TWI385767B - 晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法 - Google Patents

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Description

晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法
本發明係關於晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法。詳細而言，本發明係關於將具有接著劑層之晶片予以暫時接著之晶粒選別用薄片、及藉由該晶粒選別用薄片將具有接著劑層之晶片予以移送之方法。
半導體裝置的製程中，係具有一項將經由所需的前處理而形成有電路之半導體晶圓予以裁切分離為複數個晶片之切塊(dicing)步驟。於此步驟中，係將半導體晶圓固定用的切塊薄片(dicing sheet)予以貼著於稱為環框(ring frame)之圓形或方形的框，且將半導體晶圓貼附於此切塊薄片，並依每個電路進行切塊而構成半導體晶片。然後經由以接合機進行之晶圓擴展(Expand)步驟後，將例如為環氧樹脂等接合用接著劑塗佈於晶片用基板的墊部，並進行將半導體晶片接著於晶片用基板之晶粒接合步驟。之後，經過導線接合步驟及檢查步驟等，最後於模封(molding)步驟中進行樹脂密封，而製造出半導體裝置。
另一方面，亦有不將單片化後的晶粒予以晶粒接合而直接進行收納/搬運之情形。此時係於輪廓封裝中進行晶粒接合步驟。
於此種半導體晶片的收納/搬運中，係使用藉由壓印(emboss)加工於熱可塑性樹脂薄片形成口袋狀凹部之捲軸狀的壓印承載帶或晶片盤(chip tray)等。將半導體晶片收納於此凹部後再以覆蓋薄片予以被覆，並予以保管/搬運至將此半導體晶片組裝於電子裝置為止。藉由使用此壓印承載帶，可於切塊步驟後僅選出良品而出貨，且更能夠從1片的半導體晶圓出貨至複數間工廠。
然而，於半導體裝置中，由於灰塵、污染等係為導致不良之原因，因此於搬運半導體晶片之場所中，亦有在使用半導體晶片之前進行水洗淨之情形。於使用此壓印承載帶時，由於需再次固定於切塊膠帶等以進行洗淨，因而變得缺乏效率。
相對於此，亦使用有一種採用熱剝離膠帶或泛用切塊膠帶等黏著膠帶而載置半導體晶片且將半導體晶片予以收納/搬運之手法(專利文獻1)。此時，半導體晶片係被貼附於黏著膠帶的黏著劑層而被保管/搬運。
如此之利用壓印承載帶或泛用切塊膠帶等之半導體晶片的收納/搬運方法如上所述，係使用於晶粒接合步驟前，亦即使用於在背面尚未塗佈接著劑之半導體晶片。
相對於此，近年來於晶粒接合時，由於進行接著劑的塗佈作業較為煩瑣，因此係開發出一種具有兼具晶圓固定用感壓接著劑及晶粒接合用接著劑的性能之黏著劑層之切塊薄片(例如參照專利文獻2)。此接著劑層係於切塊步驟前，先貼附於晶圓背面，且與晶圓一同被切塊為晶片尺寸再拾取晶片，藉此構成為在晶片的背面具有該接著劑層之構造。
專利文獻1：日本特開2000－95291號公報專利文獻2：日本特開平2－32181號公報
然而，關於此用途中所使用之接著劑，係具有於切塊步驟中可固定晶圓(晶片)之某種程度的黏性(tackiness；亦即附著性)。於將如此於背面具有黏性的半導體晶片收納於壓印承載帶時，係因該黏性而使半導體晶片附著於壓印承載帶。因此於下一步驟中不易從凹部取出半導體晶片，且即使取出該半導體晶片，亦會產生晶片背面的接著劑層產生變形之問題。使用此半導體晶片所製造之半導體裝置，係無法獲得高可靠性。
此外，於將上述半導體晶片收納於其他泛用的切塊膠帶時，會有半導體晶片的接著劑層固著於此切塊膠帶的黏著劑而難以於下一步驟中拾取之問題。此外，於拾取時，會有切塊膠帶的黏著劑附著於晶片背面的接著劑層而產生污染之情形。因此，此時所製造之半導體裝置的可靠性亦會降低。
