WO2014080918A1 - 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ - Google Patents

Abstract

【課題】フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化を行う半導体チップの製造において、アンダーフィルを用いることなく、高精度でかつ簡便に半導体チップを製造する方法と、前記方法に用いられる薄膜研削用表面保護テープを提供すること。 【解決手段】半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々のチップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、該改質層を形成した後であって、かつ該半導体ウェハの裏面を研削する前に、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層された薄膜研削用表面保護テープを、半導体ウェハの半導体回路が形成された側に前記接着フィルム側で貼り付ける工程、該半導体ウェハの裏面研削後にピックアップされる際に、又はピックアップ用のテープに転写される際に、該接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程を有する半導体チップの製造方法、及びそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ。

Description

半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ

　本発明は、半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープに関する。

　近年、ＩＣカードの普及やＵＳＢメモリの急激な容量アップが進み、チップを重ねる枚数の増加に伴い、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが２００μｍ～３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０～１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このようなチップの薄型化を達成する方法として、特殊なテープを用いて通常の工程で薄膜化研削をする方法や、先ダイシングと呼ばれるウェハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削を行う半導体チップの製造方法が知られている。この方法は、ウェハの裏面研削と個々のチップへの分割を同時に行うことにより、薄型チップを効率よく製造することができる。また、チップへの研削応力を低減させることにより、チップの抗析強度を向上させる効果があり、特に１００μｍ以下の薄膜に研削するデバイスへの適用が検討されている。

　半導体ウェハの薄膜化に加えて大径化の流れは、特に、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型が存在するフラッシュメモリの分野や、揮発性メモリであるＤＲＡＭなどの分野で、顕著な傾向を示している。現在では１２インチのウェハを１００μｍ厚以下に研削されることが標準となってきている。

　メモリ系デバイスは、チップを重ねることにより性能向上させているため、薄膜研削が必須となる。そのため薄膜チップの製造に特化させた工法である先ダイシング法と呼ばれる工程による製造方法や（特許文献１、特許文献２参照）その製造工程専用の粘着シート（特許文献３参照）、通常の工程であっても薄膜研削用の特殊な粘着シート（特許文献４参照）、ダイシング・ダイボンドシート（特許文献５参照）や特定の樹脂からなる粘接着層を有するテープ（特許文献６参照）を用いることにより安価で高性能なフラッシュメモリなどを製造することが可能となってきている。

　一方、近年、スマートフォンの普及や携帯電話の性能向上および音楽プレーヤの小型化、かつ性能向上などに伴い、対衝撃性などを考慮した電極付ウェハを用いたフリップチップ実装に用いるウェハについても薄膜化の要求が増えてきている。またバンプ付ウェハについても１００μｍ以下の薄膜研削をする必要が出てきている。フリップチップ接続されるためのバンプは、転送速度向上のため高密度化されてきており、バンプの高さが低くなってきており、それに伴ってバンプ間距離が短くなってきている。また近年ではＤＲＡＭにもフリップチップ接続が実施されてきているためウェハの薄膜化が加速している。

　フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子の電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田や金が使用されている。この半田バンプや金バンプは、蒸着やメッキで、チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上などに形成する。

　バンプ付ウェハは、その表面に大きな凹凸を有しているため薄膜加工が難しく、通常のテープを用いて裏面研削を行うとウェハ割れが発生してしまったり、ウェハの厚み精度の悪化をおこしたりする。そのため、バンプ付ウェハの研削には、特別に設計された表面保護用テープを用いて加工がされている（特許文献７参照）。

　しかしながら、これらのテープはバンプを十分に吸収して研削性を確保しているため剥離性との両立が非常に難しい。これまでのフリップチップ実装されてきたチップの仕上げ厚みは２００μｍ厚以上とある程度の厚みがあり、剛性を保てたため何とか剥離できてきた。しかし、最近ウェハ仕上げ厚みが薄膜となり、バンプ密度も高くなってきているためテープ剥離が容易にできないといった問題を発生させてしまっている。また、剥離性を確保すると密着が不十分であり、裏面研削時に研削水の浸入や糊残りを引き起こしてしまっている。また、粘着剤がウェハ表面に接着するため、有機物の汚染が発生しやすくアンダーフィルの密着性も悪化してしまい、パッケージングを行う際に歩留まりが向上しないといった問題も抱えている。

　一方、フリップチップ接続された半導体装置は、パッケージングする際にそのままで使用すると接続部の電極が空気中に露出しており、チップと基板の熱膨張係数の差が大きいため、半田リフローなどの後工程の熱履歴によりバンプの接続部分に大きな応力がかかり、実装信頼性に問題があった。
　これらの問題を解決するため、バンプと基板とを接続した後、接合部分の信頼性を向上させるために、半導体素子と基板の間隙を、アンダーフィルまたはＮＣＰ（Ｎｏｎ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等の樹脂で埋めて硬化させて半導体素子と基板とを固定する方法が採用されている。

　ところが、一般にフリップチップ実装を行うような半導体素子は電極数が多く、また回路設計上の問題から電極は半導体素子の周辺に配置されている。このため、アンダーフィルとして樹脂ペーストの充填時にはこれらの半導体素子の電極間から液状樹脂を毛細管現象で流し込みを行うと樹脂が十分に行き渡らず未充填部が出来やすく、半導体素子の動作が不安定になるなどのため、動作不良や耐湿信頼性が低いといった問題があった。更に、チップサイズが小さくなると液状樹脂のはみ出しにより基板を汚染したり、電極間のピッチが狭くなると樹脂の流し込みが困難となったりする。また、フリップチップ接続した半導体素子１つ１つに樹脂を充填するにはあまりにも時間がかかるため、生産性にも課題がある。一方、フィルム状の接着剤（ＮＣＦ：Ｎｏｎ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）を一括で熱圧着した後にウェハチップを個片化する方法では、樹脂ペースト充填に比べて工程が簡略化され有利である。しかし、ウェハ厚さが薄くなるに従って熱圧着時にウェハ損傷を生じやすくなるため、厚いウェハにフィルム状の接着剤（ＮＣＦ）を熱圧着した後でウェハ裏面を研削することが必要になっている。このため、工程数が増えてしまい効率的ではない。

　これに対し、従来の裏面研削用粘着テープ（基材フィルム上に粘着剤層を有するテープ）と接着フィルム（接着剤層）の組み合わせでは、粘着剤層と接着剤層（粘着テープと接着フィルム）との親和性が高く、ウェハ裏面研削後にウェハから前記粘着テープ（粘着剤層）を剥離する為の剥離力が上昇しやすく、剥離工程でのウェハ損傷を生じやすいという問題を抱えている。また、接着フィルムの凹凸基板への埋め込み性を上げて接着信頼性を高めるためには、加熱貼合時の溶融粘度を落とすことが必要となるが、加熱貼合により粘着テープからの剥離力は上昇する傾向にあり加熱貼合後の粘着テープからの剥離が難しくなるという問題を抱えている。

　これらの問題に対する検討（特許文献８、９参照）も行われているが、近年の薄膜化及び大口径化に伴い、従来の半導体チップの製造方法ではクラック等の不良が発生しやすく、最悪の場合はウェハ割れが発生してしまうため歩留まりが悪いといった問題が発生している。特にウェハ厚みが１００μｍ厚以下での研削では特に歩留まりの悪化が激しく、安定的に製造できない場合もある。また、通常の裏面研削及びダイシングによるチップ化では抗折強度が上がりにくく、パッケージングの際に不良を発生させてしまうことが多く発生していた。

特開２００８－２５１９３４号公報 特開２００９－２７０５４号公報 特開２００４－３３１７４３号公報 特開２０００－１５０４３２号公報 特開２００７－２２７５７５号公報 特開平１０－８００１号公報 特開２００４－２３５３９５号公報 特開２００６－４９４８２号公報 特開２００２－１１８１４７号公報

　そこで、本発明は、フリップチップ実装工程に用いられるバンプ電極を有する半導体ウェハの裏面研削を行い、同時に、またはその後の工程で、チップ化（個片化）を行う半導体チップの製造において、アンダーフィルやＮＣＰ又はＮＣＦを用いることなく、高精度でかつ簡便に半導体チップを製造する方法を提供することを課題としている。
　また、本発明は、前記方法に用いられる薄膜研削用表面保護テープを提供することを別の課題としている。

