WO2023136059A1 - 個片化体形成用積層フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

個片化体形成用積層フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2023136059A1
WO2023136059A1 PCT/JP2022/046955 JP2022046955W WO2023136059A1 WO 2023136059 A1 WO2023136059 A1 WO 2023136059A1 JP 2022046955 W JP2022046955 W JP 2022046955W WO 2023136059 A1 WO2023136059 A1 WO 2023136059A1
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film
chip
singulated
forming
layer
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PCT/JP2022/046955
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裕貴 橋本
紘平 谷口
孝博 黒田
義信 尾崎
奎佑 大河原
奏美 中村
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株式会社レゾナック
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present disclosure relates to a laminated film for forming singulated bodies, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor device, in particular, a substrate, a first chip arranged on the substrate, and a first chip on the substrate. and a second chip supported by the plurality of support pieces and arranged to cover the first chip.
  • US Pat. No. 6,200,000 discloses a semiconductor die assembly that includes a controller die and a memory die supported above the controller die by a support member. It can be said that the semiconductor assembly 100 shown in FIG. 1A of US Pat.
  • the semiconductor assembly 100 includes a package substrate 402, a controller die 103 arranged on the surface thereof, memory dies 106a and 106b arranged above the controller die 103, and support members 130a and 130b supporting the memory die 106a. .
  • Patent Document 1 discloses that a semiconductor material such as silicon can be used as a supporting member (supporting piece), and more specifically, a fragment of a semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer can be used.
  • Patent Document 2 discloses that a resin film containing a resin material as a main component can be used as a support member (support piece) instead of a semiconductor material such as silicon.
  • a resin film for example, three layers having two thermosetting resin layers and a rigid material layer sandwiched between the thermosetting resin layers and having higher rigidity than the thermosetting resin layers in this order exemplifies the film.
  • the present disclosure provides a laminated film for forming a singulated body provided with a film for forming a singulated body that is singulated into a plurality of pieces by dicing the film for forming a singulated body.
  • a main object of the present invention is to provide a laminated film for forming singulated bodies, which can sufficiently suppress defects when forming singulated bodies.
  • the laminated film for forming singulated bodies includes a first support film, a first adhesive layer that is a non-ultraviolet curable adhesive layer, a film for forming singulated bodies, and a second adhesive layer. and a second support film in that order.
  • the singulated body-forming film is a film having a thermosetting resin layer and a rigid material layer having rigidity higher than that of the thermosetting resin layer.
  • the rigid material layer may be, for example, a resin layer having higher stiffness than the thermosetting resin layer or a metal layer having higher stiffness than the thermosetting resin layer.
  • the singulated body-forming film may be a two-layer film. The rigid material layer in the singulated body-forming film is laminated on the first pressure-sensitive adhesive layer.
  • the rigid material layer may be a resin layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer, such as a polyimide layer.
  • thermosetting resin layer on the outermost surface side does not exist when the film for forming the singulated bodies is diced into individual pieces. Therefore, separation between the thermosetting resin layer on the outermost surface side and the rigid material layer does not occur, and burrs presumably derived from the thermosetting resin layer generated on the cut surface (side surface) of the dicing line are also reduced. be done. This makes it possible to sufficiently suppress problems that occur when the film for forming singulated bodies is diced and singulated.
  • the laminated film for singulated body formation may be used in the manufacturing process of semiconductor devices.
  • the singulated bodies formed from the laminated film for forming singulated bodies are, for example, a substrate, a first chip arranged on the substrate, and a substrate arranged around the first chip on the substrate. It can be used as a support piece in a semiconductor device having a dolmen structure including a plurality of support pieces and a second chip supported by the plurality of support pieces and arranged to cover the first chip. That is, the laminated film for forming the singulated bodies can be used as the laminated film for forming the support pieces, and the film for forming the singulated bodies can be used as the film for forming the support pieces.
  • singulated bodies formed from laminated films for forming singulated bodies can be used as reinforcing pieces (reinforcing materials) for semiconductor chips, for example, by being attached to semiconductor chips, in addition to supporting pieces. can.
  • the second adhesive layer may be an ultraviolet curable adhesive layer or a non-ultraviolet curable adhesive layer. That is, the second pressure-sensitive adhesive layer may or may not be cured by ultraviolet irradiation, in other words, it contains a resin having a photoreactive carbon-carbon double bond. may also not be included.
  • the non-ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a resin having a photoreactive carbon-carbon double bond.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be one in which the adhesiveness of a predetermined region is reduced by irradiating the region with ultraviolet rays, for example, a photoreactive carbon-carbon double bond resin may remain.
  • the manufacturing method of the laminated film for forming the singulated bodies includes a first laminate comprising a first support film, a first adhesive layer, and a film substrate for forming the singulated bodies in this order. a step of preparing, a step of punching out the singulated body-forming film substrate in the first laminate to produce a second laminate comprising the singulated body-forming film, and a second laminate and laminating a second pressure-sensitive adhesive layer and a second support film in this order on the singulated body-forming film.
  • a semiconductor device includes a substrate, a first chip arranged on the substrate, a plurality of supporting pieces arranged on the substrate around the first chip, and a plurality of supporting pieces supported by the first chip. and a second tip positioned over the tip of the dolmen structure.
  • the semiconductor device includes an adhesive strip provided on one surface of the second chip and sandwiched between the second chip and the plurality of support strips. In this case, the first chip may be separated from the adhesive piece or may be in contact with the adhesive piece.
  • the manufacturing method of the semiconductor device includes the following steps.
  • the second pressure-sensitive adhesive layer is an ultraviolet-curing pressure-sensitive adhesive layer
  • a step of irradiating the second pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet light is provided between the steps (B) and (C) to can reduce the adhesiveness of the adhesive layer.
  • a laminated film for forming a singulated body provided with a film for forming a singulated body that is singulated into a plurality of pieces by dicing
  • the film for forming a singulated body is diced to be singulated.
  • a laminated film for forming singulated bodies and a method for producing the same, which can sufficiently suppress defects in the process.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using such a laminated film for forming singulated bodies laminated film for forming support pieces.
  • FIG. 1(a) is a plan view schematically showing an embodiment of a laminated film for forming singulated bodies
  • FIG. 1(b) is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 1(a).
  • FIGS. 2(a), (b), and (c) are cross-sectional views schematically showing the production process of the laminated film for singulated body formation
  • 3(a) and 3(b) are cross-sectional views schematically showing the production process of the laminated film for singulated body formation.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the first embodiment of the semiconductor device of the present disclosure.
  • FIG. 5(a) and 5(b) are plan views schematically showing examples of the positional relationship between the first chip and the plurality of support pieces.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the laminated film for supporting piece formation.
  • 7(a), (b), (c), and (d) are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the supporting piece.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a plurality of supporting pieces are arranged around the first chip on the substrate.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing an example of a chip with adhesive piece.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a dolmen structure formed on a substrate.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the semiconductor device of the present disclosure.
  • the numerical range indicated using “to” indicates the range including the numerical values before and after “to” as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit or lower limit described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit of the numerical range described in other steps. good.
  • the upper and lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
  • the term “layer” includes not only a shape structure formed over the entire surface but also a shape structure formed partially when observed as a plan view.
  • the term “step” as used herein refers not only to an independent step, but also to the term if the desired action of the step is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other steps. included.
  • (meth)acrylate means acrylate or its corresponding methacrylate.
  • FIG. 1(a) is a plan view schematically showing an embodiment of a laminated film for forming singulated bodies
  • FIG. 1(b) is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 1(a).
  • the laminated film 10 for forming singulated bodies includes a first support film 1a and a first adhesive layer 1b, which is a non-ultraviolet curable adhesive layer.
  • a film D for forming singulated bodies (hereinafter sometimes simply referred to as "film D") that is singulated into a plurality by dicing, a second adhesive layer 2b, and a second support film 2a in this order.
  • a laminated film having a first support film 1a and a first adhesive layer 1b provided on the first support film 1a is sometimes referred to as "adhesive film 1".
  • a laminated film having a second support film 2a and a second pressure-sensitive adhesive layer 2b provided on the second support film 2a may be referred to as a "dicing film 2".
  • part of the second adhesive layer 2b of the dicing film 2 may be in contact with the first adhesive layer 1b of the adhesive film 1 (see FIG. 1(b)), or It doesn't have to be.
  • the first support film 1a examples include polyester (polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc.), polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.), polycarbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, Examples include films of polyether sulfide, polyether sulfone, polyether ketone, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, and the like. These films may be single-layer films or multilayer films composed of two or more films.
  • the thickness of the first support film 1a may be, for example, 1-200 ⁇ m, 10-100 ⁇ m, or 20-50 ⁇ m.
  • the first adhesive layer 1b is a layer made of a non-ultraviolet curable adhesive (non-ultraviolet curable adhesive layer).
  • the non-ultraviolet ray-curing adhesive is an adhesive that exhibits a certain level of adhesiveness when pressurized for a short period of time, and conventionally known adhesives can be used.
  • Examples of non-ultraviolet curable adhesives include natural rubber-based, synthetic rubber-based, acrylic resin-based, polyvinyl ether resin-based, urethane resin-based, and silicone resin-based adhesives.
  • the thickness of the first adhesive layer 1b may be, for example, 5-20 ⁇ m.
  • a commercially available product can be used for the adhesive film 1.
  • Commercially available adhesive films include, for example, PET75-H2120 (10) (trade name, manufactured by Nisei Shinka Co., Ltd.), Cosmotac series (trade name, manufactured by Cosmotech Co., Ltd.), Hytarex DT series (trade name , Showa Denko Materials Co., Ltd.) and the like.
  • the thickness of the adhesive film 1 may be, for example, 5-150 ⁇ m, 15-100 ⁇ m, or 25-70 ⁇ m.
  • the film D is a film having a thermosetting resin layer D1 and a rigid material layer D2 having higher rigidity than the thermosetting resin layer D1.
  • Film D can be a bilayer film.
  • the stiff material layer D2 in the film D is laminated on the first adhesive layer 1b.
  • thermosetting resin composition that constitutes the thermosetting resin layer D1 may pass through a semi-cured (B stage) state and then be heat-treated to be in a cured (C stage) state. Since the desired effects are more likely to be obtained, the thermosetting resin composition may contain an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer, and if necessary, an inorganic filler, a curing accelerator, etc. may further contain.
  • the thermosetting resin layer D1 may be in a semi-cured (B stage) state in which at least a portion thereof is cured, or may be in a cured (C stage) state by heat treatment thereafter.
  • Epoxy resin The epoxy resin is not particularly limited as long as it cures and has an adhesive action.
  • epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, and bisphenol S type epoxy resins; novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins; mentioned.
  • Epoxy resins also include, for example, polyfunctional epoxy resins, glycidylamine-type epoxy resins, heterocyclic-containing epoxy resins, and alicyclic epoxy resins.
  • curing agent examples include phenol resins, ester compounds, aromatic amines, aliphatic amines, acid anhydrides, and the like.
  • the curing agent may be a phenol resin from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • Commercially available phenolic resins include, for example, LF-4871 (trade name, BPA novolak type phenolic resin) manufactured by DIC Corporation, HE-100C-30 (trade name, phenylarachyl type phenol resin manufactured by Air Water Co., Ltd.). resin), Phenolite KA and TD series manufactured by DIC Corporation, Milex XLC-series and XL series manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • the amounts of the epoxy resin and the phenol resin are 0.6 to 1.5, 0.7 to 1.4, and 0.7 to 1.4, respectively, in terms of the equivalent ratio of epoxy equivalent to hydroxyl group equivalent. Or it may be from 0.8 to 1.3. When the compounding ratio is in such a range, it tends to be easy to achieve sufficiently high levels of both curability and fluidity.
  • elastomers examples include acrylic resins, polyester resins, polyamide resins, polyimide resins, silicone resins, polybutadiene, acrylonitrile, epoxy-modified polybutadiene, maleic anhydride-modified polybutadiene, phenol-modified polybutadiene, and carboxy-modified acrylonitrile.
  • the elastomer may be an acrylic resin from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • the acrylic resin is an acrylic resin such as an epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer obtained by polymerizing a functional monomer having an epoxy group or a glycidyl group as a crosslinkable functional group, such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. good.
