行非目的性的交联反应的添加剂。作为反应延迟剂，例如可列举出利用针对催化剂的螯合物而形成螯合物配位化合物(chelatecomplex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出一分子中具有两个以上羰基(-C(＝O)-)的反应延迟剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，其他添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类进行适当选择即可。
(溶剂)
第一粘着剂组合物(I-1)可以含有溶剂。通过使第一粘着剂组合物(I-1)含有溶剂，其对涂布对象面的涂布适应性得以提高。
优选所述溶剂为有机溶剂，作为所述有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氢呋喃、二噁烷等醚；环己烷、正己烷等脂肪族烃；甲苯、二甲苯等芳香族烃；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作为所述溶剂，例如可以不将制备粘着性树脂(I-1a)时所使用的溶剂从粘着性树脂(I-1a)中去除而直接用于第一粘着剂组合物(I-1)，也可以在制备第一粘着剂组合物(I-1)时另外添加与制备粘着性树脂(I-1a)时所使用的溶剂相同或不同种类的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-1)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-1)中，溶剂的含量没有特别限定，只要进行适当调节即可。
[第一粘着剂组合物(I-2)]
如上所述，第一粘着剂组合物(I-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(I-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(I-2a)。
(粘着性树脂(I-2a))
所述粘着性树脂(I-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而得到。
所述含不饱和基团化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团以外，还进一步具有通过与粘着性树脂(I-1a)中的官能团进行反应而可与粘着性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。
作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(也称为次乙基)、烯丙基(也称为2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。
作为可与粘着性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出可与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及可与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。
作为所述含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等，优选(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯，其中，特别优选2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。
所述异氰酸酯化合物可与粘着性树脂(I-1a)中的羟基键合，将粘着性树脂(I-1a)中的所有羟基设为100mol时，所述异氰酸酯化合物的使用量优选为10～150mol，更优选为20～140mol，进一步优选为30～130mol。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的粘着性树脂(I-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于第一粘着剂组合物(I-2)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。
(交联剂)
例如将与粘着性树脂(I-1a)中的具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸类聚合物相同的丙烯酸类聚合物用作粘着性树脂(I-2a)时，第一粘着剂组合物(I-2)还可进一步含有交联剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述交联剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为1～10质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-2)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-2)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述其他添加剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的其他添加剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，其他添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类进行适当选择即可。
(溶剂)
出于与第一粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，第一粘着剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。
作为第一粘着剂组合物(I-2)中的所述溶剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-2)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-2)中，溶剂的含量没有特别限定，只要进行适当调节即可。
{第一粘着剂组合物(I-3)}
如上所述，第一粘着剂组合物(I-3)含有所述粘着性树脂(I-2a)及能量射线固化性低分子化合物。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于第一粘着剂组合物(I-3)的总质量，粘着性树脂(I-2a)的含量优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
