JP3222090U - ダイボンドダイシングシート - Google Patents

Abstract

【課題】ステルスダイシング法に沿った半導体装置の製造において、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着を防止することができるダイボンドダイシングシートを提供する。【解決手段】半導体素子搭載用支持部材（半導体ウェハ）に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第１の基材１０（保護フィルム）と、第１の基材の片面上に設けられた接着剤層１２と、接着剤層の上面全体を覆い、かつ接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層１３と、粘着剤層の上面に設けられた第２の基材１４（ダイシングシート基材）とを有し、接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材３０の平面外形よりも大きく、接着剤層の端部と、支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である。【選択図】図６

Description

本考案は、半導体装置を製造する際に好適に使用できるダイボンドダイシングシートに関する。

従来、半導体チップとリードフレーム等の支持部材との接合には、主に銀ペーストが使用されていた。しかし、近年の半導体チップの小型化及び高性能化に伴い、使用するリードフレームに対しても小型化及び細密化が要求されるようになってきている。上記要求に対し、上記接合のために銀ペーストを用いた場合、ペーストのハミ出し、又は半導体チップの傾きに起因して、ワイヤボンディング時に不具合が発生しやすい傾向がある。その他、接着剤層の膜厚の制御が困難であること、また接着剤層にボイドが発生しやすいこと等の理由から、銀ペーストを用いて上記要求に対処するには限界があった。

そこで、近年、銀ペーストに代えて、フィルム状接着剤及びフィルム状ダイボンド材等の接着性を有するフィルム部材を、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式で使用する接合方法が用いられるようになってきている。

上記個片貼付け方式で半導体装置を製造する場合、代表的な製造工程は、下記（１）〜（３）を含む。
（１）カッティングあるいはパンチングによって、ロール状（リール状）の接着フィルムから該接着フィルムの個片を切り出す。次いで、上記個片をリードフレームに貼り付ける。
（２）得られた接着フィルム付きリードフレームに、予めダイシング工程にて切断分離（ダイシング）した素子小片（半導体チップ）を載置する。次いで、これらを接合（ダイボンド）することによって、半導体チップ付きリードフレームを作製する。
（３）ワイヤボンド工程、及び封止工程などを実施する。
しかし、このような方法では、ロール状の接着フィルムから接着フィルムの個片を切り出し、更に、切り出した接着フィルムの個片をリードフレームへ接着させるための、専用の組立装置が必要となる。そのため、銀ペーストを使用する方法に比べて、製造コストが割高になる点で改善が望まれる。

一方、上記ウェハ裏面貼付け方式で半導体装置を製造する場合、代表的な製造工程は、下記（１）〜（３）を含む。
（１）半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付け、更に接着フィルムの上にダイシングテープを貼り合わせる。
（２）ダイシング工程を実施し、接着フィルムが付いた状態で半導体ウェハを個片化する。
（３）得られた接着フィルム付き半導体チップの各個片をピックアップし、これをリードフレームに貼り付ける。
（４）その後、加熱によって接着フィルムを硬化させる工程、ワイヤボンド工程、及び封止工程などを実施する。
このような方法では、接着フィルムと半導体ウェハとを一緒に個片化し、接着フィルム付き半導体チップを作製するため、独立して接着フィルムを個片化する装置が不要となる。そのため、従来の銀ペーストを用いた場合に使用される組立装置をそのまま使用できるか、又は組立装置に熱盤を付加するなど、上記装置を一部改良するだけで良く、製造コストを比較的安く抑えることができる。しかし、この方法は、ダイシング工程までに、接着フィルムの貼付と、それに続くダイシングテープの貼付との２回の貼付工程が必要である。

そこで、２回の貼付工程を必要とせず、１回の貼付工程で済む、接着性を有するフィルム部材の開発が進められている。そのようなフィルム部材の一例として、予め、接着フィルムとダイシングテープとを貼り合わせた「ダイボンドダイシングシート」、又はダイシング工程とダイボンド工程との両方に使用できるシート等が知られている。

