WO2015178369A1 - ダイボンドダイシングシート - Google Patents

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dicing sheet
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support member
base material
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涼士 古谷
鈴村　浩二
有輝啓 岩永
祐樹 中村
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日立化成株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a die bond dicing sheet that can be suitably used when manufacturing a semiconductor device.
  • silver paste has been mainly used for joining a semiconductor chip and a support member such as a lead frame.
  • a support member such as a lead frame.
  • miniaturization and miniaturization have been demanded for lead frames used.
  • defects tend to occur during wire bonding due to sticking out of the paste or inclination of the semiconductor chip.
  • there is a limit in dealing with the above-described demand using silver paste because of the difficulty in controlling the film thickness of the adhesive layer and the tendency for voids to occur in the adhesive layer.
  • typical manufacturing steps include the following (1) to (3).
  • (1) A piece of the adhesive film is cut out from the roll (reel) adhesive film by cutting or punching. Next, the individual pieces are attached to the lead frame.
  • (2) An element piece (semiconductor chip) cut and separated (diced) in advance in a dicing process is placed on the obtained lead frame with an adhesive film.
  • a lead frame with a semiconductor chip is manufactured by bonding (die bonding) them.
  • a wire bonding process and a sealing process are performed.
  • such a method requires a dedicated assembling apparatus for cutting out pieces of the adhesive film from the roll-like adhesive film and further bonding the cut out pieces of adhesive film to the lead frame. Therefore, improvement is desired in that the manufacturing cost is higher than the method using silver paste.
  • typical manufacturing steps include the following (1) to (3).
  • An adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and a dicing tape is further attached to the adhesive film.
  • a dicing process is performed, and the semiconductor wafer is separated into pieces with the adhesive film attached.
  • Each piece of the obtained semiconductor chip with an adhesive film is picked up and attached to the lead frame.
  • a step of curing the adhesive film by heating, a wire bonding step, a sealing step, and the like are performed.
  • an apparatus for independently separating the adhesive film is not required.
  • a “die bond dicing sheet” in which an adhesive film and a dicing tape are bonded together, or a sheet that can be used for both the dicing process and the die bond process is known.
  • Patent Document 1 there is a die bond dicing sheet having a four-layer structure of base material / adhesive layer / adhesive layer / peelable sheet (for example, Patent Document 1).
  • a disc-shaped adhesive layer (die bond material) 12 is formed on a peelable sheet 10, and the adhesive layer 12 is formed thereon.
  • the sheet is produced by laminating a slightly larger disk-shaped pressure-sensitive adhesive layer 13 and further laminating a base material 14 having the same size and shape as the pressure-sensitive adhesive layer 13.
  • the said adhesive layer 13 is comprised from a radiation-curing-type adhesive, and the expandability and pick-up property after a dicing process are favorable by maintaining the elasticity modulus after radiation curing in a predetermined range.
  • a die bond dicing sheet having a three-layer structure of base material / adhesive layer / peelable sheet is also known.
  • the stealth dicing method typically includes the following steps as shown in FIG. 2
  • the illustration in FIG. 2 corresponds to the case where the above-described three-layer die-bonded dicing sheet is used.
  • a normal semiconductor wafer 30 is irradiated with a laser to form a modified portion 30a inside the wafer (FIG. 2A).
  • the peelable sheet 10 of the die bond dicing sheet is peeled to expose the adhesive layer 12 (FIG. 2B).
  • a semiconductor device can be manufactured by the following processes. .
  • the peelable sheet 10 of the die bond dicing sheet is peeled to expose a part of the adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 (FIG. 3A).
  • the exposed portion of the pressure-sensitive adhesive layer 13 has a belt-like annular shape and serves as a mounting area for the dicing ring.
  • the dicing ring 40 is placed on the exposed portion of the pressure-sensitive adhesive layer 13, and the modified portion 30a is first laser-adhered to a predetermined position inside the ring (on the adhesive layer 12).
  • the semiconductor wafer 30 on which is formed is placed (FIGS. 3B and 3C).
  • the base material 14 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 (dicing tape) are stretched to divide the semiconductor wafer 30 and the adhesive layer 12 at the same time, and with an adhesive layer.
  • Semiconductor chips (12b and 30b) are manufactured (FIG. 3D).
  • the semiconductor chip with an adhesive layer is picked up from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 13, placed on a lead frame, and heated and bonded (die-bonded). Subsequently, wire bonding is performed, and the semiconductor chip is sealed using a sealing material (not shown).
  • the expanded division is performed on the semiconductor wafer (see FIGS. 3C and 3D) attached to the film-like adhesive layer, and the adhesive layer and the wafer are simultaneously formed.
  • a part of the adhesive layer may be peeled off, resulting in a problem of adhering to the upper surface of the semiconductor wafer.
  • This is called DAF (Die Attach Film) scattering. More specifically, as shown in FIG. 4, the DAF scattering is located outside the semiconductor wafer 30 and the portion 12c of the adhesive layer that is not in contact with the semiconductor wafer (FIG.
  • Reference numeral 12c ′ denotes an adhesive layer that has been scattered and adhered to the top surface of the chip As described above, the chip to which the scattered adhesive layer has adhered cannot be picked up, and the productivity is lowered, so improvement is desired. ing.
  • the present invention can improve the problems such as peeling of the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer during expansion, scattering of the adhesive layer, and adhesion to the semiconductor chip.
  • the purpose is to provide a sheet.
  • the present inventors have conducted various studies. As a result, the size of the adhesive layer is set to be the same as that of the semiconductor wafer or close to that of the semiconductor wafer. It was found that the adhesive layer could be prevented from scattering, and the present invention was completed.
  • the present invention relates to the following matters.
  • a die-bonded dicing sheet used by being attached to a semiconductor element mounting support member, a peelable first base material, and an adhesive layer provided on one side of the first base material, A pressure-sensitive adhesive layer that covers the entire top surface of the adhesive layer and has a peripheral edge that does not overlap the adhesive layer; and a second substrate provided on the top surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and the adhesive Die bond dicing wherein the planar outer shape of the layer is larger than the planar outer shape of the semiconductor element mounting support member, and the distance between the end of the adhesive layer and the end of the support member is 1 mm or more and 12 mm or less Sheet.