　本発明者らはこのようなフリップチップ実装工程における問題点を克服する目的で種々検討した結果、１００μｍ高さ以下のバンプ付ウェハ回路基板を２００μｍ厚以下、特に５０μｍ高さ以下のバンプ付ウェハ回路基板を１００μｍ厚以下の薄膜に研削し、かつチップ化する過程において、バンプ付ウェハ内に事前に改質層（ウェハをチップ化する際に分割される位置に対応して設けられた、ウェハ表面から所定の深さの改質部を含む層であって、この改質部ではその周囲の改質されていないウェハよりも強度が低い。）を形成しておき、その後に接着フィルムと粘着テープを積層した表面保護テープを貼合し、該ウェハの裏面研削をすることで薄膜化とチップ化を一括で行い、転写用のピックアップテープへの貼合やピックアップする際に接着フィルムのみをチップに接着して転写又はピックアップすることで容易にフリップチップ実装することができ、従来の工程に比べて実装信頼性の向上及び工程の短縮化が可能であることを見出し、この知見に基づき本発明を成すに至った。

　すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
（１）半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々のチップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、
　該改質層を形成した後であって、かつ該半導体ウェハの裏面を研削する前に、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層された薄膜研削用表面保護テープを、半導体ウェハの半導体回路が形成された側に前記接着フィルム側で貼り付ける工程、
　該半導体ウェハの裏面研削後にピックアップされる際に、またはピックアップ用のテープに転写される際に、該接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程
を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
（２）前記接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程が、転写フィルム（ピックアップテープ）を使用することなく、前記表面保護テープから直接ピックアップする工程であることを特徴とする（１）に記載の半導体チップの製造方法。
（３）前記薄膜研削用表面保護テープをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムとチップを同時に分割する工程を含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体チップの製造方法。
（４）前記半導体ウェハの裏面研削によるチップの一括分断の後、前記薄膜研削用表面保護テープの前記接着フィルムのみをレーザーによって分割することを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体チップの製造方法。
（５）基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層されてなる薄膜研削用表面保護テープであって、
　前記接着フィルムが、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であり、飽和吸湿率が１．５容量％以下であって、かつ（メタ）アクリル系共重合体及びフェノキシ系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を接着剤として含む単一もしくは複数の層からなることを特徴とする薄膜研削用表面保護テープ。
（６）前記粘着剤層が、紫外線硬化型であることを特徴とする（５）に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（７）前記粘着剤層が、（メタ）アクリル系共重合体を主成分とし、ゲル分率が８０％以上であることを特徴とする（５）または（６）に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（８）前記接着フィルムの表面自由エネルギーが、２５～４５ｍＮ／ｍであり、飽和吸湿率が１．５容量％以下であることを特徴とする（５）～（７）のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（９）前記接着フィルムがエポキシ樹脂を含み、該エポキシ樹脂が、グリシジルエーテルエポキシ樹脂、グリシジルアミンエポキシ樹脂、グリシジルエステルエポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１つの樹脂であることを特徴とする（５）～（８）のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（１０）前記接着フィルムがビスフェノール系樹脂を含有することを特徴とする（５）～（９）のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（１１）前記ビスフェノール系樹脂が、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂及びビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１つであることを特徴とする（１０）に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（１２）前記接着フィルムが無機フィラーを含み、かつその含有量が、該接着フィルム中の樹脂成分１００質量部に対し、６０質量部未満であることを特徴とする（５）～（１１）のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
（１３）前記接着フィルムが、イソシアネート硬化剤またはエポキシ系硬化剤と架橋する官能基を有し、かつフラックス活性を示す化合物を含むことを特徴とする（５）～（１２）のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。

　本発明において、改質層とは、チップ化の際に分割される位置に対応して設けられたウェハ表面の所定の深さの改質部を含む層をいい、この改質部ではその周囲の改質されていないウェハよりも強度が低い。
　また、「粘着剤」とは、「接着剤」が専ら接着を可能にする剤であるのに対し、粘着後に硬化等の処理に付すことにより剥離を可能にする剤を意味する。例えば「放射線硬化型粘着剤」とは、ウェハ等への適用後に紫外線等の放射線を照射することによって硬化し剥離を可能にする粘着剤を意味する。

　本発明によれば、半導体ウェハ内に改質層を形成した後、バックグラインド工程によって極薄化を行い、同時にまたはその後の工程で、チップに分割を行う半導体チップを製造する工程を行うことにより、高精度でかつ簡便な製造方法が提供される。
　また、本発明によれば、前記半導体チップ製造方法に好適に用いられる薄膜研削用表面保護テープが提供される。

　本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。

本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半の模式図である。 本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程の内、ピックアップテープに転写する場合の一例を示す模式図である。 本発明の半導体チップの製造方法の前記好ましい一態様のプロセスの後半の工程の内、転写しない場合の一例を示す模式図である。

＜＜薄膜研削用表面保護テープ＞＞
　本発明の薄膜研削用表面保護テープ（以下、単に「表面保護テープ」ともいう。）は、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に、接着フィルム（接着剤層）が積層された薄膜研削用の表面保護テープであって、ウェハ表面（その回路）の保護を目的とする粘着テープとチップの接着を目的とする接着フィルムとによって構成される。

＜基材フィルム＞
　基材フィルムの厚みは特に指定するものではないが、製造性の点から１０～２００μｍが好ましい。また、研削時の反りを考えると２５～１５０μｍが更に好ましい。基材フィルムが薄すぎるとテープとしての剛性がなくなるためたわみが発生しやすくカセット収納時にたわみによるアーム接触に繋がる。一方、基材フィルムが厚すぎると製膜時の残留応力の開放により反りが発生しやすくなる場合がある。

　本発明の基材フィルムの材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン系共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。また基材フィルムは単層フィルムまたは二層以上のフィルムを積層した複層フィルムとして用いることができる。
　また基材フィルムは、可視光透過性であるものが好ましく、さらに放射線透過性であるものが好ましい。

　裏面研削後にエキスパンド分割用のピックアップテープに転写する工程を含む場合、基材フィルムは剛性基材フィルムにすることができる。剛性基材フィルムとしては、耐水性、耐熱性、剛性等の点から、合成樹脂フィルムが好ましく用いられる。このような剛性基材としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリイミド、または二軸延伸ポリプロピレンなどが用いられる。剛性基材フィルムは、上記した各種フィルムの単層品であってもよく積層品であってもよい。上記のうちでも、剛性基材としては、ウェハにイオン汚染等の悪影響を与えないものが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、二軸延伸ポリプロピレン、ポリイミド、およびポリアミドが特に好ましい。剛性基材フィルムを用いることにより、ウェハの反りに対して矯正力を持たせることができ、反りを抑制することができる。

　剛性基材フィルムの厚みは反りの矯正力と剥離性の点から、２５～１００μｍが好ましい。薄すぎると矯正力が弱く反りの抑制が不十分となってしまう場合がある。厚すぎるとテープ剥離の際にテープが曲がらずウェハに負荷がかかってしまうためウェハ割れを引き起こす場合がある。

　裏面研削後にエキスパンド分割用のピックアップテープに転写する工程を含まず、そのままエキスパンド分割する工程を含む場合、基材フィルムはポリオレフィン及びポリ塩化ビニルから選択されることが好ましい。更に好ましくはポリオレフィンである。ポリ塩化ビニルは可塑剤などのブリードによる汚染などの影響があるためである。

　エキスパンドによるウェハの個片化工程では、エキスパンドされた薄膜研削用表面保護テープへの引張応力がウェハに伝わることで分割される。従って、エキスパンドによるウェハ分割を行うために必要な表面保護テープの特性としては、以下が考えられる。
　１）エキスパンドによって変形されても剛性を保てること
　２）エキスパンドで与えられた応力を損失せずウェハに伝えること
　３）エキスパンドによる変形時に表面保護テープが破断しないこと