一例として、基材／粘着剤層／接着剤層／剥離性シートの４層構造を有するダイボンドダイシングシートが挙げられる（例えば、特許文献１）。特許文献１では、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、剥離性シート１０の上にディスク形状の接着剤層（ダイボンド材）１２を形成し、その上に上記接着剤層１２よりも一回り大きいディスク形状の粘着剤層１３を積層し、更に、粘着剤層１３と同じ大きさと形状を持つ基材１４を積層することによって、上記シートを作製している。また、特許文献１では、上記粘着剤層１３を放射線硬化型粘着剤から構成し、放射線硬化後の弾性率を所定の範囲に維持することによって、ダイシング工程後のエキスパンディング性及びピックアップ性が良好になることを開示している。その他、基材／接着剤層／剥離性シートの３層構造を有するダイボンドダイシングシートも知られている。

従来から、ダイシング工程では、ブレードと呼ばれる刃物を用いてウェハの個片化が実施されている。しかし、ウェハの薄型化とチップの小型化に伴い、近年、ダイシングテープの延伸によってチップを個片化する、ステルスダイシング法が適用されつつある。上記ステルスダイシング法は、代表的に、図２に示すように、以下の工程を有する。なお、図２の例示は、上述の３層構造のダイボンドダイシングシートを使用した場合に対応している。
（１）通常の半導体ウェハ３０にレーザーを照射し、ウェハ内部に改質部３０ａを形成する（図２（ａ））。
（２）ダイボンドダイシングシートの剥離性シート１０を剥離して、接着剤層１２を露出させる（図２（ｂ））。
（３）接着剤層１２の上記露出面に、改質部３０ａを有するウェハ３０及びダイシング用リング４０を貼り合わせる（図２（ｃ））。
（４）エキスパンド治具５０を用いて、基材１４及び粘着剤層１３（ダイシングテープ）を延伸することにより、ウェハをエキスパンド分断してチップに個片化する（図２（ｄ））。

特開平７−０４５５５７号公報

上記ステルスダイシング法によるダイシング工程において、４層構造のダイボンドダイシングシート（図１参照）を適用する場合、代表的に、図３に示すように、以下の工程によって、半導体装置を製造することができる。
（１）ダイボンドダイシングシートの剥離性シート１０を剥離して、接着剤層１２及び粘着剤層１３の一部を露出させる（図３（ａ））。なお、上記粘着剤層１３の露出部は、帯状円環形状を有し、ダイシング用リングの載置領域となる。
（２）次に、上記粘着剤層１３の露出部の上にダイシング用リング４０を載置し、リング内側の所定の位置（接着剤層１２の上）に、先にレーザーによって改質部３０ａを形成した半導体ウェハ３０を載置する（図３（ｂ）及び（ｃ））。
（３）次に、エキスパンド治具５０を用いて、基材１４及び粘着剤層１３（ダイシングテープ）を延伸することによって、半導体ウェハ３０と接着剤層１２とを同時に分断し、接着剤層付き半導体チップ（１２ｂ及び３０ｂ）を作製する（図３（ｄ））。
（４）上記接着剤層付き半導体チップを粘着剤層１３の表面からピックアップし、リードフレーム上に載置し、加熱及び接合（ダイボンド）する。引き続きワイヤボンド処理を行い、封止材を用いて半導体チップを封止する（不図示）。

