TW202020081A - 端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 - Google Patents

端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種端子保護用膠帶(1)，係用於附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟，該端子保護用膠帶(1)具有黏彈性層(12)，在黏彈性層(12)的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，對於黏彈性層(12)，將圓柱形狀的評價用試樣在50℃施加10%(36°)的一定的扭轉應變，測定鬆弛彈性模量時由[logG(t)max -logG(t)min ]所求得之鬆弛彈性模量變數X2為0.12以上。

Description

端子保護用膠帶以及附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法
本發明係關於端子保護用膠帶以及使用該膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。 本申請基於2018年8月8日於日本申請之特願2018-149700號主張其優先權，在此援引該內容。
以往，用於MPU(微處理器；Micro Processing Unit)或閘陣列等之多接腳的LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)封裝(package)構裝在印刷線路基板的情況，作為具備複數的電子零件之半導體裝置，係採用以下的構裝方法：在該連接墊部係使用由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下在本說明書中稱為「端子」)所形成者。然後，將這些端子面對搭載晶片用基板上的相對應之端子部，並使其接觸、熔融／擴散結合。
隨著個人電腦的普及並且網路變得普遍，現在智慧型手機或平板終端皆連接至網路，藉由無線通訊技術將經數位化之影像、音樂、照片、文字訊息等介由網路來傳達的情境日益增加。進而，物聯網(IoT；Internet　of　Things)普及，為了在家電、汽車等的各種的應用領域想要更聰明地使用以感應器、無線射頻辨識(RFID；Radio　frequency　identifier)、微機電系統(MEMS；Micro　Electro　Mechanical　Systems)、無線組件等的半導體裝置而在封裝技術帶來創新的變革。
像這樣電子機器持續進化之中，對半導體裝置的要求水準逐年提高。尤其為了回應高性能化、小型化、高積體化、低消耗電力化、低成本化之需求，防熱措施、防噪音措施成為2個重要的點。
對應這種防熱措施、防噪音措施，例如專利文獻1所揭示，係採用將電子零件模組以導電材料被覆並形成屏蔽層之方法。專利文獻1中，將經單片化之電子零件模組的頂面以及側面所塗布之導電性樹脂加熱並使其硬化，並形成屏蔽層。
作為將附端子之半導體裝置以導電材料被覆並形成屏蔽層之方法，已知有濺鍍、離子鍍、噴塗等的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-151372號公報。
(發明所欲解決之課題)
專利文獻1所揭示之電子零件的製造方法，係在集合基板的裡面所設置之外部端子電極埋入黏著性片的狀態下塗布導電性樹脂。由於在黏著性片的預定的位置設置遮罩部，故可防止外部端子電極與電磁波屏蔽膜產生電性短路。
然而，外部端子電極可能有無法充分埋入黏著性片的情況，或者，即使可埋入，可能隨著時間經過而產生浮起，而有外部端子電極與電磁波屏蔽膜產生電性短路之虞。此外，在黏著性片的預定的位置設置遮罩部在步驟上很複雜。
因此，本發明的目的在於提供一種端子保護用膠帶，以及使用該膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係用於在附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟之端子保護用膠帶，即使是焊球等的具有凹凸而容易產生浮起的端子電極亦可埋入，且不產生浮起。 (用以解決課題之手段)
亦即本發明係提供以下的端子保護用膠帶以及使用該膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。
[1]一種端子保護用膠帶，係用於在附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟；前述端子保護用膠帶具有黏彈性層；在前述黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上；對於前述黏彈性層，將直徑8mm、厚度約1mm的圓柱形狀的評價用試樣在50℃施加10%(36°)的一定的扭轉應變來測定鬆弛彈性模量時，從最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)以及離測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 後至1秒後為止所測定之最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)，根據下述式(1)所求出之鬆弛彈性模量變數X2係滿足下述式(2)： X2＝logG(t)max -　logG(t)min ・・・(1) 0.12　≦　X2　・・・(2) [2]如前述[1]所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層具有埋入層以及黏著劑層。 [3]如前述[2]所記載之端子保護用膠帶，其中依序具有前述黏著劑層、前述埋入層、基材。 [4]如前述[3]所記載之端子保護用膠帶，係依序具有前述黏著劑層、前述埋入層、前述基材、第二黏著劑層之雙面膠帶。 [5]一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包含：在如前述[1]至[4]之任1項所記載之端子保護用膠帶的黏彈性層埋設前述附端子之半導體裝置的端子之步驟；以及在未埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之前述附端子之半導體裝置的露出面形成電磁波屏蔽膜之步驟。 [6]　一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包含：在如前述[1]至[4]之任1項所記載之端子保護用膠帶的黏彈性層埋設附端子之半導體裝置的端子之步驟；切割前述附端子之半導體裝置集合體，並將前述附端子之半導體裝置集合體作成端子埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之附端子之半導體裝置之步驟；以及在未埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之前述附端子之半導體裝置的露出面形成電磁波屏蔽膜之步驟。 (發明功效)
藉由本發明，係提供了一種端子保護用膠帶、以及使用該膠帶之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，該端子保護用膠帶係用於在附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟，即使為焊球等容易產生浮起的端子電極亦可埋入，且不產生浮起。
圖1係示意性地表示本發明的端子保護用膠帶之一實施形態之截面圖。另外，以下的說明所使用之圖，為了容易理解本發明的特徴，為方便起見，有放大顯示主要部分之部分的情況，各組成要素的尺寸比率等不一定與實際相同。
圖1所示之端子保護用膠帶1係用於在附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟之端子保護用膠帶1，具有由埋入層13以及黏著劑層14所構成之黏彈性層12。在黏彈性層12的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上。
此外，對於前述黏彈性層，對直徑8mm、厚度約1mm(係指0.9mm至1.1mm)的圓柱形狀的評價用試樣在50℃施加10%(亦即36°)的一定的扭轉應變來測定鬆弛彈性模量時，從最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)以及離測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 後至1秒後為止所測定之最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)，根據下述式(1)所求出之鬆弛彈性模量變數X2係滿足下述式(2)： X2＝logG(t)max -　logG(t)min ・・・(1) 0.12　≦　X2　・・・(2)
本實施形態的端子保護用膠帶之黏彈性層亦可僅由埋入層所構成，亦可具有埋入層以及黏著劑層。 本實施形態的端子保護用膠帶係如圖1所示，在黏彈性層12的埋入層13之側的最表層亦可具備剝離膜21，在黏彈性層12的黏著劑層14之側的最表層亦可具備剝離膜20。 實施形態的端子保護用膠帶1之中，黏彈性層12係由埋入層13以及黏著劑層14所構成，但只要黏彈性層12係具有埋入層13的機能，且50℃之tanδ的值以及鬆弛彈性模量變數X2在預定的值的範圍內，則黏彈性層12亦可僅由埋入層13所構成，本實施形態的端子保護用膠帶並不限定於圖1所示，只要在不損及本發明的效果的範圍內，可在圖1所示之中，變更、刪除或是追加一部分的構成。
圖1所示之端子保護用膠帶1係可用於如下步驟：剝離兩者的剝離膜20、21，並裝載在支撐體之上，從其上將附端子之半導體裝置以端子之側朝下的方式壓裝，在黏彈性層12埋設端子，進而從其上形成電磁波屏蔽膜之步驟。前述黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，故將附端子之半導體裝置的端子埋設在黏彈性層12時，即使焊球等的具有凹凸且容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可將作為對象之附端子之半導體裝置的端子形成面密接於黏彈性層12。進而，由於黏彈性層12的鬆弛彈性模量變數X2在前述式(2)所示之預定的值的範圍內，故端子可以保持在被埋設的狀態且不產生浮起，並防止端子電極與電磁波屏蔽膜出現電性短路，且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。
本實施形態的端子保護用膠帶係如圖2的端子保護用膠帶2所示，係依序具有黏著劑層14、埋入層13、基材11之構成，在黏彈性層12的黏著劑層14之側的最表層具備剝離膜20亦可。
如圖2所示之端子保護用膠帶2係可用於如下步驟：將剝離膜20加以剝離，將附端子之半導體裝置以端子之側朝下的方式壓裝在作為支撐體的基材11之上的黏彈性層12，在黏彈性層12埋設端子，進而從其上形成電磁波屏蔽膜之步驟。前述黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，故將附端子之半導體裝置的端子埋設在黏彈性層12時，即使焊球等的具有凹凸且容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可將作為對象之附端子之半導體裝置的端子形成面密接於黏彈性層12。進而，黏彈性層12的鬆弛彈性模量變數X2在如前述式(2)所示之預定的值的範圍內，故端子可以保持在被埋設的狀態且不產生浮起，並防止端子電極與電磁波屏蔽膜出現電性短路，且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。
本實施形態的端子保護用膠帶係如圖3的端子保護用膠帶3所示，係依序具有黏著劑層14、埋入層13、基材11之構成，在黏彈性層12的黏著劑層14之側的最表層具備剝離膜20亦可，在與基材11的黏彈性層12相反之側，亦可具備用以貼合支撐體之第二黏著劑層15(亦即貼合黏著劑層)，亦可為在第二黏著劑層15之側的最表層具備剝離膜22之雙面膠帶。
如圖3所示之端子保護用膠帶3係可用於如下步驟：將剝離膜22加以剝離，如圖4所示，固定在支撐體30，進而，將剝離膜20加以剝離，將附端子之半導體裝置以端子之側朝下的方式壓裝在黏彈性層12，在黏彈性層12埋設端子，進而從其上形成電磁波屏蔽膜之步驟。前述黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，故附端子之半導體裝置的端子埋設在黏彈性層12時，即使焊球等的具有凹凸且容易產生浮起之端子電極亦可埋設，可將作為對象之附端子之半導體裝置的端子形成面密接於黏彈性層12。進而，黏彈性層12的鬆弛彈性模量變數X2在如前述式(2)所示之預定的值的範圍內，故端子可以保持在被埋設的狀態且不產生浮起，並防止端子電極與電磁波屏蔽膜出現電性短路，且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。
然後，對於構成本實施形態的端子保護用膠帶之各層進行說明。
◎黏彈性層 本實施形態的端子保護用膠帶之中，黏彈性層係用以保護附端子之半導體裝置的端子形成面(換言之為電路面)、以及設置在該端子形成面上之端子，在黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，對於前述黏彈性層，將直徑8mm、厚度約1mm的圓柱形狀的評價用試樣在50℃施加10%(亦即36°)的一定的扭轉應變來測定鬆弛彈性模量時，從最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)以及離測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 後至1秒後為止所測定之最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)，根據下述式(1)所求出之鬆弛彈性模量變數X2係滿足下述式(2)： X2＝logG(t)max -　logG(t)min ・・・(1) 0.12　≦　X2　・・・(2)