此外，上述問題並不限於從半導體晶圓所獲得之晶片，例如於光學元件晶片等之所有晶片狀的物品中，均具有如此疑慮。
因此，本發明之目的在於提供一種，即使為在背面具備有具黏性的接著劑層之晶片，亦能夠於穩定的狀態下予以收納及移送之晶粒選別用薄片，以及可藉由該晶粒選別用薄片，於穩定的狀態下將具有接著劑層之晶片予以收納及移送之晶片的移送方法。
本發明者們在經由精心研究探討後發現，可藉由特定的晶粒選別用薄片來解決上述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明之晶粒選別用薄片，為將具有接著劑層之晶片予以暫時接著之晶粒選別用薄片，其特徵為：黏著劑層係顯現於上述晶粒選別用薄片的外周部，且基材膜片顯現於位在上述外周部的內側之中央部。
上述晶粒選別用薄片較理想為，將黏著劑層層積於基材膜片的外周部而構成者。
此外，上述晶粒選別用薄片較理想為，將同形狀的黏著劑層層積於支撐膜片上，且將基材膜片層積於該黏著劑層的中央部而構成者。
本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法，其特徵為：將由接著劑層與基材所構成之切塊/晶粒接合兼用接著薄片貼附於基板之一邊的面；係每個晶片將上述基板與上述接著劑層一同進行全切塊；將於背面具有上述接著劑層之晶片從上述基材予以拾取；另外準備隔介上述外周部的黏著劑層而以框體予以固定之上述晶粒選別用薄片；將上述經拾取後之晶片的接著劑層暫時接著於上述晶粒選別用薄片所顯現之基材膜片；將隔介上述黏著劑層而暫時接著有上述晶片之晶粒選別用薄片移送至下一步驟。
具有上述接著劑層之晶片的移送方法，較理想為將複數個之上述經拾取後之晶片的接著劑層，以互相形成間隔之方式暫時接著於上述晶粒選別用薄片所顯現之基材膜片。
根據使用本發明的晶粒選別用薄片之具有上述接著劑層之晶片的移送方法，即使為具備接著劑層之晶片，亦能夠於穩定的狀態下予以收納及移送。於收納及移送後的下一步驟中，即使於再拾取暫時接著於晶粒選別用薄片之晶片時，晶片的接著劑層亦不會受到污染且不會產生變形。因此，若使用該再拾取後的晶片，則可獲得具有高可靠性之半導體裝置。
以下具體說明本發明。
[晶粒選別用薄片]
本發明之晶粒選別用薄片係用以進行具有接著劑層之晶片的移送等而予以暫時接著之晶粒選別用薄片，其特徵為，黏著劑層係顯現於上述晶粒選別用薄片的外周部，且基材膜片顯現於位在上述外周部的內側之中央部。
上述晶粒選別用薄片，具體而言如第1圖之斜視圖及第2圖之剖面圖所示，較理想為使用將黏著劑層11層積於基材膜片12的外周部而構成之晶粒選別用薄片10。如此，黏著劑層11係顯現於晶粒選別用薄片10的外周部13，基材膜片12顯現於位在上述外周部的內側之中央部14。
基材膜片12並無特別限定，可使用聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、乙烯醋酸乙烯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物(Ethylene(Meth)acrylic Acid)、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(PET：Polyethylene Terephthalate)膜片、聚胺酯(Polyurethane)膜片等樹脂膜片。
基材膜片12的厚度較理想為10至1000 μm，更理想為20至800 μm。
此外，基材膜片12之裝載晶片的一側的面之表面張力，較理想為40mN/m以下，更理想為35mN/m以下。此外，上述表面張力較理想為20mN/m以上。於使用本發明之晶粒選別用薄片10時，係隔介該接著劑層而將形成有接著劑層之晶片暫時接著於基材膜片。只要為具有上述表面張力之基材膜片，則可穩定地將晶片予以收納/移送。此外，若使用此基材膜片，則可提升與半導體晶片的接著劑層之間的剝離性，而容易進行下一步驟中的再拾取。再者，由於基材膜片完全覆蓋接著劑層而使接著劑層不會受到污染且剝離性會提升，所以不會因剝離操作導致接著劑層的變形，藉此可製造出具有高可靠性之半導體裝置。
