JP2022153830A - 支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】支持部材のピックアップ性を向上することができる支持部材の製造方法を提供すること。【解決手段】支持部材の製造方法は、基材フィルムに粘着層を介して接着フィルムが貼り付けられた積層フィルムを準備する工程と、接着フィルムを複数の支持部材に個片化する工程と、複数の支持部材それぞれを基材フィルムからピックアップする工程と、を備える。ピックアップする工程では、基材フィルムを３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持部材それぞれをピックアップする。【選択図】図５

Description

本開示は、支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の一態様として、基板上に配置された半導体チップの上に別の半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献１は、半導体チップの上にスペーサを介して別の半導体チップを積層させる構成を開示している。また、特許文献２は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアッセンブリを開示している。このような構造は、例えば、ドルメン（Ｄｏｌｍｅｎ）構造とも呼ばれている。

特開２００７－２２０９１３号公報 特表２０１７－５１５３０６号公報

例えば特許文献２に示す半導体装置の構造には、高価なシリコンチップを含む支持部材が用いられている。また、この支持部材を作製するには、ダイシングにより各支持部材に個片化する前にシリコン等を研磨する工程が必要とされる。そこで、シリコンチップを含まない安価な支持部材を樹脂フィルム、例えばＤＡＦ（Die attach film）等の接着フィルムから作製することが検討されている。しかしながら、シリコンを含まずに樹脂フィルムから支持部材を作製する場合に樹脂フィルムをダイシングすると、ダイシングによって発生した粘着性のあるバリが個片化された支持部材の間に付着し、支持部材のピックアップを阻害してしまうことがある。

そこで、本開示は、支持部材のピックアップ性を向上することができる支持部材の製造方法、及び、当該製造方法によって製造された支持部材を用いた半導体装置の製造方法を提供する。

本開示は、支持部材の製造方法に関する。この製造方法は、基材フィルムに粘着層を介して接着フィルムが貼り付けられた積層フィルムを準備する工程と、接着フィルムを複数の支持部材に個片化する工程と、複数の支持部材それぞれを基材フィルムからピックアップする工程と、を備える。ピックアップする工程では、基材フィルムを３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持部材それぞれをピックアップする。

上記の製造方法では、個片化された支持部材をピックアップする際、基材フィルムを３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で各支持部材をピックアップしている。この場合、エキスパンド量を通常よりも大きくしていることから、個片化された各支持部材の側面等へ粘着しているバリをエキスパンドにより引き剥がして、隣接する支持部材同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持部材をピックアップする際、隣接する支持部材同士がバリで繋がれていないため、個片化された支持部材のピックアップ性を向上することができる。なお、ここでいう「エキスパンド量」は、基材フィルムを固定端（例えばリングへの貼付け端）に対して持ち上げて支持部材間の距離を広げた際の基材フィルムの持ち上げ量（距離）である。

上記の支持部材の製造方法は、接着フィルムが個片化用のリングの内側に配置されるように基材フィルムを粘着層を介してリングに貼り付ける工程を更に備えてもよく、この貼り付ける工程では、積層フィルムの伸び率が１００％より大きくなるように積層フィルムに張力を付与しながら積層フィルムをリングに貼り付けてもよい。この場合、ダイシングを行う前に積層フィルムが外側に向けて伸ばされる張力が付与されており、ダイシングで当該張力が解放されることになる。よって、隣接する支持部材同士の間にダイシングでバリが形成されたとしても、この張力の解放による急激な縮みによりバリが支持部材間のダイシング溝等から掻き出されるため、隣接する支持部材同士がバリで繋がれていないことになり、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。なお、ここでいう「積層フィルムの伸び率」は、リングに貼り付ける前の積層フィルムを基準（１００％）として、リングに貼り付けた際の積層フィルムの伸び率を示す値である。

上記の支持部材の製造方法において、貼り付ける工程では、積層フィルムの伸び率が１０１％以下となるように積層フィルムに張力を付与しながら積層フィルムをリングに貼り付けてもよい。この場合、積層フィルムに掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルムを構成する接着フィルムに掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルムをリングに貼り付ける際、基材フィルムから接着フィルムが剥離することが低減される。特に基材フィルム（粘着層）と接着フィルムの外周付近では剥離が生じやすいが、上記の製造方法により、基材フィルムから接着フィルムが剥離することが低減される。その結果、基材フィルム及び粘着層からなる積層体と接着フィルムとの間でボイドが生じにくくなる。このようなボイドの低減により、この製造方法によれば、個片化の際のチップ飛び等を抑制し、安価な支持部材を高い歩留まりで製造することが可能となる。

上記の支持部材の製造方法において、ピックアップする工程では、基材フィルムを５ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持部材それぞれをピックアップしてもよい。この場合、エキスパンド量を通常よりも更に大きい値の範囲としていることから、個片化された各支持部材の側面等へ粘着しているバリを更に強く引き剥がして、隣接する支持部材同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持部材をピックアップする際、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。

上記の支持部材の製造方法において、ピックアップする工程では、エキスパンドする方向と交差する突上げ方向に３００μｍ以上の突上げ量で基材フィルムを突き上げて複数の支持部材それぞれをピックアップしてもよい。この場合、ピックアップする際の基材フィルムからの支持部材の距離をより多く取ることができるため、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。

上記の支持部材の製造方法において、接着フィルムの引張弾性率が８．０ＭＰａ以上であってもよい。また、接着フィルムは、ポリイミドを含んでもよい。この場合、安価で且つ強度に優れた支持部材を得ることが可能となる。

上記の支持部材の製造方法において、接着フィルムは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層と、一対の表面層の間に配置された中間層とを含でもよい。この場合、接着フィルムが多層構造であり、接着フィルムを比較的厚くなるように形成しても、接着フィルムの反りを抑制することができる。反りを抑制することにより、この製造方法によれば、平面方向に広がる接着フィルムの厚さをより均一なものとして、製造される支持部材の厚みをより均一化させることが可能となる。この実施形態において、中間層はポリイミド層又は金属層であってもよい。これにより、強度及び耐熱性に優れた支持部材を得ることができる。なお、中間層の厚みは５０μｍ以下であってもよい。これにより、多層構造であっても支持部材をそれほど厚くせずに薄いものとすることができる。