本說明書之中，「50℃之黏彈性層的tanδ」係可將50℃之黏彈性層的損失彈性模量G”(50℃)除以儲存彈性模量G’(50℃)而獲得。此外，後述的「25℃之黏彈性層的tanδ」係可將25℃之黏彈性層的損失彈性模量G”(25℃)除以儲存彈性模量G’(25℃)而獲得。 此外，本說明書之中，黏彈性層的「損失彈性模量G”」以及「儲存彈性模量G’」，可在剪切黏度測定裝置設置厚度310μm的黏彈性層，以頻率：1Hz、升溫速度：10℃／min的測定條件，藉由從室溫升溫至100℃來測定而獲得。
本說明書之中，「最大鬆弛彈性模量G(t)max 」係對於黏彈性層，準備直徑8mm、厚度約1mm的圓柱形狀的評價用試樣，設置在黏彈性測定裝置(例如Anton　paar公司製，製品名「MCR302」)，參考JIS　K7244-7，以50℃旋轉治具並扭轉前述試樣，藉由裝置控制持續施加10%(亦即36°)的一定的扭轉應變，可由測定了鬆弛彈性模量G(t)之結果推導出。此外，本說明書之中，「最小鬆弛彈性模量G(t)min 」係可由測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 1秒後為止所測定之鬆弛彈性模量G(t)推導出。
黏彈性層12的一方的面，係黏著在半導體裝置的端子形成面。黏彈性層12之前述一方的面較佳為黏著劑層。因此，將附端子之半導體裝置貼附在黏著劑層14時的黏著力良好。
此外，鬆弛彈性模量變數X2需要為0.12以上，較佳為0.13以上，更佳為0.14以上。藉由鬆弛彈性模量變數X2為前述下限值以上，將附端子之半導體裝置貼附在黏著劑層14時端子保持在被埋設的狀態且不產生浮起。此外，鬆弛彈性模量變數X2較佳為0.42以下，更佳為0.35以下，尤佳為0.30以下。藉由鬆弛彈性模量變數X2為前述上限值以下，沒有過度埋設的風險，可獲得最適合的埋設性(以下亦稱為埋入性)。 鬆弛彈性模量變數X2的上限值與下限值可以任意地組合。 例如，鬆弛彈性模量變數X2較佳為0.12以上至0.42以下，更佳為0.13以上至0.35以下，又更佳為0.14以上至0.30以下。
黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上，較佳為0.3以上，更佳為0.5以上。藉由50℃之tanδ的值為前述下限值以上，可確保對端子電極之追隨性與黏彈性層的流動性，故可提高端子電極的埋入性。50℃之tanδ的值可為6.5以下，可為6.0以下，可為5.4以下。 50℃之tanδ的上限值與下限值可以任意地組合。 例如，50℃之tanδ較佳為0.2以上至6.5以下，更佳為0.3以上至6.0以下，又更佳為0.5以上至5.4以下。
前述黏彈性層的50℃之儲存彈性模量G’(50℃)(MPa)較佳係滿足下述式(3)。 0.01MPa　≦　G’(50℃)　≦　15MPa　　・・・(3)
藉由滿足式(3)，即使是焊球等容易產生各種的形狀、大小的浮起之端子電極亦變得易於埋設。 G’(50℃)較佳為0.01 MPa 至15MPa，更佳為0.02 MPa 至12.5MPa，又更佳為0.03 MPa 至10MPa。
本實施形態的端子保護用膠帶較佳係前述黏彈性層的25℃之儲存彈性模量G’(25℃)(MPa)滿足下述式(4)。 0.05MPa　≦　G’(25℃)　≦　20MPa　　・・・(4)
藉由滿足式(4)，易於保持常溫之端子保護用膠帶的形狀，且易於抑制對埋入層的端部之滲出。 G’(25℃)較佳為0.05 MPa 至20MPa，更佳為0.06 MPa 至15MPa，又更佳為0.07 MPa 至10MPa。
黏彈性層的厚度d1可根據適用之半導體裝置的端子的高度h0而調整。黏彈性層的厚度較佳為80μm 至800μm，更佳為100μm 至790μm，尤佳為130μm 至780μm。 黏彈性層的厚度為前述下限值以上，藉此即使為焊球等的端子電極亦可埋設。此外，埋入層的厚度為前述上限值以下，藉此可抑制端子保護用膠帶的厚度過剩。 此處，所謂「黏彈性層的厚度」，係指黏彈性層整體的厚度，由埋入層以及黏著劑層的複數層所構成之黏彈性層的厚度係指埋入層以及黏著劑層的合計的厚度。 本說明書之中，「層的厚度」係以隨機地選擇之5部位測定厚度之平均來表示之值，根據JIS　K77130，使用定壓厚度測定器來測定。
前述黏彈性層的厚度d1(μm)較佳係和前述端子的高度h0(μm)之間滿足下述式(5)。 1.2≦　d1／h0　≦5.0　　・・・(5)
藉由滿足式(5)，即使是焊球等容易產生各種的形狀、大小的浮起之端子電極亦變得易於埋設。 d1／h0較佳為1.2至5.0，更佳為1.3至5.0，又更佳為1.4至5.0。
黏彈性層的動態黏彈性測定之中，25℃之tanδ的值可為0.2以上，亦可為0.10至1.4，較佳為0.20至1.0，更佳為0.30至0.8。
將附端子之半導體裝置的端子形成面密接黏彈性層12時，較佳係使附端子之半導體裝置的端子形成面直接密接黏彈性層12的黏著劑層14。 此時，為了防止在端子形成面以及端子的殘膠，黏著劑層14較佳係設定為比埋入層13更硬。
〇埋入層 本實施形態的端子保護用膠帶之中，埋入層係黏彈性層之中埋設附端子之半導體裝置的端子並保護之層。 埋入層為片狀或是膜狀，只要滿足前述條件的關係，其構成材料則並沒有特別限定。本說明書之中，所謂「片狀或是膜狀」，係指薄膜狀且面內的厚度不均小，具有可撓性。
例如，目的在於在覆蓋作為保護對象之附端子之半導體裝置的端子形成面之黏彈性層反映出存在於半導體表面之端子的形狀，藉此抑制黏彈性層變形的情況，作為前述埋入層較佳的構成材料，由更提高埋入層的貼附性的觀點來看，可列舉如胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂等。
埋入層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上的複數層，複數層的情況，這些複數層可彼此相同或不同，這些複數層的組合並沒有特別限定。 另外，本說明書中，不限於埋入層的情況，所謂「複數層可彼此相同或不同」，係指「所有的層可相同、或所有的層不同亦可、亦可僅有一部分的層相同」，進而所謂「複數層彼此不同」，係指「各層的構成材料以及厚度之至少一者彼此不同」。
埋入層的厚度係可根據作為保護對象之附端子之半導體裝置的端子形成面的端子的高度而適當調節，但由相對高度高的端子的影響亦可容易地吸收的觀點來看，黏彈性層的厚度為80μm 至800μm的範圍，較佳係厚於黏著劑層，較佳為50μm 至600μm，更佳為70μm 至550μm，尤佳為80μm 至500μm。藉由埋入層的厚度為前述下限值以上，可形成端子的保護性能更高的黏彈性層。此外，藉由埋入層的厚度為前述上限值以下，提高生產性與輥形狀之捲取適性。 此處，「埋入層的厚度」係指埋入層整體的厚度，例如由複數層所構成之埋入層的厚度，係指構成埋入層之所有的層的合計的厚度。
埋入層較佳係具有合適於埋設端子的柔軟性質，較佳係比黏著劑層更柔軟。
(埋入層形成用組成物) 埋入層係可使用含有該構成材料之埋入層形成用組成物來形成。 例如，在埋入層的形成對象面塗布埋入層形成用組成物，並根據需要使其乾燥，藉由能量線的照射使其硬化，藉此可在目的之部位形成埋入層。此外，在剝離膜塗布埋入層形成用組成物，並根據需要使其乾燥，藉由能量線的照射使其硬化，藉此可形成目的之厚度的埋入層，亦可在目的之部位轉印埋入層。埋入層更具體的形成方法，與其它層的形成方法一起在之後詳細地說明。埋入層形成用組成物中在常溫不氣化之成分彼此的含量的比率，通常與埋入層的前述成分彼此的含量的比率相同。此處，所謂「常溫」，係指沒有特別冷或熱的溫度，亦即平常的溫度，可列舉例如15℃至30℃的溫度等。
埋入層形成用組成物的塗布可以公知的方法進行即可，可列舉例如：氣刀塗布器、刮刀塗布器、棒塗布器、凹版塗布器、輥塗布器、輥刀塗布器、簾幕塗布器、模塗布器、刀塗布器、網印塗布器、線棒塗布器、模唇塗布器等使用各種塗布器的方法。
埋入層形成用組成物的乾燥條件並沒有特別限定，埋入層形成用組成物含有後述之溶劑的情況，較佳係加熱使其乾燥，該情況較佳係例如以70℃至130℃且10秒鐘至5分鐘的條件使其乾燥。 埋入層形成用組成物具有能量線硬化性之情況，較佳係藉由能量線的照射使其硬化。
作為埋入層形成用組成物，可列舉例如含有丙烯酸系樹脂之埋入層形成用組成物(I)等。
{埋入層形成用組成物(I)} 埋入層形成用組成物(I)係含有丙烯酸系樹脂。 作為埋入層形成用組成物(I)，可將後述的第一黏著劑組成物(I-1)之中之含有由丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)以及能量線硬化性化合物所構成之群組中所選擇之至少一種之組成物，以及第一黏著劑組成物(I-2)之中之含有在丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(1-2a)之組成物用作埋入層形成用組成物(I)。
埋入層形成用組成物(I)中所使用之黏著性樹脂(I-1a)以及能量線硬化性化合物，係與後述之第一黏著劑組成物(I-1)所使用之黏著性樹脂(I-1a)以及能量線硬化性化合物的說明相同。 埋入層形成用組成物(I)中所使用之黏著性樹脂(I-2a)，係與後述之第一黏著劑組成物(I-2)中所使用之黏著性樹脂(I-2a) 的說明相同。 埋入層形成用組成物(I)較佳係進而含有交聯劑。埋入層形成用組成物(I)中所使用之交聯劑，係與後述之第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)所使用之交聯劑的說明相同。 埋入層形成用組成物(I)亦可進而含有光聚合起始劑、其它添加劑。埋入層形成用組成物(I)中所使用之光聚合起始劑、其它添加劑，係與後述之第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)所使用之光聚合起始劑、其它添加劑的說明相同。 埋入層形成用組成物(I)亦可含有溶劑。埋入層形成用組成物(I)、第一黏著劑組成物(I-2)中所使用之溶劑，係與後述之第一黏著劑組成物(I-1)所使用之溶劑的說明相同。
埋入層形成用組成物(I)之中，藉由調整黏著性樹脂(I-1a)的分子量以及能量線硬化性化合物的分子量之任一者或是兩者，埋入層可設計為具有合適於埋設端子的柔軟性質。 此外，藉由調整埋入層形成用組成物(I)之中之交聯劑的含量，埋入層可設計為具有合適於埋設端子的柔軟性質。
＜＜埋入層形成用組成物的製造方法＞＞ 埋入層形成用組成物(I)等的埋入層形成用組成物，可藉由調配用以構成該組成物之各成分而獲得。 各成分的調配時之添加順序並沒有特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 使用溶劑之情況，亦可將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合而藉由將該調配成分預先稀釋來使用、亦可不將溶劑以外之任一調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合來使用。 調配時混合各成分之方法並沒有特別限定，可由以下公知的方法適當選擇即可：旋轉攪拌子或是攪拌葉片等來混合之方法；使用混合器來混合之方法；施加超音波來混合之方法等。 各成分的添加以及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分未劣化則並沒有任何限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
{埋入層的組成} 本實施形態之埋入層的組成，係從上述的埋入層形成用組成物(I)中去除溶劑者。 埋入層形成用組成物(I)係後述之第一黏著劑組成物(I-1)中之含有丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)與能量線硬化性化合物之組成物之情況的埋入層(1)之埋入層(1)中，丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(1)總質量的含有比率較佳為55質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。本發明之另一方面，丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(1)的總質量的含有比率可為45質量%至90質量%，亦可為50質量%至85質量%。此外，能量線硬化性化合物相對於埋入層(1)總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，又更佳為5質量%至45質量%。埋入層(1)含有交聯劑的情況，交聯劑相對於埋入層(1)總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。
埋入層形成用組成物(I)係含有在丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(1-2a)之組成物之情況下的埋入層(2)中，在側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(1-2a)相對於埋入層總質量的含有比率較佳為10質量%至70質量%，更佳為15質量%至65質量%，又更佳為20質量%至60質量%。此外，本發明的另一方面，丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(2)總質量的含有比率亦可為10質量%至60質量%，亦可為15質量%至55質量%，亦可為20質量%至55質量%。埋入層(2)含有交聯劑之情況，交聯劑相對於埋入層(2)總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至7.8質量%。此外，本實施形態的埋入層(2)亦可進而含有前述丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)。該情況，丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(2)總質量的含有比率較佳為35質量%至85質量%，更佳為40質量%至80質量%，又更佳為35質量%至75質量%。此外，本實施形態的埋入層(2)進而含有前述丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之情況，相對於前述黏著性樹脂(1-2a)100質量份，前述黏著性樹脂(1-1a)的含量較佳為40質量份至150質量份，更佳為50質量份至140質量份，又更佳為60質量份至130質量份。
