JP5437681B2

JP5437681B2 - 粘着シートおよび半導体装置の製造方法

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Publication number: JP5437681B2
Application number: JP2009083104A
Authority: JP
Inventors: 恵出貝; 道生金井
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2009-03-30
Filing date: 2009-03-30
Publication date: 2014-03-12
Anticipated expiration: 2029-03-30
Also published as: JP2010238799A

Description

本発明は、粘着シートおよび該粘着シートを用いる半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の製造工程の一つに、所要の前処理を経て、表面に回路が形成された半導体ウエハを複数個の半導体チップ（以下、チップともいう）に切断分離するダイシング工程がある。この工程では、リングフレームと呼ばれる円形または方形の枠に、半導体ウエハ固定用のダイシングシートを貼着し、このダイシングシートに半導体ウエハを貼付し、回路毎にダイシングし、半導体チップとする。その後、必要に応じて行われるエキスパンド工程に続いて、たとえばエポキシ樹脂等のダイボンド用接着剤をチップ搭載用基板の端子部に塗布して半導体チップをチップ搭載用基板に接着するダイボンディング工程が行われる。さらに、ワイヤボンディング工程や検査工程などを経て、最終的にモールディング工程で樹脂封止を行い、半導体装置（製品）が製造される。

一方、個片化された半導体チップをダイボンドせずに、収容・搬送することもある（ダイソート工程）。この工程では、半導体チップをダイシングシートからピックアップし、ダイソートシートに貼付して収容・搬送する。なお、この場合はアウトラインにてダイボンディング工程が行われる。

ダイボンディング工程において、半導体チップをプリント配線基板に実装する場合には、半導体チップの回路面側の接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等から成る導通用突起物（バンプ電極）を形成し、所謂フェースダウン方式により、それらのバンプ電極をチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融／拡散接合するフリップチップ実装方法が採用されている。

しかし、この方法によるときは、温度の周期的変動を受けると、半導体チップとチップ搭載用基板の熱膨張係数の違いにより接合部が破断する恐れがある。このため、フェースダウンで接続された半導体チップのバンプ電極が設けられた回路面全体と、相対向するチップ搭載用基板の間の間隙に液状の熱硬化性樹脂（アンダーフィル材）を注入、硬化させ、バンプ接合部全面をチップ搭載用基板に接合してバンプ電極に集中する熱応力を分散させ、破断を防止する方法が提案されている。

しかしながら、半導体チップの裏面（回路面の反対面）はアンダーフィル材に対する塗れ性が高い。そのため、半導体チップをフェースダウンでチップ搭載用基板上に接合し、チップと基板との間隙にアンダーフィル材を注入した際に、アンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がり、外観不良を起こすと共に、製品の歩留まりを低下させるという問題がある。

また、近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになり、以前にも増して、アンダーフィル材のチップ裏面への這い上がりが発生しやすくなっている。

この問題の解決方法として、特定形状のカッターを用いて半導体ウエハをダイシングすることで、半導体チップの裏面と側面とが鋭角で交わる台形断面を有する半導体チップとし、アンダーフィル材のチップ裏面への這い上がりを防止する技術が、例えば、特許文献１（特開２００２−１６４３８８号公報）などにより提案されている。

しかしながら、このような半導体チップは、チップの裏面と側面とが鋭角で交わる台形断面を有するために、チップ端部の欠け（チッピング）が発生するおそれがある。

また、特許文献１には、半導体チップの側面を矩形、あるいは曲線状にし、アンダーフィル材のチップ裏面への這い上がりを防止する技術が提案されているが、このような形状の半導体チップとするには、特別な形状のカッターやダイシング装置が必要となり、さらには、チッピングが発生するおそれがある。