  • the acrylic resin may be an epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer and an epoxy group-containing acrylic rubber, preferably an epoxy group-containing acrylic rubber.
  • Epoxy group-containing acrylic rubbers are rubbers containing acrylic acid ester as a main component and having epoxy groups such as copolymers such as butyl acrylate and acrylonitrile, and copolymers such as ethyl acrylate and acrylonitrile.
  • the acrylic resin may have not only epoxy groups but also crosslinkable functional groups such as alcoholic or phenolic hydroxyl groups and carboxyl groups.
  • acrylic resins examples include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, SG-P3 solvent-changed products (trade name, acrylic rubber, Weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12°C, solvent is cyclohexanone) and the like.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50 to 50°C, more preferably -30 to 30°C.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 3,000,000, more preferably 500,000 to 2,000,000 from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a standard polystyrene calibration curve. It should be noted that the use of an acrylic resin with a narrow molecular weight distribution tends to enable the formation of highly elastic singulated bodies.
  • the content of the elastomer may be 10 to 200 parts by mass or 20 to 100 parts by mass with respect to the total of 100 parts by mass of the epoxy resin and curing agent.
  • inorganic fillers examples include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whiskers, boron nitride, and crystals. crystalline silica, amorphous silica, and the like.
  • the average particle size of the inorganic filler may be 0.005 ⁇ m to 1.0 ⁇ m or 0.05 to 0.5 ⁇ m from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • the surface of the inorganic filler may be chemically modified from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • Materials for chemically modifying the surface include, for example, silane coupling agents.
  • the functional group of the silane coupling agent include vinyl group, acryloyl group, epoxy group, mercapto group, amino group, diamino group, alkoxy group and ethoxy group.
  • the content of the inorganic filler is 20 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin components (epoxy resin, curing agent, and elastomer) of the thermosetting resin composition. parts or 30 to 100 parts by mass.
  • Curing accelerators include, for example, imidazoles and their derivatives, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like.
  • the curing accelerator may be imidazoles from the viewpoint of achieving high shear strength (die shear strength).
  • Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like.
  • the content of the curing accelerator is 0.04 to 3 parts by mass or 0.04 to 0.2 parts per 100 parts by mass of the total of the epoxy resin and the curing agent. It may be parts by mass.
  • the rigid material layer D2 may be, for example, a resin layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer D1 or a metal layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer D1.
  • the resin layer is made of a material different from that of the thermosetting resin layer D1, and may be, for example, a polyimide layer.
  • the metal layer may be, for example, a copper layer or an aluminum layer. When the rigid material layer D2 is the metal layer, it tends to have excellent pick-up property and excellent visibility in the pick-up process due to the optical contrast between the resin material and the metal material.
  • the ratio of the thickness of the thermosetting resin layer D1 to the thickness of the film D is 0.1-0.8, 0.2-0. 7, or 0.2 to 0.6.
  • the thickness of the thermosetting resin layer D1 may be, for example, 5-120 ⁇ m or 10-60 ⁇ m.
  • the thickness of the rigid layer D2 may be, for example, 20-80 ⁇ m or 20-60 ⁇ m.
  • Film D is obtained by, for example, punching a singulated body forming film substrate into a desired shape using a punching blade or the like (for example, it can also be rephrased as “(pre-)cut” or “cut”).
  • the shape of the film D in a plan view may be, for example, a circle shown in FIG. 1(a) or a rectangle (square or rectangle).
  • the diameter of the film D may be, for example, 290-340 mm or 310-335 mm.
  • the same films as those exemplified for the first support film 1a can be exemplified.
  • the thickness of the second support film 2a may be, for example, 1-200 ⁇ m, 50-170 ⁇ m, or 70-130 ⁇ m.
  • the second adhesive layer 2b is a layer (adhesive layer) made of an adhesive.
  • the adhesive any adhesive commonly used in the field may be used, and may be either an ultraviolet curable adhesive or a non-ultraviolet curable adhesive. That is, the second adhesive layer 2b may be either an ultraviolet curable adhesive layer or a non-ultraviolet curable adhesive layer. Examples of the non-ultraviolet curable adhesive include those similar to the nonultraviolet curable adhesive exemplified for the first adhesive layer 1b.
  • the UV-curable adhesive is an adhesive that has a property of decreasing its adhesiveness when irradiated with ultraviolet rays, and conventionally known adhesives can be used. Examples of the ultraviolet curable adhesive include resins having photoreactive carbon-carbon double bonds. More specifically, for example, adhesives such as acrylic resins can be used.
  • the thickness of the second adhesive layer 2b may be, for example, 1-100 ⁇ m.
  • the shape of the dicing film 2 in plan view can be appropriately adjusted according to the shape of the film D.
  • the dicing film 2 may be obtained by punching ((pre-)cutting or cutting) a dicing film substrate into a desired shape with a punching blade or the like.
  • the shape of the dicing film 2 in plan view may be, for example, circular as shown in FIG. 1A or rectangular (square or rectangular).
  • the diameter of the dicing film 2 may be, for example, 290 to 500 mm or 310 to 400 mm.
  • the thickness of the dicing film 2 may be, for example, 5-200 ⁇ m, 15-170 ⁇ m, or 30-140 ⁇ m.
  • the 30° peel strength (first peel strength) of the adhesive film 1 (first adhesive layer 1b) against the film D (rigid layer D2) is the same as that of the film D (thermosetting resin layer D1 ) is lower than the 30° peel strength (second peel strength) of the dicing film 2 (second pressure-sensitive adhesive layer 2b).
  • first peel strength first peel strength
  • second peel strength 30° peel strength of the dicing film 2
  • the first peel strength may be, for example, 0.5 N/25 mm or less, 0.4 N/25 mm or less, or 0.3 N/25 mm or less.
  • the lower limit of the first peel strength may be, for example, 0.1 N/25 mm or more.
  • the first peel strength can be measured by the following method. First, the laminated film 10 is prepared, and a measurement sample is produced by cutting this into a width of 25 mm and a length of 100 mm. Next, the dicing film 2 is peeled off from the measurement sample, and the film D side of the measurement sample is fixed to a metal support plate.
  • the first peel strength can be measured by peeling off the adhesive film 1 under conditions of a measurement temperature of 25° C., a peeling angle of 30°, and a peeling speed of 60 mm/min while the measurement sample is fixed.
  • the second peel strength may be greater than 0.5 N/25 mm, 1.0 N/25 mm or more, or 2.0 N/25 mm or more.
  • the upper limit of the second peel strength may be, for example, 5.0 N/25 mm or less.
  • the second peel strength can be measured by the following method. First, the laminated film 10 is prepared, and a measurement sample is produced by cutting this into a width of 25 mm and a length of 100 mm. Next, the adhesive film 1 is peeled off from the measurement sample, and the film D side of the measurement sample is fixed to a metal support plate.
  • the second peel strength can be measured by peeling off the dicing film 2 under conditions of a measurement temperature of 25° C., a peeling angle of 30°, and a peeling speed of 60 mm/min while the measurement sample is fixed.
  • the 90° peel strength (third peel strength) of the film 1 (first pressure-sensitive adhesive layer 1b) may be, for example, 0.2 N/25 mm or less, 0.1 N/25 mm or less, or 0.05 N/25 mm. It may be below.
  • the lower limit of the third peel strength may be, for example, 0.01 N/25 mm or more.
  • the third peel strength can be measured by the following method. First, the laminated film 10 is prepared, and a measurement sample is produced by cutting this into a width of 25 mm and a length of 200 mm.
  • the third peel strength can be measured by peeling off the adhesive film 1 under conditions of a measurement temperature of 25° C., a peeling angle of 90°, and a peeling speed of 50 mm/min while the measurement sample is fixed.
  • the adhesive film 1 can be easily peeled off from the laminated film 10 .
  • the laminated film 10 may be used in the manufacturing process of semiconductor devices.
  • a singulated body formed from the laminated film 10 includes, for example, a substrate, a first chip arranged on the substrate, and a plurality of supporting pieces arranged on the substrate around the first chip. , a second chip supported by a plurality of support pieces and arranged to cover the first chip, in a semiconductor device having a dolmen structure.
  • the singulated body formed from the laminated film 10 can also be used as a reinforcing material for the semiconductor chip, for example, by being attached to the semiconductor chip.
  • the singulated bodies formed from the laminated film 10 can be manufactured by a method including steps (A) to (C) in the method of manufacturing a semiconductor device described below.
  • FIGS. 2(a), (b), and (c), and FIGS. 3(a), (b), and (c) are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the laminated film for forming singulated bodies. It is a diagram.
  • a method for manufacturing the laminated film 10 includes a first support film 1a, a first pressure-sensitive adhesive layer 1b, and a film substrate DA for singulated body formation (hereinafter, sometimes simply referred to as "film substrate DA".
  • the film substrate DA may be the original fabric of the film D.
  • This step is a step of preparing the first laminate 20 .
  • the method of manufacturing the first laminate 20 is not particularly limited as long as the laminate having the configuration can be obtained. placing the rigid material layer D2 side of the film base DA having the thermosetting resin layer D1 and the rigid material layer D2 on the first adhesive layer 1b of the adhesive film 1 having the adhesive layer 1b, It can be obtained by bonding the adhesive film 1 and the film substrate DA together (see FIG. 2(a)).
  • thermosetting resin layer D1 can be formed, for example, by applying a thermosetting resin composition onto the support film.
  • a varnish of a thermosetting resin composition may be used.
  • thermosetting resin varnish the above components are mixed or kneaded in a solvent to prepare a thermosetting resin varnish, the resulting thermosetting resin varnish is applied on a support film, and the solvent is dried by heating. Then, the thermosetting resin layer D1 can be obtained.
  • the support film is not particularly limited as long as it can withstand the heat drying described above. It may be a film or the like.
  • the support film may be a multi-layer film in which two or more types are combined, or the surface thereof may be treated with a release agent such as a silicone-based or silica-based release agent.
  • the thickness of the support film may be, for example, 10-200 ⁇ m or 20-170 ⁇ m.
  • Mixing or kneading can be carried out by using a dispersing machine such as a normal stirrer, squeegee machine, triple roll, ball mill, etc., and combining them appropriately.
  • a dispersing machine such as a normal stirrer, squeegee machine, triple roll, ball mill, etc., and combining them appropriately.
  • the solvent used for preparing the thermosetting resin varnish is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead, or disperse each component, and conventionally known solvents can be used.
  • solvents include ketone-based solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene and xylene.
  • thermosetting resin varnish onto the support film known methods can be used, such as knife coating, roll coating, spray coating, gravure coating, bar coating, and curtain coating. etc. can be used.
  • Heat drying is not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but it can be carried out in the range of 50 to 150° C. for 1 to 30 minutes. Heat drying can be performed in stages at different heating temperatures and for different heating times.
  • the film substrate DA can be obtained by laminating the thermosetting resin layer D1 and the rigid material layer D2 together with a heated rubber roll.
  • the first laminate 20 can also be produced by laminating the rigid material layer D2 and the thermosetting resin layer D1 in this order on the first adhesive layer 1b of the adhesive film 1 to produce the film substrate DA. Obtainable. In this case, after bonding the first adhesive layer 1b of the adhesive film 1 and the rigid material layer D2 together, the thermosetting resin layer D1 is provided by applying a thermosetting resin varnish to the rigid material layer D2. be able to.
  • This step is a step of producing the second laminate 30 .
  • a punching blade or the like is used to cut in the direction X from the upper surface of the film base DA at position L1 so that the film base DA of the first laminate 20 thus produced has a desired shape (for example, a circular shape).
  • the second laminate 30 comprising the film D can be produced by inserting and die-cutting ((pre)cutting, cutting) (see FIGS. 2(b) and 2(c), first precut processing). The incisions made when the film substrate DA is die-cut may reach a part of the adhesive film 1 .
  • the peeling between the first support film 1a and the rigid material layer D2 is suppressed by the adhesive film 1 having the first adhesive layer 1b. was done.
  • the adhesive film 1 since the adhesive film 1 has the first adhesive layer 1b, foreign matter (for example, resin scum etc.) attached to the film base DA or the film D during the manufacturing process can be efficiently removed. Therefore, by having the adhesive film 1 having the first adhesive layer 1b, it is possible to improve the yield in die-cutting of the film substrate DA. Foreign matter can be removed, for example, when peeling off the adhesive film 1 when using the laminated film 10 or the film D.
