TW202339954A - 單片化體形成用積層膜及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

單片化體形成用積層膜及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種單片化體形成用積層膜。該單片化體形成用積層膜依序具備：第1支撐膜；第1黏著劑層，其係非紫外線固化型黏著劑層；單片化體形成用膜，藉由切割而單片化成複數個；第2黏著劑層；及第2支撐膜。單片化體形成用膜係具有熱固性樹脂層及剛性材料層之膜，前述剛性材料層具有高於熱固性樹脂層之剛性。單片化體形成用膜中的剛性材料層積層於第1黏著劑層上。

Description

單片化體形成用積層膜及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
本揭示係有關一種單片化體形成用積層膜及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法、尤其係有關一種具有支石墓結構之半導體裝置，上述支石墓結構包括：基板；第1晶片，配置於基板上；複數個支撐片，配置於基板上且第1晶片的周圍；及第2晶片，藉由複數個支撐片支撐且以覆蓋第1晶片的方式配置。
近年來，在半導體裝置區域中，要求高積體、小型化及高速化，作為半導體裝置的一態樣，在配置於基板上之控制器晶片上積層半導體晶片之結構備受關註。例如，專利文獻1公開了半導體晶粒組件，其包括：控制器晶粒；及記憶體晶粒，在控制器晶粒上藉由支撐構件來支撐。專利文獻1的圖1A中圖示之半導體組件100能夠具有支石墓結構。半導體組件100具備：封裝基板402；控制器晶粒103，配置於其表面上；記憶體晶粒106a、106b，配置於控制器晶粒103的上方；及支撐構件130a、130b，支撐記憶體晶粒106a。
專利文獻1公開有作為支撐構件（支撐片），能夠使用矽等半導體材料，更具體而言，能夠使用切割半導體晶圓而獲得之半導體材料的碎片。
又，專利文獻2公開了作為支撐構件（支撐片），代替矽等半導體材料，能夠使用以樹脂材料為主要成分的樹脂膜。作為樹脂膜，例如例示有依序具有2個熱固性樹脂層及剛性材料層之三層膜，該剛性材料層以夾著該熱固性樹脂層的方式配置，具有高於該熱固性樹脂層之剛性。
[專利文獻1]日本特表2017-515306號公報 [專利文獻2]國際公開第2020/217404號
根據本發明人等的研究發現，切割作為習知之三層膜之樹脂膜而單片化時，有時出現在最表面側的熱固性樹脂層與剛性材料層之間發生剝離、及在切割線的切斷面（側面）產生被稱為毛邊之切削屑等不良情況。
因此，本揭示的主要目的為提供一種單片化體形成用積層膜，在具備藉由切割而單片化成複數個之單片化體形成用膜之單片化體形成用積層膜中，能夠充分抑制切割單片化體形成用膜而單片化時的不良情況。
本揭示的一側面係有關一種單片化體形成用積層膜，其具備藉由切割而單片化成複數個之單片化體形成用膜。該單片化體形成用積層膜依序具備：第1支撐膜；第1黏著劑層，其係非紫外線固化型黏著劑層；單片化體形成用膜；第2黏著劑層及第2支撐膜。單片化體形成用膜係具有熱固性樹脂層及剛性材料層之膜，前述剛性材料層具有高於熱固性樹脂層之剛性。剛性材料層例如可以係具有高於熱固性樹脂層之剛性之樹脂材料層或具有高於熱固性樹脂層之剛性之金屬層。單片化體形成用膜可以係二層膜。單片化體形成用膜中的剛性材料層積層於第1黏著劑層上。剛性材料層可以係具有高於熱固性樹脂層之剛性之樹脂層，例如可以係聚醯亞胺層。
在這種結構的單片化體形成用積層膜中，切割單片化體形成用膜而單片化時，不存在最表面側的熱固性樹脂層，因此在最表面側的熱固性樹脂層與剛性材料層之間不發生剝離，切割線的切斷面（側面）產生之推測為源自熱固性樹脂層之毛邊亦減少。藉此，能夠充分抑制切割單片化體形成用膜而單片化時出現的不良情況。
單片化體形成用積層膜可以在半導體裝置的製造工藝中使用。由單片化體形成用積層膜形成之單片化體例如在具有支石墓結構之半導體裝置中能夠用作支撐片，上述支石墓結構包括：基板；第1晶片，配置於基板上；複數個支撐片，配置於基板上且第1晶片的周圍；及第2晶片，藉由複數個支撐片支撐且以覆蓋第1晶片的方式配置。亦即，單片化體形成用積層膜能夠用作支撐片形成用積層膜，單片化體形成用膜能夠用作支撐片形成用膜。又，由單片化體形成用積層膜形成之單片化體除了支撐片以外，例如藉由貼附於半導體晶片等，亦能夠用作半導體晶片的補強片（補強材料）。
第2黏著劑層可以係紫外線固化型黏著劑層，亦可以係非紫外線固化型黏著劑層。亦即，第2黏著劑層可以係藉由紫外線照射而固化者，亦可以與上述不同，換言之，可以含有包括具有光反應性之碳-碳雙鍵之樹脂，亦可以不含有。再者，非紫外線固化型黏著劑層可以含有包括具有光反應性之碳-碳雙鍵之樹脂。例如，黏著劑層可以係藉由對其規定區域照射紫外線而降低該區域的黏著性者，例如可以殘留包括具有光反應性之碳-碳雙鍵之樹脂。
本揭示的另一方面係有關一種單片化體形成用積層膜之製造方法。該單片化體形成用積層膜之製造方法具備：準備依序具備第1支撐膜、第1黏著劑層及單片化體形成用膜基材之第1積層體之步驟；對第1積層體中的單片化體形成用膜基材進行模切，而製作具備單片化體形成用膜之第2積層體之步驟；及在第2積層體的單片化體形成用膜上依序積層第2黏著劑層及第2支撐膜之步驟。
本揭示的另一側面係有關一種半導體裝置之製造方法。半導體裝置具有支石墓結構，上述支石墓結構包括：基板；第1晶片，配置於基板上；複數個支撐片，配置於基板上且第1晶片的周圍；及第2晶片，藉由複數個支撐片支撐且以覆蓋第1晶片的方式配置。該半導體裝置具備設置於第2晶片的一個面上且藉由第2晶片及複數個支撐片夾著之接著劑片。該情況下，上述第1晶片可以與接著劑片分離，亦可以與接著劑片接觸。
該半導體裝置之製造方法具備以下步驟。 （A）準備支撐片形成用積層膜之步驟，該支撐片形成用積層膜依序具備第1支撐膜、作為非紫外線固化型黏著劑層之第1黏著劑層、藉由切割而單片化成複數個之支撐片形成用膜、第2黏著劑層及第2支撐膜，支撐片形成用膜係具有熱固性樹脂層及剛性材料層之膜，上述剛性材料層具有高於熱固性樹脂層之剛性，支撐片形成用膜中的剛性材料層積層於第1黏著劑層上 （B）藉由切割支撐片形成用膜，在第2黏著劑層的表面上形成複數個支撐片之步驟 （C）從第2黏著劑層拾取支撐片之步驟 （D）在基板上配置第1晶片之步驟 （E）在基板上且在第1晶片的周圍或應配置有第1晶片之區域的周圍配置複數個支撐片之步驟 （F）準備具備第2晶片、及設置於第2晶片的一個面上之接著劑片之附有接著劑片之晶片之步驟 （G）藉由在複數個支撐片的表面上配置附有接著劑片之晶片來構建支石墓結構之步驟