特開２００２−１６４３８８号公報

本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、半導体ウエハのダイシング時、あるいは個片化された半導体チップの収容・搬送時に用いることで、半導体チップをフリップチップ実装する際にアンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がることを抑制することができる粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面（回路面の反対面）に該粘着剤層を貼付し、
２４時間後に該粘着剤層を半導体ウエハから剥離した後の半導体ウエハの裏面におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が３２．０°以上となる粘着シート。
（２）基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
該粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成されており、
該粘着剤層におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が２０．０°以上となる粘着シート。
（３）基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
該粘着剤層が非エネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成されており、
該粘着剤層におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が３５．０°以上となる粘着シート。
（４）該粘着剤層は、シリコーン化合物を含有する（１）〜（３）のいずれかに記載の粘着シート。
（５）半導体ウエハを個片化し半導体チップとする際に用いる（１）〜（４）のいずれかに記載の粘着シート。
（６）個片化された半導体チップを収容・搬送する際に用いる（１）〜（４）のいずれかに記載の粘着シート。
（７）上記（５）または（６）に記載の粘着シートから半導体チップをピックアップする工程、
ピックアップされた該半導体チップを、アンダーフィル材を介して基板にフリップチップ実装する工程を含む半導体装置の製造方法。

本発明によれば、極薄に研削された半導体ウエハであっても、半導体ウエハのダイシング時、あるいは個片化された半導体チップの収容・搬送時に用いることで、半導体チップをフリップチップ実装する際にアンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がることを抑制することができる粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明に係る粘着シートを示す。本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。

以下、本発明の好ましい態様について、図面を参照にしながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。

図１に示すように、本発明に係る粘着シート１０は、基材１と、その片面に形成された粘着剤層２とからなる。本発明に係る粘着シート１０の粘着剤層２を、表面に電極（例えばバンプ電極）の形成された半導体ウエハの裏面に貼付し、２４時間後に粘着剤層２を半導体ウエハから剥離した後の半導体ウエハの裏面におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角は３２．０°以上、好ましくは３２．０〜１８０．０°、さらに好ましくは３４．０〜９０．０°の範囲となる。

また、本発明に係る粘着シート１０の粘着剤層２におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角は、粘着剤層２がエネルギー線硬化型粘着剤組成物で形成される場合、２０．０°以上、好ましくは２０．０〜１８０．０°、さらに好ましくは３０．０〜９０．０°の範囲となり、粘着剤層２が非エネルギー線硬化型粘着剤組成物で形成される場合、３５．０°以上、好ましくは３５．０〜１８０．０°、さらに好ましくは３６．０〜９０．０°の範囲となる。

本発明に係る粘着シート１０の粘着剤層２は、シリコーン化合物を含有することが好ましい。シリコーン化合物としては、特に限定されないが、例えば、シロキサン化合物、シロキサンオリゴマー、ポリシロキサンである。具体的には、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ジメチルシロキサン−メチルフェニルシロキサン共重合体、ジフェニルシロキサン−メチルフェニルシロキサン共重合体からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであるのが好ましい。

シリコーン化合物の含有量は、粘着剤層中、好ましくは０．０１〜０．５重量％、さらに好ましくは０．０２〜０．２重量％である。

上記物性を有する粘着シート１０をダイシングシートとして用い、半導体ウエハを個片化し半導体チップとすることで、得られた半導体チップを基板にフリップチップ実装する際にアンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がることを抑制することができる。

また、上記物性を有する粘着シート１０をダイソートシートとして用い、半導体チップを貼付して収容・搬送することで、得られた半導体チップを基板にフリップチップ実装する際にアンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がることも抑制することができる。

この機構は必ずしも明らかではないが、粘着剤層を半導体ウエハあるいは半導体チップの裏面に貼付し剥離することで、粘着剤層に含まれるシリコーン化合物がウエハあるいはチップの裏面に移行し、ウエハあるいはチップの裏面の表面活性が低下する結果、アンダーフィル材との親和性が低減したためと考えられる。

一方、粘着シート１０が上記物性を満たさない場合（上記範囲よりも小さい場合）、半導体チップをフリップチップ実装する際に、アンダーフィル材が半導体チップの裏面に這い上がり、外観不良を起こすと共に、製品の歩留まりが低下する。

基材１の材質は、上記物性を満足する限り特に限定はされないが、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられ、中でもエキスパンド性を考慮すると、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、ポリ塩化ビニルフィルムが好ましい。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。

また、後述するように、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。

また、基材１の上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。粘着シート１０は、上記のような基材上に粘着剤層を設けることで製造される。基材１の厚みは、好ましくは２０〜４５０μｍ、さらに好ましくは２５〜２００μｍ、特に好ましくは５０〜１５０μｍの範囲にある。

