WO2020085220A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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meth
protective film
bump
wafer
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真也 田久
忠知 山田
拓 根本
友尭 森下
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リンテック株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a semiconductor chip having bumps on the circuit surface (hereinafter also simply referred to as “chip”) and a chip mounting substrate are stacked so that the circuit surface of the chip and the substrate face each other.
  • the chip is mounted on the substrate by.
  • the chip is usually obtained by dividing a semiconductor wafer having bumps on the circuit surface into individual pieces.
  • the semiconductor wafer is also simply referred to as “wafer”.
  • a semiconductor wafer having bumps on the circuit surface is also referred to as a “wafer with bumps”.
  • the circuit surface of the wafer with bumps is also referred to as "bump formation surface”.
  • a wafer with bumps may be provided with a protective film for the purpose of protecting a bonding portion between the bumps and the wafer (hereinafter, also referred to as “bump neck”).
  • a protective film for the purpose of protecting a bonding portion between the bumps and the wafer (hereinafter, also referred to as “bump neck”).
  • a laminated body in which a supporting substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, and a thermosetting resin layer are laminated in this order is used as a bonding surface of the thermosetting resin layer to form a wafer with bumps.
  • the protective film is formed by heating and curing the thermosetting resin layer.
  • the wafers used in the semiconductor manufacturing process are becoming larger in diameter from the viewpoint of improving batch processing efficiency. Further, the wafer tends to be thinned from the viewpoint of making the chip lighter and thinner. Therefore, if the step of heating and hardening the thermosetting resin layer is performed after the back surface grinding of the bumped wafer, as in the technique described in Patent Document 1, the thermosetting resin layer shrinks to the bumped wafer. Warpage is likely to occur.
  • the bumped wafer is warped, the bumped wafer is apt to be stored in the wafer carrier, the wafer cassette, the wafer boat, or the like, which may cause damage to the bumped wafer. Further, in the transportation of the wafer with bumps, and further in the transportation of the chip after dividing the wafer with bumps into chips, problems are likely to occur at the time of sucking the wafer and the chips, and defective transport is likely to occur. .
  • the above problem may occur not only when the protective film is formed by heating and curing the thermosetting resin layer, but also when the protective film is formed from all curable resin layers that can shrink during curing.
  • the present invention has been made in view of such a problem, and while protecting a bump neck of a semiconductor wafer having bumps with a protective film formed of a curable resin layer, the thinning of the semiconductor wafer and the semiconductor It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can achieve both suppression of wafer warp.
  • the present inventors have found that a method for manufacturing a semiconductor device including the following steps (A) to (E) in this order can solve the above problems. That is, the present invention relates to the following [1] to [7]. [1] A method for manufacturing a semiconductor device, which includes the following steps (A) to (E) in this order.
  • step (A) A step of forming a curable resin layer on a bump formation surface of a semiconductor wafer having bumps
  • step (B) A step of curing the curable resin layer to form a protective film
  • step (C) A semiconductor wafer having the bumps
  • step (D) Step of adhering a back grind tape to the protective film formation surface of step (D) Grinding the surface of the semiconductor wafer having the bumps opposite to the bump formation surface with the back grind tape adhered
  • step (E) Step of separating the back grinding tape from the semiconductor wafer having the bumps after the grinding [2]
  • the step (A) includes the following steps (A1) and (A2) in this order [1].
  • Step (A1) A protective film forming laminate having a laminated structure in which a support sheet and the curable resin layer are laminated on the bump forming surface of a semiconductor wafer having the bumps, with the curable resin layer as a sticking surface.
  • Step (A2) of sticking A step of peeling the support sheet from the protective film forming laminate to form the curable resin layer on the bump formation surface of the semiconductor wafer having the bumps [3]
  • the curability The method for manufacturing a semiconductor device according to the above [1] or [2], wherein the resin layer is a thermosetting resin layer.
  • [4] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the above [1] to [3], wherein the semiconductor wafer used in the step (A) has a thickness of 300 ⁇ m or more.
  • the thinning of the semiconductor wafer and the warp of the semiconductor wafer are prevented while the bump neck of the semiconductor wafer having the bumps is protected by the protective film formed of the curable resin layer. It becomes possible to achieve both suppression and control.
  • FIG. 6 is a schematic view showing steps (A) to (E) of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing steps (A1) and (A2) of the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of a mode in which a division starting point is formed and individualized in the method for manufacturing a semiconductor device according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing another example of a mode in which a division starting point is formed and individualized in the method for manufacturing a semiconductor device according to an aspect of the present invention.
  • the semiconductor device manufacturing method of the present invention includes the following steps (A) to (E) in this order.
  • (A) A step of forming a curable resin layer on a bump formation surface of a semiconductor wafer having bumps
  • B A step of curing the curable resin layer to form a protective film
  • C The protection of the semiconductor wafer
  • the “protective film” may be referred to as the “protective layer”.
  • FIG. 1 shows an example of a semiconductor wafer having bumps used in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • the semiconductor wafer 10 having bumps has bumps 12 on the circuit surface 11 a of the semiconductor wafer 11.
  • a plurality of bumps 12 are usually provided.
  • the “semiconductor wafer provided with bumps” is also referred to as the “wafer with bumps” as in the definition of the above abbreviations.
  • the “semiconductor wafer” is also called a "wafer”.
  • the “circuit surface” is also referred to as a “bump formation surface”.
  • the shape of the bump 12 is not particularly limited, and may be any shape as long as it can be brought into contact with and fixed to an electrode or the like on a chip mounting substrate.
  • the bump 12 may be a spheroid.
  • the spheroid may be, for example, a spheroid elongated in the vertical direction with respect to the bump forming surface 11a of the wafer 11, or may be drawn in the horizontal direction with respect to the bump forming surface 11a of the wafer 11. It may be an elongated spheroid.
  • the height of the bump 12 is not particularly limited and is, for example, 30 ⁇ m to 300 ⁇ m, preferably 60 ⁇ m to 250 ⁇ m, and more preferably 80 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the “height of the bump 12” means the height at the highest position from the bump forming surface 11 a when focusing on one bump.
  • the wafer 11 is, for example, a semiconductor wafer on the surface of which circuits such as wirings, capacitors, diodes, and transistors are formed.
  • the material of the wafer is not particularly limited, and examples thereof include a silicon wafer, a silicon carbide wafer, a compound semiconductor wafer, and a sapphire wafer.
  • the size of the wafer 11 is usually 8 inches (diameter 200 mm) or more, preferably 12 inches (diameter 300 mm) or more, from the viewpoint of improving batch processing efficiency.
  • the shape of the wafer is not limited to a circle, and may be a square shape such as a square or a rectangle.
  • the length of the longest side of the wafer 11 is equal to or larger than the above size (diameter) from the viewpoint of enhancing batch processing efficiency.
  • the thickness of the wafer 11 is, for example, 300 ⁇ m or more, preferably 400 ⁇ m or more, more preferably 500 ⁇ m or more, further preferably from the viewpoint of suppressing the warp of the wafer 11 caused by curing the curable resin layer in the step (B). Is 600 ⁇ m or more.
  • the wafer 11 is not subjected to thinning processing by grinding the back surface.
  • the ratio of the size (diameter: unit mm) and thickness (unit: ⁇ m) of the wafer 11 [wafer size (diameter) / wafer thickness] is preferably 1000 or less, more preferably 700 or less, still more preferably 500 or less, It is more preferably 400 or less, still more preferably 300 or less.
  • the ratio [wafer size (diameter) / wafer thickness] of the size (diameter: unit mm) and thickness (unit: ⁇ m) of the wafer 11 is usually 100 or more, preferably 200 or more.
  • a curable resin layer 20 is formed on the bump forming surface 11a of the bumped wafer 10.
  • the method for forming the curable resin layer 20 is not particularly limited, and examples thereof include a method in which the bump forming surface 11a of the wafer 10 with bumps is coated with a curable resin composition described below and then dried.
  • the curable resin layer 20 is preferably formed using a protective film forming laminate having a laminated structure in which a support sheet and a curable resin layer are laminated.
  • the step (A) includes the following steps (A1) and (A2) in this order.
  • a protective film-forming laminate having a laminated structure in which a support sheet and a curable resin layer are laminated is attached to the bump forming surface of a semiconductor wafer including the bump, with the curable resin layer being an attaching surface.
  • Step (A2) A step of peeling the support sheet from the protective film forming laminate to form the curable resin layer on the bump formation surface of the semiconductor wafer having the bumps.
  • the following steps (A1) and The step (A2) will be described in detail.
  • the support sheet forming the protective film forming laminate is not particularly limited as long as it is a sheet-shaped member capable of supporting the curable resin layer.
  • the support sheet may be a support base material, a release film having one surface of the support base material subjected to a release treatment, or a laminate having a support base material and an adhesive layer. It may be the body.
  • the support sheet is a release film
  • the curable resin layer is formed on the release-treated surface of the support base material.
  • the support sheet is a laminate of a support base material and a pressure-sensitive adhesive layer, the curable resin layer is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer of the support sheet.
  • the support sheet 30a includes a first support base material 31, a first buffer layer 32, and a first pressure-sensitive adhesive layer 33 stacked in this order. It is preferable to have a laminated structure.
  • the protective film forming laminate 30 may have a laminated structure in which the first supporting substrate 31, the first buffer layer 32, the first adhesive layer 33, and the curable resin layer 20 are laminated in this order. preferable.
  • the curable resin layer 20, the first pressure-sensitive adhesive layer 33, and the first buffer layer 32 are deformed into a concave shape that follows the shape of the bump 12.
  • the tops of the bumps 12 eventually penetrate the curable resin layer 20 and come into contact with the support sheet 30a.
  • the pressure applied to the bump 12 is dispersed by the first pressure-sensitive adhesive layer 33 and the first buffer layer 32 of the support sheet 30a, and the damage to the bump 12 is suppressed.
  • the bumps 12 do not necessarily have to be projected to the side of the support sheet 30a, and may be embedded in the curable resin layer 20. Even in such a state, the top portion of the bump 12 can be exposed from the protective film 40 by the exposure process described later.
  • the support sheet constituting the protective film forming laminate used in the step (A1) has good embedding properties for the bumps, and the support sheet easily formed from the protective film forming laminate in the step (A2). Peelability is required.
  • the first buffer layer 32 included in the support sheet 30a preferably has a thickness of 100 to 500 ⁇ m, and preferably 150 to 450 ⁇ m, from the viewpoint of easily ensuring good embeddability in bumps. It is more preferable that the thickness is 200 to 400 ⁇ m. From the same viewpoint, the thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 33 included in the support sheet 30a is preferably 5 to 50 ⁇ m, more preferably 5 to 30 ⁇ m, and further preferably 5 to 15 ⁇ m.
  • the first buffer layer 32 included in the support sheet 30a is at room temperature (from the viewpoint of facilitating easy peeling of the support sheet from the protective film forming laminate in the step (A2)).
  • the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) at 23 ° C. is preferably 200 MPa or less, more preferably 180 MPa or less, and further preferably 150 MPa or less.
  • the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) of the first buffer layer 32 is usually 80 MPa or more from the viewpoint of sufficiently securing the holding property of the curable resin layer 20 by the first supporting base material 31 at room temperature. is there.
  • the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) at room temperature (23 ° C.) is 8 mm in diameter ⁇ 3 mm in thickness formed from the same composition as the composition forming the first buffer layer 32.
  • a test sample was prepared, and using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Anton Paar, device name “MCR300”), test start temperature: ⁇ 20 ° C., test end temperature: 150 ° C., heating rate: 3 ° C./min.
  • Frequency A value measured by the torsional shearing method under the condition of 1 Hz.
  • the support sheet constituting the protective film forming laminate used in the step (A1) has good embedding properties for the bumps and the protective film forming laminate in the step (A2). While the peelability of the support sheet is required, the fixing performance of the adherend against the temperature rise during backside grinding, which is required for backgrind tapes (in other words, the adhesiveness against temperature rise during backside grinding) The maintenance of the adhesive strength of the agent layer) is not required. Further, it is not required to design the buffer layer in consideration of dimple suppression at the time of grinding the back surface. Therefore, in one aspect of the present invention, the first buffer layer 32 of the support sheet 30a has good embedding properties for the bumps and easy peelability of the support sheet from the protective film forming laminate in the step (A2). Since it can be formed in consideration, it has an advantage that the degree of freedom in designing the first buffer layer 32 can be improved as compared with a general back grinding tape.
  • step (A2) the support sheet is peeled off from the protective film forming laminate, and a curable resin layer is formed on the bump formation surface of the bumped wafer.
  • a support sheet 30a having a laminated structure in which a first support base material 31, a first buffer layer 32, and a first pressure-sensitive adhesive layer 33 are laminated in this order is made curable. It is peeled from the resin layer 20 and separated from the protective film forming laminate 30. As a result, the curable resin layer 20 is formed on the bump forming surface 11a of the bumped wafer 10. The surface of the curable resin layer 20 opposite to the bump forming surface 11a side is exposed.
  • the first buffer layer 32 included in the support sheet 30a is protected by setting the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) at room temperature (23 ° C.) to 200 MPa or less.
  • the support sheet 30a can be easily peeled from the film forming laminate 30 at room temperature.
  • the method of peeling the support sheet 30a from the protective film forming laminate 30 is not limited to this method.
  • the first adhesive layer 33 is an energy ray-curable adhesive agent, a heat-foamable adhesive agent, or a water-swellable adhesive agent layer, energy ray curing and heating
  • the support sheet 30a may be peeled from the protective film forming laminate 30 by foaming or swelling with water.
  • the bumped wafer 10 having the curable resin layer 20 formed on the bump forming surface 11a in the step (A) is subjected to the next step (B).
  • step (B) the curable resin layer formed on the bump formation surface of the bumped wafer is cured to form a protective film.
  • a protective film For example, as shown in FIG. 2B, by curing the curable resin layer 20 to form the protective film 40, the bump forming surface 11a and the bump neck of the bumped wafer 10 are protected.
  • the protective film formed by curing the curable resin layer becomes stronger than the curable resin layer at room temperature. Therefore, the bump neck is well protected by forming the protective film.
  • the curable resin layer can be cured by either thermal curing or curing by irradiation with energy rays, depending on the type of curable component contained in the curable resin layer.
  • energy ray means an electromagnetic wave or a charged particle beam having an energy quantum, and examples thereof include ultraviolet rays and electron beams, and ultraviolet rays are preferable.
  • the curing temperature is preferably 90 ° C. to 200 ° C.
  • the curing time is preferably 1 hour to 3 hours.
  • the conditions for curing by irradiation with energy rays are appropriately set depending on the type of energy rays used.
  • the illuminance is preferably 170 mw / cm 2 to 250 mw / cm 2 , and the amount of light is It is preferably 600 mJ / cm 2 to 1500 mJ / cm 2 .
  • the details of the curable resin layer for forming the protective film will be described later.
  • the curable resin layer is preferably a thermosetting resin layer.
  • the curable resin layer is a thermosetting resin layer, in the step (A), the curable resin layer is formed in a state where the bumps are not completely penetrated from the curable resin layer and are embedded inside. However, it is also possible to expose the tops of the bumps from the protective film 40 by causing the curable resin to flow by heating during thermosetting. Also from this viewpoint, the curable resin layer is preferably a thermosetting resin layer.
  • the wafer constituting the bumped wafer used in the step (B) has a large diameter from the viewpoint of improving the batch processing efficiency, while ensuring a sufficient thickness as described above.
  • the thickness of the semiconductor wafer is 300 ⁇ m or more. Therefore, the warp of the wafer due to the shrinkage of the curable resin layer due to curing is suppressed. Therefore, in the subsequent steps, adverse effects caused by the warp of the wafer are suppressed. Specifically, it is possible to prevent defective wafers with bumps from being stored in a wafer carrier, a wafer cassette, a wafer boat, or the like, and to prevent damage to the wafers with bumps.
  • the back surface grinding in the step (D) can be performed with high accuracy.
  • the curable resin layer 20 is cured, and the bumped wafer 10 in which the protective film 40 is formed on the bump forming surface 11a is subjected to the next step (C).
  • the curable resin layer is a thermosetting resin layer
  • the support sheet or the back grinding tape that constitutes the protective film forming laminate cures the thermosetting resin layer. Is not exposed to heat during the heat treatment. Therefore, the support sheet and the back grind tape are not required to have heat resistance to heat when the thermosetting resin layer is cured, and thus there is an advantage that the degree of freedom in designing the support sheet and the back grind tape is significantly improved.
  • a back grind tape is attached to the surface of the protective film.
  • the back-grinding tape used in the step (C) is not particularly limited, and a general back-grinding tape used for back surface grinding of a bumped wafer having a protective film formed thereon can be used.
  • the back grinding tape has a second supporting base material 51, a second buffer layer 52, and a second pressure-sensitive adhesive as in the back grinding tape 50 shown in FIG. It is preferable that the layer 53 has a laminated structure in which the layers are laminated in this order.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 53 of the back grind tape 50 and the second pressure-sensitive adhesive layer 53 are pressed by the bumps 12. Therefore, the second adhesive layer 53 and the second buffer layer 52 are deformed into a concave shape that follows the shape of the bump 12, and the bump 12 is embedded and protected. As a result, the bumped wafer 10 on which the protective film 40 is formed is fixed to the back grind tape 50, and the back surface grinding can be performed well.
  • the back grind tape attached to the surface of the protective film in the step (C) is required to have good embedding properties for the bumps and a fixing performance for fixing the bumped wafer having the protective film formed thereon during back surface grinding.
  • the second buffer layer 52 included in the back grind tape 50 preferably has a thickness of 50 to 450 ⁇ m, and preferably 100 to 400 ⁇ m, from the viewpoint of facilitating good embedding in the bump. It is more preferable that the thickness is 150 to 350 ⁇ m. From the same viewpoint, the thickness of the second pressure-sensitive adhesive layer 53 of the back grind tape 50 is preferably 5 to 50 ⁇ m, more preferably 5 to 30 ⁇ m, and further preferably 5 to 15 ⁇ m. .
  • the second buffer layer 52 included in the back grind tape 50 preferably has a peak value of tan ⁇ of 1.2 or more, more preferably 1.3 or more. It is more preferably 4 or more.
  • the peak value of tan ⁇ is usually 5.0 or less, preferably 4.0 or less. Since the peak value of tan ⁇ of the second buffer layer 52 is in the above range, the movement of the bumped wafer 10 can be suppressed even when the flexibility of the protective film 40 is increased by the heat generated during the back surface grinding. .
  • the peak value of tan ⁇ of the second buffer layer 52 is within the above range, the generation of dimples is suppressed, so that the generation of cracks starting from the dimples is suppressed.
  • the peak value of tan ⁇ was measured by using a viscoelasticity measuring device (Anton) by making a test sample having a diameter of 8 mm and a thickness of 3 mm formed from the same composition as the composition forming the second buffer layer 52.
  • test start temperature -20 ° C
  • test end temperature 150 ° C
  • heating rate 3 ° C / min
  • frequency 1 Hz
  • the back grinding tape 50 is attached to the bumped wafer 10 on which the protective film 40 is formed in the attaching direction of the protective film forming laminated body 30 to the bumped wafer 10 in the step (A1).
  • the directions are preferably shifted by 30 ° to 90 °, more preferably 45 ° to 90 °, further preferably 60 ° to 90 °, further preferably 90 °.
  • the sticking direction of the back grind tape 50 to the bumped wafer 10 on which the protective film 40 is formed is set to the sticking direction of the protective film forming laminated body 30 to the bumped wafer 10 in the step (A1).
  • the back-grinding tape 50 is applied to the wafer 10 with bumps by applying the back grinding tape 50 to the minute warp of the wafer 10 with bumps caused by the force applied when the laminated body 30 for forming a protective film 30 is pressure bonded to the wafer 10 with bumps. This can be offset by the force applied during the pressure bonding, and the warp of the bumped wafer 10 can be further suppressed.
  • the surface opposite to the bump forming surface of the bumped wafer is ground with the back grinding tape attached. That is, the wafer 10 with bumps is back-ground and the wafer 11 is thinned.
  • the back surface grinding of the wafer 10 with bumps is performed, for example, by fixing the front surface side of the wafer 10 with bumps to which a dicing tape is attached onto a fixed table such as a chuck table, and grinding the back surface 11b of the wafer 11 with a grinder or the like.
  • the thickness of the bumped wafer 10 after grinding can be 250 ⁇ m or less.
