CN112585733A - 粘合片用基材及电子部件加工用粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于电子部件加工的粘合片用基材(1)，其具有：具有第1膜面(11A)及第2膜面(11B)的聚酯膜(11)、第1低聚物密封层(21)、以及第2低聚物密封层(22)，聚酯膜(11)经过了退火处理，第1低聚物密封层(21)及第2低聚物密封层(22)各自独立地为使包含固化性成分的低聚物密封层形成用组合物固化而成的固化被膜，第1低聚物密封层(21)及第2低聚物密封层(22)实质上不含填充材料，第1低聚物密封层(21)的第1基材面(21A)的均方根高度Rq1及第2低聚物密封层(22)的第2基材面(22A)的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上。

Description

粘合片用基材及电子部件加工用粘合片
技术领域
本发明涉及粘合片用基材及电子部件加工用粘合片。
背景技术
对半导体装置的制造工序所使用的粘合片要求各种特性，例如，要求即使经过施加高温条件的工序，也不污染制造工序所使用的装置、构件及被粘附物的特性。近年来，粘合片被用于施加180℃以上且200℃以下的高温条件的工序中。已知，在这样的高温工序中，例如，在使用了比聚酰亚胺膜等耐热性低且廉价的膜(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯等膜)作为粘合片的基材的情况下，在工序结束后从被粘附物剥离粘合片时，被粘附物的表面被污染。作为这样的污染的原因，认为是由于用作基材的树脂膜中包含的低分子量成分(低聚物)析出至被粘附物的表面。例如，在对粘贴于粘合片的粘合剂层的半导体元件进行树脂密封的工序中施加高温条件时，半导体元件的表面可能被污染而使半导体装置产生不良情况。
作为用于消除这样的不良情况的技术，例如，专利文献1中记载了在基材与粘合剂层之间具有低聚物密封层的粘合片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/038917号
发明内容
发明要解决的课题
在将粘合片用基材彼此叠合时，有时会发生所谓的粘连。对于专利文献1中记载的粘合片而言，在将多个粘合片用基材叠合而使低聚物密封层彼此接触时，有时发生粘连。另外，在施加高温条件的工序中，粘合片的变形有时对被粘附物造成不良影响。
本发明的目的在于提供耐热性优异、经过施加高温条件的工序后也可以防止构件、装置及被粘附物等的表面的污染、能够减轻高温条件引起的粘合片变形所带来的影响、且可以防止粘连的粘合片用基材及包含该粘合片的电子部件加工用粘合片。
解决课题的方法
根据本发明的一个方式，可以提供一种粘合片用基材，其用于电子部件加工，所述粘合片用基材具有：具有第1膜面及与所述第1膜面相反侧的第2膜面的聚酯膜、设置于所述第1膜面的第1低聚物密封层、以及设置于所述第2膜面的第2低聚物密封层，所述聚酯膜经过了退火处理，所述第1低聚物密封层及所述第2低聚物密封层各自独立地为使包含固化性成分的低聚物密封层形成用组合物固化而成的固化被膜，所述第1低聚物密封层及所述第2低聚物密封层实质上不含填充材料，所述第1低聚物密封层的与所述第1膜面相对的面相反侧的面的均方根高度Rq1及所述第2低聚物密封层的与所述第2膜面相对的面相反侧的面的均方根高度Rq2中至少一者为0.031μm以上。
在本发明的一个方式的粘合片用基材中，优选所述聚酯膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
在本发明的一个方式的粘合片用基材中，优选所述第1低聚物密封层的厚度为50nm以上且180nm以下。
在本发明的一个方式的粘合片用基材中，优选所述第2低聚物密封层的厚度为50nm以上且180nm以下。
根据本发明的一个方式，可以提供一种电子部件加工用粘合片，其具有上述本发明的一个方式的粘合片用基材、以及粘合剂层，其中，所述粘合剂层设置在所述第1低聚物密封层的与所述第1膜面相对的面相反侧的面、以及所述第2低聚物密封层的与所述第2膜面相对的面相反侧的面中的至少一面。
在本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片中，优选所述粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，所述丙烯酸类聚合物包含来自具有含氮官能团的单体的结构单元，其中，所述含氮官能团不包含N-H键。
在本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片中，优选所述来自具有含氮官能团的单体的结构单元占所述丙烯酸类聚合物的总体的质量的比例为9质量％以上且15质量％以下的比例。
在本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片中，优选所述粘合剂层包含具有能量射线聚合性官能团的多价化合物的聚合物。
在本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片中，优选所述粘合剂层含有具有未反应的能量射线聚合性官能团的化合物。
根据本发明的一个方式，可以提供耐热性优异，经过施加高温条件的工序后也能够防止构件、装置及被粘附物等的表面的污染，能够减轻高温条件引起的粘合片变形所导致的影响，且也能够防止粘连的粘合片用基材及包含该粘合片的电子部件加工用粘合片。
附图说明
图1是本发明的一个方式的粘合片用基材的剖面示意图。
图2是本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片的剖面示意图。
图3是本发明的一个方式的电子部件加工用粘合片的剖面示意图。
符号说明
1···粘合片用基材
2、3···粘合片
11···聚酯膜
11A···第1膜面
11B···第2膜面
21···第1低聚物密封层
22···第2低聚物密封层
30···粘合剂层
RL···剥离片
RL1···第1剥离片
RL2···第2剥离片
具体实施方式
〔第1实施方式〕
(粘合片用基材)
图1示出了本实施方式的粘合片用基材1的剖面示意图。
粘合片用基材1具有聚酯膜11、第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22。
聚酯膜11具有第1膜面11A及与第1膜面11A相反侧的第2膜面11B。在粘合片用基材1中，在第1膜面11A层叠有第1低聚物密封层21，在第2膜面11B层叠有第2低聚物密封层22。优选第1膜面11A被第1低聚物密封层21包覆，第2膜面11B被第2低聚物密封层22包覆。
粘合片用基材1的形状例如可以采用片状、带状等任意形状。
(聚酯膜)
本实施方式的粘合片用基材1在第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22之间包含聚酯膜11。
聚酯膜11是实施了退火处理而得到的经退火处理的聚酯膜。
由于聚酯膜11是经过了退火处理的膜，因此耐热性高。因此，可以提高粘合片用基材1的耐热性，例如，可以降低施加了高温条件的粘合片用基材1的热收缩率。
对于经过了退火处理的聚酯膜的热收缩率而言，例如在190℃下将聚酯膜加热1小时的情况下，在MD(Machine Direction)方向上为3％以下、在TD(Transverse Direction)方向上为1％以下，优选在MD方向上为2％以下、在TD方向上为0.3％以下。热收缩率的测定可以通过实施例中记载的方法来进行。
聚酯膜11包含聚酯类树脂，更优选由以聚酯类树脂为主成分的材料制成。在本说明书中，以聚酯类树脂为主成分的材料是指，聚酯类树脂的质量占构成聚酯膜11的材料总体的质量的比例为50质量％以上。聚酯类树脂的质量占构成聚酯膜11的材料总体的质量的比例优选为80质量％以上、更优选为90质量％以上、进一步优选为99质量％以上。
作为聚酯类树脂，例如，优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸丁二醇酯树脂、以及这些树脂的共聚树脂中的任意树脂，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂。
作为聚酯膜11，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、或聚萘二甲酸乙二醇酯膜，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的情况下，比聚对苯二甲酸乙二醇酯膜廉价，供给稳定性也高，容易获得。