　上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。

　特に、アイオノマーが用いられた基材フィルムの場合、降伏点が存在せず、表面保護テープの繰り出し方向と幅方向に対して均一な物性を獲得することができる。従って、エキスパンドでの分割が行われる場合に個片化されたチップ間隔を均一にできる。

＜粘着剤層＞
　粘着剤層に用いる粘着剤としては、（メタ）アクリル系共重合体が好ましい。本発明において粘着剤は、これに限定されることはなく、種々の粘着剤により粘着剤層が形成され得る。このような粘着剤としては、例えばゴム系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤を用いることも可能である。

　これらのベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベースポリマーに対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。

　粘着剤として、放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤を用いることができる。放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。加熱発泡型の粘着剤としては、加熱により発泡剤や膨張剤により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば特公平１－５６１１２号公報、特開平７－１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。この場合、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいは（メタ）アクリル系の感圧性ベース樹脂（ポリマー）に対して、分子中に少なくとも２個の光重合性炭素－炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物という）および光重合開始剤が配合されてなるものが使用される。

　上記のゴム系あるいは（メタ）アクリル系のベース樹脂は、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などの（メタ）アクリル系ポリマーが使用される。

　また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値に設定することができる。このような硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。

　紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を混入することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくなることができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノンなどが挙げられる。

　（メタ）アクリル系粘着剤として特に好ましいものとして、（メタ）アクリル系重合体、好ましくは（メタ）アクリル系重合体を主成分として含むものを挙げることができる。
　（メタ）アクリル系重合体を主成分とするとは、（メタ）アクリル系重合体成分が少なくとも５０質量％以上であり、好ましくは８０質量％以上（１００質量％以下）である。
　（メタ）アクリル系重合体は、少なくとも側鎖に光重合性炭素－炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有することで放射線照射で硬化が可能となり、さらにエポキシ基やカルボキシル基などの官能基を有してもよい。

　側鎖に光重合性炭素－炭素二重結合を有する（メタ）アクリル重合体は、どのようにして製造されたものでもよいが、例えば、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体と、（メタ）アクリルロイル基などの光重合性炭素－炭素二重結合を有し、かつ、この（メタ）アクリル系重合体の側鎖の官能基（α）と反応し得る官能基（β）をもつ化合物とを反応させて得たものが好ましい。
　光重合性炭素－炭素二重結合を有する基は、非芳香族性のエチレン性二重結合を有すればどのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１－プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。
　官能基（α）、（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）等が挙げられる。

　ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。

　官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
　側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマー、好ましくは（メタ）アクリル酸エステル〔（特に、アルコール部に官能基（α）を有するもの〕をモノマー成分に使用することで得ることができる。
　側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体は、共重合体である場合が好ましく、この共重合成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、なかでもアルコール部に官能基（α）や光重合性炭素－炭素二重結合を有する基が置換していない（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。

　（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ－プロピルアクリレート、ｎ－ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ－ペンチルアクリレート、ｎ－ヘキシルアクリレート、ｎ－オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。
　（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６～１２のものを併用することが好ましい。

　なお、アルコール部の炭素数の大きなモノマーを使用するほどガラス転移点（Ｔｇ）は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素－炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも好ましく、この場合、これらのモノマー成分の含有量は５質量％以下の範囲内が好ましい。

　官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ－メチロールアクリルアミド、Ｎ－メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ－アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ－アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および光重合性炭素－炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどが挙げられる。

　これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２－ヒドロキシアルキルアクリレート類、２－ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。

　光重合性炭素－炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物における官能基（β）としては、イソシアネート基が好ましく、例えば、アルコール部にイソシアネート（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、２－イソシアナトエチルメタクリレート、２－イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。
　また、官能基（β）がイソシアネート基以外の場合の好ましい化合物は、官能基（α）を有する（メタ）アクリル系モノマーで例示した化合物が挙げられる。

　光重合性炭素－炭素二重結合と官能基（β）を有する化合物は、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル系重合体に加えて重合体の側鎖の官能基（α）、好ましくは水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。

　（メタ）アクリル系共重合体の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般に（メタ）アクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０～１２０℃の溶剤が好ましい。重合開始剤としては、α，α’－アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の（メタ）アクリル系共重合体を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素等の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

　以上のようにして、（メタ）アクリル系共重合体を得ることができるが、本発明において、（メタ）アクリル系共重合体の分子量は、３０万～１００万程度が好ましい。分子量が小さすぎると、放射線照射の凝集力が小さくなって、ピックアップ時やピックアップテープへの転写の際に、ピックアップ不良や転写不良が生じやすくなってしまう。また分子量が大きすぎると接着フィルムが粘着テープから剥がれたりずれたりしてしまう。
　なお、本発明における分子量とは、常法によるポリスチレン換算の重量平均分子量をいう。

　また、本発明において、（メタ）アクリル系共重合体の光重合性炭素－炭素二重結合の導入量は好ましくは０．５～２．０ｍｅｑ／ｇ、さらに好ましくは０．８～１．５ｍｅｑ／ｇである。二重結合量が少なすぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくなる。二重結合量が多すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分ではなく、延伸後の素子間隙が不十分であり、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が発生する。さらに、（メタ）アクリル系共重合体そのものが安定性に欠け、製造が困難となる。

　さらに、本発明において、粘着剤の硬化前のゲル分率は、（メタ）アクリル系共重合体の平均分子量、硬化剤配合量により調整することが可能であるが、６０％以上であることが好ましく、８０～１００％がさらに好ましい。ゲル分率が小さすぎる場合には、凝集力が低くなってしまうためウェハ表面の回路上に糊残りを発生させてしまうリスクが高まる。さらに、（メタ）アクリル系共重合体が、水酸基価５～１００のＯＨ基を有すると放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、（メタ）アクリル系共重合体が、酸価０．５～３０のＣＯＯＨ基を有するとテープ復元性を改善することにより、使用済テープ収納型の機構への対応を容易とすることができるので好ましい。ここで、（メタ）アクリル系共重合体の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう。

　なお、本発明の放射線硬化性粘着剤を紫外線照射によって硬化させる場合には、必要に応じて、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量は（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１～１０質量部が好ましい。配合量が少なすぎると反応が不十分であり、配合量が多すぎると低分子成分が増加することで汚染性に影響を与えることになる。

（ゲル分率）
　本発明の薄膜研削用表面保護テープにおける粘着剤層は、ゲル分率が８０％以上であることが好ましい。ゲル分率はより好ましくは８５～９５％である。
　ゲル分率が低すぎると糊残りの問題を発生し易く、ゲル分率が高すぎると流動性を失ってしまい粘着特性を発揮できなくなってしまう。

　ゲル分率は以下のようにして測定できる。
　接着フィルムと積層する前の粘着テープから１００ｍｍ×１２０ｍｍの試験片を２片切り出し、セパレータ剥離後に粘着材層の質量として該粘着テープの質量を測定する。試験片が入る直径のポリプロピレン製容器内にテープを、粘着剤面を上にしてピンで固定し、５００ｍｌのトルエンを試験片が溶液中に浸漬されるように容器内に入れた後、溶媒の揮発を防ぐため蓋をして、２５℃環境下に２４時間放置する。
　２４時間後、容器内の溶媒をメッシュ径＃１５０の金属製メッシュでろ過しつつ廃棄し、その後容器内にテープを載置した状態で、２５℃環境下に２４時間乾燥させ、２４時間後に電子天秤でテープの質量を測定した。以下に示す計算式で算出した値をゲル分率とする。
　なお、基材フィルムの質量は粘着テープとする前に測定するか、粘着テープとした後に粘着剤層を溶媒などで剥離・除去して測定する。

ゲル分率［％］＝｛（溶媒抽出後粘着テープ質量－基材フィルム質量）／（溶媒抽出前粘着テープ質量－基材フィルム質量）｝×１００

＜接着剤層＞
　本発明の接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、本書においては接着フィルムともいう。例えば、接着剤に使用される任意のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ（メタ）アクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。
　接着剤の主成分として、（メタ）アクリル樹脂｛（メタ）アクリル系共重合体｝やフェノキシ系樹脂が特に好ましい。ポリイミド系樹脂は実装信頼性については非常に優れているが、ガラス転移温度が高いため、貼合時に十分な流動性を得られないことが多く、バンプなどの凹凸の追従にはむいておらず、貼合時にエアー巻き込みが起こりやすくなってしまう。一方、（メタ）アクリル系共重合体やフェノキシ系樹脂は貼合時の流動性を確保しつつ、実装時の信頼性を確保することが可能である。

