WO2020218530A1 - ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法 - Google Patents

ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法 Download PDF

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layer
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圭 板垣
義信 尾崎
紘平 谷口
慎太郎 橋本
達也 矢羽田
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日立化成株式会社
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present disclosure is supported and first by a substrate, a first chip arranged on the substrate, a plurality of support pieces arranged on the substrate and around the first chip, and a plurality of support pieces.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip arranged so as to cover the chip.
  • the present disclosure also relates to a method for manufacturing a support piece used for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure.
  • a dolmen (dolmen) is a kind of stone tomb, and has a plurality of pillar stones and a plate-shaped rock placed on the pillar stone.
  • a support piece corresponds to a "dolmen"
  • a second chip corresponds to a "plate-shaped rock".
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor die assembly including a controller die and a memory die supported by a support member on the controller die. It can be said that the semiconductor assembly 100 illustrated in FIG. 1A of Patent Document 1 has a dolmen structure.
  • the semiconductor assembly 100 includes the package substrate 102, the controller dies 103 arranged on the surface of the package substrate 102, the memory dies 106a and 106b arranged above the controller dies 103, and the support members 130a and 130b for supporting the memory dies 106a. To be equipped.
  • Patent Document 1 discloses that a semiconductor material such as silicon can be used as a support member (support piece), and more specifically, a fragment of the semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer can be used (Patent Document 1). 1 [0012], [0014] and FIG. 2). In order to manufacture a support piece for a dolmen structure using a semiconductor wafer, for example, the following steps are required as in the case of manufacturing a normal semiconductor chip.
  • Step of attaching back grind tape to semiconductor wafer (2) Step of back grinding semiconductor wafer (3) Adhesive layer and adhesive layer for dicing ring and semiconductor wafer after back grind placed in it Step of pasting a film (dicing / die bonding integrated film) with and (4) Step of peeling back grind tape from semiconductor wafer (5) Step of fragmenting semiconductor wafer (6) Semiconductor chip and adhesive piece A process of picking up a support piece made of a laminated body from an adhesive layer
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a support piece which can efficiently manufacture a support piece used for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and can contribute to an improvement in the production efficiency of the semiconductor device.
  • the present disclosure also provides a method for efficiently manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure by using the support piece.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a support piece used for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure.
  • the first aspect of the manufacturing method according to the present disclosure includes the following steps.
  • (A) Step of preparing a laminated film including a base film, an adhesive layer, and a support piece forming film in this order (B) By individualizing the support piece forming film on the surface of the adhesive layer Step of forming a plurality of support pieces (C) A step of picking up a support piece with the support piece pushed up from the side of the base film by a plurality of needles
  • the support piece forming film is one of the following films. Is. -A film composed of a thermosetting resin layer-A film composed of a layer obtained by curing at least a part of the thermosetting resin layer-A thermosetting resin layer and a resin layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer A multilayer film having a
  • the second aspect of the manufacturing method according to the present disclosure includes the following steps.
  • the film for forming the support piece is the following film. Any one.
  • thermosetting resin layer-A film composed of a thermosetting resin layer-A film composed of a layer obtained by curing at least a part of the thermosetting resin layer-A thermosetting resin layer and a resin layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer
  • the resin layer of the support piece forming film is, for example, a polyimide layer.
  • the resin layer is made of, for example, a material different from that of the thermosetting resin layer.
  • the metal layer of the support piece forming film is, for example, a copper layer or an aluminum layer.
  • the rigidity of the thermosetting resin layer after heat curing may be lower or higher than the rigidity of the resin layer or the metal layer. Rigidity means the ability of an object to withstand fracture against bending or twisting.
  • a support piece obtained by individualizing a support piece forming film is used.
  • the process of manufacturing the support piece can be simplified as compared with the conventional manufacturing method in which a fragment of the semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer is used as the support piece. That is, while the above-mentioned steps (1) to (6) have been conventionally required, since the support piece forming film does not include the semiconductor wafer, the back grind of the semiconductor wafer (1), (2) and The step (4) can be omitted.
  • the thermosetting resin layer has adhesiveness to other members (for example, a substrate), it is not necessary to separately provide an adhesive layer or the like on the support piece.
  • the pick-up property of the support piece from the adhesive layer is the ease of peeling the interface between the support piece and the adhesive layer (hereinafter referred to as "interface peeling") and the edge of the support piece.
  • interface peeling Depends on the ease of peeling from the pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter referred to as "edge peeling”).
  • edge peeling Depends on the ease of peeling from the pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter referred to as "edge peeling”).
  • step (C) of the manufacturing method according to the first aspect by pushing up the support piece with a plurality of needles, the interface between the support piece and the adhesive layer is likely to be peeled off, and the support piece has excellent pick-up property from the adhesive layer. Can be achieved.
  • the manufacturing method according to the second aspect is based on the findings obtained by the present inventors from the following phenomena. That is, for example, even after forming a plurality of support pieces on the surface of the ultraviolet curable adhesive layer and then reducing the adhesive force of the adhesive layer by ultraviolet irradiation, sufficient pickup is performed in the support piece pick-up process. A phenomenon occurred in which sex could not be achieved. In order to improve this, the present inventors examined the type of push-up device used in the pickup process. As a result, it was found that a push-up device including a member having a flat tip surface is effective in improving the peelability of the edge of the support piece.
  • the support piece By pushing up the support piece from the side of the base film with a flat tip surface, it is possible to suppress the marks caused by the push-up on the support piece as compared with the case where the support piece is pushed up by a plurality of needles, and the support piece The edges can be efficiently peeled from the adhesive layer.
  • the situation where the edge of the support piece is difficult to peel off is not limited to the case where the ultraviolet curable adhesive layer is adopted, and even when the pressure-sensitive adhesive layer is adopted, for example, a film for forming the support piece is individually used. When it is separated, it may occur when a part of the base film is also cut beyond the support piece forming film and the adhesive layer.
  • the step (B) may include a step of forming a notch halfway in the thickness direction of the support piece forming film and a step of individualizing the cooled support piece forming film by expansion in this order. ..
  • the support piece forming film is a multilayer film having a thermosetting resin layer and a resin layer or a metal layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer, (A) from the same viewpoint.
  • the thermosetting resin layer is located between the resin layer or the metal layer and the adhesive layer, and in the step (B), the resin layer or the metal layer of the support piece forming film is cut.
  • a step of forming a notch in the middle of the heat-curable resin layer in the thickness direction and a step of individualizing the film for forming a support piece in a cooled state by expansion may be included in this order.
  • the thermosetting resin layer is half-cut, the thermosetting resin layer is separated into individual pieces by cool expansion, so that the edges of the adhesive pieces do not enter the adhesive layer, so that the pick-up property is excellent. Can be achieved even more highly.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure.
  • This manufacturing method includes the following steps.
  • (E) A plurality of support pieces manufactured by the manufacturing method according to the present disclosure are placed on the substrate around the first chip or by the first chip. Step of arranging around the area to be arranged
  • step (D) or step (E) may be carried out first.
  • a plurality of support pieces may be arranged on the substrate and around the first chip.
  • a plurality of support pieces are arranged around the region on the substrate on which the first chip should be arranged, and then (D). In the process, the first chip may be placed in the region.
  • a method for manufacturing a support piece which can efficiently manufacture a support piece used for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and can contribute to an improvement in the production efficiency of the semiconductor device. .. Further, the present disclosure provides a method for efficiently manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure by using the support piece.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the semiconductor device according to the present disclosure.
  • 2 (a) and 2 (b) are plan views schematically showing an example of the positional relationship between the first chip and the plurality of support pieces.
  • FIG. 3A is a plan view schematically showing an example of a laminated film for forming a support piece
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a step of bonding the adhesive layer and the support piece forming film.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view schematically showing a state in which a dicing ring is attached to the peripheral region of the adhesive layer, and FIG.
  • FIG. 5B is a schematic view in a state in which the support layer forming film is fragmented.
  • 5 (c) is a cross-sectional view schematically showing a state in which the distance between adjacent support pieces is widened by expansion.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the inner region of the base film is heated by blowing a heater
  • FIG. 6B is a state in which the support piece is pushed up by a plurality of needles. It is sectional drawing which shows typically the state of picking up a piece.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing how the support piece is pushed up by a plurality of needles from the side of the base film.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a plurality of support pieces are arranged on the substrate and around the first chip.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an example of a chip with an adhesive piece.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a dolmen structure formed on the substrate.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the support piece is picked up in a state where the support piece is pushed up by a member having a flat tip surface.
  • 12 (a) to 12 (c) are cross-sectional views schematically showing how the edge of the support piece is peeled off from the adhesive layer by pushing up the support piece with a multi-stage push-up device.
  • FIG. 13A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the support piece forming film is half-cut
  • FIG. 13B is a plan view schematically showing an example of the half-cut support piece forming film.
  • Is. 14 (a) and 14 (b) are cross-sectional views schematically showing other embodiments of the support piece forming laminated film.
  • 15 (a) is a cross-sectional view schematically showing a state in which the double-layer film shown in FIG. 14 (a) is half-cut
  • FIG. 15 (b) is a half-cut view of the three-layer film shown in FIG. 14 (b). It is sectional drawing which shows typically the state.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid
  • (meth) acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate
  • a or B may include either A or B, or both.
  • the term “layer” includes not only a structure having a shape formed on the entire surface but also a structure having a shape partially formed when observed as a plan view.
  • the term “process” is used not only as an independent process but also as a term as long as the desired action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. included.
  • the numerical range indicated by using "-” indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the content of each component in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition. means.
  • the exemplary materials may be used alone or in combination of two or more.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of one step may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another step.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device having a dolmen structure.
  • the semiconductor device 100 shown in this figure includes a substrate 10, a chip T1 (first chip) arranged on the surface of the substrate 10, and a plurality of chips T1 arranged on the surface of the substrate 10 and around the chip T1.
  • the support piece Dc, the chip T2 (second chip) arranged above the chip T1, the adhesive piece Tc sandwiched between the chip T2 and the plurality of support pieces Dc, and the chip T2 are laminated.
  • a stopper 50 is provided.
  • a dolmen structure is formed on the substrate 10 by a plurality of support pieces Dc, a chip T2, and an adhesive piece Tc located between the support piece Dc and the chip T2.
  • the chip T1 is separated from the adhesive piece Tc.
  • the adhesive piece Tc between the chip T1 and the chip T2 covers the region of the chip T2 facing the chip T1 and continuously extends from the region to the peripheral edge side of the chip T2. There is. That is, one adhesive piece Tc covers the region of the chip T2 and is interposed between the chip T2 and the plurality of support pieces to bond them.
  • FIG. 1 illustrates an embodiment in which the adhesive piece Tc is provided so as to cover the entire one surface (lower surface) of the chip T2.
  • the adhesive piece Tc may shrink in the manufacturing process of the semiconductor device 100, it suffices to substantially cover the entire one surface (lower surface) of the chip T2, for example, the peripheral edge of the chip T2. There may be a part not covered with the adhesive piece Tc.
  • the lower surface of the chip T2 in FIG. 1 corresponds to the back surface of the chip. In recent years, the back surface of chips is often uneven. Since substantially the entire back surface of the chip T2 is covered with the adhesive piece Tc, it is possible to prevent the chip T2 from cracking or cracking.
  • the substrate 10 may be an organic substrate or a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100, the thickness of the substrate 10 is, for example, 90 to 300 ⁇ m, and may be 90 to 210 ⁇ m.