作为聚酯膜中含有的低聚物，来自于聚酯形成性单体、二聚物及三聚物等。
从加工时的尺寸稳定性的观点考虑，聚酯膜11在100℃下的储能模量的下限优选为1×107Pa以上、更优选为1×108Pa以上。从加工适应性的观点考虑，聚酯膜11在100℃下的储能模量的上限优选为1×1012Pa以下。需要说明的是，在本说明书中，基材在100℃下的储能模量是基于使用粘弹性测定仪器在频率1Hz下进行测定的拉伸试验而得到的储能模量的值。将待测定的基材切断为宽度5mm、长度20mm，使用粘弹性测定仪器(TA Instruments公司制造、DMAQ800)、以频率1Hz利用拉伸模式测定100℃的储能模量。
第1膜面11A及第2膜面11B中的至少一者可以分别独立地实施底涂处理、电晕处理及等离子体处理等至少任一种表面处理。实施了这样的表面处理时，可以提高聚酯膜面与低聚物密封层的密合性。
第1膜面11A的均方根高度RqA及第2膜面11B的均方根高度RqB中的至少一者优选为0.03μm以上、更优选为0.035μm以上。均方根高度RqA及RqB可以相互为相同的值，也可以为不同的值。均方根高度为0.03μm以上时，容易控制为在该均方根高度为0.03μm以上的膜表面形成的后述的低聚物密封层的表面的均方根高度的范围。均方根高度RqA及RqB中的至少一者优选为0.12μm以下、更优选为0.08μm以下。
聚酯膜11的均方根高度RqA及RqB可以通过后述的实施例中记载的方法来测定。
另外，第1膜面11A的最大截面高度RtA及第2膜面11B的最大截面高度RtB中的至少一者优选为0.5μm以上。最大截面高度RtA及RtB可以相互为相同的值，也可以为不同的值。最大截面高度为0.5μm以上时，容易控制为在该最大截面高度为0.5μm以上的表面形成的后述的低聚物密封层的表面的均方根高度的范围。最大截面高度RtA及RtB中的至少一者优选为1μm以下、更优选为0.8μm以下。
聚酯膜11的最大截面高度RtA及RtB可以通过后述的实施例中记载的方法来测定。
聚酯膜11的厚度优选为10μm以上且500μm以下、更优选为15μm以上且300μm以下、进一步优选为20μm以上且250μm以下。
(低聚物密封层)
第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22是用于防止聚酯膜中的低聚物在粘合片用基材1的表面析出的层。
粘合片用基材1暴露于高温条件时，聚酯膜11中包含的低聚物因加热而在聚酯膜11的表面析出，在未设置第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的情况下，低聚物在聚酯膜11的第1膜面11A及第2膜面11B析出。
第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22优选在180℃以上且200℃以下(优选为185℃以上且200℃以下)的高温条件下也防止低聚物在粘合片用基材1的表面析出。
本实施方式的粘合片用基材1在第1膜面11A具有第1低聚物密封层21，在第2膜面11B具有第2低聚物密封层22，因此，根据粘合片用基材1，可以防止加热时低聚物在基材表面的析出。
·均方根高度Rq
在本实施方式的粘合片用基材1中，第1低聚物密封层21的与第1膜面11A相对的面相反侧的面(有时称为第1基材面21A)的均方根高度Rq1及第2低聚物密封层22的与第2膜面11B相对的面相反侧的面(有时称为第2基材面22A)的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上。因此，可以是均方根高度Rq1及Rq2中的一者为0.031μm以上、均方根高度Rq1及Rq2的另一者低于0.031μm，也可以是均方根高度Rq1及Rq2这两者为0.031μm以上。
粘合片用基材1的第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2基材面22A的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上时，可以防止粘合片用基材1彼此粘连。
优选均方根高度Rq1及Rq2中的至少一者为0.035μm以上、更优选为0.040μm以上。
优选均方根高度Rq1及Rq2中的至少一者为0.1μm以下、更优选为0.06μm以下。
均方根高度Rq1及Rq2可以相互为相同的值，也可以为不同的值。
均方根高度Rq1及Rq2例如可以通过调整聚酯膜11的第1膜面11A的RqA及第2膜面11B的RqB、调整第1膜面11A的RtA及第2膜面11B的RtB、调整第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的厚度等而调整为期望的范围。
均方根高度Rq可以通过后述的实施例中记载的方法来测定。
·低聚物密封层的组成
对于第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的材质而言，只要能够防止聚酯膜11中的低聚物在粘合片用基材1的表面析出，就没有特别限定。
第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22优选为使包含固化性成分的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜。低聚物密封层用组合物例如包含热固性成分，作为热固性成分，可以举出(A)环氧化合物。另外，低聚物密封层用组合物例如包含(B)聚酯化合物。另外，低聚物密封层用组合物例如包含(A)环氧化合物及(C)多官能胺化合物。
本实施方式的第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22优选为使包含(A)环氧化合物及(C)多官能胺化合物的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜。本实施方式的第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22更优选为使包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物及(C)多官能胺化合物的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜。
为了促进固化反应，第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的形成中使用的低聚物密封层用组合物可以进一步包含(D)酸性催化剂。
·(A)环氧化合物
(A)环氧化合物优选为双酚A型环氧化合物。作为双酚A型环氧化合物，可以举出双酚A二缩水甘油醚等。双酚A型环氧化合物的重均分子量(Mw)优选为1×104以上且5×104以下。双酚A型环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上时，可以获得作为膜所需要的交联密度，易于防止低聚物的析出。重均分子量(Mw)为5×104以下时，可以防止被膜变得过硬。重均分子量Mw是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算为标准聚苯乙烯的值。
·(B)聚酯化合物
作为(B)聚酯化合物，没有特别限定，可以从公知的聚酯化合物中适当选择使用。作为聚酯化合物，具体为通过多元醇与多元酸的缩合反应得到的树脂，可举出作为用二元酸与二元醇的缩合物或不干性油脂肪酸等改性而成的化合物的非转化性聚酯化合物、以及作为二元酸与三元以上的醇的缩合物的转化性聚酯化合物等。聚酯化合物可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
作为用作(B)聚酯化合物的原料的多元醇，可以列举：二元醇、三元醇、以及四元以上的多元醇。
作为二元醇，可以列举例如：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、三亚甲基二醇、四亚甲基二醇、以及新戊二醇。
作为三元醇，可以列举例如：甘油、三羟甲基乙烷、以及三羟甲基丙烷。
作为四元以上的多元醇，可以列举例如：二甘油、三甘油、季戊四醇、二季戊四醇、甘露醇、以及山梨糖醇。
多元醇可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
