JP2004031639A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイシングにより樹脂封止体15を半導体チップごとに切断する前に、紫外線を照射することにより、ダイシングテープ16と樹脂封止体15との間の紫外線硬化型接着剤17を硬化させる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、封止工程の後、樹脂封止体を半導体チップごとに切断するダイシング工程に主眼をおいた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、複数の半導体チップをリードフレームに搭載した後、封止樹脂で封止された樹脂封止体が、半導体チップごとに個片に分割された後、製品として出荷されていた。
【0003】
ところが最近になって、封止工程において、半導体チップごとに封止樹脂で封止した後、突出したリードを切断加工するよりも、リードフレームに搭載された複数の半導体チップを一括して封止樹脂により封止した後、半導体チップごとに切断して分割する方法が採用されている。
【0004】
そして、封止樹脂で封止された複数の半導体チップを分割する工程において、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面をダイシングテープに貼り付け、ダイシングブレードに冷却水を供給しながら、樹脂封止体側から切断していた。その後、半導体チップごとに分離された樹脂封止体とダイシングテープとの粘着力を低下させるため、紫外線を樹脂封止体側から照射した後、樹脂封止体をダイシングテープから分離していた。
【0005】
次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるダイシング工程について、図面を参照しながら説明する。
【0006】
図15は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す図である。
【0007】
図15(a)に示すように、複数の半導体チップ(図示せず)が封止樹脂1で封止された第1の樹脂封止体2のリードフレーム3側から回転するダイシングブレード4を接触させ、第1の樹脂封止体2を半導体チップごとに切断する。
【0008】
次に、図15(b)に示すように、第1の樹脂封止体2および第2の樹脂封止体5の表面はダイシングテープ6で固定されているが、ダイシングテープ6表面の接着剤7にダイシングブレードが接すると、接着剤7が回転するダイシングブレードに連動して飛散し、第1の樹脂封止体2の隣りの第2の樹脂封止体5の表面に付着する。
【0009】
次に、図15(c)に示すように、第2の樹脂封止体5をダイシングブレード4により半導体チップごとに切断する。
【0010】
なお、図15(d)に示すように、第2の樹脂封止体5のリードフレームには接着剤8が付着した状態となっている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、封止樹脂で封止された複数の半導体チップを個片に分割する工程において、ダイシングブレードがダイシングテープの接着剤に達して回転するために、ダイシングテープの接着剤がダイシングブレードの回転方向に飛び散り、飛び散った接着剤が樹脂封止体の表面やリード(外部端子)に付着して、外部端子の表面における電気的接続不良などの不具合が発生していた。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に貼り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープ側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程とからなる。
【0013】
これにより、ダイシング時の回転するダイシングブレードが、封止テープ表面に形成された紫外線硬化型接着剤に接しても、紫外線硬化型接着剤がすでに硬化しているので、回転するダイシングブレードにより紫外線硬化型接着剤が巻き上げられることがなく、リード表面等における安定した電気的接続を確保することができる。
【0014】
また、ダイシングテープは紫外線が透過する材料からなる。
【0015】
これにより、紫外線がダイシングテープを透過して、ダイシングテープ表面に形成された紫外線硬化型接着剤を硬化させることができる。
【0016】
また、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程の後、ダイシングテープ側からさらに紫外線を照射して、前記樹脂封止体と封止テープとの間の紫外線硬化型接着剤の接着力を低下させる工程を設ける。
【0017】
これにより、半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体を封止テープから容易に剥がすことができる。
【0018】
また、ダイシングテープの基材は、ポリオレフィンまたはポリエステルを主成分とする樹脂である。
【0019】
また、ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤は、アクリルまたはシリコンまたはフェノールまたはエポキシを主成分とする。
【0020】
また、紫外線硬化型接着剤の厚みは20[μm]〜30[μm]である。
【0021】
また、リードフレームの底面側からダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、ダイシングブレードの前記リードフレームにおける切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と同一方向であり、前記ダイシングブレードの進行方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されている。
