JP6623210B2 - ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハを回路毎に個片化し、半導体チップを作成する際に、半導体ウエハを固定するために使用されるダイシングシートに関する。また、本発明は該ダイシングシートを使用した半導体チップの製造方法に関する。特に本発明のダイシングシートは、表面に突起状電極を有する半導体ウエハ、たとえばいわゆる貫通電極（ＴＳＶ）を有する半導体ウエハを固定、切断し、チップを製造する際に好ましく用いられる。

半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚さを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。また裏面研削工程に続いて、さらに裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着のように高温で行われる処理が施されることがある。チップサイズに個片化された半導体ウエハ（半導体チップ）は、ピックアップされ、次の工程に移送される。

近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。

また、電子回路の大容量化、高機能化に対応して、複数の半導体チップを立体的に積層した積層回路の開発が進んでいる。このような積層回路においては、従来は半導体チップの導電接続をワイヤボンディングにより行うことが一般的であったが、近年の小型化・高機能化の必要性により、ワイヤボンディングをすることなく、半導体チップに回路形成面から裏面に貫通する電極（貫通電極）を設けて、直接上下のチップ間を導電接続する方法が効果的な手法として開発されている。

このような貫通電極付チップの製造方法としては、例えば、半導体ウエハの所定の位置にプラズマにより貫通孔を設け、この貫通孔に銅の導電体を流し込んだ後、エッチングを施して半導体ウエハの表面に回路と貫通電極とを設ける方法が挙げられる。回路および貫通電極が設けられた半導体ウエハは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されたダイシングシートを用いてダイシングされ、個々の貫通電極付チップが得られる。

上記のような貫通電極付チップを得るためのダイシング工程においては、基材フィルム上に形成された粘着剤層が貼付面に突出した貫通電極に押し当てられることで変形し、電極の突出部と略同形状の粘着剤層の陥没部に電極を埋め込むことで、貫通電極が形成された半導体ウエハをダイシングシートに貼付・固定し、次いでダイシングを行い、個々のチップを得る方法が提案されている（特許文献１，２）。しかしながら、特許文献１，２に記載のダイシングシートでは、粘着剤層が貫通電極を埋め込み、貫通電極間の狭い範囲に粘着剤の残渣が生じるおそれがあった。該残渣により、チップ表面は汚染され、半導体チップの信頼性が低下することがある。特許文献１，２の方法においてもこのような残渣残留の低減手段が提案されているが、残渣残留の可能性を完全に払拭できるとは言い切れなかった。また、特許文献１，２に記載のダイシングシートでは、貫通電極を埋め込むためにダイシング時の弾性は低く調整する必要がある。このため、ダイシング時の振動によりチップ欠け（チッピング）が発生しやすいという問題も抱えていた。

こうした問題を解決すべく、突起状電極（貫通電極）間に粘着剤層の残渣が残留せず、チップを破損せずにダイシングおよびピックアップ可能なダイシングシートとして、基材と、その片面に設けられた中間層と、中間層の上に設けられた厚みが８〜３０μｍの粘着剤層とからなり、粘着剤層が、エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物を含有し、粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の４倍よりも大きく、高さ１５μｍ、直径１５μｍの円柱型電極が４０μｍのピッチで等間隔に３行３列に形成されたウエハに、粘着剤層を介して貼付した場合に、３行３列に形成された円柱型電極の中心の電極において、該電極の高さ７．５μｍ以下の部分に粘着剤層が接触しないことを特徴とするダイシングシートが特許文献３に記載されている。

また、特許文献３に記載される発明に関連して、含ウレタン硬化物からなる中間層を備えるダイシングシートが特許文献４に記載されている。

特開２００６−２０２９２６号公報 特開２０１０−１３５４９４号公報 特開２０１３−０９８４０８号公報 特開２０１３−１９７３９０号公報

特許文献３や４には、図２に示されるように、半導体ウエハ３０に貼着される際に、粘着剤層２１が突起状電極３１間に追従せず、突起状電極３１の形成された領域（電極形成領域）の外周部３０Ａに追従するダイシングシート２０が記載されている。かかるダイシングシート２０によれば、突起状電極３１間に粘着剤層２１の残渣は残留せず、かつ重合不全による電極形成領域の外周部３０Ａにおける残渣残留も抑制される。また、電極形成領域の外周部３０Ａにおいて粘着剤層２１を半導体ウエハ３０に貼着し、かつ粘着剤層２１が過度に柔軟化していないため、ダイシング時における水の侵入を防ぎ、ダイシング性に優れ、チッピングの発生を防止できる。また、粘着剤層２１をエネルギー線硬化することにより、その粘着力を制御できるため、チップのピックアップが容易であると共に、チップの破損を防止できる。