第2黏著劑層係紫外線固化型黏著劑層的情況下，在（B）步驟與（C）步驟之間，具備對第2黏著劑層照射紫外線之步驟，藉此能夠降低第2黏著劑層的黏著性。 [發明效果]
依據本揭示，提供一種單片化體形成用積層膜，在具備藉由切割而單片化成複數個之單片化體形成用膜之單片化體形成用積層膜中，能夠充分抑制切割單片化體形成用膜而單片化時的不良情況。又，依據本揭示，提供一種半導體裝置之製造方法，其使用這種單片化體形成用積層膜（支撐片形成用積層膜）。
以下，適當地參閱圖式對本揭示的實施形態進行說明。但是，本揭示並不限定於以下實施形態。在以下實施形態中，除非另有說明，其構成要件（亦包括步驟等）不是必須的。各附圖中的構成要件的大小係概念性的，構成要件之間的大小的相對關係並不限定於各附圖中表示者。
對本揭示中的數值及其範圍亦相同，並非限制本揭示者。在本說明書中，利用「～」所示之數值範圍表示將記載於「～」前後之數值分別作為最小值及最大值而包含之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內，一階段的數值範圍內記載之上限值或下限值可以替換為其他階段中記載的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中所記載之數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例中所示之值。
在本說明書中，「層」一詞在以俯視圖觀察時，除了在整個表面形成之形狀的結構之外，還包括在一部分形成之形狀的結構。又，在本說明書中，「步驟」一詞並不僅係獨立的步驟，即使無法與其他步驟明確區分時，只要達成其步驟所期望的作用，則亦包含於本用語中。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯係指丙烯酸酯或與其相對應之甲基丙烯酸酯。對（甲基）丙烯醯基、（甲基）丙烯酸共聚物等其他類似表述亦相同。
除非另有說明，本說明書中例示之各成分及材料可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
[單片化體形成用積層膜] 圖1（a）係示意地表示單片化體形成用積層膜的一實施形態之俯視圖，圖1（b）係圖1（a）的b-b線中的剖面圖。單片化體形成用積層膜10（以下，有時簡稱為「積層膜10」。）係依序具備：第1支撐膜1a；第1黏著劑層1b，其係非紫外線固化型黏著劑層；單片化體形成用膜D（以下，有時簡稱為「膜D」。），藉由切割而單片化成複數個；第2黏著劑層2b；及第2支撐膜2a。
有時將具有第1支撐膜1a及設置於第1支撐膜1a上之第1黏著劑層1b之積層膜稱為「黏著性膜1」。有時將具有第2支撐膜2a及設置於第2支撐膜2a上之第2黏著劑層2b之積層膜稱為「切割膜2」。在積層膜10中，切割膜2的第2黏著劑層2b的一部分可以與黏著性膜1的第1黏著劑層1b接觸（參閱圖1（b）），亦可以不接觸。
作為第1支撐膜1a，例如可以舉出聚酯（聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等）、聚烯烴（聚乙烯、聚丙烯等）、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚硫化物、聚醚碸、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚等的膜。該等膜可以係單層膜，亦可以係由2種以上的膜構成之多層膜。第1支撐膜1a的厚度例如可以為1～200μm，10～100μm或20～50μm。
第1黏著劑層1b係含有非紫外線固化型黏著劑之層（非紫外線固化型黏著劑層）。非紫外線固化型黏著劑係在短時間的加壓示出一定的黏著性之黏著劑，能夠使用以往公知的黏著劑。作為非紫外線固化型黏著劑，例如可以舉出天然橡膠系、合成橡膠系、丙烯酸樹脂系、聚乙烯醚樹脂系、聚胺酯樹脂系、矽酮樹脂系等黏著劑。第1黏著劑層1b的厚度例如可以為5～20μm。
黏著性膜1能夠使用市售品。作為黏著性膜的市售品，例如可以舉出PET75-H2120（10）（產品名稱，NEION Film Coatings Corp製造）、Cosmotac系列（產品名稱，Cosmotec Co.,Ltd.製造）、HYDREX DT系列（產品名稱，Showa Denko Materials co.,Ltd.製造）等。
黏著性膜1的厚度例如可以為5～150μm，15～100μm或25～70μm。
膜D係具有熱固性樹脂層D1及剛性材料層D2之膜，該剛性材料層D2具有高於熱固性樹脂層D1之剛性。膜D可以係二層膜。膜D中的剛性材料層D2積層於第1黏著劑層1b上。
構成熱固性樹脂層D1之熱固性樹脂組成物可以係經過半固化（B階段）狀態，其後藉由加熱處理能夠成為固化物（C階段）狀態者。熱固性樹脂組成物更容易獲得所期望的效果，可以含有環氧樹脂、固化劑及彈性體，根據需要，亦可以進一步含有無機填料、固化促進劑等。熱固性樹脂層D1可以係至少一部分固化之半固化（B階段）狀態者，亦可以係其後藉由加熱處理能夠成為固化物（C階段）狀態者。
（環氧樹脂） 環氧樹脂只要係固化而具有接著作用者，並無特別限定。作為環氧樹脂，例如可以舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等二官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。又，作為環氧樹脂，例如亦可以舉出多官能環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、含雜環環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等。
