KR20140036308A - 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품 - Google Patents

다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품 Download PDF

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KR20140036308A
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adhesive film
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dicing tape
film
adhesive sheet
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겐조 마에지마
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스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 의하면, 대향하는 부재의 단자간 접속 및 부재 사이의 공극의 봉지를 동시에 실시할 수 있는 작업성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 제공된다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를 땜납을 사용하여 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착하는 접착 필름과 다이싱 테이프로 구성되는 적층 구조를 갖고, 상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부할 때의 첩부 온도를 T [℃], 상기 접착 필름에 가하는 압력을 P [㎫], 상기 첩부 온도에 있어서의 접착 필름의 용융 점도를 η [Pa·s] 로 했을 때, 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족한다.

Description

다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품{DICING-TAPE-INTEGRATED ADHESIVE SHEET, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYERED CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품에 관한 것이다.
본원은 2011년 7월 8일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2011-152370호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
최근의 전자 기기의 고기능화 및 소형화 (경박단소화) 요구에 수반하여 반도체 패키지 등의 전자 부품의 고밀도 집적화, 고밀도 실장화가 진행되고 있어, 이들 전자 부품의 소형화, 다핀화가 진행되고 있다. 이들 전자 부품의 전기적인 접속을 얻기 위해서는, 땜납 접합이 사용되고 있다.
이 땜납 접합으로는, 예를 들어 반도체 칩끼리의 도통 접합부, 플립 칩으로 탑재한 패키지와 같은 반도체 칩과 회로 기판간의 도통 접합부, 회로 기판끼리의 도통 접합부 등을 들 수 있다. 이 땜납 접합부에는 전기적인 접속 강도 및 기계적인 접속 강도를 확보하기 위해서, 일반적으로 언더필재 (材) 라고 불리는 봉지 (封止) 수지가 주입되어 있다 (언더필 봉지).
이 땜납 접합부에 의해서 생긴 공극 (갭) 을 액상 봉지 수지 (언더필재) 로 보강하는 경우, 땜납 접합 후에 액상 봉지 수지 (언더필재) 를 공급하고, 이것을 경화시킴으로써 땜납 접합부를 보강하고 있다. 그러나, 전자 부품의 박화, 소형화에 따라서 땜납 접합부는 협 (狹) 피치화/협갭화되고 있기 때문에, 땜납 접합 후에 액상 봉지 수지 (언더필재) 를 땜납 접합부에 공급하여도 갭 사이로 액상 봉지 수지 (언더필재) 가 골고루 퍼지지 않아, 완전히 충전하기가 곤란해진다는 문제가 발생하고 있다.
이러한 문제에 대하여, 이방 도전 필름을 통해서 단자 사이의 전기적 접속과 접착을 일괄적으로 실시하는 방법이 알려져 있다. 예를 들어 도전성 입자를 함유하는 접착 필름을 부재 사이에 개재시키고 열압착시킴으로써, 양 부재의 단자 사이에는 도전성 입자를 개재시키고 타부에는 수지 성분을 충전시키는 방법이나, 도전성 입자끼리를 접촉시킴으로써 그 부분의 전기적 접속을 취하는 방법이 기재되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2).
그러나 이들 방법에서는, 인접하는 단자 사이에 도전성 입자가 존재하기 때문에 인접하는 단자 사이의 절연성을 확보하는 것이나, 인접하는 단자 사이에 기포가 존재하기 때문에 전자 부품이나 반도체 장치의 신뢰성을 확보하기가 곤란하였다.
일본 공개특허공보 소61-276873호 일본 공개특허공보 평9-31419호
본 발명의 목적은, 대향하는 부재의 단자간 접속 및 부재 사이의 공극의 봉지를 동시에 실시할 수 있는 작업성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명의 목적은, 이러한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 제조된 전기적 접속 신뢰성이 높은 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품을 제공하는 것에 있다.
이러한 목적은, 하기 (1) ∼ (19) 에 의해 달성된다.
(1) 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를 땜납을 사용하여 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착하는 접착 필름과 다이싱 테이프를 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로서,
상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부 (貼付) 할 때의 첩부 온도를 T [℃], 상기 접착 필름에 가하는 압력을 P [Pa], 상기 첩부 온도에 있어서의 접착 필름의 용융 점도를 η [Pa·s] 로 했을 때, 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족하고,
상기 첩부 온도 (T) 는 60 ∼ 150 ℃, 상기 압력 (P) 는 0.2 ∼ 1.0 ㎫, 상기 첩부 온도 (T) 에 있어서의 접착 필름의 용융 점도 (η) 는 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(2) 상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부할 때의 분위기압은 100 ㎪ 이하인 상기 (1) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(3) 상기 접착 필름은, (A) 페놀 수지와,
(B) 에폭시 수지와,
(C) 플럭스 기능을 갖는 화합물과,
(D) 성막성 수지
를 함유하는 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(4) 상기 접착 필름이, 상기 (A) 페놀 수지를 3 ∼ 30 중량％, 상기 (B) 에폭시 수지를 10 ∼ 80 중량％, 상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물을 1 ∼ 30 중량％, 상기 (D) 성막성 수지를 1 ∼ 50 중량％ 함유하는 것인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(5) 상기 (B) 에폭시 수지가 25 ℃ 에서 액상인 상기 (3) 또는 (4) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(6) 상기 (B) 에폭시 수지의 25 ℃ 에 있어서의 점도가 500 ∼ 50,000 mPa·s 인 상기 (3) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(7) 상기 (B) 에폭시 수지와, 상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물의 배합비 ((B)/(C)) 가 0.5 ∼ 12.0 인 상기 (3) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(8) 상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이, 1 분자 중에 2 개의 페놀성 수산기와 적어도 1 개의 방향족에 직접 결합한 카르복실기를 함유하는 플럭스 기능을 갖는 화합물인 상기 (3) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(9) 상기 (D) 성막성 수지가 페녹시 수지를 포함하는 것인 상기 (3) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(10) 상기 접착 필름이, 추가로 충전재를 함유하는 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(11) 상기 충전재의 함유량이 0.1 중량％ 이상 80 중량％ 이하인 상기 (10) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(12) 상기 다이싱 테이프는 점착층과 지지 필름으로 구성되고, 상기 점착층 상에 상기 접착 필름이 적층되는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(13) 상기 점착층이 광경화성 수지로 이루어지는, 상기 (12) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(14) 상기 다이싱 테이프는 점착층과 지지 필름으로 구성되고, 상기 점착층 상에 개재층을 사이에 두고 상기 접착 필름이 적층되는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(15) 상기 다이싱 테이프의 점착층의 점착성이 상기 개재층의 점착성보다 높은, 상기 (14) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(16) 상기 개재층이 광경화성 수지로 이루어지는, 상기 (14) 또는 (15) 에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
(17) 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(18) 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 회로 기판.
(19) 상기 (1) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
본 발명에 의하면, 대향하는 부재의 단자간 접속 및 부재 사이의 공극의 봉지를 동시에 실시할 수 있고, 또한, 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철을 양호하게 매립할 수 있는 작업성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 제공하는 것, 그리고 이러한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 제조한 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품에 관해서 설명한다.
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를 땜납을 사용하여 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착하는 접착 필름과 다이싱 테이프로 구성되는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로서,
상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부할 때의 첩부 온도를 T [℃], 접착 필름에 가하는 압력을 P [㎫], 상기 첩부 온도에 있어서의 접착 필름의 용융 점도를 η [Pa·s] 로 했을 때, 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족하고,
상기 첩부 온도 (T) 는 60 ∼ 150 ℃, 상기 압력 (P) 는 0.2 ∼ 1.0 ㎫, 상기 첩부 온도 (T) 에 있어서의 접착 필름의 용융 점도 (η) 는 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품은, 제 1 단자를 갖는 지지체와 제 2 단자를 갖는 피착체를, 상기 접착 필름의 경화물에 의해 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착시킨 것이다.
이하, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품에 관해서 상세히 설명한다.
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를 땜납을 사용하여 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착하는 접착 필름과 다이싱 테이프를 필수적인 구성 요소로 하는 것이다. 또한, 이밖에, 후술하는 개재층이나 외층을 형성해도 된다. 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 각부의 구성에 관해서, 순차적으로 상세히 서술한다.
또한, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트에 있어서, 반도체 장치의 구성 요소가 되는 것은 접착 필름만이다. 접착 필름과, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트에 있어서의 그 밖의 부재를 조합함으로써, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는 작업성이 우수하다.
(다이싱 테이프)
다이싱 테이프는, 일반적으로 사용되는 어떠한 다이싱 테이프라도 사용할 수 있다.
구체적으로 다이싱 테이프의 지지 필름의 구성 재료로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 아이오노머, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 비닐폴리이소프렌, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 이들 중 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
지지 필름의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 ∼ 200 ㎛ 정도인 것이 바람직하고, 30 ∼ 150 ㎛ 정도인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해 지지 필름은 적절한 강성을 갖는 것이 되기 때문에, 다이싱 테이프 및 접착 필름을 확실하게 지지하여, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 취급을 용이하게 하는 것과 함께, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 적절하게 만곡함으로써, 제 1 단자를 갖는 지지체와의 밀착성을 높일 수 있다.
또한 다이싱 테이프의 점착층으로는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등을 함유하는 제 1 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 지지 필름의 구성 재료는 특별히 한정되지 않지만, 광 (가시광선, 근적외선, 자외선), X 선, 전자선 등에 의해 제 1 수지 조성물의 점착성을 제어하는 경우, 광 (가시광선, 근적외선, 자외선), X 선, 전자선 등을 투과하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 아이오노머, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 올레핀계 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리알킬렌테레프탈레이트계 수지, 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리비닐이소프렌, 폴리카보네이트 등의 열가소성 수지나, 이들 열가소성 수지의 혼합물이 사용된다.
특히 지지 필름의 구성 재료로서, 폴리프로필렌과 엘라스토머의 혼합물, 또는 폴리에틸렌과 엘라스토머의 혼합물이 사용되는 것이 바람직하다. 또한, 이 엘라스토머로서, 일반식 (1) 로 나타내는 폴리스티렌 세그먼트와 일반식 (2) 로 나타내는 비닐폴리이소프렌 세그먼트로 이루어지는 블록 공중합체가 바람직하다. 이러한 재료를 사용함으로써, 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 첩부할 때, 충분한 쿠션성을 가질 수 있다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 (1) 중, n 은 2 이상의 정수)
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 (2) 중, n 은 2 이상의 정수)
지지 필름의 제법으로서 특별히 한정되지 않지만, 캘린더법, 압출 성형법 등의 일반적인 성형 방법을 사용할 수 있다. 지지 필름의 표면에는, 점착층을 구성하는 재료와 반응하는 관능기, 예를 들어, 하이드록실기 또는 아미노기 등이 노출되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 지지 필름과 점착층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 지지 필름의 표면을 코로나 처리 또는 앵커 코트 등으로 표면 처리하여 두는 것이 바람직하다.
