CN103650114A - 切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件 - Google Patents

切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件 Download PDF

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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

根据本发明，提供一种切割胶带一体化型粘接片，其能够同时进行对置的部件的端子间的连接和部件间的空隙的密封，作业性优异。本发明的切割胶带一体化型粘接片具有包含由粘接膜和切割胶带构成的层叠结构，所述粘接膜使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接，粘接上述支撑体和上述被粘体，其中，将上述粘接膜粘附于上述支撑体的形成有第一端子的面时的粘附温度设为T［℃］，将施加于上述粘接膜的压力设为P［MPa］，将上述粘附温度下的粘接膜的熔融粘度设为η［Pa·s］时，满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系。

Description

切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件
技术领域
本发明涉及切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件。
本申请基于2011年7月8日在日本申请的特愿2011-152370号主张优先权，将其内容援引于此。
背景技术
随着近年的电子设备的高功能化和小型化（轻薄短小化）的要求，半导体封装等电子部件的高密度集成化、高密度安装化得到了发展，这些电子部件的小型化、多引脚化也在进行。为了得到这些电子部件的电连接，使用焊料接合。
作为该焊料接合，例如可举出半导体晶片彼此的导通接合部、以倒装安装的封装这样的半导体晶片与电路基板间的导通接合部、电路基板彼此的导通接合部等。在该焊料接合部中，为了确保电连接强度和机械连接强度，通常注入被称为底层填料的密封树脂（底层填充密封）。
用液态密封树脂（底层填料）加固因该焊料接合部产生的空隙（间隙）时，在焊料接合后供给液态密封树脂（底层填料），将其固化，从而加固焊料接合部。然而，伴随电子部件的薄化、小型化，焊料接合部也窄间距化/窄间隙化，所以即使在焊料接合后向焊料接合部供给液态密封树脂（底层填料），液态密封树脂（底层填料）也不会在间隙间扩散，存在难以完全填充这样的问题。
对于这样的问题，已知有介由各向异性导电膜一并进行端子间的电连接和粘接的方法。例如记载有如下的方法：通过使含有导电性粒子的粘接膜夹设于部件间进行热压接，从而在两部件的端子间夹设导电性粒子，在其他部分填充树脂成分的方法或使导电性粒子彼此接触从而获得该部分的电连接的方法（例如，专利文献1、2）。
然而，这些方法中，在邻接的端子间存在导电性粒子，所以难以确保邻接的端子间的绝缘性，在邻接的端子间存在气泡，所以难以确保电子部件、半导体装置的可靠性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭61-276873号公报
专利文献2：日本特开平9-31419号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种切割胶带一体化型粘接片，其能够同时进行对置的部件的端子间的连接和部件间的空隙的密封，作业性优异。另外，本发明的目的在于提供使用这样的切割胶带一体化型粘接片而制造的电连接可靠性高的半导体装置、多层电路基板以及电子部件。
这样的目的通过下述（1）～（20）而实现。
（1）一种切割胶带一体化型粘接片，其特征在于，具有包括粘接膜以及切割胶带的层叠结构，所述粘接膜使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接，粘接上述支撑体和上述被粘体，其中，
将上述粘接膜粘附于上述支撑体的形成有第一端子的面上时的粘附温度设为T［℃］，将施加于上述粘接膜上的压力设为P［Pa］，将上述粘附温度下的粘接膜的熔融粘度设为η［Pa·s］时，满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系，
并且，上述粘附温度T为60～150℃，上述压力P为0.2～1.0MPa，上述粘附温度T下的粘接膜的熔融粘度η为0.1～100000Pa·s。
（2）如上述（1）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，将上述粘接膜粘附于上述支撑体的形成有第一端子的面上时的环境压力为100kPa以下。
（3）如上述（1）或（2）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述粘接膜含有：
（A）酚醛树脂，
（B）环氧树脂，
（C）具有助焊剂功能的化合物，以及
（D）成膜性树脂。
（4）如上述（1）～（3）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述粘接膜含有3～30重量%的上述（A）酚醛树脂，10～80重量%的上述（B）环氧树脂，1～30重量%的上述（C）具有助焊剂功能的化合物，1～50重量%的上述（D）成膜性树脂。
（5）如上述（3）或（4）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述（B）环氧树脂在25℃下为液态。
（6）如上述（3）～（5）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述（B）环氧树脂25℃下的粘度为500～50000mPa·s。
（7）如上述（3）～（6）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述（B）环氧树脂和上述（C）具有助焊剂功能的化合物的配合比（（B）/（C））为0.5～12.0。
（8）如上述（3）～（7）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述（C）具有助焊剂功能的化合物是1分子中含有2个酚性羟基和至少一个与芳香族直接键合的羧基的具有助焊剂功能的化合物。
（9）如上述（3）～（8）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述（D）成膜性树脂含有苯氧基树脂。
（10）如上述（1）～（9）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述粘接膜进一步含有填充材料。
（11）如上述（10）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述填充材料的含量为0.1重量%～80重量%。
（12）如上述（1）～（11）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述切割胶带由粘合层和支撑膜构成，在上述粘合层上层叠有上述粘接膜。
（13）如上述（12）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述粘合层由光固化性树脂构成。
（14）如上述（1）～（11）中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述切割胶带由粘合层和支撑膜构成，在上述粘合层上介由夹设层层叠有上述粘接膜。
（15）如上述（14）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述切割胶带的粘合层的粘合性比上述夹设层的粘合性高。
（16）如上述（14）或（15）所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，上述夹设层由光固化性树脂构成。
（17）一种半导体装置，其特征在于，具有上述（1）～（16）中任一项所述的粘接膜的固化物。
（18）一种多层电路基板，其特征在于，具有上述（1）～（16）中任一项所述的粘接膜的固化物。
（19）一种电子部件，其特征在于，具有上述（1）～（16）中任一项所述的粘接膜的固化物。
根据本发明，能够提供一种切割胶带一体化型粘接片，其可同时进行对置的部件的端子间的连接和部件间的空隙的密封，并且能够良好地埋入由电路基板上的多个配线电路等而产生的凹凸，作业性优异，而且能够提供使用这样的切割胶带一体化型粘接片而制造的半导体装置、多层电路基板以及电子部件。
附图说明
图1是示意地表示本发明的切割胶带一体化型粘接片的制造方法的一个例子的剖视图。
图2是示意地表示使用了本发明的切割胶带一体化型粘接片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
图3是示意地表示使用了本发明的切割胶带一体化型粘接片的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。
具体实施方式
以下，关于本发明的切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件进行说明。
本发明的切割胶带一体化型粘接片的特征在于，具有由粘接膜和切割胶带构成的层叠结构，所述粘接膜使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接，粘接上述支撑体和上述被粘体，其中，
将上述粘接膜粘附于上述支撑体的形成有第一端子的面上时的粘附温度设为T［℃］，将施加于粘接膜的压力设为P［MPa］，将上述粘附温度下的粘接膜的熔融粘度设为η［Pa·s］时，满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系，
并且，上述粘附温度T为60～150℃，上述压力P为0.2～1.0MPa，上述粘附温度T下的粘接膜的熔融粘度η为0.1～100000Pa·s。
另外，本发明的半导体装置、多层电路基板以及电子部件是利用上述粘接膜的固化物电连接具有第一端子的支撑体和具有第二端子的被粘体，粘接上述支撑体和上述被粘体。
以下，对本发明的切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件详细进行说明。