（固化劑） 作為固化劑，例如可以舉出酚樹脂、酯化合物、芳香族胺、脂肪族胺、酸酐等。該等中，從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，固化劑可以係酚醛樹脂。作為酚樹脂的市售品，例如可以舉出DIC Corporation製造的LF-4871（產品名稱，BPA酚醛清漆型酚樹脂）、AIR WATER INC.製造的HE-100C-30（產品名稱，苯基二十烷醇型酚樹脂）、DIC Corporation製造的PHENOLITE KA及TD系列、Mitsui Chemicals, Inc.製造的Milex XLC系列及XL系列（例如，Milex XLC-LL）、AIR WATER INC.製造的HE系列（例如，HE100C-30）、Meiwa Plastic Industries, Ltd.製造的MEHC-7800系列（例如，MEHC-7800-4S）、JEF Chemical Corporation製造的JDPP系列、Gun Ei Chemical Industry Co.,Ltd.製造的PSM系列（例如，PSM-4326）等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，環氧樹脂及酚醛樹脂的調配量分別以環氧當量和羥基當量的當量比計，可以為0.6～1.5，0.7～1.4或0.8～1.3。當配比在這種範圍內時，存在容易使固化性及流動性雙方實現充分高水平的傾向。
（彈性體） 作為彈性體，例如可以舉出丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、聚丁二烯、丙烯腈、環氧改質聚丁二烯、順丁烯二酸酐改質聚丁二烯、酚改質聚丁二烯、羧基改質丙烯腈等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，彈性體可以係丙烯酸樹脂。丙烯酸樹脂可以係將作為交聯性官能基具有丙烯酸環氧丙酯或甲基丙烯酸環氧丙酯等環氧基或環氧丙基之官能性單體聚合而獲得之含環氧基（甲基）丙烯酸共聚物等丙烯酸樹脂。該等中，丙烯酸樹脂可以係含環氧基（甲基）丙烯酸酯共聚物及含環氧基丙烯酸橡膠，含環氧基丙烯酸橡膠為較佳。含環氧基丙烯酸橡膠係以丙烯酸酯為主要成分，主要係丙烯酸丁酯、丙烯腈等共聚物、乙基丙烯酸酯、丙烯腈等共聚物等具有環氧基之橡膠。再者，丙烯酸樹脂不僅具有環氧基，還可以具有醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基。
作為丙烯酸樹脂的市售品，例如可以舉出Nagase ChemteX Corporation製造的SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、SG-P3溶劑變更產品（產品名稱、丙烯酸橡膠、重量平均分子量：80万，Tg：12℃，溶劑係環己酮）等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）為-50～50℃為較佳，-30～30℃為更佳。從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，丙烯酸樹脂的重量平均分子量（Mw）為10万～300万為較佳，50万～200万為更佳。在此，Mw係指利用凝膠滲透層析法（GPC）測定，並使用基於標準聚苯乙烯之検量線換算之值。再者，藉由使用分子量分布窄的丙烯酸樹脂，趨於能夠形成高彈性單片化體。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，相對於環氧樹脂及固化劑的合計100質量份，彈性體的含量可以為10～200質量份或20～100質量份。
（無機填料） 作為無機填料，例如可以舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶二氧化矽、無定形二氧化矽等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，無機填料的平均粒徑可以為0.005μm～1.0μm或0.05～0.5μm。從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，無機填料的表面可以進行化學修飾。作為將表面化學修飾之材料，例如可以舉出矽烷偶合劑等。作為矽烷偶合劑的官能基的種類，例如可以舉出乙烯基、丙烯醯基、環氧基、巰基、胺基、二胺基、烷氧基、乙氧基等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，相對於熱固性樹脂組成物的樹脂成分（環氧樹脂、固化劑及彈性體）100質量份，無機填料的含量可以為20～200質量份或30～100質量份。
（固化促進劑） 作為固化促進劑，例如可以舉出咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、2級胺類、3級胺類、4級銨鹽等。從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，固化促進劑可以係咪唑類。作為咪唑類，例如可以舉出2-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。
從實現高剪力強度（晶片剪力強度）之觀點考慮，相對於環氧樹脂及固化劑的合計100質量份，固化促進劑的含量可以為0.04～3質量份或0.04～0.2質量份。
剛性材料層D2例如可以係具有高於熱固性樹脂層D1之剛性之樹脂材料層或具有高於熱固性樹脂層D1之剛性之金屬層。該樹脂層係含有與熱固性樹脂層D1不同的材質者，例如可以係聚醯亞胺層。剛性材料層D2為該樹脂層時，藉由切割而單片化之後，即使不實施熱固性樹脂層D1的熱固化處理，趨於拾取性優異。該金屬層例如可以係銅層或鋁層。剛性材料層D2為該金屬層時，除了優異之拾取性，藉由樹脂材料與金屬材料的光學性反差，在拾取步驟中趨於具有優異之可見性。
熱固性樹脂層D1相對於膜D的厚度之厚度比率（熱固性樹脂層D1的厚度/膜D的厚度）可以為0.1～0.8，0.2～0.7或0.2～0.6。該比率為0.1以上時，例如趨於配置單片化體之後的位置偏移抑制優異。該比率為0.8以下時，趨於拾取性優異。熱固性樹脂層D1的厚度例如可以為5～120μm或10～60μm。剛性材料層D2的厚度例如可以為20～80μm或20～60μm。
膜D例如可以係藉由沖孔刀等將單片化體形成用膜基材模切（例如，亦可以改稱為「（預）切」、「切斷」。）為所期望的形狀者。膜D在俯視下的形狀例如可以係圖1（a）所示之圓形，亦可以係矩形（正方形或長方形）。膜D在俯視下的形狀係圓形的情況下，膜D的直徑例如可以係290～340mm或310～335mm。
作為第2支撐膜2a，能夠例示出與由第1支撐膜1a例示之膜相同者。第2支撐膜2a的厚度例如可以為1～200μm，50～170μm或70～130μm。