아크릴계 점착제로는, 예를 들어 (메트)아크릴산 및 그들의 에스테르로 구성되는 수지, (메트)아크릴산 및 그들의 에스테르와, 그들과 공중합 가능한 불포화 단량체 (예를 들어 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등) 와의 공중합체 등이 사용된다. 또한, 이들 공중합체를 2 종류 이상 혼합해도 된다.
또한, 이들 중에서도 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸헥실 및 (메트)아크릴산부틸로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, (메트)아크릴산하이드록시에틸 및 아세트산비닐 중에서 선택되는 1 종 이상과의 공중합체가 바람직하다. 이것에 의해, 다이싱 테이프의 점착층이 점착되는 상대 (예를 들어, 후술하는 개재층, 지지 필름 등) 와의 밀착성이나 점착성의 제어가 용이해진다.
또한, 제 1 수지 조성물에는, 점착성 (접착성) 을 제어하기 위해서 우레탄아크릴레이트, 아크릴레이트 모노머, 다가 이소시아네이트 화합물 (예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트) 등의 이소시아네이트 화합물 등의 모노머 및 올리고머를 첨가해도 된다.
또한, 제 1 수지 조성물에는, 광 (가시광선, 근적외선, 자외선) 에 의해 점착층의 점착성을 제어하는 경우, 광경화 성분을 함유시키는 것이 바람직하다. 광경화 성분은, 광 조사에 의해 경화되고, 경화에 의해서 아크릴계 점착제 등이 경화 성분의 가교 구조에 편입된 결과, 점착층의 점착력이 저하된다. 이러한 광경화 성분으로는, 예를 들어, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사에 의해 3 차원 가교 가능한 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2 개 이상 분자 내에 갖는 저분자량 화합물을 사용할 수 있다.
구체적으로, 광경화 성분으로서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르아크릴레이트 등, 방향족계, 지방족계 등의 우레탄아크릴레이트 등이 사용된다. 또, 이들 중에서도 우레탄아크릴레이트가 바람직하다.
또, 광경화 성분에는 특별히 한정되지 않지만, 중량 평균 분자량이 상이한 2 개 이상의 광경화 성분이 혼합되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 경화 성분을 이용하면, 광 조사에 의한 수지의 가교도를 제어하고, 픽업성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 또한, 이러한 경화 성분으로서, 예를 들어, 제 1 광경화 성분과 제 1 광경화 성분보다 중량 평균 분자량이 큰 제 2 광경화 성분과의 혼합물 등이 사용되어도 된다.
이러한 광경화 성분에 의한 점착층의 점착력 저하 효과는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 다이싱 공정 후에 다이싱 테이프의 지지 필름을 통해서 점착층에 광 조사를 실시하여 점착층의 점착력을 저하시킴으로써, 바람직한 픽업성을 얻을 수 있다.
광경화 성분은 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 점착제 등의 점착제 100 중량부에 대하여 20 중량부 이상 200 중량부 이하로 배합되는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이 광경화 성분의 배합량을 조정함으로써, 픽업성은 보다 바람직한 것이 된다.
또한 제 1 수지 조성물에는, 후술하는 제 2 수지 조성물과 동일한 광중합 개시제를 첨가해도 된다.
또한 제 1 수지 조성물에 광경화 성분을 함유하는 경우에는, 광 조사에 의한 광경화를 촉진시키기 위해서 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제를 함유함으로써, 광경화 성분의 중합 개시를 용이하게 할 수 있다. 광중합 개시제로서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
또한, 제 1 수지 조성물은, 점착층의 점착성을 제어하기 위해서 가교제를 함유해도 된다. 가교제로서, 예를 들어, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 메틸올계 가교제, 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 다가 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
이소시아네이트계 가교제로서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 다가 이소시아네이트의 폴리이소시아네이트 화합물 및 폴리이소시아네이트 화합물의 3 량체 ; 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 화합물의 3 량체 또는 말단 이소시아네이트우레탄 프레폴리머를 페놀, 옥심류 등으로 봉쇄한 블록화 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.
다가 이소시아네이트로서, 예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트 등이 사용된다. 이들 중에서도 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 다가 이소시아네이트가 바람직하다.
가교제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 5 중량부 이상 50 중량부 이하로 배합되는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이 가교제의 배합량을 조정함으로써, 다이싱 테이프의 픽업성은 보다 바람직한 것이 된다.
또한, 접착 강도 및 전단 강도를 높일 목적에서, 로진 수지, 테르펜 수지, 쿠마론 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족계 석유 수지, 방향족계 석유 수지, 지방족 방향족계 석유 수지 등의 점착 부여제 등을 첨가해도 된다.
이러한 다이싱 테이프의 점착층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 100 ㎛ 정도인 것이 바람직하고, 특히 3 ∼ 20 ㎛ 정도인 것이 보다 바람직하다. 다이싱 테이프의 점착층의 평균 두께가 상기 범위 내이면, 다이싱 테이프의 점착층의 형상 추종성이 확보되어, 접착 필름의 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성을 보다 높일 수 있다.
개재층에 관해서 후술하는데, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 다이싱 테이프의 점착층과 접착 필름 사이에 개재층을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 다이싱 테이프의 점착층은 개재층보다 점착성이 높은 것이 바람직하다. 이것에 의해, 접착 필름에 대한 개재층의 밀착력보다도 개재층 및 지지 필름에 대한 다이싱 테이프의 점착층의 밀착력이 커진다. 그 때문에, 후술하는 반도체 장치의 제조에 있어서의 픽업 공정에서, 박리를 발생시켜야 할 원하는 계면 (즉 개재층과 접착 필름의 계면) 에서 박리가 일어나게 할 수 있다.
또한, 다이싱 테이프의 점착층의 점착성을 높임으로써, 후술하는 반도체 장치의 제조의 제 2 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개편화할 때에 다이싱 테이프와 웨이퍼 링의 사이가 확실하게 고정되게 된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 위치 어긋남이 확실하게 방지되어, 반도체 칩의 치수 정밀도를 높일 수 있다.
(접착 필름)
본 발명의 다이싱 필름 일체형 접착 시트를 구성하는 접착 필름은 접착성을 갖는 필름으로, 반도체 칩 또는 반도체 패키지를 회로 기판에 실장할 때에 사용되고, 반도체 칩 또는 반도체 패키지, 및 회로 기판에 첩착 (貼着) 되는 것이다. 또한, 접착 필름은 플럭스 기능을 갖고 있다. 또, 본 명세서 중에 있어서 회로 기판이란, 예를 들어, 배선 회로가 형성된 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 리지드 기판, 플렉시블 기판, 리지드 플렉시블 기판 등을 말한다.
종래의 이러한 용도에 사용되는 접착 필름은, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 충분히 매립할 수 없어, 접착 필름과 회로 기판 사이에 공극이 생기고 말아, 반도체 칩 등과 회로 기판의 접착 불량이 발생한다는 문제가 있었다.
이에 대하여, 본 발명에서는, 접착 필름과 회로 기판을 첩부할 때의, 첩부 온도 (T) 가 60 ∼ 150 ℃, 접착 필름에 가하는 압력 (P) 이 0.2 ∼ 1.0 ㎫, 첩부 온도 (T) [℃] 에 있어서의 접착 필름의 용융 점도 (η) 가 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 의 조건하에 있어서, 상기 첩부 온도 (T) [℃], 상기 압력 (P) [Pa], 상기 용융 점도 (η) [Pa·s] 가 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족하는 점에 특징을 갖고 있다.
이러한 특징을 가짐으로써, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 접착 필름으로 양호하게 매립할 수 있어, 접착 필름과 회로 기판 사이에 공극이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 대하여, (T×P)/η 의 값이 상기 하한값 미만이면, 접착 필름과 회로 기판 사이에 공극이 생기고 만다. 또한, 배선 회로 등의 요철이 접착 필름 표면의 요철이 되어 나타나, 반도체 칩 등과의 접착성이 저하되고 만다. 한편, (T×P)/η 의 값이 상기 상한값을 초과하면, 접착 필름이 지나치게 유연해져, 회로 기판의 가장자리부로부터 접착 필름이 튀어나오게 된다.
또한, 상기 특징을 가짐으로써, 접착 필름과 다이싱 시트 사이, 또는 접착 필름과 개재층 사이의 계면의 밀착성 등의 물성도 양호해져, 양호한 작업성을 실현할 수 있다. 요컨대, (T×P)/η 의 값이 상기 하한값 이상임으로써, 접착 필름과 다이싱 시트 사이, 또는 접착 필름과 개재층 사이의 밀착성이 충분해져, 다이싱 공정 등에서 접착 필름이 의도치 않게 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, (T×P)/η 의 값이 상기 상한값 이하임으로써, 접착 필름과 다이싱 시트, 또는 접착 필름과 개재층이 강히게 밀착되어 버림으로써 발생하는, 접착 필름 표면으로의 점착층 등의 전사 등으로 인한 문제를 효과적으로 억제할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 접착 필름은, 상기 조건하에 있어서, 첩부 온도 (T) [℃], 압력 (P) [Pa], 용융 점도 (η) [Pa·s] 가, 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족하는 것인데, 1.6×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.3×109 의 관계를 만족하는 것이 바람직하고, 2.0×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.0×109 의 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 본 발명의 효과를 보다 현저한 것으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 접착 필름의 첩부 온도 (T) [℃] 에 있어서의 접착 필름의 용융 점도 (η) 는 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 이다. 이것에 의해, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 보다 양호하게 접착 필름으로 매립할 수 있다.
상기 용융 점도를 0.1 Pa·s 이상으로 함으로써, 용융된 접착 필름이 지지체 또는 피착체를 타고 올라가 오염되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 용융 점도를 100,000 Pa·s 이하로 함으로써, 대향하는 단자 사이에 용융된 접착 필름이 끼여 들어가 도통 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 용융 점도는, 바람직하게는 0.2 Pa·s 이상, 특히 0.5 Pa·s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 용융된 접착 필름이 지지체 또는 피착체를 타고 올라가 오염되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 용융 점도는, 바람직하게는 70,000 Pa·s 이하, 특히 30,000 Pa·s 이하로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 대향하는 단자 사이에 용융된 접착 필름이 끼여 들어가 도통 불량이 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 용융 점도를 0.1 Pa·s 이상으로 함으로써, 접착 필름과 다이싱 시트, 또는 접착 필름과 개재층이 강하게 밀착되어 버림으로써 발생하는, 접착 필름 표면으로의 점착층 등의 전사 등으로 인한 문제를 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상기 용융 점도를 100,000 Pa·s 이하로 함으로써, 접착 필름과 다이싱 시트 사이, 또는 접착 필름과 개재층 사이의 밀착성이 충분해져, 다이싱 공정 등에서 접착 필름이 의도치 않게 박리되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 접착 필름의 용융 점도 (η) 는 이하의 측정 방법에 의해 구해진다.
