JPWO2020032176A1 - 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法 - Google Patents

端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020032176A1
JPWO2020032176A1 JP2020535878A JP2020535878A JPWO2020032176A1 JP WO2020032176 A1 JPWO2020032176 A1 JP WO2020032176A1 JP 2020535878 A JP2020535878 A JP 2020535878A JP 2020535878 A JP2020535878 A JP 2020535878A JP WO2020032176 A1 JPWO2020032176 A1 JP WO2020032176A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
pressure
sensitive adhesive
mass
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020535878A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7301053B2 (ja
Inventor
沙也香 坂東
沙也香 坂東
明徳 佐藤
明徳 佐藤
康喜 中石
康喜 中石
岡本　直也
直也 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of JPWO2020032176A1 publication Critical patent/JPWO2020032176A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7301053B2 publication Critical patent/JP7301053B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/022—Mechanical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本発明は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープ（１）であって、粘弾性層（１２）を有し、粘弾性層（１２）の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であり、粘弾性層（１２）について、円柱形状の評価用試料を５０℃で１０％（３６°）の一定の捻り歪を加えて、緩和弾性率を測定したときの、［ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ−ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ］で求められる緩和弾性率変動値Ｘ２が、０．１２以上である端子保護用テープに関する。

Description

本発明は、端子保護用テープ及びそれを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法に関する。
本願は、２０１８年８月８日に、日本に出願された特願２０１８−１４９７００号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
従来、ＭＰＵやゲートアレー等に用いる多ピンのＬＳＩパッケージをプリント配線基板に実装する場合には、複数の電子部品を備える半導体装置として、その接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等からなる凸状電極（以下、本明細書においては「端子」と称する）が形成されたものを用いている。そして、それらの端子をチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融／拡散接合する実装方法が採用されている。
パーソナルコンピュータの普及と共にインターネットは一般的となり、現在では、スマートフォンやタブレット端末もインターネットに接続され、デジタル化された映像、音楽、写真、文字情報などを無線通信技術によりインターネットを介して伝達されるシーンが益々増えている。更には、ＩｏＴ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ Ｔｈｉｎｇｓ）が普及して、家電、自動車などの様々なアプリケーション分野でセンサー、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ワイヤレスコンポーネント等の半導体デバイスをよりスマートに使用するためのパッケージ技術に革新的な変革がもたらされようとしている。
このように電子機器の進化が続く中で、半導体デバイスへの要求水準は年々高まっている。特に、高性能化、小型化、高集積化、低消費電力化、低コスト化へのニーズに答えようとすると、熱対策、ノイズ対策の２つが重要なポイントとなる。
このような熱対策、ノイズ対策に対応して、例えば特許文献１に開示されるように、電子部品モジュールを導電材料で被覆してシールド層を形成する方法が採用されている。特許文献１では、個片化された電子部品モジュールの天面及び側面に塗布された導電性樹脂を加熱し硬化させて、シールド層を形成している。
端子付き半導体装置を、導電材料で被覆してシールド層を形成する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、スプレーコート等の方法も知られている。
特開２０１１−１５１３７２号公報
特許文献１で開示されている電子部品の製造方法では、集合基板の裏面に設けられた外部端子電極は、粘着性シートに埋め込まれた状態で導電性樹脂が塗布される。粘着性シートの所定の位置にマスキング部が設けられているので、外部端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができる。
しかし、外部端子電極が粘着性シートに充分埋め込ませることができない場合があり、また、埋め込ませることができても、時間が経つにつれて浮きが生じてしまい、外部端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートしてしまうおそれがある。また、粘着性シートの所定の位置にマスキング部を設けることは工程上煩雑である。
そこで、本発明は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋め込むことができ、かつ浮きが生じることがない端子保護用テープ、及び、それを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、以下の端子保護用テープ及びそれを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法を提供する。
［１］ 端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、
粘弾性層を有し、
前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であり、
前記粘弾性層について、直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円柱形状の評価用試料を５０℃で１０％（３６°）の一定の捻り歪を加えて、緩和弾性率を測定したときの、最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）および前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）から下記式（１）に基づいて求められる緩和弾性率変動値Ｘ２が、下記式（２）を充足する端子保護用テープ。
Ｘ２＝ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ − ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ ・・・（１）
０．１２ ≦ Ｘ２ ・・・（２）
［２］ 前記粘弾性層が、埋め込み層及び粘着剤層を有する、前記［１］に記載の端子保護用テープ
［３］ 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、基材と、をこの順で有する、前記［２］に記載の端子保護用テープ。
［４］ 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、前記基材と、第２の粘着剤層と、をこの順で有する両面テープである、前記［３］に記載の端子保護用テープ。
［５］ 前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、前記端子付き半導体装置の端子を埋設させる工程と、
前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
［６］ 前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、端子付き半導体装置集合体の端子を埋設させる工程と、
前記端子付き半導体装置集合体をダイシングして、前記端子付き半導体装置集合体を、前記端子保護用テープの粘弾性層に端子が埋設された端子付き半導体装置とする工程と、
前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
本発明によれば、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても埋め込むことができ、かつ浮きが生じることがない端子保護用テープ、及び、それを用いる電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の端子保護用テープの一の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の端子保護用テープの他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の一の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。 比較例に係る電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の例を模式的に示す断面図である。
図１は、本発明の端子保護用テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
図１に示す端子保護用テープ１は、端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープ１であって、埋め込み層１３及び粘着剤層１４からなる粘弾性層１２を有する。粘弾性層１２の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上である。
また、前記粘弾性層について、直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍ（０．９ｍｍ〜１．１ｍｍを意味する）の円柱形状の評価用試料を５０℃で１０％（すなわち、３６°）の一定の捻り歪を加えて、緩和弾性率を測定したときの、最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）および前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）から下記式（１）に基づいて求められる緩和弾性率変動値Ｘ２が、下記式（２）を充足する。
Ｘ２＝ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ − ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ ・・・（１）
０．１２ ≦ Ｘ２ ・・・（２）
本実施形態の端子保護用テープは、粘弾性層が、埋め込み層のみからなるものであってもよく、埋め込み層及び粘着剤層を有するものであってもよい。
本実施形態の端子保護用テープは、図１に示すように、粘弾性層１２の埋め込み層１３の側の最表層に剥離フィルム２１を備えていてもよく、粘弾性層１２の粘着剤層１４の側の最表層に剥離フィルム２０を備えていてもよい。
実施形態の端子保護用テープ１において、粘弾性層１２は埋め込み層１３及び粘着剤層１４からなるが、粘弾性層１２は埋め込み層１３の機能を有し、かつ、５０℃におけるｔａｎδの値及び緩和弾性率変動値Ｘ２が所定の値の範囲内にあれば、粘弾性層１２は埋め込み層１３のみからなるものであってもよく、本実施形態の端子保護用テープは、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
図１に示す端子保護用テープ１は、両方の剥離フィルム２０、２１を剥離して、支持体の上に載せて、その上から端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層１２に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であるので、端子付き半導体装置の端子を粘弾性層１２に埋設するにあたり、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層１２に密着させることができる。さらに、粘弾性層１２の緩和弾性率変動値Ｘ２が前記式（２）で示される所定の値の範囲内にあるので、端子が埋設されたままで保持されて、浮きが生じることなく、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
本実施形態の端子保護用テープは、図２の端子保護用テープ２に示すように、粘着剤層１４と、埋め込み層１３と、基材１１と、をこの順で有する構成であってもよく、粘弾性層１２の粘着剤層１４の側の最表層に剥離フィルム２０を備えていてもよい。
図２に示す端子保護用テープ２は、剥離フィルム２０を剥離して、支持体としての基材１１の上の粘弾性層１２に、端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層１２に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であるので、端子付き半導体装置の端子を粘弾性層１２に埋設するにあたり、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層１２に密着させることができる。さらに、粘弾性層１２の緩和弾性率変動値Ｘ２が前記式（２）で示される所定の値の範囲内にあるので、端子が埋設されたままで保持されて、浮きが生じることなく、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要がない。
本実施形態の端子保護用テープは、図３の端子保護用テープ３に示すように、粘着剤層１４と、埋め込み層１３と、基材１１と、をこの順で有する構成であって、粘弾性層１２の粘着剤層１４の側の最表層に剥離フィルム２０を備えていてもよく、基材１１の、粘弾性層１２とは反対の側に、支持体に貼合するための第２粘着剤層１５（すなわち、貼合粘着剤層）を備えていてもよく、第２粘着剤層１５の側の最表層に剥離フィルム２２を備える両面テープであってもよい。
図３に示す端子保護用テープ３は、剥離フィルム２２を剥離して、図４に示すように、支持体３０に固定し、更に、剥離フィルム２０を剥離して、粘弾性層１２に、端子付き半導体装置を、端子の側を下にして押し付けて、粘弾性層１２に端子を埋設し、更にその上から電磁波シールド膜を形成する工程に使用することができる。前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であるので、端子付き半導体装置の端子が粘弾性層１２に埋設されるに際して、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても埋設することが可能で、対象とする端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層１２に密着させることができる。さらに、粘弾性層１２の緩和弾性率変動値Ｘ２が前記式（２）で示される所定の値の範囲内にあるので、端子が埋設されたままで保持されて、浮きが生じることなく、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