  • the first base has an elongated shape, and the adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer, and the second base are formed on the upper surface of the elongated first base.
  • a manufacturing method of a semiconductor device including a dividing step by an expand performed according to a stealth dicing method, wherein the dividing step is (I) a step of irradiating a semiconductor element mounting support member with a laser to form a modified portion; (Ii) a step of bonding the semiconductor element mounting support member and a die bond dicing sheet sequentially having a peelable first base material, an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and a second base material, The step of exposing the adhesive layer by peeling the first base material of the die bond dicing sheet, and subsequently bonding the adhesive layer and the semiconductor element mounting support member, (Iii) By expanding the second base material and the pressure-sensitive adhesive layer of the die bond dicing sheet, the semiconductor element mounting support member and the adhesive layer are simultaneously separated and separated into individual pieces.
  • a process for obtaining a semiconductor element mounting support member wherein the die bond dicing sheet according to any one of (1) to (4) is used as the die bond dicing sheet.
  • step (iii) is performed under an expanded condition in which the second base material and the pressure-sensitive adhesive layer are not divided.
  • problems such as peeling and scattering of the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer during expansion and adhesion to the semiconductor chip can be improved.
  • a first aspect of the present invention relates to a die bond dicing sheet that is used by being attached to a semiconductor element mounting support member that is divided by a dicing process.
  • the semiconductor element mounting support member constitutes a substrate on which the semiconductor element is mounted, and means a member composed of a material that can be singulated at the time of manufacturing the semiconductor element.
  • One embodiment includes a silicon semiconductor device substrate known as a semiconductor wafer, or a semiconductor device substrate made of other semiconductor materials.
  • FIG. 5 is a view schematically showing an embodiment of the die bond dicing sheet of the present invention.
  • the die bond dicing sheet of the present invention includes a peelable first substrate 10, an adhesive layer 12 provided on one side of the first substrate 10, and the adhesive layer. 12 has an adhesive layer 13 that covers the entire top surface of 12 and has a peripheral edge portion 13 a that does not overlap the adhesive layer 12, and a second substrate 14 provided on the upper surface of the adhesive layer 13.
  • FIG. 6 is a view for explaining the structure of the die bond dicing sheet of the present invention. FIG. 6 shows a state where the first substrate 10 of the die-bonded dicing sheet of the present invention shown in FIG.
  • the planar outer shape of the adhesive layer 12 is larger than the planar outer shape of the semiconductor element mounting support member 30, and the adhesive.
  • a distance D between the end of the layer 12 and the end of the support member 30 is 1 mm or more and 12 mm or less.
  • the distance D is preferably 12 mm or less, more preferably 10 mm or less, and even more preferably 8 mm or less, from the viewpoint of facilitating prevention of scattering of the adhesive layer during expansion.
  • at least 1 mm is necessary as the distance D from the viewpoint of positional deviation in the bonding process between the semiconductor wafer and the sheet and the accuracy of the apparatus.
  • the distance D is preferably 2 mm or more. More preferably, it is 3 mm or more.
  • the distance D is preferably in the range of 1 to 12 mm, more preferably in the range of 2 to 10 mm. More preferably, it is in the range of 3 to 8 mm.
  • the first base material has an elongated shape
  • a plurality of laminated bodies including the second base material are arranged in an island shape and have a shape wound in a roll shape in the longitudinal direction with the upper surface of the first base material being inward.
  • the die bond dicing sheet of this invention should just have the above-mentioned predetermined shape, and can be comprised using a well-known material in this technical field.
  • a well-known protective film in the art can be used.
  • plastic films include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, polyvinyl chloride films, polyimide films, etc. Is mentioned.
  • the first base material is intended to protect the sheet and is peeled off at the time of use. Therefore, the release surface of the base material is made of a silicone-type release agent, a fluorine-type release agent, and a long-chain alkyl acrylate-type release agent. It is preferable to treat in advance with a mold release agent. Further, the thickness of the first base material can be appropriately selected within a range that does not impair workability. Usually, the thickness is 1000 ⁇ m or less. In one embodiment, the thickness of the first substrate is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 2 to 20 ⁇ m. More preferably, it is 3 to 10 ⁇ m.
  • the adhesive layer can be configured using various known adhesives used for bonding (bonding) semiconductor chips.
  • the adhesive is preferably one that can fix the semiconductor wafer during dicing, functions as a die bond material after cutting the wafer, and can easily bond the semiconductor chip to the chip mounting substrate. From such a viewpoint, it is preferable to adjust the adhesive so that the peel strength before UV irradiation at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer falls within an appropriate range.
  • at least one selected from the group consisting of a thermosetting adhesive, a photocurable adhesive, a thermoplastic adhesive, and an oxygen-reactive adhesive can be used.
  • the adhesive agent containing an epoxy resin, a phenol hardener, an acrylic resin, and an inorganic filler can be used.
  • the ratio of each component is preferably a ratio of 10: 5: 5: 8 in order by weight.
  • the adhesive layer can be formed by applying an adhesive on the first substrate according to a known method such as a coating method.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but it is usually desirable to set it in the range of 1 to 200 ⁇ m. By making the thickness of the adhesive layer 1 ⁇ m or more, it becomes easy to ensure a sufficient die bond adhesive force. On the other hand, when the thickness exceeds 200 ⁇ m, there is no advantage in characteristics and it is uneconomical. From such a viewpoint, as one embodiment, the thickness is preferably 3 to 150 ⁇ m, more preferably 10 to 100 ⁇ m.
  • an adhesive layer is not specifically limited, It can comprise using an adhesive well-known in this technical field.
  • the pressure-sensitive adhesive can fix the semiconductor wafer and the second base material via the adhesive layer during dicing, but can be easily separated from the adhesive layer when picking up the semiconductor chip obtained after cutting the wafer.
  • the adhesive comprises a compound having a diol group, an isocyanate compound, a urethane (meth) acrylate compound, a diamine compound, a urea methacrylate compound, and a high energy ray polymerizable copolymer having an ethylenically unsaturated group in the side chain. At least one selected from the group can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive is preferably composed of a component whose adhesiveness does not easily change depending on the storage environment such as temperature, humidity, storage period, and the presence or absence of oxygen, and more preferably the adhesive does not change depending on the storage environment.