本发明的切割胶带一体化型粘接片是以粘接膜、以及切割胶带为必需构成要素，其中，上述粘接膜是使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接，粘接上述支撑体和上述被粘体的。另外，除此之外，可以设置后述的夹设层、外层。对切割胶带一体化型粘接片的各部的构成依次详述。
应予说明，在本发明的切割胶带一体化型粘接片中，作为半导体装置的构成要素的仅为粘接膜。通过组合粘接膜和切割胶带一体化型粘接片中的其他的部件，使得本发明的切割胶带一体化型粘接片的作业性变优异。
（切割胶带）
切割胶带可以使用一般使用的任意的切割胶带。
具体而言，作为切割胶带的支撑膜的构成材料，例如可举出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、乙烯基聚异戊二烯、聚碳酸酯、聚烯烃等，可举出这些中的1种或2种以上的混合物。
支撑膜的平均厚度没有特别限定，优选为5～200μm左右，更优选为30～150μm左右。由此，支撑膜具有适度的刚性，所以可靠地支撑切割胶带和粘接膜，使切割胶带一体化型粘接片的操作变得容易，并且使切割胶带一体化型粘接片适度弯曲，从而能够提高与具有第一端子的支撑体的密合性。
另外，作为切割胶带的粘合层，可使用由含有丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等的第一树脂组合物构成的粘合层。
另外，支撑膜的构成材料没有特别限定，当利用光（可见光线、近红外线、紫外线）、X射线、电子束等控制第一树脂组合物的粘合性时，优选为使光（可见光线、近红外线、紫外线）、X射线、电子束等透过的材料，例如使用聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃系树脂，乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、离聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸酯共聚物等烯烃系共聚物，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚对苯二甲酸烷撑酯系树脂，苯乙烯系热塑性弹性体、烯烃系热塑性弹性体、聚异戊二烯、聚碳酸酯等热塑性树脂以及这些热塑性树脂的混合物。
作为支撑膜的构成材料，特别优选使用聚丙烯和弹性体的混合物或者聚乙烯和弹性体的混合物。另外，作为该弹性体，优选为由通式（1）表示的聚苯乙烯链段和通式（2）表示的乙烯基聚异戊二烯链段构成的嵌段共聚物。通过使用这样的材料，在支撑体的形成有第一端子的面上粘附切割胶带一体化型粘接片时能够具有充分的缓冲性。
Figure BDA0000452547020000071
（式（1）中，n为2以上的整数）
Figure BDA0000452547020000072
（式（2）中，n为2以上的整数）
作为支撑膜的制法，没有特别限定，可使用压延法、挤出成型法等一般的成型方法。优选在支撑膜的表面露出有可与构成粘合层的材料反应的官能团，例如羟基或氨基等。另外，为了提高支撑膜与粘合层的密合性，优选预先利用电晕处理或底涂等对支撑膜的表面进行表面处理。
作为丙烯酸系粘合剂，例如可使用由（甲基）丙烯酸及它们的酯构成的树脂、（甲基）丙烯酸及它们的酯和可与它们共聚的不饱和单体（例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等）的共聚物等。另外，可混合两种以上的这些共聚物。
另外，这些中优选选自（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯以及（甲基）丙烯酸丁酯中的1种以上与选自（甲基）丙烯酸羟基乙酯和乙酸乙烯酯中的1种以上的共聚物。由此，使切割胶带的粘合层与粘合的对象（例如，后述的夹设层、支撑膜等）的密合性、粘合性的控制变得容易。
另外，第一树脂组合物中，为了控制粘合性（粘接性）可以添加聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯单体、多价异氰酸酯化合物（例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯）等异氰酸酯化合物等的单体和低聚物。
另外，第一树脂组合物中，当利用光（可见光线、近红外线、紫外线）控制粘合层的粘合性时，优选含有光固化成分。光固化成分通过光照射固化，因固化而丙烯酸系粘合剂等被引入固化成分的交联结构，其结果，粘合层的粘合力降低。作为这样的光固化成分，例如，可使用分子内至少具有2个以上的通过紫外线、电子束等能量线的照射而能三维交联的聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
具体而言，作为光固化成分，没有特别限定，例如，可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的寡聚酯丙烯酸酯等芳香族系、脂肪族系等的聚氨酯丙烯酸酯等。应予说明，这些中优选为聚氨酯丙烯酸酯。
另外，光固化成分中，虽然没有特别限定，但优选混合重均分子量不同的2个以上的光固化成分。如果利用这样的固化成分，则能够控制基于光照射的树脂交联度，能够提高拾取（pick up)性。另外，作为这样的固化成分，例如可使用第1光固化成分和重均分子量比第1光固化成分大的第2光固化成分的混合物等。
由这样的光固化成分带来的粘合层的粘合力降低效果没有特别限定，例如在切割工序后穿过切割胶带的支撑膜对粘合层进行光照射，降低粘合层的粘合力，从而能够得到恰当的拾取性。
光固化成分没有特别限定，优选以相对于丙烯酸系粘合剂等粘合剂100重量份为20重量份～200重量份配合。通过调整为如上述的光固化成分的配合量，从而使拾取性变得更适宜。
并且，第一树脂组合物中，可以添加与后述的第二树脂组合物相同的光聚合引发剂。
并且，第一树脂组合物中含有光固化成分时，为了促进由光照射引起的光固化，优选含有光聚合引发剂。通过含有光聚合引发剂，能够容易引发光固化成分的聚合。作为光聚合引发剂，没有特别限定，例如，可举出2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋兰姆单硫醚、偶氮二异丁腈、二苄基、双乙酰、β-氯蒽醌等。
另外，为了控制粘合层的粘合性，第一树脂组合物可含有交联剂。作为交联剂，例如，可举出环氧类交联剂、异氰酸酯系交联剂、羟甲基系交联剂、螯合系交联剂、氮丙啶系交联剂、密胺系交联剂、多价金属螯合系交联剂等。这些中优选为异氰酸酯系交联剂。
作为异氰酸酯系交联剂，没有特别限定，例如，可举出多价异氰酸酯的聚异氰酸酯化合物和聚异氰酸酯化合物的三聚物；使聚异氰酸酯化合物和多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯化合物的三聚物或者将末端异氰酸酯聚氨酯预聚物用苯酚、肟类等封链的封端聚异氰酸酯化合物等。
作为多价异氰酸酯，例如可使用2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯撑二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4′-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4′-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4′-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4′-二异氰酸酯等。其中优选选自2,4-甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4′-二异氰酸酯以及六亚甲基二异氰酸酯中的至少1种的多价异氰酸酯。
交联剂的含量没有特别限定，例如优选相对于丙烯酸系粘合剂100重量份以5重量份～50重量份配合。通过调整为如上述的交联剂的配合量，从而使切割胶带的拾取性变得更适宜。
另外，出于提高粘接强度和剪切强度的目的，可添加松香树脂、萜烯树脂、香豆酮树脂、酚醛树脂、苯乙烯树脂、脂肪族系石油树脂、芳香族系石油树脂、脂肪族芳香族系石油树脂等粘合赋予剂等。
这样的切割胶带的粘合层的平均厚度没有特别限定，优选为1～100μm左右，特别是更优选为3～20μm左右。如果切割胶带的粘合层的平均厚度为上述范围内，则能够确保切割胶带的粘合层的形状追随性，能够进一步提高粘接膜相对于半导体晶片的密合性。
关于夹设层在后面叙述，而切割胶带一体化型粘接片可以在切割胶带的粘合层与粘接膜之间具有夹设层。此时，优选切割胶带的粘合层与夹设层相比粘合性高。由此，与相对于粘接膜的夹设层的密合力相比，相对于夹设层和支撑膜的切割胶带粘合层的密合力变大。因此，在后述的半导体装置的制造中的拾取工序中，能在应产生剥离的所希望的界面（即夹设层与粘接膜的界面）上产生剥离。
另外，通过提高切割胶带的粘合层的粘合性，在后述的半导体装置的制造的第2工序中切割半导体晶片使其单片化时，切割胶带和晶片环之间被可靠地固定。其结果，能够可靠地防止半导体晶片的位置偏移，能够提高半导体晶片的尺寸精度。
（粘接膜）
构成本发明的切割膜一体型粘接片的粘接膜是具有粘接性的膜，在电路基板上安装半导体晶片或者半导体封装时使用，粘贴于半导体晶片或者半导体封装以及电路基板。另外，粘接膜具有助焊剂功能。应予说明，本说明书中，电路基板是指例如形成了配线电路的半导体晶片、半导体晶圆、刚性基板、软性基板、刚性软性基板等。
以往的这样的用途中使用的粘接膜，在将粘接膜贴合于电路基板上时，无法充分埋入到由电路基板上的多个配线电路等而产生的凹凸（间隙），在粘接膜与电路基板之间产生空隙，存在产生半导体晶片等与电路基板的粘接不良这样的问题。
与此相对，本发明中，具有如下特征，即在粘附粘接膜和电路基板时的粘附温度T为60～150℃，施加于粘接膜上的压力P为0.2～1.0MPa，粘附温度T［℃］下的粘接膜的熔融粘度η为0.1～100，000Pa·s的条件下，上述粘附温度T［℃］、上述压力P［Pa］、上述熔融粘度η［Pa·s］满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系。