次に、本実施形態の端子保護用テープを構成する各層について説明する。
◎粘弾性層
本実施形態の端子保護用テープにおいて、粘弾性層は、端子付き半導体装置の端子形成面（換言すると回路面）、及びこの端子形成面上に設けられた端子を保護するために用いられるものであり、粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値は０．２以上であり、前記粘弾性層について、直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円柱形状の評価用試料を５０℃で１０％（すなわち、３６°）の一定の捻り歪を加えて、緩和弾性率を測定したときの、最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）および前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）から下記式（１）に基づいて求められる緩和弾性率変動値Ｘ２が、下記式（２）を充足する。
Ｘ２＝ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ − ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ ・・・（１）
０．１２ ≦ Ｘ２ ・・・（２）
本明細書において、「５０℃における粘弾性層のｔａｎδ」は、５０℃における粘弾性層の損失弾性率Ｇ”（５０℃）を貯蔵弾性率Ｇ’（５０℃）で除して得ることができる。また、後述の「２５℃における粘弾性層のｔａｎδ」は、２５℃における粘弾性層の損失弾性率Ｇ”（２５℃）を貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）で除して得ることができる。
また、本明細書において、粘弾性層の「損失弾性率Ｇ”」及び「貯蔵弾性率Ｇ’」は、せん断粘度測定装置に厚さ３１０μｍの粘弾性層を設置し、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／ｍｉｎの測定条件で、室温から１００℃まで昇温させて測定することによって得ることができる。
本明細書において、「最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ」は、粘弾性層について、直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円柱形状の評価用試料を準備し、粘弾性測定装置（例えば、Ａｎｔｏｎ ｐａａｒ社製、製品名「ＭＣＲ３０２」）に設置し、ＪＩＳ Ｋ７２４４−７を参考に、５０℃で治具を回転させて前記試料を捻り、１０％（すなわち、３６°）の一定の捻り歪を装置制御により加え続け、緩和弾性率Ｇ（ｔ）を測定した結果から導出することができる。また、本明細書において、「最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ」は、前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された緩和弾性率Ｇ（ｔ）から導出することができる。
粘弾性層１２の一方の面は、半導体装置の端子形成面に粘着される。粘弾性層１２の前記一方の面は、粘着剤層であることが好ましい。これにより、端子付き半導体装置を粘着剤層１４に貼着させたときの粘着力が良好となる。
また、緩和弾性率変動値Ｘ２は、０．１２以上である必要があり、０．１３以上であることが好ましく、０．１４以上であることがより好ましい。緩和弾性率変動値Ｘ２が前記下限値以上であることにより、端子付き半導体装置を粘着剤層１４に貼着させた際に端子が埋設されたままで保持されて、浮きが生じることがない。また、緩和弾性率変動値Ｘ２は、０．４２以下であることが好ましく、０．３５以下であることがより好ましく、０．３０以下であることが特に好ましい。緩和弾性率変動値Ｘ２が前記上限値以下であることにより、埋設が過剰となるおそれがなく、最適な埋設性（以下、埋め込み性ともいう。）が得られる。
緩和弾性率変動値Ｘ２の上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。
例えば、緩和弾性率変動値Ｘ２は０．１２以上０．４２以下であることが好ましく、０．１３以上０．３５以下であることがより好ましく、０．１４以上０．３０以下であることがさらに好ましい。
粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値は０．２以上であり、０．３以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましい。５０℃におけるｔａｎδの値が前記下限値以上であることにより、端子電極への追従性と粘弾性層の流動性が確保できるため、端子電極の埋め込み性が向上する。５０℃におけるｔａｎδの値は、６．５以下とすることができ、６．０以下とすることができ、５．４以下とすることができる。
５０℃におけるｔａｎδの上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。
例えば、５０℃におけるｔａｎδは０．２以上６．５以下であることが好ましく、０．３以上６．０以下であることがより好ましく、０．５以上５．４以下であることがさらに好ましい。
前記粘弾性層の５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（５０℃）（ＭＰａ）が下記式（３）を充足することが好ましい。
０．０１ＭＰａ ≦ Ｇ’（５０℃） ≦ １５ＭＰａ ・・・（３）
式（３）を充足することにより、はんだボール等の、様々な形状・大きさの浮きの生じやすい端子電極であってもより埋設し易くなる。
Ｇ’（５０℃）は０．０１〜１５ＭＰａであることが好ましく、０．０２〜１２．５ＭＰａであることがより好ましく、０．０３〜１０ＭＰａであることがさらに好ましい。
本実施形態の端子保護用テープは、前記粘弾性層の２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）（ＭＰａ）が下記式（４）を充足することが好ましい。
０．０５ＭＰａ ≦ Ｇ’（２５℃） ≦ ２０ＭＰａ ・・・（４）
式（４）を充足することにより、常温における端子保護用テープの形状が保持されやすく、埋め込み層の端部への浸み出しを抑制し易くなる。
Ｇ’（２５℃）は０．０５〜２０ＭＰａであることが好ましく、０．０６〜１５ＭＰａであることがより好ましく、０．０７〜１０ＭＰａであることがさらに好ましい。
粘弾性層の厚さｄ１は、適用する半導体装置の端子の高さｈ０に応じて調整することができる。粘弾性層の厚さは８０〜８００μｍであることが好ましく、１００〜７９０μｍであることがより好ましく、１３０〜７８０μｍであることが特に好ましい。
粘弾性層の厚さが前記下限値以上であることで、はんだボール等の端子電極であっても埋設することができる。また、埋め込み層の厚さが前記上限値以下であることで、端子保護用テープが過剰な厚さとなることが抑制される。
ここで、「粘弾性層の厚さ」とは、粘弾性層全体の厚さを意味し、埋め込み層及び粘着剤層の複数層からなる粘弾性層の厚さは、埋め込み層及び粘着剤層の合計の厚さを意味する。
本明細書において、「層の厚さ」は、無作為に選択した５箇所で厚さを測定した平均で表される値として、ＪＩＳ Ｋ７７１３０に準じて、定圧厚さ測定器を用いて測定することができる。
前記粘弾性層の厚さｄ１（μｍ）は、前記端子の高さｈ０（μｍ）との間で、下記式（５）を充足することが好ましい。
１．２≦ ｄ１／ｈ０ ≦５．０ ・・・（５）
式（５）を充足することにより、はんだボール等の、様々な形状・大きさの浮きの生じやすい端子電極であってもより埋設し易くなる。
ｄ１／ｈ０は１．２〜５．０であることが好ましく、１．３〜５．０であることがより好ましく、１．４〜５．０であることがさらに好ましい。
粘弾性層の動的粘弾性測定において、２５℃におけるｔａｎδの値は０．２以上であってもよく、０．１０〜１．４であってもよく、０．２０〜１．０であることが好ましく、０．３０〜０．８であることがより好ましい。
端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層１２に密着させるに際しては、端子付き半導体装置の端子形成面を粘弾性層１２の粘着剤層１４に直接密着させることが好ましい。
このとき、端子形成面及び端子にのり残りを防ぐために、粘着剤層１４は、埋め込み層１３よりも硬く設定することが好ましい。
〇埋め込み層
本実施形態の端子保護用テープにおいて、埋め込み層は、粘弾性層のうち端子付き半導体装置の端子を埋設して保護する層を云う。
埋め込み層は、シート状又はフィルム状であり、前記条件の関係を満たす限り、その構成材料は、特に限定されない。本明細書において、「シート状又はフィルム状」とは、薄い膜状で、面内の厚さのばらつきが小さく、フレキシブル性を有するものを意味する。
例えば、保護対象となる端子付き半導体装置の端子形成面を覆う粘弾性層に、半導体表面に存在する端子の形状が反映されることによって、粘弾性層が変形してしまうことの抑制を目的とする場合、前記埋め込み層の好ましい構成材料としては、埋め込み層の貼付性がより向上する点から、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
埋め込み層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
なお、本明細書においては、埋め込み層の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
埋め込み層の厚さは、保護対象となる端子付き半導体装置の端子形成面の端子の高さに応じて適宜調節できるが、比較的高さが高い端子の影響も容易に吸収できる点から、粘弾性層の厚さが８０〜８００μｍとなる範囲で、粘着剤層よりも厚くすることが好ましく、５０〜６００μｍであることが好ましく、７０〜５５０μｍであることがより好ましく、８０〜５００μｍであることが特に好ましい。埋め込み層の厚さが前記下限値以上であることで、端子の保護性能がより高い粘弾性層を形成できる。また、埋め込み層の厚さが前記上限値以下であることで、生産性とロール形状での巻取り適性が向上する。
ここで、「埋め込み層の厚さ」とは、埋め込み層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる埋め込み層の厚さとは、埋め込み層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
埋め込み層は、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有することが好ましく、粘着剤層よりも柔らかいことが好ましい。
（埋め込み層形成用組成物）
埋め込み層は、その構成材料を含有する埋め込み層形成用組成物を用いて形成できる。
例えば、埋め込み層の形成対象面に埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させ、エネルギー線の照射によって硬化させることで、目的とする部位に埋め込み層を形成できる。また、剥離フィルムに埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させ、エネルギー線の照射によって硬化させることで、目的とする厚さの埋め込み層を形成でき、目的とする部位に埋め込み層を転写することもできる。埋め込み層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。埋め込み層形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、埋め込み層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。ここで、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜３０℃の温度等が挙げられる。
埋め込み層形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
埋め込み層形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、埋め込み層形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０〜１３０℃で１０秒間〜５分間の条件で乾燥させることが好ましい。
埋め込み層形成用組成物は、エネルギー線硬化性を有する場合、エネルギー線の照射により硬化させることが好ましい。
埋め込み層形成用組成物としては、例えば、アクリル系樹脂を含有する埋め込み層形成用組成物（Ｉ）等が挙げられる。
｛埋め込み層形成用組成物（Ｉ）｝
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）は、アクリル系樹脂を含有する。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）としては、後述する、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）及びエネルギー線硬化性化合物からなる群から選択される少なくとも一種を含有する組成物、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（１−２ａ）を含有する組成物を埋め込み層形成用組成物（Ｉ）として用いることができる。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）において用いる粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）及びエネルギー線硬化性化合物は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）で用いる粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）及びエネルギー線硬化性化合物の説明と同じである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）において用いる粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において用いる粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の説明と同じである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。埋め込み層形成用組成物（Ｉ）において用いる架橋剤は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）で用いる架橋剤の説明と同じである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）は、さらに光重合開始剤、その他の添加剤を含有していてもよい。埋め込み層形成用組成物（Ｉ）において用いる光重合開始剤、その他の添加剤は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）で用いる光重合開始剤、その他の添加剤の説明と同じである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）は、溶媒を含有していてもよい。埋め込み層形成用組成物（Ｉ）、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において用いる溶媒は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）で用いる溶媒の説明と同じである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）のうち、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の分子量及びエネルギー線硬化性化合物の分子量のいずれか一方又は両方を調整することで、埋め込み層が、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有するよう設計することができる。