表面張力位於上述範圍之基材膜片12，可適當地選擇材質而獲得，此外亦可藉由在樹脂膜片的表面塗佈矽酮(silicone)樹脂等之脫模(mold release)處理而獲得。
黏著劑層11係如第2圖所示，例如由在芯材膜片11b的兩面設置有黏著劑層11a、11c之雙面黏著薄片所形成。此種雙面黏著薄片係以黏著劑層11a貼著並固定於環框，且以黏著劑層11c與基材膜片12接著而形成為一體。由於晶片的收納、移送或拾取的操作中所需之接著力各自不同，因此若使用上述雙面黏著薄片，則有可分別選擇具有最適當接著力之黏著劑層(黏著劑層11a、11c)之優點。
此外，黏著劑層11係具有可固定於本發明之移送方法中所使用之環框50之大小。環框50一般為金屬製或塑膠製的成形體，環框50之開口部51的內徑尺寸，當然比可令用以暫時接著半導體晶片之基材膜片所顯現出之中央部稍大(參照第6圖)。此外，於環框50之外周的一部分，形成有導引用的平坦缺口部52。如後所述，於本發明之移送方法中，此環框50的下表面係貼附於晶粒選別用薄片10的黏著劑層11(參照第10圖)。於本說明書中，係將貼附於黏著劑層11之一面稱為「晶粒選別用薄片接著預定面53」。回到黏著劑層11的大小之說明，黏著劑層11的大小係只要為可將黏著劑層11固定於環框50的晶粒選別用薄片接著預定面53之程度的大小即可，具體而言，只要黏著劑層11的外徑比開口部51的直徑還大即可。
芯材膜片11b可使用與基材膜片12相同的樹脂膜片，若使用如聚對苯二甲酸乙二酯膜片般之剛性相對較高的膜片，則於晶粒選別用薄片10的製造時之尺寸穩定性較佳，因而較為理想。
芯材膜片11b之厚度較佳為10至500 μm，更佳為30至200 μm。
黏著劑層11a、11c例如由丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、乳化劑系黏著劑等所形成。在這當中，係以丙烯酸系黏著劑較為理想。黏著劑層11a、11c雖亦可由相同的黏著劑所形成，但較理想係構成為，面對基材膜片12之一側的黏著劑層11c由具有強黏著性之黏著劑所形成，面對環框50之一側的黏著劑層11a由具有再剝離性之黏著劑所形成。
黏著劑層11a、11c的厚度，較理想分別為1至100 μm，更理想分別為3至80 μm。
本發明之晶粒選別用薄片10，例如可由下述方式製造。
首先，形成黏著劑層11之雙面黏著薄片，係以於兩面層積有以矽酮系剝離劑等施以處理後之剝離膜片的形式預先準備。於使用黏著劑層11a、11c由不同的黏著劑所形成之雙面黏著薄片時，由於輕剝離型的剝離膜片會先剝離，因此，係預先將輕剝離型的剝離膜片層積於在基材膜片12上層積之黏著劑層11c的表面，將重剝離型的剝離膜片層積於貼附在環框50之黏著劑層11a的表面。如此，若如輕剝離型/重剝離型那樣地形成剝離差而構成，則可提高晶粒選別用薄片10的製作時之作業性。
接著，於層積於基材膜片12前，黏著劑層11係以衝切(punching)等手段裁切去除為大致圓形。此時，若僅將黏著劑層11及輕剝離型的剝離膜片予以衝切，而不完全衝切重剝離型的剝離膜片，則重剝離型的剝離膜片係成為黏著劑層11的載體。藉此，之後的加工亦可藉由捲繞方式(Roll－to－Roll)而連續進行。
之後，一邊將剩餘的輕剝離型的剝離膜片及經衝切之黏著劑層11的內側圓形部分予以剝離去除，一邊予以層積於基材膜片12。
