TWI819016B - 黏著薄片用基材及電子零件加工用黏著薄片 - Google Patents

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Abstract

本發明之電子零件加工用之黏著薄片用基材(1)，其係具有： 具有第1薄膜面(11A)及第2薄膜面(11B)的聚酯薄膜(11)，第1寡聚物密封層(21)，第2寡聚物密封層(22)， 聚酯薄膜(11)為退火處理完成， 第1寡聚物密封層(21)及第2寡聚物密封層(22)各自獨立為使包含硬化性成分之寡聚物密封層形成用組成物硬化的硬化皮膜， 第1寡聚物密封層(21)及第2寡聚物密封層(22)實質上不含填充材， 第1寡聚物密封層(21)之第1基材面(21A)之均方根高度Rq1 及第2寡聚物密封層(22)之第2基材面(22A)之均方根高度Rq2 之至少一者為0.031μm以上。

Description

黏著薄片用基材及電子零件加工用黏著薄片
本發明係有關黏著薄片用基材及電子零件加工用黏著薄片。
半導體裝置之製造步驟使用的黏著薄片被要求各種特性，例如，被要求即使經過高溫條件的步驟，不會污染製造步驟使用的裝置、構件、及被黏物。近年，黏著薄片被使用於如180℃以上200℃以下之高溫條件的步驟。這種高溫步驟中，例如，將相較於聚醯亞胺薄膜等，耐熱性較低，且廉價的薄膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯等的薄膜)作為黏著薄片的基材使用時，得知步驟結束後，黏著薄片自被黏物剝離時，被黏物的表面被污染。這種污染的原因，認為作為基材使用之樹脂薄膜中所含有之低分子量成分(寡聚物)析出於被黏物的表面所導致。例如，將被黏貼於黏著薄片之黏著劑層的半導體元件在樹脂封裝的步驟施加高溫條件時，半導體元件之表面被污染，半導體裝置可能產生不良情況。 為了消除這種不良情況用的技術，例如，文獻1(國際公開第2017/038917號)中記載在基材與黏著劑層之間具有寡聚物密封層的黏著薄片。 重疊黏著薄片用基材彼此時，有產生所謂黏連(blocking)的情形。文獻1所記載之黏著薄片，重疊複數黏著薄片用基材，寡聚物密封層彼此接觸時，有產生黏連的情形。又，實施高溫條件的步驟中，黏著薄片之變形有時會對被黏物不良影響。
本發明之目的係提供耐熱性優異，即使經過高溫條件的步驟後，也可防止構件、裝置及被黏物等之表面污染，可降低因高溫條件之黏著薄片之變形所造成的影響，且可防止黏連之黏著薄片用基材及包含該黏著薄片之電子零件加工用黏著薄片。 依據本發明之一態樣時，可提供一種電子零件加工用之黏著薄片用基材，其係具有： 具有第1薄膜面及與前述第1薄膜面相反側之第2薄膜面的聚酯薄膜， 被設置於前述第1薄膜面之第1寡聚物密封層，及被設置於前述第2薄膜面之第2寡聚物密封層，前述聚酯薄膜為退火處理完成，前述第1寡聚物密封層及前述第2寡聚物密封層，各自獨立為使包含硬化性成分之寡聚物密封層形成用組成物硬化的硬化皮膜，前述第1寡聚物密封層及前述第2寡聚物密封層，實質上不含填充材， 與前述第1寡聚物密封層之前述第1薄膜面對向面之相反側之面的均方根高度Rq1 及與前述第2寡聚物密封層之前述第2薄膜面對向面之相反側之面的均方根高度Rq2 之至少一者為0.031μm以上。 本發明之一態樣之黏著薄片用基材，其中前述聚酯薄膜為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片用基材，其中前述第1寡聚物密封層之厚度為50nm以上180nm以下為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片用基材，其中前述第2寡聚物密封層之厚度為50nm以上180nm以下為佳。 依據本發明之一態樣時，可提供一種電子零件加工用黏著薄片，其係具有前述本發明之一態樣之黏著薄片用基材及黏著劑層，前述黏著劑層係被設置於與前述第1寡聚物密封層之前述第1薄膜面對向面之相反側之面、及與前述第2寡聚物密封層之前述第2薄膜面對向面之相反側之面之至少一面。 本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層含有丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物含有來自具有含氮之官能基之單體的構成單位，但是前述含氮之官能基不含N-H鍵較佳。 本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片，其中前述丙烯酸系聚合物之全體質量中所佔來自具有前述含氮之官能基之單體的構成單位之比例為9質量%以上15質量%以下之比例較佳。 本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層包含具有能量線聚合性官能基之多價化合物的聚合物較佳。 本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層含有具有未反應之能量線聚合性官能基的化合物較佳。 依據本發明之一態樣時，可提供耐熱性優異，即使經過高溫條件的步驟後，也可防止構件、裝置及被黏物等之表面污染，可降低因高溫條件之黏著薄片之變形所造成的影響，且可防止黏連之黏著薄片用基材及包含該黏著薄片之電子零件加工用黏著薄片。 發明之實施形態 [第1實施形態] (黏著薄片用基材) 圖1表示本實施形態之黏著薄片用基材1之剖面概略圖。 黏著薄片用基材1具有聚酯薄膜11、第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22。 聚酯薄膜11具有第1薄膜面11A及與第1薄膜面11A相反側之第2薄膜面11B。黏著薄片用基材1係在第1薄膜面11A積層第1寡聚物密封層21，在第2薄膜面11B積層第2寡聚物密封層22。第1薄膜面11A係被第1寡聚物密封層21被覆，第2薄膜面11B係被第2寡聚物密封層22被覆為佳。 黏著薄片用基材1之形狀，例如可為薄片狀、膠帶狀等各種形狀。 (聚酯薄膜) 本實施形態之黏著薄片用基材1係在第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之間包含聚酯薄膜11。 聚酯薄膜11係被施予退火處理之退火處理完成的聚酯薄膜。 聚酯薄膜11係因退火處理完成的薄膜，故耐熱性高。因此，可提高黏著薄片用基材1之耐熱性，例如，可降低施予高溫條件之黏著薄片用基材1的熱收縮率。 退火處理完成之聚酯薄膜之熱收縮率，例如以190℃、1小時，加熱聚酯薄膜時，MD(Machine Direction)方向為3%以下，TD(Transverse Direction)方向為1%以下，較佳為MD方向為2%以下，TD方向為0.3%以下。熱收縮率之測量係藉由實施例所記載的方法進行。 聚酯薄膜11係含有聚酯系樹脂，以聚酯系樹脂為主成分之材料所成者更佳。本說明書中，以聚酯系樹脂為主成分的材料係指構成聚酯薄膜11之材料全體質量所佔之聚酯系樹脂之質量之比例為50質量%以上。構成聚酯薄膜11之材料全體質量所佔之聚酯系樹脂之質量的比例為80質量%以上較佳，更佳為90質量%以上，又更佳為99質量%以上。 聚酯系樹脂，例如選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚對萘二甲酸丁二酯樹脂、及此等樹脂之共聚樹脂所成群之任一樹脂較佳，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。 聚酯薄膜11，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、或聚萘二甲酸乙二酯薄膜，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。聚對苯二甲酸乙二酯薄膜時，相較於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，較廉價，且供給安定性高，容易取得。 聚酯薄膜所含有之寡聚物係來自聚酯形成性單體、二聚物、及三聚物等。 聚酯薄膜11之100℃下之儲存彈性模數的下限，就加工時之尺寸安定性的觀點，較佳為1×107 Pa以上，更佳為1×108 Pa以上。