  • the chip T1 is, for example, a controller chip, which is adhered to the substrate 10 by the adhesive piece T1c and electrically connected to the substrate 10 by the wire w.
  • the shape of the chip T1 in a plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T1 is, for example, 5 mm or less, and may be 2 to 5 mm or 1 to 5 mm.
  • the thickness of the chip T1 is, for example, 10 to 150 ⁇ m, and may be 20 to 100 ⁇ m.
  • the chip T2 is, for example, a memory chip, and is adhered onto the support piece Dc via the adhesive piece Tc. In plan view, the chip T2 has a larger size than the chip T1.
  • the shape of the chip T2 in a plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T2 is, for example, 20 mm or less, and may be 4 to 20 mm or 4 to 12 mm.
  • the thickness of the chip T2 is, for example, 10 to 170 ⁇ m, and may be 20 to 120 ⁇ m.
  • the chips T3 and T4 are also memory chips, for example, and are adhered onto the chip T2 via an adhesive piece Tc.
  • the length of one side of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2, and the thickness of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2.
  • the support piece Dc acts as a spacer that forms a space around the chip T1.
  • the support piece Dc is made of a cured product of a thermosetting resin composition.
  • two support pieces Dc shape: rectangle
  • One support piece Dc shape: square, total of four
  • the length of one side of the support piece Dc in a plan view is, for example, 20 mm or less, and may be 1 to 20 mm or 1 to 12 mm.
  • the thickness (height) of the support piece Dc is, for example, 10 to 180 ⁇ m, and may be 20 to 120 ⁇ m.
  • the method for manufacturing the support piece according to the present embodiment includes the following steps.
  • a step of preparing a support piece forming laminated film 20 (hereinafter, sometimes referred to as “laminated film 20”) including a support piece forming film D arranged so as to cover the above (FIG. 3A). (See Fig.
  • the laminated film 20 includes a base film 1, an adhesive layer 2, and a support piece forming film D.
  • the base film 1 is, for example, a polyethylene terephthalate film (PET film) or a polyolefin film.
  • PET film polyethylene terephthalate film
  • the adhesive layer 2 has a first surface f1 facing the base film 1 and a second surface f2 on the opposite side thereof.
  • the adhesive layer 2 is formed in a circular shape by punching or the like (see FIG. 3A).
  • the adhesive layer 2 is made of a pressure-sensitive adhesive.
  • the adhesive layer 2 may or may not contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity.
  • the adhesive layer 2 may be one in which the adhesiveness of the predetermined region is lowered by irradiating the predetermined region with ultraviolet rays, and for example, a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity. May remain.
  • the support piece forming film D is formed in a circular shape by punching or the like, and has a diameter smaller than that of the adhesive layer 2 (see FIG. 3A).
  • the support piece forming film D is made of a thermosetting resin composition.
  • the thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D can be in a semi-cured (B stage) state and then in a completely cured product (C stage) state by a subsequent curing treatment.
  • the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer (for example, an acrylic resin), and further contains an inorganic filler, a curing accelerator, and the like, if necessary. Details of the thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D will be described later.
  • the laminated film 20 is, for example, a second laminated film having a base film 1 and an adhesive layer 2 on the surface thereof, and a cover film 3 and a support piece forming film D on the surface thereof. It can be produced by laminating with a film (see FIG. 4).
  • the first laminated film is obtained through a step of forming an adhesive layer on the surface of the base film 1 by coating and a step of processing the adhesive layer into a predetermined shape (for example, a circle) by punching or the like.
  • the second laminated film has a step of forming a support piece forming film on the surface of the cover film 3 (for example, PET film or polyethylene film) by coating, and a predetermined shape (for example, by punching the support piece forming film). For example, it is obtained through a process of processing into a circular shape.
  • the cover film 3 is peeled off at an appropriate timing.
  • Step (B) As shown in FIG. 5A, the dicing ring DR is attached to the laminated film 20. That is, the dicing ring DR is attached to the peripheral region 2a of the adhesive layer 2, and the support piece forming film D is arranged inside the dicing ring DR.
  • the support piece forming film D is individualized by dicing (see FIG. 5B). As a result, a large number of support pieces Da can be obtained from the support piece forming film D.
  • tension is applied to the base film 1 by pushing up the inner region 1a of the dicing ring DR in the base film 1 with the ring R. As a result, the distance between adjacent support pieces Da can be increased.
  • the notch for individualization is formed up to the outer edge of the support piece forming film D.
  • the diameter of the support piece forming film D may be, for example, 300 to 310 mm or 300 to 305 mm.
  • the shape of the support piece forming film D in a plan view is not limited to the circle shown in FIG. 3A, and may be a rectangle (square or rectangle).
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the inner region 1a is heated by blowing the heater H.
  • Step (C) As shown in FIG. 6B, the support piece Da is pushed up by a pushing device including a plurality of needles N.
  • a pushing device including a plurality of needles N.
  • the pushing device for example, DB-830plus + (trade name) manufactured by FASFORD TECHNOLOGY can be used.
  • DB-830plus + (trade name) manufactured by FASFORD TECHNOLOGY
  • a pressing force can be locally applied to the interface between the adhesive layer 2 and the support piece Da (see FIG. 7).
  • the tip of the needle N may be rounded or flat from the viewpoint of suppressing the traces caused by pushing up from remaining on the support piece Da.
  • the support piece Da in the pushed-up state is sucked by the suction collet C and picked up.
  • the adsorption collet C for example, RUBBER TIP RHAH-CA010500001 (trade name) manufactured by MICRO-MECHANICS can be used.
  • the curing reaction of the thermosetting resin may be allowed to proceed by heating the support piece forming film D before dicing or the support piece Da before pushing up. Since the support piece Da is appropriately cured when picking up, even better pick-up performance can be achieved.
  • the manufacturing method according to this embodiment includes the following steps.
  • the step (D) is a step of arranging the first chip T1 on the substrate 10. For example, first, the chip T1 is arranged at a predetermined position on the substrate 10 via the adhesive layer T1c. After that, the chip T1 is electrically connected to the substrate 10 by the wire w.
  • the step (D) may be a step performed before the step (E), and before the step (A), between the steps (A) and (B), the steps (B) and (C). It may be between steps, or between steps (C) and (E).
  • the step (E) is a step of arranging a plurality of support pieces Da on the substrate 10 around the first chip T1.
  • the structure 30 shown in FIG. 8 is produced.
  • the structure 30 includes a substrate 10, a chip T1 arranged on the surface thereof, and a plurality of support pieces Da.
  • the support piece Da may be arranged by crimping.
  • the crimping treatment is preferably carried out, for example, under the conditions of 80 to 180 ° C. and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.
  • the support piece Da may be completely cured at the time of the step (E) to become the support piece Dc, and may not be completely cured at this time. It is preferable that the support piece Da is completely cured to become the support piece Dc before the start of the step (G).
  • the step (F) is a step of preparing the adhesive chip T2a shown in FIG.
  • the adhesive piece T2a includes a chip T2 and an adhesive piece Ta provided on the surface of one of the chips T2.
  • the chip T2a with an adhesive piece can be obtained through a dicing step and a pick-up step using, for example, a semiconductor wafer and a dicing / die bonding integrated film.
  • the step (G) is a step of arranging the chip T2a with the adhesive piece above the chip T1 so that the adhesive piece Ta is in contact with the upper surface of the plurality of support pieces Dc.
  • the chip T2 is crimped to the upper surface of the support piece Dc via the adhesive piece Ta.
  • This crimping treatment is preferably carried out for 0.5 to 3.0 seconds under the conditions of, for example, 80 to 180 ° C. and 0.01 to 0.50 MPa.
  • the adhesive piece Ta is cured by heating. This curing treatment is preferably carried out for 5 minutes or more under the conditions of, for example, 60 to 175 ° C. and 0.01 to 1.0 MPa.
  • the adhesive piece Ta is cured to become the adhesive piece Tc.
  • a dolmen structure is constructed on the substrate 10 (see FIG. 10). Since the tip T1 is separated from the tip T2a with the adhesive piece, it is possible to prevent the wire w from being short-circuited due to the upper portion of the wire w coming into contact with the tip T2. Further, since it is not necessary to embed the wire in the adhesive piece Ta in contact with the chip T2, there is an advantage that the adhesive piece Ta can be thinned.
  • the chip T3 is placed on the chip T2 via the adhesive piece, and further, the chip T4 is placed on the chip T3 via the adhesive piece.
  • the adhesive piece may be any thermosetting resin composition similar to the above-mentioned adhesive piece Ta, and becomes an adhesive piece Tc by heat curing (see FIG. 1).
  • the chips T2, T3 and T4 and the substrate 10 are electrically connected by wires w.
  • the number of chips stacked above the chip T1 is not limited to the three in this embodiment, and may be appropriately set.
  • Step (H) The step (H) is a step of sealing the gap between the chip T1 and the chip T2 with the sealing material 50. Through this step, the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 is completed.
  • thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D contains an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer, and further contains an inorganic filler, a curing accelerator, and the like, if necessary.
  • the support piece Da and the support piece Dc after curing have the following characteristics.
  • -Characteristic 1 When the support piece Da is thermocompression bonded to a predetermined position on the substrate 10, the position shift is unlikely to occur (the melt viscosity of the support piece Da at 120 ° C. is, for example, 4300 to 50,000 Pa ⁇ s or 5000 to 40,000 Pa ⁇ s.
  • -Characteristic 2 The support piece Dc exhibits stress relaxation property in the semiconductor device 100 (the thermosetting resin composition contains an elastomer (rubber component)).
  • -Characteristic 3 The adhesive strength of the chip with the adhesive piece to the adhesive piece Tc is sufficiently high (for example, the die share strength of the support piece Dc with respect to the adhesive piece Tc is 2.0 to 7.0 Mpa or 3.0 to 3.0 to (Being 6.0 Mpa)
  • -Characteristic 4 The shrinkage rate due to curing is sufficiently small.
  • -Characteristic 5 The visibility of the support piece Da by the camera in the pickup process is good (the thermosetting resin composition contains, for example, a colorant).
  • -Characteristic 6 The support piece Dc has sufficient mechanical strength.
  • Epoxy resin The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action.
  • Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin, novolak type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin can be used.
  • novolak type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin
  • generally known ones such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin can be applied. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the curing agent include phenolic resins, ester compounds, aromatic amines, aliphatic amines and acid anhydrides. Of these, phenolic resins are preferred from the perspective of achieving high die shear strength.
  • Commercially available phenolic resins include, for example, LF-4871 (trade name, BPA novolac type phenolic resin) manufactured by DIC Co., Ltd. and HE-100C-30 (trade name, phenyl araquil type) manufactured by Air Water Inc. Phenolic resin), Phenolite KA and TD series manufactured by DIC Co., Ltd., Millex XLC-series and XL series manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.
  • Millex XLC-LL HE series manufactured by Air Water Inc.
  • HE100C-30 HE100C-30
  • MEHC-7800 series manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. for example, MEHC-7800-4S
  • JDPP series manufactured by JEF Chemical Co., Ltd. can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the hydroxyl group equivalent is 0.6 to 1.5, and is 0.7 to 1.4, respectively, from the viewpoint of achieving high die shear strength. More preferably, it is more preferably 0.8 to 1.3. When the compounding ratio is within the above range, it is easy to achieve both curability and fluidity at a sufficiently high level.
  • Examples of the elastoma include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, polybutadiene, acrylonitrile, epoxy-modified polybutadiene, maleic anhydride-modified polybutadiene, phenol-modified polybutadiene and carboxy-modified acrylonitrile.
