TW202403853A - 半導體加工用黏著膠帶 - Google Patents

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Abstract

本發明係將提供一種藉由刀片之切斷性優異之半導體加工用黏著膠帶作為課題。而且，藉由將該課題定為半導體加工用黏著膠帶來解決，該黏著膠帶係具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構，前述緩衝層滿足下述要件(α)及下述要件(β)之雙方。 ･要件(α)：前述緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上。 ･要件(β)：在溫度23℃，將前述緩衝層供於拉伸試驗時，裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至前述裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上。

Description

半導體加工用黏著膠帶
本發明係關於半導體加工用黏著膠帶。進一步詳述時，本發明係關於半導體加工用黏著膠帶、該半導體加工用黏著膠帶的使用方法，及利用該半導體加工用黏著膠帶之半導體裝置之製造方法。
近年來，伴隨各種電子設備的小型化及多機能化的急速進展，正尋求有搭載在各種電子設備之半導體晶片的小型化及薄型化。 半導體晶片的薄型化，一般而言，係藉由研削半導體晶圓的背面進行。又，作為用以得到薄型化之半導體晶片之手法，已知有被稱為先切割法(DBG：Dicing Before Grinding)之手法。DBG係從半導體晶圓的表面側(電路形成面側)，將指定深度之凹槽藉由切割刀刃等形成後，從半導體晶圓背面側進行研削，並藉由研削，單片化半導體晶圓，而得到半導體晶片之手法。 於DBG，由於可同時進行半導體晶圓的背面研削、與半導體晶圓的單片化，故可效率良好地製造薄型化之半導體晶片。
又，作為DBG之變形法，亦提案有並非在半導體晶圓的表面側形成凹槽，而是在半導體晶圓的內部藉由雷射或電漿等，形成改質區域，並以半導體晶圓的背面研削時之應力等，單片化半導體晶圓，而得到半導體晶片之手法。為此手法時，係將改質區域作為起點，於結晶方向切斷半導體晶圓。因此，可較使用切割刀刃之DBG更減低切削的發生。其結果，可得到抗彎強度優異之半導體晶片，使得半導體晶片的進一步薄型化變可能。又，與藉由切割刀刃等，在半導體晶圓表面形成指定深度的凹槽之DBG比較，由於無藉由切割刀刃，刮掉半導體晶圓之區域(換言之，係因為切口寬度極小)，故亦有半導體晶片的收率優異之優點。
然而，於包含DBG或DBG之變形法等之半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片的製造時，為了保護半導體晶圓表面之電路，又，保持半導體晶圓及半導體晶片，一般而言，係在半導體晶圓表面貼附被稱為背磨薄片之半導體加工用黏著膠帶。 作為這般的半導體加工用黏著膠帶，提案有例如具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構的半導體加工用黏著膠帶(例如參照專利文獻1等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-183008號公報
[發明欲解決之課題]
然而，在包含DBG或DBG之變形法等之半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片的製造時，將半導體晶圓藉由磨床等進行背面研削時，在半導體晶圓的外周有多餘之半導體加工用黏著膠帶時，有磨床咬入多餘之半導體加工用黏著膠帶的情況。因此，半導體加工用黏著膠帶於背面研削之前沿著半導體晶圓的外周切斷。
然而，伴隨半導體晶片的小型化及薄型化，有因半導體加工用黏著膠帶的切斷時所產生之切塵，導致發生半導體晶片的碎裂或破損(以下，將此等稱為「半導體晶片的裂縫」)的情況。 因此，本發明者們為了抑制半導體晶片之裂縫的發生，對於發生切塵的主要原因進行研究。其結果，發現藉由將半導體加工用黏著膠帶以刀片切斷時，引起因刀片與緩衝層的接觸，導致摩擦緩衝層之構成緩衝層的樹脂扭曲等，而粗糙切斷面，導致發生切塵。
本發明者們根據該發現，認為作為抑制切塵的發生之手法，提高半導體加工用黏著膠帶的藉由刀片之切斷性，抑制緩衝層的切斷面的粗糙為有效，進行進一步努力研究，而完成本發明。
據此，本發明之課題係以提供一種藉由刀片之切斷性優異之半導體加工用黏著膠帶作為課題。 [用以解決課題之手段]
本發明者們重複努力研究的結果，發現具有滿足特定的要件之緩衝層的半導體加工用黏著膠帶可解決上述課題，而終至完成本發明。
亦即，本發明係關於下述[1]～[9]。 [1] 一種半導體加工用黏著膠帶，其係具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構， 前述緩衝層滿足下述要件(α)及下述要件(β)之雙方。 ･要件(α)：前述緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上。 ･要件(β)：在溫度23℃，將前述緩衝層供於拉伸試驗時，裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至前述裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上。 [2] 如上述[1]所記載之半導體加工用黏著膠帶，其中，前述基材係滿足下述要件(γ)。 ･要件(γ)：溫度在23℃之裂斷應變(ε 100)與溫度在23℃之裂斷應力(ρ 100)的乘積為60MPa以上。 [3] 如上述[1]或[2]所記載之半導體加工用黏著膠帶，其中，前述黏著劑層的厚度未滿100μm。 [4] 一種使用方法，其係如上述[1]～[3]中任一項所記載之半導體加工用黏著膠帶的使用方法，其特徵為 進行半導體晶圓的背面研削時，將前述半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷。 [5] 一種半導體裝置之製造方法，並其包含將如上述[1]～[3]中任一項所記載之半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷步驟(S1)。 [6] 一種半導體裝置之製造方法，其係在如上述[5]所記載之半導體裝置之製造方法，進一步包含下述步驟(S2)。 ･步驟(S2)：將前述半導體晶圓從背面側研削之步驟 [7] 一種半導體裝置之製造方法，其係在如上述[6]所記載之半導體裝置之製造方法，進一步包含下述步驟(S3)。 ･步驟(S3)：切割前述半導體晶圓以進行單片化之步驟 [8] 一種製造方法，其係在如上述[6]所記載之半導體裝置之製造方法， 作為前述半導體晶圓，係使用在表面側形成有凹槽之半導體晶圓， 在前述步驟(S2)，將前述凹槽作為起點，將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。 [9] 一種製造方法，其係在如上述[6]所記載之半導體裝置之製造方法， 作為前述半導體晶圓，係使用在內部形成有改質區域之半導體晶圓，或於前述步驟(S1)之後，在前述半導體晶圓的內部形成改質區域， 在前述步驟(S2)，係將前述改質區域作為起點，將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。 [發明效果]
根據本發明，變成可提供一種藉由刀片之切斷性優異之半導體加工用黏著膠帶。
可任意組合本說明書所記載之數值範圍的上限值及下限值。例如，作為數值範圍，記載為「A～B」及「C～D」時，「A～D」及「C～B」的數值範圍亦包含在本發明的範圍。 本說明書所記載之數值範圍「下限值～上限值」，除非另有規定，係意指下限值以上、上限值以下。 在本說明書，實施例之數值可作為上限值或下限值使用之數值。
在本說明書，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，對於其他類似之用語亦相同。例如，所謂「(甲基)丙烯醯基」，係包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。 在本說明書，重量平均分子量及數平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算值。
[半導體加工用黏著膠帶的態樣] 本發明之半導體加工用黏著膠帶係具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構。而且，緩衝層滿足下述要件(α)及下述要件(β)之雙方。 ･要件(α)：前述緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上。 ･要件(β)：在溫度23℃，將前述緩衝層供於拉伸試驗時，裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至前述裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上。
於圖1表示本發明之半導體加工用黏著膠帶的一態樣之剖面模式圖。圖1所示之半導體加工用黏著膠帶1係具有依序疊層緩衝層11、基材12、與黏著劑層13而成之疊層結構。 圖1所示之半導體加工用黏著膠帶1係不經由其他層，直接疊層緩衝層11、與基材12、與黏著劑層13。據此，圖1所示之半導體加工用黏著膠帶1係僅由緩衝層11、基材12及黏著劑層13所構成。
惟，半導體加工用黏著膠帶1並非一定被限定於這般的形態。例如，於緩衝層11與基材12之間、基材12與黏著劑層13之間的至少任一者，如有必要可設置其他層。作為該其他層，例如可列舉底漆層、用以嵌入形成在晶圓的電路面之凸塊的層等。又，可於黏著劑層13的表面，至使用時為止疊層用以保護黏著劑層13之剝離薄片。進而，亦可於緩衝層11的表面，設置塗佈層。 尚，圖1中，緩衝層11、基材12及黏著劑層13雖分別為單層結構，但此等亦可為多層結構。
以下，對於半導體加工用黏著膠帶的各構件的物性及構成，進行詳細說明。 尚，於以下之說明，亦有將「半導體加工用黏著膠帶」單簡稱為「黏著膠帶」的情況。
