TWI744468B - 半導體加工用黏著帶以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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TWI744468B
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愛澤和人
前田淳
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日商琳得科股份有限公司
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Abstract

〔課題〕提供一種即便使用在DBG、特別是LDBG亦能夠抑制晶片龜裂之半導體加工用黏著帶。 〔解決手段〕提供一種半導體加工用黏著帶，其係具有在23℃之楊格模數為1000Mpa以上的基材、及設置在基材的至少一面側的黏著劑層之黏著帶，將前述黏著劑層的厚度設為(N)[μm]，將潛變量設為(C)[μm]時，(N)與(C)的乘積(N)×(C)在30℃為500以上且在60℃為9000以下。

Description

半導體加工用黏著帶以及半導體裝置的製造方法
本發明係有關於一種半導體加工用黏著帶，更詳言之，係有關於一種黏著帶、及使用該黏著帶之半導體裝置的製造方法，在使用藉由雷射將改質區域設置在晶圓內部且利用晶圓背面磨削時的應力等將晶圓進行個別片化之方法而製造半導體裝置時，該黏著帶係能夠適合使用於暫時保持半導體晶圓和晶片。
各種電子機器的小型化、多功能化進展中，被搭載在該等電子機器的半導體晶片亦同樣地被要求、小型化、薄型化。為了晶片的薄型化，通常是將半導體晶圓背面進行磨削而調整厚度。又，為了得到經薄型化的晶片，係使用切割刀片從晶圓表面側形成預定深度的溝之後，從晶圓背面側進行磨削且藉由磨削而將晶圓個別片化。亦有利用被稱為先切割法(DBG：Dicing Before Grinding；研磨前切割)之技術來得到晶片。在DBG，因為能夠同時進行晶圓的背面磨削及晶圓的個別片化，所以能夠效率良好地製造薄型晶片。
先前，在半導體晶圓的背面磨削時、藉由DBG而製造晶片時係進行保護晶圓表面的電路，而且為了保持半導體晶圓及半導體晶片，通常係將被稱為背面研磨片之黏著帶貼附在晶圓表面。
作為在DBG所使用的背面研磨片，係使用包括基材、及設置在基材的一面的黏著劑層之黏著帶。作為此種黏著帶的一個例子，專利文獻1(WO2015/156389A1)係提案揭示一種背面研磨帶，其包括基材及黏著劑層，其中該基材具有基材薄膜及緩衝層；而該黏著劑層係設置在基材薄膜之與設置有緩衝層之一面為相反側的面。在專利文獻1，係揭示基材薄膜的楊格模數為600MPa以上，緩衝層係由含胺甲酸酯的硬化物所形成，緩衝層的tanδ的尖峰溫度為60℃以下。又，專利文獻2(特開2015-183008號公報)，係揭案揭示一種黏著片，其具有：剛性基材；設在剛性基材的一面側之緩衝層；及設置在剛性基材另一面側之黏著劑層。在專利文獻2，係揭示剛性基材的楊格模數為1000MPa以上，緩衝層係由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成，緩衝層在-5~120℃之動態黏彈性的tanδ的最大值為0.5以上。
近年來，作為先切割法的變形例，有提案揭示一種方法，其藉由雷射在晶圓內部設置改質區域，利用晶圓背面磨削時的應力等將晶圓進行個別片化之方法。以下，有將該方法記載為LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前雷射切割)之情形。在LDBG，因為係將改質區域設為起點而將晶圓在結晶方向切斷，所以相較於使用切割刀片之先切割法，能夠減低破裂的產生。其結果，能夠得到具有優異的抗折強度之晶片，而且能夠有助於晶片的進一步薄型化。又，相較於使用切割刀片在晶圓表面形成預定深度的溝之DBG，因為無使用切割刀片將晶圓削掉之區域，亦即因為切口寬度(kerf width)為極小，所以晶片具有優異的產率。
但是，在DBG和LDBG使用專利文獻1和專利文獻2記載的黏著帶時，將晶片薄化至30μm以下為止時，有產生晶片缺損和破損(以下，有記載為「晶片龜裂」之情形)之情形。 先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]WO2015/156389A1 [專利文獻2]日本特開2015-183008號公報
[發明欲解決之課題]
為了解決上述課題，本發明者專心研討之結果，發現起因背面磨削時的應力(壓縮應力及剪切應力)，使得晶片產生振動或移動且晶片之間產生衝撞致使晶片產生龜裂。因為在LDBG之切口寬度較小，所以顯著地產生此種晶片龜裂。
本發明係鑒於上述的先前技術而進行。其目的係提供一種半導體加工用黏著帶，即便使用DBG、特別是LDBG，亦能夠抑制晶片龜裂，而且在將黏著帶貼附在具有凹凸的晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸且能夠使黏著劑層的接著性適當地發揮。 [用以解決課題之手段]
以此種解決課題作為目的之本發明的要旨係如以下。 [1]一種半導體加工用黏著帶，具有在23℃之楊格模數為1000Mpa以上的基材、及黏著劑層，其中將前述黏著劑層的厚度設為(N)[μm]，將潛變量設為(C)[μm]時，(N)與(C)的乘積(N)×(C)在30℃為500以上且在60℃為9000以下。
[2]如[1]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層在30℃之剪切儲存彈性模數為0.03MPa以上，在60℃之剪切儲存彈性模數為0.20MPa以下。
[3]如[1]或[2]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層的厚度為100μm以下。
[4]一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟： 將如上述[1]至[3]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面之步驟； 從前述半導體晶圓表面側形成溝、或是從前述半導體晶圓表面或背面在半導體晶圓內部形成改質區域之步驟； 將在表面貼附有前述黏著帶且形成有前述溝或前述改質區域之半導體晶圓，從背面側磨削且將前述溝或前述改質區域設為起點而使其個別片化成為複數個晶片之步驟；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離之步驟。 [發明效果]
本發明之半導體加工用黏著帶，係不容易因背面磨削時的應力而變形，而且適當地緩和該應力。因此背面磨削時能夠抑制晶片產生振動或移動且防止晶片之間的衝撞。其結果，能夠減低在半導體晶片產生龜裂。又，在將黏著帶貼附在具有凹凸之晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸且使黏著劑層的接著性適當地發揮。
以下，具體地說明本發明之半導體加工用黏著帶。首先，說明在本說明書所使用的主要用語。在本說明書，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係指使用作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」的雙方之用語，其他類似用語亦同樣。
所謂「半導體加工用」，係意味著能夠使用在半導體晶圓的搬運、背面磨削、切割、半導體晶片的拾取等之各步驟。 所謂半導體晶圓的「表面」，係指形成有電路之面，所謂「背面」，係指未形成有電路之面。 所謂半導體晶圓的個別片化，係指將半導體晶圓分割成為每一個電路，而得到半導體晶片。
所謂DBG，係指在晶圓表面側形成預定深度的溝之後，從晶圓背面側進行磨削且藉由磨削而將晶圓個別片化之方法。形成在晶圓表面側之溝，係使用刀片切割、雷射切割、電漿切割等方法來形成。又，所謂LDBG，係DBG的變形例，而且指藉由雷射將改質區域設置在晶圓內部且利用晶圓背面磨削時的應力等來進行晶圓的個別片化之方法。
其次，更詳細地說明本發明之半導體加工用黏著帶的各構件的構成。在第1實施形態，係著眼於在黏著帶之緩衝層的特性而進行說明，其中該黏著帶係包含基材、設置在基材的至少一面側之緩衝層、及設置在基材的另一面側之黏著劑層。在第2實施形態係著眼於在黏著帶之黏著劑層的特性而進行說明，其中該黏著帶係包含基材、及設置在基材的至少一面側之黏著劑層。又，以下，係有將本發明之半導體加工用黏著帶簡記為「黏著帶」之情形。
第1實施形態 本發明的第1實施形態的要旨係如以下。 [1]一種半導體加工用黏著帶，係具有在23℃之楊格模數為1000Mpa以上的基材、設置在該基材的至少一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶， 前述緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )為100~2000MPa， 前述緩衝層在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )為20~1000MPa。
[2]如[1]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層在-5~120℃之動態黏彈性的tanδ的最大值為1.0以下。
[3]如[1]或[2]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )及前述緩衝層在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )為滿足(E23 /(E60 )≦90之關係。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層係由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之層。
[5]如[4]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述能量線聚合性化合物係含有胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物及多官能聚合性化合物。
[6]如[1]至[3]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層係包含聚烯烴樹脂膜之層。
[7]如[1]至[6]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層厚度為小於100μm。
[8]一種半導體裝置的製造方法，係包括下列步驟：將如上述[1]至[7]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面之步驟；從前述半導體晶圓表面或是背面在半導體晶圓內部形成改質區域之步驟；將表面貼附有前述黏著帶且形成有前述改質區域之半導體晶圓從背面側進行磨削，而且將前述改質區域設為起點使其個別化成為複數個晶片之步驟；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離之步驟。
在本發明之第1實施形態，所謂黏著帶，係意味著包含基材、設置在基材的至少一面側之緩衝層、及設置在基材的另一面側之黏著劑層之積層體。而且不阻礙包含該等以外的其他構成層。例如亦可將底漆層形成在黏著劑層側的基材表面；亦可將剝離片層積在黏著劑層的表面，用以保護黏著劑層至使用時為止。又，基材可為單層，亦可為多層。緩衝層及黏著劑層亦同樣。以下，進一步詳細地說明第1實施形態之半導體加工用黏著帶的各構件之構成。
[基材] 基材在23℃的楊格模數為1000MPa以上。使用楊格模數小於1000MPa的基材時，黏著帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能低落且無法抑制背面磨削時產生振動等，致使半導體晶片容易產生缺損和破損。另一方面，藉由使基材在23℃之楊格模數成為1000MPa以上，黏著帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能提高，背面磨削時能夠抑制產生振動等且能夠防止半導體晶片產生缺損和破損。而且能夠減小將黏著帶從半導體晶片剝離時的應力且能夠防止在膠帶剝離時所產生的晶片缺損和破損。而且，亦能夠使將黏著帶貼合在半導體晶圓時的作業性成為良好。從此種觀點而言，基材在23℃之楊格模數係以1800~30000MPa為佳，較佳為2500~6000MPa。
基材厚度係沒有特別限定，以110μm以下為佳，以15~110μm為較佳，以20~105μm為更佳。藉由將基材厚度設為110μm以下，容易控制黏著帶的剝離力。而且藉由設為15μm以上，基材容易達成作為黏著帶的支撐體之功能。
基材的材質係只要滿足上述物性，就沒有特別限定而能夠使用各種樹脂膜。在此，作為在23℃之楊格模數為1000MPa以上之基材，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚碸、聚醚酮、雙軸延伸聚丙烯等的樹脂膜。 該等樹脂膜之中，以包含選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、雙軸延伸聚丙烯膜之1種以上之薄膜為佳，以包含聚酯膜為較佳，以包含聚對苯二甲酸乙二酯膜更佳。
又，在不損害本發明的效果之範圍，基材亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，基材可為透明，亦可為不透明。亦可依照需要而經著色或蒸鍍。又，在基材的至少一表面，亦可施行電暈處理等的接著處理，用以提升與緩衝層及黏著劑層的至少一方的密著性。又，基材亦可為具有上述樹脂膜、及被膜在樹脂膜的至少一表面的易接著層之物。
作為形成易接著層之易接著層形成用組合物，係沒有特別限定，例如可舉出含有聚酯系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、聚酯胺甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組合物。易接著層形成用組合物亦可按照必要而含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。易接著層的厚度係以0.01~10μm為佳，較佳為0.03~5μm。又，因為相對於基材厚度，在本申請案實施例之易接著層厚度為較小，所以具有易接著層之樹脂膜厚度係實質上與基材厚度為相同。又，因為易接著層的材質為柔軟的，所以對楊格模數的影響較小，即便具有易接著層之情況，基材的楊格模數係與樹脂膜的楊格模數實質上相同。
