WO2013008757A1 - ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品 - Google Patents

ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a dicing tape integrated adhesive sheet, a semiconductor device, a multilayer circuit board, and an electronic component.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-152370 for which it applied to Japan on July 8, 2011, and uses the content here.
  • solder bonding In order to obtain an electrical connection between these electronic components, solder bonding is used. Examples of the solder bonding include a conductive bonding portion between semiconductor chips, a conductive bonding portion between a semiconductor chip such as a package mounted in a flip chip and a circuit board, a conductive bonding portion between circuit boards, and the like.
  • a sealing resin generally called an underfill material is injected into the solder joint portion (underfill sealing).
  • the gap (gap) generated by the solder joint is reinforced with a liquid sealing resin (underfill material)
  • the liquid sealing resin (underfill material) is supplied after the solder joint, and the solder is bonded by curing it.
  • the part is reinforced.
  • the solder joints have a narrow pitch / narrow gap. Therefore, even if a liquid sealing resin (underfill material) is supplied to the solder joints after the solder joints, the gaps There is a problem that liquid sealing resin (underfill material) does not spread in between, making it difficult to fill completely.
  • An object of the present invention is to provide a dicing tape-integrated adhesive sheet excellent in workability capable of simultaneously connecting terminals of opposing members and sealing a gap between members.
  • a further object of the present invention is to provide a semiconductor device, a multilayer circuit board, and an electronic component that are manufactured using such a dicing tape-integrated adhesive sheet and have high electrical connection reliability.
  • An adhesive film for electrically connecting the first terminal of the support and the second terminal of the adherend using solder, and bonding the support and the adherend, and a dicing tape A dicing tape-integrated adhesive sheet having a laminated structure including: Adhesion temperature at the time of adhering the adhesive film to the surface on which the first terminal of the support is formed is T [° C.], the pressure applied to the adhesive film is P [Pa], and the adhesive film at the adhering temperature When the melt viscosity of ⁇ [Pa ⁇ s] is 1.2 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ P) / ⁇ 1.5 ⁇ 10 9 , The application temperature T is 60 to 150 ° C., the pressure P is 0.2 to 1.0 MPa, and the melt viscosity ⁇ of the adhesive film at the application temperature T is 0.1 to 100,000 Pa ⁇ s.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet characterized by that.
  • (3) The adhesive film comprises (A) a phenolic resin, (B) an epoxy resin; (C) a compound having a flux function; (D) a film-forming resin;
  • the compound (C) having a flux function wherein the compound having a flux function includes two phenolic hydroxyl groups in one molecule and a carboxyl group directly bonded to at least one aromatic group.
  • (11) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (10), wherein a content of the filler is 0.1% by weight or more and 80% by weight or less.
  • connection between the terminals of the opposing members and the sealing of the gaps between the members can be performed simultaneously, and unevenness caused by a plurality of wiring circuits on the circuit board can be satisfactorily embedded.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet excellent in workability can be provided, and a semiconductor device, a multilayer circuit board, and an electronic component manufactured using such a dicing tape-integrated adhesive sheet can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for producing a dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention.
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is configured such that the first terminal of the support and the second terminal of the adherend are electrically connected using solder, and the support and the adherend are connected.
  • a dicing tape integrated adhesive sheet having a laminated structure composed of an adhesive film to be bonded and a dicing tape When the adhesive film is attached to the surface on which the first terminal of the support is attached, the application temperature is T [° C.], the pressure applied to the adhesive film is P [MPa], and the adhesive film at the application temperature is When the melt viscosity is ⁇ [Pa ⁇ s], the relationship of 1.2 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ P) / ⁇ 1.5 ⁇ 10 9 is satisfied, The bonding temperature T is 60 to 150 ° C., the pressure P is 0.2 to 1.0 MPa, and the melt viscosity ⁇ of the adhesive film at the bonding temperature is 0.1 to 100,000 Pa ⁇ s. It is characterized by.
  • the semiconductor device, the multilayer circuit board and the electronic component of the present invention electrically connect the support having the first terminal and the adherend having the second terminal by the cured product of the adhesive film. And the said support body and the said to-be-adhered body are adhere
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is configured such that the first terminal of the support and the second terminal of the adherend are electrically connected using solder, and the support and the adherend are connected.
  • An adhesive film to be bonded and a dicing tape are essential components.
  • an intervening layer and an outer layer described later may be provided.
  • the configuration of each part of the dicing tape integrated adhesive sheet will be described in detail sequentially.
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention only the adhesive film is a constituent element of the semiconductor device.
  • dicing tape As the dicing tape, any dicing tape generally used can be used. Specific examples of the constituent material for the dicing tape support film include polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, and ethylene vinyl acetate.
  • the average thickness of the support film is not particularly limited, but is preferably about 5 to 200 ⁇ m, and more preferably about 30 to 150 ⁇ m.
  • the support film has moderate rigidity, the dicing tape and the adhesive film are reliably supported, and the handling of the dicing tape integrated adhesive sheet is facilitated. Adhesiveness with the support body which has a 1st terminal can be improved by curving moderately.
  • an adhesive layer of a dicing tape what is comprised with the 1st resin composition containing an acrylic adhesive, a rubber adhesive, etc. can be used.
  • the constituent material of the support film is not particularly limited, but when the adhesiveness of the first resin composition is controlled by light (visible light, near infrared light, ultraviolet light), X-ray, electron beam or the like, light (visible light, Near infrared rays, ultraviolet rays), X-rays, electron rays, and the like are preferable.
  • polyolefin resins such as polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, ethylene / vinyl acetate copolymers, Ionomers, ethylene / (meth) acrylic acid copolymers, olefinic copolymers such as ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymers, polyalkylene terephthalate resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, styrene thermoplastics Elastomer, olefinic thermoplastic elastomer, polyvinyl A thermoplastic resin such as isoprene or polycarbonate, or a mixture of these thermoplastic resins is used.
  • polyolefin resins such as polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene
  • ethylene / vinyl acetate copolymers Iono
  • the elastomer is preferably a block copolymer comprising a polystyrene segment represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the general formula (2).
  • n is an integer of 2 or more
  • n is an integer of 2 or more
  • a manufacturing method of a support film General shaping
  • molding methods such as a calendar method and an extrusion molding method, can be used. It is preferable that a functional group that reacts with the material constituting the adhesive layer, such as a hydroxyl group or an amino group, is exposed on the surface of the support film.
  • the surface of the support film is preferably surface-treated with a corona treatment or an anchor coat.
  • acrylic pressure-sensitive adhesive examples include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, Copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.) are used. Two or more kinds of these copolymers may be mixed.
  • copolymers with one or more of the above are copolymers with one or more of the above.
  • the first resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control tackiness (adhesiveness).
  • polyvalent isocyanate compound for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate
  • Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be added.
  • the first resin composition when controlling the adhesiveness of the adhesion layer by light (visible light, near infrared rays, ultraviolet rays), the first resin composition preferably contains a photocuring component.
  • the photocuring component is cured by light irradiation, and as a result of curing, an acrylic pressure-sensitive adhesive or the like is taken into the crosslinked structure of the curing component, the adhesive strength of the adhesive layer is reduced.
  • a photocuring component for example, a low molecular weight compound having at least two polymerizable carbon-carbon double bonds that can be three-dimensionally cross-linked by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams is used. Can do.
  • the photocuring component is not particularly limited.
  • urethane acrylate is preferred.
  • the photocuring component is not particularly limited, but it is preferable that two or more photocuring components having different weight average molecular weights are mixed. This is because if such a curing component is used, the degree of cross-linking of the resin by light irradiation can be controlled to improve the pickup property.
  • a curing component for example, a mixture of a first photocuring component and a second photocuring component having a weight average molecular weight larger than that of the first photocuring component may be used.
  • the effect of reducing the adhesive strength of the adhesive layer by such a photocuring component is not particularly limited.
  • the adhesive layer has a reduced adhesive strength.
  • a suitable pickup property can be obtained.
  • a photocuring component is not specifically limited, It is preferable to mix
  • the first resin composition contains a photocuring component
  • a photopolymerization initiator By including a photopolymerization initiator, it is possible to facilitate the initiation of polymerization of the photocuring component.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited.
  • 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl
  • examples thereof include sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, ⁇ -chloranthraquinone, and the like.
  • the first resin composition may contain a crosslinking agent.
  • the crosslinking agent include epoxy crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents, methylol crosslinking agents, chelating crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, melamine crosslinking agents, and polyvalent metal chelating crosslinking agents.
  • an isocyanate type crosslinking agent is preferable.
  • the trimer of the polyisocyanate compound of polyhydric isocyanate and the trimer of a polyisocyanate compound are examples of the trimer of the terminal isocyanate compound obtained by making a polyisocyanate compound and a polyol compound react, or Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which a terminal isocyanate urethane prepolymer is blocked with phenol, oximes and the like.
  • polyvalent isocyanate examples include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, diphenylmethane-2 4,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate and the like.
  • At least one polyisocyanate selected from the group consisting of 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate and hexamethylene diisocyanate is preferable.
  • content of a crosslinking agent is not specifically limited, For example, it is preferable to mix
  • An agent or the like may be added.
  • the average thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of such a dicing tape is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 ⁇ m, and more preferably about 3 to 20 ⁇ m. If the average thickness of the adhesive layer of the dicing tape is within the above range, the shape following property of the adhesive layer of the dicing tape is ensured, and the adhesiveness of the adhesive film to the semiconductor wafer can be further enhanced.
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet may have an intervening layer between the adhesive layer of the dicing tape and the adhesive film.
  • the adhesive layer of the dicing tape is preferably higher in adhesiveness than the intervening layer.
  • the adhesive force of the adhesion layer of the dicing tape with respect to an intervening layer and a support film becomes larger than the adhesive force of the intervening layer with respect to an adhesive film. Therefore, in a pickup process in manufacturing a semiconductor device described later, it is possible to cause peeling at a desired interface (that is, an interface between the intervening layer and the adhesive film) where peeling should occur.
  • the gap between the dicing tape and the wafer ring is increased. Will be securely fixed. As a result, the positional deviation of the semiconductor wafer is reliably prevented, and the dimensional accuracy of the semiconductor chip can be increased.
  • the adhesive film constituting the dicing film-integrated adhesive sheet of the present invention is an adhesive film that is used when a semiconductor chip or a semiconductor package is mounted on a circuit board, and is attached to the semiconductor chip or semiconductor package and the circuit board. It is what you wear.
  • the adhesive film has a flux function.
  • the circuit board means, for example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, a rigid board, a flexible board, a rigid flexible board, or the like on which a wiring circuit is formed.
  • the conventional adhesive film used for such applications cannot sufficiently embed unevenness (gap) caused by a plurality of wiring circuits on the circuit board when the adhesive film is bonded to the circuit board. There was a problem that a gap was generated between the film and the circuit board, resulting in poor adhesion between the semiconductor chip and the circuit board.
  • the bonding temperature T is 60 to 150 ° C.
  • the pressure P applied to the adhesive film is 0.2 to 1.0 MPa
  • the bonding temperature is
  • the adhesive film has a melt viscosity ⁇ at T [° C.] of 0.1 to 100,000 Pa ⁇ s
  • the application temperature T [° C.] the pressure P [Pa]
  • the melt viscosity ⁇ [Pa S] is characterized in that it satisfies the relationship 1.2 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ P) / ⁇ 1.5 ⁇ 10 9 .
  • the unevenness (gap) caused by a plurality of wiring circuits on the circuit board can be satisfactorily embedded with the adhesive film. It is possible to effectively prevent a gap from being generated between the circuit board.
  • the value of (T ⁇ P) / ⁇ is less than the lower limit value, a gap is generated between the adhesive film and the circuit board.
  • irregularities such as wiring circuits appear as irregularities on the surface of the adhesive film, and the adhesion to the semiconductor chip and the like is reduced.
  • the value of (T ⁇ P) / ⁇ exceeds the upper limit, the adhesive film becomes too soft and the adhesive film protrudes from the edge of the circuit board.
  • the adhesive film of the present invention has a bonding temperature T [° C.], a pressure P [Pa], and a melt viscosity ⁇ [Pa ⁇ s] of 1.2 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ under the above conditions. P) / ⁇ 1.5 ⁇ 10 9 is satisfied, but it is preferable that the relationship 1.6 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ P) / ⁇ 1.3 ⁇ 10 9 is satisfied. More preferably, the relationship of 2.0 ⁇ 10 3 ⁇ (T ⁇ P) / ⁇ 1.0 ⁇ 10 9 is satisfied. Thereby, the effect of this invention can be made more remarkable.
  • the melt viscosity ⁇ of the adhesive film at the adhesive temperature T [° C.] of the adhesive film of the present invention is 0.1 to 100,000 Pa ⁇ s.
  • melt viscosity By setting the melt viscosity to 0.1 Pa ⁇ s or more, it is possible to prevent the molten adhesive film from creeping up and contaminating the support or the adherend. Further, by setting the melt viscosity to 100,000 Pa ⁇ s or less, it is possible to prevent a poor conduction due to the molten adhesive film being bitten between the opposing terminals.
  • the melt viscosity is preferably 0.2 Pa ⁇ s or more, particularly 0.5 Pa ⁇ s or more. Thereby, it can prevent more effectively that the fuse
  • the melt viscosity is preferably 70,000 Pa ⁇ s or less, particularly preferably 30,000 Pa ⁇ s or less. Thereby, it can prevent more effectively that the adhesive film which fuse
  • the adhesive film and the dicing sheet, or the adhesive film and the interposition layer are adhered to each other, and the transfer of the adhesive layer to the adhesive film surface is generated. It is possible to effectively suppress problems caused by the above.
  • the adhesiveness between the adhesive film and the dicing sheet or between the adhesive film and the intervening layer is sufficient, and the adhesive film can be used in a dicing process or the like. Can be prevented from unintentionally peeling off.
  • the melt viscosity ⁇ of the adhesive film is determined by the following measuring method.
  • An adhesive film having a thickness of 100 ⁇ m was measured using a viscoelasticity measuring device (“RheoStress RS150” manufactured by HAAKE) under the conditions of a parallel plate of 20 mm ⁇ , a gap of 0.05 mm, a frequency of 0.1 Hz, and a heating rate of 10 ° C./min. Then, the value at the bonding temperature of the adhesive film was taken as the measured value.
