JP2002016022A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハからチップを切り出す工程におい
て、薄いウェーハが割れたり、欠けたりすることの少な
い半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 バンプ２を形成したウェーハ１表面にバ
ンプを被覆するように樹脂封止し、この封止樹脂３をバ
ンプが露出するまで研削し、封止樹脂が形成されている
面側から完成時のチップの厚さより深くダイシングして
ダイシング溝１１を形成し、ダイシングされたウェーハ
裏面を砥石１２で研削してこのウェーハを個々のチップ
７に分離する。先にウェーハ上に樹脂封止を施してか
ら、ウェーハに所定の深さまでダイシングを行い、その
後ダイシングされた部分まで裏面研削を行ってウェーハ
をチップ毎に分離する方法を適用しているので諸工程中
に、例えば、５０μｍまで研削されて薄くなったウェー
ハが割れたり、欠けたりする不良を十分防ぐことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、とくに半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）に
接続用突起電極（以下、バンプという）を形成し、接続
端子がボール状であるＢＧＡ（Ball Grid Array ）又は
接続端子がランド状であるＬＧＡ（Land Grid Array ）
タイプの半導体パッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置は、ＢＧＡタイプもし
くはＬＧＡタイプの半導体パッケージが知られている。
ＢＧＡ及びＬＧＡは、外部電極（接続端子）がボール又
はランド形状の半導体パッケージである。図７は、従来
のＢＧＡタイプもしくはＬＧＡタイプの半導体装置を示
す断面図である。図７（ａ）に示すＬＧＡタイプの半導
体装置において、（半導体装置の配線基板として用いら
れるポリイミドテープ１００であり、表面にＣｕなどの
配線（図示しない）が施されている。ポリイミドテープ
１００の裏面には表面の配線と電気的に接続された接続
端子であるＣｕなどのランド１０４が複数個形成されて
いる。ポリイミドテープ１００の表面上にはシリコンな
どのチップ１０７が搭載され、その表面の配線は、半導
体チップ（以下、チップという）１０７に取り付けられ
ている複数の接続端子である突起電極（バンプ）１０２
が接合されている。そして、ポリイミドテープ１００の
表面とチップ１０７との間にはエポキシ樹脂などの樹脂
封止体１０３が充填されている。図７（ｂ）に示すＢＧ
Ａタイプの半導体装置は、ポリイミドテープ１００の表
面及びチップ１０７の構造が図７（ａ）の構造と同じで
ある。ポリイミドテープ１００の裏面には表面の配線と
電気的に接続されたＣｕなどのランド１０５が複数個形
成され、その上には、はんだなどのボール１０６が接続
端子として形成されている。

【０００３】ＢＧＡ及びＬＧＡは、一般にＸ−ＢＧＡ
（Ｙ）及びＸ−ＬＧＡ（Ｙ）と表わされている（但し、
Ｘは、基板材料を表わし、Ｙは、チップと基板との接続
方法を表わす）。基板材料Ｘは、プラスチックス
（Ｐ）、セラミックス（Ｃ）、ＴＡＢ(Tape Automated
Bonding)テープ（Ｔ）、金属（Ｍ）などがある。接続方
法Ｙは、ワイヤボンディング（ＷＢ）方式、ＴＡＢ方
式、フリップチップ（ＦＣ）方式などがある。本発明
は、Ｐ−ＢＧＡ（ＦＣ）及びＰ−ＬＧＡ（ＦＣ）に関す
るものであり、図７に示されるＰ−ＢＧＡ（ＦＣ）及び
Ｐ−ＬＧＡ（ＦＣ）を図８の製造工程断面図を用いて従
来技術を説明する。まず、半導体素子が作り込まれたシ
リコンなどのウェーハ１０１主面に半導体素子と電気的
に接続されるＡｕなどの突起電極（バンプ）１０２を形
成する（図８（ａ））。バンプ１０２は、ウェーハ１０
１主面に形成されたＡｌパッド（図示しない）上に形成
される。ウェーハにバンプを形成する方法には、大きく
分けて、ボールバンプやワイヤバンプなどと呼ばれるス
タッドバンプ、メッキバンプなどとも呼ばれるウェーハ
バンプ、スクリーン印刷による方法など３つの方法が知
られており、本発明は、上記どの方法により形成された
バンプにも適用することができる。