しかし、上述の製造方法では、フィルム状の接着剤層に貼り付けた半導体ウェハ（図３（ｃ）及び（ｄ）参照）に対して、エキスパンド分断を実施し、接着剤層とウェハとを同時に個片化する工程を行った場合、接着剤層の一部が剥離し、半導体ウェハの上面に付着する不具合が生じることがある。これは、ＤＡＦ（Die Attach Film）飛散と呼ばれる。ＤＡＦ飛散は、より詳細には、図４に示すように、半導体ウェハ３０の外側に位置し、半導体ウェハと非接触となる接着剤層の部分１２ｃ（図４（ａ））が、エキスパンド分断時の衝撃によって、粘着剤層１３から剥離及び飛散し、上記半導体ウェハの分断後に得られる半導体チップ３０ｂの上面に付着する現象である（（図４（ｂ））。図４（ｂ）中、参照符号１２ｃ’は、飛散し、チップ上面に付着した接着剤層を示す。このように、飛散した接着剤層が付着したチップは、ピックアップができなくなり、生産性が低下するため、改善が望まれている。

このような状況に鑑み、本考案は、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離、及び上記接着剤層の飛散、さらに半導体チップへの付着といった問題を改善することができる、ダイボンドダイシングシートを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本考案者らは種々検討した結果、接着剤層の大きさを、半導体ウェハと同じに設定するか、あるいは半導体ウェハに近い大きさに設定することでエキスパンド分断時の接着剤層の飛散を防ぐことができることを見出し、本発明を完成するに至った。本考案は、以下の事項に関する。

（１）半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、剥離性の第１の基材と、上記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、上記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、上記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層の端部と、上記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシート。

（２）上記半導体素子搭載用支持部材が、半導体ウェハである、上記（１）に記載のダイボンドダイシングシート。

（３）上記第１の基材が長尺形状を有し、上記長尺形状の第１の基材の上面に、上記接着剤層と、上記粘着剤層と、上記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ上記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた、上記（１）又は（２）に記載のダイボンドダイシングシート。

（４）上記第２の基材が、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断時に破断しないダイシングシート基材である、上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載のダイボンドダイシングシート。

（５）ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記分断工程が、
（ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
（ｉｉ）上記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、上記ダイボンドダイシングシートの上記第１の基材を剥離することによって上記接着層を露出させ、引き続き、上記接着剤層と上記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
（ｉｉｉ）上記ダイボンドダイシングシートの上記第２の基材及び上記粘着剤層をエキスパンドすることによって、上記半導体素子搭載用支持部材と上記接着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の上記半導体素子搭載用支持部材を得る工程
を有し、上記ダイボンドダイシングシートとして、上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載のダイボンドダイシングシートを使用する、製造方法。

（６）上記工程（ｉｉｉ）が、上記第２の基材及び上記粘着剤層が分断されないエキスパンドの条件下で実施される、上記（５）に記載の製造方法。

本願の開示は、２０１４年５月２３日に出願された日本国特許出願番号２０１４−１０７２５１号に記載の主題と関連しており、その明細書の開示内容は参照のためここに援用される。

本考案によれば、エキスパンド時の粘着剤層からの接着剤層の剥離及び飛散、さらに半導体チップへの付着といった問題を改善することができる。

ダイボンドダイシングシートの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を説明する模式的断面図である。 ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を説明する模式的断面図である。 エキスパンドによる分断工程時のＤＡＦ飛散を説明する模式的断面図であり、（ａ）はエキスパンド前の状態を示し、（ｂ）はエキスパンド後の状態を示す。 本考案のダイボンドダイシングシートの一実施形態を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 本考案のダイボンドダイシングシートの構造を説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

以下、本考案の実施形態について詳細に説明する。
（ダイボンドダイシングシート）
本考案の第１の態様は、ダイシング工程によって分断される半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用する、ダイボンドダイシングシートに関する。ここで、上記半導体素子搭載用支持部材とは、半導体素子を搭載する基板を構成するものであり、半導体素子の製造時に個片化され得る材料から構成される部材を意味する。一実施形態として、半導体ウェハとして知られるシリコン製半導体素子用基板、又は他の半導体材料から構成される半導体素子用基板が挙げられる。

