TWI830905B - 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 - Google Patents
具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI830905B TWI830905B TW109113926A TW109113926A TWI830905B TW I830905 B TWI830905 B TW I830905B TW 109113926 A TW109113926 A TW 109113926A TW 109113926 A TW109113926 A TW 109113926A TW I830905 B TWI830905 B TW I830905B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- sheet
- adhesive
- film
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 134
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 116
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 116
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 63
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 170
- 239000010408 film Substances 0.000 description 125
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 10
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 9
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 7
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 6
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008360 acrylonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Images
Abstract
本揭示的支持片形成用積層膜依次具備基材膜、黏著層、及支持片形成用膜，且支持片形成用膜具有至少包含拉伸彈性係數8.0 MPa以上的樹脂層的多層結構。所述支持片形成用積層膜適用於具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於基板上；多個支持片，配置於基板上且為第一晶片的周圍；以及第二晶片，由多個支持片支持且配置成覆蓋第一晶片。
Description
本揭示是有關於一種具有支石墓結構的半導體裝置，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置在基板上；多個支持片，配置於基板上且為第一晶片周圍；以及第二晶片，由多個支持片支持並且配置成覆蓋第一晶片。另外，本揭示是有關於一種具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法。再者，支石墓(dolmen)是石墓的一種，具備多個支柱石及載置在其上的板狀的岩石。在具有支石墓結構的半導體裝置中，支持片相當於「支柱石」，第二晶片相當於「板狀的岩石」。
近年來，在半導體裝置的領域，要求高積體、小型化以及高速化。作為半導體裝置的一形態，在配置於基板上的控制器晶片上積層半導體晶片的結構受到關注。例如專利文獻1揭示了一種半導體晶粒組件，該半導體晶粒組件包括控制器晶粒、以及在控制器晶粒上由支持構件支持的記憶體晶粒。專利文獻1的圖1A所示的半導體組件100可謂是具有支石墓結構。即，半導體組件100包括封裝基板102、配置在封裝基板102表面上的控制器晶
粒103、配置在控制器晶粒103上方的記憶體晶粒106a、記憶體晶粒106b、以及支持記憶體晶粒106a的支持構件130a、支持構件130b。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2017-515306號公報
專利文獻1揭示了作為支持構件(支持片)，能夠使用矽等半導體材料，更具體而言，能夠使用切割半導體晶圓而得到的半導體材料的斷片(參照專利文獻1的[0012]、[0014]及圖2)。就使用半導體晶圓製造支石墓結構用的支持片而言，與普通的半導體晶片的製造同樣，例如需要以下的各步驟。
(1)在半導體晶圓上貼附背面研磨帶(back grind tape)的步驟；(2)背面研磨半導體晶圓的步驟；(3)對切割環與配置在其中的背面研磨後的半導體晶圓貼附具有黏著層及接著劑層的膜(切割-黏晶一體型膜)的步驟；(4)自半導體晶圓剝離背面研磨帶的步驟；(5)將半導體晶圓單片化的步驟；(6)自黏著層拾取包含半導體晶片與接著劑片的積層體的支持片的步驟；
(7)將多個支持片壓接在基板的規定位置的步驟。
本揭示提供一種半導體裝置的製造方法，在具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程中，簡化製作支持片的步驟，並且能夠實現支持片的優異的拾取性。另外，本揭示提供一種具有支石墓結構的半導體裝置、以及支持片形成用積層膜及其製造方法。
本揭示的一個方面是有關於一種具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法。所述製造方法包括以下的步驟。
(A)準備依次具備基材膜、黏著層、及支持片形成用膜的積層膜的步驟；(B)藉由將支持片形成用膜單片化，而在黏著層的表面上形成多個支持片的步驟；(C)自黏著層拾取支持片的步驟；(D)在基板上配置第一晶片的步驟；(E)在基板上且為第一晶片的周圍或應配置第一晶片的區域的周圍，配置多個支持片的步驟；(F)準備帶接著劑片的晶片的步驟，所述帶接著劑片的晶片具備第二晶片、及設置在第二晶片的一個面上的接著劑片；(G)藉由在多個支持片的表面上配置帶接著劑片的晶片來構築支石墓結構的步驟。
所述支持片形成用膜具有至少包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂層的多層結構。藉由使支持片形成用膜所具有的樹脂層
的拉伸彈性係數為8.0MPa以上，能夠實現將支持片形成用膜單片化而得到的支持片的優異的拾取性。支持片形成用膜除了樹脂層以外，例如亦可包含由與樹脂層不同的材質構成的熱硬化性樹脂層。本揭示中，拉伸彈性係數是指按照日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)K7127：1999(塑膠-拉伸特性的試驗方法-第3部分：膜及片材的試驗條件)中記載的方法，在以下的條件下測定的值。
．試驗片尺寸：10mm×40mm
．夾盤間隔：30mm
．拉伸速度：300mm/分鐘