(能量射线固化性低分子化合物)
作为第一粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性低分子化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的所述能量射线固化性低分子化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于粘着性树脂(I-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性低分子化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。
(光聚合引发剂)
第一粘着剂组合物(I-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使对含有光聚合引发剂的第一粘着剂组合物(I-3)照射紫外线等较低能量的能量射线，其也充分地进行固化反应。
作为第一粘着剂组合物(I-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，相对于100质量份的粘着性树脂(I-2a)及所述能量射线固化性低分子化合物的总含量，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
(其他添加剂)
在不损害本发明的效果的范围内，第一粘着剂组合物(I-3)还可以含有不属于上述任一成分的其他添加剂。
作为所述其他添加剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的其他添加剂相同的其他添加剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，其他添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类进行适当选择即可。
(溶剂)
出于与第一粘着剂组合物(I-1)的情况相同的目的，第一粘着剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。
作为第一粘着剂组合物(I-3)中的所述溶剂，可列举出与第一粘着剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
第一粘着剂组合物(I-3)所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。
在第一粘着剂组合物(I-3)中，溶剂的含量没有特别限定，只要进行适当调节即可。
{除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物}
至此，主要对第一粘着剂组合物(I-1)、第一粘着剂组合物(I-2)及第一粘着剂组合物(I-3)进行了说明，但作为它们的含有成分而进行了说明的成分同样也可用于除这三种第一粘着剂组合物以外的所有的第一粘着剂组合物(在本实施方式中，称为“除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物”)中。
作为除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物，除了能量射线固化性的第一粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的第一粘着剂组合物。
作为非能量射线固化性的第一粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸类树脂(具有(甲基)丙烯酰基的树脂)、氨基甲酸酯类树脂(具有氨基甲酸酯键的树脂)、橡胶类树脂(具有橡胶结构的树脂)、硅酮类树脂(具有硅氧烷键的树脂)、环氧类树脂(具有环氧基的树脂)、聚乙烯醚、或聚碳酸酯等粘着性树脂的组合物，优选含有丙烯酸类树脂的非能量射线固化性的第一粘着剂组合物。
优选除第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)以外的第一粘着剂组合物含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设定得与上述的第一粘着剂组合物(I-1)等的情况相同。
＜第一粘着剂组合物的制备方法＞
第一粘着剂组合物(I-1)～(I-3)等的所述第一粘着剂组合物可通过掺合用于构成第一粘着剂组合物的各成分，即通过掺合所述粘着剂及根据所需的除所述粘着剂以外的成分等而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。
使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可以不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但温度优选为15～30℃。
{第一粘着剂层的组成}
本实施方式中的第一粘着剂层的组成为从上述第一粘着剂层组合物中去除溶剂后的组成。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-1)时，第一粘着剂层(I-1)中的粘着性树脂(I-1a)相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。此外，作为本发明的另一个侧面，粘着性树脂(I-1a)相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例可以为25～80质量％，也可以为30～75质量％，还可以为35～70质量％。此外，能量射线固化性化合物相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为1～50质量％，更优选为2～48质量％，进一步优选为5～45质量％。第一粘着剂层(I-1)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-1)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-2)时，第一粘着剂层(I-2)中的粘着性树脂(I-2a)相对于第一粘着剂层(I-2)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为60～98质量％，进一步优选为70～97质量％。第一粘着剂层(I-2)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-2)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。