また、埋め込み層形成用組成物（Ｉ）のうち、架橋剤の含有量を調整することで、埋め込み層が、端子を埋設するに相応しい、柔らかい性質を有するよう設計することができる。
＜＜埋め込み層形成用組成物の製造方法＞＞
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）等の埋め込み層形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。
｛埋め込み層の組成｝
本実施形態における、埋め込み層の組成は、上述の埋め込み層形成用組成物（Ｉ）から溶媒を除いたものである。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）が、後述する、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）のうち、アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する組成物である場合の埋め込み層（１）における、埋め込み層（１）の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は５５〜９９質量％であることが好ましく、５５〜９５質量％であることがより好ましく、６０〜９０質量％であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、埋め込み層（１）の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は４５〜９０質量％であってもよく、５０〜８５質量％であってもよい。また、埋め込み層（１）の総質量に対するエネルギー線硬化性化合物の含有割合は１〜５０質量％であることが好ましく、５〜４５質量％であることがさらに好ましい。埋め込み層（１）が架橋剤を含有する場合、埋め込み層（１）の総質量に対する架橋剤の含有割合は０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜９質量％であることがより好ましく、０．３〜８質量％であることがさらに好ましい。
埋め込み層形成用組成物（Ｉ）が、アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（１−２ａ）を含有する組成物である場合の埋め込み層（２）における、埋め込み層の総質量に対する側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（１−２ａ）の含有割合は１０〜７０質量％であることが好ましく、１５〜６５質量％であることがより好ましく、２０〜６０質量％であることがさらに好ましい。また、本発明の別の側面としては、埋め込み層（２）の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は、１０〜６０質量％であってもよく、１５〜５５質量％であってもよく、２０〜５５質量％であってもよい。埋め込み層（２）が架橋剤を含有する場合、埋め込み層（２）の総質量に対する架橋剤の含有割合は０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜９質量％であることがより好ましく、０．３〜７．８質量％であることがさらに好ましい。また、本実施形態の埋め込み層（２）はさらに前記アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）を含有していてもよい。この場合、埋め込み層（２）の総質量に対するアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は、３５〜８５質量％であることが好ましく、４０〜８０質量％であることがより好ましく、３５〜７５質量％であることがさらに好ましい。また、本実施形態の埋め込み層（２）がさらに前記アクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）を含有する場合、前記粘着性樹脂（１−２ａ）１００質量部に対する、前記粘着性樹脂（１−１ａ）の含有量は、４０〜１５０質量部であることが好ましく、５０〜１４０質量部であることがより好ましく、６０〜１３０質量部であることがさらに好ましい。
埋め込み層（１）に含まれるアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）、エネルギー線硬化性化合物、埋め込み層（２）に含まれる粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（１−２ａ）の組成等は、後述する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）で用いるアクリル系樹脂である粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）、エネルギー線硬化性化合物、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（１−２ａ）の説明と同じでもよい。
本実施形態においては、粘着性樹脂（１−２ａ）、粘着性樹脂（１−１ａ）、及び架橋剤を含む埋め込み層（２）であることが好ましい。この場合、粘着性樹脂（１−１ａ）は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位と、カルボキシ基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体であることが好ましい。また、粘着性樹脂（１−２ａ）は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、水酸基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体に、イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させて得られたアクリル系重合体であることが好ましい。架橋剤は、後述の第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において例示される化合物を使用することができ、トリレンジイソシアネートを使用することが特に好ましい。
粘着性樹脂（１−１ａ）の総質量に対する（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、７５〜９９質量％であることが好ましく、８０〜９８質量％であることがより好ましく、８５〜９７質量％であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、粘着性樹脂（１−１ａ）の総質量に対する（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、７０〜９５質量％でもよく、８０〜９５質量％でもよい。粘着性樹脂（１−１ａ）の総質量に対するカルボキシ基含有モノマーの構成単位の含有割合は、１．０〜３０質量％であることが好ましく、２．０〜２５質量％であることがより好ましく、３．０〜２０質量％であることがさらに好ましい。本発明の別の側面としては、粘着性樹脂（１−１ａ）の総質量に対するカルボキシ基含有モノマーの構成単位の含有割合は、３．０〜２０質量％でもよく、５．０〜１５質量％でもよい。粘着性樹脂（１−１ａ）における（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が４〜１２であることが好ましく、４〜８であることがより好ましい。また、粘着性樹脂（１−１ａ）においては、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。中でも前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸ｎ−ブチルであることが特に好ましい。また、粘着性樹脂（１−１ａ）におけるカルボキシ含有モノマーとしては、エチレン性不飽和モノカルボン酸、エチレン性不飽和ジカルボン酸、エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物等が挙げられ、中でもエチレン性不飽和モノカルボン酸が好ましく、（メタ）アクリル酸がより好ましく、アクリル酸が特に好ましい。
本実施形態の粘着性樹脂（１−１ａ）の重量平均分子量は、１００，０００〜８００，０００であることが好ましく、１５０，０００〜７００，０００であることがより好ましく、２００，０００〜６００，０００であることがさらに好ましい。
なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
粘着性樹脂（１−２ａ）の総質量に対する（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、１．０〜９５質量％であることが好ましく、２．０〜９０質量％であることがより好ましく、３．０〜８５質量％であることがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）の総質量に対する水酸基含有モノマー由来の単位の含有割合は、１．０〜５０質量％であることが好ましく、２．０〜４５質量％であることがより好ましく、３．０〜４０質量％であることがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）における（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が１〜１２であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）は、２種以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル及び（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位を有することがより好ましく、メタクリル酸メチル及びアクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位を有することがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）における水酸基含有モノマーとしては、後述の第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において例示されるものを使用することができ、アクリル酸２−ヒドロキシエチルを使用することが特に好ましい。イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物としては、後述の第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において例示される化合物を使用することができ、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを使用することが特に好ましい。前記水酸基含有モノマーに由来する全水酸基を１００ｍｏｌとしたときの、前記イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物の使用量は、１０〜１５０ｍｏｌが好ましく、２０〜１４０ｍｏｌがより好ましく、３０〜１３０ｍｏｌがさらに好ましい。
本実施形態の粘着性樹脂（１−２ａ）の重量平均分子量は、１０，０００〜５００，０００であることが好ましく、２０，０００〜４００，０００であることがより好ましく、３０，０００〜３００，０００であることがさらに好ましい。
〇粘着剤層
以下、粘弾性層を構成する粘着剤層を、後述の、支持体に貼合するための第２粘着剤層と区別して、「第１粘着剤層」と称することがある。
第１粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂（（メタ）アクリロイル基を有する樹脂からなる粘着剤）、ウレタン系樹脂（ウレタン結合を有する樹脂からなる粘着剤）、ゴム系樹脂（ゴム構造を有する樹脂からなる粘着剤）、シリコーン系樹脂（シロキサン結合を有する樹脂からなる粘着剤）、エポキシ系樹脂（エポキシ基を有する樹脂からなる粘着剤）、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
第１粘着剤層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
第１粘着剤層の厚さは１〜１０００μｍであることが好ましく、２〜１００μｍであることがより好ましく、８〜２０μｍであることが特に好ましい。
ここで、「第１粘着剤層の厚さ」とは、第１粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第１粘着剤層の厚さとは、第１粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
第１粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものでもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された第１粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。
本発明において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンＨランプ又はキセノンランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本発明において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
｛｛第１粘着剤組成物｝｝
第１粘着剤層は、粘着剤を含有する第１粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、第１粘着剤層の形成対象面に第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に第１粘着剤層を形成できる。また、剥離フィルムに第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする厚さの第１粘着剤層を形成でき、目的とする部位に第１粘着剤層を転写することもできる。第１粘着剤層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。第１粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、第１粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本実施形態において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、即ち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２５℃の温度等が挙げられる。
第１粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
第１粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、第１粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０〜１３０℃で１０秒間〜５分間の条件で乾燥させることが好ましい。