第2黏著劑層2b係含有黏著劑之層（黏著劑層）。黏著劑能夠使用在該區域中通常使用之黏著劑，可以係紫外線固化型黏著劑或非紫外線固化型黏著劑中的任一個。亦即，第2黏著劑層2b可以係紫外線固化型黏著劑層或非紫外線固化型黏著劑層中的任一個。非紫外線固化型黏著劑能夠例示出與在第1黏著劑層1b例示之非紫外線固化型黏著劑相同者。紫外線固化型黏著劑係具有藉由紫外線的照射降低黏著性之性質之黏著劑，能夠使用以往公知的黏著劑。作為紫外線固化型黏著劑，例如可以舉出包括具有光反應性之碳-碳雙鍵之樹脂等。更具體而言，例如可以舉出丙烯酸樹脂系等黏著劑。第2黏著劑層2b的厚度例如可以為1～100μm。
切割膜2在俯視下的形狀能夠根據膜D的形狀適當調整形狀。切割膜2例如可以係藉由沖孔刀等將切割膜基材模切（（預）切、切斷）為所期望的形狀者。切割膜2在俯視下的形狀例如可以係圖1（a）所示之圓形，亦可以係矩形（正方形或長方形）。切割膜2在俯視下的形狀為圓形的情況下，切割膜2的直徑例如可以為290～500mm或310～400mm。
切割膜2的厚度例如可以為5～200μm，15～170μm或30～140μm。
在積層膜10中，黏著性膜1（第1黏著劑層1b）相對於膜D（剛性材料層D2）之30°剝離強度（第1剝離強度）低於切割膜2（第2黏著劑層2b）相對於膜D（熱固性樹脂層D1）之30°剝離強度（第2剝離強度）為較佳。剝離強度處於這種關係，藉此在積層膜10中，相比切割膜2先剝離黏著性膜1變得更容易。
第1剝離強度例如可以為0.5N/25mm以下，亦可以為0.4N/25mm以下或0.3N/25mm以下。第1剝離強度的下限例如可以為0.1N/25mm以上。第1剝離強度能夠藉由以下方法來測定。首先，準備積層膜10，並將其以寬度25mm×長度100mm切出，藉此製作測定試樣。接著，從測定試樣剝離切割膜2，並在金屬製支撐板上固定測定試樣的膜D側。在固定測定試樣之狀態下，能夠藉由在測定溫度25℃、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下剝下黏著性膜1來測定第1剝離強度。
第2剝離強度可以超過0.5N/25mm，亦可以為1.0N/25mm以上或2.0N/25mm以上。第2剝離強度的上限例如可以為5.0N/25mm以下。第2剝離強度能夠藉由以下方法來測定。首先，準備積層膜10，並將其以寬度25mm×長度100mm切出，藉此製作測定試樣。接著，從測定試樣剝離黏著性膜1，並在金屬製支撐板上固定測定試樣的膜D側。在固定測定試樣之狀態下，能夠藉由在測定溫度25℃、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下剝下切割膜2來測定第2剝離強度。
在切割膜2（第2黏著劑層2b）的一部分與黏著性膜1（第1黏著劑層1b）接觸的情況下，黏著性膜1（第1黏著劑層1b）相對於切割膜2（第2黏著劑層2b）之90°剝離強度（第3剝離強度）例如可以為0.2N/25mm以下，亦可以為0.1N/25mm以下或0.05N/25mm以下。第3剝離強度的下限例如可以為0.01N/25mm以上。第3剝離強度能夠藉由以下方法來測定。首先，準備積層膜10，並將其以寬度25mm×長度200mm切出，藉此製作測定試樣。接著，在金屬製的支撐板上固定測定試樣的切割膜2側。在固定測定試樣之狀態下，能夠藉由在測定溫度25℃、剝離角度90°及剝離速度50mm/分鐘的條件下剝下黏著性膜1來測定第3剝離強度。藉由第3剝離強度在上述範圍內，能夠容易從積層膜10剝離黏著性膜1。
積層膜10可以在半導體裝置的製造工藝中使用。由積層膜10形成之單片化體例如在具有支石墓結構之半導體裝置中能夠用作支撐片，上述支石墓結構包括：基板；第1晶片，配置於基板上；複數個支撐片，配置於基板上且第1晶片的周圍；及第2晶片，藉由複數個支撐片支撐且以覆蓋第1晶片的方式配置。
又，由積層膜10形成之單片化體例如藉由貼附於半導體晶片等，亦能夠用作半導體晶片的補強材料。由積層膜10形成之單片化體能夠藉由包括後述的半導體裝置之製造方法中的（A）～（C）的步驟之方法來製造。
[單片化體形成用積層膜之製造方法] 圖2（a）、（b）及（c）、以及圖3（a）、（b）及（c）係示意地表示單片化體形成用積層膜的製作過程之剖面圖。積層膜10之製造方法包括：準備依序具備第1支撐膜1a、第1黏著劑層1b及單片化體形成用膜基材DA（以下，有時簡稱為「膜基材DA」。）之第1積層體20之步驟（第1步驟）；對第1積層體20中的膜基材DA進行模切，而製作具備膜D之第2積層體30之步驟（第2步驟）；在第2積層體30的膜D上依序層疊第2黏著劑層2b及第2支撐膜2a之步驟（第3步驟）。再者，膜基材DA可以係膜D的原膜。
（第1步驟） 本步驟係準備第1積層體20之步驟。第1積層體20只要係獲得該結構的積層體，則製作方法並無特別限制，但是能夠藉由在具有第1支撐膜1a、及設置於第1支撐膜1a上之第1黏著劑層1b之黏著性膜1的第1黏著劑層1b上，配置具有熱固性樹脂層D1及剛性材料層D2之膜基材DA的剛性材料層D2側，並貼合黏著性膜1與膜基材DA來獲得（參閱圖2（a））。
熱固性樹脂層D1例如能夠藉由將熱固性樹脂組成物塗佈於支撐膜上之方法來形成。在熱固性樹脂層D1的形成中，可以使用熱固性樹脂組成物的清漆（熱固性樹脂清漆）。使用熱固性樹脂清漆的情況下，能夠將上述成分在溶劑中混合或混煉來製作熱固性樹脂清漆，將所獲得之熱固性樹脂清漆塗佈於支撐膜上，並加熱乾燥溶劑來進行去除，從而獲得熱固性樹脂層D1。
支撐膜只要係抗上述加熱乾燥者，則並無特別限定，例如可以係聚酯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜、聚醯亞胺膜、聚醚醯亞胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚甲基戊烯膜等。支撐膜可以係組合2種以上而成之多層膜，亦可以係表面由矽酮系、二氧化矽系等離型劑等處理者。支撐膜的厚度例如可以為10～200μm或20～170μm。
混合或混煉使用一般的攪拌機、擂潰機、三輥軋機、球磨機等分散機，並能夠適當組合該等來進行。
用於製備熱固性樹脂清漆之溶劑只要係能夠將各成分均勻地溶解、混煉或分散者，則並無限制，能夠使用以往公知者。作為這種溶劑，例如可以舉出丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N甲基吡咯烷酮、甲苯、二甲苯等。