  • an acrylic resin is preferable as the elastoma, and further, an epoxy group-containing epoxy group obtained by polymerizing an epoxy group such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate or a functional monomer having a glycidyl group as a crosslinkable functional group.
  • Acrylic resins such as (meth) acrylic copolymers are more preferable.
  • epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymers and epoxy group-containing acrylic rubbers are preferable, and epoxy group-containing acrylic rubbers are more preferable.
  • the epoxy group-containing acrylic rubber is a rubber having an epoxy group, which is mainly composed of an acrylic acid ester as a main component, a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, and a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile.
  • the acrylic resin may have not only an epoxy group but also a crosslinkable functional group such as an alcoholic or phenolic hydroxyl group or a carboxyl group.
  • acrylic resin products include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 solvent modified products (trade name, acrylic rubber, weight) manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd. Average molecular weight: 800,000, Tg: 12 ° C., solvent is cyclohexanone) and the like.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably ⁇ 50 to 50 ° C., more preferably ⁇ 30 to 30 ° C. from the viewpoint of achieving high die shear strength.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 3 million, more preferably 500,000 to 2 million, from the viewpoint of achieving high die share strength.
  • Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
  • the amount of the acrylic resin contained in the thermosetting resin composition is preferably 10 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength. More preferably, it is 20 to 100 parts by mass.
  • Inorganic fillers include, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride and crystalline. Examples include silica and amorphous silica. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.005 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, more preferably 0.05 to 0.5 ⁇ m, from the viewpoint of achieving high die shear strength.
  • the surface of the inorganic filler is preferably chemically modified from the viewpoint of achieving high die shear strength.
  • Silane coupling agents are suitable as materials for chemically modifying the surface. Examples of the types of functional groups of the silane coupling agent include vinyl group, acryloyl group, epoxy group, mercapto group, amino group, diamino group, alkoxy group and ethoxy group.
  • the content of the inorganic filler is preferably 20 to 200 parts by mass and 30 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component of the thermosetting resin composition. Is more preferable.
  • curing accelerator examples include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. From the viewpoint of achieving high die shear strength, imidazole-based compounds are preferable. Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the curing accelerator in the thermosetting resin composition is preferably 0.04 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength, and is 0. .04 to 0.2 parts by mass is more preferable.
  • ⁇ Second embodiment> A second embodiment of the method for manufacturing the support piece Da will be described.
  • the embodiment in which a plurality of needles are used is exemplified in the step (C), but a member having a flat tip surface may be used instead of the plurality of needles.
  • the differences from the first embodiment will be mainly described.
  • the adhesive layer 2 in the present embodiment is made of an ultraviolet curable adhesive. That is, the adhesive layer 2 has a property that the adhesiveness is lowered by being irradiated with ultraviolet rays.
  • the adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays.
  • the base film 1 is tensioned by using the ring R and the heater H to widen the distance between the adjacent support pieces Da (see FIGS. 5 (c) and 6 (a)).
  • the support piece Da is pushed up by a pushing device including a member P having a flat tip surface F.
  • a pushing device for example, DB-830plus + (trade name) manufactured by FASFORD TECHNOLOGY can be used.
  • the support piece Da may be pushed up by using the three-stage pushing device shown in FIGS. 12 (a) to 12 (c).
  • the three-stage push-up device includes a first tubular member P1, a second tubular member P2 housed therein, and a member P housed therein. All of these tip surfaces F1, F2, and F are flat, and are flush with each other when the tip surface F1 of the first tubular member P1 is in contact with the base film 1 (FIG.
  • the method of pushing up the support piece Da by the three-stage pushing device is not limited to the above.
  • the support piece Da is pushed up through the base film 1 with the tip surfaces F1, F2, and F flush with each other.
  • the second tubular member P2 may be lowered.
  • the number of stages of the pushing device is not limited to three, and may be at least two stages. That is, the multi-stage push-up device may include a tubular member and a columnar member P housed therein, and these may be independently driven in the vertical direction.
  • a third embodiment of the method for manufacturing the support piece Da will be described.
  • the case where the support piece Da is formed by completely cutting the support piece forming film D has been illustrated, but in the step (B), the support piece forming film D is half-cut and then the base.
  • the support piece Da may be formed on the material film 1 by cool expansion.
  • the differences from the above-described embodiment will be mainly described.
  • a cut G is formed halfway in the thickness direction of the support piece forming film D as shown in FIG. 13 (a). To do. As a result, the laminated film 25 having the half-cut support piece forming film D is obtained.
  • the notch G may be formed by, for example, a blade or a laser.
  • the depth of the cut G may be 25 to 50, and may be 30 to 40, assuming that the thickness of the support piece forming film D is 100.
  • the cuts G are formed in a grid pattern (see FIG. 13B).
  • the pattern of the cut G is not limited to a grid pattern, and may be any shape according to the shape of the support piece Da.
  • the support piece forming film D is individualized by cool expansion under a temperature condition of -15 to 0 ° C.
  • a large number of support pieces Da can be obtained from the support piece forming film D.
  • Tension may be applied to the base film 1 by pushing up the inner region 1a of the dicing ring DR in the base film 1 with the ring R (see FIG. 5C).
  • the support piece forming film D is separated into individual pieces by cool expansion, so that the edge of the support piece Da does not enter the adhesive layer 2, which is excellent. Achieves good pick-up performance.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the laminated film 20 having the pressure-sensitive adhesive layer 2 is illustrated, but the adhesive layer 2 may be an ultraviolet curable type.
  • the adhesive layer 2 according to the third embodiment is an ultraviolet curable type, as described above, the edge of the support piece Da does not enter the adhesive layer 2, so that even if the adhesive layer 2 is cured by ultraviolet irradiation, it has excellent pick-up property. Can be achieved.
  • the laminated film 20 having the ultraviolet curable adhesive layer 2 is illustrated, but the adhesive layer 2 may be a pressure sensitive type.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may or may not contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity.
  • the adhesive layer may be one in which the adhesiveness of the predetermined region is lowered by irradiating the predetermined region with ultraviolet rays, and for example, a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity may be used. It may remain.
  • a support piece forming laminated film 20 including a support piece forming film D composed of a thermosetting resin layer is illustrated, but the support piece forming laminated film is illustrated. It may be composed of a layer obtained by curing at least a part of the thermosetting resin layer.
  • the laminated film for forming a support piece may include a multilayer film having a thermosetting resin layer and a resin layer or a metal layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer.
  • the laminated film 20A for forming a support piece shown in FIG. 14A is a two-layer film D2 (for forming a support piece) having a thermosetting resin layer 5 and a resin layer 6 having a higher rigidity than the thermosetting resin layer.
  • thermosetting resin layer 5 is arranged between the adhesive layer 2 and the outermost resin layer 6.
  • the thermosetting resin layer 5 is made of a thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D according to the first embodiment.
  • the thickness of the resin layer 6 is, for example, 5 to 100 ⁇ m, and may be 10 to 90 ⁇ m or 20 to 80 ⁇ m.
  • the resin layer 6 is, for example, a polyimide layer.
  • the laminated film 20B for forming a support piece shown in FIG. 14B has a resin layer 6 having a higher rigidity than a thermosetting resin layer and two thermosetting resin layers 5a and 5b sandwiching the resin layer 6. It has a three-layer film D3 (film for forming a support piece). In the support piece forming laminated film 20B, the three-layer film D3 is arranged on the surface of the adhesive layer 2.
  • the double-layer film D2 may be completely cut by, for example, a blade or a laser as in the first embodiment, or may be half-cut and then individualized by cool expansion as in the third embodiment. Good.
  • FIG. 15A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the double-layer film D2 is half-cut. As shown in FIG. 15A, the resin layer 6 of the bilayer film D2 may be cut and the cut G may be formed halfway in the thickness direction of the thermosetting resin layer 5. As a result, a laminated film 25A having a half-cut bilayer film D2 is obtained. A plurality of resin pieces 6p are formed by individualizing the resin layer 6. Assuming that the thickness of the thermosetting resin layer 5 is 100, the notch G may cut the thermosetting resin layer 5 to a thickness of 10 to 75 (more preferably 25 to 50).
  • the three-layer film D3 may be completely cut by, for example, a blade or a laser as in the first and second embodiments, or may be half-cut and then individualized by cool expansion as in the third embodiment. May be done.
  • FIG. 15B is a cross-sectional view schematically showing a state in which the three-layer film D3 is half-cut. As shown in FIG. 15B, the thermosetting resin layer 5a and the resin layer 6 of the three-layer film D3 may be cut and a cut G may be formed halfway in the thickness direction of the thermosetting resin layer 5b. .. As a result, a laminated film 25B having a half-cut three-layer film D3 is obtained.
  • thermosetting resin layer 5a is fragmented to form a plurality of adhesive pieces 5p, and the resin layer 6 is fragmented to form a plurality of resin pieces 6p.
  • the notch G may cut the thermosetting resin layer 5b to a thickness of 10 to 75 (more preferably 25 to 50).
  • the laminated films 20A and 20B for forming support pieces include a resin layer 6 having a higher rigidity than the thermosetting resin layer 5, so that the thermosetting resin layer 5 is heat-cured after being individualized by dicing. Excellent pick-up performance can be achieved without performing processing.
  • a metal layer for example, a copper layer or an aluminum layer
  • the thickness of the metal layer is, for example, 5 to 100 ⁇ m and may be 10 to 90 ⁇ m or 20 to 80 ⁇ m.
  • the edge of the metal piece (the metal layer is individualized) easily enters the adhesive layer 2 due to the malleability of the metal.
  • the adhesive layer 2 is a pressure-sensitive type, since the step of curing the adhesive layer 2 by ultraviolet irradiation is not performed between the individualizing step and the pick-up step, the edge of the metal piece is temporarily in the adhesive layer 2. Even if there is, excellent pickup performance can be achieved.
  • Varnish A for the support piece forming film was prepared using the following materials.
  • -Epoxy resin 1 YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, cresol novolac type epoxy resin, solid at 25 ° C) 5.4 parts by mass-Epoxy resin 2: YDF-8170C: (product Name, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., liquid bisphenol F type epoxy resin, liquid at 25 ° C) 16.2 parts by mass ⁇
  • Varnish B for the support piece forming film was prepared using the following materials.
  • -Epoxy resin YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, solid at 25 ° C) 13.2 parts by mass-Pphenol resin (hardener): HE-100C- 30: (Product name, manufactured by Air Water Co., Ltd., phenyl araquil type phenol resin) 11.0 parts by mass ⁇
  • Elastoma SG-P3 solvent modified product (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber, weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12 ° C, solvent is cyclohe
  • coupling agent 1 A-189: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.4 parts by mass
  • coupling agent 2 A-1160: (trade name) , GE Toshiba Co., Ltd., ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane) 1.15 parts by mass
  • Curing accelerator Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenyl) Imidazole) 0.03 parts by mass
  • Solvent Cyclohexane
  • Example 1A As described above, cyclohexanone was used as a solvent, and the solid content ratio of varnish A was adjusted to 40% by mass. Varnish A was filtered with a 100 mesh filter and vacuum defoamed. As a film to which the varnish A was applied, a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 38 ⁇ m) subjected to a mold release treatment was prepared. The varnish A after vacuum defoaming was applied onto the release-treated surface of the PET film. The applied varnish A was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes. In this way, the thermosetting resin layer A in the B stage state (semi-cured state) was formed on the surface of the PET film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a laminated film having a pressure-sensitive adhesive layer was produced by the following procedure.