第一粘着剂层组合物为所述第一粘着剂组合物(I-3)时，第一粘着剂层(I-3)中的粘着性树脂(I-2a)相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为55～95质量％，进一步优选为60～90质量％。此外，能量射线固化性低分子化合物相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为1～50质量％，更优选为2～48质量％，进一步优选为5～45质量％。第一粘着剂层(I-3)含有交联剂时，交联剂相对于第一粘着剂层(I-3)的总质量的含有比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.2～9质量％，进一步优选为0.3～8质量％。
在本实施方式中，优选为包含粘着性树脂(1-2a)及交联剂的第一粘着剂层(I-2)。此时，粘着性树脂(1-2a)优选为使具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元、来自含羟基单体的单元的丙烯酸类聚合物反应而得到的丙烯酸类聚合物。交联剂可使用第一粘着剂组合物(I-1)中例示的化合物，特别优选使用甲苯二异氰酸酯。
来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为50～99质量％，更优选为60～98质量％，进一步优选为70～97质量％。来自含羟基单体的单元相对于粘着性树脂(1-2a)的总质量的含有比例优选为0.5～15质量％，更优选为1.0～10质量％，进一步优选为2.0～10质量％。粘着性树脂(1-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数优选为1～12，更优选为1～4。粘着性树脂(1-2a)优选具有2种以上的来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，更优选具有来自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯的结构单元，进一步优选具有来自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯的结构单元。作为粘着性树脂(1-2a)中的含羟基单体，可使用上述的第一粘着剂组合物(I-1)中例示的含羟基单体，特别优选使用丙烯酸2-羟基乙酯。作为具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物，可使用第一粘着剂组合物(I-2)中例示的化合物，特别优选使用2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。将来自所述含羟基单体的所有羟基设为100mol时，所述具有异氰酸酯基及能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物的使用量优选为20～80mol，更优选为25～75mol，进一步优选为30～70mol。
◎基材
基材为片状或膜状，作为其构成材料，例如可列举出各种树脂。
作为所述树脂，例如可列举出：低密度聚乙烯(也称为LDPE)、线性低密度聚乙烯(也称为LLDPE)、高密度聚乙烯(也称为HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等除聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(也称为EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(即，使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(即，使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯(也称为PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、所有的结构单元具有芳香族环式基团的全芳香族聚酯等聚酯；两种以上的所述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
此外，作为所述树脂，例如还可列举出所述聚酯与除其以外的树脂的混合物等聚合物合金(polymer alloy)。优选所述聚酯与除其以外的树脂的聚合物合金中的除聚酯以外的树脂的量为较少量。
此外，作为所述树脂，例如还可列举出上文中例示的所述树脂中的一种或两种以上交联而成的交联树脂；使用了上文中例示的所述树脂中的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。
另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为同时包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也相同，例如“(甲基)丙烯酸酯”是指同时包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念，“(甲基)丙烯酰基”是指同时包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”的概念。
构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可任意选择。
基材可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多个层，为多个层时，这些多个层可以彼此相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为5～1000μm，更优选为10～500μm，进一步优选为15～300μm，特别优选为20～150μm。
此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的总厚度。
优选基材为厚度精度高的基材，即无论在任何部位，厚度的偏差均得以抑制的基材。作为可用于构成这种厚度精度高的基材的材料，例如可列举出上述构成材料中的聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
除了所述树脂等主要构成材料以外，基材还可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材可以为透明，可以为不透明，可以根据目的进行着色，也可以蒸镀有其他层。
所述黏弹性层为能量射线固化性时，优选基材透射能量射线。
能够利用公知的方法制造基材。例如，含有树脂的基材能够通过将含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。
◎剥离膜
所述剥离膜可以为本领域公知的剥离膜。