  • the adhesive film 1 after peeling is usually discarded, it is removed from the film base DA or the film D due to adhesion of foreign matter to the first adhesive layer 1b, and discarded together with the adhesive film 1 as it is.
  • the adhesive film 1 since the adhesive film 1 is provided, it functions as a protective layer for the second adhesive layer 2b that can be exposed by die-cutting of the film base DA. Adhesion of foreign matter to the layer 2b can be prevented.
  • a first notch is formed on the surface of the adhesive film 1 along the outer edge of the die-cut desired shape.
  • the cut depth of the first cut portion may be, for example, less than the thickness of the adhesive film 1 and 25 ⁇ m or less.
  • This step is a step of laminating the second adhesive layer 2b and the second support film 2a in this order on the thermosetting resin layer D1 of the film D (see FIGS. 3A and 3B). ).
  • a method of laminating the second adhesive layer 2b and the second support film 2a in this order for example, the second support film 2a and the second adhesive provided on the second support film 2a
  • the dicing film substrate 2A having the layer 2b is arranged so as to cover the entire surface of the thermosetting resin layer D1 of the film D, and the arranged dicing film substrate 2A is formed into a desired shape (for example, circular).
  • a punching blade or the like is used to make a cut in the direction Y from the upper surface of the dicing film base material 2A at the position L2, and die-cut ((pre-)cut, cut) method (see FIG. 3(b), second precut processing) and the like.
  • the dicing film substrate 2A is laminated on the surface of the thermosetting resin layer D1 of the film D, part of the second adhesive layer 2b of the dicing film substrate 2A is the first adhesive of the adhesive film 1. It may or may not be in contact with the layer 1b (see FIG. 3(b)).
  • the dicing film substrate 2A (dicing film 2) may be in contact with the side surface of the film D. The incisions made when the dicing film substrate 2A is die-cut may reach a part of the adhesive film 1 .
  • the dicing film substrate 2A can be the original fabric of the dicing film 2.
  • a commercially available product can be used as the dicing film substrate 2A.
  • a varnish (adhesive varnish) of the adhesive (ultraviolet curable adhesive or non-ultraviolet curable adhesive) constituting the second adhesive layer 2b is prepared, and the adhesive is It can be obtained by applying a varnish on the second support film 2a and then removing the solvent by heating and drying.
  • a second notch is formed on the surface of the adhesive film 1 along the outer edge of the die-cut desired shape.
  • the cut depth of the second cut portion may be, for example, less than the thickness of the adhesive film 1 and 25 ⁇ m or less.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the first embodiment of the semiconductor device of the present disclosure.
  • the semiconductor device 100 shown in FIG. 4 includes a substrate 40, a chip T1 (first chip) arranged on the surface of the substrate 40, and a plurality of chips arranged on the surface of the substrate 40 around the chip T1.
  • the support piece DXc may be a cured product obtained by dividing the film D into individual pieces.
  • a dolmen structure is formed on the substrate 40 by a plurality of supporting pieces DXc, chips T2, and adhesive pieces Tc positioned between the supporting pieces DXc and the chips T2.
  • Chip T1 is separated from adhesive piece Tc.
  • the thickness of the support piece DXc By appropriately setting the thickness of the support piece DXc, a space for the wire w connecting the upper surface of the chip T1 and the substrate 40 can be secured. Since the chip T1 is spaced from the adhesive piece Tc, it is possible to prevent short-circuiting of the wire w due to contact of the upper portion of the wire w connected to the chip T1 with the chip T2. Moreover, since there is no need to embed a wire in the adhesive piece Tc in contact with the chip T2, there is an advantage that the adhesive piece Tc can be made thin.
  • the adhesive piece Tc between the chip T1 and the chip T2 covers the region R of the chip T2 facing the chip T1, and extends continuously from the region R to the peripheral side of the chip T2.
  • one adhesive piece Tc covers the region R of the chip T2 and intervenes between the chip T2 and the plurality of support pieces to adhere them.
  • FIG. 4 illustrates a mode in which the adhesive piece Tc is provided so as to cover the entire one surface (lower surface) of the chip T2.
  • the adhesive piece Tc may shrink during the manufacturing process of the semiconductor device 100, it only needs to cover substantially the entire one surface (lower surface) of the chip T2. may have a portion not covered with the adhesive piece Tc.
  • the bottom surface of the chip T2 in FIG. 4 corresponds to the back surface of the chip.
  • the back surface of a chip is often uneven. Since substantially the entire back surface of the chip T2 is covered with the adhesive piece Tc, it is possible to prevent the chip T2 from cracking or splitting.
  • the substrate 40 may be an organic substrate or a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing warping of the semiconductor device 100, the thickness of the substrate 40 is, for example, 90 to 300 ⁇ m, and may be 90 to 210 ⁇ m.
  • the chip T1 is, for example, a controller chip, which is adhered to the substrate 40 by an adhesive piece T1c and electrically connected to the substrate 40 by wires w.
  • the shape of the chip T1 in plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T1 is, for example, 5 mm or less, and may be 2 to 5 mm or 1 to 5 mm.
  • the thickness of the chip T1 is, for example, 10-150 ⁇ m, and may be 20-100 ⁇ m.
  • the chip T2 is, for example, a memory chip, and is adhered onto the support piece DXc via the adhesive piece Tc.
  • the chip T2 has a larger size than the chip T1 in plan view.
  • the shape of the chip T2 in plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T2 is, for example, 20 mm or less, and may be 4 to 20 mm or 4 to 12 mm.
  • the thickness of the tip T2 is, for example, 10-170 ⁇ m, and may be 20-120 ⁇ m.
  • the chips T3 and T4 are also memory chips, for example, and are adhered onto the chip T2 via an adhesive piece Tc.
  • the length of one side of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2, and the thickness of the chips T3 and T4 may also be the same as that of the chip T2.
  • the support piece DXc serves as a spacer that forms a space around the chip T1.
  • the support piece DXc has a layer made of a cured thermosetting resin composition (a layer obtained by curing the thermosetting resin layer) and a rigid material layer in this order from the substrate 40 .
  • a cured thermosetting resin composition a layer obtained by curing the thermosetting resin layer
  • a rigid material layer in this order from the substrate 40 .
  • two supporting pieces DXc shape: rectangular
  • One supporting piece DXc shape: square, four pieces in total
  • the length of one side of the support piece DXc in plan view is, for example, 20 mm or less, and may be 1 to 20 mm or 1 to 12 mm.
  • the thickness (height) of the support piece DXc is, for example, 10 to 180 ⁇ m, and may be 20 to 120 ⁇ m.
  • the manufacturing method of this embodiment includes the following steps (A) to (G).
  • the manufacturing method of the present embodiment may further include the following step (H).
  • (A) A first support film 1a, a first pressure-sensitive adhesive layer 1b that is a non-ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer, and a support piece-forming film DX (hereinafter simply referred to as It may be referred to as “film DX”), the second adhesive layer 2b, and the second support film 2a in this order, and the film DX comprises a thermosetting resin layer D1 and a thermosetting resin Support piece-forming laminated film 10X (hereinafter referred to as (Simply referred to as “laminated film 10X”) (see FIG.
  • (G) A step of constructing a dolmen structure by placing chips T2a with adhesive strips on the surfaces of a plurality of support strips DXc (see FIG. 10)
  • (H) A step of sealing a gap or the like between the chip T1 and the chip T2 with a sealing material 50 (see FIG. 4).
  • Step (A) is a step of preparing the laminated film 10X.
  • the laminate film 10X can use the laminate film 10 described above. At this time, the film D becomes the film DX.
  • the adhesive film 1 is peeled off at an appropriate timing. The timing of peeling off the adhesive film 1 may be, for example, between the (A) process and the (B) process.
  • (B) process and (C) process (B) process is a process of forming a plurality of support pieces DXa on the surface of the second adhesive layer 2b by dicing the film DX
  • (C) process is a step of picking up the support piece DXa from the second adhesive layer 2b.
  • a dicing ring DR is attached to the laminated body obtained by removing the adhesive film 1 from the laminated film 10X. That is, the dicing ring DR is attached to the second adhesive layer 2b of the laminated film 10X, and the film DX is placed inside the dicing ring DR. In this state, the film DX is individualized by dicing (see FIG. 7(b)).
  • the second adhesive layer 2b is an ultraviolet curable adhesive layer
  • the second adhesive layer 2b and the support piece DXa are bonded together by irradiating the second adhesive layer 2b with ultraviolet rays. reduce adhesion between
  • the support pieces DXa are separated from each other by expanding the second support film 2a.
  • the support piece DXa is lifted up by the push-up jig 42 to separate the support piece DXa from the second adhesive layer 2b, and is sucked by the suction collet 44 to pick up the support piece DXa. do.
  • thermosetting resin layer D1 may be advanced by heating the film DX before dicing or the support piece DXa before picking up. Since the supporting piece DXa is moderately hardened when picking up, the picking property tends to be excellent. It is preferable that the cut for singulation is formed up to the outer edge of the film DX.
  • the (D) process is a process of placing the chip T ⁇ b>1 on the substrate 40 .
  • the chip T1 is arranged at a predetermined position on the substrate 40 via the adhesive piece T1c. After that, the chip T1 is electrically connected to the substrate 40 by wires w.
  • (D) step may be a step performed before (E) step, before (A) step, between (A) step and (B) step, (B) step and (C ) step, or between the (C) step and the (E) step.
  • the (E) process is a process of arranging a plurality of support pieces DXa on the substrate 40 around the chip T1 or around the area where the chip T1 is to be arranged.
  • the structure 60 shown in FIG. 6 is produced.
  • the structure 60 includes a substrate 40, a chip T1 arranged on the surface thereof, and a plurality of support pieces DXa. Arrangement of the support piece DXa can be performed by crimping.
  • the crimping treatment can be performed, for example, under conditions of 80 to 180° C. and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.
  • the support piece DXa may be completely cured to become the support piece DXc at the time of the step (E), or may not be completely cured at this time. It is preferable that the support piece DXa is completely cured to become the support piece DXc before the start of the step (G).
  • Step (F) is a step of preparing a chip T2a with an adhesive piece, which includes a chip T2 and an adhesive piece Ta provided on one surface of the chip T2.
  • the chip T2a with an adhesive piece includes a chip T2 and an adhesive piece Ta provided on one surface thereof.
  • the chip T2a with an adhesive piece can be obtained, for example, by using a semiconductor wafer and a dicing/die-bonding integrated film through a dicing process and a pick-up process.
  • Step (G) is a step of disposing the chip T2a with the adhesive pieces above the chip T1 so that the adhesive pieces Ta are in contact with the upper surfaces of the plurality of support pieces DXc.
  • the chip T2 is pressure-bonded to the upper surface of the support piece DXc via the adhesive piece Ta.
  • the crimping treatment can be performed, for example, under conditions of 80 to 180° C. and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.
  • the adhesive piece Ta is cured by heating.
  • the curing treatment can be performed, for example, under conditions of 60 to 175° C. and 0.01 to 1.0 MPa for 5 minutes or more. As a result, the adhesive piece Ta is cured to become an adhesive piece Tc.
  • a dolmen structure is constructed on the substrate 40 (see FIG. 10). Since the chip T1 is separated from the chip T2a with the adhesive piece, it is possible to prevent the wire w from short-circuiting due to the upper portion of the wire w coming into contact with the chip T2. Moreover, since there is no need to embed a wire in the adhesive piece Ta that contacts the chip T2, there is an advantage that the adhesive piece Ta can be made thinner.
  • the chip T3 is placed on the chip T2 via the adhesive piece, and the chip T4 is placed on the chip T3 via the adhesive piece.
  • the adhesive piece may be a thermosetting resin composition similar to the adhesive piece Ta described above, and becomes an adhesive piece Tc by heating and curing (see FIG. 4).
  • the chips T2, T3, T4 and the substrate 40 are electrically connected by wires w. Note that the number of chips stacked above the chip T1 is not limited to three in this embodiment, and can be set as appropriate.
  • the (H) process is a process of sealing the gap between the chip T1 and the chip T2 with the sealing material 50 .