  • a 2-ethylhexyl acrylate and methyl methacrylate were used as the main monomers, and an acrylic copolymer using hydroxyethyl acrylate and acrylic acid as the functional group monomers was obtained by a solution polymerization method.
  • the weight average molecular weight of the synthesized acrylic copolymer was 400,000, and the glass transition point was ⁇ 38 ° C.
  • a pressure-sensitive adhesive solution containing 10 parts by mass of a polyfunctional isocyanate cross-linking agent (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: Mytec NY730-T) with 100 parts by mass of this acrylic copolymer was prepared, and a surface release-treated polyethylene terephthalate was prepared. It was coated and dried on (thickness 25 ⁇ m) so that the adhesive thickness at the time of drying was 10 ⁇ m. Further, a 100 ⁇ m polyolefin base material made of polypropylene / vinyl acetate / polypropylene was laminated on the pressure-sensitive adhesive surface. The adhesive film was left at room temperature for 2 weeks and sufficiently aged to obtain a dicing tape.
  • a polyfunctional isocyanate cross-linking agent manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: Mytec NY730-T
  • thermosetting resin layer A having a thickness of 50 ⁇ m was heated at 110 ° C. for 1 hour and then cured at 130 ° C. for 3 hours to obtain a cured resin layer A.
  • the cured resin layer A was attached to the adhesive layer of the dicing tape on a hot plate at 70 ° C. using a rubber roll. Through this step, a laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained.
  • Example 2A> Similar to Example 1A except that the thermosetting resin layer A was heated at 110 ° C. for 1 hour and then cured by heating at 110 ° C. for 2 hours instead of heating at 130 ° C. for 3 hours. Then, a laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained.
  • thermosetting resin layer B is formed on the surface of the PET film by using the varnish B instead of the varnish A, and the thermosetting resin layer B is rubber-rolled on the adhesive layer of the dicing tape on a hot plate at 70 ° C.
  • a polyimide film (thickness 25 ⁇ m) was bonded to the thermosetting resin layer B with a rubber roll. Through this step, a laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained.
  • the pick-up property of the support piece forming films of Examples 1A to 3A was evaluated. That is, the dicing ring was laminated under the condition of 70 ° C. on the dicing tape of the laminated body according to Examples 1A to 3A.
  • the support piece forming film was individualized using a dicer under the condition of a height of 55 ⁇ m. As a result, a support piece having a size of 10 mm ⁇ 10 mm was obtained. Then, the support piece was picked up in a state of being expanded (expanded amount: 3 mm) with a die bonder.
  • a push-up device having nine needles (DB-830plus + (trade name) manufactured by FASFORD TECHNOLOGY) was used, and the conditions were a push-up speed of 10 mm / sec and a push-up height of 350 ⁇ m.
  • DB-830plus + trade name
  • a push-up height 350 ⁇ m.
  • Example 1B A laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1A, except that a dicing tape having an ultraviolet curable adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive layer. It was.
  • a dicing tape having an ultraviolet curable adhesive layer was prepared by the following procedure.
  • a copolymer was obtained by solution radical polymerization using 83 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 2 parts by mass of methacrylic acid as raw materials and ethyl acetate as a solvent. 12 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was reacted with this acrylic copolymer to synthesize an ultraviolet reaction type acrylic copolymer having a carbon-carbon double bond. In the above reaction, 0.05 part of hydroquinone / monomethyl ether was used as a polymerization inhibitor.
  • the weight average molecular weight of the synthesized acrylic copolymer was measured by GPC and found to be 300,000 to 700,000.
  • the acrylic copolymer thus obtained and a polyisocyanate compound manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., trade name: Coronate L
  • Coronate L a polyisocyanate compound
  • An ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive solution was prepared by mixing with 0.5 part of hydroxycyclohexylphenyl ketone. This ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive solution was applied and dried on a polyethylene terephthalate release film (thickness: 38 ⁇ m) so that the thickness after drying was 10 ⁇ m.
  • a polyolefin film (thickness: 90 ⁇ m) having been subjected to corona discharge treatment on one side was attached to the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the obtained laminated film was aged in a constant temperature bath at 40 ° C. for 72 hours to obtain a dicing tape.
  • Example 2B A laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained in the same manner as in Example 2A, except that a dicing tape having an ultraviolet curable adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive layer. It was.
  • Example 3B A laminate of a support piece forming film and a dicing tape was obtained in the same manner as in Example 3A, except that a dicing tape having an ultraviolet curable adhesive layer was used instead of the pressure-sensitive adhesive layer. It was.
  • the pick-up property of the support piece forming films of Examples 1B to 3B was evaluated. That is, the dicing ring was laminated under the condition of 70 ° C. on the dicing tape of the laminated body according to Examples 1B to 3B.
  • the support piece forming film was individualized using a dicer under the condition of a height of 55 ⁇ m. As a result, a support piece having a size of 10 mm ⁇ 10 mm was obtained.
  • Ultraviolet rays were irradiated from the dicing tape side toward the adhesive layer of the support piece with a halogen lamp under the conditions of 80 mW / cm 2 and 200 mJ / cm 2 .
  • the support piece was picked up in a state of being expanded (expanded amount: 3 mm) with a die bonder.
  • a push-up device (DB-830plus + (trade name) manufactured by FASFORD TECHNOLOGY) having the tip of the configuration (three-stage type) shown in FIGS. 12 (a) to 12 (c) is used, and the conditions are met.
  • the push-up speed was 10 mm / sec and the push-up height was 1200 ⁇ m.
  • a method for manufacturing a support piece which can efficiently manufacture a support piece used for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and can contribute to an improvement in the production efficiency of the semiconductor device. .. Further, the present disclosure provides a method for efficiently manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure by using the support piece.
  • Support pieces (cured product), DR ... Dying ring, F, F1, F2 ... Tip surface, G ... notch, H ... heater, P ... member, P1 ... first tubular member, P2 ... second tubular member, N ... needle, T1 ... first tip, T2 ... second tip , T2a ... Chip with adhesive piece, Ta ... Adhesive piece, Tc ... Adhesive piece (cured product)

Abstract

本開示の一側面は、半導体装置におけるドルメン構造の形成に使用される支持片の製造方法であり、（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、例えば熱硬化性樹脂層からなる支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、（Ｃ）複数のニードル又は平坦な先端面を有する部材によって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片をピックアップする工程とを含む。

Description

ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法