【０００４】スタッドバンプは、通常のワイヤボンディ
ングと同じ方法で形成される。ウェーハに形成された半
導体素子のＡｌなどの接続電極（パッド）にＡｕなどの
ワイヤを接続し、接続したワイヤをパッドに近い部分で
切断して、これをバンプとする。ウェーハバンプは、電
気メッキにより形成される。ウェーハ全面にバリアメタ
ル（例えば、Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ＝０．０５μｍ／０．３
μｍ／０．１μｍ、Ｔｉが下層、Ｐｄが上層）を蒸着す
る。次に、フォトレジストをウェーハに塗布し、バンプ
を形成する箇所のフォトレジストを露光し、現像して開
口する。次に、バリアメタルを一方の電極（カソードも
しくは陰極）として、他方の電極（アノードもしくは陽
極）から印加する。そして、電気メッキにより、例え
ば、５０μｍ厚のＳｎ−Ｐｂバンプを形成する。バリア
メタルは、電極形成の目的以外にバンプ材料とパッド材
料との期待しない合金層の形成を阻害すると共に両材料
の密着性を向上させる中間層として用いられる。

【０００５】スクリーン印刷法によるバンプは、バンプ
を形成する部分を開口したスクリーンマスクと、ウェー
ハの位置合せをし、且つゴムなどを材料とするスキージ
を用いて、バリアメタルペースト及びはんだペーストを
このスクリーンマスクを通してウェーハに印刷する。ス
クリーンマスクは、Ａｌなどを材料とするスクリーン版
枠と、例えば、ステンシル、リン青銅、ニッケルなどの
マスクとから構成され、スクリーンマスク版枠で位置を
合せをされてウェーハに固定される。この状態でペース
トは、スクリーンマスクを用いて印刷される。次に、ウ
ェーハを半導体素子毎にウェーハの厚さ方向の途中まで
ダイシングする（図８（ｂ））。ダイシングは、ウェー
ハから半導体素子を個々に分離してチップを形成する工
程である。このダイシングの際には、ウェーハ裏面をウ
ェーハシート（図示しない）に固定し、ダイヤモンドブ
レード（図示しない）を高速回転させてウェーハに形成
された半導体素子間にあるダイシングライン（図示しな
い）を切削する。ブレードは、ダイヤモンド砥粒をセラ
ミックプレートに電着させて形成させた構成を有してい
る。

【０００６】次に、ウェーハの裏面を研削してウェーハ
１０１を個々の半導体素子が作り込まれたチップ１０７
に分離する（図８（ｃ））。ウェーハ１０１の最初の厚
さが、例えば、６５０μｍ、ウェーハ１０１から分離し
たチップ１０７の厚さが、例えば、５０μｍである。次
に、配線基板であるポリイミドテープ１００にチップ１
０７を搭載する（図８（ｄ））。チップ１０７上のバン
プ１０２は、チップ１０７の主面に形成されたＡｌなど
の接続電極であるパッド（図示しない）の上に取り付け
られている。バンプ１０２は、例えば、共晶はんだ（Ｓ
ｎ／Ｐｂ＝６３ｗｔ％／３７ｗｔ％）からなるものであ
る。このチップ上のバンプ１０２と、ポリイミドテープ
１００に形成されたＣｕなどの配線（図示しない）上の
共晶はんだ配線とを、活性化のためにフラックスを塗布
した後に、位置合せを行い、リフローで共晶はんだを溶
融してバンプ１０２を配線に接続する。フラックスは、
超音波洗浄などで洗浄除去する。この接続は、一般にフ
リップチップ接続という。