  • the warp of the wafer 11 is suppressed even when the thickness of the wafer 11 is reduced. Therefore, the defective storage of the bumped wafer 10 in the wafer carrier, the wafer cassette, the wafer boat, and the like is suppressed, and the bumped wafer 10 is prevented from being damaged. Further, it is possible to suppress the defective conveyance of the bumped wafer 10, and further the defective conveyance of the chip after the bumped wafer 10 is divided into individual chips.
  • the back grind tape is peeled off from the semiconductor wafer after the grinding.
  • the back grind tape 50 may be peeled off at room temperature, but in one embodiment of the present invention, the back grind tape 50 is heated to increase the fluidity of the second pressure-sensitive adhesive layer 53 included in the back grind tape 50, and thus the adhesive strength is improved.
  • the back grind tape 50 may be peeled off.
  • the peeling method of the back grind tape 50 is not limited to these methods.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer 53 is a pressure-sensitive adhesive layer formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, a heat-foaming-type pressure-sensitive adhesive, or a water-swelling-type pressure-sensitive adhesive, energy-ray curing and heating are performed.
  • the back grind tape 50 may be peeled off by foaming or swelling with water.
  • ⁇ Formation of division starting point> In one aspect of the present invention, before the step (A), between the step (A) and the step (B), between the step (B) and the step (C), and the step (C). Or between the step (D) and the step (D), it is preferable to have a step of forming division starting points for dividing the semiconductor wafer with bumps into individual pieces.
  • Examples of the method of forming the division starting point for dividing the bumped semiconductor wafer into individual pieces include a pre-dicing method and a stealth dicing (registered trademark) method.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention may be applied to a semiconductor wafer with bumps on which a division starting point for individualization has been formed. In this case, the division starting point is formed.
  • the steps may be omitted.
  • a groove 61 is formed on the bump forming surface 11a of the bumped wafer 10 along a line to be divided, and at least the groove 61 is ground by grinding the back surface 11b of the bumped wafer 10. Is performed until the wafer 10 with bumps is thinned, and the wafer 10 with bumps is singulated into individual pieces CP.
  • the groove 61 is a starting point for dividing the wafer 10 with bumps into individual pieces.
  • the groove 61 is preferably formed after the step (B), that is, after forming the protective film 40 on the bump forming surface 11 a of the bumped wafer 10.
  • the groove 61 is preferably formed from the surface of the protective film 40 toward the inside of the wafer 11 of the bumped wafer 10 as shown in FIG.
  • the bumped wafer 10 on which the protective film 40 is formed can be easily separated into individual pieces while the protective film is still attached. Even if the protective film 40 is formed on the bump forming surface 11a of the bumped wafer 10 after forming the groove 61 from the bump forming surface 11a of the bumped wafer 10 toward the inside of the wafer 11, the protective film 40 is formed.
  • the bumped wafer 10 can be singulated with the protective film 40 still attached. That is, after the back surface 11b of the bumped wafer 10 is ground and at least the groove 61 is reached, the bumped wafer 10 is thinned, and then an external force such as a pressing force is applied to divide the groove 61 into the starting points. As a result, the protective film 40 can be cleaved together with the bumped wafer 10, and the bumped wafer 10 on which the protective film 40 has been formed can be singulated with the protective film 40 still attached.
  • the stealth dicing method is a method in which a modified region is formed inside the wafer of the bumped wafer by laser light, and the bumped wafer is singulated using the modified region as a division starting point.
  • the modified region 71 by multiphoton absorption is divided by irradiating the wafer 11 of the bumped wafer 10 with a laser beam with a focusing point inside the wafer. Form as a starting point.
  • a cutting start region is formed inside the laser light incident surface by a predetermined distance along the dividing line of the bumped wafer 10.
  • the laser light incident surface may be the bump formation surface or the back surface of the bumped wafer, but is formed on the bump formation surface of the bumped wafer.
  • the laser light incident surface is preferably the back surface of the bumped wafer from the viewpoint of suppressing the influence on the circuit etc.
  • the protective film 40 is formed on the bump formation surface 11a of the bumped wafer 10. Further, the back grind tape 50 or the like may be attached to the surface of the protective film 40. Therefore, even when the modified region 71 is formed after the step (A), the laser light incident surface is preferably the back surface of the bumped wafer.
  • one of the protective film covering the top of the bump or the top of the bump is provided between the step (B) and the step (C) and after the step (E). It is preferable that an exposure process is performed to remove the protective film attached to the portion and expose the top of the bump.
  • the exposure processing for exposing the tops of the bumps include etching processing such as wet etching processing and dry etching processing.
  • the dry etching treatment include plasma etching treatment and the like.
  • the plasma etching treatment may be performed under high temperature conditions, but the plasma etching treatment may be performed under high temperature conditions between the step (B) and the step (C) or in any of the steps (E).
  • the curable resin layer since the curable resin layer has already been cured and the protective film has been formed, the curable resin layer does not undergo curing shrinkage due to the high temperature conditions of the plasma etching process. No wafer warpage occurs.
  • the exposure process may be performed for the purpose of retracting the protective film until the top of the bump is exposed when the top of the bump is not exposed on the surface of the protective film.
  • the protective film forming laminate In the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention, the protective film forming laminate is used.
  • the protective film forming laminate has a curable resin layer.
  • the curable resin layer may be a thermosetting resin layer in which a curing reaction proceeds by heat treatment, or an energy ray-curable resin layer in which a curing reaction proceeds by irradiation with energy rays.
  • the thermosetting resin layer and the energy ray curable resin layer are not particularly limited, and known thermosetting resin layers and energy ray curable resin layers can be appropriately adopted.
  • the curable resin layer is thermosetting. It is preferably a resin layer.
  • thermosetting resin layer used in one embodiment of the present invention will be described in detail.
  • thermosetting resin layer used in one embodiment of the present invention is, for example, a thermosetting resin layer-forming composition containing a polymer component (XA) and a thermosetting component (XB) (hereinafter simply referred to as “resin layer (Also referred to as "forming composition (X)").
  • the polymer component (XA) is a polymer compound for imparting film-forming properties and flexibility to the thermosetting resin layer, and can be regarded as a component formed by a polymerization reaction of the polymerizable compound. In the present specification, the polymerization reaction also includes a polycondensation reaction.
  • the composition (X) for forming the resin layer and the polymer component (XA) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind or two or more kinds. When there are two or more kinds, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • polymer component (XA) examples include polyvinyl acetal, acrylic resin, polyester, urethane resin, acrylic urethane resin, silicone resin, polyolefin resin (for example, rubber resin), phenoxy resin, thermoplastic polyimide. Etc. It should be noted that it is easy to adjust the shear viscosity at 90 ° C. to 200 ° C., which is the temperature range of the process of thermosetting, and that the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer and heat cured.
  • polyvinyl acetal and acrylic resin are preferable among them because the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer is enhanced and the defective formation of the protective film due to cissing is easily suppressed.
  • polyvinyl acetal and acrylic resin which are preferable as the polymer component (XA), will be described as an example.
  • the meaning of “easily adjusting the shear viscosity at 90 ° C. to 200 ° C.” means that the thermosetting resin layer before curing is at 10 ° C. to 200 ° C. (preferably 90 ° C. to 130 ° C.).
  • the minimum shear viscosity when the temperature is raised at ° C / min can be adjusted to preferably 500 Pa ⁇ s or more, more preferably 1,000 Pa ⁇ s or more, and further preferably 2,000 Pa ⁇ s or more.
  • the minimum shear viscosity of the curable resin layer at 90 ° C. to 200 ° C. is measured by the method described in Examples.
  • the polyvinyl acetal used as the polymer component (XA) is not particularly limited and, for example, a known polyvinyl acetal can be used.
  • a known polyvinyl acetal for example, polyvinyl formal, polyvinyl butyral, and the like can be mentioned, and polyvinyl butyral is more preferable.
  • Polyvinyl butyral having a structural unit represented by the following formulas (i-1), (i-2), and (i-3) is 90 ° C. to 200 ° C., which is the temperature range of the process of heat curing.
  • thermosetting resin layer It is easy to adjust the shear viscosity at °C, and more effective to suppress cissing on the surface of the semiconductor wafer when the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer and heat cured. It is preferable because it becomes high.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyvinyl acetal is preferably 5,000 to 200,000, more preferably 8,000 to 100,000, and further preferably 9,000 to 80,000. It is preferably 10,000 to 50,000 and particularly preferably.
  • Mw weight average molecular weight
  • the weight average molecular weight of the polyvinyl acetal is in such a range, it becomes easier to adjust the shear viscosity at 90 ° C to 200 ° C, and the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer to be thermoset. When this is done, the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer becomes higher.
  • the effect of suppressing the thermosetting resin layer from remaining on the bumps is further enhanced.
  • the weight average molecular weight of a polymer (resin) can be measured as a standard polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a solvent.
  • the content ratio p (degree of butyralization) of the constitutional unit of the butyral group represented by the above formula (i-1) is preferably 40 to 90 mol% and 50 to 50 mol% based on the total constitutional units of the polymer component (XA). 85 mol% is more preferable, and 60 to 76 mol% is particularly preferable.
  • the content ratio q of the structural unit having an acetyl group represented by the above formula (i-2) is preferably 0.1 to 9 mol%, and 0.5 to 9 mol% based on the total structural units of the polymer component (XA). 8 mol% is more preferable, and 1 to 7 mol% is particularly preferable.
  • the content ratio r of the structural unit having a hydroxyl group represented by the above formula (i-3) is preferably 10 to 60 mol% and more preferably 10 to 50 mol% based on the total structural units of the polymer component (XA). 20 to 40 mol% is particularly preferable.
  • the glass transition temperature (Tg) of polyvinyl acetal is preferably 40 to 80 ° C, more preferably 50 to 70 ° C.
  • Tg of polyvinyl acetal is in such a range, when the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the wafer with bumps, the effect of suppressing the residual thermosetting resin layer on the upper part of the bump is suppressed. And the hardness of the protective film formed by thermosetting the thermosetting resin layer can be made sufficient.
  • the glass transition temperature (Tg) of a polymer (resin) is a value measured by the method described in Examples described later.
  • the content ratio of the above-mentioned three types of structural units constituting polyvinyl butyral may be arbitrarily adjusted according to desired physical properties. Further, polyvinyl butyral may have a constitutional unit other than the above-mentioned three types of constitutional units, but the content of the above-mentioned three types of constitutional units is preferably 80 to 100 mol% based on the total amount of polyvinyl butyral. , More preferably 90 to 100 mol%, further preferably 100 mol%.
  • the acrylic resin in the polymer component (XA) is not particularly limited and, for example, a known acrylic polymer can be used.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 10,000 to 2,000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000.
  • Mw weight average molecular weight
  • the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer and heat cured. In this case, the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer becomes higher. Further, the shape stability is excellent, the thermosetting resin layer easily follows the uneven surface of the adherend, and the occurrence of voids and the like between the adherend and the thermosetting resin layer is further suppressed.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably ⁇ 50 to 70 ° C., more preferably ⁇ 30 to 50 ° C.
  • Tg of the acrylic resin is at least the above lower limit, the adhesive force between the thermosetting resin layer and the support sheet is suppressed, and the peelability of the support sheet is improved. Further, when the Tg of the acrylic resin is not more than the upper limit value, the adhesive force of the thermosetting resin layer to the adherend is improved.
  • acrylic resin for example, one or more polymers of (meth) acrylic acid ester; other than (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene and Examples thereof include a copolymer obtained by copolymerizing one or more monomers selected from N-methylol acrylamide and the like.
  • (meth) acrylic acid includes both “acrylic acid” and “methacrylic acid”.
  • (meth) acrylate is a concept including both “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth) acryloyl group Is a concept that includes both “acryloyl group” and “methacryloyl group”.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester that constitutes the acrylic resin include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylate.
  • the monomer constituting the acrylic resin may be only one kind, or two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and the ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the acrylic resin may have a functional group capable of binding to other compounds such as vinyl group, (meth) acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxy group, and isocyanate group.
  • the functional group of the acrylic resin may be bonded to another compound via a crosslinking agent (XF) described below, or may be directly bonded to another compound without the crosslinking agent (XF). .
  • XF crosslinking agent
  • thermoplastic resin other than polyvinyl acetal and an acrylic resin
  • thermoplastic resin polyvinyl acetal and It may be used alone without using an acrylic resin, or may be used in combination with a polyvinyl acetal or an acrylic resin.
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000.
  • the glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is preferably ⁇ 30 to 150 ° C., more preferably ⁇ 20 to 120 ° C.
  • thermoplastic resin examples include polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, polystyrene and the like.
  • thermoplastic resin contained in the resin layer-forming composition (X) and the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio are It can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the polymer component (XA) to the total content of all components other than the solvent that is, the content of the polymer component (XA) in the thermosetting resin layer.
  • the amount) is preferably 5 to 85% by mass, more preferably 5 to 80% by mass, and, for example, 5 to 70% by mass, 5 to 60, regardless of the kind of the polymer component (XA). It may be any of mass%, 5 to 50 mass%, 5 to 40 mass%, and 5 to 30 mass%. However, these contents in the resin layer forming composition (X) are examples.
  • the polymer component (XA) may also correspond to the thermosetting component (XB).
  • the composition (X) for forming a resin layer contains components corresponding to both the polymer component (XA) and the thermosetting component (XB), the resin layer formation
  • the composition (X) is considered to contain a polymer component (XA) and a thermosetting component (XB).
  • thermosetting component (XB) is a component for curing the thermosetting resin layer by heat treatment to form a hard protective film.
  • the composition (X) for forming a resin layer and the thermosetting component (XB) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination thereof. And the ratio can be arbitrarily selected.
  • thermosetting component (XB) examples include epoxy thermosetting resins, thermosetting polyimides, polyurethanes, unsaturated polyesters, silicone resins, and the like, among which epoxy thermosetting resins are preferable.
  • the epoxy thermosetting resin comprises an epoxy resin (XB1) and a thermosetting agent (XB2).
  • the epoxy thermosetting resin contained in the resin layer forming composition and the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio are arbitrary. You can choose to.
  • the epoxy resin (XB1) is not particularly limited and, for example, a known epoxy resin can be used.
  • a known epoxy resin can be used.
  • Examples include bifunctional or higher functional epoxy compounds such as resins and phenylene skeleton type epoxy resins.
  • an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used as the epoxy resin (XB1).
  • An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. Therefore, by using the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group, the reliability of the package having the protective film formed by using the protective film forming laminate is improved.
  • Examples of the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group include compounds obtained by converting a part of the epoxy groups of a polyfunctional epoxy resin into a group having an unsaturated hydrocarbon group. Such a compound can be obtained, for example, by subjecting an epoxy group to an addition reaction with (meth) acrylic acid or a derivative thereof. Further, examples of the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group include compounds in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to an aromatic ring or the like which constitutes the epoxy resin.
  • the unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include ethenyl group (vinyl group), 2-propenyl group (allyl group), (meth) acryloyl group, (meth) Examples thereof include an acrylamide group, and an acryloyl group is preferable.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) is preferably 15,000 or less, more preferably 10,000 or less, and particularly preferably 5,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) is less than or equal to the above upper limit, it becomes easier to adjust the shear viscosity at 90 ° C to 200 ° C, and the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer.
  • the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer becomes higher when it is thermally cured.
  • the effect of suppressing the residual of the protective film residue on the top of the bump becomes higher.
  • the lower limit of the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) is not particularly limited. However, in terms of further improving the curability of the thermosetting resin layer and the strength and heat resistance of the protective film, the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) is preferably 300 or more, and 500 or more. Is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) can be appropriately adjusted so as to be within a range set by arbitrarily combining the preferable lower limit value and the preferable upper limit value.
  • the epoxy resin (XB1) has a weight average molecular weight of preferably 300 to 15,000, more preferably 300 to 10,000, and particularly preferably 300 to 3,000.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin (XB1) is preferably 500 to 15,000, more preferably 500 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin (XB1) is preferably 100 to 1,000 g / eq, and more preferably 130 to 800 g / eq.
  • an "epoxy equivalent” means the number of grams (g / eq) of the epoxy compound containing an epoxy group of 1 gram equivalent, and is a value measured based on JISK7236: 2009. is there.
  • the epoxy resin (XB1) is preferably liquid at room temperature (in the present specification, it may be simply referred to as “liquid epoxy resin (XB1)”).
  • the shear viscosity can be easily adjusted by using a liquid epoxy at room temperature. Further, the thermosetting resin layer easily follows the uneven surface of the adherend, and the occurrence of voids and the like between the adherend and the thermosetting resin layer is further suppressed.
  • liquid state at room temperature used herein means "liquid state at 25 ° C", and the same applies to the following description.
  • the epoxy resin (XB1) may be used alone or in combination of two or more, and when two or more are used in combination, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected.
  • the ratio of the liquid epoxy resin (XB1) at room temperature is preferably 40% by mass or more, It is more preferably 50% by mass or more, and particularly preferably 55% by mass or more, and for example, any of 60% by mass or more, 70% by mass or more, 80% by mass or more and 90% by mass or more. Good.
  • the ratio is equal to or more than the lower limit value, when the temperature of the thermosetting resin film before curing is raised at 10 ° C./min, the minimum shear viscosity at 90 ° C. to 200 ° C. can easily be 500 Pa ⁇ s or more.
  • thermosetting resin layer When the thermosetting resin layer is affixed to the bump forming surface of the bumped wafer and heat cured, the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer becomes higher. In addition, the effect of suppressing the residual of the protective film residue on the top of the bump becomes higher.
  • the upper limit of the ratio is not particularly limited, and the ratio may be 100% by mass or less.
  • thermosetting agent (XB2) functions as a curing agent for the epoxy resin (XB1).
  • examples of the thermosetting agent (XB2) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule.
  • the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group is dehydrated, and the like, and the phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group is dehydrated. It is preferably a group, and more preferably a phenolic hydroxyl group or an amino group.
  • thermosetting agents examples of the phenol-based curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenol resins, biphenols, novolac type phenol resins, dicyclopentadiene type phenol resins, aralkyl type phenol resins, and the like.
  • examples of the amine curing agent having an amino group include dicyandiamide.
  • the thermosetting agent (XB2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
  • examples of the thermosetting agent having an unsaturated hydrocarbon group (XB2) include a compound obtained by substituting a part of a hydroxyl group of a phenol resin with a group having an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic ring of a phenol resin, Examples thereof include compounds in which a group having a saturated hydrocarbon group is directly bonded.
  • the unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (XB2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group described above.
  • thermosetting agent (XB2) When a phenol-based curing agent is used as the thermosetting agent (XB2), the thermosetting agent (XB2) has a high softening point or a high glass transition temperature because the releasability of the thermosetting resin layer from the support sheet is improved. Those are preferable.
  • the number average molecular weight of the resin component such as a polyfunctional phenol resin, a novolac type phenol resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, an aralkyl type phenol resin is 300 to 30,000. Is preferred, 400 to 10,000 is more preferred, and 500 to 3,000 is particularly preferred.
  • the molecular weight of the non-resin component such as biphenol or dicyandiamide in the thermosetting agent (XB2) is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
  • thermosetting agent (XB2) one type may be used alone, two or more types may be used in combination, and when two or more types are used in combination, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the thermosetting agent (XB2) is 0.1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin (XB1). Is preferable, and more preferably 1 to 200 parts by weight, and for example, 1 to 150 parts by weight, 1 to 100 parts by weight, 1 to 75 parts by weight, 1 to 50 parts by weight, and 1 to 30 parts by weight. It may be either.
  • the content of the thermosetting agent (XB2) is at least the lower limit value, the thermosetting resin layer will be more easily cured. Further, when the content of the thermosetting agent (XB2) is not more than the upper limit value, the moisture absorption rate of the thermosetting resin layer is reduced, and a protective film formed using the protective film forming laminate is formed. The reliability of the included package is further improved.
  • the content of the thermosetting component (XB) (for example, the total content of the epoxy resin (XB1) and the thermosetting agent (XB2)) is
  • the content of the combined component (XA) is preferably 50 to 1,000 parts by mass, more preferably 60 to 950 parts by mass, and particularly preferably 70 to 900 parts by mass with respect to 100 parts by mass. preferable.
  • the content of the thermosetting component (XB) is in such a range, the adhesive force between the thermosetting resin layer and the support sheet is suppressed, and the releasability of the support sheet is improved.