　本開示は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法に関する。また、本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法に関する。なお、ドルメン（ｄｏｌｍｅｎ、支石墓）は、石墳墓の一種であり、複数の支柱石と、その上に載せられた板状の岩とを備える。ドルメン構造を有する半導体装置において、支持片が「支柱石」に相当し、第二のチップが「板状の岩」に相当する。
　近年、半導体装置の分野において、高集積、小型化及び高速化が求められている。半導体装置の一態様として、基板上に配置されたコントローラーチップの上に半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献１は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアセンブリを開示している。特許文献１の図１Ａに図示された半導体アセンブリ１００はドルメン構造を有するということができる。すなわち、半導体アセンブリ１００は、パッケージ基板１０２と、その表面上に配置されたコントローラダイ１０３と、コントローラダイ１０３の上方に配置されたメモリダイ１０６ａ，１０６ｂと、メモリダイ１０６ａを支持する支持部材１３０ａ，１３０ｂとを備える。
特表２０１７－５１５３０６号公報
　特許文献１は、支持部材（支持片）として、シリコンなどの半導体材料を使用できること、より具体的には半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用できることを開示している（特許文献１の［００１２］、［００１４］及び図２参照）。半導体ウェハを使用してドルメン構造用の支持片を製造するには、通常の半導体チップの製造と同様、例えば、以下の各工程が必要である。
（１）半導体ウェハにバックグラインドテープを貼り付ける工程
（２）半導体ウェハをバックグラインドする工程
（３）ダイシングリングとその中に配置されたバックグラインド後の半導体ウェハに対し、粘着層と接着剤層とを有するフィルム（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）を貼り付ける工程
（４）半導体ウェハからバックグラインドテープを剥がす工程
（５）半導体ウェハを個片化する工程
（６）半導体チップと接着剤片の積層体からなる支持片を粘着層からピックアップする工程
　本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片を効率的に製造することができ、半導体装置の生産効率の向上に寄与し得る支持片の製造方法を提供する。また、本開示は、上記支持片を使用してドルメン構造を有する半導体装置を効率的に製造する方法を提供する。
　本開示の一側面はドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法に関する。
　本開示に係る製造方法の第一の態様は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）複数のニードルによって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片をピックアップする工程
　上記支持片形成用フィルムは以下のフィルムのいずれか一つである。
・熱硬化性樹脂層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層とを有する多層フィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する金属層とを有する多層フィルム
　本開示に係る製造方法の第二の態様は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）平坦な先端面を有する部材によって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片をピックアップする工程
　上記支持片形成用フィルムは以下のフィルムのいずれか一つである。
・熱硬化性樹脂層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層とを有する多層フィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する金属層とを有する多層フィルム
　本開示において、支持片形成用フィルムが有する樹脂層は、例えば、ポリイミド層である。樹脂層は、例えば、熱硬化性樹脂層と異なる材質からなる。支持片形成用フィルムが有する金属層は、例えば、銅層又はアルミニウム層である。なお、上記熱硬化性樹脂層の熱硬化後の剛性は樹脂層又は金属層の剛性よりも低くても高くてもよい。
剛性は、物体が曲げ又はねじれに対して破壊に耐える能力を意味する。
　本開示に係る上記製造方法においては、支持片形成用フィルムを個片化して得られる支持片を使用する。これにより、支持片として、半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用する従来の製造方法と比較すると、支持片を作製する工程を簡略化できる。すなわち、従来、上述の（１）～（６）の工程を必要としていたのに対し、支持片形成用フィルムは半導体ウェハを含まないため、半導体ウェハのバックグラインドに関する（１）、（２）及び（４）の工程を省略できる。また、樹脂材料と比較して高価な半導体ウェハを使用しないため、コストも削減できる。なお、熱硬化性樹脂層は他の部材（例えば、基板）に対して接着性を有するため、支持片に接着剤層等を別途設けなくてもよい。
　本発明者らの検討によれば、粘着層からの支持片のピックアップ性は、支持片と粘着層の界面の剥離（以下、「界面剥離」と言う。）のしやすさと、支持片のエッジの粘着剤層からの剥離（以下、「エッジ剥離」と言う。）のしやすさに依存する。上記第一の態様に係る製造方法の（Ｃ）工程において、複数のニードルによって支持片を突き上げることで、支持片と粘着層の界面剥離が生じやすく、粘着層からの支持片の優れたピックアップ性を達成し得る。
　上記第二の態様に係る製造方法は、本発明者らが以下の現象から得た知見に基づくものである。すなわち、例えば、紫外線硬化型の粘着層の表面上に複数の支持片を形成した後、紫外線照射によって粘着層の粘着力を低下させた後であっても、支持片のピックアップ工程において十分なピックアップ性を達成できない現象が生じた。これを改善するため、本発明者らはピックアップ工程において使用する突き上げ装置の種類を検討した。その結果、平坦な先端面を有する部材を備える突き上げ装置が支持片のエッジの剥離性向上に有効であることを見出した。平坦な先端面で基材フィルムの側から支持片を突き上げることで、複数のニードルで支持片を突き上げる場合と比較して支持片に突き上げに起因する痕が付くことを抑制できるとともに、支持片のエッジを粘着層から効率的に剥離させることができる。なお、支持片のエッジが剥離しにくい状況は、紫外線硬化型の粘着層を採用した場合に限らず、感圧型の粘着層を採用した場合であっても、例えば、支持片形成用フィルムを個片化する際、支持片形成用フィルム及び粘着層を超えて基材フィルムの一部も切断する場合にも生じ得る。
　支持片形成用フィルムが熱硬化性樹脂層からなるフィルム、又は熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルムである場合、より一層優れたピックアップ性を達成する観点から、（Ｂ）工程は支持片形成用フィルムの厚さ方向の途中まで切り込みを形成する工程と、冷却された状態の支持片形成用フィルムをエキスパンションによって個片化する工程とをこの順序で含んでもよい。一方、支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は金属層とを有する多層フィルムである場合、同様の観点から、（Ａ）工程で準備する積層フィルムにおいて、樹脂層又は金属層と、粘着層との間に熱硬化性樹脂層が位置しており、（Ｂ）工程は支持片形成用フィルムの樹脂層又は金属層を切断し且つ熱硬化性樹脂層の厚さ方向の途中まで切り込みを形成する工程と、冷却された状態の支持片形成用フィルムをエキスパンションによって個片化する工程とをこの順序で含んでもよい。（Ｂ）工程において、熱硬化性樹脂層をハーフカットした後、クールエキスパンションによって熱硬化性樹脂層を個片化することで、接着剤片のエッジが粘着層に入り込まないため、優れたピックアップ性をより一層高度に達成できる。
　本開示の一側面は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は以下の工程を含む。
（Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程
（Ｅ）本開示に係る製造方法によって製造された複数の支持片を、基板上であって第一のチップの周囲又は第一のチップが配置されるべき領域の周囲に配置する工程
（Ｆ）第二のチップと、第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程
（Ｇ）複数の支持片の表面上に接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程
　（Ｄ）工程及び（Ｅ）工程はどちらを先に実施してもよい。（Ｄ）工程を先に実施する場合、（Ｅ）工程において、基板上であって第一のチップの周囲に複数の支持片を配置すればよい。他方、（Ｅ）工程を先に実施する場合、（Ｅ）工程において、基板上であって第一のチップが配置されるべき領域の周囲に複数の支持片を配置し、その後、（Ｄ）工程において、当該領域に第一のチップを配置すればよい。
　本開示によれば、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片を効率的に製造することができ、半導体装置の生産効率の向上に寄与し得る支持片の製造方法が提供される。また、本開示によれば、上記支持片を使用してドルメン構造を有する半導体装置を効率的に製造する方法が提供される。
図１は本開示に係る半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は第一のチップと複数の支持片との位置関係の例を模式的に示す平面図である。 図３（ａ）は支持片形成用積層フィルムの一例を模式的に示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。 図４は粘着層と支持片形成用フィルムとを貼り合わせる工程を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）は粘着層の周縁領域にダイシングリングを貼り付けた状態を模式的に示す断面図であり、図５（ｂ）は支持層形成用フィルムが個片化された状態を模式的に示す断面図であり、図５（ｃ）はエキスパンションによって隣接する支持片の間隔を広げた状態を模式的に示す断面図である。 図６（ａ）はヒーターのブローによって基材フィルムの内側領域を加熱している様子を模式的に示す断面図であり、図６（ｂ）は複数のニードルで支持片を突き上げた状態で支持片をピックアップする様子を模式的に示す断面図である。 図７は基材フィルムの側から支持片を複数のニードルで突き上げている様子を模式的に示す断面図である。 図８は基板上であって第一のチップの周囲に複数の支持片を配置した状態を模式的に示す断面図である。 図９は接着剤片付きチップの一例を模式的に示す断面図である。 図１０は基板上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。 図１１は平坦な先端面を有する部材で支持片を突き上げた状態で支持片をピックアップする様子を模式的に示す断面図である。 図１２（ａ）～図１２（ｃ）は多段式の突き上げ装置によって支持片を突き上げることによって、支持片のエッジが粘着層から剥離する様子を模式的に示す断面図である。 図１３（ａ）は支持片形成用フィルムをハーフカットした状態を模式的に示す断面図であり、図１３（ｂ）はハーフカットされた支持片形成用フィルムの一例を模式的に示す平面図である。 図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は支持片形成用積層フィルムの他の実施形態をそれぞれ模式的に示す断面図である。 図１５（ａ）は図１４（ａ）に示す二層フィルムをハーフカットした状態を模式的に示す断面図であり、図１５（ｂ）は図１４（ｂ）に示す三層フィルムをハーフカットした状態を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
　本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
（半導体装置）
　図１はドルメン構造を有する半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の表面上に配置されたチップＴ１（第一のチップ）と、基板１０の表面上であってチップＴ１の周囲に配置された複数の支持片Ｄｃと、チップＴ１の上方に配置されたチップＴ２（第二のチップ）と、チップＴ２と複数の支持片Ｄｃとによって挟まれている接着剤片Ｔｃと、チップＴ２上に積層されたチップＴ３，Ｔ４と、基板１０の表面上の電極（不図示）とチップＴ１～Ｔ４とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤｗと、チップＴ１とチップＴ２との隙間等に充填された封止材５０とを備える。
　本実施形態においては、複数の支持片Ｄｃと、チップＴ２と、支持片ＤｃとチップＴ２との間に位置する接着剤片Ｔｃとによって基板１０上にドルメン構造が構成されている。チップＴ１は、接着剤片Ｔｃと離間している。支持片Ｄｃの厚さを適宜設定することで、チップＴ１の上面と基板１０とを接続するワイヤｗのためのスペースを確保することができる。チップＴ１が接着剤片Ｔｃと離間していることで、チップＴ１と接続されるワイヤｗの上部がチップＴ２に接することによるワイヤｗのショートを防ぐことができる。また、チップＴ２と接する接着剤片Ｔｃにワイヤを埋め込む必要性がないため、接着剤片Ｔｃを薄くできるという利点がある。
　図１に示すように、チップＴ１とチップＴ２の間の接着剤片Ｔｃは、チップＴ２におけるチップＴ１と対面する領域を覆うとともに、領域からチップＴ２の周縁側にまで連続的に延在している。つまり、一つの接着剤片Ｔｃが、チップＴ２の領域を覆うとともに、チップＴ２と複数の支持片の間に介在し、これらを接着している。なお、図１には、接着剤片ＴｃがチップＴ２の一方の面（下面）の全体を覆うように設けられている態様を図示した。しかし、接着剤片Ｔｃは、半導体装置１００の製造過程において収縮することがあり得るため、チップＴ２の一方の面（下面）の全体を実質的に覆っていればよく、例えば、チップＴ２の周縁の一部に接着剤片Ｔｃで覆われていない箇所があってもよい。図１におけるチップＴ２の下面はチップの裏面に相当する。近年のチップの裏面は凹凸が形成されていることが多い。チップＴ２の裏面の実質的全体が接着剤片Ｔｃで覆われていることで、チップＴ２にクラック又は割れが生じることを抑制できる。
　基板１０は、有機基板であってもよく、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板１０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板１０の厚さは、例えば、９０～３００μｍであり、９０～２１０μｍであってもよい。
　チップＴ１は、例えば、コントローラーチップであり、接着剤片Ｔ１ｃによって基板１０に接着され且つワイヤｗによって基板１０と電気的に接続されている。平面視におけるチップＴ１の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ１の一辺の長さは、例えば、５ｍｍ以下であり、２～５ｍｍ又は１～５ｍｍであってもよい。チップＴ１の厚さは、例えば、１０～１５０μｍであり、２０～１００μｍであってもよい。
　チップＴ２は、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介して支持片Ｄｃの上に接着されている。平面視でチップＴ２は、チップＴ１よりも大きいサイズを有する。平面視におけるチップＴ２の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ２の一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、４～２０ｍｍ又は４～１２ｍｍであってもよい。チップＴ２の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。なお、チップＴ３，Ｔ４も、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介してチップＴ２の上に接着されている。チップＴ３，Ｔ４の一辺の長さは、チップＴ２と同様であればよく、チップＴ３，Ｔ４の厚さもチップＴ２と同様であればよい。