(D)步驟及(E)步驟可先實施任一項。在先實施(D)步驟的情況下，在(E)步驟中，只要在基板上且為第一晶片的周圍配置多個支持片即可。另一方面，在先實施(E)步驟的情況下，在(E)步驟中，在基板上且為應配置第一晶片的區域的周圍配置多個支持片，然後，在(D)步驟中，在該區域配置第一晶片即可。
在本揭示的所述製造方法中，使用將支持片形成用膜單片化而獲得的支持片。藉此，與使用切割半導體晶圓而得到的半導體材料的斷片作為支持片的先前的製造方法相比，能夠簡化製作支持片的步驟。即，先前需要上述(1)~(7)的步驟，與此相對，支持片形成用膜不包含半導體晶圓，故能夠省略與半導體晶圓的背面研磨相關的(1)、(2)及(4)的步驟。另外，由於不使用較樹脂材料昂貴的半導體晶圓，故亦能夠削減成本。
(A)步驟中準備的積層膜的黏著層可為感壓型亦可為紫外線硬化型。即，黏著層可藉由紫外線照射而硬化，亦可不藉由紫外線照射而硬化，換言之，可含有具有光反應性的具有碳-碳雙鍵的樹脂，亦可不含有。再者，感壓型的黏著層亦可含有具有光反應性的具有碳-碳雙鍵的樹脂。例如，黏著層可藉由對其規定區域照射紫外線而降低該區域的黏著性，例如，亦可殘存具有光反應性的具有碳-碳雙鍵的樹脂。黏著層為紫外線硬化型的情況下，可藉由在(B)步驟與(C)步驟之間，實施對黏著層照射紫外線的步驟，降低黏著層的黏著性。
在支持片形成用膜包含熱硬化性樹脂層的情況下，加熱支持片形成用膜或支持片使熱硬化性樹脂層或接著劑片硬化的步驟在適當的時機實施即可，例如在(G)步驟之前實施即可。在以接觸多個支持片的表面的方式配置帶接著劑片的晶片的階段，熱硬化性樹脂層已經硬化，藉此能夠抑制支持片隨著帶接著劑片的晶片的配置而變形。再者，由於熱硬化性樹脂層相對於其他構件(例如基板)具有接著性，因此可不在支持片上另外設置接著劑層等。
本揭示的一個方面是有關於一種具有支石墓結構的半導體裝置。即，所述半導體裝置具有支石墓結構，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於基板上；多個支持片，配置於基板上且為第一晶片的周圍；以及第二晶片，由多個支持片支持且配置成覆蓋第一晶片，且支持片具有至少包括拉伸彈性係數8.0
MPa以上的樹脂片的多層結構。
本揭示的所述半導體裝置可更包括接著劑片，所述接著劑片設置在第二晶片的一個面上並且被第二晶片與多個支持片夾持。此種情況下，所述第一晶片可與接著劑片分離，亦可與接著劑片接觸。該接著劑片例如以至少覆蓋第二晶片中的與第一晶片相對的區域的方式設置。該接著劑片可自第二晶片的所述區域連續地延伸至第二晶片的周緣側，並且被第二晶片與多個支持片夾持。即，一個該接著劑片可覆蓋第二晶片的上述區域且將第二晶片與多個支持片接著。
本揭示的一個方面是有關於一種支持片形成用積層膜。所述積層膜依次具備基材膜、黏著層、及支持片形成用膜，且支持片形成用膜具有至少含有拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂層的多層結構。所述樹脂層例如為聚醯亞胺層。支持片形成用膜除了樹脂層以外，還可包含由與樹脂層不同的材質構成的熱硬化性樹脂層。藉由使支持片形成用膜具有由相互不同的材質構成的多個層，能夠使各層分擔功能，例如，與由相同材質的多個層構成者相比，能夠實現膜的高功能化。藉由將此種多層結構的膜單片化，可獲得適合支石墓結構的支持片。該支持片包括樹脂片(樹脂層經單片化而成者)、及設置在樹脂片的一個面上的接著劑片(熱硬化性樹脂層經單片化而成者)，且樹脂片由與接著劑片不同的材質構成。該支持片亦可包括樹脂片與夾持樹脂片的一對接著劑片的三層結構，樹脂片由與一對接著劑片不同的材質構成。
所述支持片形成用膜的厚度例如為5μm~180μm。藉由使支持片形成用膜的厚度在該範圍內，能夠構築相對於第一晶片(例如，控制器晶片)而為適當高度的支石墓結構。支持片形成用膜可包含熱硬化性樹脂層。熱硬化性樹脂層例如含有環氧樹脂，較佳為含有彈性體。藉由構成支持片的熱硬化性樹脂層含有彈性體，能夠緩和半導體裝置內的應力。
本揭示的一個方面是有關於一種支持片形成用積層膜的製造方法。所述製造方法包括：準備黏著膜的步驟，所述黏著膜具有基材膜、及形成在所述基材膜的一個面上的黏著層；以及在黏著層的表面上積層支持片形成用膜的步驟，且支持片形成用膜具有至少包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂層的多層結構。
具有熱硬化性樹脂層及樹脂層的支持片形成用積層膜例如可如以下般製造。即，該支持片形成用積層膜的製造方法包括：準備依次具備基材膜、黏著層、熱硬化性樹脂層的積層膜的步驟；以及在熱硬化性樹脂層的表面貼合拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂層的步驟。
根據本揭示，提供一種半導體裝置的製造方法，在具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程中，能夠簡化製作支持片的步驟、並且能夠實現支持片的優異的拾取性。另外，根據本揭示，提供一種具有支石墓結構的半導體裝置、以及支持片形成用積層膜及其製造方法。
1:基材膜
2:黏著層
3:覆蓋層
5:熱硬化性樹脂層
5c:接著劑片(硬化物)
5p:接著劑片
6:樹脂層
6p:樹脂片
10:基板
20、20A:支持片形成用積層膜(積層膜)
30:結構體
42:上推夾具
44:抽吸夾頭
50:密封材
100、200:半導體裝置
D:支持片形成用膜
D2:雙層膜(支持片形成用膜)
Da、Dc:支持片
DR:切割環
R:區域
T1:第一晶片(晶片)
T2:第二晶片(晶片)
T3、T4:晶片
T1c:接著劑片/接著劑層
T2a:帶接著劑片的晶片
Ta、Tc:接著劑片
w:導線
圖1是示意性地表示本揭示的半導體裝置的第一實施方式的剖面圖。
圖2的(a)及圖2的(b)是示意性地表示第一晶片與多個支持片的位置關係的例子的平面圖。
圖3的(a)是示意性地表示支持片形成用積層膜的一實施方式的平面圖，圖3的(b)是圖3的(a)的b-b線處的剖面圖。
圖4是示意性地表示貼合黏著層與支持片形成用膜的步驟的剖面圖。
圖5的(a)~圖5的(d)是示意性地表示支持片的製作過程的剖面圖。
圖6是示意性地表示在基板上且為第一晶片周圍配置有多個支持片的狀態的剖面圖。
圖7是示意地表示帶接著劑片的晶片一例的剖面圖。
圖8是示意性地表示形成在基板上的支石墓結構的剖面圖。
圖9是示意性地表示本揭示的半導體裝置的第二實施方式的剖面圖。
圖10是示意性地表示支持片形成用積層膜的另一實施方式的剖面圖。
以下，參照圖式對本揭示的實施方式進行詳細說明。其
中，本發明不限定於以下的實施方式。再者，本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸或甲基丙烯酸，所謂「(甲基)丙烯酸酯」是指丙烯酸酯或與其對應的甲基丙烯酸酯。所謂「A或B」，只要包含A與B的任一者即可，亦可兩者均包含。
於本說明書中，用語「層」於以平面圖的形式進行觀察時，除了於整個面形成的形狀的結構以外，亦包含部分地形成的形狀的結構。另外，於本說明書中，「步驟」這一用語不僅是指獨立的步驟，即便在無法與其他步驟明確地加以區分的情況下，只要達成該步驟的預期的作用，則亦包含於本用語中。另外，使用「~」所表示的數值範圍表示包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。