【０００７】次に、ポリイミドテープ１００とチップ１
０７との間に樹脂封止（アンダーフィル樹脂封止体）１
０３を行ってバンプ１０２を保護する（図８（ｅ））。
エポキシ樹脂などの樹脂を充填するプロセスは、通常の
樹脂塗布と同じディスペンス法を用いる。ディスペンス
法は、制御装置（ディスペンサ）でエポキシ樹脂などの
樹脂を充填する可動装置（シリンジ）を制御する。そし
て、シリンジの先端に管（ノズル）があり、ノズルから
樹脂が充填される。次に、充填された樹脂を硬化させる
ために、例えば、１５０℃、１時間の条件でキュアす
る。この工程をアンダーフィルといい、充填された樹脂
をアンダーフィル樹脂という。

【０００８】次に、ポリイミドテープ１００を所定の形
状に切断してチップ１０７を単体化した状態に分離す
る。単体化した状態で半導体装置とする場合は、ＬＧＡ
パッケージとなり（図７（ａ））、ポリイミドテープ１
００から切り出した配線基板の裏面のボール接続位置
に、接続電極であるパッドを構成し、パッド部にフラッ
クスを介してパッド上に共晶はんだボール（接続端子）
を接着する場合は、ＢＧＡパッケージとなる（図７
（ｂ））。ＢＧＡパッケージにおいて前記はんだボール
を接着させる工程をボール搭載工程という。以上の半導
体装置の製造方法は、ウェーハからチップを切り出す際
に、まずウェーハに所定の深さまでダイシングを行い、
その後ダイシングされた部分まで裏面研削を行って、ウ
ェーハをチップ毎に分離する従来の技術である（特開平
１１−４０５２０号参照）。

【０００９】次に、図９を参照してこの従来技術による
ウェーハをチップに加工する工程を説明する。まず、最
初の厚さが、例えば、略６５０μｍであるシリコンなど
のウェーハ１０１を準備する（図９（ａ））。次に、ウ
ェーハ１０１の裏面をウェーハシート（図示しない）に
固定してダイヤモンドブレード（図示しない）を高速回
転させてウェーハ１０１のチップ間にあるダイシングラ
イン（図示しない）を主面から略１００μｍの深さまで
切削してダイシング溝１０９を形成する（図９
（ｂ））。次に、ウェーハ１０１をウェーハシートから
剥がして、今度はウェーハ主面に表面保護テープ（図示
しない）を貼り付け、ウェーハ裏面を高速回転する砥石
を用いるグラインディング法により研削してウェーハ厚
さを略１２０μｍにする（図９（ｃ））。さらに、ウェ
ーハ裏面を同じく高速回転する砥石を用いるグラインデ
ィング法により研削してウェーハ厚さを略５０μｍにす
る。ダイシング溝１０９が深さ略１００μｍなので、こ
の研削によってウェーハ１０１は、個々のチップに分離
される（図９（ｄ））。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術で
は、シリコンなどのウェーハを５０μｍにまで薄くした
後に、配線基板接続（図８（ｄ））、アンダーフィル
（図８（ｅ））、チップの単体化（図９（ｄ））、ボー
ル搭載（ＢＧＡの場合）と数多くの工程を必要とし、薄
いウェーハが割れたり、欠けたりする不良が多発した。
さらに、通常はウェーハの主表面と裏面に形成される材
料が異なり、したがって、熱膨張係数も異なるので、ウ
ェーハの反りが発生し、結果として、割れ、欠け、歩留
まり低下などが起こるという問題が発生している。本発
明はこのような事情によりなされたものであり、ウェー
ハからチップを切り出す工程において、薄いウェーハが
割れたり、欠けたりすることの少ない半導体装置の製造
方法を提供する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、接続用突起電
極（バンプ）を形成したウェーハ表面にバンプを被覆す
るように樹脂封止し、この封止樹脂をバンプが露出する
まで研削し、封止樹脂が形成されている面側から完成時
のチップの厚さより深くダイシングし、ダイシングされ
たウェーハ裏面を研削してこのウェーハを個々のチップ
に分離することを特徴としている。先にウェーハ上に樹
脂封止を施してから、前述のウェーハに所定の深さまで
ダイシングを行い、その後ダイシングされた部分まで裏
面研削を行ってウェーハをチップ毎に分離する方法を適
用しているので、諸工程中に、例えば、５０μｍまで研
削されて薄くなったウェーハが割れたり、欠けたりする
不良を十分防ぐことができる。