　（メタ）アクリル系共重合体の重合方法は特に制限がなく、例えば、パール重合、溶液重合、懸濁重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。耐熱性が優れるため懸濁重合が好ましく、このような（メタ）アクリル系共重合体としては、例えば、パラクロンＷ－１９７Ｃ（根上工業株式会社製、商品名）が挙げられる。
　また、（メタ）アクリル系共重合体はアクリロニトリルを含むことが好ましい。アクリロニトリルの含有量は、（メタ）アクリル系共重合体に対し、好ましくは１０～５０質量％、より好ましくは２０～４０質量％である。アクリロニトリルが１０質量％以上であることで、接着剤層のＴｇを上げ、接着性を向上させることができる。多すぎると、接着剤層の流動性が悪くなり、接着性が低下する場合がある。アクリロニトリルを成分として含む（メタ）アクリル系共重合体は、懸濁重合で合成することが好ましい。

　（メタ）アクリル系共重合体は接着性を向上させるため、官能基を有していてもよい。官能基としては、特に限定されるものではないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、グリシジル基等が挙げられ、なかでも、グリシジル基が好ましい。グリシジル基は、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂との反応性がよく、水酸基などと比較すると粘着剤層とは反応しにくいため、表面自由エネルギーの変化が起こりにくい。グリシジル基を有する（メタ）アクリル系共重合体としては、グリシジルエーテル（メタ）アクリル系共重合体、グリシジルアミン（メタ）アクリル系共重合体、グリシジルエステル（メタ）アクリル系共重合体が挙げられ、これらを少なくとも１種類含むことが好ましく、２種以上含むことが更に好ましい。

　フェノキシ樹脂としては、例えば、２官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂が挙げられる。より具体的には、フェノキシ樹脂は、例えば２官能フェノール類とエピハロヒドリンとをアルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下、非反応性溶媒中４０～１２０℃の温度で反応させることにより得ることができる。また、フェノキシ樹脂は、２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類とをアルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒存在下、沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が５０質量部以下の条件で５０～２００℃に加熱して重付加反応させて得ることができる。フェノキシ樹脂は、単独で用いてもよいし２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　本発明では、接着剤層の成分に、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。このような好ましいエポキシ樹脂としては、グリシジル基や、脂環にエポキシ環が縮環した部分構造を有する基が好ましい。特に、グリシジルエーテルエポキシ樹脂、グリシジルアミンエポキシ樹脂、グリシジルエステルエポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂がより好ましい。
　なかでも、グリシジル基や、あるいは脂環にエポキシ環が縮環した部分構造を有する基のいずれかが、ビスフェノール系樹脂の水酸基（フェノール性水酸基）に置換した樹脂が好ましい。
　このようなビスフェノール系エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
　これらのビスフェノール系エポキシ樹脂のなかでも、ビスフェノールＦグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡグリシジルエーテル樹脂が好ましい。

　本発明では、特に、構造の異なったビスフェノール系エポキシ樹脂を２種以上組み合わせて使用することが好ましく、ビスフェノールＦグリシジルエーテル樹脂とビスフェノールＡグリシジルエーテル樹脂を組み合わせて使用することが最も好ましい。
　エポキシ樹脂、なかでも、構造の異なるビスフェノール系エポキシ樹脂を２種類以上用いることにより、バンプ等の凹凸を埋めこむための流動性と接合信頼性のための硬化性を両立することができる。

　エポキシ樹脂の接着剤層中への配合量は、樹脂全体の１５～３５質量％であることが好ましい。

　接着剤層は無機フィラーを含有してもよい。添加量が多いと流動性が低下し、接着性が下がるため無機フィラーの含有量は樹脂成分１００質量部に対し、６０質量部未満が好ましく、より好ましくは５０質量部以下であり、更に好ましくは３０質量部以下である。また、粒径が大きいと接着面の表面に凹凸が生じ、接着性が低下するため、無機フィラーの平均粒径は１μｍ未満が好ましく、より好ましくは０．５μｍ未満、更に好ましくは０．１μｍ未満である。無機フィラーの粒径の下限に特に制限はないが、０．００３μｍ以上であるのが実際的である。無機フィラーとしては、絶縁性及び熱伝導性を有していればよく、例えば、窒素化合物（窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化炭素、窒化チタンなど）、炭素化合物（炭化ケイ素、炭化フッ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステン、ダイヤモンドなど）、金属酸化物（シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ベリリウムなど）などが挙げられる。

　接着剤層は表面自由エネルギー差を制御することで、粘着剤層に一度貼り合わされた後に剥離させた後の面であっても、十分な接着性を持つ接着剤層を有するウェハ加工用の表面保護テープとすることができる。
　また、本発明の薄膜研削用表面保護テープでは、接着剤層の表面自由エネルギーが２５～４５ｍＮ／ｍであることが好ましい。表面自由エネルギーが小さすぎると濡れ性が不十分のためボイドが発生しやすく実装信頼性を悪化させてしまう。一方、大きすぎると粘着テープにしっかりと接着してしまうためピックアップテープへ転写できなくなってしまったり、ピックアップ不良を発生させてしまったりする。
　接着剤層の表面自由エネルギーは３０～４０ｍＮ／ｍがより好ましく、更に好ましくは表面自由エネルギーが３０～４０ｍＮ／ｍでありかつ粘着剤層との表面自由エネルギーの差が１０ｍＮ／ｍ以内である。

　表面重エネルギーは、接着フィルムの主成分である樹脂の構造や種類、配合量を変更することで調整することができる。また、塗工の際、乾燥条件や界面活性剤のような添加剤を加えることによっても調整することができる。
　表面自由エネルギーは以下のようにして測定することができる。

（表面自由エネルギーの測定）
　本発明において、接着剤層の表面自由エネルギーは、前記のとおり２５～４５ｍＮ／ｍであることが好ましい。接着剤層の表面自由エネルギーは、接触角θを接触角計、例えば、協和化学（株）製ＦＡＣＥ接触角計ＣＡ－Ｓ１５０型（商品名）を用いて測定することで求めることができる。その際の評価条件は、液滴容量：水２μＬ、ジヨードメタン３μＬ、読み取り時間：滴下３０秒後である。接触角の値を以下の式に代入することで表面自由エネルギーを計算して求められる。

（分子量）
　本書において、分子量とは重量平均分子量のことを言い、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定したものとする。

［ＧＰＣ法による測定条件］
　使用機器：高速液体クロマトグラフィーＬＣ－２０ＡＤ［株式会社島津製作所製、商品名］
　カラム：Ｓｈｏｄｅｘ　Ｃｏｌｕｍｎ　ＧＰＣ　ＫＦ－８０５［株式会社島津製作所製、商品名］
　溶離液：クロロホルム
　測定温度：４５℃
　流量：３．０ｍｌ／分
　ＲＩ検出器：示差屈折率検出器ＲＩＤ－１０Ａ［株式会社島津製作所製、商品名］

（酸価）
　酸価の測定は、ＪＩＳ　Ｋ　５４０７の１１．１に準じて行なう。
　（ａ）試薬
・ブロムチモールブルー指示薬
・０．０１Ｎ水酸化カリウム－エタノール溶液
・アセトン試薬１級
　（ｂ）操作
　約１０ｇの試料を正確に三角フラスコに秤り取り、アセトン５０ｍｌに溶解し、ブロムチモールブルー指示薬を３～４滴加える。これを０．０１Ｎ水酸化カリウム－エタノール溶液で滴定する。
　（ｃ）計算
　次式によって酸価を求める。