作为多元酸，可以列举例如：芳香族多元酸、脂肪族饱和多元酸、脂肪族不饱和多元酸、以及基于狄尔斯-阿尔德反应的多元酸。
作为芳香族多元酸，可以列举例如：邻苯二甲酸酐、对苯二甲酸、间苯二甲酸、以及偏苯三酸酐。
作为脂肪族饱和多元酸，可以列举例如：丁二酸、己二酸、以及癸二酸。
作为脂肪族不饱和多元酸，可以列举例如：马来酸、马来酸酐、富马酸、衣康酸、以及柠康酸酐。
作为基于狄尔斯-阿尔德反应的多元酸，可以列举例如：环戊二烯-马来酸酐加成物、萜烯-马来酸酐加成物、以及松香-马来酸酐加成物。
多元酸可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
作为改性剂、即不干性油脂肪酸等，可以列举例如：辛酸、月桂酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、桐油酸、蓖麻油酸、脱水蓖麻油酸、或者椰子油、亚麻籽油、桐油、蓖麻油、脱水蓖麻油、大豆油、红花油、以及它们的脂肪酸等。这些改性剂可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
(B)聚酯化合物优选具有成为交联反应的基点的活泼氢基团。作为活泼氢基团，可以列举例如：羟基、羧基及氨基。聚酯化合物特别优选具有羟基。聚酯化合物的羟值优选为5mgKOH/g以上且500mgKOH/g以下、更优选为10mgKOH/g以上且300mgKOH/g以下。
(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)优选为500以上且10000以下、更优选为1000以上且8000以下。上述的数均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算为标准聚苯乙烯的值。
作为(B)聚酯化合物，可以列举：结晶性聚酯树脂及非晶性聚酯树脂，优选为非晶性聚酯树脂。(B)聚酯化合物优选可溶于甲苯等有机溶剂。
(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg优选为0℃以上且50℃以下。
通过使用具有上述范围的数均分子量(Mn)及玻璃化转变温度Tg的聚酯化合物，可以对形成第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的固化被膜赋予适度的柔软性。对于玻璃化转变温度Tg而言，按照JIS K 7121:2012，使用输入补偿差示扫描量热测定装置在-80℃～250℃的温度范围测定外推玻璃转化起始温度，求出了玻璃化转变温度Tg。
·(C)多官能胺化合物
作为(C)多官能胺化合物，可以使用例如三聚氰胺化合物、脲化合物、苯并胍胺化合物、以及二胺类。
作为三聚氰胺化合物，可以列举例如：六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物、以及丁基化三聚氰胺化合物。
作为脲化合物，可以列举例如：甲基化脲化合物、以及丁基化脲化合物。
作为苯并胍胺化合物，可以列举例如：甲基化苯并胍胺化合物、以及丁基化苯并胍胺化合物。
作为二胺类，可以列举例如：乙二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺、N,N’-二苯基乙二胺、以及对二甲苯二胺。
从固化性的观点考虑，作为(C)多官能胺化合物，优选为六甲氧基甲基三聚氰胺。
·(D)酸性催化剂
作为酸性催化剂(D)，可以列举例如：盐酸、以及对甲苯磺酸。
作为低聚物密封层形成用组合物中包含的固化性成分，可以使用能量射线固化性成分。作为能量射线固化性成分，可以使用低分子(甲基)丙烯酸酯化合物或(甲基)丙烯酸酯低聚物。作为低分子(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯酸酯低聚物，优选使用(甲基)丙烯酰基为多个的多官能化合物，可以组合使用多官能化合物和单官能化合物。在低聚物密封层形成用组合物包含能量射线固化性成分的情况下，优选同时含有能量射线聚合引发剂。
需要说明的是，本说明书中的“(甲基)丙烯酸酯化合物”是在表示“丙烯酸酯化合物”及“甲基丙烯酸酯化合物”这两者时使用的表示方法，其它类似用语也同样处理。
·填充材料
低聚物密封层实质上不含填充材料。实质上不含是指，除了在形成低聚物密封层时不可避免地混入的情况以外，低聚物密封层中不包含填充材料，具体而言，是指低聚物密封层中的填充材料的含量为0.1质量％以下。在本实施方式中，低聚物密封层中的填充材料的含量优选为0.01质量％以下、更优选为0.001质量％以下、进一步优选低聚物密封层不含填充材料。
作为防止低聚物密封层彼此粘连的方法，可以考虑在低聚物密封层中配合填充材料的方法，但配合有填充材料的低聚物密封层无法保持防止聚酯膜中的低聚物析出的效果。根据本实施方式的粘合片用基材，低聚物密封层中实质上不含填充材料，不仅可保持低聚物密封性能，而且还兼具防粘连性。
作为填充材料，可以举出例如填料。作为填料，可以列举例如：无机填料及有机填料。
作为无机填料，可以列举：二氧化硅填料、氧化铝填料、以及氮化硼填料等。作为二氧化硅填料，可以列举例如：熔融二氧化硅、以及球状二氧化硅等。
另外，作为有机填料，可以举出合成树脂粉末。作为该合成树脂粉末，可以列举例如：醇酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚酯、丙烯酸树脂、缩醛树脂、聚乙烯、聚醚、聚碳酸酯、聚酰胺、聚砜、聚苯乙烯、聚氯乙烯、氟树脂、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等各种热固性树脂或热塑性树脂的粉末、或者这些树脂的共聚物的粉末。另外，作为有机填料的其它例子，可以列举：芳香族或脂肪族聚酰胺纤维、聚丙烯纤维、聚酯纤维、芳族聚酰胺纤维等。
·固化被膜
第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22各自独立地优选为使低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，所述低聚物密封层用组合物分别以(A)50质量％以上且85质量％以下、(B)5质量％以上且30质量％以下、以及(C)5质量％以上且30质量％以下的配合率包含(A)双酚A型环氧化合物、(B)聚酯化合物、以及(C)多官能胺化合物。在将(D)酸性催化剂配合于低聚物密封层用组合物的情况下，优选将(D)成分的含量设为1质量％以上且5质量％以下。
根据使上述范围的配合率的低聚物密封层用组合物固化而成的固化被膜，容易提高防止低聚物在粘合片用基材1的表面析出的效果。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的更具体例子，例如可以举出以下的低聚物密封层用组合物的例子，但本发明并不限定于这样的例子。另外，第1低聚物密封层21的形成所使用的组合物和第2低聚物密封层22的形成所使用的组合物可以相互为相同的组成，也可以为不同的组成。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出如下的低聚物密封层用组合物，其包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物、以及(D)酸性催化剂，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(C)多官能胺化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出如下的低聚物密封层用组合物，其包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物、以及(D)酸性催化剂，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(A)环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上且5×104以下，(C)多官能胺化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出如下的低聚物密封层用组合物，其包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物、以及(D)酸性催化剂，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)为500以上且10000以下，(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg为0℃以上且50℃以下，(C)多官能胺化合物为三聚氰胺化合物。