然後，以與黏著劑層11之經裁切去除後的部分大致呈同心圓狀之方式，且配合所貼附之環框50的直徑，將黏著劑層11的外周予以衝切。此時較理想為，亦僅不衝切重剝離型的剝離膜片。亦即，於第1、2圖所示的構成中，亦配合環框50的直徑而預先裁切去除基材膜片12及黏著劑層11的外周。藉由預先裁切為與環框50同樣之形狀，於將晶粒選別用薄片10貼附於環框50時，不需進行以裁切器切除晶粒選別用薄片10之步驟。如此可獲得晶粒選別用薄片10。
此外，於後述之本發明之移送方法中，並不限定於第6圖所示之環框50，亦可使用以往所使用之各種形狀的框體。因此，本發明之晶粒選別用薄片亦不限定於第1、2圖所示之形狀，只要為對應於上述框體之形狀即可。例如，於框體為方形時，晶粒選別用薄片亦可為方形。再者，晶粒選別用薄片10的中央部14、亦即經去除後之黏著劑層11的形狀，亦可任意變更。
此外，上述黏著劑層亦可為由不具有芯材膜片之1層或2層的黏著劑所形成者。於不具有芯材膜片時，由於可薄化黏著劑層的厚度，因此晶粒選別用薄片的厚度之段差會變小，而具有以捲繞狀態保管後不易形成捲繞痕跡之優點。
此外，如第3圖所示，與第2圖所示的晶粒選別用薄片10相反，亦可使用於基材膜片22的下面層積有黏著劑層21之晶粒選別用薄片20。亦即，黏著劑層21係顯現於晶粒選別用薄片20的下表面側外周部23，且於上表面側，基材膜片22係顯現於其中央部24(參照第3圖)。如後所述，此時，基材膜片22的上表面係成為用以暫時接著收納半導體晶片80之面(參照第11圖)。
此外，黏著劑層21為在芯材膜片21b的兩面設置有黏著劑層21a、21c之雙面黏著薄片，與晶粒選別用薄片10之情形相同，係具有可固定於本發明之移送方法中所使用之環框50之大小。芯材膜片21b係與上述芯材膜片11b相同，黏著劑層21a、21c係與上述黏著劑層11a、11c相同。
關於晶粒選別用薄片20，由於將晶片予以暫時接著之面與設置有用以固定於環框之黏著劑層之面為不同，因此，可將黏著劑層21及基材膜片22之接合(層間的密著力)、與用以將晶片予以暫時接著時所需的表面物性，分別予以控制於最適狀態。
此外，做為上述晶粒選別用薄片，具體而言如第4圖之斜視圖及第5圖之剖面圖所示，亦適宜使用將同形狀的黏著劑層42a層積於支撐膜片42b上，且將基材膜片41層積於該黏著劑層的中央部而構成之晶粒選別用薄片40。如此，黏著劑層42a係顯現於晶粒選別用薄片40的外周部43，基材膜片41顯現於位在上述外周部的內側之中央部44。此外亦可構成為，與第5圖相同的層積順序，且黏著劑層42a及基材膜片41比支撐膜片42b具有更大直徑，黏著劑層42a顯現於基材膜片41之下表面側的外周部。
此外，亦可使用泛用切塊薄片42作為支撐膜片42b及黏著劑層42a，但並不限定於此。
基材膜片41及支撐膜片42b係可從與上述基材膜片12相同之樹脂膜片中適當選擇。基材膜片41的厚度較理想為1至200 μm，更理想為5至100 μm，支撐膜片42b的厚度較理想為10至500 μm，更理想為30至300 μm。此外，基材膜片41之裝載晶片的一側的面之較理想的表面張力範圍係與上述基材膜片12相同。
黏著劑層42b係使用與上述黏著劑層11a相同之黏著劑。黏著劑層42a之厚度較佳為1至100 μm，更佳為3至80 μm。
此外，關於黏著劑層42a，顯現的部分係具有可固定於環框50之大小。亦即，顯現的部分之黏著劑層42a的大小，只要為可將黏著劑層42a固定於環框50的晶粒選別用薄片接著預定面53之程度的大小即可，具體而言，只要黏著劑層42a的外徑比開口部51的直徑還大即可。此外，用以將半導體晶片予以暫時接著之基材膜片41，係比環框50之開口部51的內徑尺寸稍小。
關於如此之晶粒選別用薄片40的製造方法，首先準備由支撐膜片42b及黏著劑層42a所形成之黏著薄片，並將裁切為預定形狀之基材膜片41貼附於黏著劑層42a上。接著以剝離膜片覆蓋基材膜片41及黏著劑層42a之一側的面之方式進行層積。然後從支撐膜片42b側以不會衝切至剝離膜片為止之方式，將支撐膜片42b及黏著劑層42a衝切為預定外形而製作。