埋入層(1)所含有之丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、在埋入層(2)所含有之在黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(1-2a)的組成等，亦可與後述之第一黏著劑組成物(I-1)所使用之丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、在黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(1-2a)的說明相同。
本實施形態中，較佳係含有黏著性樹脂(1-2a)、黏著性樹脂(1-1a)、以及交聯劑之埋入層(2)。該情況，黏著性樹脂(1-1a)較佳係具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、源自含羧基單體的單元之丙烯酸系聚合物。此外，黏著性樹脂(1-2a)較佳係如下之丙烯酸系聚合物：在具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、源自含羥基單體的單元之丙烯酸系聚合物，與具有異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應所獲得。交聯劑係可使用後述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳係使用甲苯二異氰酸酯。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元相對於黏著性樹脂(1-1a)總質量的含有比率較佳為75質量%至99質量%，更佳為80質量%至98質量%，又更佳為85質量%至97質量%。本發明的另一方面，源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元相對於黏著性樹脂(1-1a)總質量的含有比率可為70質量%至95質量%，亦可為80質量%至95質量%。含羧基單體的構成單元相對於黏著性樹脂(1-1a)總質量的含有比率較佳為1.0質量%至30質量%，更佳為2.0質量%至25質量%，又更佳為3.0質量%至20質量%。本發明的另一方面，含羧基單體的構成單元相對於黏著性樹脂(1-1a)總質量的含有比率可為3.0質量%至20質量%，亦可為5.0質量%至15質量%。黏著性樹脂(1-1a)之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳係烷基的碳數為4至12，更佳為4至8。此外，黏著性樹脂(1-1a)中，較佳為丙烯酸烷基酯。其中前述(甲基)丙烯酸烷基酯尤佳為丙烯酸正丁酯。此外，作為黏著性樹脂(1-1a)之含羧基單體，可列舉如乙烯性不飽和單羧酸、乙烯性不飽和二羧酸、乙烯性不飽和二羧酸的酸酐等，其中較佳為乙烯性不飽和單羧酸，更佳為(甲基)丙烯酸，尤佳為丙烯酸。 本實施形態的黏著性樹脂(1-1a)的重量平均分子量較佳為100,000至800,000，更佳為150,000至700,000，又更佳為200,000至600,000。 另外，本說明書之中，所謂「重量平均分子量」，若無特別限定，係指藉由凝膠滲透層析(gel permeation chromatograph；GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元相對於黏著性樹脂(1-2a)總質量的含有比率較佳為1.0質量%至95質量%，更佳為2.0質量%至90質量%，又更佳為3.0質量%至85質量%。源自含羥基單體的單元相對於黏著性樹脂(1-2a)總質量的含有比率較佳為1.0質量%至50質量%，更佳為2.0質量%至45質量%，又更佳為3.0質量%至40質量%。黏著性樹脂(1-2a)之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳係烷基的碳數為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(1-2a)較佳係具有源自2種以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元，更佳係具有(甲基)丙烯酸甲酯以及源自(甲基)丙烯酸正丁酯的構成單元，又更佳係具有源自甲基丙烯酸甲酯以及丙烯酸正丁酯的構成單元。作為黏著性樹脂(1-2a)之含羥基單體，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示者，尤佳係使用丙烯酸2-羥乙酯。作為具有異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物，可使用後述的第一黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳係使用2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯。源自前述含羥基單體之全羥基為100mol時之前述具有異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物的使用量較佳為10 mol 至150mol，更佳為20 mol 至140mol，又更佳為30 mol 至130mol。 本實施形態的黏著性樹脂(1-2a)的重量平均分子量較佳為10,000至500,000，更佳為20,000至400,000，又更佳為30,000至300,000。
〇黏著劑層 以下為使得構成黏彈性層之黏著劑層與後述的用以貼合至支撐體之第二黏著劑層有所區別，有時稱為「第一黏著劑層」。 第一黏著劑層為片狀或是膜狀，且含有黏著劑。 作為前述黏著劑，可列舉例如：丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所構成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所構成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠結構之樹脂所構成之黏著劑)、聚矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所構成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所構成之黏著劑)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等的黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。
另外，本發明之中，所謂「黏著性樹脂」，係指包含具有黏著性之樹脂、具有接著性之樹脂的兩者之概念，例如，不僅樹脂本身具有黏著性者，亦包含藉由併用添加劑等的其它成分而顯示黏著性之樹脂、或藉由熱或是水等的觸發因素的存在而顯示接著性之樹脂等。
第一黏著劑層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上的複數層，為複數層的情況，這些複數層可彼此相同或不同，這些複數層的組合並沒有特別限定。
第一黏著劑層的厚度較佳為1μm至1000μm，更佳為2μm至100μm，尤佳為8μm至20μm。 此處，所謂「第一黏著劑層的厚度」，係指第一黏著劑層整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之第一黏著劑層的厚度，係指構成第一黏著劑層之所有的層的合計的厚度。
第一黏著劑層可為使用能量線硬化性黏著劑所形成，亦可為使用非能量線硬化性黏著劑所形成。使用能量線硬化性的黏著劑所形成之第一黏著劑層，係可容易地調節硬化前以及硬化後之物性。 本發明之中，所謂「能量線」，係指電磁波或是帶電粒子束之中具有能量量子者，作為該例，可列舉如紫外線、電子束等。 紫外線，係例如可以使用作為紫外線源之高壓汞燈、融合H燈或是氙氣燈等來照射。電子束係可藉由電子束加速器等來照射所產生者。 本發明之中，所謂「能量線硬化性」，係指照射能量線而藉此硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，係指即使照射能量線亦不會硬化之性質。
{{第一黏著劑組成物}} 第一黏著劑層係可使用含有黏著劑之第一黏著劑組成物來形成。例如，在第一黏著劑層的形成對象面塗布第一黏著劑組成物，並根據需要使其乾燥，可藉此在目的之部位形成第一黏著劑層。此外，在剝離膜塗布第一黏著劑組成物，並根據需要使其乾燥，藉此可形成目的之厚度的第一黏著劑層，亦可在目的之部位轉印第一黏著劑層。第一黏著劑層之更具體的形成方法，與其它層的形成方法一起在之後詳細地說明。第一黏著劑組成物中在常溫不氣化之成分彼此的含量的比率，通常與第一黏著劑層的前述成分彼此的含量的比率相同。另外，本實施形態之中，所謂「常溫」，係指沒有特別冷或熱的溫度，亦即平常的溫度，可列舉例如15℃至25℃的溫度等。
第一黏著劑組成物的塗布可以公知的方法進行即可，可列舉例如：氣刀塗布器、刮刀塗布器、棒塗布器、凹版塗布器、輥塗布器、輥刀塗布器、簾幕塗布器、模塗布器、刀塗布器、網印塗布器、線棒塗布器、模唇塗布器等使用各種塗布器的方法。
第一黏著劑組成物的乾燥條件並沒有特別限定，第一黏著劑組成物如含有後述之溶劑之情況，較佳係加熱使其乾燥，該情況，較佳係例如在70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘的條件使其乾燥。
第一黏著劑層為能量線硬化性之情況，含有能量線硬化性黏著劑之第一黏著劑組成物、亦即作為能量線硬化性的第一黏著劑組成物，可列舉例如：含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)(以下亦簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)與能量線硬化性化合物之第一黏著劑組成物(I-1)；含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)(以下亦簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)之第一黏著劑組成物(I-2)；含有前述黏著性樹脂(I-2a)與能量線硬化性低分子化合物之第一黏著劑組成物(I-3)等。
{第一黏著劑組成物(I-1)} 第一黏著劑組成物(I-1)係如上述含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)與能量線硬化性化合物。
(黏著性樹脂(I-1a)) 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。 作為前述丙烯酸系樹脂，可列舉例如至少含有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元之丙烯酸系聚合物。 前述丙烯酸系樹脂所具有之構成單元，可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列舉例如構成烷基酯之烷基的碳數為1至20者，前述烷基較佳係直鏈狀或是支鏈狀。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酸酯)、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酸酯)、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸二十酯等。
由提高第一黏著劑層的黏著力的觀點來看，前述丙烯酸系聚合物較佳係具有前述烷基的碳數為4以上之源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。然後，由更提高第一黏著劑層的黏著力的觀點來看，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。此外，前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，較佳係進而具有源自含官能基單體的構成單元。 作為前述含官能基單體，可列舉如：藉由前述官能基與後述之交聯劑反應而成為交聯的起點、或是藉由前述官能基與含不飽和基化合物中的不飽和基反應而可在丙烯酸系聚合物之側鏈導入有不飽和基。
作為含官能基單體中的前述官能基，可列舉例如：羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為含官能基單體，可列舉例如：含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。
作為前述含羥基單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、丙烯醇等的非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(亦即不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。
作為前述含羧基單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸的酸酐；2-羧乙基甲基丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基單體較佳為含羥基單體、含羧基單體，更佳為含羥基單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基單體可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上的情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