作为本实施方式的低聚物密封层用组合物的一例，可以举出如下的低聚物密封层用组合物，其包含(A)环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物、以及(D)酸性催化剂，(A)环氧化合物为双酚A型环氧化合物，(A)环氧化合物的重均分子量(Mw)为1×104以上且5×104以下，(B)聚酯化合物的数均分子量(Mn)为500以上且10000以下，(B)聚酯化合物的玻璃化转变温度Tg为0℃以上且50℃以下，(C)多官能胺化合物为三聚氰胺化合物。
·低聚物密封层的膜厚
第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度各自独立地优选为50nm以上且500nm以下、更优选为80nm以上且300nm以下、进一步优选为50nm以上且180nm以下。
第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度为50nm以上时，可以有效地防止聚酯膜11中包含的低聚物在粘合片用基材1的表面的析出。
第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度为500nm以下时，容易使第1低聚物密封层21的第1基材面21A及第2低聚物密封层22的第2基材面22A的均方根高度为0.031μm以上。
需要说明的是，第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度越增加，低聚物密封的效果越提高，从调整第1低聚物密封层21的第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2低聚物密封层22的第2基材面22A的均方根高度Rq2的观点考虑，第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度可以为100nm以上且200nm以下，也可以为150nm左右。另外，优选将第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22的厚度中的至少一者设为80nm以上且180nm以下的范围。另外，在第1低聚物密封层21的厚度及第2低聚物密封层22中，具有均方根高度为0.031μm以上的基材面的低聚物密封层的厚度也优选为80nm以上且180nm以下。例如，优选第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2基材面22A的均方根高度Rq2这两者各自独立为0.031μm以上，且第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的厚度各自独立地为80nm以上且180nm以下。另外，例如，优选第2基材面22A的均方根高度Rq2为0.031μm以上，且第2低聚物密封层22的厚度为80nm以上且180nm以下。
(粘合片用基材的制造方法)
本实施方式的粘合片用基材1例如可以经过以下工序来制造。
首先，在聚酯膜11的第1膜面11A上涂布包含热固性成分的低聚物密封层形成用组合物，形成第1涂膜。接下来，对该第1涂膜进行加热并使其固化，形成作为第1低聚物密封层21的第1固化被膜。作为加热固化条件的温度，例如为120℃以上且170℃以下。作为加热固化条件的加热时间，为5秒钟以上且5分钟以内。
接着，在聚酯膜11的第2膜面11B上涂布低聚物密封层形成用组合物，形成第2涂膜。接着，对该第2涂膜进行加热并使其固化，形成作为第2低聚物密封层22的第2固化被膜。作为加热固化条件的温度及加热时间例如为与第1固化被膜相同的范围。
需要说明的是，粘合片用基材1的制造方法并不限定于该方法。例如，也可以通过在聚酯膜11的第2膜面11B形成作为第2低聚物密封层22的第2固化被膜、接着在第1膜面11A形成作为第1低聚物密封层21的第1固化被膜的制造方法来制造粘合片用基材1。
作为低聚物密封层形成用组合物中包含的固化性成分，在使用能量射线固化性成分的情况下，可以实施在第1涂膜或第2涂膜照射紫外线等能量射线而进行固化的工序来代替形成第1固化被膜或第2固化被膜的加热固化工序。
在涂布低聚物密封层用组合物来形成第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的情况下，优选用有机溶剂稀释低聚物密封层用组合物、制备涂布液而使用。
作为涂布液的制备所使用的有机溶剂，没有特别限定。作为有机溶剂，可以列举例如：芳香族类溶剂、脂肪族类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂、以及醇类溶剂。作为芳香族类溶剂，可以列举例如：苯、甲苯、以及二甲苯。作为脂肪族类溶剂，可以列举例如：正己烷、以及正庚烷。作为酯类溶剂，可以列举例如：乙酸乙酯、以及乙酸丁酯。作为酮类溶剂，可以列举例如：甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、以及环戊酮。作为醇类溶剂，可以列举例如：异丙醇、以及甲醇。
作为涂布涂布液的方法，可以列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、以及凹版涂布法等。
为了防止有机溶剂及低沸点成分残留于第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22，优选在将涂布液涂布于聚酯膜11后，将涂膜加热并使其干燥。
(粘合片用基材的使用)
优选本实施方式的粘合片用基材1用作粘合片的基材，该粘合片为电子部件加工用的粘合片。
(实施方式的效果)
根据粘合片用基材1，聚酯膜11的两面被第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22覆盖。因此，粘合片用基材1在经过施加高温条件的工序之后，也可以防止聚酯膜11中的低聚物在粘合片用基材1的表面析出。因此，可以防止与粘合片用基材1相接的构件或装置被聚酯膜11中的低聚物污染。另外，在使用了粘合片用基材1作为粘合片的基材的情况下，可以防止粘贴该粘合片的被粘附物的表面的污染。
另外，由于聚酯膜11是经退火的膜，因此，即使施加高温条件，也能够减轻粘合片用基材1的热收缩。因此，在使用了粘合片用基材1作为粘合片的基材的情况下，可以减轻因该粘合片的热收缩而使粘贴了该粘合片的被粘附物发生翘曲等不良影响。
另外，由于粘合片用基材1的第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2基材面22A的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上，因此可以防止粘合片用基材1发生粘连。
因此，根据本实施方式的粘合片用基材1，耐热性优异，在经过了施加高温条件的工序之后，也可以防止构件或装置的表面的污染及被粘附物的表面的污染，能够减轻因高温条件引起的粘合片的变形所带来的影响，而且还可以防止粘连。
〔第2实施方式〕
第2实施方式的粘合片为使用了第1实施方式中说明的粘合片用基材的粘合片。在第2实施方式中，省略或简化与第1实施方式相同的事项相关的说明。另外，有时省略符号的记载。
(粘合片)
图2示出了本实施方式的粘合片2的剖面示意图。
粘合片2具有粘合片用基材1、粘合剂层30及剥离片RL。粘合片用基材1可以使用第1实施方式中说明的粘合片用基材。
在粘合片2中，粘合剂层30层叠在第1低聚物密封层21的与第1膜面11A相对的面的相反侧的面(第1基材面21A)。另外，该粘合剂层30上层叠有剥离片RL。在使用粘合片2时，将剥离片RL从粘合剂层30剥离。
另外，在粘合片2中，在第2低聚物密封层22的与第2膜面11B相对的面相反侧的面(第2基材面22A)没有层叠粘合剂层，粘合片2是单面粘合片。粘合片并不限定于图2所示的结构，例如，也可以是粘合剂层层叠于第2基材面22A而未层叠于第1基材面21A的方式的单面粘合片。
粘合片2的形状例如可以采用片状、带状、标签状等任意形状。
(聚酯膜)
粘合片2中的聚酯膜11与第1实施方式相同。
(低聚物密封层)