  • a viscoelasticity measuring device (“RheoStress RS150” manufactured by HAAKE)
  • Such an adhesive film can be composed of, for example, the following components.
  • the adhesive film of the present invention comprises (A) a phenol resin (hereinafter also referred to as compound (A)), (B) an epoxy resin (hereinafter also referred to as compound (B)), and (C) a flux function. And (D) a film-forming resin (hereinafter also referred to as compound (D)).
  • the adhesive film contains 3 to 30% by weight of the compound (A), 10 to 80% by weight of the compound (B), 1 to 30% by weight of the compound (C), and 1 to 50% by weight of the compound (D). It is preferable.
  • the melt viscosity ⁇ at the bonding temperature of the adhesive film can be set to 0.1 to 100,000 Pa ⁇ s. Further, it contains 3 to 28% by weight of the compound (A), 12 to 78% by weight of the compound (B), 3 to 25% by weight of the compound (C), and 6 to 40% by weight of the compound (D).
  • the adhesive film satisfying the relationship as described above can be obtained more easily.
  • the glass transition temperature of the cured product of the adhesive film can be increased, and further, the ion migration resistance can be improved. Moreover, since moderate softness
  • the compound (A) is not particularly limited, and examples thereof include phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A type novolak resin, bisphenol F type novolak resin, bisphenol AF type novolak resin, alkylphenol novolak resin, biphenol novolak resin, naphthol.
  • the content of the compound (A) in the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 3 to 30% by weight, more preferably 3 to 28% by weight, and 5 to 25% by weight. % Is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the compound (A) is not particularly limited, but is preferably 300 to 1,500, and particularly preferably 400 to 1,400. Thereby, the amount of outgas at the time of hardening an adhesive film increases, and it can prevent more effectively that the surface of support bodies or adherends, such as a semiconductor chip and a circuit board, is contaminated. Thereby, the flexibility and flexibility of the adhesive film can be more effectively ensured.
  • the weight average molecular weight can be measured by GPC (gel permeation chromatogram).
  • the adhesive film contains (B) an epoxy resin
  • an adhesive film satisfying the above-described relationship can be obtained more easily, and when the adhesive film is bonded to the circuit board, Unevenness (gap) generated by a plurality of wiring circuits or the like can be embedded more effectively.
  • flexibility and a flexibility can be provided to an adhesive film by this, the adhesive film excellent in handling property can be obtained.
  • Examples of the compound (B) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, allylated bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol S type.
  • Examples thereof include epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, trifunctional epoxy resins, and tetrafunctional epoxy resins.
  • an adhesive film satisfying the above-described relationship can be obtained more easily, and the adhesive film adheres to a support or adherend such as a semiconductor chip or a substrate, and further after the adhesive film is cured.
  • Bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin which are excellent in mechanical properties, are preferred.
  • the compound (B) epoxy resin is preferably liquid at 25 ° C. More preferred are those having a viscosity at 25 ° C. of 500 to 50,000 mPa ⁇ s, and still more preferred are those having a viscosity of 800 to 40,000 mPa ⁇ s.
  • the viscosity at 25 ° C. is set to the above lower limit or more, the tackiness of the adhesive film becomes strong, and the handling property can be prevented from being lowered.
  • flexibility and flexibility of an adhesive film are securable by making the viscosity in 25 degreeC below the said upper limit.
  • an epoxy resin having such a viscosity an adhesive film that satisfies the above-described relationship can be obtained more easily.
  • the content of the compound (B) epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 10 to 80% by weight, more preferably 12 to 78% by weight, and 15 to 75% by weight. Is more preferable. Thereby, the softness
  • the adhesive film contains (C) a compound having a flux function, at least one of the first terminal of the support (semiconductor chip, substrate, etc.) and the second terminal of the adherend (semiconductor chip, substrate, etc.). Since the oxide film on one solder surface can be removed and the first terminal and the second terminal can be securely soldered, a multilayer circuit board, electronic component, and semiconductor device with high connection reliability Etc. can be obtained.
  • the compound (C) is not particularly limited as long as it has a function of removing an oxide film on the solder surface. However, either the carboxyl group or the phenolic hydroxyl group, or both the carboxyl group and the phenol hydroxyl group are present. The compound provided is preferred.
  • the compounding amount of the compound (C) is preferably 1 to 30% by weight, more preferably 3 to 25% by weight of the compound (C), and most preferably 3 to 20% by weight.
  • the flux activity can be improved, and when the adhesive film is cured, the unreacted compound (A), compound (B) and compound (C ) Can be prevented, and migration resistance can be improved.
  • (C) compounds having a flux function (hereinafter, such compounds are also referred to as curing agents having a flux function).
  • curing agents having a flux function aliphatic dicarboxylic acids, aromatic dicarboxylic acids and the like that act as curing agents for epoxy resins also have a flux action.
  • such a curing agent having a flux function that acts also as a flux and also acts as a curing agent for an epoxy resin can be suitably used.
  • the compound having a carboxyl group (C) having a flux function means a compound having one or more carboxyl groups in the molecule, and may be liquid or solid.
  • the compound having a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function means a compound having one or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, and may be liquid or solid.
  • the compound having a carboxyl function and a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function refers to a compound in which one or more carboxyl groups and phenolic hydroxyl groups are present in the molecule. Also good.
  • (C) the compound having a flux function having a carboxyl group includes aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, aliphatic carboxylic acids, aromatic carboxylic acids, and the like. It is done.
  • Examples of the aliphatic acid anhydride relating to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function include succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, polysebacic acid anhydride, and the like.
  • Examples of the alicyclic acid anhydride relating to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydroanhydride Examples include phthalic acid, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, and methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride.
  • the aromatic acid anhydride relating to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function includes phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, Examples thereof include glycerol tristrimate.
  • Examples of the aliphatic carboxylic acid related to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function include, for example, a compound represented by the following general formula (3), formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, and pivalic acid. , Caproic acid, caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, oleic acid, fumaric acid, maleic acid, oxalic acid, malonic acid, oxalic acid and the like.
  • a compound represented by the following general formula (3) formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, and pivalic acid.
  • Caproic acid caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, oleic acid,
  • n represents an integer of 1 or more and 20 or less.
  • aromatic carboxylic acid related to the compound having the carboxyl group (C) having a flux function examples include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, hemimellitic acid, trimellitic acid, trimesic acid, merophanic acid, and planitic acid.
  • the compound represented by the general formula (3) is preferable in terms of a good balance between the rate and the glass transition temperature.
  • the compound in which n in the formula (3) is 3 to 10 can suppress an increase in the elastic modulus of the adhesive film 1 after curing.
  • glutaric acid HOOC— (CH 2 ) 3 —COOH
  • Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group (C) having a flux function include phenols, and specifically, for example, phenol, o-cresol, 2,6-xylenol, p-cresol, m-cresol, o-ethylphenol, 2,4-xylenol, 2,5 xylenol, m-ethylphenol, 2,3-xylenol, meditol, 3,5-xylenol, p-tertiarybutylphenol, catechol, p-tertiaryamylphenol, Phenolic hydroxyl groups such as resorcinol, p-octylphenol, p-phenylphenol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AF, biphenol, diallyl bisphenol F, diallyl bisphenol A, trisphenol, tetrakisphenol Monomers etc. containing the like.
  • phenols and specifically, for example, phenol, o
  • the compound having either a carboxyl group or a phenol hydroxyl group as described above, or a compound having both a carboxyl group and a phenol hydroxyl group is incorporated three-dimensionally by reaction with an epoxy resin.
  • a curing agent having As a curing agent having flux activity for example, one or more phenolic hydroxyl groups that can be added to an epoxy resin in one molecule and one or more bonded directly to an aromatic group that exhibits a flux action (reduction action). And a compound having a carboxyl group.
  • Curing agents having such flux activity include 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6-dihydroxybenzoic acid, 3, Benzoic acid derivatives such as 4-dihydroxybenzoic acid and gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid); 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3, Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as 7-dihydroxy-2-naphthoic acid; phenolphthaline; and diphenolic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
  • 2,3-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid, and phenolphthaline which are excellent in the effect of removing the oxide film on the solder surface and excellent in reactivity with the epoxy resin.
  • the blending amount of the curing agent having flux activity in the adhesive film is preferably 1 to 30% by weight, more preferably 3 to 25% by weight, and particularly preferably 3 to 20% by weight.
  • the flux activity of the adhesive film can be improved, and the adhesive film has an unreacted flux activity with the epoxy resin. The curing agent is prevented from remaining. Note that migration occurs when the curing agent having unreacted flux activity remains.
  • the compounding ratio of the compound (B) and the compound (C) is not particularly limited, but ((B) / (C)) is preferably 0.5 to 12.0, and 2.0 to 10. Particularly preferred is 0.
  • ((B) / (C)) is preferably 0.5 to 12.0, and 2.0 to 10. Particularly preferred is 0.
  • the adhesive film contains a film-forming resin (D) that improves the film-forming property of the adhesive film, it is easy to obtain a film state. Moreover, it is excellent also in the mechanical characteristic of an adhesive film.
  • D film-forming resin
  • Examples of the (D) film-forming resin include (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene, polypropylene, styrene-butadiene-styrene copolymer, Styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene -Styrene copolymer, polyvinyl acetate, nylon and the like.
  • the (D) film-forming resin it is preferable to use at least one selected from the group consisting of (meth) acrylic resins, phenoxy resins, and polyimide resins.
  • the weight average molecular weight of the (D) film-forming resin is not particularly limited, but is preferably 10,000 or more, more preferably 20,000 to 1,000,000, still more preferably 30,000 to 900,000. When the weight average molecular weight is within the above range, the film formability of the adhesive film can be further improved.
  • the content of the film-forming resin (D) is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by weight in the adhesive film, more preferably 5 to 40% by weight, and 6 to 40% by weight. More preferred is 10 to 35% by weight. When the content is within the above range, the fluidity of the adhesive film can be suppressed, and the handling of the adhesive film becomes easy.
  • the adhesive film may further contain a curing accelerator.
  • a hardening accelerator can be suitably selected according to the kind etc. of curable resin.
  • the curing accelerator for example, an imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher can be used.
  • the melting point of the curing accelerator used is 150 ° C. or higher
  • the solder component constituting the solder bump can move to the surface of the internal electrode provided on the semiconductor chip before the curing of the adhesive film is completed.
  • the electrical connection between the internal electrodes can be improved.
  • Examples of the imidazole compound having a melting point of 150 ° C. or higher include 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenylhydroxyimidazole, 2-phenyl-4-methylhydroxyimidazole, and the like. They can be used in combination.
  • the content of the curing accelerator in the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 0.005 to 10% by weight, and more preferably 0.01 to 5% by weight.
  • the function as a curing accelerator can be exhibited more effectively, the curability of the adhesive film can be improved, and the melt viscosity of the resin at the melting temperature of the solder component constituting the solder bump becomes too high. Therefore, a good solder joint structure can be obtained.
  • the preservability of the adhesive film can be further improved.
  • These curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.
  • the adhesive film may further contain a silane coupling agent.
  • a silane coupling agent By including the silane coupling agent, the adhesion of the adhesive film to a support such as a semiconductor chip or a substrate or an adherend can be increased.
  • the silane coupling agent for example, an epoxy silane coupling agent, an aromatic-containing aminosilane coupling agent and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the silane coupling agent may be appropriately selected, but is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.05 to 5% by weight, based on the entire resin composition constituting the adhesive film. %, More preferably 0.1 to 2% by weight.
  • the adhesive film may further include an inorganic filler. Thereby, the linear expansion coefficient of an adhesive film can be reduced, and reliability can be improved thereby.
  • examples of the inorganic filler include silver, titanium oxide, silica, mica and the like. Among these, silica is preferable. Moreover, as a shape of a silica filler, although there exists crushing silica and spherical silica, spherical silica is preferable.
  • the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and more preferably 0.05 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. By setting it as the said range, aggregation of an inorganic filler within an adhesive film can be suppressed and an external appearance can be improved.
  • the content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably from 0.1 to 80% by weight, more preferably from 5 to 75% by weight, based on the entire resin composition constituting the adhesive film. 20 to 70% by weight is most preferable.
  • a varnish obtained by mixing each resin component as described above in a solvent is applied onto a base material (support film) subjected to a peeling treatment such as a polyester sheet, and the solvent is substantially removed at a predetermined temperature.
  • An adhesive film can be obtained by drying to such an extent that it does not contain.
  • the solvent used here is not particularly limited as long as it is inert to the components used, but ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, DIBK® (diisobutyl ketone), cyclohexanone, DAA (diacetone alcohol), etc.
  • Aromatic hydrocarbons such as benzene, xylene and toluene, alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and n-butyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, etc.
  • Cellosolve, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), THF (tetrahydrofuran), DMF (dimethylformamide), DBE (dibasic acid ester), EEP (3-ethoxypropionic acid ester) Chill), DMC (dimethyl carbonate) and the like are preferably used.
  • the amount of the solvent used is preferably in the range where the solid content of the components mixed in the solvent is 10 to 60% by weight.
  • the thickness of the obtained adhesive film is not particularly limited, but is preferably 1 to 300 ⁇ m, and more preferably 5 to 200 ⁇ m. When the thickness is within the above range, the resin component can be sufficiently filled in the gap between the joint portions, and the mechanical adhesive strength after curing of the resin component can be ensured.
  • the adhesive film thus obtained can satisfactorily embed unevenness (gap) caused by a plurality of wiring circuits existing on the bonding surface of the circuit board when the adhesive film is bonded to the circuit board. It is possible to more effectively prevent a gap from being generated between the adhesive film and the circuit board. Therefore, it can be suitably used in the connection of members that require solder bonding, such as a semiconductor chip and a substrate, a substrate and a substrate, a semiconductor chip and a semiconductor chip, and a semiconductor wafer and a semiconductor wafer.