於本說明書中，關於組成物中的各成分的含量，於在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，只要無特別說明，則是指組成物中存在的所述多種物質的合計量。另外，例示材料只要無特別說明，則可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。另外，本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。另外，本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值可替換為實施例中所示的值。
<第一實施方式>
(半導體裝置)
圖1是示意性地表示本實施方式的半導體裝置的剖面圖。該
圖所示的半導體裝置100包括：基板10、配置在基板10的表面上的晶片T1(第一晶片)、配置於基板10的表面上且為晶片T1的周圍的多個支持片Dc、配置於晶片T1的上方的晶片T2(第二晶片)、由晶片T2與多個支持片Dc夾持的接著劑片Tc、積層在晶片T2上的晶片T3、晶片T4、將基板10的表面上的電極(未圖示)與晶片T1~晶片T4分別電連接的多個導線w；以及填充在晶片T1與晶片T2之間的間隙等中的密封材50。
在本實施方式中，藉由多個支持片Dc、晶片T2、以及位於支持片Dc與晶片T2之間的接著劑片Tc而在基板10上構成支石墓結構。晶片T1與接著劑片Tc分離。藉由適當設定支持片Dc的厚度，能夠確保用於連接晶片T1的上表面與基板10的導線w的空間。藉由使晶片T1與接著劑片Tc分離，能夠防止與晶片T1連接的導線w的上部接觸晶片T2所導致的導線w的短路。另外，由於無需將導線埋入與晶片T2接觸的接著劑片Tc，故具有能夠減薄接著劑片Tc的優點。
如圖1所示，晶片T1與晶片T2之間的接著劑片Tc覆蓋晶片T2中的與晶片T1相對的區域R，並且自區域R連續地延伸至晶片T2的周緣側。即，一個接著劑片Tc覆蓋晶片T2的區域R，並夾設在晶片T2與多個支持片之間而將該些接著。再者，圖1中示出了接著劑片Tc設置成覆蓋晶片T2的一個面(下表面)的整體的形態。然而，由於接著劑片Tc在半導體裝置100的製造過程中可能收縮，因此只要實質上覆蓋晶片T2的一個面(下表面)
的整體即可，例如，於晶片T2的周緣的一部分亦可存在未被接著劑片Tc覆蓋的部位。圖1中的晶片T2的下表面相當於晶片的背面。近年來晶片的背面多形成有凹凸。藉由晶片T2背面的實質上的整體被接著劑片Tc覆蓋，能夠抑制晶片T2產生裂縫或破裂。
基板10可以是有機基板，亦可以是引線框架等金屬基板。基板10中，自抑制半導體裝置100的翹曲的觀點來看，基板10的厚度例如為90μm~300μm，亦可為90μm~210μm。
晶片T1例如是控制器晶片，藉由接著劑片T1c接著於基板10且藉由導線w與基板10電連接。俯視下的晶片T1的形狀例如為矩形(正方形或長方形)。晶片T1的一邊的長度例如為5mm以下，亦可為2mm~5mm或1mm~5mm。晶片T1的厚度例如為10μm~150μm，亦可為20μm~100μm。
晶片T2例如是記憶體晶片，並經由接著劑片Tc而接著在支持片Dc上。俯視時，晶片T2具有大於晶片T1的尺寸。俯視下的晶片T2的形狀例如為矩形(正方形或長方形)。晶片T2的一邊的長度例如為20mm以下，亦可為4mm~20mm或4mm~12mm。晶片T2的厚度例如是10μm~170μm，亦可為20μm~120μm。再者，晶片T3、晶片T4亦例如是記憶體晶片，經由接著劑片Tc接著在晶片T2上。晶片T3、晶片T4的一邊的長度只要與晶片T2相同即可，晶片T3、晶片T4的厚度亦與晶片T2相同即可。
支持片Dc發揮在晶片T1的周圍形成空間的間隔物的作
用。支持片Dc由兩個接著劑片5c及被該些夾持的樹脂片6p構成。接著劑片5c包含熱硬化性樹脂組成物(接著劑片5p)的硬化物。樹脂片6p包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂(例如聚醯亞胺)。樹脂片6p由與接著劑片5c不同的材質構成。藉由使支持片Dc具有由相互不同的材質構成的多個層，能夠使各層分擔功能，與由相同材質的多個層構成者相比，能夠實現支持片的高功能化。
再者，如圖2的(a)所示，可在晶片T1的兩側的隔開的位置配置兩個支持片Dc(形狀：長方形)，亦可如圖2的(b)所示，在與晶片T1的角部對應的位置分別配置一個支持片Dc(形狀：正方形，共計4個)。俯視下的支持片Dc的一邊的長度例如為20mm以下，亦可為1mm~20mm或1mm~12mm。支持片Dc的厚度(高度)例如為10μm~180μm，亦可為20μm~120μm。
兩個接著劑片5c、5c的厚度的合計相對於支持片Dc的厚度的比率較佳為0.1~0.9，更佳為0.2~0.8，進而佳為0.2~0.7。藉由該比率在0.1以上，接著劑片5c能夠更高度地發揮其作用(例如，支持晶片T2及防止樹脂片6p的位置偏移)。另一方面，當比率為0.9以下時，樹脂片6p具有足夠的厚度，因此樹脂片6p起到如彈簧板般的作用，能夠實現更優異的拾取性(參照圖5的(d))。根據該些觀點，樹脂片6p的厚度例如是10μm~80μm，亦可為20μm~60μm。接著劑片5c(一層)的厚度例如為5μm~120μm，亦可為10μm~60μm。
(支持片的製造方法)
對支持片的製造方法的一例進行說明。再者，圖1所示的支持片Dc是其所含的接著劑片(熱硬化性樹脂組成物)硬化後的支持片。另一方面，支持片Da是其所含的接著劑片(熱硬化性樹脂組成物)完全硬化之前的狀態的支持片(例如，參照圖5的(b))。
首先，準備圖3的(a)及圖3的(b)所示的支持片形成用積層膜20(以下，視情況稱為「積層膜20」)。積層膜20具備基材膜1、黏著層2、及支持片形成用膜D。基材膜1例如為聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET(polyethylene terephthalate)膜)。黏著層2藉由沖孔等形成為圓形(參照圖3的(a))。黏著層2包含紫外線硬化型黏著劑。即，黏著層2具有藉由照射紫外線而黏著性降低的性質。支持片形成用膜D藉由沖孔等形成為圓形，具有較黏著層2小的直徑(參照圖3的(a))。支持片形成用膜D由兩個熱硬化性樹脂層5、及被該些夾持的樹脂層6構成。
熱硬化性樹脂層5的厚度例如為5μm~180μm，亦可為10μm~170μm或15μm~160μm。兩個熱硬化性樹脂層5的厚度可相同，亦可不同。樹脂層6例如是聚醯亞胺層。熱硬化性樹脂層5包含熱硬化性樹脂組成物。熱硬化性樹脂組成物經過半硬化(B階段)狀態，藉由之後的硬化處理能夠成為完全硬化物(C階段)狀態。熱硬化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑、彈性體(例如丙烯酸樹脂)，並根據需要進一步含有無機填料及硬化促進劑等。兩個熱硬化性樹脂層5的組成可相同，亦可不同。
對於構成熱硬化性樹脂層5的熱硬化性樹脂組成物的詳細情況將在後面敘述。
樹脂層6的厚度例如為5μm~100μm，亦可為10μm~90μm或20μm~80μm。樹脂層6的拉伸彈性係數為8.0MPa以上，亦可為9.0MPa以上或10.0MPa以上。藉由使樹脂層6的拉伸彈性係數為8.0MPa以上，在拾取支持片Da的步驟中(參照圖5的(d))，樹脂片6p發揮如彈簧板般的作用，能夠實現優異的拾取性。再者，自材料的獲得的容易度的觀點出發，樹脂層6的拉伸彈性係數的上限值為15MPa左右。作為構成樹脂層6的材質，例如可列舉聚醯亞胺以及聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)。樹脂層6可為包含以拉伸彈性係數成為所述範圍的方式實施了硬化處理的熱硬化性樹脂組成物或光硬化性樹脂組成物的層。