このように、特許文献３や４に記載されるダイシングシート２０は優れた特性を有するが、近年、ダイシングシート２０を半導体ウエハ３０に貼付して得られる積層体を、貼付後ダイシング工程の開始まで所定の期間静置した場合に、電極形成領域の外周部３０Ａに追従して半導体ウエハ３０に適切に貼付していた粘着剤層２１が、部分的に半導体ウエハ３０から剥離してしまう現象（本明細書において、この現象「部分剥離」ともいう。）が生じうることが明らかになった。具体的には、図３における電極形成領域の外周部３０Ａ’として示される部分が、部分的に半導体ウエハ３０から粘着剤層２１が剥離した部分、すなわち、部分剥離が生じた部分である。この部分剥離に基づく粘着剤層２１の剥離の程度が大きい場合、すなわち、部分剥離が生じた部分の面積が広い場合には、上記の積層体をダイシング工程に供した際に、ダイシング作業の安定性に影響を与える可能性がある。

本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、ダイシングシートを半導体ウエハに貼付して得られる積層体を所定の期間、具体的には、２４時間程度静置しても、上記のような部分剥離が生じにくいダイシングシート、およびそのダイシングシートを用いる半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。

上記目的を達成すべく提供される本発明は次のとおりである。
（１）基材と、その片面に設けられた中間層と、前記中間層の上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングシートであって、前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物を含有し、前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’よりも大きく、前記粘着剤層を硬化する前の前記ダイシングシートについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、シリコンミラーウエハに対する１８０°引きはがし粘着力試験を行ったときに測定される粘着力が、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層の硬化前の２３℃における損失係数ｔａｎδは、０．２３以上であることを特徴とするダイシングシート。

（２）前記エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物が、重合体の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体を含む上記（１）に記載のダイシングシート。

（３）前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上１×１０^５Ｐａ未満である上記（１）または（２）に記載のダイシングシート。

（４）前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０^５Ｐａ以上であることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれかに記載のダイシングシート。

（５）前記粘着剤層が、反応性官能基を有するアクリル重合体および架橋剤を含有し、アクリル重合体１００質量部に対して、架橋剤を５質量部以上含有することを特徴とする上記（１）から（４）のいずれかに記載のダイシングシート。

（６）前記架橋剤がイソシアネート系架橋剤であることを特徴とする上記（５）に記載のダイシングシート。

（７）突起状電極が設けられたウエハに貼付して用いることを特徴とする上記（１）から（６）のいずれかに記載のダイシングシート。

（８）前記突起状電極が、貫通電極である上記（７）に記載のダイシングシート。

（９）前記中間層が、前記突起状電極の高さの０．５倍以上１．５倍以下の厚みであることを特徴とする上記（７）または（８）に記載のダイシングシート。

（１０）前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の４倍よりも大きい、上記（１）から（９）のいずれかに記載のダイシングシート。

（１１）前記粘着剤層の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下である、上記（１）から（１０）のいずれかに記載のダイシングシート。

（１２）前記中間層の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下である、上記（１）から（１１）のいずれかに記載のダイシングシート。

（１３）突起状電極を有する半導体ウエハの電極が形成された面に、上記（１）から（１２）のいずれかに記載のダイシングシートを貼付する工程、前記半導体ウエハを回路ごとに個片化して半導体チップを作製する工程、および前記半導体チップをピックアップする工程を含む半導体チップの製造方法。

本発明によれば、ダイシングシートを半導体ウエハに貼付して得られる積層体を所定の期間静置しても、前述のような部分剥離が生じにくいダイシングシート、およびそのダイシングシートを用いる半導体チップの製造方法が提供される。

本発明の一実施形態に係るダイシングシートの概略断面図である。 特許文献３や４に記載されるダイシングシートが半導体ウエハに貼付した状態を概念的に示す断面図である。 部分剥離が生じたダイシングシートを概念的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る粘着シートの概略断面図である。本発明の一実施形態に係るダイシングシート１０は、基材３と、その片面に設けられた中間層２と、中間層２の上に設けられた粘着剤層１とを備える。