粘合片2中的第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22与第1实施方式相同。设置在粘合剂层30与聚酯膜11之间的第1低聚物密封层21在高温条件下也可以防止低聚物渗入粘合剂层30，因此能够防止粘贴粘合片2的被粘附物的污染。优选第1低聚物密封层21在180℃以上且200℃以下(优选为185℃以上且200℃以下)的高温条件下也防止低聚物渗入粘合剂层30。
(粘合剂层)
本实施方式的粘合剂层30包含粘合剂组合物。作为该粘合剂组合物中包含的粘合剂，没有特别限定，可以将各种粘合剂应用于粘合剂层30。作为粘合剂层30中包含的粘合剂，可以列举例如：橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、聚酯类、以及氨基甲酸酯类。需要说明的是，粘合剂的种类可考虑用途及待粘贴的被粘附物的种类等而选择。粘合剂层30优选含有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物，更优选含有丙烯酸类粘合剂组合物。
丙烯酸类粘合剂组合物含有丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物可以是均聚物，也可以是共聚物。从经过施加高温条件的工序后也容易从被粘附物剥离粘合剂层30的观点考虑，丙烯酸类粘合剂组合物优选含有以碳原子数6～10的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体的主成分的丙烯酸类聚合物，更优选含有以碳原子数8的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体的主成分的丙烯酸类聚合物。作为碳原子数8的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举：(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、以及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等，其中，优选为(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
在本说明书中，以碳原子数6～10的(甲基)丙烯酸烷基酯或碳原子数8的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体的主成分的丙烯酸类聚合物是指，碳原子数6～10的(甲基)丙烯酸烷基酯或碳原子数8的(甲基)丙烯酸烷基酯的质量占用于合成丙烯酸类聚合物的单体质量的比例为50质量％以上。碳原子数6～10的(甲基)丙烯酸烷基酯或碳原子数8的(甲基)丙烯酸烷基酯的质量占用于合成丙烯酸类聚合物的单体质量的比例优选为60质量％以上、更优选为70质量％以上。
从粘合片2的粘合力的增大和经过了施加高温条件的工序后的粘合剂层30的凝聚性提高的观点考虑，丙烯酸类聚合物优选包含来自具有含氮官能团的单体的结构单元。其中，上述含氮官能团不包含N-H键。
对于粘合片2而言，由于粘合片用基材1具备低聚物密封层，因此在经过了施加高温条件的工序后，也能够防止被粘附物的表面的污染。由于丙烯酸类聚合物包含来自于具有含氮官能团的单体的结构单元，因此经过了施加高温条件的工序后的粘合剂层30的凝聚性提高，可以进一步提高防止被粘附物的表面的污染的效果。
具有含氮官能团的烯属不饱和单体优选为选自杂环乙烯基化合物、(甲基)丙烯酰胺化合物、含氨基(甲基)丙烯酸酯化合物、以及(甲基)丙烯腈中的至少1种，更优选为杂环乙烯基化合物。其中，这些化合物不包含N-H键。
可以认为，杂环乙烯基化合物中包含的杂环基团因其结构(环结构)，即使粘合片被加热，也不容易分解。因此可以认为，在具有含氮官能团的单体为杂环乙烯基化合物的情况下，更容易保持粘合剂层的凝聚力，可以进一步表现出本实施方式的效果。
具有含氮官能团的单体可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为杂环乙烯基化合物，可以列举例如：N-丙烯酰基吗啉、N-甲基丙烯酰基吗啉、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-甲基丙烯酰基吡咯烷酮、N-丙烯酰基哌啶、N-甲基丙烯酰基哌啶、N-丙烯酰基吡咯烷、N-甲基丙烯酰基吡咯烷、N-丙烯酰基氮丙啶、N-甲基丙烯酰基氮丙啶、丙烯酸氮丙啶基乙酯、甲基丙烯酸氮丙啶基乙酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、以及N-乙烯基邻苯二甲酰亚胺等。
其中，作为杂环乙烯基化合物，从表现出本实施方式的效果的观点考虑，优选为N-丙烯酰基吗啉、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-丙烯酰基吡咯烷酮、N-丙烯酰基哌啶、N-丙烯酰基吡咯烷、N-丙烯酰基氮丙啶、丙烯酸氮丙啶基乙酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、或者N-乙烯基邻苯二甲酰亚胺，更优选为N-丙烯酰基吗啉。
作为(甲基)丙烯酰胺化合物，可以列举例如：N,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N,N-二乙基甲基丙烯酰胺、N,N-二正丙基丙烯酰胺、N,N-二正丙基甲基丙烯酰胺、N,N-二异丙基丙烯酰胺、N,N-二异丙基甲基丙烯酰胺、N,N-二烯丙基丙烯酰胺、N,N-二烯丙基甲基丙烯酰胺、N,N-二正丁基丙烯酰胺、N,N-二正丁基甲基丙烯酰胺、N,N-乙基甲基丙烯酰胺、以及N,N-乙基甲基甲基丙烯酰胺等。
其中，作为(甲基)丙烯酰胺化合物，从表现出本实施方式的效果的观点考虑，优选为N,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N,N-二正丙基丙烯酰胺、N,N-二异丙基丙烯酰胺、N,N-二烯丙基丙烯酰胺、N,N--二正丁基丙烯酰胺、或者N,N-乙基甲基丙烯酰胺，更优选为N,N-二甲基丙烯酰胺。
来自于具有含氮官能团的单体的结构单元占丙烯酸类聚合物总体的质量的比例优选为1质量％以上且20质量％以下、更优选为4.5质量％以上且18质量％以下、进一步优选为9质量％以上且15质量％以下。来自于具有含氮官能团的单体的结构单元的比例为这样的范围时，粘合片2的粘合力、以及经过了施加高温条件的工序后的粘合剂层30的凝聚性的调整变得更加容易。
含有丙烯酸类粘合剂组合物的粘合剂层30可以含有利用交联剂将丙烯酸类聚合物交联而成的化合物。作为交联剂，可以列举例如，选自异氰酸酯类交联剂及环氧类交联剂等中的至少任一种交联剂。
另外，粘合剂层30可以包含具有能量射线聚合性官能团的多价化合物的聚合物。作为具有能量射线聚合性官能团的多价化合物，可以举出例如，低分子(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯酸酯低聚物等。通过对包含具有能量射线聚合性官能团的多价化合物的丙烯酸类粘合剂组合物照射能量射线，具有能量射线聚合性官能团的多价化合物彼此发生聚合，形成交联结构，经过了施加高温条件的工序后的粘合剂层30的凝聚性进一步提高。
另外，从经过了施加高温条件的工序后也易于从被粘附物剥离粘合剂层30的观点考虑，粘合剂层30可以通过在使用粘合片2时包含具有未反应的能量射线聚合性官能团的化合物、并在将粘合片2粘贴于被粘附物后照射能量射线，从而具备粘合性降低的功能。在该情况下，丙烯酸类聚合物属于具有未反应的能量射线聚合性官能团的化合物即可。例如，丙烯酸类聚合物可以在侧链具有(甲基)丙烯酰基等未反应的能量射线聚合性官能团。
粘合剂层30的厚度可以根据粘合片2的用途而适当确定。在本实施方式中，粘合剂层30的厚度优选为5μm以上且60μm以下、更优选为10μm以上且50μm以下。
在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围，粘合剂组合物可以包含其它成分。作为粘合剂组合物中可以包含的其它成分，可以列举例如：阻燃剂、增粘剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、防静电剂、防腐剂、防霉剂、增塑剂、消泡剂、着色剂、填料、以及润湿性调整剂等。
(剥离片)