通过具有这样的特征，在将粘接膜与电路基板贴合时，能够将粘接膜良好地埋入由电路基板上的多个配线电路等产生的凹凸（间隙），能够有效防止在粘接膜与电路基板之间产生空隙。与此相对，若（T×P）/η的值小于上述下限值，则在粘接膜与电路基板之间产生空隙。并且，配线电路等的凹凸将成为粘接膜的表面的凹凸而显现，与半导体晶片等的粘接性降低。另一方面，若（T×P）/η的值大于上述上限值，则粘接膜变得过于柔软，粘接膜会从电路基板的边缘部溢出。
另外，通过具有上述的特征，使粘接膜与切割片之间或者粘接膜与夹设层之间的界面的密合性等物性变良好，能够实现良好的作业性。换言之，通过使（T×P）/η的值为上述下限值以上，从而使粘接膜与切割片之间或者粘接膜与夹设层之间的密合性变充分，在切割工序等中，能够防止粘接膜意外剥离。另外，通过使（T×P）/η的值为上述上限值以下，从而能够有效抑制因粘接膜与切割片或者粘接膜与夹设层牢固密合而引起的粘合层等向粘接膜表面的转印等所带来的不良情况。
如此地，在上述条件下，本发明的粘接膜的粘附温度T［℃］、压力P［Pa］、熔融粘度η［Pa·s］满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系，优选满足1.6×103≤（T×P）/η≤1.3×109的关系，更优选满足2.0×103≤（T×P）/η≤1.0×109的关系。由此，能够使本发明的效果变得更显著。
另外，本发明的粘接膜在粘附温度T［℃］下的粘接膜的熔融粘度η为0.1～100000Pa·s。由此，将粘接膜与电路基板贴合时，能够更好地利用粘接膜填埋由电路基板上的多个配线电路等产生的凹凸（间隙）。
通过使上述熔融粘度为0.1Pa·s以上，能够防止熔融的粘接膜越过支撑体或者粘体而引起污染。另外，通过使上述熔融粘度为100000Pa·s以下，能够防止熔融的粘接膜在对置的端子间滞留而引起导通不良。
上述熔融粘度优选为0.2Pa·s以上，特别优选为0.5Pa·s以上。由此，能够更有效防止熔融的粘接膜越过支撑体或者被粘体而引起污染。另外，上述熔融粘度优选为70000Pa·s以下，特别优选为30000Pa·s以下。由此，能够更有效防止熔融的粘接膜在对置的端子间滞留而引起导通不良。
另外，通过使上述熔融粘度为0.1Pa·s以上，能够有效抑制由粘接膜与切割片或者粘接膜与夹设层牢固密合而引起的粘合层等向粘接膜表面的转印等所带来的不良情况。另外，通过使上述熔融粘度为100000Pa·s以下，从而使粘接膜与切割片之间或者粘接膜与夹设层之间的密合性变得充分，在切割工序等，能够防止粘接膜意外地发生剥离。
此处，粘接膜的熔融粘度η是利用以下的测定方法求出的。
使用粘弹性测定装置（HAAKE公司制“RheoStress RS150”）对厚度100μm的粘接膜在平行板20mmφ、间隙0.05mm、频率0.1Hz、升温速度10℃/分的条件下进行测定，使粘接膜在粘附温度下的值作为测定值。
这样的粘接膜例如可以由以下所示的成分构成。
本发明的粘接膜优选含有（A）酚醛树脂（以下，记载为化合物（A））、（B）环氧树脂（以下，记载为化合物（B））、（C）具有助焊剂功能的化合物（以下，记载为化合物（C））以及（D）成膜性树脂（以下，记载为化合物（D））。
由此，能够更容易得到满足上述那样的关系的粘接膜，在将粘接膜与电路基板贴合时，能够更有效地埋入由电路基板上的多个配线电路等产生的凹凸（间隙）。
另外，粘接膜优选含有3～30重量%化合物（A）、10～80重量%化合物（B）、1～30重量%化合物（C）、1～50重量%化合物（D）。通过设为上述配合量，由此能够使粘接膜在粘附温度下的熔融粘度η为0.1～100000Pa·s。另外，并且，优选含有3～28重量%化合物（A）、12～78重量%化合物（B）、3～25重量%化合物（C）、6～40重量%化合物（D），最优选含有5～25重量%化合物（A）、15～75重量%化合物（B）、3～20重量%化合物（C）、10～35重量%化合物（D）。由此，能够更容易地得到满足上述那样的关系的粘接膜。
通过使粘接膜含有化合物（A），能够提高粘接膜的固化物的玻璃化温度，并且能提高耐离子迁移性。另外，能够对粘接膜赋予适度的柔软性，所以能改善粘接膜的脆性。并且，能够对粘接膜赋予适度的胶粘性，所以能够得到作业性优异的粘接膜。
作为上述化合物（A），没有特别限定，例如可举出苯酚酚醛清漆型树脂、甲酚酚醛清漆型树脂、双酚A型酚醛清漆型树脂、双酚F型酚醛清漆型树脂、双酚AF型酚醛清漆型树脂、烷基苯酚酚醛清漆型树脂、联苯酚酚醛清漆型树脂、萘酚酚醛清漆型树脂、间苯二酚酚醛清漆型树脂、联苯基芳烷基型酚醛树脂、萘酚芳烷基树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、多官能型酚醛树脂、三苯基甲烷型酚醛树脂、Zilog型酚醛树脂、Zilog型萘酚树脂等。其中，优选使用能够更容易地满足上述那样的关系且能够有效提高粘接膜的固化物的玻璃化温度的苯酚酚醛清漆型树脂、甲酚酚醛清漆型树脂。
粘接膜中的上述化合物（A）的含量没有特别限定，优选为3～30重量%，更优选为3～28重量%，进一步优选为5～25重量%。通过使化合物（A）的含量为上述范围，能够更容易地得到满足上述那样的关系的粘接膜，将粘接膜与电路基板贴合时，能够更有效埋入到由电路基板上的多个配线电路等而产生的凹凸（间隙）。另外，能够有效提高粘接膜的固化物的玻璃化温度。
上述化合物（A）的重均分子量没有特别限定，优选为300～1500，特别优选为400～1400。由此，能够更有效防止使粘接膜固化时的排气量的增大而污染半导体晶片、电路基板等支撑体或者被粘体的表面。另外，由此，能够更有效确保粘接膜的柔软性和弯曲性。此处，重均分子量可利用GPC（凝胶渗透色谱）测定。
另外，通过使粘接膜含有（B）环氧树脂，能够更容易地得到满足上述那样的关系的粘接膜，能够在将粘接膜与电路基板贴合时，更有效埋入到由电路基板上的多个配线电路等产生的凹凸（间隙）。另外，由此，能够对粘接膜赋予柔软性和弯曲性，所以能够得到操作性优异的粘接膜。
作为上述化合物（B），例如可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、萘型环氧树脂、烯丙基化双酚A型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、三官能环氧树脂、四官能环氧树脂等。这些中，优选能够更容易得到满足上述那样的关系的粘接膜且优于粘接膜对于半导体晶片、基板等支撑体或者被粘体的密合性乃至粘接膜的固化后的机械特性的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂。
另外，作为上述化合物（B）环氧树脂，优选在25℃下为液态。更优选在25℃下的粘度为500～50000mPa·s，进一步优选为800～40000mPa·s。通过使25℃下的粘度为上述下限值以上，粘接膜的胶粘性变强，能够防止操作性降低。另外，通过使25℃下的粘度为上述上限值以下，能够确保粘接膜的柔软性和弯曲性。另外，通过使用这样的粘度的环氧树脂，能够更容易地得到满足上述那样的关系的粘接膜。
另外，上述化合物（B）环氧树脂的含量没有特别限定，优选为10～80重量%，更优选为12～78重量%，进一步优选为15～75重量%。由此，能够更有效地表达粘接膜的柔软性和弯曲性。另外，由此，粘接膜的胶粘性变强，能够有效防止操作性的降低。
另外，通过使粘接膜含有（C）具有助焊剂功能的化合物，能够除去支撑体（半导体晶片、基板等）的第一端子和被粘体（半导体晶片、基板等）的第二端子中的至少一个的焊料表面的氧化膜，能够可靠地焊料接合上述第一端子和上述第二端子，所以能够得到连接可靠性高的多层电路基板、电子部件、半导体装置等。
作为上述化合物（C），只要有除去焊料表面的氧化膜的作用，就没有特别限定，优选具备羧基或者酚性羟基中任一个或羧基和酚羟基这两者的化合物。
上述化合物（C）的配合量优选为1～30重量%，更优选化合物（C）为3～25重量%，最优选为3～20重量%。通过化合物（C）的配合量为上述范围，从而能够提高助焊剂活性，并且在将粘接膜固化时，能够防止残留未反应的化合物（A）、化合物（B）以及化合物（C），能够提高耐迁移性。
另外，作为环氧树脂的固化剂发挥作用的化合物中存在（C）具有助焊剂功能的化合物（以下，将这样的化合物记载为具有助焊剂功能的固化剂）。例如，作为环氧树脂的固化剂发挥作用的脂肪族二羧酸、芳香族二羧酸等具有助焊剂作用。本发明中，可优选使用这样的作为助焊剂发挥作用且作为环氧树脂的固化剂发挥作用的具有助焊剂功能的固化剂。
应予说明，具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物是指在分子中存在一个以上羧基的化合物，可以为液态也可以为固体。另外，具备酚性羟基的（C）具有助焊剂功能的化合物是指在分子中存在一个以上酚性羟基的化合物，可以为液态也可以为固体。另外，具备羧基和酚性羟基的（C）具有助焊剂功能的化合物是指在分子中分别存在一个以上的羧基和酚性羟基的化合物，可以为液态也可以为固体。
其中，作为具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物，可举出脂肪族酸酐、脂环式酸酐、芳香族酸酐、脂肪族羧酸、芳香族羧酸等。
作为上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物的脂肪族酸酐，可举出无水琥珀酸、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐等。
作为上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物的脂环式酸酐，可举出甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、三烷基四氢邻苯二甲酸酐、甲基环己烯二羧酸酐等。
作为上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物的芳香族酸酐，可举出邻苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、乙二醇联偏苯三酸酯、甘油三偏苯三酸酯等。
作为上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物的脂肪族羧酸，例如，可举出下述通式（3）表示的化合物、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、新戊酸、己酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、油酸、富马酸、马来酸、草酸、丙二酸、琥珀酸等。