【0022】
また、樹脂封止体またはダイシングブレードを180度回転させ、別の樹脂封止体を切断する工程を設ける。
【0023】
これにより、仮に、ダイシングブレードの回転運動によって、封止テープ表面の紫外線硬化型接着剤が巻き上げられても、紫外線硬化型接着剤が樹脂封止体およびその周囲のリードに付着することがない。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、初めに製造方法全体の概略について説明し、その後、本実施形態の特徴的部分について詳細に説明する。
【0025】
図1および図2は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の各工程を示す断面図である。
【0026】
まず、図1(a)に示すように、封止テープ9が裏面に貼り付けられたリードフレーム10を用意し、リードフレーム10のダイパッド(図示せず)に半導体チップ11の裏面を接着し、半導体チップ11の電極12とリードフレーム10のリード(図示せず)とを金属細線13により電気的に接続する。
【0027】
次に、図1(b)に示すように、半導体チップ11、金属細線13およびリードの表面を熱硬化性のエポキシ樹脂からなる封止樹脂14により封止する。
【0028】
次に、図1(c)に示すように、リードフレーム10の裏面から封止テープ9を剥がす。
【0029】
次に、図2(a)に示すように、半導体チップ11および金属細線13が封止樹脂14により封止された樹脂封止体15の表面にダイシングテープ16を貼り付ける。ダイシングテープ16の周囲はリングフレーム31により固定されている。
【0030】
次に、図2(b)に示すように、回転するダイシングブレード(図示せず)をリードフレーム10の底面側から接触させ、樹脂封止体15を切断して、半導体チップ11ごとに分割する。
【0031】
次に、図2(c)に示すように、ダイシングテープ16側から紫外線を照射して、ダイシングテープ16表面に形成されている、すなわち、ダイシングテープ16と樹脂封止体15との間の紫外線硬化型接着剤17を硬化させる。
【0032】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の特徴は、ダイシングブレードでリードフレームおよび樹脂封止体を切断する前に、ダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤を硬化させることにより、回転するダイシングブレードがダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤に接しても、紫外線硬化型接着剤が飛散することを抑制し、別の樹脂封止体およびその周囲のリード等に紫外線硬化型接着剤が付着することがなくなり、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装した際に、安定した電気的接続を確保することができる。
【0033】
次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【0034】
まず、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームの一実施形態について説明する。
【0035】
図3は、本実施形態のリードフレームを示す平面図である。
【0036】
図3に示すように、リードフレーム10の短手方向の両端に複数の位置決め穴(丸穴または長穴)18を有し、位置決め穴18の内側領域に樹脂封止領域19が存在する。そして、本実施形態のリードフレーム10は、半導体チップを搭載するためのダイパッド20と、ダイパッド20の周囲に配置されたリード21と、少なくともリード21の底面に貼り付いた封止テープ(図示せず)とからなる構成を一単位として、ダイパッド20が複数配置されている。なお、破線で示した樹脂封止領域19は、半導体チップを搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示している。
【0037】
また、本実施形態のリードフレーム10は、銅(Cu)材よりなり、リードフレーム10の表面には、パラジウム(Pd)めっき、具体的には、ニッケル(Ni)めっき層、パラジウム(Pd)めっき層、金(Au)めっき層の3層でめっき層を構成し、または、錫−銀(Sn−Ag)、錫−ビスマス(Sn−Bi)等のはんだめっきが部分的に施されているものからなる。リードフレーム10に施されるめっきの厚みはAuめっき、Pdめっきでは1[μm]以下、Agめっきで数[μm]以下である。
【0038】
そして、本実施形態のリードフレーム10のサイズは、短手方向が30〜80[mm]、長手方向が50〜260[mm]、厚みが0.1〜0.4[mm]の範囲で使用される。またリードフレーム10の材質はFe Ni材やCu合金などが使用される。配列される樹脂封止型半導体装置のサイズは3.0×3.0[mm]〜20.0×20.0[mm]である。
【0039】
次に、封止工程について説明する。
【0040】
図4は、封止工程における封止金型および封止金型内の樹脂封止体を示す断面図である。また、図5は、封止工程の後、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体を示した図である。図5(a)は、樹脂封止体の平面図であり、図5(b)は、図5(a)のA−A1箇所における断面図である。
【0041】