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention may be provided with one or more intervening layers in addition to the adhesive film and dicing tape described above. Layer. Moreover, you may provide one or more outer layers in one side or both surfaces of a dicing tape integrated adhesive sheet, and the following base films are mentioned as an outer layer. By providing the outer layer, it also has a function as a protective film for protecting from contamination and impact.
  • Base film As a constituent material of the base film, for example, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer, Examples include ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, vinyl polyisoprene, polycarbonate, polyolefin and the like. One or a mixture of two or more of these may be used. Can be mentioned.
  • the average thickness of the base film is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 ⁇ m, and more preferably 10 to 150 ⁇ m. Thereby, since a base film becomes what has moderate rigidity, it can support a dicing tape and an adhesive film reliably, and can handle a dicing tape integrated adhesive sheet easily.
  • the resin layer is made of a general pressure-sensitive adhesive, specifically, a second resin composition containing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber pressure-sensitive adhesive, and the like.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate, And copolymers with styrene, acrylonitrile, etc.). Two or more of these resins may be mixed.
  • a copolymer with one or more selected is preferred. This makes it easy to control the adhesion and adhesiveness with an adherend (for example, an adhesive layer of a dicing tape, an adhesive film, etc.) with which the resin layer is in contact.
  • the second resin composition includes urethane acrylate, acrylate monomer, polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate) in order to control adhesiveness (adhesiveness).
  • polyvalent isocyanate compound for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate
  • isocyanate compounds may be added.
  • the second resin composition includes methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl as a photopolymerization initiator when the resin layer is cured by ultraviolet rays or the like.
  • Acetophenone compounds such as -1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, methyl benzoin benzoate compounds, benzoin benzoic acid compounds
  • a compound, a benzoin methyl ether compound, a benzylfinyl sulfide compound, a benzyl compound, a dibenzyl compound, a diacetyl compound, or the like may be added.
  • the second resin composition also includes a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, an aliphatic aroma for the purpose of increasing adhesive strength and shear strength.
  • the average thickness of such a resin layer is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 ⁇ m, and more preferably about 3 to 50 ⁇ m.
  • the thickness is within the above range, it is not peeled off especially during dicing, it can be peeled off relatively easily with a tensile load during picking up, and it is difficult to be deformed during dicing or picking up. Thus, a layer excellent in pick-up property can be obtained.
  • the base material 4a shown in FIG. 1A is prepared, and the intervening layer 1 is formed on one surface of the base material 4a.
  • the laminated body 61 of the base material 4a and the intervening layer 1 is obtained.
  • the intervening layer 1 is formed by, for example, applying the resin varnish containing the second resin composition described above by various application methods and then drying the applied film, or laminating a film made of the second resin composition, etc. Can be performed. Further, the coating film may be cured by irradiating radiation such as ultraviolet rays.
  • Examples of the coating method include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method.
  • an adhesive film 3 is formed on one surface of the prepared base 4b, whereby the base 4b and the adhesive film 3
  • the laminate 62 is obtained.
  • an adhesive layer 2 of a dicing tape is formed on one surface of the prepared support film 4, and thereby the support film 4 and a laminated body (dicing tape) 63 of the adhesive layer 2 of the dicing tape is obtained.
  • the stacked body 61 and the stacked body 62 are stacked so that the intervening layer 1 and the adhesive film 3 are in contact with each other to obtain a stacked body 64.
  • This lamination can be performed by, for example, a roll lamination method.
  • the base material 4 a is peeled from the laminate 64.
  • region of the said adhesive film 3 and the said intervening layer 1 is removed, leaving the base material 4b with respect to the laminated body 64 which peeled the said base material 4a.
  • the effective region refers to a region whose outer periphery is slightly smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 or larger than the outer diameter and smaller than the inner diameter of the wafer ring 9. *
  • the dicing tape adhesive layer 2, the intervening layer 1, and the adhesive film 3 are formed in the desired order on the support film.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet may be produced.
  • the base material 4b of the adhesive film 3 is applied as it is as an intervening layer, and the dicing tape adhesive layer 2, the intervening layer 1 (base material 4b), and the adhesive film 3 are formed in the desired order on the support film, and then the dicing tape.
  • An integrated adhesive sheet may be produced.
  • the intervening layer 1, the adhesive layer 2 of the dicing tape, and the adhesive film 3 have different adhesive strengths, it is preferable that they have the following characteristics.
  • the adhesion force of the intervening layer 1 to the adhesive film 3 is preferably smaller than the adhesion force of the intervening layer 1 to the adhesive layer 2 of the dicing tape and the adhesive force of the dicing tape 2 to the support film 4.
  • the adhesive film 3 of the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 as described above and the semiconductor wafer 7 are brought into close contact with each other, and the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 and the semiconductor wafer ( (Support 1) is laminated (first step).
  • the surface bonded to the adhesive film 3 has a first terminal (not shown).
  • the size and shape of the adhesive film 3 in plan view are slightly smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer 7 or larger than the outer diameter, and the wafer A shape smaller than the inner diameter of the ring 9 is set in advance. For this reason, the entire lower surface of the semiconductor wafer 7 is in close contact with the entire upper surface of the adhesive film 3, whereby the semiconductor wafer 7 is supported by the dicing tape-integrated adhesive sheet 10.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet 10 is laminated so that the first terminals of the semiconductor wafer 7 are covered with the adhesive film 3 (FIG. 2B).
  • Examples of the method of laminating the dicing tape integrated adhesive sheet 10 on the semiconductor wafer 7 include a roll laminator, a flat plate press, a wafer laminator and the like. Among these, a method of laminating under vacuum (vacuum laminator) is preferable in order to prevent air from being involved during lamination.
  • conditions to laminate What is necessary is just to be able to laminate without a void. Specifically, conditions of heating at 60 to 150 ° C. for 1 second to 120 seconds are preferable, and conditions of heating at 80 to 120 ° C. for 5 to 60 seconds are particularly preferable. When the laminating conditions are within the above range, the balance between the sticking property, the effect of suppressing the protrusion of the resin, and the degree of curing of the resin is excellent.
  • the pressurizing condition is not particularly limited, but is preferably 0.2 to 2.0 MPa, particularly preferably 0.5 to 1.5 MPa.
  • a wafer ring 9 is prepared. Subsequently, the laminate 8 and the wafer ring 9 are laminated so that the upper surface of the outer peripheral portion 21 of the adhesive layer 2 of the dicing tape and the lower surface of the wafer ring 9 are in close contact with each other. Thereby, the outer peripheral part of the laminated body 8 is supported by the wafer ring 9.
  • the wafer ring 9 is generally made of various metal materials such as stainless steel and aluminum, the wafer ring 9 has high rigidity and can surely prevent the laminate 8 from being deformed.
  • a dicer table (not shown) is prepared, and the laminate 8 is placed on the dicer table so that the dicer table and the support film 4 are in contact with each other.
  • a plurality of cuts 81 are formed in the laminate 8 using a dicing blade 82 (dicing).
  • the dicing blade 82 is composed of a disk-shaped diamond blade or the like, and a cut 81 is formed by pressing the dicing blade 82 against the surface of the laminated body 8 on the semiconductor wafer 7 side.
  • the semiconductor wafer 7 is separated into a plurality of semiconductor chips 71 by relatively moving the dicing blade 82 along the gap between the circuit patterns formed on the semiconductor wafer 7 (second step). ).
  • the adhesive film 3 is separated into a plurality of adhesive films 31.
  • the cutting depth may be set so that the tip of the dicing blade 82 stays in the intervening layer 1.
  • the dicing is performed so that the tip of the notch 81 stays in either the intervening layer 1 or the adhesive layer 2 of the dicing tape without reaching the support film 4.
  • the problems associated with the generation of the shavings are surely solved. That is, when the semiconductor chip 71 is picked up, the occurrence of catching or the like is prevented, and when the picked-up semiconductor chip 71 is mounted on the adherend 5, foreign matter intrusion and solder joint failure are prevented. As a result, the manufacturing yield of the semiconductor device 100 can be improved, and the highly reliable semiconductor device 100 can be obtained.
  • the laminate 8 in which the plurality of cuts 81 are formed is radially expanded (expanded) by an expanding device (not shown).
  • an expanding device not shown
  • the width of the cuts 81 formed in the stacked body 8 is increased, and accordingly, the interval between the separated semiconductor chips 71 is also increased.
  • the expanding device is configured to maintain such an expanded state even in a process described later.
  • the die bonder 250 attracts one of the separated semiconductor chips 71 by the die bonder collet (chip suction portion) 260 and pulls it upward.
  • the interface between the adhesive film 31 and the intervening layer 1 is selectively peeled off, and a piece 83 formed by laminating the semiconductor chip 71 and the adhesive film 31 is picked up. (Third step).
  • the reason why the interface between the adhesive film 31 and the intervening layer 1 is selectively peeled is that, as described above, the adhesive layer 2 of the dicing tape is higher in adhesiveness than the intervening layer 1, so that the support film 4 and This is because the adhesive force at the interface between the dicing tape and the adhesive layer 2 and the adhesive force at the interface between the adhesive layer 2 of the dicing tape and the intervening layer 1 are larger than the adhesive force between the intervening layer 1 and the adhesive film 3. That is, when the semiconductor chip 71 is picked up, the interface between the intervening layer 1 having the smallest adhesive force and the adhesive film 3 among these three locations is selectively peeled off.
  • the individual piece 83 to be picked up may be selectively pushed up from below the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 by the push-up device 400. Thereby, since the piece 83 is pushed up from the laminated body 8, the pickup of the piece 83 mentioned above can be performed more easily.
  • a needle-like body (needle) or the like that pushes up the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 from below is used (not shown).
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 is disposed below the dicing tape-integrated adhesive sheet 10 after the second step and before the third step.
  • the photocuring component contained in the adhesive layer 2 may undergo a photocuring reaction to reduce the adhesiveness.
  • the adherend 5 has a second terminal (not shown) on the surface to be bonded to the adhesive film 3.
  • Examples of the adherend 5 include a substrate and a semiconductor chip on which a semiconductor chip 71 is mounted and wiring is provided for electrically connecting the semiconductor chip 71 and the outside.
  • Examples of the first terminal and the second terminal include an electrode pad and a solder bump. Moreover, it is preferable that solder exists in at least one of the first terminal and the second terminal.
  • the picked-up piece 83 is placed on the adherend 5.
  • the first terminal of the semiconductor chip 71 and the second terminal of the adherend 5 are temporarily bonded via the adhesive film 3 while being aligned.
  • solder bonding conditions depend on the type of solder used. For example, in the case of Sn—Ag, it is preferable to perform solder bonding by heating at 220 to 260 ° C. for 5 to 500 seconds, particularly at 230 to 240 ° C. for 10 to 10 minutes. It is preferable to heat for 100 seconds.
  • This solder bonding is preferably performed under the condition that the adhesive film 3 is cured after the solder is melted. That is, the solder bonding is preferably performed under the condition that the solder is melted but the curing reaction of the adhesive film 3 does not proceed so much. Thereby, the shape of the solder joint part at the time of solder joining can be made into the stable shape which is excellent in connection reliability.
  • the adhesive film 3 is heated and cured (fifth step).
  • Conditions for curing are not particularly limited, but conditions for heating at 130 to 220 ° C. for 30 to 500 minutes are preferable, and conditions for heating at 150 to 200 ° C. for 60 to 180 minutes are particularly preferable.
  • the adhesive film 31 is picked up in a state where the adhesive film 31 is attached to the semiconductor chip 71, that is, in the state of the individual piece 83. Can be used for adhesion to the adherend 5 as it is. Therefore, by using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention, there is no need to separately prepare an underfill or the like, and the semiconductor device 100 in which the semiconductor chip 71 and the adherend 5 are electrically connected using solder. The manufacturing efficiency can be further increased.
  • examples of the support 7 and the adherend 5 include a chip, a substrate (circuit board), and a wafer.
  • circuit boards are used as the support 7 and the adherend 5, respectively, a multilayer circuit board bonded with a cured product of the adhesive film 3 can be obtained.
  • an electronic component bonded with a cured product of the adhesive film 3 can be obtained.
  • Example 1 ⁇ Formation of intervening layer> 100 parts by weight of a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 obtained by copolymerizing 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 70% by weight of vinyl acetate, and 45 parts by weight of a pentafunctional acrylate monomer having a molecular weight of 700
  • a polyester film having a thickness of 38 ⁇ m obtained by releasing a mold of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone 5 parts by weight and 3 parts by weight of tolylene diisocyanate (Coronate T-100, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)
  • the thickness after drying was 10 ⁇ m, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • the ultraviolet-ray 500mJ / cm ⁇ 2 > was irradiated with respect to the obtained coating film, and the intervening layer was formed into a film on the polyester film.
  • An adhesive layer varnish of a dicing tape adjusted with 3 parts by weight of Kogyo Co., Ltd. was prepared.
  • the dicing tape adhesive layer varnish was applied to a release-treated polyester film having a thickness of 38 ⁇ m so that the thickness after drying was 10 ⁇ m, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • the adhesion layer of the dicing tape was formed into a film on the polyester film. Thereafter, a polyethylene sheet having a thickness of 100 ⁇ m was laminated as a support film.
  • the obtained adhesive film varnish was applied to a base polyester film (base film, Toray Industries, trade name Lumirror) to a thickness of 50 ⁇ m, dried at 100 ° C. for 5 minutes, and a thickness of 25 ⁇ m. An adhesive film was obtained.
  • base polyester film base film, Toray Industries, trade name Lumirror
  • the intervening layer and the adhesive film are punched out to be larger than the outer diameter of the semiconductor wafer and smaller than the inner diameter of the wafer ring. A laminate was obtained.
  • the polyester film on one side of the adhesive layer of the dicing tape was peeled off. And these were laminated
  • a dicing tape integrated adhesive in which a laminate of a polyethylene sheet (support film) and an adhesive layer of a dicing tape (dicing tape), an intervening layer, an adhesive film, and a polyester film (outer layer) are laminated in this order. A sheet was obtained.
  • a silicon wafer (diameter 8 inches, thickness 100 ⁇ m) having solder bumps was prepared.
  • the polyester film was peeled from the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the dicing tape-integrated adhesive sheet and the silicon wafer were laminated so that the peeled surface was in contact with the surface having the solder bumps of the silicon wafer.
  • This is laminated with a laminator at a bonding temperature T of 80 ° C. and a pressure P of 0.8 MPa applied to the adhesive film (dicing tape integrated adhesive sheet) for 30 seconds to obtain a silicon wafer with a dicing tape integrated adhesive sheet. Obtained.
  • the semiconductor device was also manufactured under the same conditions except that the bonding temperature T was 150 ° C. and the pressure P applied to the adhesive film (dicing tape integrated adhesive sheet) was changed to 0.3 MPa.
  • the silicon wafer with the dicing tape integrated adhesive sheet was diced (cut) from the silicon wafer side using a dicing saw (DFD6360, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. As a result, the silicon wafer was separated into individual pieces, and semiconductor chips having the following dicing sizes were obtained.