剥离片RL没有特别限定。例如，从操作容易程度的观点考虑，剥离片RL优选具备剥离基材、以及在剥离基材上涂布剥离剂而形成的剥离剂层。另外，剥离片可以仅在剥离基材的一面具备剥离剂层，也可以在剥离基材的两面具备剥离剂层。
作为剥离基材，可以列举例如：纸基材、将聚乙烯等热塑性树脂层压于该纸基材而成的层压纸、以及塑料膜等。作为纸基材，可以列举：玻璃纸、涂层纸、以及铸涂纸等。作为塑料膜，可以列举：聚酯膜(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、以及聚萘二甲酸乙二醇酯等)、以及聚烯烃膜(例如，聚丙烯、以及聚乙烯等)等。
作为剥离剂，可以列举例如：烯烃类树脂、橡胶类弹性体(例如，丁二烯类树脂、以及异戊二烯类树脂等)、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟树脂、以及有机硅类树脂等。在粘合剂层由有机硅类粘合剂组合物形成的情况下，剥离剂优选为非有机硅类的剥离剂。
剥离片RL的厚度没有特别限定。剥离片RL的厚度通常为20μm以上且200μm以下、优选为25μm以上且150μm以下。
剥离剂层的厚度没有特别限定。在涂布包含剥离剂的溶液而形成剥离剂层的情况下，剥离剂层的厚度优选为0.01μm以上且2.0μm以下、更优选为0.03μm以上且1.0μm以下。
在使用塑料膜作为剥离基材的情况下，该塑料膜的厚度优选为3μm以上且50μm以下、更优选为5μm以上且40μm以下。
(粘合片的制造方法)
粘合片2的制造方法没有特别限定。
例如，粘合片2可以经过以下工序来制造。
首先，在粘合片用基材1上形成粘合剂层30。具体而言，在第1低聚物密封层21的第1基材面21A上延展或涂布粘合剂组合物，形成片状的粘合剂组合物(粘合剂层30)。在使用后述的粘合剂层形成用涂布液的情况下，可以通过使得到的涂膜干燥而形成粘合剂层30来制造粘合片2。可以根据需要在形成的粘合剂层30上贴合剥离片RL。
另外，具有剥离片RL的粘合片2例如可以通过经过以下工序来制造。首先，在剥离片RL上延展或涂布粘合剂组合物，形成片状的粘合剂组合物(粘合剂层30)。在使用后述的粘合剂层形成用涂布液的情况下，使得到的涂膜干燥，形成粘合剂层30。通过使剥离片RL上的粘合剂层30与粘合片用基材1的第1低聚物密封层21贴合，可以制造粘合片2。
在涂布粘合剂组合物形成粘合剂层30的情况下，优选用有机溶剂稀释粘合剂组合物而制备涂布液来使用。
作为粘合剂层形成用涂布液的制备所使用的有机溶剂，没有特别限定。作为粘合剂组合物中使用的有机溶剂，可以举出低聚物密封层用组合物的涂布液的制备所使用的有机溶剂。
作为粘合剂层形成用涂布液的涂布方法，可以举出与涂布低聚物密封层用组合物的涂布液的方法相同的方法。
为了防止有机溶剂及低沸点成分残留于粘合剂层30，如上所述，优选在将涂布液涂布于粘合片用基材1后，将涂膜加热并使其干燥。
在粘合剂组合物中配合有交联剂的情况下，为了进行交联反应而提高凝聚力，优选对涂膜进行加热。
(粘合片的使用)
粘合片可以作为电子部件加工用的粘合片使用。另外，作为粘合片的其它使用方式，可以举出为了固定或保护电子部件而使用的方式。作为固定或保护电子部件的一例，在对半导体元件进行密封时使用粘合片。在粘合剂层30包含具有能量射线聚合性官能团的多价化合物的聚合物的情况下，本实施方式的粘合片可以在粘合剂组合物中具有能量射线聚合性官能团的多价化合物聚合固化而形成固化物之后使用。
在不是放置于金属制引线框架的状态、而是对粘贴在粘合片上的状态的半导体元件进行密封时，优选使用粘合片。具体而言，优选粘合片不在对放置于金属制引线框架的半导体元件进行密封时使用，而在对粘贴于粘合剂层的状态的半导体元件进行密封时使用。即，优选在半导体元件直接粘贴于粘合片的状态下使用。在本实施方式的粘合片的粘合剂层30的凝聚性优异的情况下，在半导体元件的密封工序中，从可以防止半导体元件错位的观点考虑，优选在这样的工序中使用。作为不使用金属制引线框架而对半导体元件进行封装的形式，可以举出面板级封装(Panel Level Package；PLP)及WLP(晶圆级封装、WaferLevel Package)等。
粘合片也优选在如下工艺中使用，所述工艺具有以下工序：将形成有多个开口部的框构件粘贴于粘合片的工序、使半导体芯片粘贴于在上述框构件的开口部露出的粘合剂层的工序、用密封树脂包覆上述半导体芯片的工序、以及使上述密封树脂热固化的工序。
在使密封树脂热固化的工序之后，作为在高温环境下或高温及减压环境下进行的工序，有时进行等离子体处理等加工工序。
作为将密封树脂热固化的工序及等离子体处理工序以外的在高温环境下或高温及减压环境下进行的工序，可以列举例如：对电子部件进行金属等的溅射的工序、用热水等清洗电子部件的工序、以及光刻中的烘烤处理工序等。
(实施方式的效果)
根据本实施方式的粘合片2，发挥以下的效果。
可以认为，在粘合片2暴露于高温条件时，聚酯膜11中包含的低聚物因加热而在聚酯膜11表面析出，在未设置第1低聚物密封层21的情况下，渗入粘合剂层30，进一步透过粘合剂层30而到达粘合剂层30的表面。粘合片2在聚酯膜11与粘合剂层30之间具有第1低聚物密封层21。因此，即使在高温环境下或高温及减压环境下的工序中使用粘合片2，根据粘合片2，也可以防止聚酯膜11中的低聚物渗入粘合剂层30。因此，可以防止粘贴有粘合片2的被粘附物的表面的污染。另外，对于粘合片2的第2低聚物密封层22侧而言，虽然第2基材面22A露出，但通过第2低聚物密封层22，可以防止聚酯膜11中的低聚物在第2基材面22A析出。因此，根据粘合片2，可以防止使用了粘合片2的工序中使用的构件或装置的污染。
另外，由于聚酯膜11是经退火的膜，因此，即使施加高温条件，也可以减轻粘合片2的热收缩。因此，可以减轻因粘合片2的热收缩而导致的被粘附物发生翘曲等不良影响。
另外，粘合片用基材1的第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2基材面22A的均方根高度Rq2中至少一者为0.031μm以上。因此，即使层叠粘合剂层30之前的基材面彼此接触，也能够防止粘连。
因此，根据本实施方式的电子部件加工用的粘合片2，耐热性优异，经过了施加高温条件的工序后也能够防止被粘附物及构件或装置的表面的污染，可以减轻因高温条件引起的粘合片变形所带来的影响，而且还可以防止粘连。
〔第3实施方式〕
第3实施方式的粘合片在粘合片用基材的两面具有粘合剂层这一点上与第2实施方式中记载的粘合片不同。第3实施方式的其它方面与第2实施方式相同，因此省略或简化其说明。另外，有时省略符号的记载。
(粘合片)
图3是本实施方式的粘合片3的剖面示意图。
粘合片3具有粘合片用基材1、第1粘合剂层31、第2粘合剂层32、第1剥离片RL1及第2剥离片RL2。粘合片用基材1可以使用第1实施方式中说明的粘合片用基材。
在粘合片3中，第1粘合剂层31层叠在第1低聚物密封层21的与第1膜面11A相对的面相反侧的面(第1基材面21A)。另外，在该第1粘合剂层31上层叠有第1剥离片RL1。在使用粘合片3时，将第1剥离片RL1从第1粘合剂层31剥离。
另外，在粘合片3中，在第2低聚物密封层22的与第2膜面11B相对的面相反侧的面(第2基材面22A)层叠有第2粘合剂层32。另外，在该第2粘合剂层32上层叠有第2剥离片RL2。在使用粘合片3时，将第2剥离片RL2从第2粘合剂层32剥离。
粘合片3是在粘合片用基材1的两面具有粘合剂层的双面粘合片。因此，可以在粘合片3的第1粘合剂层31粘贴第1被粘附物，在第2粘合剂层32粘贴第2被粘附物。
粘合片3的形状可以例如采用片状、带状、标签状等任意形状。
(聚酯膜)
粘合片3中的聚酯膜11与第1实施方式相同。
(低聚物密封层)
粘合片3中的第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22与第1实施方式相同。设置在第1粘合剂层31与聚酯膜11之间的第1低聚物密封层21及设置在第2粘合剂层32与聚酯膜11之间的第2低聚物密封层22在高温条件下也可以防止低聚物渗入第1粘合剂层31及第2粘合剂层32，因此能够防止粘贴粘合片3的被粘附物的污染。优选第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层在180℃以上且200℃以下(优选为185℃以上且200℃以下)的高温条件下也防止低聚物渗入第1粘合剂层31及第2粘合剂层32。
(粘合剂层)
本实施方式的第1粘合剂层31及第2粘合剂层32与上述实施方式的粘合剂层30相同。第1粘合剂层31及第2粘合剂层32所含有的粘合剂组合物的组成可以相互相同，也可以不同。第1粘合剂层31及第2粘合剂层32的厚度可以相互相同，也可以不同。