HOOC-（CH2）n-COOH   （3）
（式（3）中，n表示1～20的整数。）
作为上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物的芳香族羧酸，可举出苯甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、1,2,3-苯三甲酸（hemimellitic acid)、偏苯三甲酸(trimellitic acid)、均苯三甲酸（trimesic acid)、偏苯四甲酸（mellophanic acid)、1,2,3,4-苯四甲酸（prehnitic acid)、均苯四甲酸（pyromellitic acid)、苯六甲酸(melliticacid)、甲基苯甲酸（toluic acid)、二甲苯甲酸（xylylic acid)、2,3-苯三甲酸（hemellitic acid)、3,5-二甲苯甲酸（mesitylenic acid)、2,3,4-三甲苯甲酸(prehnitylic acid)、甲基苯甲酸、肉桂酸、水杨酸、2,3-二羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、龙胆酸（2,5-二羟基苯甲酸）、2,6-二羟基苯甲酸、3,5-二羟基苯甲酸、没食子酸（3,4,5-三羟基苯甲酸）、1,4-二羟基-2-萘甲酸、3,5-二羟基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物，酚酞、二酚酸等。
这些上述具备羧基的（C）具有助焊剂功能的化合物中，从（C）具有助焊剂功能的化合物所具有的活性度、粘接膜固化时的排气的产生量以及固化后的粘接膜的弹性模量、玻璃化温度等的平衡良好，优选为上述通式（3）表示的化合物。而且，上述通式（3）表示的化合物中，式（3）中的n为3～10的化合物能够抑制固化后的粘接膜1的弹性模量增加，并且能够提高对半导体晶片、基板等的撑体和被粘体的粘接性，所以特别优选。
上述通式（3）表示的化合物中，作为式（3）中的n为3～10的化合物，例如可举出n＝3的戊二酸（HOOC-（CH2）3-COOH）、n＝4的己二酸（HOOC-（CH2）4-COOH）、n＝5的庚二酸（HOOC-（CH2）5-COOH）、n＝8的癸二酸（HOOC-（CH2）8-COOH）以及n＝10的HOOC-（CH2）10-COOH等。
作为上述具备酚性羟基的（C）具有助焊剂功能的化合物，可举出苯酚类，具体而言，例如可举出苯酚、邻甲酚、2,6-二甲酚、对甲酚、间甲酚、邻乙基苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3-乙基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4,6-三甲基苯酚、3,5-二甲苯酚、对叔丁基酚、儿茶酚、对叔戊基酚、间苯二酚、对辛基酚、对苯基酚、双酚Α、双酚F、双酚AF、联苯二酚（biphenol)、二烯丙基双酚F、二烯丙基双酚A、三酚、四酚等含有酚性羟基的单体类等。
具备上述的羧基或者酚羟基中的任一个或羧基和酚羟基这两者的化合物通过与环氧树脂的反应被三维地引入。
因此，从提高固化后的环氧树脂的三维网络的形成的观点出发，作为（C）具有助焊剂功能的化合物，优选为具有助焊剂作用且具有作为环氧树脂的固化剂发挥作用的助焊剂活性的固化剂。作为具有助焊剂活性的固化剂，例如，可举出1分子中具备能够加成到环氧树脂的2个以上的酚性羟基和与显示助焊剂作用（还原作用）的芳香族直接键合的一个以上的羧基的化合物。作为具有这样的助焊剂活性的固化剂，可举出2,3-二羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、龙胆酸（2,5-二羟基苯甲酸）、2,6-二羟基苯甲酸、3,4-二羟基苯甲酸、没食子酸（3,4,5-三羟基苯甲酸）等苯甲酸衍生物；1,4-二羟基-2-萘甲酸、3,5-二羟基-2-萘甲酸、3,7-二羟基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；酚酞；以及二酚酸等，这些可单独1种或者组合2种以上使用。
这些中，优选使用除去焊料表面的氧化膜的效果和与环氧树脂的反应性优异的2,3-二羟基苯甲酸、龙胆酸、酚酞。
另外，粘接膜中，具有助焊剂活性的固化剂的配合量优选为1～30重量%，更优选为3～25重量%，特别优选为3～20重量%。通过使粘接膜中的具有助焊剂活性的固化剂的配合量为上述范围，能够提高粘接膜的助焊剂活性，并且防止粘接膜中残留未与环氧树脂反应的具有助焊剂活性的固化剂。应予说明，若残留未反应的具有助焊剂活性的固化剂，则诱导迁移。
上述化合物（B）和上述化合物（C）的配合比没有特别限定，优选（（B）/（C））为0.5～12.0，特别优选为2.0～10.0。通过使（（B）/（C））为上述下限值以上，在使粘接膜固化时，能够减少未反应的化合物（C），所以能够提高耐迁移性。另外，通过为上述上限值以下，从而在使粘接膜固化时，能够减少未反应的化合物（B），所以能够提高耐迁移性。
另外，通过使粘接膜含有提高粘接膜的成膜性的（D）成膜性树脂，从而容易地形成为薄片状态。另外，粘接膜的机械特性也优异。
作为上述（D）成膜性树脂，例如可举出（甲基）丙烯酸系树脂、苯氧基树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、硅氧烷改性聚酰亚胺树脂、聚丁二烯、聚丙烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、丁基橡胶、氯丁橡胶、聚酰胺树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸乙烯酯、尼龙等。这些可使用1种也可并用2种以上。其中，作为（D）成膜性树脂，优选使用选自（甲基）丙烯酸系树脂、苯氧基树脂以及聚酰亚胺树脂中的至少1种。
上述（D）成膜性树脂的重均分子量没有特别限定，优选为1万以上，更优选为2万～100万，进一步优选为3万～90万。若重均分子量为上述范围内，则能够进一步提高粘接膜的成膜性。
上述（D）成膜性树脂的含量没有特别限定，优选为粘接膜中的1～50重量%，更优选为5～40重量%，进一步优选为6～40重量，最优选为10～35重量%。若含量为上述范围内，则能够抑制粘接膜的流动性，粘接膜的操作变得容易。
另外，粘接膜可进一步含有固化促进剂。固化促进剂可根据固化性树脂的种类等适当地选择。作为固化促进剂，例如可使用熔点为150℃以上的咪唑化合物。若使用的固化促进剂的熔点为150℃以上，则粘接膜的固化结束前构成焊料凸块的焊料成分可在设于半导体晶片上的内部电极表面移动，能够使内部电极间的电连接变良好。作为熔点为150℃以上的咪唑化合物，可举出2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基羟基咪唑、2-苯基-4-甲基羟基咪唑等，可使用这些中的1种或者组合2种以上使用。
粘接膜中的上述固化促进剂的含量没有特别限定，优选为0.005～10重量%，更优选为0.01～5重量%。由此，能够更有效发挥作为固化促进剂的功能，能够提高粘接膜的固化性，并且构成焊料凸块的焊料成分的熔融温度下的树脂的熔融粘度不会变得过高，得到良好的焊料接合结构。另外，能够进一步提高粘接膜的保存性。
这些固化促进剂可使用1种，也可并用2种以上。
另外，上述粘接膜可进一步含有硅烷偶联剂。通过含有硅烷偶联剂，能够提高粘接膜对于半导体晶片、基板等支撑体或者被粘体的密合性。作为硅烷偶联剂，例如可使用环氧硅烷偶联剂、含芳香族的氨基硅烷偶联剂等。这些可使用1种，也可并用2种以上。硅烷偶联剂的配合量只要适当地选择即可，相对于构成粘接膜的树脂组合物全体，优选为0.01～10重量%，更优选为0.05～5重量%，进一步优选为0.1～2重量%。
上述粘接膜可进一步含有无机填充材料。由此，能够降低粘接膜的线膨胀系数，由此能够提高可靠性。
作为上述无机填充材料，例如可举出银、氧化钛、二氧化硅、云母等，这些中优选为二氧化硅。另外，作为二氧化硅填料的形状，有粉碎二氧化硅和球形二氧化硅，优选为球形二氧化硅。
上述无机填充材料的平均粒径没有特别限定，优选为0.01μm～20μm，更优选为0.05μm～5μm。通过为上述范围，能够在粘接膜内抑制无机填充材料的凝聚，提高外观。
上述无机填充材料的含量没有特别限定，优选相对于构成粘接膜的树脂组合物全体为0.1～80重量%，更优选为5～75重量%，最优选为20～70重量%。通过为上述范围，固化后的粘接膜与被接体之间的线膨胀系数差变小，能够减少热冲击时产生的应力，所以能够进一步可靠地抑制被粘接体的剥离。并且，能够抑制固化后的粘接膜的弹性模量变过高，所以提高半导体装置的可靠性。
将在溶剂中混合上述那样的各树脂成分而得到的清漆涂布在聚酯片等实施了剥离处理的基材（支撑膜）上，使其在规定的温度下干燥至实质上不含溶剂的程度，由此可得到粘接膜。此处使用的溶剂只要是对于所使用的成分为不活性的溶剂就没有特别限定，优选使用丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、DIBK（二异丁酮）、环己酮、DAA（二丙酮醇）等酮类、苯、二甲苯、甲苯等芳香族烃类，甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇等醇类，甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯等溶纤剂系，NMP（N-甲基-2-吡咯烷酮）、THF（四氢呋喃）、DMF（二甲基甲酰胺）、DBE（二元酸酯）、EEP（3-乙氧基丙酸乙酯）、DMC（二甲基碳酸酯）等。溶剂的使用量优选的是在使溶剂中混合的成分的固体成分成为10～60重量%的范围内。
得到的粘接膜的厚度没有特别限定，优选为1～300μm，更优选为5～200μm。若厚度为上述范围内，则能够在接合部的间隙充分填充树脂成分，能够确保树脂成分固化后的机械粘合强度。
这样得到的粘接膜在将粘接膜与电路基板贴合时，能够良好地埋入由电路基板的贴合面上存在的多个配线电路等而产生的凹凸（间隙），能够更有效地防止在粘接膜与电路基板之间产生空隙。因此，可以在半导体晶片与基板、基板与基板、半导体晶片与半导体晶片、半导体晶片与半导体晶片等以焊料接合为必须的部件的连接中很好地使用。