此外，將基材膜片41層積於由支撐膜片42b及黏著劑層42a所形成之黏著薄片的黏著劑層42a上，接著以不會衝切黏著劑層42a之方式，將基材膜片41衝切為預定形狀並去除外周部分。接著與上述相同地進行剝離膜片的層積及外形的衝切，而製作晶粒選別用薄片40。
[具有接著劑層之晶片的移送方法]
以下係說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法，且說明於使用半導體晶圓做為基板之情形，亦即說明具有接著劑層之半導體晶片的移送方法。再者，本發明之移送方法並不限定於半導體晶圓，亦可使用玻璃基板等基板。此外，係說明使用第2圖所示之晶粒選別用薄片10作為晶粒選別用薄片之情形。於本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法中，亦可使用上述任一種晶粒選別用薄片。
於具有接著劑層之半導體晶片的移送方法中，首先將由接著劑層與基材所構成之切塊/晶粒接合兼用接著薄片貼附於半導體晶圓的背面，之後依每個晶片將上述半導體晶圓與上述接著劑層一同進行全切塊(full cut dicing)，然後將於背面具有上述接著劑層之半導體晶片，從上述基材予以拾取。
具體而言如第7圖所示，首先準備由接著劑層61與基材62所構成之切塊/晶粒接合兼用接著薄片60。此切塊/晶粒接合兼用接著薄片60係構成為，接著劑層61可剝離地層積在基材62上，並且亦可將用以保護接著劑層61之剝離膜片層積於接著劑層61的上面，至使用於本發明為止。剝離膜片例如可使用，以矽酮樹脂等剝離劑對聚對苯二甲酸乙二酯等膜片施以剝離處理後之泛用的剝離膜片。
此切塊/晶粒接合兼用接著薄片60的製造方法並無特別限定，可將構成接著劑層61之組成物塗佈於基材62上並予以乾燥而製造，此外，亦可將接著劑層61設置於剝離膜片上，並將此接著劑層61轉印於基材62而製造。此外，於接著劑層61的表面外周部，亦可設置用以固定環框之環框固定用黏著薄片。
接著如第8圖所示，以環框50將切塊/晶粒接合兼用接著薄片60固定於切塊裝置上，並將半導體晶圓70之一邊的面載置於切塊/晶粒接合兼用接著薄片60的接著劑層61上，並輕輕地予以按壓以固定半導體晶圓70。
之後，於接著劑層61具有能量線硬化性時，從基材62側照射能量線以提高接著劑層61的凝聚力，並降低接著劑層61與基材62之間的接著力。能量線的照射可於切塊後進行，此外，亦可於下述之晶圓擴展步驟後進行。
之後，使用切塊鋸等裁切手段，如第9圖所示依每個電路將半導體晶圓70予以裁切，而獲得半導體晶片80。此時的裁切深度係可設為半導體晶圓70的厚度與接著劑層61的厚度之合計值並加上切塊鋸的磨損量後之深度，而將接著劑層61與半導體晶圓70一同裁切。
接著，若因應需要而進行切塊/晶粒接合兼用接著薄片60的擴展，則使半導體晶片的間隔擴張，而更容易進行半導體晶片80的拾取。此時，於接著劑層61與基材62之間會產生偏離，使接著劑層61與基材62之間的接著力降低，而提高半導體晶片80的拾取性。
如此，一旦進行半導體晶片80的拾取，則可將裁切後的接著劑層81固著且殘存於半導體晶片80的背面，而從基材62剝離。亦即，於背面具有接著劑層81之半導體晶片80係被拾取。
接著以獨立於上述者之外的方式，另外準備隔介上述外周部13的黏著劑層11而藉由環框50予以固定之晶粒選別用薄片10。
之後，將上述拾取後之半導體晶片80的接著劑層81暫時接著於晶粒選別用薄片10的中央部14所顯現之基材膜片12(參照第10圖)。半導體晶片80的暫時接著係可藉由使用一般的晶粒接合裝置而進行。由於接著劑層81具有可進行晶粒接合的程度之黏性，因此半導體晶片80能夠在不會脫落的程度下，接著(暫時接著)於晶粒選別用薄片10所顯現之基材膜片12。於暫時接著狀態不穩定時，可藉由重新設定暫時接著條件(溫度、壓力等)而形成穩定的暫時接著狀態。此時，根據本發明，由於可將任意數量的半導體晶片80予以暫時接著並收納，因此可依不同的期望數量移送至不同的場所。此外，由於半導體晶片80係暫時接著於晶粒選別用薄片10所顯現之基材膜片12，因此可穩定地進行收納/移送。