[緩衝層] 緩衝層係具有緩和半導體晶圓的背面研削時之應力，防止在半導體晶圓產生破裂及碎裂的機能。又，在半導體晶圓貼附黏著膠帶，沿著半導體晶圓的外周，切斷黏著膠帶後，半導體晶圓透過黏著膠帶，配置在夾頭座(Chuck table)上並背面研削。藉由黏著膠帶具有緩衝層，使得半導體晶圓變容易適當保持在夾頭座。如此，進行半導體晶圓的背面研削時，藉由黏著膠帶具有緩衝層，有莫大的優點。 惟，另一方面，由於緩衝層與基材比較，為軟質，故亦存在缺點。具體而言，有於黏著膠帶的切斷時引起緩衝層的樹脂扭曲等，切斷面粗糙，發生切塵的情況。
本發明者們為了消除上述缺點，經重複深思熟慮的結果，認為提高黏著膠帶的藉由刀片之切斷性，抑制緩衝層的切斷面的粗糙，對切塵的抑制為有效，而進行努力研究。其結果，發現藉由著重在緩衝層的裂斷能、與在緩衝層的應力-應變線圖之裂斷點附近之應力的增加梯度，可將藉由刀片之緩衝層的切斷性成為優異者。而且，進一步重複研究，特定上述要件(α)及上述要件(β)。
＜要件(α)＞ 於要件(α)，緩衝層在23℃之裂斷能規定為15MJ/m 3以上。藉由緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上，且緩衝層亦滿足要件(β)，可將藉由刀片之緩衝層的切斷性成為優異者。緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上時，推測緩衝層即使碰到刀片，亦難以變形，並抑制緩衝層的扭曲等，使得切斷性成為良好者。 尚，緩衝層在23℃之裂斷能未滿15MJ/m 3時，使得藉由刀片之緩衝層的切斷性無法成為優異者。 於此，從容易將藉由刀片之緩衝層的切斷性成為更為優異者的觀點來看，緩衝層在23℃之裂斷能，較佳為17MJ/m 3以上，更佳為22MJ/m 3以上，再更佳為27MJ/m 3以上。 又，從防止刀片之磨損的觀點來看，緩衝層在23℃之裂斷能，較佳為150MJ/m 3以下。 尚，緩衝層在23℃之裂斷能係在根據JIS K7161：1994及JIS K7127：1999，藉由在23℃之拉伸試驗獲得之線圖化應力與應變之應力-應變線圖，積分至裂斷點之值。應變可藉由初期的試驗片長度(mm)×伸長度(%)求出。尚，後述之裂斷應力及裂斷應變分別為在上述拉伸試驗之裂斷時(裂斷點)的應力及應變。
＜要件(β)＞ 於要件(β)，在溫度23℃，將緩衝層供於拉伸試驗時，規定裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至前述裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上。應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上時，藉由加工硬化(應變硬化)，於藉由刀片之切斷的過程，提昇緩衝層的硬化程度，於藉由刀片之切斷時抑制緩衝層的變形(伸長)。因此，推測抑制緩衝層的扭曲等，切斷性成為良好者。 尚，緩衝層的應力的增加梯度Δρ 80-100未滿30MPa時，無法將藉由刀片之緩衝層的切斷性成為優異者。 於此，從將藉由刀片之緩衝層的切斷性成為更為優異者的觀點來看，應力的增加梯度Δρ 80-100，較佳為50MPa以上，更佳為70MPa以上，再更佳為75MPa以上，再更佳為80MPa以上，又再更佳為85MPa以上，一層更佳為90MPa以上，再一層更佳為95MPa以上，又再一層更佳為100MPa以上。又，應力的增加梯度Δρ 80-100通常為200MPa以下。
＜其他物性值＞ 緩衝層與基材比較，為軟質之層。藉此，適當緩和半導體晶圓的背面研削時之應力。 尚，從容易將半導體晶圓的背面研削時之應力成為更為適當緩和的觀點來看，緩衝層在23℃之彈性率，較佳為1,200MPa以下，更佳為1,000MPa以下，再更佳為800MPa以下，又再更佳為700MPa以下，又再更佳為500MPa以下。
又，從變容易得到上述之裂斷能及應力的增加梯度Δρ 80-100的觀點來看，緩衝層的裂斷應力較佳為30MPa以上，更佳為50MPa以上，再更佳為55MPa以上，又再更佳為60MPa以上。 進而，從變容易得到應力的增加梯度Δρ 80-100的觀點來看，緩衝層的裂斷應變(ε 100)，較佳為0.50以上，更佳為1.0以上，再更佳為1.1以上，再更佳為1.2以上，又再更佳為1.3以上，一層更佳為1.4以上。
＜緩衝層的厚度＞ 緩衝層的厚度從適當緩和半導體晶圓的背面研削時之應力的觀點來看，較佳為1μm～100μm，更佳為5μm～80μm，再更佳為10μm～60μm。
＜緩衝層的構成＞ 緩衝層若為具有適當緩和半導體晶圓的背面研削時之應力的機能，且滿足上述要件(α)及上述要件(β)者，雖可不特別限制使用，但從變容易更加發揮本發明之效果的觀點來看，緩衝層較佳為包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物的硬化物。 以下，對於由包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物所形成之層所包含之各成分，依序進行說明。
＜＜由包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物所形成之層＞＞ 包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物係藉由照射能量線硬化。 在本說明書，所謂「能量線」，係意指於電磁波或荷電粒子束當中，具有能量量子者。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如作為紫外線源，可藉由使用高壓水銀燈、聚變燈、氙氣燈、黑光或LED燈等照射。電子束可照射藉由電子束加速器等發生者。 包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物，更具體而言，較佳為包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。緩衝層形成用組成物藉由含有上述(a1)成分，容易將緩衝層的裂斷能調整在上述範圍。 又，緩衝層形成用組成物除了上述(a1)，更佳為含有選自具有環形成原子數6～20之脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)及具有官能基之聚合性化合物(a3)中之1種以上。 又，緩衝層形成用組成物除了上述(a1)～(a3)成分，亦可含有多官能聚合性化合物(a4)。 進而，較佳為緩衝層形成用組成物含有光聚合起始劑，在不損害本發明之效果的範圍，亦可含有其他添加劑或樹脂成分。 以下，對於包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物中所包含之各成分，進行詳細說明。
(胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)) 所謂胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，係指至少具有(甲基)丙烯醯基及胺基甲酸酯鍵之化合物，係具有藉由能量線照射進行聚合硬化之性質者。胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)為寡聚物或聚合物，於本實施形態，較佳為寡聚物。 尚，於以下之說明，亦將「胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)」稱為「成分(a1)」。
成分(a1)的重量平均分子量(Mw)，較佳為1,000～100,000，更佳為2,000～60,000，再更佳為2,000～未滿10,000。 又，作為成分(a1)中之(甲基)丙烯醯基數(以下，亦稱為「官能基數」)，雖亦可為單官能、2官能或是3官能以上，但較佳為單官能或2官能。 成分(a1)例如於使多元醇化合物、與多價異氰酸酯化合物反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，可使具有羥基(Hydroxyl)之(甲基)丙烯酸酯反應獲得。尚，成分(a1)可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
成為成分(a1)的原料之多元醇化合物，若為具有2個以上羥基之化合物，則並未特別限定。作為具體的多元醇化合物，例如可列舉伸烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。此等當中，較佳為聚酯型多元醇或聚碳酸酯型多元醇。 尚，作為多元醇化合物，雖可為2官能之二醇、3官能之三醇、4官能以上之多元醇中之任一者，但較佳為2官能之二醇，更佳為聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇。
作為多價異氰酸酯化合物，例如可列舉四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等之脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、甲苯吡啶(Tolidine)二異氰酸酯、四亞甲基二甲苯二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等之芳香族系二異氰酸酯類等。 此等當中，較佳為異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯。
於使上述之多元醇化合物、與多價異氰酸酯化合物反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，可使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，而得到胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，若為於至少1分子中具有羥基及(甲基)丙烯醯基之化合物，則並未特別限定。
作為具有具體的羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基環己基(甲基)丙烯酸酯、5-羥基環辛基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等之含有羥基之(甲基)丙烯醯胺；對乙烯基醇、乙烯基酚、雙酚A之二縮水甘油基酯使(甲基)丙烯酸反應所得之反應物；等。 此等當中，較佳為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳為2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯。