例如，基材的楊格模數係能夠藉由樹脂組成的選擇、可塑劑的添加、樹脂膜製造時的延伸條件等來控制。具體而言，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜作為基材時，共聚合成分中的乙烯成分之含有比率變多時，基材的楊格模數有降低之傾向。又，可塑劑對構成基材的樹脂組合物之調配量變多時，基材的楊格模數有降低之傾向。
[緩衝層] 相較於基材，緩衝層為較軟質之層，半導體晶圓的背面磨削時能夠緩和應力而防止半導體晶圓產生裂紋及缺損。又，在背面磨削時，貼附有黏著帶之半導體晶圓係透過黏著帶而被配置在真空機台上，藉由具有緩衝層作為黏著帶的構成層而容易適當地被保持在真空機台。
緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )為100~2000MPa，在60℃之拉伸儲存彈性模數為20~1000MPa。黏著帶係有在常溫(23℃)附近被貼附在半導體晶圓之情形。又，黏著帶係藉由背面磨削時的摩擦熱，而有從23℃附近起被加熱至60~90℃左右為止之情形。緩衝層在常溫(23℃)之拉伸儲存彈性模數(E23 )小於100MPa、或在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )小於20MPa時，由於背面磨削時的應力致使黏著帶產生變形且被保持在黏著帶上之晶片產生位移之緣故，致使晶片之間產生衝撞且在晶片產生龜裂。另一方面，緩衝層在常溫(23℃)之拉伸儲存彈性模數(E23 )大於2000MPa、或在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )大於1000MPa時，無法充分地緩和背面磨削時的應力，由於黏著帶的翹曲等致使晶片之間產生衝撞且在晶片產生龜裂。
藉由使拉伸儲存彈性模數(E23 )及拉伸儲存彈性模數(E60 )在上述範圍，在防止背面磨削時因應力引起黏著帶變形之同時，能夠適當地保持緩衝性能且抑制晶片龜裂。又，藉由使拉伸儲存彈性模數(E23 )成為上述範圍，黏著帶與真空機台的密著性提升且能夠抑制背面磨削時的振動。而且，在背面磨削後容易將黏著帶剝離。 從上述的觀點而言，緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )係以100~2000MPa為佳，較佳為150~1000MPa，更佳為200~700MPa。又，緩衝層在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )係以20~1000MPa為佳，較佳為30~300MPa，更佳為40~200MPa。而且，緩衝層在90℃之拉伸儲存彈性模數(E90 )係以0.1~300MPa為佳，較佳為5~100MPa，更佳為10~50MPa。
緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )及前述緩衝層在60℃之拉伸儲存彈性模數(E60 )係以滿足(E23 )/(E60 )≦90的關係為佳。又，緩衝層在23℃之拉伸儲存彈性模數(E23 )及前述緩衝層在90℃之拉伸儲存彈性模數(E90 )係以滿足(E23 )/(E90 )≦90的關係為佳。 拉伸儲存彈性模數(E23 )與拉伸儲存彈性模數(E60 )之比[(E23 )/(E60 ))係從23℃起至60℃為止的拉伸儲存彈性模數變化之指標，又，拉伸儲存彈性模數(E23 )與拉伸儲存彈性模數(E90 )之比((E23 )/(E90 ))係從23℃起至90℃為止的拉伸儲存彈性模數變化之指標。通常溫度上升時緩衝層的拉伸儲存彈性模數為變小，(E23 )/(E60 )和(E23 )/(E90 )較小，係意味著拉伸儲存彈性模數之溫度依存性較小。
藉由將拉伸儲存彈性模數(E23 )與拉伸儲存彈性模數(E60 )之比、拉伸儲存彈性模數(E23 )與拉伸儲存彈性模數(E90 )之設為述範圍，背面磨削時能夠使緩衝層對於摩擦熱引起的溫度變化之物性變化減小。其結果，在上述溫度區域防止因背面磨削時的應力引起黏著帶變形之同時，能夠適當地保持緩衝性能且抑制產生晶片龜裂。 從上述的觀點而言，以(E23 )/(E60 )≦33為較佳，以1≦3(E23 )/(E60 )≦18為更佳。又，以(E23 )/(E90 )≦70為較佳，以4≦(E23 )/(E90 )≦50為更佳。
緩衝層在-5~120℃之動態黏彈性的tanδ的最大值(以下亦簡稱為「tanδ的最大值」)係以1.0以下為佳。緩衝層的tanδ的最大值大於1.0時，因背面磨削時的應力引起緩衝層變形變大，且被保持在黏著帶上之晶片產生位移之緣故，所以有晶片之間產生衝撞且在晶片產生龜裂之情形。從上述的觀點而言，緩衝層的tanδ的最大值係以0.5以下為較佳，以0.05~0.5為更佳。 又，tanδ被稱為損失正切(loss tangent)且被定義為「拉伸損失彈性模數/拉伸儲存彈性模數」，而且是藉由使用動態黏彈性測定裝置，對於施加於對象物的拉伸應力、扭曲應力等應力的應答而測定之值。
緩衝層的凝膠分率係以70~99%為佳，以90~99%為較佳。藉由使緩衝層的凝膠分率成為上述範圍，能夠抑制背面磨削時因應力引起緩衝層變形。 又，緩衝層係由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成時，能量線硬化前的凝膠分率及能量線硬化後的凝膠分率之任一者在上述範圍內即可。
緩衝層的凝膠分率係能夠使用以下的方法而測定。 將厚度20μm的緩衝層裁斷成為50mm×100mm的大小而作為測定用試樣。將測定用試樣包在100mm×150mm尺寸的耐綸網狀物(網狀物尺寸200)，使用精密天秤稱量測定用試樣及耐綸網狀物的質量，藉由從所稱量的質量減去預先測定之耐綸網狀物的質量而得到只有測定用試樣之質量。將此時的質量設為M1。 其次，將被包在上述耐綸網狀物之測定用試樣，在25℃的乙酸乙酯100mL浸漬24小時。然後，將測定用試樣取出且使其在120℃乾燥1小時，其次，在溫度23℃、相對濕度50%的條件下放置1小時進行調濕。隨後，使用精密天秤稱量測定用試樣及網狀物的質量，藉由從稱量的質量減去預先測定之耐綸網狀物的質量而得到只有測定用試樣的質量。將此時的質量設為M2。凝膠分率(%)係能夠依照以下的式而算出。 凝膠分率(%)=(M2/M1)×100
緩衝層厚度係以1~100μm為佳，以5~80μm為較佳，以10~60μm為更佳。藉由將緩衝層厚度設為上述範圍，能夠適當地緩和緩衝層背面磨削時的應力。
緩衝層係以包含由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之層、或聚烯烴樹脂膜之層為佳。 以下，依照順序說明在由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之層所包含的各成分、在包含聚烯烴樹脂膜之層所含有的各成分。
＜由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之層＞ 含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物，能夠藉由照射能量線而硬化。又，所謂「能量線」，係指紫外線、電子射線等，較佳是使用紫外線。 又，更具體地，含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物係以含有胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)及多官能聚合性化合物(a2)為佳。緩衝層形成用組合物係藉由含有該等2成分，而容易使緩衝層的拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )、及tanδ的最大值成為上述的範圍內。又，緩衝層形成用組合物係從該等的觀點而言，除了上述(a1)及(a2)成分以外，以亦含有具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a3)及/或具有官能基之聚合性化合物(a4)為較佳。又，緩衝層形成用組合物係除了上述(a1)~(a4)成分以外，以亦含有光聚合起始劑為更佳，在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其他添加劑和樹脂成分。 以下，詳細地說明在含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物中所含有的各成分。
(胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)) 所謂胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，係至少具有(甲基)丙烯醯基及胺甲酸酯鍵之化合物，且是具有能夠藉由能量線照射而聚合硬化的性質之物。胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)為寡聚物或聚合物。
成分(a1)的重量平均分子量(Mw)，係以1,000~100,000為佳，較佳為2,000~60,000，更佳為3,000~20,000。又，作為成分(a1)中的(甲基)丙烯醯基數(以下亦稱為「官能基數」)，可為多官能、2官能、或3官能以上，以多官能或2官能為佳。成分(a1)係例如能夠藉由使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯對末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物反應而得到，其中該末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物係使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而得到。又，成分(a1)可單獨或組合2種以上而使用。
成分(a1)的原料之多元醇化合物，係只要具有2個以上的羥基之化合物，就沒有特別限定。作為具體的多元醇化合物，例如可舉出烷二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。該等之中，以聚酯型多元醇或聚碳酸酯型多元醇為佳。 又，作為多元醇化合物，可為2官能的二醇、3官能的三醇、4官能以上的多元醇之任一種，以2官能的二醇為佳，以聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇為較佳。
作為多元異氰酸酯化合物，例如可舉出四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等的脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等的芳香族系二異氰酸酯類等。該等之中，以異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯為佳。
能夠使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯對末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物反應而得到胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，其中該末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物係使上述的多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而得到。作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，係只要在至少1分子中具有羥基及(甲基)丙烯醯基之化合物，就沒有特別限定。
作為具體的具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基環己酯、(甲基)丙烯酸5-羥基環辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇一(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇一(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等含羥基的(甲基)丙烯醯胺；使(甲基)丙烯酸對乙烯醇、乙烯基苯酚、雙酚A的二環氧丙酯反應而得到之反應物等。 該等之中，以(甲基)丙烯酸羥基烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為較佳。
作為使末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物及具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應之條件，係以在按照必要而添加的溶劑、觸媒的存在下且於60~100℃使其反應1~4小時之條件為佳。 緩衝層形成用組合物中的成分(a1)含量，係相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，以10~70質量%為佳，較佳為20~60質量%，更佳為25~55質量%，特佳為30~50質量%。
(多官能聚合性化合物(a2)) 所謂多官能聚合性化合物，係指具有2個以上的光聚合性不飽和基之化合物。光聚合性不飽和基係含有碳-碳雙鍵之官能基，例如可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等。光聚合性不飽和基係以組合2種以上為佳。藉由多官能聚合性化合物中的光聚合性不飽和基與成分(a1)中的(甲基)丙烯醯基進行反應、或成分(a2)中的光聚合性不飽和基之間進行反應，能夠形成三維網狀結構(交聯結構)。相較於使用只含有1個光聚合性不飽和基之化合物，使用多官能聚合性化合物時，因為藉由能量線照射而形成的交聯結構增加，所以緩衝層顯示獨特的黏彈性且能夠容易地將拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )和tanδ的最大值控制在上述範圍。