聚酯薄膜11之100℃下之儲存彈性模數的上限，就加工適宜性的觀點，較佳為1×1012 Pa以下。又，本說明書中，基材之100℃下之儲存彈性模數係使用黏彈性測量機器，在頻率1Hz下進行測量藉由拉伸試驗之儲存彈性模數之值。將測量之基材切斷成寬5mm、長度20mm，使用黏彈性測量機器(TA Instruments公司製、DMAQ800)，在頻率1Hz、藉由拉伸模式測量100℃之儲存黏彈模數。 第1薄膜面11A及第2薄膜面11B之至少一者，各自獨立可施予底塗處理、電暈處理、及電漿處理等之至少任一表面處理。施予這種表面處理時，可提高聚酯薄膜面與寡聚物密封層之密著性。 第1薄膜面11A之均方根高度RqA 及第2薄膜面11B之均方根高度RqB 之至少一者為0.03μm以上為佳，更佳為0.035μm以上。均方根高度RqA 及RqB 彼此可為相同值，也可為不同之值。均方根高度為0.03μm以上時，變得容易控制形成於該均方根高度為0.03μm以上之薄膜面之後述寡聚物密封層表面之均方根高度的範圍。均方根高度RqA 及RqB 之至少一者為0.12μm以下為佳，更佳為0.08μm以下。 聚酯薄膜11之均方根高度RqA 及RqB ，可藉由後述實施例所記載的方法測量。 又，第1薄膜面11A之最大剖面高度RtA 及第2薄膜面11B之最大剖面高度RtB 之至少一者為0.5μm以上較佳。最大剖面高度RtA 及RtB 彼此可為相同值，也可為不同之值。最大剖面高度為0.5μm以上時，變得容易控制形成於該最大剖面高度為0.5μm以上之面之後述寡聚物密封層表面之均方根高度的範圍。最大剖面高度RtA 及RtB 之至少一者，較佳為1μm以下，更佳為0.8μm以下。 聚酯薄膜11之最大剖面高度RtA 及RtB ，可藉由後述實施例所記載的方法測量。 聚酯薄膜11之厚度，較佳為10μm以上500μm以下，更佳為15μm以上300μm以下，又更佳為20μm以上250μm以下。 (寡聚物密封層) 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22係防止聚酯薄膜中之寡聚物析出於黏著薄片用基材1表面用的層。 黏著薄片用基材1曝露於高溫條件時，聚酯薄膜11中所含有之寡聚物係因加熱而析出於聚酯薄膜11表面，未設置第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22時，寡聚物會析出於聚酯薄膜11之第1薄膜面11A及第2薄膜面11B。 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，即使在180℃以上200℃以下(較佳為185℃以上200℃以下)的高溫條件下，也防止寡聚物析出於黏著薄片用基材1之表面較佳。 本實施形態之黏著薄片用基材1係在第1薄膜面11A具有第1寡聚物密封層21，在第2薄膜面11B具有第2寡聚物密封層22，故依據黏著薄片用基材1時，可防止加熱時寡聚物析出於基材表面。 ･均方根高度Rq 本實施形態之黏著薄片用基材1，其中與第1寡聚物密封層21之第1薄膜面11A對向之面相反側之面(有稱為第1基材面21A的情形)之均方根高度Rq1 及與第2寡聚物密封層22之第2薄膜面11B對向之面相反側之面(有稱為第2基材面22A的情形)之均方根高度Rq2 之至少一者為0.031μm以上。因此，均方根高度Rq1 及Rq2 之一者為0.031μm以上，均方根高度Rq1 及Rq2 之另一者可未達0.031μm，均方根高度Rq1 及Rq2 之兩者也可為0.031μm以上。 黏著薄片用基材1之第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2基材面22A之均方根高度Rq2 之至少一者為0.031μm以上時，可防止黏著薄片用基材1彼此黏連。 均方根高度Rq1 及Rq2 之至少一者，較佳為0.035μm以上，更佳為0.040μm以上。 均方根高度Rq1 及Rq2 之至少一者，較佳為0.1μm以下，更佳為0.06μm以下。 均方根高度Rq1 及Rq2 彼此可為相同值，也可為不同之值。 均方根高度Rq1 及Rq2 ，例如，藉由調整聚酯薄膜11之第1薄膜面11A之RqA 及第2薄膜面11B之RqB ，或調整第1薄膜面11A之RtA 及第2薄膜面11B之RtB ，或調整第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之厚度等，可調整為所期望的範圍。 均方根高度Rq，可藉由後述實施例所記載的方法測量。 ･寡聚物密封層之組成 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之材質，只要可防止聚酯薄膜11中之寡聚物析出於黏著薄片用基材1的表面時，即無特別限定。 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，較佳為使包含硬化性成分之寡聚物密封層用組成物硬化的硬化皮膜。寡聚物密封層用組成物，例如包含熱硬化性成分，熱硬化性成分，可列舉(A)環氧化合物。又，寡聚物密封層用組成物，例如包含(B)聚酯化合物。又，寡聚物密封層用組成物，例如包含(A)環氧化合物及(C)多官能胺化合物。 本實施形態之第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，較佳為使包含(A)環氧化合物及(C)多官能胺化合物之寡聚物密封層用組成物硬化的硬化皮膜。本實施形態之第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，更佳為使包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物及(C)多官能胺化合物之寡聚物密封層用組成物硬化的硬化皮膜。 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之形成用的寡聚物密封層用組成物，為了促使硬化反應，也可進一步含有(D)酸性觸媒。 ･(A)環氧化合物 (A)環氧化合物，較佳為雙酚A型環氧化合物。雙酚A型環氧化合物，可列舉雙酚A二縮水甘油醚等。雙酚A型環氧化合物之重量平均分子量(Mw)，較佳為1×104 以上5×104 以下。雙酚A型環氧化合物之重量平均分子量(Mw)為1×104 以上時，可得到作為膜所必要的交聯密度，變得容易防止寡聚物之析出。重量平均分子量(Mw)為5×104 以下時，可防止皮膜變得過硬。重量平均分子量Mw係藉由膠體滲透層析(GPC)法所測量的標準聚苯乙烯換算值。 ･(B)聚酯化合物 (B)聚酯化合物，無特別限定，可自公知聚酯化合物中適宜選擇使用。聚酯化合物，具體而言，可列舉藉由多元醇與多元酸之縮合反應所得之樹脂，以二元酸與二元醇之縮合物或不乾性油脂肪酸等進行改性之化合物的非轉化性聚酯化合物、及二元酸與三價以上之醇之縮合物的轉化性聚酯化合物等。聚酯化合物可單獨使用1種，也可組合2種以上使用。 作為(B)聚酯化合物之原料使用之多元醇，可列舉二元醇、三元醇、及四元以上的多元醇。 二元醇，可列舉例如乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、三亞甲基乙二醇、四亞甲基乙二醇、及新戊二醇。 三元醇，可列舉例如丙三醇、三羥甲基乙烷、及三羥甲基丙烷。 四元以上之多元醇，可列舉例如二丙三醇、三丙三醇、季戊四醇、二季戊四醇、甘露糖醇(mannite)、及山梨糖醇。 多元醇可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。 多元酸，可列舉例如芳香族多元酸、脂肪族飽和多元酸、脂肪族不飽和多元酸、及藉由Diels-Alder反應所得之多元酸。 芳香族多元酸，可列舉例如鄰苯二甲酸酐、對苯二甲酸、間苯二甲酸、及偏苯三酸酐(trimellitic anhydride)。 脂肪族飽和多元酸，可列舉例如琥珀酸、己二酸、及癸二酸。 脂肪族不飽和多元酸，可列舉例如馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、依康酸、及檸康酸酐。 