第１粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する第１粘着剤組成物、即ち、エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）」と略記することがある）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）；非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）」と略記することがある）を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−２）；前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）と、エネルギー線硬化性低分子化合物と、を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−３）等が挙げられる。
｛第１粘着剤組成物（Ｉ−１）｝
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
（粘着性樹脂（Ｉ−１ａ））
前記粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）は、アクリル系樹脂であることが好ましい。
前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が１〜２０であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ−オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリルともいう。）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチルともいう。）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチルともいう。）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリルともいう。）、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸イコシル等が挙げられる。
第１粘着剤層の粘着力が向上する点から、前記アクリル系重合体は、前記アルキル基の炭素数が４以上である（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましい。そして、第１粘着剤層の粘着力がより向上する点から、前記アルキル基の炭素数は、４〜１２であることが好ましく、４〜８であることがより好ましい。また、前記アルキル基の炭素数が４以上である（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。
前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
官能基含有モノマー中の前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
即ち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル；ビニルアルコール、アリルアルコール等の非（メタ）アクリル系不飽和アルコール（すなわち、（メタ）アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール）等が挙げられる。
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸（エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸）；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸（エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸）；前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物；２−カルボキシエチルメタクリレート等の（メタ）アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。
官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
前記アクリル系重合体を構成する官能基含有モノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、１〜３５質量％であることが好ましく、３〜３２質量％であることがより好ましく、５〜３０質量％であることが特に好ましい。
前記アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
前記他のモノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
前記アクリル系重合体を構成する前記他のモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
前記アクリル系重合体は、上述の非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）として使用できる。
一方、前記アクリル系重合体中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基（エネルギー線重合性基）を有する不飽和基含有化合物を反応させたものは、上述のエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）として使用できる。
なお、本発明において、「エネルギー線重合性」とは、エネルギー線を照射することにより重合する性質を意味する。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有量は、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）の総質量に対して、５〜９９質量％であることが好ましく、１０〜９５質量％であることがより好ましく、１５〜９０質量％であることが特に好ましい。
（エネルギー線硬化性化合物）
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレート；ポリエステル（メタ）アクリレート；ポリエーテル（メタ）アクリレート；エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合したオリゴマー等が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物は、分子量が比較的大きく、第１粘着剤層の貯蔵弾性率を低下させにくいという点では、ウレタン（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
本明細書において、「オリゴマー」とは、重量平均分子量又は式量が５，０００以下の物質を意味する。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）の総質量に対して、１〜９５質量％であることが好ましく、５〜９０質量％であることがより好ましく、１０〜８５質量％であることが特に好ましい。
（架橋剤）
粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）として、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）同士を架橋するものである。
架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤（イソシアネート基を有する架橋剤）；N,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)、エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤（グリシジル基を有する架橋剤）；ヘキサ［１−（２−メチル）−アジリジニル］トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）；アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）；イソシアヌレート系架橋剤（イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤）等が挙げられる。
粘着剤の凝集力を向上させて第１粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部であることが好ましく、０．１〜２０質量部であることがより好ましく、１〜１０質量部であることが特に好ましい。
（光重合開始剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール化合物；、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル、ジベンジル、ベンゾフェノン、２，４−ジエチルチオキサントン、１，２−ジフェニルメタン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン、２−クロロアントラキノン等が挙げられる。
また、前記光重合開始剤としては、例えば、１−クロロアントラキノン等のキノン化合物；アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．０３〜１０質量部であることがより好ましく、０．０５〜５量部であることが特に好ましい。
（その他の添加剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤（フィラー）、防錆剤、着色剤（顔料、染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。
なお、反応遅延剤とは、例えば、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）中に混入している触媒の作用によって、保存中の第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、１分子中にカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）を２個以上有するものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
（溶媒）
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、溶媒を含有していてもよい。第１粘着剤組成物（Ｉ−１）は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；酢酸エチル等のエステル（カルボン酸エステル）；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；１−プロパノール、２−プロパノール等のアルコール等が挙げられる。
前記溶媒としては、例えば、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の製造時に用いたものを粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）から取り除かずに、そのまま第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において用いてもよいし、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の製造時に用いたものと同一又は異なる種類の溶媒を、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）の製造時に別途添加してもよい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
｛第１粘着剤組成物（Ｉ−２）｝
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）を含有する。
（粘着性樹脂（Ｉ−２ａ））
前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）は、例えば、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基と反応することで、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）と結合可能な基を有する化合物である。
前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基（エテニル基ともいう。）、アリル基（２−プロペニル基ともいう。）等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
前記不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましく、その中でも２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが特に好ましい。
前記イソシアネート化合物は、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の水酸基と結合可能であり、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）中の全水酸基を１００ｍｏｌとしたときの、前
記イソシアネート化合物の使用量は、１０〜１５０ｍｏｌが好ましく、２０〜１４０ｍｏｌがより好ましく、３０〜１３０ｍｏｌがさらに好ましい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）が含有する粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量は、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）の総質量に対して、５〜９９質量％であることが好ましく、１０〜９５質量％であることがより好ましく、１０〜９０質量％であることが特に好ましい。
（架橋剤）
粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）として、例えば、粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）におけるものと同様な、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、さらに架橋剤を含有していてもよい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）における前記架橋剤としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）における架橋剤と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部であることが好ましく、０．１〜２０質量部であることがより好ましく、１〜１０質量部であることが特に好ましい。
（光重合開始剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）における前記光重合開始剤としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．０３〜１０質量部であることがより好ましく、０．０５〜５質量部であることが特に好ましい。
（その他の添加剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）における前記その他の添加剤としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
（溶媒）