　Ｖ：０．０１Ｎ水酸化カリウム－エタノール溶液の滴定量（ｍｌ）
　ｆ：０．０１Ｎ水酸化カリウム－エタノール溶液のファクター
　Ｓ：試料採取量

（水酸基価）
　水酸基価の測定は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０に準拠して行う。
　（ａ）試薬
・アセチル化試薬（無水酢酸－ピリジン）
・Ｎ／２水酸化カリウム－エタノール溶液
　（ｂ）操作
　試料をアセチル化試薬でアセチル化した後、過剰の酢酸をＮ／２水酸化カリウム－エタノール溶液で滴定する。
　（ｃ）計算
　次式によって水酸基価を求める。

Ｖ　：本試験のＮ／２水酸化カリウム－エタノール溶液の滴定量（ｍｌ）
ＶＢ：空試験のＮ／２水酸化カリウム－エタノール溶液の滴定量（ｍｌ）
Ｆ　：Ｎ／２水酸化カリウム－エタノール溶液のファクター
Ｓ　：試料採取量（ｇ）
ＡＶ：試料の酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）

（弾性率）
　接着剤層は弾性率を制御することでバンプなどの凹凸面に対する密着性を向上させることができる。本発明の薄膜研削用表面保護テープでは、接着剤層の硬化後における２５℃における弾性率が１～１０００ＭＰａの範囲であることが好ましく、さらに好ましくは１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である。また、接着剤層の２５０℃における弾性率が１～１０００ＭＰａの範囲であることが好まし。さらに、接着剤層の２５℃における弾性率と２５０℃における弾性率の比が１００以下であることが好ましい。すなわち、硬化により弾性率が増加したとしても、（硬化後の弾性率）÷（硬化前の弾性率）が１００以下になることが好ましい。接着フィルムは、貼合前は埋めこみ性に優れる必要があるため低弾性としている。次いで、基盤との接着の際に硬化されるが、その際に弾性率が高すぎる場合は反りが大きくチップの反りの原因になってしまう。弾性率が低すぎる場合は十分に硬化していないため、実装信頼性に欠ける。また、チップと基盤の接着後にパッケージングのためにリフロー加熱処理されることがほとんどである。従ってリフロー加熱温度に於いても同等の弾性率となることが好ましく、また加熱前後で弾性率の変化が小さいことが好ましい。より好ましくは２５℃における弾性率と２５０℃における弾性率の変化（差の絶対値）が１００以下である。

　弾性率は以下のようにして測定できる。
　弾性率測定はレオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（商品名）を用いて測定する。測定プレートは直径８ｍｍφのプレート、フィルム状接着剤はラミネートして厚み１ｍｍ程度ものを８ｍｍφのポンチで打ち抜いて用いる。測定条件は常温である２５℃、および２５０℃、周波数１Ｈｚに設定する。また、２５０℃で測定する際の昇温条件は１０℃／分で行う。

（飽和吸湿率）
　接着剤層の飽和吸湿率は１．５容量％以下であることが好ましく、更に好ましくは１．０容量％以下である。飽和吸湿率の下限値には特に制限はないが、通常０容量％以上である。硬化剤にイソシアネート系硬化剤を使用すると、水分と反応し架橋構造が変化する可能性があり、また吸水した接着剤層を加熱による硬化（キュア）を行うと水分の蒸発による気泡などが発生し、外観不良や接着力不足などの問題を発生させてしまうためである。

　飽和吸湿率測定方法は、以下の通りである。
　直径１００ｍｍの円形フィルム状の接着剤層（接着フィルム）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で吸湿してから取り出し、すばやく秤量して秤量値が一定になったとき、その質量をＭ２とする。
　接着剤（前記フィルム状接着剤層）の密度（ｄ）とこの乾燥質量（Ｍ１）と吸湿質量（Ｍ２）から、下記式により、飽和吸湿率（容量％）を算出する。

　　飽和吸湿率（容量％）＝［（Ｍ２－Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００

　接着剤層はイソシアネート系硬化剤またはエポキシ系硬化剤と架橋する官能基を有し、フラックス機能を有する化合物を硬化剤として含むことが好ましい。
　フラックスとは、一般的にバンプの濡れ性を上げるために用いられる材料であり、フラックス機能を有する材料としては一般的にロジン系の材料が好ましく使用されている。
　本発明においては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基またはフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましく、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物を硬化剤として用いることが更に好ましい。

　フェノール性水酸基を備えるフラックス活性を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、２，６－キシレノール、ｐ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、２，４－キシレノール、２，５キシレノール、ｍ－エチルフェノール、２，３－キシレノール、メジトール、３，５－キシレノール、ｐ－ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ－ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ－オクチルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。

　フラックス機能を有する硬化剤としては、エポキシ樹脂の硬化剤や脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸が挙げられる。
　フラックス機能を有する硬化剤としては、より具体的には、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性を有する硬化剤としては、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５－ジヒドロキシ安息香酸）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，７－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。

　フラックス活性を有する硬化剤（架橋剤）の配合量は、接着剤層の樹脂成分１００質量部に対して０．５～３０質量部が好ましく、１～１０質量部がより好ましい。

＜＜半導体チップの製造方法＞＞
　以下に、本発明の薄膜研削用表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法を説明する。

　本発明の半導体チップの製造方法は、半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々のチップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、
　該改質層を形成した後であって、かつ該半導体ウェハの裏面を研削する前に、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層された薄膜研削用表面保護テープ（単に表面保護テープとも称す）を、半導体ウェハの半導体回路が形成され側に前記接着フィルム側で貼り付ける工程、
　該半導体ウェハの裏面研削後にピックアップされる際に、またはピックアップ用のテープに転写される際に、該接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程、を有する。

　本発明においては、上記の接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程が、転写フィルム（ピックアップテープ）を使用することなく、前記表面保護テープから直接ピックアップする工程であることが好ましい。
　また、薄膜研削用表面保護テープをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムとチップを同時に分割する工程を含むことが好ましい。
　さらに、半導体ウェハの裏面研削によるチップの一括分断の後、薄膜研削用表面保護テープの前記接着フィルムのみをレーザーによって分割することが好ましい。

　以下、図を用いて説明することで、より好ましい本発明の半導体チップの製造方法を説明する。各図において同一の符号は同一の部材を示す。
　半導体チップの製造方法には、ピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法がある。

　図１は、本発明の半導体チップの製造方法の好ましい一態様のプロセスの前半を模式的に示すものであり、上記のピックアップテープに転写するプロセスを経る方法とこのピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法のいずれにも共通の前半プロセスである。
　図２はピックアップテープに転写するプロセスを経る方法における図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例であり、図３はピックアップテープへの転写を行わないプロセスを経る方法における図１の（４）のプロセス後に行う後半のプロセスの一例である。

〔Ｉ〕ピックアップテープに転写するプロセス
　以下、図１および図２を用いて説明する。
（１）まず、半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）からレーザー（７）により改質層（２）を形成する。
　半導体ウェハを半導体チップに分割するために、半導体ウェハの分割予定部分にレーザー光照射で、多光子吸収によって改質領域｛改質部（２Ａ）｝を半導体ウェハ内部に形成するステップである。
　レーザー光の照射によって、多光子吸収による光学的損傷という現象が発生し、この光学的損傷により半導体ウェハの内部に熱ひずみが誘起され、これにより半導体ウェハの内部に改質領域（クラック領域）（２Ａ）が形成される。この場合に用いるレーザー光（レーザー光線）としては、パルスレーザー光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等がある。
　改質層（２）の厚さは、２０μｍ～４０μｍとすることがこのましい。また、改質層は、例えば、最終研削厚みの１０μｍ～５０μｍ上に設けるのが好ましい。改質部がチップに含まれる場合、その部分の抗折強度が落ちる可能性があるためである。また、最終研削厚みよりも上に改質層が設けられることにより、その改質層を研削した際の衝撃でチップを分断することができる。

（２）半導体ウェハ表面（１Ａ）に、本発明の薄膜研削用表面保護テープ（表面保護テープ）を貼り合わせる。
　このとき、薄膜研削用表面保護テープの接着剤層（接着フィルム）（６）側を、半導体ウェハ（１）の改質層（２）を形成した側に貼る。本発明の表面保護テープは、前記説明の通り、基材フィルム（４）上に粘着剤層（５）を有し、その粘着剤層上に接着剤層（接着フィルム）（６）を有する。この内、基材フィルム（４）上に粘着剤層（５）を有するテープを粘着テープ（３）ともいう。
（３）半導体ウェハの、薄膜研削用表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を研削する。図中、８はグラインダー、９は裏面研削中のウェハである。
（４）目的とする厚みに研削ができた状態で裏面研削を終了する。図中、１０は裏面が研削された状態のウェハである。