(粘合片的制造方法)
粘合片3的制造方法没有特别限定。
例如，粘合片3可以经过以下工序来制造。
首先，在粘合片用基材1上形成第1粘合剂层31。具体而言，在第1低聚物密封层21的第1基材面21A上涂布用有机溶剂稀释粘合剂组合物而得到的粘合剂层形成用涂布液，形成涂膜。接着，使该涂膜干燥，形成第1粘合剂层31。根据需要在形成的第1粘合剂层31上贴合第1剥离片RL1。接着，在第2低聚物密封层22的第2基材面22A上涂布粘合剂层形成用涂布液，形成涂膜。接着，使该涂膜干燥，形成第2粘合剂层32。根据需要在形成的第2粘合剂层32上贴合第2剥离片RL2。通过这样的方法，也可以制造粘合片3。
另外，具有第1剥离片RL1及第2剥离片RL2的粘合片3例如可以经过以下工序来制造。首先，在第1剥离片RL1上涂布粘合剂层形成用涂布液，形成涂膜。接着，使涂膜干燥，形成第1粘合剂层31。使第1剥离片RL1上的第1粘合剂层31与粘合片用基材1的第1低聚物密封层21贴合。接着，在第2剥离片RL2上涂布粘合剂层形成用涂布液，形成涂膜。接着，使涂膜干燥，形成第2粘合剂层32。通过使第2剥离片RL2上的第2粘合剂层32与粘合片用基材1的第2低聚物密封层22贴合，可以制造粘合片3。
如上所述，在涂布粘合剂组合物形成第1粘合剂层31及第2粘合剂层32的情况下，优选与粘合剂层30同样地制备涂布液而使用。
(实施方式的效果)
根据本实施方式的粘合片3，发挥以下的效果。
粘合片3暴露于高温条件时，聚酯膜11中包含的低聚物因加热而在聚酯膜11表面析出，在未设置第1低聚物密封层21及第2低聚物密封层22的情况下，渗入第1粘合剂层31及第2粘合剂层32。进一步可认为，该低聚物通过第1粘合剂层31及第2粘合剂层32而到达第1粘合剂层31及第2粘合剂层32的表面。
粘合片3在聚酯膜11与第1粘合剂层31之间具有第1低聚物密封层21，在聚酯膜11与第2粘合剂层32之间具有第2低聚物密封层22。因此，即使粘合片3被加热，也能够防止聚酯膜11中的低聚物移动至第1粘合剂层31与第1被粘附物的界面、以及第2粘合剂层32与第2被粘附物的界面而污染第1被粘附物及第2被粘附物。
另外，由于聚酯膜11是经退火的膜，因此，即使施加高温条件，也能够减轻粘合片3的热收缩。因此，可以减轻因粘合片3的热收缩而使被粘附物发生翘曲等不良影响。
另外，由于粘合片用基材1的第1基材面21A的均方根高度Rq1及第2基材面22A的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上，因此可以在粘合片3的制造时防止粘合片用基材1发生粘连。
因此，根据本实施方式的电子部件加工用的粘合片3，耐热性优异，在经过了施加高温条件的工序之后，也可以防止被粘附物的表面的污染，能够减轻因高温条件引起的粘合片的变形所带来的影响，而且还可以防止粘连。
〔实施方式的变形〕
本发明并不限定于上述实施方式，在能够实现本发明目的的范围内的变形及改良等包含于本发明。需要说明的是，在以下的说明中，如果与上述实施方式中说明的构件等相同，则赋予相同符号并省略或简化其说明。
粘合片用基材及粘合片可以为片。
片状的粘合片用基材可以以多片层叠的状态提供。由于上述实施方式的粘合片用基材的第1基材面及第2基材面的均方根高度Rq中的至少一者为给定值以上，因此，粘合片用基材即使多片层叠，也不易发生粘连。
另外，片状的粘合片可以以多片层叠的状态提供。在该情况下，例如，粘合剂层可以被层叠的其它粘合片的粘合片用基材覆盖。
另外，粘合片用基材及粘合片可以为带状的片，可以以卷成卷状的状态提供。卷成卷状的粘合片用基材及粘合片可以从卷送出并切成期望的尺寸等而使用。由于粘合片用基材的第1基材面及第2基材面的均方根高度Rq中的至少一者为给定值以上，因此，即使卷成卷状，也不易发生粘连，容易从卷送出。
另外，也可以以将粘合片预先切断成期望的尺寸、并且切断的粘合片被带状的剥离片支撑的状态提供。
实施例
以下，列举实施例对本发明更详细地进行说明。本发明并不受这些实施例的任何限定。
〔带有低聚物密封层的基材(粘合片用基材)的制作〕
[实施例1]
(1)涂布用低聚物密封剂液的制备
配合下述(A)双酚A型环氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺化合物及(D)酸性催化剂，充分搅拌，制备了实施例1的涂布用低聚物密封剂液(用有机溶剂将低聚物密封层用组合物稀释而成的涂布液)。
(A)双酚A型环氧化合物
DIC公司制造的“EPICLON H-360”(商品名)、固体成分浓度：40质量％、重均分子量：25000
(B)聚酯化合物
东洋纺织株式会社制造的“Byron GK680”(商品名)、数均分子量：6000、玻璃化转变温度：10℃
(C)多官能胺化合物
六甲氧基甲基三聚氰胺、Nihon Cytec Industries公司制造的“CYMEL303”(商品名)
(D)酸性催化剂
对甲苯磺酸的甲醇溶液(固体成分浓度：50质量％)
具体而言，在上述(A)双酚A型环氧化合物100质量份中加入上述(B)聚酯化合物的甲苯稀释溶液(固体成分浓度：30质量％)19.0质量份、以及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4质量份，进一步用甲苯/甲乙酮＝50质量％/50质量％的混合溶剂稀释，制备了固体成分浓度为3质量％的溶液。对所制备的溶液进行搅拌，向搅拌后的溶液中添加(D)对甲苯磺酸的甲醇溶液(固体成分浓度：50质量％)2.9质量份，得到了涂布用低聚物密封剂液。需要说明的是，质量份数均为固体成分换算的值。
(2)低聚物密封层的制作(带有低聚物密封层的基材的制作)
作为聚酯膜，准备了长条的经退火处理的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Teijin Film Solutions公司制造的“Teijin Tetoron G2A”(商品名)、厚度25μm)。以下，也将经退火的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜简称为“经退火PET膜”。经退火PET膜在使用前为卷成宽度1090mm的卷状的状态。将卷成卷状的经退火PET膜的朝向卷芯侧的表面作为第1膜面，将与第1膜面相反侧的面、且在卷成卷状的状态下朝向最表面侧的面作为第2膜面。
用线棒涂布法将制备的涂布用低聚物密封剂液均匀地涂布于经退火PET膜的第1膜面。使涂布后的经退火PET膜通过烘箱的内部，将涂膜加热固化，在经退火PET膜的一面形成了厚度为150nm的第1低聚物密封层。
接着，在经退火PET膜的第2膜面也与第1低聚物密封层同样地形成厚度为150nm的第2低聚物密封层，得到了两面带有低聚物密封层的基材。作为烘箱的热风喷吹条件，将温度设为150℃，将风速设为8m/min。作为烘箱中的加工速度，调整为涂布了涂布用低聚物密封剂液后的经退火PET膜以20秒钟通过烘箱内部的速度。
(3)电子部件加工用粘合片的制作
配合以下的材料(聚合物(聚合物成分)、交联剂、具有能量射线聚合性官能团的多价低分子化合物、光聚合引发剂及稀释溶剂)，充分进行搅拌，制备了涂布用粘合剂液(粘合剂层形成用涂布液)。
对于作为聚合物(聚合物成分)的丙烯酸酯共聚物而言，将丙烯酸2-乙基己酯80.8质量％、丙烯酰基吗啉(具有含氮官能团的单体)12.0质量％、丙烯酸4-羟基丁酯7.0质量％、以及丙烯酸0.2质量％进行共聚，制备重均分子量120,000的聚合物，配合了100质量份(固体成分)。
·交联剂：具有六亚甲基二异氰酸酯的脂肪族类异氰酸酯〔日本聚氨酯工业株式会社制造；Coronate HX〕、7.4质量份(固体成分)
·具有能量射线聚合性官能团的多价低分子化合物：丙氧基化双酚A二丙烯酸酯〔新中村化学株式会社制造；A-BPP-3〕23.3质量份(固体成分)
·光聚合引发剂：2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮〔IGM Resin公司制造；Omnirad 127〕4.1质量份(固体成分)
·稀释溶剂：使用乙酸乙酯，将涂布用粘合剂液的固体成分浓度调整为30质量％。