另外，本发明的切割胶带一体化型粘接片，除了上述的粘接膜、切割胶带之外，还可设置一个以上的夹设层，作为夹设层，可举出以下这样的基材膜、树脂层。另外，在切割胶带一体化型粘接片的一个面或者两个面上可以设置一个以上的外层，作为外层可举出以下的基材膜。通过设置外层，作为从污染或冲击保护的保护膜发挥功能。
（基材膜）
作为基材膜的构成材料，例如可举出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯·（甲基）丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、乙烯基聚异戊二烯、聚碳酸酯、聚烯烃等，可举出这些中的1种或者2种以上的混合物。
基材膜的平均厚度没有特别限定，优选为5～200μm，更优选为10～150μm。由此，使基材膜具有适度的刚性，所以能够可靠地支撑切割胶带和粘接膜，能够使切割胶带一体化型粘接片的操作变得容易。
（树脂层）
树脂层由一般的粘合剂构成，具体而言，由含有丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等的第二树脂组合物构成。
作为丙烯酸系粘合剂，例如可举出由（甲基）丙烯酸及它们的酯构成的树脂、（甲基）丙烯酸及它们的酯与可与它们共聚的不饱和单体（例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等）的共聚物等。另外，这些树脂可以混合2种以上。
另外，这些中，优选选自（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙基己酯以及（甲基）丙烯酸丁酯中的1种以上与选自（甲基）丙烯酸羟基乙酯和乙酸乙烯酯中的1种以上的共聚物。由此，使与树脂层相接的被粘体（例如，切割胶带的粘合层、粘接膜等）的密合性、粘合性的控制变容易。
另外，第二树脂组合物中，为了控制粘合性（粘接性），可以添加聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸酯单体、多价异氰酸酯化合物（例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯）等异氰酸酯化合物等的单体和低聚物。
并且，第二树脂组合物中，若利用紫外线等使树脂层固化，则作为光聚合引发剂可以添加甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-［4-（甲基硫基）-苯基］-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物，二苯甲酮系化合物、苯偶姻系化合物、苯偶姻异丁醚系化合物、苯偶姻苯甲酸甲酯系化合物、苯偶姻苯甲酸系化合物、苯偶姻甲醚系化合物、苄基亚磺酰基硫醚系化合物、苄基系化合物、二苄基系化合物、双乙酰系化合物等。
另外，第二树脂组合物中，出于提高粘接强度和剪切强度的目的，可以添加松香树脂、萜烯树脂、香豆酮树脂、酚醛树脂、苯乙烯树脂、脂肪族系石油树脂、芳香族系石油树脂、脂肪族芳香族系石油树脂等粘合赋予剂等。
这样的树脂层的平均厚度没有特别限定，优选为1～100μm左右，特别是更优选为3～50μm左右。若上述厚度为上述范围内，则特别是切割时不剥离，而拾取时伴随着拉伸负载能够比较容易地剥离，并且切割时、拾取时不易发生变形，得到切割性、拾取性优异的层。
（切割胶带一体化型粘接片的制造方法）
以下对以上说明的切割胶带一体化型粘接片10的一个实施方式进行详述。
首先，准备图1（a）所示的基材4a，在该基材4a的一个面上形成夹设层1。由此，得到基材4a与夹设层1的层叠体61。夹设层1的成膜可通过利用各种涂布法等涂布含有上述第二树脂组合物的树脂清漆，其后使涂膜干燥的方法或层压由第二树脂组合物构成的膜的方法等而进行。另外，可以通过照射紫外线等放射线，使涂膜固化。
作为上述涂布法，例如可举出刮板涂布法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、棒涂法、帘式涂布法等。
另外，如图1（a）所示，与层叠体61同样地在准备的基材4b的一个面上形成粘接膜3，由此，得到基材4b与粘接膜3的层叠体62。
并且，如图1（a）所示，与各层叠体61、62同样地在准备的支撑膜4的一个面形成切割胶带的粘合层2，由此，得到支撑膜4与切割胶带的粘合层2的层叠体（切割胶带）63。
接着，如图1（b）所示，以使夹设层1与粘接膜3相接的方式层叠层叠体61和层叠体62，得到层叠体64。该层叠例如可通过辊层压法等而进行。
接着，如图1（c）所示，从层叠体64剥离基材4a。而且，如图1（d）所示，对于剥离了上述基材4a的层叠体64，残留基材4b，除去上述粘接膜3和上述夹设层1的有效区域的外侧部分。此处，有效区域是指其外周比半导体晶片7的外径小一圈或比外径大且比晶片环9的内径小的区域。
接着，图1（e）所示，以使夹设层1的露出面与切割胶带2相接的方式，层叠剥离了基材4a且将有效区域的外侧部分环状地去除的层叠体64和层叠体63。其后，通过剥离基材4b，得到如图1（f）所示的切割胶带一体化型粘接片10。
以上，记述了在支撑膜直接形成切割胶带2的方法的一个实施方式，但除此之外，还可以在支撑膜上按所希望的顺序形成切割胶带的粘合层2、夹设层1、粘接膜3，从而制成切割胶带一体化型粘接片。
另外，还可以将粘接膜3的基材4b直接用作夹设层，在支撑膜上按所希望的顺序形成切割胶带的粘合层2、夹设层1（基材4b）、粘接膜3，从而制成切割胶带一体化型粘接片。
此外，夹设层1、切割胶带的粘合层2以及粘接膜3虽然具有各自不同的密合力，但它们优选具有以下的特性。
首先，夹设层1对粘接膜3的密合力优选比夹设层1对切割胶带的粘合层2的密合力和切割胶带的粘合层2对支撑膜4的密合力小。由此，在后述的第3工序中，拾取单片83时，切割胶带的粘合层2与支撑膜4之间不会发生剥离，粘接膜3与夹设层1之间选择性发生剥离。而且，切割时，可利用晶片环9可靠地持续支撑层叠体8。
（半导体装置、多层电路基板以及电子部件）
接下来，对使用上述切割胶带一体化型粘接片而制造的半导体装置、多层电路基板以及电子部件进行说明。
［1］如图2（a）所示，一边使上述那样的切割胶带一体化型粘接片10的粘接膜3与半导体晶片7密合，一边层叠切割胶带一体化型粘接片10和半导体晶片（支撑体）7（第1工序）。此处，对于半导体晶片（支撑体）7而言，与粘接膜3粘接的面具有第一端子（未图示）。应予说明，图2所示的切割胶带一体化型粘接片10中，粘接膜3的俯视时的大小和形状被预先设定为比半导体晶片7的外径小一圈或比外径大且比晶片环9的内径小的形状。因此，半导体晶片7的下表面全体与粘接膜3的上表面全体密合，由此切割胶带一体化型粘接片10支撑半导体晶片7。
以粘接膜3覆盖该半导体晶片7的第1端子的方式，层压切割胶带一体化型粘接片10（图2（b））。
作为将切割胶带一体化型粘接片10层叠在半导体晶片7的方法，例如可举出辊层压法、平板加压法、晶片层压法等。
其中为了在层压时不卷入空气，优选在真空下进行层压的方法（真空层压法）。
另外，作为层压的条件，没有特别限定，只要可以没有空隙地层压即可。具体而言优选在60～150℃下加热1秒～120秒钟的条件，特别优选在80～120℃下加热5～60秒钟的条件。若层压条件在上述范围内，则贴合性、树脂溢出的抑制效果以及树脂的固化度的平衡优异。
另外，加压条件没有特别限定，优选为0.2～2.0MPa，特别优选为0.5～1.5MPa。
上述层叠的结果，如图2（b）所示，可得到切割胶带一体化型粘接片10和半导体晶片7层叠而成的层叠体8。
［2］［2-1］接下来，准备晶片环9。接着，以使切割胶带的粘合层2的外周部21的上表面和晶片环9的下表面密合的方式，层叠层叠体8和晶片环9。由此，通过晶片环9支撑层叠体8的外周部。
晶片环9一般由不锈钢钢、铝等各种金属材料等构成，刚性高，从而能够可靠地防止层叠体8的变形。
［2-2］接下来，准备未图示的基座台，以使基座台与支撑膜4接触的方式在基座台上载置层叠体8。
接着，如图2（c）所示，使用切割叶片82在层叠体8形成多个切槽81（切割）。切割叶片82由圆盘状的金刚石叶片等构成，边使其旋转边在层叠体8的半导体晶片7侧的面上按压，从而形成切槽81。进而，沿着形成在半导体晶片7的电路图案彼此的间隙，使切割叶片82相对地移动，由此半导体晶片7被单片化为多个半导体晶片71（第2工序）。另外，粘接膜3与同样地单片化为多个粘接膜31。进行这样的切割时，对半导体晶片7施加振动、冲击，但半导体晶片7的下表面由切割胶带一体化型粘接片10所支撑，所以上述的振动、冲击被缓和。其结果能够可靠地防止半导体晶片7的破裂、缺陷等不良情况的产生。
第2工序中，可以以切割叶片82的前端滞留在夹设层1内的方式设定切削深度。换言之，以切槽81的前端不到达支撑膜4，滞留在夹设层1内或者切割胶带的粘合层2内中的任一个的方式进行切割。这样，不会产生支撑膜4的切削碎屑，所以可靠地消除了伴随切削碎屑产生的问题。即，拾取半导体晶片71时，防止了拉拔等的产生，防止将拾取的半导体晶片71装配于被粘体5上时的异物的侵入和焊料接合的不良。其结果，能够在提高半导体装置100的制造成品率的同时，得到可靠性高的半导体装置100。
［3］［3-1］接下来，利用未图示的膨胀装置将形成了多个切槽81的层叠体8拉伸至放射状（膨胀）。由此，如图2（d）所示，在层叠体8形成的切槽81的宽度扩增，随之经单片化的半导体晶片71彼此的间隔也被扩大。其结果，不存在半导体晶片71彼此会干扰的情况，易于拾取各个半导体晶片71。应予说明，膨胀装置被构成为即使在后述的工序中也可维持这样的膨胀状态。
［3-2］接下来，利用芯片焊接机250，将经单片化的半导体晶片71中的一个用芯片焊接机的弹簧筒（芯片吸附部）260吸附，并且提拉至上方。其结果，如图3（e）所示，粘接膜31与夹设层1的界面选择性地剥离，拾取半导体晶片71与粘接膜31层叠而成的单片83（第3工序）。
应予说明，粘接膜31与夹设层1的界面选择性地剥离的理由是如前所述的切割胶带的粘合层2的粘合性比夹设层1的粘合性高，所以支撑膜4与切割胶带的粘合层2的界面的密合力和切割胶带的粘合层2的夹设层1的界面的粘合力比夹设层1与粘接膜3的密合力大。即，在上方拾取半导体晶片71时，这3个位置中，粘合力最小的夹设层1与粘接膜3的界面选择性地发生剥离。
另外，拾取单片83时，可以从切割胶带一体化型粘接片10的下方，利用上推装置400选择性地上推应拾取的单片83。由此，从层叠体8使单片83上推，所以能够更容易地进行前述的单片83的拾取。应予说明，单片83的上推中使用将切割胶带一体化型粘接片10从下方向上推的针状体（针）等（未图示）。