粘着剤層２は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。

粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合、エネルギー線硬化型粘着成分と必要に応じ光重合開始剤とを配合した粘着剤組成物を用いて、粘着剤層を形成する。さらに、上記粘着剤組成物には、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分が含まれていてもよい。以下、エネルギー線硬化型粘着成分について、アクリル系粘着剤を例として具体的に説明する。

エネルギー線硬化型粘着成分は、粘着剤組成物に十分な粘着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）を含有し、またエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）を含有する。エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、またエネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着剤組成物の粘着力を低下させる機能を有する。また、上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合がある）を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。

アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上２００万以下であることが好ましく、１０万以上１５０万以下であることがより好ましい。

アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０℃以上３０℃以下、さらに好ましくは−６５℃以上２０℃以下、特に好ましくは−６０℃以上１０℃以下の範囲にある。

上記アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられ；水酸基を有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリル重合体（Ａ）は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、ビニルアセテートなどが共重合されたアクリル系共重合体でもよい。

エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）があげられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。

一般的には成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）は１０〜４００重量部、好ましくは３０〜３５０重量部程度の割合で用いられる。

上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなる。

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主骨格は特に限定はされず、粘着剤として汎用されているアクリル系共重合体であってもよく、またエステル型、エーテル型の何れであっても良いが、合成および粘着物性の制御が容易であることから、アクリル系共重合体を主骨格とすることが特に好ましい。

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型粘着性重合体に結合していてもよい。

エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）の重量平均分子量は、１万以上２００万以下であることが好ましく、１０万以上１５０万以下であることがより好ましい。またエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）のガラス転移温度は、通常−７０〜３０℃程度である。

エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル系粘着性重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。該重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸等が挙げられる。

上記のようなアクリル重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）又は、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含むエネルギー線硬化型粘着成分は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。さらに、粘着剤層２には、前述したようにシリコーン化合物が配合される。

粘着剤層２の厚みは、好ましくは２〜２００μｍ、さらに好ましくは５〜５０μｍ、特に好ましくは５〜３０μｍの範囲にある。

また、粘着剤層２には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。

基材１の表面に粘着剤層２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層２を基材１の表面に転写しても構わないし、基材１の表面に直接塗布して粘着剤層２を形成しても構わない。

次に、本発明に係る粘着シート１０を用いる半導体装置の製造方法について説明する。本発明に係る半導体装置の製造方法では、粘着シート１０をダイシング工程に用いる場合とダイソート工程に用いる場合とがある。

本発明に係る粘着シート１０をダイシング工程に用いる半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１１の裏面研削工程後、ウエハ１１の研削面側に粘着シート１０を貼付し、図２に示すように、ウエハ１１のダイシングを行う。次いで、個片化された半導体チップ１２を粘着シート１０からピックアップし、ピックアップした半導体チップ１２をフェースダウンで基板上に接合し、半導体チップ１２と基板との間隙にアンダーフィル材を注入しフリップチップ実装する。その後、必要に応じて樹脂封止などの工程を経て、半導体装置が製造される。

半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面へのバンプ電極１３の形成は、めっき法、ペースト印刷法、ボール搭載法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハのバンプ電極形成工程において、所定のバンプ電極１３が形成される。

粘着シート１０のウエハ裏面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置（貼合装置）により行われるのが一般的だが特に限定はされない。

ダイシング工程は、本発明の粘着シート１０を用いる限り、特に限定はされない。一例として、ウエハ１１のダイシング時には粘着シート１０の周辺部をリングフレーム５により固定した後、ダイシングブレード３などの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハ１１のチップ化を行う方法などが挙げられる。

次いで、粘着シート１０からチップ１２をピックアップする。なお、粘着シート１０の粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、ピックアップに先立ち、粘着剤層２に紫外線を照射して粘着力を低下した後にチップ１２のピックアップを行う。

また、ダイシング終了後に、粘着シート１０上に整列しているチップ群を、ピックアップ用の他の粘着シートに転写した後に、チップのピックアップを行ってもよい。ピックアップされたチップ１２は、フェースダウンで基板上に接合される。次いで、チップ１２と基板との間隙にアンダーフィル材が注入されてフリップチップ実装され、その後、必要に応じて樹脂封止などの工程を経て半導体装置が製造される。