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、上記した何れかの支持部材の製造方法によって製造された支持部材を用いて半導体装置を製造する方法である。この場合、ピックアップ性を向上して安価に製造された支持部材を用いて、半導体装置を安価に形成することが可能となる。

本開示によれば、支持部材のピックアップ性を向上することができる支持部材の製造方法、及び、当該製造方法によって製造された支持部材を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片を用いた半導体装置の一実施形態を示す断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１のチップと複数の支持片との位置関係の例を模式的に示す平面図である。 図３（ａ）は、支持片を形成するための積層フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ－ｂ線に沿った積層フィルムの断面図である。 図４は、基材フィルムを粘着層を介して支持片形成用の接着フィルムに貼り合わせる工程を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）～図５（ｃ）は、支持片の作製過程を模式的に示す断面図である。 図６は、積層フィルムをダイシングリングに貼り付ける工程を模式的に示す斜視図である。 図７（ａ）は、ピックアップ時のエキスパンド量が小さい場合に支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図７（ｂ）は、ピックアップ時のエキスパンド量が大きい場合に支持片から引き剥がされたバリの状態を模式的に示す断面図である。 図８（ａ）は、ラミネート工程での貼付け張力が弱い場合にダイシング後の支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。 図９（ａ）は、ラミネート工程での貼付け張力が強い場合に支持片間に付着しているバリがダイシング時の張力解放でダイシング溝から掻き出される状態を模式的に示す断面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。 図１０は、積層フィルムの変形例を示す断面図である。 図１１は、図１に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す図であって、基板上であって第１のチップの周囲に複数の支持片を配置した状態を示す断面図である。 図１２は、図１に示す半導体装置の製造方法に用いる接着剤片付きチップの一例を示す断面図である。 図１３は、図１１に続いて図１に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す図であって、基板上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。

本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

（半導体装置）
図１は、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片を用いた半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図１に示すように、半導体装置１は、基板１０、半導体チップ２０、半導体チップ２１、半導体チップ２２、半導体チップ２３、複数の支持片３０（複数の支持部材）、接着剤片４０～４３、ワイヤ４５～４８、及び、封止材５０を備える。なお、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片は、他の半導体装置の製造に用いてもよい。

基板１０は、有機基板であってもよく、リードフレーム等の金属基板であってもよい。半導体装置１の反りを抑制する観点から、基板１０の厚さは、例えば、９０～３００μｍであり、９０～２１０μｍであってもよい。

半導体チップ２０は、例えば、コントローラーチップ（以下「ＣＴＬ」とも記す）であり、基板１０の表面上に配置される。半導体チップ２０は、接着剤片４０によって基板１０に接着され且つワイヤ４５によって基板１０と電気的に接続される。平面視における半導体チップ２０の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。半導体チップ２０の一辺の長さは、例えば、５ｍｍ以下であり、２～５ｍｍ又は１～５ｍｍであってもよい。半導体チップ２０の厚さは、例えば、１０～１５０μｍであり、２０～１００μｍであってもよい。

半導体チップ２１は、例えば、メモリチップであり、接着剤片４１を介して支持片３０の上に接着される。これにより、半導体チップ２１は、半導体チップ２０の上に配置される。また、接着剤片４１は、半導体チップ２１と複数の支持片３０とによって挟まれる。半導体チップ２１は、平面視において、半導体チップ２０よりも大きいサイズを有する。平面視における半導体チップ２１の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。半導体チップ２１の一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、４～２０ｍｍ又は４～１２ｍｍであってもよい。半導体チップ２１の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。なお、半導体チップ２２，２３は、半導体チップ２１と同様に、例えば、メモリチップであり、接着剤片４２及び４３を介して半導体チップ２１の上に順に接着される。半導体チップ２２，２３の一辺の長さは半導体チップ２１と同様であればよく、半導体チップ２２，２３の厚さも半導体チップ２１と同様であればよい。

支持片３０は、基板１０の表面上であって半導体チップ２０の周囲に配置され、半導体チップ２０の周囲に空間を形成するスペーサの役割を果たす部材である。支持片３０は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。なお、図２（ａ）に示すように、半導体チップ２０の両側の離れた位置に、二つの支持片３０（形状：長方形）を配置してもよいし、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ２０の角に対応する位置にそれぞれ一つの支持片３０（形状：正方形、計４個）を配置してもよい。平面視における支持片３０の一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、１～２０ｍｍ又は１～１２ｍｍであってもよい。支持片３０の厚さ（高さ）は、例えば、１０～１８０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。

本実施形態においては、半導体チップ２１と、複数の支持片３０と、支持片３０と半導体チップ２１との間に位置する接着剤片４１とによって基板１０上にドルメン構造が構成される。図１に示す半導体装置１では、半導体チップ２０は、接着剤片４１と離間している。支持片３０の厚さを適宜設定することで、半導体チップ２０の上面と基板１０とを接続するワイヤ４５のためのスペースを確保することができる。なお、半導体チップ２０を基板１０上の電極にフリップチップ接続する場合には、半導体チップ２０の上面に接着剤片４１が接する構成であってもよい。

ワイヤ４５～４８は、基板１０の表面上の電極（不図示）と半導体チップ２０～２３とをそれぞれ電気的に接続する。封止材５０は、半導体チップ２０と半導体チップ２１との隙間を充填すると共に、半導体チップ２１～２３及びワイヤ４６～４８の全体を覆うように基板１０上を封止する。封止材５０は、例えばエポキシ樹脂である。

（支持片の作製方法）
次に、上述した半導体装置等に用いられる支持片の作製方法の一例について説明する。なお、図１に示す支持片３０は、熱硬化性樹組成物が硬化した後のもの（硬化物）である。一方、この製造方法で製造される支持片は、熱硬化性樹組成物が完全に硬化する前の状態のものである。

まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す支持片形成用の積層フィルム６０を準備する。積層フィルム６０は、基材フィルム６１、粘着層６２、及び、支持片形成用の接着フィルム６３を備える。基材フィルム６１及び粘着層６２は、パンチング等によって例えば円形に形成される（図３（ａ）参照）。接着フィルム６３は、支持片３０を形成するための材料となるフィルムである。接着フィルム６３は、パンチング等によって円形に形成されており、基材フィルム６１及び粘着層６２よりも小さい直径を有する（図３（ａ）参照）。

基材フィルム６１は、例えば、ポリプロピレンフィルム（ＰＰフィルム）又はポリエチレンフィルム（ＰＥフィルム）である。粘着層６２は、例えば、紫外線硬化型の粘着剤からなる。すなわち、粘着層６２は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有する。基材フィルム６１及び粘着層６２は、第１の積層体６５（図４を参照）を構成する。第１の積層体６５は、例えば、ダイシングテープ（ＤＣＴ）であり、１５ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下の引張強さ及び３００％以上７００％以下の伸び率の少なくとも一方を有している。第１の積層体６５は、用途に応じて、伸びやすい基材フィルム又は伸びにくい基材フィルムを用いることができる。伸びやすい基材フィルムを用いた場合、第１の積層体６５は、１５ＭＰａ以上３０ＭＰａ未満の引張強さと、６００％以上７００％以下の伸び率を有することができる。伸びにくい基材フィルムを用いた場合、第１の積層体６５は、３０ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下の引張強さと、３００％以上６００％未満の伸び率を有することができる。

上述した「引張強さ」及び「伸び率」は以下の方法により算出することができる。まず、試験片のサイズとして、幅が１０ｍｍであり且つ長さはチャック間距離が５０ｍｍとなるように切断して試験片を準備する。試験装置は、ＪＩＳ Ｂ７７２１に規定する引張試験機又はこれと同等の引張試験機を用いる。そして、試験片をこの試験装置にセットし、３００±３０ｍｍ／分の速さで引っ張り、試験片が切断するまでの荷重及び伸びを測定する。これらの測定値から、以下の式に基づいて、「引張強さ」及び「伸び率」を算出する。
引張強さ（ＭＰａ）＝テープ破断時の強度（Ｎ）÷テープ断面積（ｍｍ^２）
伸び率（％）＝（破断時の長さ（ｍｍ）－初期長さ（５０ｍｍ））÷初期長さ（５０ｍｍ）

接着フィルム６３は、例えば、熱硬化性樹脂組成物からなる。接着フィルム６３を構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものである。熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマ（例えば、アクリル樹脂）とを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。接着フィルム６３を構成する熱硬化性樹脂組成物の詳細については後述する。

積層フィルム６０は、例えば、基材フィルム６１とその表面上に粘着層６２とを有する第１の積層体６５と、カバーフィルム６４とその表面上に接着フィルム６３とを有する第２の積層体６６とを貼り合わせることによって作製することができる（図４参照）。第１の積層体６５は、基材フィルム６１の表面上に粘着層６２を塗工によって形成する工程と、基材フィルム６１及び粘着層６２をパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。第２の積層体６６は、カバーフィルム６４（例えば、ＰＥＴフィルム又はポリエチレンフィルム）の表面上に接着フィルム６３を塗工によって形成する工程と、接着フィルム６３をパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。積層フィルム６０を使用するに際し、カバーフィルム６４は適当なタイミングで剥がされる。

続いて、図５の（ａ）に示されたように、上述した積層フィルム６０にダイシング用のリングフレーム１００（リング）を貼り付ける。すなわち、粘着層６２を介して基材フィルム６１をリングフレーム１００に貼り付け、リングフレーム１００の内側に接着フィルム６３が配置された状態にする。リングフレーム１００は、図６に示すように、例えば、略円環形状のリングであり、基材フィルム６１を含む積層体６５の外周部が粘着層６２を介して、リングフレーム１００に貼り付けられる。この貼り付けは、リングフレーム１００の一方の端１００ａから他方の端１００ｂに向けてローラ等の押圧部材によって押しつけられながら行われる。なお、ローラが水平方向に移動しないように固定され（回転移動は可能）、リングフレーム１００及び積層フィルム６０がローラに対して移動するように構成されていてもよい。

また、この貼り付けの際、基材フィルム６１及び粘着層６２と接着フィルム６３とからなる積層フィルム６０は、ある程度の張力がかかるようにリングフレーム１００に貼り付けられる。具体的には、積層フィルム６０の貼付け時の伸び率が１００％より大きくなるように積層フィルム６０に張力を付与して、リングフレーム１００への貼り付けを行う。好ましくは、積層フィルム６０の貼付け時の伸び率が１００．４０％以上となるように積層フィルム６０に張力を付与して、リングフレーム１００への貼り付けを行ってもよく、より好ましくは、積層フィルム６０の貼付け時の伸び率が１０１％以上となるように積層フィルム６０に張力を付与して、リングフレーム１００への貼り付けを行ってもよい。このように積層フィルム６０の所定の張力をかけた状態でリングフレーム１００への貼り付けを行うことにより、後述するダイシングの際の張力解放により、ダイシングによるバリがダイシング溝から掻き出され（図９（ａ）を参照）、支持片のピックアップ性を向上することができる（図９（ｂ）を参照）。なお、ここでいう「積層フィルムの伸び率」は、貼付け前の積層フィルムの長さ（径）を１００％とした場合において、貼付け後の積層フィルムの長さ（径）の比を示す値である。

また、積層フィルム６０の貼付け時の伸び率が１０１％以下となるように積層フィルム６０に張力を付与して、リングフレーム１００への貼り付けを行ってもよい。この場合、積層フィルム６０に掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルム６０を構成する接着フィルム６３に掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルム６０をリングフレーム１００に貼り付ける際、基材フィルム６１から接着フィルム６３が剥離することが低減される。特に基材フィルム６１（粘着層６２）と接着フィルム６３の外周付近では剥離が生じやすいが、積層フィルム６０の伸び率を上記の範囲に抑えることにより、基材フィルム６１から接着フィルム６３が剥離することが低減される。よって、積層フィルム６０の貼付け時の伸び率が１００％より大きく且つ１０１％以下となるように積層フィルム６０に張力を付与してリングフレーム１００への貼付けを行うことにより、支持片のピックアップ性の向上と積層フィルム６０の剥離低減とを両立することが可能となる。