  • a dicing saw D6360, manufactured by DISCO Corporation
  • one of the semiconductor chips was pushed up with a needle from the support film side (back side) of the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the pushed-up surface of the semiconductor chip was pulled up while adsorbed by a collet of a die bonder. This picked up the semiconductor chip with an adhesive film.
  • the semiconductor chip is heated on the circuit board at 235 ° C. for 5 seconds while performing alignment so that the pads of the circuit board having the pads and the solder bumps are in contact with each other, and solder bonding is performed by melting the solder bumps. It was. Then, the semiconductor is heated at 180 ° C. for 60 minutes in an atmosphere of fluid pressure (pneumatic pressure) of 0.8 MPa to cure the adhesive film, and the semiconductor chip and the circuit board are bonded with the cured adhesive film. Got the device.
  • fluid pressure pneumatic pressure
  • Example 2 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive film varnish was produced as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of the varnish for the adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is changed to 15.0 parts by weight, and bisphenol F type epoxy resin (DIC, EXA-830LVP) is 56.8.
  • DIC, KA-1160 cresol novolak resin
  • DIC, EXA-830LVP bisphenol F type epoxy resin
  • Part by weight is 45.0 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (DICIC, EPICLON-840S), and 15.0 parts by weight of trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) is 2,3-naphthalenedicarboxylic acid (Tokyo Chemical Industry)
  • phenoxy resin Mitsubishi Chemical, YX-6594
  • urethane acrylate polymer U-9200A, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.
  • -Phenyl-4-methylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ
  • 0.1 part by weight was added to 2-phenyl-4,5-dihydroxy To 0.1 parts by weight of methylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo, 2PHZ-PW), 0.5 parts by weight of ⁇ - (3,4-epoxycyclohe
  • Example 3 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive film varnish was prepared as follows.
  • ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In preparation of varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (manufactured by DIC, KA-1160) is added to 10.1 parts by weight of biphenylaralkyl type phenol (MEH-7851H, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), and bisphenol F type Epoxy resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to 31.0 parts by weight Trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight phenol phthaline (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) To 11.2 parts by weight, 7.2 parts by weight of phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., YX-6554), 14.5 parts by weight of methacrylic acid ester polymer (man
  • Example 4 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive film varnish was prepared as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of the varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is added to 4.4 parts by weight of phenol novolak resin (Sumitomo Bakelite, PR-55617), and bisphenol F type epoxy.
  • DIC cresol novolak resin
  • phenol novolak resin Suditomo Bakelite, PR-55617
  • Resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to cresol novolak epoxy resin (Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YDCN-700-5) 14.0 parts by weight trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight of 2,3-naphthalenedicarboxylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 6.8 parts by weight, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.
  • YX-6594 7.2 parts by weight of methacrylic acid ester
  • a polymer Nagami Kogyo Co., Ltd., M-4003
  • 2-phenyl-4-methylimidazole Shikoku Chemicals 2P4MZ
  • ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KBM-403
  • the adhesive film varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by weight of silica filler (manufactured by Admatex, SC1050) was added.
  • Example 5 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive film varnish was prepared as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is added to 3.0 parts by weight of phenol novolak resin (Sumitomo Bakelite, PR-55617), and bisphenol F type epoxy.
  • DIC cresol novolak resin
  • phenol novolak resin Suditomo Bakelite, PR-55617
  • Resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to 8.3 parts by weight, trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight to 4.5 parts by weight, phenoxy resin (Mitsubishi 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) is added to 12.6 parts by weight of a methacrylic ester polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., M-4003).
  • 2P4MZ 0.1 part by weight of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW) 0.3 0.5 parts by weight of ⁇ - (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403) is added to an amount of 3-aminopropyltriethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBE- 903)
  • the adhesive film varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the content was changed to 1.3 parts by weight and 70.0 parts by weight of silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050) was added.
  • Example 6 ⁇ Preparation of support film>
  • a material resin constituting the support film 60 parts by weight of polypropylene and 40 parts by weight of a block copolymer comprising a polystyrene segment represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the general formula (2) Got ready.
  • n is an integer of 2 or more
  • n is an integer of 2 or more
  • the kneaded material was extruded with an extruder to prepare a support film having a thickness of 100 ⁇ m.
  • a resin (hereinafter referred to as “base resin A”) comprising 10 parts by weight of the first copolymer and 90 parts by weight of the second copolymer was prepared.
  • base resin A a resin having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, and 5 parts by weight of vinyl acetate is obtained. Using.
  • the second copolymer is obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate.
  • a copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 was used.
  • a photocuring component 140 functional parts of 15-functional oligomeric urethane acrylate (manufactured by Miwon Specialty Chemical Co., product number: Miramer SC2152) was prepared with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive.
  • a crosslinking agent 5 parts by weight of polyisocyanate (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., product number: Coronate L) was prepared with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive.
  • a resin solution of a first resin composition in which the above acrylic pressure-sensitive adhesive, photocuring component, crosslinking agent, and photopolymerization initiator were blended was prepared.
  • the resin solution was applied to a release-treated polyester film having a thickness of 38 ⁇ m so that the thickness after drying was 10 ⁇ m, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes. And the adhesion layer of the dicing tape was formed into a film on the polyester film. Thereafter, a support film was laminated.
  • the obtained adhesive film varnish was applied to a base polyester film (base film, Toray Industries, trade name Lumirror) to a thickness of 50 ⁇ m, dried at 100 ° C. for 5 minutes, and a thickness of 25 ⁇ m. An adhesive film was obtained.
  • base polyester film base film, Toray Industries, trade name Lumirror
  • the release-treated polyester film on one side of the adhesive layer of the dicing tape was peeled off. Then, these were laminated so that the punched adhesive film and the adhesive layer of the dicing tape were in contact with each other.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet in which four layers of a laminate of a support film and an adhesive layer of a dicing tape (dicing tape), an adhesive film, and a polyester film (outer layer) were laminated in this order was obtained.
  • a silicon wafer (diameter 8 inches, thickness 100 ⁇ m) having solder bumps was prepared.
  • the polyester film was peeled from the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the dicing tape-integrated adhesive sheet and the silicon wafer were laminated so that the peeled surface was in contact with the surface having the solder bumps of the silicon wafer.
  • This is laminated with a laminator at a bonding temperature T of 80 ° C. and a pressure P of 0.8 MPa applied to the adhesive film (dicing tape integrated adhesive sheet) for 30 seconds to obtain a silicon wafer with a dicing tape integrated adhesive sheet. Obtained.
  • the semiconductor device was also manufactured under the same conditions except that the bonding temperature T was 150 ° C. and the pressure P applied to the adhesive film (dicing tape integrated adhesive sheet) was changed to 0.3 MPa.
  • the silicon wafer with the dicing tape integrated adhesive sheet was diced (cut) from the silicon wafer side using a dicing saw (DFD6360, manufactured by DISCO Corporation) under the following conditions. As a result, the silicon wafer was separated into individual pieces, and semiconductor chips having the following dicing sizes were obtained.
  • a dicing saw D6360, manufactured by DISCO Corporation
  • one of the semiconductor chips was pushed up with a needle from the back surface of the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the pushed-up surface of the semiconductor chip was pulled up while being adsorbed by a die bonder collet. This picked up the semiconductor chip with an adhesive film.
  • the semiconductor chip is heated on the circuit board at 235 ° C. for 5 seconds while performing alignment so that the pads of the circuit board having the pads and the solder bumps are in contact with each other, and solder bonding is performed by melting the solder bumps. It was. Then, the semiconductor is heated at 180 ° C. for 60 minutes in an atmosphere of fluid pressure (pneumatic pressure) of 0.8 MPa to cure the adhesive film, and the semiconductor chip and the circuit board are bonded with the cured adhesive film. Got the device.
  • fluid pressure pneumatic pressure
  • Example 7 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 6 except that the varnish for adhesive film was produced as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of the varnish for the adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is changed to 15.0 parts by weight, and bisphenol F type epoxy resin (DIC, EXA-830LVP) is 56.8.
  • DIC, KA-1160 cresol novolak resin
  • DIC, EXA-830LVP bisphenol F type epoxy resin
  • Part by weight is 45.0 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (DICIC, EPICLON-840S), and 15.0 parts by weight of trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) is 2,3-naphthalenedicarboxylic acid (Tokyo Chemical Industry)
  • phenoxy resin Mitsubishi Chemical, YX-6594
  • urethane acrylate polymer U-9200A, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.
  • -Phenyl-4-methylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MZ
  • 0.1 part by weight was added to 2-phenyl-4,5-dihydroxy To 0.1 parts by weight of methylimidazole (Shikoku Kasei Kogyo, 2PHZ-PW), 0.5 parts by weight of ⁇ - (3,4-epoxycyclohe
  • Example 8 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 6 except that the varnish for adhesive film was produced as follows.
  • ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In preparation of varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (manufactured by DIC, KA-1160) is added to 10.1 parts by weight of biphenylaralkyl type phenol (MEH-7851H, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), and bisphenol F type Epoxy resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to 31.0 parts by weight Trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight phenol phthaline (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) To 11.2 parts by weight, 7.2 parts by weight of phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., YX-6554), 14.5 parts by weight of methacrylic acid ester polymer (
  • Example 9 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 6 except that the varnish for adhesive film was produced as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of the varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is added to 4.4 parts by weight of phenol novolak resin (Sumitomo Bakelite, PR-55617), and bisphenol F type epoxy.
  • DIC cresol novolak resin
  • phenol novolak resin Suditomo Bakelite, PR-55617
  • Resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to cresol novolak epoxy resin (Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YDCN-700-5) 14.0 parts by weight trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight of 2,3-naphthalenedicarboxylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 6.8 parts by weight, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.
  • YX-6594 7.2 parts by weight of methacrylic acid ester
  • a polymer Nagami Kogyo Co., Ltd., M-4003
  • 2-phenyl-4-methylimidazole Shikoku Chemicals 2P4MZ
  • ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KBM-403
  • the adhesive film varnish was prepared in the same manner as in Example 6 except that 5 parts by weight of silica filler (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SC1050) was added.
  • Example 10 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 6 except that the varnish for adhesive film was produced as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolak resin (DIC, KA-1160) is added to 3.0 parts by weight of phenol novolak resin (Sumitomo Bakelite, PR-55617), and bisphenol F type epoxy.
  • DIC cresol novolak resin
  • phenol novolak resin Suditomo Bakelite, PR-55617
  • Resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to 8.3 parts by weight, trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight to 4.5 parts by weight, phenoxy resin (Mitsubishi 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) is added to 12.6 parts by weight of a methacrylic ester polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., M-4003).
  • 2P4MZ 0.1 part by weight of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2PHZ-PW) 0.3 0.5 parts by weight of ⁇ - (3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403) is added to an amount of 3-aminopropyltriethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBE- 903)
  • the adhesive film varnish was prepared in the same manner as in Example 6 except that the content was changed to 1.3 parts by weight and 70.0 parts by weight of silica filler (manufactured by Admatechs, SC1050) was added.
  • Example 2 A dicing tape-integrated adhesive sheet and a semiconductor device were produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive film varnish was prepared as follows. ⁇ Preparation of varnish for adhesive film> In the preparation of the varnish for adhesive film, 20.4 parts by weight of cresol novolac resin (DIC, KA-1160) is added to 1.3 parts by weight of phenol novolac resin (Sumitomo Bakelite, PR-55617) to bisphenol F type epoxy.
  • cresol novolac resin DIC, KA-1160
  • phenol novolac resin Suditomo Bakelite, PR-55617
  • Resin (DIC, EXA-830LVP) 56.8 parts by weight to 4.0 parts by weight Trimellitic acid (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 15.0 parts by weight to phenoxy resin (Mitsubishi 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added to 5.9 parts by weight of a methacrylic ester polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., M-4003).
  • Trimellitic acid Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.
  • phenoxy resin Mitsubishi 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added to 5.9 parts by weight of a methacrylic ester polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., M-4003).
  • Table 1 shows the compositions of the adhesive films of the examples and comparative examples.
  • Table 1 also shows the melt viscosity ⁇ of the adhesive film when the pasting temperature T is 80 ° C. and 150 ° C.
  • the melt viscosity of the adhesive film was measured by the following method. A sample for measurement having a thickness of 100 ⁇ m was prepared by laminating four 25 ⁇ m-thick adhesive films obtained in each Example and Comparative Example, and parallel using a viscoelasticity measuring apparatus (“Rheo Stress RS150” manufactured by HAAKE). The plate 20 mm ⁇ , the gap 0.05 mm, the frequency 0.1 Hz, and the rate of temperature rise were 10 ° C./min. The melt viscosity was measured, and the lowest melt viscosity was taken as the measured value.
  • Voids or voids were not observed around the irregularities.
  • X Voids or voids were observed around the irregularities.
  • ⁇ The length of protrusion from the edge of the semiconductor chip was less than 700 ⁇ m.
  • X The length which protruded from the edge part of the semiconductor chip was 700 micrometers or more.
  • connection reliability 20 semiconductor devices obtained using the dicing tape-integrated adhesive sheets of the examples and comparative examples (each at each bonding temperature) were 30 under a condition of ⁇ 55 ° C. 100 cycles of the temperature cycle test, with one cycle being alternately exposed to 30 minutes at 125 ° C for 1 minute, and the connection resistance value between the semiconductor chip and the circuit board is measured with a digital multimeter for the semiconductor device after the test. Measured and evaluated connection reliability.
  • Each code is as follows.
  • connection resistance values of all 20 semiconductor devices were less than 10 ⁇ .
  • X The connection resistance value of one or more semiconductor devices was 10 ⁇ or more.
  • the connection between the terminals of the opposing members and the sealing of the gaps between the members can be performed simultaneously, and unevenness caused by a plurality of wiring circuits on the circuit board can be satisfactorily embedded.
  • a dicing tape-integrated adhesive sheet excellent in workability can be provided, and a semiconductor device, a multilayer circuit board, and an electronic component manufactured using such a dicing tape-integrated adhesive sheet can be provided. Therefore, the present invention can be suitably used for dicing tape-integrated adhesive sheets and semiconductor devices, multilayer circuit boards, and electronic components manufactured using such dicing tape-integrated adhesive sheets.