（粘着剤層１）
粘着剤層１の硬化前（エネルギー線照射前）の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’よりも大きい。このように低弾性率の中間層２を覆う形で、比較的弾性の高い粘着剤層１が存在することで、突起状電極間に粘着剤層１が追従することを好適に抑制し、突起状電極間における粘着剤層１の残渣の発生や、ピックアップ時におけるチップの破損を防止できる。また、粘着剤層１と中間層２の積層体において、粘着剤層１が中間層２の低弾性を補強するので、低弾性率の層の一層のみが存在する場合に比べて、ダイシング時のウエハの振動が抑制され、チッピングが発生しにくくなる。上記の効果をより安定的に得る観点から、粘着剤層１の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の４倍よりも大きいことが好ましく、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の５倍よりも大きいことがより好ましく、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の１０倍よりも大きいことがさらに好ましく、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の２０倍よりも大きいことが特に好ましい。

粘着剤層１の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、具体的には、好ましくは３×１０^５Ｐａ以上、より好ましくは３．５×１０^５Ｐａ以上１×１０^７Ｐａ以下である。粘着剤層１の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を上記範囲とすることで、粘着剤の突起状電極間への追従を抑制する効果等がより確実に得られる。

エネルギー線を照射する前の状態におけるダイシングシートについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、シリコンミラーウエハに対する１８０°引きはがし粘着力試験を行ったときに測定される粘着力（本明細書において、「照射前粘着力」ともいう。）は、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以上である。本明細書において、照射前粘着力を測定するまでの条件は次のとおりとする。ダイシングシートの粘着剤層１の面を、ゴムローラを用いて貼付荷重２ｋｇｆで、シリコンミラーウエハ上に貼付する。そして、ダイシングシートがシリコンミラーウエハに貼付された状態を、２３℃、相対湿度５０％の環境下に２０分間維持する。２０分間経過したら、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して１８０°引き剥がし粘着力試験を行う。

照射前粘着力が２０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることにより、部分剥離が生じにくくなる。部分剥離が生じる可能性をより安定的に低減させる観点から、照射前粘着力は、２２００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、２３００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、２５００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが特に好ましい。部分剥離が生じる可能性を低減させる観点からは、照射前粘着力の上限は設定されない。取扱い性や製造安定性を高める観点から、照射前粘着力は、１００００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい場合があり、８０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい場合がある。

粘着剤層１の硬化前の２３℃における損失係数ｔａｎδは、０．２３以上である。かかる損失係数ｔａｎδが０．２３以上であることにより、粘着剤層１の変形が容易となる。このため、経時的な粘着剤層１の変形が抑制され、部分剥離が生じにくくなる。部分剥離が生じる可能性をより安定的に低減させる観点から、上記の損失係数ｔａｎδは、０．２５以上であることが好ましく０．３以上であることがより好ましく、０．３８以上であることが特に好ましい。部分剥離の発生を抑制する観点からは、上記の損失係数ｔａｎδの上限は設定されない。取扱い性および生産性の観点から、上記の損失係数ｔａｎδは０．７以下であることが好ましい場合があり、０．６５以下であることがより好ましい場合がある。

粘着剤層１の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。粘着剤層１の厚みが上記範囲にあることで、ダイシング性が向上し、チッピングの発生を抑制できる。また、突起状電極間に粘着剤層１が追従することを好適に抑制し、突起状電極間における粘着剤層１の残渣の発生や、ピックアップ時におけるチップの破損を防止でき、かつ後述する突起状電極の形成された領域（電極形成領域）の外周部におけるダイシングシートの追従性が維持される。粘着剤層１の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

粘着剤層１は、エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物および粘着性を発現させるための物質からなる成分（以下、「エネルギー線硬化型粘着成分」と記載することがある。）を含有する。

粘着剤層１は、エネルギー線硬化型粘着成分と必要に応じ光重合開始剤とを配合した粘着剤組成物とを用いて形成される。さらに、上記粘着剤組成物には、各種物性を改良するため、必要に応じ、その他の成分が含まれていてもよい。その他の成分としては架橋剤が好ましい。

以下、エネルギー線硬化型粘着成分について、アクリル系粘着剤を例として具体的に説明する。

アクリル系粘着剤は、粘着剤組成物に十分な粘着性および造膜性（シート形成性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）を含有し、またエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）を含有する。エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化し、粘着剤組成物の粘着力を低下させる機能を有する。また、上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合がある）を用いることが好ましい。このようなエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。

アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、さらに好ましくは−６０〜２０℃の範囲にある。

アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどのアルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート；シクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどの環状骨格を有する（メタ）アクリレート；ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの水酸基含有（メタ）アクリレート；アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどが挙げられる。また、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等が共重合されていてもよい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なお、本明細書における「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸およびメタクリル酸の両方を意味する。他の類似用語についても同様である。

また、本発明におけるアクリル重合体（Ａ）は反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基は、本発明における粘着剤層１を構成する粘着剤組成物に好ましく添加される架橋剤の反応性官能基と反応して三次元網目構造を形成し、粘着剤層１の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を所定範囲に調整することが容易になる。アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基としては、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、水酸基等が挙げられるが、架橋剤と選択的に反応させやすいことから、水酸基であることが好ましい。反応性官能基は、上述した水酸基含有（メタ）アクリレートやアクリル酸等の反応性官能基を有する単量体を用いてアクリル重合体（Ａ）を構成することで、アクリル重合体（Ａ）に導入できる。

アクリル重合体（Ａ）は、その構成する全単量体中、反応性官能基を有する単量体を５〜３０質量％含むことが好ましく、１０〜３０質量％含むことがさらに好ましい。反応性官能基を有する単量体の配合割合をこのような範囲とすることで、架橋剤によりアクリル重合体（Ａ）が効率的に架橋され、粘着剤層１の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を所定範囲に調整することが容易になる。また、アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基（例えば水酸基）当量は、架橋剤の反応性官能基（例えばイソシアネート基）当量の０．１７〜２．０倍であることが好ましい。アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基当量と、架橋剤の反応性官能基当量との関係を上記範囲にすることで、粘着剤層１の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を所定範囲に調整することがさらに容易になる。

エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線硬化性化合物の例としては、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）が挙げられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートなどのアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内にエネルギー線硬化性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。

一般的には成分（Ａ）（後述するエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含む）１００質量部に対して、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物は好ましくは０〜２００質量部、より好ましくは１〜１００質量部、さらに好ましくは、１〜３０質量部程度の割合で用いられる。エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物は、その分子量の低さから、添加することによりエネルギー線硬化前の粘着剤層１を軟化させる。すると、突起状電極間に粘着剤層１が追従しやすくなり、突起状電極間に粘着剤残渣を生じやすくなるおそれがある。このため、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物の使用量は少なく制限することが好ましい。

上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、重合体の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなる。上述のとおり、エネルギー線重合性基を有する低分子量化合物の使用量を少なく制限することが好ましいが、この場合にはエネルギー線の照射による粘着剤層１の硬化が不充分となり、被着体へ粘着剤層１が残留することを抑制する効果が低下する可能性がある。そこで、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を粘着剤層１に適用することで、エネルギー線照射前の粘着剤層１を軟化させることなく、かつ、エネルギー線の照射により粘着剤層１の硬化を十分に進行させることができる。また、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は分子内にエネルギー線重合性基を有し、かつ反応性官能基をも有することが可能であるため、一分子が他の分子と結合する確率が高い。このため、エネルギー線を照射し、粘着剤層１を硬化させた後、低分子成分が三次元網目構造に取り込まれずに残存する可能性が低い。したがって、三次元網目構造に取り込まれずに残存した低分子成分に起因した残渣の発生が抑制される。

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主骨格は特に限定はされず、粘着剤として汎用されているアクリル共重合体であってもよい。

エネルギー線硬化型粘着性重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線硬化性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型粘着性重合体に結合していてもよい。

エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−７０〜３０℃、より好ましくは−６０〜２０℃の範囲にある。

エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル粘着性重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。アクリル粘着性重合体は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体と、前述した成分（Ａ）を構成するモノマーとからなる共重合体であることが好ましい。該重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸等が挙げられる。

上記のようなアクリル重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｂ）または、エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含むアクリル系粘着剤は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示できる。エネルギー線として紫外線を用いる場合に、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤の含有量は、理論的には、粘着剤層１中に存在する不飽和結合量（エネルギー線硬化性二重結合量）やその反応性および使用される光重合開始剤の反応性に基づいて決定されるべきであるが、複雑な混合物系においては必ずしも容易ではない。一般的な指針として、光重合開始剤の含有量は、エネルギー線硬化性化合物（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは１〜５質量部である。光重合開始剤の含有量が前記範囲を下回ると光重合の不足で満足なピックアップ性が得られないことがあり、前記範囲を上回ると光重合に寄与しない残留物が生成し、粘着剤層１の硬化性が不充分となることがある。