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）は、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）における前記溶媒としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）における溶媒と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
｛第１粘着剤組成物（Ｉ−３）｝
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）は、上述の様に、前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）と、エネルギー線硬化性低分子化合物と、を含有する。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）において、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量は、第１粘着剤組成物（Ｉ−３）の総質量に対して、５〜９９質量％であることが好ましく、１０〜９５質量％であることがより好ましく、１５〜９０質量％であることが特に好ましい。
（エネルギー線硬化性低分子化合物）
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）が含有する前記エネルギー線硬化性低分子化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー及びオリゴマーが挙げられ、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）が含有するエネルギー線硬化性化合物と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）が含有する前記エネルギー線硬化性低分子化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）において、前記エネルギー線硬化性低分子化合物の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜３００質量部であることが好ましく、０．０３〜２００質量部であることがより好ましく、０．０５〜１００質量部であることが特に好ましい。
（光重合開始剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−３）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）における前記光重合開始剤としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）及び前記エネルギー線硬化性低分子化合物の総含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．０３〜１０質量部であることがより好ましく、０．０５〜５量部であることが特に好ましい。
（その他の添加剤）
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
前記その他の添加剤としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）において、その他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
（溶媒）
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）は、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）における前記溶媒としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）における溶媒と同じものが挙げられる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−３）において、溶媒の含有量は特に限定されず、適宜調節すればよい。
｛第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）以外の第１粘着剤組成物｝
ここまでは、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）及び第１粘着剤組成物（Ｉ−３）について主に説明したが、これらの含有成分として説明したものは、これら３種の第１粘着剤組成物以外の全般的な第１粘着剤組成物（本実施形態においては、「第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）以外の第１粘着剤組成物」と称する）でも、同様に用いることができる。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）以外の第１粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物も挙げられる。
非エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂（（メタ）アクリロイル基を有する樹脂）、ウレタン系樹脂（ウレタン結合を有する樹脂）、ゴム系樹脂（ゴム構造を有する樹脂）、シリコーン系樹脂（シロキサン結合を有する樹脂）、エポキシ系樹脂（エポキシ基を有する樹脂）、ポリビニルエーテル、又はポリカーボネート等の粘着性樹脂を含有するものが挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）以外の第１粘着剤組成物は、１種又は２種以上の架橋剤を含有することが好ましく、その含有量は、上述の第１粘着剤組成物（Ｉ−１）等の場合と同様とすることができる。
＜第１粘着剤組成物の製造方法＞
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）等の前記第１粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、第１粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。
｛第１粘着剤層の組成｝
本実施形態における、第１粘着剤層の組成は、上述の第１粘着剤層組成物から溶媒を除いたものである。
第１粘着剤層組成物が、前記第１粘着剤組成物（Ｉ−１）である場合の第１粘着剤層（Ｉ−１）における、第１粘着剤層（Ｉ−１）の総質量に対する粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は、５０〜９９質量％であることが好ましく、５５〜９５質量％であることがより好ましく、６０〜９０質量％であることがさらに好ましい。また、本発明の別の側面としては、第１粘着剤層（Ｉ−１）の総質量に対する粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の含有割合は、２５〜８０質量％であってもよく、３０〜７５質量％であってもよく、３５〜７０質量％であってもよい。また、第１粘着剤層（Ｉ−１）の総質量に対するエネルギー線硬化性化合物の含有割合は、１〜５０質量％であることが好ましく、２〜４８質量％であることがより好ましく、５〜４５質量％であることがさらに好ましい。第１粘着剤層（Ｉ−１）が架橋剤を含有する場合、第１粘着剤層（Ｉ−１）の総質量に対する架橋剤の含有割合は０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜９質量％であることがより好ましく、０．３〜８質量％であることがさらに好ましい。
第１粘着剤層組成物が、前記第１粘着剤組成物（Ｉ−２）である場合の第１粘着剤層（Ｉ−２）における、第１粘着剤層（Ｉ−２）の総質量に対する粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有割合は、５０〜９９質量％であることが好ましく、６０〜９８質量％であることがより好ましく、７０〜９７質量％であることがさらに好ましい。第１粘着剤層（Ｉ−２）が架橋剤を含有する場合、第１粘着剤層（Ｉ−２）の総質量に対する架橋剤の含有割合は、０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜９質量％であることがより好ましく、０．３〜８質量％であることがさらに好ましい。
第１粘着剤層組成物が、前記第１粘着剤組成物（Ｉ−３）である場合の第１粘着剤層（Ｉ−３）における、第１粘着剤層（Ｉ−３）の総質量に対する粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の含有割合は、５０〜９９質量％であることが好ましく、５５〜９５質量％であることがより好ましく、６０〜９０質量％であることがさらに好ましい。また、第１粘着剤層（Ｉ−３）の総質量に対するエネルギー線硬化性低分子化合物の含有割合は、１〜５０質量％であることが好ましく、２〜４８質量％であることがより好ましく、５〜４５質量％であることがさらに好ましい。第１粘着剤層（Ｉ−３）が架橋剤を含有する場合、第１粘着剤層（Ｉ−３）の総質量に対する架橋剤の含有割合は０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜９質量％であることがより好ましく、０．３〜８質量％であることがさらに好ましい。
本実施形態においては、粘着性樹脂（１−２ａ）、及び架橋剤を含む第１粘着剤層（Ｉ−２）であることが好ましい。この場合、粘着性樹脂（１−２ａ）は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、水酸基含有モノマー由来の単位を有するアクリル系重合体に、イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させて得られたアクリル系重合体であることが好ましい。架橋剤は、第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において例示した化合物を使用することができ、トリレンジイソシアネートを使用することが特に好ましい。
粘着性樹脂（１−２ａ）の総質量に対する（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、５０〜９９質量％であることが好ましく、６０〜９８質量％であることがより好ましく、７０〜９７質量％であることがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）の総質量に対する水酸基含有モノマー由来の単位の含有割合は、０．５〜１５質量％であることが好ましく、１．０〜１０質量％であることがより好ましく、２．０〜１０質量％であることがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）における（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の炭素数が１〜１２であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）は、２種以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル及び（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位を有することがより好ましく、メタクリル酸メチル及びアクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位を有することがさらに好ましい。粘着性樹脂（１−２ａ）における水酸基含有モノマーとしては、前述の第１粘着剤組成物（Ｉ−１）において例示されるものを使用することができ、アクリル酸２−ヒドロキシエチルを使用することが特に好ましい。イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物としては、第１粘着剤組成物（Ｉ−２）において例示した化合物を使用することができ、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを使用することが特に好ましい。前記水酸基含有モノマーに由来する全水酸基を１００ｍｏｌとしたときの、前記イソシアネート基及びエネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物の使用量は、２０〜８０ｍｏｌが好ましく、２５〜７５ｍｏｌがより好ましく、３０〜７０ｍｏｌがさらに好ましい。
◎基材
基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥともいう。）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥともいう。）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥともいう。）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡともいう。）、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（すなわち、モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（すなわち、モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴともいう。）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語についても同様であり、例えば、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
基材は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
基材の厚さは、５〜１０００μｍであることが好ましく、１０〜５００μｍであることがより好ましく、１５〜３００μｍであることがさらに好ましく、２０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。
基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
前記粘弾性層がエネルギー線硬化性である場合、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
◎剥離フィルム
前記剥離フィルムは、当該分野で公知のものでよい。
好ましい前記剥離フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂製フィルムの少なくとも一方の表面が、シリコーン処理等によって剥離処理されたもの；フィルムの少なくとも一方の表面が、ポリオレフィンで構成された剥離面となっているもの等が挙げられる。
剥離フィルムの厚さは、基材の厚さと同様であることが好ましい。
◎第２粘着剤層
第２粘着剤層（すなわち、貼合粘着剤層）は、本実施形態の端子保護用テープを支持体に貼合するための粘着剤層である。
前記第２粘着剤層は、当該分野で公知のものでよく、上述の第１粘着剤層で説明したものから、支持体に合わせて適宜選択することができる。
第２粘着剤層を形成するための第２粘着剤組成物は、前記第１粘着剤組成物と同様であり、第２粘着剤組成物の製造方法も、前記第１粘着剤組成物の製造方法と同様である。
◇端子保護用テープの製造方法
前記端子保護用テープは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
例えば、剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の埋め込み層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、埋め込み層を積層する。別の剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第１粘着剤層を積層する。剥離フィルム上の埋め込み層を、別の剥離フィルム上の第１粘着剤層と貼り合わせることで、剥離フィルム、埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得る。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