続いて、積層フィルム６０のリングフレーム１００への貼り付けが終了すると、図５の（ｂ）に示すように、接着フィルム６３をダイシングによって個片化する。これにより、接着フィルム６３から多数の支持片６３ａが得られる。その後、粘着層６２に対して紫外線を照射することにより、粘着層６２と支持片６３ａとの間の粘着力を低下させる。なお、紫外線の照射が終了した後に、基材フィルム６１を水平方向の外側に向けてエキスパンドして、支持片６３ａを互いに離間させてもよい。

続いて、図５の（ｃ）に示すように、基材フィルム６１をエキスパンドした状態で、突上げ治具１１１で突き上げることによって粘着層６２から各支持片６３ａを剥離させるとともに、吸引コレット１１２で吸引して支持片６３ａをピックアップする。このピックアップ時に行うエキスパンドによる量（エキスパンド量Ｅ）は、３ｍｍ以上９ｍｍ以下である。より好ましくは、エキスパンド量Ｅは５ｍｍ以上９ｍｍ以下であってもよく、また、５ｍｍ以上７ｍｍ以下であってもよい。このような通常よりも大きいエキスパンド量Ｅでエキスパンドしながら支持片６３ａをピックアップすることにより、支持片６３ａ間に付着するバリが剥がれ、吸引コレット１１２によるピックアップを容易且つ確実に行うことができる。なお、ここでいう「エキスパンド量Ｅ」は、リングフレーム１００に貼り付けられている基材フィルム６１の端部に対してエキスパンド治具により基材フィルム６１の中央部が持ち上げられている量（距離）を意味する。また、突上げ治具１１１による突上げ量は、３００μｍ以上であってもよく、より好ましくは、４００μｍ以上であってもよい。また、突上げ治具１１１による突上げ速度は、０．１ｍｍ／ｓ以上であってもよく、１ｍｍ／ｓ以上であってもよく、１０ｍｍ／ｓ以上であってもよい。なお、ダイシング前の接着フィルム６３又はピックアップ前の支持片６３ａを加熱することによって、熱硬化性樹脂の硬化反応を進行させておいてもよい。ピックアップする際に支持片６３ａが適度に硬化していることで優れたピックアップ性を達成し得る。以上により、支持片６３ａを取得する。

ここで、図７を参照して、上述した支持片３０の製造方法において、所定範囲のエキスパンド量Ｅで基材フィルム６１をエキスパンドしながら支持片６３ａをピックアップすることによる作用効果について説明する。図７（ａ）は、ピックアップ時のエキスパンド量Ｅが小さい場合に支持片６３ａ間に付着したままであるバリＧの状態を模式的に示す断面図であり、図７（ｂ）は、ピックアップ時のエキスパンド量Ｅが大きい場合に支持片６３ａから引き剥がされたバリＧの状態を模式的に示す断面図である。

図７（ａ）に示すように、積層フィルム６０の接着フィルム６３をダイシングで個片化すると、ダイシング後に個片化された支持片６３ａ間に粘着性のバリＧが付着する。バリＧは、例えば、ダイシングで削られた接着フィルム６３等の一部である。この場合、ピックアップ時のエキスパンド量Ｅが小さいと、支持片６３ａ間のダイシング溝Ｈに残された粘着性のバリＧは、支持片６３ａに付着したままであり、各支持片６３ａのピックアップを阻害することになる。一方、図７（ｂ）に示すように、本実施形態に係る製造方法であれば、ピックアップ時に基材フィルム６１をエキスパンドした状態となり、ダイシング溝Ｈ内のバリＧが支持片６３ａから剥がれたり又は付着している領域が低減されたりする。よって、支持片６３ａのピックアップの際に積層フィルム６０をエキスパンドしておくことにより、バリＧによる支持片６３ａのピックアップが阻害されることが大幅に低減され、ピックアップ性が向上する。なお、エキスパンド量Ｅが大き過ぎると（例えばエキスパンド量が９ｍｍより大きい場合）、基材フィルム６１等が硬くなり、その結果、支持片６３ａを突き上げる際の突上げ治具１１１（ピン）への追従性が低下し、ピックアップ率が低下する。

また、図８及び図９を参照して、上述した支持片３０の製造方法において、所定の貼付け張力で積層フィルムをリングフレーム１００へ貼り付けることによる作用効果について説明する。図８（ａ）は、ラミネート工程での貼付け張力が弱い場合にダイシング後の支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。図９（ａ）は、ラミネート工程での貼付け張力が強い場合に支持片間に付着しているバリがダイシング時の張力解放でダイシング溝から掻き出される状態を模式的に示す断面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。

積層フィルム６０の貼付け張力が低い状態で基材フィルム６１をリングフレーム１００に貼り付けた場合、図８（ａ）に示すように、接着フィルム６３をダイシングすると、粘着性のバリＧがダイシング溝にそのまま残存してしまう。この状態で、図８（ｂ）に示すように、支持片６３ａのピックアップを行うと、バリＧによりピックアップが阻害される。一方、積層フィルム６０の貼付け張力が高い状態（例えば積層フィルムの伸び率が１００％より大きい場合）で基材フィルム６１をリングフレーム１００に貼り付けた場合、図９（ａ）に示すように、接着フィルム６３をダイシングすると、貼付け時の張力の解放によりバリＧがダイシング溝Ｈから掻き出されることになる。よって、この状態であれば、図９（ｂ）に示すように、支持片６３ａのピックアップを行っても、バリＧによるピックアップが阻害されず、支持片６３ａのピックアップを問題なく行うことができる。即ち、ピックアップ性を向上させることができる。