（５－１）半導体ウェハの裏面（研削面）に、ピックアップテープ（１１）を貼り付け、リングフレーム（１２）に固定する。
　ピックアップテープは、ピックアップ工程において良好なピックアップ性とエキスパンド性を求められるため、ダイシングテープを用いるのが好ましい。
　ダイシングテープの粘着剤層の粘着剤には、ダイシングテープに用いられる一般的な粘着剤を用いることが可能であり、好ましくは、紫外線の照射により硬化する接着剤を用いる。
　リングフレームは、一般的な半導体ウェハの処理工程において用いられるものを用いることができる。

（６－１）薄膜研削用表面保護テープの粘着テープ（３）（基材フィルム（４）と粘着剤層（５））のみを剥離させ、接着フィルム（６）のみをウェハ表面に残す。図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着テープ（３）を剥離した状態を示した。

（７－１）ピックアップテープをエキスパンドする。
　このとき、２つのエキスバンド方法があり、（７－１Ａ）接着フィルム（接着剤層）と半導体ウェハが分割される、あるいは、（７－１Ｂ）半導体ウェハのみ分割した後、接着フィルム（接着剤層）をレーザー（１４）により切断する。
　上記（７－１Ａ）や（７－１Ｂ）のようにするには、エキスパンド条件を変更することで調整できる。
　すなわち、接着フィルムをエキスパンド分割する場合（７－１Ａ）には、ある程度のエキスパンド量が必要であるため、通常よりもエキスパンド量を大きくすることでチップと同時に分割することができる。一方、チップのみのエキスパンドの場合（７－１Ｂ）は、チップは剛体であるためエキスパンド量は小さくてもよい。このようにエキスパンド量を任意に調整することで、（７－１Ａ）や（７－１Ｂ）の状態とすることができる。
　図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割されたウェハを示す。また、１１Ａはエキスパンドされたピックアップテープを、１３はエキスパンダーを示す。

（８－１）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々のチップ（１７）となり、それを接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、１５はピックアップ用ニードルを、１６はピックアップ用コレットを示す。チップ（１７）は、ピックアップテープ（１１Ａ）から剥離されてピックアップされる。

〔ＩＩ〕ピックアップテープへの転写を行わないプロセス
　以下、図１および図３を用いて説明する。なお、（１）～（４）までは上記のピックアップテープに転写するプロセス〔Ｉ〕と同じである。
（１）まず、半導体ウェハ（１）の表面（１Ａ）からレーザー（７）により改質層（２）を形成させる。
（２）半導体ウェハ表面に、本発明の薄膜研削用表面保護テープ（表面保護テープ）を貼り合わせる。このとき、薄膜研削用表面保護テープの接着剤層（接着フィルム）（６）側を、半導体ウェハ（１）の改質層（２）を形成した側に貼る。
（３）半導体ウェハの、薄膜研削用表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を研削する。
（４）目的とする厚みに研削ができた状態（１０）で裏面研削を終了する。

（５－２）薄膜研削用表面保護テープ面の基材フィルム（４）側に固定用テープ（２１）を貼り付け、リングフレーム（２２）に固定する。
　ここで、固定用テープ（２１）は、上記のダイシングテープ（ピックアップテープ（１１）と実質同じものである。

（６－２）固定用テープ（２１）をエキスパンドする。この時、粘着フィルム（３）上で、接着フィルム（接着剤層）（６）と半導体ウェハ（１）とが両方とも分割される。
　エキスパンドは速度０．５～５ｍｍ／秒、エキスパンド量５～２０ｍｍが好ましい。
　図中、６Ａは分割された接着剤層（接着フィルム）を、１０Ａは分割されたウェハを示す。また、２１Ａはエキスパンドされた固定用テープを、２３はエキスパンダーを示す。

（７－２）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々のチップ（２７）となり、それを接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップする。図中、２５はピックアップ用ニードルを、２６はピックアップ用コレットを示す。チップ（２７）は、粘着フィルム（３）の粘着剤層（５）から剥離されてピックアップされる。図では、粘着剤として紫外線硬化型のものを用いた場合の例として、紫外線照射（図示せず）後に粘着剤層（５）からチップ（２７）を剥離する様子を示した。

　本発明の薄膜研削用表面保護テープを用いた製造方法は、電極としてバンプなどの凹凸を有するウェハを薄膜研削する場合に顕著な効果を発揮する。
　本発明の製造方法を用いることで、裏面研削後のダイシング工程を省くことが可能である。また、本発明の薄膜研削用表面保護テープを用いることによりアンダーフィルを流し込む工程を省くことが可能となり、この為、アンダーフィルによる樹脂漏れが起こることがなく、歩留まりが向上する。

　チップの薄膜化において重要な性能としてチップの抗折強度が挙げられる。一般的な方法である裏面研削後にダイシングする方法では、ブレードによるダイシングであってもレーザーによるダイシングであっても薄膜とされた半導体ウェハにダメージを与える工程であるため、得られるチップにダメージが残りやすく、チッピングが発生したり、最悪の場合はチップが割れてしまったりする。一方、本発明の製造方法を用いることで半導体チップへのダメージを最小限に抑えることが可能となりチップの抗折強度を上げることができ、チップ割れが発生しにくいため、パッケージの実装信頼性を確保できることとなる。

　半導体チップを基盤に実装する際、特にバンプのような凹凸の付いた薄膜半導体チップを圧着するためチップ割れが非常に発生し易い。一方、本発明の製造方法を用いることで、半導体チップに接着フィルム（接着剤層）が接着された状態で実装されるためチップ割れの発生を抑えることができる。また、実装と同時に接着フィルム（接着剤）による接着もできるため製造時間を短縮することが可能となる。

　本発明では半導体のチップ化後にピックアップテープに転写して、ピックアップのみ別工程にて半導体装置を製造（図１、２の工程）してもよいが、転写することなくピックアップすること（図１、３の工程）が好ましい。転写することなくピックアップすることで粘着テープの剥離工程を省略でき、また剥離時にかかるストレスから開放されるため半導体チップへのダメージも軽減することが可能となる。

　本発明では、薄膜研削後のウェハを、ロールを押し当てることによってチップ分割を行って（図示せず）もよく、押し刃を改質層の上から押し込むことによってチップ分割を行って（図示せず）もよく、エキスパンドによってチップ分割を行って（図２の工程（７－１Ａ）、図３の工程（６－２））も良い。外部からのストレスがかからないため、エキスパンドによって分割する方法が好ましい。

　以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。

実施例１
（Ｉ）薄膜研削用表面保護テープの作製
　厚み１００μｍのエチレン－アクリル酸共重合体からなる基材フィルム上に、紫外線硬化型（メタ）アクリル系粘着剤層を設け、該粘着剤層上に、エポキシ樹脂を含有する（メタ）アクリル系共重合体からなる接着剤層を設け、本発明の薄膜研削用表面保護テープを作製した。

（１）粘着テープの製造方法
　２－エチルヘキシルアクリレートを７８ｍｏｌ％、２－ヒドロキシエチルアクリレートを２１ｍｏｌ％、メタクリル酸を１ｍｏｌ％配合し、酢酸エチル溶液中で共重合させることにより重量平均分子量７０万のコポリマー溶液を得た。このコポリマー１００質量部に対して２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名、昭和電工株式会社製カレンズＭＯＩ）５．０質量部を溶液中で混合し、この溶液中で反応させてコポリマー側鎖のヒドロキシル基に前記イソシアネートに由来する二重結合含有基を付加させることで二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマーを合成した。
　この二重結合含有基を有するアクリル共重合体ポリマー１００質量部に、硬化剤としてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）を６．０質量部、光反応開始剤としてイルガキュア１８４（商品名、ＢＡＳＦ社製）を５．０質量部配合し、粘着剤組成物を得た。
　得られた粘着剤組成物を粘着剤層の厚みが２０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、この粘着剤層側で、１００μｍ厚のエチレン系アイオノマー樹脂（商品名、三井・デュポンポリケミカル株式会社製ハイミラン）をフィルム化した厚さ１００μｍの基材フィルムに貼り合わせて粘着テープを得た。