作为优选的所述剥离膜，例如可列举出利用硅酮处理等对聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂制膜的至少一个表面进行了剥离处理的剥离膜；膜的至少一个表面为用聚烯烃构成的剥离面的剥离膜等。
优选剥离膜的厚度与基材的厚度相同。
◎第二粘着剂层
第二粘着剂层(即贴合粘着剂层)为用于将本实施方式的端子保护用胶带贴合于支撑体的粘着剂层。
所述第二粘着剂层可以为本领域公知的粘着剂层，可结合支撑体从在上述第一粘着剂层中进行了说明的粘着剂层中适当选择。
用于形成第二粘着剂层的第二粘着剂组合物与所述第一粘着剂组合物相同，第二粘着剂组合物的制备方法也与所述第一粘着剂组合物的制备方法相同。
◇端子保护用胶带的制造方法
能够通过以使上述各个层成为对应的位置关系的方式依次进行层叠而制造所述端子保护用胶带。各个层的形成方法与在上文中说明的相同。
例如，将上述的掩埋层形成用组合物涂布于剥离膜的剥离处理面上，并根据需要进行干燥，由此层叠掩埋层。将上述的第一粘着剂组合物涂布于另一个剥离膜的剥离处理面上，并根据需要进行干燥，由此层叠第一粘着剂层。通过将剥离膜上的掩埋层与另一个剥离膜上的第一粘着剂层贴合，得到剥离膜、掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜依次层叠而成的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
此外，将掩埋层及第一粘着剂层沿它们的厚度方向依次层叠在基材上而成的端子保护用胶带可利用以下所示的方法制造。
例如，将上述的剥离膜、掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜依次层叠而成的端子保护用胶带的掩埋层侧的剥离膜剥离，并将其与基材贴合，由此可得到在基材上依次层叠有掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
此外，例如，将掩埋层形成用组合物在基材上挤出成型，由此将掩埋层层叠在基材上。将上述的第一粘着剂组合物涂布于剥离膜的剥离处理面上，并根据需要进行干燥，由此层叠第一粘着剂层。然后，将该剥离膜上的第一粘着剂层与基材上的掩埋层贴合，由此也可得到在基材上依次层叠有掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
此外，将第二粘着剂层、基材、掩埋层及第一粘着剂层沿它们的厚度方向依次层叠而成的双面胶带形态的端子保护用胶带可利用以下所示的方法制造。
例如，准备上述的在基材上依次层叠有掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜的端子保护用胶带。将上述的第二粘着剂组合物涂布于另一个剥离膜的剥离处理面上，并根据需要进行干燥，由此层叠第二粘着剂层。然后，将该剥离膜上的第二粘着剂层与所述端子保护用胶带的基材贴合，由此可得到将剥离膜、第二粘着剂层、基材、掩埋层、第一粘着剂层及剥离膜依次层叠而成的端子保护用胶带。剥离膜在使用端子保护用胶带时去除即可。
在上述的制造方法中，能够以使具备除上述各个层以外的其他层的端子保护用胶带的所述其他层的层叠位置成为适合的位置的方式，适当追加所述其他层的形成工序及层叠工序中的任意一者或两者，由此制造具备除上述各个层以外的其他层的端子保护用胶带。
◇带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法
本实施方式的端子保护用胶带例如可用于以下的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。
图5为本实施方式的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，为示意性地表示将依次具有粘着剂层14、掩埋层13及基材11的端子保护用胶带3如图4所示地固定于支撑体30而进行的、带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法的一个实施方式的剖面图。
首先，如图5的(a)、图5的(b)所示，将带端子的半导体装置65以端子91侧、即电路基板63的端子形成面63a朝下的方式按压至端子保护用胶带的黏弹性层12，将端子91埋设于黏弹性层12。
此时，使黏弹性层12与带端子的半导体装置65的端子91接触，将带端子的半导体装置65按压至端子保护用胶带。由此，使黏弹性层12的粘着剂层14侧的最表面依次压接于端子91的表面及电路基板63的端子形成面63a。此时，通过对黏弹性层12进行加热，黏弹性层12软化，并以覆盖端子91的方式在端子91间扩散，密合于端子形成面63a，且同时覆盖端子91的表面、尤其是端子形成面63a的附近部位的表面，由此埋设端子91。
作为使带端子的半导体装置65压接于端子保护用胶带的方法，可适用使各种片压接于对象物而进行贴附的公知的方法，例如可列举出使用层压辊、真空层压机的方法等。
使带端子的半导体装置65压接于端子保护用胶带时的压力没有特别限定，优选为0.1～1.5MPa，更优选为0.3～1.3MPa。加热温度优选为30～70℃，更优选为35～65℃，特别优选为40～60℃。此外，优选将黏弹性层12的第一粘着剂层14贴合于端子形成面63a。
将导电性树脂101涂布于带端子的半导体装置65的露出面(图5的(c))，进一步使其热固化，由此形成由导电材料构成的电磁波屏蔽膜10(图5的(d))。作为使用导电材料覆盖而形成电磁波屏蔽膜10的方法，也可使用溅射、离子镀、喷涂等方法。
对于所述端子保护用胶带，由于黏弹性层12的松弛弹性模量波动值X2在所述式(2)所示的规定值的范围内，因此将带端子的半导体装置的端子埋设于黏弹性层12时，即使针对锡球等具有凹凸、容易发生浮起的端子电极，也可将其埋设，且可使电路基板63的端子形成面63a密合于黏弹性层12。进一步，由于端子保持被埋设的状态，因此可防止作为端子电极的端子91与电磁波屏蔽膜10发生电路短路，无需设置工序复杂的遮蔽部等。
通过从具有黏弹性层12的端子保护用胶带3上拾取带电磁波屏蔽膜的半导体装置66，可取出被电磁波屏蔽膜10覆盖的带端子的半导体装置65(图5的(e))。
图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，作为电磁波屏蔽对象的带端子的半导体装置65可以为单独制造而成的带端子的半导体装置65，也可以为利用切割法单颗化而成的带端子的半导体装置65。
图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，虽然示出了使用端子保护用胶带3对经单颗化的各个电子部件61、62被密封树脂64密封的带端子的半导体装置65进行电磁波屏蔽的方法，但如下所述，也可以使用端子保护用胶带2对进行单颗化之前的带端子的半导体装置集合体6中的带端子的半导体装置65进行电磁波屏蔽。
图6为本实施方式的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，为示意性地表示使用依次具有粘着剂层14、掩埋层13及基材11的端子保护用胶带2，对带端子的半导体装置65进行电磁波屏蔽的方法的另一个实施方式的剖面图。