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the semiconductor device of the present disclosure.
  • the chip T1 is separated from the adhesive piece Tc, whereas in the semiconductor device 200 of the present embodiment, the chip T1 is in contact with the adhesive piece Tc. It is a mode. That is, the adhesive piece Tc is in contact with the top surface of the chip T1 and the top surface of the support piece DXc.
  • the thickness of the film DX the position of the upper surface of the chip T1 and the position of the upper surface of the support piece DXc can be matched.
  • the chip T1 is flip-chip connected to the substrate 40 instead of wire bonding.
  • the chip T1 can be wire-bonded to the substrate 40, and the chip T1 can be in contact with the adhesive piece Tc. be able to.
  • the adhesive piece Ta constitutes an adhesive piece-attached chip T2a together with the chip T2 (see FIG. 9).
  • the adhesive piece Tc between the chip T1 and the chip T2 covers the region R of the chip T2 facing the chip T1 and extends continuously from the region R to the peripheral side of the chip T2. exist.
  • Such one piece of adhesive Tc covers the region R of the chip T2 and intervenes between the chip T2 and the plurality of support pieces to bond them together.
  • the bottom surface of the chip T2 in FIG. 11 corresponds to the back surface. As described above, the rear surface of a chip in recent years is often uneven. Since substantially the entire back surface of the chip T2 is covered with the adhesive piece Tc, even if the upper surface of the chip T1 comes into contact with the adhesive piece Tc, the chip T2 can be prevented from being cracked or broken.
  • the present disclosure is not limited to the above embodiments.
  • the second adhesive layer 2b is an ultraviolet curable adhesive layer was illustrated, but the second adhesive layer 2b may be a non-ultraviolet curable adhesive layer. .
  • thermosetting resin varnish [Preparation of laminated film for forming singulated bodies] ⁇ Preparation of thermosetting resin varnish> First, N-500P-10 (trade name, manufactured by DIC Corporation, o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 204 g/eq, softening point: 75 to 85 ° C.) as an epoxy resin 10 parts by mass, and curing Curesol 2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole) as an accelerator for a mixture of 0.02 parts by mass, solid content concentration 16% by mass based on the total amount of varnish Cyclohexanone was added so that Next, to the mixture, 0.4 parts by mass of A-189 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane) as a coupling agent, and A-1160 (trade name, Nippon Unicar Co., Ltd.,
  • thermosetting resin layer in the B-stage state was formed to obtain a two-layered film substrate for forming singulated bodies of a polyimide film and a thermosetting resin layer.
  • first laminate and second laminate An adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer (trade name: Cosmotac series, Cosmo Co., Ltd. Tec, thickness of first support film: 50 ⁇ m, thickness of first adhesive layer: 7 ⁇ m, thickness of entire adhesive film: 57 ⁇ m) on the pressure-sensitive adhesive layer side and singulated
  • a first laminate was obtained by laminating the body-forming film substrate and the adhesive film.
  • the cut depth of the adhesive film (the cut depth of the first cut portion) was adjusted to 10 ⁇ m or less, and the singulated body-forming film substrate was cut.
  • a circular die-cutting process (first pre-cutting process) of ⁇ 335 mm was performed. After that, unnecessary portions of the film base material for forming singulated bodies were removed to prepare a second laminate comprising a film for forming singulated bodies.
  • a dicing film substrate having a pressure-sensitive adhesive layer (thickness of the second support film: 100 ⁇ m, thickness of the second adhesive layer: 10 ⁇ m, thickness of the entire dicing film substrate: 110 ⁇ m) is prepared, The pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing film substrate was placed on the thermosetting resin layer of the singulated body-forming film in the second laminate obtained above, and the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing film substrate was placed at 25 ° C. and a linear pressure of 1 kg / cm. , at a speed of 0.5 m/min.
  • the cut depth of the adhesive film (the cut depth of the second cut portion) is adjusted to 10 ⁇ m or less, and the dicing film substrate is concentric with the singulated body forming film, and ⁇ 370 mm.
  • a laminated film for forming singulated bodies of Example 1 was produced by performing a circular die-cutting process (second pre-cutting process).
  • thermosetting resin layer in a B-stage state having a thickness of 20 ⁇ m is formed on both sides of the polyimide film, and two thermosetting resin layers and the thermosetting resin layer are formed.
  • a three-layered film substrate for forming singulated bodies was obtained, which had a polyimide film arranged so as to be sandwiched between resin layers.
  • the two-layer singulated object forming film substrate is changed to a three-layer singulated object forming film substrate, and an adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer is replaced with a three-layer singulated object forming film substrate.
  • thermosetting resin layer of the film substrate has adhesiveness
  • Example 1 except that the first support film (polyethylene terephthalate (PET) film) having no pressure-sensitive adhesive layer was used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the first peel strength was measured by peeling off the adhesive film under conditions of a measurement temperature of 25° C., a peeling angle of 30°, and a peeling speed of 60 mm/min while the measurement sample was fixed.
  • the first peel strength was 0.15N/25mm.
  • Second Peel Strength (30° Peel Strength of Dicing Film to Singulated Body Film) Using the laminated film for singulated body formation of Example 1, the second peel strength was measured.
  • the second peel strength was measured by the following method. First, a measurement sample was prepared by cutting out the laminated film for singulated body formation into a size of 25 mm in width and 100 mm in length. Next, the adhesive film was peeled off from the measurement sample, and the singulated body forming film side of the measurement sample was fixed to a metal support plate. The second peel strength was measured by peeling off the dicing film under conditions of a measurement temperature of 25° C., a peeling angle of 30°, and a peeling speed of 60 mm/min while the measurement sample was fixed. The second peel strength was 3.6N/25mm.
  • singulated bodies were produced in the following procedure.
  • the adhesive film was peeled off from the laminated film for forming singulated bodies, and a dicing ring was attached thereto at 25°C.
  • a laminated film for forming singulated bodies is cut with a blade (ZH05-SD4800-N1-50 DD, manufactured by Disco Co., Ltd.) using a dicer (Full Auto Dicer DF6361, manufactured by Disco Co., Ltd.), which is an apparatus for performing blade dicing. )
  • the singulated bodies of Example 1 and Comparative Example 1 were obtained by singulating under the single-cut conditions of a height of 90 ⁇ m, a blade rotation speed of 30,000 rpm, and a blade advancing speed of 30 mm/sec.
  • thermosetting resin layer of singulated body The surfaces of the resulting singulated bodies (singulated bodies of Example 1: surface on the polyimide film side, singulated bodies of Comparative Example 1: surface on the thermosetting resin layer side) were observed by coaxial oblique observation with an optical microscope.