藉由Diels-Alder反應所得之多元酸，可列舉例如環戊二烯-馬來酸酐加成物、萜烯-馬來酸酐加成物、及松香-馬來酸酐加成物。 多元酸可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。 改性劑的不乾性油脂肪酸等，可列舉例如辛酸、月桂酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、亞油酸(Linoleic acid)、桐酸(Eleostearic acid)、蓖麻油酸(ricinoleic acid)、脫水蓖麻油酸、或椰子油、亞麻子油、桐油、蓖麻油、脫水蓖麻油、大豆油、紅花油(safflower oil)、及此等之脂肪酸等。此等改性劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。 (B)聚酯化合物，較佳為具有成為交聯反應之基點的活性氫基。活性氫基，可列舉例如羥基、羧基、及胺基。聚酯化合物，特佳為具有羥基。聚酯化合物之羥基價，較佳為5mgKOH/g以上500mgKOH/g以下，更佳為10mgKOH/g以上300mgKOH/g以下。 (B)聚酯化合物之數平均分子量(Mn)，較佳為500以上10000以下，更佳為1000以上8000以下。前述數平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測量之標準聚苯乙烯換算之值。 (B)聚酯化合物，可列舉結晶性聚酯樹脂、及非晶性聚酯樹脂，較佳為非晶性聚酯樹脂。(B)聚酯化合物，較佳為可溶於甲苯等之有機溶劑者。 (B)聚酯化合物之玻璃轉移溫度Tg，較佳為0℃以上50℃以下。 藉由使用具有前述範圍之數平均分子量(Mn)及玻璃轉移溫度Tg之聚酯化合物，對形成第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之硬化皮膜可賦予適度的柔軟性。玻璃轉移溫度Tg係依據JIS K 7121：2012，使用輸入補償示差掃描熱量測量裝置，在-80℃至250℃之溫度範圍內測量外推(extrapolation)玻璃轉移開始溫度，求得玻璃轉移溫度Tg。 ･(C)多官能胺化合物 (C)多官能胺化合物，例如可使用三聚氰胺化合物、脲化合物、苯胍胺化合物、及二胺類。 三聚氰胺化合物，可列舉例如六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物、及丁基化三聚氰胺化合物。 脲化合物，可列舉例如甲基化脲化合物、及丁基化脲化合物。 苯胍胺化合物，可列舉例如甲基化苯胍胺化合物、及丁基化苯胍胺化合物。 二胺類，可列舉例如乙二胺、四亞甲基二胺、己二胺、N,N’-二苯基乙二胺、及p-苯二甲胺。 就硬化性的觀點，(C)多官能胺化合物較佳為六甲氧基甲基三聚氰胺。 ･(D)酸性觸媒 酸性觸媒(D)，可列舉例如鹽酸、及p-甲苯磺酸。 寡聚物密封層形成用組成物中所含有之硬化性成分，可使用能量線硬化性成分。能量線硬化性成分，可使用低分子(甲基)丙烯酸酯化合物或(甲基)丙烯酸酯寡聚物。低分子(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯酸酯寡聚物，較佳為使用(甲基)丙烯醯基為多價的多官能化合物，也可併用多官能化合物與單官能化合物。寡聚物密封層形成用組成物包含能量線硬化性成分時，同時含有能量線聚合起始劑較佳。 又，本說明書中之「(甲基)丙烯酸酯化合物」係表示「丙烯酸酯化合物」及「甲基丙烯酸酯化合物」之兩者時所用的表示法，對於其他類似用語也同樣。 ･填充材 寡聚物密封層實質上不含填充材。實質不含係指形成寡聚物密封層時，排除不可避免而混入的情形，寡聚物密封層中不含填充材，具體而言，意味寡聚物密封層中之填充材之含量為0.1質量%以下。本實施形態中，寡聚物密封層中之填充材之含量，較佳為0.01質量%以下，更佳為0.001質量%以下，又更佳為寡聚物密封層不含填充材。 防止寡聚物密封層彼此黏連的方法，也可考慮在寡聚物密封層中調配填充材的手法，調配有填充材之寡聚物密封層時，無法維持防止聚酯薄膜中之寡聚物析出的效果。依據本實施形態之黏著薄片用基材時，寡聚物密封層中，實質上不含填充材，可維持寡聚物封裝性能，且兼具黏連防止性。 填充材，可列舉例如填料。填料可列舉例如無機填料及有機填料。 無機填料，可列舉二氧化矽填料、氧化鋁填料、及氮化硼填料等。二氧化矽填料，可列舉例如熔融二氧化矽、及球狀二氧化矽等。 又，有機填料，可列舉合成樹脂粉末。此合成樹脂粉末，可列舉例如醇酸樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、酚樹脂、聚酯、丙烯酸樹脂、縮醛樹脂、聚乙烯、聚醚、聚碳酸酯、聚醯胺、聚碸、聚苯乙烯、聚氯乙烯、氟樹脂、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等之各種熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂的粉末、或此等樹脂之共聚物之粉末。又，有機填料之其他例，可列舉芳香族或脂肪族聚醯胺纖維、聚丙烯纖維、聚酯纖維、芳香族聚醯胺纖維等。 ･硬化皮膜 第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，各自獨立為分別以(A)50質量%以上85質量%以下、(B)5質量%以上30質量%以下、及(C)5質量%以上30質量%以下的調配率含有(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺化合物之寡聚物密封層用組成物使硬化的硬化皮膜為佳。將(D)酸性觸媒調配於寡聚物密封層用組成物時，(D)成分之含量較佳為1質量%以上5質量%以下。 依據使前述範圍之調配率之寡聚物密封層用組成物硬化的硬化皮膜時，可容易提高防止寡聚物析出於黏著薄片用基材1表面的效果。 本實施形態之寡聚物密封層用組成物之更具體的例，可列舉例如以下之寡聚物密封層用組成物之例，本發明不限定於這種例。又，第1寡聚物密封層21之形成用的組成物與、第2寡聚物密封層22之形成用的組成物，彼此可為相同的組成，也可為不同的組成。 本實施形態之寡聚物密封層用組成物之一例，可列舉包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性觸媒，其中(A)環氧化合物為雙酚A型環氧化合物，(C)多官能胺化合物為三聚氰胺化合物的寡聚物密封層用組成物。 本實施形態之寡聚物密封層用組成物之一例，可列舉包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性觸媒，其中(A)環氧化合物為雙酚A型環氧化合物，(A)環氧化合物之重量平均分子量(Mw)為1×104 以上5×104 以下，(C)多官能胺化合物為三聚氰胺化合物的寡聚物密封層用組成物。 本實施形態之寡聚物密封層用組成物之一例，可列舉包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性觸媒，其中(A)環氧化合物為雙酚A型環氧化合物，(B)聚酯化合物之數平均分子量(Mn)為500以上10000以下，(B)聚酯化合物之玻璃轉移溫度Tg為0℃以上50℃以下，(C)多官能胺化合物為三聚氰胺化合物的寡聚物密封層用組成物。 本實施形態之寡聚物密封層用組成物之一例，可列舉包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性觸媒，其中(A)環氧化合物為雙酚A型環氧化合物，(A)環氧化合物之重量平均分子量(Mw)為1×104 以上5×104 以下，(B)聚酯化合物之數平均分子量(Mn)為500以上10000以下，(B)聚酯化合物之玻璃轉移溫度Tg為0℃以上50℃以下，(C)多官能胺化合物為三聚氰胺化合物的寡聚物密封層用組成物。 ･寡聚物密封層之膜厚 第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度，各自獨立為50nm以上500nm以下為佳，更佳為80nm以上300nm以下，又更佳為50nm以上180nm以下。 