作為使末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物及具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應的條件，以如有必要添加之溶劑、觸媒的存在下，於60℃～100℃，反應1小時～4小時的條件較佳。 緩衝層形成用組成物中之成分(a1)的含量，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為10質量%～80質量%，更佳為30質量%～80質量%，再更佳為40質量%～80質量%。
(具有環形成原子數6～20之脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)) 具有環形成原子數6～20之脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)(以下，亦稱為「成分(a2)」)為具有環形成原子數6～20之脂環基或雜環基之聚合性化合物，較佳為進一步具有至少一個(甲基)丙烯醯基的化合物，更佳為具有一個(甲基)丙烯醯基的化合物。藉由使用成分(a2)，可提昇所得之緩衝層形成用組成物的成膜性。
尚，成分(a2)的定義、與後述之成分(a3)的定義雖有重複的部分，但重複部分包含在成分(a3)。例如，具有至少一個(甲基)丙烯醯基、與環形成原子數6～20之脂環基或雜環基、與羥基、環氧基、醯胺基、胺基等之官能基的化合物，雖包含在成分(a2)與成分(a3)兩者的定義，但在本發明，該化合物定為包含在成分(a3)者。
成分(a2)所具有之脂環基或雜環基之環形成原子數，較佳為6～20，更佳為6～18，再更佳為6～16。作為形成該雜環基的環結構之原子，例如可列舉碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。 尚，所謂環形成原子數，係表示原子鍵結成環狀之結構的化合物之構成該環本身的原子之數，未構成環之原子(例如，與構成環之原子鍵結之氫原子)，或該環藉由取代基取代時之取代基所包含之原子未包含在環形成原子數。
作為具體的成分(a2)，例如可列舉異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯等之含有脂環基之(甲基)丙烯酸酯；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉(甲基)丙烯酸酯等之含有雜環基之(甲基)丙烯酸酯；等。 尚，成分(a2)可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 含有脂環基之(甲基)丙烯酸酯當中，較佳為異冰片基(甲基)丙烯酸酯，含有雜環基之(甲基)丙烯酸酯當中，較佳為四氫糠基(甲基)丙烯酸酯。
緩衝層形成用組成物包含成分(a2)時，緩衝層形成用組成物中之成分(a2)的含量，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為10質量%～80質量%，更佳為20質量%～70質量%。
(具有官能基之聚合性化合物(a3)) 具有官能基之聚合性化合物(a3)(以下亦稱為「成分(a3)」)為含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等之官能基的聚合性化合物，進而，較佳為具有至少一個(甲基)丙烯醯基的化合物，更佳為具有一個(甲基)丙烯醯基的化合物。 成分(a3)係與成分(a1)的相溶性良好，變容易將緩衝層形成用組成物的黏度調整在適度的範圍。又，變容易將由該組成物所形成之緩衝層的裂斷能調整在上述範圍，即使緩衝層變比較薄，亦使得緩衝性能變良好。 作為成分(a3)，例如可列舉含有羥基之(甲基)丙烯酸酯、含有環氧基之化合物、含有醯胺基之化合物、含有胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
作為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、苯基羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、環己醇(甲基)丙烯酸酯、4-tert-丁基環己醇丙烯酸酯、2-羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯等。 作為含有環氧基之化合物，例如可列舉縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、甲基縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、烯丙基縮水甘油基醚等，此等當中，較佳為縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、甲基縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等之含有環氧基之(甲基)丙烯酸酯。 作為含有醯胺基之化合物，例如可列舉(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等。 作為含有胺基之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉含有第1級胺基之(甲基)丙烯酸酯、含有第2級胺基之(甲基)丙烯酸酯、含有第3級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
此等當中，較佳為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，更佳為苯基羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等之具有芳香環之含有羥基之(甲基)丙烯酸酯、環己醇(甲基)丙烯酸酯、4-tert-丁基環己醇(甲基)丙烯酸酯等之具有脂環式環之含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，再更佳為具有脂環式環之含有羥基之(甲基)丙烯酸。該脂環式環之環形成碳數，較佳為6～20，更佳為6～18，再更佳為6～16。 尚，成分(a3)可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
緩衝層形成用組成物包含成分(a3)時，緩衝層形成用組成物中之成分(a3)的含量，從將緩衝層的裂斷能調整在上述範圍變容易的觀點、變容易提昇緩衝層形成用組成物之成膜性的觀點來看，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為5質量%～50質量%，更佳為10質量%～40質量%，再更佳為20質量%～30質量%。 又，緩衝層形成用組成物包含成分(a2)及(a3)雙方時，緩衝層形成用組成物中之成分(a2)與成分(a3)的含量比[(a2)/(a3)]，以質量比，較佳為0.5～3.0，更佳為1.0～3.0，再更佳為1.3～3.0，又再更佳為1.5～2.8。 尚，從變容易調製滿足上述要件(α)及(β)之緩衝層的觀點來看，較佳為緩衝層形成用組成物包含成分(a3)，作為該成分(a3)，較佳為具有脂環式環之含有羥基之(甲基)丙烯酸酯。
(多官能聚合性化合物(a4)) 所謂多官能聚合性化合物(a4)(以下亦稱為「成分(a4)」)，係指具有2個以上光聚合性不飽和基之化合物。光聚合性不飽和基係包含碳-碳雙鍵之官能基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等。光聚合性不飽和基亦可組合2種以上。藉由多官能聚合性化合物中之光聚合性不飽和基與成分(a1)中之(甲基)丙烯醯基反應，或成分(a4)中之光聚合性不飽和基彼此反應，形成三維網格結構(交聯結構)。使用多官能聚合性化合物時，與使用僅包含1個光聚合性不飽和基之化合物的情況比較，由於增加藉由能量線照射形成之交聯結構，故緩衝層顯示特異之黏彈性，變容易將裂斷能調整在上述範圍。
尚，成分(a4)的定義、與先述之成分(a2)或成分(a3)的定義雖有重複的部分，但重複部分包含在成分(a4)。例如，具有環形成原子數6～20之脂環基或雜環基，並具有2個以上(甲基)丙烯醯基之化合物包含在成分(a4)與成分(a2)兩者的定義。在本發明，該化合物定為包含在成分(a4)者。又，含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等之官能基，並具有2個以上(甲基)丙烯醯基之化合物係包含在成分(a4)與成分(a3)兩者的定義。在本發明，該化合物定為包含在成分(a4)者。
從上述觀點來看，在多官能聚合性化合物中之光聚合性不飽和基之數(官能基數)較佳為2～10，更佳為3～6。
又，成分(a4)的重量平均分子量，較佳為30～40,000，更佳為100～10,000，再更佳為200～1,000。
作為具體的成分(a4)，例如可列舉二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亞甲基雙(甲基)丙烯醯胺等。 此等當中，較佳為二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。 尚，成分(a4)可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
緩衝層形成用組成物中之成分(a4)的含量，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為0質量%～40質量%，更佳為0質量%～20質量%，再更佳為0質量%～15質量%。