前述丙烯酸系聚合物之中，源自含官能基單體的構成單元的含量，相對於構成單元的總量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物，除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、以及源自含官能基單體的構成單元以外，亦可進而具有源自其它單體的構成單元。 前述其它單體只要是可與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚者則並沒有特別限定。 作為前述其它單體，可列舉例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯、乙酸乙烯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其它單體可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上的情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
前述丙烯酸系聚合物係可用作為上述的非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)。 另一方面，在前述丙烯酸系聚合物中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基化合物反應者，可用作為上述的能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。 另外，本發明之中，所謂「能量線聚合性」，係指藉由照射能量線而聚合之性質。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)，亦可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上的情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，黏著性樹脂(I-1a)的含量，相對於第一黏著劑組成物(I-1)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
(能量線硬化性化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉如具有能量線聚合性不飽和基、且藉由能量線的照射而可硬化的單體或是低聚物。 能量線硬化性化合物之中，作為單體，可列舉例如：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多元(甲基)丙烯酸酯；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。
能量線硬化性化合物之中，作為低聚物，可列舉例如上述所例示之單體經聚合之低聚物等。 能量線硬化性化合物由分子量相對大、且不易降低第一黏著劑層的儲存彈性模量的觀點來看，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。 本說明書之中，所謂「低聚物」，係指重量平均分子量或是式量為5,000以下的物質。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可僅為1種，亦可為2種以上，若為2種以上的情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，前述能量線硬化性化合物的含量相對於第一黏著劑組成物(I-1)的總質量，較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
(交聯劑) 作為黏著性樹脂(I-1a)，若使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，進而具有源自含官能基單體的構成單元之前述丙烯酸系聚合物之情況，第一黏著劑組成物(I-1)較佳係進而含有交聯劑。
前述交聯劑係例如與前述官能基反應，且黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯者。 作為交聯劑，可列舉例如：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、這些二異氰酸酯的加成物等的異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺)、乙二醇縮水甘油基醚等的環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶]三磷三嗪等的氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等的金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 由提高黏著劑的凝集力且提高第一黏著劑層的黏著力的觀點、以及容易取得等的觀點來看，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-1)，即使照射紫外線等的相對低能量的能量線，亦可充分地進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，可列舉例如：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-縮酮化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯、二苯偶醯、二苯甲酮、2,4-二乙基噻噸酮、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。 此外，作為前述光聚合起始劑，亦可使用例如：1-氯蒽醌等的醌化合物；胺等的光增感劑等。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，光聚合起始劑的含量相對於前述能量線硬化性化合物的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-1)在不損及本發明的效果範圍內，亦可含有不屬於上述任一成分之其它添加劑。 作為前述其它添加劑，可列舉例如：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、充填劑(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑，反應延遲劑，交聯促進劑(觸媒)等的公知的添加劑。 另外，所謂反應延遲劑，係例如藉由混入第一黏著劑組成物(I-1)中之觸媒的作用，而在保存中的第一黏著劑組成物(I-1)之中抑制非目的之交聯反應進行。作為反應延遲劑，可列舉例如藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物，更具體而言，可列舉如在1分子中具有2個以上的羰基(-C(＝O)-)。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之其它添加劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，其它添加劑的含量並沒有特別限定，可根據種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。第一黏著劑組成物(I-1)含有溶劑，藉此提高對塗布對象面之塗布適性。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，可列舉例如：甲乙酮、丙酮等的酮；乙酸乙酯等的酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等的醚；環己烷、正己烷等的脂肪烴；甲苯、二甲苯等的芳香烴；1-丙醇、2-丙醇等的醇等。
作為前述溶劑，例如可使得製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑不自黏著性樹脂(I-1a)去除而直接用於第一黏著劑組成物(I-1)，亦可將與製造黏著性樹脂(I-1a)時所使用之溶劑相同或是不同種類的溶劑在製造第一黏著劑組成物(I-1)時另外添加。
第一黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-1)之中，溶劑的含量並沒有特別限定，適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-2)} 第一黏著劑組成物(I-2)係如上述含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。
(黏著性樹脂(I-2a)) 前述黏著性樹脂(I-2a)係例如使得黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應所獲得。
前述含不飽和基化合物係除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基之化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，可列舉例如：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(Vinyl，亦稱為Ethenyl)、烯丙基(亦稱為2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，可列舉例如：可與羥基或是胺基鍵結之異氰酸酯基以及縮水甘油基、以及可與羧基或是環氧基鍵結之羥基以及胺基等。
作為前述含不飽和基化合物，可列舉例如：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等，較佳為(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯，其中尤佳為2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯。 前述異氰酸酯化合物係可與黏著性樹脂(I-1a)中的羥基鍵結，設黏著性樹脂(I-1a)中的全羥基為100mol時，前述異氰酸酯化合物的使用量較佳為10 mol 至150mol，更佳為20 mol 至140mol，又更佳為30 mol 至130mol。
第一黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-2)之中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於第一黏著劑組成物(I-2)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
(交聯劑) 作為黏著性樹脂(I-2a)若使用例如與黏著性樹脂(I-1a)相同之具有源自含官能基單體的構成單元之前述丙烯酸系聚合物的情況，第一黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為第一黏著劑組成物(I-2)之前述交聯劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之交聯劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-2)之中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-2)係亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-2)，即使照射紫外線等的相對低能量的能量線，亦可充分地進行硬化反應。
作為第一黏著劑組成物(I-2)之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-2)之中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-2)，只要在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不屬於上述任一成分之其它添加劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)之前述其它添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之其它添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之其它添加劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-2)之中，其它添加劑的含量並沒有特別限定，可根據種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-2)亦可與第一黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-2)之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。 第一黏著劑組成物(I-2)之中，溶劑的含量並沒有特別限定，適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-3)} 第一黏著劑組成物(I-3)係如上述含有前述黏著性樹脂(I-2a)與能量線硬化性低分子化合物。
第一黏著劑組成物(I-3)之中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於第一黏著劑組成物(I-3)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