  • the pressure-sensitive adhesive may contain a component that is cured by high energy rays such as ultraviolet rays or radiation or heat.
  • a component that is cured by high energy rays is preferable, and a component that is cured by ultraviolet rays is particularly preferable.
  • the pressure-sensitive adhesive contains a component that is cured by high energy rays such as ultraviolet rays or radiation or heat, the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive can be reduced by the curing treatment.
  • the second substrate may be a well-known substrate used for dicing sheets in the art.
  • the base material is not particularly limited, and various plastic films exemplified above as the first base material can be used.
  • the base material may have a multilayer structure in which a plurality of films are laminated as a single layer structure. That is, in one embodiment, the substrate is a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, or polyvinyl chloride.
  • the dicing sheet base material preferably exhibits excellent extensibility when expanded. From such a viewpoint, in one embodiment, it is preferable to use a polyolefin-based film.
  • the thickness of the dicing sheet substrate is usually in the range of 10 to 500 ⁇ m, preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • the above-mentioned die bond dicing sheet can be manufactured by a method well known in the art.
  • the die bond dicing sheet can be produced, for example, by sequentially forming an adhesive layer and a pressure-sensitive adhesive layer on the first or second substrate by a coating method.
  • the adhesive layer formed on the first base material and the pressure-sensitive adhesive layer formed on the second base material can be manufactured by bonding them together.
  • a 2nd aspect of this invention is related with the manufacturing method of the semiconductor device which uses the die-bonding dicing sheet of this invention.
  • the manufacturing method includes a step of attaching the adhesive layer of the die bond dicing sheet to the back surface of the semiconductor wafer, a dividing step of simultaneously separating the semiconductor wafer and the adhesive layer of the die bond dicing sheet, and an individualization.
  • a dividing method known in the art can be applied, but an expanding dividing method is preferable. In particular, it is preferable to apply an expanding method that is performed according to the stealth dicing method.
  • a preferred embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, including a dividing step by an expand performed according to a stealth dicing method, and using the die bond dicing sheet according to the first aspect of the present invention in the dividing step. According to such an embodiment, it is possible to suppress DAF scattering during expansion, so that a semiconductor chip can be obtained with a high yield, and the semiconductor chip pick-up operation can be performed well. This makes it possible to efficiently manufacture the semiconductor device.
  • the dividing step includes (I) a step of irradiating a semiconductor element mounting support member with a laser to form a modified portion; (Ii) A step of bonding the semiconductor element mounting support member and a die bond dicing sheet sequentially having a peelable first base material, an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and a second base material, The step of exposing the adhesive layer by peeling the first substrate of the die bond dicing sheet, and subsequently bonding the adhesive layer and the semiconductor element mounting support member, (Iii) By expanding the second base material of the die bond dicing sheet, the semiconductor element mounting support member, the adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer are simultaneously separated and separated into individual pieces. It is preferable to have the process of obtaining an attached support member.
  • the step (iii) is performed under a condition in which the second base material and the pressure-sensitive adhesive layer are not divided during the expansion.
  • a dicing sheet has a dicing sheet base material and the adhesive layer provided on it.
  • an external force is applied by an expand, and the dicing sheet (second base material and pressure-sensitive adhesive layer) is stretched.
  • the dicing sheet has a larger stretching amount in that it is easy to simultaneously cut the semiconductor wafer and the adhesive layer. On the other hand, if the amount of stretching becomes too large, the dicing sheet itself tends to break.
  • the temperature is ⁇ 15 ° C. to 0 ° C.
  • the expansion speed is 10 mm / second
  • the amount of expansion Is preferably carried out under the condition of 10 to 15 mm.
  • the expansion can be performed using an expanding jig known in the art.
  • the semiconductor device manufacturing method may include (iv) a step of irradiating active energy such as ultraviolet rays according to the characteristics of the pressure-sensitive adhesive layer, if necessary, in addition to the above-described dividing step.
  • active energy such as ultraviolet rays
  • the adhesive force between the said adhesive layer and the said adhesive layer can be reduced by hardening the said adhesive layer.
  • One embodiment of the manufacturing method of the present invention includes another process for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor chip obtained in the dividing process. Specifically, following the cutting step including (i) to (iv) above, (v) each semiconductor chip is peeled off and picked up from the adhesive layer with the adhesive layer attached, Placing a semiconductor chip with an agent layer on a support member such as a lead frame, heating and bonding, (vi) wire bonding, (vii) sealing the semiconductor chip using a sealing material By carrying out the above, a semiconductor device can be manufactured.
  • Example 1 A semiconductor wafer having a thickness of 100 ⁇ m and a diameter of 300 mm was prepared. By irradiating the semiconductor wafer with a laser, a 10 mm ⁇ 10 mm lattice-shaped modified portion was formed. Further, a die bond dicing sheet having a diameter of 305 mm having an adhesive layer having a thickness of 60 ⁇ m, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 ⁇ m, and a second substrate having a thickness of 150 ⁇ m was prepared on a peelable first substrate. At this time, the peel strength before UV irradiation at the interface between the adhesive and the pressure-sensitive adhesive layer on the protective film was adjusted to be 1.3 N / 25 mm by the 90 ° peel test method.
  • a PET film was used as the first substrate.
  • the adhesive layer was formed using a thermosetting material in which an epoxy resin, a phenol curing agent, an acrylic resin, and an inorganic filler were mixed at a weight ratio of 10: 5: 5: 8.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was formed using an acrylic resin containing a UV reactive component.
  • an ionomer resin film was used as the second substrate. The peel strength can be adjusted, for example, by changing the amount of UV-reactive component used.
  • the first substrate of the die bond dicing sheet was peeled off to expose the adhesive layer.
  • the adhesive layer surface of the die bond dicing sheet was attached to the wafer at 12 mm / second and 70 ° C.
  • the wafer with the sheet was divided by expanding so as to push the dicing tape upward by 12 mm at a speed of 100 mm / second under the condition of ⁇ 15 ° C.