第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度為50nm以上時，可有效地防止聚酯薄膜11中所含之寡聚物析出於黏著薄片用基材1的表面。 第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度為500nm以下時，將第1寡聚物密封層21之第1基材面21A及第2寡聚物密封層22之第2基材面22A之均方根高度設定為0.031μm以上變得容易。 又，第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度越增加，越提高寡聚物密封的效果，但是就調整第1寡聚物密封層21之第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2寡聚物密封層22之第2基材面22A之均方根高度Rq2 的觀點時，第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度，可為100nm以上200nm以下，也可為150nm左右。又，第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22之厚度之至少任一者設為80nm以上180nm以下之範圍較佳。又，第1寡聚物密封層21之厚度及第2寡聚物密封層22中，具有均方根高度為0.031μm以上之基材面之寡聚物密封層的厚度，較佳為80nm以上180nm以下。例如，第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2基材面22A之均方根高度Rq2 之兩者各自獨立為0.031μm以上，第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22之厚度各自獨立為80nm以上180nm以下較佳。又，例如，第2基材面22A之均方根高度Rq2 為0.031μm以上，第2寡聚物密封層22之厚度為80nm以上180nm以下也較佳。 (黏著薄片用基材之製造方法) 本實施形態之黏著薄片用基材1，例如經由以下步驟來製造。 首先，在聚酯薄膜11之第1薄膜面11A上，塗佈包含熱硬化性成分之寡聚物密封層形成用組成物，形成第1塗膜。其次，使此第1塗膜加熱及硬化，形成作為第1寡聚物密封層21之第1硬化皮膜。作為加熱硬化條件之溫度，例如為120℃以上170℃以下。作為加熱硬化條件之加熱時間為5秒以上5分鐘以內。 其次，在聚酯薄膜11之第2薄膜面11B上，塗佈寡聚物密封層形成用組成物，形成第2塗膜。其次，使此第2塗膜加熱及硬化，形成作為第2寡聚物密封層22之第2硬化皮膜。作為加熱硬化條件之溫度及加熱時間，例如與第1硬化皮膜同樣的範圍。 又，黏著薄片用基材1之製造方法不限定於此方法。例如，藉由在聚酯薄膜11之第2薄膜面11B形成作為第2寡聚物密封層22之第2硬化皮膜，其次，在第1薄膜面11A形成作為第1寡聚物密封層21之第1硬化皮膜的製造方法，也可製造黏著薄片用基材1。 作為寡聚物密封層形成用組成物所含之硬化性成分，使用能量線硬化性成分時，取代形成第1硬化皮膜或第2硬化皮膜之加熱硬化步驟，實施對第1塗膜或第2塗膜照射紫外線等之能量線，進行硬化的步驟即可。 塗佈寡聚物密封層用組成物，形成第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22時，以有機溶劑稀釋寡聚物密封層用組成物，調製塗覆液來使用較佳。 塗覆液調製所使用的有機溶劑，無特別限定。有機溶劑可列舉例如芳香族系溶劑、脂肪族系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑、及醇系溶劑。芳香族系溶劑，可列舉例如苯、甲苯、及二甲苯。脂肪族系溶劑，可列舉例如正己烷、及正庚烷。酯系溶劑，可列舉例如乙酸乙酯、及乙酸丁酯。酮系溶劑，可列舉例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、及環戊酮。醇系溶劑，可列舉例如異丙醇、及甲醇。 塗佈塗覆液的方法，可列舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗法、刮刀塗佈法、刀輥塗法、輥塗法、刮刀塗佈法、模具塗佈法、及凹版塗佈法等。 為了防止有機溶劑及低沸點成分殘留於第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22，將塗覆液塗佈於聚酯薄膜11後，將塗膜進行加熱、使乾燥較佳。 (黏著薄片用基材之使用) 本實施形態之黏著薄片用基材1係作為黏著薄片的基材使用，該黏著薄片為電子零件加工用之黏著薄片為佳。 (實施形態之效果) 依據黏著薄片用基材1時，聚酯薄膜11的兩面被第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22覆蓋。因此，黏著薄片用基材1即使經過高溫條件的步驟後，也可防止聚酯薄膜11中之寡聚物析出於黏著薄片用基材1的表面。因此，可防止與黏著薄片用基材1接觸之構件或裝置被聚酯薄膜11中的寡聚物污染。又，將黏著薄片用基材1作為黏著薄片的基材使用時，可防止黏貼有該黏著薄片之被黏物之表面污染。 又，因聚酯薄膜11為退火完成的薄膜，故即使施予高溫條件，也可降低黏著薄片用基材1的熱收縮。因此，黏著薄片用基材1作為黏著薄片的基材使用時，可降低因該黏著薄片之熱收縮，造成黏貼有該黏著薄片之被黏物產生翹曲等不良影響。 又，黏著薄片用基材1之第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2基材面22A之均方根高度Rq2 之至少一者為0.031μm以上，故可防止黏著薄片用基材1產生黏連。 因此，依據本實施形態之黏著薄片用基材1時，耐熱性優異，即使經過施予高溫條件之步驟後，也可防止構件或裝置表面之污染及被黏物表面之污染，可降低因高溫條件所造成之黏著薄片之變形的影響，且也可防止黏連。 [第2實施形態] 第2實施形態之黏著薄片係使用了第1實施形態說明之黏著薄片用基材的黏著薄片。第2實施形態係省略或簡化與第1實施形態相同事項的說明。又，有時省略符號之記載。 (黏著薄片) 圖2表示本實施形態之黏著薄片2之剖面概略圖。 黏著薄片2具有、黏著薄片用基材1、黏著劑層30及剝離薄片RL。黏著薄片用基材1可使用第1實施形態說明的黏著薄片用基材。 黏著薄片2中，黏著劑層30係被積層於與第1寡聚物密封層21之第1薄膜面11A對向面相反側之面(第1基材面21A)。此外，此黏著劑層30上積層剝離薄片RL。使用黏著薄片2時，將剝離薄片RL自黏著劑層30剝離。 又，黏著薄片2中，與第2寡聚物密封層22之第2薄膜面11B對向面相反側之面(第2基材面22A)未積層黏著劑層，而黏著薄片2為單面黏著薄片。黏著薄片不限定於如圖2所示之構成，例如，也可為黏著劑層積層於第2基材面22A，未積層於第1基材面21A之態樣的單面黏著薄片。 黏著薄片2之形狀，例如可為薄片狀、膠帶狀、啞鈴狀等各種形狀。 (聚酯薄膜) 黏著薄片2中之聚酯薄膜11係與第1實施形態相同。 (寡聚物密封層) 黏著薄片2中之第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22係與第1實施形態相同。設置於黏著劑層30與聚酯薄膜11之間的第1寡聚物密封層21，即使在高溫條件下，也可防止寡聚物侵入黏著劑層30，故可防止黏貼黏著薄片2之被黏物之污染。第1寡聚物密封層21即使在180℃以上200℃以下(較佳為185℃以上200℃以下)的高溫條件下，也可防止寡聚物侵入黏著劑層30較佳。 (黏著劑層) 本實施形態之黏著劑層30含有黏著劑組成物。此黏著劑組成物所含之黏著劑，無特別限定，可將各種種類的黏著劑使用於黏著劑層30。黏著劑層30所含之黏著劑，可列舉例如橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚酯系、及胺基甲酸酯系。又，黏著劑的種類係考慮用途及被黏貼之被黏物的種類等來選擇。黏著劑層30較佳為含有丙烯酸系黏著劑組成物或聚矽氧系黏著劑組成物，更佳為含有丙烯酸系黏著劑組成物。 