另外，层叠体8不含夹设层1且在粘合层2含有光固化成分时，可以在第2工序后，第3工序前，通过从切割胶带一体化型粘接片10的下方照射紫外线或者电子束等，由此使粘合层2中含有的光固化成分发生光固化反应，从而降低粘合性。这样，因粘合层2与粘接膜3的密合力降低，所以在上方拾取半导体晶片71的情况下，粘合层2与粘接膜3的界面选择性地发生剥离。
［4］［4-1］接下来，准备用于搭载（装配）半导体晶片71的被粘体5。
该被粘体5在与上述粘接膜3粘接的面上具有第2端子（未图示）。作为该被粘体5，可以举出搭载半导体晶片71的、具有用于电连接半导体晶片71与外部的配线的基板、半导体晶片等。
应予说明，作为第一端子和第二端子，例如可举出电极焊盘、焊料凸块等。另外，优选在第一端子、第二端子的至少一方存在焊料。
接着，如图3（f）所示，在被粘体5上载置拾取的单片83。此时，将半导体晶片71的第一端子和被粘体5的第二端子定位，介由粘接膜3进行临时压焊。
［4-2］接下来，将被粘体5和半导体晶片71焊料接合（第4工序）。
焊料接合的条件根据使用的焊料的种类而异，例如Sn-Ag时，优选在220～260℃下加热5～500秒钟进行焊料接合，特别优选在230～240℃下加热10～100秒钟。
该焊料接合优选在焊料熔融后粘接膜3固化的条件下进行。即，焊料接合优选在使焊料熔融，但几乎不进行粘接膜3的固化反应的条件下实施。由此，可以使焊料接合时的焊料接合部的形状成为连接可靠性优异的稳定的形状。
接下来，加热粘接膜3使其固化（第5工序）。固化的条件没有特别限定，优选在130～220℃下加热30～500分钟的条件，特别优选在150～200℃下加热60～180分钟的条件。
根据以上这样的方法，由于在第3工序中是以在半导体晶片71附着有粘接膜31的状态、即单片83的状态进行拾取，所以可以在第4工序中将该粘接膜31直接用于与被粘体5的粘接。因此，通过使用本发明的切割胶带一体化型粘接片，无须另行准备底层填料等，能够进一步提高使用焊料电连接半导体晶片71和被粘体5而成的半导体装置100的制造效率。
应予说明，作为支撑体7和被粘体5，例如可举出芯片、基板（电路基板）、晶片等。分别使用电路基板作为支撑体7和被粘体5时，可以得到用粘接膜3的固化物进行接合的多层电路基板。另外，分别使用半导体晶片作为支撑体7和被粘体5时，能够得到用粘接膜3的固化物进行接合的电子部件。
以下，基于实施例和比较例详细说明本发明，但本发明并不限于此。
实施例
（实施例1）
＜夹设层的形成＞
向经脱模处理的厚度38μm的聚酯膜，以干燥后的厚度成为10μm的方式涂布将丙烯酸2-乙基己酯30重量%和乙酸乙烯酯70重量%共聚而得到的重均分子量300000的共聚物100重量份、分子量为700的五官能丙烯酸酯单体45重量份、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮5重量份以及甲苯二异氰酸酯（CORONATE T-100，Nippon Polyurethane Industry（株）制）3重量份，其后在80℃下干燥5分钟。进而，对得到的涂膜照射紫外线500mJ/cm2，在聚酯膜上形成夹设层。
＜切割胶带的粘合层的形成＞
调制切割胶带的粘合层用清漆，所述粘合层用清漆调和了将丙烯酸丁酯70重量%和丙烯酸2-乙基己酯30重量%共聚而得到的重均分子量500000的共聚物100重量份和甲苯二异氰酸酯（CORONATE T-100，Nippon Polyurethane Industry（株）制）3重量份。向经脱模处理的厚度38μm的聚酯膜，以干燥后的厚度为10μm的方式涂布上述切割胶带的粘合层用清漆，其后，在80℃下干燥5分钟。进而，在聚酯膜上形成切割胶带的粘合层。其后，作为支撑膜层压厚度100μm的聚乙烯片。
＜粘接膜用清漆的调制＞
将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制KA-1160）20.4重量份、双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份、具有助焊剂功能的化合物偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份、作为成膜性树脂的苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份以及作为硅烷偶联剂的β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份溶解于甲基乙基酮中，调制树脂浓度50%的树脂清漆。
＜粘接膜的制造＞
将得到的粘接膜用清漆以厚度成为50μm的方式涂布在基材聚酯膜（Base Film，Toray株式会社制，商品名Lumilar）上，在100℃下干燥5分钟，得到厚度25μm的粘接膜。
＜切割胶带一体化型粘接片的制造＞
对形成夹设层的膜和形成粘接膜的膜以使夹设层与粘接膜相接的方式进行层压（层叠），得到层叠体。
接下来，使用辊状的模具，冲裁夹设层和粘接膜成为比半导体晶片的外径大且比晶片环的内径小，其后，除去外侧的不需要部分，得到第2层叠体。
并且，剥离处于切割胶带的粘合层一面侧的聚酯膜。而且，以使上述第2层叠体的夹设层与切割胶带的粘合层相接的方式，将它们层叠。由此，得到依次层叠聚乙烯片（支撑膜）和切割胶带的粘合层的层叠体（切割胶带）、夹设层、粘接膜以及聚酯膜（外层）这5层而成的切割胶带一体化型粘接片。
＜半导体装置的制造＞
准备具有焊料凸块的硅晶片（直径8英寸，厚度100μm）。从切割胶带一体化型粘接片剥离聚酯膜，以使其剥离面与硅晶片的具有焊料凸块的面相接的方式层叠切割胶带一体化型粘接片和硅晶片。对其用层压机在贴合温度T：80℃、施加于粘接膜（切割胶带一体化型粘接片）上的压力P：0.8MPa下进行层压30秒钟，得到附有切割胶带一体化型粘接片的硅晶片。
另外，将贴合温度T变更为150℃，将施加于粘接膜（切割胶带一体化型粘接片）上的压力P变更为0.3MPa，除此之外，利用相同的条件，进行半导体装置的制造。
接着，对附有该切割胶带一体化型粘接片的硅晶片，从硅晶片侧使用切割锯（DFD6360，（株）DISCO制）在以下的条件下进行切割（切断）。由此，硅晶片被单片化，得到以下切割尺寸的半导体晶片。
＜切割条件＞
切割尺寸：10mm×10mm见方
切割速度：50mm/sec
主轴转速：40000rpm
切割最大深度：0.130mm（距离硅晶片的表面的切槽量）
切割叶片的厚度：15μm
切槽的横剖面积：7.5×10-5mm2（比粘接膜与夹设层的界面前端侧的部分的横剖面积）
应予说明，该利用切割而形成的切槽其前端到达夹设层内。
接着，用针将半导体晶片中的一个从切割胶带一体化型粘接片的支撑膜侧（背面）向上推，一边将上推的半导体晶片的表面用芯片焊接机的弹簧筒吸附一边提拉至上方。由此，拾取附有粘接膜的半导体晶片。
接下来，以使具有焊垫的电路基板的焊垫和焊料凸块抵接的方式进行定位，同时在电路基板以235℃加热半导体晶片5秒钟，使焊料凸块熔融进行焊料接合。
而且，在180℃、0.8MPa的流体压（空气压）的环境下加热60分钟，使粘接膜固化，得到用粘接膜的固化物粘合半导体晶片和电路基板而成的半导体装置。
（实施例2）
将粘接膜用清漆如下制造，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为15.0重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为双酚A型环氧树脂（DIC公司制，EPICLON-840S）45.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为2,3-萘二羧酸（东京化成工业社制）15.0重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为聚氨酯丙烯酸酯聚合物（根上工业社制，UN-9200A）24.4重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑（四国化成工业，2PHZ-PW）0.1重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为3-氨基丙基三乙氧基硅烷（信越化学工业社制，KBE-903）0.5重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例3）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为联苯基芳烷基型苯酚（明和化成社制，MEH-7851H）10.1重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为31.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为酚酞啉（东京化成工业社制）11.2重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）14.5重量份和聚氨酯丙烯酸酯聚合物（根上工业社制，UN-9200A）7.3重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为0.2重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为0.7重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）25.0重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例4）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为苯酚酚醛清漆型树脂（Sumitomo Bakelite公司制，PR-55617）4.4重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为甲酚酚醛清漆型环氧树脂（新日铁化学社制，YDCN-700-5）14.