接著將隔介黏著劑層81而暫時接著有半導體晶片80之晶粒選別用薄片10，移送至下一步驟。
關於下一步驟，例如有晶粒接合步驟等。根據本發明，與泛用切塊膠帶等黏著膠帶不同，由於在收納晶片之區域中不具有黏著劑層，因此，即使為於背面形成有接著劑層81之半導體晶片80，於晶粒接合步驟中接著劑層81亦不會產生變形而可容易進行再拾取。再者，由於接著劑層81不會被黏著膠帶的黏著劑所污染，因此可製造具有高可靠性之半導體裝置。
此外，上述晶粒選別用薄片並不限定於晶粒選別用薄片10，亦可使用晶粒選別用薄片20、40中任一種。於使用晶粒選別用薄片20時，如第11圖所示，係隔介於外周部23的黏著劑層21而以環框50加以固定。接著將拾取後的半導體晶片80暫時接著於晶粒選別用薄片20的中央部24所顯現之基材膜片22，並移送至下一步驟。此外，於使用晶粒選別用薄片40時，如第12圖所示，係隔介外周部43的黏著劑層42a而以環框50加以固定。接著將拾取後的半導體晶片80暫時接著於晶粒選別用薄片40的中央部44所顯現之基材膜片41，並移送至下一步驟。
此外，於將半導體晶片80暫時接著於晶粒選別用膠帶之前，亦可進行確認切塊後之半導體晶片80的動作之檢查步驟。僅將經由此檢查判定為良品之半導體晶片80與接著劑層81一同予以拾取，並且暫時接著於晶粒選別用膠帶並予以收納。藉此，可於下一步驟中僅使用良品。
此外，亦能以能夠使拾取用裝置的晶片檢測用攝影機辨識出個別晶片之程度而互相隔開之方式，將複數個上述拾取後之半導體晶片80的接著劑層81暫時接著於晶粒選別用薄片10所顯現之基材膜片12。此時，不需於下一步驟中進行用以使晶片隔開之擴展處理，而可更容易地進行再拾取。所隔開之間隔係因晶片尺寸或攝影機的精密度、倍率而有所不同，但較理想為50 μm至1mm左右。
此外，為了將保管移送中所附著之塵埃(污染物)予以去除，亦可於晶粒接合步驟等之前，先進行洗淨步驟以作為下一步驟。於本發明中，由於半導體晶片80係暫時接著於晶粒選別用薄片10，因此具有可直接進行洗淨之優點。
[實施例]
以下係根據實施例而更具體地說明本發明，但是本發明並不限定於這些實施例。
(實施例1)
[晶粒選別用薄片的製造]對於以丙烯酸丁酯為主成分之丙烯酸共聚物(日本合成化學工業株式會社製、COPONYL N－3327)100重量份，加入芳香性聚異氰酸酯(Polyisocyanate)(日本聚胺酯工業株式會社製、CORONATE L)2重量份及甲苯50重量份而調製出黏著劑溶液a。
對於以丙烯酸丁酯為主成分之丙烯酸共聚物(綜研化學株式會社(日本)製、SK Dyne 1811L)100重量份，加入芳香性聚異氰酸酯(綜研化學株式會社(日本)製、TD－75)5重量份及甲苯30重量份而調製出黏著劑溶液b。
將上述黏著劑溶液a塗佈於經由矽酮處理後的剝離膜片(Lintec株式會社(日本)製、SP－PET3811(S))上，並進行乾燥(烤箱中於100℃下放置1分鐘)。如此製作出厚度為10 μm之黏著劑層A。此外，使用上述黏著劑溶液b，與上述相同而於剝離膜片上製作出厚度為10 μm之黏著劑層B。
接著使用乙烯－甲基丙烯酸共聚物膜片(厚度90 μm)作為芯材膜片，並將黏著劑層A轉印至此單面。接著將黏著劑層B轉印至另一面，而獲得雙面黏著薄片。對所獲得之雙面黏著薄片進行直徑164mm的衝切加工(內側)。
使用低密度聚乙烯膜片(厚度100 μm、表面張力31mN/m及40mN/m)作為基材膜片，將雙面黏著薄片的黏著劑層B側貼附於基材膜片之低表面張力側的面，並進行直徑207mm的衝切加工(外側)。此時，係使內側之以衝切加工所獲得之圓與外側之以衝切加工所獲得之圓形成為同心圓，而獲得第2圖所示的形式之晶粒選別用薄片。