  • the separation distance of the thermosetting resin layer was observed by the method.
  • the separation distance in the singulated body of Comparative Example 1 was 31 ⁇ m.
  • the laminated film for forming singulated bodies of the present disclosure which is a laminated film for forming singulated bodies that includes a film for forming singulated bodies that is singulated into a plurality of pieces by dicing, is a laminated film for forming singulated bodies of the present disclosure. It was confirmed that it is possible to sufficiently suppress defects when the forming film is diced into individual pieces.
  • Adhesive film 1a First support film 1b
  • First adhesive layer 2
  • Dicing film 2A
  • Second support film 2b
  • Laminated film for forming support piece 20
  • First laminate 30
  • Second laminate 40
  • Substrate 50
  • Sealing material 60

Abstract

個片化体形成用積層フィルムが開示される。当該個片化体形成用積層フィルムは、第一の支持フィルムと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層と、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムと、第二の粘着剤層と、第二の支持フィルムとをこの順序で備える。個片化体形成用フィルムは、熱硬化性樹脂層と、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とを有するフィルムである。個片化体形成用フィルムにおける剛材層は、第一の粘着剤層上に積層されている。

Description

個片化体形成用積層フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
　本開示は、個片化体形成用積層フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法、特に、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置に関する。
　近年、半導体装置の分野において、高集積、小型化、及び高速化が求められており、半導体装置の一態様として、基板上に配置されたコントローラーチップの上に半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献１は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアセンブリを開示している。特許文献１の図１Ａに図示された半導体アセンブリ１００はドルメン構造を有するということができる。半導体アセンブリ１００は、パッケージ基板４０２と、その表面上に配置されたコントローラダイ１０３と、コントローラダイ１０３の上方に配置されたメモリダイ１０６ａ，１０６ｂと、メモリダイ１０６ａを支持する支持部材１３０ａ，１３０ｂとを備える。
　特許文献１は、支持部材（支持片）として、シリコン等の半導体材料が使用できること、より具体的には半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片が使用できることを開示している。
　また、特許文献２は、支持部材（支持片）として、シリコン等の半導体材料に代えて、樹脂材料を主成分とする樹脂フィルムが使用できることを開示している。樹脂フィルムとして、例えば、二つの熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層で挟むように配置され、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とをこの順に有する三層フィルムを例示している。
特表２０１７－５１５３０６号公報 国際公開第２０２０／２１７４０４号
　ところで、本発明者らの検討によると、従来の三層フィルムである樹脂フィルムをダイシングして個片化する際に、最表面側の熱硬化性樹脂層と剛材層との間で剥離が発生する、ダイシングラインの切断面（側面）にバリと呼ばれる切削くずが発生する等の不具合が発生する場合があることが見出された。
　そこで、本開示は、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムを備える個片化体形成用積層フィルムにおいて、個片化体形成用フィルムをダイシングして個片化する際の不具合を充分に抑制することが可能な個片化体形成用積層フィルムを提供することを主な目的とする。
　本開示の一側面は、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムを備える個片化体形成用積層フィルムに関する。当該個片化体形成用積層フィルムは、第一の支持フィルムと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層と、個片化体形成用フィルムと、第二の粘着剤層と、第二の支持フィルムとをこの順序で備える。個片化体形成用フィルムは、熱硬化性樹脂層と、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とを有するフィルムである。剛材層は、例えば、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層又は熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する金属層であってよい。個片化体形成用フィルムは、二層フィルムであり得る。個片化体形成用フィルムにおける剛材層は、第一の粘着剤層上に積層されている。剛材層は、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層であってよく、例えば、ポリイミド層であり得る。
　このような構成の個片化体形成用積層フィルムにおいては、個片化体形成用フィルムをダイシングして個片化する際において、最表面側の熱硬化性樹脂層が存在しないことになることから、最表面側の熱硬化性樹脂層と剛材層との間での剥離が起こらず、ダイシングラインの切断面（側面）に発生する熱硬化性樹脂層に由来すると推測されるバリも低減される。これにより、個片化体形成用フィルムをダイシングして個片化する際に発生する不具合を充分に抑制することが可能となる。
　個片化体形成用積層フィルムは、半導体装置の製造プロセスにおいて使用されるものであってよい。個片化体形成用積層フィルムから形成される個片化体は、例えば、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置において、支持片として使用することができる。すなわち、個片化体形成用積層フィルムは、支持片形成用積層フィルムとして使用でき、個片化体形成用フィルムは、支持片形成用フィルムとして使用できる。また、個片化体形成用積層フィルムから形成される個片化体は、支持片以外にも、例えば、半導体チップに貼り付ける等により、半導体チップの補強片（補強材）として使用することもできる。
　第二の粘着剤層は、紫外線硬化型粘着剤層であっても、非紫外線硬化型粘着剤層であってもよい。すなわち、第二の粘着剤層は、紫外線照射によって硬化するものであっても、そうでなくてもよく、換言すれば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有しても、含有しなくてもよい。なお、非紫外線硬化型粘着剤層が光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有してもよい。例えば、粘着剤層は、その所定の領域に紫外線を照射することによって当該領域の粘着性を低下させたものであってもよく、例えば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂が残存していてもよい。
　本開示の他の一側面は、個片化体形成用積層フィルムの製造方法に関する。当該個片化体形成用積層フィルムの製造方法は、第一の支持フィルムと、第一の粘着剤層と、個片化体形成用フィルム基材とをこの順序で備える第一の積層体を準備する工程と、第一の積層体における個片化体形成用フィルム基材を型抜きし、個片化体形成用フィルムを備える第二の積層体を作製する工程と、第二の積層体の個片化体形成用フィルム上に、第二の粘着剤層及び第二の支持フィルムをこの順序で積層する工程とを備える。
　本開示の他の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。半導体装置は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する。当該半導体装置は、第二のチップの一方の面上に設けられており且つ第二のチップと複数の支持片とによって挟まれている接着剤片を備えている。この場合、上記第一のチップは、接着剤片と離間していてもよいし、接着剤片と接していてもよい。
　当該半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。
（Ａ）第一の支持フィルムと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層と、ダイシングすることによって複数に個片化される支持片形成用フィルムと、第二の粘着剤層と、第二の支持フィルムとをこの順序で備え、支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層と、熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とを有するフィルムであり、支持片形成用フィルムにおける剛材層が第一の粘着剤層上に積層されている、支持片形成用積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムをダイシングすることによって、第二の粘着剤層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）第二の粘着剤層から支持片をピックアップする工程
（Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程
（Ｅ）基板上であって第一のチップの周囲又は第一のチップが配置されるべき領域の周囲に複数の支持片を配置する工程
（Ｆ）第二のチップと、第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程
（Ｇ）複数の支持片の表面上に接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程
　第二の粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤層である場合、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程との間に、第二の粘着剤層に紫外線を照射する工程を備えることにより、第二の粘着剤層の粘着性を低下させることができる。
　本開示によれば、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムを備える個片化体形成用積層フィルムにおいて、個片化体形成用フィルムをダイシングして個片化する際の不具合を充分に抑制することが可能な個片化体形成用積層フィルム及びその製造方法が提供される。また、本開示によれば、このような個片化体形成用積層フィルム（支持片形成用積層フィルム）を用いた半導体装置の製造方法が提供される。
図１（ａ）は、個片化体形成用積層フィルムの一実施形態を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、個片化体形成用積層フィルムの作製過程を模式的に示す断面図である。 図３（ａ）及び（ｂ）は、個片化体形成用積層フィルムの作製過程を模式的に示す断面図である。 図４は、本開示の半導体装置の第一実施形態を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第一のチップと複数の支持片との位置関係の例を模式的に示す平面図である。 図６は、支持片形成用積層フィルムの一実施形態を模式的に示す断面図である。 図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、支持片の作製過程を模式的に示す断面図である。 図８は、基板上であって第一のチップの周囲に複数の支持片を配置した状態を模式的に示す断面図である。 図９は、接着剤片付きチップの一例を模式的に示す断面図である。 図１０は、基板上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。 図１１は、本開示の半導体装置の第二実施形態を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
　本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
　本明細書に例示する各成分及び材料は、特に断らない限り、一種を単独で使用してもよく、二種以上を併用して使用してもよい。
［個片化体形成用積層フィルム］
　図１（ａ）は、個片化体形成用積層フィルムの一実施形態を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。個片化体形成用積層フィルム１０（以下、単に「積層フィルム１０」という場合がある。）は、第一の支持フィルム１ａと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層１ｂと、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムＤ（以下、単に「フィルムＤ」という場合がある。）と、第二の粘着剤層２ｂと、第二の支持フィルム２ａとをこの順序で備える。
　第一の支持フィルム１ａと、第一の支持フィルム１ａ上に設けられた第一の粘着剤層１ｂとを有する積層フィルムを「粘着性フィルム１」という場合がある。第二の支持フィルム２ａと、第二の支持フィルム２ａ上に設けられた第二の粘着剤層２ｂとを有する積層フィルムを「ダイシングフィルム２」という場合がある。積層フィルム１０において、ダイシングフィルム２の第二の粘着剤層２ｂの一部は、粘着性フィルム１の第一の粘着剤層１ｂと接していてもよいし（図１（ｂ）参照）、接していなくてもよい。
　第一の支持フィルム１ａとしては、例えば、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィドなどのフィルムが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、２種以上のフィルムから構成される多層フィルムであってもよい。第一の支持フィルム１ａの厚さは、例えば、１～２００μｍ、１０～１００μｍ、又は２０～５０μｍであってよい。
　第一の粘着剤層１ｂは、非紫外線硬化型粘着剤からなる層（非紫外線硬化型粘着剤層）である。非紫外線硬化型粘着剤は、短時間の加圧で一定の粘着性を示す粘着剤であり、従来公知の粘着剤を用いることができる。非紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、合成ゴム系、アクリル樹脂系、ポリビニルエーテル樹脂系、ウレタン樹脂系、シリコーン樹脂系等の粘着剤が挙げられる。第一の粘着剤層１ｂの厚さは、例えば、５～２０μｍであってよい。
　粘着性フィルム１は、市販品を用いることができる。粘着性フィルムの市販品としては、例えば、ＰＥＴ７５－Ｈ２１２０（１０）（商品名、日榮新化株式会社製）、コスモタックシリーズ（商品名、株式会社コスモテック製）、ヒタレックスＤＴシリーズ（商品名、昭和電工マテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
　粘着性フィルム１の厚さは、例えば、５～１５０μｍ、１５～１００μｍ、又は２５～７０μｍであってよい。