又，成分(a2)的定義、與後述成分(a3)和成分(a4)的定義具有重複的部分，係被包含在成分(a2)。例如具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基且具有2個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物，係被包含在成分(a2)及成分(a3)之雙方的定義，但是在本發明該化合物，係設為被包含在成分(a2)之物。又，含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基且具有2個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物，係被包含在成分(a2)及成分(a4)之雙方的定義，但是在本發明該化合物，係設為被包含在成分(a2)之物。
從上述的觀點而言，在多官能聚合性化合物中之光聚合性不飽和基的數目(官能基數)，係以2~10為佳，以3~6為較佳。
又，成分(a2)的重量平均分子量係以30~40000為佳，較佳為100~10000，更佳為200~1000。
具體的成分(a2)，係例如可舉出二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亞甲雙(甲基)丙烯醯胺等。 又，成分(a2)可單獨或組合2種以上而使用 該等之中，以二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯為佳。
緩衝層形成用組合物中的成分(a2)之含量，係相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，以2~40質量%為佳，較佳為3~20質量%，更佳為5~15質量%。
(具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a3)) 成分(a3)係具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物，而且，以具有至少1個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳。較佳是具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物。藉由使用成分(a3)，能夠使所得到的緩衝層形成用組合物之成膜性提升。
又，成分(a3)的定義、與後述成分(a4)的定義具有重複的部分，係被包含在成分(a4)。例如具有至少1個(甲基)丙烯醯基、環形成原子數6~20的脂環基或雜環基、羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之化合物，係被包含在成分(a3)及成分(a4)之雙方的定義，但是在本發明該化合物，係設為被包含在成分(a4)之物。
成分(a3)所具有之脂環基或雜環基的環形成原子數，係以6~20為佳，較佳為6~18，更佳為6~16，特佳為7~12。作為形成該雜環基的環結構之原子，例如可舉出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。又，所謂環形成原子數，係表示構成原子環狀地鍵結而成的構造之化合物的該環本身之原子的數目，環形成原子數係不包含不構成環之原子(例如鍵結在構成環的原子之氫原子)、該環被取代基取代時被包含在取代基所含有的原子。
具體的成分(a3)係例如可舉出(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等的脂環基含有(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎啉酯等的雜環基含有(甲基)丙烯酸酯等。 又，成分(a3)可單獨或組合2種以上而使用。含脂環基的(甲基)丙烯酸酯之中，係以(甲基)丙烯酸異莰酯為佳，含雜環基的(甲基)丙烯酸酯之中，係以(甲基)丙烯酸四氫糠酯為佳。
緩衝層形成用組合物中的成分(a3)含量，係相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，以10~70質量%為佳，較佳為20~60質量%，更佳為25~55質量%。 又，緩衝層形成用組合物中的成分(a2)與成分(a3)之含量比[(a2)/(a3)]，係以0.1~3.0為佳，較佳為0.15~2.0，更佳為0.18~1.0，特佳為0.2~0.5。
(具有官能基之聚合性化合物(a4)) 成分(a4)係含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之聚合性化合物，而且，以具有至少1個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳。較佳是具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物。 成分(a4)係與成分(a1)的相溶性良好，容易將緩衝層形成用組合物的黏度調整為適當的範圍。而且容易使由該組合物所形成的緩衝層之拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )、tanδ的最大值成為上述範圍，即便使緩衝層較薄，緩衝性能亦良好。 作為成分(a4)，例如可舉出含羥基的(甲基)丙烯酸酯、含環氧基的化合物、含醯胺基的化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
作為含羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3苯氧基丙酯丙烯酸酯等。 作為含環氧基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等，該等之中，係以(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯等的含環氧基的(甲基)丙烯酸酯為佳。 作為含醯胺基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等。 作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出含第1級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含第2級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含第3級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
該等之中，以含羥基的(甲基)丙烯酸酯為佳，以具有(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等的芳香環之含羥基的(甲基)丙烯酸酯為較佳。又，成分(a4)可單獨或組合2種以上而使用。
緩衝層形成用組合物中的成分(a4)含量，因為容易使緩衝層的拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )和tanδ的最大值成為上述範圍且使緩衝層形成用組合物的成膜性提升，相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，係以5~40質量%為佳，較佳為7~35質量%，更佳為10~30質量%，特佳為13~25質量%。 又，緩衝層形成用組合物中的成分(a3)與成分(a4)的含量比[(a3)/(a4)]係以0.5~3.0為佳，較佳為1.0~3.0，更佳為1.3~3.0，特佳為1.5~2.8。
(成分(a1)~(a4)以外的聚合性化合物(a5)) 緩衝層形成用組合物係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有上述成分(a1)~(a4)以外的其他聚合性化合物(a5)。 作為成分(a5)，例如可舉出具有碳數1~20的烷基之(甲基)丙烯酸烷酯；苯乙烯、羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯系化合物等。又，成分(a5)可單獨或組合2種以上而使用。
緩衝層形成用組合物中的成分(a5)含量，係以0~20質量%為佳，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，特佳為0~2質量%。
(光聚合起始劑) 緩衝層形成用組合物係形成緩衝層時，藉由光照射使聚合時間縮短且從使光照射量減低之觀點而言，以進一步含有光聚合起始劑為佳。 作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、9-氧硫
Figure 02_image001
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(thioxanthone)化合物、過氧化物化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丙腈、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。該等光聚合起始劑能夠單獨或組合2種以上而使用。 緩衝層形成用組合物中的光聚合起始劑含量，係相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，以0.05~15質量份為佳，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.3~5質量份。
(其他添加劑) 緩衝層形成用組合物係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，緩衝層形成用組合物中的各添加劑含量係以0.01~6質量份為佳，較佳為0.1~3質量份。
(樹脂成分) 緩衝層形成用組合物係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有樹脂成分。作為樹脂成分，例如可舉出多烯、硫醇系樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴系樹脂、及苯乙烯系共聚物等的熱可塑性樹脂等。緩衝層形成用組合物中的該等樹脂成分含量，係以0~20質量%為佳，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，特佳為0~2質量%。
由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之緩衝層，係能夠藉由能量線照射上述組成的緩衝層形成用組合物且聚合硬化而得到。亦即，該緩衝層係將緩衝層形成用組合物硬化而成之物。 因而，該緩衝層係含有源自成分(a1)的聚合單元及源自成分(a2)的聚合單元。又，該緩衝層係以含有源自成分(a3)源自的聚合單元及/或源自成分(a4)的聚合單元為佳。亦可含有源自成分(a5)的聚合單元。在緩衝層之各聚合單元的含有比率，係通常與構成緩衝層形成用組合物之各成分的比率(添加比)一致。例如相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，緩衝層形成用組合物中的成分(a1)含量為10~70質量%時，緩衝層係含有10~70質量%之源自(a1)的聚合單元。又，相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，緩衝層形成用組合物中的成分(a2)含量為2~40質量%時，緩衝層係含有2~40質量%之源自成分(a2)的聚合單元。針對成分(a3)~(a5)亦同樣。
＜包含聚烯烴樹脂膜之層＞ 藉由由包含聚烯烴樹脂膜之層來形成緩衝層，容易使緩衝層的拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )、及tanδ的最大值成為上述範圍內。
相較於緩衝層係由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成之層時，緩衝層係包含聚烯烴樹脂膜之時，係有應力緩和性較低之情形。此時，在基材的一面側具有由包含聚烯烴樹脂膜之層所形成的緩衝層之黏著帶，係有產生翹曲之可能性。由包含聚烯烴樹脂膜之層所形成之緩衝層，係設置在基材的至少一面側即可，但是從防止此種不良的觀點而言，以在基材的兩面設置由包含聚烯烴樹脂膜之層所形成的緩衝層為佳。
聚烯烴樹脂係沒有特別限定，例如可舉出超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3 以上且小於910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3 以上且小於930kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE，密度：930kg/m3 以上且小於942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3 以上)等的聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯-聚丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、環烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物等。 該等聚烯烴樹脂能夠單獨或組合2種以上而使用。
上述聚烯烴樹脂之中，從得到具有特定物性的緩衝層之觀點，係以聚乙烯樹脂為佳，以低密度聚乙烯為較佳。
上述緩衝層係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，上述緩衝層可為透明亦可為不透明。亦可按照需要而經著色或蒸鍍。