(成分(a1)～(a4)以外之聚合性化合物(a5)) 緩衝層形成用組成物中，在不損害本發明之效果的範圍，作為上述之成分(a1)～(a4)以外之其他成分，亦可含有聚合性化合物(a5)(以下亦稱為「成分(a5)」)。 作為成分(a5)，例如可列舉具有碳數1～20之烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、羥基乙基乙烯基醚、羥基丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基四氫吡咯酮、N-乙烯基己內醯胺等之乙烯基化合物；等。 尚，成分(a5)可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
緩衝層形成用組成物中之成分(a5)的含量，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為0質量%～20質量%，更佳為0質量%～10質量%，再更佳為0質量%～5質量%，又再更佳為0質量%～2質量%。
(光聚合起始劑) 於緩衝層形成用組成物，形成緩衝層時，縮短藉由光照射之聚合時間，又，從減低光照射量的觀點來看，較佳為進一步含有光聚合起始劑。
作為光聚合起始劑，例如可列舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物，進而可列舉胺或醌等之光增感劑等，更具體而言，例如可列舉1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄基苯基硫化物、四甲基單硫化秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苄基、二乙醯基、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化磷等。 此等之光聚合起始劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。
緩衝層形成用組成物中之光聚合起始劑的含量，相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，較佳為0.05質量份～15質量份，更佳為0.1質量份～10質量份，再更佳為0.3質量份～5質量份。
(其他添加劑) 緩衝層形成用組成物中，在不損害本發明之效果的範圍，亦可含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉選自抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等中之1種以上。摻合此等之添加劑時，緩衝層形成用組成物中之各添加劑的含量，相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，較佳為0.01質量份～6質量份，更佳為0.1質量份～3質量份。
(樹脂成分) 緩衝層形成用組成物中，在不損害本發明之效果的範圍，亦可含有樹脂成分。作為樹脂成分，例如可列舉聚烯･硫醇系樹脂或聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等之聚烯烴系樹脂，及苯乙烯系共聚物等之熱塑性樹脂等。 緩衝層形成用組成物中之此等之樹脂成分的含量，相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，較佳為0質量%～20質量%，更佳為0質量%～10質量%，再更佳為0質量%～5質量%，又再更佳為0質量%～2質量%。
由包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物所形成之緩衝層，係將上述組成的緩衝層形成用組成物藉由能量線照射進行聚合硬化而獲得。亦即，該緩衝層為緩衝層形成用組成物的硬化物。 據此，該緩衝層係包含源自成分(a1)的聚合單位。又，該緩衝層較佳為含有源自成分(a2)之聚合單位及源自成分(a3)之聚合單位當中之至少一個。進而，亦可含有源自成分(a4)的聚合單位及源自成分(a5)的聚合單位當中之至少一者。 在緩衝層之各聚合單位的含有比例，通常與構成緩衝層形成用組成物之各成分的比率(置入比)一致。例如，緩衝層形成用組成物中之成分(a1)的含量相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，為10質量%～70質量%時，緩衝層含有10質量%～70質量%源自成分(a1)的聚合單位。又，緩衝層形成用組成物中之成分(a2)的含量相對於緩衝層形成用組成物的全量(100質量%)，為10質量%～80質量%時，緩衝層含有10質量%～80質量%源自成分(a2)的聚合單位。對於成分(a3)～(a5)亦相同。
緩衝層在23℃之裂斷能係緩衝層為包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物的硬化物的情況下，例如可藉由調整上述之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)的重量平均分子量或緩衝層的厚度，又，適當選擇單體種控制。
[基材] 基材係具有作為黏著膠帶的支撐體之機能。 作為基材，可列舉各種之樹脂薄膜。具體而言，可列舉選自由低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等之聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-降莰烯共聚物、降莰烯樹脂等之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等之乙烯系共聚物；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等之聚氯乙烯；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等之聚酯；聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、氟樹脂、聚乙縮醛、改性聚苯醚(Phenylene oxide)、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮、丙烯酸系聚合物等中之1種以上所構成之樹脂薄膜。又，亦使用如此等之交聯薄膜、離聚物薄膜之改性薄膜。基材亦可為由選自此等樹脂中之1種或2種以上的樹脂所構成之樹脂薄膜的單層薄膜，亦可為疊層2種以上此等之樹脂薄膜的疊層薄膜。
尚，基材由於與緩衝層比較，為硬質，故於藉由刀片之切斷時與緩衝層比較，雖發生切斷面的粗糙等困難，但從成為藉由刀片之切斷性更為優異之基材的觀點來看，基材較佳為滿足下述要件(γ)。 ･要件(γ)：溫度在23℃之裂斷應變(ε 100)與溫度在23℃之裂斷應力(ρ 100)的乘積為60MPa以上。
又，基材係在23℃之彈性率較佳為200MPa以上，更佳為500MPa以上，再更佳為1,000MPa以上。又，較佳為30,000MPa以下，更佳為10,000MPa以下，再更佳為6,000MPa以下。
基材的厚度雖並未特別限定，但較佳為110μm以下，更佳為15μm～110μm，再更佳為20μm～105μm。藉由將基材的厚度定為110μm以下，變容易控制黏著膠帶的剝離力。又，藉由將基材的厚度定為15μm以上，變成容易發揮基材作為黏著膠帶的支撐體之機能。
又，基材中，在不損害本發明之效果的範圍，亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，基材可為透明者，亦可為不透明者，亦可視期望進行著色或蒸鍍。 又，於基材的至少一側的表面，為了提昇與緩衝層及黏著劑層的至少一者的密著性，可實施電暈處理等之接著處理。又，基材可為具有上述之樹脂薄膜、與被膜在於樹脂薄膜的至少一側的表面之易接著層者。
作為形成易接著層之易接著層形成用組成物，雖並未特別限定，但例如可列舉包含聚酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚酯胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組成物。易接著層形成用組成物中如有必要，可含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。 作為易接著層的厚度，較佳為0.01μm～10μm，更佳為0.03μm～5μm。尚，由於在本案實施例之易接著層的厚度，相對於基材的厚度為小，具有易接著層之樹脂薄膜的厚度與基材的厚度實質上為相同。又，由於易接著層的材質柔軟，給予彈性率的影響小，基材的彈性率即使具有易接著層的情況下，與樹脂薄膜的楊氏模量實質上為相同。
例如，要件(γ)所規定之溫度在23℃之裂斷應變(ε 100)與溫度在23℃之裂斷應力(ρ 100)的乘積，及基材的彈性率，可藉由樹脂組成的選擇、可塑劑的添加、樹脂薄膜製造時之延伸條件等控制。具體而言，使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為基材時，共聚合成分中之乙烯成分的含有比例變多時，有降低基材的彈性率的傾向。又，相對於構成基材之樹脂組成物，可塑劑的摻合量變多時，有降低基材的彈性率的傾向。
[黏著劑層] 黏著劑層在常溫，只要具有適度之感壓接著性，雖並未特別限定，但較佳為在23℃之剪斷儲藏彈性率為0.05MPa～0.50MPa者。半導體晶圓的表面中有形成電路等之通常凹凸。藉由黏著劑層的剪斷儲藏彈性率成為上述範圍內，於有凹凸之晶圓表面貼附黏著膠帶時，使得使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分接觸，且適當發揮黏著劑層的接著性變可能。因此，確實進行對黏著膠帶的半導體晶圓的固定，且於背面研削時適當保護晶圓表面變可能。從此等之觀點來看，黏著劑層的剪斷儲藏彈性率更佳為0.12～0.35MPa。尚，所謂黏著劑層的剪斷儲藏彈性率，係意指黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成的情況下，藉由能量線照射之硬化前的剪斷儲藏彈性率。
剪斷儲藏彈性率可藉由以下之方法測定。將厚度約為0.5～1mm之黏著劑層沖壓成直徑7.9mm的圓形者定為測定試料。使用Rheometric公司製之動態黏彈性測定裝置ARES，將頻率1Hz、從-30℃至150℃的溫度範圍以昇溫速度3℃/分鐘，測定溫度變化時之測定試料的彈性率。將於測定溫度23℃之彈性率定為在23℃之剪斷儲藏彈性率。