また、基材上に埋め込み層及び第１粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層された端子保護用テープは、以下に示す方法で製造できる。
例えば、上述の、剥離フィルム、埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープの埋め込み層の側の剥離フィルムを剥離し、これを基材と貼り合わせることで、基材上に埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
また、例えば、基材に対して、埋め込み層形成用組成物を押出成形することにより、基材上に埋め込み層を積層する。剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第１粘着剤層を積層する。そして、この剥離フィルム上の第１粘着剤層を基材上の埋め込み層と貼り合わせることでも、基材上に埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
また、第２粘着剤層、基材、埋め込み層及び第１粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層された両面テープの形態の端子保護用テープは、以下に示す方法で製造できる。
例えば、上述の、基材上に埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを準備する。別の剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の第２粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第２粘着剤層を積層する。そして、この剥離フィルム上の第２粘着剤層を前記端子保護用テープの基材と貼り合わせることで、剥離フィルム、第２粘着剤層、基材、埋め込み層、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に積層された端子保護用テープを得ることができる。剥離フィルムは、端子保護用テープの使用時に取り除けばよい。
上述の各層以外の他の層を備えた端子保護用テープは、上述の製造方法において、前記他の層の積層位置が適切な位置となるように、前記他の層の形成工程及び積層工程のいずれか一方又は両方を適宜追加して行うことで、製造できる。
◇電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法
本実施形態の端子保護用テープは、例えば、以下の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法に使用できる。
図５は、本実施形態の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法であって、粘着剤層１４と、埋め込み層１３と、基材１１と、をこの順で有する端子保護用テープ３を、図４に示すように支持体３０に固定して行う、電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法の、一の実施形態を模式的に示す断面図である。
まず、図５（ａ）、（ｂ）に示す様に、端子保護用テープの粘弾性層１２に、端子付き半導体装置６５を、端子９１の側、すなわち回路基板６３の端子形成面６３ａを下にして押し付けて、粘弾性層１２に端子９１を埋設させる。
このとき、端子付き半導体装置６５の端子９１に粘弾性層１２を接触させて、端子保護用テープに端子付き半導体装置６５を押し付ける。これにより、粘弾性層１２の粘着剤層１４の側の最表面を、端子９１の表面及び回路基板６３の端子形成面６３ａに、順次圧着させる。このとき、粘弾性層１２を加熱することで、粘弾性層１２は軟化し、端子９１を覆うようにして端子９１間に広がり、端子形成面６３ａに密着するとともに、端子９１の表面、特に端子形成面６３ａの近傍部位の表面を覆って、端子９１を埋設させる。
端子保護用テープに端子付き半導体装置６５を圧着させる方法としては、各種シートを対象物に圧着させて貼付する公知の方法を適用でき、例えば、ラミネートローラーや真空ラミネーターを用いる方法等が挙げられる。
端子付き半導体装置６５を、端子保護用テープに圧着させるときの圧力は、特に限定されないが、０．１〜１．５ＭＰａであることが好ましく、０．３〜１．３ＭＰａであることがより好ましい。加熱温度は、３０〜７０℃が好ましく、３５〜６５℃がより好ましく、４０〜６０℃が特に好ましい。また、粘弾性層１２の第１粘着剤層１４を端子形成面６３ａに貼り合わせることが好ましい。
端子付き半導体装置６５の露出面に導電性樹脂１０１を塗布し（図５（ｃ））、更に、熱硬化させることで、導電材料からなる電磁波シールド膜１０を形成する（図５（ｄ））。導電材料で被覆して電磁波シールド膜１０を形成する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、スプレーコート等の方法を用いることもできる。
前記端子保護用テープは、粘弾性層１２の緩和弾性率変動値Ｘ２が前記式（２）で示される所定の値の範囲内にあるので、端子付き半導体装置の端子が粘弾性層１２に埋設されるに際して、はんだボール等の凹凸を有し、浮きの生じやすい端子電極であっても、浮きが生じることなく埋設することが可能で、回路基板６３の端子形成面６３ａを粘弾性層１２に密着させることができる。さらに、端子が埋設されたままで保持されることで、端子電極である端子９１と電磁波シールド膜１０とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
粘弾性層１２を有する端子保護用テープ３から、電磁波シールド膜付き半導体装置６６をピックアップすることによって、電磁波シールド膜１０で被覆された端子付き半導体装置６５を取り出すことができる（図５（ｅ））。
図５に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法で、電磁波シールドの対象となる端子付き半導体装置６５は、個別に製造された端子付き半導体装置６５であってもよく、ダイシング法によって個片化された端子付き半導体装置６５であってもよい。
図５に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法では、個片化され個々の電子部品６１、６２が封止樹脂６４で封止された端子付き半導体装置６５を、端子保護用テープ３を用いて、電磁波シールドする方法を示したが、次の様に、個片化する前の端子付き半導体装置集合体６から、端子保護用テープ２を用いて、端子付き半導体装置６５を電磁波シールドすることもできる。
図６は、本実施形態の電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法であって、粘着剤層１４と、埋め込み層１３と、基材１１と、をこの順で有する端子保護用テープ２を用いて、端子付き半導体装置６５を電磁波シールドする方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。
まず、図６（ａ）、（ｂ）に示す様に、端子保護用テープの粘弾性層１２に、回路基板６３によって連結された端子付き半導体装置集合体６を、端子９１の側、すなわち回路基板６３の端子形成面６３ａを下にして押し付けて、前記図５（ａ）、（ｂ）のときと同様に、粘弾性層１２に端子９１を埋設させる。
このとき、端子付き半導体装置集合体６に上側から圧力をかけながら、前記図５（ａ）、（ｂ）のときと同様に、端子保護用テープの粘弾性層１２に、端子９１を埋設させる。
また、粘弾性層１２を加熱しながら貼り合わせることで、粘弾性層１２を軟化させ、粘弾性層１２を回路基板６３の端子形成面６３ａに密着させることができる。端子付き半導体装置集合体６を、端子保護用テープに圧着させるときの圧力は、特に限定されないが、０．１〜１．５ＭＰａであることが好ましく、０．３〜１．３ＭＰａであることがより好ましい。加熱温度は、３０〜７０℃が好ましく、３５〜６５℃がより好ましく、４０〜６０℃が特に好ましい。また、粘弾性層１２の第１粘着剤層１４を端子形成面６３ａに貼り合わせることが好ましい。
次いで、端子付き半導体装置集合体６をダイシングして、端子付き半導体装置６５とする（図６（ｃ））。電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる本実施形態の端子保護用テープは、端子付き半導体装置集合体６のダイシングテープを兼ねることになる。そして、図５に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法において、電磁波シールドの対象となる端子付き半導体装置６５が、ダイシング法によって個片化された端子付き半導体装置６５であるときは、ダイシングテープ上の端子付き半導体装置をピックアップして、端子保護用テープに貼り換える作業（図５（ａ））が必要になる。一方、図６に示す電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法では、ダイシングテープ上の端子付き半導体装置６５を端子保護用テープに貼り換える作業を省略することができる。
端子付き半導体装置６５の露出面に導電性樹脂１０１を塗布する（図６（ｄ））。このとき、端子付き半導体装置集合体６の各端子付き半導体装置６５の境界部分において導電性樹脂１０１の分離が不充分な場合には、エキスパンド装置等を用いて端子保護用テープを延伸してもよい。個片化された端子付き半導体装置６５のそれぞれの側面に導電性樹脂１０１が塗布された状態で、個々の端子付き半導体装置６５を個片化することができる。更に、個片化された端子付き半導体装置６５の天面及び側面に塗布された導電性樹脂１０１を加熱し硬化させて、端子付き半導体装置６５の露出面に、導電材料からなる電磁波シールド膜１０を形成させる（図６（ｅ））。端子付き半導体装置６５（図６（ｃ））に直接導電材料をスパッタリングして、電磁波シールド膜１０を形成させてもよい（図６（ｅ））。
粘弾性層１２の緩和弾性率変動値Ｘ２が前記式（２）で示される所定の値の範囲内にあるので、端子付き半導体装置集合体６の端子を粘弾性層１２に埋設するにあたり、はんだボール等の浮きの生じやすい端子電極であっても、浮きが生じることなく埋設することが可能で、回路基板６３の端子形成面６３ａを粘弾性層１２に密着させることができる。結果として、端子電極である端子９１と電磁波シールド膜１０とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もない。
粘弾性層１２を有する端子保護用テープから、電磁波シールド膜付き半導体装置６６をピックアップすることによって、電磁波シールド膜１０で被覆された端子付き半導体装置６５を取り出すことができる（図６（ｆ））。
本実施形態の端子保護用テープにおいて、端子９１の高さｈ０は、粘弾性層１２の厚さｄ１よりも低いことが好ましく、１．２≦ ｄ１／ｈ０ ≦５．０であることが好ましい。具体的には、５０〜３００μｍであることが好ましく、６０〜２７０μｍであることがより好ましく、８０〜２４０μｍであることが特に好ましい。端子９１の高さが前記下限値以上であることで、端子９１の機能をより向上させることができる。また、端子９１の高さが前記上限値以下であることで、端子９１上部での粘弾性層１２の残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「端子の高さ」とは、端子のうち、端子形成面から最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。端子付き半導体装置集合体６及び端子付き半導体装置半導体装置６５が複数の端子９１を有する場合、端子９１の高さｈ０はそれらの平均とすることができる。端子の高さは例えば、非接触型３次元光干渉式表面粗さ計（日本Ｖｅｅｃｏ社製、商品名：Ｗｙｋｏ ＮＴ１１００）によって測定することができる。
端子９１の幅は特に限定されないが、１７０〜３５０μｍであることが好ましく、２００〜３２０μｍであることがより好ましく、２３０〜２９０μｍであることが特に好ましい。端子９１の幅が前記下限値以上であることで、端子９１の機能をより向上させることができる。また、端子９１の高さが前記上限値以下であることで、端子９１上部での粘弾性層１２の残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「端子の幅」とは、端子形成面に対して垂直な方向から端子を見下ろして平面視したときに、端子表面上の異なる２点間を直線で結んで得られる線分の最大値を意味する。端子が球形、又は半球形であるときは、「端子の幅」とは、端子を見下ろして平面視したときのその端子の最大直径（端子径）をいう。
隣り合う端子９１間の距離（すなわち、端子間ピッチ）は、特に限定されないが、２５０〜８００μｍであることが好ましく、３００〜６００μｍであることがより好ましく、３５０〜５００μｍであることが特に好ましい。前記距離が前記下限値以上であることで、端子９１の埋め込み性をより向上させることができる。また、前記距離が前記上限値以下であることで、端子９１上部での粘弾性層１２の残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「隣り合う端子間の距離」とは、隣り合う端子同士の表面間の距離の最小値を意味する。
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜モノマー＞
略記しているモノマーの正式名称を、以下に示す。
ＨＥＡ：アクリル酸２−ヒドロキシエチル
ＢＡ：アクリル酸ｎ−ブチル
ＭＭＡ：メタクリル酸メチル
ＡＡｃ：アクリル酸
（貼合粘着剤層形成用組成物Ａの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）３３．６質量部と、溶媒としてエチルメチルケトン６６．４質量部と、架橋剤として多価エポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、濃度５％のN,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)）０．２質量部を添加し、３０分間撹拌を行って貼合粘着剤層形成用組成物Ａを調製した。
（貼合粘着剤層Ａの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面に、前記貼合粘着剤層形成用組成物Ａを塗工し、１００℃で１分間加熱乾燥させることにより、厚さ２０μｍの貼合粘着剤層Ａを製造した。
（粘着剤層形成用組成物Ｂの製造）
ＢＡ７４質量部、ＭＭＡ２０質量部及びＨＥＡ６質量部からなるアクリル系共重合体に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」と略記する）（ＨＥＡに対して約５０モル％）を付加した樹脂の溶液（粘着剤主剤、固形分３５質量％）を調製した。この粘着剤主剤１００質量部に対して、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）を０．５質量部添加し、３０分間攪拌を行って粘着剤層形成用組成物Ｂを調製した。
（粘着剤層１４の製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面に、前記粘着剤層形成用組成物Ｂを塗工し、１００℃で１分間加熱乾燥させることにより、厚さ１０μｍの粘着剤層１４を製造した。
（埋め込み層形成用組成物Ａの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）９３．５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）２．５質量部、多価エポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、濃度５％のN,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)）２．５質量部を添加し、３０分間撹拌して埋め込み層形成用組成物Ａを調製した。