首先，如图6的(a)、图6的(b)所示，将通过电路基板63连接的带端子的半导体装置集合体6以端子91侧、即电路基板63的端子形成面63a朝下的方式按压至端子保护用胶带的黏弹性层12，以与所述图5的(a)、图5的(b)相同的方式将端子91埋设于黏弹性层12。
此时，一边从上侧对带端子的半导体装置集合体6施加压力，一边以与所述图5的(a)、图5的(b)相同的方式将端子91埋设于端子保护用胶带的黏弹性层12。
此外，边加热黏弹性层12边进行贴合，由此可使黏弹性层12软化，使黏弹性层12密合于电路基板63的端子形成面63a。使带端子的半导体装置集合体6压接于端子保护用胶带时的压力没有特别限定，优选为0.1～1.5MPa，更优选为0.3～1.3MPa。加热温度优选为30～70℃，更优选为35～65℃，特别优选为40～60℃。此外，优选将黏弹性层12的第一粘着剂层14贴合于端子形成面63a。
接着，切割带端子的半导体装置集合体6，制成带端子的半导体装置65(图6的(c))。将形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的本实施方式的端子保护用胶带兼作为带端子的半导体装置集合体6的切割胶带。而且，在图5所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，当作为电磁波屏蔽对象的带端子的半导体装置65为利用切割法单颗化而成的带端子的半导体装置65时，拾取切割胶带上的带端子的半导体装置并将其重新贴附于端子保护用胶带的作业(图5的(a))是必要的。另一方面，图6所示的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法中，可省略将切割胶带上的带端子的半导体装置65重新贴附于端子保护用胶带的作业。
将导电性树脂101涂布于带端子的半导体装置65的露出面(图6的(d))。此时，在导电性树脂101于带端子的半导体装置集合体6的各个带端子的半导体装置65的边界部分的分离并不充分的情况下，可使用扩展装置等拉伸端子保护用胶带。能够以经单颗化的带端子的半导体装置65的各自的侧面涂布有导电性树脂101的状态，将各个带端子的半导体装置65单颗化。进一步，将涂布于经单颗化的带端子的半导体装置65的顶面及侧面的导电性树脂101加热并使其固化，从而在带端子的半导体装置65的露出面上形成由导电材料形成的电磁波屏蔽膜10(图6的(e))。还可以将导电材料直接溅射至带端子的半导体装置65(图6的(c))，从而形成电磁波屏蔽膜10(图6的(e))。
由于黏弹性层12的松弛弹性模量波动值X2在所述式(2)所示的规定值的范围内，因此在将带端子的半导体装置集合体6的端子埋设于黏弹性层12时，即使针对锡球等容易发生浮起的端子电极，也可以将其埋设而不发生浮起，可使电路基板63的端子形成面63a密合于黏弹性层12。结果，可防止作为端子电极的端子91与电磁波屏蔽膜10发生电路短路，无需设置工序复杂的遮蔽部等。
通过从具有黏弹性层12的端子保护用胶带上拾取带电磁波屏蔽膜的半导体装置66，可取出被电磁波屏蔽膜10覆盖的带端子的半导体装置65(图6的(f))。
在本实施方式的端子保护用胶带中，优选端子91的高度h0比黏弹性层12的厚度d1低，优选为1.2≤d1/h0≤5.0。具体而言，端子91的高度h0优选为50～300μm，更优选为60～270μm，特别优选为80～240μm。通过使端子91的高度为所述下限值以上，可进一步提高端子91的功能。此外，通过使端子91的高度为所述上限值以下，抑制黏弹性层12残留在端子91上部的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“端子的高度”是指端子中存在于距端子形成面最高的位置的部位的高度。带端子的半导体装置集合体6及带端子的半导体装置65具有多个端子91时，端子91的高度h0可以为它们的平均值。端子的高度例如可利用非接触式3D光学干涉型表面粗糙度仪(Veeco Instruments Inc.制造，商品名称：Wyko NT1100)测定。
端子91的宽度没有特别限定，优选为170～350μm，更优选为200～320μm，特别优选为230～290μm。通过使端子91的宽度为所述下限值以上，能够进一步提高端子91的功能。此外，通过使端子91的高度为所述上限值以下，抑制黏弹性层12残留在端子91上部的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“端子的宽度”是指从垂直于端子形成面的方向向下俯视端子时，用直线连接端子表面上的不同的两个点而得到的线段的最大值。端子为球形或半球形时，“端子的宽度”是指向下俯视端子时的该端子的最大直径(端子径)。
相邻的端子91间的距离(即端子间节距)没有特别限定，优选为250～800μm，更优选为300～600μm，特别优选为350～500μm。通过使所述距离为所述下限值以上，能够进一步提高端子91的掩埋性。此外，通过使所述距离为所述上限值以下，抑制黏弹性层12残留在端子91上部的效果变得更高。
另外，在本说明书中，“相邻的端子间的距离”是指相邻的端子彼此表面间的距离的最小值。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。
＜单体＞
以下示出缩写的单体的正式名称。
HEA：丙烯酸2-羟基乙酯
BA：丙烯酸正丁酯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
AAc：丙烯酸
(贴合粘着剂层形成用组合物A的制备)
添加33.6质量份的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)、66.4质量份的作为溶剂的甲基乙基酮、及0.2质量份的作为交联剂的多元环氧化合物(MITSUBISHI GASCHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，浓度5％的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)，搅拌30分钟从而制备贴合粘着剂层形成用组合物A，所述丙烯酸类共聚物由91质量份的BA及9质量份的AAc形成。
(贴合粘着剂层A的制造)
将所述贴合粘着剂层形成用组合物A涂布在利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上，并于100℃加热干燥1分钟，由此制造厚度为20μm的贴合粘着剂层A。
(粘着剂层形成用组合物B的制备)