두께 100 ㎛ 의 접착 필름을 점탄성 측정 장치 (HAAKE 사 제조 「RheoStress RS150」) 를 사용하여, 패럴렐 플레이트 20 ㎜φ, 갭 0.05 ㎜, 주파수 0.1 Hz, 승온 속도 10 ℃/분의 조건에서 측정하고, 접착 필름의 첩부 온도에 있어서의 값을 측정값으로 하였다.
이러한 접착 필름은, 예를 들어 이하에 나타내는 성분으로 구성할 수 있다.
본 발명의 접착 필름은, (A) 페놀 수지 (이하, 화합물 (A) 라고도 기재한다) 와, (B) 에폭시 수지와 (이하, 화합물 (B) 라고도 기재한다), (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물 (이하, 화합물 (C) 라고도 기재한다) 와, (D) 성막성 수지 (이하, 화합물 (D) 라고도 기재한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.
이것에 의해, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있고, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 보다 효과적으로 매립할 수 있다.
또한, 접착 필름은, 화합물 (A) 를 3 ∼ 30 중량％, 화합물 (B) 를 10 ∼ 80 중량％, 화합물 (C) 를 1 ∼ 30 중량％, 화합물 (D) 를 1 ∼ 50 중량％ 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 배합량으로 함으로써, 접착 필름의 첩부 온도에 있어서의 용융 점도 (η) 를 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 로 할 수 있다. 또한, 화합물 (A) 를 3 ∼ 28 중량％, 화합물 (B) 를 12 ∼ 78 중량％, 화합물 (C) 를 3 ∼ 25 중량％, 화합물 (D) 를 6 ∼ 40 중량％ 함유하는 것이 더 바람직하고, 화합물 (A) 를 5 ∼ 25 중량％, 화합물 (B) 를 15 ∼ 75 중량％, 화합물 (C) 를 3 ∼ 20 중량％, 화합물 (D) 를 10 ∼ 35 중량％ 함유하는 것이 가장 바람직하다. 이것에 의해, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있다.
접착 필름이 화합물 (A) 를 함유함으로써, 접착 필름의 경화물의 유리 전이 온도를 높일 수 있고, 나아가 내(耐)이온 마이그레이션성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 접착 필름에 적절한 유연성을 부여할 수 있기 때문에, 접착 필름의 취성을 개선하는 것이 가능해진다. 그리고, 접착 필름에 적절한 택성을 부여할 수 있기 때문에, 작업성이 우수한 접착 필름을 얻을 수 있다.
상기 화합물 (A) 로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 형 노볼락 수지, 비스페놀 F 형 노볼락 수지, 비스페놀 AF 형 노볼락 수지, 알킬페놀 노볼락 수지, 비페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지, 레졸시놀 노볼락 수지, 비페닐아르알킬형 페놀 수지, 나프톨아르알킬 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 트리스페닐메탄형 페놀 수지, 자일로그형 페놀 수지, 자일로그형 나프톨 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 서술한 바와 같은 관계를 보다 용이하게 만족시킬 수 있는 것과 함께, 또한 접착 필름의 경화물의 유리 전이 온도를 효과적으로 높일 수 있는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
접착 필름 중에 있어서의 상기 화합물 (A) 의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 3 ∼ 30 중량％ 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 28 중량％ 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 25 중량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 화합물 (A) 의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있고, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 보다 효과적으로 매립할 수 있다. 또한, 접착 필름의 경화물의 유리 전이 온도를 효과적으로 높일 수 있다.
상기 화합물 (A) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 1,500 인 것이 바람직하고, 400 ∼ 1,400 인 것이 특히 바람직하다. 이것에 의해, 접착 필름을 경화시킬 때의 아웃 가스량이 증대되어, 반도체 칩, 회로 기판 등의 지지체 또는 피착체의 표면을 오염시키는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 이것에 의해 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 보다 효과적으로 확보할 수 있다. 여기서, 중량 평균 분자량은 GPC (겔 침투 크로마토그램) 에 의해 측정할 수 있다.
또한, 접착 필름이 (B) 에폭시 수지를 함유함으로써, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있고, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 보다 효과적으로 매립할 수 있다. 또한, 이것에 의해 접착 필름에 유연성 및 굴곡성을 부여할 수 있기 때문에, 핸들링성이 우수한 접착 필름을 얻을 수 있다.
상기 화합물 (B) 로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 알릴화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 3 관능 에폭시 수지, 4 관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있는 것과 함께, 반도체 칩이나 기판 등의 지지체 또는 피착체에 대한 접착 필름의 밀착성, 나아가 접착 필름의 경화 후의 기계 특성이 우수한 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지가 바람직하다.
또한, 상기 화합물 (B) 에폭시 수지로는, 25 ℃ 에서 액상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 25 ℃ 에 있어서의 점도가 500 ∼ 50,000 mPa·s 인 것, 더욱 바람직하게는 800 ∼ 40,000 mPa·s 인 것을 들 수 있다. 25 ℃ 에 있어서의 점도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름의 택성이 강해져, 핸들링성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 25 ℃ 에 있어서의 점도를 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 확보할 수 있다. 또한, 이러한 점도의 에폭시 수지를 사용함으로써, 상기 서술한 바와 같은 관계를 만족하는 접착 필름을 보다 용이하게 얻을 수 있다.
또한, 상기 화합물 (B) 에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 10 ∼ 80 중량％ 인 것이 바람직하고, 12 ∼ 78 중량％ 인 것이 보다 바람직하고, 15 ∼ 75 중량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 이것에 의해 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 보다 효과적으로 발현시킬 수 있다. 또한, 이것에 의해, 접착 필름의 택성이 강해져, 핸들링성이 저하되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 접착 필름이 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물을 함유함으로써, 지지체 (반도체 칩, 기판 등) 의 제 1 단자 및 피착체 (반도체 칩, 기판 등) 의 제 2 단자의 적어도 일방의 땜납 표면의 산화막을 제거할 수 있어, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 확실하게 땜납 접합할 수 있기 때문에, 접속 신뢰성이 높은 다층 회로 기판, 전자 부품, 반도체 장치 등을 얻을 수 있다.
상기 화합물 (C) 로는, 땜납 표면의 산화막을 제거하는 기능이 있으면 특별히 한정되는 것이 아니지만, 카르복실기 또는 페놀성 수산기 중 어느 것, 또는 카르복실기 및 페놀수산기의 양방을 구비하는 화합물이 바람직하다.
상기 화합물 (C) 의 배합량은 1 ∼ 30 중량％ 인 것이 바람직하고, 화합물 (C) 를 3 ∼ 25 중량％ 인 것이 보다 바람직하고, 3 ∼ 20 중량％ 인 것이 가장 바람직하다. 화합물 (C) 의 배합량이 상기 범위임으로써, 플럭스 활성을 향상시킬 수 있는 것과 함께, 접착 필름을 경화시켰을 때에 미반응 화합물 (A), 화합물 (B) 및 화합물 (C) 가 잔존하는 것을 방지할 수 있어, 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있다.
또한, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 화합물 중에는, (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이 존재한다 (이하, 이러한 화합물을 플럭스 기능을 갖는 경화제라고도 기재한다). 예를 들어, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는, 지방족 디카르복실산, 방향족 디카르복실산 등은 플럭스 작용도 가지고 있다. 본 발명에서는 이러한, 플럭스로서도 작용하고, 에폭시 수지의 경화제로서도 작용하는 것 같은 플럭스 기능을 갖는 경화제를 바람직하게 사용할 수 있다.
또, 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이란, 분자 중에 카르복실기가 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 액상이어도 되고 고체여도 된다. 또, 페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이란, 분자 중에 페놀성 수산기가 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 액상이어도 되고 고체여도 된다. 또, 카르복실기 및 페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이란, 분자 중에 카르복실기 및 페놀성 수산기가 각각 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 액상이어도 되고 고체여도 된다.
이들 중, 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물로는, 지방족 산무수물, 지환식 산무수물, 방향족 산무수물, 지방족 카르복실산, 방향족 카르복실산 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물에 관련된 지방족 산무수물로는, 무수숙신산, 폴리아디프산무수물, 폴리아젤라인산무수물, 폴리세바스산무수물 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물에 관련된 지환식 산무수물로는, 메틸테트라하이드로무수프탈산, 메틸헥사하이드로무수프탈산, 무수메틸하이믹산, 헥사하이드로무수프탈산, 테트라하이드로무수프탈산, 트리알킬테트라하이드로무수프탈산, 메틸시클로헥센디카르복실산무수물 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물에 관련된 방향족 산무수물로는, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트 등을 들 수 있다.
상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물에 관련된 지방족 카르복실산으로는, 예를 들어, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물이나, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 피발산, 카프로산, 카프릴산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 올레산, 푸마르산, 말레산, 옥살산, 말론산, 호박산 등을 들 수 있다.
HOOC-(CH2)n-COOH (3)
(식 (3) 중, n 은 1 이상 20 이하의 정수를 나타낸다)
상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물에 관련된 방향족 카르복실산으로는, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 헤미멜리트산, 트리멜리트산, 트리메스산, 멜로판산, 프레니트산, 피로멜리트산, 멜리트산, 자일릴산, 헤멜리트산, 메시틸렌산, 프레니틸산, 톨루일산, 계피산, 살리실산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티신산(2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,5-디하이드록시벤조산, 몰식자산(3,4,5-트리하이드록시벤조산), 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체, 페놀프탈린, 디페놀산 등을 들 수 있다.
이들 상기 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물 중, (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이 갖는 활성도, 접착 필름의 경화시에 있어서의 아웃 가스의 발생량, 및 경화 후의 접착 필름의 탄성률이나 유리 전이 온도 등의 밸런스가 좋은 점에서, 상기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물이 바람직하다. 그리고, 상기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물 중, 식 (3) 중의 n 이 3 ∼ 10 인 화합물이, 경화 후의 접착 필름에 있어서의 탄성률이 증가하는 것을 억제할 수 있는 것과 함께, 반도체 칩, 기판 등의 지지체와 피착체에 대한 접착성을 향상시킬 수 있는 점에서 특히 바람직하다.