図4に示すように、樹脂封止金型22のランナー部23より封止樹脂14を注入し、リードフレーム10の樹脂封止領域、少なくとも半導体チップ11、リードの上面を封止樹脂14により封止する。なお、樹脂封止型半導体装置の組立工程を安定して行うためリードフレーム10の半導体チップ11を接合する側の対向面に熱耐熱性のポリイミドやアルミ箔のような基材を仮貼付する場合もある。
【0042】
また、図5(a)および図5(b)に示すように、複数の半導体チップ11、リードフレーム10の表面および金属細線13が封止樹脂14によって一括して封止される。
【0043】
次に、複数の半導体チップが一括封止された樹脂封止体の分割工程(ダイシング工程)について説明する。
【0044】
図6(a)は、複数の半導体チップが一括して封止樹脂により封止された樹脂封止体がダイシングテープに貼り付けられた状態を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)に示した樹脂封止体を半導体チップごとにダイシングブレードにより切断する工程を示した断面図である。
【0045】
図6(a)および図6(b)に示すように、複数の半導体チップ(図示せず)が封止樹脂14により一括して封止された樹脂封止体15が、ポリオレフィン、ポリエステル等を主成分とする樹脂からなり厚みが0.1[mm]〜0.3[mm]のダイシングテープ16に貼り付けられ、ダイシングテープ16は金属製のリング24に貼り付けられて固定されている。ダイシングテープ16の表面には、アクリル系またはシリコン系またはフェノール系またはエポキシ系等の主成分からなり、厚みが0.01[mm]〜0.10[mm]の紫外線硬化型接着剤17が形成され、樹脂封止体15が接着されているものである。そして、ダイシングテープ16側から紫外線を照射することで、ダイシングテープ16表面の紫外線硬化型接着剤17を硬化させる。ダイシングテープ16は紫外線を透過できるものであればよく、本実施形態では青色透明のものを用いている。
【0046】
次に、樹脂封止体15のリードフレーム10側からダイシングブレード25により半導体チップ11ごとに切断する。
【0047】
以上のダイシング工程では、ダイシングする前に、ダイシングテープ表面の紫外線硬化型接着剤があらかじめ硬化されているので、回転するダイシングブレードが硬化した紫外線硬化型接着剤に接触しても、紫外線硬化型接着剤が巻き上げられることがなく、周囲のリード表面に紫外線硬化型接着剤が付着することがない。
【0048】
次に、ダイシング工程で用いられるダイシングブレードの一実施形態について説明する。
【0049】
図7は、本実施形態のダイシングブレードを示した図である。
【0050】
図7に示すように、本実施形態のダイシングブレード25は、ダイヤモンドの砥粒をボンド剤で固めたものであり、ダイヤモンドの砥粒の大きさや形状やボンド剤の材料を選定することで最適な切削条件を得られるダイシングブレードとなる。ダイシングブレード25は電着、電鋳等のニッケル等の金属をメッキしたもの、またはフリット、セラミック等を焼結したビトリファイド、またはフェノールレジン等の熱硬化性樹脂を焼結したレジン、または銅(Cu)、すず(Sn)等の各種メタルを用い焼結したメタル等の材質がある。また、ダイシングブレード砥粒はダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、GC、A、WA等の材質である。
【0051】
シリコン(Si)やガリ砒素(GaAs)ウェハーなどを切断するダイシングブレード25は、直径が60[mm]〜80[mm]、厚みが30[mm]〜400[μm]であるが、本実施形態では直径78[mm]、厚みが約300[μm]のものを使用している。本発明の製造方法で重要な点として、シリコン(Si)やガリ砒素(GaAs)ウェハーに比較して樹脂封止型半導体装置(エポキシレジンと金属(リードフレーム)の集合体)を製品分離する場合、切削抵抗が大きく切削時の発熱量も大きくなるが、切削時の切りくずを洗浄したり、発熱を抑えるシャワーリング水の水温を制御することにより、切削時の発熱を抑制することができる。
【0052】
次に、ダイシングテープの接着剤が樹脂封止体に付着するメカニズムについて説明する。
【0053】
図8は、ダイシングブレードがダイシングテープに貼り付けられて固定されている樹脂封止体を切断する状態を示した断面図である。
【0054】
図8に示すように、ダイシングテープ16の基材26の表面に形成された紫外線硬化型接着剤17に、複数の半導体チップが封止樹脂により一括封止された樹脂封止体15が貼り付けられている。そして、樹脂封止体15のリードフレーム側から回転するダイシングブレード25が接触し、ダイシングテープ16の基材26の表面まで切り込む。この時、紫外線硬化型接着剤17が硬化していないと、回転するダイシングブレード25により紫外線硬化型接着剤17が飛散し、リード等の表面に付着する。本発明では、ダイシングする前にあらかじめ、紫外線硬化型接着剤17を硬化させておくことによって、ダイシングブレード25が接触しても紫外線硬化型接着剤17が飛散することを抑制している。
【0055】
次に、ダイシングテープ表面に形成されている紫外線硬化型接着剤(以下、「接着剤」と記載する)の厚みと、接着強度および接着剤がダイシングブレードにより飛散して付着する付着率との関係について説明する。
【0056】
図9は、接着剤の厚みと、接着強度および接着剤がダイシングブレードにより飛散して付着する付着率との関係を示したグラフである。
【0057】
図9に示すように、ダイシングテープの接着剤の厚さが小さくなるほど、接着強度とともに付着発生率も小さくなっている。接着剤厚みが20[μm]では接着強度は比較的大きいが、付着発生率は小さくなっている。接着剤の厚みが15[μm]になると、接着強度の低下も大きくなり樹脂封止体の固定が不安定になる。以上の実験結果から、本実施形態では、ダイシングテープ表面に形成される紫外線硬化型の接着剤の厚みは、20[μm]〜30[μm]に設定することがよい。