作為將熱固性樹脂清漆塗佈於支撐膜上之方法，能夠使用公知的方法，例如能夠使用刮刀塗佈法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法、簾式塗佈法等。加熱乾燥只要係所使用之溶劑充分揮發之條件，則並無特別限制，但是能夠在50～150℃的範圍內且在1～30分鐘的範圍內進行。加熱乾燥能夠在不同的加熱溫度下且以不同的加熱時間階段性地進行。
膜基材DA能夠藉由利用加熱橡膠輥貼合熱固性樹脂層D1與剛性材料層D2來獲得。
第1積層體20亦能夠藉由在黏著性膜1的第1黏著劑層1b上依序積層剛性材料層D2及熱固性樹脂層D1來製作膜基材DA而獲得。該情況下，藉由貼合黏著性膜1的第1黏著劑層1b與剛性材料層D2之後，並將熱固性樹脂清漆塗佈於剛性材料層D2來設置熱固性樹脂層D1。
（第2步驟） 本步驟係製作第2積層體30之步驟。在此，能夠以所製作之第1積層體20的膜基材DA成為所期望的形狀（例如圓形）的方式，藉由沖孔刀等，在位置L1上從膜基材DA的上面沿方向X形成切口並進行模切（（預）切、切斷），由此製作具備膜D之第2積層體30（參閱圖2（b）、（c），第1預切加工）。對膜基材DA進行模切時切口可以到達至黏著性膜1的一部分。
再者，根據本發明人等的研究發現，黏著性膜1具有第1黏著劑層1b，藉此抑制第1支撐膜1a與剛性材料層D2的剝離。又，根據本發明人等的研究發現，黏著性膜1具有第1黏著劑層1b，藉此能夠有效去除在製造步驟中附著於膜基材DA或膜D之異物（例如樹脂的殘渣等）。因此，黏著性膜1具有第1黏著劑層1b，藉此次能夠改善膜基材DA的模切中的成品率。異物例如在使用積層膜10或膜D時，能夠在剝離黏著性膜1時去除。剝離後的黏著性膜1通常被廢棄，因此異物附著於第1黏著劑層1b，藉此從膜基材DA或膜D去除，直接與黏著性膜1一起被廢棄。又，藉由設置有黏著性膜1，作為能夠藉由膜基材DA的模切而露出之第2黏著劑層2b的保護層發揮作用，例如能夠防止異物附著於搬運或出貨步驟中的第2黏著劑層2b。
將膜基材DA模切為所期望的形狀（例如圓形）時，可以沿著模切之所期望的形狀的外緣，而在黏著性膜1的表面形成第1切口部。第1切口部的切口深度例如小於黏著性膜1的厚度，且可以為25μm以下。
（第3步驟） 本步驟係在膜D的熱固性樹脂層D1上依序積層第2黏著劑層2b及第2支撐膜2a之步驟（參閱圖3（a）、（b））。作為依序積層第2黏著劑層2b及第2支撐膜2a之方法，例如可以舉出以在膜D的熱固性樹脂層D1的整個表面覆蓋具有第2支撐膜2a及設置於第2支撐膜2a上之第2黏著劑層2b之切割膜基材2A的方式配置，以所配置之切割膜基材2A成為所期望的形狀（例如圓形）的方式，藉由沖孔刀等在位置L2上從切割膜基材2A的上面沿方向Y進行切口並模切（（預）切、切斷）之方法（參閱圖3（b），第2預切加工）等。將切割膜基材2A積層於膜D的熱固性樹脂層D1的表面的情況下，切割膜基材2A的第2黏著劑層2b的一部分可以與黏著性膜1的第1黏著劑層1b接觸（參閱圖3（b）），亦可以不接觸。又，切割膜基材2A（切割膜2）可以與膜D的側面接觸。對切割膜基材2A進行模切時的切口可以到達至黏著性膜1的一部分。
切割膜基材2A可以係割膜2的原膜。切割膜基材2A能夠使用市售品。又，切割膜基材2A例如能夠製備構成第2黏著劑層2b之黏著劑（紫外線固化型黏著劑或非紫外線固化型黏著劑）的清漆（黏著劑清漆），並將黏著劑清漆塗佈於第2支撐膜2a上，然後加熱乾燥溶劑來進行去除而獲得。將黏著劑清漆塗佈於第2支撐膜2a上時使用之溶劑、黏著劑清漆之塗佈方法、溶劑之去除方法等例如可以與將上述熱固性樹脂清漆塗佈於支撐膜上時使用之溶劑、黏著劑清漆之塗佈方法、溶劑之去除方法等相同。
將切割膜基材2A模切為所期望的形狀（例如圓形）時，可以沿著模切之所期望的形狀的外緣，而在黏著性膜1的表面形成第2切口部。第2切口部的切口深度例如小於黏著性膜1的厚度，且可以為25μm以下。
[半導體裝置及其製造方法] ＜第1實施形態＞ 圖4係示意地表示本揭示的半導體裝置的第1實施形態之剖面圖。圖4所示之半導體裝置100具備：基板40；晶片T1（第1晶片），配置於基板40的表面上；複數個支撐片DXc，配置於基板40的表面上且晶片T1的周圍；晶片T2（第2晶片），配置於晶片T1的上方；接著劑片Tc，藉由晶片T2與複數個支撐片DXc夾著；晶片T3、T4，積層於晶片T2上；複數個導線w，分別電連接基板40的表面上的電極（未圖示）與晶片T1～T4；及密封件50，填充於晶片T1與晶片T2的間隙等。支撐片DXc可以係將膜D單片化之單片化體的固化物。
在本實施形態中，藉由複數個支撐片DXc、晶片T2及位於支撐片DXc與晶片T2之間之接著劑片Tc在基板40上構成支石墓結構。晶片T1與接著劑片Tc分離。藉由適當設定支撐片DXc的厚度，能夠確保用於連接晶片T1的上面與基板40之導線w的空間。晶片T1與接著劑片Tc分離，藉此能夠防止由於與晶片T1連接之導線w的上部與晶片T2接觸而導致之導線的w的短路。又，由於不需要在與晶片T2接觸之接著劑片Tc嵌入導線，因此具有減薄接著劑片Tc之優點。
如圖4所示，晶片T1與晶片T2之間的接著劑片Tc覆蓋晶片T2中的與晶片T1相對之區域R，並且從區域R連續延伸至晶片T2的周緣側。亦即，1個接著劑片Tc覆蓋晶片T2的區域R，並且介於晶片T2與複數個支撐片之間並接著它們。再者，圖4中圖示接著劑片Tc設置成覆蓋晶片T2的整個一個面（下面）之態樣。然而，由於接著劑片Tc在半導體裝置100的製造過程中可能收縮，因此只要實質上覆蓋晶片T2的整個一個面（下面）即可，例如在晶片T2的周緣的一部分可以存在未被接著劑片Tc覆蓋的部位。圖4中的晶片T2的下面相當於晶片的背面。近年來，晶片的背面經常形成凹凸。晶片T2的背面的實質性整體被接著劑片Tc覆蓋，藉此能夠抑制在晶片T2上產生裂紋或龜裂。
基板40可以係有機基板，亦可以係引線框架等金屬基板。關於基板40，從抑制半導體裝置100的翹曲之觀點而言，基板40的厚度例如為90～300μm，可以為90～210μm。
晶片T1例如係控制器晶片，藉由接著劑片T1c接著於基板40且藉由導線w與基板40電連接。俯視下的晶片T1的形狀例如係矩形（正方形或長方形）。晶片T1的一邊的長度例如為5mm以下，可以為2～5mm或1～5mm。晶片T1的厚度例如為10～150μm，亦可以為20～100μm。