상기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물 중, 식 (3) 중의 n 이 3 ∼ 10 인 화합물로는, 예를 들어, n=3 의 글루탈산 (HOOC-(CH2)3-COOH), n=4 의 아디프산 (HOOC-(CH2)4-COOH), n=5 의 피멜산 (HOOC-(CH2)5-COOH), n=8 의 세바스산 (HOOC-(CH2)8-COOH) 및 n=10 의 HOOC-(CH2)10-COOH 등을 들 수 있다.
상기 페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물로는 페놀류를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, 2,6-크실레놀, p-크레졸, m-크레졸, o-에틸페놀, 2,4-크실레놀, 2,5크실레놀, m-에틸페놀, 2,3-크실레놀, 메시톨, 3,5-크실레놀, p-터셔리부틸페놀, 카테콜, p-터셔리아밀페놀, 레조르시놀, p-옥틸페놀, p-페닐페놀, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AF, 비페놀, 디알릴비스페놀 F, 디알릴비스페놀 A, 트리스페놀, 테트라키스페놀 등의 페놀성 수산기를 함유하는 모노머류 등을 들 수 있다.
상기 서술한 바와 같은 카르복실기 또는 페놀수산기 중 어느 것, 또는 카르복실기 및 페놀수산기의 양방을 구비하는 화합물은, 에폭시 수지와의 반응으로 3 차원적으로 편입된다.
그 때문에, 경화 후의 에폭시 수지의 3 차원적인 네트워크의 형성을 향상시킨다는 관점에서는, (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물로는, 플럭스 작용을 갖고 또한 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 플럭스 활성을 갖는 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 플럭스 활성을 갖는 경화제로는, 예를 들어 1 분자 중에, 에폭시 수지에 부가할 수 있는 2 개 이상의 페놀성 수산기와, 플럭스 작용 (환원 작용) 을 나타내는 방향족에 직접 결합한 1 개 이상의 카르복실기를 구비하는 화합물을 들 수 있다. 이러한 플럭스 활성을 갖는 경화제로는, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티신산(2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 몰식자산(3,4,5-트리하이드록시벤조산) 등의 벤조산 유도체 ; 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산, 3,7-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체 ; 페놀프탈린 ; 및 디페놀산 등을 들 수 있고, 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 땜납 표면의 산화막을 제거하는 효과와 에폭시 수지와의 반응성이 우수한, 2,3-디하이드록시벤조산, 겐티신산, 페놀프탈린을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 접착 필름 중, 플럭스 활성을 갖는 경화제의 배합량은 1 ∼ 30 중량％ 가 바람직하고, 3 ∼ 25 중량％ 가 보다 바람직하고, 3 ∼ 20 중량％ 가 특히 바람직하다. 접착 필름 중의 플럭스 활성을 갖는 경화제의 배합량이 상기 범위임으로써, 접착 필름의 플럭스 활성을 향상시킬 수 있는 것과 함께, 접착 필름 중에 에폭시 수지와 미반응의 플럭스 활성을 갖는 경화제가 잔존하는 것이 방지된다. 또, 미반응의 플럭스 활성을 갖는 경화제가 잔존하면, 마이그레이션이 발생한다.
상기 화합물 (B) 와 상기 화합물 (C) 의 배합비는 특별히 한정되지 않지만, ((B)/(C)) 가 0.5 ∼ 12.0 인 것이 바람직하고, 2.0 ∼ 10.0 인 것이 특히 바람직하다. ((B)/(C)) 를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때에 미반응의 화합물 (C) 를 저감할 수 있기 때문에 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때에 미반응의 화합물 (B) 를 저감할 수 있기 때문에 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있다.
또한, 접착 필름이 접착 필름의 성막성을 향상시키는 (D) 성막성 수지를 함유함으로써, 필름 상태로 하는 것이 용이해진다. 또한, 접착 필름의 기계적 특성도 우수하다.
상기 (D) 성막성 수지로는, 예를 들어, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실록산 변성 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 폴리아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 부틸 고무, 클로로프렌 고무, 폴리아미드 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리아세트산비닐, 나일론 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도 (D) 성막성 수지로는, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 (D) 성막성 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 1만 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2만 ∼ 100만, 더욱 바람직하게는 3만 ∼ 90만이다. 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 접착 필름의 성막성을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 (D) 성막성 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름 중의 1 ∼ 50 중량％ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 중량％ 인 것이 보다 바람직하고, 6 ∼ 40 중량% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 35 중량％ 가 가장 바람직하다. 함유량이 상기 범위 내이면, 접착 필름의 유동성을 억제할 수 있어 접착 필름의 취급이 용이해진다.
또한, 접착 필름은, 경화 촉진제를 추가로 함유해도 된다. 경화 촉진제는 경화성 수지의 종류 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 경화 촉진제로는, 예를 들어 융점이 150 ℃ 이상인 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다. 사용되는 경화 촉진제의 융점이 150 ℃ 이상이면, 접착 필름의 경화가 완료되기 전에, 땜납 범프를 구성하는 땜납 성분이 반도체 칩에 형성된 내부 전극 표면으로 이동할 수 있어, 내부 전극 사이의 전기적 접속을 양호한 것으로 할 수 있다. 융점이 150 ℃ 이상인 이미다졸 화합물로는, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐하이드록시이미다졸, 2-페닐-4-메틸하이드록시이미다졸 등을 들 수 있고, 이들 중 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
접착 필름 중의 상기 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 0.005 ∼ 10 중량％ 인 것이 바람직하고, 0.01 ∼ 5 중량％ 인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 경화 촉진제로서의 기능을 더욱 효과적으로 발휘시켜 접착 필름의 경화성을 향상시킬 수 있는 것과 함께, 땜납 범프를 구성하는 땜납 성분의 용융 온도에 있어서의 수지의 용융 점도가 지나치게 높아지지 않아고, 양호한 땜납 접합 구조가 얻어진다. 또한, 접착 필름의 보존성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이들 경화 촉진제는, 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
또한, 상기 접착 필름은 실란 커플링제를 추가로 함유해도 된다. 실란 커플링제를 함유함으로써, 반도체 칩, 기판 등의 지지체 또는 피착체에 대한 접착 필름의 밀착성을 높일 수 있다. 실란 커플링제로는, 예를 들어, 에폭시실란 커플링제, 방향족 함유 아미노실란 커플링제 등을 사용할 수 있다. 이들은 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 실란 커플링제의 배합량은 적절히 선택하면 되지만, 접착 필름을 구성하는 수지 조성물 전체에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 중량％ 이고, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 5 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2 중량％ 이다.
상기 접착 필름은 무기 충전재를 추가로 함유해도 된다. 이로써, 접착 필름의 선팽창 계수를 저하시킬 수 있고, 그것에 의해 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 무기 충전재로는, 예를 들어, 은, 산화티탄, 실리카, 운모 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 실리카가 바람직하다. 또한, 실리카 필러의 형상으로는 파쇄 실리카와 구상 실리카가 있지만, 구상 실리카가 바람직하다.
상기 무기 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 0.01 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.05 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 접착 필름 내에서 무기 충전재의 응집을 억제하여, 외관을 향상시킬 수 있다.
상기 무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름을 구성하는 수지 조성물 전체에 대하여 0.1 ∼ 80 중량％ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 75 중량％ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 70 중량％ 인 것이 가장 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 경화 후의 접착 필름과 피접체 사이의 선팽창 계수차가 작아져, 열충격시에 발생하는 응력을 저감시킬 수 있기 때문에, 피접체의 박리를 더욱 확실하게 억제할 수 있다. 그리고, 경화 후의 접착 필름의 탄성률이 지나치게 높아지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 신뢰성이 상승한다.
상기 서술한 바와 같은 각 수지 성분을 용매 중에 혼합하여 얻어진 바니시를 폴리에스테르 시트 등의 박리 처리를 실시한 기재 (지지 필름) 상에 도포하고, 소정의 온도에서, 실질적으로 용매를 함유하지 않을 정도까지 건조시킴으로써, 접착 필름을 얻을 수 있다. 여기서 사용되는 용매는 사용되는 성분에 대하여 불활성인 것이면 특별히 한정되지 않지만, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, DIBK (디이소부틸케톤), 시클로헥사논, DAA (디아세톤알코올) 등의 케톤류, 벤젠, 자일렌, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류, 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올 등의 알코올류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 셀로솔브계, NMP (N-메틸-2-피롤리돈), THF (테트라하이드로푸란), DMF (디메틸포름아미드), DBE (2 염기산에스테르), EEP (3-에톡시프로피온산에틸), DMC (디메틸카보네이트) 등이 바람직하게 사용된다. 용매의 사용량은, 용매에 혼합한 성분의 고형분이 10 ∼ 60 중량％ 가 되는 범위 내인 것이 바람직하다.
얻어진 접착 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 300 ㎛ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 200 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 두께가 상기 범위 내이면, 접합부의 공극에 수지 성분을 충분히 충전할 수 있어, 수지 성분의 경화 후의 기계적 접착 강도를 확보할 수 있다.
이렇게 해서 얻어진 접착 필름은, 접착 필름을 회로 기판과 첩합했을 때에, 회로 기판의 첩합면 상에 존재하는 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철 (갭) 을 양호하게 매립할 수 있어, 접착 필름과 회로 기판 사이에 공극이 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 반도체 칩과 기판, 기판과 기판, 반도체 칩과 반도체 칩, 반도체 웨이퍼와 반도체 웨이퍼 등의 땜납 접합을 필요로 하는 부재의 접속에 있어서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.
또한, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트는, 상기 서술한 접착 필름, 다이싱 테이프 외에 1 개 이상의 개재층을 형성하고 있어도 되며, 개재층으로는 이하와 같은 기재 필름이나 수지층을 들 수 있다. 또한, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 일방의 면 또는 양면에 1 개 이상의 외층을 형성해도 되고, 외층으로는 이하와 같은 기재 필름을 들 수 있다. 외층을 형성함으로써, 오염이나 충격으로부터 보호하는 보호 필름으로서의 기능도 갖는다.
(기재 필름)
기재 필름의 구성 재료로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 아이오노머, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 비닐폴리이소프렌, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 이들 중 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
기재 필름의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 150 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 기재 필름은 적절한 강성을 갖는 것이 되기 때문에, 다이싱 테이프 및 접착 필름을 확실하게 지지하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 취급을 용이하게 할 수 있다.
(수지층)
수지층은 일반적인 점착제로 구성되어 있고, 구체적으로는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등을 함유하는 제 2 수지 조성물로 구성되어 있다.