図３に示すように、本発明の粘着シート１０’をダイソート工程に用いる半導体装置の製造方法は、何らかの方法で個片化された半導体チップ１２’をピックアップし、リングフレーム５’で固定された粘着シート１０’の粘着剤層２’にチップ１２’を貼付し、収容・搬送する。収容・搬送されたチップ１２’は、ダイボンディング工程においてピックアップされ、フェースダウンで基板上に接合される。次いで、チップ１２と基板との間隙にアンダーフィル材が注入されてフリップチップ実装される。その後、必要に応じて樹脂封止などの工程を経て、半導体装置が製造される。半導体チップ１２’のピックアップ及び粘着シート１０’への貼付は、通常のダイボンド装置を使用することにより行うことができる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例においては、半導体ウエハにおける接触角測定、粘着剤層における接触角測定およびアンダーフィル剤のチップ裏面への這い上がり確認は以下のように行った。

＜半導体ウエハにおける接触角測定＞
半導体ウエハとして、シリコンウエハを用いた。シリコンウエハのミラー面に２５ｍｍ幅の粘着シート１０の粘着剤層２を貼付し、室温標準環境室（２３±２℃、５０±５％ＲＨ）にて、２４時間放置した。なお、貼付はゴムロール（２ｋｇ、ゴム硬度８０Ｈｓ）を１往復させて行った。

粘着シート１０をウエハに対して１８０°方向に３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離した。なお、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、粘着シート１０を剥離する前に紫外線を照射した。

粘着シート１０を剥離したウエハの面に、ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル（日本化薬製「ＴＧＥ−Ｈ」）を１０ｍｌ滴下し、１０分間放置した。ウエハとターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルとの接触角をＫＲＵＳＳ社製ＤＳＡ１００を用いて測定した。

＜粘着剤層における接触角測定＞
粘着シート１０の粘着剤層２に、ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル（日本化薬製「ＴＧＥ−Ｈ」）を１０ｍｌ滴下し、１０分間放置した。なお、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、粘着剤層２に剥離フィルムを貼付した状態で基材１側から紫外線を照射し、剥離フィルムを剥離した後、粘着剤層２にターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルを１０ｍｌ滴下し、１０分間放置した。粘着剤層２とターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルとの接触角をＫＲＵＳＳ社製ＤＳＡ１００を用いて測定した。

＜紫外線照射条件＞
紫外線照射装置：リンテック社製ＲＡＤ２０００ｍ／１２
紫外線照射速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
照度：２４０ｍＷ／ｃｍ^２
光量：１８０ｍＪ／ｃｍ^２

＜アンダーフィル材のチップ裏面への這い上がり確認＞
シリコンウエハ（直径：１５０ｍｍ、厚み：２００μｍ）の裏面（＃２０００研磨面）に、粘着シート１０の粘着剤層２を貼合装置（リンテック社製ＲＡＤ-２５００ｍ／１２）を用いて貼付し、ダイシングを行い、１０×１０ｍｍのチップを作製した。粘着シート１０の粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、粘着剤層２に紫外線を照射して粘着力を低下させた。

基板として、ガラスエポキシ樹脂基板（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ電工社製）の表面にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００ＡＵＳ３０３）を１．６ｍｍ厚で有している基板を用意した。粘着シート１０からチップをピックアップし、チップの粘着シート１０貼付面と反対側の面がソルダーレジスト面に接するように静置した。

アンダーフィル材としてターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル（日本化薬製「ＴＧＥ−Ｈ」）を用い、注射針（ＴＥＲＵＭＯ社製「２３Ｇ」）を取り付けたシリンジ（ＴＥＲＵＭＯ社製「ＳＳ−０１Ｔ」）から、基板上に置かれたチップの１辺に、ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルを３０μｌ塗布し、チップ裏面への塗布液の這い上がりを観察した。

（実施例１）
アクリル系共重合体（ブチルアクリレート／アクリル酸＝９１／９（重量比）、重量平均分子量＝７８万、Ｔｇ＝−４５℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として２〜３官能ウレタンアクリレート（重量平均分子量＝８０００）３０３重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）１０．８重量部、イソシアナート化合物（東洋インキ製造社製「オリバインＢＨＳ８５１５」）３１．３重量部、およびシリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）０．７３重量部を配合（全て固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．１６重量％であった。