【0058】
次に、ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤の硬化方法について説明する。
【0059】
まず、第1の実施形態について説明する。
【0060】
図10および図11は、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体がダイシングテープに貼り付けられた状態で、紫外線を照射することにより、紫外線硬化型接着剤を硬化させる方法を示した図である。
【0061】
図10(a)に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体15の表面をダイシングテープ16に貼り付け、樹脂封止体15のリードフレーム10側から紫外線27を照射し、紫外線硬化型接着剤17を硬化させる。
【0062】
次に、図10(b)に示すように、樹脂封止体15を半導体チップごとにダイシングブレード25により切断する。この際、ダイシングブレード25のリードフレームにおける切断部における回転方向は、ダイシングブレード25のリードフレームに対する相対的な進行方向と同一方向であり、ダイシングブレード25の進行方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体15が形成されている。
【0063】
次に、図10(c)に示すように、ダイシングテープ16側からさらに紫外線27を照射させて紫外線硬化型接着剤17の接着力を低下させる。
【0064】
以上、本実施形態は、樹脂封止体をマスクとして活用し、樹脂封止体が貼り付けられた部分以外の紫外線硬化型接着剤を硬化させることにより、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転によるダイシングテープ接着剤の飛散する量が抑制され、樹脂封止体に接触したのダイシングテープの接着剤の付着量を低減できる。
【0065】
次に、第2の実施形態について説明する。
【0066】
図11(a)に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された樹脂封止体15の表面をダイシングテープ16に貼り付け、ダイシングテープ16側から紫外線27を照射し、紫外線硬化型接着剤17を硬化させる。
【0067】
次に、図11(b)に示すように、樹脂封止体15を半導体チップごとにダイシングブレード25により切断する。
【0068】
次に、図11(c)に示すように、ダイシングテープ16側からさらに紫外線27を照射させて紫外線硬化型接着剤17の接着力を低下させる。
【0069】
以上、本実施形態でも、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転によるダイシングテープ接着剤の飛散する量が抑制され、成形品上のダイシングテープ接着剤の付着量を低減できる。
【0070】
次に、2つ以上の樹脂封止体(切断前)をダイシングブレードにより切断する際の「ローテーションカット工法」の一実施形態について説明する。
【0071】
図12および図13は、本実施形態の工程を示す斜視図である。
【0072】
まず図12(a)および図12(b)に示すように、複数の半導体チップが封止樹脂により封止された第1の樹脂封止体28をダイシングブレード25により半導体チップごとに切断する。この時、ダイシングブレード25の切断部における回転方向は、第2の樹脂封止体29がある方向と反対方向であるので、ダイシングブレード25の回転による接着剤の飛散があったとしても、接着剤の飛散する方向が第2の樹脂封止体29とは反対方向であるので、第2の樹脂封止体29には接着剤が付着しない。
【0073】
次に、図12(c)に示すように、2つの樹脂封止体を固定しているダイシングチャックテーブル30を180度回転させる。
【0074】
次に、図13(a)および図13(b)に示すように、第2の樹脂封止体29の接着剤が第1の樹脂封止体28がある方向と反対方向に飛散するように、ダイシングブレード25の回転方向を確認し、第2の樹脂封止体29を半導体チップごとに切断する。
【0075】
以上、2つ以上の樹脂封止体を順次ダイシングブレードによりダイシングする場合、未切断の樹脂封止体にダイシングテープの接着剤が飛散しないようにするため、ダイシングブレードの切断部における回転方向を未切断の樹脂封止体と反対方向にしている。
【0076】
次に、ローテーション工法による接着剤の付着量の低下について説明する。
【0077】
図14は、従来のようにローテーション工法を用いない場合と、ローテーション工法を用いてダイシングを行った場合とで、接着剤の樹脂封止体表面に付着する付着量を比較したグラフである。
【0078】
図14に示すように、前述のローテーション工法により、従来に比較して、接着剤の付着量が80%以上削減できている。
【0079】
【発明の効果】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップが一括して封止樹脂により封止された樹脂封止体を半導体チップごとに切断する工程において、樹脂封止体が貼り付けられた封止テープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤を、ダイシングブレードによる切断を行う前に硬化させることで、回転するダイシングブレードが紫外線硬化型接着剤に接触しても紫外線硬化型接着剤が飛散せず、リード等の表面に付着することなく、樹脂封止型半導体装置が実装基板に実装された後に安定した電気的接続を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図2】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図3】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平面図