아크릴계 점착제로는, 예를 들어 (메트)아크릴산 및 그들의 에스테르로 구성되는 수지, (메트)아크릴산 및 그들의 에스테르와, 그들과 공중합 가능한 불포화 단량체 (예를 들어 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등) 와의 공중합체 등을 들 수 있다. 또한, 이들 수지를 2 종류 이상 혼합해도 된다.
또한, 이들 중에서도, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸헥실 및 (메트)아크릴산부틸로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상과, (메트)아크릴산하이드록시에틸 및 아세트산비닐 중에서 선택되는 1 종 이상과의 공중합체가 바람직하다. 이것에 의해, 수지층이 접하는 피착체 (예를 들어, 다이싱 테이프의 점착층, 접착 필름 등) 와의 밀착성이나 점착성의 제어가 용이해진다.
또한, 제 2 수지 조성물에는, 점착성 (접착성) 을 제어하기 위해서 우레탄아크릴레이트, 아크릴레이트 모노머, 다가 이소시아네이트 화합물 (예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트) 등의 이소시아네이트 화합물 등의 모노머 및 올리고머를 첨가해도 된다.
그리고 제 2 수지 조성물에는, 수지층을 자외선 등에 의해 경화시키는 경우, 광중합 개시제로서 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조인이소부틸에테르계 화합물, 벤조인벤조산메틸계 화합물, 벤조인벤조산계 화합물, 벤조인메틸에테르계 화합물, 벤질피닐술파이드계 화합물, 벤질계 화합물, 디벤질계 화합물, 디아세틸계 화합물 등을 첨가해도 된다.
또한, 제 2 수지 조성물에는, 접착 강도 및 전단 강도를 높일 목적에서, 로진 수지, 테르펜 수지, 쿠마론 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족계 석유 수지, 방향족계 석유 수지, 지방족 방향족계 석유 수지 등의 점착 부여제 등을 첨가해도 된다.
이러한 수지층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 100 ㎛ 정도인 것이 바람직하고, 특히 3 ∼ 50 ㎛ 정도인 것이 보다 바람직하다. 이러한 두께가 상기 범위 내이면, 특히, 다이싱시에 박리되지 않고, 픽업시에는 인장 하중에 수반하여 비교적 용이하게 박리 가능하며, 나아가 다이싱시나 픽업시에 변형을 일으키기 어렵기 때문에, 다이싱성, 픽업성이 우수한 층이 얻어진다.
(다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 제조 방법)
이상 설명한 것과 같은 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 의 일 실시형태에 관해서 이하에 상세히 서술한다.
먼저, 도 1(a) 에 나타내는 기재 (4a) 를 준비하고, 이 기재 (4a) 의 일방의 면 상에 개재층 (1) 을 성막한다. 이것에 의해, 기재 (4a) 와 개재층 (1) 의 적층체 (61) 를 얻는다. 개재층 (1) 의 성막은, 상기 서술한 제 2 수지 조성물을 함유하는 수지 바니시를 각종 도포법 등에 의해 도포하고, 그 후 도포막을 건조시키는 방법이나, 제 2 수지 조성물로 이루어지는 필름을 라미네이트하는 방법 등에 의해 실시할 수 있다. 또한, 자외선 등의 방사선을 조사함으로써, 도포막을 경화시키도록 해도 된다.
상기 도포법으로는, 예를 들어, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다.
또한, 적층체 (61) 와 동일하게 하여, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 준비한 기재 (4b) 의 일방의 면 상에 접착 필름 (3) 을 성막하고, 이것에 의해 기재 (4b) 와 접착 필름 (3) 의 적층체 (62) 를 얻는다.
또, 각 적층체 (61, 62) 와 동일하게 하여, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 준비한 지지 필름 (4) 의 일방의 면 상에 다이싱 테이프의 점착층 (2) 을 성막하고, 이것에 의해, 지지 필름 (4) 과 다이싱 테이프의 점착층 (2) 의 적층체 (다이싱 테이프) (63) 를 얻는다.
이어서, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 개재층 (1) 과 접착 필름 (3) 이 접하도록 적층체 (61) 와 적층체 (62) 를 적층하여 적층체 (64) 를 얻는다. 이 적층은, 예를 들어 롤 라미네이트법 등에 의해 실시할 수 있다.
이어서, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (64) 로부터 기재 (4a) 를 박리한다. 그리고, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 상기 기재 (4a) 를 박리한 적층체 (64) 에 대하여, 기재 (4b) 를 남기고, 상기 접착 필름 (3) 및 상기 개재층 (1) 의 유효 영역의 외측 부분을 제거한다. 여기서 유효 영역이란, 그 외주가 반도체 웨이퍼 (7) 의 외경보다도 한 바퀴 작거나, 혹은 외경보다도 크며 또한 웨이퍼 링 (9) 의 내경보다 작은 영역을 가리킨다.
이어서, 도 1(e) 에 나타내는 바와 같이, 개재층 (1) 의 노출면에 다이싱 테이프 (2) 가 접하도록, 기재 (4a) 를 박리하고 유효 영역의 외측 부분을 링형상으로 제거한 적층체 (64) 와 적층체 (63) 를 적층한다. 그 후, 기재 (4b) 를 박리함으로써, 도 1(f) 에 나타내는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 가 얻어진다.
이상, 지지 필름에 직접 다이싱 테이프 (2) 를 성막하는 방법의 일 실시형태에 관해서 상세히 서술하였지만, 이것 외에도 지지 필름 상에 다이싱 테이프의 점착층 (2), 개재층 (1), 접착 필름 (3) 을 원하는 순서대로 형성하여, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 제조해도 된다.
또한, 접착 필름 (3) 의 기재 (4b) 를 그대로 개재층으로서 적용하여, 지지 필름 상에 다이싱 테이프의 점착층 (2), 개재층 (1) (기재 (4b)), 접착 필름 (3) 을 원하는 순서대로 형성하여, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 제조해도 된다.
또, 개재층 (1), 다이싱 테이프의 점착층 (2), 및 접착 필름 (3) 은 각각 상이한 밀착력을 갖고 있지만, 그들은 이하와 같은 특성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
먼저, 개재층 (1) 의 접착 필름 (3) 에 대한 밀착력은, 개재층 (1) 의 다이싱 테이프의 점착층 (2) 에 대한 밀착력 및 다이싱 테이프의 점착층 (2) 의 지지 필름 (4) 에 대한 밀착력보다 작은 것이 바람직하다. 이것에 의해, 후술하는 제 3 공정에 있어서 개편 (83) 을 픽업했을 때에 다이싱 테이프의 점착층 (2) 과 지지 필름 (4) 사이가 박리되지 않고, 접착 필름 (3) 과 개재층 (1) 사이가 선택적으로 박리한다. 그리고, 다이싱시에는, 웨이퍼 링 (9) 에 의해 적층체 (8) 를 확실하게 계속해서 지지할 수 있다.
(반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품)
다음으로, 상기 서술한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 제조한 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품에 관해서 설명한다.
[1] 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 바와 같은 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 의 접착 필름 (3) 과 반도체 웨이퍼 (7) 를 밀착시키면서, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 와 반도체 웨이퍼 (지지체) (7) 를 적층한다 (제 1 공정). 여기서, 반도체 웨이퍼 (지지체) (7) 에 있어서, 접착 필름 (3) 과 접착되는 면은 제 1 단자 (도시 생략) 를 갖는 것이다. 또, 도 2 에 나타내는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 에서는, 접착 필름 (3) 의 평면시에 있어서의 크기 및 형상이 반도체 웨이퍼 (7) 의 외경보다 한 바퀴 작거나, 혹은 외경보다 크며 또한 웨이퍼 링 (9) 의 내경보다 작은 형상으로, 미리 설정되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼 (7) 의 하면 전체가 접착 필름 (3) 의 상면 전체와 밀착되고, 이로써 반도체 웨이퍼 (7) 가 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 로 지지되게 된다. 이 반도체 웨이퍼 (7) 의 제 1 단자를 접착 필름 (3) 으로 덮도록, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 를 라미네이트한다 (도 2(b)).
다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (7) 에 적층하는 방법으로는, 예를 들어 롤 라미네이터, 평판 프레스, 웨이퍼 라미네이터 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 라미네이트시에 공기가 포함되어 들어오지 않도록 하기 위해서, 진공하에서 라미네이트하는 방법 (진공 라미네이터) 이 바람직하다.
또한, 라미네이트하는 조건으로는 특별히 한정되지 않고, 보이드없이 라미네이트할 수 있으면 된다. 구체적으로는 60 ∼ 150 ℃ 에서 1 초 ∼ 120 초간 가열하는 조건이 바람직하고, 특히 80 ∼ 120 ℃ 에서 5 ∼ 60 초간 가열하는 조건이 바람직하다. 라미네이트 조건이 상기 범위 내이면, 첩착성과, 수지가 튀어나오는 것을 억제하는 효과와, 수지의 경화도와의 밸런스가 우수하다.
또한, 가압 조건도 특별히 한정되지 않지만, 0.2 ∼ 2.0 ㎫ 가 바람직하고, 특히 0.5 ∼ 1.5 ㎫ 가 바람직하다.
상기 적층의 결과, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 와 반도체 웨이퍼 (7) 가 적층되어 이루어지는 적층체 (8) 가 얻어진다.
[2]
[2-1] 다음으로, 웨이퍼 링 (9) 을 준비한다. 계속해서, 다이싱 테이프의 점착층 (2) 의 외주부 (21) 상면과 웨이퍼 링 (9) 의 하면이 밀착되도록, 적층체 (8) 와 웨이퍼 링 (9) 을 적층한다. 이것에 의해, 적층체 (8) 의 외주부가 웨이퍼 링 (9) 에 의해 지지된다.
웨이퍼 링 (9) 은 일반적으로 스테인리스강, 알루미늄 등의 각종 금속 재료 등으로 구성되기 때문에, 강성이 높아, 적층체 (8) 의 변형을 확실하게 방지할 수 있다.
[2-2] 다음으로, 도시하지 않은 다이서 테이블을 준비하고, 다이서 테이블과 지지 필름 (4) 이 접촉하도록, 다이서 테이블 상에 적층체 (8) 를 탑재한다.