積層膜20例如可藉由將第一積層膜與第二積層膜貼合來製造，所述第一積層膜具有基材膜1且在基材膜1的表面上具有黏著層2，所述第二積層膜具有覆蓋膜3且在覆蓋膜3的表面上具有支持片形成用膜D(參照圖4)。第一積層膜可經過如下步驟而獲得：在基材膜1的表面上藉由塗佈而形成黏著層的步驟、以及藉由沖孔等將黏著層加工成規定形狀(例如圓形)的步驟。第二積層膜可經過如下步驟而獲得：在覆蓋膜3(例如PET膜或聚乙烯膜)的表面上藉由塗佈而形成熱硬化性樹脂層5的步驟、在熱硬化性樹脂層5的表面形成樹脂層6的步驟、在樹脂層6的表
面上藉由塗佈而形成熱硬化性樹脂層5的步驟、及藉由沖孔等將經過該些步驟而形成的支持片形成用膜加工成規定形狀(例如圓形)的步驟。當使用積層膜20時，覆蓋膜3在適當的時機被剝離。
如圖5的(a)所示，將切割環DR貼附於積層膜20。即，將切割環DR貼附於積層膜20的黏著層2，成為在切割環DR的內側配置有支持片形成用膜D的狀態。藉由切割將支持片形成用膜D單片化(參照圖5的(b))。藉此，可自支持片形成用膜D獲得多個支持片Da。支持片Da由兩個接著劑片5p、及被兩個接著劑片5p夾持的樹脂片6p構成。其後，藉由對黏著層2照射紫外線，使黏著層2與支持片Da之間的黏著力下降。紫外線照射後，如圖5的(c)所示，藉由擴展基材膜1，使支持片Da相互分離。如圖5的(d)所示，藉由用上推夾具42上推支持片Da，自黏著層2剝離支持片Da，並且用抽吸夾頭44進行抽吸來拾取支持片Da。再者，亦可藉由對切割前的支持片形成用膜D或拾取前的支持片Da進行加熱，使熱硬化性樹脂的硬化反應進行。在拾取時藉由支持片Da適度地硬化而能夠實現優異的拾取性。較佳為將用於單片化的切口形成至支持片形成用膜D的外緣。支持片形成用膜D的直徑例如可為300mm~310mm或300mm~305mm。支持片形成用膜D的俯視下的形狀不限於圖3的(a)所示的圓形，亦可為矩形(正方形或長方形)。
兩個熱硬化性樹脂層5、5的厚度的合計相對於支持片形成用膜D的厚度的比率較佳為0.1~0.9，更佳為0.2~0.8，進而
佳為0.2~0.7。藉由使該比率為0.1以上，如上所述，接著劑片5c能夠更高度地發揮其作用(例如，支持晶片T2及防止樹脂片6p的位置偏移)。另一方面，比率為0.9以下時，樹脂片6p具有充分的厚度，因此樹脂片6p發揮如彈簧板般的作用，能夠實現更優異的拾取性(參照圖5的(d))。自該些觀點出發，樹脂層6的厚度例如為10μm~80μm，亦可為20μm~60μm。熱硬化性樹脂層5(一層)的厚度例如為5μm~120μm，亦可為10μm~60μm。
(半導體裝置的製造方法)
對半導體裝置100的製造方法進行說明。本實施方式的製造方法包括以下的(A)~(H)的步驟。
(A)準備積層膜20的步驟(參照圖4)；(B)藉由將支持片形成用膜D單片化，在黏著層2的表面上形成多個支持片Da的步驟(參照圖5的(b))；(C)自黏著層2拾取支持片Da的步驟(參照圖5的(d))；(D)在基板10上配置第一晶片T1的步驟；(E)在基板10上且為第一晶片T1的周圍配置多個支持片Da的步驟(參照圖6)；(F)準備帶接著劑片的晶片T2a的步驟，所述帶接著劑片的晶片T2a具備第二晶片T2、及設置在第二晶片T2的一個面上的接著劑片Ta(參照圖7)；(G)藉由在多個支持片Dc的表面上配置帶接著劑片的晶片T2a來構築支石墓結構的步驟(參照圖8)；
(H)用密封材50密封晶片T1與晶片T2之間的間隙等的步驟(參照圖1)。
(A)步驟~(C)步驟是製作多個支持片Da的製程，已經說明完畢。(D)步驟~(H)步驟是使用多個支持片Da在基板10上構築支石墓結構的製程。以下，參照圖6~圖8對(D)步驟~(H)步驟進行說明。
[(D)步驟]
(D)步驟是在基板10上配置第一晶片T1的步驟。例如，首先，經由接著劑層T1c將晶片T1配置在基板10上的規定位置。然後，晶片T1藉由導線w與基板10電連接。(D)步驟可為在(E)步驟之前進行的步驟，亦可在(A)步驟之前、(A)步驟與(B)步驟之間、(B)步驟與(C)步驟之間、或者(C)步驟與(E)步驟之間。
[(E)步驟]
(E)步驟是在基板10上且為第一晶片T1的周圍配置多個支持片Da的步驟。經過所述步驟製作圖6所示的結構體30。結構體30包括基板10、配置在基板10的表面上的晶片T1、及多個支持片Da。支持片Da的配置藉由壓接處理進行即可。壓接處理例如較佳為在80℃~180℃、0.01MPa~0.50Mpa的條件下實施0.5秒~3.0秒。再者，關於支持片Da，其包含的接著劑片5p可在(E)步驟的時刻完全硬化而成為支持片Dc，亦可不在該時刻完全硬化。支持片Da中包含的接著劑片5p亦可在(G)步驟開始
前的時刻完全硬化而成為接著劑片5c。
[(F)步驟]
(F)步驟是準備圖7所示的帶接著劑片的晶片T2a的步驟。帶接著劑片的晶片T2a包括晶片T2、及設置在晶片T2的一個表面的接著劑片Ta。帶接著劑片的晶片T2a例如能夠使用半導體晶圓及切割-黏晶一體型膜，經過切割步驟及拾取步驟而獲得。
[(G)步驟]
(G)步驟是以接著劑片Ta與多個支持片Dc的上表面接觸的方式，在晶片T1的上方配置帶接著劑片的晶片T2a的步驟。具體而言，經由接著劑片Ta將晶片T2壓接於支持片Dc的上表面。該壓接處理例如較佳為在80℃~180℃、0.01MPa~0.50MPa的條件下實施0.5秒~3.0秒。繼而，藉由加熱使接著劑片Ta硬化。該硬化處理例如較佳為在60℃~175℃、0.01MPa~1.0MPa的條件下實施5分鐘以上。藉此，接著劑片Ta硬化而成為接著劑片Tc。經過該步驟，在基板10上構築支石墓結構(參照圖8)。
在(G)步驟後、(H)步驟前，經由接著劑片在晶片T2上配置晶片T3，進而，經由接著劑片在晶片T3上配置晶片T4。接著劑片只要是與上述接著劑片Ta同樣的熱硬化性樹脂組成物即可，藉由加熱硬化而成為接著劑片Tc(參照圖1)。另一方面，藉由導線w分別將晶片T2、晶片T3、晶片T4與基板10電連接。再者，積層在晶片T1上方的晶片的數量不限於本實施方式中的三個，適當設定即可。
[(H)步驟]
(H)步驟是用密封材50將晶片T1與晶片T2之間的間隙等密封的步驟。經過該步驟，完成圖1所示的半導體裝置100。
(熱硬化性樹脂組成物)
如上所述，構成熱硬化性樹脂層5的熱硬化性樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑及彈性體，根據需要更含有無機填料及硬化促進劑等。根據本發明者等人的研究，較佳為支持片Da及硬化後的支持片Dc具有以下特性。
．特性1：在基板10的規定位置熱壓接支持片Da時不易產生位置偏移(120℃下的接著劑片5p的熔融黏度例如為4300Pa．s~50000Pa．s或5000Pa．s~40000Pa．s)；．特性2：在半導體裝置100內接著劑片5c發揮應力緩和性(熱硬化性樹脂組成物含有彈性體(橡膠成分))；．特性3：與帶接著劑片的晶片的接著劑片Tc的接著強度充分高(接著劑片5c相對於接著劑片Tc的晶粒剪切(dieshear)強度例如為2.0Mpa~7.0Mpa或3.0Mpa~6.0Mpa)；．特性4：伴隨硬化的收縮率充分小；．特性5：在拾取步驟中基於照相機的支持片Da的視認性良好(熱硬化性樹脂組成物例如含有著色劑)；．特性6：接著劑片5c具有充分的機械強度。
