JP7351335B2 - ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、支持片の製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム - Google Patents
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Description
(1)半導体ウェハにバックグラインドテープを貼り付ける工程
(2)半導体ウェハをバックグラインドする工程
(3)ダイシングリングとその中に配置されたバックグラインド後の半導体ウェハに対し、粘着層と接着剤層とを有するフィルム(ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム)を貼り付ける工程
(4)半導体ウェハからバックグラインドテープを剥がす工程
(5)半導体ウェハを個片化する工程
(6)半導体チップと接着剤片の積層体からなる支持片を粘着層からピックアップする工程
(A)基材フィルムと、粘着層と、少なくとも金属層を含む多層構造を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
(B)支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
(C)粘着層から支持片をピックアップする工程
(D)基板上に第一のチップを配置する工程
(E)基板上であって第一のチップの周囲に上記の製造方法によって得られる複数の支持片を配置する工程
(F)第二のチップと、第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程
(G)複数の支持片の表面上に接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程
(半導体装置)
図1は、半導体装置の第一実施形態を模式的に示す断面図である。図1に示す半導体装置100は、基板10と、基板10の表面上に配置されたチップT1(第一のチップ)と、基板10の表面上であってチップT1の周囲に配置された複数の支持片Dcと、チップT1の上方に配置されたチップT2(第二のチップ)と、チップT2と複数の支持片Dcとによって挟まれている接着剤片Tcと、チップT2上に積層されたチップT3,T4と、基板10の表面上の電極(不図示)とチップT1~T4とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤwと、チップT1とチップT2との隙間等に充填された封止材50とを備える。
支持片の製造方法の一例について説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の(A)~(C)の工程を含む。
(A)基材フィルム1と、粘着層2と、少なくとも金属層6を含む多層構造を有する支持片形成用フィルムDとをこの順序で備える支持片形成用積層フィルム20(以下、場合により「積層フィルム20」という。)を準備する工程(図3、図4参照)
(B)支持片形成用フィルムDを個片化することによって、粘着層2の表面上に複数の支持片Daを形成する工程(図5(b)参照)
(C)粘着層2から支持片Daをピックアップする工程(図5(d)参照)
(A)工程は、積層フィルム20を準備する工程である。積層フィルム20は、基材フィルム1と、粘着層2と、少なくとも金属層6を含む多層構造を有する支持片形成用フィルムDとを備える。基材フィルム1は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)である。粘着層2は、パンチング等によって円形に形成されている(図3(a)参照)。粘着層2は、感圧型の粘着剤からなるものであっても、紫外線硬化型の粘着剤からなるものであってもよい。粘着層2が紫外線硬化型の粘着剤からなるものである場合、粘着層2は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有する。支持片形成用フィルムDは、パンチング等によって円形に形成されており、粘着層2よりも小さい直径を有する(図3(a)参照)。支持片形成用フィルムDは、二つの熱硬化性樹脂層5と、これらに挟まれた金属層6とによって構成されている。
(B)工程は、支持片形成用フィルムDを個片化することによって、粘着層2の表面上に複数の支持片Daを形成する工程である。図5(a)に示されるように、積層フィルム20にダイシングリングDRを貼り付ける。すなわち、積層フィルム20の粘着層2にダイシングリングDRを貼り付け、ダイシングリングDRの内側に支持片形成用フィルムDが配置された状態にする。支持片形成用フィルムDをダイシングによって個片化する(図5(b)参照)。これによって、支持片形成用フィルムDから多数の支持片Daが得られる。支持片Daは、二つの接着剤片5pと、これらに挟まれた金属片6pとによって構成される。
(C)工程は、粘着層2から支持片Daをピックアップする工程である。図5(c)に示されるように、基材フィルム1をエキスパンドすることで、支持片Daを互いに離間させる。次いで、図5(d)に示されるように、支持片Daを突き上げ治具42で突き上げることによって粘着層2から支持片Daを剥離させるとともに、吸引コレット44で吸引して支持片Daをピックアップする。
半導体装置100の製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の(D)~(H)の工程を含む。
(D)基板10上に第一のチップT1を配置する工程
(E)基板10上であって第一のチップT1の周囲に上記の製造方法によって得られる複数の支持片Da(少なくとも金属片6pを含む支持片Da)を配置する工程(図7参照)
(F)第二のチップT2と、第二のチップT2の一方の面上に設けられた接着剤片Taとを備える接着剤片付きチップT2aを準備する工程(図8参照)
(G)複数の支持片Dcの表面上に接着剤片付きチップT2aを配置することによってドルメン構造を構築する工程(図9参照)
(H)チップT1とチップT2との隙間等を封止材50で封止する工程(図1参照)
(D)工程は、基板10上に第一のチップT1を配置する工程である。例えば、まず、基板10上の所定の位置に接着剤層T1cを介してチップT1を配置する。その後、チップT1はワイヤwで基板10と電気的に接続される。
(E)工程は、基板10上であって第一のチップT1の周囲に複数の支持片Daを配置する工程である。この工程を経て、図7に示す構造体30が作製される。構造体30は、基板10と、その表面上に配置されたチップT1と、複数の支持片Daとを備える。支持片Daの配置は圧着処理によって行えばよい。圧着処理は、例えば、80~180℃、0.01~0.50MPaの条件で、0.5~3.0秒間にわたって実施することが好ましい。なお、支持片Daは、これに含まれる接着剤片5pが(E)工程の時点で完全に硬化して支持片Dcとなっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片Daに含まれる接着剤片5pは(G)工程の開始前の時点で完全硬化して接着剤片5cとなっていることが好ましい。