（埋め込み層形成用組成物Ｂの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）７５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）１５質量部を添加し、３０分間撹拌を行って埋め込み層形成用組成物Ｂを調製した。
（埋め込み層形成用組成物Ｃの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）７５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）２．５質量部を添加し、３０分間撹拌を行って埋め込み層形成用組成物Ｃを調製した。
（埋め込み層形成用組成物Ｄの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）７５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）８．７５質量部、多価エポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、濃度５％のN,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)）２．５質量部を添加し、３０分間撹拌して埋め込み層形成用組成物Ｄを調製した。
（埋め込み層形成用組成物Ｅの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）７５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）１５質量部、多価エポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、濃度５％のN,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)）５．０質量部を添加し、３０分間撹拌して埋め込み層形成用組成物Ｅを調製した。
（埋め込み層形成用組成物Ｆの製造）
ＢＡ９１質量部及びＡＡｃ９質量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量（Ｍｗ）４００，０００）の溶液（固形分３３．６質量％）１００質量部と、ＢＡ６２質量部、ＭＭＡ１０質量部及びＨＥＡ２８質量部からなるアクリル系共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートをＨＥＡ１００ｍｏｌ％に対して付加率が８０ｍｏｌ％となるように付加した樹脂（平均重量分子量（Ｍｗ）１００,０００）の溶液（固形分４５質量％）７５質量部と、架橋剤としてトリレンジイソシアネート（トーヨーケム株式会社製、製品名「ＢＨＳ-８５１５」、固形分濃度：３７．５％）２．５質量部、多価エポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」、濃度５％のN,N'-(シクロヘキサン-1,3-ジイルビスメチレン)ビス(ジグリシジルアミン)）５．０質量部を添加し、３０分間撹拌して埋め込み層形成用組成物Ｅを調製した。
（基材）
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（製品名「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ、東洋紡社製）を基材１１に用いた。
（端子付き半導体装置の準備）
実施例及び比較例の端子保護用テープの埋め込み性を評価するに当たり、次の端子付き半導体装置を準備した。
・端子付き半導体装置（１）
半導体装置の大きさ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
端子の高さ：２００μｍ
端子径：２５０μｍ
端子間ピッチ：４００μｍ
端子の数：１０×１０＝１００個
＜動的粘弾性（せん断貯蔵弾性率）測定方法＞
粘弾性層について、動的機械分析装置（ＴＡインスツルメンツ社製、製品名「ＤＭＡ Ｑ８００」）を用い、昇温速度１０℃／分の条件で１５０℃まで昇温し、貯蔵弾性率Ｇ’と損失弾性率Ｇ”を測定し、これらの５０℃における比（Ｇ”／Ｇ’）であるｔａｎδの値を求めた。
＜応力緩和性の測定方法＞
図１に示す形態の端子保護用テープ１のうち、両方の剥離フィルムを剥離して、粘弾性層１２を複数層積層することにより、厚さ約１ｍｍの粘弾性層を形成した。これから直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円柱形状の評価用試料を作製した。
上記サンプルについて、ＪＩＳ Ｋ７２４４−７を参考にして、粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ ｐａａｒ社製，製品名「ＭＣＲ３０２」）を用いて、５０℃で、治具を回転させて評価用試料を捻り、１０％（すなわち、３６°）の一定の捻り歪を装置制御により加え続け、緩和弾性率Ｇ（ｔ）（ＭＰａ）を測定した。その測定結果から、最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）を導出するとともに、前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）を導出した。
測定温度：５０℃
得られた最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）および最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）から、下記式（１）に基づいて、緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。
Ｘ２＝ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ − ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ ・・・（１）
＜プレス直後の埋め込み性評価方法＞
図３の形態の端子保護用テープ３の、貼合粘着剤層１５側の剥離フィルム２２を剥離し、ＳＵＳ板３０上に接着させて、図４の形態の埋め込み性評価用の試料を作製し、粘着剤層１４側の剥離フィルム２０を剥離し、このＳＵＳ板３０の側を下にして５０℃に温度調節したホットプレート上に設置した。次に、図５の（ａ）のように、前記端子付き半導体装置の端子の側を下にして、真空ラミネーターを用いて、この粘弾性層１２に、プレス圧力（荷重１．１ＭＰａ）、プレス時間４０ｓ、加熱時間５０℃で押し付けた。この埋め込み性評価を９個の端子付き半導体装置について実施した。
プレス直後に、横から観察して埋め込み性を確認して、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかったものを、プレス直後の埋め込み性良好（５）と評価した。半導体装置の内側では一部の端子に浮きが確認できるものの、半導体装置外周部が端子保護用テープに隠れて端子が観察できなかったものを、プレス直後の埋め込み性良（４）と評価した。半導体装置外周部の一部が端子保護用テープから剥がれ、端子が観察できる割合が５０％以下のものを、プレス直後の埋め込み性普通（３）と評価した。半導体装置外周部の一部が端子保護用テープから剥がれ、端子が観察できる割合が５０％以上のものを、プレス直後の埋め込み性（２）と評価した。少なくとも１個の端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子が端子保護用テープと半導体装置本体との間に全て観察できたものを、プレス直後の埋め込み性不良（１）と評価した。
＜プレス１日後の浮きの評価方法＞
その後、常温に放冷して１日後の端子付き半導体装置について、横から観察して浮きを確認して、全ての端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープに接着しており、端子が端子保護用テープに隠れて観察できなかったものを、浮き良好（５）と評価した。半導体装置の内側では一部の端子に浮きが確認できるものの、半導体装置外周部が端子保護用テープに隠れて端子が観察できなかったものを、浮き良（４）と評価した。半導体装置外周部の一部が端子保護用テープから剥がれ、端子が観察できる割合が５０％以下のものを、浮き普通（３）と評価した。半導体装置外周部の一部が端子保護用テープから剥がれ、端子が観察できる割合が５０％以上のものを、浮きやや不良（２）と評価した。端子付き半導体装置の下側面が端子保護用テープから浮いており、端子が端子保護用テープと半導体装置本体との間に全て観察できたものを、浮き不良（１）と評価した。
［実施例１］
＜端子保護用テープの製造＞
埋め込み層形成用組成物Ａをポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面に塗工し、１００℃で１分間加熱乾燥させた後、埋め込み層形成用組成物Ａの上にポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８２１５０」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面をラミネートし、厚さ５０μｍの埋め込み層を製造した。
前記埋め込み層のラミネートした剥離フィルムを剥がした面どうしを貼合し、厚さ１００μｍの埋め込み層を作製した。同様にして埋め込み層を貼合して積層し、厚さ３００μｍの埋め込み層Ａを作製した。
厚さ１０μｍの粘着剤層１４に厚さ３００μｍの埋め込み層Ａを貼合して、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する実施例１の端子保護用テープ１を製造した。
＜応力緩和性の測定＞
実施例１の端子保護用テープ１について、緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
＜粘弾性層のせん断貯蔵弾性率測定＞
実施例１の端子保護用テープ１について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。結果を表１に示す。
＜埋め込み性の評価＞
実施例１の端子保護用テープ１の、埋め込み層Ａの側の剥離フィルムを剥離し、基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（製品名「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ、東洋紡社製）の易接着処理側と貼り合わせ、図２に示す、基材１１／埋め込み層１３／粘着剤層１４の形態の粘弾性層１２を有する実施例１の端子保護用テープ２を製造した。
更に、実施例１の端子保護用テープ２の基材の埋め込み層Ａとは反対側に、前記貼合粘着剤層Ａを積層して、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する実施例１の端子保護用テープ３を製造した。
実施例１の端子保護用テープ３についてプレス直後の埋め込み性を評価した。結果を表１に示す。
＜浮きの評価＞
その後、常温に放冷して１日後の端子付き半導体装置について、浮きを評価した。結果を表１に示す。
［実施例２］
＜端子保護用テープの製造＞
実施例１において、埋め込み層形成用組成物Ａを埋め込み層形成用組成物Ｂに変更して、この他は実施例１と同様にして、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する実施例１の端子保護用テープ１を製造した。
実施例１と同様にして、実施例２の端子保護用テープ１のうち粘弾性層１２について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。また、５０℃における緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、実施例２の端子保護用テープ１を用いて、図２に示す形態の粘弾性層１２を有する実施例２の端子保護用テープ２、及び、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する実施例２の端子保護用テープ３を製造した。
実施例２の端子保護用テープ３について、実施例１と同様に、プレス直後の埋め込み性、及び浮きを評価した。結果を表１に示す。
［実施例３］
＜端子保護用テープの製造＞
実施例１において、埋め込み層形成用組成物Ａを埋め込み層形成用組成物Ｃに変更して、この他は実施例１と同様にして、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する実施例３の端子保護用テープ１を製造した。
実施例１と同様にして、実施例３の端子保護用テープ１のうち粘弾性層１２について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。また、５０℃における緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、実施例３の端子保護用テープ１を用いて、図２に示す形態の粘弾性層１２を有する実施例３の端子保護用テープ２、及び、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する実施例３の端子保護用テープ３を製造した。
実施例３の端子保護用テープ３について、実施例１と同様に、プレス直後の埋め込み性、及び浮きを評価した。結果を表１に示す。
［比較例１］
＜端子保護用テープの製造＞
実施例１において、埋め込み層形成用組成物Ａを埋め込み層形成用組成物Ｄに変更して、この他は実施例１と同様にして、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する比較例１の端子保護用テープ１を製造した。
実施例１と同様にして、比較例１の端子保護用テープ１のうち粘弾性層１２について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。また、５０℃における緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、比較例１の端子保護用テープ１を用いて、図２に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例１の端子保護用テープ２、及び、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例１の端子保護用テープ３を製造した。
比較例１の端子保護用テープ３について、実施例１と同様に、プレス直後の埋め込み性、及び浮きを評価した。結果を表１に示す。
［比較例２］
＜端子保護用テープの製造＞
実施例１において、埋め込み層形成用組成物Ａを埋め込み層形成用組成物Ｅに変更して、この他は実施例１と同様にして、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する比較例２の端子保護用テープ１を製造した。
実施例１と同様にして、比較例２の端子保護用テープ１のうち粘弾性層１２について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。また、５０℃における緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、比較例２の端子保護用テープ１を用いて、図２に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例２の端子保護用テープ２、及び、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例２の端子保護用テープ３を製造した。
比較例２の端子保護用テープ３について、実施例１と同様に、プレス直後の埋め込み性、及び浮きを評価した。結果を表１に示す。
［比較例３］
＜端子保護用テープの製造＞
実施例１において、埋め込み層形成用組成物Ａを埋め込み層形成用組成物Ｆに変更して、この他は実施例１と同様にして、図１に示す形態の厚さ３１０μｍの粘弾性層１２を有する比較例３の端子保護用テープ１を製造した。