  • Example 2 A die bond dicing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the outer dimension of the adhesive layer in the die bond dicing sheet was changed to 312 mm in diameter. Next, using the obtained die bond dicing sheet, the wafer was divided in the same manner as in Example 1, and each evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 A die bond dicing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the outer dimension of the adhesive layer in the die bond dicing sheet was changed to 308 mm in diameter. Next, using the obtained die bond dicing sheet, the wafer was divided in the same manner as in Example 1, and each evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 A die bond dicing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the outer dimension of the adhesive layer in the die bond dicing sheet was changed to 303 mm in diameter. Next, using the obtained die bond dicing sheet, the wafer was divided in the same manner as in Example 1, and each evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 A die bond dicing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the outer dimension of the adhesive layer in the die bond dicing sheet was changed to a diameter of 320 mm. Next, using the obtained die bond dicing sheet, the wafer was divided in the same manner as in Example 1, and each evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
  • 10 1st peelable base material (peelable sheet, protective film) 12: Adhesive layer, 12b: Divided adhesive layer, 12c: Part of the adhesive layer that is not in contact with the semiconductor wafer, 12c ′: Adhesive layer that is scattered and attached 13: Adhesive layer, 13a: Perimeter Part 14: Second substrate (dicing sheet substrate) 20: Laser source 30: Support member (semiconductor wafer), 30a: Modified portion by laser, 30b: Semiconductor chip 40: Dicing ring 50: Expand cutting jig D: Adhesive layer end and adhesive layer end Interval

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Abstract

　ステルスダイシング法に沿った半導体装置の製造において、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着を改善することができるダイボンドダイシングシートを提供する。半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第１の基材と、上記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、上記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、上記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層の端部と、上記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシートを構成する。

Description

ダイボンドダイシングシート
　本発明は、半導体装置を製造する際に好適に使用できるダイボンドダイシングシートに関する。
　従来、半導体チップとリードフレーム等の支持部材との接合には、主に銀ペーストが使用されていた。しかし、近年の半導体チップの小型化及び高性能化に伴い、使用するリードフレームに対しても小型化及び細密化が要求されるようになってきている。上記要求に対し、上記接合のために銀ペーストを用いた場合、ペーストのハミ出し、又は半導体チップの傾きに起因して、ワイヤボンディング時に不具合が発生しやすい傾向がある。その他、接着剤層の膜厚の制御が困難であること、また接着剤層にボイドが発生しやすいこと等の理由から、銀ペーストを用いて上記要求に対処するには限界があった。
　そこで、近年、銀ペーストに代えて、フィルム状接着剤及びフィルム状ダイボンド材等の接着性を有するフィルム部材を、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式で使用する接合方法が用いられるようになってきている。
　上記個片貼付け方式で半導体装置を製造する場合、代表的な製造工程は、下記（１）～（３）を含む。
（１）カッティングあるいはパンチングによって、ロール状（リール状）の接着フィルムから該接着フィルムの個片を切り出す。次いで、上記個片をリードフレームに貼り付ける。
（２）得られた接着フィルム付きリードフレームに、予めダイシング工程にて切断分離（ダイシング）した素子小片（半導体チップ）を載置する。次いで、これらを接合（ダイボンド）することによって、半導体チップ付きリードフレームを作製する。
（３）ワイヤボンド工程、及び封止工程などを実施する。
　しかし、このような方法では、ロール状の接着フィルムから接着フィルムの個片を切り出し、更に、切り出した接着フィルムの個片をリードフレームへ接着させるための、専用の組立装置が必要となる。そのため、銀ペーストを使用する方法に比べて、製造コストが割高になる点で改善が望まれる。
　一方、上記ウェハ裏面貼付け方式で半導体装置を製造する場合、代表的な製造工程は、下記（１）～（３）を含む。
（１）半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付け、更に接着フィルムの上にダイシングテープを貼り合わせる。
（２）ダイシング工程を実施し、接着フィルムが付いた状態で半導体ウェハを個片化する。
（３）得られた接着フィルム付き半導体チップの各個片をピックアップし、これをリードフレームに貼り付ける。
（４）その後、加熱によって接着フィルムを硬化させる工程、ワイヤボンド工程、及び封止工程などを実施する。
　このような方法では、接着フィルムと半導体ウェハとを一緒に個片化し、接着フィルム付き半導体チップを作製するため、独立して接着フィルムを個片化する装置が不要となる。そのため、従来の銀ペーストを用いた場合に使用される組立装置をそのまま使用できるか、又は組立装置に熱盤を付加するなど、上記装置を一部改良するだけで良く、製造コストを比較的安く抑えることができる。しかし、この方法は、ダイシング工程までに、接着フィルムの貼付と、それに続くダイシングテープの貼付との２回の貼付工程が必要である。
　そこで、２回の貼付工程を必要とせず、１回の貼付工程で済む、接着性を有するフィルム部材の開発が進められている。そのようなフィルム部材の一例として、予め、接着フィルムとダイシングテープとを貼り合わせた「ダイボンドダイシングシート」、又はダイシング工程とダイボンド工程との両方に使用できるシート等が知られている。
　一例として、基材／粘着剤層／接着剤層／剥離性シートの４層構造を有するダイボンドダイシングシートが挙げられる（例えば、特許文献１）。特許文献１では、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、剥離性シート１０の上にディスク形状の接着剤層（ダイボンド材）１２を形成し、その上に上記接着剤層１２よりも一回り大きいディスク形状の粘着剤層１３を積層し、更に、粘着剤層１３と同じ大きさと形状を持つ基材１４を積層することによって、上記シートを作製している。また、特許文献１では、上記粘着剤層１３を放射線硬化型粘着剤から構成し、放射線硬化後の弾性率を所定の範囲に維持することによって、ダイシング工程後のエキスパンディング性及びピックアップ性が良好になることを開示している。その他、基材／接着剤層／剥離性シートの３層構造を有するダイボンドダイシングシートも知られている。