晶片T2例如係記憶體晶片，經由接著劑片Tc接著於支撐片DXc上。在俯視下，晶片T2具有大於晶片T1之尺寸。俯視下的晶片T2的形狀例如係矩形（正方形或長方形）。晶片T2的一邊的長度例如為20mm以下，可以為4～20mm或4～12mm。晶片T2的厚度例如為10～170μm，亦可以為20～120μm。再者，晶片T3、T4例如亦係記憶體晶片，經由接著劑片Tc接著於晶片T2上。晶片T3、T4的一邊的長度與晶片T2相同即可，晶片T3、T4的厚度亦與晶片T2相同即可。
支撐片DXc發揮在晶片T1的周圍形成空間之間隔件的作用。支撐片DXc從基板40依序具備含有熱固性樹脂組成物固化物之層（固化熱固性樹脂層之層）及剛性材料層。再者，如圖5（a）所示，可以在晶片T1的兩側的分開之位置配置2個支撐片DXc（形狀：長方形），如圖5（b）所示，可以在晶片T1的與角對應之位置分別配置1個支撐片DXc（形狀：正方形、計4個）。在俯視下的支撐片DXc的一邊的長度例如為20mm以下，可以為1～20mm或1～12mm。支撐片DXc的厚度（高度）例如為10～180μm，可以為20～120μm。
接著，對半導體裝置100的製造方法進行說明。本實施形態之製造方法具備以下（A）～（G）步驟。本實施形態之製造方法可以進一步包括以下（H）步驟。 （A）準備支撐片形成用積層膜10X（以下，有時簡稱為「積層膜10X」。）之步驟，該支撐片形成用積層膜10X依序具備第1支撐膜1a、作為非紫外線固化型黏著劑層之第1黏著劑層1b、藉由切割而單片化成複數個之支撐片形成用膜DX（以下，有時簡稱為「膜DX」。）、第2黏著劑層2b及第2支撐膜2a，膜DX係具有熱固性樹脂層D1及剛性材料層D2之膜，剛性材料層D2具有高於熱固性樹脂層D1之剛性，膜DX中的剛性材料層D2積層於第1黏著劑層上（參閱圖6） （B）藉由切割膜DX，在第2黏著劑層2b的表面上形成複數個支撐片DXa之步驟（參閱圖7（b）） （C）從第2黏著劑層2b拾取支撐片DXa之步驟（參閱圖7（d）） （D）在基板40上配置晶片T1之步驟 （E）在基板40上且在晶片T1的周圍或應配置有晶片T1之區域的周圍配置複數個支撐片DXa之步驟（參閱圖8） （F）準備具備晶片T2、及設置於晶片T2的一個面上之接著劑片Ta之附有接著劑片之晶片T2a之步驟（參閱圖9） （G）藉由在複數個支撐片DXc的表面上配置附有接著劑片之晶片T2a來構建支石墓結構之步驟（參閱圖10） （H）用密封件50密封晶片T1與晶片T2的間隙等之步驟（參閱圖4）
（A）步驟 （A）步驟係準備積層膜10X之步驟。積層膜10X能夠使用上述積層膜10。此時，膜D成為膜DX。使用積層膜10X時，黏著性膜1在適當的時機剝離。剝離黏著性膜1之時機例如可以在（A）步驟與（B）步驟之間。
（B）步驟及（C）步驟 （B）步驟係藉由切割膜DX，在第2黏著劑層2b的表面上形成複數個支撐片DXa之步驟，（C）步驟係從第2黏著劑層2b拾取支撐片DXa之步驟。如圖7（a）所示，在從積層膜10X剝離黏著性膜1之積層體貼附切割環DR。亦即，設為在積層膜10X的第2黏著劑層2b貼附切割環DR，且在切割環DR的內側配置有膜DX之狀態。在該狀態下，藉由切割膜DX而單片化（參閱圖7（b））。藉此，能夠從膜DX獲得多個支撐片DXa。其後、第2黏著劑層2b為紫外線固化型黏著劑層的情況下，對第2黏著劑層2b照射紫外線，藉此降低第2黏著劑層2b與支撐片DXa之間的黏著力。如圖7（c）所示，藉由擴展第2支撐膜2a，使支撐片DXa相互分離。如圖7（d）所示，藉由利用上推夾具42將支撐片DXa上推，使支撐片DXa從第2黏著劑層2b剝離，並且利用吸附夾頭44吸附來拾取支撐片DXa。再者，藉由加熱切割前的膜DX或拾取前的支撐片DXa，可以進行熱固性樹脂層D1的固化反應。藉由拾取時適當地固化支撐片DXa，趨於拾取性優異。用於單片化的切口形成至膜DX的外緣為較佳。
（D）步驟 （D）步驟係在基板40上配置晶片T1之步驟。例如，首先，在基板40上的規定位置經由接著劑片T1c配置晶片T1。其後、晶片T1藉由導線w與基板40電連接。（D）步驟可以係在（E）步驟之前進行之步驟，亦可以在（A）步驟之前，（A）步驟與（B）步驟之間，（B）步驟與（C）步驟之間或（C）步驟與（E）步驟之間。
（E）步驟 （E）步驟係在基板40上且在晶片T1的周圍或應配置有晶片T1之區域的周圍配置複數個支撐片DXa之步驟。經過（E）步驟，製作圖6所示之結構體60。結構體60具備基板40、配置於其表面上之晶片T1及複數個支撐片DXa。支撐片DXa的配置能夠藉由壓接處理來進行。壓接處理例如能夠在80～180℃、0.01～0.50MPa的條件下經0.5～3.0秒來實施。再者，支撐片DXa可以在（E）步驟時刻完全固化而成為支撐片DXc，亦可以在該時刻未完全固化。支撐片DXa在開始（G）步驟前的時刻完全固化而成為支撐片DXc為較佳。
（F）步驟 （F）步驟準備具備晶片T2、及設置於晶片T2的一個面上之接著劑片Ta之附有接著劑片之晶片T2a之步驟。附有接著劑片之晶片T2a具備晶片T2、及設置於其一個表面之接著劑片Ta。附有接著劑片之晶片T2a例如能夠使用半導體晶圓及切割晶粒接合一體型膜，並經過切割步驟及拾取步驟而獲得。
（G）步驟 （G）步驟係以接著劑片Ta與複數個支撐片DXc的上面接觸的方式，在晶片T1的上方配置附有接著劑片之晶片T2a之步驟。具體而言，在支撐片DXc的上面經由接著劑片Ta壓接晶片T2。壓接處理例如能夠在80～180℃、0.01～0.50MPa的條件下經0.5～3.0秒來實施。接著，藉由加熱使接著劑片Ta固化。固化處理例如能夠在60～175℃，0.01～1.0MPa的條件下經5分鐘以上來實施。藉此，接著劑片Ta固化而成為接著劑片Tc。經過該步驟，在基板40上構建支石墓結構（參閱圖10）。晶片T1與附有接著劑片之晶片T2a分離，藉此能夠防止由於導線w的上部與晶片T2接觸而導致之導線的w的短路。又，由於不需要在與晶片T2接觸之接著劑片Ta嵌入導線，因此具有減薄接著劑片Ta之優點。
在（G）步驟後且（H）步驟前，在晶片T2上經由接著劑片配置晶片T3，進而在晶片T3上經由接著劑片配置晶片T4。接著劑片只要係與上述接著劑片Ta相同的熱固性樹脂組成物即可，藉由加熱固化成為接著劑片Tc（參閱圖4）。另一方面，利用導線w分別電連接晶片T2、T3、T4與基板40。再者，積層於晶片T1的上方之晶片的個數並不限定於本實施形態的3個，能夠適當設定。
（H）步驟 （H）步驟係用密封件50密封晶片T1與晶片T2的間隙等之步驟。經過（H）步驟，能夠獲得圖4所示之半導體裝置100。