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Abstract

　本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができる作業性に優れたダイシングテープ一体型接着シートが提供される。本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有し、前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルムに掛ける圧力をＰ［ＭＰａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足する。

Description

ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品
　本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品に関するものである。
　本願は、２０１１年７月８日に日本に出願された特願２０１１－１５２３７０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年の電子機器の高機能化及び小型化（軽薄短小化）の要求に伴い、半導体パッケージ等の電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これら電子部品の小型化、多ピン化が進んでいる。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。
　この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度及び機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
　この半田接合部によって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を半田接合部に供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
　このような問題に対して、異方導電フィルムを介して端子間の電気的接続と接着とを一括で行う方法が知られている。例えば導電性粒子を含む接着フィルムを、部材間に介在させて熱圧着させることにより、両部材の端子間には導電性粒子を介在させ他部には樹脂成分を充填させる方法や、導電性粒子どうしを接触させることによってその部分の電気的接続をとる方法が記載されている（例えば、特許文献１、２）。
　しかしこれらの方法では、隣接する端子間に導電性粒子が存在するため、隣接する端子間の絶縁性を確保することや、隣接する端子間に気泡が存在するため、電子部品や半導体装置の信頼性を確保することは困難であった。
特開昭６１－２７６８７３号公報 特開平９－３１４１９号公報
　本発明の目的は、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができる作業性に優れたダイシングテープ一体型接着シートを提供することにある。さらに本発明の目的は、このようなダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造された、電気的接続信頼性が高い半導体装置、多層回路基板及び電子部品を提供することにある。
　このような目的は、下記（１）～（２０）により達成される。
（１）　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを含む積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルムに掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足し、
　前記貼り付け温度Ｔは、６０～１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２～１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度Ｔにおける接着フィルムの溶融粘度ηは、０．１～１００，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
（２）　前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の雰囲気圧は、１００ｋＰａ以下である上記（１）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（３）　前記接着フィルムは、（Ａ）フェノール樹脂と、
　（Ｂ）エポキシ樹脂と、
　（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
　（Ｄ）成膜性樹脂と、
を含む上記（１）または（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（４）　前記接着フィルムが、前記（Ａ）フェノール樹脂を３～３０重量％、前記（Ｂ）エポキシ樹脂を１０～８０重量％、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物を１～３０重量％、前記（Ｄ）成膜性樹脂を１～５０重量％含むものである、上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（５）　前記（Ｂ）エポキシ樹脂が２５℃で液状である上記（３）または（４）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（６）　前記（Ｂ）エポキシ樹脂の２５℃における粘度が、５００～５０，０００ｍＰａ・ｓである上記（３）ないし（５）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（７）　前記（Ｂ）エポキシ樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ｂ）／（Ｃ））が、０．５～１２．０である上記（３）ないし（６）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（８）　前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを含むフラックス機能を有する化合物である上記（３）ないし（７）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（９）　前記（Ｄ）成膜性樹脂が、フェノキシ樹脂を含むものである上記（３）ないし（８）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１０）　前記接着フィルムが、更に充填材を含む上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１１）　前記充填材の含有量が、０．１重量％以上８０重量％以下である上記（１０）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１２）　前記ダイシングテープは粘着層と支持フィルムとから構成され、前記粘着層上に前記接着フィルムが積層される、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１３）　前記粘着層が光硬化性樹脂からなる、上記（１２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１４）　前記ダイシングテープは粘着層と支持フィルムとから構成され、前記粘着層上に介在層を介して前記接着フィルムが積層される、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１５）　前記ダイシングテープの粘着層の粘着性が前記介在層の粘着性より高い、上記（１４）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１６）　前記介在層が光硬化性樹脂からなる、上記（１４）または（１５）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１７）　上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
（１８）　上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
（１９）　上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
　本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる作業性に優れたダイシングテープ一体型接着シートを提供すること、および、このようなダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供することができる。
図１は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品に関して説明する。
　本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、接着フィルムに掛ける圧力をＰ［ＭＰａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足し、
　前記貼り付け温度Ｔは、６０～１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２～１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは、０．１～１００，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする。
　また、本発明の半導体装置、多層回路基板および電子部品は、第一の端子を有する支持体と、第二の端子を有する被着体とを、上記接着フィルムの硬化物により、電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着したものである。
　以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品について詳細に説明する。
　本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。ダイシングテープ一体型接着シートの各部の構成について、順次詳述する。
　なお、本発明のダイシングテープ一体型接着シートにおいて、半導体装置の構成要素となるものは接着フィルムのみである。接着フィルムと、ダイシングテープ一体型接着シートにおけるその他の部材とを組み合わせることにより、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは作業性に優れる。
（ダイシングテープ）
　ダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
　具体的にダイシングテープの支持フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
　支持フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５～２００μｍ程度であるのが好ましく、３０～１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲することで、第一の端子を有する支持体との密着性を高めることができる。
　またダイシングテープの粘着層としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることが出来る。
　また、支持フィルムの構成材料は、特に限定されないが、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線などにより第一樹脂組成物の粘着性を制御する場合、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線などを透過するものが好ましく、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。
  特に、支持フィルムの構成材料として、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物が用いられることが好ましい。また、このエラストマーとして、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。このような材料を用いることにより、支持体の第一の端子が形成された面にダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける際に、十分なクッション性を有することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式（１）中、ｎは２以上の整数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式（２）中、ｎは２以上の整数）
支持フィルムの製法として、特に限定されないが、カレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法を用いることができる。支持フィルムの表面には、粘着層を構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。また、支持フィルムと粘着層との密着性を向上するために、支持フィルムの表面をコロナ処理またはアンカーコート等で表面処理しておくのが好ましい。
　アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
　また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープの粘着層が粘着する相手（例えば、後述する介在層、支持フィルム等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
　また、第一樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
また、第一樹脂組成物には、光（可視光線、近赤外線、紫外線）により粘着層の粘着性を制御する場合、光硬化成分を含めることが好ましい。光硬化成分は、光照射により硬化し、硬化によってアクリル系粘着剤等が硬化成分の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層の粘着力が低下する。このような光硬化成分としては、例えば、紫外線、電子線などのエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物を用いることができる。
  具体的に、光硬化成分として、特に限定されないが、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が用いられる。なお、これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。
  また、光硬化成分には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の光硬化成分が混合されているのが好ましい。このような硬化成分を利用すれば、光照射による樹脂の架橋度を制御し、ピックアップ性を向上させることができるからである。また、このような硬化成分として、例えば、第１の光硬化成分と、第１の光硬化成分よりも重量平均分子量が大きい第２の光硬化成分との混合物などが用いられてもよい。
　このような光硬化成分による粘着層の粘着力低下効果は、特に限定されないが、例えばダイシング工程の後にダイシングテープの支持フィルムを通して粘着層に光照射を行い、粘着層の粘着力を低下させることにより、好適なピックアップ性を得ることができる。
光硬化成分は、特に限定されないが、アクリル系粘着剤等の粘着剤１００重量部に対して２０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましい。上記のように光硬化成分の配合量を調整することによって、ピックアップ性はより好適なものとなる。
　さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
  さらに、第一樹脂組成物に光硬化成分を含む場合は、光照射による光硬化を促進するために、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤を含むことで、光硬化成分の重合開始を容易とすることができる。光重合開始剤として、特に限定されないが、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノン等が挙げられる。
また、第一樹脂組成物は、粘着層の粘着性を制御するために、架橋剤を含んでもよい。架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤などが挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。
イソシアネート系架橋剤として、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体；ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物などが挙げられる。
多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート等が用いられる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。
架橋剤の含有量は、特に限定されないが、例えばアクリル系粘着剤１００重量部に対して５重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、ダイシングテープのピックアップ性はより好適なものとなる。
　また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
　このようなダイシングテープの粘着層の平均厚さは、特に限定されないが、１～１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３～２０μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの粘着層の平均厚さが前記範囲内であれば、ダイシングテープの粘着層の形状追従性が確保され、接着フィルムの半導体ウエハーに対する密着性をより高めることができる。
　介在層について後述するが、ダイシングテープ一体型接着シートは、ダイシングテープの粘着層と接着フィルムの間に介在層を有していてもよい。この場合、ダイシングテープの粘着層は、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの粘着層の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。
　また、ダイシングテープの粘着層の粘着性を高めることにより、後述する半導体装置の製造の第２の工程においては、半導体ウエハーをダイシングして個片化する際に、ダイシングテープとウエハーリングとの間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハーの位置ずれが確実に防止され、半導体チップの寸法精度を高めることができる。
（接着フィルム）
　本発明のダイシングフィルム一体型接着シートを構成する接着フィルムは、接着性を有するフィルムで、半導体チップまたは半導体パッケージを回路基板に実装する際に用いられ、半導体チップまたは半導体パッケージ、および回路基板に貼着するものである。また、接着フィルムは、フラックス機能を有している。なお、本明細書中において、回路基板とは、例えば、配線回路が形成された、半導体チップ、半導体ウエハー、リジット基板、フレキシブル基板、リジットフレキシブル基板等のことをいう。
　従来のこのような用途に用いられる接着フィルムは、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）を十分に埋め込むことができず、接着フィルムと回路基板との間に空隙が生じてしまい、半導体チップ等と回路基板との接着不良が生じるといった問題があった。
　これに対して、本発明では、接着フィルムと回路基板とを貼り付ける際の、貼り付け温度Ｔが６０～１５０℃、接着フィルムに掛ける圧力Ｐが、０．２～１．０ＭＰａ、貼り付け温度Ｔ［℃］における接着フィルムの溶融粘度ηが、０．１～１００，０００Ｐａ・ｓの条件の下において、上記貼り付け温度Ｔ［℃］、上記圧力Ｐ［Ｐａ］、上記溶融粘度η［Ｐａ・ｓ］が、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足する点に特徴を有している。
　このような特徴を有することにより、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）を接着フィルムで良好に埋め込むことができ、接着フィルムと回路基板との間に空隙が生じるのを効果的に防止することができる。これに対して、（Ｔ×Ｐ）／ηの値が前記下限値未満であると、接着フィルムと回路基板との間に空隙が生じてしまう。また、配線回路等の凹凸が接着フィルムの表面の凹凸となって現れ、半導体チップ等との接着性が低下してしまう。一方、（Ｔ×Ｐ）／ηの値が前記上限値を超えると、接着フィルムが柔らかくなりすぎ、回路基板の縁部から接着フィルムがはみ出してしまう。
　また、上記の特徴を有することにより、接着フィルムとダイシングシートとの間、または接着フィルムと介在層との間の界面の密着性等の物性も良好となり、良好な作業性を実現することができる。つまり、（Ｔ×Ｐ）／ηの値が前記下限値以上であることにより、接着フィルムとダイシングシートとの間、または接着フィルムと介在層との間の密着性が十分になり、ダイシング工程等で、接着フィルムが意図せず剥離することを防止することができる。また、（Ｔ×Ｐ）／ηの値が前記上限値以下であることにより、接着フィルムとダイシングシート、または接着フィルムと介在層が強く密着してしまうことにより発生する、接着フィルム表面への粘着層等の転写等による不具合を効果的に抑制することができる。
　このように本発明の接着フィルムは、上記条件の下において、貼り付け温度Ｔ［℃］、圧力Ｐ［Ｐａ］、溶融粘度η［Ｐａ・ｓ］が、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足するものであるが、１．６×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．３×１０９の関係を満足するのが好ましく、２．０×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．０×１０９の関係を満足するのがより好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
　また、本発明の接着フィルムの貼り付け温度Ｔ［℃］における接着フィルムの溶融粘度ηは０．１～１００，０００Ｐａ・ｓである。これにより、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより良好に接着フィルムで埋め込むことができる。
　前記溶融粘度を０．１Ｐａ・ｓ以上とすることで、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを防止することができる。また、前記溶融粘度を１００，０００Ｐａ・ｓ以下とすることで、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこまれてしまい導通不良が発生することを防止することができる。