　支持片Ｄｃは、チップＴ１の周囲に空間を形成するスペーサーの役割を果たす。支持片Ｄｃは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。なお、図２（ａ）に示すように、チップＴ１の両側の離れた位置に、二つの支持片Ｄｃ（形状：長方形）を配置してもよいし、図２（ｂ）に示すように、チップＴ１の角に対応する位置にそれぞれ一つの支持片Ｄｃ（形状：正方形、計４個）を配置してもよい。平面視における支持片Ｄｃの一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、１～２０ｍｍ又は１～１２ｍｍであってもよい。支持片Ｄｃの厚さ（高さ）は、例えば、１０～１８０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。
＜第一実施形態＞
（支持片の製造方法）
　本実施形態に係る支持片の製造方法は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルム１と、基材フィルム１と対面する第１の面ｆ１及びその反対側の第２の面ｆ２を有する粘着層２と、粘着層２の第２の面ｆ２の中央部を覆うように配置された支持片形成用フィルムＤとをこの順序で備える支持片形成用積層フィルム２０（以下、場合により「積層フィルム２０」という。）を準備する工程（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）
（Ｂ）支持片形成用フィルムＤを個片化することによって、粘着層２の第２の面ｆ２上に複数の支持片を形成する工程（図５（ｂ）参照）
（Ｃ）複数のニードルＮによって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片Ｄａをピックアップする工程（図６（ｂ）参照）
　なお、図１に示す支持片Ｄｃは熱硬化性樹組成物が硬化した後のものである。一方、支持片Ｄａは熱硬化性樹組成物が完全に硬化する前の状態のものである。
［（Ａ）工程］
　積層フィルム２０は、基材フィルム１と、粘着層２と、支持片形成用フィルムＤとを備える。基材フィルム１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）、ポリオレフィンフィルムである。基材フィルム１として、熱収縮性を有するフィルムを使用してもよい。粘着層２は、基材フィルム１と対面する第１の面ｆ１及びその反対側の第２の面ｆ２を有する。粘着層２はパンチング等によって円形に形成されている（図３（ａ）参照）。粘着層２は、感圧型の粘着剤からなる。なお、粘着層２は、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有しても、含有しなくてもよい。例えば、粘着層２は、その所定の領域に紫外線を照射することによって当該領域の粘着性を低下させたものであってもよく、例えば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂が残存していてもよい。
　支持片形成用フィルムＤは、パンチング等によって円形に形成されており、粘着層２よりも小さい直径を有する（図３（ａ）参照）。支持片形成用フィルムＤは、熱硬化性樹脂組成物からなる。支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものである。熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマ（例えば、アクリル樹脂）とを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物の詳細については後述する。
　積層フィルム２０は、例えば、基材フィルム１とその表面上に粘着層２とを有する第１の積層フィルムと、カバーフィルム３とその表面上に支持片形成用フィルムＤとを有する第２の積層フィルムとを貼り合わせることによって作製することができる（図４参照）。第１の積層フィルムは、基材フィルム１の表面上に粘着層を塗工によって形成する工程と、粘着層をパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。第２の積層フィルムは、カバーフィルム３（例えば、ＰＥＴフィルム又はポリエチレンフィルム）の表面上に支持片形成用フィルムを塗工によって形成する工程と、支持片形成用フィルムをパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。積層フィルム２０を使用するに際し、カバーフィルム３は適当なタイミングで剥がされる。
［（Ｂ）工程］
　図５（ａ）に示されたように、積層フィルム２０にダイシングリングＤＲを貼り付ける。すなわち、粘着層２の周縁領域２ａにダイシングリングＤＲを貼り付け、ダイシングリングＤＲの内側に支持片形成用フィルムＤが配置された状態にする。支持片形成用フィルムＤをダイシングによって個片化する（図５（ｂ）参照）。これにより、支持片形成用フィルムＤから多数の支持片Ｄａが得られる。その後、図５（ｃ）に示されたように、基材フィルム１におけるダイシングリングＤＲの内側領域１ａをリングＲで突き上げることによって基材フィルム１に張力を付与する。これにより、隣接する支持片Ｄａの間隔を広げることができる。なお、個片化のための切り込みは支持片形成用フィルムＤの外縁まで形成されていることが好ましい。支持片形成用フィルムＤの直径は、例えば、３００～３１０ｍｍ又は３００～３０５ｍｍであってもよい。支持片形成用フィルムＤの平面視における形状は、図３（ａ）に示す円形に限られず、矩形（正方形又は長方形）であってもよい。
　基材フィルム１として熱収縮性を有するフィルムを使用した場合、（Ｂ）工程後、基材フィルム１におけるダイシングリングＤＲの内側領域１ａを加熱することによって内側領域１ａを収縮させてもよい。図６（ａ）は、ヒーターＨのブローによって内側領域１ａを加熱している様子を模式的に示す断面図である。内側領域１ａを環状に収縮させて基材フィルム１に張力を付与することで、隣接する支持片Ｄａの間隔が広がった状態を維持することができる。これにより、ピックアップエラーの発生をより一層抑制できるとともに、ピックアップ工程における支持片Ｄａの視認性を向上させることができる。
［（Ｃ）工程］
　図６（ｂ）に示されるように、複数のニードルＮを備える突き上げ装置で支持片Ｄａを突き上げる。突き上げ装置として、例えば、ＦＡＳＦＯＲＤ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ社製のＤＢ－８３０ｐｌｕｓ＋（商品名）を使用することができる。複数のニードルＮで支持片Ｄａを基材フィルム１側から突き上げることで、粘着層２と支持片Ｄａの界面に局所的に押圧力を加えることができる（図７参照）。これにより、両者の界面剥離が効率的に進行し、優れたピックアップ性を達成できる。なお、ニードルＮの先端は、突き上げに起因する痕が支持片Ｄａに残ることを抑制する観点から、丸みを帯びていてもよいし、平坦であってもよい。
　突き上げられた状態の支持片Ｄａを吸着コレットＣで吸引してピックアップする。吸着コレットＣとして、例えば、ＭＩＣＲＯ－ＭＥＣＨＡＮＩＣＳ社製のＲＵＢＢＥＲ　ＴＩＰ　ＲＨＡＨ－ＣＡ０１０００５００１（商品名）を使用することができる。なお、ダイシング前の支持片形成用フィルムＤ又は突き上げ前の支持片Ｄａを加熱することによって、熱硬化性樹脂の硬化反応を進行させておいてもよい。ピックアップする際に支持片Ｄａが適度に硬化していることでより一層優れたピックアップ性を達成し得る。
（半導体装置の製造方法）
　半導体装置１００の製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は以下の工程を含む。
（Ｄ）基板１０上に第一のチップＴ１を配置する工程
（Ｅ）基板１０上であって第一のチップＴ１の周囲に複数の支持片Ｄａを配置する工程（図８参照）
（Ｆ）第二のチップＴ２と、第二のチップＴ２の一方の面上に設けられた接着剤片Ｔａとを備える接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程（図９参照）
（Ｇ）複数の支持片Ｄｃの表面上に接着剤片付きチップＴ２ａを配置することによってドルメン構造を構築する工程（図１０参照）
（Ｈ）チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程（図１参照）
［（Ｄ）工程］
　（Ｄ）工程は、基板１０上に第一のチップＴ１を配置する工程である。例えば、まず、基板１０上の所定の位置に接着剤層Ｔ１ｃを介してチップＴ１を配置する。その後、チップＴ１はワイヤｗで基板１０と電気的に接続される。（Ｄ）工程は、（Ｅ）工程よりも前に行われる工程であってよく、（Ａ）工程よりも前、（Ａ）工程と（Ｂ）工程の間、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程の間、又は（Ｃ）工程と（Ｅ）工程の間であってもよい。
［（Ｅ）工程］
　（Ｅ）工程は、基板１０上であって第一のチップＴ１の周囲に複数の支持片Ｄａを配置する工程である。この工程を経て、図８に示す構造体３０が作製される。構造体３０は、基板１０と、その表面上に配置されたチップＴ１と、複数の支持片Ｄａとを備える。支持片Ｄａの配置は圧着処理によって行えばよい。圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。なお、支持片Ｄａは（Ｅ）工程の時点で完全に硬化して支持片Ｄｃとなっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片Ｄａは（Ｇ）工程の開始前の時点で完全硬化して支持片Ｄｃとなっていることが好ましい。
［（Ｆ）工程］
　（Ｆ）工程は、図９に示す接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程である。接着剤片付きチップＴ２ａは、チップＴ２と、その一方の表面に設けられた接着剤片Ｔａとを備える。接着剤片付きチップＴ２ａは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。
［（Ｇ）工程］
　（Ｇ）工程は、複数の支持片Ｄｃの上面に接着剤片Ｔａが接するように、チップＴ１の上方に接着剤片付きチップＴ２ａを配置する工程である。具体的には、支持片Ｄｃの上面に接着剤片Ｔａを介してチップＴ２を圧着する。この圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。次に、加熱によって接着剤片Ｔａを硬化させる。この硬化処理は、例えば、６０～１７５℃、０．０１～１．０ＭＰａの条件で、５分間以上にわたって実施することが好ましい。これにより、接着剤片Ｔａが硬化して接着剤片Ｔｃとなる。この工程を経て、基板１０上にドルメン構造が構築される（図１０参照）。チップＴ１が接着剤片付きチップＴ２ａと離間していることで、ワイヤｗの上部がチップＴ２に接することによるワイヤｗのショートを防ぐことができる。また、チップＴ２と接する接着剤片Ｔａにワイヤを埋め込む必要性がないため、接着剤片Ｔａを薄くできるという利点がある。
　（Ｇ）工程後であって（Ｈ）工程前に、チップＴ２の上に接着剤片を介してチップＴ３を配置し、更に、チップＴ３の上に接着剤片を介してチップＴ４を配置する。接着剤片は上述の接着剤片Ｔａと同様の熱硬化性樹脂組成物であればよく、加熱硬化によって接着剤片Ｔｃとなる（図１参照）。他方、チップＴ２，Ｔ３，Ｔ４と基板１０とをワイヤｗで電気的にそれぞれ接続する。なお、チップＴ１の上方に積層するチップの数は本実施形態の三つに限定されず、適宜設定すればよい。
［（Ｈ）工程］
　（Ｈ）工程は、チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程である。この工程を経て図１に示す半導体装置１００が完成する。
（支持片形成用フィルムを構成する熱硬化性樹脂組成物）
　支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物は、上述のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマとを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。本発明者らの検討によると、支持片Ｄａ及び硬化後の支持片Ｄｃは以下の特性を有することが好ましい。
・特性１：基板１０の所定の位置に支持片Ｄａを熱圧着したとき位置ずれが生じにくいこと（１２０℃における支持片Ｄａの溶融粘度が、例えば、４３００～５００００Ｐａ・ｓ又は５０００～４００００Ｐａ・ｓであること）
・特性２：半導体装置１００内において支持片Ｄｃが応力緩和性を発揮すること（熱硬化性樹脂組成物がエラストマ（ゴム成分）を含むこと）
・特性３：接着剤片付きチップの接着剤片Ｔｃとの接着強度が十分に高いこと（接着剤片Ｔｃに対する支持片Ｄｃのダイシェア強度が、例えば、２．０～７．０Ｍｐａ又は３.０～６．０Ｍｐａであること）
・特性４：硬化に伴う収縮率が十分に小さいこと
・特性５：ピックアップ工程においてカメラによる支持片Ｄａの視認性が良いこと（熱硬化性樹脂組成物が、例えば、着色料を含んでいること）
・特性６：支持片Ｄｃが十分な機械的強度を有すること
［エポキシ樹脂］
　エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
［硬化剤］
　硬化剤として、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン及び酸無水物が挙げられる。これらのうち、高いダイシェア強度を達成する観点から、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂の市販品として、例えば、ＤＩＣ（株）製のＬＦ－４８７１（商品名、ＢＰＡノボラック型フェノール樹脂）、エア・ウォーター（株）製のＨＥ－１００Ｃ－３０（商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂）、ＤＩＣ（株）製のフェノライトＫＡ及びＴＤシリーズ、三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣ－シリーズとＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ）、エア・ウォーター（株）製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ１００Ｃ－３０）、明和化成株式会社製のＭＥＨＣ－７８００シリーズ（例えばＭＥＨＣ－７８００－４Ｓ）、ＪＥＦケミカル株式社製のＪＤＰＰシリーズが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比が０．６～１．５であることが好ましく、０．７～１．４であることがより好ましく、０．８～１．３であることが更に好ましい。配合比が上記範囲内であることで、硬化性及び流動性の両方を十分に高水準に達成しやすい。
［エラストマ］
　エラストマとして、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン及びカルボキシ変性アクリロニトリルが挙げられる。
　高いダイシェア強度を達成する観点から、エラストマとしてアクリル系樹脂が好ましく、更に、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。アクリル系樹脂のなかでもエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体及びエポキシ基含有アクリルゴムが好ましく、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体などからなる、エポキシ基を有するゴムである。なお、アクリル系樹脂は、エポキシ基だけでなく、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有していてもよい。
　アクリル樹脂の市販品としては、ナガセケムテック（株）製のＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）等が挙げられる。
　アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、高いダイシェア強度を達成する観点から、－５０～５０℃であることが好ましく、－３０～３０℃であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、高いダイシェア強度を達成する観点から、１０万～３００万であることが好ましく、５０万～２００万であることがより好ましい。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、分子量分布の狭いアクリル樹脂を用いることにより、高弾性の接着剤片を形成できる傾向にある。
　熱硬化性樹脂組成物に含まれるアクリル樹脂の量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して１０～２００質量部であることが好ましく、２０～１００質量部であることがより好ましい。
［無機フィラー］
　無機フィラーとして、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素及び結晶性シリカ、非晶性シリカが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　無機フィラーの平均粒径は、高いダイシェア強度を達成する観点から、０．００５μｍ～１．０μｍが好ましく、０．０５～０．５μｍがより好ましい。無機フィラーの表面は、高いダイシェア強度を達成する観点から、化学修飾されていることが好ましい。（追記しました）表面を化学修飾する材料として適したものにシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤の官能基の種類として、例えば、ビニル基、アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基が挙げられる。
　高いダイシェア強度を達成する観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分１００質量部に対して、無機フィラーの含有量は２０～２００質量部であることが好ましく、３０～１００質量部であることがより好ましい。
［硬化促進剤］
　硬化促進剤として、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、及び第四級アンモニウム塩が挙げられる。高いダイシェア強度を達成する観点から、イミダゾール系の化合物が好ましい。イミダゾール類としては、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチルー２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して０．０４～３質量部が好ましく、０．０４～０．２質量部がより好ましい。
＜第二実施形態＞
　支持片Ｄａの製造方法の第二実施形態について説明する。第一実施形態においては、（Ｃ）工程において、複数のニードルを使用する態様を例示したが、複数のニードルの代わりに、平坦な先端面を有する部材を使用してもよい。以下、主に第一実施形態との相違点について説明する。
　本実施形態における粘着層２は、紫外線硬化型の粘着剤からなる。すなわち、粘着層２は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有する。この場合、図５（ｂ）に示されたように、支持片形成用フィルムＤをダイシングすることによって多数の支持片Ｄａを得た後、粘着層２に対して紫外線を照射する。これにより、粘着層２と支持片Ｄａとの間の粘着力を低下させる。紫外線照射後、リングＲ及びヒーターＨを使用して基材フィルム１に張力を付与することによって隣接する支持片Ｄａの間隔を広げる（図５（ｃ）及び図６（ａ）参照）。
　本実施形態の（Ｃ）工程においては、図１１に示されるように、平坦な先端面Ｆを有する部材Ｐを備える突き上げ装置で支持片Ｄａを突き上げる。突き上げ装置として、例えば、ＦＡＳＦＯＲＤ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ社製のＤＢ－８３０ｐｌｕｓ＋（商品名）を使用することができる。なお、図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示される三段式の突き上げ装置を使用して支持片Ｄａを突き上げてもよい。三段式の突き上げ装置は、第一の筒状部材Ｐ１と、これに収容された第二の筒状部材Ｐ２と、これに収容された部材Ｐとを備える。これらの先端面Ｆ１，Ｆ２，Ｆはいずれも平坦であり、第一の筒状部材Ｐ１の先端面Ｆ１が基材フィルム１に当接した状態においては面一となっている（図１２（ａ）参照）。その後、第一の筒状部材Ｐ１から第二の筒状部材Ｐ２が突出することで支持片Ｄａを更に突き上げる（図１２（ｂ）参照）。次いで、第二の筒状部材Ｐ２から部材Ｐが突出することで支持片Ｄａの中央部を更に突き上げる（図１２（ｃ）参照）。このように平坦な面で支持片Ｄａを基材フィルム１側から突き上げることで、支持片Ｄａのエッジを粘着層２から効率的に剥離させることができ、これにより優れたピックアップ性を達成できる。
　三段式の突き上げ装置による支持片Ｄａの突き上げ方法は上記に限定されるものではない。例えば、まず、先端面Ｆ１，Ｆ２，Ｆが面一の状態で基材フィルム１を介して支持片Ｄａを突き上げる。その後、第一の筒状部材Ｐ１を下げた後、第二の筒状部材Ｐ２を下げてもよい。この方法によれば、比較的低い突き上げで支持片Ｄａをピックアップすることが可能である。なお、突き上げ装置の段数は三段に限定されるものではなく、少なくとも二段であればよい。すなわち、多段式の突き上げ装置は、筒状部材と、これに収容された柱状の部材Ｐとを備え、これらが独立して上下方向に駆動するものであればよい。
＜第三実施形態＞
　以下、支持片Ｄａの製造方法の第三実施形態について説明する。上記実施形態においては、支持片形成用フィルムＤを完全に切断することによって支持片Ｄａを形成する場合を例示したが、（Ｂ）工程において、支持片形成用フィルムＤをハーフカットした後、基材フィルム１をクールエキスパンションによって支持片Ｄａを形成してもよい。以下、主に上記実施形態との相違点について説明する。
　積層フィルム２０にダイシングリングＤＲを貼り付けた後（図５（ａ）参照）、図１３（ａ）に示されたように、支持片形成用フィルムＤの厚さ方向の途中まで切り込みＧを形成する。これにより、ハーフカットされた支持片形成用フィルムＤを有する積層フィルム２５が得られる。切り込みＧは、例えば、ブレード又はレーザーによって形成すればよい。切り込みＧの深さは、支持片形成用フィルムＤの厚さを１００とすると２５～５０であればよく、３０～４０であってもよい。切り込みＧは格子状に形成される（図１３（ｂ）参照）。なお、切り込みＧのパターンは格子状に限られず、支持片Ｄａの形状に応じた態様であればよい。
　その後、例えば、－１５～０℃の温度条件下でのクールエキスパンションによって、支持片形成用フィルムＤを個片化する。これにより、支持片形成用フィルムＤから多数の支持片Ｄａが得られる。基材フィルム１におけるダイシングリングＤＲの内側領域１ａをリングＲで突き上げることによって基材フィルム１に張力を付与すればよい（図５（ｃ）参照）。（Ｂ）工程において、支持片形成用フィルムＤをハーフカットした後、クールエキスパンションによって支持片形成用フィルムＤを個片化することで、支持片Ｄａのエッジが粘着層２に入り込まないため、優れたピックアップ性を達成できる。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記第一実施形態においては、感圧型の粘着層２を有する積層フィルム２０を例示したが、粘着層２は紫外線硬化型であってもよい。第三実施形態に係る粘着層２が紫外線硬化型である場合、上述のとおり、支持片Ｄａのエッジが粘着層２に入り込まないため、紫外線照射によって粘着層２を硬化させても優れたピックアップ性を達成できる。
　上記第二実施形態においては、紫外線硬化型の粘着層２を有する積層フィルム２０を例示したが、粘着層２は感圧型であってもよい。なお、感圧型の粘着層は、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有しても、含有しなくてもよい。例えば、粘着層は、その所定の領域に紫外線を照射することによって当該領域の粘着性を低下させたものであってもよく、例えば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂が残存していてもよい。
　上記実施形態においては、図３（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂層からなる支持片形成用フィルムＤを備える支持片形成用積層フィルム２０を例示したが、支持片形成用積層フィルムは熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるものであってもよい。また、支持片形成用積層フィルムは、熱硬化性樹脂層と当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は金属層とを有する多層フィルムを備えたものであってもよい。図１４（ａ）に示す支持片形成用積層フィルム２０Ａは、熱硬化性樹脂層５と、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層６とを有する二層フィルムＤ２（支持片形成用フィルム）を有する。すなわち、支持片形成用積層フィルム２０Ａにおいては、粘着層２と最外面の樹脂層６との間に熱硬化性樹脂層５が配置されている。なお、熱硬化性樹脂層５は、第一実施形態に係る支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物からなる。樹脂層６の厚さは、例えば、５～１００μｍであり、１０～９０μｍ又は２０～８０μｍであってもよい。樹脂層６は、例えば、ポリイミド層である。
　図１４（ｂ）に示す支持片形成用積層フィルム２０Ｂは、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層６と、樹脂層６を挟む二層の熱硬化性樹脂層５ａ，５ｂとを有する三層フィルムＤ３（支持片形成用フィルム）を有する。支持片形成用積層フィルム２０Ｂにおいては、粘着層２の表面上に三層フィルムＤ３が配置されている。
　二層フィルムＤ２は、第一実施形態と同様、例えば、ブレード又はレーザーによって完全に切断されてもよいし、第三実施形態と同様、ハーフカットされた後、クールエキスパンションによって個片化されてもよい。図１５（ａ）は二層フィルムＤ２をハーフカットした状態を模式的に示す断面図である。図１５（ａ）に示されたとおり、二層フィルムＤ２の樹脂層６を切断し且つ熱硬化性樹脂層５の厚さ方向の途中まで切り込みＧを形成すればよい。これにより、ハーフカットされた二層フィルムＤ２を有する積層フィルム２５Ａが得られる。樹脂層６が個片化されることで複数の樹脂片６ｐが形成される。切り込みＧは、熱硬化性樹脂層５の厚さを１００とすると、１０～７５（より好ましくは２５～５０）の厚さで熱硬化性樹脂層５を切断していればよい。
　三層フィルムＤ３も、第一及び第二実施形態と同様、例えば、ブレード又はレーザーによって完全に切断されてもよいし、第三実施形態と同様、ハーフカットされた後、クールエキスパンションによって個片化されてもよい。図１５（ｂ）は三層フィルムＤ３をハーフカットした状態を模式的に示す断面図である。図１５（ｂ）に示されたとおり、三層フィルムＤ３の熱硬化性樹脂層５ａ及び樹脂層６を切断し且つ熱硬化性樹脂層５ｂの厚さ方向の途中まで切り込みＧを形成すればよい。これにより、ハーフカットされた三層フィルムＤ３を有する積層フィルム２５Ｂが得られる。熱硬化性樹脂層５ａが個片化されることで複数の接着剤片５ｐが形成され、樹脂層６が個片化されることで複数の樹脂片６ｐが形成される。切り込みＧは、熱硬化性樹脂層５ｂの厚さを１００とすると、１０～７５（より好ましくは２５～５０）の厚さで熱硬化性樹脂層５ｂを切断していればよい。
　支持片形成用積層フィルム２０Ａ，２０Ｂは、熱硬化性樹脂層５よりも高い剛性を有する樹脂層６を含むことで、ダイシングによって個片化された後において、熱硬化性樹脂層５の熱硬化処理を実施しなくても、優れたピックアップ性を達成し得る。
　支持片形成用積層フィルム２０Ａ，２０Ｂにおいて、樹脂層６の代わりに、熱硬化性樹脂層よりも高い金属層（例えば、銅層又はアルミニウム層）を採用してもよい。金属層の厚さは、例えば、５～１００μｍであり、１０～９０μｍ又は２０～８０μｍであってもよい。支持片形成用積層フィルム２０Ａ，２０Ｂが金属層を含むことで、優れたピックアップ性に加え、樹脂材料と金属材料の光学的なコントラストにより、ピックアップ工程において支持片の優れた視認性を達成し得る。なお、支持片形成用積層フィルム２０Ａ，２０Ｂが金属層を有する場合、金属の展性に起因して金属片（金属層が個片化されたもの）のエッジが粘着層２に入り込みやすい。粘着層２が感圧型である場合、個片化工程とピックアップ工程との間に紫外線照射による粘着層２を硬化させる工程を実施しないため、仮に金属片のエッジが粘着層２に入り込んだ状態であっても優れたピックアップ性を達成できる。
　以下、実施例により本開示について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（ワニスＡの調製）
　以下の材料を使用して支持片形成用フィルムのためのワニスＡを調製した。
・エポキシ樹脂１：ＹＤＣＮ－７００－１０：（商品名、新日鉄住金化学（株）製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、２５℃において固体）５．４質量部
・エポキシ樹脂２：ＹＤＦ－８１７０Ｃ：（商品名、新日鉄住金化学（株）製、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、２５℃において液状）１６．２質量部
・フェノール樹脂（硬化剤）：ＬＦ－４８７１：（商品名、ＤＩＣ（株）製、ＢＰＡノボラック型フェノール樹脂）１３．３質量部
・無機フィラー：ＳＣ２０５０－ＨＬＧ：（商品名、（株）アドマテックス製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５０μｍ）４９．８質量部
・エラストマ：ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、ナガセケムテックス（株）製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）１４．９質量部
・カップリング剤１：Ａ－１８９：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１質量部
・カップリング剤２：Ａ－１１６０：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３質量部
・硬化促進剤：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ：（商品名、四国化成工業（株）製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）０．０５質量部
・溶媒：シクロヘキサン
（ワニスＢの調製）
　以下の材料を使用して支持片形成用フィルムのためのワニスＢを調製した。
・エポキシ樹脂：ＹＤＣＮ－７００－１０：（商品名、新日鉄住金化学（株）製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、２５℃において固体）１３．２質量部
・フェノール樹脂（硬化剤）：ＨＥ－１００Ｃ－３０：（商品名、エア・ウォーター（株）製、フェニルアラキル型フェノール樹脂）１１．０質量部
・無機フィラー：アエロジルＲ９７２：（商品名、日本アエロジル（株）製、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）７．８質量部
・エラストマ：ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、ナガセケムテックス（株）製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）６６．４質量部
・カップリング剤１：Ａ－１８９：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．４質量部
・カップリング剤２：Ａ－１１６０：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）１．１５質量部
・硬化促進剤：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ：（商品名、四国化成工業（株）製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）０．０３質量部