계속해서, 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 블레이드 (82) 를 사용하여 적층체 (8) 에 복수의 절입 (切入) (81) 을 형성한다 (다이싱). 다이싱 블레이드 (82) 는, 원반형상의 다이아몬드 블레이드 등으로 구성되어 있으며, 이것을 회전시키면서 적층체 (8) 의 반도체 웨이퍼 (7) 측 면으로 갖다 댐으로써 절입 (81) 이 형성된다. 그리고, 반도체 웨이퍼 (7) 에 형성된 회로 패턴끼리의 공극을 따라서 다이싱 블레이드 (82) 를 상대적으로 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼 (7) 가 복수의 반도체 칩 (71) 으로 개편화된다 (제 2 공정). 또한, 접착 필름 (3) 도 동일하게, 복수의 접착 필름 (31) 으로 개편화된다. 이러한 다이싱시에는 반도체 웨이퍼 (7) 에 진동이나 충격이 가해지지만, 반도체 웨이퍼 (7) 의 하면이 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 로 지지되고 있기 때문에, 상기 진동이나 충격이 완화되게 된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼 (7) 에 있어서의 쪼개짐이나 이지러짐 등의 문제의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.
제 2 공정에 있어서, 다이싱 블레이드 (82) 의 선단이 개재층 (1) 내에 멈추도록 깎는 깊이를 설정해도 된다. 다시 말하면, 절입 (81) 의 선단이 지지 필름 (4) 에 도달하지 않고, 개재층 (1) 내 또는 다이싱 테이프의 점착층 (2) 내 중 어느 것에 멈추도록 다이싱을 실시한다. 이와 같이 하면, 지지 필름 (4) 의 깎인 부스러기는 발생할 수 없기 때문에, 깎인 부스러기의 발생에 따른 문제가 확실히 해소되게 된다. 즉, 반도체 칩 (71) 을 픽업할 때에는, 걸림 등의 발생이 방지되고, 픽업한 반도체 칩 (71) 을 피착체 (5) 에 마운트할 때에는, 이물질의 침입 및 땜납 접합의 불량이 방지된다. 그 결과, 반도체 장치 (100) 의 제조 수율이 향상되는 것과 함께, 신뢰성이 높은 반도체 장치 (100) 를 얻을 수 있다.
[3]
[3-1] 다음으로, 복수의 절입 (81) 이 형성된 적층체 (8) 를, 도시하지 않은 익스팬드 장치에 의해 방사상으로 잡아 늘린다 (익스팬드). 이것에 의해, 도 2(d) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (8) 에 형성된 절입 (81) 의 폭이 넓어지고, 그것에 따라 개편화된 반도체 칩 (71) 끼리의 간격도 확대된다. 그 결과, 반도체 칩 (71) 끼리가 간섭할 우려가 없어져, 개개의 반도체 칩 (71) 을 픽업하기 쉬워진다. 또한, 익스팬드 장치는, 이러한 익스팬드 상태를 후술하는 공정에서도 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
[3-2] 다음으로, 다이 본더 (250) 에 의해, 개편화된 반도체 칩 (71) 중의 1 개를 다이 본더의 콜릿 (칩 흡착부) (260) 으로 흡착하는 것과 함께 상방으로 들어 올린다. 그 결과, 도 3(e) 에 나타내는 바와 같이, 접착 필름 (31) 과 개재층 (1) 의 계면이 선택적으로 박리되고, 반도체 칩 (71) 과 접착 필름 (31) 이 적층되어 이루어지는 개편 (83) 이 픽업된다 (제 3 공정).
또, 접착 필름 (31) 과 개재층 (1) 의 계면이 선택적으로 박리되는 이유는, 상기 서술한 바와 같이, 다이싱 테이프의 점착층 (2) 의 점착성이 개재층 (1) 의 점착성보다 높기 때문에, 지지 필름 (4) 과 다이싱 테이프의 점착층 (2) 과의 계면의 밀착력 및 다이싱 테이프의 점착층 (2) 의 개재층 (1) 과의 계면의 점착력은, 개재층 (1) 과 접착 필름 (3) 과의 밀착력보다 크기 때문이다. 즉, 반도체 칩 (71) 을 상방으로 픽업한 경우, 이들 3 군데 중, 가장 점착력이 작은 개재층 (1) 과 접착 필름 (3) 과의 계면이 선택적으로 박리되게 된다.
또한, 개편 (83) 을 픽업할 때에는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 의 하방에서부터, 푸시업 장치 (400) 에 의해 픽업할 개편 (83) 을 선택적으로 밀어 올리도록 해도 된다. 이것에 의해, 적층체 (8) 로부터 개편 (83) 이 밀어 올려지기 때문에, 상기 서술한 개편 (83) 의 픽업을 보다 용이하게 실시할 수 있게 된다. 또, 개편 (83) 의 푸시업에는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 를 하방에서부터 밀어 올리는 침상체 (니들) 등이 사용된다 (도시 생략).
또한, 적층체 (8) 가 개재층 (1) 을 포함하지 않고, 또한 점착층 (2) 에 광경화 성분을 함유하는 경우에는, 제 2 공정 후, 제 3 공정 전에 있어서, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 (10) 의 하방에서부터 자외선 또는 전자선 등을 조사함으로써, 점착층 (2) 에 함유된 광경화 성분이 광경화 반응을 하도록 하여 점착성을 저하시켜도 된다. 이와 같이 함으로써, 점착층 (2) 과 접착 필름 (3) 의 밀착력이 저하됨으로써, 반도체 칩 (71) 을 상방으로 픽업한 경우에, 점착층 (2) 과 접착 필름 (3) 의 계면이 선택적으로 박리되게 된다.
[4]
[4-1] 다음으로, 반도체 칩 (71) 을 탑재 (마운트) 하기 위한 피착체 (5) 를 준비한다.
이 피착체 (5) 는, 상기 접착 필름 (3) 과 접착하는 면에 제 2 단자 (도시 생략) 를 갖는 것이다. 이 피착체 (5) 로는, 반도체 칩 (71) 을 탑재하고, 반도체 칩 (71) 과 외부를 전기적으로 접속하기 위한 배선을 갖는 기판이나 반도체 칩 등을 들 수 있다.
또, 제 1 단자와 제 2 단자로는, 예를 들어 전극 패드, 땜납 범프 등을 들 수 있다. 또한, 제 1 단자, 제 2 단자의 적어도 일방에 땜납이 존재하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 3(f) 에 나타내는 바와 같이, 픽업된 개편 (83) 을 피착체 (5) 상에 탑재한다. 이 때, 반도체 칩 (71) 의 제 1 단자와 피착체 (5) 의 제 2 단자를 위치 맞춤하면서, 접착 필름 (3) 을 개재하여 임시 압착한다.
[4-2] 다음으로, 피착체 (5) 와 반도체 칩 (71) 을 땜납 접합한다 (제 4 공정). 땜납 접합하는 조건은 사용하는 땜납의 종류에 따라서도 다르지만, 예를 들어 Sn-Ag 의 경우, 220 ∼ 260 ℃ 에서 5 ∼ 500 초간 가열하여 땜납 접합하는 것이 바람직하고, 특히 230 ∼ 240 ℃ 에서 10 ∼ 100 초간 가열하는 것이 바람직하다.
이 땜납 접합은, 땜납이 융해된 후에 접착 필름 (3) 이 경화되는 조건에서 실시하는 것이 바람직하다. 즉, 땜납 접합은, 땜납을 융해시키지만, 접착 필름 (3) 의 경화 반응이 그다지 진행되지 않는 조건에서 실시하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 땜납 접합할 때의 땜납 접합부의 형상을 접속 신뢰성이 우수한 안정적인 형상으로 할 수 있다.
다음으로, 접착 필름 (3) 을 가열하여 경화시킨다 (제 5 공정). 경화시키는 조건은 특별히 한정되지 않지만, 130 ∼ 220 ℃ 에서 30 ∼ 500 분간 가열하는 조건이 바람직하고, 특히 150 ∼ 200 ℃ 에서 60 ∼ 180 분간 가열하는 조건이 바람직하다.
이상과 같은 방법에 의하면, 제 3 공정에 있어서, 반도체 칩 (71) 에 접착 필름 (31) 이 부착된 상태, 즉 개편 (83) 의 상태로 픽업되기 때문에, 제 4 공정에 있어서, 이 접착 필름 (31) 을 그대로 피착체 (5) 와의 접착에 이용할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용함으로써, 별도로 언더필 등을 준비할 필요없이, 반도체 칩 (71) 과 피착체 (5) 를 땜납을 이용하여 전기적으로 접속시킨 반도체 장치 (100) 의 제조 효율을 보다 높일 수 있다.
또, 지지체 (7) 및 피착체 (5) 로는, 예를 들어, 칩, 기판 (회로 기판), 웨이퍼 등을 들 수 있다. 지지체 (7) 및 피착체 (5) 로서 각각 회로 기판을 사용하는 경우, 접착 필름 (3) 의 경화물로 접합한 다층 회로 기판을 얻을 수 있다. 또한, 지지체 (7) 및 피착체 (5) 로서 각각 반도체 칩을 사용하는 경우, 접착 필름 (3) 의 경화물로 접합되어 있는 전자 부품을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 따라서 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
실시예
(실시예 1)
<개재층의 형성>
아크릴산2-에틸헥실 30 중량％ 과 아세트산비닐 70 중량％ 를 공중합하여 얻어진 중량 평균 분자량 300,000 의 공중합체 100 중량부와, 분자량이 700 인 5 관능 아크릴레이트 모노머 45 중량부와, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 5 중량부와, 톨릴렌디이소시아네이트 (콜로네이트 T-100, 닛폰 폴리우레탄 공업 (주) 제조) 3 중량부를, 이형 처리한 두께 38 ㎛ 의 폴리에스테르 필름에 대하여 건조 후의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 도포하고, 그 후, 80 ℃ 에서 5 분간 건조하였다. 그리고, 얻어진 도포막에 대하여 자외선 500 mJ/㎠ 를 조사하여, 폴리에스테르 필름 상에 개재층을 성막하였다.
<다이싱 테이프의 점착층의 형성>
아크릴산부틸 70 중량％ 과 아크릴산2-에틸헥실 30 중량％ 를 공중합하여 얻어진 중량 평균 분자량 500,000 의 공중합체 100 중량부와, 톨릴렌디이소시아네이트 (콜로네이트 T-100, 닛폰 폴리우레탄 공업 (주) 제조) 3 중량부를 조정한 다이싱 테이프의 점착층용 바니시를 조정하였다. 상기 다이싱 테이프의 점착층용 바니시를, 이형 처리한 두께 38 ㎛ 의 폴리에스테르 필름에 대하여 건조 후의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 도포하고, 그 후, 80 ℃ 에서 5 분간 건조하였다. 그리고, 폴리에스테르 필름 상에 다이싱 테이프의 점착층을 성막하였다. 그 후, 지지 필름으로서 두께 100 ㎛ 의 폴리에틸렌 시트를 라미네이트하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조 KA-1160) 20.4 중량부와, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부와, 플럭스 기능을 갖는 화합물인 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부와, 성막성 수지로서 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부와, 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부와, 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제하였다.