丙烯酸系黏著劑組成物含有丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物可為均聚物，也可為共聚物。就即使經過施予高溫條件之步驟後，黏著劑層30也容易自被黏物剝離的觀點，丙烯酸系黏著劑組成物，較佳為含有以碳數6~10之(甲基)烷基丙烯酸酯作為單體之主成分的丙烯酸系聚合物，更佳為含有以碳數8之烷基(甲基)丙烯酸酯作為單體之主成分的丙烯酸系聚合物。碳數8之烷基(甲基)丙烯酸酯，可列舉n-辛基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、及2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等，此等之中，較佳為2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯。 本說明書中，以碳數6~10之(甲基)烷基丙烯酸酯或碳數8之烷基(甲基)丙烯酸酯作為單體之主成分的丙烯酸系聚合物係指合成丙烯酸系聚合物用之單體之質量所佔碳數6~10之(甲基)烷基丙烯酸酯或碳數8之烷基(甲基)丙烯酸酯之質量之比例為50質量%以上。合成丙烯酸系聚合物用之單體之質量所佔之碳數6~10之烷基(甲基)丙烯酸酯或碳數8之烷基(甲基)丙烯酸酯之質量之比例，較佳為60質量%以上，更佳為70質量%以上。 丙烯酸系聚合物，就黏著薄片2之黏著力之增大與、經過施予高溫條件之步驟後之黏著劑層30之凝聚性提高的觀點，較佳為包含來自具有含氮之官能基之單體的構成單位。但是前述含氮之官能基不包含N-H鍵。 黏著薄片2係因黏著薄片用基材1具備寡聚物密封層，故即使經過施予高溫條件之步驟後，也可防止被黏物表面之污染。丙烯酸系聚合物因包含來自具有含氮之官能基之單體的構成單位，故經過施予高溫條件之步驟後之黏著劑層30之凝聚性提高，可更提昇被黏物表面之污染防止效果。 具有含氮之官能基之乙烯性不飽和單體，較佳為選自由雜環乙烯基化合物、(甲基)丙烯醯胺化合物、含胺基之(甲基)丙烯酸酯化合物、及(甲基)丙烯腈所成群之至少1種，更佳為雜環乙烯基化合物。但是此等之化合物不包含N-H鍵。 雜環乙烯基化合物中所含之雜環基，因其結構(環結構)，即使黏著薄片被加熱，也不易被分解。因此，具有含氮之官能基之單體為雜環乙烯基化合物時，變得更容易保持黏著劑層之凝聚力，可更展現本實施形態的效果。 具有含氮之官能基之單體，可單獨使用，也可組合2種以上使用。 雜環乙烯基化合物，可列舉例如N-丙烯醯基嗎啉、N-甲基丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-甲基丙烯醯基吡咯烷酮、N-丙烯醯基哌啶、N-甲基丙烯醯基哌啶、N-丙烯醯基吡咯烷、N-甲基丙烯醯基吡咯烷、N-丙烯醯基氮丙啶、N-甲基丙烯醯基氮丙啶、氮丙啶基乙基丙烯酸酯、氮丙啶基乙基甲基丙烯酸酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、及N-乙烯基酞醯亞胺等。 其中，雜環乙烯基化合物，就展現本實施形態之效果的觀點，較佳為N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-丙烯醯基哌啶、N-丙烯醯基吡咯烷、N-丙烯醯基氮丙啶、氮丙啶基乙基丙烯酸酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、或N-乙烯基酞醯亞胺，更佳為N-丙烯醯基嗎啉。 (甲基)丙烯醯胺化合物，可列舉例如N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二乙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基甲基丙烯醯胺、N,N-乙基甲基丙烯醯胺、及N,N-乙基甲基甲基丙烯醯胺等。 其中，(甲基)丙烯醯胺化合物，就展現本實施形態之效果的觀點，較佳為N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基丙烯醯胺、或N,N-乙基甲基丙烯醯胺，更佳為N,N-二甲基丙烯醯胺。 在丙烯酸系聚合物之全體質量所佔有之來自具有含氮之官能基之單體之構成單位的比例，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為4.5質量%以上18質量%以下，又更佳為9質量%以上15質量%以下。來自具有含氮之官能基之單體之構成單位的比例為這種範圍時，變得更容易調整黏著薄片2之黏著力與、經過施予高溫條件之步驟後之黏著劑層30的凝聚性。 含有丙烯酸系黏著劑組成物的黏著劑層30，也可含有藉由交聯劑，丙烯酸系聚合物被交聯的化合物。交聯劑可列舉例如選自由異氰酸酯系交聯劑、及環氧系交聯劑等所成群之至少任一的交聯劑。 又，黏著劑層30也可含有具有能量線聚合性官能基之多價化合物的聚合物。具有能量線聚合性官能基之多價化合物，可列舉例如低分子(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯酸酯寡聚物等。藉由對包含具有能量線聚合性官能基之多價化合物的丙烯酸系黏著劑組成物照射能量線，具有能量線聚合性官能基之多價化合物彼此聚合，形成交聯結構，更提高經施予高溫條件之步驟後之黏著劑層30的凝聚性。 又，就即使經施予高溫條件之步驟後，黏著劑層30容易自被黏物剝離的觀點，黏著劑層30也可具備在黏著薄片2之使用時，含有具有未反應之能量線聚合性官能基的化合物，將黏著薄片2黏貼於被黏物後，藉由照射能量線，降低黏著性的機能。此時，丙烯酸系聚合物可相當於具有未反應之能量線聚合性官能基的化合物。例如，丙烯酸系聚合物在側鏈也可具有(甲基)丙烯醯基等之未反應之能量線聚合性官能基。 黏著劑層30之厚度係依據黏著薄片2之用途適當決定。本實施形態中，黏著劑層30之厚度，較佳為5μm以上60μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。 本實施形態中，黏著劑組成物中，在不損及本發明效果的範圍內，也可含有其他的成分。黏著劑組成物可含有之其他的成分，可列舉例如難燃劑、黏著賦予劑、紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑、著色劑、填料、及潤濕性調整劑等。 (剝離薄片) 剝離薄片RL，無特別限定。例如就操作容易度的觀點，剝離薄片RL具備剝離基材及在剝離基材上塗佈剝離劑所形成的剝離劑層較佳。又，剝離薄片也可僅在剝離基材之單面具備剝離劑層，也可在剝離基材之兩面具備剝離劑層。 剝離基材，可列舉例如紙基材、於此紙基材積層有聚乙烯等之熱塑性樹脂的積層紙、及塑膠薄膜等。紙基材，可列舉玻璃紙、鑄塗紙、及塗佈紙等。塑膠薄膜，可列舉聚酯薄膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等)、及聚烯烴薄膜(例如，聚丙烯、及聚乙烯等)等。 剝離劑，可列舉例如烯烴系樹脂、橡膠系彈性體(例如，丁二烯系樹脂、及異戊二烯系樹脂等)、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂、及聚矽氧系樹脂等。黏著劑層為由聚矽氧系黏著劑組成物所成時，剝離劑較佳為非聚矽氧系之剝離劑。 剝離薄片RL之厚度，無特別限定。剝離薄片RL之厚度通常為20μm以上200μm以下，較佳為25μm以上150μm以下。 剝離劑層之厚度，無特別限定。塗佈包含剝離劑之溶液，形成剝離劑層時，剝離劑層之厚度，較佳為0.01μm以上2.0μm以下，更佳為0.03μm以上1.0μm以下。 作為剝離基材，使用塑膠薄膜時，該塑膠薄膜之厚度，較佳為3μm以上50μm以下，更佳為5μm以上40μm以下。 (黏著薄片之製造方法) 黏著薄片2之製造方法，無特別限定。 例如，黏著薄片2經過如以下的步驟來製造。 首先，在黏著薄片用基材1形成黏著劑層30。具體而言，第1寡聚物密封層21之第1基材面21A上展延或塗佈黏著劑組成物，形成薄片狀的黏著劑組成物(黏著劑層30)。使用後述黏著劑層形成用塗覆液時，使所得之塗膜乾燥，形成黏著劑層30，可製造黏著薄片2。