使用刮刀涂布机将制备的涂布用粘合剂液涂布在具备有机硅类剥离层的厚度38μm的由透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜制成的剥离膜〔琳得科株式会社制造；SP-PET382150〕的剥离层面侧。接下来，在90℃下对剥离膜上的涂布用粘合剂液的涂膜进行90秒钟的加热，接着，在115℃下进行90秒钟的加热，使涂膜干燥。然后，使涂膜与通过上述步骤得到的两面带有低聚物密封层的基材的第2低聚物密封层贴合。然后，使用EYE GRAPHICS公司制造的高压水银灯作为紫外线照射装置，在照度200mW/cm2、累积光量200mJ/cm2的条件下对涂膜从剥离膜侧照射紫外线，制作了厚度50μm的粘合剂层。由此，得到了电子部件加工用粘合片。
[实施例2]
对于实施例2的带有低聚物密封层的基材及电子部件加工用粘合片而言，仅涂布于第1膜面的涂布用低聚物密封剂液的固体成分浓度变更为5质量％，并将第1低聚物密封层的厚度变更为200nm，除此以外，与实施例1同样地制作。
[比较例1]
对于比较例1的带有低聚物密封层的基材及电子部件加工用粘合片而言，使用了作为经退火PET膜的聚酯膜(东丽株式会社制造、产品名“X60K”、厚度50μm)来代替实施例1中使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，除此以外，与实施例1同样地制作。
[比较例2]
对于比较例2的带有低聚物密封层的基材及电子部件加工用粘合片而言，使用了未进行退火处理的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(三菱化学株式会社制造、产品名“Diafoil T-100”、厚度：50μm)来代替实施例1中使用的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，除此以外，与实施例1同样地制作。
[比较例3]
对于比较例3的带有低聚物密封层的基材及电子部件加工用粘合片而言，未形成实施例1的第2低聚物密封层，在第2膜面形成了粘合剂层，除此以外，与实施例1同样地制作。
〔评价方法〕
带有低聚物密封层的基材的评价按照以下所示的方法进行。将结果示于表1。
·均方根高度Rq及最大截面高度Rt
聚酯膜的第1膜面及第2膜面、以及带有低聚物密封层的基材的第1基材面及第2基材面的最大截面高度Rt及均方根高度Rq使用Mitutoyo公司制造的接触式表面粗糙度仪(产品名“SV-3000”)进行了测定。对于最大截面高度Rt及均方根高度Rq的测定条件，按照JIS B0601:2001、JIS B 0632:2001、JIS B 0633:2001及JIS B 0651:2001进行测定。Rt及Rq的测定中，前端的半径为2μm，使用了圆锥的锥角为60度的触针。
·析出物评价
在实施例1、2及比较例1～3中，将制作的带有低聚物密封层的基材(粘合片用基材)在190℃的温度下加热1小时。在加热后，对于实施例1、2及比较例1及2，使用电子显微镜(KEYENCE公司制造、Digital Microscope；VHX-1000)观察第1低聚物密封层及第2低聚物密封层的表面，确认有无析出物。对于比较例3，同样地观察第1低聚物密封层及第2膜面，确认有无析出物。需要说明的是，在表1中，比较例3的析出物评价的第2基材面也可称为第2膜面。
观察有无析出物时的观察倍率设为500倍。将未确认到析出物的情况判定为“A”，将确认到析出物的情况判定为“B”。
·抗粘连性
在带有低聚物密封层的基材的制作中，对于实施例1、2及比较例1及2，在将第2低聚物密封层形成于第2膜面之后，对于比较例3，在将第1低聚物密封层形成于第1膜面之后，将两面带有低聚物密封层的基材卷绕至直径153mm的卷芯时，对于是否形成宽度10mm以上的气泡进行了评价。需要说明的是，气泡的宽度是气泡的轮廓中相距最远的2点间的距离。将即使形成了一个宽度10mm以上的气泡的情况评价为B，将未形成宽度10mm以上的气泡的情况评价为A。
·热收缩性
将实施例1、2及比较例1～3中制作的带有低聚物密封层的基材在23℃、50％相对湿度的标准环境中静置16小时以上，然后，将测定基材切成120mm见方的正方形，使测定基材的MD方向及TD方向与正方形的各边一致。在距正方形的各边10mm内侧、且位于与正方形的各边平行的直线的交点的位置进行十字标记，由此形成100mm见方的正方形的记号，作为试样。通过测定该标记的线之间的距离，分别在测定基材的MD方向及TD方向作为2个初始测定值。接着，将试样在190℃下加热1小时后，在23℃、50％相对湿度的标准环境中静置16小时以上，再次测定标记的线之间的距离，分别计算出测定基材的MD方向及TD方向的热变形量，用从初始测定值减少的量除以初始测定值，以百分率表示，由此得到了热收缩率的值。对于热收缩率而言，分别对于MD方向及TD方向，为正方形的两边的值的算术平均。距离增加时为负值。距离的测定使用株式会社日本光器制作所制造的读取显微镜NRM-S3X.Y来测定。
·电子部件加工用粘合片的高温工序适应性
从实施例1、2及比较例1～3中制作的电子部件加工用粘合片上去除剥离膜，利用层压辊在室温下粘贴于磨削为100μm厚度的8英寸硅晶片。接着，对粘贴于晶片的电子部件加工用粘合片进行在作为设想的树脂密封工序的条件的100℃环境中保管3分钟的处理后，在室温下静置16小时进行冷却。然后，在室温下用直尺测定了晶片的最大翘曲高度。将最大翘曲高度为5mm以下的情况评价为A，将超过5mm的情况评价为B。
Figure BDA0002939967870000291
实施例1及实施例2的带有低聚物密封层的基材是如下的基材：由于热收缩率低，因此耐热性优异，由于析出物的评价为A，因此在经过了施加高温条件的工序后也能够防止构件、装置及被粘附物等的表面的污染，由于高温工序适应性的评价为A，因此可以减轻因高温条件引起的粘合片的变形所导致的影响，而且由于抗粘连性的评价为A，因此也可以防止粘连。
比较例1的带有低聚物密封层的基材的均方根高度Rq1及Rq2这两者小于0.031μm，抗粘连性的评价为B。
比较例2的带有低聚物密封层的基材是使用未实施退火处理的聚酯膜制作的，因此热收缩率大，高温工序适应性的评价也为B。
比较例3的带有低聚物密封层的基材在第2基材面不具有低聚物密封层，因此析出物的评价为B。

Claims (9)

1.一种粘合片用基材，其用于电子部件加工，所述粘合片用基材具有：
具有第1膜面及与所述第1膜面相反侧的第2膜面的聚酯膜、
设置于所述第1膜面的第1低聚物密封层、以及
设置于所述第2膜面的第2低聚物密封层，
所述聚酯膜经过了退火处理，
所述第1低聚物密封层及所述第2低聚物密封层各自独立地为使包含固化性成分的低聚物密封层形成用组合物固化而成的固化被膜，
所述第1低聚物密封层及所述第2低聚物密封层实质上不含填充材料，
所述第1低聚物密封层的与所述第1膜面相对的面相反侧的面的均方根高度Rq1及所述第2低聚物密封层的与所述第2膜面相对的面相反侧的面的均方根高度Rq2中的至少一者为0.031μm以上。
2.根据权利要求1所述的粘合片用基材，其中，所述聚酯膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片用基材，其中，所述第1低聚物密封层的厚度为50nm以上且180nm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片用基材，其中，所述第2低聚物密封层的厚度为50nm以上且180nm以下。
5.一种电子部件加工用粘合片，其具有：
权利要求1～4中任一项所述的粘合片用基材、以及
粘合剂层，
所述粘合剂层设置在所述第1低聚物密封层的与所述第1膜面相对的面相反侧的面、以及所述第2低聚物密封层的与所述第2膜面相对的面相反侧的面中的至少一面。
6.根据权利要求5所述的电子部件加工用粘合片，其中，
所述粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，
所述丙烯酸类聚合物包含来自具有含氮官能团的单体的结构单元，
其中，所述含氮官能团不包含N-H键。
7.根据权利要求6所述的电子部件加工用粘合片，其中，所述来自具有含氮官能团的单体的结构单元占所述丙烯酸类聚合物的总体的质量的比例为9质量％以上且15质量％以下的比例。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的电子部件加工用粘合片，其中，所述粘合剂层包含具有能量射线聚合性官能团的多价化合物的聚合物。
9.根据权利要求5～7中任一项所述的电子部件加工用粘合片，其中，所述粘合剂层含有具有未反应的能量射线聚合性官能团的化合物。
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