<접착 필름의 제조>
얻어진 접착 필름용 바니시를, 기재 폴리에스테르 필름 (베이스 필름, 도레이 주식회사 제조, 상품명 루미라) 에 두께 50 ㎛ 가 되도록 도포하고, 100 ℃, 5 분간 건조하여, 두께 25 ㎛ 의 접착 필름을 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 제조>
개재층을 성막한 필름과, 접착 필름을 성막한 필름을, 개재층과 접착 필름이 접하도록 라미네이트 (적층) 하여 적층체를 얻었다.
다음으로, 롤형상의 금형을 사용하여, 개재층과 접착 필름을 반도체 웨이퍼의 외경보다 크면서 또한 웨이퍼 링의 내경보다 작게 타발하고, 그 후, 외측의 불필요한 부분을 제거하여 제 2 적층체를 얻었다.
그리고, 다이싱 테이프의 점착층의 일방의 면측에 있는 폴리에스테르 필름을 박리하였다. 그리고, 상기 제 2 적층체의 개재층과 다이싱 테이프의 점착층이 접하도록, 이들을 적층하였다. 이것에 의해, 폴리에틸렌 시트 (지지 필름) 와 다이싱 테이프의 점착층의 적층체 (다이싱 테이프), 개재층, 접착 필름 및 폴리에스테르 필름 (외층) 의 5 층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 얻었다.
<반도체 장치의 제조>
땜납 범프를 갖는 실리콘 웨이퍼 (직경 8 인치, 두께 100 ㎛) 를 준비하였다. 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로부터 폴리에스테르 필름을 박리하고, 그 박리면과 실리콘 웨이퍼의 땜납 범프를 갖는 면이 접하도록, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트와 실리콘 웨이퍼를 적층하였다. 이것을 라미네이터로, 첩합 온도 (T) : 80 ℃, 접착 필름 (다이싱 테이프 일체형 접착 시트) 에 가하는 압력 (P) : 0.8 ㎫, 30 초 사이에 라미네이트하여, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
또한, 첩합 온도 (T) 를 150 ℃, 접착 필름 (다이싱 테이프 일체형 접착 시트) 에 가하는 압력 (P) 을 0.3 ㎫ 로 변경하는 것 이외에는 동일한 조건에 의해서도, 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
이어서, 이 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 실리콘 웨이퍼측에서부터, 다이싱 쏘 (DFD6360, (주)디스코 제조) 를 사용하여 이하의 조건에서 다이싱 (절단) 하였다. 이로써 실리콘 웨이퍼가 개편화되어, 이하의 다이싱 사이즈의 반도체 칩을 얻었다.
<다이싱 조건>
다이싱 사이즈 : 가로세로 10 ㎜×10 ㎜
다이싱 속도 : 50 ㎜/sec
스핀들 회전수 : 40,000 rpm
다이싱 최대 깊이 : 0.130 ㎜ (실리콘 웨이퍼의 표면에서부터의 절입량)
다이싱 블레이드의 두께 : 15 ㎛
절입의 횡단면적 : 7.5×10-5 ㎟ (접착 필름과 개재층의 계면보다 선단측 부분의 횡단면적)
또, 이 다이싱에 의해 형성된 절입은, 그 선단이 개재층 내에 도달하고 있었다.
이어서, 반도체 칩의 1 개를 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 지지 필름측 (이면) 으로부터 니들로 밀어 올리고, 밀어 올린 반도체 칩의 표면을 다이 본더의 콜릿으로 흡착하면서 상방으로 들어 올렸다. 이것에 의해, 접착 필름이 부착된 반도체 칩을 픽업하였다.
다음으로, 패드를 갖는 회로 기판의 패드와 땜납 범프가 맞닿도록 위치 맞춤을 실시하면서 회로 기판에 반도체 칩을 235 ℃, 5 초간 가열하여, 땜납 범프를 용융시켜 땜납 접합을 실시하였다.
그리고, 180 ℃, 60 분간, 0.8 ㎫ 의 유체압 (공기압) 의 분위기하에서 가열하여 접착 필름을 경화시켜, 반도체 칩과 회로 기판이 접착 필름의 경화물에 의해 접착된 반도체 장치를 얻었다.
(실시예 2)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 제조한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 15.0 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EPICLON-840S) 45.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 2,3-나프탈렌디카르복실산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 우레탄아크릴레이트 폴리머 (네가미 공업사 제조, UN-9200A) 24.4 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업, 2PHZ-PW) 0.1 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 3-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBE-903) 0.5 중량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 3)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 조제한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 비페닐아르알킬형 페놀 (메이와 화성사 제조, MEH-7851H) 10.1 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 31.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 페놀프탈린 (도쿄 화성 공업사 제조) 11.2 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 14.5 중량부와 우레탄아크릴레이트 폴리머 (네가미 공업사 제조, UN-9200A) 7.3 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 0.2 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 0.7 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 25.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 4)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 조제한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 페놀 노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR-55617) 4.4 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (신닛테츠 화학사 제조, YDCN-700-5) 14.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 2,3-나프탈렌디카르복실산 (도쿄 화성 공업사 제조) 6.8 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 18.4 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 0.3 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 1.1 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 55.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 5)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 조제한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 페놀 노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR-55617) 3.0 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 8.3 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 4.5 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 12.6 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2PHZ-PW) 0.3 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 3-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBE-903) 1.3 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 70.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 6)
<지지 필름의 제조>
지지 필름을 구성하는 재료 수지로서, 폴리프로필렌 60 중량부와, 일반식 (1) 로 나타내는 폴리스티렌 세그먼트와 일반식 (2) 로 나타내는 비닐폴리이소프렌 세그먼트로 이루어지는 블록 공중합체 40 중량부를 준비하였다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 (1) 중, n 은 2 이상의 정수)
[화학식 4]
Figure pct00004
(식 (2) 중, n 은 2 이상의 정수)
상기한 지지 필름을 구성하는 재료를 2 축 혼련기로 혼련한 후, 혼련한 것을 압출기로 압출하여, 두께 100 ㎛ 의 지지 필름을 제조하였다.
<다이싱 테이프의 형성>
아크릴계 점착제로서, 제 1 공중합체를 10 중량부와, 제 2 공중합체를 90 중량부로 이루어지는 수지 (이하, 「베이스 수지 A」라고 한다) 를 준비하였다. 제 1 공중합체로서, 아크릴산부틸 70 중량부와, 아크릴산2-에틸헥실 25 중량부와, 아세트산비닐 5 중량부를 공중합시켜 얻어진 중량 평균 분자량이 500000 인 공중합체를 사용하였다. 제 2 공중합체로서, 아크릴산2-에틸헥실 50 중량부와, 아크릴산부틸 10 중량부와, 아세트산비닐 37 중량부와, 메타크릴산2-하이드록시에틸 3 중량부를 공중합시켜 얻어진 중량 평균 분자량이 300000 인 공중합체를 사용하였다.
광경화 성분으로서, 15 관능의 올리고머의 우레탄아크릴레이트 (Miwon Specialty Chemical 사 제조, 품번 : Miramer SC2152) 를 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 140 중량부 준비하였다. 가교제로서, 폴리이소시아네이트 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조, 품번 : 콜로네이트 L) 를 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 5 중량부 준비하였다. 광중합 개시제로서, 벤질디메틸케탈 (치바 스페셜티 케미컬 주식회사 제조, 품번 : 이르가큐어 651) 을 아크릴계 점착제 100 중량부에 대하여 3 중량부 준비하였다.
상기한 아크릴계 점착제, 광경화 성분, 가교제, 및 광중합 개시제가 배합된 제 1 수지 조성물의 수지 용액을 제조하였다. 이 수지 용액을, 이형 처리한 두께 38 ㎛ 의 폴리에스테르 필름에 대하여 건조 후의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 도포하고, 그 후, 80 ℃ 에서 5 분간 건조하였다. 그리고, 폴리에스테르 필름 상에 다이싱 테이프의 점착층을 성막하였다. 그 후, 지지 필름을 라미네이트하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조 KA-1160) 20.4 중량부와, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부와, 플럭스 기능을 갖는 화합물인 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부와, 성막성 수지로서 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부와, 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부와, 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제하였다.
<접착 필름의 제조>
얻어진 접착 필름용 바니시를, 기재 폴리에스테르 필름 (베이스 필름, 도레이 주식회사 제조, 상품명 루미라) 에 두께 50 ㎛ 가 되도록 도포하고, 100 ℃, 5 분간 건조하여, 두께 25 ㎛ 의 접착 필름을 얻었다.
<다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 제조>
접착 필름을 성막한 필름을 반도체 웨이퍼의 외경보다 크면서 또한 웨이퍼 링의 내경보다 작게 타발하고, 그 후, 외측의 불필요한 부분을 제거하였다.
그리고, 다이싱 테이프의 점착층의 일방의 면측에 있는 이형 처리한 폴리에스테르 필름을 박리하였다. 그리고, 상기 타발한 접착 필름과 다이싱 테이프의 점착층이 접하도록, 이들을 적층하였다. 이것에 의해, 지지 필름과 다이싱 테이프의 점착층의 적층체 (다이싱 테이프), 접착 필름 및 폴리에스테르 필름 (외층) 의 4 층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 얻었다.
<반도체 장치의 제조>
땜납 범프를 갖는 실리콘 웨이퍼 (직경 8 인치, 두께 100 ㎛) 를 준비하였다. 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로부터 폴리에스테르 필름을 박리하고, 그 박리면과 실리콘 웨이퍼의 땜납 범프를 갖는 면이 접하도록, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트와 실리콘 웨이퍼를 적층하였다. 이것을 라미네이터로, 첩합 온도 (T) : 80 ℃, 접착 필름 (다이싱 테이프 일체형 접착 시트) 에 가하는 압력 (P) : 0.8 ㎫, 30 초 사이에 라미네이트하여, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
또한, 첩합 온도 (T) 를 150 ℃, 접착 필름 (다이싱 테이프 일체형 접착 시트) 에 가하는 압력 (P) 을 0.3 ㎫ 로 변경하는 것 이외에는 동일한 조건에 의해서도, 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
이어서, 이 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 부착된 실리콘 웨이퍼를 실리콘 웨이퍼측에서부터, 다이싱 쏘 (DFD6360, (주)디스코 제조) 를 사용하여 이하의 조건에서 다이싱 (절단) 하였다. 이로써 실리콘 웨이퍼가 개편화되어, 이하의 다이싱 사이즈의 반도체 칩을 얻었다.