・溶媒：シクロヘキサン
＜実施例１Ａ＞
　上記のとおり、溶媒としてシクロヘキサノンを使用し、ワニスＡの固形分割合が４０質量％となるように調整した。１００メッシュのフィルターでワニスＡをろ過するとともに真空脱泡した。ワニスＡを塗布するフィルムとして、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）を準備した。真空脱泡後のワニスＡを、ＰＥＴフィルムの離型処理が施された面上に塗布した。塗布したワニスＡを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の二段階で加熱乾燥した。こうして、Ｂステージ状態（半硬化状態）の熱硬化性樹脂層ＡをＰＥＴフィルムの表面上に作製した。
　感圧型の粘着層を有する積層フィルムを以下の手順で作製した。粘着剤には、主モノマーとして２－エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は－３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱ケミカル株式会社製、商品名マイテックＮＹ７３０－Ｔ）を１０質量部配合した粘着剤溶液を調製し、表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（厚さ２５μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう塗工乾燥した。更に、ポリプロピレン/酢酸ビニル／ポリプロピレンからなる１００μｍのポリオレフィン基材を粘着剤面にラミネートした。この粘着フィルムを室温で２週間放置し十分にエージングを行うことでダイシングテープを得た。
　　厚さは５０μｍの熱硬化性樹脂層Ａを１１０℃で１時間にわたって加熱した後、１３０℃で３時間にわたって加熱することによって硬化させ、硬化樹脂層Ａを得た。上記ダイシングテープの粘着層に、硬化樹脂層Ａを７０℃のホットプレート上でゴムロールを使用して貼り合わせた。この工程を経て支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
＜実施例２Ａ＞
　熱硬化性樹脂層Ａを１１０℃で１時間にわたって加熱した後、１３０℃で３時間にわたって加熱する代わりに、１１０℃で２時間にわたって加熱することによって硬化させたことの他は実施例１Ａと同様にして、支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
＜実施例３Ａ＞
　ワニスＡの代わりにワニスＢを使用してＰＥＴフィルムの表面上に熱硬化性樹脂層Ｂを形成するとともに、７０℃のホットプレート上において、ダイシングテープの粘着層に熱硬化性樹脂層Ｂをゴムロールで貼り合わせた後、熱硬化性樹脂層Ｂにポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）をゴムロールで貼り合わせた。この工程を経て支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
　実施例１Ａ～３Ａの支持片形成用フィルムに対してピックアップ性の評価を行った。すなわち、実施例１Ａ～３Ａに係る積層体のダイシングテープにダイシングリングを７０℃の条件でラミネートした。ダイサーを用いて支持片形成用フィルムをハイト５５μｍの条件で個片化した。これにより、サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍの支持片を得た。その後、ダイボンダにてエキスパンド（エキスパンド量：３ｍｍ）した状態で、支持片をピックアップした。突き上げ治具として、９本のニードルを有する突き上げ装置（ＦＡＳＦＯＲＤ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ社製のＤＢ－８３０ｐｌｕｓ＋（商品名））を使用し、条件は突き上げ速度１０ｍｍ／秒及び突き上げ高さ３５０μｍとした。各実施例について、６個の支持片に対してピックアップを試みたところ、実施例１Ａ～３Ａのいずれにおいても、６個の支持片のすべてをピックアップすることができた。
＜実施例１Ｂ＞
　感圧型の粘着層の代わりに、紫外線硬化型の粘着層を有するダイシングテープを使用したことの他は、実施例１Ａと同様にして、支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
　紫外線硬化型の粘着層を有するダイシングテープを以下の手順で作製した。アクリル酸２－エチルヘキシル８３質量部、アクリル酸２－ヒドロキシエチル１５質量部、メタクリル酸２質量部を原料として、溶媒には酢酸エチルを用いて、溶液ラジカル重合により共重合体を得た。このアクリル共重合体に対し、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを、１２質量部反応させて、炭素－炭素二重結合を有する紫外線反応型アクリル共重合体を合成した。上記の反応にあたっては、重合禁止剤としてヒドロキノン・モノメチルエーテルを０．０５部用いた。合成したアクリル共重合体の重量平均分子量をＧＰＣにより測定したところ、３０万～７０万であった。このようにして得られたアクリル共重合体と、硬化剤としてポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン株式会社製、商品名：コロネートＬ）を固形分換算で２.０部と、光重合開始剤として１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．５部とを混合して紫外線硬化型粘着剤溶液を調製した。この紫外線硬化型粘着剤溶液を、ポリエチレンテレフタレート製剥離フィルム（厚さ：３８μｍ）上に、乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布及び乾燥した。その後、粘着剤層に、片面にコロナ放電処理が施されたポリオレフィン製フィルム（厚さ：９０μｍ）を貼り合わせた。得られた積層フィルムを４０℃の恒温槽で７２時間エージングを行い、ダイシングテープを得た。
＜実施例２Ｂ＞
　感圧型の粘着層の代わりに、紫外線硬化型の粘着層を有するダイシングテープを使用したことの他は、実施例２Ａと同様にして、支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
＜実施例３Ｂ＞
　感圧型の粘着層の代わりに、紫外線硬化型の粘着層を有するダイシングテープを使用したことの他は、実施例３Ａと同様にして、支持片形成用フィルムと、ダイシングテープとの積層体を得た。
　実施例１Ｂ～３Ｂの支持片形成用フィルムに対してピックアップ性の評価を行った。すなわち、実施例１Ｂ～３Ｂに係る積層体のダイシングテープにダイシングリングを７０℃の条件でラミネートした。ダイサーを用いて支持片形成用フィルムをハイト５５μｍの条件で個片化した。これにより、サイズが１０ｍｍ×１０ｍｍの支持片を得た。支持片の粘着層に向けてハロゲンランンプにて８０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件でダイシングテープ側から紫外線照射した。その後、ダイボンダにてエキスパンド（エキスパンド量：３ｍｍ）した状態で、支持片をピックアップした。突き上げ治具として、図１２（ａ）～図１２（ｃ）に示す構成（三段式）の先端部を有する突き上げ装置（ＦＡＳＦＯＲＤ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ社製のＤＢ－８３０ｐｌｕｓ＋（商品名））を使用し、条件は突き上げ速度１０ｍｍ／秒及び突き上げ高さ１２００μｍとした。各実施例について、６個の支持片に対してピックアップを試みたところ、実施例１Ｂ～３Ｂのいずれにおいても、６個の支持片のすべてをピックアップすることができた。
　本開示によれば、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片を効率的に製造することができ、半導体装置の生産効率の向上に寄与し得る支持片の製造方法が提供される。また、本開示によれば、上記支持片を使用してドルメン構造を有する半導体装置を効率的に製造する方法が提供される。
１…基材フィルム、１ａ…内側領域、２…粘着層、２ａ…周縁領域、５，５ａ，５ｂ…熱硬化性樹脂層、５ｐ…接着剤片、６…樹脂層、６ｐ…樹脂片、１０…基板、２０，２０Ａ，２０Ｂ…支持片形成用積層フィルム、２５，２５Ａ，２５Ｂ…積層フィルム、５０…封止材、１００…半導体装置、Ｃ…吸着コレット、Ｄ…支持片形成用フィルム、Ｄ２…二層フィルム（支持片形成用フィルム）、Ｄ３…三層フィルム（支持片形成用フィルム）、Ｄａ…支持片、Ｄｃ…支持片（硬化物）、ＤＲ…ダイシングリング、Ｆ，Ｆ１，Ｆ２…先端面、Ｇ…切り込み、Ｈ…ヒーター、Ｐ…部材、Ｐ１…第一の筒状部材、Ｐ２…第二の筒状部材、Ｎ…ニードル、Ｔ１…第一のチップ、Ｔ２…第二のチップ、Ｔ２ａ…接着剤片付きチップ、Ｔａ…接着剤片、Ｔｃ…接着剤片（硬化物）

 

Claims (9)

  1. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法であって、
    （Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記支持片形成用フィルムを個片化することによって、前記粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、
    （Ｃ）複数のニードルによって前記支持片を前記基材フィルムの側から突き上げた状態で前記支持片をピックアップする工程と、
    を含み、
    　前記支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層からなるフィルム、又は熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム、あるいは、熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は金属層とを有する多層フィルムである、支持片の製造方法。
  2. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法であって、
    （Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記支持片形成用フィルムを個片化することによって、前記粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、
    （Ｃ）平坦な先端面を有する部材によって前記支持片を前記基材フィルムの側から突き上げた状態で前記支持片をピックアップする工程と、
    を含み、
    　前記支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層からなるフィルム、又は熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム、あるいは、熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は金属層とを有する多層フィルムである、支持片の製造方法。
  3. 　前記樹脂層がポリイミド層である、請求項１又は２に記載の支持片の製造方法。
  4. 　前記金属層が銅層又はアルミニウム層である、請求項１又は２に記載の支持片の製造方法。
  5. 　前記支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層からなるフィルム、又は熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルムであり、
    　（Ｂ）工程は、前記支持片形成用フィルムの厚さ方向の途中まで切り込みを形成する工程と、冷却された状態の前記支持片形成用フィルムをエキスパンションによって個片化する工程とをこの順序で含む、請求項１又は２に記載の支持片の製造方法。
  6. 　前記支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は金属層とを有する多層フィルムであり、前記積層フィルムにおいて、前記樹脂層又は前記金属層と、前記粘着層との間に前記熱硬化性樹脂層が位置しており、
    　（Ｂ）工程は、前記支持片形成用フィルムの前記樹脂層又は前記金属層を切断し且つ前記熱硬化性樹脂層の厚さ方向の途中まで切り込みを形成する工程と、冷却された状態の前記支持片形成用フィルムをエキスパンションによって個片化する工程とをこの順序で含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の支持片の製造方法。
  7. 　前記粘着層が感圧型である、請求項１～６のいずれか一項に記載の支持片の製造方法。
  8. 　前記粘着層が紫外線硬化型である、請求項１～６のいずれか一項に記載の支持片の製造方法。
  9. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法であって、
    （Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程と、
    （Ｅ）請求項１～８のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された複数の前記支持片を、前記基板上であって前記第一のチップの周囲又は前記第一のチップが配置されるべき領域の周囲に配置する工程と、
    （Ｆ）第二のチップと、前記第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程と、
    （Ｇ）複数の前記支持片の表面上に前記接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。

     
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246241A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2007220913A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
US20080029885A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Sandisk Il Ltd. Inverted Pyramid Multi-Die Package Reducing Wire Sweep And Weakening Torques
JP2009302495A (ja) * 2008-05-12 2009-12-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2017168586A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 東芝メモリ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9418974B2 (en) 2014-04-29 2016-08-16 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor die assemblies with support members and associated systems and methods

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246241A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2007220913A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
US20080029885A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Sandisk Il Ltd. Inverted Pyramid Multi-Die Package Reducing Wire Sweep And Weakening Torques
JP2009302495A (ja) * 2008-05-12 2009-12-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2017168586A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 東芝メモリ株式会社 半導体装置

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