　従来から、ダイシング工程では、ブレードと呼ばれる刃物を用いてウェハの個片化が実施されている。しかし、ウェハの薄型化とチップの小型化に伴い、近年、ダイシングテープの延伸によってチップを個片化する、ステルスダイシング法が適用されつつある。上記ステルスダイシング法は、代表的に、図２に示すように、以下の工程を有する。なお、図２の例示は、上述の３層構造のダイボンドダイシングシートを使用した場合に対応している。
（１）通常の半導体ウェハ３０にレーザーを照射し、ウェハ内部に改質部３０ａを形成する（図２（ａ））。
（２）ダイボンドダイシングシートの剥離性シート１０を剥離して、接着剤層１２を露出させる（図２（ｂ））。
（３）接着剤層１２の上記露出面に、改質部３０ａを有するウェハ３０及びダイシング用リング４０を貼り合わせる（図２（ｃ））。
（４）エキスパンド治具５０を用いて、基材１４及び粘着剤層１３（ダイシングテープ）を延伸することにより、ウェハをエキスパンド分断してチップに個片化する（図２（ｄ））。
特開平７－０４５５５７号公報
　上記ステルスダイシング法によるダイシング工程において、４層構造のダイボンドダイシングシート（図１参照）を適用する場合、代表的に、図３に示すように、以下の工程によって、半導体装置を製造することができる。
（１）ダイボンドダイシングシートの剥離性シート１０を剥離して、接着剤層１２及び粘着剤層１３の一部を露出させる（図３（ａ））。なお、上記粘着剤層１３の露出部は、帯状円環形状を有し、ダイシング用リングの載置領域となる。
（２）次に、上記粘着剤層１３の露出部の上にダイシング用リング４０を載置し、リング内側の所定の位置（接着剤層１２の上）に、先にレーザーによって改質部３０ａを形成した半導体ウェハ３０を載置する（図３（ｂ）及び（ｃ））。
（３）次に、エキスパンド治具５０を用いて、基材１４及び粘着剤層１３（ダイシングテープ）を延伸することによって、半導体ウェハ３０と接着剤層１２とを同時に分断し、接着剤層付き半導体チップ（１２ｂ及び３０ｂ）を作製する（図３（ｄ））。
（４）上記接着剤層付き半導体チップを粘着剤層１３の表面からピックアップし、リードフレーム上に載置し、加熱及び接合（ダイボンド）する。引き続きワイヤボンド処理を行い、封止材を用いて半導体チップを封止する（不図示）。
　しかし、上述の製造方法では、フィルム状の接着剤層に貼り付けた半導体ウェハ（図３（ｃ）及び（ｄ）参照）に対して、エキスパンド分断を実施し、接着剤層とウェハとを同時に個片化する工程を行った場合、接着剤層の一部が剥離し、半導体ウェハの上面に付着する不具合が生じることがある。これは、ＤＡＦ（Die Attach Film）飛散と呼ばれる。ＤＡＦ飛散は、より詳細には、図４に示すように、半導体ウェハ３０の外側に位置し、半導体ウェハと非接触となる接着剤層の部分１２ｃ（図４（ａ））が、エキスパンド分断時の衝撃によって、粘着剤層１３から剥離及び飛散し、上記半導体ウェハの分断後に得られる半導体チップ３０ｂの上面に付着する現象である（（図４（ｂ））。図４（ｂ）中、参照符号１２ｃ’は、飛散し、チップ上面に付着した接着剤層を示す。このように、飛散した接着剤層が付着したチップは、ピックアップができなくなり、生産性が低下するため、改善が望まれている。
　このような状況に鑑み、本発明は、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離、及び上記接着剤層の飛散、さらに半導体チップへの付着といった問題を改善することができる、ダイボンドダイシングシートを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明者らは種々検討した結果、接着剤層の大きさを、半導体ウェハと同じに設定するか、あるいは半導体ウェハに近い大きさに設定することでエキスパンド分断時の接着剤層の飛散を防ぐことができることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下の事項に関する。
　（１）半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第１の基材と、上記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、上記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、上記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層の端部と、上記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシート。
　（２）上記半導体素子搭載用支持部材が、半導体ウェハである、上記（１）に記載のダイボンドダイシングシート。
　（３）上記第１の基材が長尺形状を有し、上記長尺形状の第１の基材の上面に、上記接着剤層と、上記粘着剤層と、上記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ上記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた、上記（１）又は（２）に記載のダイボンドダイシングシート。
　（４）上記第２の基材が、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断時に破断しないダイシングシート基材である、上記（１）～（３）のいずれか１つに記載のダイボンドダイシングシート。
　（５）ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記分断工程が、
（ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
（ｉｉ）上記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、上記ダイボンドダイシングシートの上記第１の基材を剥離することによって上記接着層を露出させ、引き続き、上記接着剤層と上記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
（ｉｉｉ）上記ダイボンドダイシングシートの上記第２の基材及び上記粘着剤層をエキスパンドすることによって、上記半導体素子搭載用支持部材と上記接着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の上記半導体素子搭載用支持部材を得る工程
を有し、上記ダイボンドダイシングシートとして、上記（１）～（４）のいずれか１つに記載のダイボンドダイシングシートを使用する、製造方法。
　（６）上記工程（ｉｉｉ）が、上記第２の基材及び上記粘着剤層が分断されないエキスパンドの条件下で実施される、上記（５）に記載の製造方法。
　本願の開示は、２０１４年５月２３日に出願された日本国特許出願番号２０１４－１０７２５１号に記載の主題と関連しており、その明細書の開示内容は参照のためここに援用される。
　本発明によれば、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着といった問題を改善することができる。
ダイボンドダイシングシートの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を説明する模式的断面図である。 ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を説明する模式的断面図である。 エキスパンドによる分断工程時のＤＡＦ飛散を説明する模式的断面図であり、（ａ）はエキスパンド前の状態を示し、（ｂ）はエキスパンド後の状態を示す。 本発明のダイボンドダイシングシートの一実施形態を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。 本発明のダイボンドダイシングシートの構造を説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。
　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
（ダイボンドダイシングシート）
　本発明の第１の態様は、ダイシング工程によって分断される半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用する、ダイボンドダイシングシートに関する。ここで、上記半導体素子搭載用支持部材とは、半導体素子を搭載する基板を構成するものであり、半導体素子の製造時に個片化され得る材料から構成される部材を意味する。一実施形態として、半導体ウェハとして知られるシリコン製半導体素子用基板、又は他の半導体材料から構成される半導体素子用基板が挙げられる。
　図５は、本発明のダイボンドダイシングシートの一実施形態を模式的に示す図である。図５に示すように、本発明のダイボンドダイシングシートは、剥離性の第１の基材１０と、上記第１の基材１０の片面上に設けられた接着剤層１２と、上記接着剤層１２の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層１２と重ならない周縁部１３ａを有する粘着剤層１３と、上記粘着剤層１３の上面に設けられた第２の基材１４とを有する。