架橋剤としては、有機多価イソシアネート化合物、有機多価エポキシ化合物、有機多価イミン化合物等が挙げられ、有機多価イソシアネート化合物（イソシアネート系架橋剤）が好ましい。

有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。

有機多価イソシアネート化合物のさらに具体的な例としては、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。

有機多価エポキシ化合物の具体的な例としては、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルアミンなどが挙げられる。

有機多価イミン化合物の具体的な例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。

架橋剤はアクリル重合体（Ａ）（エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含む）１００質量部に対して、好ましくは５質量部以上、より好ましくは８〜３５質量部、特に好ましくは１２〜３０質量部の比率で用いられる。架橋剤の配合量を上記範囲とすることで、粘着剤層１の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を好ましい範囲に調整することが容易となる。

また、他の成分として、架橋剤のほかに染料、顔料、劣化防止剤、帯電防止剤、難燃剤、シリコーン化合物、連鎖移動剤等を添加してもよい。

粘着剤層１は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体を含んでいてもよい。重合性分岐重合体はダイシングシートの剥離性（ピックアップ性）を向上させる機能を有する。重合性分岐重合体についての具体的な構造（具体例として、分子量、分岐構造の程度、一分子中に有するエネルギー線硬化性二重結合の数などが挙げられる。）は限定されない。このような重合性分岐重合体を得る方法としては、たとえば、２個以上のエネルギー線硬化性二重結合を分子内に有するモノマーと、活性水素基および１個のエネルギー線硬化性二重結合を分子内に有するモノマーと、１個のエネルギー線硬化性二重結合を分子内に有するモノマーとを重合させることにより得られる、分岐構造を有する重合体と、活性水素基と反応して結合を形成可能な官能基および少なくとも１個のエネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物とを反応させることにより得ることができる。

アクリル重合体（Ａ）（エネルギー線硬化型粘着性重合体（ＡＢ）を含む）との相互作用を適度に抑制することを容易にする観点から、重合性分岐重合体のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００以上１００，０００以下であることが好ましく、３，０００以上３０，０００以下であることがより好ましい。重合性分岐重合体における一分子中に有するエネルギー線重合性基の数は限定されない。

なお、本明細書において、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値として測定された値を意味する。具体的には、ＧＰＣ測定装置（東ソー社製「ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ」）を使用して、以下に示す条件にて行うものとする。
カラム：ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ→ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ→ＴＳＫｇｅｌ２０００ＨＸＬ
測定温度：４０℃
流速：１ｍｌ／分
検出器：示差屈折計

（中間層２）
中間層２は、たとえば従来より公知の種々の粘着剤等の樹脂組成物により形成することができる。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、ウレタン系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。

中間層２を構成する材料がアクリル系の材料である場合には、粘着剤層１を構成する材料として例示したアクリル系粘着剤と同様の材料であってもよい。粘着剤層１を構成するアクリル系粘着剤に含有される成分のうち、アクリル重合体（Ａ）を含有していれば、エネルギー線で硬化する性質を有していなくてもよい。

中間層２を構成する材料がウレタン系の材料である場合には、当該材料は、特許文献４に記載される含ウレタン硬化物からなっていてもよい。含ウレタン硬化物は、ウレタンオリゴマーおよび／またはウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーと必要に応じて添加されるエネルギー線硬化型モノマーとを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物であってもよい。

中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の具体的な値は、前述の粘着剤層１の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’との関係を満たす限り、限定されない。中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、好ましくは１×１０^４Ｐａ以上１×１０^５Ｐａ未満であり、より好ましくは１×１０^４Ｐａ以上９×１０^４Ｐａ以下、さらに好ましくは１×１０^４Ｐａ以上８×１０^４Ｐａ以下である。中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’をこのような範囲に調整することで、電極形成領域の外周部におけるダイシングシートの追従性を向上させる効果がより確実に得られる。中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が低すぎると、突起状電極間に粘着剤層１が追従し、突起状電極間に粘着剤層１の残渣が発生する可能性が高まることがある。なお、中間層２がエネルギー線照射により硬化する性質を有する場合には、中間層２の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、エネルギー線照射前の貯蔵弾性率である。

また、中間層２の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。中間層２の厚みが上記範囲にある場合には、粘着剤層１の変形に合わせて中間層２が変形することが容易となる。中間層２は、１０μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下であることがさらに好ましく、２０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