例如，緩衝層的拉伸儲存彈性模數(E23 、E60 、E90 )、(E23 /(E60 )和(E23 )/(E90 )，係能夠藉由成分(a1)的組成、成分(a1)的重量平均分子量、成分(a2)~(a3)的調配量來控制。具體而言，選擇聚酯型多元醇和聚碳酸酯型多元醇作為多元醇化合物時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有減少之傾向。又，選擇二醇或三醇作為多元醇化合物時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有減少之傾向。又，減小成分(a1)的重量平均分子量時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有減少之傾向。又，將成分(a2)含量增多時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有增加之傾向。又，將成分(a3)含量增多時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有稍微降低之傾向。又，將成分(a4)的含量增多時，緩衝層的拉伸儲存彈性模數有稍微降低之傾向。
將成分(a1)含量增多時，緩衝層的tanδ的最大值有上升之傾向。另一方面，添加成分(a2)~(a4)，特別是將成分(a2)含量增多時，緩衝層的tanδ的最大值有減少之傾向。
成分(a2)~(a4)含量較少時，緩衝層的凝膠分率有減少之傾向。特別是成分(a2)含量較少時，緩衝層的凝膠分率有大幅度地減少之情形。
[黏著劑層] 黏著劑層係只要在常溫具有適當的感壓接著性，就沒有特別限定，在23℃之剪切儲存彈性模數係以0.05~0.50MPa為佳。在半導體晶圓表面係形成有電路等且通常具有凹凸。藉由黏著劑層的剪切儲存彈性模數成為上述範圍，將黏著帶貼附在具有凹凸的晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸且使黏著劑層的接著性適當地發揮。因此，能夠確實地進行將黏著帶固定在半導體晶圓且在背面磨削時適當地保護晶圓表面。從該等的觀點而言，黏著荷層的剪切儲存彈性模數係以0.12~0.35MPa為較佳。又，所謂黏著劑層的剪切儲存彈性率，係意味著黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，在藉由能量線照射之硬化前的剪切儲存彈性模數。
剪切儲存彈性模數係能夠使用以下的方法來測定。將厚度為約0.5~1mm的黏著劑層沖切成為直徑7.9mm的圓形之物作為測定試料。使用Rheometric公司製的動態黏彈性測定裝置ARES，測定在頻率1Hz、-30℃至150℃的溫度範圍，以升溫速度3℃/分鐘使其溫度變化時之測定試料的彈性模數。將在測定溫度23℃的彈性模數設為在23℃之剪切儲存彈性模數。
黏著劑層的厚度係以小於100μm為佳，以5~80μm為較佳，以10~70μm為更佳。使黏著劑層如此地薄化時，因為在黏著帶能夠使剛性較低的部分之比率減少，所以容易進一步防止在背面磨削時所產生的半導體晶片缺損。
黏著劑層，係例如能夠由丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等所形成，以丙烯酸系黏著劑為佳。 又，黏著劑層係以由能量線硬化性黏著劑所形成為佳。藉由黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成，採用能量線照射而硬化前，將在23℃之剪切儲存彈性模數設定在上述範圍之同時，能夠將在硬化後之剝離力容易地設定在1000mN/50mm以下。
以下，詳述黏著劑的具體例，但是該等具體例為非限定的例示。在本發明之黏著劑不應被解釋為限定於該等。 作為能量線硬化性黏著劑，例如能夠使用非能量線硬化性的黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)、以及含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下，亦稱為「X型黏著劑組合物」)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用含有將不飽和基導入至非能量線硬化性的黏著性樹脂的側鏈而成之能量線硬化性黏著性樹脂(以下，亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分、以及不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之黏著劑組合物(以下，亦稱為「Y型黏著劑組合物」)。
而且，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用X型與Y型的併用型、亦即含有能量線硬化性黏著性樹脂II、以及黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下，亦稱為「XY型黏著劑組合物」)。 該等之中，以使用XY型黏著劑組合物為佳。藉由使用XY型之物，在硬化前具有充分的黏著特性，另一方面在硬化後能夠使對半導體晶圓之剝離力充分地降低。
但是作為黏著劑，亦可由即便照射能量線亦不硬化之非能量線硬化性的黏著劑組合物所形成。非能量線硬化性黏著劑組合物，係至少含有非能量線硬化性黏著性樹脂I，另一方面不含有上述能量線硬化性黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物之物。
又，在以下的說明，「黏著性樹脂」係指使用作為上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II的一方或雙方之用語。作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，以丙烯酸系樹脂為佳。以下，進一步詳細說明使用丙烯酸系樹脂作為黏著性樹脂之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系樹脂係使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)係將含有至少(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得到之物，含有源自(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元。作為(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出烷基的碳數為1~20之物，烷基可為直鏈，亦可為分枝。作為(甲基)丙烯酸烷酯的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上而使用。
又，從使黏著劑層的黏著力提升之觀點而言，丙烯酸系聚合物(b)係以含有源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元為佳。作為該(甲基)丙烯酸烷酯的碳數，較佳為4~12，更佳為4~6。又，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯係以丙烯酸烷酯為佳。
在丙烯酸系聚合物(b)，相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量(以下亦簡稱為單體總量)，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯係以40~98質量%為佳，較佳為45~95質量%，更佳為50~90質量。
丙烯酸系聚合物(b)係除了源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，為了調整黏著劑層的彈性模數和黏著特性，以含有源自烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之共聚物為佳。又，該(甲基)丙烯酸烷酯係以碳數1或2的(甲基)丙烯酸烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸甲酯為較佳，以甲基丙烯酸甲酯為最佳。在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯，係相對於單體總量，以1~30質量為佳，較佳為5~26質量%，更佳為6~22質量%。
丙烯酸系聚合物(b)係除了源自上述(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，以具有源自含官能基的單體之結構單元為佳。作為官能基的單體之官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。官能基的單體，係與後述的交聯劑反應且成為交聯起點、或與含不飽和基的化合物反應而能夠將不飽和基導入至丙烯酸系聚合物(b)側鏈。
作為官能基的單體，。可舉出含羥基單體、含羧基單體、胺基含有單體、含環氧基單體等。該等單體可單獨或組合2種以上而使用。該等之中，以含羥基單體、含羧基單體為佳，以含羥基單體為較佳。
作為含羥基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙醇類等的不飽和醇類等。
作為含羧基單體，。例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；反丁烯二酸、伊康酸、順丁烯二酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量，官能基單體係以1~35質量%為佳，較佳為3~32質量%，更佳為6~30質量%。又，丙烯酸系聚合物(b)係除了上述以外，亦可含有苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等源自能夠與上述的丙烯酸系單體共聚合的單體之結構單元。
上述丙烯酸系聚合物(b)，係能夠使用作為非能量線硬化性的黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)。又，作為能量線硬化性丙烯酸系樹脂，可舉出使具有光聚合性不飽和基之化合物(亦稱為含不飽和基的化合物)對上述丙烯酸系聚合物(b)的官能基進行反應而成之物。
含不飽和基的化合物，係具有能夠與丙烯酸系聚合物(b)的官能基鍵結之取代基、及光聚合性不飽和基的雙方之化合物。作為光聚合性不飽和基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。 又，作為含不飽和基的化合物所具有之能夠與官能基鍵結的取代基，可舉出異氰酸酯基、環氧丙基等。因而，作為含不飽和基的化合物，例如可舉出異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
又，含不飽和基的化合物係以對丙烯酸系聚合物(b)的官能基的一部分進行反應為佳，具體而言係以使含不飽和基的化合物對丙烯酸系聚合物(b)所具有的官能基的50~98莫耳%進行反應為佳，以使55~93莫耳%反應為較佳。如此，在能量線硬化性丙烯酸系樹脂，藉由使官能基的一部分不與含不飽和基的化合物反應而殘留，容易藉由交聯劑而被交聯。又，丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)係以30萬~160萬為佳，較佳為40萬~140萬，更佳為50萬~120萬。
(能量線硬化性化合物) 作為在X型或XY型黏著劑組合物所含有的能量線硬化性化合物，係以在分子內具有不飽和基且能夠藉由能量線照射而聚合硬化的單體或寡聚物為佳。 作為此種能量線硬化性化合物，例如可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯。新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6.己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多價(甲基)丙烯酸酯單體、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物。
該等之中，從分子量較高且不容易使黏著劑層的剪切儲存彈性模數低落的觀點而言，係以胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物為佳。 能量線硬化性化合物的分子量(寡聚物時為重量平均分子量)，係以100~12000為佳，較佳為200~10000，更佳為400~8000，特佳為600~6000。
在X型黏著劑組合物之能量線硬化性化合物含量，係相對於黏著性樹脂100質量份，以40~200質量份為佳，較佳為50~150質量份，更佳為60~90質量份。 另一方面，在XY型黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量係相對於黏著性樹脂100質量份，以1~30質量份為佳，較佳為2~20質量份，更佳為3~15質量份。在XY型黏著劑組合物，因為黏著性樹脂為能量線硬化性，所以即便能量線硬化性化合物含量較少，能量線照射後亦能夠充分地使剝離力降低。
(交聯劑) 黏著劑組合物係以進一步含有交聯劑為佳。交聯劑係例如對黏著性樹脂所具有之源自官能基單體的官能基進行反應且將黏著性樹脂之間交聯之物。作為交聯劑，例如可舉出甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等、及該等的加成物等的異氰酸酯系交聯劑；乙二醇環氧丙基醚等的環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-吖環丙烷基]三磷雜三嗪等的吖環丙烷系交聯劑；鋁鉗合物等的鉗合物系交聯劑等。該等交聯劑可單獨或組合2種以上而使用。
該等之中，從提高凝聚力而提升黏著力之觀點、及取得容易性等的觀點而言，係以異氰酸酯系交聯劑為佳。 從促進交聯反應的觀點而言，交聯劑的調配量係相對於黏著性樹脂100質量份，以0.01~10質量份為佳，較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~4質量份。
(光聚合起始劑) 又，黏著劑組合物為能量線硬化性時，黏著劑組合物係以進一步含有光聚合起始劑為佳。藉由含有光聚合起始劑，即便紫外線等較低能量的能量線，亦能夠使黏著劑組合物的硬化反應充分地進行。
作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、9-氧硫
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Figure 02_image003