[半導體晶片的移送]將半導體晶圓(假性(dummy)晶圓、直徑200mm)貼附於接著劑層具黏性之切塊/晶粒接合兼用接著薄片(Lintec株式會社(日本)製、Adwill LE5000)上，將接著劑層及晶圓予以切塊，而準備於背面具有接著劑層之半導體晶片(尺寸5mm×5mm)。使用晶粒接合裝置，將附有接著劑層之半導體晶片予以拾取。接著隔介外周部的黏著劑層，以環框固定上述晶粒選別用薄片。之後，隔介接著劑層而將上述拾取後之半導體晶片暫時接著於上述晶粒選別用薄片所顯現之基材膜片(參照第10圖)。然後以互相形成約300 μm的間隔之方式，將合計為100個的半導體晶片排列成格子狀並予以暫時接著。
於此狀態下，於25℃保管12小時後，以旋轉洗淨機(DISCO社(日本)製的晶圓研磨裝置、DFD651內單元)於轉速3000rpm下進行1分鐘的水洗淨，並確認此時是否產生晶片的飛散。接著使用晶粒接合裝置，藉由以4根針所進行之頂升，從晶粒選別用薄片中，拾取10個附有接著劑層之半導體晶片。此時，將吸附夾筒(collect)無法吸附保持半導體晶片而殘留或掉落於晶粒選別用薄片者，視為拾取不良，並確認其數目。此外，並確認是否有從暫時接著至晶粒選別用薄片開始至拾取之期間所產生之晶粒選別用薄片從環框脫落的情形。結果如第1表所示。
(實施例2)
使用乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物膜片(厚度80 μm、表面張力33mN/m及40mN/m)作為基材膜片，除此之外與實施例1相同而獲得晶粒選別用薄片。
此外，與實施例1相同，使用所獲得之晶粒選別用薄片進行半導體晶片的移送，並評估晶片的飛散等。結果如第1表所示。
(實施例3)係將雙面黏著薄片貼附於基材膜片之高表面張力側的面，除此之外與實施例1相同而獲得第2圖所示的形式之晶粒選別用薄片。
此外，與實施例1相同，使用所獲得之晶粒選別用薄片進行半導體晶片的移送，並評估晶片的飛散等。結果如第1表所示。
(實施例4)將上述黏著劑溶液a塗佈於經由矽酮處理後的剝離膜片(Lintec株式會社(日本)製、SP－PET3811(S))上，並進行乾燥(烤箱中於100℃下放置1分鐘)。如此製作出厚度為10 μm之黏著劑層A。接著使用乙烯－甲基丙烯酸共聚物膜片(厚度90 μm)作為支撐膜片，並將黏著劑層A轉印至此單面，而獲得黏著膠帶。
使用乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物膜片(厚度100 μm、表面張力33mN/m及40mN/m)作為基材膜片，將黏著膠帶的黏著劑層A側貼合於基材膜片之高表面張力側的面。接著以僅裁切基材膜片之方式，進行直徑165mm的衝切加工(內側)而去除外周部。然後將剝離膜片層積於所顯露出之黏著劑層A及基材膜片的面，並對支撐膜片及黏著劑層A進行直徑207mm的衝切加工(外側)。此時，係使內側之以衝切加工所獲得之圓與外側之以衝切加工所獲得之圓形成為同心圓，而獲得第5圖所示的形式之晶粒選別用薄片。
此外，與實施例1相同，使用所獲得之晶粒選別用薄片進行半導體晶片的移送(參照第11圖)，並評估晶片的飛散等。結果如第1表所示。
(比較例1)使用再剝離黏著型之泛用切塊膠帶(Lintec株式會社(日本)製、Adwill G－19)以取代晶粒選別用薄片，除此之外與實施例1相同而進行半導體晶片的移送。
此外，與實施例1相同地評估晶片的飛散等。結果如第1表所示。
(比較例2)使用一種將紫外線硬化黏著型之泛用切塊膠帶(Lintec株式會社(日本)製、Adwill D－175)貼附於環框後照射紫外線而使黏著劑層硬化而成者，以取代晶粒選別用薄片。