黏著劑層的厚度較佳為未滿100μm，更佳為5～80μm，再更佳為10～70μm。將黏著劑層變如此薄時，抑制在黏著膠帶的切斷時之切塵的發生，變更容易防止背面研削時所產生之半導體晶片的裂縫。
黏著劑層例如雖由丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等所形成，但較佳為丙烯酸系黏著劑。 又，黏著劑層較佳為由能量線硬化性黏著劑所形成。黏著劑層藉由由能量線硬化性黏著劑所形成，於藉由能量線照射之硬化前，將在23℃之剪斷儲藏彈性率設定在上述範圍，並且在硬化後，容易將剝離力設定在1000mN/50mm以下變可能。
以下，雖對於黏著劑的具體例詳述，但此等為非限定的例示，在本發明之黏著劑層此等不應被限定地解釋。 作為能量線硬化性黏著劑，例如除了非能量線硬化性之黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)，亦可使用包含黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物(以下亦稱為「X型之黏著劑組成物」)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用將對非能量線硬化性之黏著性樹脂的側鏈導入不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分包含，未包含黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物的黏著劑組成物(以下亦稱為「Y型之黏著劑組成物」)。
進而，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用X型與Y型之併用型，亦即，除了能量線硬化性的黏著性樹脂II，亦包含黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物(以下亦稱為「XY型之黏著劑組成物」)。 此等當中，較佳為使用XY型之黏著劑組成物。藉由使用XY型者，在硬化前，除了具有充分之黏著特性之外，在硬化後，亦可充分降低對於半導體晶圓之剝離力。
惟，作為黏著劑，亦可由即使照射能量線，亦不硬化之非能量線硬化性的黏著劑組成物所形成。非能量線硬化性之黏著劑組成物除了至少含有非能量線硬化性之黏著性樹脂I之外，亦為未含有上述之能量線硬化性之黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物者。
尚，在以下之說明，「黏著性樹脂」係作為指示上述之黏著性樹脂I及黏著性樹脂II的一者或兩者之用語使用。作為具體的黏著性樹脂，例如雖可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，但較佳為丙烯酸系樹脂。 以下，作為黏著性樹脂，對於使用丙烯酸系樹脂之丙烯酸系黏著劑，進行更詳細說明。
＜丙烯酸系樹脂＞ 丙烯酸系樹脂中使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)係聚合至少包含烷基(甲基)丙烯酸酯之單體所得者，包含源自烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位。作為烷基(甲基)丙烯酸酯，可列舉烷基之碳數為1～20者，烷基可為直鏈，亦可為分枝。作為烷基(甲基)丙烯酸酯之具體例，可列舉甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、n-辛基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十一烷基(甲基)丙烯酸酯、十二烷基(甲基)丙烯酸酯等。烷基(甲基)丙烯酸酯可單獨或組合2種以上使用。
又，丙烯酸系聚合物(b)從提昇黏著劑層的黏著力的觀點來看，較佳為包含源自烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位。作為該烷基(甲基)丙烯酸酯之碳數，較佳為4～12，再更佳為4～6。又，烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯較佳為烷基丙烯酸酯。
在丙烯酸系聚合物(b)，烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯，相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體全量(以下亦單稱為“單體全量”)，較佳為40質量%～98質量%，更佳為45質量%～95質量%，再更佳為50質量%～90質量%。
丙烯酸系聚合物(b)除了源自烷基之碳數為4以上之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之外，為了調整黏著劑層的彈性率或黏著特性，較佳為包含源自烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之共聚物。尚，該烷基(甲基)丙烯酸酯較佳為碳數1或2之烷基(甲基)丙烯酸酯，更佳為甲基(甲基)丙烯酸酯，再更佳為甲基甲基丙烯酸酯。在丙烯酸系聚合物(b)，烷基之碳數為1～3之烷基(甲基)丙烯酸酯相對於單體全量，較佳為1質量%～30質量%，更佳為3質量%～26質量%，再更佳為6質量%～22質量%。
丙烯酸系聚合物(b)除了源自上述之烷基(甲基)丙烯酸酯的構成單位之外，較佳為具有源自含有官能基之單體的構成單位。作為含有官能基之單體的官能基，可列舉羥基、羧基、胺基、環氧基等。含有官能基之單體與後述之交聯劑反應，並成為交聯起點，或與含有不飽和基之化合物反應，對丙烯酸系聚合物(b)之側鏈導入不飽和基為可能。
作為含有官能基之單體，可列舉含有羥基之單體、含有羧基之單體、含有胺基之單體、含有環氧基之單體等。此等之單體可單獨或組合2種以上使用。此等當中，較佳為含有羥基之單體、含有羧基之單體，更佳為含有羥基之單體。
作為含有羥基之單體，例如可列舉2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；乙烯基醇、烯丙基醇等之不飽和醇等。
作為含有羧基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酐、2-羧基乙基甲基丙烯酸酯等。
含有官能基之單體相對於構成丙烯酸系聚合物(b)的單體全量，較佳為1質量%～35質量%，更佳為3質量%～32質量%，再更佳為6質量%～30質量%。 又，丙烯酸系聚合物(b)除了上述以外，亦可包含苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等之源自可與上述之丙烯酸系單體共聚合之單體的構成單位。
上述丙烯酸系聚合物(b)可作為非能量線硬化性之黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)使用。又，作為能量線硬化性之丙烯酸系樹脂，可列舉於上述丙烯酸系聚合物(b)之官能基，使具有光聚合性不飽和基之化合物(亦稱為含有不飽和基之化合物)反應者。
含有不飽和基之化合物係具有可與丙烯酸系聚合物(b)之官能基鍵結之取代基，及光聚合性不飽和基雙方之化合物。作為光聚合性不飽和基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 又，作為含有不飽和基之化合物所具有可與官能基鍵結之取代基，可列舉異氰酸酯基或縮水甘油基等。據此，作為含有不飽和基之化合物，例如可列舉(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等。
又，含有不飽和基之化合物較佳為對丙烯酸系聚合物(b)之官能基的一部分進行反應，具體而言，於丙烯酸系聚合物(b)所具有之官能基之50～98莫耳%，較佳為使含有不飽和基之化合物反應，更佳為使55～93莫耳%反應。如此，在能量線硬化性丙烯酸系樹脂，藉由官能基的一部分未與含有不飽和基之化合物反應而殘存，變容易藉由交聯劑進行交聯。 尚，丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)，較佳為30萬～160萬，更佳為40萬～140萬，再更佳為50萬～120萬。
＜能量線硬化性化合物＞ 作為X型或XY型之黏著劑組成物所含有之能量線硬化性化合物，較佳為於分子內具有不飽和基，並藉由能量線照射，可聚合硬化之單體或寡聚物。 作為這般的能量線硬化性化合物，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等之多價(甲基)丙烯酸酯單體、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物。
此等當中，從比較的分子量高，且難以降低黏著劑層的剪斷儲藏彈性率的觀點來看，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。 能量線硬化性化合物的分子量(為寡聚物時，為重量平均分子量)，較佳為100～12,000，更佳為200～10,000，再更佳為400～8,000，又再更佳為600～6,000。
在X型之黏著劑組成物之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為40質量份～200質量份，更佳為50質量份～150質量份，再更佳為60質量份～90質量份。 另一方面，在XY型之黏著劑組成物之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為1質量份～30質量份，更佳為2質量份～20質量份，再更佳為3質量份～15質量份。於XY型之黏著劑組成物，由於黏著性樹脂有能量線硬化性，故即使能量線硬化性化合物的含量少，能量線照射後，亦可充分降低剝離力。
＜交聯劑＞ 黏著劑組成物較佳為進一步含有交聯劑。交聯劑例如源自與黏著性樹脂所具有之含有官能基之單體的官能基反應，交聯黏著性樹脂彼此者。作為交聯劑，例如可列舉甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯，及該等之加成體等之異氰酸酯系交聯劑；乙二醇縮水甘油基醚等之環氧基系交聯劑；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等之氮丙啶系交聯劑；鋁螯合物等之螯合物系交聯劑；等。此等之交聯劑可單獨或組合2種以上使用。