図５は、本考案のダイボンドダイシングシートの一実施形態を模式的に示す図である。図５に示すように、本考案のダイボンドダイシングシートは、剥離性の第１の基材１０と、上記第１の基材１０の片面上に設けられた接着剤層１２と、上記接着剤層１２の上面全体を覆い、かつ上記接着剤層１２と重ならない周縁部１３ａを有する粘着剤層１３と、上記粘着剤層１３の上面に設けられた第２の基材１４とを有する。
図６は、本考案のダイボンドダイシングシートの構造を説明するための図である。図６は、図５に示した本考案のダイボンドダイシングシートの上記第１の基材１０を剥離した後に、半導体素子搭載用支持部材（半導体ウェハ）に貼り付けた状態を示している。図６（ｂ）に具体的に示すように、本考案のダイボンドダイシングシートにおいて、上記接着剤層１２の平面外形は、上記半導体素子搭載用支持部材３０の平面外形よりも大きく、かつ上記接着剤層１２の端部と、上記支持部材３０の端部との間隔Ｄが、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下であることを特徴とする。

ここで、エキスパンド時の接着剤層の飛散防止が容易となる観点から、上記間隔Ｄは、１２ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、８ｍｍ以下がさらに好ましい。一方、半導体ウェハと上記シートとの貼合工程での位置ズレ、及び装置精度の観点から、上記間隔Ｄとして、少なくとも１ｍｍは必要である。また、ダイボンドダイシングテープ作製時に、接着剤層の位置と、粘着剤層及び第２の基材との位置合わせを行なう必要があることを考慮すると、上記間隔Ｄは、２ｍｍ以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であることがより好ましい。以上のように、製造面と装置精度とを併せて考えると、一実施形態として、上記間隔Ｄは、１〜１２ｍｍの範囲であることが好ましく、２〜１０ｍｍの範囲であることがより好ましく、３〜８ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。

一実施形態として、上記ダイボンドダイシングシートは、上記第１の基材が長尺形状を有し、上記長尺形状の第１の基材の上面に、上記接着材層と、上記粘着剤層と、上記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ上記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた形状を有する。

本考案のダイボンドダイシングシートは、上述の所定の形状を有すればよく、当技術分野で公知の材料を用いて構成することができる。特に限定するものではないが、各層の構成例は、以下のとおりである。
（第１の基材）
剥離性の第１の基材は、当技術分野で保護フィルムとして周知のものを使用することができる。例えば、一実施形態において、プラスチックフィルムを使用することが好ましい。プラスチックフィルムの具体例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。別の実施形態として、紙、不織布、金属箔などを使用することもできる。上記第１の基材は、シートの保護を目的とするものであり、使用時に剥離されるため、基材の剥離面を、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの離型剤で予め処理しておくことが好ましい。また、第１の基材の厚みは、作業性を損なわない範囲で適宜選択することができる。通常は、１０００μｍ以下の厚みである。一実施形態として、第１の基材の厚みは、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは２〜２０μｍである。さらに好ましくは３〜１０μｍである。

（接着剤層）
接着剤層は、半導体チップの接着（接合）に使用される公知の種々の接着剤を用いて構成することができる。接着剤は、ダイシング時に半導体ウェハを固定することができ、ウェハ切断後はダイボンド材として機能し、半導体チップをチップ搭載用基板に容易に接合できるものが好ましい。このような観点から、接着剤層と粘着剤層との界面における、ＵＶ照射前の剥離強度が、適切な範囲となるように、接着剤を調整することが好ましい。例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び酸素反応性接着剤からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。特に限定するものではないが、エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、アクリル樹脂、及び無機フィラーを含む接着剤を使用することができる。上記接着剤の一実施形態において、各成分の割合は、重量比で、順に、１０：５：５：８の割合であることが好ましい。