　図６は、本発明のダイボンドダイシングシートの構造を説明するための図である。図６は、図５に示した本発明のダイボンドダイシングシートの上記第１の基材１０を剥離した後に、半導体素子搭載用支持部材（半導体ウェハ）に貼り付けた状態を示している。図６（ｂ）に具体的に示すように、本発明のダイボンドダイシングシートにおいて、上記接着剤層１２の平面外形は、上記半導体素子搭載用支持部材３０の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層１２の端部と、上記支持部材３０の端部との間隔Ｄが、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下であることを特徴とする。
　ここで、エキスパンド時の接着剤層の飛散防止が容易となる観点から、上記間隔Ｄは、１２ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、８ｍｍ以下がさらに好ましい。一方、半導体ウェハと上記シートとの貼合工程での位置ズレ、及び装置精度の観点から、上記間隔Ｄとして、少なくとも１ｍｍは必要である。また、ダイボンドダイシングテープ作製時に、接着剤層の位置と、粘着剤層及び第２の基材との位置合わせを行なう必要があることを考慮すると、上記間隔Ｄは、２ｍｍ以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であることがより好ましい。以上のように、製造面と装置精度とを併せて考えると、一実施形態として、上記間隔Ｄは、１～１２ｍｍの範囲であることが好ましく、２～１０ｍｍの範囲であることがより好ましく、３～８ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。
　一実施形態として、上記ダイボンドダイシングシートは、上記第１の基材が長尺形状を有し、上記長尺形状の第１の基材の上面に、上記接着材層と、上記粘着剤層と、上記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ上記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた形状を有する。
　本発明のダイボンドダイシングシートは、上述の所定の形状を有すればよく、当技術分野で公知の材料を用いて構成することができる。特に限定するものではないが、各層の構成例は、以下のとおりである。
（第１の基材）
　剥離性の第１の基材は、当技術分野で保護フィルムとして周知のものを使用することができる。例えば、一実施形態において、プラスチックフィルムを使用することが好ましい。プラスチックフィルムの具体例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。別の実施形態として、紙、不織布、金属箔などを使用することもできる。上記第１の基材は、シートの保護を目的とするものであり、使用時に剥離されるため、基材の剥離面を、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの離型剤で予め処理しておくことが好ましい。また、第１の基材の厚みは、作業性を損なわない範囲で適宜選択することができる。通常は、１０００μｍ以下の厚みである。一実施形態として、第１の基材の厚みは、好ましくは１～１００μｍ、より好ましくは２～２０μｍである。さらに好ましくは３～１０μｍである。
（接着剤層）
　接着剤層は、半導体チップの接着（接合）に使用される公知の種々の接着剤を用いて構成することができる。接着剤は、ダイシング時に半導体ウェハを固定することができ、ウェハ切断後はダイボンド材として機能し、半導体チップをチップ搭載用基板に容易に接合できるものが好ましい。このような観点から、接着剤層と粘着剤層との界面における、ＵＶ照射前の剥離強度が、適切な範囲となるように、接着剤を調整することが好ましい。例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び酸素反応性接着剤からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。特に限定するものではないが、エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、アクリル樹脂、及び無機フィラーを含む接着剤を使用することができる。上記接着剤の一実施形態において、各成分の割合は、重量比で、順に、１０：５：５：８の割合であることが好ましい。
　接着剤層は、塗布法などの公知の方法に従って、上記第１の基材上に接着剤を適用することによって形成することができる。接着剤層の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、１～２００μｍの範囲とすることが望ましい。接着層の厚みを１μｍ以上にすることで、十分なダイボンド接着力を確保することが容易となる。一方、２００μｍを超える厚みとした場合、特性上の利点はなく、不経済である。このような観点から、一実施形態として、上記厚みは、好ましくは３～１５０μｍ、更に好ましくは１０～１００μｍである。
（粘着剤層）
　粘着剤層は、特に限定されるものではなく、当技術分野で公知の粘着剤を用いて構成することができる。粘着剤は、ダイシング時には接着剤層を介して半導体ウェハと第２の基材とを固定することができるが、ウェハ切断後に得られる半導体チップのピックアップ時には接着剤層との剥離が容易となるように、その構成成分を適切に調整することが好ましい。例えば、粘着剤として、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、及び側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。粘着剤は、温度や湿度、保管期間、酸素の有無などの保管環境によって、粘着性が変化し難い成分から構成されることが好ましく、保管環境によって粘着性が変化しないものがより好ましい。
　また、粘着剤は、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する成分を含んでもよい。そのような成分の中でも、高エネルギー線によって硬化する成分が好ましく、更には紫外線によって硬化する成分が特に好ましい。粘着剤が、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する成分を含む場合、硬化処理によって粘着剤の粘着力を低下させることができる。
（第２の基材）
　第２の基材は、当技術分野でダイシングシートに用いられる周知の基材であってよい。上記基材としては、特に限定されるものではなく、先に第１の基材として例示した各種プラスチックフィルムを使用することができる。上記基材は、単層構造として、複数のフィルムを積層した多層構造としてもよい。すなわち、一実施形態において、上記基材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、及びポリイミドフィルムからなる群から選択される少なくとも１種を使用して構成することが好ましい。ダイシングシート基材は、エキスパンド時に優れた伸張性を示すことが好ましい。このような観点から、一実施形態では、ポリオレフィン系フィルムを使用することが好ましい。なお、ダイシングシート基材の厚みは、通常１０～５００μｍ、好ましくは５０～２００μｍの範囲である。
　上記ダイボンドダイシングシートは、当技術分野で周知の方法によって製造することができる。上記ダイボンドダイシングシートは、例えば、第１又は第２の基材上に、塗布法によって接着剤層及び粘着剤層を順次形成することによって製造することができる。別法として、第１の基材上に形成した接着層と、第２の基材上に形成した粘着剤層とを互いに貼り合わせることによって製造することもできる。
　本発明の第２の態様は、本発明のダイボンドダイシングシートを使用する半導体装置の製造方法に関する。上記製造方法は、半導体ウェハの裏面に上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層を貼り付ける工程と、上記半導体ウェハと上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層とを同時に個片化する分断工程と、個片化された接着剤層付半導体ウェハ（チップ）をピックアップし、リードフレームに固定する工程と、ワイヤボンド工程と、封止工程とを含む。上記分断工程では、当技術分野で周知の分断方法を適用できるが、エキスパンドによる分断方法が好ましい。特に、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる方法を適用することが好ましい。
　本発明の好ましい一実施形態は、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含み、上記分断工程において本発明の第１の態様であるダイボンドダイシングシートを使用する、半導体装置の製造方法に関する。このような実施形態によれば、エキスパンド時のＤＡＦ飛散を抑制することが可能となるため、歩留まりよく半導体チップを得ることができ、半導体チップのピックアップ作業を良好に実施することもできる。このことにより、半導体装置の製造を効率よく実施することが可能となる。
　上記製造方法の一実施形態において、上記分断工程は、
（ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
（ii）上記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、上記ダイボンドダイシングシートの上記第１の基材を剥離することによって上記接着層を露出させ、引き続き、上記接着層と上記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