（２）接着剤層と表面保護テープの製造方法
　ブチルアクリレートを４０ｍｏｌ％、エチルアクリレートを３０ｍｏｌ％、アクリロニトリル３０ｍｏｌ％を酢酸エチル及びトルエンの混合溶液中で共重合させることで、アクリル樹脂を得た。
　ジシアンジアミド５０ｍｏｌ％、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０ｍｏｌ％を酢酸エチル及びトルエンの混合溶液中で配合し、共重合させることで、硬化エポキシ樹脂を得た。
　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂３５ｍｏｌ％、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂３５ｍｏｌ％、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル３０ｍｏｌ％を配合し、共重合させることで、フェノキシ樹脂を得た。
　得られたアクリル樹脂を３０質量部、硬化エポキシ樹脂を５０質量部、フェノキシ樹脂を２０質量部配合し、酢酸エチル溶液中で混合した。得られた混合樹脂１００質量部に対して、無機フィラーとして平均粒径５μｍのシリカ粒子５質量部をこの溶液中で配合し接着剤組成物を得た。
　得られた接着剤組成物を接着剤層の厚みが７０μｍ厚となるように剥離ライナー上に塗工し、この接着剤層側で、前記剥離ライナーを剥離した前記粘着テープの粘着層側と貼り合わせることで、薄膜研削用表面保護テープを得た。以下の使用時には、この剥離ライナーを剥離して用いた。

（ＩＩ）半導体チップの製造
　図１および図２のプロセスで半導体チップを作製した。
（１）ＤＡＬ７３６０（商品名、株式会社ディスコ製ステルスダイシング装置）を用いて半導体ウェハ（１）の裏面（１Ａ）からレーザー光（７）を照射し、直径３００ｍｍ（約１２インチ）のバンプ付ウェハに改質層（２）を形成した。バンプの大きさ、ピッチは以下である。
　　バンプ高さ：８０μｍ、ピッチ：１６０μｍ、バンプの種類：ソルダー
　　改質層｛改質部（２Ａ）｝の厚さ：３０μｍ

（２）半導体ウェハの改質層を設けた表面（１Ａ）に、上記で作製した薄膜研削用表面保護テープを接着層（６）側で貼り合わせた。
（３）半導体ウェハの、薄膜研削用表面保護テープを貼り合わせた面と反対側の面（裏面）（１Ｂ）を、ＤＧＰ８７６１（商品名、株式会社ディスコ製裏面研削装置）を用いて、研削後の厚み７５μｍまで研削した。
（４）研削後、半導体ウェハ（１０）の裏面（研削面）に、ピックアップテープ（１１）を貼り付け、リングフレーム（１２）に固定した。
　なお、ピックアップテープ（１１）は、基材フィルムがポリオレフィンからなり、厚み１１０μｍのダイシングテープを使用した。ダイシングテープは、この基材フィルム上に、紫外線硬化型アクリル共重合体からなる粘着剤層を有する。

（５）紫外線照射後に、薄膜研削用表面保護テープから粘着テープ（３）（基材フィルム（４）と粘着剤層（５））のみを剥離させ、接着フィルム（接着剤層）（６）のみを半導体ウェハ表面に残した。
（６）接着フィルム（接着剤層）および研削後の半導体ウェハが分割されるように、速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量２０ｍｍの条件にてピックアップテープ（１１）をエキスパンドした。｛図２に示した工程（７－１Ａ）。｝
（７）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々のチップ（１７）となり、それを接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップした。

実施例２
　実施例１で作製した薄膜研削用表面保護テープを使用し、実施例１における（６）のプロセスを下記（６－１）～（６－２）のプロセスに変更した以外は実施例１と同様にして半導体チップを製造した。

（６－１）半導体ウェハのみ分割するように速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量８ｍｍの条件にてピックアップテープ（１１）をエキスパンドした。
（６－２）上記エキスパンド後に、接着フィルム（接着剤層）（６）をレーザー光（１４）により切断した。｛図２に示した工程（７－１Ｂ）。｝

実施例３
　図１および図３のプロセスで半導体チップを作製した。
　実施例１で作製した薄膜研削用表面保護テープを使用し、実施例１における（１）～（３）のプロセスを行った後、（４）～（７）に代えて以下のプロセス（４Ａ）～（６Ａ）を行って半導体チップを製造した。

（４Ａ）薄膜研削用表面保護テープの基材フィルム（４）側に実施例１と同様のエキスパンド用テープ（１１）（固定用テープ（２１））を貼り付け、リングフレーム（２２）に固定した。エキスパンド用テープ（１１）（固定用テープ（２１））は、エチレン系アイオノマー樹脂からなる基材フィルム上に、紫外線硬化型アクリル共重合体からなる粘着剤層を有する。
（５Ａ）上記固定用テープ（２１）を速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量２０ｍｍの条件にてエキスパンドし、粘着フィルム（３）上で、接着フィルム（接着剤層）（６）と半導体ウェハを分割した。
（６Ａ）分割された半導体ウェハ（１０Ａ）は個片化された接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）付の個々のチップ（２７）となり、紫外線照射後に、粘着剤層（５）からチップ（２７）を接着フィルム（接着剤層）（６Ａ）とともにピックアップした。

比較例１
（Ｉ）従来のバンプ用表面保護テープの製造方法
　メタクリル酸を２０ｍｏｌ％、２－エチルヘキシルアクリレートを３０ｍｏｌ％、２－ヒドロキシエチルアクリレートを１０ｍｏｌ％、メチルアクリレートを４０ｍｏｌ％配合し、酢酸エチル溶液中で共重合させることにより、重量平均分子量６０万のコポリマー溶液を得た。
　当該コポリマー溶液に、コポリマー１００質量部に対して、ＵＶ反応性樹脂として５官能のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部、３官能のウレタンアクリレートオリゴマー１０質量部及び２官能のウレタンアクリレートオリゴマー３０質量部、硬化剤としてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）４．０質量部、光反応開始剤としてイルガキュア１８４（商品名、ＢＡＳＦ社製）５質量部、添加剤としてＥｂｅｃｒｙｌ　３５０（商品名、ダイセル・オルネクス株式会社製）０．５質量部を配合し、粘着剤組成物を得た。
　得られた粘着剤組成物を粘着剤層の厚みが１３０μｍ厚になるように剥離ライナー上に塗工し、１００μｍ厚のＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）フィルムに貼り合せ２３０μｍ厚の従来のバンプ用表面保護テープを得た。以下の使用時には、この剥離ライナーを剥離して用いる。

（ＩＩ）半導体チップの製造
　高さ８０μｍ、ピッチ１６０μｍのソルダーバンプ付１２インチウェハの表面に前記バンプ用表面保護テープを剥離ライナーを剥離して粘着剤層側で貼合し、ＤＧＰ８７６１（商品名、株式会社ディスコ製裏面研削装置）を用いて、ウェハ裏面を研削した。この裏面研削は、研削後のウェハ厚み７５μｍまで行った。
　その後、バンプ用表面保護テープ付ウェハを１１０μｍ厚のポリオレフィン製ダイシングテープにマウントを行い、紫外線照射後に、バンプ用表面保護テープを剥離した。
　ＤＦＤ６３６１（商品名、株式会社ディスコ製ブレードダイシング装置）を用いてダイシングを行い、ＤＢ８００－ＨＬ（商品名、株式会社日立ハイテクノロジーズ製ピックアップダイボンダ）を用いてピックアップを行った。
　基盤に接着剤（ＮＣＰ）としてＵ８４４３（商品名、ナミックス株式会社製フリップチップ用アンダーフィル剤）を塗布し、その上からピックアップしたチップを基盤に接合するとともに封止を行った。