化合物、過氧化物化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丙腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
該等光聚合起始劑可單獨或組合2種以上而使用。 相對於黏著性樹脂100質量份，光聚合起始劑的調配量係以0.01~10質量份為佳，較佳為0.03~5質量份，更佳為0.05~5質量份。
(其他添加劑) 黏著性組合物係在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，相對於黏著性樹脂100質量份，添加劑的調配量係較佳為0.01~6質量份。
又，從使其對基材、緩衝層、剝離片的塗佈性提升之觀點而言，黏著性組合物亦可進一步使用有機溶劑稀釋而成為黏著性組合物溶液的形態。 作為有機溶劑，例如可舉出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二㗁烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、異丙醇等。又，該等有機溶劑可直接使用在黏著性樹脂合成時所使用的有機溶劑，亦可以能夠均勻地塗佈該黏著劑組合物的溶液之方式，添加在合成時所使用的有機溶劑以外之1種以上的有機溶劑。
[剝離片] 亦可將剝離片貼附在黏著帶表面。具體而言，剝離片係貼附在黏著帶的黏著劑層表面。藉由將剝離片貼附在黏著劑層表面，在輸送時、保管時可保護黏著劑層。剝離片係能夠剝離地貼附在黏著帶，在使用黏著帶之前(亦即，貼附晶圓前)，係從黏著帶被剝離而除去。 剝離片係使用至少一面經剝離處理之剝離片，具體而言可舉出將剝離劑塗佈在剝離片用基材表面上而成者等。
作為剝離片用基材，係以樹脂膜為佳，作為構成該樹脂膜之樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等的聚酯樹脂膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等的聚烯烴樹脂等。作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離片厚度係沒有特別限制，以10~200μm為，較佳為20~150μm。
[黏著帶的製造方法] 作為本發明的黏著帶的製造方法，係沒有特別限制、能夠使用習知的方法來製造。例如，具有基材、設置在該基材的一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶的製造方法係如以下。
緩衝層係由含有能量線聚合性化合物的緩衝層形成用組合物所形成時，藉由將緩衝層形成用組合物塗佈剝離片上且硬化而設置的緩衝層、與基材貼合且將剝離片除去，能夠得到緩衝層與基材的積層體。又，緩衝層係包含聚烯烴樹脂膜之層時，藉由將緩衝層與基材貼合，能夠得到緩衝層與基材的積層體。
然後，將設置在剝離片上之黏著劑貼合在積層體的基材側，而能夠製造在黏著劑層表面貼附有剝離片之黏著帶。被貼附在黏著劑層表面之剝離片，係在黏著帶的使用前適當剝離而除去即可。
作為將緩衝層形成在剝離片上之方法，係能夠藉由將緩衝層形成用組合物使用習知的塗佈方法直接塗佈在剝離片上而形成塗佈膜，且對該塗佈膜照射能量線而形成緩衝層。又，亦可將緩衝層形成用組合物直接塗佈在基材的一面且加熱乾燥或對塗佈膜照射能量線來形成緩衝層。
作為緩衝層形成用組合物的塗佈方法，例如可舉出旋轉塗佈法。噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。又，為了使塗佈性提升，亦可在緩衝層形成用組合物調配有機溶劑且以溶液形態的方式塗佈在剝離片上。
緩衝層形成用組合物係含有能量線聚合性化合物時，係以藉由對緩衝層形成用組合物的塗佈膜照射能量線使其硬化，來形成緩衝層為佳。緩衝層的硬化可進行一次的硬化處理，亦可分成複數次而進行。例如可使剝離片上的塗佈模完全硬化且形成緩衝層之後，貼合在基材；亦可不使該塗佈膜完全硬化而形成半硬化狀態的緩衝層形成膜，在將該緩衝層形成膜貼合在基材之後，再次照射能量線使其完全硬化來形成緩衝層。作為在該硬化處理所照射之能量線，係以紫外線為佳。又，硬化時緩衝層形成用組合物的塗佈膜亦可為被暴露的狀態，但是以使用剝離片和基材將塗佈膜覆蓋且在塗佈膜未被暴露的狀態下照射能量線而硬化為佳。
緩衝層係包含聚烯烴樹脂膜之層時，亦可使用擠製貼合機將緩衝層與基材貼合。具體而言，係使用T型模具製膜機等將構成緩衝層之聚烯烴樹脂熔融‧混煉且邊使基材以一定速度移動邊將熔融的聚烯烴樹脂擠製貼合在基材的一面側。又，亦可將緩衝層藉由熱封等而直接層積在基材。而且，亦可使用乾式貼合法等方法透過易接著層而層積。
作為將黏著劑層形成在剝離片上之方法，能夠藉由將黏著劑(黏著劑組合物)使用習知的塗佈方法直接塗佈在剝離片上且將塗佈膜加熱乾燥，而形成黏著劑層。
又，亦可將黏著劑(黏著劑組合物)直接塗佈在基材的一面而形成黏著劑層。作為黏著劑的塗佈方法，可舉出在緩衝層的製造法已揭示之噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法。模塗佈法、凹版塗佈法等。
又，將緩衝層設置在基材的兩面之黏著帶的製造方法，例如使用上述方法而得到依照順序將緩衝層、基材及緩衝層層積而成之積層體，隨後，將黏著劑層形成在一方的緩衝層側即可。
[半導體裝置的製造方法] 本發明之黏著帶，係在DBG能夠適合使用於將貼附在半導體晶圓表面的晶圓進行背面磨削時。特別地，本發明之黏著帶係在將半導體晶圓個別片化時，能夠適合使用在可得到切口寬度較小的晶片群之LDBG。又，所謂「晶片群」，係指被保持在本發明之黏著帶上之晶圓形狀的複數個半導體晶片。 以下，更具體地說明半導體裝置的製造方法，作為黏著帶的非限定使用例。
半導體裝置的製造方法，具體而言係至少包括以下的步驟1~步驟4。 步驟1：將上述的黏著帶貼附在半導體晶圓表面之步驟 步驟2：從半導體晶圓表面側形成溝，或是從半導體晶圓表面或是背面將改質區域形成在半導體晶圓內部之步驟 步驟3：將黏著帶貼附在表面且將形成有上述溝或改質區域之半導體晶圓從背面側磨削，而且將溝或改質區域作為起點而進行個別片化成為複數個晶片之步驟 步驟4：將黏著帶從經個別片化的半導體晶圓(亦即，複數個半導體晶片)剝離之步驟
以下，詳細地說明上述半導體裝置的製造方法之各步驟。 (步驟1) 在步驟1，係將本發明的黏著帶透過黏著劑層而貼附在半導體晶圓表面。本步驟可在後述步驟2之前進行，亦可在步驟2之後進行。例如將改質區域形成在半導體晶圓時，係以在步驟2之前進行步驟1為佳。另一方面，藉由切割等在半導體晶圓表面形成溝時，係在步驟2之後進行步驟1。亦即，在本步驟1將黏著帶貼附在具有藉由後述步驟2所形成的溝之晶圓表面。
在本製造方法所使用的半導體晶圓可為矽晶圓，而且亦可為鎵砷、碳化矽、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、銦磷等的晶圓、玻璃晶圓。半導體晶圓之磨削前的厚度係沒有特別限定，通常為500~1000μm左右。又，半導體晶圓係通常在其表面形成有電路。將電路形成在晶圓表面，係能夠使用包含蝕刻法、剝落法等先前泛用的方法之各式各樣的方法來進行。
(步驟2) 在步驟2，係由半導體晶圓表面側形成溝，或由半導體晶圓表面或背面將改質區域形成在半導體晶圓的內部。 在本步驟所形成的溝，係比半導體晶圓厚度更淺的深度之溝。溝的形成係能夠使用先前習知的晶圓切割裝置等而進行切割。又，在後述步驟3，半導體晶圓係沿著溝而被分割成為複數個半導體晶片。
又，改質區域係在半導體晶圓經脆質化的部分，而且是藉由在磨削步驟之磨削而半導體晶圓變薄，或是藉由磨削所施加的力量，半導體晶圓被破壞且成為半導體晶片被個別片化的起點之區域。亦即，在步驟2之溝及改質區域，係以沿著半導體晶圓在後述步驟3被分割且個別片化成為半導體晶片時的分割線之方式形成。
改質區域的形成，係藉由對半導體晶圓內部照射與焦點一致的雷射來進行，改質區域係形成在半導體晶圓內部。雷射的照射可從半導體晶圓表面側進行，亦可從背面側進行。而且，在形成改質區域之態樣，在步驟1之後，進行步驟2且從晶圓表面進行雷射照射時，係透過黏著帶而對半導體晶圓照射雷射。 貼附有黏著帶且形成有溝或改質區域之半導體晶圓，係被載置在夾頭座上且被吸附在夾頭座(chuck table)而保持。此時，半導體晶圓之表面側係被配置在機台側而被吸附。
(步驟3) 步驟1及步驟2之後，係將夾頭座上的半導體晶圓背面進行磨削且將半導體晶圓個別片化成為複數個半導體晶片。在此，將溝形成在半導體晶圓時，背面磨削係以將半導體晶圓薄化且至少到達溝的底部位置之方式進行。藉由該背面磨削，溝係成為將晶圓貫穿之切口，而且半導體晶圓係被切口分割且被個別片化成為各個半導體晶片。
另一方面，形成有改質區域時，藉由磨削而得到的磨削面(晶圓背面)，可到達改質區域，亦可不嚴密地到達改質區域。亦即，以半導體晶圓係以改質區域作為起點而被破壞且被個別片化成為半導體晶片之方式，磨削至接近改質區域的位置為止即可。例如，半導體晶片之實際上個別片化，亦可藉由貼附後述的拾取膠帶之後，將拾取膠帶延伸而進行。
又，背面磨削結束後，亦可在晶片拾取之前進行乾式拋光。
經個別片化的半導體晶片之形狀可為方形，亦可為矩形等的細長形狀。又，經個別片化的半導體晶片之厚度係沒有特別限定，以5~100μm左右為佳，較佳為10~45μm。藉由雷射而將改質區域設置在晶圓內部且利用晶圓背面磨削時的應力等進行晶圓的個別片化，藉由LDBG係容易使經個別片化的半導體晶片厚度成為50μm以下，較佳為10~45μm。又，經個別片化的半導體晶片之大小係沒有特別限定，晶片尺寸係以小於600mm2 為佳，較佳為小於400mm2 ，更佳為小於300mm2 。
使用本發明的黏著帶時，即便如此薄型及/或小型半導體晶片，亦能夠防止背面磨削時(步驟3)、及黏著帶剝離時(步驟4)在半導體晶片產生龜裂。
(步驟4) 其次，將半導體加工用黏著帶從經個別片化的半導體晶圓(亦即，複數個半導體晶片)剝離。本步驟係例如使用以下的方法來進行。 首先，黏著帶的黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑形成時，係照射能量線而將黏著劑層硬化。其次，將拾取膠帶貼附在經個別片化的半導體晶圓之背面側且以能夠拾取的方式進行位置及方向對準。此時，配置在晶圓的外周側之環狀框(ring frame)亦貼合在拾取膠帶且將拾取膠帶的外周緣部固定環狀框。拾取膠帶可同時貼合晶圓及環狀框，亦可在各自的時序貼合。其次，將黏著帶從被保持在拾取膠帶上之複數個半導體晶片剝離。
隨後，將位於拾取膠帶上之複數個半導體晶片拾取且固定在基板等的上面來製造半導體裝置。又，拾取膠帶係沒有特別限定，例如能夠由包括基材、及設置在基材的一面之黏著劑層之黏著片所構成。
又，亦能夠使用接著帶來代替拾取膠帶。所謂接著帶，可舉出薄膜狀接著劑與剝離片的積層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑的積層體、由具有切割帶與晶片接合帶雙方的功能之接著劑層與剝離片所構成之切割‧晶片接合帶等。又，亦可在貼附拾取膠帶之前，將薄膜狀接著劑貼合在經個別片化的半導體晶圓之背面側。使用薄膜狀接著劑時，薄膜狀接著劑亦可與晶圓同形狀。
使用接著帶時和在貼附拾取膠帶之前將薄膜狀接著劑貼合在經個別片化的半導體晶圓背面側時，位於接著帶和拾取膠帶上之複數個半導體晶片，係和被分割成為與半導體晶片同形狀之接著劑層同時被拾取。而且，半導體晶片係透過接著劑層而被固定在基板等的上面來製造半導體裝置。接著劑層的分割係能夠藉由雷射和擴展而進行。
以上，關於本發明之黏著帶，已針對使用於藉由DBG或LDBG而將半導體晶圓個別片化之方法之例子進行說明，本發明之黏著帶係能夠適合使用於在將半導體晶圓個別片化時，能夠得到切口寬度較小且進一步被薄化的晶片群之LDBG。又，本發明之黏著帶亦能夠使用於通常的背面磨削，而且亦能夠使用於在玻璃、陶瓷等的加工時用以將被加工物暫時保持。而且亦能夠使用作為各種再剝離黏著帶。
第2實施形態 在本發明之第2實施形態，所謂黏著帶，係意味著包含基材、及設置在基材的至少一面側之黏著劑層之積層體。而且，不阻礙該等以外的其他構成層。例如，亦可包設置在基材的至少一面側之黏著劑層、及設置在基材的另一面側之緩衝層。又，黏著劑層側的基材表面亦可形成底漆層，在黏著劑層表面，亦可層積用以保護黏著劑層至使用時為止之剝離片。又，基材可為單層，亦可為多層。黏著劑層亦同樣。以下更詳細地說明說明第2實施形態之半導體加工用黏著帶的各構件之構成。
本發明的第2實施形態的要旨係如以下。 [1]一種半導體加工用黏著帶，係具有在23℃之楊格模數為1000Mpa以上的基材、及黏著劑層之黏著帶， 將前述黏著劑層的厚度設為(N)[μm]，將潛變量設為(C)[μm]時，(N)與(C)的乘積(N)×(C)在30℃為500以上，而且在60℃為9000以下。
[2]如[1]所述之半導體加工用黏著帶，其中在前述黏著劑層30℃之剪切儲存彈性模數為0.03MPa以上，在60℃之剪切儲存彈性模數為0.20MPa以下。
[3]如[1]或[2]所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層的厚度為100μm以下。
[4]一種半導體裝置的製造方法，係包括下列步驟： 將如上述[1]至[3]項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面之步驟； 從前述半導體晶圓表面側形成溝、或從前述半導體晶圓表面或是背面將改質區域形成在半導體晶圓內部之步驟； 將在表面貼附有前述黏著帶且形成有前述溝或前述改質區域之半導體晶圓，從背面側進行磨削且以前述溝或前述改質區域作為起點使其個別化成為複數個晶片之步驟；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離之步驟。
[黏著劑層] 黏著劑層可為單層，亦可為多層。在第2實施形態，所謂黏著劑層，係指將黏著片貼附在半導體晶圓時，介於基材與晶圓之間之層。在基材與晶圓之間存在複數層時，係該等複數層視為1個黏著劑層。因而，在以下詳述之黏著劑層的潛變量、厚度、剪切儲存彈性模數之特性，基材與晶圓之間存在單一的黏著劑層時為本身的特性，基材與晶圓之間存在複數層時為將該等複數層視為一層的黏著劑層時之特性。亦即，在各特性之數值範圍，在基材與晶圓之間存在單一的黏著劑層時，應當藉由該單一的黏著劑層來滿足，在基材與晶圓之間存在複數層時，應當將該等複數層視為1個黏著劑層來滿足。又，基材係由複數層所構成時，該等複數層在23℃之楊格模數為1000MPa以上時視為一個基材。例如設置有易接著層之基材在23℃之楊格模數為1000MPa以上時，係將基材及易接著層視為1個基材且易接著層係不包含在黏著劑層。