[環氧樹脂]
環氧樹脂若為進行硬化而具有接著作用者，則並無特別限
定。可使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等二官能環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，可應用多官能環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等普遍已知的樹脂。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
[硬化劑]
作為硬化劑，例如可列舉酚樹脂、酯化合物、芳香族胺、脂肪族胺及酸酐。其中，自實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，較佳為酚樹脂。作為酚樹脂的市售品，例如可列舉：迪愛生(DIC)(股)製造的LF-4871(商品名，BPA酚醛清漆型酚樹脂)、愛沃特(AIR WATER)(股)製造的HE-100C-30(商品名，苯基芳烷基型酚樹脂)、迪愛生(DIC)(股)製造的菲諾萊特(Phenolite)KA及TD系列、三井化學(股)製造的美萊克(Milex)XLC-系列及XL系列(例如美萊克(Milex)XLC-LL)、愛沃特(AIR WATER)(股)製造的HE系列(例如HE100C-30)、明和化成(股)製造的MEHC-7800系列(例如MEHC-7800-4S)、JEF化學(JFE Chemical)(股)製造的JDPP系列。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
關於環氧樹脂與酚樹脂的調配量，自實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，環氧當量與羥基當量的當量比分別較佳為0.6~1.5，更佳為0.7~1.4，進而佳為0.8~1.3。藉由使調配比在上述
範圍內，容易將硬化性及流動性雙方達到充分高的水準。
[彈性體]
作為彈性體，例如可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、聚丁二烯、丙烯腈、環氧改質聚丁二烯、順丁烯二酸酐改質聚丁二烯、酚改質聚丁二烯及羧基改質丙烯腈。
自實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，作為彈性體較佳為丙烯酸系樹脂，進而，更佳為將丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等具有環氧基或縮水甘油基作為交聯性官能基的官能性單體聚合而得到的含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等丙烯酸系樹脂。在丙烯酸系樹脂中，較佳為含環氧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物以及含環氧基的丙烯酸橡膠，更佳為含環氧基的丙烯酸橡膠。含環氧基的丙烯酸橡膠是以丙烯酸酯為主要成分，主要包含丙烯酸丁酯與丙烯腈等共聚物、丙烯酸乙酯與丙烯腈等共聚物的，具有環氧基的橡膠。再者，丙烯酸系樹脂不僅可具有環氧基，亦可具有醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基。
作為丙烯酸樹脂的市售品，可列舉：長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造的SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、SG-P3溶劑變更品(商品名，丙烯酸橡膠，重量平均分子量：80萬，Tg：12℃，溶劑為環己酮)等。
自實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-50℃~50℃，更佳為-30℃~30℃。自實
現高的晶粒剪切強度的觀點而言，丙烯酸樹脂的重量平均分子量(Mw)較佳為10萬~300萬，更佳為50萬~200萬。此處，Mw是指藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)測定，使用基於標準聚苯乙烯的標準曲線進行換算而得到的值。再者，藉由使用分子量分佈窄的丙烯酸樹脂，具有能夠形成高彈性的接著劑片的傾向。
自實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，相對於環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計100質量份，熱硬化性樹脂組成物中所含的丙烯酸樹脂的量較佳為10質量份~200質量份，更佳為20質量份~100質量份。
[無機填料]
作為無機填料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼及結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
就實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，無機填料的平均粒徑較佳為0.005μm~1.0μm，更佳為0.05μm~0.5μm。就實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，無機填料的表面較佳為經化學修飾。適合作為對表面進行化學修飾的材料者可列舉矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑的官能基的種類，例如可列舉乙烯基、丙烯醯基、環氧基、巰基、胺基、二胺基、烷氧基、乙氧基。
就實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，相對於熱硬化性
樹脂組成物的樹脂成分100質量份，無機填料的含量較佳為20質量份~200質量份，更佳為30質量份~100質量份。
[硬化促進劑]
作為硬化促進劑，例如可列舉：咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、及四級銨鹽。就實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，較佳為咪唑系的化合物。作為咪唑類，可列舉2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
就實現高的晶粒剪切強度的觀點而言，相對於環氧樹脂及環氧樹脂硬化劑的合計100質量份，熱硬化性樹脂組成物的硬化促進劑的含量較佳為0.04質量份~3質量份，更佳為0.04質量份~0.2質量份。
<第二實施方式>
圖9是示意性地表示第二實施方式的半導體裝置的剖面圖。第一實施方式所涉及的半導體裝置100是晶片T1與接著劑片Tc分離的形態，相對於此，本實施方式所涉及的半導體裝置200中，晶片T1與接著劑片Tc接觸。即，接著劑片Tc與晶片T1的上表面及支持片Dc的上表面接觸。例如，藉由適當設定支持片形成用膜D的厚度，能夠使晶片T1的上表面的位置與支持片Dc的上表面的位置一致。
在半導體裝置200中，晶片T1相對於基板10並非打線