形成之黏著劑層30上，必要時可貼合剝離薄片RL。 又，具有剝離薄片RL之黏著薄片2，例如，經過以下步驟來製造。首先，在剝離薄片RL上展延或塗佈黏著劑組成物，形成薄片狀的黏著劑組成物(黏著劑層30)。使用後述黏著劑層形成用塗覆液時，使所得之塗膜乾燥，形成黏著劑層30。藉由貼合剝離薄片RL上之黏著劑層30與、黏著薄片用基材1之第1寡聚物密封層21，可製造黏著薄片2。 塗佈黏著劑組成物，形成黏著劑層30時，以有機溶劑稀釋黏著劑組成物，調製塗覆液來使用較佳。 黏著劑層形成用塗覆液之調製用的有機溶劑，無特別限定。黏著劑組成物所使用的有機溶劑，可列舉寡聚物密封層用組成物之塗覆液之調製用的有機溶劑。 黏著劑層形成用塗覆液之塗佈方法，可列舉與塗佈寡聚物密封層用組成物之塗覆液的方法相同的方法。 為了防止有機溶劑及低沸點成分殘留於黏著劑層30中，如上述，將塗覆液塗佈於黏著薄片用基材1後，將塗膜進行加熱使乾燥較佳。 黏著劑組成物中調配交聯劑時，為了使進行交聯反應提高凝聚力，將塗膜加熱較佳。 (黏著薄片之使用) 黏著薄片係作為電子零件加工用之黏著薄片使用。又，黏著薄片之另外的使用態樣，可列舉為了固定或保護電子零件所使用的態樣。電子零件之固定或保護之一例，例如黏著薄片係封裝半導體元件時使用。黏著劑層30含有具有能量線聚合性官能基之多價化合物的聚合物時，本實施形態之黏著薄片係在黏著劑組成物中具有能量線聚合性官能基之多價化合物進行聚合硬化，形成硬化物後使用。 黏著薄片並非在搭載於金屬製導線架(lead frame)的狀態，而是在封裝被黏貼於黏著薄片上之狀態的半導體元件時，使用較佳。具體而言，黏著薄片並非於封裝搭載於金屬製導線架之半導體元件時使用，而是在封裝被黏貼於黏著劑層之狀態的半導體元件時使用較佳。亦即，半導體元件直接黏貼於黏著薄片之狀態使用較佳。本實施形態之黏著薄片之黏著劑層30凝聚性優異時，半導體元件之封裝步驟中，就可防止半導體元件之位置偏移的觀點，用於這種步驟較佳。不使用金屬製導線架，封裝半導體元件的形態，可列舉面板水平封裝(Panel Level Package；PLP)及WLP(Wafer Level Package)等。 黏著薄片係在具有下述步驟之步驟中使用也較佳，該步驟具有將形成有複數開口部之框構件黏貼於黏著薄片的步驟、使半導體晶片黏貼於前述框構件之開口部露出之黏著劑層的步驟、以密封樹脂覆蓋前述半導體晶片的步驟，及使前述密封樹脂熱硬化的步驟。 使密封樹脂熱硬化之步驟後，在高溫環境下或高溫及減壓環境下進行的步驟，也有進行電漿處理等之加工步驟的情形。 使密封樹脂熱硬化之步驟及電漿處理步驟以外，在高溫環境下或高溫及減壓環境下進行的步驟，可列舉例如對電子零件進行金屬等之濺鍍的步驟、藉由熱水等洗淨電子零件的步驟、及光微影中之烘烤處理步驟等。 (實施形態之效果) 依據本實施形態之黏著薄片2時，發揮如下的效果。 黏著薄片2暴露於高溫條件時，聚酯薄膜11中所含有之寡聚物，因加熱析出於聚酯薄膜11表面，未設置第1寡聚物密封層21時，會侵入黏著劑層30，此外，通過黏著劑層30到達黏著劑層30的表面。黏著薄片2係在聚酯薄膜11與黏著劑層30之間，具有第1寡聚物密封層21。因此，即使在高溫環境下或高溫及減壓環境下之步驟，使用黏著薄片2，依據黏著薄片2時，可防止聚酯薄膜11中之寡聚物侵入黏著劑層30。因此，可防止黏貼有黏著薄片2之被黏物表面之污染。又，在黏著薄片2之第2寡聚物密封層22側，有第2基材面22A露出，但是藉由第2寡聚物密封層22可防止聚酯薄膜11中之寡聚物析出於第2基材面22A。因此，依據黏著薄片2時，可防止在使用黏著薄片2之步驟使用之構件或裝置之污染。 又，聚酯薄膜11係退火完成的薄膜，故即使施予高溫條件，也可降低黏著薄片2之熱收縮。因此，可降低因黏著薄片2之熱收縮所致之被黏物之翹曲之發生等的不良影響。 又，黏著薄片用基材1之第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2基材面22A之均方根高度Rq2 之至少任一者為0.031μm以上。因此，即使在積層黏著劑層30之前基材面彼此接觸，也可防止黏連。 故依據本實施形態之電子零件加工用之黏著薄片2時，耐熱性優異，即使經過施予高溫條件之步驟後，也可防止被黏物及構件或裝置表面之污染，可降低因高溫條件所造成之黏著薄片之變形的影響，且也可防止黏連。 [第3實施形態] 第3實施形態之黏著薄片係在黏著薄片用基材之兩面具有黏著劑層的點，與第2實施形態所記載的黏著薄片不同。第3實施形態之其他的點係與第2實施形態相同，故省略或簡化說明。又，有時省略符號記載。 (黏著薄片) 圖3係本實施形態之黏著薄片3的剖面概略圖。 黏著薄片3係具有黏著薄片用基材1、第1黏著劑層31、第2黏著劑層32、第1剝離薄片RL1及第2剝離薄片RL2。黏著薄片用基材1可使用在第1實施形態說明的黏著薄片用基材。 黏著薄片3中，第1黏著劑層31係積層於與第1寡聚物密封層21之第1薄膜面11A對向面之相反側之面(第1基材面21A)。此外，在此第1黏著劑層31上積層第1剝離薄片RL1。使用黏著薄片3時，將第1剝離薄片RL1自第1黏著劑層31剝離。 又，黏著薄片3中，在與第2寡聚物密封層22之第2薄膜面11B對向面之相反側之面(第2基材面22A)積層第2黏著劑層32。此外，在此第2黏著劑層32上積層第2剝離薄片RL2。使用黏著薄片3時，將第2剝離薄片RL2自第2黏著劑層32剝離。 黏著薄片3係在黏著薄片用基材1之兩面具有黏著劑層的兩面黏著薄片。因此，可使第1被黏物黏貼於黏著薄片3之第1黏著劑層31，使第2被黏物黏貼於第2黏著劑層32。 黏著薄片3的形狀，例如可為薄片狀、膠帶狀、啞鈴狀等各種形狀。 (聚酯薄膜) 黏著薄片3中之聚酯薄膜11係與第1實施形態相同。 (寡聚物密封層) 黏著薄片3中之第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22係與第1實施形態相同。在第1黏著劑層31與聚酯薄膜11之間所設置之第1寡聚物密封層21及在第2黏著劑層32與聚酯薄膜11之間所設置之第2寡聚物密封層22，即使在高溫條件下，可防止寡聚物侵入第1黏著劑層31及第2黏著劑層32，故可防止黏貼黏著薄片3之被黏物之污染。第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層，在180℃以上200℃以下(較佳為185℃以上200℃以下)之高溫條件下，也可防止寡聚物侵入第1黏著劑層31及第2黏著劑層32較佳。 (黏著劑層) 本實施形態之第1黏著劑層31及第2黏著劑層32係與前述實施形態之黏著劑層30相同。第1黏著劑層31及第2黏著劑層32所含有之黏著劑組成物之組成，彼此可相同或相異。第1黏著劑層31及第2黏著劑層32之厚度，彼此可相同或相異。 (黏著薄片之製造方法) 黏著薄片3之製造方法，無特別限定。 例如，黏著薄片3係經過如以下的步驟來製造。 首先，在黏著薄片用基材1形成第1黏著劑層31。具體而言，第1寡聚物密封層21之第1基材面21A上塗佈以有機溶劑稀釋黏著劑組成物，所得之黏著劑層形成用塗覆液，形成塗膜。其次，使此塗膜乾燥，形成第1黏著劑層31。在形成之第1黏著劑層31上，必要時貼合第1剝離薄片RL1。其次，在此第2寡聚物密封層22之第2基材面22A上塗佈黏著劑層形成用塗覆液，形成塗膜。其次，使此塗膜乾燥，形成第2黏著劑層32。形成之第2黏著劑層32上必要時貼合第2剝離薄片RL2。藉由這種方法也可製造黏著薄片3。 又，具有第1剝離薄片RL1及第2剝離薄片RL2之黏著薄片3，例如經由如以下的步驟來製造。首先，在第1剝離薄片RL1上塗佈黏著劑層形成用塗覆液，形成塗膜。其次，使塗膜乾燥形成第1黏著劑層31。貼合第1剝離薄片RL1上之第1黏著劑層31與、黏著薄片用基材1之第1寡聚物密封層21。其次，在第2剝離薄片RL2上塗佈黏著劑層形成用塗覆液，形成塗膜。其次，使塗膜乾燥形成第2黏著劑層32。藉由貼合第2剝離薄片RL2上之第2黏著劑層32與、黏著薄片用基材1之第2寡聚物密封層22，可製造黏著薄片3。 如上述，塗佈黏著劑組成物，形成第1黏著劑層31及第2黏著劑層32時，與黏著劑層30同樣調製塗覆液使用較佳。 (實施形態之效果) 依據本實施形態之黏著薄片3時，發揮如以下的效果。 