制备由74质量份BA、20质量份MMA及6质量份HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下，缩写为“MOI”)(相对于HEA约为50摩尔％)加成而成的树脂的溶液(粘着剂主要成分，固体成分35质量％)。相对于100质量份的粘着剂主要成分，添加0.5质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)，搅拌30分钟从而制备粘着剂层形成用组合物B。
(粘着剂层14的制造)
将所述粘着剂层形成用组合物B涂布在利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上，并于100℃加热干燥1分钟，由此制造厚度为10μm的粘着剂层14。
(掩埋层形成用组合物A的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、93.5质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、2.5质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)、及2.5质量份的多元环氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，浓度5％的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物A，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(掩埋层形成用组合物B的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、75质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、及15质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物B，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(掩埋层形成用组合物C的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、75质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、及2.5质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物C，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(掩埋层形成用组合物D的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、75质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、8.75质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)、及2.5质量份的多元环氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，浓度5％的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物D，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(掩埋层形成用组合物E的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、75质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、15质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)、及5.0质量份的多元环氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，浓度5％的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物E，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(掩埋层形成用组合物F的制备)
添加100质量份的由91质量份的BA及9质量份的AAc形成的丙烯酸类共聚物(重均分子量(Mw)400,000)的溶液(固体成分33.6质量％)、75质量份的树脂(重均分子量(Mw)100,000)的溶液(固体成分45质量％)、2.5质量份的作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，产品名称“BHS-8515”，固体成分浓度：37.5％)、及5.0质量份的多元环氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造，产品名称“TETRAD-C”，浓度5％的1,3-双(N,N-二缩水甘油氨甲基)环己烷)，搅拌30分钟从而制备掩埋层形成用组合物E，所述树脂通过以使相对于HEA100mol％的加成率成为80mol％的方式，使由62质量份的BA、10质量份的MMA及28质量份的HEA形成的丙烯酸类共聚物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯加成而成。
(基材)
将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(产品名称“Cosmo Shine A4100”，厚度50μm，TOYOBO Co.,Ltd.制造)用于基材11。
(带端子的半导体装置的准备)
对实施例及比较例的端子保护用胶带的掩埋性进行评价时，准备了以下的带端子的半导体装置。
·带端子的半导体装置(1)
半导体装置的大小：10mm×10mm
端子的高度：200μm
端子径：250μm
端子间节距：400μm
端子的数目：10×10＝100个
＜动态黏弹性(剪切储能模量)测定方法＞
对于黏弹性层，使用动态机械分析装置(TAInstruments.制造，产品名称“DMAQ800”)，以升温速度10℃/分钟的条件升温至150℃，测定储能模量G’及损耗模量G”，求出它们的50℃下的比(G”/G’)、即tanδ值。
＜应力缓和性的测定方法＞
将图1所示的形态的端子保护用胶带1中的两个剥离膜剥离，层叠多层黏弹性层12，由此形成厚度约为1mm的黏弹性层。由该黏弹性层制作直径为8mm、厚度约为1mm的圆柱形状的评价用试样。
针对上述样品，参考JIS K7244-7，使用黏弹性测定装置(Anton paar GmbH制造，产品名称“MCR302”)，在50℃下旋转夹具以扭转评价用试样，通过装置控制持续施加10％(即36°)的恒定的扭转应变，测定松弛弹性模量G(t)(MPa)。根据其测定结果，导出最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)，同时导出从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)。