接合連接，而是經倒裝晶片(flip chip)連接。再者，只要設為導線w嵌入接著劑片Ta的構成，則即使是將晶片T1打線接合到基板10的形態，晶片T1亦可為與接著劑片Tc接觸的狀態。接著劑片Ta與晶片T2一起構成帶接著劑片的晶片T2a(參照圖8)。
如圖9所示，晶片T1與晶片T2之間的接著劑片Tc覆蓋晶片T2中的與晶片T1相對的區域R，並且自區域R連續地延伸至晶片T2的周緣側。所述一個接著劑片Tc覆蓋晶片T2的區域R，並夾設在晶片T2與多個支持片之間而將該些接著。圖9中的晶片T2的下表面相當於背面。如上所述，近年來晶片的背面多形成有凹凸。藉由晶片T2背面的實質上的整體被接著劑片Tc覆蓋，即使晶片T1的上表面接觸接著劑片Tc，亦能夠抑制晶片T2產生裂縫或破裂。
以上，詳細地說明了本揭示的實施方式，但本發明並不限定於上述實施方式。例如，在所述實施方式中，例示了具有紫外線硬化型的黏著層2的積層膜20，但黏著層2亦可為感壓型。
在所述實施方式中，如圖3的(b)所示，例示了具備三層結構的支持片形成用膜D的支持片形成用積層膜20，但支持片形成用積層膜可為兩層亦可為四層以上。圖10所示的支持片形成用積層膜20A具有包括熱硬化性樹脂層5及樹脂層6的雙層膜D2(支持片形成用膜)。即，在支持片形成用積層膜20A中，在黏著層2與最外面的樹脂層6之間配置有熱硬化性樹脂層5。
熱硬化性樹脂層5的厚度相對於雙層膜D2的厚度的比
率較佳為0.1~0.8，更佳為0.2~0.7，進而佳為0.2~0.6。藉由該比率為0.1以上，接著劑片5p、接著劑片5c能夠更高度地發揮其作用(例如，支持晶片T2及防止樹脂片6p的位置偏移)。另一方面，若比率為0.8以下，則樹脂片6p具有充分的厚度，因此樹脂片6p起到如彈簧板般的作用，能夠實現更優異的拾取性(參照圖5的(d))。自該些觀點出發，樹脂層6的厚度例如為20μm~80μm，亦可為20μm~60μm。熱硬化性樹脂層5的厚度例如為5μm~120μm，亦可為10μm~60μm。
再者，在支持片形成用積層膜20、支持片形成用積層膜20A中，可採用拉伸彈性係數8.0MPa以上的金屬層(例如、銅層或鋁層)來代替樹脂層6。金屬層的厚度例如為5μm~100μm，亦可為10μm~90μm或20μm~80μm。藉由使支持片形成用積層膜20、支持片形成用積層膜20A包含金屬層，除了優異的拾取性以外，藉由樹脂材料與金屬材料的光學對比度，還能夠在拾取步驟中實現支持片的優異的視認性。
支持片形成用積層膜20A例如可經過以下步驟來製造。
．準備依次具備基材膜1、黏著層2、及熱硬化性樹脂層5的積層膜的步驟；．在所述積層膜的表面貼合樹脂層6的步驟。
[實施例]
以下，藉由實施例對本揭示進行說明，但本發明並不限定於該些實施例。
(清漆A的製備)
使用以下的材料製備了用於形成支持片形成用膜的熱硬化性樹脂層的清漆A。
．環氧樹脂1：YDCN-700-10：(商品名、新日鐵住金化學(股)製造，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，25℃下為固體) 5.4質量份
．環氧樹脂2：YDF-8170C：(商品名、新日鐵住金化學(股)製造，液態雙酚F型環氧樹脂，25℃下為液態) 16.2質量份
．酚樹脂(硬化劑)：LF-4871：(商品名、迪愛生(DIC)(股)製造，BPA酚醛清漆型酚樹脂) 13.3質量份
．無機填料：SC2050-HLG：(商品名、(股)雅都瑪(ADMATECHS)製造，二氧化矽填料分散液、平均粒徑0.50μm) 49.8質量份
．彈性體：SG-P3溶劑變更品(商品名，長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造，丙烯酸橡膠，重量平均分子量：80萬、Tg：12℃，溶劑為環己酮) 14.9質量份
．偶合劑1：A-189：(商品名，通用電氣(General Electric，GE)東芝(股)製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷) 0.1質量份
．偶合劑2：A-1160：(商品名，通用電氣(General Electric，GE)東芝(股)製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷) 0.3質量份
．硬化促進劑：固唑(Curezol)2PZ-CN：(商品名，四國化成工業(股)製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑) 0.05質量份
．溶媒：環己烷
(清漆B的製備)
使用以下的材料製備了用於形成支持片形成用膜的熱硬化性樹脂層的清漆B。
．環氧樹脂：YDCN-700-10：(商品名，新日鐵住金化學(股)製造，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，25℃下為固體) 13.2質量份
．酚樹脂(硬化劑)：HE-100C-30：(商品名、愛沃特(AIR WATER)(股)製造、苯基芳烷基型酚樹脂) 11.0質量份
．無機填料：艾羅西爾(Aerosil)R972：(商品名、日本艾羅西爾(Aerosil)(股)製造、二氧化矽、平均粒徑0.016μm) 7.8質量份
．彈性體：SG-P3溶劑變更品(商品名、長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造、丙烯酸橡膠、重量平均分子量：80萬、Tg：12℃、溶劑為環己酮) 66.4質量份
．偶合劑1：A-189：(商品名，通用電氣(General Electric，GE)東芝(股)製造，γ-巰基丙基三甲氧基矽烷) 0.4質量份
．偶合劑2：A-1160：(商品名、通用電氣(General Electric，GE)東芝(股)製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷) 1.15質量份
．硬化促進劑：固唑(Curezol)2PZ-CN：(商品名、四國化成工業(股)製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑) 0.03質量份
．溶媒：環己烷
<實施例1>
如上所述，使用環己烷作為溶媒，將清漆A的固體成分比例
調整為40質量%。用100目的過濾器過濾清漆A的同時進行真空脫泡。作為塗佈清漆A的膜，準備實施有脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38μm)。將真空脫泡後的清漆A塗佈於PET膜的實施了脫模處理的面上。對塗佈的清漆A以90℃5分鐘、繼而140℃5分鐘的兩階段進行加熱乾燥。如此，在PET膜的表面上形成B階段狀態(半硬化狀態)的熱硬化性樹脂層。藉由在70℃的加熱板上將聚醯亞胺膜(厚度：25μm、拉伸彈性模數：46.4MPa)貼附至熱硬化性樹脂層的表面上，從而在PET膜的表面上製作與圖10所示的雙層膜D2相同構成的支持片形成用膜。