【００１２】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、半導体素子が形成された半導体ウェーハ主面に接続
用突起電極を形成する工程と、前記半導体ウェーハ主面
上に前記突起電極を被覆するように樹脂封止体を形成す
る工程と、前記樹脂封止体の表面を前記突起電極が露出
するまで研削する工程と、前記半導体素子が形成された
半導体ウェーハのダイシングラインに沿って、前記樹脂
封止体が形成されている主面側から完成時の半導体チッ
プの厚さより深い溝を形成する工程と、前記半導体ウェ
ーハの裏面を前記完成時の半導体チップの厚さまで研削
してこの半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離す
る工程とを具備することを特徴としている。前記半導体
ウェーハの前記樹脂封止体が形成されている主面上に保
持部材を貼り付け、この状態で、前記半導体ウェーハの
裏面を研削するようにしても良い。前記樹脂封止体の表
面を研削する工程及び前記半導体ウェーハの裏面を研削
する工程を実施する前に前記半導体ウェーハに前記溝を
形成する工程を実施するようにしても良い。前記樹脂封
止体の表面を研削する工程の後に前記半導体ウェーハに
前記溝を形成する工程を実施するようにしても良い。前
記樹脂封止体の表面の研削をグラインディング法、ＣＭ
Ｐ法、化学的エッチングのいずれかの方法で行うように
しても良い。前記樹脂封止体は、モールド法もしくはポ
ッティング法により形成するようにしても良い。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図３を参照して実施
例を説明する。図１乃至図３は、半導体装置（Ｐ−ＢＧ
Ａ（ＦＣ）及びＰ−ＬＧＡ（ＦＣ））を製造する工程を
説明する製造工程断面図である。まず、半導体素子が作
り込まれたシリコンなどのウェーハ１主面に半導体素子
と電気的に接続されるＡｕなどの突起電極（バンプ）２
を形成する（図１（ａ））。ウェーハにバンプを形成す
る方法には、前述したボールバンプやワイヤバンプなど
と呼ばれるスタッドバンプ、メッキバンプ、スクリーン
印刷によるなどの方法を適用することができる。

【００１４】次に、ウェーハの半導体素子が形成され、
バンプ２が形成された主面にエポキシ樹脂などの樹脂封
止体３を形成して表面に露出しているバンプ２を被覆す
る（図１（ｂ））。樹脂封止体を形成する樹脂封止の方
法にはモールド法もしくはポッティング法などを用い
る。まず、モールド装置を用いるモールド法において、
バンプを形成したウェーハを上型と下型から構成された
モールド金型に設置する。ウェーハをモールド金型の上
下金型で固定し、モールド金型内の樹脂タブレットをプ
ランジャで加圧し、順次モールド金型に樹脂を注入し成
形する。モールド装置に搭載されているモールド金型
は、モールド装置の熱板により１７０℃〜１８０℃程度
の高温に保たれている。したがって、モールド樹脂は、
モールド金型の樹脂流路と接する部分から溶融する。モ
ールド装置側に取り付けられたプランジャが動作し、ポ
ット内の樹脂は、流路であるランナー、ゲートを通過し
てウェーハに注入される。さらに、完全に硬化させるた
めにオーブンで１７０℃〜１８０℃程度で８時間ほどキ
ュアする。