中間層２の厚みは、突起状電極の高さの０．５倍以上１．５倍以下であることが好ましい場合があり、１．０倍以上１．５倍以下であることがより好ましい場合がある。中間層２の具体的な厚みは、上記の好ましい範囲から選択し、適用されるウエハの突起状電極の高さから計算して定めればよい。中間層２の厚みが上記範囲にあることで、突起状電極間におけるダイシングシートの非追従性および電極形成領域の外周部におけるダイシングシートの追従性に優れ、ダイシング性が向上し、チッピングの発生を抑制できる。

（基材３）
基材３としては、特に限定はされないが、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルム、共重合体フィルムも用いられる。上記の基材３は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。

また、粘着剤層１および／または中間層２を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材３は紫外線に対して透過性を有する材料から構成されることが好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には基材３に光線透過性は必要とされない。被着体面の視認性が求められる場合には、基材３は透明であることが好ましい。基材３は着色されていてもよい。

また、基材３の上面、すなわち中間層２が設けられる側の基材３の表面には中間層２との密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けたりしてもよい。また、中間層２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。本発明の一実施形態に係るダイシングシートは、上記のような基材３の片面に中間層２を形成し、該中間層２の上に粘着剤層１を設けることで製造される。基材３の厚みは、好ましくは２０〜２００μｍ、より好ましくは２５〜１１０μｍ、特に好ましくは５０〜９０μｍの範囲にある。基材３の厚みが大きいと、基材３の曲げに対抗する力が大きくなり、ピックアップ時のチップとダイシングシートとの剥離角度が大きくなりにくい。このため、ピックアップに要する力が増加し、ピックアップ性に劣る場合がある。基材３の厚みが小さい場合には、材料によっては製膜が困難となる場合がある。

上記基材３の表面に中間層２を設ける方法は、中間層２を構成する中間層用組成物を剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布して中間層２を形成し、上記基材３の表面に転写しても構わないし、上記基材３の表面に中間層用組成物を直接塗布して中間層２を形成しても構わない。中間層２の上に粘着剤層１を設ける方法は、粘着剤組成物を用い、基材３上に中間層２を設ける方法と同様である。このようにして本発明の一実施形態に係るダイシングシートが得られる。

また、本発明の一実施形態に係るダイシングシートは、その使用前に粘着剤層１を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングシートは、突起状電極を有する半導体ウエハの電極が形成された面に貼付されることに用いられることが好ましい。突起状電極としては、円柱型電極、球状電極等が挙げられる。本発明の一実施形態に係るダイシングシートは特に近年使用の増えている貫通電極を有するウエハに好適に用いることができる。半導体ウエハへのダイシングシートの貼付方法は特に限定されない。

次いで、ダイシングブレードなどの切断手段を用いて、半導体ウエハを回路毎に個片化して半導体チップを作製する。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと、粘着剤層１と中間層２の厚みとの合計およびダイシングブレードの摩耗分を加味した深さにする。

ダイシング後、必要に応じて本発明の一実施形態に係るダイシングシートをエキスパンドして各半導体チップの間隔を離間させた後、吸引コレット等の汎用手段により各半導体チップのピックアップを行うことで、半導体チップが製造される。また、粘着剤層１にエネルギー線を照射し、粘着力を低下させた後、エキスパンド、ピックアップを行うことが好ましい。

このように、本発明の一実施形態に係るダイシングシートを、突起状電極を有する半導体ウエハの電極が形成された面に貼付する工程、半導体ウエハを回路ごとに個片化して半導体チップを作製する工程、および半導体チップをピックアップする工程を含むことにより、半導体チップを製造することができる。かかる製造方法では、ダイシングシートの部分剥離などの問題を有しにくいため、半導体ウエハのダイシングが安定に（チッピングなどに起因する不具合少なく）行われやすい。したがって、上記の製造方法によれば、優れた品質の半導体チップを安定的に製造することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、粘着剤層１と中間層２との間に、別の層が存在していてもよい。その層の弾性体としての性質が粘着剤層１と中間層２との中間の性質である場合には、部分剥離が生じる可能性をより安定的に低減させることができることもある。

あるいは、粘着剤層１と中間層２とは明確な境界を有さず、粘着剤層１の組成から中間層２の組成へと連続的に変化していてもよい。このような構造を有する場合に、部分剥離が生じる可能性をより安定的に低減させることができることもある。このような場合の具体例として、粘着剤層１および中間層２を与える層がいずれもアクリル系粘着剤を含有し、ダイシングシート１０の基材３と反対の面側に電子線照射する場合が挙げられる。この場合には、照射面近傍の重合が優先的に進行して、粘着剤層１に相当する領域を形成することができる。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