＜第2實施形態＞ 圖11係示意地表示本揭示的半導體裝置的第2實施形態之剖面圖。第1實施形態的半導體裝置100係晶片T1與接著劑片Tc分離之態樣，與此相對，本實施形態的半導體裝置200係晶片T1與接著劑片Tc接觸之態樣。亦即，接著劑片Tc與晶片T1的上面及支撐片DXc的上面接觸。例如，藉由適當設定膜DX的厚度，能夠使晶片T1的上面的位置與支撐片DXc的上面的位置一致。
在半導體裝置200中，晶片T1與基板40進行倒裝晶片連接，而不進行導線接合。再者，藉由設為如導線w嵌入接著劑片Ta之構成，能夠設為在基板40上導線接合晶片T1之態樣，從而能夠設為晶片T1與接著劑片Tc接觸之態樣。接著劑片Ta係與晶片T2一起構成附有接著劑片之晶片T2a者（參閱圖9）。
如圖11所示，晶片T1與晶片T2之間的接著劑片Tc覆蓋晶片T2中的與晶片T1相對之區域R，並且從區域R連續延伸至晶片T2的周緣側。這種1個接著劑片Tc覆蓋晶片T2的區域R，並且介於晶片T2與複數個支撐片之間並接著它們。圖11中的晶片T2的下面相當於背面。如上述，近年來晶片的背面經常形成凹凸。晶片T2的背面的實質性整體被接著劑片Tc覆蓋，藉此即使晶片T1的上面與接著劑片Tc接觸，亦能夠抑制在晶片T2上產生裂紋或龜裂。
以上，對本發明的實施形態進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述實施形態。例如，在上述實施形態中，例示出第2黏著劑層2b為紫外線固化型黏著劑層之情況，但是第2黏著劑層2b可以係非紫外線固化型黏著劑層。 [實施例]
以下，利用實施例說明本揭示，但本揭示並不限定於該等實施例。
（實施例1） [單片化體形成用積層膜的製作] ＜熱固性樹脂清漆的製備＞ 首先，對作為環氧樹脂的N-500P-10（產品名稱，DIC Corporation製造，鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量：204g/eq，軟化點：75～85℃）10質量份及作為固化促進劑的Curesol 2PZ-CN（產品名稱，SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造、1-氰乙基-2-苯基咪唑）0.02質量份的混合物，以清漆總量為基準加入環己酮，以使成為固體成分濃度16質量%。接著，在混合物中加入作為偶合劑的A-189（產品名稱，Nippon Unicar Company Limited製造，γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷）0.4質量份及A-1160（產品名稱，Nippon Unicar Company Limited製造，γ-脲基丙基三乙氧基矽烷）1.3質量份，進一步加入作為無機填料的R972（產品名稱，NIPPON AEROSIL CO.,LTD.製造，二氧化矽料）8.3質量份、作為彈性體的SG-P3（產品名稱，Nagase ChemteX Corporation製造，含環氧基丙烯酸樹脂）69質量份及作為固化劑的MEH-7800M（產品名稱，Meiwa Chemical Industry Co.,Ltd製造，苯基芳烷基型型酚醛樹脂，羥基當量：174g/eq，軟化點：80℃）11質量份並攪拌混合而獲得了熱固性樹脂清漆。
＜單片化體形成用膜基材的製作＞ 將所獲得之接著層形成用清漆塗佈於厚度25μm的聚醯亞胺膜（UBE Corporation製造，UPIREX 25SGA）的一個面上，並以140℃的條件加熱乾燥5分鐘，藉此形成厚度20μm的B階段狀態下的熱固性樹脂層，從而獲得了聚醯亞胺膜及熱固性樹脂層的二層單片化體形成用膜基材。
＜第1積層體及第2積層體的製作＞ 在所獲得之單片化體形成用膜基材的未形成有熱固性樹脂層之聚醯亞胺膜面上配置具有壓敏型黏著劑層之黏著性膜（產品名稱：Cosmotac系列，Cosmotec Co.,Ltd.製造，第1支撐膜的厚度：50μm，第1黏著劑層的厚度：7μm，整個黏著性膜的厚度：57μm）的壓敏型黏著劑層側，並貼合單片化體形成用膜基材與黏著性膜，藉此獲得了第1積層體。在所獲得之第1積層體中，黏著性膜的切口深度（第1切口部的切口深度）調整為10μm以下，並對單片化體形成用膜基材進行了φ335mm的圓形模切加工（第1預切加工）。其後、藉由去除單片化體形成用膜基材的不需要部分，而製作了具備單片化體形成用膜之第2積層體。
＜單片化體形成用積層膜的製作＞ 準備具有壓敏型黏著劑層之切割膜基材（第2支撐膜的厚度：100μm，第2黏著劑層的厚度：10μm，整個切割膜基材的厚度：110μm），在上述獲得之第2積層體中的單片化體形成用膜的熱固性樹脂層上配置切割膜基材的壓敏型黏著劑層側，並以25℃、線壓1kg/cm、速度0.5m/分鐘的條件貼附。接著，黏著性膜的切口深度（第2切口部的切口深度）調整為10μm以下，對切割膜基材以與單片化體形成用膜同心圓狀進行φ370mm的圓形模切加工（第2預切加工），而製作了實施例1的單片化體形成用積層膜。
（比較例1） 在單片化體形成用膜基材的製作中，在聚醯亞胺膜的兩面形成厚度20μm的B階段狀態下的熱固性樹脂層，而獲得了具有2個熱固性樹脂層及配置成夾在該熱固性樹脂層之聚醯亞胺膜之3層單片化體形成用膜基材。除了將2層單片化體形成用膜基材變更為3層單片化體形成用膜基材，且將具有壓敏型黏著劑層之黏著性膜並更為3層單片化體形成用膜基材的熱固性樹脂層具有黏著性，而不具有壓敏型黏著劑層的第1支撐膜（聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜）以外，以與實施例1相同的方式，製作了比較例1的單片化體形成用積層膜。
[單片化體形成用積層膜的評價] （剝離強度的測定） ·第1剝離強度（黏著性膜相對於單片化體形成用膜之30°剝離強度）的測定 使用實施例1的單片化體形成用積層膜，測定了第1剝離強度。第1剝離強度藉由以下方法來測定。首先，藉由將單片化體形成用積層膜以寬度25mm×長度100mm切出來製作了測定試樣。接著，從測定試樣剝離切割膜，並在金屬製支撐板上固定了測定試樣的單片化體形成用膜側。在固定測定試樣之狀態下，能夠藉由在測定溫度25℃、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下剝下黏著性膜來測定了第1剝離強度。第1剝離強度為0.15N/25mm。