在第2實施形態，將黏著劑層的厚度設為(N)μm，將潛變量設為(C)μm時，(N)與(C)的乘積(N)×(C)係在30℃為500以上且在60℃為9000以下。在半導體晶圓表面係形成有電路具通常具有凹凸。藉由使在30℃之乘積(N)×(C)成為500以上，將黏著帶貼附在具有凹凸的晶圓表面時。能夠使黏著劑層與晶圓表面的凹凸充分地接觸且能夠使著劑層的接著性適當地發揮。因此，能夠確實地進行將黏著帶固定在半導體晶圓且在背面磨削時能夠適當地保護晶圓表面。又，藉由研磨機等將半導體晶圓背面磨削時，半導體晶圓係承受由於被研磨機加壓接觸之壓縮應力、及由於研磨機旋轉而產生的剪切應力。在DBG和LDBG等先切割法，由於如上述的背面磨削時之壓縮應力及剪切應力而有產生晶片位移之情形。藉由使黏著劑層在60℃之乘積(N)×(C)成為9000以下，即便背面磨削時由於研磨機等的摩擦致使半導體晶圓的溫度上升至60℃左右之情況，亦能夠抑制晶片位移。
從此種觀點而言，在黏著劑層30℃之(N)與(C)之乘積(N)×(C)，係以500~8000為佳，較佳為1000~7000。又，黏著劑層在60℃之(N)與(C)之乘積(N)×(C)，係以0~8000為佳，較佳為1000~7000。
黏著劑層的厚度(N)係以小於100μm為佳，以5~80μm為較佳，以10~70μm為更佳。使黏著劑層如此使薄化時，因為在黏著帶能夠減少剛性較低的部分之比率，所以容易進一步防止在背面磨削時所產生之導體晶片的缺損。
黏著劑層的潛變量(C)係只要(N)與(C)的乘積(N)×(C)為上述範圍，就沒有特別限定，在30℃之潛變量係以大於5μm為佳，較佳為50μm以上。又，在60℃之潛變量係以210μm以下為佳，較佳為115μm以下。在黏著劑層30℃之潛變量為5μm下時，將黏著帶貼附在具有凹凸的晶圓表面時，晶圓表面的凹凸與黏著劑層有無法充分地接觸之可能性。又，在60℃在之潛變量大於210μm時，在背面磨削時由於與研磨機等的摩擦致使半導體晶圓的溫度上升至60℃左右時，有造成晶片位置偏移而產生晶片位移之可能性。
黏著劑層的潛變量(C)，係依據JISZ0237(2009)使切取成為寬度25mm×長度150mm之黏著帶與保持力試驗用被黏著物(SUS304)的標線一致，而且以貼附面積成為寬度25mm×長度25mm的方式進行貼附(2kg輥筒、5往復)而作為試驗試樣，隨後，使用保持力試驗機在30℃及60℃的環境下，使用1kg的砝碼施加荷重(9.8N)而測定保持力。試驗時間係設為10000秒，將此時的偏移量設為潛變量(C)[μm]。
黏著劑層係只要在常溫具有適當的感壓接著性，就沒有特別限定，在30℃之剪切儲存彈性模數係以0.03MPa以上為佳，又，在60℃之剪切儲存彈性模數係以0.20MPa以下為佳，藉由將在30℃之剪切儲存彈性模數設為0.03MPa以上，在將黏著帶貼附在具有凹凸的晶圓表面時，能夠使晶圓表面的凹凸與黏著劑層充分地接觸且能夠使黏著劑層的接著性適當地發揮。又，藉由將在60℃之剪切儲存彈性模數設為0.20MPa以下，在加熱晶圓且將表面保護片進行貼附(熱貼)在電路等的凹凸部分時，黏著劑層可追隨晶圓表面的凹凸部分，藉由減少晶圓的凹凸部分與黏著劑層的非接觸區域而保持晶圓，能夠抑制晶片位移。又，所謂黏著劑層的剪切儲存彈性模數，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，係意味著藉由能量線照射而得到的硬化面之剪切儲存彈性模數。
從此種觀點而言，黏著劑層在30℃之剪切儲存彈性模數係以0.05~0.18MPa為佳，更佳為0.10~0.15MPa。又，黏著劑層在60℃之剪切儲存彈性模數係以0.01~0.15MPa為佳，更佳為0.03~0.10MPa。
剪切儲存彈性模數係能夠使用以下的方法而測定。將厚度為約0.5~1mm的黏著劑層沖切成為直徑7.9mm的圓形之物設為測定試料。使用Rheometric公司製的動態黏彈性測定裝置ARES，測定在頻率1Hz、-30℃起至150℃的溫度範圍使其以升溫速度3℃/分鐘行溫度變化時之測定試料的彈性模數。將在測定溫度30℃的彈性模數設為在30℃之剪切儲存彈性模數，將在測定溫度60℃的彈性模數設為在60℃之剪切儲存彈性模數。
以下，詳述在第2實施形態之黏著劑的具體例，但是該等為非限定的例示，在本實施形態之黏著劑層不應該被解釋為限定於該等。黏著劑層係滿足上述特性時，可為單層亦可為多層。
黏著劑層係例如由丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等所形成，以丙烯酸系黏著劑為佳 又，黏著劑層係以由能量線硬化性黏著劑所形成者為佳。藉由黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成，在藉由能量線照射而硬化前將在30℃之剪切儲存彈性模數設定在上述範圍之同時，在硬化後能夠容易地將剝離力設定為1000mN/50mm以下。
作為能量線硬化性黏著劑，係能夠使用與第1實施形態同樣的黏著劑。例如除了非能量線硬化性黏著性樹脂(黏著性樹脂1)以外，亦能夠使用含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(X型黏著劑組合物)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用含有將不飽和基導入至非能量線硬化性的黏著性樹脂的側鏈而成之能量線硬化性黏著性樹脂(黏著性樹脂II)作為主成分、以及不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之黏著劑組合物(「Y型黏著劑組合物」)。
而且，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用X型與Y型的併用型、亦即含有能量線硬化性黏著性樹脂II、以及黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下，亦稱為「XY型黏著劑組合物」)。該等之中，以使用XY型黏著劑組合物為佳。藉由使用XY型之物，在硬化前具有充分的黏著特性，另一方面在硬化後能夠使對半導體晶圓之剝離力充分地降低。
但是作為黏著劑，亦可由即便照射能量線亦不硬化之非能量線硬化性的黏著劑組合物所形成。非能量線硬化性黏著劑組合物，係至少含有非能量線硬化性黏著性樹脂I，另一方面不含有上述能量線硬化性黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物之物。
又，在以下的說明，「黏著性樹脂」係指使用作為上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II的一方或雙方之用語。作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，以丙烯酸系樹脂為佳。 以下，進一步詳細說明使用丙烯酸系樹脂作為黏著性樹脂之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系樹脂係使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)係將含有至少(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得到之物，含有源自(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元。作為(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出烷基的碳數為1~20之物，烷基可為直鏈，亦可為分枝。作為(甲基)丙烯酸烷酯的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上而使用。
又，從使黏著劑層的黏著力提升之觀點而言，丙烯酸系聚合物(b)係以含有源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元為佳。作為該(甲基)丙烯酸烷酯的碳數，較佳為4~12，更佳為4~6。又，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯係以丙烯酸烷酯為佳。
在丙烯酸系聚合物(b)，相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量(以下亦簡稱為單體總量)，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯係以40~98質量%為佳，較佳為45~95質量%，更佳為50~90質量%。
丙烯酸系聚合物(b)係除了源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，為了調整黏著劑層的彈性模數和黏著特性，以含有源自烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之共聚物為佳。又，該(甲基)丙烯酸烷酯係以碳數1或2的(甲基)丙烯酸烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸甲酯為較佳，以甲基丙烯酸甲酯為最佳。在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯，係相對於單體總量，以1~50質量%為佳，較佳為20~50質量%，更佳為30~50質量%。藉由使烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯的含量成為述範圍，能夠減低黏著劑層在60℃之潛變量(C)。
丙烯酸系聚合物(b)係除了源自上述(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，以具有源自含官能基的單體之結構單元為佳。作為官能基的單體之官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。官能基的單體，係與後述的交聯劑反應且成為交聯起點、或與含不飽和基的化合物反應而能夠將不飽和基導入至丙烯酸系聚合物(b)側鏈。
作為官能基的單體，可舉出含羥基單體、含羧基單體、胺基含有單體、含環氧基單體等。該等單體可單獨或組合2種以上而使用。該等之中，以含羥基單體、含羧基單體為佳，以含羥基單體為較佳。
作為含羥基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙醇類等的不飽和醇類等。
作為含羧基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；反丁烯二酸、伊康酸、順丁烯二酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量，官能基單體係以1~35質量%為佳，較佳為3~32質量%，更佳為6~30質量%。 又，丙烯酸系聚合物(b)係除了上述以外，亦可含有苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等源自能夠與上述的丙烯酸系單體共聚合的單體之結構單元。
上述丙烯酸系聚合物(b)係能夠使用作為非能量線硬化性的黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)。又，作為能量線硬化性丙烯酸系樹脂，可舉出使具有光聚合性不飽和基之化合物(亦稱為含不飽和基的化合物)對上述丙烯酸系聚合物(b)的官能基進行反應而成之物。
含不飽和基的化合物，係具有能夠與丙烯酸系聚合物(b)的官能基鍵結之取代基、及光聚合性不飽和基的雙方之化合物。作為光聚合性不飽和基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。又，作為含不飽和基的化合物所具有之能夠與官能基鍵結的取代基，可舉出異氰酸酯基、環氧丙基等。因而，作為含不飽和基的化合物，例如可舉出異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
又，含不飽和基的化合物係以對丙烯酸系聚合物(b)的官能基的一部分進行反應為佳，具體而言係以使含不飽和基的化合物對丙烯酸系聚合物(b)所具有的官能基的50~98莫耳%進行反應為佳，以使55~93莫耳%反應為較佳。如此，在能量線硬化性丙烯酸系樹脂，藉由使官能基的一部分不與含不飽和基的化合物反應而殘留，容易藉由交聯劑而被交聯。又，丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)係以30萬~160萬為佳，較佳為40萬~140萬，更佳為50萬~120萬。
在第2實施形態，黏著劑層的潛變量，係能夠藉由交聯劑的種類和量、及單體的種類和量來調整剪切儲存彈性模數而增減。
在第2實施形態的黏著劑層之能量線硬化性化合物、交聯劑、光聚合起始劑、其他添加劑係能夠設為與第1實施形態同樣。
又，在第2實施形態之基材、緩衝層、剝離片、以及半導體裝置的製造方法亦能夠設為與第1實施形態同樣。針對黏著帶的製造方法，係除了可設置亦可不設置緩衝層以外，係能夠設為與第1實施形態同樣。 實施例
以下，基於實施例而更詳細地說明本發明，但是本發明係不被該等例子限制。
＜實施例1~6及比較例1＞ 在實施例1~6及比較例1之測定方法、評價方法係如以下。 [楊格模數] 基材的楊格模數係使用拉伸試驗機而進行拉伸試驗，從所得到的拉伸強度及伸長率的圖表算出。具體而言，係準備由與構成基材之薄膜或薄片相同的材質所構成之寬度15mm×長度150mm×厚度50μm的測定用薄膜。以測定用薄膜的能夠延伸部成為100mm之方式設置拉伸‧壓縮試驗機(A&D公司製、製品名「TENSILON」)。然後，在23℃以試驗速度200mm/分鐘進行測定。從在所得到的圖表的原點之斜度算出楊格模數。