（iii）上記ダイボンドダイシングシートの上記第２の基材をエキスパンドすることによって、上記半導体素子搭載用支持部材と上記接着剤層及び上記粘着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の支持部材を得る工程、を有することが好ましい。
　ここで、上記工程（iii）は、エキスパンド時に上記第２の基材及び上記粘着剤層が分断されない条件下で実施されることが好ましい。通常、ダイシングシートは、ダイシングシート基材と、その上に設けられた粘着剤層とを有する。工程（iii）では、エキスパンドによって外力を加え、ダイシングシート（第２の基材及び粘着剤層）を延伸させる。半導体ウェハと接着剤層とを同時に分断することが容易となる点で、上記ダイシングシートの延伸量は大きい方が望ましい。一方、延伸量が大きくなりすぎると、ダイシングシート自体が破断しやすくなる。特に限定するものではないが、ダイシングシート基材として、アイオノマー樹脂を含む厚さ１００μｍのダイシングシート基材を用いた場合、－１５℃～０℃の温度、エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒、及びエキスパンド量が１０～１５ｍｍの条件下で、エキスパンドを実施することが好ましい。エキスパンドは、当技術分野で公知のエキスパンド治具を使用して実施することができる。
　本発明による半導体装置の製造方法は、上記分断工程に加えて、必要に応じて、（iv）粘着剤層の特性に応じて、紫外線などの活性エネルギーを照射する工程を有してもよい。上記粘着剤層が活性エネルギーの照射によって硬化する成分を含む場合、上記粘着剤層を硬化させることによって、上記接着剤層と上記粘着剤層との間の接着力を低下させることができる。
　本発明の製造方法の一実施形態は、上記分断工程で得た半導体チップを用いて、半導体装置を製造するための他の工程を含む。具体的には、上記（ｉ）～（iv）を含む切断工程に引き続き、（ｖ）各々の半導体チップを接着剤層が付いた状態で、粘着剤層から剥離及びピックアップし、次いで、この接着剤層付き半導体チップをリードフレーム等の支持部材の上に載置し、加熱及び接着する工程、（vi）ワイヤボンドする工程、（vii）封止材を用いて上記半導体チップを封止する工程を実施することによって、半導体装置を製造することができる。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
　厚み１００μｍで、直径３００ｍｍの半導体ウェハを準備した。上記半導体ウェハにレーザーを照射することによって、１０ｍｍ×１０ｍｍの格子状の改質部を形成した。また、剥離性の第１の基材上に、厚み６０μｍの接着剤層、厚み２０μｍの粘着剤層、及び厚み１５０μｍの第２の基材を有する、直径３０５ｍｍのダイボンドダイシングシートを準備した。この時、接着剤と、保護フィルム上の粘着剤層との界面における、ＵＶ照射前の剥離強度が、９０°ピール試験方法にて１．３Ｎ／２５ｍｍになるように、調整した。
　より具体的には、上記第１の基材として、ＰＥＴフィルムを使用した。上記接着剤層は、エポキシ樹脂と、フェノール硬化剤と、アクリル樹脂と、無機フィラーとを重量比で１０：５：５：８の割合で混合した熱硬化性材料を使用して形成した。上記粘着材層は、ＵＶ反応性成分を含むアクリル樹脂を使用して形成した。上記第２の基材として、アイオノマー樹脂製のフィルムを使用した。上記剥離強度は、例えば、ＵＶ反応性成分の使用量を変更することによって調整することができる。
　上記ダイボンドダイシングシートの第１の基材を剥離し、接着剤層を露出させた。上記ウェハに対して、１２ｍｍ／秒、７０℃で、上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層面を貼り付けた。次いで、上記シート付きウェハを、－１５℃の条件下、１００ｍｍ／秒の速度でダイシングテープを１２ｍｍ上方に押し上げるようにエキスパンドすることにより、ウェハの分断を行った。
　エキスパンド分断を行い、押し上げ冶具を押し上げ前の位置に戻した時点で、ウェハ周辺の接着剤層の剥がれ、及びウェハ上面への接着剤層の付着について、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。表における「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」の数は、評価したウェハの枚数に対応している。
　（評価基準）
　Ａ：接着剤層が粘着剤層から剥がれていない。また、接着剤層がウェハ上面に載っていない。
　Ｂ：接着剤層の一部が粘着剤層から剥がれている。しかし、剥がれた接着剤層はウェハ上面にまで達していない。
　Ｃ：接着剤層が粘着剤層から剥がれている。また、剥がれた接着剤層がウェハ上面にまで達している（飛散及び付着している）。
（実施例２）
　ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３１２ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
（実施例３）
　ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３０８ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
（実施例４）
　ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３０３ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
（比較例１）
　ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３２０ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
１０：剥離性の第１の基材（剥離性シート、保護フィルム）
１２：接着剤層、１２ｂ:分断された接着剤層、１２ｃ：半導体ウェハと非接触となる接着剤層の部分、 １２ｃ’：飛散して付着した接着剤層
１３：粘着剤層、１３ａ：周縁部
１４：第２の基材（ダイシングシート基材）
２０：レーザー源
３０：支持部材（半導体ウェハ）、３０ａ：レーザーによる改質部、３０ｂ：半導体チップ
４０：ダイシング用リング
５０：エキスパンド分断用冶具
Ｄ：接着剤層端部と粘着剤層端部との間隔

Claims (6)

  1. 　半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、
    　剥離性の第１の基材と、
    　前記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、
    　前記接着剤層の上面全体を覆い、かつ前記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、
    　前記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、
    　前記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ前記接着剤層の端部と、前記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシート。
  2. 　前記半導体素子搭載用支持部材が、半導体ウェハである、請求項１に記載のダイボンドダイシングシート。
  3. 　前記第１の基材が長尺形状を有し、前記長尺形状の第１の基材の上面に、前記接着剤層と、前記粘着剤層と、前記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ前記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた、請求項１又は２に記載のダイボンドダイシングシート。
  4. 　前記第２の基材が、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断時に破断しないダイシングシート基材である、請求項１～３のいずれか１項に記載のダイボンドダイシングシート。
  5. 　ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記分断工程が、
    （ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
    （ｉｉ）前記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、前記ダイボンドダイシングシートの前記第１の基材を剥離することによって前記接着剤層を露出させ、引き続き、前記接着剤層と前記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
    （ｉｉｉ）前記ダイボンドダイシングシートの前記第２の基材及び前記粘着剤層をエキスパンドすることによって、前記半導体素子搭載用支持部材と前記接着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の半導体素子搭載用支持部材を得る工程
    を有し、前記ダイボンドダイシングシートとして、請求項１～４のいずれか１項に記載のダイボンドダイシングシートを使用する、製造方法。
  6. 　前記工程（ｉｉｉ）が、前記第２の基材及び前記粘着剤層が分断されないエキスパンドの条件下で実施される、請求項５に記載の製造方法。
     
     
     
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102535477B1 (ko) * 2014-05-23 2023-05-23 가부시끼가이샤 레조낙 다이본드 다이싱 시트