·第2剝離強度（切割膜相對於單片化體形成用膜之30°剝離強度）的測定 使用實施例1的單片化體形成用積層膜，測定了第2剝離強度。第2剝離強度藉由以下方法來測定。首先，藉由將單片化體形成用積層膜以寬度25mm×長度100mm切出來製作了測定試樣。接著，從測定試樣剝離黏著性膜，並在金屬製支撐板上固定了測定試樣的單片化體形成用膜側。在固定測定試樣之狀態下，能夠藉由在測定溫度25℃、剝離角度30°及剝離速度60mm/分鐘的條件下剝下切割膜來測定了第2剝離強度。第2剝離強度為3.6N/25mm。
（單片化體的製作） 分別使用實施例1及比較例1的單片化體形成用積層膜，並以以下步驟製作了單片化體。從單片化體形成用積層膜剝離黏著性膜，並在其上以25℃的條件貼附了切割環。接著，使用用於進行葉片切割的裝置之切割機（Full Auto Dicer DF6361，DISCO CORPORATION製造），將單片化體形成用積層膜利用葉片（ZH05-SD4800-N1-50 DD，DISCO CORPORATION製造）在高度90μm、葉片轉速3万圈/分鐘、葉片進行速度30mm/秒的單切條件下單片化而獲得實施例1及比較例1的單片化體。
（單片化體的熱固性樹脂層的剝離評價） 對所獲得之單片化體的表面（實施例1的個片化體：聚醯亞胺膜側的表面、比較例1的單片化體：熱固性樹脂層側的表面）利用光學顯微鏡的同軸落射觀察法對熱固性樹脂層的剝離距離進行了觀察。在此，剝離距離係指從單片化體的端部至剝離了熱固性樹脂層之部分的距離成為最大之距離的N=10的平均值。在實施例1的單片化體中，不存在熱固性樹脂層，所以未觀察到熱固性樹脂層的剝離。另一方面，在比較例1的單片化體中，剝離距離為31μm。
（單片化體的切斷面觀察） 利用光學顯微鏡觀察所獲得之單片化體的切斷面（側面），並測定了切屑（毛邊）的最大高度N=5的平均值。在實施例1的單片化體中，切屑（毛邊）的最大高度的平均值為6.0μm，與此相對，在比較例1的單片化體中，切屑（毛邊）的最大高度的平均值為37.8μm。
依據以上，確認到具備藉由切割而單片化成複數個之單片化體形成用膜之單片化體形成用積層膜亦即本揭示的單片化體形成用積層膜能夠充分抑制切割單片化體形成用膜而單片化時的不良情況。
1:黏著性膜 1a:第1支撐膜 1b:第1黏著劑層 2:切割膜 2A:切割膜基材 2a:第2支撐膜 2b:第2黏著劑層 10:單片化體形成用積層膜 10X:支撐片形成用積層膜 20:第1積層體 30:第2積層體 40:基板 50:密封件 60:結構體 100,200:半導體裝置 D:單片化體形成用膜 DA:單片化體形成用膜基材 DX:支撐片形成用膜 D1:熱固性樹脂層 D2:剛性材料層 DXa:支撐片 DXc:支撐片（固化物） R:區域 T1,T2,T3,T4:晶片 T2a:附有接著劑片之晶片 Ta:接著劑片 Tc:接著劑片（固化物）
圖1中，圖1（a）係示意地表示單片化體形成用積層膜的一實施形態之俯視圖，圖1（b）係圖1（a）的b-b線中的剖面圖。 圖2中，圖2（a）、圖2（b）及圖2（c）係示意地表示單片化體形成用積層膜的製作過程之剖面圖。 圖3中，圖3（a）及圖3（b）係示意地表示單片化體形成用積層膜的製作過程之剖面圖。 圖4係示意地表示本揭示的半導體裝置的第1實施形態之剖面圖。 圖5中，圖5（a）及圖5（b）係示意地表示第1晶片與複數個支撐片的位置關係的例子之俯視圖。 圖6係示意地表示支撐片形成用積層膜的一實施形態之剖面圖。 圖7中，圖7（a）、圖7（b）、圖7（c）及圖7（d）係示意地表示支撐片的製作過程之剖面圖。 圖8係示意地表示在基板上且在第1晶片的周圍配置複數個支撐片之狀態之剖面圖。 圖9係示意地表示附有接著劑片之晶片的一例之剖面圖。 圖10係示意地表示形成於基板上之支石墓結構之剖面圖。 圖11係示意地表示本揭示的半導體裝置的第2實施形態之剖面圖。
(a)
1:黏著性膜
2:切割膜
10:單片化體形成用積層膜
D:單片化體形成用膜
(b)
1:黏著性膜
1a:第1支撐膜
1b:第1黏著劑層
2:切割膜
2a:第2支撐膜
2b:第2黏著劑層
10:單片化體形成用積層膜
D:單片化體形成用膜
D1:熱固性樹脂層
D2:剛性材料層

Claims (4)

  1. 一種單片化體形成用積層膜，其依序具備： 第1支撐膜； 第1黏著劑層，其係非紫外線固化型黏著劑層； 單片化體形成用膜，藉由切割而單片化成複數個； 第2黏著劑層；及 第2支撐膜， 前述單片化體形成用膜係具有熱固性樹脂層及剛性材料層之膜，前述剛性材料層具有高於前述熱固性樹脂層之剛性， 前述單片化體形成用膜中的前述剛性材料層積層於前述第1黏著劑層上。
  2. 如請求項1所述之單片化體形成用積層膜，其中 前述剛性材料層係聚醯亞胺層。
  3. 一種單片化體形成用積層膜之製造方法，其為請求項1或請求項2所述之單片化體形成用積層膜之製造方法，其包括： 準備依序具備前述第1支撐膜、前述第1黏著劑層及單片化體形成用膜基材之第1積層體之步驟； 對前述第1積層體中的前述單片化體形成用膜基材進行模切，而製作具備前述單片化體形成用膜之第2積層體之步驟；及 在前述第2積層體的前述單片化體形成用膜上依序積層前述第2黏著劑層及前述第2支撐膜之步驟。
  4. 一種半導體裝置之製造方法，其為具有支石墓結構之半導體裝置之製造方法，前述支石墓結構包括：基板；第1晶片，配置於前述基板上；複數個支撐片，配置於前述基板上且前述第1晶片的周圍；及第2晶片，藉由複數個前述支撐片支撐且以覆蓋前述第1晶片的方式配置，前述半導體裝置之製造方法包括： （A）準備支撐片形成用積層膜之步驟，前述支撐片形成用積層膜依序具備第1支撐膜、作為非紫外線固化型黏著劑層之第1黏著劑層、藉由切割而單片化成複數個之支撐片形成用膜、第2黏著劑層及第2支撐膜，前述支撐片形成用膜係具有熱固性樹脂層及剛性材料層之膜，前述剛性材料層具有高於前述熱固性樹脂層之剛性，前述支撐片形成用膜中的前述剛性材料層積層於前述第1黏著劑層上； （B）藉由切割前述支撐片形成用膜，在前述第2黏著劑層的表面上形成複數個支撐片之步驟； （C）從前述第2黏著劑層拾取前述支撐片之步驟； （D）在基板上配置第1晶片之步驟； （E）在前述基板上且在前述第1晶片的周圍或應配置有前述第1晶片之區域的周圍配置複數個前述支撐片之步驟； （F）準備具備第2晶片、及設置於前述第2晶片的一個面上之接著劑片之附有接著劑片之晶片之步驟； （G）藉由在複數個前述支撐片的表面上配置前述附有接著劑片之晶片來構建支石墓結構之步驟。
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