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为2,3-萘二羧酸（东京化成工业社制）6.8重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）18.4重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为0.3重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为1.1重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）55.0重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例5）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为苯酚酚醛清漆型树脂（Sumitomo Bakelite公司制，PR-55617）3.0重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为8.3重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为4.5重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）12.6重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑（四国化成工业社制，2PHZ-PW）0.3重量份，将β-（3，4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为3-氨基丙基三乙氧基硅烷（信越化学工业社制，KBE-903）1.3重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）70.0重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例6）
＜支撑膜的制成＞
作为构成支撑膜的材料树脂，准备由聚丙烯60重量份和通式（1）表示的聚苯乙烯链段和通式（2）表示的乙烯基聚异戊二烯链段构成的嵌段共聚物40重量份。
（式（1）中，n为2以上的整数）
Figure BDA0000452547020000322
（式（2）中，n为2以上的整数）
用双轴混炼机对构成上述的支撑膜的材料进行混炼后，用挤出机将混炼后的物质挤出，制成厚度100μm的支撑膜。
＜切割胶带的形成＞
作为丙烯酸系粘合剂，准备由10重量份第1共聚物和90重量份第2共聚物构成的树脂（以下，称为“基础树脂A”）。作为第1共聚物，使用将丙烯酸丁酯70重量份和丙烯酸2-乙基己酯25重量份与乙酸乙烯酯5重量份共聚而得到的重均分子量为500000的共聚物。作为第2共聚物，使用将丙烯酸2-乙基己酯50重量份、丙烯酸丁酯10重量份、乙酸乙烯酯37重量份和甲基丙烯酸2-羟基乙酯3重量份共聚而得到的重均分子量为300000的共聚物。
作为光固化成分，准备相对于丙烯酸系粘合剂100重量份为140重量份的15官能的低聚物的聚氨酯丙烯酸酯（Miwon Specialty Chemical公司制，产品编号：Miramer SC2152）。作为交联剂，准备相对于丙烯酸系粘合剂100重量份为5重量份的聚异氰酸酯（Nippon PolyurethaneIndustry株式会社制，产品编号：CORONATE L）。作为光聚合引发剂，准备相对于丙烯酸系粘合剂100重量份为3重量份的苯甲酸双甲醚（Ciba Specialty Chemicals株式会社制，产品编号：IRGACURE 651）。
制成配合了上述的丙烯酸系粘合剂、光固化成分、交联剂以及光聚合引发剂的第一树脂组合物的树脂溶液。向经脱模处理的厚度38μm的聚酯膜，以干燥后的厚度为10μm的方式涂布该树脂溶液，其后，在80℃下干燥5分钟。而且，在聚酯膜上形成切割胶带的粘合层。其后，层压支撑膜。
＜粘接膜用清漆的调制＞
将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制KA-1160）20.4重量份、双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份、具有助焊剂功能的化合物偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份、作为成膜性树脂的苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份、作为固化促进剂的2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份以及作为硅烷偶联剂的β-（3，4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份溶解于甲基乙基酮中，调制树脂浓度50%的树脂清漆。
＜粘接膜的制造＞
将得到的粘接膜用清漆以成为厚度50μm的方式涂布在基材聚酯膜（Base Film，Toray株式会社制，商品名Lumilar）上，在100℃下干燥5分钟，得到厚度25μm的粘接膜。
＜切割胶带一体化型粘接片的制造＞
冲裁形成有粘接膜的膜以使其比半导体晶片的外径大且比晶片环的内径小，其后，除去外侧的不需要部分。
并且，剥离处于切割胶带的粘合层一面侧的聚酯膜。进而，以使上述冲裁的粘接膜和切割胶带的粘合层相接的方式将它们层叠。由此，得到依次层叠支撑膜和切割胶带的粘合层的层叠体（切割胶带）、粘接膜以及聚酯膜（外层）这4层而成的切割胶带一体化型粘接片。
＜半导体装置的制造＞
准备具有焊料凸块的硅晶片（直径8英寸，厚度100μm）。从切割胶带一体化型粘接片剥离聚酯膜，以使其剥离面与硅晶片的具有焊料凸块的面相接的方式层叠切割胶带一体化型粘接片和硅晶片。对其用层压机在贴合温度T：80℃、施加于粘接膜（切割胶带一体化型粘接片）上的压力P：0.8MPa下进行层压30秒钟，得到附有切割胶带一体化型粘接片的硅晶片。
另外，将贴合温度T变更为150℃，将施加在粘接膜（切割胶带一体化型粘接片）上的压力P变更为0.3MPa，除此之外，利用相同的条件进行半导体装置的制造。
接着，对附有该切割胶带一体化型粘接片的硅晶片从硅晶片侧，使用切割锯（DFD6360，（株）DISCO制）在以下的条件下进行切割（切断）。由此，硅晶片被单片化，得到以下切割尺寸的半导体晶片。
＜切割条件＞
切割尺寸：10mm×10mm见方
切割速度：50mm/sec
主轴转速：40000rpm
切割最大深度：0.080mm（距离硅晶片的表面的切槽量）
切割叶片的厚度：15μm
接着，从切割胶带一体化型粘接片的支撑膜侧（背面）照射紫外线。
接着，用针将半导体晶片的一个从切割胶带一体化型粘接片的背面向上推，一边将上推的半导体晶片的表面用芯片焊接机的弹簧筒吸附一边提拉至上方。由此，拾取附有粘接膜的半导体晶片。
接下来，以使具有焊垫的电路基板的焊垫和焊料凸块抵接的方式进行定位，同时在电路基板以235℃加热半导体晶片5秒钟，使焊料凸块熔融进行焊料接合。
而且，在180℃、0.8MPa的流体压（空气压）的环境下加热60分钟，使粘接膜固化，得到用粘接膜的固化物粘合半导体晶片和电路基板而成的半导体装置。
（实施例7）
将粘接膜用清漆如下制造，除此之外，与实施例6同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为15.0重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为双酚A型环氧树脂（DIC公司制，EPICLON-840S）45.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为2,3-萘二羧酸（东京化成工业社制）15.0重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为聚氨酯丙烯酸酯聚合物（根上工业社制，UN-9200A）24.4重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑（四国化成工业，2PHZ-PW）0.1重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为3-氨基丙基三乙氧基硅烷（信越化学工业社制，KBE-903）0.5重量份，除此之外，与实施例6同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例8）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例6同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为联苯基芳烷基型苯酚（明和化成社制，MEH-7851H）10.1重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为31.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为酚酞啉（东京化成工业社制）11.2重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）14.5重量份和聚氨酯丙烯酸酯聚合物（根上工业社制，UN-9200A）7.3重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为0.2重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为0.7重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）25.0重量份，除此之外，与实施例6同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例9）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例6同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为苯酚酚醛清漆型树脂（Sumitomo Bakelite公司制，PR-55617）4.4重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为甲酚酚醛清漆型环氧树脂（新日铁化学社制，YDCN-700-5）14.