【００１５】ポッティング法にはウェーハを回転させる
方法と回転させない方法とがある。ウェーハを回転させ
ない方法は、ウェーハの周辺にシート状の物質に囲まれ
た領域に液状樹脂を滴下しキュアによって硬化させる。
ウェーハを回転させる方法は、ウェーハの中心部に液状
樹脂を塗布し、ウェーハを回転させる。遠心力によって
液状樹脂は、ウェーハ中心から周辺に拡散し、均一な厚
さになる。この厚さは液状樹脂の粘度を調整することに
よって制御する。さらに液状樹脂をプリキュアで半硬化
させ、その後オーブンで完全に硬化させる。次に、樹脂
封止体を平坦に研削してバンプの上面を露出させるモー
ルド研削を行う（図１（ｃ））。通常のウェーハの裏面
研削と同様に、高速回転する砥石８を用いるグラインデ
ィング法により研削する。そして、バンプ２が露出する
まで樹脂封止体３の表面を研削する。樹脂封止したウェ
ーハ表面を研削する方法はグラインディング法以外に化
学的エッチング、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishi
ng) などを用いることができる。

【００１６】次に、ウェーハの樹脂封止体が形成されて
いる主面側から完成時の半導体素子を構成するチップの
厚さより深い溝を形成する（図２（ａ））。ウェーハ１
は、ダイヤモンドブレード９を高速回転させてウェーハ
１のチップ間にあるダイシングライン（図示しない）を
主面から略１００μｍの深さまで切削してダイシング溝
１１を形成する。次に、ウェーハを反転させる（図２
（ｂ））。ウェーハ１は、裏面研削を行うためにウェー
ハ反転を行う。次に、ウェーハの裏面研削を行う（図３
（ａ））。ウェーハ１の裏面を高速回転する砥石１２を
用いるグラインディング法により研削してウェーハ厚さ
を略１２０μｍにする。さらに、このウェーハ裏面を高
速回転する砥石１２により研削してウェーハ厚さを略５
０μｍにする。ダイシング溝１１が深さ略１００μｍな
ので、この研削によってウェーハ１は、個々のチップ７
に分離される。次に、ウェーハは切断されてチップに分
離される（図３（ｂ））。このバンプ２を有し、樹脂封
止体３で保護されたチップ７は、配線基板用のポリイミ
ドテープ１０に搭載され、接続端子を取り付けられて半
導体装置を構成する。

【００１７】図３（ｃ）は、本発明のＢＧＡタイプもし
くはＬＧＡタイプの半導体装置を示す断面図である。Ｌ
ＧＡタイプの半導体装置において、配線基板として用い
られ、表面にＣｕなどの配線（図示しない）が施されて
いるポリイミドテープ１０にチップ７が搭載される。ポ
リイミドテープ１０の裏面には表面の配線と電気的に接
続された接続端子であるＣｕなどのパッド（図示しな
い）が複数個形成されている。ポリイミドテープ１０の
表面上の配線は、チップ７に取り付けられている複数の
接続端子であるバンプ２が接合されている。そして、ポ
リイミドテープ１０の表面とチップ７との間にはエポキ
シ樹脂などの樹脂封止体３が充填されている。ＢＧＡタ
イプの半導体装置は、ポリイミドテープ１０の表面及び
チップ７の構造がＬＧＡと同じである。ポリイミドテー
プ１０の裏面には表面の配線と電気的に接続されたＣｕ
などのランド（図示しない）が複数個形成され、その上
には共晶はんだなどのボール６が接続端子として形成さ
れている。