　前記溶融粘度は、好ましくは、０．２Ｐａ・ｓ以上、特に０．５Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。これにより、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを、より効果的に防止することができる。また、前記溶融粘度は、好ましくは、７０，０００Ｐａ・ｓ以下、特に３０，０００Ｐａ・ｓ以下とすることが好ましい。これにより、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこまれてしまい導通不良が発生することを、より効果的に防止することができる。
また、前記溶融粘度を０．１Ｐａ・ｓ以上とすることで、接着フィルムとダイシングシート、または接着フィルムと介在層が強く密着してしまうことにより発生する、接着フィルム表面への粘着層等の転写等による不具合を効果的に抑制することができる。また、前記溶融粘度を１００，０００Ｐａ・ｓ以下とすることで、接着フィルムとダイシングシートとの間、または接着フィルムと介在層との間の密着性が十分になり、ダイシング工程等で、接着フィルムが意図せず剥離することを防止することができる。
　ここで、接着フィルムの溶融粘度ηは、以下の測定方法により求められる。
　厚み１００μｍの接着フィルムを、粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製「ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ  ＲＳ１５０」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件にて測定し、接着フィルムの貼り付け温度における値を測定値とした。
　このような接着フィルムは、例えば、以下に示すような成分で構成することができる。
　本発明の接着フィルムは、（Ａ）フェノール樹脂（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）と、（Ｂ）エポキシ樹脂と（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）と、（Ｄ）成膜性樹脂（以下、化合物（Ｄ）とも記載する。）と、を含むことが好ましい。
　これにより、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができ、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより効果的に埋め込むことができる。
　また、接着フィルムは、化合物（Ａ）を３～３０重量％、化合物（Ｂ）を１０～８０重量％、化合物（Ｃ）を１～３０重量％、化合物（Ｄ）を１～５０重量％含むことが好ましい。かかる配合量とすることにより、接着フィルムの貼り付け温度における溶融粘度ηを０．１～１００，０００Ｐａ・ｓにすることができる。また、さらに、化合物（Ａ）を３～２８重量％、化合物（Ｂ）を１２～７８重量％、化合物（Ｃ）を３～２５重量％、化合物（Ｄ）を６～４０重量％含むことが好ましく、化合物（Ａ）を５～２５重量％、化合物（Ｂ）を１５～７５重量％、化合物（Ｃ）を３～２０重量％、化合物（Ｄ）を１０～３５重量％含むことがもっとも好ましい。これにより、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができる。
　接着フィルムが化合物（Ａ）を含むことにより、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を高めることができ、さらに、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、接着フィルムに適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルムの脆性を改善することが可能となる。さらに、接着フィルムに適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。
　前記化合物（Ａ）としては、特に限定されず、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビフェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、レゾルシノールノボラック樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、多官能型フェノール樹脂、トリスフェニルメタン型フェノール樹脂、ザイログ型フェノール樹脂 、ザイログ型ナフトール樹脂等が挙げられる。中でも、上述したような関係をより容易に満足させることができるとともに、また、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができるフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。
　接着フィルム中における前記化合物（Ａ）の含有量は、特に限定されるわけではないが、３～３０重量％であるのが好ましく、３～２８重量％であるのがより好ましく、５～２５重量％であるのがさらに好ましい。化合物（Ａ）の含有量を上記範囲とすることで、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができ、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより効果的に埋め込むことができる。また、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができる。
　前記化合物（Ａ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００～１，５００であることが好ましく、４００～１，４００であることが特に好ましい。これにより、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、半導体チップ、回路基板等の支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により測定することができる。
　また、接着フィルムが（Ｂ）エポキシ樹脂を含むことにより、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができ、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）をより効果的に埋め込むことができる。また、これにより、接着フィルムに柔軟性および屈曲性を付与することができるため、ハンドリング性に優れた接着フィルムを得ることができる。
　前記化合物（Ｂ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリル化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができるとともに、半導体チップや基板等の支持体または被着体に対する接着フィルムの密着性、さらに、接着フィルムの硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
　また、前記化合物（Ｂ）エポキシ樹脂としては、２５℃で液状であることが好ましい。より好ましくは、２５℃における粘度が、５００～５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００～４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、このような粘度のエポキシ樹脂を用いることにより、上述したような関係を満足する接着フィルムをより容易に得ることができる。
　また、前記化合物（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、１０～８０重量％であるのが好ましく、１２～７８重量％であるのがより好ましく、１５～７５重量％であるのがさらに好ましい。これにより、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、これにより、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
　また、接着フィルムが（Ｃ）フラックス機能を有する化合物を含むことにより、支持体（半導体チップ、基板等）の第一の端子および被着体（半導体チップ、基板等）の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去することができ、前記第一の端子と前記第二の端子を確実に半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。
　前記化合物（Ｃ）としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基またはフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
　前記化合物（Ｃ）の配合量は、１～３０重量％であるのが好ましく、化合物（Ｃ）を３～２５重量％であるのがより好ましく、３～２０重量％であるのがもっとも好ましい。化合物（Ｃ）の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルムを硬化した際に、未反応の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
　また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス機能を有する硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス機能を有する硬化剤を、好適に用いることができる。
　なお、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基およびフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
　これらのうち、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
　前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
　前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
　前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
　前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、例えば、下記一般式（３）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
　　ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）ｎ－ＣＯＯＨ　　（３）
（式（３）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
　前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５－ジヒドロキシ安息香酸）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，５－ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸）、１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
　これらの前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物のうち、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が有する活性度、接着フィルムの硬化時におけるアウトガスの発生量、および硬化後の接着フィルムの弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（３）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（３）で示される化合物のうち、式（３）中のｎが３～１０である化合物が、硬化後の接着フィルム１における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、半導体チップ、基板等の支持体と被着体への接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
　前記一般式（３）で示される化合物のうち、式（３）中のｎが３～１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）３－ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）４－ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）５－ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ－（ＣＨ２）８－ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ－（ＣＨ２）１０－ＣＯＯＨ等が挙げられる。
　前記フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、２，６－キシレノール、ｐ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、２，４－キシレノール、２，５キシレノール、ｍ－エチルフェノール、２，３－キシレノール、メジトール、３，５－キシレノール、ｐ－ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ－ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ－オクチルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
　上述したようなカルボキシル基またはフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
　そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性を有する硬化剤を用いるのが好ましい。フラックス活性を有する硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性を有する硬化剤としては、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５－ジヒドロキシ安息香酸）、２，６－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，５－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸、３，７－ジヒドロキシ－２－ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンを用いるのが好ましい。
　また、接着フィルム中、フラックス活性を有する硬化剤の配合量は、１～３０重量％が好ましく、３～２５重量％がより好ましく、３～２０重量％が特に好ましい。接着フィルム中のフラックス活性を有する硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルムのフラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性を有する硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性を有する硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する。
　前記化合物（Ｂ）と前記化合物（Ｃ）の配合比は、特に限定されないが、（（Ｂ）／（Ｃ））が０．５～１２．０であることが好ましく、２．０～１０．０であることが特に好ましい。（（Ｂ）／（Ｃ））を上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｃ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｂ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。
　また、接着フィルムが接着フィルムの成膜性を向上する（Ｄ）成膜性樹脂を含むことにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルムの機械的特性にも優れる。
　前記（Ｄ）成膜性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－アクリル酸共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（Ｄ）成膜性樹脂としては、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いるのが好ましい。
　前記（Ｄ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１万以上が好ましく、より好ましくは２万～１００万、更に好ましくは３万～９０万である。重量平均分子量が前記範囲内であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
　前記（Ｄ）成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム中の１～５０重量％であるのが好ましく、５～４０重量％であるのがより好ましく、６～４０重量であるのがさらに好ましく、１０～３５重量％がもっとも好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
　また、接着フィルムは、硬化促進剤を更に含んでもよい。硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。硬化促進剤としては、例えば融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。使用される硬化促進剤の融点が１５０℃以上であると、接着フィルムの硬化が完了する前に、半田バンプを構成する半田成分が半導体チップに設けられた内部電極表面に移動することができ、内部電極間の電気的接続を良好なものとすることができる。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２-フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルヒドロキシイミダゾール、２－フェニル－４－メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　接着フィルム中の前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、０．００５～１０重量％であるのが好ましく、０．０１～５重量％であるのがより好ましい。これにより、硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができるとともに、半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における樹脂の溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着フィルムの保存性を更に向上させることができる。
　これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　また、前記接着フィルムは、シランカップリング剤を更に含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップ、基板等の支持体または被着体に対する接着フィルムの密着性を高めることができる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、接着フィルムを構成する樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１～１０重量％であり、より好ましくは０．０５～５重量％であり、更に好ましくは０．１～２重量％である。
　前記接着フィルムは、無機充填材を更に含んでもよい。これにより、接着フィルムの線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
　前記無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
　前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下であるのが好ましく、０．０５μｍ以上、５μｍ以下であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム内で無機充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
　前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂組成物全体に対して０．１～８０重量％であるのが好ましく、５～７５重量％であるのがより好ましく、２０～７０重量％であるのがもっとも好ましい。上記範囲とすることで、硬化後の接着フィルムと被接体との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接体の剥離をさらに確実に抑制することができる。さらに、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置の信頼性が上昇する。
　上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材（支持フィルム）上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより、接着フィルムを得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３－エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０～６０重量％となる範囲内であることが好ましい。
　得られた接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、１～３００μｍであることが好ましく、５～２００μｍであることがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。
　このようにして得られた接着フィルムは、接着フィルムを回路基板と貼り合わせた際に、回路基板の貼り合わせ面上に存在する複数の配線回路等によって生じる凹凸（ギャップ）を良好に埋め込むことができ、接着フィルムと回路基板との間に空隙が生じるのをより効果的に防止することができる。したがって、半導体チップと基板、基板と基板、半導体チップと半導体チップ、半導体ウエハーと半導体ウエハー等の半田接合を必要とされる部材の接続において好適に用いることができるものである。