　フィルムＤは、熱硬化性樹脂層Ｄ１と、熱硬化性樹脂層Ｄ１よりも高い剛性を有する剛材層Ｄ２とを有するフィルムである。フィルムＤは、二層フィルムであり得る。フィルムＤにおける剛材層Ｄ２は、第一の粘着剤層１ｂ上に積層されている。
　熱硬化性樹脂層Ｄ１を構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後に加熱処理によって硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。熱硬化性樹脂組成物は、所望の効果がより一層得られ易いことから、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマとを含有していてもよく、必要に応じて、無機フィラー、硬化促進剤等をさらに含有していてもよい。熱硬化性樹脂層Ｄ１は、少なくとも一部が硬化した、半硬化（Ｂステージ）状態のものであっても、その後に加熱処理によって硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものであってもよい。
（エポキシ樹脂）
　エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂としては、例えば、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等も挙げられる。
（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン、酸無水物等が挙げられる。これらの中でも、硬化剤は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、フェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂の市販品としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製のＬＦ－４８７１（商品名、ＢＰＡノボラック型フェノール樹脂）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥ－１００Ｃ－３０（商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂）、ＤＩＣ株式会社製のフェノライトＫＡ及びＴＤシリーズ、三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣ－シリーズ及びＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ１００Ｃ－３０）、明和化成株式会社製のＭＥＨＣ－７８００シリーズ（例えば、ＭＥＨＣ－７８００－４Ｓ）、ＪＥＦケミカル株式会社製のＪＤＰＰシリーズ、群栄化学工業株式会社製のＰＳＭシリーズ（例えば、ＰＳＭ－４３２６）等が挙げられる。
　エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の配合量は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で、０．６～１．５、０．７～１．４、又は０．８～１．３であってよい。配合比がこのような範囲にあると、硬化性及び流動性の両方を充分に高水準に達成し易い傾向にある。
（エラストマ）
　エラストマとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン、カルボキシ変性アクリロニトリル等が挙げられる。
　エラストマは、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、アクリル樹脂であってよい。アクリル樹脂は、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合することによって得られるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等のアクリル樹脂であってよい。これらの中でも、アクリル樹脂は、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体及びエポキシ基含有アクリルゴムであってよく、好ましくはエポキシ基含有アクリルゴムである。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート、アクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレート、アクリロニトリル等の共重合体などのエポキシ基を有するゴムである。なお、アクリル樹脂は、エポキシ基だけでなく、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有していてもよい。
　アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ナガセケムテック株式会社製のＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）等が挙げられる。
　アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、－５０～５０℃であることが好ましく、－３０～３０℃であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、１０万～３００万であることが好ましく、５０万～２００万であることがより好ましい。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、分子量分布の狭いアクリル樹脂を用いることによって、高弾性の個片化体を形成できる傾向にある。
　エラストマの含有量は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００質量部に対して、１０～２００質量部又は２０～１００質量部であってよい。
（無機フィラー）
　無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。
　無機フィラーの平均粒径は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、０．００５μｍ～１．０μｍ又は０．０５～０．５μｍであってよい。無機フィラーの表面は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、化学修飾されていてもよい。表面を化学修飾する材料としては、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤の官能基の種類としては、例えば、ビニル基、アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　無機フィラーの含有量は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分（エポキシ樹脂、硬化剤、及びエラストマ）１００質量部に対して、２０～２００質量部又は３０～１００質量部であってよい。
（硬化促進剤）
　硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。硬化促進剤は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、イミダゾール類であってよい。イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。
　硬化促進剤の含有量は、高いシェア強度（ダイシェア強度）を達成する観点から、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００質量部に対して、０．０４～３質量部又は０．０４～０．２質量部であってよい。
　剛材層Ｄ２は、例えば、熱硬化性樹脂層Ｄ１よりも高い剛性を有する樹脂層又は熱硬化性樹脂層Ｄ１よりも高い剛性を有する金属層であってよい。当該樹脂層は、熱硬化性樹脂層Ｄ１と異なる材質からなるものであり、例えば、ポリイミド層であってよい。剛材層Ｄ２が当該樹脂層であると、ダイシングによって個片化された後において、熱硬化性樹脂層Ｄ１の熱硬化処理を実施しなくても、ピックアップ性に優れる傾向にある。当該金属層は、例えば、銅層又はアルミニウム層であってよい。剛材層Ｄ２が当該金属層であると、優れたピックアップ性に加え、樹脂材料と金属材料との光学的なコントラストにより、ピックアップ工程において優れた視認性を有する傾向にある。
　フィルムＤの厚さに対する熱硬化性樹脂層Ｄ１の厚さの比率（熱硬化性樹脂層Ｄ１の厚さ／フィルムＤの厚さ）は、０．１～０．８、０．２～０．７、又は０．２～０．６であってよい。当該比率が０．１以上であると、例えば、個片化体を配置した後の位置ずれ抑制に優れる傾向にある。当該比率が０．８以下であると、ピックアップ性に優れる傾向にある。熱硬化性樹脂層Ｄ１の厚さは、例えば、５～１２０μｍ又は１０～６０μｍであってよい。剛材層Ｄ２の厚さは、例えば、２０～８０μｍ又は２０～６０μｍであってよい。
　フィルムＤは、例えば、パンチング刃等により、個片化体形成用フィルム基材を所望の形状に型抜きした（例えば、「（プリ）カットした」、「切断した」と言い換えることもできる。）ものであり得る。フィルムＤの平面視における形状は、例えば、図１（ａ）に示す円形であってもよく、矩形（正方形又は長方形）であってもよい。フィルムＤの平面視における形状が円形である場合、フィルムＤの直径は、例えば、２９０～３４０ｍｍ又は３１０～３３５ｍｍであってよい。
　第二の支持フィルム２ａとしては、第一の支持フィルム１ａで例示したフィルムと同様のものが例示できる。第二の支持フィルム２ａの厚さは、例えば、１～２００μｍ、５０～１７０μｍ、又は７０～１３０μｍであってよい。
　第二の粘着剤層２ｂは、粘着剤からなる層（粘着剤層）である。粘着剤は、当該分野で一般的に使用される粘着剤を使用でき、紫外線硬化型粘着剤又は非紫外線硬化型粘着剤のいずれであってもよい。すなわち、第二の粘着剤層２ｂは、紫外線硬化型粘着剤層又は非紫外線硬化型粘着剤層のいずれであってもよい。非紫外線硬化型粘着剤は、第一の粘着剤層１ｂで例示した非紫外線硬化型粘着剤と同様のものが例示できる。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射によって、粘着性が低下する性質を有する粘着剤であり、従来公知の粘着剤を用いることができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂等が挙げられる。より具体的には、例えば、アクリル樹脂系等の粘着剤が挙げられる。第二の粘着剤層２ｂの厚さは、例えば、１～１００μｍであってよい。
　ダイシングフィルム２の平面視における形状は、フィルムＤの形状に合わせて適宜形状を調整することができる。ダイシングフィルム２は、例えば、パンチング刃等により、ダイシングフィルム基材を所望の形状に型抜きした（（プリ）カットした、切断した）ものであってよい。ダイシングフィルム２の平面視における形状は、例えば、図１（ａ）に示す円形であってもよく、矩形（正方形又は長方形）であってもよい。ダイシングフィルム２の平面視における形状が円形である場合、ダイシングフィルム２の直径は、例えば、２９０～５００ｍｍ又は３１０～４００ｍｍであってよい。
　ダイシングフィルム２の厚さは、例えば、５～２００μｍ、１５～１７０μｍ、又は３０～１４０μｍであってよい。
　積層フィルム１０において、フィルムＤ（剛材層Ｄ２）に対する粘着性フィルム１（第一の粘着剤層１ｂ）の３０°ピール強度（第一のピール強度）は、フィルムＤ（熱硬化性樹脂層Ｄ１）に対するダイシングフィルム２（第二の粘着剤層２ｂ）の３０°ピール強度（第二のピール強度）よりも低いことが好ましい。ピール強度がこのような関係にあることにより、積層フィルム１０において、ダイシングフィルム２よりも粘着性フィルム１を先に剥がし易くなる。
　第一のピール強度は、例えば、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であってよく、０．４Ｎ／２５ｍｍ以下又は０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。第一のピール強度の下限は、例えば、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。第一のピール強度は、以下の方法によって測定することができる。まず、積層フィルム１０を準備し、これを幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍで切り出すことによって測定試料を作製する。次いで、測定試料からダイシングフィルム２を剥がし、金属製の支持板に、測定試料のフィルムＤ側を固定する。測定試料を固定した状態で、測定温度２５℃、剥離角度３０°、及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で粘着性フィルム１を引き剥がすことによって、第一のピール強度を測定することができる。
　第二のピール強度は、０．５Ｎ／２５ｍｍ超であってよく、１．０Ｎ／２５ｍｍ以上又は２．０Ｎ／２５ｍｍ以上であってもよい。第二のピール強度の上限は、例えば、５．０Ｎ／２５ｍｍ以下であってよい。第二のピール強度は、以下の方法によって測定することができる。まず、積層フィルム１０を準備し、これを幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍで切り出すことによって測定試料を作製する。次いで、測定試料から粘着性フィルム１を剥がし、金属製の支持板に、測定試料のフィルムＤ側を固定する。測定試料を固定した状態で、測定温度２５℃、剥離角度３０°、及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件でダイシングフィルム２を引き剥がすことによって、第二のピール強度を測定することができる。
　ダイシングフィルム２（第二の粘着剤層２ｂ）の一部が粘着性フィルム１（第一の粘着剤層１ｂ）と接している場合、ダイシングフィルム２（第二の粘着剤層２ｂ）に対する粘着性フィルム１（第一の粘着剤層１ｂ）の９０°ピール強度（第三のピール強度）は、例えば、０．２Ｎ／２５ｍｍ以下であってよく、０．１Ｎ／２５ｍｍ以下又は０．０５Ｎ／２５ｍｍ以下であってもよい。第三のピール強度の下限は、例えば、０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。第三のピール強度は、以下の方法によって測定することができる。まず、積層フィルム１０を準備し、これを幅２５ｍｍ×長さ２００ｍｍで切り出すことによって測定試料を作製する。次いで、金属製の支持板に、測定試料のダイシングフィルム２側を固定する。測定試料を固定した状態で、測定温度２５℃、剥離角度９０°、及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で粘着性フィルム１を引き剥がすことによって、第三のピール強度を測定することができる。第三のピール強度が上記範囲にあることにより、積層フィルム１０から粘着性フィルム１を容易に剥離することができる。
　積層フィルム１０は、半導体装置の製造プロセスにおいて使用されるものであってよい。積層フィルム１０から形成される個片化体は、例えば、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置において、支持片として使用することができる。
　また、積層フィルム１０から形成される個片化体は、例えば、半導体チップに貼り付ける等により、半導体チップの補強材として使用することもできる。積層フィルム１０から形成される個片化体は、後述の半導体装置の製造方法における（Ａ）～（Ｃ）の工程を含む方法によって製造することができる。
［個片化体形成用積層フィルムの製造方法］
　図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）、並びに、図３（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、個片化体形成用積層フィルムの作製過程を模式的に示す断面図である。積層フィルム１０の製造方法は、第一の支持フィルム１ａと、第一の粘着剤層１ｂと、個片化体形成用フィルム基材ＤＡ（以下、単に「フィルム基材ＤＡ」という場合がある。）とをこの順序で備える第一の積層体２０を準備する工程（第一の工程）と、第一の積層体２０におけるフィルム基材ＤＡを型抜きし、フィルムＤを備える第二の積層体３０を作製する工程（第二の工程）と、第二の積層体３０のフィルムＤ上に、第二の粘着剤層２ｂ及び第二の支持フィルム２ａをこの順序で積層する工程（第三の工程）とを備える。なお、フィルム基材ＤＡは、フィルムＤの原反であり得る。
（第一の工程）
　本工程は、第一の積層体２０を準備する工程である。第一の積層体２０は、当該構成の積層体が得られるのであれば特に作製方法は制限されないが、第一の支持フィルム１ａと、第一の支持フィルム１ａ上に設けられた第一の粘着剤層１ｂとを有する粘着性フィルム１の第一の粘着剤層１ｂ上に、熱硬化性樹脂層Ｄ１と、剛材層Ｄ２とを有するフィルム基材ＤＡの剛材層Ｄ２側を配置し、粘着性フィルム１とフィルム基材ＤＡとを貼り合わせることによって得ることができる（図２（ａ）参照）。