（実施例１）
〔粘着剤組成物Ａの作製〕
ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６２／１０／２８（質量比）を反応させて得られたアクリル粘着性重合体と、該アクリル粘着性重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート単位１００モル当たり８０モルのメタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）とを反応させて得られたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：４０万、以下「アクリル重合体Ａ」ともいう。）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）、および重合性分岐重合体（日産化学工業社製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：１４，０００）０．１５質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ａを得た。

〔中間層用組成物の作製〕
２−エチルヘキシルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝９５／５（質量比）を反応させてアクリル重合体（ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：９０万）を得た。上記アクリル重合体１００質量部、および架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））０．５質量部（固形分換算）を溶媒中で混合し、中間層用組成物を得た。

〔ダイシングシートの作製〕
剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１（ＰＦ）」）に、上記中間層用組成物を、塗布・乾燥（乾燥条件：１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された中間層（厚み：２０μｍ）を得た。次いで、中間層と基材（エチレンメタクリル酸共重合フィルム８０μｍ厚）とを貼り合わせて、中間層上から剥離フィルムを剥離し、中間層を基材上に転写した。

また、剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１（ＰＦ）」）に、上記粘着剤組成物を、塗布・乾燥（乾燥条件：１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された粘着剤層（厚み：１０μｍ）を得た。

その後、基材付き中間層と剥離フィルム付き粘着剤層とを貼り合わせて、ダイシングシートを得た。

（実施例２）
ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６２／１０／２８（質量比）を反応させて得られたアクリル粘着性重合体と、該アクリル粘着性重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート単位１００モル当たり８０モルのメタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）とを反応させて得られたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：６０万）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）、および重合性分岐重合体（日産化学工業社製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：１４，０００）０．１５質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｂを得た。
得られた粘着剤組成物Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様の作業を行って、ダイシングシートを得た。

（実施例３）
アクリル重合体Ａ１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））１０質量部（固形分換算）、および重合性分岐重合体（日産化学工業社製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：１４，０００）０．１５質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｃを得た。
得られた粘着剤組成物Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様の作業を行って、ダイシングシートを得た。

（実施例４）
アクリル重合体Ａ１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、および架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｄを得た。
得られた粘着剤組成物Ｄを用いたこと以外は、実施例１と同様の作業を行って、ダイシングシートを得た。

（実施例５）
中間層の厚みを３０μｍとしたこと以外は実施例１と同様にしてダイシングシートを得た。

（実施例６）
粘着剤層の厚みを３０μｍとしたこと以外は実施例２と同様にしてダイシングシートを得た。

（実施例７）
２−エチルヘキシルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝８０／２０（質量比）を反応させて得られたアクリル粘着性重合体と、該アクリル粘着性重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート単位１００モル当たり８０モルのメタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）とを反応させて得られたエネルギー線硬化型粘着性重合体（ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）：１００万）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、および架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））１０量部（固形分換算）を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｅを得た。
得られた粘着剤組成物Ｅを用いたこと以外は、実施例１と同様の作業を行って、ダイシングシートを得た。

（試験例１）貯蔵弾性率Ｇ’および損失係数ｔａｎδの測定
実施例において調製した粘着剤組成物ＡからＤのそれぞれを、剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１（ＰＦ）」）に、塗布・乾燥（乾燥条件：１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された粘着剤層（厚み：２５μｍ）を得た。粘着剤層を剥離フィルムから剥離して総厚さが約１ｍｍになるように重ね合わせて、粘着剤層に関する試験サンプルを作製した。実施例において調製した中間層用組成物についても同様の作業を行って、中間層に関する総厚さが約１ｍｍの試験サンプルを作製した。

得られた試験サンプルを直径８ｍｍの円盤状に打ち抜き、パラレルプレートで挟み込み、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製「ＡＲＥＳ」）を用い、下記の条件で測定した。取り込んだデータから、粘着剤層および中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の値、ならびに粘着剤層の２３℃における損失係数ｔａｎδの値を求めた。それらの結果を、粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’に対する比率とともに、表１に示す。
測定温度：−３０〜１２０℃
昇温速度：３℃／分
測定周波数：１Ｈｚ