按照以下順序製作了具有紫外線硬化型黏著層的積層膜(切割帶)。首先，以丙烯酸2-乙基己酯83質量份、丙烯酸2-羥基乙酯15質量份、甲基丙烯酸2質量份為原料，溶媒使用乙酸乙酯，藉由溶液自由基聚合得到共聚物。使12質量份2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯與該丙烯酸共聚物反應，合成了具有碳-碳雙鍵的紫外線照射型丙烯酸共聚物。在所述反應時，作為聚合抑制劑使用0.05份氫醌-單甲醚。用GPC測定合成的丙烯酸共聚物的重量平均分子量，結果為30萬~70萬。將如此得到的丙烯酸共聚物、以固體成分換算計為2.0份的作為硬化劑的聚異氰酸酯化合物(日本聚胺基甲酸酯(股)製造，商品名：科羅耐特(Coronate)L)、作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮0.5份混合，製備紫外線照射型黏著劑溶液。將該紫外線照射型黏著劑溶液以乾燥後的厚度為10μm的方式塗佈在聚對苯二甲酸乙二酯製的剝離膜
(厚度：38μm)上，並進行乾燥。然後，在黏著劑層上貼合單面實施了電暈放電處理的聚烯烴製膜(厚度：90μm)。將得到的積層膜在40℃的恆溫槽中進行72小時老化，製作切割帶。
以支持片形成用膜的具有熱硬化性樹脂層的面與黏著層相向的方式，在70℃的加熱板上使用橡膠輥將支持片形成用膜(熱硬化性樹脂層與聚醯亞胺膜的雙層膜)貼合在所述切割帶的黏著層上。藉此，得到支持片形成用膜與切割帶的積層體。熱硬化性樹脂層的厚度為25μm。
<實施例2>
除了使用清漆B代替清漆A以外，與實施例1同樣地獲得支持片形成用膜與切割帶的積層體。
<比較例1、比較例2>
除了將熱硬化性樹脂層的厚度設為50μm代替25μm、以及未在熱硬化性樹脂層的表面貼附聚醯亞胺膜以外，與實施例1及實施例2同樣地，得到比較例1及比較例2的積層體。
對實施例及比較例的支持片形成用膜進行以下的評價。
(1)剝離強度
將包含實施例及比較例的支持片形成用膜的積層體分別切成寬25mm、長100mm的尺寸，來製作試驗片。其後，用鹵素燈在80mW/cm2、200mJ/cm2的條件下自切割帶側照射紫外線。測定紫外線照射的黏著層與支持片形成用膜的界面的剝離強度(剝離角度：180°、剝離速度：300mm/分鐘)。對各實施及各比較例進行3
次測定，其平均值如下所示。
．實施例1...0.04N/25mm
．實施例2...0.05N/25mm
．比較例1...0.09N/25mm
．比較例2...0.05N/25mm
(2)拾取性
準備實施例及比較例的支持片形成用膜(形狀：直徑320mm的圓形)與所述切割帶(形狀：直徑335mm的圓形)的積層體。在70℃的條件下在該積層體的切割帶上層壓切割環。使用切割機在高度55μm的條件下將支持片形成用膜單片化。藉此，得到了尺寸為10mm×10mm的支持片。用鹵素燈在80mW/cm2、200mJ/cm2的條件下自切割帶側向支持片的黏著層照射紫外線。之後，用黏晶機在擴展(擴展量：3mm)的狀態下拾取支持片。作為上推夾具，使用三段上推台，條件為上推速度10mm/秒及上推高度1200μm。針對各實施例及各比較例、對6個支持片嘗試拾取。其結果，關於實施例1、實施例2，能夠拾取6個支持片全部。與此相對，關於比較例1、比較例2，6個支持片中能夠拾取的支持片為2個以下。
[產業上之可利用性]
根據本揭示，提供一種在具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程中，能夠簡化製作支持片的步驟，並且能夠實現支持片的優異的拾取性的半導體裝置的製造方法。另外，根據本揭示，
提供一種具有支石墓結構的半導體裝置、以及支持片形成用積層膜及其製造方法。
5c:接著劑片(硬化物)
6p:樹脂片
10:基板
50:密封材
100:半導體裝置
Dc:支持片
R:區域
T1:第一晶片(晶片)
T1c:接著劑片/接著劑層
T2:第二晶片(晶片)
T3、T4:晶片
Tc:接著劑片
w:導線
Claims (19)
- 一種半導體裝置的製造方法，其為製造具有支石墓結構的半導體裝置的方法，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於所述基板上；多個支持片，配置於所述基板上且為所述第一晶片的周圍；以及第二晶片，由所述多個支持片支持且配置成覆蓋所述第一晶片，其中所述半導體裝置的製造方法包括以下步驟：(A)準備依次具備基材膜、黏著層、及支持片形成用膜的積層膜的步驟；(B)藉由將所述支持片形成用膜單片化，而在所述黏著層的表面上形成多個支持片的步驟；(C)自所述黏著層拾取所述支持片的步驟；(D)在基板上配置第一晶片的步驟；(E)在所述基板上且為所述第一晶片的周圍或應配置所述第一晶片的區域的周圍，配置多個所述支持片的步驟；(F)準備帶接著劑片的晶片的步驟，所述帶接著劑片的晶片具備第二晶片、及設置在所述第二晶片的一個面上的接著劑片；以及(G)藉由在多個所述支持片的表面上配置所述帶接著劑片的晶片來構築支石墓結構的步驟，所述支持片形成用膜包括樹脂層與夾持所述樹脂層的一對接著劑層，且所述樹脂層包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂。
- 如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述黏著層為紫外線硬化型，且所述半導體裝置的製造方法在(B)步驟與(C)步驟之間，包括對所述黏著層照射紫外線的步驟。
- 如請求項1或請求項2所述的半導體裝置的製造方法，其中所述支持片形成用膜包含熱硬化性樹脂層，且所述半導體裝置的製造方法在(G)步驟之前，包括對所述支持片形成用膜或所述支持片進行加熱的步驟。
- 一種半導體裝置，具有支石墓結構，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於所述基板上；多個支持片，配置於所述基板上且為所述第一晶片的周圍；以及第二晶片，由所述多個支持片支持且配置成覆蓋所述第一晶片，且所述支持片包括樹脂片與夾持所述樹脂片的一對接著劑片，所述樹脂片通過所述一對接著劑片中的一者與所述基板分隔，且所述樹脂片包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂。
- 如請求項4所述的半導體裝置，其中所述樹脂片由與所述一對接著劑片不同的材質構成。
- 如請求項5所述的半導體裝置，其中所述接著劑片 的厚度的合計相對於所述三層結構的厚度的比率為0.1~0.9。
- 如請求項4至請求項6中任一項所述的半導體裝置，其更包括接著劑片，所述接著劑片以至少覆蓋所述第二晶片中的與所述第一晶片相對的區域的方式設置，且所述第一晶片與所述接著劑片分離。
- 如請求項7所述的半導體裝置，其中，所述接著劑片自所述第二晶片的所述區域連續地延伸至所述第二晶片的周緣側，並且被所述第二晶片與所述多個支持片夾持。
- 如請求項4至請求項6中任一項所述的半導體裝置，其更包括接著劑片，所述接著劑片以至少覆蓋所述第二晶片中的與所述第一晶片相對的區域的方式設置，且所述第一晶片與所述接著劑片接觸。
- 如請求項8所述的半導體裝置，其中，所述接著劑片自所述第二晶片的所述區域連續地延伸至所述第二晶片的周緣側，並且被所述第二晶片與所述多個支持片夾持。
- 一種支持片形成用積層膜，用於具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於所述基板上；多個支持片，配置於所述基板上且為所述第一晶片的周圍；以及第二晶片，由所述多個支持片支持且配置成覆蓋所述第一晶片，且所述支持片形成用積層膜依次包括：基材膜、黏著層、以及 支持片形成用膜，且所述支持片形成用膜包括樹脂層與夾持所述樹脂層的一對接著劑層，且所述樹脂層包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂。