【００１８】次に、図４を参照して本発明の詳細なプロ
セスフローを説明する。 まず、半導体素子が作り込
まれたシリコンなどのウェーハ主面に半導体素子と電気
的に接続されるＡｕなどのバンプを形成する。 ウェ
ーハの半導体素子が形成され、バンプが形成された主面
にエポキシ樹脂などの樹脂封止体を形成して表面に露出
しているバンプを被覆する。 ウェーハ裏面に保護テ
ープを貼って後工程による影響からウェーハを防止す
る。 図１（ｃ）に示すように樹脂封止体を平坦に研
削してバンプの上面を露出させる。これによりバンプは
回路基板に電気的接続が可能になるとともにバンプ間に
樹脂を充填させることができる。 続いて、図２
（ａ）に示すようにウェーハの樹脂封止体が形成されて
いる主面側からダイシングラインに沿って完成時の半導
体素子を構成するチップの厚さより深いダイシング溝を
形成する。 ダイシング溝を形成してから、ウェーハ
裏面の保護テープを剥がして、今度はウェーハ主面に保
護テープを貼り付ける。この保護テープは、バンプを保
護すると共に半導体素子を単体化した後のチップを保持
するために形成される。

【００１９】次に、 図３（ａ）に示すように主面に
保護テープを貼った状態でウェーハの裏面研削を行う。
ウェーハ主面からダイシング溝の底が表われるまで研削
し、さらに研削を続けてウェーハ厚さを略５０μｍ程度
にする。ここまで研削すると、ダイシング溝が形成され
ているので、ウェーハは個々のチップに分離される。
裏面研削後、ダイシングされたウェーハは支持体に裏
面を下にして載置され、主面に被覆されていた保護テー
プが剥がされる。 このようにしてウェーハは、チッ
プ毎に単体化され、各チップは、配線基板に搭載され
て、図３（ｃ）に示すようにＬＧＡもしくはＢＧＡタイ
プの半導体装置が形成される。

【００２０】次に、図１（ｃ）及び図３（ａ）に示す研
削工程を研削装置を図示しながら詳細に説明する。図５
及び図６は、研削装置の断面図である。図１（ｃ）及び
図３（ａ）の研削工程は、これらの研削装置のいずれか
を用いる。上記研削工程のいずれも同じ研削装置を用い
ても良いし、互いに異なっていても良い。図５の研削装
置は、砥石及びウェーハをそれぞれ回転させながら研削
するインフィールド研削方式に適用される。フラットリ
ング２５をポリイミドフィルムなどの表面保護テープ２
６に貼り付けてこのテープ２６の弛みや皺を除去した状
態で、樹脂封止体が施され、ダイシング溝２２が形成さ
れたシリコンなどのウェーハ２１のパターン形成面３０
を表面保護テープ２６の接着剤側に貼り付けて固定す
る。その後、フラットリング２５と表面保護テープ２６
とで保持されたウェーハ２１を、チャックテーブル２７
にバキューム等の方法で吸着固定する。そして、チャッ
クテーブル２７と研磨用砥石２８を回転させ、回転する
砥石２８を降下させながらウェーハ２１の裏面を削る。
一般にこの研磨方法はインフィード研削と呼ばれるもの
である。ウェーハ２１の裏面をダイシング溝２２に達す
るまで削るとウェーハ２１は個々のチップに分割され
る。

【００２１】ウェーハ２１が個々のチップに分割された
後も研削及び研磨を続け、少なくとも５μｍ以上研削及
び研磨する。これによって、ダイシングによって形成さ
れた面と研削及び研磨によって形成された面とが交わる
部分にチッピングが発生しても、この領域を研削及び研
磨によって除去できる。研削及び研磨する量を増加させ
れば、より大きなチッピングを除去できるが、この研削
及び研磨量はウェーハ２１の厚さや完成時のチップの厚
さ等必要に応じて設定すればよい。