　熱硬化性樹脂層Ｄ１は、例えば、熱硬化性樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する方法によって形成することができる。熱硬化性樹脂層Ｄ１の形成においては、熱硬化性樹脂組成物のワニス（熱硬化性樹脂ワニス）を用いてもよい。熱硬化性樹脂ワニスを用いる場合は、上記成分を溶剤中で混合又は混練して熱硬化性樹脂ワニスを調製し、得られた熱硬化性樹脂ワニスを支持フィルム上に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって熱硬化性樹脂層Ｄ１を得ることができる。
　支持フィルムは、上記の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等であってよい。支持フィルムは、２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。支持フィルムの厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
　熱硬化性樹脂ワニスの調製に用いられる溶剤は、各成分を均一に溶解、混練、又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂ワニスを支持フィルム上に塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。加熱乾燥は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限されないが、５０～１５０℃の範囲で、１～３０分の範囲で行うことができる。加熱乾燥は、異なる加熱温度で異なる加熱時間で段階的に行うことができる。
　フィルム基材ＤＡは、熱硬化性樹脂層Ｄ１と剛材層Ｄ２とを加熱されたゴムロールで貼り合わせることによって得ることができる。
　第一の積層体２０は、粘着性フィルム１の第一の粘着剤層１ｂ上に、剛材層Ｄ２及び熱硬化性樹脂層Ｄ１をこの順に積層してフィルム基材ＤＡを作製することよっても得ることができる。この場合、粘着性フィルム１の第一の粘着剤層１ｂと剛材層Ｄ２とを貼り合わせた後、熱硬化性樹脂ワニスを剛材層Ｄ２に塗布することによって熱硬化性樹脂層Ｄ１を設けることができる。
（第二の工程）
　本工程は、第二の積層体３０を作製する工程である。ここでは、作製した第一の積層体２０のフィルム基材ＤＡを所望の形状（例えば、円形）となるように、パンチング刃等により、位置Ｌ１においてフィルム基材ＤＡの上面から方向Ｘで切り込みを入れ、型抜きする（（プリ）カットする、切断する）ことによって、フィルムＤを備える第二の積層体３０を作製することができる（図２（ｂ）、（ｃ）参照、第一のプリカット加工）。フィルム基材ＤＡを型抜きする際の切り込みは、粘着性フィルム１の一部にまで到達していてもよい。
　なお、本発明者らの検討によると、粘着性フィルム１が第一の粘着剤層１ｂを有することにより、第一の支持フィルム１ａと剛材層Ｄ２との剥離が抑制されることが見出された。また、本発明者らの検討によると、粘着性フィルム１が第一の粘着剤層１ｂを有することにより、製造工程でフィルム基材ＤＡ又はフィルムＤに付着した異物（例えば、樹脂のカス等）を効率よく除去できることが見出された。そのため、粘着性フィルム１が第一の粘着剤層１ｂを有することにより、フィルム基材ＤＡの型抜きにおける歩留まりを改善することが可能となる。異物は、例えば、積層フィルム１０又はフィルムＤを使用する際に、粘着性フィルム１を剥離する際に除去され得る。剥離後の粘着性フィルム１は、通常、破棄されるため、異物が第一の粘着剤層１ｂに付着することにより、フィルム基材ＤＡ又はフィルムＤから取り除かれ、そのまま粘着性フィルム１とともに破棄されることになる。また、粘着性フィルム１が設けられることにより、フィルム基材ＤＡの型抜きによって露出し得る第二の粘着剤層２ｂの保護層として機能し、例えば、搬送又は出荷の工程における第二の粘着剤層２ｂへの異物の付着を防止することができる。
　フィルム基材ＤＡを所望の形状（例えば、円形）に型抜きする際には、型抜きされた所望の形状の外縁に沿って、粘着性フィルム１の表面に第一の切り込み部が形成されていてもよい。第一の切り込み部の切り込み深さは、例えば、粘着性フィルム１の厚さ未満であり、かつ２５μｍ以下であってよい。
（第三の工程）
　本工程は、フィルムＤの熱硬化性樹脂層Ｄ１上に、第二の粘着剤層２ｂ及び第二の支持フィルム２ａをこの順序で積層する工程である（図３（ａ）、（ｂ）参照）。第二の粘着剤層２ｂ及び第二の支持フィルム２ａをこの順序で積層する方法としては、例えば、第二の支持フィルム２ａと、第二の支持フィルム２ａ上に設けられた第二の粘着剤層２ｂとを有するダイシングフィルム基材２Ａを、フィルムＤの熱硬化性樹脂層Ｄ１の表面全体を覆うように配置し、配置されたダイシングフィルム基材２Ａを所望の形状（例えば、円形）となるように、パンチング刃等により位置Ｌ２においてダイシングフィルム基材２Ａの上面から方向Ｙで切り込みを入れ、型抜きする（（プリ）カットする、切断する）方法（図３（ｂ）参照、第二のプリカット加工）等が挙げられる。ダイシングフィルム基材２ＡをフィルムＤの熱硬化性樹脂層Ｄ１の表面に積層する場合、ダイシングフィルム基材２Ａの第二の粘着剤層２ｂの一部は、粘着性フィルム１の第一の粘着剤層１ｂと接していてもよいし（図３（ｂ）参照）、接していなくてもよい。また、ダイシングフィルム基材２Ａ（ダイシングフィルム２）は、フィルムＤの側面と接していてもよい。ダイシングフィルム基材２Ａを型抜きする際の切り込みは、粘着性フィルム１の一部にまで到達していてもよい。
　ダイシングフィルム基材２Ａは、ダイシングフィルム２の原反であり得る。ダイシングフィルム基材２Ａは、市販品を用いることができる。また、ダイシングフィルム基材２Ａは、例えば、第二の粘着剤層２ｂを構成する粘着剤（紫外線硬化型粘着剤又は非紫外線硬化型粘着剤）のワニス（粘着剤ワニス）を調製し、粘着剤ワニスを第二の支持フィルム２ａ上に塗布し、次いで溶剤を加熱乾燥して除去することによって得ることができる。粘着剤ワニスを第二の支持フィルム２ａ上に塗布する際に使用される溶剤、粘着剤ワニスの塗布方法、溶剤の除去方法等は、例えば、上記の熱硬化性樹脂ワニスを支持フィルム上に塗布する際に使用される溶剤、粘着剤ワニスの塗布方法、溶剤の除去方法等と同様であってよい。
　ダイシングフィルム基材２Ａを所望の形状（例えば、円形）に型抜きする際には、型抜きされた所望の形状の外縁に沿って、粘着性フィルム１の表面に第二の切り込み部が形成されていてもよい。第二の切り込み部の切り込み深さは、例えば、粘着性フィルム１の厚さ未満であり、かつ２５μｍ以下であってよい。
［半導体装置及びその製造方法］
＜第一実施形態＞
　図４は、本開示の半導体装置の第一実施形態を模式的に示す断面図である。図４に示す半導体装置１００は、基板４０と、基板４０の表面上に配置されたチップＴ１（第一のチップ）と、基板４０の表面上であってチップＴ１の周囲に配置された複数の支持片ＤＸｃと、チップＴ１の上方に配置されたチップＴ２（第二のチップ）と、チップＴ２と複数の支持片ＤＸｃとによって挟まれている接着剤片Ｔｃと、チップＴ２上に積層されたチップＴ３，Ｔ４と、基板４０の表面上の電極（不図示）とチップＴ１～Ｔ４とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤｗと、チップＴ１とチップＴ２との隙間等に充填された封止材５０とを備える。支持片ＤＸｃは、フィルムＤを個片化した個片化体の硬化物であり得る。
　本実施形態においては、複数の支持片ＤＸｃと、チップＴ２と、支持片ＤＸｃとチップＴ２との間に位置する接着剤片Ｔｃとによって基板４０上にドルメン構造が構成されている。チップＴ１は、接着剤片Ｔｃと離間している。支持片ＤＸｃの厚さを適宜設定することで、チップＴ１の上面と基板４０とを接続するワイヤｗのためのスペースを確保することができる。チップＴ１が接着剤片Ｔｃと離間していることで、チップＴ１と接続されるワイヤｗの上部がチップＴ２に接することによるワイヤｗのショートを防ぐことができる。また、チップＴ２と接する接着剤片Ｔｃにワイヤを埋め込む必要性がないため、接着剤片Ｔｃを薄くできるという利点がある。
　図４に示すように、チップＴ１とチップＴ２との間の接着剤片Ｔｃは、チップＴ２におけるチップＴ１と対面する領域Ｒを覆うとともに、領域ＲからチップＴ２の周縁側にまで連続的に延在している。つまり、一つの接着剤片Ｔｃが、チップＴ２の領域Ｒを覆うとともに、チップＴ２と複数の支持片の間に介在し、これらを接着している。なお、図４には、接着剤片ＴｃがチップＴ２の一方の面（下面）の全体を覆うように設けられている態様を図示している。しかし、接着剤片Ｔｃは、半導体装置１００の製造過程において収縮することがあり得るため、チップＴ２の一方の面（下面）の全体を実質的に覆っていればよく、例えば、チップＴ２の周縁の一部に接着剤片Ｔｃで覆われていない箇所があってもよい。図４におけるチップＴ２の下面はチップの裏面に相当する。近年のチップの裏面は凹凸が形成されていることが多い。チップＴ２の裏面の実質的全体が接着剤片Ｔｃで覆われていることで、チップＴ２にクラック又は割れが生じることを抑制できる。
　基板４０は、有機基板であってもよく、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板４０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板４０の厚さは、例えば、９０～３００μｍであり、９０～２１０μｍであってもよい。
　チップＴ１は、例えば、コントローラーチップであり、接着剤片Ｔ１ｃによって基板４０に接着され且つワイヤｗによって基板４０と電気的に接続されている。平面視におけるチップＴ１の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ１の一辺の長さは、例えば、５ｍｍ以下であり、２～５ｍｍ又は１～５ｍｍであってもよい。チップＴ１の厚さは、例えば、１０～１５０μｍであり、２０～１００μｍであってもよい。
　チップＴ２は、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介して支持片ＤＸｃの上に接着されている。平面視でチップＴ２は、チップＴ１よりも大きいサイズを有する。平面視におけるチップＴ２の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ２の一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、４～２０ｍｍ又は４～１２ｍｍであってもよい。チップＴ２の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。なお、チップＴ３，Ｔ４も、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介してチップＴ２の上に接着されている。チップＴ３，Ｔ４の一辺の長さは、チップＴ２と同様であればよく、チップＴ３，Ｔ４の厚さもチップＴ２と同様であればよい。
　支持片ＤＸｃは、チップＴ１の周囲に空間を形成するスペーサーの役割を果たす。支持片ＤＸｃは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる層（熱硬化性樹脂層を硬化した層）及び剛材層を、基板４０からこの順に備えている。なお、図５（ａ）に示すように、チップＴ１の両側の離れた位置に、二つの支持片ＤＸｃ（形状：長方形）を配置してもよいし、図５（ｂ）に示すように、チップＴ１の角に対応する位置にそれぞれ一つの支持片ＤＸｃ（形状：正方形、計４個）を配置してもよい。平面視における支持片ＤＸｃの一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、１～２０ｍｍ又は１～１２ｍｍであってもよい。支持片ＤＸｃの厚さ（高さ）は、例えば、１０～１８０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。
　次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は、以下の（Ａ）～（Ｇ）の工程を備える。本実施形態の製造方法は、以下の（Ｈ）の工程をさらに含んでいてもよい。
（Ａ）第一の支持フィルム１ａと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層１ｂと、ダイシングすることによって複数に個片化される支持片形成用フィルムＤＸ（以下、単に「フィルムＤＸ」という場合がある。）と、第二の粘着剤層２ｂと、第二の支持フィルム２ａとをこの順序で備え、フィルムＤＸが、熱硬化性樹脂層Ｄ１と、熱硬化性樹脂層Ｄ１よりも高い剛性を有する剛材層Ｄ２とを有するフィルムであり、フィルムＤＸにおける剛材層Ｄ２が第一の粘着剤層上に積層されている、支持片形成用積層フィルム１０Ｘ（以下、単に「積層フィルム１０Ｘ」という場合がある。）を準備する工程（図６参照）
（Ｂ）フィルムＤＸをダイシングすることによって、第二の粘着剤層２ｂの表面上に複数の支持片ＤＸａを形成する工程（図７（ｂ）参照）
（Ｃ）第二の粘着剤層２ｂから支持片ＤＸａをピックアップする工程（図７（ｄ）参照）
（Ｄ）基板４０上にチップＴ１を配置する工程
（Ｅ）基板４０上であってチップＴ１の周囲又はチップＴ１が配置されるべき領域の周囲に複数の支持片ＤＸａを配置する工程（図８参照）
（Ｆ）チップＴ２と、チップＴ２の一方の面上に設けられた接着剤片Ｔａとを備える接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程（図９参照）
（Ｇ）複数の支持片ＤＸｃの表面上に接着剤片付きチップＴ２ａを配置することによってドルメン構造を構築する工程（図１０参照）
（Ｈ）チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程（図４参照）
（Ａ）工程
　（Ａ）工程は、積層フィルム１０Ｘを準備する工程である。積層フィルム１０Ｘは、上記の積層フィルム１０を使用することができる。このとき、フィルムＤが、フィルムＤＸとなる。積層フィルム１０Ｘを使用する際には、粘着性フィルム１は、適当なタイミングで剥がされる。粘着性フィルム１を剥がすタイミングは、例えば、（Ａ）工程と（Ｂ）工程との間であってよい。
（Ｂ）工程及び（Ｃ）工程
　（Ｂ）工程は、フィルムＤＸをダイシングすることによって、第二の粘着剤層２ｂの表面上に複数の支持片ＤＸａを形成する工程であり、（Ｃ）工程は、第二の粘着剤層２ｂから支持片ＤＸａをピックアップする工程である。図７（ａ）に示すように、積層フィルム１０Ｘから粘着性フィルム１を剥がした積層体にダイシングリングＤＲを貼り付ける。すなわち、積層フィルム１０Ｘの第二の粘着剤層２ｂにダイシングリングＤＲを貼り付け、ダイシングリングＤＲの内側にフィルムＤＸが配置されている状態にする。この状態において、フィルムＤＸをダイシングによって個片化する（図７（ｂ）参照）。これにより、フィルムＤＸから多数の支持片ＤＸａを得ることができる。その後、第二の粘着剤層２ｂが紫外線硬化型粘着剤層である場合、第二の粘着剤層２ｂに対して紫外線を照射することにより、第二の粘着剤層２ｂと支持片ＤＸａとの間の粘着力を低下させる。図７（ｃ）に示すように、第二の支持フィルム２ａをエキスパンドすることで、支持片ＤＸａを互いに離間させる。図７（ｄ）に示すように、支持片ＤＸａを突き上げ治具４２で突き上げることによって第二の粘着剤層２ｂから支持片ＤＸａを剥離させるとともに、吸引コレット４４で吸引して支持片ＤＸａをピックアップする。なお、ダイシングする前のフィルムＤＸ又はピックアップする前の支持片ＤＸａを加熱することによって、熱硬化性樹脂層Ｄ１の硬化反応を進行させておいてもよい。ピックアップする際に支持片ＤＸａが適度に硬化していることでピックアップ性に優れる傾向にある。個片化のための切り込みは、フィルムＤＸの外縁まで形成されていることが好ましい。
（Ｄ）工程
　（Ｄ）工程は、基板４０上にチップＴ１を配置する工程である。例えば、まず、基板４０上の所定の位置に接着剤片Ｔ１ｃを介してチップＴ１を配置する。その後、チップＴ１はワイヤｗで基板４０と電気的に接続される。（Ｄ）工程は、（Ｅ）工程よりも前に行われる工程であってよく、（Ａ）工程よりも前、（Ａ）工程と（Ｂ）工程との間、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程との間、又は（Ｃ）工程と（Ｅ）工程との間であってもよい。
（Ｅ）工程
　（Ｅ）工程は、基板４０上であってチップＴ１の周囲又はチップＴ１が配置されるべき領域の周囲に複数の支持片ＤＸａを配置する工程である。（Ｅ）工程を経て、図６に示す構造体６０が作製される。構造体６０は、基板４０と、その表面上に配置されたチップＴ１と、複数の支持片ＤＸａとを備える。支持片ＤＸａの配置は圧着処理によって行うことができる。圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することができる。なお、支持片ＤＸａは、（Ｅ）工程の時点で完全に硬化して支持片ＤＸｃとなっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片ＤＸａは、（Ｇ）工程の開始前の時点で完全硬化して支持片ＤＸｃとなっていることが好ましい。