黏著薄片3暴露於高溫條件時，聚酯薄膜11中所含有之寡聚物，因加熱析出於聚酯薄膜11表面，未設置第1寡聚物密封層21及第2寡聚物密封層22時，會侵入第1黏著劑層31及第2黏著劑層32，此外，該寡聚物通過第1黏著劑層31及第2黏著劑層32，到達第1黏著劑層31及第2黏著劑層32的表面。 黏著薄片3係在聚酯薄膜11與第1黏著劑層31之間，具有第1寡聚物密封層21，在聚酯薄膜11與第2黏著劑層32之間，具有第2寡聚物密封層22。因此，即使黏著薄片3被加熱，聚酯薄膜11中之寡聚物會移動至第1黏著劑層31與第1被黏物之界面及第2黏著劑層32與第2被黏物之界面，可防止污染第1被黏物及第2被黏物。 又，聚酯薄膜11係退火完成的薄膜，故即使施予高溫條件，也可降低黏著薄片3之熱收縮。因此，可降低因黏著薄片3之熱收縮所致之被黏物翹曲之發生等的不良影響。 又，黏著薄片用基材1之第1基材面21A之均方根高度Rq1 及第2基材面22A之均方根高度Rq2 之至少任一者為0.031μm以上，因此，黏著薄片3之製造時，可防止黏著薄片用基材1黏連。 故依據本實施形態之電子零件加工用之黏著薄片3時，耐熱性優異，即使經過施予高溫條件之步驟後，也可防止被黏物表面之污染，可降低因高溫條件所造成之黏著薄片之變形的影響，且也可防止黏連 [實施形態之變形] 本發明不限定於前述實施形態，可達成本發明目的之範圍之變形及改良等，包含於本發明。又，以下說明中，與前述實施形態說明之構件等相同時，賦予相同符號，省略或簡化該說明。 黏著薄片用基材及黏著薄片也可為薄片。 薄片狀之黏著薄片用基材可以複數片、經積層之狀態來提供。前述實施形態之黏著薄片用基材係第1基材面及第2基材面之均方根高度Rq之至少一者為特定值以上，故黏著薄片用基材即使為複數片、經積層也不易黏連。 又，薄片狀之黏著薄片可以複數片、經積層之狀態來提供。此時，例如，黏著劑層也可被經積層之另外黏著薄片中之黏著薄片用基材覆蓋。 又，黏著薄片用基材及黏著薄片，可為以帶狀的薄片，捲繞成捲筒狀之狀態來提供。捲繞成捲筒狀之黏著薄片用基材及黏著薄片，可由捲筒拉出，切斷成所要大小等來使用。黏著薄片用基材係第1基材面及第2基材面之均方根高度Rq之至少一者為特定值以上，故即使捲繞成捲筒狀也不易黏連，容易由捲筒拉出。 又，也可將黏著薄片預先切斷成所要大小，以載持有切斷成帶狀之剝離薄片的黏著薄片的狀態來提供。
實施例 以下舉實施例，更詳細地說明本發明。本發明不限定於此等實施例。 [附寡聚物密封層之基材(黏著薄片用基材)之製作] [實施例1] (1)塗佈用寡聚物密封劑液之調製 調配下述(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性觸媒，充分攪拌調製實施例1之塗佈用寡聚物密封劑液(寡聚物密封層用組成物以有機溶劑稀釋的塗覆液)。 (A)雙酚A型環氧化合物 DIC公司製「EPICLON H-360」(商品名)、固體成分濃度：40質量%、重量平均分子量：25000 (B)聚酯化合物 東洋紡織公司製「vylon GK680」(商品名)、數平均分子量：6000、玻璃轉移溫度：10℃ (C)多官能胺化合物 六甲氧基甲基三聚氰胺、日本CytecIndustries公司製「Cymel303」(商品名) (D)酸性觸媒 p-甲苯磺酸之甲醇溶液(固體成分濃度：50質量%) 具體而言，在上述(A)雙酚A型環氧化合物100質量份中，加入上述(B)聚酯化合物之甲苯稀釋溶液(固體成分濃度：30質量%)19.0質量份、及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4質量份，再以甲苯/甲基乙基酮=50質量%/50質量%之混合溶劑稀釋，調製固體成分濃度為3質量%的溶液。將調製後的溶液進行攪拌，在攪拌後的溶液中添加(D)p-甲苯磺酸之甲醇溶液(固體成分濃度：50質量%)2.9質量份，得到塗佈用寡聚物密封劑液。又，質量份數為全部固體成分換算者。 (2)寡聚物密封層之製作(附寡聚物密封層之基材之製作) 準備作為聚酯薄膜之長尺寸經退火處理的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(帝人film solutions股份公司製「Teijin Tetoron G2A」(商品名)、厚度25μm)。以下，經退火後之雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜僅稱為「退火完成PET薄膜」。退火完成PET薄膜，在使用前，捲繞成寬1090mm之捲筒狀的狀態。將朝向捲繞成捲筒狀之退火完成PET薄膜之捲芯側之面作為第1薄膜面，與第1薄膜面相反側之面，捲繞成捲筒狀之狀態，朝向最表面側之面作為第2薄膜面。 藉由線棒塗法將調製後之塗佈用寡聚物密封劑液均勻塗佈於退火完成PET薄膜之第1薄膜面。使塗佈後之退火完成PET薄膜通過烤箱內部，使塗膜加熱硬化，在退火完成PET薄膜之單面形成厚度為150nm之第1寡聚物密封層。 接著，在退火完成PET薄膜之第2薄膜面也與第1寡聚物密封層同樣形成厚度為150nm的第2寡聚物密封層，得到兩面附寡聚物密封層的基材。烤箱中之熱風吹出條件為溫度設為150℃，風速設為8m/min。烤箱中之加工速度係調整為塗佈有塗佈用寡聚物密封劑液後之退火完成PET薄膜通過烤箱內部20秒的速度。 (3)電子零件加工用黏著薄片之製作 調配以下的材料(聚合物(聚合物成分)、交聯劑、具有能量線聚合性官能基之多價低分子化合物、光聚合起始劑及稀釋溶劑)，充分地攪拌，調製塗佈用黏著劑液(黏著劑層形成用塗覆液)。 作為聚合物(聚合物成分)之丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯80.8質量%、丙烯醯基嗎啉(具有含氮之官能基之單體)12.0質量%、4-羥基丁基丙烯酸酯7.0質量%及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，調製重量平均分子量120,000的聚合物，調配100質量份(固體成分)。 ･交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族系異氰酸酯[日本聚胺基甲酸酯工業(股)公司製；coronate HX]、7.4質量份(固體成分) ･具有能量線聚合性官能基之多價低分子化合物：丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]23.3質量份(固體成分) ･光聚合起始劑：2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮[IGM Resin公司製；Omnirad 127]4.1質量份(固體成分) ･稀釋溶劑：使用乙酸乙酯，塗佈用黏著劑液之固體成分濃度調製成30質量%。 使用刮刀塗佈機將調製後之塗佈用黏著劑液塗佈於具備聚矽氧系剝離層之厚度38μm之透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成之剝離薄膜[Lintec(股)公司製；SP-PET382150]的剝離層面側。接著，對剝離薄膜上之塗佈用黏著劑液的塗膜，以90℃加熱90秒鐘，接著，以115℃加熱90秒鐘，使塗膜乾燥。然後，貼合塗膜與藉由上述步驟得到兩面附寡聚物密封層之基材的第2寡聚物密封層。然後，對塗膜使用紫外線照射裝置：EYE GRAPHICS公司製之高壓水銀燈，在照度200mW/cm2 、累積光量200mJ/cm2 的條件，由剝離薄膜側照射紫外線，製作厚度50μm的黏著劑層。如此得到電子零件加工用黏著薄片。 [實施例2] 實施例2之附寡聚物密封層的基材及電子零件加工用黏著薄片係僅塗佈於第1薄膜面之塗佈用寡聚物密封劑液，將固體成分濃度變更為5質量%，第1寡聚物密封層之厚度變更為200nm外，與實施例1同樣製作。 [比較例1] 比較例1之附寡聚物密封層的基材及電子零件加工用黏著薄片係使用作為退火完成PET薄膜之聚酯薄膜(東麗股份公司製、製品名「X60K」、厚度50μm)，取代實施例1使用之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜外，與實施例1同樣製作。 [比較例2] 比較例2之附寡聚物密封層的基材及電子零件加工用黏著薄片係使用未退火處理之雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Mitsubishi Chemical股份公司製、製品名「Diafoil T-100」、厚度：50μm)，取代實施例1使用之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜外，與實施例1同樣製作。 [比較例3] 比較例3之附寡聚物密封層的基材及電子零件加工用黏著薄片，未形成實施例1中之第2寡聚物密封層，在第2薄膜面形成黏著劑層外，與實施例1同樣製作。 [評價方法] 附寡聚物密封層之基材之評價係依據以下所示的方法進行。結果如表1所示。 ･均方根高度Rq及最大剖面高度Rt 聚酯薄膜之第1薄膜面及第2薄膜面、及附寡聚物密封層之基材的第1基材面及第2基材面之最大剖面高度Rt及均方根高度Rq係使用股份公司Mitutoyo製之接觸式表面粗糙度計(製品名「SV-3000」)進行測量。最大剖面高度Rt及均方根高度Rq之測量條件係依據JIS B 0601：2001、JIS B 0632：2001、JIS B 0633：2001及JIS B 0651：2001進行測量。Rt及Rq之測量，使用前端之半徑為2μm，圓錐之錐角度為60度的觸針。 ･析出物評價 將實施例1、2及比較例1~3製作之附寡聚物密封層的基材(黏著薄片用基材)在190℃之溫度下加熱1小時。加熱後，實施例1、2及比較例1、及2係以數位顯微鏡((股) KEYENCE製、數位顯微鏡；VHX-1000)觀察第1寡聚物密封層及第2寡聚物密封層的表面，確認有無析出物。對於比較例3，同樣觀察第1寡聚物密封層及第2薄膜面，確認有無析出物。又，表1中，比較例3之析出物評價的第2基材面應以第2薄膜面替代。 觀察有無析出物時之觀察倍率為500倍。未確認析出物時，判定為「A」，確認析出物時，判定為「B」。 ･耐黏連性 附寡聚物密封層之基材之製作時，對於實施例1、2及比較例1、及2係對第2薄膜面形成第2寡聚物密封層後，對於比較例3係對第1薄膜面形成第1寡聚物密封層後，將兩面附寡聚物密封層之基材捲繞於直徑153mm之捲芯時，評價是否產生寬10mm以上的氣泡。又，氣泡之寬度係氣泡之輪廓中相離最遠之2點間的距離。寬10mm以上的氣泡產生一個時，評價為B，寬10mm以上的氣泡未產生時，評價為A。 ･熱收縮性 將實施例1、2及比較例1~3製作之附寡聚物密封層的基材於23℃、50%相對濕度的標準環境靜置16小時以上後，測量基材切成120mm四方的正方形，使測量基材之MD方向及TD方向與正方形之各邊一致。相當於由正方形之各邊10mm內側，且與正方形之各邊平行的直線之交點的位置，藉由作十字之記號(Marking)，製作100mm四方之正方形的記號作為試料。藉由測量此作記號之線間的距離，作為測量基材之MD方向及TD方向各自之2個初期之測量值。接著，將試料於190℃下加熱1小時後，於23℃、50%相對濕度之標準環境靜置16小時以上，再測量作記號之線間的距離，算出測量基材之MD方向及TD方向各自之熱變形量，由初期之測量值之減少量除以初期之測量值，以百分比表示，得到熱收縮率之值。熱收縮率係針對MD方向及TD方向各自，正方形之兩邊之值之相加平均。距離增加時，作為負之值。距離之測量係使用股份公司日本光器製作所製、讀取顯微鏡NRM-S3X.Y測量。 ･電子零件加工用黏著薄片之高溫步驟適性 由實施例1、2及比較例1~3製作之電子零件加工用黏著薄片除去剝離薄膜，藉由積層輥在室溫黏貼於磨削成100μm之厚度的8吋晶圓。其次，將黏貼於晶圓之電子零件加工用黏著薄片在假定樹脂封裝步驟之條件之100℃的環境下，進行保管3分鐘之處理後，室溫下靜置16小時進行冷卻。然後，室溫下以金尺測量晶圓之最大翹曲高度。最大翹曲高度為5mm以下時，評價為A，超過5mm時，評價為B。 實施例1及實施例2之附寡聚物密封層之基材，因熱收縮率低，故耐熱性優異，析出物之評價為A，因此，即使經過施予高溫條件之步驟後，也可防止構件、裝置、及被黏物等表面之污染，因高溫步驟適性之評價為A，故可降低因高溫條件產生之黏著薄片變形所造成的影響，且耐黏連性之評價為A，因此為也可為防止黏連的基材。 比較例1之附寡聚物密封層之基材，其均方根高度Rq1 及Rq2 之兩者未達0.031μm，耐黏連性之評價為B。 比較例2之附寡聚物密封層之基材，因使用未施予退火處理之聚酯薄膜所製作，故熱收縮率大，高溫步驟適性之評價也為B。 比較例3之附寡聚物密封層之基材，因其第2基材面不具有寡聚物密封層，故析出物之評價為B。
1:黏著薄片用基材 2:黏著薄片 3:黏著薄片 11:聚酯薄膜 11A:第1薄膜面 11B:第2薄膜面 21:第1寡聚物密封層 21A:第1基材面 22:第2寡聚物密封層 22A:第2基材面 30:黏著劑層 31:第1黏著劑層 32:第2黏著劑層 RL:剝離薄片 RL1:第1剝離薄片 RL2:第2剝離薄片
圖1為本發明之一態樣之黏著薄片用基材的剖面概略圖。 圖2為本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片的剖面概略圖。 圖3係本發明之一態樣之電子零件加工用黏著薄片的剖面概略圖。
1:黏著薄片用基材
11:聚酯薄膜
11A:第1薄膜面
11B:第2薄膜面
21:第1寡聚物密封層
21A:第1基材面
22:第2寡聚物密封層
22A:第2基材面

Claims (9)

  1. 一種電子零件加工用之黏著薄片用基材，其係具有：具有第1薄膜面及與前述第1薄膜面相反側之第2薄膜面的聚酯薄膜，被設置於前述第1薄膜面之第1寡聚物密封層，被設置於前述第2薄膜面之第2寡聚物密封層，前述聚酯薄膜為退火處理完成，前述第1寡聚物密封層及前述第2寡聚物密封層，各自獨立為使包含作為硬化性成分之(A)環氧化合物與(C)多官能胺化合物之寡聚物密封層形成用組成物硬化的硬化皮膜，前述第1寡聚物密封層中之填充材之含量為0.1質量%以下，前述第2寡聚物密封層中之填充材之含量為0.1質量%以下，與前述第1寡聚物密封層之前述第1薄膜面對向面之相反側之面的均方根高度Rq1及與前述第2寡聚物密封層之前述第2薄膜面對向面之相反側之面的均方根高度Rq2之至少一者為0.031μm以上。
  2. 如請求項1之黏著薄片用基材，其中前述聚酯薄膜為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
  3. 如請求項1之黏著薄片用基材，其中前述第1寡聚物密 封層之厚度為50nm以上180nm以下。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之黏著薄片用基材，其中前述第2寡聚物密封層之厚度為50nm以上180nm以下。
  5. 一種電子零件加工用黏著薄片，其係具有如請求項1至請求項4中任一項之黏著薄片用基材，及黏著劑層，前述黏著劑層係被設置於與前述第1寡聚物密封層之前述第1薄膜面對向面之相反側之面，及與前述第2寡聚物密封層之前述第2薄膜面對向面之相反側之面之至少一面。
  6. 如請求項5之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層含有丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物含有來自具有含氮之官能基之單體的構成單位，但是前述含氮之官能基不含N-H鍵。
  7. 如請求項6之電子零件加工用黏著薄片，其中前述丙烯酸系聚合物之全體質量中所佔來自具有前述含氮之官能基之單體的構成單位之比例為9質量%以上15質量%以下之比例。
  8. 如請求項5至請求項7中任一項之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層包含具有能量線聚合性官能基之 多價化合物的聚合物。
  9. 如請求項5至請求項7中任一項之電子零件加工用黏著薄片，其中前述黏著劑層含有具有未反應之能量線聚合性官能基的化合物。
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