测定温度：50℃
根据得到的最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)及最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)，基于下述式(1)，计算松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。
X2＝logG(t)max-logG(t)min···(1)
＜刚冲压后的的掩埋性评价方法＞
将图3的形态的端子保护用胶带3的贴合粘着剂层15侧的剥离膜22剥离，使其粘合于SUS板30上，从而制作图4的形态的用于掩埋性评价的试样，将粘着剂层14侧的剥离膜20剥离，以使该SUS板30侧朝下的方式将其设置于温度调节至50℃的加热板上。接着，如图5的(a)所示，以使所述带端子的半导体装置的端子侧朝下的方式，使用真空层压机，以冲压压力(载荷)1.1MPa、冲压时间40s、加热时间50℃将所述带端子的半导体装置按压至该黏弹性层12。对9个带端子的半导体装置实施该掩埋性评价。
在刚冲压后，从侧面观察而确认掩埋性，将所有带端子的半导体装置的下侧的面粘合于端子保护用胶带、端子被端子保护用胶带遮盖而无法观察到的情况评价为刚冲压后的掩埋性良好(5)。将虽然能够在半导体装置的内侧确认到一部分端子浮起、但半导体装置外周部被端子保护用胶带遮盖而无法观察到端子的情况评价为刚冲压后的掩埋性良(4)。将半导体装置外周部的一部分从端子保护用胶带上剥离、可观察到的端子的比例为50％以下的情况评价为刚冲压后的掩埋性普通(3)。将半导体装置外周部的一部分从端子保护用胶带上剥离、可观察到的端子的比例为50％以上的情况评价为刚冲压后的掩埋性(2)。将至少1个带端子的半导体装置的下侧的面从端子保护用胶带上浮起、可在端子保护用胶带与半导体装置本体之间观察到所有端子的情况评价为刚冲压后的掩埋性不良(1)。
＜冲压1天后的浮起的评价方法＞
然后，针对放冷至常温1天后的带端子的半导体装置，从侧面观察而确认浮起，将所有带端子的半导体装置的下侧的面粘合于端子保护用胶带、端子被端子保护用胶带遮盖而无法观察到的情况评价为浮起良好(5)。将虽然能够在半导体装置的内侧确认到一部分端子浮起、但半导体装置外周部被端子保护用胶带遮盖而无法观察到端子的情况评价为浮起良(4)。将半导体装置外周部的一部分从端子保护用胶带上剥离、可观察到的端子的比例为50％以下的情况评价为浮起普通(3)。将半导体装置外周部的一部分从端子保护用胶带上剥离、可观察到的端子的比例为50％以上的情况评价为浮起些微不良(2)。将带端子的半导体装置的下侧的面从端子保护用胶带上浮起、可在端子保护用胶带与半导体装置本体之间观察到所有端子的情况评价为浮起不良(1)。
[实施例1]
＜端子保护用胶带的制造＞
将掩埋层形成用组合物A涂布在利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上，并于100℃加热干燥1分钟后，将利用硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation.制造的“SP-PET382150”，厚度38μm)的剥离处理面层压于掩埋层形成用组合物A上，制造厚度为50μm的掩埋层。
将所述掩埋层的剥下了经层压的剥离膜后的面彼此贴合，制作厚度为100μm的掩埋层。以同样的方式贴合并层叠掩埋层，制作厚度为300μm的掩埋层A。
将厚度为300μm的掩埋层A贴合于厚度为10μm的粘着剂层14，制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的实施例1的端子保护用胶带1。
＜应力缓和性的测定＞
针对实施例1的端子保护用胶带1，计算松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
＜黏弹性层的剪切储能模量测定＞
针对实施例1的端子保护用胶带1，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。将结果示于表1。
＜掩埋性的评价＞
将实施例1的端子保护用胶带1的掩埋层A侧的剥离膜剥离，并与作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(产品名称“Cosmo Shine A4100”，厚度50μm，TOYOBO Co.,Ltd.制造)的易粘合处理侧贴合，制造图2所示的基材11/掩埋层13/粘着剂层14的形态的具有黏弹性层12的实施例1的端子保护用胶带2。
进一步，在实施例1的端子保护用胶带2的基材的与掩埋层A相反的一侧层叠所述贴合粘着剂层A，制造图3所示的形态的具有黏弹性层12的实施例1的端子保护用胶带3。
针对实施例1的端子保护用胶带3，对刚冲压后的掩埋性进行评价。将结果示于表1。
＜浮起的评价＞
然后，针对放冷至常温1天后的带端子的半导体装置，对浮起进行评价。将结果示于表1。
[实施例2]
＜端子保护用胶带的制造＞
将实施例1中的掩埋层形成用组合物A变更为掩埋层形成用组合物B，除此以外，以与实施例1相同的方式制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的实施例1的端子保护用胶带1。
以与实施例1相同的方式，针对实施例2的端子保护用胶带1中的黏弹性层12，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。此外，计算50℃下的松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
以与实施例1相同的方式，使用实施例2的端子保护用胶带1，制造图2所示的形态的具有黏弹性层12的实施例2的端子保护用胶带2、及图3所示的形态的具有黏弹性层12的实施例2的端子保护用胶带3。
针对实施例2的端子保护用胶带3，以与实施例1相同的方式对刚冲压后的掩埋性及浮起进行评价。将结果示于表1。
[实施例3]
＜端子保护用胶带的制造＞
将实施例1中的掩埋层形成用组合物A变更为掩埋层形成用组合物C，除此以外，以与实施例1相同的方式制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的实施例3的端子保护用胶带1。
以与实施例1相同的方式，针对实施例3的端子保护用胶带1中的黏弹性层12，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。此外，计算50℃下的松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
以与实施例1相同的方式，使用实施例3的端子保护用胶带1，制造图2所示的形态的具有黏弹性层12的实施例3的端子保护用胶带2、及图3所示的形态的具有黏弹性层12的实施例3的端子保护用胶带3。