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为2,3-萘二羧酸（东京化成工业社制）6.8重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）18.4重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为0.3重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为1.1重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）55.0重量份，除此之外，与实施例6同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（实施例10）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例6同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为苯酚酚醛清漆型树脂（Sumitomo Bakelite公司制，PR-55617）3.0重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为8.3重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为4.5重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）12.6重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑（四国化成工业社制，2PHZ-PW）0.3重量份，将β-（3，4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为3-氨基丙基三乙氧基硅烷（信越化学工业社制，KBE-903）1.3重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）70.0重量份，除此之外，与实施例6同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（比较例1）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
在粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为联苯基芳烷基型苯酚（明和化成社制，MEH-7851H）22.4重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为60.8重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为1.2重量份，将β-（3,4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为3-氨基丙基三乙氧基硅烷（信越化学工业社制，KBE-903）0.5重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
（比较例2）
将粘接膜用清漆如下调制，除此之外，与实施例1同样地进行切割胶带一体化型粘接片和半导体装置的制造。
＜粘接膜用清漆的调制＞
粘接膜用清漆的调制中，将甲酚酚醛清漆型树脂（DIC公司制，KA-1160）20.4重量份变更为苯酚酚醛清漆型树脂（Sumitomo Bakelite公司制，PR-55617）1.3重量份，将双酚F型环氧树脂（DIC公司制，EXA-830LVP）56.8重量份变更为4.0重量份，将偏苯三酸（东京化成工业社制）15.0重量份变更为2.0重量份，将苯氧基树脂（三菱化学社制，YX-6954）7.2重量份变更为甲基丙烯酸酯系聚合物（根上工业社制，M-4003）5.9重量份，将2-苯基-4-甲基咪唑（四国化成工业社制，2P4MZ）0.1重量份变更为2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑（四国化成工业社制，2PHZ-PW）0.3重量份，将β-（3，4环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷（信越化学工业社制，KBM-403）0.5重量份变更为1.5重量份，添加二氧化硅填料（Admatechs公司制，SC1050）85.0重量份，除此之外，与实施例1同样地进行粘接膜用清漆的调制。
将各实施例和比较例的粘接膜的组成示于表1。
将粘附温度T为80℃、150℃时的粘接膜的熔融粘度η一并示于表1。粘接膜的熔融粘度是按下述的方法测定的。
通过层叠4片各实施例和比较例中得到的厚度25μm的粘接膜而制成厚度100μm的测定用样本，使用粘弹性测定装置（HAAKE公司制“RheoStress RS150”），平行板20mmφ、间隙0.05mm、频率0.1Hz、升温速度10℃/分钟的条件下测定熔融粘度，将最低的熔融粘度作为测定值。
Figure BDA0000452547020000401
［3］评价
［3-1］埋入性的评价
对于各实施例和各比较例粘接膜的附有焊料凸块的硅晶片上的凹凸的埋入性，用金属显微镜，通过凹凸部周围的空间/空隙的有无进行评价。
○：凹凸部的周边未观察到空间或者空隙。
×：凹凸部的周边观察到空间或者空隙。
[3-2]粘接膜的渗出评价
各实施例和各比较例的粘接膜的渗出（溢出）评价是通过用金属显微镜测定半导体装置中的粘接膜成分从半导体晶片的边缘部溢出的长度来进行渗出评价的。各标记如下。
○：从半导体晶片的边缘部溢出的长度小于700μm。
×：从半导体晶片的边缘部溢出的长度为700μm以上。
［3-3］连接可靠性
对使用各实施例和比较例的切割胶带一体化型粘接片而得到的半导体装置20个（各粘附温度），以在-55℃的条件下30分钟、在125℃的条件下30分钟交替暴露为1个周期，分别进行100个周期的温度周期试验，对于试验后的半导体装置，用数字万用表测定半导体晶片和电路基板的连接电阻值，评价连接可靠性。各标记如下。
○：20个全部半导体装置的连接电阻值小于10Ω。
×：一个以上的半导体装置的连接电阻值为10Ω以上。
将这些结果示于表2。
另外，将各自的粘附温度T中的（T×P）/η的值示于表2。
由表2可知，通过使用本发明的切割胶带一体化型粘接片，能够用粘接膜良好地填埋因电路基板上的多个配线电路等而产生的凹凸，并且其埋入性高。另外，使用本发明的粘接膜而制造的半导体装置的连接可靠性特别高。与此相对，比较例中无法得到满意的结果。
产业上的可利用性
根据本发明，能提供一种切割胶带一体化型粘接片，其可同时进行对置的部件的端子间的连接和部件间的空隙的密封，并且能够良好地埋入因电路基板上的多个配线电路等产生的凹凸，作业性优异，而且还能提供使用这样的切割胶带一体化型粘接片而制造的半导体装置、多层电路基板以及电子部件。因此，本发明能够很好地适用于切割胶带一体化型粘接片和使用这样的切割胶带一体化型粘接片而制造的半导体装置、多层电路基板以及电子部件。
附图标记的说明
Figure BDA0000452547020000431
Figure BDA0000452547020000441

Claims (14)

1.一种切割胶带一体化型粘接片，其特征在于，具有包含粘接膜和切割胶带的层叠结构，所述粘接膜使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接，粘接所述支撑体和所述被粘体，其中，
将所述粘接膜粘附于所述支撑体的形成有第一端子的面时的粘附温度设为T［℃］，将施加于所述粘接膜的压力设为P［Pa］，将所述粘附温度下的粘接膜的熔融粘度设为η［Pa·s］时，满足1.2×103≤（T×P）/η≤1.5×109的关系，
并且，所述粘附温度T为60～150℃，所述压力P为0.2～1.0MPa，所述粘附温度T下的粘接膜的熔融粘度η为0.1～100000Pa·s。
2.根据权利要求1所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，将所述粘接膜粘附于所述支撑体的形成有第一端子的面时的环境压力为100kPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述粘接膜含有：
（A）酚醛树脂，
（B）环氧树脂，
（C）具有助焊剂功能的化合物，以及
（D）成膜性树脂。
4.根据权利要求3所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述粘接膜含有3～30重量%的所述（A）酚醛树脂，10～80重量%的所述（B）环氧树脂，1～30重量%的所述（C）具有助焊剂功能的化合物，1～50重量%的所述（D）成膜性树脂。
5.根据权利要求3或4所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述（B）环氧树脂在25℃下为液态。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述（B）环氧树脂在25℃下的粘度为500～50000mPa·s。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述（B）环氧树脂和所述（C）具有助焊剂功能的化合物的配合比（B）/（C）为0.5～12.0。
8.根据权利要求3～7中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述（C）具有助焊剂功能的化合物是1分子中含有2个酚性羟基和至少一个与芳香族直接键合的羧基的具有助焊剂功能的化合物。
9.根据权利要求3～8中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述（D）成膜性树脂含有苯氧基树脂。
10.根据权利要求3～9中任一项所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述粘接膜还含有填充材料。
11.根据权利要求10所述的切割胶带一体化型粘接片，其中，所述填充材料的含量为0.1重量%～80重量%。
12.一种半导体装置，其特征在于，具有权利要求1～11中任一项所述的粘接膜的固化物。
13.一种多层电路基板，其特征在于，具有权利要求1～11中任一项所述的粘接膜的固化物。
14.一种电子部件，其特征在于，具有权利要求1～11中任一项所述的粘接膜的固化物。
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