　また、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、１つ以上の介在層を設けていてもよく、介在層としては以下のような基材フィルムや樹脂層が挙げられる。また、ダイシングテープ一体型接着シートの一方の面又は両面に１つ以上の外層を設けてもよく、外層としては以下のような基材フィルムが挙げられる。外層を設けることにより、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。　
（基材フィルム）
　基材フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
　基材フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５～２００μｍであるのが好ましく、１０～１５０μｍであるのがより好ましい。これにより、基材フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にすることができる。
　（樹脂層）
　樹脂層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されている。
　アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
　また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、樹脂層が接する被着体（例えば、ダイシングテープの粘着層、接着フィルム等）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
　また、第二樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
　さらに、第二樹脂組成物には、樹脂層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
　また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
　このような樹脂層の平均厚さは、特に限定されないが、１～１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３～５０μｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れた層が得られる。

（ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法）
　以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の一実施形態について以下に詳述する。　

　まず、図１（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に介在層１を成膜する。これにより、基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。　

　上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。　

　また、積層体６１と同様にして、図１（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着フィルム３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着フィルム３との積層体６２を得る。　

　さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図１（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上にダイシングテープの粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４とダイシングテープの粘着層２との積層体（ダイシングテープ）６３を得る。　

　次いで、図１（ｂ）に示すように、介在層１と接着フィルム３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
　次いで、図１（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図１（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着フィルム３および前記介在層１の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。　

　次いで、図１（ｅ）に示すように、介在層１の露出面にダイシングテープ２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図１（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着シート１０が得られる。　

　以上、支持フィルムに直接ダイシングテープ２を成膜する方法の一実施形態について上述したが、これ以外に支持フィルム上にダイシングテープの粘着層２、介在層１、接着フィルム３を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。
　また、接着フィルム３の基材４ｂをそのまま介在層として適用し、支持フィルム上にダイシングテープの粘着層２、介在層１（基材４ｂ）、接着フィルム３を所望の順に形成して、ダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。　
　なお、介在層１、ダイシングテープの粘着層２、および接着フィルム３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
　まず、介在層１の接着フィルム３に対する密着力は、介在層１のダイシングテープの粘着層２に対する密着力及びダイシングテープの粘着層２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、ダイシングテープの粘着層２と支持フィルム４との間は剥離することなく、接着フィルム３と介在層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
（半導体装置、多層回路基板および電子部品）
　次に、上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品について説明する。

　［１］　図２（ａ）に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の接着フィルム３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー(支持体)７とを積層する（第１の工程）。ここで、半導体ウエハー（支持体）７において、接着フィルム３と接着する面は、第一の端子(図示せず)を有するものである。なお、図２に示すダイシングテープ一体型接着シート１０では、接着フィルム３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも一回り小さい、若しくは外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着フィルム３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されることとなる。　この半導体ウエハー７の第１の端子を接着フィルム３で覆うように、ダイシングテープ一体型接着シート１０をラミネートする（図２（ｂ））。
　ダイシングテープ一体型接着シート１０を半導体ウエハー７に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハーラミネーター等が挙げられる。
　これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
　また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよい。具体的には６０～１５０℃で１秒～１２０秒間加熱する条件が好ましく、特に８０～１２０℃で５～６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
　また、加圧条件も特に限定されないが、０．２～２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５～１．５ＭＰａが好ましい。

　上記積層の結果、図２（ｂ）に示すように、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。　

　［２］
　［２－１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、ダイシングテープの粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。　

　ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。　

　［２－２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。　

　続いて、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体チップ７１に個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム３も同様に、複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。　
　第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が介在層１内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、介在層１内またはダイシングテープの粘着層２内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体チップ７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体チップ７１を被着体５にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。

　［３］
　［３－１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図２（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体チップ７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体チップ７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体チップ７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。　

　［３－２］次に、ダイボンダー２５０により、個片化された半導体チップ７１のうちの１つを、ダイボンダーのコレット（チップ吸着部）２６０で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図３（ｅ）に示すように、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離し、半導体チップ７１と接着フィルム３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。　

　なお、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープの粘着層２の粘着性が介在層１の粘着性より高いため、支持フィルム４とダイシングテープの粘着層２との界面の密着力、および、ダイシングテープの粘着層２の介在層１との界面の粘着力は、介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体チップ７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。　

　また、個片８３をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着シート１０の下方から、突き上げ装置４００により、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着シート１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる（図示せず）。
　また、積層体８が介在層１を含まず、かつ粘着層２に光硬化成分を含む場合は、第２の工程の後、第３の工程の前において、ダイシングテープ一体型接着シート１０の下方から紫外線または電子線などを照射することにより、粘着層２に含まれる光硬化成分が光硬化反応をするようにして粘着性を低下させてもよい。このようにすることで、粘着層２と接着フィルム３との密着力が低下することにより、半導体チップ７１を上方にピックアップした場合に、粘着層２と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することになる。

　［４］
　［４－１］次に、半導体チップ７１を搭載（マウント）するための被着体５を用意する。　

　この被着体５は、前記接着フィルム３と接着する面に第２の端子（図示せず）を有するものである。この被着体５としては、半導体チップ７１を搭載し、半導体チップ７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体チップ等が挙げられる。　

　なお、第一の端子と第二の端子としては、例えば電極パッド、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。　

　次いで、図３（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、被着体５上に載置する。この際、半導体チップ７１の第一の端子と、被着体５の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム３を介して仮圧着する。　

　［４－２］次に、被着体５と半導体チップ７１を半田接合する（第４の工程）。　半田接合する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ－Ａｇの場合、２２０～２６０℃で５～５００秒間加熱して半田接合することが好ましく、特に２３０～２４０℃で１０～１００秒間加熱することが好ましい。
　この半田接合は、半田が融解した後に、接着フィルム３が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田を融解させるが、接着フィルム３の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接合する際の半田接合部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
　次に、接着フィルム３を加熱して硬化させる（第５の工程）。硬化させる条件は、特に限定されないが、１３０～２２０℃で３０～５００分間加熱する条件が好ましく、特に１５０～２００℃で６０～１８０分間加熱する条件が好ましい。