（Ｆ）工程
　（Ｆ）工程は、チップＴ２と、チップＴ２の一方の面上に設けられた接着剤片Ｔａとを備える接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程である。接着剤片付きチップＴ２ａは、チップＴ２と、その一方の表面に設けられた接着剤片Ｔａとを備える。接着剤片付きチップＴ２ａは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。
（Ｇ）工程
　（Ｇ）工程は、複数の支持片ＤＸｃの上面に接着剤片Ｔａが接するように、チップＴ１の上方に接着剤片付きチップＴ２ａを配置する工程である。具体的には、支持片ＤＸｃの上面に接着剤片Ｔａを介してチップＴ２を圧着する。圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することができる。次に、加熱によって接着剤片Ｔａを硬化させる。硬化処理は、例えば、６０～１７５℃、０．０１～１．０ＭＰａの条件で、５分以上にわたって実施することができる。これにより、接着剤片Ｔａが硬化して接着剤片Ｔｃとなる。この工程を経て、基板４０上にドルメン構造が構築される（図１０参照）。チップＴ１が接着剤片付きチップＴ２ａと離間していることで、ワイヤｗの上部がチップＴ２に接することによるワイヤｗのショートを防ぐことができる。また、チップＴ２と接する接着剤片Ｔａにワイヤを埋め込む必要性がないことから、接着剤片Ｔａを薄くできるという利点がある。
　（Ｇ）工程後であって（Ｈ）工程前に、チップＴ２の上に接着剤片を介してチップＴ３を配置し、さらに、チップＴ３の上に接着剤片を介してチップＴ４を配置する。接着剤片は上記の接着剤片Ｔａと同様の熱硬化性樹脂組成物であればよく、加熱硬化によって接着剤片Ｔｃとなる（図４参照）。他方、チップＴ２，Ｔ３，Ｔ４と基板４０とをワイヤｗで電気的にそれぞれ接続する。なお、チップＴ１の上方に積層するチップの数は本実施形態の三つに限定されず、適宜設定することができる。
（Ｈ）工程
　（Ｈ）工程は、チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程である。（Ｈ）工程を経て、図４に示す半導体装置１００を得ることができる。
＜第二実施形態＞
　図１１は、本開示の半導体装置の第二実施形態を模式的に示す断面図である。第一実施形態の半導体装置１００は、チップＴ１が接着剤片Ｔｃと離間している態様であるのに対して、本実施形態の半導体装置２００は、チップＴ１が接着剤片Ｔｃと接している態様である。つまり、接着剤片Ｔｃは、チップＴ１の上面及び支持片ＤＸｃの上面に接している。例えば、フィルムＤＸの厚さを適宜設定することで、チップＴ１の上面の位置と支持片ＤＸｃの上面の位置とを一致させることができる。
　半導体装置２００においては、チップＴ１が基板４０に対して、ワイヤボンディングではなく、フリップチップ接続されている。なお、ワイヤｗが接着剤片Ｔａに埋め込まれるような構成とすることにより、基板４０にチップＴ１がワイヤボンディングされた態様にすることができ、チップＴ１が接着剤片Ｔｃと接した態様にすることができる。接着剤片Ｔａは、チップＴ２とともに接着剤片付きチップＴ２ａを構成するものである（図９参照）。
　図１１に示すように、チップＴ１とチップＴ２との間の接着剤片Ｔｃは、チップＴ２におけるチップＴ１と対面する領域Ｒを覆うとともに、領域ＲからチップＴ２の周縁側にまで連続的に延在している。このような一つの接着剤片Ｔｃが、チップＴ２の領域Ｒを覆うとともに、チップＴ２と複数の支持片の間に介在し、これらを接着している。図１１におけるチップＴ２の下面は裏面に相当する。上記のとおり、近年のチップの裏面は凹凸が形成されていることが多い。チップＴ２の裏面の実質的全体が接着剤片Ｔｃで覆われていることで、接着剤片ＴｃにチップＴ１の上面が接してもチップＴ２にクラック又は割れが生じることを抑制できる。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、第二の粘着剤層２ｂが紫外線硬化型粘着剤層である場合を例示したが、第二の粘着剤層２ｂは非紫外線硬化型粘着剤層であってもよい。
　以下、実施例により本開示について説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
［個片化体形成用積層フィルムの作製］
＜熱硬化性樹脂ワニスの調製＞
　まず、エポキシ樹脂としてのＮ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃）１０質量部、及び、硬化促進剤としてのキュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）０．０２質量部の混合物に対して、ワニス総量を基準として固形分濃度１６質量％になるようにシクロヘキサノンを加えた。次いで、混合物に、カップリング剤としてのＡ－１８９（商品名、日本ユニカー株式会社製、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．４質量部、及び、Ａ－１１６０（商品名、日本ユニカー株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）１．３質量部を加え、さらに無機フィラーとしてのＲ９７２（商品名、日本アエロジル株式会社製、シリカフィラー）８．３質量部、エラストマとしてのＳＧ－Ｐ３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、エポキシ基含有アクリル樹脂）６９質量部、及び硬化剤としてのＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化学株式会社製、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量：１７４ｇ／ｅｑ、軟化点：８０℃）１１質量部を加えて撹拌混合して熱硬化性樹脂ワニスを得た。
＜個片化体形成用フィルム基材の作製＞
　得られた接着層形成用ワニスを、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、ユーピレックス２５ＳＧＡ）の一方の面上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行うことによって、厚さ２０μｍのＢステージ状態にある熱硬化性樹脂層を形成し、ポリイミドフィルム及び熱硬化性樹脂層の二層の個片化体形成用フィルム基材を得た。
＜第一の積層体及び第二の積層体の作製＞
　得られた個片化体形成用フィルム基材の熱硬化性樹脂層が形成されていないポリイミドフィルム面上に、感圧型粘着剤層を有する粘着性フィルム（商品名：コスモタックシリーズ、株式会社コスモテック製、第一の支持フィルムの厚さ：５０μｍ、第一の粘着剤層の厚さ：７μｍ、粘着性フィルム全体の厚さ：５７μｍ）の感圧型粘着剤層側を配置し、個片化体形成用フィルム基材と粘着性フィルムとを貼り合わせることによって、第一の積層体を得た。得られた第一の積層体において、粘着性フィルムの切り込み深さ（第一の切り込み部の切り込み深さ）が１０μｍ以下となるように調節し、個片化体形成用フィルム基材に対してφ３３５ｍｍの円形型抜き加工（第一のプリカット加工）を行った。その後、個片化体形成用フィルム基材の不要部分を除去することによって、個片化体形成用フィルムを備える第二の積層体を作製した。
＜個片化体形成用積層フィルムの作製＞
　感圧型粘着剤層を有するダイシングフィルム基材（第二の支持フィルムの厚さ：１００μｍ、第二の粘着剤層の厚さ：１０μｍ、ダイシングフィルム基材全体の厚さ：１１０μｍ）を準備し、上記で得られた第二の積層体における個片化体形成用フィルムの熱硬化性樹脂層上に、ダイシングフィルム基材の感圧型粘着剤層側を配置し、２５℃、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼り付けた。次いで、粘着性フィルムの切り込み深さ（第二の切り込み部の切り込み深さ）が１０μｍ以下となるように調節し、ダイシングフィルム基材に対して個片化体形成用フィルムと同心円状で、φ３７０ｍｍの円形型抜き加工（第二のプリカット加工）を行い、実施例１の個片化体形成用積層フィルムを作製した。
（比較例１）
　個片化体形成用フィルム基材の作製において、ポリイミドフィルムの両面に、厚さ２０μｍのＢステージ状態にある熱硬化性樹脂層を形成し、二つの熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層に挟まれるように配置されたポリイミドフィルムとを有する三層の個片化体形成用フィルム基材を得た。二層の個片化体形成用フィルム基材を三層の個片化体形成用フィルム基材に変更し、感圧型粘着剤層を有する粘着性フィルムを、三層の個片化体形成用フィルム基材の熱硬化性樹脂層が粘着性を有していることから、感圧型粘着剤層を有しない第一の支持フィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の個片化体形成用積層フィルムを作製した。
［個片化体形成用積層フィルムの評価］
（ピール強度の測定）
・第一のピール強度（個片化体形成用フィルムに対する粘着性フィルムの３０°ピール強度）の測定
　実施例１の個片化体形成用積層フィルムを用いて、第一のピール強度を測定した。第一のピール強度は、以下の方法によって測定した。まず、個片化体形成用積層フィルムを幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍで切り出すことによって測定試料を作製した。次いで、測定試料からダイシングフィルムを剥がし、金属製の支持板に、測定試料の個片化体形成用フィルム側を固定した。測定試料を固定した状態で、測定温度２５℃、剥離角度３０°、及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件で粘着性フィルムを引き剥がすことによって、第一のピール強度を測定した。第一のピール強度は、０．１５Ｎ／２５ｍｍであった。
・第二のピール強度（個片化体形成用フィルムに対するダイシングフィルムの３０°ピール強度）の測定
　実施例１の個片化体形成用積層フィルムを用いて、第二のピール強度を測定した。第二のピール強度は、以下の方法によって測定した。まず、個片化体形成用積層フィルムを幅２５ｍｍ×長さ１００ｍｍで切り出すことによって測定試料を作製した。次いで、測定試料から粘着性フィルムを剥がし、金属製の支持板に、測定試料の個片化体形成用フィルム側を固定した。測定試料を固定した状態で、測定温度２５℃、剥離角度３０°、及び剥離速度６０ｍｍ／分の条件でダイシングフィルムを引き剥がすことによって、第二のピール強度を測定した。第二のピール強度は、３．６Ｎ／２５ｍｍであった。
（個片化体の作製）
　実施例１及び比較例１の個片化体形成用積層フィルムをそれぞれ用いて、以下の手順で個片化体を作製した。個片化体形成用積層フィルムから粘着性フィルムを剥がし、これにダイシングリングを２５℃の条件で貼り付けた。次いで、ブレードダイシングを行うための装置であるダイサー（フルオートダイサーＤＦ６３６１、株式会社ディスコ製）を用いて個片化体形成用積層フィルムをブレード（ＺＨ０５－ＳＤ４８００－Ｎ１－５０　ＤＤ、株式会社ディスコ製）で、高さ９０μｍ、ブレード回転数３万回転／分、ブレード進行速度３０ｍｍ／秒のシングルカット条件で個片化することによって実施例１及び比較例１の個片化体を得た。
（個片化体の熱硬化性樹脂層の剥離評価）
　得られた個片化体の表面（実施例１の個片体：ポリイミドフィルム側の表面、比較例１の個片化体：熱硬化性樹脂層側の表面）を光学顕微鏡の同軸落斜観察法にて熱硬化性樹脂層の剥離距離を観察した。ここで、剥離距離とは、個片化体の端部から熱硬化性樹脂層が剥離した部分の距離が最大となっている距離のＮ＝１０の平均値を意味する。実施例１の個片体においては、熱硬化性樹脂層が存在しないことから熱硬化性樹脂層の剥離が観測されなかった。一方、比較例１の個片化体においての剥離距離は、３１μｍであった。
（個片化体の切断面観察）
　得られた個片化体の切断面（側面）を光学顕微鏡で観察し、切削くず（バリ）の最大高さのＮ＝５の平均値を測定した。実施例１の個片体においての切削くず（バリ）の最大高さの平均値は６．０μｍであったのに対して、比較例１の個片体においての切削くず（バリ）の最大高さの平均値は３７．８μｍであった。
　以上より、ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムを備える個片化体形成用積層フィルムである本開示の個片化体形成用積層フィルムが、個片化体形成用フィルムをダイシングして個片化する際の不具合を充分に抑制することが可能であることが確認された。
１…粘着性フィルム、１ａ…第一の支持フィルム、１ｂ…第一の粘着剤層、２…ダイシングフィルム、２Ａ…ダイシングフィルム基材、２ａ…第二の支持フィルム、２ｂ…第二の粘着剤層、１０…個片化体形成用積層フィルム、１０Ｘ…支持片形成用積層フィルム、２０…第一の積層体、３０…第二の積層体、４０…基板、５０…封止材、６０…構造体、１００，２００…半導体装置、Ｄ…個片化体形成用フィルム、ＤＡ…個片化体形成用フィルム基材、ＤＸ…支持片形成用フィルム、Ｄ１…熱硬化性樹脂層、Ｄ２…剛材層、ＤＸａ…支持片、ＤＸｃ…支持片（硬化物）、Ｒ…領域、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４…チップ、Ｔ２ａ…接着剤片付きチップ、Ｔａ…接着剤片、Ｔｃ…接着剤片（硬化物）。

Claims (4)

  1. 　第一の支持フィルムと、
    　非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層と、
    　ダイシングすることによって複数に個片化される個片化体形成用フィルムと、
    　第二の粘着剤層と、
    　第二の支持フィルムと、
    をこの順序で備え、
    　前記個片化体形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とを有するフィルムであり、
    　前記個片化体形成用フィルムにおける前記剛材層が前記第一の粘着剤層上に積層されている、
    　個片化体形成用積層フィルム。
  2. 　前記剛材層がポリイミド層である、
    　請求項１に記載の個片化体形成用積層フィルム。
  3. 　請求項１又は２に記載の個片化体形成用積層フィルムの製造方法であって、
    　前記第一の支持フィルムと、前記第一の粘着剤層と、個片化体形成用フィルム基材とをこの順序で備える第一の積層体を準備する工程と、
    　前記第一の積層体における前記個片化体形成用フィルム基材を型抜きし、前記個片化体形成用フィルムを備える第二の積層体を作製する工程と、
    　前記第二の積層体の前記個片化体形成用フィルム上に、前記第二の粘着剤層及び前記第二の支持フィルムをこの順序で積層する工程と、
    を備える、
    　個片化体形成用積層フィルムの製造方法。
  4. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法であって、
    （Ａ）第一の支持フィルムと、非紫外線硬化型粘着剤層である第一の粘着剤層と、ダイシングすることによって複数に個片化される支持片形成用フィルムと、第二の粘着剤層と、第二の支持フィルムとをこの順序で備え、前記支持片形成用フィルムが、熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する剛材層とを有するフィルムであり、前記支持片形成用フィルムにおける前記剛材層が前記第一の粘着剤層上に積層されている、支持片形成用積層フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記支持片形成用フィルムをダイシングすることによって、前記第二の粘着剤層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、
    （Ｃ）前記第二の粘着剤層から前記支持片をピックアップする工程と、
    （Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程と、
    （Ｅ）前記基板上であって前記第一のチップの周囲又は前記第一のチップが配置されるべき領域の周囲に複数の前記支持片を配置する工程と、
    （Ｆ）第二のチップと、前記第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程と、
    （Ｇ）複数の前記支持片の表面上に前記接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程と、
    を備える、
    　半導体装置の製造方法。
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