针对实施例3的端子保护用胶带3，以与实施例1相同的方式对刚冲压后的掩埋性及浮起进行评价。将结果示于表1。
[比较例1]
＜端子保护用胶带的制造＞
将实施例1中的掩埋层形成用组合物A变更为掩埋层形成用组合物D，除此以外，以与实施例1相同的方式制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的比较例1的端子保护用胶带1。
以与实施例1相同的方式，针对比较例1的端子保护用胶带1中的黏弹性层12，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。此外，计算50℃下的松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
以与实施例1相同的方式，使用比较例1的端子保护用胶带1，制造图2所示的形态的具有黏弹性层12的比较例1的端子保护用胶带2、及图3所示的形态的具有黏弹性层12的比较例1的端子保护用胶带3。
针对比较例1的端子保护用胶带3，以与实施例1相同的方式对刚冲压后的掩埋性及浮起进行评价。将结果示于表1。
[比较例2]
＜端子保护用胶带的制造＞
将实施例1中的掩埋层形成用组合物A变更为掩埋层形成用组合物E，除此以外，以与实施例1相同的方式制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的比较例2的端子保护用胶带1。
以与实施例1相同的方式，针对比较例2的端子保护用胶带1中的黏弹性层12，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。此外，计算50℃下的松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
以与实施例1相同的方式，使用比较例2的端子保护用胶带1，制造图2所示的形态的具有黏弹性层12的比较例2的端子保护用胶带2、及图3所示的形态的具有黏弹性层12的比较例2的端子保护用胶带3。
针对比较例2的端子保护用胶带3，以与实施例1相同的方式对刚冲压后的掩埋性及浮起进行评价。将结果示于表1。
[比较例3]
＜端子保护用胶带的制造＞
将实施例1中的掩埋层形成用组合物A变更为掩埋层形成用组合物F，除此以外，以与实施例1相同的方式制造图1所示的形态的具有厚度为310μm的黏弹性层12的比较例3的端子保护用胶带1。
以与实施例1相同的方式，针对比较例3的端子保护用胶带1中的黏弹性层12，求出50℃下的tanδ(损耗模量G”/储能模量G’)。此外，计算50℃下的松弛弹性模量波动值X2＝ΔlogG(t)。将结果示于表1。
以与实施例1相同的方式，使用比较例3的端子保护用胶带1，制造图2所示的形态的具有黏弹性层12的比较例3的端子保护用胶带2、及图3所示的形态的具有黏弹性层12的比较例3的端子保护用胶带3。
针对比较例3的端子保护用胶带3，以与实施例1相同的方式对刚冲压后的掩埋性及浮起进行评价。将结果示于表1。
[表1]
如根据表1所示的结果所示，比较例的端子保护用胶带的掩埋性不良(比较例2)或者在冲压1天后发生浮起(图7的(c))，对带端子的半导体装置进行电磁波屏蔽、形成电磁波屏蔽膜时，端子电极与电磁波屏蔽膜可能会发生电路短路(图7的(f))。
本实施方式的实施例的端子保护用胶带可将容易发生浮起的凸块埋设于黏弹性层12，可使半导体装置的端子形成面密合于黏弹性层，即使在1天后也不发生浮起。因此，使用本实施方式的端子保护用胶带对带端子的半导体装置进行电磁波屏蔽、形成电磁波屏蔽膜时，可防止作为端子电极的凸块与电磁波屏蔽膜发生电路短路，无需设置工序复杂的遮蔽部等。
工业实用性
本发明的端子保护用胶带可用于在对带端子的半导体装置进行电磁波屏蔽时，保护带端子的半导体装置的端子的用途。使用本发明的端子保护用胶带，可对带端子的半导体装置进行电磁波屏蔽，可制造带电磁波屏蔽膜的半导体装置。
附图标记说明
1、2、3：端子保护用胶带；10：电磁波屏蔽膜；11：基材；12：黏弹性层；13：掩埋层；14：粘着剂层；15：第二粘着剂层(贴合粘着剂层)；30：支撑体；6：带端子的半导体装置集合体；60：半导体装置集合体；60a：端子形成面；61、62：电子部件；63：电路基板；63a：端子形成面；64：密封树脂层；65：带端子的半导体装置；66：带电磁波屏蔽膜的半导体装置；91：端子；101：导电性树脂；20、21、22：剥离膜。

Claims (6)

1.一种端子保护用胶带，其为在带端子的半导体装置上形成电磁波屏蔽膜的工序中使用的端子保护用胶带，
其具有黏弹性层，
在所述黏弹性层的动态黏弹性测定中，50℃下的tanδ值为0.2以上，
对于所述黏弹性层，对直径为8mm、厚度约为1mm的圆柱形状的评价用试样于50℃施加10％，即36°的恒定的扭转应变并测定松弛弹性模量时，根据最大松弛弹性模量G(t)max(MPa)及从测定所述最大松弛弹性模量G(t)max开始至1秒后为止所测定的最小松弛弹性模量G(t)min(MPa)，基于下述式(1)求出的松弛弹性模量波动值X2满足下述式(2)，
X2＝logG(t)max-logG(t)min···(1)，
0.12≤X2···(2)。
2.根据权利要求1所述的端子保护用胶带，其中，所述黏弹性层具有掩埋层及粘着剂层。
3.根据权利要求2所述的端子保护用胶带，其依次具有所述粘着剂层、所述掩埋层及基材。
4.根据权利要求3所述的端子保护用胶带，其为依次具有所述粘着剂层、所述掩埋层、所述基材及第二粘着剂层的双面胶带。
5.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置的端子埋设于权利要求1～4中任一项所述的端子保护用胶带的黏弹性层的工序；及
在所述带端子的半导体装置的未埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层中的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序。
6.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：
将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于权利要求1～4中任一项所述的端子保护用胶带的黏弹性层的工序；
切割所述带端子的半导体装置集合体，将所述带端子的半导体装置集合体制成端子被埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层的带端子的半导体装置的工序；及
在所述带端子的半导体装置的未埋设于所述端子保护用胶带的黏弹性层中的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序。
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