  • the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer may contain a curing accelerator (XC).
  • the curing accelerator (XC) is a component for adjusting the curing rate of the thermosetting resin layer.
  • Preferred curing accelerators (XC) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole. , 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, etc.
  • An imidazole substituted with a group of an organic phosphine such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group); tetraphenylphosphonium tetraphenyl volley , Tetraphenyl boron salts such as triphenyl phosphine tetraphenyl borate and the like.
  • an organic phosphine such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group)
  • tetraphenylphosphonium tetraphenyl volley tetraphenyl boron salts such as triphenyl phosphine tetraphenyl borate and the like.
  • composition (X) for forming the resin layer and the curing accelerator (XC) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination thereof and The ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the curing accelerator (XC) in the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer is 100% by mass of the thermosetting component (XB).
  • the amount is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass.
  • the content of the curing accelerator (XC) is not less than the lower limit value, the effect of using the curing accelerator (XC) can be more remarkably obtained.
  • the content of the curing accelerator (XC) is not more than the above upper limit value, for example, the highly polar curing accelerator (XC) is adhered to the thermosetting resin layer under high temperature and high humidity conditions. The effect of suppressing the segregation by moving to the bonding interface with the body is enhanced, and the reliability of the package having the protective film formed using the protective film forming laminate is further improved.
  • the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer may contain a filler (XD).
  • the thermosetting resin layer contains the filler (XD)
  • the thermal expansion coefficient of the protective film obtained by curing the thermosetting resin layer can be easily adjusted. Then, by optimizing this thermal expansion coefficient with respect to the object for forming the protective film, the reliability of the package having the protective film formed using the protective film forming laminate is further improved.
  • the thermosetting resin layer containing the filler (XD) can reduce the moisture absorption rate of the protective film and improve the heat dissipation.
  • the filler (XD) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
  • Preferable inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride, etc .; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers. Products; single crystal fibers of these inorganic fillers; glass fibers and the like.
  • the inorganic filler is preferably silica or alumina.
  • composition (X) for forming the resin layer and the filler (XD) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination and a ratio thereof. Can be arbitrarily selected.
  • the average particle size of the filler (XD) is preferably 1 ⁇ m or less, more preferably 0.5 ⁇ m or less, and particularly preferably 0.1 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the filler (XD) is not more than the upper limit value, it becomes easier to adjust the shear viscosity at 90 ° C. to 200 ° C., and the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer.
  • the effect of suppressing cissing on the surface of the semiconductor wafer becomes higher when it is thermally cured.
  • the effect of suppressing the residual of the protective film residue on the top of the bump becomes higher.
  • the “average particle size” means the value of the particle size (D 50 ) at an integrated value of 50% in the particle size distribution curve obtained by the laser diffraction scattering method, unless otherwise specified. .
  • the lower limit of the average particle size of the filler (XD) is not particularly limited.
  • the average particle diameter of the filler (XD) is preferably 0.01 ⁇ m or more from the viewpoint of easy availability of the filler (XD).
  • the content of the filler (XD) relative to the total content of all components other than the solvent (hereinafter, also referred to as “active ingredient”)
  • the ratio (that is, the content of the filler (XD) in the thermosetting resin layer) is preferably 3 to 60% by mass, more preferably 3 to 55% by mass.
  • the content of the filler (XD) is in such a range, it becomes easier to adjust the shear viscosity at 90 ° C. to 200 ° C., and the thermosetting resin layer is attached to the bump forming surface of the bumped wafer, Repelling on the surface of the semiconductor wafer can be suppressed when heat-cured.
  • the effect of suppressing the residue of the protective film on the top of the bump is further enhanced, and the adjustment of the thermal expansion coefficient is facilitated.
  • the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer may contain a coupling agent (XE).
  • a coupling agent (XE) having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound By using a coupling agent (XE) having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound, the adhesiveness and adhesion of the thermosetting resin layer to the adherend can be improved. Further, by using the coupling agent (XE), the protective film obtained by curing the thermosetting resin layer has improved water resistance without impairing heat resistance.
  • the coupling agent (XE) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with a functional group of the polymer component (XA), thermosetting component (XB), etc., and is preferably a silane coupling agent. More preferable.
  • Preferred examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, and 2-glycidyloxymethyldiethoxysilane.
  • composition (X) for forming a resin layer and the coupling agent (XE) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination thereof and The ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the coupling agent (XE) in the resin layer-forming composition (X) and the thermosetting resin layer is such that the polymer component (XA) and the thermosetting component ( XB) is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass. Is particularly preferable.
  • the content of the coupling agent (XE) is at least the lower limit value, the dispersibility of the filler (XD) in the resin is improved, and the adhesiveness of the thermosetting resin layer to the adherend is improved. As described above, the effect of using the coupling agent (XE) can be obtained more significantly. Further, when the content of the coupling agent (XE) is not more than the upper limit value, the generation of outgas is further suppressed.
  • Crosslinking agent (XF) As the polymer component (XA), those having a functional group such as a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxy group or an isocyanate group, which can be bonded to other compounds, such as the above acrylic resin.
  • the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer may contain a crosslinking agent (XF).
  • the cross-linking agent (XF) is a component for binding the functional group in the polymer component (XA) to another compound for cross-linking. By thus cross-linking, the initial adhesion of the thermosetting resin layer is achieved. The force and cohesive force can be adjusted.
  • cross-linking agent (XF) examples include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent imine compounds, metal chelate-based cross-linking agents (cross-linking agents having a metal chelate structure), aziridine-based cross-linking agents (cross-linking agents having an aziridinyl group), and the like Is mentioned.
  • organic polyvalent isocyanate compound for example, an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (hereinafter, these compounds are collectively referred to as "aromatic polyvalent isocyanate compound etc.” Abbreviated); trimers such as the aromatic polyvalent isocyanate compounds, isocyanurates and adducts; terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compounds and the like with polyol compounds Etc.
  • the "adduct” is an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound or an alicyclic polyvalent isocyanate compound, and ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil or the like. Means a reaction product with a molecularly active hydrogen-containing compound.
  • the adducts include xylylene diisocyanate adducts of trimethylolpropane as described below.
  • organic polyvalent isocyanate compound examples include 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; diphenylmethane-4.
  • organic polyvalent imine compound examples include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, and tetramethylolmethane.
  • -Tri- ⁇ -aziridinyl propionate, N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamido) triethylenemelamine and the like can be mentioned.
  • crosslinking agent (XF) When an organic polyisocyanate compound is used as the crosslinking agent (XF), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (XA).
  • a cross-linking structure is formed in the thermosetting resin layer by the reaction between the cross-linking agent (XF) and the polymer component (XA). Can be easily introduced.
  • composition (X) for forming the resin layer and the crosslinking agent (XF) contained in the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination and a ratio thereof. Can be arbitrarily selected.
  • the content of the crosslinking agent (XF) is 0.01 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer component (XA).
  • the amount is preferably 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by mass.
  • the content of the cross-linking agent (XF) is at least the lower limit value, the effect of using the cross-linking agent (XF) can be more remarkably obtained. Further, when the content of the crosslinking agent (XF) is not more than the upper limit value, excessive use of the crosslinking agent (XF) is suppressed.
  • the composition (X) for forming a resin layer and the thermosetting resin layer are the above-mentioned polymer component (XA), thermosetting component (XB), curing accelerator (XC) within a range that does not impair the effects of the present invention. ),
  • the filler (XD), the coupling agent (XE), and the cross-linking agent (XF), other components may be contained.
  • the other components include energy ray curable resins, photopolymerization initiators, colorants, general-purpose additives, and the like.
  • the general-purpose additives are known and can be arbitrarily selected according to the purpose and are not particularly limited, but preferable examples include, for example, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, colorants (dyes, pigments). ), Gettering agents and the like.
  • the above-mentioned other components contained in the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio are It can be arbitrarily selected.
  • the content of the other components of the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
  • the resin layer forming composition (X) and the thermosetting resin layer contain a polymer component (XA) and a thermosetting component (XB), a polyvinyl acetal as a polymer component (XA), and an epoxy.
  • the resin (XB1) preferably contains a liquid at room temperature, and more preferably contains a curing accelerator (XC) and a filler (XD) in addition to these components.
  • the filler (XD) in this case preferably has the above-mentioned average particle size.
  • thermosetting resin layer is used to form bumps on a bumped wafer. It is possible to suppress cissing on the surface of a semiconductor wafer when it is attached to a surface having a surface and cured by heat. In addition, the effect of suppressing the residual of the protective film residue on the top of the bump becomes higher.
  • the resin layer forming composition (X) preferably further contains a solvent.
  • the resin layer forming composition (X) containing a solvent has good handleability.
  • the solvent is not particularly limited, but preferable examples thereof include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol) and 1-butanol. Examples include esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone (compounds having an amide bond).
  • the solvent contained in the resin layer forming composition (X) may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and the ratio thereof may be arbitrarily selected.
  • the solvent contained in the resin layer forming composition (X) is preferably methyl ethyl ketone or the like, since the components contained in the resin layer forming composition (X) can be mixed more uniformly.
  • the content of the solvent of the resin layer forming composition (X) is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type of components other than the solvent, for example.
  • the first supporting base material used for the supporting sheet that the protective film forming laminate has is a sheet or a film, and as its constituent material, For example, various resins can be mentioned.
  • the second supporting base material used in the back grind tape used in the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention is also in the form of a sheet or a film, and its constituent material is, for example, various resins. Is mentioned.
  • the resin examples include polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE); other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, norbornene resin.
  • polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE)
  • LDPE low density polyethylene
  • LLDPE linear low density polyethylene
  • HDPE high density polyethylene
  • other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, norbornene resin.
  • Polyolefin Ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene-norbornene copolymer and other ethylene-based copolymers (ethylene as a monomer); Polyvinyl chloride, vinyl chloride resin such as vinyl chloride copolymer (resin obtained by using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; polycycloolefin; polyethylene terephthalate, polyethylene Naphtha Polyesters such as acrylate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, wholly aromatic polyesters in which all constituent units have an aromatic cyclic group; Polymers; poly (meth) acrylic acid esters; polyurethanes; polyurethane acrylates; polyimides; polyamides; polycarbonates; fluororesins; polyace
  • examples of the resin include polymer alloys such as a mixture of the polyester and other resins.
  • the polymer alloy of the polyester and the resin other than that is preferably one in which the amount of the resin other than polyester is relatively small.
  • the resin for example, a cross-linked resin obtained by crosslinking one or two or more of the resins exemplified above; a modification of an ionomer or the like using one or two or more of the resins exemplified above Resins are also included.
  • the resin forming the first supporting base material and the second supporting base material may be only one kind, or may be two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and the ratio thereof may be arbitrarily selected.
  • the first supporting base material and the second supporting base material may be only one layer (single layer), or may be a plurality of layers of two or more layers. In the case of a plurality of layers, these plural layers may be the same or different from each other. Well, the combination of these plural layers is not particularly limited.
  • a plurality of layers may be the same or different from each other” means “all layers are the same. All layers may be different, or only some of the layers may be the same ", and" a plurality of layers are different from each other "means" a constituent material and a thickness of each layer ". At least one of these is different from each other. "
  • the thickness of the first supporting substrate and the second supporting substrate is preferably 5 to 1000 ⁇ m, more preferably 10 to 500 ⁇ m, further preferably 15 to 300 ⁇ m, and 20 to 150 ⁇ m. Is particularly preferred.
  • the "thickness of the first supporting base material” and the “thickness of the second supporting base material” mean the total thickness of the first supporting base material and the total thickness of the second supporting base material,
  • the thickness of the first supporting base material composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the first supporting base material.
  • the thickness of the second supporting base material composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the second supporting base material.
  • the second support base material used for the back grind tape has a high thickness accuracy from the viewpoint of further improving the accuracy of the back surface grinding, that is, the thickness variation is suppressed regardless of the part. Is preferred.
  • materials that can be used to form the second supporting base material with high thickness accuracy include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate. Examples thereof include polymers.
  • the second supporting base material used for the back grind tape preferably has a Young's modulus of 600 MPa or more, and 800 MPa or more, from the viewpoint of improving the support performance of the bumped wafer and further improving the accuracy of the back surface grinding. Is more preferable, and 1,000 MPa or more is still more preferable.
  • the Young's modulus of the second supporting base material is 30,000 MPa or less from the viewpoint of alleviating the stress acting on the adherend such as the wafer with bumps and its individualized product when the back grind tape is peeled off. It is preferably 20,000 MPa or less, more preferably 10,000 MPa or less.
  • the Young's modulus of the first supporting base material can be set in consideration of the above. From this viewpoint, the Young's modulus of the first supporting base material is preferably 10,000 MPa or less, more preferably 5,000 MPa or less, further preferably less than 1,000 MPa, and less than 600 MPa. It is even more preferable.
  • the Young's modulus of the first supporting substrate is usually 100 MPa or more, preferably 200 MPa or more.
  • the Young's modulus of the base material is a value measured according to JISK-7127 (1999).
  • the first supporting base material and the second supporting base material include fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, softening agents (plasticizers), etc., in addition to the main constituent materials such as the resin. It may contain various known additives.
  • the first supporting substrate and the second supporting substrate may be transparent or opaque, may be colored depending on the purpose, and may have another layer deposited thereon. ..
  • the first supporting base material and the second supporting base material preferably transmit energy rays.
  • the first supporting base material and the second supporting base material can be manufactured by a known method.
  • the first supporting base material and the second supporting base material containing a resin can be produced by molding a resin composition containing the resin.
  • the first buffer layer used in the supporting sheet of the protective film-forming laminate used in the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention is particularly preferably a buffer layer generally used for backgrinding tape.
  • the first buffer layer The shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) at room temperature (23 ° C.) is preferably 200 MPa or less, more preferably 180 MPa or less, and further preferably 150 MPa or less.
  • the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) of the first buffer layer is usually 80 MPa or more from the viewpoint of sufficiently retaining the curable resin layer by the first supporting base material at room temperature.
  • the second buffer layer used in the back grind tape used in the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it is a buffer layer generally used in back grind tape.
  • the peak value of tan ⁇ of the second buffer layer is 1.2 or more from the viewpoint of facilitating the securing of good embeddability with respect to the above and good fixing performance for fixing the wafer with bumps during back surface grinding. It is preferably 1.3 or more, more preferably 1.4 or more.
  • the peak value of tan ⁇ is usually 5.0 or less, preferably 4.0 or less.
  • the thickness of the first buffer layer and the second buffer layer is as described above.
  • the protective film forming laminate and the back grind tape are separately used, and when the back grind tape is used, the bump neck of the bumped wafer is protected by the protective film. Protected. Therefore, the bump embedding performance of the back grind tape may be lower than the bump embedding performance of the protective film forming laminate. Therefore, the thickness of the second buffer layer can be smaller than the thickness of the first buffer layer.
  • the ratio of the thickness of the second buffer layer to the thickness of the first buffer layer [(thickness of the second buffer layer) / thickness of the first buffer layer] is preferably 0.9 or less, It is more preferably 0.8 or less, still more preferably 0.7 or less. Moreover, it is usually 0.5 or more.
  • the first buffer layer and the second buffer layer have a urethane (meth) acrylate and a thiol group from the viewpoint of easily adjusting the shear storage elastic modulus (23 ° C.) and tan ⁇ to the above ranges. It is preferably formed from a resin composition containing a containing compound.
  • a resin composition containing a containing compound a resin composition containing a containing compound.
  • Urethane (meth) acrylate is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of being polymerized by irradiation with energy rays.
  • the number of (meth) acryloyl groups in the urethane (meth) acrylate may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but a buffer layer in which the shear storage elastic modulus G ′ (23 ° C.) and tan ⁇ are adjusted to the above range is used. From the viewpoint of formation, it is preferable to contain a monofunctional urethane (meth) acrylate.
  • the monofunctional urethane (meth) acrylate When the monofunctional urethane (meth) acrylate is contained in the film-forming composition, the monofunctional urethane (meth) acrylate does not participate in the formation of the three-dimensional network structure in the polymerized structure, so that the three-dimensional network structure is less likely to be formed. In particular, it becomes easy to form a buffer layer in which the shear storage modulus G ′ (23 ° C.) and tan ⁇ are adjusted to the above ranges.
  • the urethane (meth) acrylate used in the resin composition for forming a buffer layer for example, a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyvalent isocyanate compound has a hydroxyl group (meth). It can be obtained by reacting an acrylate.
  • the urethane (meth) acrylate may be used alone or in combination of two or more.
  • the polyol compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific examples of the polyol compound include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Of these, polyether type polyols are preferable.
  • the polyol compound may be a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, but from the viewpoint of availability, versatility, reactivity, etc., the bifunctional diol. Are preferred, and polyether type diols are more preferred.
  • the polyether diol is preferably a compound represented by the following formula (1).
  • R is a divalent hydrocarbon group, preferably an alkylene group, and more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • alkylene groups having 1 to 6 carbon atoms ethylene group, propylene group and tetramethylene group are preferable, and propylene group and tetramethylene group are more preferable.
  • n is the number of repeating units of alkylene oxide, preferably 10 to 250, more preferably 25 to 205, and further preferably 40 to 185.
  • the urethane bond concentration of the resulting urethane (meth) acrylate can be adjusted to an appropriate level and the tan ⁇ of the buffer layer can be easily adjusted within the above range.
  • the compounds represented by the above formula (1) polyethylene glycol, polypropylene glycol and polytetramethylene glycol are preferable, and polypropylene glycol and polytetramethylene glycol are more preferable.
  • a polyether type diol By reacting a polyether type diol with a polyvalent isocyanate compound, a terminal isocyanate urethane prepolymer having an ether bond [-(-RO-) n-] introduced therein is produced.
  • the urethane (meth) acrylate contains a constitutional unit derived from the polyether diol.
  • polybasic acid component used for producing the polyester-type polyol a compound generally known as a polybasic acid component of polyester can be used.
  • Specific polybasic acid components include, for example, dibasic acids such as adipic acid, maleic acid, succinic acid, oxalic acid, fumaric acid, malonic acid, glutaric acid, pimelic acid, azelaic acid, sebacic acid and suberic acid; Dibasic acids such as phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid; aromatic polybasic acids such as polybasic acids such as trimellitic acid and pyromellitic acid; and anhydrides corresponding to these.
  • dibasic acids such as adipic acid, maleic acid, succinic acid, oxalic acid, fumaric acid, malonic acid, glutaric acid, pimelic acid, azelaic acid, sebacic acid and suberic acid
  • Examples thereof include derivatives thereof, dimer acid, hydrogenated dimer acid and the like. Among these, aromatic polybasic acids are preferable from the viewpoint of forming a coating film having an appropriate hardness.
  • various known catalysts may be used if necessary. Examples of the catalyst include tin compounds such as dibutyltin oxide and stannous octoate, and alkoxytitanium such as tetrabutyl titanate and tetrapropyl titanate.
  • the polycarbonate-type polyol is not particularly limited, and examples thereof include the above-mentioned reaction product of glycols and alkylene carbonate.
  • the number average molecular weight calculated from the hydroxyl value of the polyol compound is preferably 1,000 to 10,000, more preferably 2,000 to 9,000, and further preferably 3,000 to 7,000.
  • the number average molecular weight calculated from the hydroxyl value of the polyol compound is a value calculated from [the number of polyol functional groups] ⁇ 56.11 ⁇ 1,000 / [hydroxyl value (unit: mgKOH / g)].
  • polyvalent isocyanate compound examples include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2.
  • aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate
  • isophorone diisocyanate norbornane diisocyanate
  • dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate dicyclohexylmethane-2.
  • Alicyclic diisocyanates such as 4,4′-diisocyanate and ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate dimethylcyclohexane; 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- Examples thereof include aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate. Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable from the viewpoint of handleability.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.
  • Specific (meth) acrylates having a hydroxy group include, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth).
  • hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth) acrylate having a hydroxy group are preferably conditions for reacting at 60 to 100 ° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst which are optionally added. .
  • the urethane (meth) acrylate for the buffer layer-forming resin composition thus obtained may be an oligomer, a high molecular weight polymer, or a mixture thereof, but a urethane (meth) acrylate oligomer is preferable.
  • the weight average molecular weight of the urethane (meth) acrylate is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000, and further preferably 5,000 to 65,000.