此等當中，從提高凝聚力，提昇黏著力的觀點，及取得容易性等之觀點來看，較佳為異氰酸酯系交聯劑。 交聯劑的摻合量從促進交聯反應的觀點來看，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份～10質量份，更佳為0.03質量份～7質量份，再更佳為0.05質量份～4質量份。
＜光聚合起始劑＞ 又，黏著劑組成物為能量線硬化性的情況下，黏著劑組成物較佳為進一步含有光聚合起始劑。藉由含有光聚合起始劑，即使為紫外線等之比較低能量的能量線，亦可充分進行黏著劑組成物的硬化反應。
作為光聚合起始劑，例如可列舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物，進而可列舉胺或醌等之光增感劑等，更具體而言，例如可列舉1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄基苯基硫化物、四甲基單硫化秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苄基、二乙醯基、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化磷等。
此等之光聚合起始劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。 光聚合起始劑的摻合量相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份～10質量份，更佳為0.03質量份～5質量份，再更佳為0.05質量份～5質量份。
＜其他添加劑＞ 黏著性組成物在不損害本發明之效果的範圍，亦可含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。摻合此等之添加劑時，添加劑的摻合量相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份～6質量份。
又，黏著性組成物從提昇對基材、緩衝層或剝離薄片的塗佈性的觀點來看，可進一步以有機溶媒稀釋，可成為黏著性組成物之溶液的形態。 作為有機溶媒，例如可列舉甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二噁烷、環己烷、n-己烷、甲苯、二甲苯、n-丙醇、異丙醇等。 尚，此等之有機溶媒可直接使用黏著性樹脂的合成時所使用之有機溶媒，亦可以均一塗佈該黏著劑組成物的溶液的方式，加入合成時所使用之有機溶媒以外之1種以上的有機溶媒。
[剝離薄片] 於黏著膠帶的表面可貼附剝離薄片。剝離薄片具體而言，係貼附在黏著膠帶之黏著劑層的表面。剝離薄片藉由貼附在黏著劑層表面，於輸送時、保管時保護黏著劑層。剝離薄片係於可剝離貼附在黏著膠帶，於使用黏著膠帶前(亦即，晶圓貼附前)，從黏著膠帶剝離除掉。 剝離薄片係使用至少一側的面經剝離處理之剝離薄片，具體而言，可列舉於剝離薄片用基材的表面上塗佈剝離劑者等。
作為剝離薄片用基材，較佳為樹脂薄膜，作為構成該樹脂薄膜之樹脂，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之聚烯烴樹脂等。作為剝離劑，例如可列舉聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離薄片的厚度雖並未特別限制，但較佳為10μm～200μm，更佳為20μm～150μm。
[半導體加工用黏著膠帶之製造方法] 作為本發明之半導體加工用黏著膠帶之製造方法，並未特別限制，可藉由公知之方法製造。 例如，具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構的黏著膠帶之製造方法係如以下。
緩衝層由包含能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組成物所形成的情況下，藉由貼合於剝離薄片上塗工、硬化緩衝層形成用組成物而設置之緩衝層、與基材，去除剝離薄片，而得到緩衝層與基材的疊層體。
而且，可將設置在剝離薄片上之黏著劑層貼合在疊層體的基材側，製造於黏著劑層的表面貼附剝離薄片黏著膠帶。貼附在黏著劑層的表面之剝離薄片於黏著膠帶的使用前適當剝離去除即可。
作為於剝離薄片上形成緩衝層之方法，可藉由於剝離薄片上將緩衝層形成用組成物以公知之塗佈方法，進行直接塗佈，形成塗佈膜，並對此塗佈膜照射能量線，形成緩衝層。又，藉由於基材的單面，直接塗佈緩衝層形成用組成物，加熱乾燥或對塗佈膜照射能量線，可形成緩衝層。
作為緩衝層形成用組成物之塗佈方法，例如可列舉旋塗法、噴塗法、棒塗法、刀塗法、輥塗法、刀刃塗佈法、模塗法、凹版塗佈法等。又，為了提昇塗佈性，可對緩衝層形成用組成物，摻合有機溶媒，作為溶液的形態，可塗佈在剝離薄片上。
緩衝層形成用組成物為包含能量線聚合性化合物時，較佳為藉由對於緩衝層形成用組成物的塗佈膜，照射能量線，使其硬化，形成緩衝層。緩衝層的硬化，可於一次之硬化處理進行，亦可分成複數次進行。例如，可使剝離薄片上之塗佈膜完全硬化，形成緩衝層後，貼合在基材，未完全硬化該塗佈膜，即形成半硬化之狀態的緩衝層形成膜，可將該緩衝層形成膜貼合在基材後，再度照射能量線，使其完全硬化，形成緩衝層。作為以該硬化處理照射之能量線，較佳為紫外線。尚，硬化時，雖亦可為曝露緩衝層形成用組成物之塗佈膜的狀態，但較佳為以剝離薄片或基材被覆塗佈膜，以未曝露塗佈膜的狀態照射能量線進行硬化。
作為於剝離薄片上形成黏著劑層之方法，可藉由於剝離薄片上將黏著劑(黏著劑組成物)，以公知之塗佈方法直接塗佈，並加熱乾燥塗佈膜，形成黏著劑層。
又，可於基材的單面，直接塗佈黏著劑(黏著劑組成物)，形成黏著劑層。作為黏著劑之塗佈方法，可列舉於緩衝層之製造法表示之噴塗法、棒塗法、刀塗法、輥塗法、刀刃塗佈法、模塗法、凹版塗佈法等。
[半導體加工用黏著膠帶的使用方法] 本發明之半導體加工用黏著膠帶係進行半導體晶圓的背面研削時，貼附在半導體晶圓的表面(電路形成面)，並沿著半導體晶圓的外周切斷來使用。 在本發明之一態樣，本發明之半導體加工用黏著膠帶係背面研削半導體晶圓時(詳細而言，係於包含半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片的製造時)，貼附在半導體晶圓的表面(電路形成面)，並沿著半導體晶圓的外周切斷來使用。 作為包含半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片之製造方法，可列舉於背面研削半導體晶圓後切割以進行單片化之方法、上述之DBG或DBG的變形法。 本發明之半導體加工用黏著膠帶係藉由刀片之切斷性優異。因此，將該半導體加工用黏著膠帶沿著半導體晶圓的外周切斷時，難以發生切塵，在包含半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片的製造時，抑制起因於該切塵之半導體晶片的碎裂或破損的發生。
據此，於本發明之一態樣，係提供下述(1)或(2)的使用方法。 (1)一種使用方法，其係本發明之半導體加工用黏著膠帶的使用方法，其特徵為背面研削半導體晶圓時，將前述半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷。 (2)一種使用方法，其係在上述(1)的使用方法，作為半導體晶圓，係使用於表面側形成有凹槽之半導體晶圓，或於內部形成有改質區域之半導體晶圓。
[半導體裝置之製造方法] 本發明之半導體裝置之製造方法係包含半導體晶圓的背面研削步驟之半導體晶片之製造方法，其係包含將本發明之半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面(電路形成面)，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷步驟(S1)。 本發明之半導體加工用黏著膠帶係藉由刀片之切斷性優異。因此，在上述步驟(S1)，難以發生切塵，抑制起因於該切塵之半導體晶片的裂縫的發生。
將本發明之半導體裝置之製造方法的步驟概略圖示於圖2。 本發明之半導體裝置之製造方法大致上，包含將半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面(電路形成面)，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷步驟(S1)、與將前述半導體晶圓從背面側研削之步驟(S2)。 前述半導體晶圓係於步驟(S2)之後，可進行切割並單片化(態樣1)。 又，前述半導體晶圓在步驟(S2)，可進行單片化(態樣2)。 具體而言，作為前述半導體晶圓，係使用於表面側形成有凹槽之半導體晶圓，在步驟(S2)，將前述凹槽作為起點，可將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。 又，作為前述半導體晶圓，係使用於內部形成有改質區域之半導體晶圓，或於前述步驟(S1)之後，於前述半導體晶圓的內部形成改質區域，在步驟(S2)，將改質區域作為起點，可將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。
於以下，對於各步驟的細節進行說明。
＜步驟(S1)＞ 於步驟(S1)，係將本發明之半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面(電路形成面)，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷。 半導體加工用黏著膠帶係以被覆擴散至半導體晶圓的表面(電路形成面)及其外周的外周台的方式貼附。而且，半導體加工用黏著膠帶係沿著半導體晶圓的外周，藉由切刀等之刀片，從緩衝層側的面，切入並切斷。切斷速度通常為10～300mm/s。切斷時之刀片的溫度可為室溫，又，亦可加熱刀片切斷。
作為於本製造方法使用之半導體晶圓，例如可列舉矽晶圓、砷化鎵晶圓、碳化矽晶圓、鉭酸鋰晶圓、鈮酸鋰晶圓、氮化鎵晶圓、銦磷晶圓及玻璃晶圓等。 半導體晶圓的背面研削前的厚度雖並未特別限定，但通常為500μm～1000μm左右。 又，對半導體晶圓的表面之電路形成，可藉由包含蝕刻法及剝離法等之以往所通用之方法的各式各樣方法進行。