（接着フィルム６３を構成する熱硬化性樹脂組成物）
次に、支持片３０を形成するための接着フィルム６３を構成する熱硬化性樹脂組成物について詳細に説明する。この熱硬化性樹脂樹脂組成物は、上述のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマとを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。本発明者らの検討によると、支持片６３ａ及び硬化後の支持片３０は以下の特性を有することが好ましい。
・特性１：基板１０の所定の位置に支持片３０を熱圧着したとき位置ずれが生じにくいこと（１２０℃における支持片３０の溶融粘度が、例えば、４３００～５００００Ｐａ・ｓ又は５０００～４００００Ｐａ・ｓであること）
・特性２：半導体装置１内において支持片３０が応力緩和性を発揮すること（熱硬化性樹脂組成物がエラストマ（ゴム成分）を含むこと）
・特性３：接着剤片付きチップの接着剤片４１との接着強度が十分に高いこと（接着剤片４１に対する支持片３０のダイシェア強度が、例えば、２．０～７．０Ｍｐａ又は３．０～６．０Ｍｐａであること）
・特性４：硬化に伴う収縮率が十分に小さいこと
・特性５：ピックアップ工程においてカメラによる支持片６３ａの視認性が良いこと（熱硬化性樹脂組成物が、例えば、着色料を含んでいること）
・特性６：支持片３０が十分な機械的強度を有すること

［エポキシ樹脂］
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。

［硬化剤］
硬化剤として、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン及び酸無水物が挙げられる。これらのうち、高いダイシェア強度を達成する観点から、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂の市販品として、例えば、ＤＩＣ（株）製のＬＦ－４８７１（商品名、ＢＰＡノボラック型フェノール樹脂）、エア・ウォーター（株）製のＨＥ－１００Ｃ－３０（商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂）、ＤＩＣ（株）製のフェノライトＫＡ及びＴＤシリーズ、三井化学（株）製のミレックスＸＬＣ－シリーズとＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ）、エア・ウォーター（株）製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ１００Ｃ－３０）、明和化成（株）製のＭＥＨＣ－７８００シリーズ（例えばＭＥＨＣ－７８００－４Ｓ）、ＪＥＦケミカル（株）のＪＤＰＰシリーズが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比が０．６～１．５であることが好ましく、０．７～１．４であることがより好ましく、０．８～１．３であることが更に好ましい。配合比が上記範囲内であることで、硬化性及び流動性の両方を十分に高水準に達成しやすい。

［エラストマ］
エラストマとして、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン及びカルボキシ変性アクリロニトリルが挙げられる。

高いダイシェア強度を達成する観点から、エラストマとしてアクリル系樹脂が好ましく、更に、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。アクリル系樹脂のなかでもエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体及びエポキシ基含有アクリルゴムが好ましく、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体などからなる、エポキシ基を有するゴムである。なお、アクリル系樹脂は、エポキシ基だけでなく、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有していてもよい。

アクリル樹脂の市販品としては、ナガセケムテック（株）製のＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）等が挙げられる。

アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、高いダイシェア強度を達成する観点から、－５０～５０℃であることが好ましく、－３０～３０℃であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、高いダイシェア強度を達成する観点から、１０万～３００万であることが好ましく、５０万～２００万であることがより好ましい。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、分子量分布の狭いアクリル樹脂を用いることにより、高弾性の接着剤片を形成できる傾向にある。

熱硬化性樹脂組成物に含まれるアクリル樹脂の量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して１０～２００質量部であることが好ましく、２０～１００質量部であることがより好ましい。

［無機フィラー］
無機フィラーとして、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素及び結晶性シリカ、非晶性シリカが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。

無機フィラーの平均粒径は、高いダイシェア強度を達成する観点から、０．００５μｍ～１．０μｍが好ましく、０．０５～０．５μｍがより好ましい。無機フィラーの表面は、高いダイシェア強度を達成する観点から、化学修飾されていることが好ましい。表面を化学修飾する材料として適したものにシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤の官能基の種類として、例えば、ビニル基、アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基が挙げられる。

高いダイシェア強度を達成する観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分１００質量部に対して、無機フィラーの含有量は２０～２００質量部であることが好ましく、３０～１００質量部であることがより好ましい。

［硬化促進剤］
硬化促進剤として、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、及び第四級アンモニウム塩が挙げられる。高いダイシェア強度を達成する観点から、イミダゾール系の化合物が好ましい。イミダゾール類としては、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチルー２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。

熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して０．０４～３質量部が好ましく、０．０４～０．２質量部がより好ましい。

また、支持片３０となる接着フィルムは、複数層から形成されるものであってもよい。図１０は、変形例に係る積層フィルム６０Ａを示す断面図である。図１０に示すように、積層フィルム６０Ａは、基材フィルム６１、粘着層６２、及び、接着フィルム６３Ａを有している。接着フィルム６３Ａは、上述した何れかの熱硬化性樹脂組成物からなる一対の表面層６６ａ，６６ｂと、一対の表面層６６ａ，６６ｂの間に配置された中間層６７とを含んで構成される。表面層６６ａ，６６ｂの厚さは、例えば、５～６０μｍであり、５～２５μｍ又は５～２０μｍあってもよい。中間層６７の厚さは、例えば、５～７５μｍであり、１０～７５μｍ又は１０～５０μｍであってもよい。中間層６７の引張弾性率は、例えば、８．０ＭＰａ以上であり、９．０ＭＰａ以上又は１０．０ＭＰａ以上であってもよい。中間層６７の引張弾性率が８．０ＭＰａ以上であることで、支持片６３ａをピックアップする工程において（図５（ｃ）を参照）、中間層６７がバネ板のような役割を果たし、優れたピックアップ性を達成できる。なお、中間層６７の引張弾性率の上限値は材料の入手のしやすさの点から１５ＭＰａ程度である。中間層６７は、例えば、ポリイミド若しくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂層、又は、金属層から構成される。中間層６７は引張弾性率が上記範囲となるように硬化処理が施された熱硬化性樹脂組成物又は光硬化性樹脂組成物からなる層であってもよい。