(能量線硬化性低分子化合物) 作為第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物，可舉出具有能量線聚合性不飽和基而可藉由照射能量線而硬化的單體以及低聚物。可舉出與第一黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-3)之中，前述能量線硬化性低分子化合物的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
(光聚合起始劑) 第一黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第一黏著劑組成物(I-3)即使照射紫外線等的相對低能量的能量線，亦可充分地進行硬化反應。
作為第一黏著劑組成物(I-3)之前述光聚合起始劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之光聚合起始劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-3)之中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)以及前述能量線硬化性低分子化合物的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5量部。
(其它添加劑) 第一黏著劑組成物(I-3)，只要在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不屬於上述任一成分之其它添加劑。 作為前述其它添加劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之其它添加劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之其它添加劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
第一黏著劑組成物(I-3)之中，其它添加劑的含量並沒有特別限定，可根據種類而適當選擇即可。
(溶劑) 第一黏著劑組成物(I-3)可與第一黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的而含有溶劑。 作為第一黏著劑組成物(I-3)之前述溶劑，可列舉與第一黏著劑組成物(I-1)之溶劑相同者。 第一黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。 第一黏著劑組成物(I-3)之中，溶劑的含量並沒有特別限定，適當調節即可。
{第一黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外的第一黏著劑組成物} 以上主要對於第一黏著劑組成物(I-1)、第一黏著劑組成物(I-2)以及第一黏著劑組成物(I-3)進行說明，作為這些的含有成分所說明的，在這些3種的第一黏著劑組成物以外的所有的第一黏著劑組成物(本實施形態中，稱為「第一黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外的第一黏著劑組成物」)，亦可同樣地使用。
作為第一黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外的第一黏著劑組成物，除了能量線硬化性的第一黏著劑組成物以外，可列舉如非能量線硬化性的第一黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性的第一黏著劑組成物，可列舉含有例如丙烯酸系樹脂(具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、胺基甲酸酯系樹脂(具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(具有橡膠結構之樹脂)、聚矽氧系樹脂(具有矽氧烷鍵之樹脂)、環氧系樹脂(具有環氧基之樹脂)、聚乙烯醚、或是聚碳酸酯等的黏著性樹脂者，較佳為含有丙烯酸系樹脂者。
第一黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外的第一黏著劑組成物較佳係含有1種或是2種以上的交聯劑，其含量可與上述的第一黏著劑組成物(I-1)等的情況相同。
＜第一黏著劑組成物的製造方法＞ 第一黏著劑組成物(I-1)至(I-3)等的前述第一黏著劑組成物係調配前述黏著劑、以及根據需要之前述黏著劑以外的成分等之用以構成第一黏著劑組成物之各成分而獲得。 各成分的調配時之添加順序並沒有特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 使用溶劑的情況，可將溶劑與溶劑以外之任一調配成分混合並將該調配成分預先稀釋來使用、亦可將溶劑以外之任一調配成分不預先稀釋而將溶劑混合這些調配成分來使用。 在調配時混合各成分之方法並沒有特別限定，可由以下公知的方法來適當選擇即可：旋轉攪拌子或是攪拌葉片等並混合之方法；使用混合器來混合之方法；施加超音波來混合之方法等。 各成分之添加以及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分未劣化則並沒有特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
{第一黏著劑層的組成} 本實施形態之第一黏著劑層的組成係由上述的第一黏著劑層組成物除去溶劑者。 第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-1)之情況下，第一黏著劑層(I-1)中之黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。此外，本發明的另一方面，黏著性樹脂(I-1a)相對於第一黏著劑層(I-1)總質量的含有比率可為25質量%至80質量%，亦可為30質量%至75質量%，亦可為35質量%至70質量%。此外，能量線硬化性化合物相對於第一黏著劑層(I-1)總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，又更佳為5質量%至45質量%。第一黏著劑層(I-1)含有交聯劑之情況，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-1)總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。
第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-2)之情況下，第一黏著劑層(I-2)中之黏著性樹脂(I-2a) 相對於第一黏著劑層(I-2)總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，又更佳為70質量%至97質量%。第一黏著劑層(I-2)含有交聯劑之情況，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-2)總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。
第一黏著劑層組成物為前述第一黏著劑組成物(I-3)之情況下，第一黏著劑層(I-3)中之黏著性樹脂(I-2a) 相對於第一黏著劑層(I-3)總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，又更佳為60質量%至90質量%。此外，能量線硬化性低分子化合物相對於第一黏著劑層(I-3)總質量的含有比率較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，又更佳為5質量%至45質量%。第一黏著劑層(I-3)含有交聯劑之情況，交聯劑相對於第一黏著劑層(I-3)總質量的含有比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，又更佳為0.3質量%至8質量%。
本實施形態中，較佳係含有黏著性樹脂(1-2a)、以及交聯劑之第一黏著劑層(I-2)。該情況，黏著性樹脂(1-2a)較佳係使得具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、源自含羥基單體的單元之丙烯酸系聚合物來和具有異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應所獲得之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用第一黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳係使用甲苯二異氰酸酯。
源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元相對於黏著性樹脂(1-2a)總質量的含有比率較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，又更佳為70質量%至97質量%。源自含羥基單體的單元相對於黏著性樹脂(1-2a)總質量的含有比率較佳為0.5質量%至15質量%，更佳為1.0質量%至10質量%，又更佳為2.0質量%至10質量%。黏著性樹脂(1-2a)之(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基碳數較佳為1至12，更佳為1至4。 黏著性樹脂(1-2a)較佳係具有源自2種以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元，更佳係具有(甲基)丙烯酸甲酯以及源自(甲基)丙烯酸正丁酯的構成單元，又更佳係具有源自甲基丙烯酸甲酯以及丙烯酸正丁酯的構成單元。作為黏著性樹脂(1-2a)之含羥基單體，可使用前述的第一黏著劑組成物(I-1)中所例示者，尤佳係使用丙烯酸2-羥乙酯。作為具有異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物，可使用第一黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳係使用2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯。設源自前述含羥基單體之全羥基為100mol時，具有前述異氰酸酯基以及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物的使用量較佳為20 mol 至80mol，更佳為25 mol 至75mol，又更佳為30 mol 至70mol。
◎基材 基材為片狀或是膜狀，作為該構成材料，可列舉例如各種樹脂。 作為前述樹脂，可列舉例如：低密度聚乙烯(亦稱為LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(亦稱為LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(亦稱為HDPE；High Density Polyethylene)等的聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等的聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(亦稱為EVA；Ethylene Vinyl Acetate)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等的乙烯系共聚物(亦即作為單體使用乙烯所獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等的氯乙烯系樹脂(亦即作為單體使用氯乙烯所獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(亦稱為PET；polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸乙二酯、所有的構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等的聚酯；2種以上的前述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚胺基甲酸酯丙烯酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚伸苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 此外，作為前述樹脂，可列舉例如前述聚酯與該聚酯以外的樹脂的混合物等的聚合物合金。前述聚酯與該聚酯以外的樹脂的聚合物合金較佳係聚酯以外的樹脂的量相對少量。 此外，作為前述樹脂，可列舉例如以上所例示之前述樹脂的1種或是2種以上經交聯之交聯樹脂；使用了以上所例示之前述樹脂的1種或是2種以上之離聚物等的改質樹脂。
另外，本說明書之中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係包含「丙烯酸」以及「甲基丙烯酸」的兩者之概念。對於與(甲基)丙烯酸類似的用語也相同，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係包含「丙烯酸酯」以及「甲基丙烯酸酯」的兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」，係包含「丙烯醯基」以及「甲基丙烯醯基」的兩者之概念。
構成基材之樹脂可僅為1種、亦可為2種以上，若為2種以上之情況，可任意地選擇這些組合以及比率。
基材可僅為1層(單層)，亦可為2層以上的複數層，若為複數層之情況，這些複數層可彼此相同或不同，這些複數層的組合並沒有特別限定。