  • the weight average molecular weight is 1,000 or more, in the polymer of urethane (meth) acrylate and the polymerizable monomer described below, due to the intermolecular force between the urethane (meth) acrylate-derived structures, It is preferable because a moderate hardness is imparted to the buffer layer.
  • the content of urethane (meth) acrylate in the buffer layer-forming resin composition is preferably 20 to 70% by mass, more preferably 25 to 60% by mass, further preferably 30 to 50% by mass, and still more preferably 33. It is about 47% by mass. If the compounding amount of urethane (meth) acrylate is in such a range, It becomes easier to adjust the shear storage elastic modulus (23 ° C.) and tan ⁇ of the buffer layer within the above range.
  • the thiol group-containing compound is not particularly limited as long as it is a compound having at least one thiol group in the molecule, but from the viewpoint of facilitating formation of a buffer layer in which tan ⁇ is adjusted to the above range, a polyfunctional thiol group is used.
  • a containing compound is preferable, and a tetrafunctional thiol group-containing compound is more preferable.
  • thiol group-containing compound examples include nonyl mercaptan, 1-dodecanethiol, 1,2-ethanedithiol, 1,3-propanedithiol, triazinethiol, triazinedithiol, triazinetrithiol, 1,2,3- Propane trithiol, tetraethylene glycol-bis (3-mercaptopropionate), trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakisthioglucolate, Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), tris [(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] -isocyanurate, 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) but , Pentaerythritol tetra
  • the molecular weight of the thiol group-containing compound is preferably 200 to 3,000, more preferably 300 to 2,000. When the molecular weight is within the above range, the compatibility with urethane (meth) acrylate becomes good and the film formability can be made good.
  • the compounding amount of the thiol group-containing compound is preferably 1.0 to 4.9 parts by mass, and more preferably 1.5 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the urethane (meth) acrylate and the polymerizable monomer described later. 4.8 parts by mass. When the blending amount is 1.0 part by mass or more, it becomes easy to form a buffer layer whose tan ⁇ is adjusted to the above range. On the other hand, when the blending amount is 4.9 parts by mass or less, it is possible to suppress the seepage of the buffer layer when wound into a roll.
  • the resin composition for a buffer layer used in the present invention preferably further contains a polymerizable monomer from the viewpoint of improving the film-forming property.
  • the polymerizable monomer is a polymerizable compound other than the above-mentioned urethane (meth) acrylate, is a compound which can be polymerized with other components by irradiation with energy rays, and excludes the resin component, and at least Compounds having one (meth) acryloyl group are preferred.
  • the “resin component” refers to an oligomer or high molecular weight compound having a repeating structure in the structure, and a compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more.
  • Examples of the polymerizable monomer include (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, (meth) acrylate having a functional group such as a hydroxyl group, an amide group, an amino group and an epoxy group, and an alicyclic structure. Having (meth) acrylate, (meth) acrylate having an aromatic structure, (meth) acrylate having a heterocyclic structure, styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N- Examples thereof include vinyl compounds such as vinyl caprolactam.
  • Examples of the (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate and n-butyl (meth).
  • Examples of the (meth) acrylate having a functional group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3 Hydroxyl group-containing (meth) acrylate such as -hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N- Amido group-containing compounds such as methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide; primary amino group-containing (meth) acryl Amino group-containing (meth) acrylate such as secondary amino group-containing (meth) acrylate and
  • Examples of the (meth) acrylate having an alicyclic structure include isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate. ) Acrylate and adamantane (meth) acrylate.
  • Examples of the (meth) acrylate having an aromatic structure include phenylhydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate and the like.
  • Examples of the (meth) acrylate having a heterocyclic structure include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholine (meth) acrylate.
  • those having a relatively bulky group are preferable from the viewpoint of compatibility with the urethane (meth) acrylate, and more specifically, (meth) acrylate having an alicyclic structure, aromatic structure (Meth) acrylate having a heterocyclic structure and a (meth) acrylate having an alicyclic structure are more preferable. Further, from the viewpoint of obtaining a buffer layer-forming resin composition in which tan ⁇ is adjusted to fall within the above range, a (meth) acrylate having a functional group and an alicyclic structure are included as the polymerizable monomer. It is preferable to contain (meth) acrylate, and it is more preferable to contain hydroxypropyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate.
  • the blending amount of the (meth) acrylate having an alicyclic structure in the buffer layer-forming resin composition is preferably 32-53% by mass, more preferably 35-51% by mass, and further preferably 37- It is 48% by mass, and further preferably 40 to 47% by mass.
  • the amount of the (meth) acrylate having an alicyclic structure with respect to the total amount of the polymerizable monomers contained in the buffer layer-forming resin composition is preferably 52 to 87% by mass from the above viewpoint. It is preferably 55 to 85% by mass, more preferably 60 to 80% by mass, and even more preferably 65 to 77% by mass.
  • the amount of the polymerizable monomer compounded in the buffer layer-forming resin composition is preferably 30 to 80% by mass, more preferably 40 to 75% by mass, still more preferably 50 to 70% by mass, still more preferably Is 53 to 67 mass%. If the blending amount of the polymerizable monomer is in such a range, since the mobility of the polymerizable monomer in the buffer layer formed by polymerization is high, the buffer layer tends to be flexible, It becomes easier to form a buffer layer whose tan ⁇ is adjusted to the above range and to form a buffer layer whose shear storage elastic modulus is adjusted to the above range.
  • the mass ratio [urethane (meth) acrylate / polymerizable monomer] of the urethane (meth) acrylate and the polymerizable monomer in the buffer layer-forming resin composition is preferably 20 / It is 80 to 60/40, more preferably 30/70 to 50/50, and further preferably 35/65 to 45/55.
  • the buffer layer-forming resin composition When the coating film made of the buffer layer-forming resin composition is cured using ultraviolet rays or the like as an energy ray to form the buffer layer, the buffer layer-forming resin composition further contains an energy ray polymerization initiator. It is preferable.
  • the energy ray polymerization initiator is generally also referred to as a "photopolymerization initiator", and therefore, in the present specification, it is simply referred to as “photopolymerization initiator” hereinafter.
  • photopolymerization initiator examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, photopolymerization initiators such as peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. More specifically, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, 2 , 2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one and the like.
  • photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the urethane (meth) acrylate and the polymerizable monomer. It is more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the buffer layer-forming resin composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other additives include cross-linking agents, antioxidants, softening agents (plasticizers), fillers, rust preventives, pigments, dyes and the like.
  • the blending amount of the other additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass, more preferably 100 parts by mass of the urethane (meth) acrylate and the thiol group-containing compound. It is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the buffer layer-forming resin composition may contain a resin component other than urethane (meth) acrylate as long as the effect of the present invention is not impaired, but contains only urethane (meth) acrylate as the resin component.
  • the content of the resin component other than urethane (meth) acrylate contained in the buffer layer-forming resin composition is preferably 5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, further preferably 0.1% by mass or less, Even more preferably, it is 0% by mass.
  • the buffer layer has the above-mentioned properties.
  • a cured product of a curable composition containing a non-reactive urethane polymer or oligomer and a polymerizable monomer, and an ethylene- ⁇ -olefin copolymer may be used. You may form and use it.
  • the non-reactive urethane polymer or oligomer known ones may be used, and as the polymerizable monomer, the same ones as described above can be used.
  • Such a curable composition may contain the above-mentioned energy ray polymerization initiator.
  • the ethylene- ⁇ -olefin copolymer is obtained by polymerizing ethylene and an ⁇ -olefin monomer.
  • ⁇ -olefin monomers include propylene, 1-butene, 2-methyl-1-butene, 2-methyl-1-pentene, 1-hexene, 2,2-dimethyl-1-butene, 2-methyl-1-hexene.
  • ⁇ -olefin monomers can be used alone or in combination of two or more.
  • other polymerizable monomers can be used for the ethylene- ⁇ -olefin copolymer.
  • Examples of other polymerizable monomers include vinyl compounds such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile and vinyl ketone; unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid; methyl acrylate, ethyl acrylate and acryl. Examples thereof include unsaturated carboxylic acid esters such as acid-n-propyl, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, and methacrylate-n-propyl; unsaturated carboxylic acid amides such as acrylamide and methacrylamide. These polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer used in the supporting sheet included in the protective film-forming laminate used in the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention is in the form of a supporting sheet until the step (A2) is performed.
  • the curable resin layer can be held on the support sheet, and in the step (A2), the support sheet is separated from the curable resin layer by peeling the support sheet while maintaining the state where the curable resin layer is attached to the bumped wafer.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer used in the back-grinding tape used in the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention can fix and protect a bumped wafer having a protective film formed thereon. If there is no particular limitation.
  • the pressure-sensitive adhesive forming the first pressure-sensitive adhesive layer and the second pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and various pressure-sensitive adhesives that have been conventionally used for back grinding tape can be used. Specifically, a rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyvinyl ether-based pressure-sensitive adhesive or the like is used. Further, an energy ray-curing type, a heat-foaming type, or a water-swelling type adhesive may be used. The thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer and the thickness of the second pressure-sensitive adhesive layer are as described above. The pressure-sensitive adhesive layer may be protected by the release film by further adhering the release film.
  • the release film is not particularly limited, and a sheet such as a film or paper which has been subjected to a release treatment with a release agent can be used.
  • the method for producing the protective film-forming laminate used in one embodiment of the present invention is not particularly limited and can be produced by a known method. Specifically, for example, a support sheet is produced by forming a first buffer layer on a first support base material and then forming a first pressure-sensitive adhesive layer. Then, the resin film forming composition (X) is applied onto the release material to form a curable resin layer, and the first pressure-sensitive adhesive layer of the support sheet and the curable resin layer are bonded together to form a protective film. Can be manufactured.
  • one surface of the first supporting base material is coated with a resin composition for forming a buffer layer to form a coating film, and then a curing treatment is performed. Then, the first buffer layer is formed, or the release layer-treated surface is coated with the buffer layer-forming resin composition to form a coating film, and then a semi-curing treatment is performed to semi-cure the release material.
  • a method of forming the first pressure-sensitive adhesive layer on the first buffer layer a method of applying a pressure-sensitive adhesive composition for forming the first pressure-sensitive adhesive layer on the first buffer layer, or a release-treated surface of a release material.
  • Examples of the method for applying the buffer layer-forming resin composition, the pressure-sensitive adhesive composition, or the resin film-forming composition (X) onto the first supporting substrate or the release material include spin coating and spray coating. Method, bar coating method, knife coating method, roll coating method, blade coating method, die coating method, gravure coating method and the like.
  • the buffer layer-forming resin composition, the pressure-sensitive adhesive composition, or the resin film-forming composition (X) is in the form of a solution containing an organic solvent, it is applied at a temperature of 80 to 150 ° C. It is preferable to perform heating treatment by heating for 30 seconds to 5 minutes. The heat treatment performed on the resin film forming composition (X) is not included in the curing treatment of the curable resin layer in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • the curing treatment after applying the resin composition for forming a buffer layer to form a coating film a method of irradiating the formed coating film with energy rays such as ultraviolet rays to polymerize and cure is preferable. Further, the curing treatment may be completely cured at once, or may be cured in multiple times. Examples of the energy rays include ultraviolet rays and electron rays, and ultraviolet rays are preferable. Further, the irradiation dose of energy rays is appropriately changed depending on the type of energy rays.
  • the illuminance of the ultraviolet rays to be irradiated is preferably 50 to 500 mW / cm 2 , more preferably 100 to 340 mW / cm 2 , and the irradiation amount of ultraviolet rays is preferably 100 to 2,500 mJ / cm 2. 2 , more preferably 150 to 2,000 mJ / cm 2 .
  • the method for producing the back-grinding tape used in one embodiment of the present invention is not particularly limited and can be produced by a known method. Specifically, for example, a second buffer layer is formed on the second support base material by the same method as the method for manufacturing the support sheet forming the protective film-forming laminate, and then the second pressure-sensitive adhesive layer is formed. The method of forming may be mentioned.
  • Tg glass transition temperature of the polymer component (XA) described below is measured with a differential scanning calorimeter (PYRIS Diamond DSC) manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd. at a temperature increase / decrease rate of 10 ° C./min from ⁇ 70 ° C. to 150 ° C. The profile was measured and the inflection point was confirmed to obtain the value.
  • PYRIS Diamond DSC differential scanning calorimeter
  • ⁇ Average particle size The particles to be measured are dispersed in water by ultrasonic waves, and the particle size distribution of the particles is measured on a volume basis by a dynamic light scattering particle size distribution measuring device (LB-550 manufactured by Horiba, Ltd.), and the median diameter thereof is measured. (D 50 ) was defined as the average particle size.
  • Polymer component (XA) Polyvinyl butyral having a constitutional unit represented by the following formula (i-1), the following formula (i-2) and the following formula (i-3) (S-REC (registered trademark) B BL- manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) 10, weight average molecular weight 25,000, glass transition temperature 59 ° C., p in the following formula is 68 to 74 mol%, q is 1 to 3 mol%, and r is about 28 mol%).
  • Epoxy resin (XB1) The following two epoxy resins were used.
  • Epoxy resin (XB1-1) Liquid bisphenol A type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, EPICLON (registered trademark) EXA-4850-1000, epoxy equivalent 404 to 412 g / eq)
  • Epoxy resin (XB1-2) dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, EPICLON (registered trademark) HP-7200, epoxy equivalent 254 to 264 g / eq)
  • thermosetting agent (XB2) A novolac type phenol resin (SHONOL (registered trademark) BRG-556 manufactured by Showa Denko KK) was used.
  • a polymer component (XA), an epoxy resin (XB1-1), an epoxy resin (XB1-2), a thermosetting agent (XB2), a curing accelerator (XC), and a filler (XD) are used as a resin layer forming composition.
  • the active ingredient (solid content) concentration is 55% by mass by dissolving or dispersing in methyl ethyl ketone so as to have the following content and stirring at 23 ° C.
  • a resin layer-forming composition (X) was prepared.
  • the laminate for forming a protective film used in the following examples and comparative examples was manufactured by the following method.
  • a resin layer-forming composition (X) was formed on the release-treated surface of a polyethylene terephthalate release material (SP-PET381031, Lintec Co., Ltd., thickness 38 ⁇ m) having a release-treated surface that had been subjected to a release treatment with silicone.
  • SP-PET381031, Lintec Co., Ltd., thickness 38 ⁇ m having a release-treated surface that had been subjected to a release treatment with silicone.
  • a first base material (thickness: 100 ⁇ m), a first buffer layer (thickness: 400 ⁇ m), and a first pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 10 ⁇ m) were laminated in this order.
  • the adhesive tape (E-8510HR, manufactured by Lintec Co., Ltd.)
  • the first adhesive layer of this adhesive tape and the thermosetting resin layer of the laminate of the thermosetting resin layer and the release material are attached to each other.
  • a support sheet, a thermosetting resin layer, and a release material were laminated in this order to produce a protective film-forming laminate.
  • thermosetting resin layer [Evaluation of minimum shear viscosity of thermosetting resin layer]
  • the release material was peeled off from the laminated body in which the thermosetting resin layer and the release material were laminated, and a plurality of thermosetting resin layers were laminated to form a thermosetting resin layer having a thickness of 500 ⁇ m. From this, a cylindrical evaluation sample having a diameter of 25 mm and a thickness of 500 ⁇ m was prepared, and this sample was placed in a shear viscosity measuring device. At this time, the sample was placed on the installation location of the measuring device, and the measurement jig was pressed against the upper surface of the sample to fix the sample to the installation location. The shear viscosity from room temperature (23 ° C.) to 150 ° C. was measured under the measurement conditions of frequency: 1 Hz and heating rate: 10 ° C./min, and the minimum value of the shear viscosity at 90 ° C. to 130 ° C. was obtained.
  • Example 1 (Example 1) The release material is removed from the protective film forming laminate, and the surface (exposed surface) of the thermosetting resin layer exposed by this is pressed onto the bump forming surface of the wafer with 8 inch ⁇ bumps to form bumps on the semiconductor wafer.
  • the protective film forming laminate was attached to the surface.
  • the application of the protective film-forming laminate was carried out by using an application device (roller type laminator, “RAD-3510 F / 12” manufactured by Lintec Co., Ltd.) at a table temperature of 90 ° C., an application speed of 2 mm / sec, and an application pressure. It was performed while heating the thermosetting resin layer under the condition of 0.5 MPa.
  • the height of the bump is 210 ⁇ m
  • the width of the bump is 250 ⁇ m
  • the distance between the adjacent bumps is 400 ⁇ m
  • the semiconductor wafer of 0.4 mm pitch BGA Wafer thickness 700 ⁇ m
  • Wafer thickness 700 ⁇ m was used.
  • a laminated structure was obtained in which the protective film-forming laminated body was attached to the bump forming surface of the semiconductor wafer.
  • UV irradiation is performed to peel off the support sheet of the laminate for forming a protective film (RAD-2700, manufactured by Lintec Co., Ltd.), and then the bumped wafer on which the thermosetting resin layer is attached is pressed in an oven (Lintec).
  • RAD-9100 manufactured by Co., Ltd. was heat-treated under the heating conditions of temperature: 130 ° C., time: 2 h, and furnace pressure: 0.5 MPa to thermoset the thermosetting resin layer to form a protective film. Then, after attaching E-8510HR, manufactured by Lintec Co., Ltd. as a back-grinding tape to the protective film forming surface, backside grinding was performed to obtain a wafer thickness of 200 ⁇ m, the back-grinding tape was peeled off, and the warp of the wafer was visually observed. confirmed. As a result, almost no warp of the wafer was observed.
  • thermosetting resin layer was 2,700 Pa ⁇ s.