JP6723644B2 (ja) * 2016-05-16 2020-07-15 株式会社ディスコ エキスパンドシート
KR102481244B1 (ko) * 2017-07-03 2022-12-26 린텍 가부시키가이샤 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102560374B1 (ko) * 2017-07-03 2023-07-28 린텍 가부시키가이샤 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7221649B2 (ja) * 2018-10-30 2023-02-14 株式会社ディスコ ウエーハの拡張方法およびウエーハの拡張装置
JP2020072139A (ja) * 2018-10-30 2020-05-07 株式会社ディスコ ウエーハの拡張方法およびウエーハの拡張装置
US11688718B2 (en) * 2021-09-07 2023-06-27 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of controlling warpage during LAB
CN117253853B (zh) * 2023-11-17 2024-02-02 西安天光半导体有限公司 一种半导体晶圆的切割工艺及一种半导体裸片

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356412A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012023203A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 接着フィルム装着装置
JP2013162012A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Hitachi Chemical Co Ltd ウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282056A (en) * 1979-01-04 1981-08-04 Tokujiro Okui Both-surface adhesive tape producing apparatus
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP3348923B2 (ja) 1993-07-27 2002-11-20 リンテック株式会社 ウェハ貼着用粘着シート
KR100468748B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-29 삼성전자주식회사 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
JP4770126B2 (ja) * 2003-06-06 2011-09-14 日立化成工業株式会社 接着シート
TWI318649B (en) * 2003-06-06 2009-12-21 Hitachi Chemical Co Ltd Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device
KR100885099B1 (ko) * 2003-12-15 2009-02-20 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프 및 그 제조방법
JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP4677758B2 (ja) * 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP5046366B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-10 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び該接着剤からなる接着層を備えたシート
JP2007150065A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
JP5157208B2 (ja) * 2006-03-20 2013-03-06 日立化成株式会社 ダイボンドダイシングシート
JP5286084B2 (ja) * 2006-07-19 2013-09-11 積水化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法
JP4822532B2 (ja) * 2006-11-27 2011-11-24 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
KR20120002556A (ko) * 2007-10-09 2012-01-05 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법 및 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011018803A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2011007732A1 (ja) * 2009-07-14 2011-01-20 日立化成工業株式会社 接着シートの製造方法及び接着シート
JP5174092B2 (ja) * 2009-08-31 2013-04-03 日東電工株式会社 ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法
JP2011174042A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5681374B2 (ja) * 2010-04-19 2015-03-04 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
US8975161B2 (en) * 2010-07-13 2015-03-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dicing/die bonding integral film, dicing/die bonding integral film manufacturing method, and semiconductor chip manufacturing method
TWI425066B (zh) * 2010-09-09 2014-02-01 Hitachi Chemical Co Ltd Preparation method of adhesive composition, circuit board for connecting circuit member, and manufacturing method of semiconductor device
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2012182402A (ja) * 2011-03-03 2012-09-20 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドシートおよびｌｅｄ用サファイヤ基板の加工方法
JP5916295B2 (ja) * 2011-04-22 2016-05-11 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープおよびウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する方法
CN103650114A (zh) * 2011-07-08 2014-03-19 住友电木株式会社 切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件
CN103305140A (zh) * 2012-03-13 2013-09-18 日东电工株式会社 半导体器件生产用耐热性压敏粘合带和使用其生产半导体器件的方法
JP5901422B2 (ja) * 2012-05-15 2016-04-13 古河電気工業株式会社 半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープ
TWI558649B (zh) * 2012-05-25 2016-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd 卷芯以及卷筒
KR102535477B1 (ko) * 2014-05-23 2023-05-23 가부시끼가이샤 레조낙 다이본드 다이싱 시트

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356412A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012023203A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd 接着フィルム装着装置
JP2013162012A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Hitachi Chemical Co Ltd ウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法

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