在本製造方法，採用DBG時，在步驟(S1)，貼附半導體加工用黏著膠帶之半導體晶圓，係於表面形成有凹槽之半導體晶圓。 於表面形成有凹槽之半導體晶圓，可使用以往公知之晶圓切割裝置等，藉由雷射切割或刀刃切割等製作。該凹槽係單片化半導體晶圓，成為進行半導體晶片時之分割起點。
在本製造方法，採用DBG的變形法時，在步驟(S1)，貼附半導體加工用黏著膠帶之半導體晶圓，係於內部形成有改質區域之半導體晶圓。惟，該改質區域可於步驟(S1)之後形成。 改質區域在半導體晶圓，為經脆質化的部分，單片化半導體晶圓，成為進行半導體晶片時之分割起點。 於內部形成有改質區域之半導體晶圓，藉由於半導體晶圓的內部配合焦點之雷射的照射或電漿的照射製作。雷射或電漿的照射可從半導體晶圓的表面側進行，亦可從背面側進行。
步驟(S1)結束之附有半導體加工用黏著膠帶的半導體晶圓，載置在夾頭座上，並吸附在夾頭座保持。此時，附有半導體加工用黏著膠帶的半導體晶圓，以直接接觸夾頭座與半導體加工用黏著膠帶的緩衝層的方式，載置在夾頭座上。亦即，半導體晶圓係表面側配置在夾頭座側。
＜態樣1＞ 於態樣1，實施步驟(S2)後，實施步驟(S3)，單片化半導體晶圓。 於態樣1，並非具有如於表面形成有凹槽之半導體晶圓或於內部形成有改質區域之半導體晶圓的分割起點之半導體晶圓，係使用不具有這般的分割起點之半導體晶圓。 (步驟(S2)) 於步驟(2)，研削夾頭座上之半導體晶圓的背面。 背面研削後之半導體晶圓的厚度雖並未特別限定，但較佳為5μm～100μm左右，更佳為10μm～45μm。
(步驟(S3)) 於步驟(S3)，切割實施步驟(S2)之半導體晶圓以進行單片化。切割可採用刀刃切割或雷射切割等、以往公知之方法適當實施。
經單片化之半導體晶片的形狀可成為方形，亦可成為矩形等之細長形狀。又，經單片化之半導體晶片的厚度雖並未特別限定，但較佳為5μm～100μm左右，更佳為10μm～45μm。 經單片化之半導體晶片的面積雖並未特別限定，但較佳為未滿600mm 2，更佳為未滿400mm 2，再更佳為未滿300mm 2。
＜態樣2＞ 於態樣2，在步驟(S2)，背面研削半導體晶圓，並且單片化半導體晶圓。 (步驟(S2)) 於步驟(S2)，研削夾頭座上之半導體晶圓的背面，將半導體晶圓單片化成複數個半導體晶片。
於此，於在態樣2之第一實施形態，係使用於表面形成有凹槽之半導體晶圓。此情況下，進行半導體晶圓的背面研削至少至凹槽的底部之位置為止。藉由此背面研削，成為凹槽成為貫通半導體晶圓之切口，半導體晶圓藉由切口分割，單片化成各個半導體晶片。
又，於在態樣2之第二實施形態，係使用於內部形成有改質區域之半導體晶圓。或於前述步驟(S1)之後，可於前述半導體晶圓的內部形成改質區域。於在態樣2之第二實施形態，雖可進行背面研削至改質區域為止，但亦可不嚴密至改質區域為止。亦即，以將改質區域作為起點，破壞半導體晶圓，單片化成半導體晶片的方式，進行背面研削至接近改質區域的位置為止即可。
又，所得之複數個半導體晶片可貼附後述之拾取膠帶(Pickup tape)後，以延伸拾取膠帶，並擴散晶片間的間隙的方式進行。
又，可於背面研削的結束後，晶片的拾取之前，進行乾研磨。
經單片化之半導體晶片的形狀、厚度、面積係如態樣1所說明。 尚，使用於內部形成有改質區域之半導體晶圓時，將經單片化之半導體晶片的厚度定為50μm以下，更佳為定為10μm～45μm變容易。
本發明之半導體加工用黏著膠帶係藉由刀片之切斷性優異。因此，在上述步驟(S1)，難以發生切塵。據此，在態樣1之步驟(S2)及態樣2之步驟(S2)，即使為製造經薄型化･小型化之半導體晶片的情況下，亦抑制起因於該切塵之半導體晶片的碎裂或破損的發生。
＜半導體加工用黏著膠帶的剝離＞ 步驟(S2)之後，從經單片化之半導體晶圓(亦即，複數個半導體晶片)，剝離半導體加工用黏著膠帶。 本步驟例如係藉由以下之方法進行。 半導體加工用黏著膠帶的黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成的情況下，照射能量線，硬化黏著劑層。接著，於經單片化之半導體晶圓的背面側，貼附拾取(pick up)膠帶，並以可拾取的方式進行位置及方向配合。此時，配置在晶圓的外周側之環形框架亦貼合在拾取膠帶，將拾取膠帶的外部邊緣固定在環形框架。拾取膠帶中可同時貼合晶圓與環形框架，亦可以個別的時機貼合。接著，從保持在拾取膠帶上之複數個半導體晶片，剝離黏著膠帶。
然後，拾取於拾取膠帶上有複數個半導體晶片，並固定化在基板等之上，製造半導體裝置。尚，拾取膠帶雖並未特別限定，但例如藉由具備基材、與設置在基材的至少一側的面之黏著劑層之黏著膠帶構成。
又，亦可取代拾取膠帶，改使用接著膠帶。所謂接著膠帶，可列舉薄膜狀接著劑與剝離薄片的疊層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑的疊層體，或由具有切割膠帶與固晶(die bonding)膠帶兩者的機能之接著劑層與剝離薄片所構成之切割･固晶膠帶等。又，於貼附拾取膠帶前，可於經單片化之半導體晶圓的背面側貼合薄膜狀接著劑。使用薄膜狀接著劑時，薄膜狀接著劑可定為與晶圓為相同形狀。
使用接著膠帶時或於貼附拾取膠帶前，於經單片化之半導體晶圓的背面側貼合薄膜狀接著劑的情況下，接著膠帶或拾取膠帶上有複數個半導體晶片，一同拾取半導體晶片與分割成同形狀之接著劑層。而且，半導體晶片透過接著劑層，固定在基板等之上，製造半導體裝置。接著劑層的分割係藉由雷射或擴張進行。
以上，雖對於本發明之半導體裝置之製造方法進行說明，但本發明之半導體加工用黏著膠帶可特佳使用在單片化半導體晶圓時，得到切口寬度小，更加薄化之半導體晶片群的DBG之變形法。
尚，本發明之半導體加工用黏著膠帶當然亦可於玻璃、陶瓷等之加工時，為了暫時保持被加工物而使用。又，亦可作為各種之再剝離黏著膠帶使用。 [實施例]
對於本發明，雖藉由以下之實施例具體說明，但本發明並非被限定於以下之實施例者。
[製造例A1～A4、比較製造例B1～B3、參考例C1～C2] ＜製造例A1：緩衝層A-1的形成＞ 相對於胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)75質量份、與4-tert-丁基環己醇丙烯酸酯25質量份的合計100質量份，摻合2.0質量份光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮)，而得到緩衝層用組成物。 藉由將所得之緩衝層用組成物藉由刀塗法，於以基材之PET薄膜(東洋紡股份有限公司製「COSMOSHINE A4300」、兩面附有易接著層之PET薄膜、厚度：50μm)之上，以厚度成為28μm的方式進行塗工，形成緩衝層用組成物層，並於剛塗工後，對緩衝層用組成物層使用高壓水銀燈，以照度160mW/cm 2、照射量500mJ/cm 2的條件，進行紫外線照射，使緩衝層用組成物層硬化，於基材之PET薄膜之一側的面，形成厚度28μm的緩衝層A-1，製造附有緩衝層A-1之PET基材。
＜製造例A2：緩衝層A-2的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層A-2。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･4-tert-丁基環己醇丙烯酸酯：40質量份 ･二季戊四醇六丙烯酸酯：10質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜製造例A3：緩衝層A-3的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層A-3。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･4-tert-丁基環己醇丙烯酸酯：45質量份 ･二季戊四醇六丙烯酸酯：5質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜製造例A4：緩衝層A-4的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層A-4。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･異冰片基丙烯酸酯：45質量份 ･二季戊四醇六丙烯酸酯：5質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜比較製造例B1：緩衝層B-1之製造的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層B-1。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･3,3,5-三甲基環己醇丙烯酸酯：50質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜比較製造例B2：緩衝層B-2的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層B-2。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･異冰片基丙烯酸酯：45質量份 ･三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯：5質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜比較製造例B3：緩衝層B-3的形成＞ 將緩衝層用組成物的摻合如以下般變更，以與製造例A1相同之方法，於基材之PET薄膜上，形成厚度28μm的緩衝層B-3。 ･胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(CN8888、阿科瑪股份有限公司製)：50質量份 ･環狀三羥甲基丙烷甲縮醛丙烯酸酯：50質量份 ･光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure1173」)：2.0質量份
＜參考例C1：基材C-1＞ 作為基材C-1，係準備PET薄膜(東洋紡股份有限公司製「COSMOSHINE A4300」、兩面附有易接著層之PET薄膜、厚度：50μm)。