此外，與實施例1相同地，係使用此經由紫外線照射後之泛用切塊膠帶，進行半導體晶片的移送並評估晶片的飛散等。結果如第1表所示。
10．．．晶粒選別用薄片
11．．．黏著劑層
11a．．．黏著劑層
11b．．．芯材膜片
11c．．．黏著劑層
12．．．基材膜片
13．．．外周部
14．．．中央部
20．．．晶粒選別用薄片
21．．．黏著劑層
21a．．．黏著劑層
21b．．．芯材膜片
21c．．．黏著劑層
22．．．基材膜片
23．．．外周部
24．．．中央部
40．．．晶粒選別用薄片
41．．．基材膜片
42．．．泛用切塊薄片
42a．．．黏著劑層
42b．．．支撐膜片
43．．．外周部
44．．．中央部
50．．．環框
51．．．開口部
52．．．平坦缺口部
53．．．晶粒選別用薄片接著預定面
60．．．切塊/晶粒接合兼用接著薄片
61．．．接著劑層
62．．．基材
70．．．半導體晶圓
80．．．半導體晶片
81．．．裁切後的接著劑層
第1圖係顯示本發明的晶粒選別用薄片之斜視圖。
第2圖係顯示第1圖的X－X線剖面圖。
第3圖係顯示本發明的晶粒選別用薄片之剖面圖。
第4圖係顯示本發明的晶粒選別用薄片之斜視圖。
第5圖係顯示第4圖的Y－Y線剖面圖。
第6圖係顯示環框的斜視圖。
第7圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
第8圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
第9圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
第10圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
第11圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
第12圖係顯示用以說明本發明之具有接著劑層之晶片的移送方法之圖式。
10．．．晶粒選別用薄片
11．．．黏著劑層
12．．．基材膜片
13．．．外周部
14．．．中央部

Claims (5)

  1. 一種晶粒選別用薄片，係將具有接著劑層之晶片予以暫時接著之晶粒選別用薄片，其特徵為：黏著劑層係顯現於上述晶粒選別用薄片的外周部，且基材膜片顯現於位在上述外周部的內側之中央部。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶粒選別用薄片，其中，係將黏著劑層層積於基材膜片的外周部而構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶粒選別用薄片，其中，將同形狀的黏著劑層層積於支撐膜片上，且將基材膜片層積於該黏著劑層的中央部而構成。
  4. 一種具有接著劑層之晶片的移送方法，其特徵為：將由接著劑層與基材所構成之切塊/晶粒接合兼用接著薄片貼附於基板之一邊的面；依每個晶片將上述基板與上述接著劑層一同進行全切塊；將於背面具有上述接著劑層之晶片從上述基材予以拾取；另外準備隔介上述外周部的黏著劑層而以框體予以固定之申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之晶粒選別用薄片；將上述經拾取後之晶片的接著劑層暫時接著於上述晶粒選別用薄片所顯現之基材膜片；將隔介上述黏著劑層而暫時接著有上述晶片之晶粒選別用薄片移送至下一步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之具有接著劑層之晶片的移送方法，其中，將複數個之上述經拾取後之晶片的接著劑層，以互相形成間隔之方式暫時接著於上述晶粒選別用薄片所顯現之基材膜片。
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