接着剤層は、塗布法などの公知の方法に従って、上記第１の基材上に接着剤を適用することによって形成することができる。接着剤層の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、１〜２００μｍの範囲とすることが望ましい。接着層の厚みを１μｍ以上にすることで、十分なダイボンド接着力を確保することが容易となる。一方、２００μｍを超える厚みとした場合、特性上の利点はなく、不経済である。このような観点から、一実施形態として、上記厚みは、好ましくは３〜１５０μｍ、更に好ましくは１０〜１００μｍである。

（粘着剤層）
粘着剤層は、特に限定されるものではなく、当技術分野で公知の粘着剤を用いて構成することができる。粘着剤は、ダイシング時には接着剤層を介して半導体ウェハと第２の基材とを固定することができるが、ウェハ切断後に得られる半導体チップのピックアップ時には接着剤層との剥離が容易となるように、その構成成分を適切に調整することが好ましい。例えば、粘着剤として、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、及び側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。粘着剤は、温度や湿度、保管期間、酸素の有無などの保管環境によって、粘着性が変化し難い成分から構成されることが好ましく、保管環境によって粘着性が変化しないものがより好ましい。

また、粘着剤は、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する成分を含んでもよい。そのような成分の中でも、高エネルギー線によって硬化する成分が好ましく、更には紫外線によって硬化する成分が特に好ましい。粘着剤が、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する成分を含む場合、硬化処理によって粘着剤の粘着力を低下させることができる。

（第２の基材）
第２の基材は、当技術分野でダイシングシートに用いられる周知の基材であってよい。上記基材としては、特に限定されるものではなく、先に第１の基材として例示した各種プラスチックフィルムを使用することができる。上記基材は、単層構造として、複数のフィルムを積層した多層構造としてもよい。すなわち、一実施形態において、上記基材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、及びポリイミドフィルムからなる群から選択される少なくとも１種を使用して構成することが好ましい。ダイシングシート基材は、エキスパンド時に優れた伸張性を示すことが好ましい。このような観点から、一実施形態では、ポリオレフィン系フィルムを使用することが好ましい。なお、ダイシングシート基材の厚みは、通常１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍの範囲である。

上記ダイボンドダイシングシートは、当技術分野で周知の方法によって製造することができる。上記ダイボンドダイシングシートは、例えば、第１又は第２の基材上に、塗布法によって接着剤層及び粘着剤層を順次形成することによって製造することができる。別法として、第１の基材上に形成した接着層と、第２の基材上に形成した粘着剤層とを互いに貼り合わせることによって製造することもできる。

本考案の第２の態様は、本考案のダイボンドダイシングシートを使用する半導体装置の製造方法に関する。上記製造方法は、半導体ウェハの裏面に上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層を貼り付ける工程と、上記半導体ウェハと上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層とを同時に個片化する分断工程と、個片化された接着剤層付半導体ウェハ（チップ）をピックアップし、リードフレームに固定する工程と、ワイヤボンド工程と、封止工程とを含む。上記分断工程では、当技術分野で周知の分断方法を適用できるが、エキスパンドによる分断方法が好ましい。特に、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる方法を適用することが好ましい。
本考案の好ましい一実施形態は、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含み、上記分断工程において本考案の第１の態様であるダイボンドダイシングシートを使用する、半導体装置の製造方法に関する。このような実施形態によれば、エキスパンド時のＤＡＦ飛散を抑制することが可能となるため、歩留まりよく半導体チップを得ることができ、半導体チップのピックアップ作業を良好に実施することもできる。このことにより、半導体装置の製造を効率よく実施することが可能となる。

上記製造方法の一実施形態において、上記分断工程は、
（ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
（ii）上記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、上記ダイボンドダイシングシートの上記第１の基材を剥離することによって上記接着層を露出させ、引き続き、上記接着層と上記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
（iii）上記ダイボンドダイシングシートの上記第２の基材をエキスパンドすることによって、上記半導体素子搭載用支持部材と上記接着剤層及び上記粘着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の支持部材を得る工程、を有することが好ましい。