（半導体装置の製造方法）
ここで、図１１～図１３を参照して、上述した製造方法によって製造される支持片３０を用いて３次元実装構造を有する半導体装置１を製造する方法について説明する。図１１は、半導体装置１の製造方法の一工程を示す図であって、基板１０上であって半導体チップ２０の周囲に複数の支持片３０を配置した状態を示す断面図である。図１２は、半導体装置１の製造方法に用いる接着剤片付きチップの一例を示す断面図である。図１３は、図１１に続いて半導体装置１の製造方法の一工程を示す図であって、基板１０上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の（Ａ）～（Ｇ）の工程を含む。
（Ａ）複数の支持片３０を準備する工程（図５の（ａ）～（ｃ）を参照）
（Ｂ）基板１０上に半導体チップ２０を配置する工程
（Ｃ）基板１０上であって半導体チップ２０の周囲に複数の支持片３０を配置する工程（図１１参照）
（Ｄ）半導体チップ２１と、半導体チップ２１の一方の面上に設けられた接着剤片４１とを備える接着剤片付きチップ２１ａを準備する工程（図１２を参照）
（Ｅ）複数の支持片３０の表面上に接着剤片付きチップ２１ａを配置することによってドルメン構造を構築する工程（図１３を参照）
（Ｆ）更なる半導体チップ２２，２３を半導体チップ２１の上に積層する工程（図１を参照）
（Ｇ）半導体チップ２０と半導体チップ２１との隙間を埋めると共に、半導体チップ２１～２３とワイヤ４６～４８を覆うように、基板１０上を封止材５０で封止する工程（図１参照）

（Ａ）～（Ｇ）工程は、複数の支持片３０を使用してドルメン構造を基板１０上に構築していくプロセスである。（Ａ）工程では、図５等に示す製造方法によって製造される支持片３０を所定数用意する。（Ａ）工程では、図５等に示す製造方法によって支持片３０を製造してもよいし、製造された支持片３０を取得してもよい。

［（Ｂ）工程］
（Ｂ）工程は、基板１０上に半導体チップ２０を配置する工程である。例えば、まず、基板１０上の所定の位置に接着剤片４０を介して半導体チップ２０を実装する。その後、半導体チップ２０をワイヤ４５で基板１０と電気的に接続する。

［（Ｃ）工程］
（Ｃ）工程は、基板１０上であって半導体チップ２０の周囲に複数の支持片３０を配置する工程である。この工程を経て、図１１に示す構造体Ｔが作製される。構造体Ｔは、基板１０と、その表面上に配置された半導体チップ２０と、複数の支持片３０とを備える。支持片３０の配置は圧着処理によって行ってもよい。圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。なお、支持片３０は（Ｃ）工程の時点で完全に硬化した支持片となっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片３０は（Ｃ）工程の開始前の時点で完全硬化した支持片となっていることが好ましい。

［（Ｄ）工程］
（Ｄ）工程は、図１２に示す接着剤片付きチップ２１ａを準備する工程である。接着剤片付きチップ２１ａは、半導体チップ２１と、その一方の表面に設けられた接着剤片４１とを備える。接着剤片付きチップ２１ａは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。

［（Ｅ）工程］
（Ｅ）工程は、複数の支持片３０の上面に接着剤片４１が接するように、半導体チップ２０の上方に接着剤片付きチップ２１ａを配置する工程である。具体的には、支持片３０の上面に接着剤片４１を介して半導体チップ２１を圧着する。この圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。次に、加熱によって接着剤片４１を硬化させる。この硬化処理は、例えば、６０～１７５℃、０．０１～１．０ＭＰａの条件で、５分間以上にわたって実施することが好ましい。これにより、接着剤片４１が硬化する。この工程を経て、基板１０上にドルメン構造が構築される（図１３参照）。

［（Ｆ）工程］
（Ｆ）工程では、半導体チップ２１の上に接着剤片４２を介して半導体チップ２２を配置し、更に、半導体チップ２２の上に接着剤片４３を介して半導体チップ２３を配置する。接着剤片４２及び４３は上述の接着剤片４０及び４１と同様の熱硬化性樹脂組成物であればよく、加熱硬化によって接着剤片となる（図１参照）。他方、半導体チップ２１，２２，２３と基板１０とをワイヤ４６～４８で電気的にそれぞれ接続する。なお、半導体チップ２０の上方に積層するチップの数は本実施形態の三つに限定されず、適宜設定することができる。

［（Ｇ）工程］
（Ｇ）工程では、半導体チップ２０と半導体チップ２１との隙間を埋めると共に、半導体チップ２１～２３とワイヤ４６～４８を覆うように、基板１０上を封止材５０で封止する（図１参照）。封止材５０は、例えばエポキシ樹脂を含む。この工程を経て図１に示す半導体装置１が完成する。

以上、本実施形態に係る支持片の製造方法では、個片化された支持片６３ａをピックアップする際、基材フィルム６１を３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で各支持片６３ａをピックアップしている。この場合、エキスパンド量を通常よりも大きくしていることから、個片化された各支持片６３ａの側面等へ粘着しているバリＧをエキスパンドにより引き剥がして、隣接する支持片６３ａ同士がバリＧで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持片６３ａをピックアップする際、隣接する支持片６３ａ同士がバリＧで繋がれていないため、個片化された支持片６３ａのピックアップ性を向上することができる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法は、接着フィルム６３が個片化用のリングフレーム１００の内側に配置されるように基材フィルム６１を粘着層６２を介してリングフレーム１００に貼り付ける工程を更に備えてもよく、この貼り付ける工程では、積層フィルム６０の伸び率が１００％より大きくなるように積層フィルム６０に張力を付与しながら積層フィルム６０をリングフレーム１００に貼り付けている。この場合、ダイシングを行う前に積層フィルム６０が外側に向けて伸ばされる張力が付与されており、ダイシングで当該張力が解放されることになる。よって、隣接する支持片６３ａ同士の間にダイシングでバリＧが形成されたとしても、この張力の解放による急激な縮みによりバリＧが支持片６３ａ間のダイシング溝Ｈ等から掻き出されるため、隣接する支持片６３ａ同士がバリＧで繋がれていないことになり、個片化された支持片６３ａのピックアップ性を更に向上することができる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、貼り付ける工程では、積層フィルム６０の伸び率が１０１％以下となるように積層フィルム６０に張力を付与しながら積層フィルム６０をリングフレーム１００に貼り付けてもよい。この場合、積層フィルム６０に掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルム６０を構成する接着フィルム６３に掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルム６０をリングフレーム１００に貼り付ける際、基材フィルム６１から接着フィルム６３が剥離することが低減される。特に基材フィルム６１（粘着層６２）と接着フィルム６３の外周付近では剥離が生じやすいが、上記の製造方法により、基材フィルム６１から接着フィルム６３が剥離することが低減される。その結果、基材フィルム６１及び粘着層６２からなる積層体と接着フィルム６３との間でボイドが生じにくくなる。このようなボイドの低減により、この製造方法によれば、個片化の際のチップ飛び等を抑制し、安価な支持部材を高い歩留まりで製造することが可能となる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、ピックアップする工程では、基材フィルム６１を５ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持片６３ａそれぞれをピックアップしてもよい。この場合、エキスパンド量を通常よりも更に大きい値の範囲としていることから、個片化された各支持片６３ａの側面等へ粘着しているバリＧを更に強く引き剥がして、隣接する支持片６３ａ同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持片６３ａをピックアップする際、個片化された支持片６３ａのピックアップ性を更に向上することができる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、ピックアップする工程では、エキスパンドする方向と直交する突上げ方向に３００μｍ以上の突上げ量で基材フィルム６１を突き上げて複数の支持片６３ａそれぞれをピックアップしてもよい。この場合、ピックアップする際の基材フィルム６１からの支持片６３ａの距離をより多く取ることができるため、個片化された支持片のピックアップ性を更に向上することができる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、接着フィルム６３の引張弾性率が８．０ＭＰａ以上であってもよい。また、接着フィルム６３は、ポリイミドを含んでもよい。この場合、安価で且つ強度に優れた支持部材を得ることが可能となる。