- 如請求項11所述的支持片形成用積層膜，其中所述樹脂層為聚醯亞胺層。
- 如請求項11或請求項12所述的支持片形成用積層膜，其中所述支持片形成用膜的厚度為5μm~180μm。
- 如請求項11或請求項12所述的支持片形成用積層膜，其中所述黏著層為感壓型或紫外線硬化型。
- 如請求項11或請求項12所述的支持片形成用積層膜，其中所述支持片形成用膜包含熱硬化性樹脂層，且所述熱硬化性樹脂層由與所述樹脂層不同的材質構成。
- 如請求項15所述的支持片形成用積層膜，其中所述熱硬化性樹脂層含有環氧樹脂。
- 如請求項15所述的支持片形成用積層膜，其中所述熱硬化性樹脂層含有彈性體。
- 一種支持片形成用積層膜的製造方法，其為具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程中所使用的支持片形成用積層膜的製造方法，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於所述基板上；多個支持片，配置於所述基板上且為所述第一晶片的周圍；以及第二晶片，由所述多個支持片支持且配置成覆蓋所述第一晶片，且所述支持片形成用積層膜的製造方法包括： 準備黏著膜的步驟，所述黏著膜具有基材膜、及形成在所述基材膜的一個面上的黏著層；以及在所述黏著層的表面上積層支持片形成用膜的步驟，且所述支持片形成用膜包括樹脂層與夾持所述樹脂層的一對接著劑層，且所述樹脂層包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂。
- 一種支持片形成用積層膜的製造方法，其為具有支石墓結構的半導體裝置的製造製程中所使用的支持片形成用積層膜的製造方法，所述支石墓結構包括：基板；第一晶片，配置於所述基板上；多個支持片，配置於所述基板上且為所述第一晶片的周圍；以及第二晶片，由所述多個支持片支持且配置成覆蓋所述第一晶片，且所述支持片形成用積層膜的製造方法包括：準備積層膜的步驟，所述積層膜依次具備基材膜、黏著層、及熱硬化性樹脂層；以及在所述熱硬化性樹脂層的表面貼合拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂層的步驟，其中所述支持片包括樹脂片與夾持所述樹脂片的一對接著劑片，所述樹脂片通過所述一對接著劑片中的一者與所述基板分隔，且所述樹脂片包含拉伸彈性係數8.0MPa以上的樹脂。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| WOPCT/JP2019/017733 | 2019-04-25 | ||
| PCT/JP2019/017733 WO2020217411A1 (ja) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202107669A TW202107669A (zh) | 2021-02-16 |
| TWI830905B true TWI830905B (zh) | 2024-02-01 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7859119B1 (en) | 2003-11-10 | 2010-12-28 | Amkor Technology, Inc. | Stacked flip chip die assembly |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7859119B1 (en) | 2003-11-10 | 2010-12-28 | Amkor Technology, Inc. | Stacked flip chip die assembly |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7247733B2 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法 | |
| WO2020218526A1 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法 | |
| WO2020218523A1 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法 | |
| US11935870B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device having dolmen structure, method for manufacturing support piece, and laminated film | |
| TWI830905B (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置及其製造方法以及支持片形成用積層膜及其製造方法 | |
| TWI830906B (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法及支持片的製造方法 | |
| WO2020218524A1 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法 | |
| WO2020218530A1 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法 | |
| TWI830901B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
| TWI833985B (zh) | 支撐片的製造方法、半導體裝置的製造方法及支撐片形成用積層膜 | |
| CN114270481A (zh) | 支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜 | |
| JP7351335B2 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、支持片の製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム | |
| JP7294410B2 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法 | |
| WO2020218532A1 (ja) | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法 | |
| TW202107665A (zh) | 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法、支撐片的製造方法、以及支撐片形成用積層膜 | |
| TW202213552A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TW202339954A (zh) | 單片化體形成用積層膜及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 | |
| JP2022153830A (ja) | 支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法 |