【００２２】図６の研削装置は、フラットリング２５′
を表面保護テープ２６′に貼り付けてこの表面保護テー
プ２６′の弛みや皺を除去した状態でシリコンなどのウ
ェーハ２１′のパターン形成面３０′とは反対側の裏面
を表面保護テープ２６′の接着剤側に貼り付けて固定す
る。その後フラットリング２５′と表面保護テープ２
６′とで保持されたウェーハ２１′をチャックテーブル
２７′にバキューム等の方法で吸着固定する。そして、
研磨用砥石２８′を回転させ、回転する砥石２８′を降
下させながらウェーハ２１′の樹脂封止体が施されたシ
リコンなどのウェーハ２１′の樹脂封止体２９の表面を
削ってバンプを露出させる。一般に、この研磨方法は、
スルーフィード研削またはクリープフィード研削と呼ば
れている。その後、ウェーハ２１′に対してダイシン
グ、裏面研削を施してウェーハ２１′を個々のチップに
分割する。

【００２３】

【発明の効果】本発明は、以上の構成により、薄いウェ
ーハに半導体素子を作り込んでからチップを個片に分離
する工程中において、ウェーハが割れたり欠けたりする
不良を十分防止することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＰ−ＢＧＡ（ＦＣ）を製造する工程断
面図。

【図２】本発明のＰ−ＢＧＡ（ＦＣ）を製造する工程断
面図。

【図３】本発明のＰ−ＢＧＡ（ＦＣ）を製造する工程断
面図。

【図４】本発明の半導体装置を製造するプロセスフロー
図。

【図５】本発明の半導体装置を製造する研削装置の概略
断面図。

【図６】本発明の半導体装置を製造する研削装置の概略
断面図。

【図７】従来の半導体装置の断面図。

【図８】従来のＰ−ＢＧＡ（ＦＣ）を製造する工程断面
図。

【図９】従来のダイシングと裏面研削を説明する概略工
程断面図。

【符号の説明】

１、２１、２１′、１０１・・・ウェーハ、 ２、１
０２・・・バンプ、３、２９、１０３・・・樹脂封止
体、 ６、１０６・・・はんだボール、７、１０７・
・・チップ、 ８、１２、２８、２８′・・・砥石、
９・・・ダイヤモンドブレード、 １０、１１０・・・
ポリイミドテープ、１１、２２・・・ダイシング溝、
２５、２５′・・・フラットリング、２６、２６′・
・・表面保護テープ、２７、２７′・・・チャックテー
ブル、３０、３０′・・・パターン形成面、 １０
４、１０５・・・ランド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高野 晃成 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 土肥 雅之 三重県四日市市山之一色町800番地 株式 会社東芝四日市工場内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 CA05 CA21 CB02 CB13

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子が形成された半導体ウェーハ
   主面に接続用突起電極を形成する工程と、 前記半導体ウェーハ主面上に前記突起電極を被覆するよ
   うに樹脂封止体を形成する工程と、 前記樹脂封止体の表面を前記突起電極が露出するまで研
   削する工程と、 前記半導体素子が形成された半導体ウェーハのダイシン
   グラインに沿って、前記樹脂封止体が形成されている主
   面側から完成時の半導体チップの厚さより深い溝を形成
   する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面を前記完成時の半導体チップ
   の厚さまで研削してこの半導体ウェーハを個々の半導体
   チップに分離する工程とを具備することを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記半導体ウェーハの前記樹脂封止体が
   形成されている主面上に保持部材を貼り付け、この状態
   で、前記半導体ウェーハの裏面を研削することを特徴と
   する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記樹脂封止体の表面を研削する工程及
   び前記半導体ウェーハの裏面を研削する工程を実施する
   前に前記半導体ウェーハに前記溝を形成する工程を実施
   することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半
   導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記樹脂封止体の表面を研削する工程の
   後に前記半導体ウェーハに前記溝を形成する工程を実施
   することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半
   導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記樹脂封止体の表面の研削をグライン
   ディング法、ＣＭＰ法、化学的エッチングのいずれかの
   方法で行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
   ずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記樹脂封止体は、モールド法もしくは
   ポッティング法により形成することを特徴とする請求項
   １乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方
   法。