【図4】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図5】本発明の一実施形態の樹脂封止体を示す図
【図6】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図7】本発明の一実施形態のダイシングブレードを示す図
【図8】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図
【図9】本発明の接着剤の接着強度および付着率を示す図
【図10】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図11】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図12】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図13】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図
【図14】本発明の接着剤の付着量を示す図
【図15】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す斜視図
【符号の説明】
1 封止樹脂
2 第1の樹脂封止体
3 リードフレーム
4 ダイシングブレード
5 第2の樹脂封止体
6 ダイシングテープ
7 接着剤
8 接着剤
9 封止テープ
10 リードフレーム
11 半導体チップ
12 電極
13 金属細線
14 封止樹脂
15 樹脂封止体
16 ダイシングテープ
17 紫外線硬化型接着剤
18 位置決め穴
19 樹脂封止領域
20 ダイパッド
21 リード
22 樹脂封止金型
23 ランナー部
24 リング
25 ダイシングブレード
26 基材
27 紫外線
28 第1の樹脂封止体
29 第2の樹脂封止体
30 ダイシングチャックテーブル
31 リングフレーム
Claims (8)
- 半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと、少なくとも前記リードの底面に貼り付いた封止テープとからなる構成を一単位として、前記ダイパッドが複数配置されたリードフレームを用意する工程と、前記複数のダイパッド各々に前記半導体チップを各々搭載する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードとを電気的に接続する工程と、前記複数の半導体チップおよび前記リードの表面を封止樹脂により一括して封止する工程と、前記封止テープを前記リードフレームから剥がす工程と、前記封止樹脂により封止された樹脂封止体の表面に、紫外線硬化型接着剤を表面に有するダイシングテープを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープ側から紫外線を照射して前記紫外線硬化型接着剤を硬化させる工程と、ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程とからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- ダイシングテープは紫外線が透過する材料からなることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- ダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程の後、ダイシングテープ側からさらに紫外線を照射して、前記樹脂封止体と封止テープとの間の紫外線硬化型接着剤の接着力を低下させる工程を設けることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- ダイシングテープの基材は、ポリオレフィンまたはポリエステルを主成分とする樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- ダイシングテープの表面に形成された紫外線硬化型接着剤は、アクリルまたはシリコンまたはフェノールまたはエポキシを主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 紫外線硬化型接着剤の厚みは20[μm]〜30[μm]であること特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- リードフレームの底面側からダイシングブレードにより前記半導体チップごとに前記樹脂封止体を個片に分割する工程では、ダイシングブレードの前記リードフレームにおける切断部における回転方向は、前記ダイシングブレードの前記リードフレームに対する相対的な進行方向と同一方向であり、前記ダイシングブレードの進行方向と逆方向に切断中の樹脂封止体とは別の樹脂封止体が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 請求項7に記載された工程の後、樹脂封止体またはダイシングブレードを180度回転させ、別の樹脂封止体を切断する工程を設けることを特徴とする請求項7に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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