ここで、上記工程（iii）は、エキスパンド時に上記第２の基材及び上記粘着剤層が分断されない条件下で実施されることが好ましい。通常、ダイシングシートは、ダイシングシート基材と、その上に設けられた粘着剤層とを有する。工程（iii）では、エキスパンドによって外力を加え、ダイシングシート（第２の基材及び粘着剤層）を延伸させる。半導体ウェハと接着剤層とを同時に分断することが容易となる点で、上記ダイシングシートの延伸量は大きい方が望ましい。一方、延伸量が大きくなりすぎると、ダイシングシート自体が破断しやすくなる。特に限定するものではないが、ダイシングシート基材として、アイオノマー樹脂を含む厚さ１００μｍのダイシングシート基材を用いた場合、−１５℃〜０℃の温度、エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒、及びエキスパンド量が１０〜１５ｍｍの条件下で、エキスパンドを実施することが好ましい。エキスパンドは、当技術分野で公知のエキスパンド治具を使用して実施することができる。

本考案による半導体装置の製造方法は、上記分断工程に加えて、必要に応じて、（iv）粘着剤層の特性に応じて、紫外線などの活性エネルギーを照射する工程を有してもよい。上記粘着剤層が活性エネルギーの照射によって硬化する成分を含む場合、上記粘着剤層を硬化させることによって、上記接着剤層と上記粘着剤層との間の接着力を低下させることができる。

本考案の製造方法の一実施形態は、上記分断工程で得た半導体チップを用いて、半導体装置を製造するための他の工程を含む。具体的には、上記（ｉ）〜（iv）を含む切断工程に引き続き、（ｖ）各々の半導体チップを接着剤層が付いた状態で、粘着剤層から剥離及びピックアップし、次いで、この接着剤層付き半導体チップをリードフレーム等の支持部材の上に載置し、加熱及び接着する工程、（vi）ワイヤボンドする工程、（vii）封止材を用いて上記半導体チップを封止する工程を実施することによって、半導体装置を製造することができる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本考案をより具体的に説明するが、本考案は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
厚み１００μｍで、直径３００ｍｍの半導体ウェハを準備した。上記半導体ウェハにレーザーを照射することによって、１０ｍｍ×１０ｍｍの格子状の改質部を形成した。また、剥離性の第１の基材上に、厚み６０μｍの接着剤層、厚み２０μｍの粘着剤層、及び厚み１５０μｍの第２の基材を有する、直径３０５ｍｍのダイボンドダイシングシートを準備した。この時、接着剤と、保護フィルム上の粘着剤層との界面における、ＵＶ照射前の剥離強度が、９０°ピール試験方法にて１．３Ｎ／２５ｍｍになるように、調整した。
より具体的には、上記第１の基材として、ＰＥＴフィルムを使用した。上記接着剤層は、エポキシ樹脂と、フェノール硬化剤と、アクリル樹脂と、無機フィラーとを重量比で１０：５：５：８の割合で混合した熱硬化性材料を使用して形成した。上記粘着材層は、ＵＶ反応性成分を含むアクリル樹脂を使用して形成した。上記第２の基材として、アイオノマー樹脂製のフィルムを使用した。上記剥離強度は、例えば、ＵＶ反応性成分の使用量を変更することによって調整することができる。

上記ダイボンドダイシングシートの第１の基材を剥離し、接着剤層を露出させた。上記ウェハに対して、１２ｍｍ／秒、７０℃で、上記ダイボンドダイシングシートの接着剤層面を貼り付けた。次いで、上記シート付きウェハを、−１５℃の条件下、１００ｍｍ／秒の速度でダイシングテープを１２ｍｍ上方に押し上げるようにエキスパンドすることにより、ウェハの分断を行った。