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、接着フィルム６３は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層６６ａ，６６ｂと、一対の表面層６６ａ，６６ｂの間に配置された中間層６７とを含んでもよい。この場合、接着フィルム６３Ａが多層構造であり、接着フィルム６３Ａを比較的厚くなるように形成しても、接着フィルム６３Ａの反りを抑制することができる。反りを抑制することにより、この製造方法によれば、平面方向に広がる接着フィルム６３Ａの厚さをより均一なものとして、製造される支持片の厚みをより均一化させることが可能となる。この変形例において、中間層６７はポリイミド層又は金属層であってもよい。これにより、強度及び耐熱性に優れた支持片を得ることができる。なお、中間層６７の厚みは５０μｍ以下であってもよい。これにより、多層構造であっても支持片をそれほど厚くせずに薄いものとすることができる。

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、ドルメン構造の半導体装置に用いる支持片３０の製造方法について説明したが、支持片３０は、他の半導体装置の部材として用いてもよく、特に限定されない。また、紫外線硬化型の粘着層６２を有する積層フィルム６０を例示したが、粘着層６２は感圧型であってもよい。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

以下の実施例では、図１０に示す構成の積層フィルム６０Ａを用いて支持片を作製した場合における支持片のピックアップ性を確認した。具体的には、積層フィルム６０Ａをリングフレーム１００に貼り付けると共に、ダイシングにより接着フィルム６３Ａを個片化し、その後、個片化した支持片をピックアップした。これらに用いた装置は、(株)ディスコ製の１２インチデュアルダイサ(ＤＦＤ－６３６２)およびファスフォードテクノロジ(株)製のダイボンダ(ＤＢ－８３０Ｐ)であった。

また、各実施例で使用した化合物は以下の通りである。

（積層体）
積層体６５として、以下の積層体を準備した。

＜積層体の作製＞
アクリル酸２－エチルヘキシルを７８質量部、アクリル酸２－ヒドロキシエチルを２０質量部、メタクリル酸を２質量部を原料として、溶媒には酢酸エチルを用いて、溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次に、このアクリル共重合体に対し、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを８重量部反応させて、炭素－炭素二重結合を有する放射線反応型アクリル共重合体を合成した。上記の反応にあたっては、重合禁止剤としてヒドロキノン・モノメチルエーテルを０．０５部用いた。合成したアクリル共重合体の重量平均分子量をＧＰＣにより測定したところ、８０万であった。

このようにして得られたアクリル共重合体と、硬化剤としてポリイソシアネート化合物（東ソー(株)、商品名：コロネートＬ）を固形分換算で８.０部と、光重合開始剤として１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン０．５部とを混合し、放射線硬化型粘着剤溶液を調製した。次に、上記のようにして得られた放射線硬化型粘着剤溶液を、ポリエチレンテレフタレート製剥離フィルム（厚み：３８μｍ）上に、乾燥後の厚みが1０μｍとなるように塗布・乾燥した。その後、粘着剤層に、片面にコロナ放電処理が施されたポリオレフィン製フィルム（厚み：９０μｍ）を貼り合わせた。貼り合せた試料を４０℃の恒温槽で７２時間エージングを行い、積層体を作製した。なお、積層体の引張強さは、３２ＭＰａであり、伸び率は３４０％であった。

（接着フィルム）
接着フィルムは、上述したように、図１０に示す三層構成の接着フィルム６３Ａを用いた。接着フィルム６３Ａの表面層６６ａ、６６ｂを構成する熱硬化性樹脂組成物は、以下の（ａ）～（ｈ）を含んでいた。

（ワニスＡの調製）
以下の材料を使用して支持片形成用フィルムのためのワニスＡを調製した。
（ａ）エポキシ樹脂：ＹＤＣＮ－７００－１０：（商品名、新日鉄住金化学（株）製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、２５℃において固体）１３．２質量部
（ｂ）フェノール樹脂（硬化剤）：ＨＥ－１００Ｃ－３０：（商品名、エア・ウォーター（株）製、フェニルアラキル型フェノール樹脂）１１．０質量部
（ｃ）無機フィラー：アエロジルＲ９７２：（商品名、日本アエロジル（株）製、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）７．８質量部
（ｄ）エラストマ：ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、ナガセケムテックス（株）製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）６６．４質量部
（ｅ）カップリング剤１：Ａ－１８９：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．４質量部
（ｆ）カップリング剤２：Ａ－１１６０：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）１．１５質量部
（ｇ）硬化促進剤：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ：（商品名、四国化成工業（株）製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）０．０３質量部
（ｈ）溶媒：シクロヘキサン