　以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体チップ７１に接着フィルム３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着フィルム３１をそのまま被着体５との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、半導体チップ７１と被着体５とを半田を用いて電気的に接続した半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。　
　なお、支持体７および被着体５としては、たとえば、チップ、基板（回路基板）、ウエハー等が挙げられる。支持体７および被着体５としてそれぞれ回路基板を用いる場合、接着フィルム３の硬化物で接合した多層回路基板を得ることができる。また、支持体７および被着体５としてそれぞれ半導体チップを用いる場合、接着フィルム３の硬化物で接合されている電子部品を得ることができる。
　以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
＜介在層の形成＞
　アクリル酸２－エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ－１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエステルフィルム上に介在層を成膜した。
＜ダイシングテープの粘着層の形成＞
　アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２－エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ－１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部とを調整したダイシングテープの粘着層用ワニスを調整した。前記ダイシングテープの粘着層用ワニスを、離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープの粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製　ＫＡ－１１６０）２０．４重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部と、フラックス機能を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部と、成膜性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部と、硬化促進剤として２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
＜接着フィルムの製造＞
  得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、東レ株式会社製、商品名ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。
＜ダイシングテープ一体型接着シートの製造＞
　介在層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、介在層と接着フィルムとが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。
　次に、ロール状の金型を用いて、介在層と接着フィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後、外側の不要部分を除去して、第２積層体を得た。
　さらに、ダイシングテープの粘着層の一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第２積層体の介在層とダイシングテープの粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）とダイシングテープの粘着層の積層体（ダイシングテープ）、介在層、接着フィルムおよびポリエステルフィルム（外層）の５層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。
＜半導体装置の製造＞
　半田バンプを有するシリコンウエハー（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これをラミネーターで、貼り合わせ温度Ｔ：８０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着シート）に掛ける圧力Ｐ：０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。
　また、貼り合わせ温度Ｔを１５０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着シート）に掛ける圧力Ｐを０．３ＭＰａに変更する以外は同様の条件によっても、半導体装置の製造を行った。
　次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体チップを得た。
＜ダイシング条件＞
　ダイシングサイズ　　　　：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
　ダイシング速度　　　　　：５０ｍｍ／ｓｅｃ
　スピンドル回転数　　　　：４０，０００ｒｐｍ
　ダイシング最大深さ　　　：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
　ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
　切り込みの横断面積　　　：７．５×１０－５ｍｍ２（接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積）
　なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。
　次いで、半導体チップの１つをダイシングテープ一体型接着シートの支持フィルム側（裏面）からニードルで突き上げ、突き上げた半導体チップの表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体チップをピックアップした。
　次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体チップを２３５℃、５秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接合を行った。
　そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップと、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
（実施例２）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部を１５．０重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ－８４０Ｓ）４５．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を２，３－ナフタレンジカルボン酸（東京化成工業社製）１５．０重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をウレタンアクリレートポリマー（根上工業社製、ＵＮ－９２００Ａ）２４．４重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業、２ＰＨＺ－ＰＷ）０．１重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を３－アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ－９０３）０．５重量部に変更した以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例３）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり調製した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をビフェニルアラルキル型フェノール（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１Ｈ）１０．１重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を３１．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部をフェノールフタリン（東京化成工業社製）１１．２重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１４．５重量部とウレタンアクリレートポリマー（根上工業社製、ＵＮ－９２００Ａ）７．３重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を０．２重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を０．７重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）２５．０重量部を加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例４）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり調製した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ－５５６１７）４．４重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部をクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＤＣＮ－７００－５）１４．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を２，３－ナフタレンジカルボン酸（東京化成工業社製）６．８重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１８．４重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を０．３重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を１．１重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）５５．０重量部を加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例５）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり調製した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
　＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ－５５６１７）３．０重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を８．３重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を４．５重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１２．６重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）０．３重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を３－アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ－９０３）１．３重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）７０．０重量部を加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例６）
＜支持フィルムの作製＞
支持フィルムを構成する材料樹脂として、ポリプロピレン６０重量部と、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを準備した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式（１）中、ｎは２以上の整数）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（２）中、ｎは２以上の整数）
上記の支持フィルムを構成する材料を２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚み１００μｍの支持フィルムを作製した。
＜ダイシングテープの形成＞
アクリル系粘着剤として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とからなる樹脂（以下、「ベース樹脂Ａ」という）を準備した。第１の共重合体として、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２－エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。第２の共重合体として、アクリル酸２－エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。
光硬化成分として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ　Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ  ＳＣ２１５２）を、アクリル系粘着剤１００重量部に対して１４０重量部準備した。架橋剤として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、品番：コロネートＬ）を、アクリル系粘着剤１００重量部に対して５重量部準備した。光重合開始剤として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア６５１）を、アクリル系粘着剤１００重量部に対して３重量部準備した。
上記のアクリル系粘着剤、光硬化成分、架橋剤、および光重合開始剤が配合された第一樹脂組成物の樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、離型処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープの粘着層を成膜した。その後、支持フィルムをラミネートした。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
  クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製　ＫＡ－１１６０）２０．４重量部と、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部と、フラックス機能を有する化合物であるトリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部と、成膜性樹脂としてフェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部と、硬化促進剤として２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
＜接着フィルムの製造＞
得られた接着フィルム用ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、東レ株式会社製、商品名ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。
＜ダイシングテープ一体型接着シートの製造＞
接着フィルムを成膜したフィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後、外側の不要部分を除去した。
さらに、ダイシングテープの粘着層の一方の面側にある離型処理したポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記打ち抜いた接着フィルムとダイシングテープの粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、支持フィルムとダイシングテープの粘着層の積層体（ダイシングテープ）、接着フィルムおよびポリエステルフィルム（外層）の４層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。
＜半導体装置の製造＞
半田バンプを有するシリコンウエハー（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これをラミネーターで、貼り合わせ温度Ｔ：８０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着シート）に掛ける圧力Ｐ：０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。
また、貼り合わせ温度Ｔを１５０℃、接着フィルム（ダイシングテープ一体型接着シート）に掛ける圧力Ｐを０．３ＭＰａに変更する以外は同様の条件によっても、半導体装置の製造を行った。
次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体チップを得た。
＜ダイシング条件＞
　ダイシングサイズ　　　　：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
　ダイシング速度　　　　　：５０ｍｍ／ｓｅｃ
　スピンドル回転数　　　　：４０，０００ｒｐｍ
　ダイシング最大深さ　　　：０．０８０ｍｍ（ダイシングテーブル表面からの高さ）
　ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
次いで、ダイシングテープ一体型接着シートの支持フィルム側（裏面）から紫外線を照射した。
次いで、半導体チップの１つをダイシングテープ一体型接着シートの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体チップの表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体チップをピックアップした。
次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体チップを２３５℃、５秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接合を行った。
そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップと、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
（実施例７）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例６と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部を１５．０重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ－８４０Ｓ）４５．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を２，３－ナフタレンジカルボン酸（東京化成工業社製）１５．０重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をウレタンアクリレートポリマー（根上工業社製、ＵＮ－９２００Ａ）２４．４重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業、２ＰＨＺ－ＰＷ）０．１重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を３－アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ－９０３）０．５重量部に変更した以外は、実施例６と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例８）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例６と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をビフェニルアラルキル型フェノール（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１Ｈ）１０．１重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を３１．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部をフェノールフタリン（東京化成工業社製）１１．２重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１４．５重量部とウレタンアクリレートポリマー（根上工業社製、ＵＮ－９２００Ａ）７．３重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を０．２重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を０．７重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）２５．０重量部を加えた以外は、実施例６と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例９）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例６と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ－５５６１７）４．４重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部をクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＤＣＮ－７００－５）１４．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を２，３－ナフタレンジカルボン酸（東京化成工業社製）６．８重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１８．４重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を０．３重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を１．１重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）５５．０重量部を加えた以外は、実施例６と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（実施例１０）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり製造した点以外は実施例６と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ－５５６１７）３．０重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を８．３重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を４．５重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）１２．６重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）０．３重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を３－アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ－９０３）１．３重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）７０．０重量部を加えた以外は、実施例６と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（比較例１）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり調製した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をビフェニルアラルキル型フェノール（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１Ｈ）２２．４重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を６０．８重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部を１．２重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を３－アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ－９０３）０．５重量部に変更した以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
（比較例２）
　接着フィルム用ワニスを下記のとおり調製した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
　接着フィルム用ワニスの調製において、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、ＫＡ－１１６０）２０．４重量部をフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ－５５６１７）１．３重量部へ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ）５６．８重量部を４．０重量部へ、トリメリット酸（東京化成工業社製）１５．０重量部を２．０重量部へ、フェノキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ－６９５４）７．２重量部をメタクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、Ｍ－４００３）５．９重量部へ、２－フェニル－４－メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部を２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＰＨＺ－ＰＷ）０．３重量部へ、β－（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）０．５重量部を１．５重量部に変更し、シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０）８５．０重量部を加えた以外は、実施例１と同様に接着フィルム用ワニスの調製を行った。
　各実施例および比較例の接着フィルムの組成を表１に示した。
　貼り付け温度Ｔが８０℃、１５０℃の時の、接着フィルムの溶融粘度ηを表１に併せて示した。接着フィルムの溶融粘度は下記の方法で測定した。
　各実施例および比較例で得られた厚み２５μｍの接着フィルムを４枚積層することによって厚み１００μｍの測定用サンプルを作製し、粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製「ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ　ＲＳ１５０」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度は、１０℃／分の条件で溶融粘度を測定し、最低となる溶融粘度を測定値とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　［３］評価
　［３－１］埋め込み性の評価
　各実施例および各比較例の接着フィルムの半田バンプ付きシリコンウエハー上の凹凸に対する埋め込み性は、金属顕微鏡にて、凹凸部の周囲のボイド／空隙の有無によって評価した。
　　○　：凹凸部の周辺にボイドまたは空隙が観察されなかった。
　　×　：凹凸部の周辺にボイドまたは空隙が観察された。
　[３－２]接着フィルムのブリード評価
　各実施例および各比較例の接着フィルムのブリード（はみ出し）評価は、金属顕微鏡にて半導体装置における接着フィルム成分の半導体チップの縁部からのはみ出した長さを測定し、ブリード評価を行った。各符号は、以下の通りである。
　　○　：半導体チップの縁部からのはみ出した長さが７００μｍ未満であった。
　　×　：半導体チップの縁部からのはみ出した長さが７００μｍ以上であった。
　［３－３］接続信頼性
　各実施例および比較例のダイシングテープ一体型接着シートを用いて得られた半導体装置それぞれ２０個ずつ（各貼り付け温度毎）について、－５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。
　　○　：２０個すべての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω未満であった。
　　×　：１個以上の半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以上であった。
　これらの結果を、表２に示した。
　また、それぞれの貼り付け温度Ｔにおける（Ｔ×Ｐ）／ηの値を表２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表２から明らかなように、本発明に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸を接着フィルムにより良好に埋め込むことができ、また、その埋め込み性が高いものであった。また、本発明に係る接着フィルムを用いて製造された半導体装置は接続信頼性が特に高いものであった。これに対して、比較例では、満足する結果が得られなかった。
　本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、回路基板上の複数の配線回路等によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる作業性に優れたダイシングテープ一体型接着シートを提供すること、および、このようなダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供することができる。したがって、本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、および、このようなダイシングテープ一体型接着シートを用いて製造した半導体装置、多層回路基板および電子部品に好適に用いることができる。
　１　　　　　　　　　　介在層
　１１　　　　　　　　　外周縁
　２　　　　　　　　　　ダイシングテープの粘着層
　２１　　　　　　　　　外周部
　３、３１　　　　　　　接着フィルム 
　４　　　　　　　　　　支持フィルム
　４１　　　　　　　　　外周部
　４ａ、４ｂ　　　　　　基材
　５　　　　　　　　　　被着体
　６１～６４　　　　　　積層体
　７　　　　　　　　　　半導体ウエハー（支持体）
　７１　　　　　　　　　半導体チップ
　８　　　　　　　　　　積層体
　８１　　　　　　　　　切り込み
　８２　　　　　　　　　ダイシングブレード
　８３　　　　　　　　　個片
　９　　　　　　　　　　ウエハーリング
　１０、１０’　　　　　ダイシングテープ一体型接着シート
　２５０　　　　　　　　ダイボンダー
　２６０　　　　　　　　コレット
　２７０　　　　　　　　台（ヒーター）
　２８０　　　　　　　　装置本体
　４００　　　　　　　　台（突き上げ装置）

Claims (14)

  1. 　支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを含む積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
    前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルムに掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０９の関係を満足し、
    　前記貼り付け温度Ｔは、６０～１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２～１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度Ｔにおける接着フィルムの溶融粘度ηは、０．１～１００，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
  2. 　前記接着フィルムを前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の雰囲気圧は、１００ｋＰａ以下である請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  3. 　前記接着フィルムは、
    　（Ａ）フェノール樹脂と、
    　（Ｂ）エポキシ樹脂と、
    　（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
    　（Ｄ）成膜性樹脂と、
    を含む請求項１または２に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  4. 　前記接着フィルムが、前記（Ａ）フェノール樹脂を３～３０重量％、前記（Ｂ）エポキシ樹脂を１０～８０重量％、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物を１～３０重量％、前記（Ｄ）成膜性樹脂を１～５０重量％含むものである、請求項３に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  5. 　前記（Ｂ）エポキシ樹脂が２５℃で液状である請求項３または４に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  6. 　前記（Ｂ）エポキシ樹脂の２５℃における粘度が、５００～５０，０００ｍＰａ・ｓである請求項３～５のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  7. 　前記（Ｂ）エポキシ樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ｂ）／（Ｃ））が、０．５～１２．０である請求項３～６のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  8. 　前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを含むフラックス機能を有する化合物である請求項３～７のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  9. 　前記（Ｄ）成膜性樹脂が、フェノキシ樹脂を含むものである請求項３～８のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  10. 前記接着フィルムが、更に充填材を含む請求項３～９のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  11. 前記充填材の含有量が、０．１重量％以上８０重量％以下である請求項１０に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
  12. 　請求項１～１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
  13. 　請求項１～１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
  14. 　請求項１～１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
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