(F)工程は、図8に示す接着剤片付きチップT2aを準備する工程である。接着剤片付きチップT2aは、チップT2と、その一方の表面に設けられた接着剤片Taとを備える。接着剤片付きチップT2aは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。
(G)工程は、複数の支持片Dcの上面に接着剤片Taが接するように、チップT1の上方に接着剤片付きチップT2aを配置する工程である。具体的には、支持片Dcの上面に接着剤片Taを介してチップT2を圧着する。この圧着処理は、例えば、80~180℃、0.01~0.50MPaの条件で、0.5~3.0秒間にわたって実施することが好ましい。次に、加熱によって接着剤片Taを硬化させる。この硬化処理は、例えば、60~175℃、0.01~1.0MPaの条件で、5分間以上にわたって実施することが好ましい。これによって、接着剤片Taが硬化して接着剤片Tcとなる。この工程を経て、基板10上にドルメン構造が構築される(図9参照)。
(H)工程は、チップT1とチップT2との隙間等を封止材50で封止する工程である。この工程を経て図1に示す半導体装置100が完成する。
熱硬化性樹脂層5を構成する熱硬化性樹脂組成物は、上述のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマとを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。本発明者らの検討によると、支持片Da及び硬化後の支持片Dcは以下の特性を有することが好ましい。
・特性1:基板10の所定の位置に支持片Daを熱圧着したとき位置ずれが生じにくいこと(120℃における接着剤片5pの溶融粘度(ずり粘度)が、例えば、4300~50000Pa・s又は5000~40000Pa・sであること)
・特性2:半導体装置100内において接着剤片5cが応力緩和性を発揮すること(熱硬化性樹脂組成物がエラストマ(ゴム成分)を含むこと)
・特性3:接着剤片付きチップの接着剤片Tcとの接着強度が充分に高いこと(接着剤片Tcに対する接着剤片5c(すなわち、熱硬化性樹脂層からなるフィルムの硬化物)のダイシェア強度(シェア強度)が、例えば、2.0~7.0Mpa又は3.0~6.0Mpaであること)
・特性4:硬化に伴う収縮率が充分に小さいこと
・特性5:ピックアップ工程においてカメラによる支持片Daの視認性が良いこと(熱硬化性樹脂組成物が、例えば、着色料を含んでいること)
・特性6:接着剤片5cが充分な機械的強度を有すること
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン、酸無水物等が挙げられる。これらのうち、高いダイシェア強度(シェア強度)を達成する観点から、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂の市販品としては、例えば、DIC株式会社製のLF-4871(商品名、BPAノボラック型フェノール樹脂)、エア・ウォーター株式会社製のHE-100C-30(商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂)、DIC株式会社製のフェノライトKA及びTDシリーズ、三井化学株式会社製のミレックスXLC-シリーズとXLシリーズ(例えば、ミレックスXLC-LL)、エア・ウォーター株式会社製のHEシリーズ(例えば、HE100C-30)、明和化成株式会社製のMEHC-7800シリーズ(例えばMEHC-7800-4S)、JEFケミカル株式会社製のJDPPシリーズ、群栄化学工業株式会社製のPSMシリーズ(例えば、PSM-4326)等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
エラストマとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン、カルボキシ変性アクリロニトリルが挙げられる。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。高いダイシェア強度(シェア強度)を達成する観点から、イミダゾール系の化合物が好ましい。イミダゾール類としては、例えば、2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
図10は、半導体装置の第二実施形態を模式的に示す断面図である。第一実施形態に係る半導体装置100はチップT1が接着剤片Tcと離間している態様であるのに対し、本実施形態に係る半導体装置200はチップT1が接着剤片Tcと接している。つまり、接着剤片Tcは、チップT1の上面及び支持片Dcの上面に接している。例えば、支持片形成用フィルムDの厚さを適宜設定することで、チップT1の上面の位置と支持片Dcの上面の位置を一致させることができる。
・基材フィルム1と、粘着層2と、熱硬化性樹脂層5とをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
・上記積層フィルムの表面に金属層6を貼り合わせる工程
Claims (6)
- 基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片の製造方法であって、
(A)基材フィルムと、粘着層と、少なくとも金属層を含む多層構造を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、
(B)前記支持片形成用フィルムを個片化することによって、前記粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、
(C)前記粘着層から前記支持片をピックアップする工程と、
を含む、支持片の製造方法。 - (B)工程と(C)工程の間に、前記支持片の位置をカメラで認識する工程を含む、請求項1に記載の支持片の製造方法。
- 基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法であって、
(D)基板上に第一のチップを配置する工程と、
(E)前記基板上であって前記第一のチップの周囲に請求項1又は2に記載の製造方法によって得られる複数の支持片を配置する工程と、
(F)第二のチップと、前記第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程と、
(G)複数の前記支持片の表面上に前記接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記支持片形成用フィルムが熱硬化性樹脂層を含み、
(G)工程よりも前に、前記支持片形成用フィルム又は前記支持片を加熱する工程を含む、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片形成用積層フィルムであって、
基材フィルムと、
粘着層と、
少なくとも金属層を含む多層構造を有する支持片形成用フィルムと、
をこの順序で備える、支持片形成用積層フィルム。 - 前記支持片形成用フィルムが熱硬化性樹脂層を含む、請求項5に記載の支持片形成用積層フィルム。
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