実施例１と同様にして、比較例３の端子保護用テープ１のうち粘弾性層１２について、５０℃におけるｔａｎδ（損失弾性率Ｇ”／貯蔵弾性率Ｇ’）を求めた。また、５０℃における緩和弾性率変動値Ｘ２＝ΔｌｏｇＧ（ｔ）を算出した。結果を表１に示す。
実施例１と同様にして、比較例３の端子保護用テープ１を用いて、図２に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例３の端子保護用テープ２、及び、図３に示す形態の粘弾性層１２を有する比較例３の端子保護用テープ３を製造した。
比較例３の端子保護用テープ３について、実施例１と同様に、プレス直後の埋め込み性、及び浮きを評価した。結果を表１に示す。
Figure 2020032176
表１に示される結果から示される通り、比較例に係る端子保護用テープでは、埋め込み性が不良（比較例２）であるか、又は、プレス１日後に浮きが生じてしまい（図７（ｃ））、端子付き半導体装置を電磁波シールドするにあたり、電磁波シールド膜を形成した際に、端子電極と電磁波シールド膜とが電気的にショートするおそれがあるものであった（図７（ｆ））。
本実施形態の実施例に係る端子保護用テープでは、浮きの生じやすいバンプを粘弾性層１２に埋設することが可能で、半導体装置の端子形成面を粘弾性層に密着させることができ、１日後も浮きが生じない。したがって、本実施形態の端子保護用テープを用いて、端子付き半導体装置を電磁波シールドするにあたり、電磁波シールド膜を形成した際に、端子電極であるバンプと電磁波シールド膜とが電気的にショートすることを防止することができ、工程上煩雑なマスキング部などを設ける必要もないものとすることができる。
本発明の端子保護用テープは、端子付き半導体装置を電磁波シールドする際に、端子付き半導体装置の端子を保護する用途に用いることができる。本発明の端子保護用テープを用いて、端子付き半導体装置を電磁波シールドすることができ、電磁波シールド膜付き半導体装置を製造することができる。
１，２，３・・・端子保護用テープ、１０・・・電磁波シールド膜、１１・・・基材、１２・・・粘弾性層、１３・・・埋め込み層、１４・・・粘着剤層、１５・・・第２粘着剤層（貼合粘着剤層）、３０・・・支持体、６・・・端子付き半導体装置集合体、６０・・・半導体装置集合体、６０ａ・・・端子形成面、６１、６２・・・電子部品、６３・・・回路基板、６３ａ・・・端子形成面、６４・・・封止樹脂層、６５・・・端子付き半導体装置、６６・・・電磁波シールド膜付き半導体装置、９１・・・端子、１０１・・・導電性樹脂、２０，２１，２２・・・剥離フィルム

Claims (6)

  1. 端子付き半導体装置に電磁波シールド膜を形成する工程に用いられる端子保護用テープであって、
    粘弾性層を有し、
    前記粘弾性層の動的粘弾性測定において、５０℃におけるｔａｎδの値が０．２以上であり、
    前記粘弾性層について、直径８ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円柱形状の評価用試料を５０℃で１０％（３６°）の一定の捻り歪を加えて、緩和弾性率を測定したときの、最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘ（ＭＰａ）および前記最大緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍａｘが測定されてから１秒後までに測定された最小緩和弾性率Ｇ（ｔ）ｍｉｎ（ＭＰａ）から下記式（１）に基づいて求められる緩和弾性率変動値Ｘ２が、下記式（２）を充足する端子保護用テープ。
    Ｘ２＝ｌｏｇＧ（ｔ）ｍａｘ − ｌｏｇＧ（ｔ）ｍｉｎ ・・・（１）
    ０．１２ ≦ Ｘ２ ・・・（２）
  2. 前記粘弾性層が、埋め込み層及び粘着剤層を有する、請求項１に記載の端子保護用テープ。
  3. 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、基材と、をこの順で有する、請求項２に記載の端子保護用テープ。
  4. 前記粘着剤層と、前記埋め込み層と、前記基材と、第２の粘着剤層と、をこの順で有する両面テープである、請求項３に記載の端子保護用テープ。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、前記端子付き半導体装置の端子を埋設させる工程と、
    前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
    を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の端子保護用テープの粘弾性層に、端子付き半導体装置集合体の端子を埋設させる工程と、
    前記端子付き半導体装置集合体をダイシングして、前記端子付き半導体装置集合体を、前記端子保護用テープの粘弾性層に端子が埋設された端子付き半導体装置とする工程と、
    前記端子保護用テープの粘弾性層に埋設されていない前記端子付き半導体装置の露出面に電磁波シールド膜を形成する工程と、
    を含む電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法。
JP2020535878A 2018-08-08 2019-08-08 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法 Active JP7301053B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018149700 2018-08-08
JP2018149700 2018-08-08
PCT/JP2019/031371 WO2020032176A1 (ja) 2018-08-08 2019-08-08 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020032176A1 true JPWO2020032176A1 (ja) 2021-08-12
JP7301053B2 JP7301053B2 (ja) 2023-06-30

Family

ID=69414789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020535878A Active JP7301053B2 (ja) 2018-08-08 2019-08-08 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7301053B2 (ja)
KR (1) KR102627581B1 (ja)
CN (1) CN112534554B (ja)
TW (1) TWI820178B (ja)
WO (1) WO2020032176A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7487519B2 (ja) 2020-03-27 2024-05-21 株式会社レゾナック 半導体パッケージの製造方法
JP7415735B2 (ja) 2020-03-27 2024-01-17 株式会社レゾナック 半導体パッケージの製造方法
KR102460711B1 (ko) * 2020-08-21 2022-10-27 한국타이어앤테크놀로지 주식회사 흡음 타이어용 폼테이프 및 이를 포함하는 흡음 타이어
KR20240032112A (ko) * 2021-07-13 2024-03-08 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트
CN117642475A (zh) * 2021-07-13 2024-03-01 日东电工株式会社 粘合片
DE112022003007T5 (de) * 2021-07-13 2024-04-11 Nitto Denko Corporation Druckempfindliche Haftmittellage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014046096A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 リンテック株式会社 バックグラインドシート
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
JP2015176950A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016192488A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151372A (ja) 2009-12-25 2011-08-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP5299596B1 (ja) * 2011-12-26 2013-09-25 Ｄｉｃ株式会社 粘着テープ
US20130224425A1 (en) * 2012-02-23 2013-08-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Pressure-sensitive adhesive sheet for image display device, method for producing image display device and image display device
JP5117629B1 (ja) * 2012-06-28 2013-01-16 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用粘着テープ
JP5499111B2 (ja) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2014056967A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Dic Corp 導電性薄型粘着シート
JP5294365B1 (ja) * 2012-09-27 2013-09-18 古河電気工業株式会社 放射線硬化型ダイシング用粘着テープ
KR20160077076A (ko) * 2013-10-30 2016-07-01 린텍 가부시키가이샤 반도체 접합용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20170043619A (ko) * 2014-08-18 2017-04-21 닛폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤 점착제 조성물, 이를 가교시켜서 이루어진 점착제, 마스킹 필름용 점착제, 내열 점착 필름용 점착제, 마스킹용 내열 점착 필름 및 이의 사용 방법
JP6431343B2 (ja) * 2014-11-21 2018-11-28 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法
TWI692519B (zh) * 2015-06-11 2020-05-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 電子零件保護膜、電子零件保護構件、電子零件的製造方法及封裝的製造方法
MY186930A (en) * 2015-11-04 2021-08-26 Lintec Corp Curable resin film and first protective film forming sheet
JP2017126775A (ja) * 2017-03-16 2017-07-20 Dic株式会社 導電性薄型粘着シート

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014046096A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 リンテック株式会社 バックグラインドシート
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
JP2015176950A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016192488A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW202020081A (zh) 2020-06-01
WO2020032176A1 (ja) 2020-02-13
CN112534554B (zh) 2024-02-06
KR102627581B1 (ko) 2024-01-23
JP7301053B2 (ja) 2023-06-30
TWI820178B (zh) 2023-11-01
KR20210042102A (ko) 2021-04-16
CN112534554A (zh) 2021-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7301053B2 (ja) 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法
WO2017078050A1 (ja) 硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
KR102089928B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법
JP6885966B2 (ja) ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法
JP6230761B2 (ja) 第１保護膜形成用シート
KR20180079304A (ko) 제1 보호막 형성용 시트, 제1 보호막 형성 방법 및 반도체 칩의 제조 방법
JP2012196906A (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
WO2017170021A1 (ja) 半導体加工用シート
JP5027321B2 (ja) 半導体加工用テープ
JP6998154B2 (ja) ダイボンディングシート
JP7225250B2 (ja) 端子保護用テープ及び電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法
WO2017078036A1 (ja) 硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
WO2021112238A1 (ja) 電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法及び端子保護用テープ
KR102667558B1 (ko) 단자 보호용 양면 테이프 및 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법
WO2021235005A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP7471879B2 (ja) フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP7471880B2 (ja) フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
WO2020153499A1 (ja) 半導体ウェハ加工用紫外線硬化型粘着テープ及び半導体チップの製造方法並びにこのテープの使用方法
JP2023012204A (ja) 熱硬化型樹脂シート、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP2022178221A (ja) ダイシングダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220516

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7301053

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150