[拉伸儲存彈性模數及tanδ] 將由在實施例1~4及比較例1所使用的緩衝層形成用組合物所構成之厚度0.2mm的緩衝層形成膜形成在第1剝離片上，而且將第2剝離片貼合在該緩衝層形成膜上。又，第1、第2剝離片係使用經進行聚矽氧剝離處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」、厚度：38μm)。 而且，從第1剝離片側再次照射紫外線而使上述緩衝層形成膜完全地硬化且形成厚度0.2mm的試驗用緩衝層。又，上述紫外線照射係使用輸送帶式紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「H04-L41」)，在燈高度150mm、燈輸出功率3kW(換算輸出功率120mW/cm)、光線波長365nm的照度160mW/cm2 、照射量500mJ/cm2 的照射條件下進行。將所製造的試驗用緩衝層上的兩面的剝離片除去之後，使用切斷成為寬度4mm×長度50mm之試片且藉由自動動態黏彈性試驗機(ORIENTEC公司製、製品名「Rheovibron DDV-0.1FP」)，在測定頻率1Hz、升溫速度3℃/分鐘、溫度範圍-5~120℃對10個試片測定拉伸儲存彈性模數及拉伸損失彈性模數。又，關於實施例5、6，係除了將在實施例5、6所使用的緩衝層(厚度27.5μm的LDPE)進行層積且使用厚度0.1mm的試驗用緩衝層以外，係進行與上述同樣的測定。
將各溫度的「拉伸損失彈性模數/拉伸儲存彈性模數」之值的平均值算出作為該溫度的tanδ，將在-5~120℃的範圍之tanδ的最大值設為「緩衝層的tanδ的最大值」且顯示在表1。 又，將在23℃之拉伸儲存彈性模數的平均值設為E23 ，將在60℃之拉伸儲存彈性模數的平均值設為E60 ，將在90℃之拉伸儲存彈性模數的平均值設為E90 。
[龜裂] 將實施例及比較例所製造的半導體加工用黏著帶，使用背面研磨用膠帶貼合機(LINTEC公司製、裝置名「RAD-3510F/12」)而貼附在直徑12英吋、厚度775μm的矽晶圓。使用雷射鋸(DISCO公司製、裝置名「DFL7361」)將格子狀改質區域形成在晶圓。又，格子尺寸係設為11mm×8mm。
其次，使用背面磨削裝置(DISCO公司製、裝置名「DGP8761」)進行磨削(包含乾式拋光)至厚度成為20μm為止且將晶圓進行個別片化成為複數個晶片。磨削步驟後，進行能量線(紫外線)照射且將切割膠帶(LINTEC公司製、Adwill D-176)貼附在半導體加工用黏著帶的貼附面的相反面之後，將半導體加工用黏著帶剝離。隨後，使用數位顯微鏡觀察個別片化後的晶片，而且計算產生龜裂的晶片且基於以下的基準分類成為各龜裂尺寸。又，龜裂尺寸(μm)係將沿著晶片的縱向之龜裂長度(μm)、與沿著晶片的橫向之龜裂長度(μm)進行對比且設為其數值較大者。
(基準) 大龜裂：龜裂的尺寸大於50μm 中龜裂：龜裂的尺寸為20μm以上且50μm以下 小龜裂：龜裂的尺寸小於20μm。
又，基於以下的式而算出龜裂產生率(%)。將龜裂產生率為2.0%以下，大龜裂的個數0個，中龜裂的個數為10個以下，小龜裂的個數為20個以下時評定為「良好」，將此外的情況評定為「不良」。龜裂產生率(%)=產生龜裂的晶片數/總晶片數×100。
又，以下的實施例及比較例之質量份係全部固體成分換算。
[實施例1] (1)基材 準備兩面附接著層的PET膜(東洋紡公司製COSMOSHINE A4300、厚度：50μm、在23℃之楊格模數：2550MPa)作為基材。
(2)緩衝層 (胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物的合成) 使丙烯酸2-羥基乙酯對末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物進行反應，而得到重量平均分子量(Mw)為約5000的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)，其中該末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物係使聚碳酸酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到。
(緩衝層形成用組合物的調製) 將上述所合成的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)50質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)30質量份、丙烯酸四氫糠酯(THFA)40質量份、及二新戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)15質量份進行調配，進而調配作為光聚合起始劑的2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF Japan公司製、製品名「IRGACURE1173」)1.0質量來調製緩衝層形成用組合物。
(3)黏著劑層 (黏著劑組合物的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b)，以附加在丙烯酸系聚合物(b)的總羥基之中90莫耳%的羥基方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為光聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮稀釋，來調製固體成分濃度32質量%的黏著劑組合物之塗佈液。
(4)黏著帶的製造 將上述所得到的黏著劑組合物之塗佈液塗佈在剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面且使其加熱乾燥而將厚度為30μm的黏著劑層形成在剝離片上。
又，將緩衝層形成用組合物塗佈在另外的剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面來形成塗佈膜。其次，對該塗佈膜照射紫外線將塗佈膜半硬化而形成厚度為53μm的緩衝層形成膜。 又，上述的紫外線照射，係使用輸送帶式紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「US2-0801」)及高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「H08-L41」)，在燈高度230mm、輸出功率80mW/cm、光線波長365nm的照度90mW/cm2 、照射量50mJ/cm2 的照射條件下進行。
而且，將所形成的緩衝層形成膜表面與基材貼合，從緩衝層形成膜上的剝離片側再次照射紫外線而使該緩衝層形成膜完全硬化來形成厚度53μm的緩衝層。又，上述的紫外線照射，係使用上述紫外線照射裝置及高壓水銀燈，在燈高度220mm、換算輸出功率120mW/cm、光線波長365nm的照度160mW/cm2 、照射量350mJ/cm2 的照射條件下進行。
隨後，將黏著劑層貼合在基材之形成有緩衝層的面之相反面，來製造半導體加工用黏著帶。
[實施例2] 在緩衝層形成用組合物的調製，係除了將DPHA的調配量變更成為20質量份以外，係與實施例同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例3] 在緩衝層形成用組合物的調製，係除了使用新戊四醇三丙烯酸酯(PETA、三酯57%、新中村化學工業公司製、製品名「A-TMM-3LM-N」)20質量份代替DPHA以外，係與實施例同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例4] 除了使用以下的緩衝層形成用組合物作為緩衝層形成用組合物以外，係與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。 (胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物的合成) 在使聚酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物，使丙烯酸2-羥基乙酯進行反應而得到重量平均分子量(Mw)為約5000的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)。
(緩衝層形成用組合物的調製) 將胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)50質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)40質量份、2-羥基-3-苯氧基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量份、及新戊四醇三丙烯酸酯(PETA)10質量份進行調配，而且調配作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF Japan公司製、製品名「IRGACURE1173」)1.0質量份來調製緩衝層形成用組合物。 [實施例5] 準備低密度聚乙烯膜(厚度：27.5μm)作為緩衝層。 使用與實施例1同樣的基材，將該緩衝層藉由乾式貼合法層積在該基材的兩面，來得到依照LDPE/PET/LDPE的順序層積而成之基材與緩衝層的積層體。
與實施例1同樣地進行而將黏著劑層貼合在所得到的積層體，來得到半導體加工用黏著帶。 [實施例6] 除了將黏著劑層的厚度設為60μm以外，係與實施例5同樣地進行而得到黏著帶。
[比較例1] 除了使用以下的緩衝層形成用組合物作為緩衝層形成用組合物以外，係與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。 (緩衝層形成用組合物的調製) 將胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)50質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)40質量份、及丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯(HPPA)20質量份進行調配，而且調配作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASFJapan公司製、製品名「IRGACURE1173」)1.0質量份，來調製緩衝層形成用組合物。
[表1]
Figure 107103251-A0304-0001
從以上的結果，得知使用本發明之半導體加工用黏著帶時，能夠減低龜裂的產生。特別是本發明之半導體加工用黏著帶，係能夠減低大龜裂及中龜裂的產生個數。具有大龜裂或中龜裂之晶片，在半導體裝置的製造步驟，龜裂進行且破損之可能性較高。因而，得知使用本發明之黏著帶時，半導體裝置具有優異的生產性。
＜實施例7~17及比較例2~6＞ 在實施例7~17及比較例2~6之測定方法、評價方法係如以下。 [剪切儲存彈性模數G’] 緩衝層的剪切儲存彈性模數G’係使用黏彈性測定裝置(RheometorIcs公司製DYNAMIC ANALYZER RDA■)且在下述的條件下，測定使由實施例7~17及比較例2~6所使用的黏著劑組合物溶液所形成的單層黏著劑層積而成之試樣。 ‧試樣尺寸：直徑8mm×厚度3mm ‧測定溫度：30℃及60℃ ‧測定頻率：1Hz
[潛變量(C)] 依據JISZ0237(2009)使切取成為寬度25mm×長度150mm之黏著帶與保持力試驗用被黏著物(SUS304)的標線一致，而且以貼附面積成為寬度25mm×長度25mm的方式進行貼附(2kg輥筒、5往復)而作為試驗試樣，隨後，使用保持力試驗機在30℃及60℃的環境下，使用1kg的砝碼施加荷重(9.8N)而測定保持力。試驗時間係設為10000秒，將此時的偏移量設為潛變量(C)[μm]。
[厚度(N)] 基材(構成基材之樹脂膜)的厚度，係依據JISK7130且使用定壓厚度測定器(Teclock公司製、製品名「PG-02」)而測定。黏著劑層的厚度(N)係測定經進行聚矽氧剝離處理之附有PET膜的狀態之表面保護片的厚度，從該厚度減去基材及經進行聚矽氧剝離處理之PET膜的厚度而得到的值[μm]。
[(N)×(C)] 算出黏著劑層的厚度(N)與藉由上述潛變試驗而得到的黏著劑層潛變量(C)之乘積(N)×(C)。
[晶片位移及龜裂產生率] 將實施例及比較例所製造的半導體加工用黏著片使用LINTEC製RAD-3510F/12貼附在直徑12英吋、厚度775μm的矽晶圓，而且使用DISCO公司製DFL7361進行隱形切割(Stealth dicing)成為晶片尺寸11mm×8mm。其次，使用DISCO公司製DGP8761進行磨削(乾式拋光)至厚度成為20μm為止。其次，使用LINTEC公司製RAD-2700F/12進行能量線(紫外線)照射，將切割帶(Adwill D-821HS、LINTEC公司製)貼附在半導體加工用黏著片的貼附面的相反面之後，將半導體加工用黏著片剝離。隨後，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-1000)觀察經分割的晶片且如下述進行評價晶片位移的大小及龜裂產生率。
(晶片位移的大小) 如第1圖顯示，使用數位顯微鏡觀察半導體晶圓10的外周部4點(A~D)及中心部1點(E)。在點A，測定相鄰4個晶片11的切口寬度L1~L4且算出其平均值Aave [(L1+L2+L3+L4)/4]。同樣地，各自算出在B、C、D、E的各點之切口寬度L1~L4的平均值Bave 、Cave 、Dave 、Eave 。將外周部的Aave 、Bave 、Cave 、Dave 之平均值[(Aave +Bave +Cave +Dave )/4]設為α且將中心部的Eave 設為β時，基於α/β之值且依照下述的基準進行評價晶片位移的大小。 ○：α/β≦3.0 △：3.0＜α/β≦5.0 ╳：5.0＜α/β
(龜裂產生率) 使用數位顯微鏡觀察經個別片化的晶片來計算產生龜裂的晶片，而且依照下式算出龜裂產生率且基於下述的基準進行評價。 龜裂產生率(%)=產生龜裂的晶片數/總晶片數×100 ○：龜裂產生率≦2.0% △：2.0%＜龜裂產生率≦3.0% ╳：3.0%＜龜裂產生率
[實施例7] (1)基材 準備兩面附易接著層的PET膜(東洋紡公司製COSMOSHINE A4300、厚度：50μm、在23℃之楊格模數：2550MPa、斷裂強度：55.3MJ/m３ )作為基材。
(2)積層體(基材及緩衝層) 準備低密度聚乙烯膜(厚度：27.5μm)作為緩衝層。 將該緩衝層使用乾式貼合法層積在基材的兩面，而得到依照LDPE/PET/LDPE的順序層積而成之基材與緩衝層的積層體(A1)。