基材的厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，又更佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至150μm。 此處，所謂「基材的厚度」，係指基材整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之基材的厚度，係指構成基材之所有的層的合計的厚度。
基材較佳係厚度的精度高，亦即不分部位之厚度的不均被抑制。上述的構成材料之中，構成這種厚度的精度高的基材所可使用的材料，可列舉例如：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
基材除了前述樹脂等為主的構成材料以外，亦可含有充填材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(可塑劑)等的公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，亦可根據目的而著色，其它層亦可被蒸鍍。 前述黏彈性層為能量線硬化性之情況，基材較佳係使能量線透射者。
基材係可以公知的方法來製造。例如，含有樹脂之基材，可以藉由成形含有前述樹脂之樹脂組成物來製造。
◎剝離膜 前述剝離膜可為該領域所公知者。 作為較佳的前述剝離膜，例如為聚對苯二甲酸乙二酯等的樹脂製膜之至少一方的表面藉由聚矽氧處理等而經剝離處理者；膜的至少一方的表面為以聚烯烴所構成之剝離面者等。 剝離膜的厚度較佳係與基材的厚度相同。
◎第二黏著劑層 第二黏著劑層(亦即貼合黏著劑層)係用以將本實施形態的端子保護用膠帶貼合至支撐體之黏著劑層。 前述第二黏著劑層可為該領域所公知者，可由上述的第一黏著劑層所說明者配合支撐體而適當選擇。 用以形成第二黏著劑層的第二黏著劑組成物，係與前述第一黏著劑組成物相同，第二黏著劑組成物的製造方法，亦與前述第一黏著劑組成物的製造方法相同。
◇端子保護用膠帶的製造方法 前述端子保護用膠帶係可將上述的各層以成為對應之位置關係的方式依序積層來製造。各層的形成方法係如先前說明。
例如，在剝離膜的剝離處理面上塗布上述的埋入層形成用組成物，根據需要使其乾燥，藉此積層埋入層。在另外的剝離膜的剝離處理面上，塗布上述的第一黏著劑組成物，根據需要使其乾燥，藉此積層第一黏著劑層。將剝離膜上的埋入層與另外的剝離膜上的第一黏著劑層貼合，藉此獲得依序積層有剝離膜、埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜只要在使用端子保護用膠帶時除去即可。
此外，在基材上依序以埋入層以及第一黏著劑層而在這些的厚度方向所積層之端子保護用膠帶，係可以以下所示之方法來製造。 例如，將依序積層上述的剝離膜、埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶的埋入層之側的剝離膜剝離，藉由將其與基材貼合，可獲得在基材上依序積層有埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜可在使用端子保護用膠帶時除去即可。
此外，例如，對於基材，將埋入層形成用組成物擠出成形，藉此在基材上積層埋入層。在剝離膜的剝離處理面上塗布上述的第一黏著劑組成物，根據需要使其乾燥，積層第一黏著劑層。然後，可將該剝離膜上的第一黏著劑層與基材上的埋入層貼合，藉此也可獲得在基材上依序積層有埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜可在使用端子保護用膠帶時除去即可。
此外，依序以第二黏著劑層、基材、埋入層以及第一黏著劑層而在這些的厚度方向所積層之雙面膠帶的形態的端子保護用膠帶係可以以下所示之方法來製造。 例如，準備上述在基材上依序積層有埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶。在另外的剝離膜的剝離處理面上塗布上述的第二黏著劑組成物，並根據需要使其乾燥，來積層第二黏著劑層。然後，將該剝離膜上的第二黏著劑層與前述端子保護用膠帶的基材貼合，可獲得依序積層有剝離膜、第二黏著劑層、基材、埋入層、第一黏著劑層以及剝離膜之端子保護用膠帶。剝離膜可在使用端子保護用膠帶時除去即可。
具備上述的各層以外的其它層之端子保護用膠帶，在上述的製造方法之中，以前述其它層的積層位置成為適切的位置的方式，藉由適宜追加前述其它層的形成步驟以及積層步驟之任一者或是兩者來製造。
◇附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法 本實施形態的端子保護用膠帶係例如可用於以下的附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法。 圖5係本實施形態的附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係示意性表示將依序具有黏著劑層14、埋入層13、基材11之端子保護用膠帶3固定在如圖4所示之支撐體30所進行之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之一實施形態的截面圖。
首先，如圖5(a)、(b)所示，在端子保護用膠帶的黏彈性層12將附端子之半導體裝置65以端子91之側、亦即電路基板63的端子形成面63a朝下的方式壓裝，在黏彈性層12埋設端子91。 此時，使附端子之半導體裝置65的端子91接觸黏彈性層12，並在端子保護用膠帶壓裝附端子之半導體裝置65。藉此，將黏彈性層12的黏著劑層14之側的最表面依序壓接在端子91的表面以及電路基板63的端子形成面63a。此時，將黏彈性層12加熱，藉此黏彈性層12軟化，且以覆蓋端子91的方式在端子91間擴展，密接在端子形成面63a，並且覆蓋端子91的表面、尤其端子形成面63a的附近部位的表面，並埋設端子91。
作為在端子保護用膠帶壓接附端子之半導體裝置65之方法，可適用以各種片材壓接貼附在對象物之公知的方法，可列舉例如使用積層輥或真空積層機之方法等。
將附端子之半導體裝置65壓接在端子保護用膠帶時的壓力並沒有特別限定，較佳為0.1 MPa 至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。此外，較佳係將黏彈性層12的第一黏著劑層14貼合至端子形成面63a。
在附端子之半導體裝置65的露出面塗布導電性樹脂101 (圖5(c))，進而使其熱硬化，形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10 (圖5(d))。作為以導電材料被覆且形成電磁波屏蔽膜10之方法，亦可使用濺鍍、離子鍍、噴塗等的方法。
前述端子保護用膠帶係黏彈性層12的鬆弛彈性模量變數X2在前述式(2)所示之預定的值的範圍內，故附端子之半導體裝置的端子埋設在黏彈性層12時，即使是焊球等的具有凹凸而容易產生浮起的端子電極亦可埋入，且不產生浮起，可將電路基板63的端子形成面63a密接在黏彈性層12。進而，端子保持在被埋設的狀態，並防止端子電極之端子91與電磁波屏蔽膜10出現電性短路，且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。
由具有黏彈性層12之端子保護用膠帶3拾取(pick up)附電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，藉此可取出以電磁波屏蔽膜10所被覆之附端子之半導體裝置65(圖5(e))。
圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，作為電磁波屏蔽的對象之附端子之半導體裝置65可為個別製造之附端子之半導體裝置65，亦可為藉由切割法而經單片化之附端子之半導體裝置65。
如圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，雖表示了針對經單片化之各別的電子零件61、62被密封樹脂64所密封後之附端子之半導體裝置65，使用端子保護用膠帶3進行電磁波屏蔽之方法，但如下所示，亦可從單片化前的附端子之半導體裝置集合體6開始就使用端子保護用膠帶2來將附端子之半導體裝置65予以電磁波屏蔽。
圖6係本實施形態的附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係示意性表示使用依序具有黏著劑層14、埋入層13、基材11之端子保護用膠帶2來對附端子之半導體裝置65進行電磁波屏蔽之方法的其它實施形態之截面圖。
首先，如圖6(a)、(b)所示，在端子保護用膠帶的黏彈性層12將電路基板63所連結之附端子之半導體裝置集合體6以端子91之側、亦即電路基板63的端子形成面63a朝下的方式壓裝，與前述圖5(a)、(b)之時相同，在黏彈性層12埋設端子91。
此時，在附端子之半導體裝置集合體6一邊由上側施加壓力，一邊如前述圖5(a)、(b)時同樣地在端子保護用膠帶的黏彈性層12埋設端子91。
此外，藉由一邊加熱黏彈性層12一邊進行貼合，可使黏彈性層12軟化，並使黏彈性層12密接在電路基板63的端子形成面63a。將附端子之半導體裝置集合體6壓接在端子保護用膠帶時的壓力並沒有特別限定，較佳為0.1 MPa 至1.5MPa，更佳為0.3 MPa 至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。此外，較佳係將黏彈性層12的第一黏著劑層14貼合至端子形成面63a。
然後，切割附端子之半導體裝置集合體6，作為附端子之半導體裝置65(圖6(c))。用於形成電磁波屏蔽膜之步驟之本實施形態的端子保護用膠帶，係可兼作為附端子之半導體裝置集合體6的切割膠帶。然後，如圖5所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之中，作為電磁波屏蔽的對象之附端子之半導體裝置65係藉由切割法而經單片化之附端子之半導體裝置65時，需要有拾取切割膠帶上的附端子之半導體裝置，改貼在端子保護用膠帶之作業(圖5(a))。另一方面，如圖6所示之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，可省略將切割膠帶上的附端子之半導體裝置65改貼在端子保護用膠帶之作業。
在附端子之半導體裝置65的露出面塗布導電性樹脂101 (圖6(d))。此時，附端子之半導體裝置集合體6的各附端子之半導體裝置65的邊界部分之導電性樹脂101的分離不充分的情況，亦可使用擴展裝置等來延伸端子保護用膠帶。可在經單片化之附端子之半導體裝置65之各自之側面塗布了導電性樹脂101之狀態下，將各別的附端子之半導體裝置65加以單片化。進而，將塗布在經單片化之附端子之半導體裝置65的頂面以及側面之導電性樹脂101加熱使其硬化，在附端子之半導體裝置65的露出面形成由導電材料所構成之電磁波屏蔽膜10 (圖6(e))。亦可在附端子之半導體裝置65(圖6(c))直接濺鍍導電材料，形成電磁波屏蔽膜10 (圖6(e))。
黏彈性層12的鬆弛彈性模量變數X2係在如前述式(2)所示之預定的值的範圍內，故將附端子之半導體裝置集合體6的端子埋設在黏彈性層12時，即使是焊球等容易產生浮起的端子電極亦可埋設且不產生浮起，使電路基板63的端子形成面63a密接在黏彈性層12。結果可防止端子電極之端子91與電磁波屏蔽膜10出現電性短路，且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。
藉由從具有黏彈性層12之端子保護用膠帶拾取附電磁波屏蔽膜之半導體裝置66，可取出以電磁波屏蔽膜10被覆之附端子之半導體裝置65 (圖6(f))。
本實施形態的端子保護用膠帶之中，端子91的高度h0較佳係低於黏彈性層12的厚度d1，較佳為1.2≦d1／h0≦5.0。具體而言，較佳為50μm 至300μm，更佳為60μm 至270μm，尤佳為80μm 至240μm。端子91的高度為前述下限值以上，可藉此更提高端子91的機能。此外，端子91的高度為前述上限值以下，藉此可更提高抑制端子91上部之黏彈性層12的殘留的效果。 另外，本說明書之中，所謂「端子的高度」，係指在端子之中，存在於距離端子形成面最高的位置之部位的高度。附端子之半導體裝置集合體6以及附端子之半導體裝置半導體裝置65具有複數的端子91的情況，端子91的高度h0可以為這些的平均。端子的高度係例如可藉由非接觸型3維光干渉式表面粗度計(日本Veeco公司製，商品名：Wyko　NT1100)來測定。
端子91的寬度並沒有特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。端子91的寬度為前述下限值以上，可藉此更提高端子91的機能。此外，端子91的高度為前述上限值以下，可藉此更提高抑制在端子91上部之黏彈性層12的殘留的效果。 另外，本說明書之中，所謂「端子的寬度」，係指由相對於端子形成面呈垂直的方向往下看端子而成為俯視時，端子表面上不同的2點間以直線連結所獲得之線段的最大值。端子為球形、或是半球形時，所謂「端子的寬度」，係往下看端子而成為俯視時該端子的最大直徑(端子直徑)。
相鄰之端子91間的距離(亦即端子間節距)並沒有特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。前述距離為前述下限值以上，可更提高端子91的埋入性。此外，前述距離為前述上限值以下，可更提高抑制在端子91上部之黏彈性層12的殘留之效果。 另外，本說明書之中，所謂「相鄰之端子間的距離」，係指相鄰之端子彼此D 表面間的距離的最小值。 [實施例]
以下藉由具體的實施例，對於本發明進行更詳細地說明。但本發明並不限於以下所示之實施例。
＜單體＞ 簡稱之單體的正式名稱係如下所示。 HEA：丙烯酸2-羥乙酯 BA：丙烯酸正丁酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 AAc：丙烯酸
(貼合黏著劑層形成用組成物A的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)33.6質量份、作為溶劑之乙基甲基酮66.4質量份、作為交聯劑之多元環氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製，製品名「TETRAD-C」，濃度5%的N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺))0.2質量份，進行30分鐘攪拌而製備貼合黏著劑層形成用組成物A 。