上記のとおり、溶媒としてシクロヘキサノンを使用し、ワニスＡの固形分割合が１６質量％となるように調整した。１００メッシュのフィルターでワニスＡをろ過するとともに真空脱泡した。ワニスＡを塗布するフィルムとして、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）を準備した。真空脱泡後のワニスＡを、ＰＥＴフィルムの離型処理が施された面上に塗布した。塗布したワニスＡを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の二段階で加熱乾燥した。こうして、Ｂステージ状態（半硬化状態）の熱硬化性樹脂層ＡをＰＥＴフィルムの表面上に作製した。

また、接着フィルム６３Ａの中間層６７は、ポリイミド（宇部興産(株)製、商品名：ユーピレックス ５０ＳＧＡ、厚み５０μｍ）から構成されていた。

次に熱硬化性樹脂層６６a、６６ｂを準備し、７０℃のホットプレート上において中間層６７の両面にゴムロールで貼り合わせ接着フィルム６３Ａとし、積層体６５に室温でゴムロールで貼り合わせ、積層フィルム６０Ａを得た。

続いて、この得られた積層フィルム６０Ａを所定の貼付け張力でリングフレーム１００に貼り付け（図５（ａ）を参照）、その後、ダイシング装置によるダイシングで接着フィルム６３Ａを個片化した（図５（ｂ）を参照）。そして、所定のエキスパンド量で基材フィルム６１をエキスパンドしながら各支持片を突上げ治具１１１で突き上げ、吸引コレット１１２による吸引でピックアップした。各試験におけるピックアップ数はそれぞれ２０個とした。

以下の表１～表３に、エキスパンド量、貼付け張力、突上げ量、及び突上げ速度をそれぞれ変更した評価結果（実施例１～１６）を示す。表１では、貼付け張力が１００．１９％であり、ダイシング時のカーフ幅は２４μｍであった。表２では、貼付け張力が１００．４７％であり、ダイシング時のカーフ幅は３１μｍであった。表３では、貼付け張力が１０１．００％であり、ダイシング時のカーフ幅は３３μｍであった。

以上の実施例１～１６に示すように、ピックアップ時のエキスパンド量を３ｍｍ～９ｍｍの範囲とすることで、支持片のピックアップ率がほぼ１００％であり、ピックアップ性が向上していることが確認できた。なお、実施例１及び実施例２に示すように、ピックアップ時のエキスパンド量が３ｍｍの場合、突上げ量が２７５ｍｍ及び３００ｍｍであると、ピックアップ率が下がる傾向があるが、例えば実施例２の突上げ量を３２５μｍに上げることで、ピックアップ率は２０／２０とすることができた。

また、以下の表４に、エキスパンド量を７ｍｍとして、積層体６５Ａのリングフレーム１００への貼付け張力を変更した実施例１７～１９を示す。

以上の実施例１７～１９に示すように、積層体６５Ａのリングフレーム１００への貼付け張力を１００％よりも高くするにつれて、ピックアップ数を向上させることが出来ることが確認できた。なお、実施例１７～１９での突上げ量は、貼付け張力の変化による傾向を確認するため、低めに設定しており、実施例１８及び１９に対応する試験において突上げ量を２２５μｍに上げることで（他の条件はそのまま）、ピックアップ率は２０／２０とすることができた。

以上の試験結果から明らかなように、基材フィルムを３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量（より好ましくは、５ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量）でエキスパンドした状態で各支持片をピックアップすることにより、ピックアップ率を高くできることが確認できた。また、積層体のリングフレームへの貼付け張力を高くすることにより、ピックアップ性を向上できることが確認された。

１…半導体装置、１０…基板、２０…半導体チップ、２１…半導体チップ、３０…支持片（支持部材）、６０，６０Ａ…積層フィルム、６１…基材フィルム、６２…粘着層、６３…接着フィルム、６３ａ…支持片、６５…積層体、６６ａ，６６ｂ…表面層、６７…中間層、１００…リングフレーム（リング）、１１１…突上げ治具、１１２…吸引コレット、Ｅ…エキスパンド量、Ｇ…バリ、Ｈ…ダイシング溝。

Claims (10)

1. 基材フィルムに粘着層を介して接着フィルムが貼り付けられた積層フィルムを準備する工程と、
   前記接着フィルムを複数の支持部材に個片化する工程と、
   前記複数の支持部材それぞれを前記基材フィルムからピックアップする工程と、
   を備え、
   前記ピックアップする工程では、前記基材フィルムを３ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、支持部材の製造方法。
2. 前記接着フィルムが個片化用のリングの内側に配置されるように前記基材フィルムを前記粘着層を介して前記リングに貼り付ける工程を更に備え、
   前記貼り付ける工程では、前記積層フィルムの伸び率が１００％より大きくなるように前記積層フィルムに張力を付与しながら前記積層フィルムを前記リングに貼り付ける、
   請求項１に記載の支持部材の製造方法。
3. 前記貼り付ける工程では、前記積層フィルムの伸び率が１０１％以下となるように前記積層フィルムに張力を付与しながら前記積層フィルムを前記リングに貼り付ける、
   請求項２に記載の支持部材の製造方法。
4. 前記ピックアップする工程では、前記基材フィルムを５ｍｍ以上９ｍｍ以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、
   請求項１～３の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
5. 前記ピックアップする工程では、前記エキスパンドする方向と交差する突上げ方向に３００μｍ以上の突上げ量で前記基材フィルムを突き上げて前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、
   請求項１～４の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
6. 前記接着フィルムの引張弾性率が８．０ＭＰａ以上である、
   請求項１～５の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
7. 前記接着フィルムは、ポリイミドを含む、
   請求項１～６の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
8. 前記接着フィルムは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層と、前記一対の表面層の間に配置された中間層とを含む、
   請求項１～７の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
9. 前記中間層がポリイミド層又は金属層である、
   請求項８に記載の支持部材の製造方法。
10. 請求項１～９の何れか一項に記載の支持部材の製造方法によって製造された支持部材を用いて半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
    

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