<다이싱 조건>
다이싱 사이즈 : 가로세로 10 ㎜×10 ㎜
다이싱 속도 : 50 ㎜/sec
스핀들 회전수 : 40,000 rpm
다이싱 최대 깊이 : 0.080 ㎜ (다이싱 테이블 표면에서부터의 높이)
다이싱 블레이드의 두께 : 15 ㎛
이어서, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 지지 필름측 (이면) 에서부터 자외선을 조사하였다.
이어서 반도체 칩의 1 개를 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 이면으로부터 니들로 밀어 올리고, 밀어 올린 반도체 칩의 표면을 다이 본더의 콜릿으로 흡착하면서 상방으로 들어 올렸다. 이것에 의해, 접착 필름이 부착된 반도체 칩을 픽업하였다.
다음으로, 패드를 갖는 회로 기판의 패드와 땜납 범프가 맞닿도록 위치 맞춤을 실시하면서 회로 기판에 반도체 칩을 235 ℃, 5 초간 가열하여, 땜납 범프를 용융시켜 땜납 접합을 실시하였다.
그리고, 180 ℃, 60 분간, 0.8 ㎫ 의 유체압 (공기압) 의 분위기하에서 가열하여 접착 필름을 경화시켜, 반도체 칩과 회로 기판이 접착 필름의 경화물에 의해 접착된 반도체 장치를 얻었다.
(실시예 7)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 제조한 점 이외에는 실시예 6 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 15.0 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EPICLON-840S) 45.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 2,3-나프탈렌디카르복실산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 우레탄아크릴레이트 폴리머 (네가미 공업사 제조, UN-9200A) 24.4 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업, 2PHZ-PW) 0.1 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 3-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBE-903) 0.5 중량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 8)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 제조한 점 이외에는 실시예 6 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 비페닐아르알킬형 페놀 (메이와 화성사 제조, MEH-7851H) 10.1 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 31.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 페놀프탈린 (도쿄 화성 공업사 제조) 11.2 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 14.5 중량부와 우레탄아크릴레이트 폴리머 (네가미 공업사 제조, UN-9200A) 7.3 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 0.2 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 0.7 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 25.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 9)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 제조한 점 이외에는 실시예 6 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 페놀 노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR-55617) 4.4 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (신닛테츠 화학사 제조, YDCN-700-5) 14.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 2,3-나프탈렌디카르복실산 (도쿄 화성 공업사 제조) 6.8 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 18.4 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 0.3 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 1.1 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 55.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(실시예 10)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 제조한 점 이외에는 실시예 6 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 페놀 노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR-55617) 3.0 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 8.3 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 4.5 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 12.6 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2PHZ-PW) 0.3 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 3-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBE-903) 1.3 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 70.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(비교예 1)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 조제한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 비페닐아르알킬형 페놀 (메이와 화성사 제조, MEH-7851H) 22.4 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 60.8 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 1.2 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 3-아미노프로필트리에톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBE-903) 0.5 중량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
(비교예 2)
접착 필름용 바니시를 하기한 바와 같이 조제한 점 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 테이프 일체형 접착 시트 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
<접착 필름용 바니시의 조제>
접착 필름용 바니시의 조제에 있어서, 크레졸 노볼락 수지 (DIC 사 제조, KA-1160) 20.4 중량부를 페놀 노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR-55617) 1.3 중량부로, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, EXA-830LVP) 56.8 중량부를 4.0 중량부로, 트리멜리트산 (도쿄 화성 공업사 제조) 15.0 중량부를 2.0 중량부로, 페녹시 수지 (미츠비시 화학사 제조, YX-6954) 7.2 중량부를 메타크릴산에스테르계 폴리머 (네가미 공업사 제조, M-4003) 5.9 중량부로, 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부를 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2PHZ-PW) 0.3 중량부로, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-403) 0.5 중량부를 1.5 중량부로 변경하고, 실리카 필러 (아도마텍스사 제조, SC1050) 85.0 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름용 바니시의 조제를 실시하였다.
각 실시예 및 비교예의 접착 필름의 조성을 표 1 에 나타내었다.
첩부 온도 (T) 가 80 ℃, 150 ℃ 일 때의 접착 필름의 용융 점도 (η) 를 표 1 에 함께 나타내었다. 접착 필름의 용융 점도는 하기 방법으로 측정하였다.
각 실시예 및 비교예에서 얻어진 두께 25 ㎛ 의 접착 필름을 4 장 적층함으로써 두께 100 ㎛ 의 측정용 샘플을 제조하고, 점탄성 측정 장치 (HAAKE 사 제조 「RheoStress RS150」) 를 사용하여, 패럴렐 플레이트 20 ㎜φ, 갭 0.05 ㎜, 주파수 0.1 Hz, 승온 속도 10 ℃/분의 조건에서 용융 점도를 측정하고, 최저가 되는 용융 점도를 측정값으로 하였다.
Figure pct00005
[3] 평가
[3-1] 매립성의 평가
각 실시예 및 각 비교예의 접착 필름의 땜납 범프가 형성된 실리콘 웨이퍼 상의 요철에 대한 매립성은, 금속 현미경으로 요철부 주위의 보이드/공극의 유무에 의해 평가하였다.
○ : 요철부의 주변에 보이드 또는 공극이 관찰되지 않았다.
× : 요철부의 주변에 보이드 또는 공극이 관찰되었다.
[3-2] 접착 필름의 블리드 평가
각 실시예 및 각 비교예의 접착 필름의 블리드 (튀어나옴) 평가는, 금속 현미경으로 반도체 장치에 있어서의 접착 필름 성분의 반도체 칩 가장자리부로부터 튀어나온 길이를 측정하여, 블리드 평가를 실시하였다. 각 부호는, 다음과 같다.
○ : 반도체 칩의 가장자리부로부터 튀어나온 길이가 700 ㎛ 미만이었다.
× : 반도체 칩의 가장자리부로부터 튀어나온 길이가 700 ㎛ 이상이었다.
[3-3] 접속 신뢰성
각 실시예 및 비교예의 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 얻어진 반도체 장치 각각 20 개씩 (각 첩부 온도마다) 에 대해서, -55 ℃ 의 조건하에 30 분, 125 ℃ 의 조건하에 30 분씩 번갈아 노출시키는 것을 1 사이클로 하는 온도 사이클 시험을 100 사이클 실시하고, 시험 후의 반도체 장치에 관해서, 반도체 칩과 회로 기판의 접속 저항값을 디지털 멀티미터로 측정하여, 접속 신뢰성을 평가하였다. 각 부호는 다음과 같다.
○ : 20 개의 반도체 장치 모두의 접속 저항값이 10 Ω 미만이었다.
× : 1 개 이상의 반도체 장치의 접속 저항값이 10 Ω 이상이었다.
이들 결과를 표 2 에 나타내었다.
또한, 각각의 첩부 온도 (T) 에 있어서의 (T×P)/η 의 값을 표 2 에 나타내었다.
Figure pct00006
표 2 로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 관련된 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용함으로써, 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철을 접착 필름에 의해 양호하게 매립할 수 있으며, 또한 그 매립성이 높은 것이었다. 또, 본 발명에 관련된 접착 필름을 사용하여 제조된 반도체 장치는 접속 신뢰성이 특히 높은 것이었다. 이에 반하여, 비교예에서는 만족스런 결과가 얻어지지 않았다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 대향하는 부재의 단자간 접속 및 부재 사이의 공극의 봉지를 동시에 실시할 수 있고, 또한, 회로 기판 상의 복수의 배선 회로 등에 의해서 생기는 요철을 양호하게 매립할 수 있는 작업성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 제공하는 것, 그리고 이러한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 제조한 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품을 제공할 수 있다. 따라서 본 발명은, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 그리고 이러한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하여 제조한 반도체 장치, 다층 회로 기판 및 전자 부품에 바람직하게 사용할 수 있다.
1 : 개재층
11 : 외주 가장자리
2 : 다이싱 테이프의 점착층
21 : 외주부
3, 31 : 접착 필름
4 : 지지 필름
41 : 외주부
4a, 4b : 기재
5 : 피착체
61 ∼ 64 : 적층체
7 : 반도체 웨이퍼 (지지체)
71 : 반도체 칩
8 : 적층체
81 : 절입
82 : 다이싱 블레이드
83 : 개편
9 : 웨이퍼 링
10, 10' : 다이싱 테이프 일체형 접착 시트
250 : 다이 본더
260 : 콜릿
270 : 대 (臺) (히터)
280 : 장치 본체
400 : 대 (臺) (푸시업 장치)

Claims (14)

  1. 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를 땜납을 사용하여 전기적으로 접속하고, 상기 지지체와 상기 피착체를 접착하는 접착 필름과 다이싱 테이프를 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로서,
    상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부할 때의 첩부 온도를 T [℃], 상기 접착 필름에 가하는 압력을 P [Pa], 상기 첩부 온도에 있어서의 접착 필름의 용융 점도를 η [Pa·s] 로 했을 때, 1.2×103 ≤ (T×P)/η ≤ 1.5×109 의 관계를 만족하고,
    상기 첩부 온도 (T) 는 60 ∼ 150 ℃, 상기 압력 (P) 는 0.2 ∼ 1.0 ㎫, 상기 첩부 온도 (T) 에 있어서의 접착 필름의 용융 점도 (η) 는 0.1 ∼ 100,000 Pa·s 인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착 필름을 상기 지지체의 제 1 단자가 형성된 면에 첩부할 때의 분위기압은 100 ㎪ 이하인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접착 필름은,
    (A) 페놀 수지와,
    (B) 에폭시 수지와,
    (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물과,
    (D) 성막성 수지
    를 함유하는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 접착 필름이, 상기 (A) 페놀 수지를 3 ∼ 30 중량％, 상기 (B) 에폭시 수지를 10 ∼ 80 중량％, 상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물을 1 ∼ 30 중량％, 상기 (D) 성막성 수지를 1 ∼ 50 중량％ 함유하는 것인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 (B) 에폭시 수지가 25 ℃ 에서 액상인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 에폭시 수지의 25 ℃ 에 있어서의 점도가 500 ∼ 50,000 mPa·s 인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 에폭시 수지와, 상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물의 배합비 ((B)/(C)) 가 0.5 ∼ 12.0 인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  8. 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 플럭스 기능을 갖는 화합물이, 1 분자 중에 2 개의 페놀성 수산기와 적어도 1 개의 방향족에 직접 결합한 카르복실기를 함유하는 플럭스 기능을 갖는 화합물인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  9. 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (D) 성막성 수지가 페녹시 수지를 포함하는 것인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  10. 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 필름이, 추가로 충전재를 함유하는, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 충전재의 함유량이 0.1 중량％ 이상 80 중량％ 이하인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 회로 기판.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
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