（試験例２）照射前粘着力の測定
実施例において作製したダイシングシートから剥離シートを剥離して、表出した粘着剤層の面を、ゴムローラを用いて貼付荷重２ｋｇｆで、シリコンミラーウエハ上に貼付した。ダイシングシートがシリコンミラーウエハに貼付された状態を、２３℃、相対湿度５０％の環境下に２０分間維持した後、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、１８０°引きはがし粘着力試験を行った。その結果を表１に示す。

（試験例３）部分剥離発生の有無の確認
実施例において作製したダイシングシートから剥離シートを剥離して、表出した粘着剤層の面を、直径２８μｍ、ピッチ３５μｍ、高さ１２μｍの凹凸が２行５列に形成されたウエハに対し、貼付装置（リンテック社製「ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付した。貼付装置の条件は次のとおりであった。
押込量：１５μｍ
突出量：１５０μｍ
貼付応力：０．３５ＭＰａ
貼付速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
貼付温度：２３℃

ダイシングシートの基材側の面から、凹凸周辺の粘着剤層の貼付状態を観察した。具体的には、ダイシングシートとウエハとの間に生じた気泡を観察した。２３℃、相対湿度５０％の環境下に２４時間静置した後、ダイシングシートの基材側の面から、凹凸周辺の粘着剤層の貼付状態を再度観察して、気泡の形状変化に基づいて部分剥離の発生の有無を評価した。変化のないものを良好（表１中「Ａ」）と判定し、気泡が広がったり、気泡同士が繋がったりしたものを不良（表１中「Ｂ」）とした。

本発明例である実施例１および４から６において作製されたダイシングシートは、２３℃における硬化前の粘着剤層の貯蔵弾性率Ｇ’は２３℃における中間層の貯蔵弾性率Ｇ’よりも大きく、かつ損失係数ｔａｎδが０．２３以上であり、照射前粘着力は２０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であった。かかるダイシングシートを用いた場合には、部分剥離は認められなかった。これに対し、比較例である実施例２、３および７において作製されたダイシングシートを用いた場合には、部分剥離が認められた。

本発明に係るダイシングシートは、いわゆる貫通電極（ＴＳＶ）など凹凸を有する半導体ウエハのダイシングシートとして好適に使用されうる。

１０、２０…ダイシングシート
１、２１…粘着剤層
２…中間層
３…基材
３０…半導体ウエハ
３０Ａ…電極形成領域の外周部
３０Ａ’…部分剥離が生じた部分
３１…突起状電極

Claims (15)

1. 基材と、その片面に設けられた中間層と、前記中間層の上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングシートであって、
   前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物を含有し、
   前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’よりも大きく、
   前記粘着剤層を硬化する前の前記ダイシングシートについて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、シリコンミラーウエハに対する１８０°引きはがし粘着力試験を行ったときに測定される粘着力が、２０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、
   前記粘着剤層の硬化前の２３℃における損失係数ｔａｎδは、０．４４以上であること
   を特徴とするダイシングシート。
2. 前記エネルギー線硬化性二重結合を分子内に有する化合物が、重合体の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体を含む請求項１に記載のダイシングシート。
3. 前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上１×１０^５Ｐａ未満である請求項１または２に記載のダイシングシート。
4. 前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０^５Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のダイシングシート。
5. 前記粘着剤層が、反応性官能基を有するアクリル重合体および架橋剤を含有し、アクリル重合体１００質量部に対して、架橋剤を５質量部以上含有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のダイシングシート。
6. 前記架橋剤がイソシアネート系架橋剤であることを特徴とする請求項５に記載のダイシングシート。
7. 突起状電極が設けられたウエハに貼付して用いることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のダイシングシート。
8. 前記突起状電極が、貫通電極である請求項７に記載のダイシングシート。
9. 前記中間層が、前記突起状電極の高さの０．５倍以上１．５倍以下の厚みであることを特徴とする請求項７または８に記載のダイシングシート。
10. 前記粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’の４倍よりも大きい、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のダイシングシート。
11. 前記粘着剤層の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のダイシングシート。
12. 前記中間層の厚みは５μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のダイシングシート。
13. 前記粘着力は、１００００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のダイシングシート。
14. 前記粘着剤層は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体を含有する、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のダイシングシート。
15. 突起状電極を有する半導体ウエハの電極が形成された面に、請求項１から請求項１４のいずれかに記載のダイシングシートを貼付する工程、前記半導体ウエハを回路ごとに個片化して半導体チップを作製する工程、および前記半導体チップをピックアップする工程を含む半導体チップの製造方法。

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