(貼合黏著劑層A的製造) 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷前述貼合黏著劑層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此製造厚度20μm之貼合黏著劑層A。
(黏著劑層形成用組成物B的製造) 製備對由BA 74質量份、MMA 20質量份及HEA 6質量份所構成之丙烯酸系共聚物加成2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(以下簡稱為「MOI」) (相對於HEA而為約50莫耳%)而成的樹脂之溶液(黏著劑主劑，固形物為35質量%)。相對於該黏著劑主劑100質量份，添加作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)0.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備黏著劑層形成用組成物B。
(黏著劑層14的製造) 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面，塗敷前述貼合黏著劑層形成用組成物B，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此製造厚度10μm之貼合黏著劑層14。
(埋入層形成用組成物A的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)93.5質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)2.5質量份、多元環氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製，製品名「TETRAD-C」，濃度5%的N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺))2.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物。
(埋入層形成用組成物B的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)75質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)15質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物B。
(埋入層形成用組成物C的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)75質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)2.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物C。
(埋入層形成用組成物D的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)75質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」、固形物濃度：37.5%)8.75質量份、多元環氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製，製品名「TETRAD-C」，濃度5%的N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺))2.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物D。
(埋入層形成用組成物E的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)75質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)15質量份、多元環氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製，製品名「TETRAD-C」，濃度5%的N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺))5.0質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物E。
(埋入層形成用組成物F的製造) 添加由BA91質量份以及AAc9質量份所構成之丙烯酸系共聚物(重量平均分子量(Mw)400,000)的溶液(固形物33.6質量%)100質量份、在由BA62質量份、MMA10質量份以及HEA28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA100mol%而加成率成為80mol%的方式加成有2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而成的樹脂(平均重量分子量(Mw)100,000)的溶液(固形物45質量%)75質量份、作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯(東洋化學(Toyo-Chem)股份有限公司製，製品名「BHS-8515」，固形物濃度：37.5%)2.5質量份、多元環氧化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製，製品名「TETRAD-C」，濃度5%的N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(二縮水甘油基胺))5.0質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物E。
(基材) 將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(製品名「Cosmoshine A4100」，厚度50μm，東洋紡公司製造)用於基材11。
(附端子之半導體裝置的準備) 評價實施例以及比較例的端子保護用膠帶的埋入性時，準備以下之附端子之半導體裝置。 ・附端子之半導體裝置(1) 半導體裝置的大小：10mm×10mm 端子的高度：200μm 端子直徑：250μm 端子間節距：400μm 端子的數量：10×10＝100個
＜動態黏彈性(剪切儲存彈性模量)測定方法＞ 對於黏彈性層，使用動態機械分析裝置(TA Instruments.公司製，製品名「DMA　Q800」)，以升溫速度10℃／分的條件升溫至150℃，測定儲存彈性模量G’與損失彈性模量G”，求得這些的50℃之比(G”／G’)之tanδ的值。
＜應力鬆弛性的測定方法＞ 圖1所示之形態的端子保護用膠帶1之中，剝離兩方的剝離膜，藉由複數層積層黏彈性層12，形成厚度約1mm的黏彈性層。然後製作直徑8mm、厚度約1mm的圓柱形狀的評價用試樣。 對於上述樣品，參考JIS　K7244-7，使用黏彈性測定裝置(Anton　paar公司製，製品名「MCR302」)，在50℃旋轉治具並扭轉評價用試樣藉由裝置控制持續施加10%(亦即36°)的一定的扭轉應變，測定鬆弛彈性模量G(t)(MPa)。由該測定結果推導出最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)，並且推導出離測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 後至1秒後為止所測定之最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)。 測定溫度：50℃ 由所獲得之最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)以及最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)根據下述式(1)來算出鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。 X2＝logG(t)max -　logG(t)min ・・・(1)
＜剛壓製後的埋入性評價方法＞ 將圖3之形態的端子保護用膠帶3的貼合黏著劑層15側之剝離膜22剝離，並接著於SUS(Stainless Steel；不銹鋼)板30上，製作圖4之形態的埋入性評價用的試樣，剝離黏著劑層14側的剝離膜20，將該SUS板30之側朝下的方式設置於溫度調節至50℃之加熱板上。然後，如圖5 (a)所示，將前述附端子之半導體裝置的端子之側朝下的方式，使用真空積層機，以壓製壓力(負重1.1MPa)、壓製時間40s、加熱溫度50℃而按壓於該黏彈性層12。對9個附端子之半導體裝置實施該埋入性評價。
於剛壓製後，橫向觀察而確認埋入性，將所有附端子之半導體裝置之下側面接著於端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到之情況評價為剛壓製後的埋入性良好(5)。將半導體裝置的內側雖確認到一部分的端子浮起，但半導體裝置外周部隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到端子之情況評價為剛壓製後的埋入性良好(4)。將半導體裝置外周部的一部分由端子保護用膠帶剝離，可觀察到端子之比率為50%以下者評價為剛壓製後的埋入性普通(3)。將半導體裝置外周部的一部分由端子保護用膠帶剝離，可觀察到端子之比率為50%以上者評價為剛壓製後的埋入性(2)。將至少一個附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間全部可觀察到端子之情況評價為剛壓製後的埋入性不良(1)。
＜壓製1日後的浮起的評價方法＞ 之後，對於放冷至常溫之1日後的附端子之半導體裝置，橫向觀察而確認浮起，將所有的附端子之半導體裝置的下側面接著端子保護用膠帶，端子隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到之情況評價為浮起良好(5)。將半導體裝置的內側雖確認到一部分的端子浮起，但半導體裝置外周部隱蔽於端子保護用膠帶而無法觀察到端子之情況評價為浮起良好(4)。將半導體裝置外周部的一部分由端子保護用膠帶剝離，可觀察到端子之比率為50%以下者評價為浮起普通(3)。將半導體裝置外周部的一部分由端子保護用膠帶剝離，可觀察到端子之比率為50%以上者評價為浮起略不良(2)。將附端子之半導體裝置之下側面自端子保護用膠帶浮起，於端子保護用膠帶與半導體裝置本體之間全部可觀察到端子之情況評價為浮起不良(1)。
[實施例1] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 於藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)之剝離處理面塗敷埋入層形成用組成物A，於100℃加熱乾燥1分鐘後，於埋入層形成用組成物A之上層壓藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面進行剝離處理而成的剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET382150」，厚度38μm)之剝離處理面，製造厚度50μm之埋入層。 將前述埋入層中的將所層壓之剝離膜剝去的面彼此貼合，製作厚度100μm之埋入層。同樣地將埋入層貼合而積層，製作厚度300μm之埋入層A。 於厚度10μm之黏著劑層14貼合厚度300μm之埋入層A，製造具有圖1所示之形態的厚度310μm之黏彈性層12的實施例1之端子保護用膠帶1。
＜應力鬆弛性的測定＞ 對於實施例1的端子保護用膠帶1，算出鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
＜黏彈性層的剪切儲存彈性模量測定＞ 對於實施例1的端子保護用膠帶1，求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。結果如表1所示。
＜埋入性的評價＞ 將實施例1的端子保護用膠帶1的埋入層A之側的剝離膜剝離，與基材之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(製品名「Cosmoshine A4100」，厚度50μm，東洋紡公司製造)的易接著處理側貼合，製造具有如圖2所示之基材11／埋入層13／黏著劑層14的形態的黏彈性層12之實施例1的端子保護用膠帶2。
進而在實施例1的端子保護用膠帶2的基材的埋入層A相反側，積層前述貼合黏著劑層A，製造具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之實施例1的端子保護用膠帶3。
對於實施例1的端子保護用膠帶3之剛壓製後的埋入性進行評價。結果如表1所示。
＜浮起的評價＞ 之後，對於放冷至常溫之1日後的附端子之半導體裝置評價浮起。結果如表1所示。
[實施例2] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 實施例1之中，將埋入層形成用組成物A變更為埋入層形成用組成物B，其它以與實施例1相同的方式，製造具有如圖1所示之形態的厚度310μm的黏彈性層12之實施例1的端子保護用膠帶1。
與實施例1相同的方式，對於實施例2的端子保護用膠帶1之中黏彈性層12求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。此外，算出50℃之鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
與實施例1相同的方式，使用實施例2的端子保護用膠帶1，製造具有如圖2所示之形態的黏彈性層12之實施例2的端子保護用膠帶2、以及具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之實施例2的端子保護用膠帶3。