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Abstract

硬化性樹脂層から形成された保護膜によってバンプを備える半導体ウエハのバンプネックを保護しながらも、当該半導体ウエハの薄化と当該半導体ウエハの反りの抑制との両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とした。そして、下記工程（Ａ）～（Ｅ）をこの順で含む、半導体装置の製造方法とした。 （Ａ）バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する工程 （Ｂ）前記硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する工程 （Ｃ）前記バンプを備える半導体ウエハの前記保護膜の形成面に、バックグラインドテープを貼付する工程 （Ｄ）前記バックグラインドテープを貼付した状態で、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面とは反対面の研削を行う工程 （Ｅ）前記研削後の前記バンプを備える半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程

Description

半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
　近年、いわゆるフェースダウン方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面にバンプを備える半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう）とチップ搭載用の基板とを、当該チップの回路面と当該基板とが対向するように積層することによって、当該チップを当該基板上に搭載する。
　なお、当該チップは、通常、回路面にバンプを備える半導体ウエハを個片化して得られる。
　以降の説明では、半導体ウエハのことを単に「ウエハ」ともいう。また、回路面にバンプを備える半導体ウエハのことを「バンプ付きウエハ」ともいう。さらに、バンプ付きウエハの回路面のことを「バンプ形成面」ともいう。
　ところで、バンプ付きウエハには、バンプとウエハとの接合部分（以下、「バンプネック」ともいう）を保護する目的で、保護膜が設けられることがある。
　例えば、特許文献１には、支持基材と、粘着剤層と、熱硬化性樹脂層とがこの順で積層された積層体を、熱硬化性樹脂層を貼り合せ面にして、バンプ付きウエハのバンプ形成面に圧着して貼り合わせた後、当該熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させることで保護膜を形成している。
特開２０１５－０９２５９４号公報
　近年、電子機器の高性能化やＩｏＴ（Internet of Things）市場の拡大に伴い、チップを高密度に実装することが要求されている。
　かかる要求への対応策の一つとして、チップの軽薄化が挙げられる。チップを軽薄化する方法の一つとして、バンプ付きウエハの裏面を研削し、バンプ付きウエハを薄化する方法が挙げられる。特許文献１では、バンプ付きウエハのバンプ形成面に前記積層体を貼付した状態で、バンプ付きウエハの裏面を研削し、前記積層体の支持基材と粘着剤層とを熱硬化性樹脂層から剥離した後、熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させることが記載されている。
　なお、本明細書において、「バンプ付きウエハの裏面」とは、バンプ付きウエハのバンプ形成面とは反対面を意味する。
　しかしながら、近年、半導体製造工程において用いられるウエハは、バッチ処理効率を高める観点から、大口径化されつつある。また、チップを軽薄化する観点から、ウエハが薄化される傾向にある。そのため、特許文献１に記載の技術のように、熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程をバンプ付きウエハの裏面研削後に行うと、熱硬化性樹脂層の収縮に伴い、バンプ付きウエハに反りが生じやすい。バンプ付きウエハに反りが生じると、ウエハキャリア、ウエハカセット、及びウエハボート等へのバンプ付きウエハの収納不良が起こりやすくなり、バンプ付きウエハの破損の要因になる。また、バンプ付きウエハの搬送において、さらにはバンプ付きウエハを個片化してチップにした後の当該チップの搬送において、当該ウエハや当該チップの吸着時に不具合が生じやすくなり、搬送不良が起こりやすくなる。
　なお、上記問題は、熱硬化性樹脂層を加熱し硬化させることで保護膜を形成する場合に限らず、硬化時に収縮し得る硬化性樹脂層全般から保護膜を形成する場合において生じ得る。
　本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであって、硬化性樹脂層から形成された保護膜によってバンプを備える半導体ウエハのバンプネックを保護しながらも、当該半導体ウエハの薄化と当該半導体ウエハの反りの抑制との両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、鋭意検討の結果、下記工程（Ａ）～（Ｅ）をこの順で含む半導体装置の製造方法が、上記課題を解決し得ることを見出した。
　すなわち、本発明は、以下の［１］～［７］に関する。
［１］　下記工程（Ａ）～（Ｅ）をこの順で含む、半導体装置の製造方法。
（Ａ）バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する工程
（Ｂ）前記硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する工程
（Ｃ）前記バンプを備える半導体ウエハの前記保護膜の形成面に、バックグラインドテープを貼付する工程
（Ｄ）前記バックグラインドテープを貼付した状態で、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面とは反対面の研削を行う工程
（Ｅ）前記研削後の前記バンプを備える半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程
［２］　前記工程（Ａ）が、下記工程（Ａ１）及び（Ａ２）をこの順で含む、上記［１］に記載の半導体装置の製造方法。
（Ａ１）前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、支持シートと前記硬化性樹脂層とが積層された積層構造を有する保護膜形成用積層体を、前記硬化性樹脂層を貼付面として貼付する工程
（Ａ２）前記支持シートを前記保護膜形成用積層体から剥離して、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、前記硬化性樹脂層を形成する工程
［３］　前記硬化性樹脂層が、熱硬化性樹脂層である、上記［１］又は［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］　前記工程（Ａ）で用いる前記半導体ウエハの厚さが、３００μｍ以上である、上記［１］～［３］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［５］　前記工程（Ａ）の前、前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間、前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間、及び前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間のいずれかにおいて、前記バンプを備える半導体ウエハを個片化するための分割起点を形成する、上記［１］～［４］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［６］　前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間、及び前記工程（Ｅ）の後のいずれかにおいて、前記バンプの頂部を覆う前記保護膜又は前記バンプの頂部の一部に付着した前記保護膜を除去して、前記バンプの頂部を露出させる露出処理を行う、上記［１］～［５］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［７］　前記露出処理が、プラズマエッチング処理である、上記［６］に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明の半導体装置に製造方法によれば、硬化性樹脂層から形成された保護膜によってバンプを備える半導体ウエハのバンプネックを保護しながらも、当該半導体ウエハの薄化と当該半導体ウエハの反りの抑制との両立を図ることが可能となる。
バンプ付きウエハの一例を示す概略断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の工程（Ａ）～（Ｅ）を示す概略図である。 本発明の一態様の半導体装置の製造方法の工程（Ａ１）及び（Ａ２）を示す概略図である。 本発明の一態様の半導体装置の製造方法において、分割起点を形成して個片化する態様の一例を示す概略図である。 本発明の一態様の半導体装置の製造方法において、分割起点を形成して個片化する態様の他の例を示す概略図である。
［本発明の半導体装置の製造方法］
　本発明の半導体装置の製造方法は、下記工程（Ａ）～（Ｅ）をこの順で含む。
（Ａ）バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する工程
（Ｂ）前記硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する工程
（Ｃ）前記半導体ウエハの前記保護膜の形成面に、バックグラインドテープを貼付する工程
（Ｄ）前記バックグラインドテープを貼付した状態で、前記半導体ウエハの前記バンプ形成面とは反対面の研削を行う工程
（Ｅ）前記研削後の前記半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程
　以下、本発明の半導体装置の製造方法において用いられる、バンプを備える半導体ウエハについて詳述した後、本発明の半導体装置の製造方法について、工程毎に詳述する。
　なお、本明細書において、「保護膜」は「保護層」と言い換えてもよい。
＜バンプを備える半導体ウエハ＞
　本発明の半導体装置の製造方法において用いられる、バンプを備える半導体ウエハの一例を図１に示す。バンプを備える半導体ウエハ１０は、半導体ウエハ１１の回路面１１ａにバンプ１２を備える。バンプ１２は、通常、複数備えられる。
　なお、上記の略称の定義と同様、以降の説明においても、「バンプを備える半導体ウエハ」は、「バンプ付きウエハ」ともいう。「半導体ウエハ」は、「ウエハ」ともいう。「回路面」は、「バンプ形成面」ともいう。
　バンプ１２の形状は、特に限定されず、チップ搭載用の基板上の電極等に接触させて固定させることが可能であれば、いかなる形状であってもよい。例えば、図１では、バンプ１２を球状としているが、バンプ１２は回転楕円体であってもよい。当該回転楕円体は、例えば、ウエハ１１のバンプ形成面１１ａに対して垂直方向に引き延ばされた回転楕円体であってもよいし、ウエハ１１のバンプ形成面１１ａに対して水平方向に引き延ばされた回転楕円体であってもよい。
　バンプ１２の高さは、特に限定されず、例えば３０μｍ～３００μｍ、好ましくは６０μｍ～２５０μｍ、より好ましくは８０μｍ～２００μｍである。
　なお、「バンプ１２の高さ」とは、１つのバンプに着目したときに、バンプ形成面１１ａから最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。
　ウエハ１１は、例えば、配線、キャパシタ、ダイオード、及びトランジスタ等の回路が表面に形成された半導体ウエハである。当該ウエハの材質は特に限定されず、例えば、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハ、及びサファイアウエハ等が挙げられる。
　ウエハ１１のサイズは、バッチ処理効率を高める観点から、通常８インチ（直径２００ｍｍ）以上であり、好ましくは１２インチ（直径３００ｍｍ）以上である。なお、ウエハの形状は、円形には限定されず、例えば正方形や長方形等の角型であってもよい。角型のウエハの場合、ウエハ１１のサイズは、バッチ処理効率を高める観点から、最も長い辺の長さが、上記サイズ（直径）以上であることが好ましい。
　ウエハ１１の厚みは、上記工程（Ｂ）において、硬化性樹脂層を硬化させることに伴うウエハ１１の反りを抑制する観点から、例えば３００μｍ以上、好ましくは４００μｍ以上、より好ましくは５００μｍ以上、更に好ましくは６００μｍ以上である。なお、ウエハ１１は、裏面研削による薄化加工が行われていないことが好ましい。
　ウエハ１１のサイズ（直径：単位ｍｍ）と厚さ（単位μｍ）との比［ウエハサイズ（直径）／ウエハ厚さ］は、好ましくは１０００以下、より好ましくは７００以下、更に好ましくは５００以下、より更に好ましくは４００以下、更になお好ましくは３００以下である。また、ウエハ１１のサイズ（直径：単位ｍｍ）と厚さ（単位μｍ）との比［ウエハサイズ（直径）／ウエハ厚さ］は、通常１００以上、好ましくは２００以上である。
＜工程（Ａ）＞
　工程（Ａ）では、図２（Ａ）に示すように、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに、硬化性樹脂層２０を形成する。硬化性樹脂層２０の形成方法は、特に限定されず、例えば、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに、後述する硬化性樹脂組成物を塗布した後、乾燥する方法等が挙げられる。
　ここで、本発明の一態様において、硬化性樹脂層２０の形成は、支持シートと硬化性樹脂層とを積層した積層構造を有する保護膜形成用積層体を用いて行うことが好ましい。
　具体的には、工程（Ａ）が、下記工程（Ａ１）及び（Ａ２）をこの順で含むことが好ましい。
（Ａ１）前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、支持シートと硬化性樹脂層とが積層された積層構造を有する保護膜形成用積層体を、前記硬化性樹脂層を貼付面として貼付する工程
（Ａ２）前記支持シートを前記保護膜形成用積層体から剥離して、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、前記硬化性樹脂層を形成する工程
　以下、工程（Ａ１）及び工程（Ａ２）について詳述する。
（工程（Ａ１））
　工程（Ａ１）において、保護膜形成用積層体を構成する支持シートは、硬化性樹脂層を支持できるシート状の部材であれば、特に限定されない。例えば、支持シートは、支持基材であってもよいし、支持基材の一方の面に剥離処理が施された剥離フィルムであってもよいし、支持基材と粘着剤層とを有する積層体であってもよい。
　支持シートが剥離フィルムである場合、硬化性樹脂層は、支持基材の剥離処理面に形成される。
　また、支持シートが支持基材と粘着剤層との積層体である場合、硬化性樹脂層は、当該支持シートの粘着剤層と貼り合わされる。
　ここで、本発明の一態様では、図３（Ａ１）に示すように、支持シート３０ａが、第一支持基材３１、第一緩衝層３２、及び第一粘着剤層３３がこの順で積層された積層構造を有することが好ましい。そして、保護膜形成用積層体３０は、第一支持基材３１、第一緩衝層３２、第一粘着剤層３３、及び硬化性樹脂層２０がこの順で積層された積層構造を有することが好ましい。
　保護膜形成用積層体３０を、硬化性樹脂層２０を貼り合せ面にしてバンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに圧着させると、保護膜形成用積層体３０の硬化性樹脂層２０、第一粘着剤層３３、及び第一緩衝層３２は、バンプ１２により加圧される。そのため、圧着初期は、硬化性樹脂層２０、第一粘着剤層３３、及び第一緩衝層３２が、バンプ１２の形状に追随した凹状に変形する。そして、バンプ１２からの加圧が持続すると、最終的にはバンプ１２の頂部が硬化性樹脂層２０を突き抜けて支持シート３０ａに接する。この際、バンプ１２にかかる圧力が支持シート３０ａの第一粘着剤層３３及び第一緩衝層３２によって分散され、バンプ１２へのダメージが抑制される。
　但し、バンプ１２は、必ずしも支持シート３０ａ側に突出させずともよく、硬化性樹脂層２０の内部に埋め込まれた状態であってもよい。このような状態であっても、後述する露出処理等によって、バンプ１２の頂部を、保護膜４０から露出させることができる。
　ここで、工程（Ａ１）において用いられる、保護膜形成用積層体を構成する支持シートには、バンプに対する良好な埋め込み性と、工程（Ａ２）における保護膜形成用積層体からの支持シートの易剥離性とが要求される。
　本発明の一態様において、支持シート３０ａが有する第一緩衝層３２は、バンプに対する良好な埋め込み性を確保し易くする観点から、厚さが１００～５００μｍであることが好ましく、１５０～４５０μｍであることがより好ましく、２００～４００μｍであることが更に好ましい。
　同様の観点から、支持シート３０ａが有する第一粘着剤層３３は、厚さが５～５０μｍであることが好ましく、５～３０μｍであることがより好ましく、５～１５μｍであることが更に好ましい。
　また、本発明の一態様において、支持シート３０ａが有する第一緩衝層３２は、工程（Ａ２）における保護膜形成用積層体からの支持シートの易剥離性を確保し易くする観点から、常温（２３℃）におけるせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）が２００ＭＰａ以下であることが好ましく、１８０ＭＰａ以下であることがより好ましく、１５０ＭＰａ以下であることが更に好ましい。なお、第一緩衝層３２のせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）は、第一支持基材３１による硬化性樹脂層２０の常温での保持性を十分に確保する観点から、通常８０ＭＰａ以上である。
　なお、本明細書において、常温（２３℃）におけるせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）は、第一緩衝層３２を形成する組成物と同一の組成物から形成した直径８ｍｍ×厚さ３ｍｍの試験サンプルを作製し、粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ　Ｐａａｒ社製、装置名「ＭＣＲ３００」）を用いて、試験開始温度：－２０℃、試験終了温度：１５０℃、昇温速度：３℃／分、周波数：１Ｈｚの条件で、ねじりせん断法によって、測定される値である。
　なお、工程（Ａ１）において用いられる、保護膜形成用積層体を構成する支持シートには、上記のように、バンプに対する良好な埋め込み性と、工程（Ａ２）における保護膜形成用積層体からの支持シートの易剥離性とが要求される一方で、バックグラインドテープに要求されるような、裏面研削時の昇温に対する被着体の固定性能（換言すれば、裏面研削時の昇温に対する粘着剤層の粘着力の維持性）は要求されない。また、裏面研削時のディンプル抑制を考慮した緩衝層の設計は要求されない。したがって、本発明の一態様において、支持シート３０ａが有する第一緩衝層３２は、バンプに対する良好な埋め込み性と、工程（Ａ２）における保護膜形成用積層体からの支持シートの易剥離性とを考慮して形成することができるため、一般的なバックグラインドテープと比較して、第一緩衝層３２の設計自由度を向上させることができる利点を有する。
（工程（Ａ２））
　工程（Ａ２）では、支持シートを保護膜形成用積層体から剥離し、バンプ付きウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する。例えば、図３（Ａ２）に示すように、第一支持基材３１、第一緩衝層３２、及び第一粘着剤層３３がこの順で積層された積層構造を有する支持シート３０ａを、硬化性樹脂層２０から剥離し、保護膜形成用積層体３０から分離する。これにより、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに、硬化性樹脂層２０が形成される。硬化性樹脂層２０のバンプ形成面１１ａ側とは反対の表面は露出した状態である。
　なお、本発明の一態様において、上記のように、支持シート３０ａが有する第一緩衝層３２の常温（２３℃）におけるせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）を２００ＭＰａ以下とすることで、保護膜形成用積層体３０から支持シート３０ａを常温で容易に剥離し得る。但し、保護膜形成用積層体３０から支持シート３０ａを剥離する方法は、この方法には限定されない。例えば、第一粘着剤層３３が、エネルギー線硬化型の粘着剤、加熱発泡型の粘着剤、又は水膨潤型の粘着剤から形成された粘着剤層である場合には、エネルギー線硬化、加熱発泡、又は水膨潤によって保護膜形成用積層体３０から支持シート３０ａを剥離してもよい。
　上記工程（Ａ）により、バンプ形成面１１ａに硬化性樹脂層２０が形成されたバンプ付きウエハ１０は、次工程（Ｂ）に供される。
＜工程（Ｂ）＞
　工程（Ｂ）では、バンプ付きウエハのバンプ形成面に形成された硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する。例えば図２（Ｂ）に示すように、硬化性樹脂層２０を硬化させて保護膜４０を形成することで、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａ及びバンプネックが保護される。
　硬化性樹脂層を硬化することにより形成される保護膜は、常温において、硬化性樹脂層よりも強固になる。そのため、保護膜を形成することによって、バンプネックが良好に保護される。
　硬化性樹脂層の硬化は、硬化性樹脂層に含まれている硬化性成分の種類に応じて、熱硬化及びエネルギー線の照射による硬化のいずれかにより行うことができる。
　なお、本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられ、好ましくは紫外線である。
　熱硬化を行う場合の条件としては、硬化温度が好ましくは９０℃～２００℃であり、硬化時間が好ましくは１時間～３時間である。
　エネルギー線照射による硬化を行う場合の条件としては、使用するエネルギー線の種類により適宜設定される、例えば、紫外線を用いる場合、照度は好ましくは１７０ｍｗ／ｃｍ２～２５０ｍｗ／ｃｍ２であり、光量は好ましくは６００ｍＪ／ｃｍ２～１５００ｍＪ／ｃｍ２である。
　なお、保護膜を形成するための硬化性樹脂層の詳細については後述する。
　ここで、本発明の一態様において、硬化性樹脂層を硬化させて保護膜を形成する過程において、熱硬化時の加熱によって硬化性樹脂層を流動させて保護膜の平坦性を向上させる観点から、硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂層であることが好ましい。また、硬化性樹脂層が熱硬化性樹脂層である場合、工程（Ａ）において、バンプが硬化性樹脂層から完全に突き抜けることなく内部に埋め込まれた状態で硬化性樹脂層が形成された場合であっても、熱硬化時の加熱によって硬化性樹脂を流動させることで、バンプの頂部を保護膜４０から露出させることもできる。かかる観点からも、硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂層であることが好ましい。
　工程（Ｂ）に供される、バンプ付きウエハを構成するウエハは、バッチ処理効率向上の観点から大口径化されている一方で、上記のように十分な厚みが確保されている。本発明の一態様では、半導体ウエハの厚みは、３００μｍ以上とされている。そのため、硬化性樹脂層の硬化による収縮に伴うウエハの反りが抑制される。よって、以降の工程において、ウエハの反りにより生じる弊害が抑制される。
　具体的には、ウエハキャリア、ウエハカセット、及びウエハボート等へのバンプ付きウエハの収納不良が抑制され、バンプ付きウエハの破損が抑えられる。また、バンプ付きウエハの搬送不良、さらにはバンプ付きウエハを個片化してチップにした後の当該チップの搬送不良を抑えることができる。また、ウエハの反りが抑制されることで、工程（Ｄ）における裏面研削を高精度に行うこともできる。
　上記工程（Ｂ）により、硬化性樹脂層２０が硬化されてバンプ形成面１１ａに保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０は、次工程（Ｃ）に供される。
　なお、本発明の半導体装置の製造方法では、硬化性樹脂層が熱硬化性樹脂層である場合、保護膜形成用積層体を構成する支持シートやバックグラインドテープが熱硬化性樹脂層を硬化させるための加熱処理の際に熱に晒されることがない。したがって、熱硬化性樹脂層を硬化する際の熱に対する耐熱性が当該支持シートやバックグラインドテープに要求されないため、当該支持シートやバックグラインドテープの設計自由度が大幅に向上する利点を有する。
＜工程（Ｃ）＞
　工程（Ｃ）では、保護膜の表面にバックグラインドテープを貼付する。
　工程（Ｃ）において使用するバックグラインドテープは、特に限定されず、保護膜が形成されたバンプ付きウエハの裏面研削の際に用いられる一般的なバックグラインドテープを用いることができる。
　ここで、本発明の一態様において、バックグラインドテープは、例えば、図２（Ｃ）に示すバックグラインドテープ５０のように、第二支持基材５１、第二緩衝層５２、及び第二粘着剤層５３がこの順で積層された積層構造を有することが好ましい。
　バックグラインドテープ５０を、第二粘着剤層５３を貼り合せ面にして、バンプ付きウエハ１０に形成された保護膜４０の表面に圧着させると、バックグラインドテープ５０の第二粘着剤層５３及び第二緩衝層５２は、バンプ１２により加圧される。そのため、第二粘着剤層５３及び第二緩衝層５２が、バンプ１２の形状に追随した凹状に変形し、バンプ１２を埋め込んで保護する。
　これにより、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０がバックグラインドテープ５０に固定され、裏面研削を良好に実施し得る。
　ここで、工程（Ｃ）において保護膜の表面に貼付されるバックグラインドテープには、バンプに対する良好な埋め込み性と、保護膜が形成されたバンプ付きウエハを裏面研削時に固定する固定性能とが要求される。
　本発明の一態様において、バックグラインドテープ５０が有する第二緩衝層５２は、バンプに対する良好な埋め込み性を確保し易くする観点から、厚さが５０～４５０μｍであることが好ましく、１００～４００μｍであることがより好ましく、１５０～３５０μｍであることが更に好ましい。
　同様の観点から、バックグラインドテープ５０が有する第二粘着剤層５３は、厚さが５～５０μｍであることが好ましく、５～３０μｍであることがより好ましく、５～１５μｍであることが更に好ましい。
　また、本発明の一態様において、バックグラインドテープ５０が有する第二緩衝層５２は、ｔａｎδのピーク値が１．２以上であることが好ましく、１．３以上であることがより好ましく、１．４以上であることが更に好ましい。また、ｔａｎδのピーク値は、通常５．０以下、好ましくは４．０以下である。
　第二緩衝層５２のｔａｎδのピーク値が上記範囲にあることで、裏面研削時に生じる熱によって保護膜４０の柔軟性が高まった場合であっても、バンプ付きウエハ１０の動きを抑えることができる。裏面研削時にバンプ付きウエハ１０が動くと、研削した面に凹凸が生じ易くなり、バンプ形成部位に対応した部位で凹部（ディンプル）が発生すると、当該凹部を起点としてクラックが生じる恐れがある。第二緩衝層５２のｔａｎδのピーク値が上記範囲にあることで、ディンプルの発生が抑えられるため、ディンプルを起点とするクラックの発生が抑制される。
　なお、本明細書において、ｔａｎδのピーク値は、第二緩衝層５２を形成する組成物と同一の組成物から形成した直径８ｍｍ×厚さ３ｍｍの試験サンプルを作製し、粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ　Ｐａａｒ社製、装置名「ＭＣＲ３００」）を用いて、試験開始温度：－２０℃、試験終了温度：１５０℃、昇温速度：３℃／分、周波数：１Ｈｚの条件で、ねじりせん断法によって、測定される値である。
　ここで、本発明の一態様において、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０に対するバックグラインドテープ５０の貼り付け方向と、工程（Ａ１）におけるバンプ付きウエハ１０への保護膜形成用積層体３０の貼り付け方向とを異ならせることが好ましい。具体的には、工程（Ａ１）におけるバンプ付きウエハ１０への保護膜形成用積層体３０の貼り付け方向に対して、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０に対するバックグラインドテープ５０の貼り付け方向を３０°～９０°ずらすことが好ましく、４５°～９０°ずらすことがより好ましく、６０°～９０°ずらすことが更に好ましく、９０°ずらすことがより更に好ましい。
　このように、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０に対するバックグラインドテープ５０の貼り付け方向を、工程（Ａ１）におけるバンプ付きウエハ１０への保護膜形成用積層体３０の貼り付け方向に対して変更することで、バンプ付きウエハ１０に保護膜形成用積層体３０を圧着する際に加えられた力によって生じたバンプ付きウエハ１０の微小な反りを、バンプ付きウエハ１０にバックグラインドテープ５０を圧着する際に加えられる力によって相殺することができ、バンプ付きウエハ１０の反りを更に抑制し得る。