エキスパンド分断を行い、押し上げ冶具を押し上げ前の位置に戻した時点で、ウェハ周辺の接着剤層の剥がれ、及びウェハ上面への接着剤層の付着について、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。表における「Ａ」、「Ｂ」及び「Ｃ」の数は、評価したウェハの枚数に対応している。
（評価基準）
Ａ：接着剤層が粘着剤層から剥がれていない。また、接着剤層がウェハ上面に載っていない。
Ｂ：接着剤層の一部が粘着剤層から剥がれている。しかし、剥がれた接着剤層はウェハ上面にまで達していない。
Ｃ：接着剤層が粘着剤層から剥がれている。また、剥がれた接着剤層がウェハ上面にまで達している（飛散及び付着している）。

（実施例２）
ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３１２ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
（実施例３）
ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３０８ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。
（実施例４）
ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３０３ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。

（比較例１）
ダイボンドダイシングシートにおける接着剤層の外寸を直径３２０ｍｍに変更したことを除き、全て実施例１と同様にして、ダイボンドダイシングシートを作製した。次いで、得られたダイボンドダイシングシートを用い、実施例１と同様にして、ウェハの分断を行い、各評価を行なった。結果を表１に示す。

１０：剥離性の第１の基材（剥離性シート、保護フィルム）
１２：接着剤層、１２ｂ:分断された接着剤層、１２ｃ：半導体ウェハと非接触となる接着剤層の部分、 １２ｃ’：飛散して付着した接着剤層
１３：粘着剤層、１３ａ：周縁部
１４：第２の基材（ダイシングシート基材）
２０：レーザー源
３０：支持部材（半導体ウェハ）、３０ａ：レーザーによる改質部、３０ｂ：半導体チップ
４０：ダイシング用リング
５０：エキスパンド分断用冶具
Ｄ：接着剤層端部と粘着剤層端部との間隔

一方、上記ウェハ裏面貼付け方式で半導体装置を製造する場合、代表的な製造工程は、下記（１）〜（４）を含む。
（１）半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付け、更に接着フィルムの上にダイシングテープを貼り合わせる。
（２）ダイシング工程を実施し、接着フィルムが付いた状態で半導体ウェハを個片化する。
（３）得られた接着フィルム付き半導体チップの各個片をピックアップし、これをリードフレームに貼り付ける。
（４）その後、加熱によって接着フィルムを硬化させる工程、ワイヤボンド工程、及び封止工程などを実施する。
このような方法では、接着フィルムと半導体ウェハとを一緒に個片化し、接着フィルム付き半導体チップを作製するため、独立して接着フィルムを個片化する装置が不要となる。そのため、従来の銀ペーストを用いた場合に使用される組立装置をそのまま使用できるか、又は組立装置に熱盤を付加するなど、上記装置を一部改良するだけで良く、製造コストを比較的安く抑えることができる。しかし、この方法は、ダイシング工程までに、接着フィルムの貼付と、それに続くダイシングテープの貼付との２回の貼付工程が必要である。

従来から、ダイシング工程では、ブレードと呼ばれる刃物を用いてウェハの個片化が実施されている。しかし、ウェハの薄型化とチップの小型化に伴い、近年、ダイシングテープの延伸によってウェハを個片化する、ステルスダイシング法が適用されつつある。上記ステルスダイシング法は、代表的に、図２に示すように、以下の工程を有する。なお、図２の例示は、上述の３層構造のダイボンドダイシングシートを使用した場合に対応している。
（１）通常の半導体ウェハ３０にレーザーを照射し、ウェハ内部に改質部３０ａを形成する（図２（ａ））。
（２）ダイボンドダイシングシートの剥離性シート１０を剥離して、接着剤層１２を露出させる（図２（ｂ））。
（３）接着剤層１２の上記露出面に、改質部３０ａを有するウェハ３０及びダイシング用リング４０を貼り合わせる（図２（ｃ））。
（４）エキスパンド治具５０を用いて、基材１４及び粘着剤層１３（ダイシングテープ）を延伸することにより、ウェハをエキスパンド分断してチップに個片化する（図２（ｄ））。