剥離フィルムに、上記粘着剤組成物を塗布した後に、乾燥（オーブンにて１００℃、１分間）させ、厚み１０μｍの粘着剤層を作製した。次いで、基材として、厚さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルム（フタル酸エステル系可塑剤添加量２０〜４０％）を用い、粘着剤層を転写し、粘着シートを得た。この粘着シートについて、半導体ウエハにおける接触角測定、粘着剤層における接触角測定およびアンダーフィル材のチップ裏面への這い上がり確認を行った。結果を表１に示す。

（実施例２）
基材として、片面にコロナ処理を施した厚さ８０μｍのエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（エチレン／メタクリル酸＝９１／９（重量比））を用い、このコロナ処理面に粘着剤層を転写した以外は実施例１と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

（実施例３）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）の添加量を０．３６重量部（固形分換算）とした以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．０８１重量％であった。

（実施例４）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）の添加量を０．１８重量部（固形分換算）とした以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．０４０重量％であった。

（実施例５）
アクリル系共重合体（ブチルアクリレート／アクリル酸＝９１／９（重量比）、重量平均分子量＝７８万、Ｔｇ＝−４５℃）１００重量部に対し、エネルギー線硬化性化合物として３〜４官能ウレタンアクリレート（重量平均分子量＝８０００）１４２．３重量部を配合したエネルギー線硬化型粘着成分に、光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」）４．２７重量部、イソシアナート化合物（東洋インキ製造社製「オリバインＢＨＳ８５１５」）１２．５重量部、およびシリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）０．１１重量部を配合（全て固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．０４２重量％であった。

（実施例６）
アクリル系粘着性重合体（ブチルアクリレート／メチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリルアミド＝６８．５／３０／０．５／１（重量比）、重量平均分子量＝６０万、Ｔｇ＝−３７℃）１００重量部に対して、イソシアナート化合物（綜研化学社製「ＴＤ−７５」）２．２５重量部およびシリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）０．０４３重量部を配合（全て固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．０４２重量％であった。

（実施例７）
アクリル系粘着性重合体（２−エチルヘキシルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝８０／１０／１０（重量比）、重量平均分子量＝５０万、Ｔｇ＝−５５℃）１００重量部に対して、イソシアナート化合物（東洋インキ製造社製「オリバインＢＨＳ８５１５」）１．８８重量部およびシリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）０．０４３重量部を配合（全て固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。なお、上記シリコーンの含有量は、粘着剤組成物中、０．０４２重量％であった。

（比較例１）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）を添加しなかったこと以外は実施例１と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例２）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）を添加しなかったこと以外は実施例２と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例３）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）を添加しなかったこと以外は実施例５と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例４）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）を添加しなかったこと以外は実施例６と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

（比較例５）
シリコーン（東レ・ダウコーニングシリコーン社製「ＳＨ２８」）を添加しなかったこと以外は実施例７と同様の方法で粘着シートを得、評価を行った。結果を表１に示す。

実施例１〜７の粘着シートは、チップ裏面へのアンダーフィル材の這い上がりが起こらなかった。

比較例１〜５の粘着シートは、チップ裏面へのアンダーフィル材の這い上がりが起きた。

１０（１０’）…粘着シート
１（１’）…基材
２（２’）…粘着剤層
３…ダイシングブレード
５（５’）…リングフレーム
１１…半導体ウエハ
１２（１２’）…半導体チップ
１３（１３’）…バンプ電極

Claims

基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に該粘着剤層を貼付し、
２４時間後に該粘着剤層を半導体ウエハから剥離した後の半導体ウエハの裏面におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が３４．７°以上となる粘着シート。
基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
該粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成されており、
該粘着剤層におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が３１．２°以上となる粘着シート。
基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなる粘着シートであって、
該粘着剤層が非エネルギー線硬化型粘着剤組成物から形成されており、
該粘着剤層におけるターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテルの接触角が３７．６°以上となる粘着シート。
該粘着剤層は、シリコーン化合物を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の粘着シート。
半導体ウエハを個片化し半導体チップとする際に用いる請求項１〜４のいずれかに記載の粘着シート。
個片化された半導体チップを収容・搬送する際に用いる請求項１〜４のいずれかに記載の粘着シート。
請求項５または６に記載の粘着シートから半導体チップをピックアップする工程、
ピックアップされた該半導体チップを、アンダーフィル材を介して基板にフリップチップ実装する工程を含む半導体装置の製造方法。