比較例２
　高さ８０μｍ、ピッチ１６０μｍのソルダーバンプ付１２インチウェハの表面に前記比較例１で調製したのと同じバンプ研削用表面保護テープを剥離ライナーを剥離して粘着剤層側で貼合し、ＤＧＰ８７６１（商品名、株式会社ディスコ製裏面研削装置）を用いて、ウェハ裏面を研削した。この裏面研削は、研削後の厚み７５μｍ厚まで行った。
　その後、バンプ用表面保護テープ付ウェハを１１０μｍ厚のポリオレフィン製ダイシングテープにマウントを行い、紫外線照射後に、バンプ用表面保護テープを剥離した。
　ＤＦＬ７１６０（商品名、株式会社ディスコ製レーザーダイシング装置）を用いてダイシングを行い、ＤＢ８００－ＨＬ（商品名、株式会社日立ハイテクノロジーズ製ピックアップダイボンダ）を用いてピックアップを行った。
　ピックアップしたチップを基盤に接合を行い、アンダーフィル剤としてＵ８４４３（商品名、ナミックス株式会社製フリップチップ用アンダーフィル剤）を横から流し込んで封止を行った。

　前記各実施例および比較例で得られた半導体チップについて、以下の特性を評価した。
（１）チップ割れの有無
　前記エキスパンド時にチップに割れが生じるかどうかを目視で観察し、以下の基準で評価した。
　○（良）：チップ割れが認められない。
　△（不良）：若干のチップ割れが認められる。
　×（特に不良）：顕著なチップ割れが認められる。

（２）接着バリ発生の有無
　前記エキスパンド時およびピックアップ時に接着バリが発生するかどうかを目視で観察し、以下の基準で評価した。
　無し（良）：接着バリが認められない。
　有り（不良）：接着バリが認められる。

　以上の結果を、アンダーフィル工程の有無とともに表１に示す。

　上記のように、実施例１～３の半導体チップの製造方法は、接着剤層によりバンプの凹凸を完全に埋めこむため、電極としてバンプなどの凹凸を有するウェハを薄膜研削する場合に割れなどを発生させることなく良好な研削性を発揮し、また、裏面研削後のダイシング工程を省くことが可能であり、薄膜研削用表面保護テープを用いることによりアンダーフィルを流し込む工程を省くことが可能となり、またアンダーフィルによる樹脂漏れもなくなるため歩留まりが向上する。
　しかも、本発明の製造方法を用いることで半導体チップへのダメージを最小限に抑えることが可能となりチップの抗折強度を上げることができ、チップ割れが発生しにくいため、パッケージの実装信頼性を確保できる。
　さらに、半導体チップに接着フィルム（接着剤層）が接着された状態で実装されるためチップ割れの発生を抑えることができ、実装と同時に接着剤による接着もできるため製造時間を短縮することが可能となる。
　また、実施例３では、転写することなくピックアップすることから、粘着テープの剥離工程を省略でき、また剥離時にかかるストレスから開放されるため半導体チップへのダメージをさらに軽減することが可能となる。

　一方、比較例１および２では接着剤がチップからはみ出してしまっており接着バリが発生した。特にＵＦ（アンダーフィル）方式では、はみ出し量が多かった。
　比較例１および２ではそれぞれブレードおよびレーザーによるダイシングを行ったため、チップ側面でのチッピングが発生し、特にブレードダイシング方ではチップ欠けやチップ割れまで発生する結果となった。

　実施例１～３では、粘着剤層のゲル分率が８０％以上であった。
　一方、別の比較例として、粘着剤層のゲル分率が８０％未満である場合、この比較例では凝集力が低くなってしまうためウェハ表面の回路上に糊残りを発生させてしまい、劣った結果となる。

　実施例１～３では、接着フィルムの２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であり、飽和吸湿率が１．５容量％以下であった。
　一方、別の比較例として、接着フィルムの２５０℃における弾性率が１０ＭＰａを超えるか、および／または飽和吸湿率が１．５容量％を超える場合、これらの比較例は反りが大きくチップの反りを生じるか、あるいは外観不良や接着力不足などの問題を発生させてしまい、いずれも劣った結果となる。

　実施例１～３では、接着フィルムの表面自由エネルギーが、２５～４５ｍＮ／ｍであった。
　一方、別の比較例として、接着フィルムの表面自由エネルギーが２５ｍＮ／ｍ未満であるかあるいは４５ｍＮ／ｍを超える場合、これらの比較例では濡れ性が不十分のためボイドが発生するか、あるいは実装信頼性に劣り、いずれも劣った結果となる。

　本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。

　本願は、２０１２年１１月２０日に日本国で特許出願された特願２０１２－２５４７０３に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。

　１　ウェハ
　　１Ａ　ウェハ表面
　　１Ｂ　ウェハ裏面
　２　改質層
　　２Ａ　改質部
　３　粘着テープ
　　４　基材フィルム
　　５　粘着剤層
　６　接着剤層（接着フィルム）
　　６Ａ　分割された接着剤層（接着フィルム）
　９　裏面研削中のウェハ
１０　裏面が研削された状態のウェハ
　１０Ａ　分割されたウェハ
１１　ピックアップテープ
　１１Ａ　エキスパンドされたピックアップテープ
１２　リングフレーム
１７　個片化された接着剤付チップ
２１　固定用テープ
　２１Ａ　エキスパンドされた固定用テープ
２２　リングフレーム
２７　個片化された接着剤付チップ

Claims (13)

1. 　半導体回路が形成された半導体ウェハに、電極としてバンプを有するバンプ付ウェハ内に改質層を形成した後、該半導体ウェハの裏面を研削し、個々のチップへ一括して分割を行う半導体チップの製造方法であって、
   　該改質層を形成した後であって、かつ該半導体ウェハの裏面を研削する前に、基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層された薄膜研削用表面保護テープを、半導体ウェハの半導体回路が形成された側に前記接着フィルム側で貼り付ける工程、
   　該半導体ウェハの裏面研削後にピックアップされる際に、またはピックアップ用のテープに転写される際に、該接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程
   を有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. 　前記接着フィルムのみチップに接着された状態とする工程が、転写フィルムを使用することなく、前記表面保護テープから直接ピックアップする工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 　前記薄膜研削用表面保護テープをエキスパンドすることにより、前記接着フィルムとチップを同時に分割する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
4. 　前記半導体ウェハの裏面研削によるチップの一括分断の後、前記薄膜研削用表面保護テープの前記接着フィルムのみをレーザーによって分割することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
5. 　基材フィルム上に粘着剤層を有する粘着テープの粘着剤層上に接着フィルムが積層されてなる薄膜研削用表面保護テープであって、
   　前記接着フィルムが、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であり、飽和吸湿率が１．５容量％以下であって、かつ（メタ）アクリル系共重合体及びフェノキシ系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を接着剤として含む単一もしくは複数の層からなることを特徴とする薄膜研削用表面保護テープ。
6. 　前記粘着剤層が、紫外線硬化型であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
7. 　前記粘着剤層が、（メタ）アクリル系共重合体を主成分とし、ゲル分率が８０％以上であることを特徴とする請求項５または６に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
8. 　前記接着フィルムの表面自由エネルギーが、２５～４５ｍＮ／ｍであり、飽和吸湿率が１．５容量％以下であることを特徴とする請求項５～７のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
9. 　前記接着フィルムがエポキシ樹脂を含み、該エポキシ樹脂が、グリシジルエーテルエポキシ樹脂、グリシジルアミンエポキシ樹脂、グリシジルエステルエポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１つの樹脂であることを特徴とする請求項５～８のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
10. 　前記接着フィルムがビスフェノール系樹脂を含有することを特徴とする請求項５～９のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
11. 　前記ビスフェノール系樹脂が、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル樹脂及びビスフェノールＡジグリシジルエーテル樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１つであることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
12. 　前記接着フィルムが無機フィラーを含み、かつその含有量が、該接着フィルム中の樹脂成分１００質量部に対し、６０質量部未満であることを特徴とする請求項５～１１のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。
13. 　前記接着フィルムが、イソシアネート硬化剤またはエポキシ系硬化剤と架橋する官能基を有し、かつフラックス活性を示す化合物を含むことを特徴とする請求項５～１２のいずれか１項に記載の薄膜研削用表面保護テープ。

Images