ここで、エキスパンド時の接着剤層の飛散防止が容易となる観点から、上記間隔Ｄは、１２ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、８ｍｍ以下がさらに好ましい。一方、半導体ウェハと上記シートとの貼合工程での位置ズレ、及び装置精度の観点から、上記間隔Ｄとして、少なくとも１ｍｍは必要である。また、ダイボンドダイシングシート作製時に、接着剤層の位置と、粘着剤層及び第２の基材との位置合わせを行なう必要があることを考慮すると、上記間隔Ｄは、２ｍｍ以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であることがより好ましい。以上のように、製造面と装置精度とを併せて考えると、一実施形態として、上記間隔Ｄは、１〜１２ｍｍの範囲であることが好ましく、２〜１０ｍｍの範囲であることがより好ましく、３〜８ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。

上記製造方法の一実施形態において、上記分断工程は、
（ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
（ｉｉ）上記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、上記ダイボンドダイシングシートの上記第１の基材を剥離することによって上記接着層を露出させ、引き続き、上記接着層と上記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
（ｉｉｉ）上記ダイボンドダイシングシートの上記第２の基材及び上記粘着剤層をエキスパンドすることによって、上記半導体素子搭載用支持部材と上記接着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の支持部材を得る工程、を有することが好ましい。

Claims (6)

1. 半導体素子搭載用支持部材に貼り付けて使用するダイボンドダイシングシートであって、
   剥離性の第１の基材と、
   前記第１の基材の片面上に設けられた接着剤層と、
   前記接着剤層の上面全体を覆い、かつ前記接着剤層と重ならない周縁部を有する粘着剤層と、
   前記粘着剤層の上面に設けられた第２の基材とを有し、
   前記接着剤層の平面外形が、半導体素子搭載用支持部材の平面外形よりも大きく、かつ前記接着剤層の端部と、前記支持部材の端部との間隔が、１ｍｍ以上、１２ｍｍ以下である、ダイボンドダイシングシート。
2. 前記半導体素子搭載用支持部材が、半導体ウェハである、請求項１に記載のダイボンドダイシングシート。
3. 前記第１の基材が長尺形状を有し、前記長尺形状の第１の基材の上面に、前記接着剤層と、前記粘着剤層と、前記第２の基材とを含む積層体が島状に複数配置され、かつ前記第１の基材の上面を内側にして長手方向にロール状に巻き取られた、請求項１又は２に記載のダイボンドダイシングシート。
4. 前記第２の基材が、ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断時に破断しないダイシングシート基材である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイボンドダイシングシート。
5. ステルスダイシング法に従って実施されるエキスパンドによる分断工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記分断工程が、
   （ｉ）半導体素子搭載用支持部材にレーザーを照射し、改質部を形成する工程、
   （ｉｉ）前記半導体素子搭載用支持部材と、剥離性の第１の基材、接着剤層、粘着剤層及び第２の基材を順次有するダイボンドダイシングシートとを貼り合せる工程であって、前記ダイボンドダイシングシートの前記第１の基材を剥離することによって前記接着剤層を露出させ、引き続き、前記接着剤層と前記半導体素子搭載用支持部材とを貼り合せる工程、次いで、
   （ｉｉｉ）前記ダイボンドダイシングシートの前記第２の基材及び前記粘着剤層をエキスパンドすることによって、前記半導体素子搭載用支持部材と前記接着剤層とを同時に分断し、個片化した接着剤層付の半導体素子搭載用支持部材を得る工程
   を有し、前記ダイボンドダイシングシートとして、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイボンドダイシングシートを使用する、製造方法。
6. 前記工程（ｉｉｉ）が、前記第２の基材及び前記粘着剤層が分断されないエキスパンドの条件下で実施される、請求項５に記載の製造方法。