＜工程（Ｄ）＞
　工程（Ｄ）では、バックグラインドテープを貼付した状態で、バンプ付きウエハのバンプ形成面とは反対面を研削する。つまり、バンプ付きウエハ１０を裏面研削し、ウエハ１１を薄化する。
　バンプ付きウエハ１０の裏面研削は、例えば、ダイシングテープが貼付されたバンプ付きウエハ１０の表面側をチャックテーブルなどの固定テーブル上に固定し、ウエハ１１の裏面１１ｂをグラインダー等により研削することで行う。
　本発明において、バンプ付きウエハ１０の研削後の厚みは、２５０μｍ以下とすることができる。このように、本発明では、ウエハ１１の厚みを薄くした場合であっても、ウエハ１１の反りは抑制されている。そのため、ウエハキャリア、ウエハカセット、及びウエハボート等へのバンプ付きウエハ１０の収納不良が抑制され、バンプ付きウエハ１０の破損が抑えられる。また、バンプ付きウエハ１０の搬送不良、さらにはバンプ付きウエハを個片化してチップにした後の当該チップの搬送不良を抑えることができる。
＜工程（Ｅ）＞
　工程（Ｅ）では、前記研削後の前記半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する。
　バックグラインドテープ５０は常温で剥がしてもよいが、本発明の一態様では、バックグラインドテープ５０を加熱して、バックグラインドテープ５０が有する第二粘着剤層５３の流動性を高めることによって粘着力を低下させ、バックグラインドテープ５０を剥離するようにしてもよい。但し、バックグラインドテープ５０の剥離方法は、これらの方法には限定されない。例えば、第二粘着剤層５３が、エネルギー線硬化型の粘着剤、加熱発泡型の粘着剤、又は水膨潤型の粘着剤から形成された粘着剤層である場合には、エネルギー線硬化、加熱発泡、又は水膨潤によってバックグラインドテープ５０を剥離してもよい。
＜分割起点の形成＞
　本発明の一態様では、前記工程（Ａ）の前、前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間、前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間、及び前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間のいずれかにおいて、バンプ付き半導体ウエハを個片化するための分割起点を形成する工程を有することが好ましい。
　バンプ付き半導体ウエハを個片化するための分割起点を形成する方法としては、例えば、先ダイシング法及びステルスダイシング（登録商標）法等が挙げられる。
　なお、個片化するための分割起点を形成済みであるバンプ付き半導体ウエハに対し、本発明の一態様の半導体装置の製造方法を適用してもよく、この場合には、分割起点を形成する工程は省略してもよい。
（先ダイシング法）
　先ダイシング法は、例えば図４に示すように、分割予定のラインに沿ってバンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに溝６１を形成し、バンプ付きウエハ１０の裏面１１ｂを研削して少なくとも溝６１に到達するまで、バンプ付きウエハ１０の薄化処理を行い、バンプ付きウエハ１０を個片体ＣＰに個片化する方法である。
　先ダイシング法において、バンプ付きウエハ１０を個片化するための分割起点は溝６１である。
　ここで、本発明の一態様において、溝６１の形成は、工程（Ｂ）の後、すなわち、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに保護膜４０を形成した後に行うことが好ましい。この場合、溝６１は、図４に示すように、保護膜４０の表面からバンプ付きウエハ１０のウエハ１１の内部に向けて形成することが好ましい。これにより、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０を、保護膜が付いたままの状態で容易に個片化することができる。
　なお、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａからウエハ１１の内部に向けて溝６１を形成した後、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａに保護膜４０を形成した場合も、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０を、保護膜４０が付いたままの状態で個片化することは可能である。すなわち、バンプ付きウエハ１０の裏面１１ｂを研削して少なくとも溝６１に到達するまで、バンプ付きウエハ１０の薄化処理を行った後、加圧力等の外力を付与することで、溝６１を分割起点として、バンプ付きウエハ１０と共に保護膜４０も割断し、保護膜４０が形成されたバンプ付きウエハ１０を、保護膜４０が付いたままの状態で個片化することができる。
（ステルスダイシング法）
　ステルスダイシング法とは、レーザー光によりバンプ付きウエハのウエハ内部に改質領域を形成し、当該改質領域を分割起点としてバンプ付きウエハを個片化する方法である。
　具体的には、図５に示すように、バンプ付きウエハ１０のウエハ１１に、当該ウエハの内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、多光子吸収による改質領域７１を分割起点として形成する。そして、この改質領域７１によって、バンプ付きウエハ１０の分割予定ラインに沿って前記レーザー光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する。そして、バンプ付きウエハ１０を裏面研削して薄化した後、研削砥石等の加工圧力で割断して、個々のチップに分割し、個片化する。
　工程（Ａ）の前に改質領域７１を形成する場合、レーザー光入射面は、バンプ付きウエハのバンプ形成面であっても裏面であってもよいが、バンプ付きウエハのバンプ形成面に形成されている回路等への影響を抑える観点から、レーザー光入射面は、バンプ付きウエハの裏面であることが好ましい。
　また、工程（Ａ）の後は、バンプ付きウエハ１０のバンプ形成面１１ａには、保護膜４０が形成されている。また、バックグラインドテープ５０等が保護膜４０の表面に貼付されていることもある。したがって、工程（Ａ）の後に改質領域７１を形成する場合にも、レーザー光入射面は、バンプ付きウエハの裏面であることが好ましい。
＜露出処理＞
　本発明の一態様において、前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）の間、及び前記工程（Ｅ）の後のいずれかにおいて、前記バンプの頂部を覆う前記保護膜又は前記バンプの頂部の一部に付着した前記保護膜を除去して、前記バンプの頂部を露出させる露出処理を行うことが好ましい。
　バンプの頂部を露出させる露出処理としては、例えばウェットエッチング処理やドライエッチング処理等のエッチング処理が挙げられる。
　ここで、ドライエッチング処理としては、例えばプラズマエッチング処理等が挙げられる。プラズマエッチング処理は高温条件下で実施される場合もあるが、前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）の間、及び前記工程（Ｅ）のいずれかにおいて、プラズマエッチング処理を高温条件下で実施する場合、硬化性樹脂層は既に硬化されて保護膜が形成されているため、プラズマエッチング処理の高温条件によって硬化性樹脂層の硬化収縮は起こらず、したがって、硬化性樹脂層の硬化収縮に伴うウエハの反りは生じない。
　なお、露出処理は、保護膜の表面にバンプの頂部が露出していない場合、バンプの頂部が露出するまで保護膜を後退させる目的で実施してもよい。
　次に、本発明の半導体装置の製造方法において用いられる保護膜形成用積層体及びバックグラインドテープについて、これらを構成する各部材の詳細を説明する。
［硬化性樹脂層］
　本発明の一態様の半導体装置の製造方法では、保護膜形成用積層体が用いられる。当該保護膜形成用積層体は、硬化性樹脂層を有する。
　硬化性樹脂層は、加熱処理により硬化反応が進行する熱硬化性樹脂層であってもよいし、エネルギー線照射により硬化反応が進行するエネルギー線硬化性樹脂層であってもよい。
　熱硬化性樹脂層及びエネルギー線硬化性樹脂層は、特に限定されず、公知の熱硬化性樹脂層及びエネルギー線硬化性樹脂層を適宜採用することができる。
　ここで、上述したように、硬化時の加熱処理によって硬化性樹脂層を流動させて保護膜の平坦性を向上させる観点等から、本発明の一態様において、硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂層であることが好ましい。
　以下、本発明の一態様で用いられる、熱硬化性樹脂層について詳述する。
＜熱硬化性樹脂層＞
　本発明の一態様で用いられる熱硬化性樹脂層は、例えば、重合体成分（ＸＡ）及び熱硬化性成分（ＸＢ）を含有する熱硬化性樹脂層形成用組成物（以下、単に「樹脂層形成用組成物（Ｘ）」ともいう）から形成される。
（重合体成分（ＸＡ））
　重合体成分（ＸＡ）は、熱硬化性樹脂層に造膜性や可撓性等を付与するための重合体化合物であり、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分である。なお、本明細書において重合反応には、重縮合反応も含まれる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する重合体成分（ＸＡ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよい。２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　重合体成分（ＸＡ）としては、例えば、ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、ポリエステル、ウレタン系樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（例えば、ゴム系樹脂等）、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド等が挙げられる。なお、熱硬化させる過程の温度範囲である、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整が容易であること、及び、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果が高くなってハジキによる保護膜形成不良を抑制しやすいことから、これらの中でもポリビニルアセタール、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、重合体成分（ＸＡ）として好ましい、ポリビニルアセタール及びアクリル系樹脂を例に挙げて説明する。
　なお、本明細書において、「９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整が容易」の意味は、９０℃～２００℃（好ましくは９０℃～１３０℃）において硬化前の熱硬化性樹脂層を１０℃／ｍｉｎで昇温させたときの最低せん断粘度を、好ましくは５００Ｐａ・ｓ以上に調整できること、より好ましくは１，０００Ｐａ・ｓ以上に調整できること、更に好ましくは２，０００Ｐａ・ｓ以上に調整できることを意味している。９０℃～２００℃（好ましくは９０℃～１３０℃）における最低せん断粘度を上記範囲に調整することで、ハジキによる保護膜形成不良を抑制しやすい。
　なお、本明細書において、硬化性樹脂層の９０℃～２００℃（好ましくは９０℃～１３０℃）における最低せん断粘度は、実施例に記載の方法より測定される。
（ポリビニルアセタール）
　重合体成分（ＸＡ）として用いるポリビニルアセタールとしては、特に限定されず、例えば、公知のポリビニルアセタールを用いることができる。
　ここでポリビニルアセタールの中でも、例えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等が挙げられ、ポリビニルブチラールがより好ましい。
　ポリビニルブチラールとしては、下記式（ｉ－１）、（ｉ－２）、及び（ｉ－３）で表される構成単位を有するものが、熱硬化させる過程の温度範囲である、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整が容易であること、及び、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなることから好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（ｉ－１）、（ｉ－２）、及び（ｉ－３）中、ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれの構成単位の含有割合（モル％）である。
　ポリビニルアセタールの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～２００，０００であることが好ましく、８，０００～１００，０００であることがより好ましく、９，０００～８０，０００であることが更に好ましく、１０，０００～５０，０００であることが特に好ましい。ポリビニルアセタールの重量平均分子量がこのような範囲であることで、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がより容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなる。また、バンプの上部（バンプの頂部とその近傍領域）での熱硬化性樹脂層の残存を抑制する効果がより高くなる。
　本明細書において、重合体（樹脂）の重量平均分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値として測定することができる。
　上記式（ｉ－１）で表されるブチラール基の構成単位の含有割合ｐ（ブチラール化度）は、重合体成分（ＸＡ）の全構成単位基準で、４０～９０モル％が好ましく、５０～８５モル％がより好ましく、６０～７６モル％が特に好ましい。
　上記式（ｉ－２）で表されるアセチル基を有する構成単位の含有割合ｑは、重合体成分（ＸＡ）の全構成単位基準で、０．１～９モル％が好ましく、０．５～８モル％がより好ましく、１～７モル％が特に好ましい。
　上記式（ｉ－３）で表される水酸基を有する構成単位の含有割合ｒは、重合体成分（ＸＡ）の全構成単位基準で、１０～６０モル％が好ましく、１０～５０モル％がより好ましく、２０～４０モル％が特に好ましい。
　ポリビニルアセタールのガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０～８０℃であることが好ましく、５０～７０℃であることがより好ましい。ポリビニルアセタールのＴｇがこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付したときに、バンプの前記上部での熱硬化性樹脂層の残存を抑制する効果がより高くなり、また、熱硬化性樹脂層を熱硬化することで形成される保護膜の硬さを十分なものとできる。
　なお、本明細書において、重合体（樹脂）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、後述する実施例に記載の方法により測定される値である。
　ポリビニルブチラールを構成する上記３種の構成単位の含有比率は、所望の物性に応じて任意に調整してもよい。
　また、ポリビニルブチラールは、上記３種の構成単位以外の構成単位を有していてもよいが、上記３種の構成単位の含有量は、ポリビニルブチラールの全量基準で、好ましくは８０～１００モル％、より好ましくは９０～１００モル％、更に好ましくは１００モル％である。
（アクリル系樹脂）
　重合体成分（ＸＡ）における前記アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、公知のアクリル重合体を用いることができる。
　アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００～２，０００，０００であることが好ましく、１００，０００～１，５００，０００であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量がこの範囲であることにより、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がより容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなる。また、形状安定性に優れ、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂層が追従し易くなり、被着体と熱硬化性樹脂層との間でボイド等の発生がより抑制される。
　アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～７０℃であることが好ましく、－３０～５０℃であることがより好ましい。アクリル系樹脂のＴｇが前記下限値以上であることで、熱硬化性樹脂層と支持シートとの接着力が抑制されて、支持シートの剥離性が向上する。また、アクリル系樹脂のＴｇが前記上限値以下であることで、熱硬化性樹脂層の被着体との接着力が向上する。
　アクリル系樹脂としては、例えば、１種又は２種以上の（メタ）アクリル酸エステルの重合体；（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合してなる共重合体等が挙げられる。
　なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語につても同様であり、例えば、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
　アクリル系樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリル）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチル）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチル）、（メタ）ア
クリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリル）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
　（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
　（メタ）アクリル酸イミド；
　（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；　（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
　（メタ）アクリル酸Ｎ－メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
　アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　アクリル系樹脂は、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル系樹脂の前記官能基は、後述する架橋剤（ＸＦ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（ＸＦ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル系樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、保護膜形成用積層体を用いて形成される保護膜を有するパッケージの信頼性が向上する傾向がある。
　本発明の一態様においては、例えば、重合体成分（ＸＡ）として、ポリビニルアセタール及びアクリル系樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、ポリビニルアセタール及びアクリル系樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、ポリビニルアセタール又はアクリル系樹脂と併用してもよい。前記熱可塑性樹脂を用いることで、熱硬化性樹脂層の支持シートからの剥離性が向上したり、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂層が追従したり易くなり、被着体と熱硬化性樹脂層との間でボイド等の発生がより抑制されることがある。
　前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１，０００～１００，０００であることが好ましく、３，０００～８０，０００であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－３０～１５０℃であることが好ましく、－２０～１２０℃であることがより好ましい。
　前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する重合体成分（ＸＡ）の含有量の割合（すなわち、熱硬化性樹脂層の重合体成分（ＸＡ）の含有量）は、重合体成分（ＸＡ）の種類によらず、５～８５質量％であることが好ましく、５～８０質量％であることがより好ましく、例えば、５～７０質量％、５～６０質量％、５～５０質量％、５～４０質量％、及び５～３０質量％のいずれかであってもよい。ただし、樹脂層形成用組成物（Ｘ）におけるこれら含有量は一例である。
　ここで、重合体成分（ＸＡ）は、熱硬化性成分（ＸＢ）にも該当する場合がある。本発明の一態様においては、樹脂層形成用組成物（Ｘ）が、このような重合体成分（ＸＡ）及び熱硬化性成分（ＸＢ）の両方に該当する成分を含有する場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）は、重合体成分（ＸＡ）及び熱硬化性成分（ＸＢ）を含有するとみなす。
（熱硬化性成分（ＸＢ））
　熱硬化性成分（ＸＢ）は、熱硬化性樹脂層を加熱処理により硬化させて、硬質の保護膜を形成するための成分である。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する熱硬化性成分（ＸＢ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　熱硬化性成分（ＸＢ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂等が挙げられ、これらの中でもエポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。
（エポキシ系熱硬化性樹脂）
　エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂（ＸＢ１）及び熱硬化剤（ＸＢ２）からなる。
　樹脂層形成用組成物及び熱硬化性樹脂層が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）としては、特に限定されず、例えば、公知のエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、保護膜形成用積層体を用いて形成される保護膜を有するパッケージの信頼性が向上する。
　不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ（メタ）アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。
　また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
　不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基（ビニル基）、２－プロペニル基（アリル基）、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量は、１５，０００以下であることが好ましく、１０，０００以下であることがより好ましく、５，０００以下であることが特に好ましい。エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がより容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなる。また、バンプの頭頂部において、保護膜残留物の残存を抑制する効果がより高くなる。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量の下限値は、特に限定されない。ただし、熱硬化性樹脂層の硬化性、並びに保護膜の強度及び耐熱性がより向上する点では、エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量は、３００以上であることが好ましく、５００以上であることがより好ましい。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内となるように、適宜調節できる。
　例えば、本発明の一態様において、エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量は、好ましくは３００～１５，０００、より好ましくは３００～１０，０００、特に好ましくは３００～３，０００である。また、一実施形態において、エポキシ樹脂（ＸＢ１）の重量平均分子量は、好ましくは５００～１５，０００、より好ましくは５００～１０，０００、特に好ましくは５００～３，０００である。ただし、これらは、エポキシ樹脂（ＸＢ１）の好ましい重量平均分子量の一例である。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）のエポキシ当量は、１００～１，０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１３０～８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　なお、本明細書において、「エポキシ当量」とは、１グラム当量のエポキシ基を含むエポキシ化合物のグラム数（ｇ／ｅｑ）を意味し、ＪＩＳ　Ｋ　７２３６：２００９に準拠して測定される値である。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）は、室温で液状であるもの（本明細書においては、単に「液状のエポキシ樹脂（ＸＢ１）」と称することがある）が好ましい。室温で液状のエポキシを使用すると、せん断粘度を調整しやすい。また、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂層が追従し易くなり、被着体と熱硬化性樹脂層との間でボイド等の発生がより抑制される。なお、ここでいう「室温で液状」とは、「２５℃で液状」であることを意味し、以降の説明においても同様である。
　エポキシ樹脂（ＸＢ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する、エポキシ樹脂（ＸＢ１）のうち、室温で液状のエポキシ樹脂（ＸＢ１）の割合は、４０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、５５質量％以上であることが特に好ましく、例えば、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上及び９０質量％以上のいずれかであってもよい。前記割合が前記下限値以上であることで、硬化前の熱硬化性樹脂フィルムを１０℃／ｍｉｎで昇温させたとき、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の最小値を５００Ｐａ・ｓ以上に容易に調整可能となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなる。また、バンプの頭頂部において、保護膜残留物の残存を抑制する効果がより高くなる。
　前記割合の上限値は特に限定されず、前記割合は１００質量％以下であればよい。
　熱硬化剤（ＸＢ２）は、エポキシ樹脂（ＸＢ１）に対する硬化剤として機能する。
　熱硬化剤（ＸＢ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
　熱硬化剤（ＸＢ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
　熱硬化剤（ＸＢ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド等が挙げられる。
　熱硬化剤（ＸＢ２）は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
　不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤（ＸＢ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
　熱硬化剤（ＸＢ２）における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
　熱硬化剤（ＸＢ２）としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、熱硬化性樹脂層の支持シートからの剥離性が向上する点から、熱硬化剤（ＸＢ２）は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