＜參考例C2：基材C-2＞ 作為基材C-2，係準備聚烯烴(PO)薄膜(低密度聚烯烴薄膜、厚度：25μ))。
[測定方法及評估方法] ＜緩衝層及基材之各種物性值的測定･算出＞ 基材及緩衝層的彈性率、裂斷能、裂斷應力及裂斷應變，係使用精密萬能試驗機(股份有限公司島津製作所製裝置名「Autograph AG-IS」)測定。 具體而言，對於緩衝層A-1～A-4、緩衝層B-1～B-3、基材C-1～基材C-2，製作寬度1.5mm×長度150mm×厚度0.2mm之測定用樣品。而且，對於該測定用樣品，在夾頭間100mm(將測定用樣品之縱向方向的兩端各25mm固定在裝置)、拉伸速度200mm/sec、23℃、50%RH的條件，進行測定。又，從此時所得之應力-應變數據，對於緩衝層A-1～A-4、緩衝層B-1～B-3、基材C-1～基材C-2，算出裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100。又，亦算出裂斷應力與裂斷應變(ε 100)之乘積。
＜藉由刀片之切斷性的評估(1)：藉由模擬之評估＞ 使用通用有限要素解析軟體之「Abaqus」，將半導體加工用黏著膠帶以刀片切斷時之剖面的狀態藉由模擬評估。 將解析模型示於圖3。 半導體晶圓定為長方形，假定為疊層於該半導體晶圓上具有疊層緩衝層與基材之疊層結構的半導體加工用黏著膠帶之解析模型。尚，於該解析模型，假定為半導體加工用黏著膠帶的一側的端部為拘束在半導體晶圓的狀態，另一側的端部為全拘束在外周台側的狀態。而且，將緩衝層表面與刀片的刀片前端所成為的角度設定為57.2°，以切斷速度80mm/s，解析將刀片往半導體晶圓所沿著的直線方向移動時之半導體加工用黏著膠帶的剖面的狀態。 尚，在上述解析模型，刀片物性定為剛體。 又，對於刀片，假定為美工刀(OLFA公司製、型號「XB10」)的使用，該美工刀當中，模型化僅關於切斷的點，輸入尺寸。 緩衝層及基材係用以下的組合解析。 ･實施例1sim.：緩衝層A-1/PET ･實施例2sim.：緩衝層A-2/PET ･實施例3sim.：緩衝層A-3/PET ･實施例4sim.：緩衝層A-4/PET ･比較例1sim.：緩衝層B-1/PET ･比較例2sim.：緩衝層B-2/PET ･比較例3sim.：緩衝層B-3/PET ･參考例1sim.：PET ･參考例2sim.：PO 緩衝層的厚度定為28μm。基材的厚度定為50μm。 又，作為緩衝層及基材的物性值，藉由上述精密萬能試驗機所測定之應力-應變數據、與根據該數據，輸入彈性率、降伏應力及裂斷點。 尚，刀片與緩衝層間之摩擦係數設定為0.25。
評估基準係如以下，將3以上定為合格。 1：薄片剖面非常粗糙。 2：薄片剖面粗糙。 3：薄片剖面稍微粗糙。 4：於薄片剖面僅隱約可觀察到粗糙的程度。 5：薄片剖面觀察不到粗糙。
＜藉由刀片之切斷性的評估(2)：藉由實驗之評估＞ 準備下述構成之半導體加工用黏著膠帶。 ･實施例1exp.：緩衝層A-1/PET/黏著劑層 ･比較例3exp.：緩衝層B-3/PET/黏著劑層
(黏著劑層的形成) 於共聚合n-丁基丙烯酸酯(BA)65質量份、甲基甲基丙烯酸酯(MMA)20質量份，及2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)15質量份所得之丙烯酸系聚合物，以該丙烯酸系聚合物的全羥基當中，附加在80莫耳%之羥基的方式，使2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應，而得到能量線硬化性之丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。 於此能量線硬化性之丙烯酸系樹脂100質量份，摻合能量線硬化性化合物之多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(東曹股份有限公司製「CORONATE L」)0.375質量份、作為光聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化磷1質量份，並以甲基乙基酮稀釋，調製固體成分濃度32質量%之黏著劑組成物的塗工液。
(半導體加工用黏著膠帶的製作) 於剝離薄片(琳得科公司製、商品名「SP-PET381031」)之剝離處理面，塗工於上述所得之黏著劑組成物的塗工液，使其加熱乾燥，於剝離薄片上形成厚度為30μm之黏著劑層。 而且，於製造例A1所形成之附有緩衝層A-1之PET基材的PET基材側的面，貼合黏著劑層，製作具有緩衝層A-1/PET基材/黏著劑層的疊層結構之半導體加工用黏著膠帶。 同樣，於比較製造例B3所形成之附有緩衝層B-3之PET基材的PET基材側的面，貼合黏著劑層，製作具有緩衝層B-3/PET基材/黏著劑層的疊層結構之半導體加工用黏著膠帶。
(評估) 將實施例1exp.及比較例3exp.之半導體加工用黏著膠帶於直徑12英吋、厚度775μm的矽晶圓，使用背磨用膠帶層壓機(琳得科公司製、裝置名「RAD-3510F/12」)貼附。而且，將半導體加工用黏著膠帶沿著矽晶圓的外周，以美工刀(OLFA公司製、型號「XB10」)切斷。美工刀係從半導體加工用黏著膠帶的緩衝層側切入。將緩衝層表面與刀片的刀片前端所成為的角度定為57.2˚。又，切斷速度定為80mm/s。將切斷之半導體加工用黏著膠帶的剖面以掃瞄型電子顯微鏡(SEM)觀察，在與薄片剖面的評估(1)為相同的基準評估。
「藉由刀片之切斷性的評估(1)：藉由模擬之評估」的結果當中，將實施例與比較例的結果示於表1，將參考例的結果示於表2。 又，將「藉由刀片之切斷性的評估(2)：藉由實驗之評估」的結果示於表3。 進而，將在「藉由刀片之切斷性的評估(1)：藉由模擬之評估」之實施例1sim.與比較例3sim.的解析畫像示於圖4，將在「藉由刀片之切斷性的評估(2)：藉由實驗之評估」之掃瞄型電子顯微鏡(SEM)的觀察結果示於圖5。
由表1可瞭解以下。 於緩衝層滿足要件(α)及要件(β)之實施例1sim.、實施例2sim.、實施例3sim.、實施例4sim.，瞭解到藉由刀片之切斷性皆良好。 對此，於比較例1sim.、比較例2sim.，瞭解到緩衝層未滿足要件(β)，藉由刀片之切斷性皆劣化。 又，於比較例3sim.，瞭解到緩衝層亦未滿足要件(α)或要件(β)，故藉由刀片之切斷性極為劣化。
由表2可瞭解以下。 於基材滿足要件(γ)之參考例1sim.及參考例2sim.，瞭解到藉由刀片之切斷性皆良好。 於此，於參考例2sim.，瞭解到無論是否滿足要件(β)，由於藉由刀片之切斷性良好，對於基材，無法判斷藉由要件(α)及要件(β)之切斷性的良否。
由表3可瞭解以下。 表3所示之實施例1exp.及比較例3exp.，係確實驗證實施例1sim.及比較例3sim.之結果。瞭解到藉由實施例1exp.及比較例3exp.研究的藉由刀片之切斷性的評估結果，係藉由實施例1sim.及比較例3sim.研究的藉由刀片之切斷性的評估結果完全一致。 此點從圖4及圖5所示之結果即可清楚明白。
1:半導體加工用黏著膠帶 11:緩衝層 12:基材 13:黏著劑層
[圖1]表示本發明之半導體加工用黏著膠帶之一例的概略剖面圖。 [圖2]係本發明之半導體裝置之製造方法的步驟概略圖。 [圖3]表示藉由Abaqus之解析模型之圖。 [圖4]係在「藉由刀片之切斷性的評估(1)：藉由模擬之評估」中之實施例1sim.與比較例3sim.之藉由Abaqus的解析畫像。 [圖5]係在「藉由刀片之切斷性的評估(2)：藉由實驗之評估」中之實施例1exp.與比較例3exp.的剖面之掃瞄型電子顯微鏡(SEM)的觀察結果(圖面代用照片)。
1:半導體加工用黏著膠帶
11:緩衝層
12:基材
13:黏著劑層

Claims (9)

  1. 一種半導體加工用黏著膠帶，其係具有依序疊層緩衝層、基材、與黏著劑層而成之疊層結構， 前述緩衝層滿足下述要件(α)及下述要件(β)之雙方， ･要件(α)：前述緩衝層在23℃之裂斷能為15MJ/m 3以上； ･要件(β)：在溫度23℃，將前述緩衝層供於拉伸試驗時，裂斷應變(ε 100)之80%之應變(ε 80)增加至前述裂斷應變(ε 100)為止之應力的增加梯度Δρ 80-100為30MPa以上。
  2. 如請求項1之半導體加工用黏著膠帶，其中，前述基材滿足下述要件(γ)， ･要件(γ)：溫度在23℃之裂斷應變(ε 100)與溫度在23℃之裂斷應力(ρ 100)的乘積為60MPa以上。
  3. 如請求項1或2之半導體加工用黏著膠帶，其中，前述黏著劑層的厚度未滿100μm。
  4. 一種如請求項1或2之半導體加工用黏著膠帶的使用方法，其係背面研削半導體晶圓時，將前述半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷。
  5. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含將如請求項1或2之半導體加工用黏著膠帶貼附在半導體晶圓的表面，並將前述半導體加工用黏著膠帶沿著前述半導體晶圓的外周切斷之步驟(S1)。
  6. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其係進一步包含下述步驟(S2)， ･步驟(S2)：將前述半導體晶圓從背面側研削之步驟。
  7. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其係進一步包含下述步驟(S3)， ･步驟(S3)：切割前述半導體晶圓以進行單片化之步驟。
  8. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 作為前述半導體晶圓，係使用於表面側形成有凹槽之半導體晶圓， 在前述步驟(S2)，係將前述凹槽作為起點，將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。
  9. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中， 作為前述半導體晶圓，係使用於內部形成有改質區域之半導體晶圓，或於前述步驟(S1)之後，在前述半導體晶圓的內部形成改質區域， 在前述步驟(S2)，係將前述改質區域作為起點，將前述半導體晶圓單片化成複數個晶片。
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