對於實施例2的端子保護用膠帶3，與實施例1同樣地評價剛壓製後的埋入性、以及浮起。結果如表1所示。
[實施例3] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 實施例1之中，將埋入層形成用組成物A變更為埋入層形成用組成物C，其它以與實施例1相同的方式，製造具有如圖1所示之形態的厚度310μm的黏彈性層12之實施例3的端子保護用膠帶1。
與實施例1相同的方式，對於實施例3的端子保護用膠帶1之中黏彈性層12求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。此外，算出50℃之鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
與實施例1相同的方式，使用實施例3的端子保護用膠帶1，製造具有如圖2所示之形態的黏彈性層12之實施例3的端子保護用膠帶2、以及具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之實施例3的端子保護用膠帶3。
對於實施例3的端子保護用膠帶3，與實施例1同樣地評價剛壓製後的埋入性、以及浮起。結果如表1所示。
[比較例1] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 實施例1之中，將埋入層形成用組成物A變更為埋層形成用組成物D，其它以與實施例1相同的方式，製造具有如圖1所示之形態的厚度310μm的黏彈性層12之比較例1的端子保護用膠帶1。
與實施例1相同的方式，對於比較例1的端子保護用膠帶1之中黏彈性層12求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。此外，算出50℃之鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
與實施例1相同的方式，使用比較例1的端子保護用膠帶1，製造具有如圖2所示之形態的黏彈性層12之比較例1的端子保護用膠帶2、以及具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之比較例1的端子保護用膠帶3。
對於比較例1的端子保護用膠帶3，與實施例1同樣地評價剛壓製後的埋入性、以及浮起。結果如表1所示。
[比較例2] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 實施例1之中，將埋入層形成用組成物A變更為埋入層形成用組成物E，其它以與實施例1相同的方式，製造具有如圖1所示之形態的厚度310μm的黏彈性層12之比較例2的端子保護用膠帶1。
與實施例1相同的方式，對於比較例2的端子保護用膠帶1之中黏彈性層12求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。此外，算出50℃之鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
與實施例1相同的方式，使用比較例2的端子保護用膠帶1，製造如圖2所示之形態的黏彈性層12之比較例2的端子保護用膠帶2、以及具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之比較例2的端子保護用膠帶3。
對於比較例2的端子保護用膠帶3，與實施例1同樣地評價剛壓製後的埋入性、以及浮起。結果如表1所示。
[比較例3] ＜端子保護用膠帶的製造＞ 實施例1之中，將埋入層形成用組成物A變更為埋入層形成用組成物F，其它以與實施例1相同的方式，製造具有如圖1所示之形態的厚度310μm的黏彈性層12之比較例3的端子保護用膠帶1。
與實施例1相同的方式，對於比較例3的端子保護用膠帶1之中黏彈性層12求得50℃之tanδ(損失彈性模量G”／儲存彈性模量G’)。此外，算出50℃之鬆弛彈性模量變數X2＝ΔlogG(t)。結果如表1所示。
與實施例1相同的方式，使用比較例3的端子保護用膠帶1，製造具有如圖2所示之形態的黏彈性層12之比較例3的端子保護用膠帶2、以及具有如圖3所示之形態的黏彈性層12之比較例3的端子保護用膠帶3。
對於比較例3的端子保護用膠帶3，與實施例1同樣地評價剛壓製後的埋入性、以及浮起。結果如表1所示。
【表1】
Figure 108128166-A0304-0001
如表1所示之結果，比較例之端子保護用膠帶，係埋入性不良(比較例2)，或是在壓製1日後產生浮起 (圖7(c))，在對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽時，在形成電磁波屏蔽膜時，可能有端子電極與電磁波屏蔽膜出現電性短路之虞(圖7(f))。
本實施形態的實施例之端子保護用膠帶中，可將容易產生浮起之凸塊埋設於黏彈性層12，使半導體裝置的端子形成面密接在黏彈性層，1日後亦不會產生浮起。因此，使用本實施形態的端子保護用膠帶，對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽時，在形成電磁波屏蔽膜時，可防止端子電極之凸塊與電磁波屏蔽膜出現電性短路 且沒有必要設置步驟上複雜的遮罩部等。 (產業可利用性)
本實施形態之端子保護用膠帶可用於在對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽時，保護附端子之半導體裝置之端子的用途。可使用本實施形態之端子保護用膠帶對附端子之半導體裝置進行電磁波屏蔽，可製造附電磁波屏蔽膜之半導體裝置。
1、2、3:端子保護用膠帶 6:附端子之半導體裝置集合體 10:電磁波屏蔽膜 11:基材 12:黏彈性層 13:埋入層 14:黏著劑層 15:第二黏著劑層(貼合黏著劑層) 20、21、22:剝離膜 30:支撐體 60:半導體裝置集合體 60a、63a:端子形成面 61、62:電子零件 63:電路基板 64:密封樹脂層 65:附端子之半導體裝置 66:附電磁波屏蔽膜之半導體裝置 91:端子 101:導電性樹脂
圖1為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之一實施形態的截面圖。 圖2為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的截面圖。 圖3為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的截面圖。 圖4為示意性地表示本發明之端子保護用膠帶之其他實施形態的截面圖。 圖5為示意性地表示本發明之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之一實施形態的截面圖。 圖6為示意性地表示本發明之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之其他實施形態的截面圖。 圖7為示意性地表示比較例之附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法之例的截面圖。
1:端子保護用膠帶
12:黏彈性層
13:埋入層
14:黏著劑層
20、21:剝離膜

Claims (6)

  1. 一種端子保護用膠帶，係用於在附端子之半導體裝置形成電磁波屏蔽膜之步驟； 前述端子保護用膠帶具有黏彈性層； 在前述黏彈性層的動態黏彈性測定之中，50℃之tanδ的值為0.2以上； 對於前述黏彈性層，將直徑8mm、厚度約1mm的圓柱形狀的評價用試樣在50℃施加10％(36°)的一定的扭轉應變來測定鬆弛彈性模量時，從最大鬆弛彈性模量G(t)max (MPa)以及離測定前述最大鬆弛彈性模量G(t)max 後至1秒後為止所測定之最小鬆弛彈性模量G(t)min (MPa)，根據下述式(1)所求出之鬆弛彈性模量變數X2係滿足下述式(2)： X2＝logG(t)max -　logG(t)min ・・・(1) 0.12　≦　X2　・・・(2)。
  2. 如請求項1所記載之端子保護用膠帶，其中前述黏彈性層具有埋入層以及黏著劑層。
  3. 如請求項2所記載之端子保護用膠帶，其中依序具有前述黏著劑層、前述埋入層、基材。
  4. 如請求項3所記載之端子保護用膠帶，係依序具有前述黏著劑層、前述埋入層、前述基材、第2黏著劑層之雙面膠帶。
  5. 一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包含： 在如請求項1至4之任1項所記載之端子保護用膠帶的黏彈性層埋設前述附端子之半導體裝置的端子之步驟； 在未埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之前述附端子之半導體裝置的露出面形成電磁波屏蔽膜之步驟。
  6. 一種附電磁波屏蔽膜之半導體裝置的製造方法，係包含： 在如請求項1至4之任1項所記載之端子保護用膠帶的黏彈性層埋設附端子之半導體裝置的端子之步驟； 切割前述附端子之半導體裝置集合體，並將前述附端子之半導體裝置集合體作成端子埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之附端子之半導體裝置之步驟； 在未埋設在前述端子保護用膠帶的黏彈性層之前述附端子之半導體裝置的露出面形成電磁波屏蔽膜之步驟。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7415735B2 (ja) 2020-03-27 2024-01-17 株式会社レゾナック 半導体パッケージの製造方法
JP7487519B2 (ja) 2020-03-27 2024-05-21 株式会社レゾナック 半導体パッケージの製造方法
KR102460711B1 (ko) * 2020-08-21 2022-10-27 한국타이어앤테크놀로지 주식회사 흡음 타이어용 폼테이프 및 이를 포함하는 흡음 타이어
WO2023286621A1 (ja) * 2021-07-13 2023-01-19 日東電工株式会社 粘着シート
CN117642475A (zh) * 2021-07-13 2024-03-01 日东电工株式会社 粘合片
JPWO2023286619A1 (zh) * 2021-07-13 2023-01-19

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151372A (ja) 2009-12-25 2011-08-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP5299596B1 (ja) * 2011-12-26 2013-09-25 Ｄｉｃ株式会社 粘着テープ
US20130224425A1 (en) * 2012-02-23 2013-08-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Pressure-sensitive adhesive sheet for image display device, method for producing image display device and image display device
JP5117629B1 (ja) * 2012-06-28 2013-01-16 古河電気工業株式会社 ウェハ加工用粘着テープ
JP5499111B2 (ja) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP2014056967A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Dic Corp 導電性薄型粘着シート
US9443751B2 (en) * 2012-09-24 2016-09-13 Lintec Corporation Back grinding sheet
JP5294365B1 (ja) * 2012-09-27 2013-09-18 古河電気工業株式会社 放射線硬化型ダイシング用粘着テープ
JP2014183181A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Tdk Corp 電子部品モジュール及びその製造方法
CN105683319A (zh) * 2013-10-30 2016-06-15 琳得科株式会社 半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法
JP2015176950A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6996834B2 (ja) * 2014-08-18 2022-01-17 三菱ケミカル株式会社 マスキングフィルム用粘着剤、マスキング用耐熱粘着フィルム、およびその使用方法
JP6431343B2 (ja) * 2014-11-21 2018-11-28 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法
JP2016192488A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
TWI692519B (zh) * 2015-06-11 2020-05-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 電子零件保護膜、電子零件保護構件、電子零件的製造方法及封裝的製造方法
US10717901B2 (en) * 2015-11-04 2020-07-21 Lintec Corporation Curable resin film and first protective film forming sheet
JP2017126775A (ja) * 2017-03-16 2017-07-20 Dic株式会社 導電性薄型粘着シート

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