　熱硬化剤（ＸＢ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３０，０００であることが好ましく、４００～１０，０００であることがより好ましく、５００～３，０００であることが特に好ましい。
　熱硬化剤（ＸＢ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。
　熱硬化剤（ＸＢ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　樹脂膜形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層において、熱硬化剤（ＸＢ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ＸＢ１）の含有量１００質量部に対して、０．１～５００質量部であることが好ましく、１～２００質量部であることがより好ましく、例えば、１～１５０質量部、１～１００質量部、１～７５質量部、１～５０質量部、及び１～３０質量部のいずれかであってもよい。熱硬化剤（ＸＢ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、熱硬化性樹脂層の硬化がより進行し易くなる。また、熱硬化剤（ＸＢ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、熱硬化性樹脂層の吸湿率が低減されて、保護膜形成用積層体を用いて形成された保護膜を有するパッケージの信頼性がより向上する。
　樹脂膜形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層において、熱硬化性成分（ＸＢ）の含有量（例えば、エポキシ樹脂（ＸＢ１）及び熱硬化剤（ＸＢ２）の総含有量）は、重合体成分（ＸＡ）の含有量１００質量部に対して、５０～１，０００質量部であることが好ましく、６０～９５０質量部であることがより好ましく、７０～９００質量部であることが特に好ましい。熱硬化性成分（ＸＢ）の前記含有量がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂層と支持シートとの接着力が抑制されて、支持シートの剥離性が向上する。
（硬化促進剤（ＸＣ））
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、硬化促進剤（ＸＣ）を含有していてもよい。硬化促進剤（ＸＣ）は、熱硬化性樹脂層の硬化速度を調整するための成分である。
　好ましい硬化促進剤（ＸＣ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する硬化促進剤（ＸＣ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　硬化促進剤（ＸＣ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層において、硬化促進剤（ＸＣ）の含有量は、熱硬化性成分（ＸＢ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であることが好ましく、０．１～５質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ＸＣ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ＸＣ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、硬化促進剤（ＸＣ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ＸＣ）が、高温・高湿度条件下で熱硬化性樹脂層中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、保護膜形成用積層体を用いて形成された保護膜を有するパッケージの信頼性がより向上する。
（充填材（ＸＤ））
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、充填材（ＸＤ）を含有していてもよい。熱硬化性樹脂層が充填材（ＸＤ）を含有することにより、熱硬化性樹脂層を硬化して得られた保護膜は、熱膨張係数の調整が容易となる。そして、この熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、保護膜形成用積層体を用いて形成された保護膜を有するパッケージの信頼性がより向上する。また、熱硬化性樹脂層が充填材（ＸＤ）を含有することにより、保護膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
　充填材（ＸＤ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
　好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
　これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する充填材（ＸＤ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　充填材（ＸＤ）の平均粒径は、１μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましく、０．１μｍ以下であることが特に好ましい。充填材（ＸＤ）の平均粒径が前記上限値以下であることで、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がより容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制する効果がより高くなる。また、バンプの頭頂部において、保護膜残留物の残存を抑制する効果がより高くなる。
　なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値５０％での粒子径（Ｄ５０）の値を意味する。
　充填材（ＸＤ）の平均粒径の下限値は、特に限定されない。例えば、充填材（ＸＤ）の平均粒径は、充填材（ＸＤ）の入手がより容易である点では、０．０１μｍ以上であることが好ましい。
　充填材（ＸＤ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）において、溶媒以外の全ての成分（以下、「有効成分」ともいう）の総含有量に対する充填材（ＸＤ）の含有量の割合（すなわち、熱硬化性樹脂層の充填材（ＸＤ）の含有量）は、３～６０質量％であることが好ましく、３～５５質量％であることがより好ましい。充填材（ＸＤ）の含有量がこのような範囲であることで、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がより容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制することができる。また、バンプの頭頂部において、保護膜残留物の残存を抑制する効果がより高くなるとともに、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。
（カップリング剤（ＸＥ））
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、カップリング剤（ＸＥ）を含有していてもよい。カップリング剤（ＸＥ）として、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものを用いることにより、熱硬化性樹脂層の被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤（ＸＥ）を用いることで、熱硬化性樹脂層を硬化して得られた保護膜は、耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。
　カップリング剤（ＸＥ）は、重合体成分（ＸＡ）、熱硬化性成分（ＸＢ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
　好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３－（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アニリノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
アセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有するカップリング剤（ＸＥ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　カップリング剤（ＸＥ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層において、カップリング剤（ＸＥ）の含有量は、重合体成分（ＸＡ）及び熱硬化性成分（ＸＢ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ＸＥ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ＸＤ）の樹脂への分散性の向上や、熱硬化性樹脂層の被着体との接着性の向上など、カップリング剤（ＸＥ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤（ＸＥ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
（架橋剤（ＸＦ））
　重合体成分（ＸＡ）として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、架橋剤（ＸＦ）を含有していてもよい。架橋剤（ＸＦ）は、重合体成分（ＸＡ）中の前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための成分であり、このように架橋することにより、熱硬化性樹脂層の初期接着力及び凝集力を調節できる。
　架橋剤（ＸＦ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
　前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。
　前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート；２，６－トリレンジイソシアネート；１，３－キシリレンジイソシアネート；１，４－キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート；３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。
　前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。
　架橋剤（ＸＦ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ＸＡ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ＸＦ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ＸＡ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ＸＦ）と重合体成分（ＸＡ）との反応によって、熱硬化性樹脂層に架橋構造を簡便に導入できる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する架橋剤（ＸＦ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤（ＸＦ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（Ｘ）において、架橋剤（ＸＦ）の含有量は、重合体成分（ＸＡ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．１～１０質量部であることがより好ましく、０．５～５質量部であることが特に好ましい。架橋剤（ＸＦ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ＸＦ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤（ＸＦ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤（ＸＦ）の過剰使用が抑制される。
（他の成分）
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述の重合体成分（ＸＡ）、熱硬化性成分（ＸＢ）、硬化促進剤（ＸＣ）、充填材（ＸＤ）、カップリング剤（ＸＥ）、及び架橋剤（ＸＦ）以外の、他の成分を含有していてもよい。
　前記他の成分としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂、光重合開始剤、着色剤、汎用添加剤等が挙げられる。前記汎用添加剤は、公知のものであり、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層が含有する前記他の成分は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層の前記他の成分の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層は、重合体成分（ＸＡ）及び熱硬化性成分（ＸＢ）を含有し、重合体成分（ＸＡ）としてポリビニルアセタールを含有し、かつエポキシ樹脂（ＸＢ１）として室温で液状のものを含有することが好ましく、これら成分以外に、さらに、硬化促進剤（ＸＣ）及び充填材（ＸＤ）を含有するものがより好ましい。そして、この場合の充填材（ＸＤ）は、上述の平均粒径を有することが好ましい。このような樹脂層形成用組成物（Ｘ）及び熱硬化性樹脂層を用いることで、９０℃～２００℃におけるせん断粘度の調整がさらに容易となり、熱硬化性樹脂層をバンプ付きウエハのバンプ形成面を有する表面に貼付し、熱硬化させたときに、半導体ウエハの表面のハジキを抑制することができる。また、バンプの頭頂部において、保護膜残留物の残存を抑制する効果がより高くなる。
（溶媒）
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する樹脂層形成用組成物（Ｘ）は、取り扱い性が良好となる。
　前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）が含有する溶媒は、樹脂層形成用組成物（Ｘ）中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）の溶媒の含有量は、特に限定されず、例えば、溶媒以外の成分の種類に応じて適宜選択すればよい。
［基材］
　本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、保護膜形成用積層体が有する支持シートに使用される第一支持基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
　また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、バックグラインドテープに使用される第二支持基材もまた、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
　前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
　また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
　また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
　第一支持基材及び第二支持基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　第一支持基材及び第二支持基材は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　なお、本明細書においては、第一支持基材及び第二支持基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
　第一支持基材及び第二支持基材の厚さは、５～１０００μｍであることが好ましく、１０～５００μｍであることがより好ましく、１５～３００μｍであることがさらに好ましく、２０～１５０μｍであることが特に好ましい。
　ここで、「第一支持基材の厚さ」及び「第二支持基材の厚さ」とは、第一支持基材全体の厚さ及び第二支持基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第一支持基材の厚さとは、第一支持基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。同様に、複数層からなる第二支持基材の厚さとは、第二支持基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　ここで、バックグラインドテープに用いられる第二支持基材は、裏面研削の精度をより向上させる観点から、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い第二支持基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。
　また、バックグラインドテープに用いられる第二支持基材は、バンプ付きウエハの支持性能を向上させて、裏面研削の精度をより向上させる観点から、ヤング率が６００ＭＰａ以上であることが好ましく、８００ＭＰａ以上であることがより好ましく、１，０００ＭＰａ以上であることが更に好ましい。また、バックグラインドテープを剥離する際に、バンプ付きウエハやその個片化物等の被着体に作用する応力を緩和する観点から、第二支持基材のヤング率は、３０，０００ＭＰａ以下であることが好ましく、２０，０００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１０，０００ＭＰａ以下であることが更に好ましい。
　一方で、保護膜形成用積層体が有する支持シートに用いられる第一支持基材に対しては、裏面研削の精度向上を考慮する必要がないため、硬化性樹脂層からの支持シートの剥離性を考慮して第一支持基材のヤング率を設定することができる。かかる観点から、第一支持基材のヤング率は、１０，０００ＭＰａ以下であることが好ましく、５，０００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１，０００ＭＰａ未満であることが更に好ましく、６００ＭＰａ未満であることがより更に好ましい。なお、第一支持基材のヤング率は、通常１００ＭＰａ以上、好ましくは２００ＭＰａ以上である。
　基材のヤング率は、ＪＩＳＫ－７１２７（１９９９）に準拠して測定した値である。
　第一支持基材及び第二支持基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
　第一支持基材及び第二支持基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
　前記熱硬化性樹脂フィルムがエネルギー線硬化性である場合、第一支持基材及び第二支持基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
　第一支持基材及び第二支持基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する第一支持基材及び第二支持基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
［緩衝層］
　本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、保護膜形成用積層体が有する支持シートに使用される第一緩衝層は、バックグラインドテープに一般的に用いられる緩衝層であれば特に制限されないが、バンプに対する良好な埋め込み性と、上記工程（Ａ２）における保護膜形成用積層体からの支持シートの易剥離性とを確保しやすくする観点から、上記のように、第一緩衝層の常温（２３℃）におけるせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）は２００ＭＰａ以下であることが好ましく、１８０ＭＰａ以下であることがより好ましく、１５０ＭＰａ以下であることが更に好ましい。なお、第一緩衝層のせん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）は、第一支持基材による硬化性樹脂層の常温での保持性を十分に確保する観点から、通常８０ＭＰａ以上である。
　また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、バックグラインドテープに使用される第二緩衝層は、バックグラインドテープに一般的に用いられる緩衝層であれば特に制限されないが、バンプに対する良好な埋め込み性と、バンプ付きウエハを裏面研削時に固定する良好な固定性能とを確保しやすくする観点から、上記のように、第二緩衝層のｔａｎδのピーク値が１．２以上であることが好ましく、１．３以上であることがより好ましく、１．４以上であることが更に好ましい。また、ｔａｎδのピーク値は、通常５．０以下、好ましくは４．０以下である。
　また、第一緩衝層及び第二緩衝層の厚さは、上記のとおりである。
　ここで、本発明の一態様の半導体装置の製造方法では、保護膜形成用積層体とバックグラインドテープとを使い分けており、バックグラインドテープを用いる際にはバンプ付きウエハのバンプネックは保護膜によって保護されている。そのため、バックグラインドテープのバンプ埋め込み性能は、保護膜形成用積層体のバンプ埋め込み性能よりも低くてもよい。そのため、第二緩衝層の厚さは、第一緩衝層の厚さよりも薄くすることができる。具体的には、第一緩衝層の厚さに対する第二緩衝層の厚さの比［（第二緩衝層の厚さ）／第一緩衝層の厚さ］が、好ましくは０．９以下、より好ましくは０．８以下、更に好ましくは０．７以下である。また、通常０．５以上である。
　ここで、本発明に一態様において、第一緩衝層及び第二緩衝層は、せん断貯蔵弾性率（２３℃）及びｔａｎδを上記範囲に調整しやすくする観点から、ウレタン（メタ）アクリレート及びチオール基含有化合物を含む樹脂組成物から形成されることが好ましい。
　以下、第一緩衝層及び第二緩衝層を形成するための樹脂組成物（以下、「緩衝層形成用樹脂組成物」ともいう）に含まれる各成分の詳細について説明する。
＜ウレタン（メタ）アクリレート＞
　ウレタン（メタ）アクリレートは、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合する性質を有するものである。
　ウレタン（メタ）アクリレート中の（メタ）アクリロイル基数は、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、せん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）やｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成する観点から、単官能ウレタン（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。
　単官能ウレタン（メタ）アクリレートを製膜用組成物中に含むと、単官能ウレタン（メタ）アクリレートは重合構造において３次元網目構造の形成に関与しないために、３次元網目構造が形成されにくくなり、特に、せん断貯蔵弾性率Ｇ’（２３℃）やｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成しやすくなる。
　緩衝層形成用樹脂組成物中に用いられるウレタン（メタ）アクリレートとしては、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。
　なお、ウレタン（メタ）アクリレートは、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（ポリオール化合物）
　ポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に制限されない。
　具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。
　これらの中でも、ポリエーテル型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、入手の容易性、汎用性、反応性等の観点から、２官能のジオールが好ましく、ポリエーテル型ジオールがより好ましい。
　ポリエーテル型ジオールは、下記式（１）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記式（１）中、Ｒは、２価の炭化水素基であるが、アルキレン基が好ましく、炭素数１～６のアルキレン基がより好ましい。炭素数１～６のアルキレン基の中でも、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基が好ましく、プロピレン基、テトラメチレン基がより好ましい。
　また、ｎは、アルキレンオキサイドの繰り返し単位数であり、好ましくは１０～２５０、より好ましくは２５～２０５、更に好ましくは４０～１８５である。ｎが上記範囲であれば、得られるウレタン（メタ）アクリレートのウレタン結合濃度を適度にし、緩衝層のｔａｎδを上記範囲に調整しやすい。
　上記式（１）で表される化合物の中でも、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールが好ましく、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールがより好ましい。
　ポリエーテル型ジオールと多価イソシアネート化合物との反応により、エーテル結合部〔-(-R-O-)n-〕が導入された末端イソシアネートウレタンプレポリマーを生成する。このようなポリエーテル型ジオールを用いることで、ウレタン（メタ）アクリレートは、ポリエーテル型ジオールから誘導される構成単位を含有する。
　ポリエステル型ポリオールの製造に用いられる多塩基酸成分としては、一般にポリエステルの多塩基酸成分として知られている化合物を使用することができる。
　具体的な多塩基酸成分としては、例えば、アジピン酸、マレイン酸、コハク酸、シュウ酸、フマル酸、マロン酸、グルタル酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、スベリン酸等の二塩基酸；フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸等の二塩基酸や、トリメリット酸、ピロメリット酸等の多塩基酸等の芳香族多塩基酸、これらに対応する無水物やその誘導体及びダイマー酸、水添ダイマー酸等が挙げられる。
　これらの中でも、適度な硬度を有する塗膜を形成する観点から、芳香族多塩基酸が好ましい。
　ポリエステル型ポリオールを製造するためのエステル化反応には、必要に応じて各種公知の触媒を使用してもよい。
　当該触媒としては、例えば、ジブチルスズオキサイド、オクチル酸第一スズ等のスズ化合物、テトラブチルチタネート、テトラプロピルチタネート等のアルコキシチタン等が挙げられる。
　ポリカーボネート型ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、前述したグリコール類とアルキレンカーボネートとの反応物等が挙げられる。
　ポリオール化合物の水酸基価から算出した数平均分子量としては、好ましくは１，０００～１０，０００、より好ましくは２，０００～９，０００、更に好ましくは３，０００～７，０００である。当該数平均分子量が１，０００以上であれば、過剰な量のウレタン結合の生成に起因して緩衝層のせん断貯蔵弾性率の制御が困難になるという事態が回避されるため好ましい。一方、当該数平均分子量が１０，０００以下であれば、得られる緩衝層が過度に軟化することを防ぐことができるため好ましい。
　なお、ポリオール化合物の水酸基価から算出した数平均分子量は、〔ポリオール官能基数〕×５６．１１×１，０００／〔水酸基価（単位：ｍｇＫＯＨ／ｇ）〕から算出された値である。
（多価イソシアネート化合物）
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、取り扱い性の観点から、イソホロンジイソシアネートやヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
（ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート）
　ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　このようにして得られる緩衝層形成用樹脂組成物用のウレタン（メタ）アクリレートは、オリゴマー、高分子量体、又はこれらの混合物のいずれであってもよいが、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　該ウレタン（メタ）アクリレートの重量平均分子量は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは３，０００～８０，０００、更に好ましくは５，０００～６５，０００である。当該重量平均分子量が１，０００以上であれば、ウレタン（メタ）アクリレートと後述する重合性単量体との重合物において、ウレタン（メタ）アクリレート由来の構造同士の分子間力に起因して、緩衝層に適度な硬さが付与されるため好ましい。
　緩衝層形成用樹脂組成物中のウレタン（メタ）アクリレートの配合量は、好ましくは２０～７０質量％、より好ましくは２５～６０質量％、更に好ましくは３０～５０質量％、より更に好ましくは３３～４７質量％である。ウレタン（メタ）アクリレートの配合量がこのような範囲にあれば、
緩衝層のせん断貯蔵弾性率（２３℃）やｔａｎδを上記範囲に調整することがより容易となる。
＜チオール基含有化合物＞
　チオール基含有化合物としては、分子中に少なくとも１つのチオール基を有する化合物であれば、特に制限されないが、ｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成しやすくする観点から、多官能のチオール基含有化合物が好ましく、４官能のチオール基含有化合物がより好ましい。
　具体的なチオール基含有化合物としては、例えば、ノニルメルカプタン、１－ドデカンチオール、１，２－エタンジチオール、１，３－プロパンジチオール、トリアジンチオール、トリアジンジチオール、トリアジントリチオール、１，２，３－プロパントリチオール、テトラエチレングリコール－ビス（３－メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキスチオグルコレート、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－メルカプトプロピオネート）、トリス［（３－メルカプトプロピオニロキシ）－エチル］－イソシアヌレート、１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、１，３，５－トリス（３－メルカプトブチルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が挙げられる。
　なお、これらのチオール基含有化合物は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　チオール基含有化合物の分子量は、好ましくは２００～３,０００、より好ましくは３００～２，０００である。当該分子量が上記範囲であれば、ウレタン（メタ）アクリレートとの相溶性が良好となり、製膜性を良好にすることができる。
　チオール基含有化合物の配合量は、ウレタン（メタ）アクリレート及び後述する重合性単量体の合計１００質量部に対して、好ましくは１．０～４．９質量部、より好ましくは１．５～４．８質量部である。
　当該配合量が１．０質量部以上であれば、ｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成しやすくなる。一方、当該配合量が４．９質量部以下であれば、ロール状に巻き取った際の緩衝層の浸み出しを抑制することができる。
（重合性単量体）
　本発明で用いる緩衝層用樹脂組成物には、製膜性を向上させる観点から、更に、重合性単量体を含むことが好ましい。
　重合性単量体は、上記のウレタン（メタ）アクリレート以外の重合性化合物であって、エネルギー線の照射により他の成分と重合可能な化合物であって、樹脂成分を除くものであって、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物が好ましい。
　なお、本明細書において、「樹脂成分」とは、構造中に繰り返し構造を有するオリゴマー又は高分子量体を指し、重量平均分子量が１，０００以上の化合物をいう。
　重合性単量体としては、例えば、炭素数１～３０のアルキル基を有する（メタ）アクリレート、水酸基、アミド基、アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリレート、脂環式構造を有する（メタ）アクリレート、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート、複素環式構造を有する（メタ）アクリレート、スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物等が挙げられる。
　炭素数１～３０のアルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、エイコシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　官能基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有（メタ）アクリレート；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等のアミド基含有化合物；第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等のアミノ基含有（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　脂環式構造を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　芳香族構造を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　複素環式構造を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、上記ウレタン（メタ）アクリレートとの相溶性の観点からは、比較的嵩高い基を有するものが好ましく、より具体的には、脂環式構造を有する（メタ）アクリレート、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート、複素環式構造を有する（メタ）アクリレートが好ましく、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートがより好ましい。また、ｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成しやすい緩衝層形成用樹脂組成物を得る観点から、重合性単量体として、官能基を有する（メタ）アクリレート及び脂環式構造を有する（メタ）アクリレートを含むことが好ましく、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート及びイソボルニル（メタ）アクリレートを含むことがより好ましい。
　緩衝層形成用樹脂組成物中の脂環式構造を有する（メタ）アクリレートの配合量は、上記観点から、好ましくは３２～５３質量％、より好ましくは３５～５１質量％、更に好ましくは３７～４８質量％、より更に好ましくは４０～４７質量％である。
　また、緩衝層形成用樹脂組成物中に含まれる重合性単量体の全量に対する、脂環式構造を有する（メタ）アクリレートの配合量は、上記観点から、好ましくは５２～８７質量％、より好ましくは５５～８５質量％、更に好ましくは６０～８０質量％、より更に好ましくは６５～７７質量％である。脂環式構造を有する（メタ）アクリレートの配合量がこのような範囲であると、緩衝層のせん断貯蔵弾性率（２３℃）を、上述した範囲に調整することがより容易となる。
　また、緩衝層形成用樹脂組成物中の重合性単量体の配合量は、好ましくは３０～８０質量％、より好ましくは４０～７５質量％、更に好ましくは５０～７０質量％、より更に好ましくは５３～６７質量％である。重合性単量体の配合量がこのような範囲にあれば、緩衝層中における重合性単量体が重合してなる部分の運動性が高いために、緩衝層が柔軟となる傾向があり、ｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成することや、せん断貯蔵弾性率が上記範囲に調整された緩衝層を形成することがより容易となる。
　また、同様の観点から、緩衝層形成用樹脂組成物中のウレタン（メタ）アクリレートと重合性単量体との質量比〔ウレタン（メタ）アクリレート／重合性単量体〕は、好ましくは２０／８０～６０／４０、より好ましくは３０／７０～５０／５０、更に好ましくは３５／６５～４５／５５である。
（エネルギー線重合開始剤）
　紫外線等をエネルギー線として使用して、緩衝層形成用樹脂組成物からなる塗膜を硬化させ、緩衝層を形成する場合、緩衝層形成用樹脂組成物には、更にエネルギー線重合開始剤を含むことが好ましい。エネルギー線重合開始剤は、一般的に、「光重合開始剤」ともいうため、本明細書では、以下、単に「光重合開始剤」ともいう。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光重合開始剤、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光重合開始剤の配合量は、ウレタン（メタ）アクリレート及び重合性単量体の合計１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、更に好ましくは０．３～５質量部である。
（その他の添加剤）
　緩衝層形成用樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有させてもよい。
　その他の添加剤としては、例えば、架橋剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。
　これらの添加剤を配合する場合、その他の添加剤の配合量は、ウレタン（メタ）アクリレートびチオール基含有化合物の合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
　なお、緩衝層形成用樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、ウレタン（メタ）アクリレート以外の樹脂成分を含有してもよいが、樹脂成分としてウレタン（メタ）アクリレートのみを含有することが好ましい。
　緩衝層形成用樹脂組成物中に含まれるウレタン（メタ）アクリレート以外の樹脂成分の含有量は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは１質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以下、より更に好ましくは０質量％である
　また、緩衝層は、ｔａｎδが上記範囲に調整された緩衝層を形成することや、せん断貯蔵弾性率が上記範囲に調整された緩衝層を形成することがより容易となる場合には、上記の緩衝層形成用樹脂組成物から形成する以外にも、非反応性のウレタンポリマー又はオリゴマーと、重合性単量体とを含む硬化性組成物の硬化物や、エチレン－α－オレフィン共重合体を用いて形成してもよい。非反応性のウレタンポリマー又はオリゴマーは、公知のものを用いればよく、重合性単量体としては、上述したものと同じものを用いることができる。このような硬化性組成物は、上述したエネルギー線重合開始剤を含有していてもよい。
　エチレン－α－オレフィン共重合体は、エチレンとα－オレフィンモノマーとを重合して得られる。α－オレフィンモノマーとしては、プロピレン、１－ブテン、２－メチル－１－ブテン、２－メチル－１－ペンテン、１－ヘキセン、２，２－ジメチル－１－ブテン、２－メチル－１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテン、１－ヘプテン、３－メチル－１－ヘキセン、２，２－ジメチル－１－ペンテン、３，３－ジメチル－１－ペンテン、２，３－ジメチル－１－ペンテン、３－エチル－１－ペンテン、２，２，３－トリメチル－１－ブテン、１－オクテン、２，２，４－トリメチル－１－オクテンなどが挙げられる。これらのα－オレフィンモノマーは、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、エチレン－α－オレフィン共重合体には、上記モノマー以外に、他の重合性単量体を用いることもできる。他の重合性単量体としては、例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、ビニルケトン等のビニル化合物；アクリル酸、メタクリル酸等の不飽和カルボン酸；アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸－ｎ－プロピル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸－ｎ－プロピル等の不飽和カルボン酸エステル；アクリルアミド、メタクリルアミド等の不飽和カルボン酸アミド等が挙げられる。これらの重合性単量体は、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
［粘着剤層］
　本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、保護膜形成用積層体が有する支持シートに使用される第一粘着剤層は、上記工程（Ａ２）を実施する前までは支持シート状に硬化性樹脂層を保持することができ、上記工程（Ａ２）において、バンプ付きウエハに硬化性樹脂層を貼り付けた状態を維持しながら、支持シートを硬化性樹脂層から剥離して分離することが可能であれば特に制限されない。
　また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法において用いられる、バックグラインドテープに使用される第二粘着剤層は、保護膜が形成されたバンプ付きウエハを固定して保護することが可能であれば特に制限されない。
　第一粘着剤層及び第二粘着剤層を形成する粘着剤は、特に限定されず、従来、バックグラインドテープに用いられてきた種々の粘着剤を使用できる。具体的には、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型、加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いてもよい。
　また、第一粘着剤層及び第二粘着剤層の厚さは、上記のとおりである。
　なお、粘着剤層は、さらに剥離フィルムが貼り合わされて剥離フィルムにより保護されていてもよい。剥離フィルムは、特に限定されず、フィルムや紙等のシートに、剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。
［保護膜形成用積層体の製造方法］
　本発明の一態様で用いる保護膜形成用積層体の製造方法としては、特に制限されず、公知の方法により製造することができる。
　具体的には、例えば、第一支持基材上に第一緩衝層を形成し、その後、第一粘着剤層を形成することにより、支持シートを作製する。そして、剥離材上に樹脂膜形成用組成物（Ｘ）を塗布して硬化性樹脂層を形成し、支持シートの第一粘着剤層と硬化性樹脂層とを貼り合せることにより、保護膜形成用積層体を製造することができる。
　第一支持基材上に第一緩衝層を形成する方法としては、第一支持基材の一方の面に、緩衝層形成用樹脂組成物を塗布し塗布膜を形成した後、硬化処理を行って、第一緩衝層を形成する方法や、剥離材の剥離処理面に、緩衝層形成用樹脂組成物を塗布し塗布膜を形成した後、半硬化処理を行って、剥離材上に半硬化層を形成し、当該半硬化層と第一支持基材とを貼り合わせ、剥離材を除去する前、又は除去した後、半硬化層を完全に硬化させて第一緩衝層を形成させる方法等が挙げられる。
　第一緩衝層上に第一粘着剤層を形成する方法としては、第一緩衝層上に第一粘着剤層を形成するための粘着剤組成物を塗布する方法や、剥離材の剥離処理面に当該粘着剤組成物を塗布し剥離材上に第一粘着剤層を形成し、第一粘着剤層を第一緩衝層と貼り合わせる方法が挙げられる。
　緩衝層形成用樹脂組成物、粘着剤組成物、又は樹脂膜形成用組成物（Ｘ）を、第一支持基材又は剥離材上に、塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
　なお、緩衝層形成用樹脂組成物、粘着剤組成物、又は樹脂膜形成用組成物（Ｘ）が有機溶媒を含む溶液の形態の場合は、これを塗布した後、８０～１５０℃の温度で３０秒～５分間加熱して乾燥処理を行うことが好ましい。なお、樹脂膜形成用組成物（Ｘ）に対して行う当該加熱処理は、本発明の半導体装置の製造方法における硬化性樹脂層の硬化処理には含まれない。
　緩衝層形成用樹脂組成物を塗布し塗布膜を形成した後の硬化処理としては、形成した塗布膜に、紫外線等のエネルギー線を照射して、重合硬化させる方法が好ましい。また、硬化処理は、一度に完全に硬化させてもよいし、複数回に分けて硬化させてもよい。
　エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線等が挙げられ、紫外線が好ましい。
　また、エネルギー線の照射量は、エネルギー線の種類によって適宜変更される。例えば、紫外線を用いる場合、照射する紫外線の照度は、好ましくは５０～５００ｍＷ／ｃｍ２、より好ましくは１００～３４０ｍＷ／ｃｍ２であり、紫外線の照射量は、好ましくは１００～２，５００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１５０～２，０００ｍＪ／ｃｍ２である。
［バックグラインドテープの製造方法］
　本発明の一態様で用いるバックグラインドテープの製造方法としては、特に制限されず、公知の方法により製造することができる。
　具体的には、例えば、保護膜形成用積層体を構成する支持シートの製造方法と同様の方法で、第二支持基材上に第二緩衝層を形成し、その後、第二粘着剤層を形成する方法が挙げられる。
　本発明について、以下の実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［各種物性値の測定方法］
　以下の実施例及び比較例における物性値は、以下の方法により測定した値である。
＜重量平均分子量＞
　ゲル浸透クロマトグラフ装置（東ソー株式会社製、製品名「ＨＬＣ－８０２０」）を用いて、下記の条件下で測定し、標準ポリスチレン換算にて測定した値を用いた。
（測定条件）
・カラム：「ＴＳＫ　ｇｕａｒｄ　ｃｏｌｕｍｎ　ＨＸＬ－Ｌ」「ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｇ２５００ＨＸＬ」「ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｇ２０００ＨＸＬ」「ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｇ１０００ＨＸＬ」（いずれも東ソー株式会社製）を順次連結したもの
・カラム温度：４０℃
・展開溶媒：テトラヒドロフラン
・流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
＜各層の厚さの測定＞
　株式会社テクロック製の定圧厚さ測定器（型番：「ＰＧ－０２Ｊ」、標準規格：ＪＩＳ　Ｋ６７８３、Ｚ１７０２、Ｚ１７０９に準拠）を用いて測定した。
＜ガラス転移温度＞
　後述する重合体成分（ＸＡ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、パーキンエルマー株式会社製示差走査熱量計（ＰＹＲＩＳ　Ｄｉａｍｏｎｄ　ＤＳＣ）を用い、昇降温速度１０℃／分で－７０℃から１５０℃の温度プロファイルでの測定を実施し、変曲点を確認して求めた。
＜エポキシ当量＞
　ＪＩＳ　Ｋ　７２３６：２００９に準拠して測定した。
＜平均粒径＞
　測定対象となる粒子を水中で超音波により分散させ、動的光散乱法式粒度分布測定装置（株式会社堀場製作所製、ＬＢ－５５０）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒径とした。
［樹脂層形成用組成物（Ｘ）の調製］
　以下の実施例及び比較例で使用した保護膜形成用積層体の製造に用いる樹脂層形成用組成物（Ｘ）は、以下の方法により調製した。
＜樹脂層形成用組成物（Ｘ）の調製に用いた成分＞
　樹脂層形成用組成物（Ｘ）の調製に用いた成分を以下に示す。
（重合体成分（ＸＡ））
　下記式（i－１）、下記式（i－２）、及び下記式（i－３）で表される構成単位を有するポリビニルブチラール（積水化学工業株式会社製、エスレック（登録商標）Ｂ　ＢＬ－１０、重量平均分子量２５，０００、ガラス転移温度５９℃、下記式中、ｐは６８～７４モル％、ｑは１～３モル％、ｒは約２８モル％である。）を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
（エポキシ樹脂（ＸＢ１））
　以下の２種のエポキシ樹脂を用いた。
・エポキシ樹脂（ＸＢ１－１）：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）　ＥＸＡ－４８５０－１０００、エポキシ当量４０４～４１２ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂（ＸＢ１－２）：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）　ＨＰ－７２００、エポキシ当量２５４～２６４ｇ／ｅｑ）
（熱硬化剤（ＸＢ２））
　ノボラック型フェノール樹脂（昭和電工株式会社製、ショウノール（登録商標）　ＢＲＧ－５５６）を用いた。
（硬化促進剤（ＸＣ））
　２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、キュアゾール（登録商標）　２ＰＨＺ）を用いた。
（充填材（ＸＤ））
　エポキシ基で修飾された球状シリカ（株式会社アドマテックス製、アドマナノ（登録商標）　ＹＡ０５０Ｃ－ＭＫＫ、平均粒径０．０５μｍ）を用いた。
＜樹脂層形成用組成物（Ｘ）の調製＞
　重合体成分（ＸＡ）、エポキシ樹脂（ＸＢ１－１）、エポキシ樹脂（ＸＢ１－２）、熱硬化剤（ＸＢ２）、硬化促進剤（ＸＣ）、及び充填材（ＸＤ）を、樹脂層形成用組成物（Ｘ）の全量（１００質量％）基準で、下記含有量となるように、メチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、有効成分（固形分）濃度が５５質量％である樹脂層形成用組成物（Ｘ）を調製した。
・重合体成分（ＸＡ）：９．９質量％
・エポキシ樹脂（ＸＢ１－１）：３７．９質量％
・エポキシ樹脂（ＸＢ１－２）：２４．７質量％
・熱硬化剤（ＸＢ２）：１８．３質量％
・硬化促進剤（ＸＣ）：０．２質量％
・充填材（ＸＤ）：９．０質量％
［保護膜形成用積層体の製造］
　以下の実施例及び比較例で使用した保護膜形成用積層体は、以下の方法により製造した。
　まず、シリコーンによる剥離処理が施された剥離処理面を有するポリエチレンテレフタレート製の剥離材（リンテック株式会社製、ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、樹脂層形成用組成物（Ｘ）を塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥させて、熱硬化性樹脂層と剥離材とが積層された積層体を作製した。
　次に、支持シートとして、第一基材（厚さ：１００μｍ）と、第一緩衝層（厚さ：４００μｍ）と、第一粘着剤層（厚さ：１０μｍ）とを、この順で積層してなる貼付テープ（リンテック株式会社製、Ｅ－８５１０ＨＲ）を用い、この貼付テープの第一粘着剤層と、熱硬化性樹脂層と剥離材との積層体の熱硬化性樹脂層とを貼り合せて、支持シート、熱硬化性樹脂層、及び剥離材がこの順に積層された、保護膜形成用積層体を製造した。
［熱硬化性樹脂層の最低せん断粘度評価］
　熱硬化性樹脂層と剥離材とが積層された積層体から剥離材を剥がし、熱硬化性樹脂層を複数枚積層することにより、厚さ５００μｍの熱硬化性樹脂層を形成した。これから直径２５ｍｍ、厚さ５００μｍの円柱形状の評価用試料を作製し、この試料をせん断粘度測定装置に設置した。このとき、測定装置の設置箇所に前記試料を載置して、試料の上面から測定治具を押し当てることで、試料を前記設置箇所に固定して設置した。
　周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／ｍｉｎの測定条件で、常温（２３℃）から１５０℃までのせん断粘度を測定し、このうち９０℃～１３０℃におけるせん断粘度の最小値を求めた。
［実施例１］
（実施例１）
　保護膜形成用積層体から剥離材を取り除き、これにより露出した熱硬化性樹脂層の表面（露出面）を、８インチφバンプ付きウエハのバンプ形成面に圧着させることで、半導体ウエハのバンプ形成面に保護膜形成用積層体を貼付した。このとき、保護膜形成用積層体の貼付は、貼付装置（ローラー式ラミネータ、リンテック株式会社製「ＲＡＤ－３５１０　Ｆ／１２」）を用いて、テーブル温度９０℃、貼付速度２ｍｍ／ｓｅｃ、貼付圧力０．５ＭＰａの条件で、熱硬化性樹脂層を加熱しながら行った。８インチφバンプ付きウエハとしては、バンプの高さが２１０μｍであり、バンプの幅が２５０μｍであり、隣り合うバンプ間の距離が４００μｍである、０．４ｍｍ　ｐｉｃｈ　ＢＧＡの半導体ウエハ（Ｗａｌｔｓ製ＷＬＰＴＥＧ Ｍ２、ウエハ厚さ７００μｍ）を用いた。
　以上により、半導体ウエハのバンプ形成面に、保護膜形成用積層体が貼付されて構成された、積層構造体を得た。
　次いで、紫外線照射を行い、保護膜形成用積層体の支持シートを剥離してから（リンテック株式会社製、ＲＡＤ－２７００）、熱硬化性樹脂層が貼付されたバンプ付きウエハを加圧オーブン（リンテック株式会社製　ＲＡＤ－９１００）にて、温度：１３０℃、時間：２ｈ、炉内圧力：０．５ＭＰａの加熱条件で熱処理して、熱硬化性樹脂層を熱硬化させ、保護膜を形成した。
　そして、保護膜形成面に、バックグラインドテープとして、リンテック社製、Ｅ－８５１０ＨＲを貼付した後、裏面研削を行ってウエハ厚さを２００μｍとしてから、バックグラインドテープを剥がし、ウエハの反りを目視で確認した。
　その結果、ウエハの反りは殆ど見られなかった。
　また、保護膜形成後、デジタル顕微鏡にてバンプ面を走査した結果、ウエハのバンプ形成面が露出したピンホール等の点は検出されず、ハジキも生じていないことが明らかとなった。また、熱硬化性樹脂層の最低せん断粘度は２，７００Ｐａ・ｓであった。
１０　バンプを備える半導体ウエハ
１１　半導体ウエハ
１１ａ　バンプ形成面
１１ｂ　裏面
１２　バンプ
２０　硬化性樹脂層
３０　保護膜形成用積層体
３０ａ　支持シート
４０　保護膜
５０　バックグラインドテープ
６１　分割起点（溝）
７１　分割起点（改質領域）
 
 

Claims (7)

  1. 　下記工程（Ａ）～（Ｅ）をこの順で含む、半導体装置の製造方法。
    （Ａ）バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂層を形成する工程
    （Ｂ）前記硬化性樹脂層を硬化させて、保護膜を形成する工程
    （Ｃ）前記バンプを備える半導体ウエハの前記保護膜の形成面に、バックグラインドテープを貼付する工程
    （Ｄ）前記バックグラインドテープを貼付した状態で、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面とは反対面の研削を行う工程
    （Ｅ）前記研削後の前記バンプを備える半導体ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程
  2. 　前記工程（Ａ）が、下記工程（Ａ１）及び（Ａ２）をこの順で含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
    （Ａ１）前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、支持シートと硬化性樹脂層とが積層された積層構造を有する保護膜形成用積層体を、前記硬化性樹脂層を貼付面として貼付する工程
    （Ａ２）前記支持シートを前記保護膜形成用積層体から剥離して、前記バンプを備える半導体ウエハの前記バンプ形成面に、前記硬化性樹脂層を形成する工程
  3. 　前記硬化性樹脂層が、熱硬化性樹脂層である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記工程（Ａ）で用いる前記半導体ウエハの厚さが、３００μｍ以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記工程（Ａ）の前、前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間、前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間、及び前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）との間のいずれかにおいて、前記バンプを備える半導体ウエハを個片化するための分割起点を形成する、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間、及び前記工程（Ｅ）の後のいずれかにおいて、前記バンプの頂部を覆う前記保護膜又は前記バンプの頂部の一部に付着した前記保護膜を除去して、前記バンプの頂部を露出させる露出処理を行う、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記露出処理が、プラズマエッチング処理である、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
     
     
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