(3)黏著劑層 (黏著劑組合物B1的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)40質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)30質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b1)，以附加在丙烯酸系聚合物(b1)的總羥基之中90莫耳%的羥基之方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度35質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B1)。
(4)黏著帶的製造 將上述得到的黏著劑組合物之塗佈液塗佈在剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面且其加熱乾燥，而將厚度為40μm的黏著劑層形成在剝離片上。隨後，將積層體(A1)與黏著劑層來製造半導體加工用黏著帶。
[實施例8] 除了將黏著劑層的厚度變更成為20μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[實施例9] 除了將黏著劑層的厚度變更成為60μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[實施例10] 除了黏著劑組合物變更成為下述B2且將黏著劑層厚度變更成為30μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(黏著劑組合物B2的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)73質量份、二甲基甲基丙烯酸酯(DMMA)10質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)17質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b2)，以附加在丙烯酸系聚合物(b2)的總羥基之中83莫耳%的羥基之方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度32質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B2)。
[實施例11] 除了將黏著劑層的厚度變更成為40μm以外，係與實施例10同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[實施例12] 除了將黏著劑組合物變更成為下述B3且將黏著劑層的厚度變更成為30μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(黏著劑組合物B3的調製) 將丙烯酸正丁酯(BA)73質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)8質量份、丙烯酸(AA)3重量份。及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)5質量份共聚合而得到丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯40質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度32質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B3)。
[實施例13] 除了將黏著劑組合物變更成為下述B4以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(黏著劑組合物B4的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)32質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)40質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b1)，以附加在丙烯酸系聚合物(b1)的總羥基之中90莫耳%的羥基之方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度35質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B4)。
[實施例14] 除了將積層體變更成為下述A2以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(1)基材 兩面附易接著層的PET膜(東洋紡公司製COSMOSHINE A4300、厚度：50μm、在23℃之楊格模數：2550MPa、斷裂強度：55.3MJ/m３ )作為基材。 (2)緩衝層 (胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物的合成)， 在使聚碳酸酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物，使丙烯酸2-羥基乙酯進行反應而得到重量平均分子量(Mw)為約5000的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)。
(緩衝層形成用組合物的調製) 將上述所合成的胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)50質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)30質量份、丙烯酸四氫糠酯(THFA)40質量份、及二新戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)15質量份進行調配，而且調配作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASFJapan公司製、製品名「IRGACURE1173」)1.0質量份，來調製緩衝層形成用組合物(a2)。
又，將緩衝層形成用組合物(a2)塗佈在另外的剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)之剝離處理面來形成塗佈膜。其次，對該塗佈膜照射紫外線將塗佈膜半硬化而形成厚度為53μm的緩衝層形成膜。
而且，上述的紫外線照射係使用輸送帶式紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「US2-0801」)及高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「H08-L41」)，在燈高度230mm、輸出功率80mW/cm、光線波長365nm、照度90mW/cm2 、照射量50mJ/cm2 的照射條件下進行。
而且，將所形成的緩衝層形成膜表面與基材貼合，從緩衝層形成膜上的剝離片側再次照射紫外線而使該緩衝層形成膜完全硬化來形成厚度53μm的緩衝層且作為積層體(A2)。又，上述的紫外線照射，係使用上述紫外線照射裝置及高壓水銀燈，在燈高度220mm、換算輸出功率120mW/cm、光線波長365nm的照度160mW/cm2 、照射量350mJ/cm2 的照射條件下進行。
[實施例15] 除了將黏著劑組合物變更成為B2以外，係與實施例14同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[實施例16] 除了將黏著劑組合物變更成為下述B5且將黏著劑層的厚度變更成為30μm以外，係與實施例14同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(黏著劑組合物B5的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b)，以附加在丙烯酸系聚合物(b)的總羥基之中90莫耳%的羥基之方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度32質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B5)。
[實施例17] 除了將黏著劑組合物變更成為B6以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
(黏著劑組合物B6的調製) 在將丙烯酸正丁酯(BA)74質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)6質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b1)，以附加在丙烯酸系聚合物(b1)的總羥基之中50莫耳%的羥基之方式，使異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)0.2質量份、作為聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份且使用甲基乙基酮進行稀釋，來調製固體成分濃度35質量%的黏著劑組合物之塗佈液(B6)。
[比較例2] 除了將黏著劑層的厚度變更成為80μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[比較例3] 除了將黏著劑層的厚度變更成為60μm以外，係與實施例10同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[比較例4] 除了將黏著劑層的厚度變更成為45μm以外，係與實施例12同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[比較例5] 除了將黏著劑層的厚度變更成為60μm以外，係與實施例12同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[比較例6] 除了將黏著劑層的厚度變更成為80μm以外，係與實施例14同樣地進行而得到半導體加工用黏著帶。
[表2]
Figure 107103251-A0304-0002
10‧‧‧半導體晶圓11‧‧‧晶片
第1圖係說明在實施例進行評價晶片位移(Die shift)的大小的方法之示意圖。
無。

Claims (4)

  1. 一種半導體加工用黏著帶，具有在23℃之楊格模數為1000Mpa以上的基材、及黏著劑層， 其中將前述黏著劑層的厚度設為(N)[μm]，將潛變量設為(C)[μm]時，(N)與(C)的乘積(N)×(C)在30℃為500以上且在60℃為9000以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層在30℃之剪切儲存彈性模數為0.03MPa以上，在60℃之剪切儲存彈性模數為0.20MPa以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層的厚度為100μm以下。
  4. 一種半導體裝置的製造方法，包括下列步驟： 將如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面之步驟； 從前述半導體晶圓表面側形成溝、或是從前述半導體晶圓表面或背面在半導體晶圓內部形成改質區域之步驟； 將在表面貼附有前述黏著帶且形成有前述溝或前述改質區域之半導體晶圓，從背面側磨削且將前述溝或前述改質區域設為起點而使其個別片化成為複數個晶片之步驟；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離之步驟。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7152776B2 (ja) * 2019-04-16 2022-10-13 株式会社タカゾノ 薬剤分包装置、分包袋、および包材に情報を書き込む方法
KR102660802B1 (ko) * 2021-08-11 2024-04-26 (주)이녹스첨단소재 웨이퍼 처리용 점착 필름

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738882A (zh) * 2003-01-22 2006-02-22 琳得科株式会社 压敏胶粘剂片,保护半导体晶片表面的方法以及加工工件的方法
JP2008214386A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Lintec Corp 粘着シート
WO2014203792A1 (ja) * 2013-06-19 2014-12-24 綜研化学株式会社 偏光板用粘着剤組成物、偏光板用粘着シート、粘着剤層付き偏光板、積層体及びフラットパネルディスプレイ
TW201542753A (zh) * 2014-03-20 2015-11-16 Lintec Corp 黏著薄片

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2166497A (en) * 1937-05-15 1939-07-18 Continental Distilling Corp Labeling machine
US3188261A (en) * 1962-01-05 1965-06-08 American Cyanamid Co Labelling device
JPS5350000A (en) * 1976-10-18 1978-05-06 Shibuya Kogyo Co Ltd Device for deleting deformation of soft container
US4180105A (en) * 1978-10-27 1979-12-25 Diamond International Corporation Article inflating system
JPH0747287Y2 (ja) * 1992-07-15 1995-11-01 アサノ精機株式会社 粉粒体包装装置
JP3421091B2 (ja) * 1993-08-27 2003-06-30 テルモ株式会社 情報管理装置
JPH0752932A (ja) * 1993-08-06 1995-02-28 Midou:Kk ネット状袋へのラベル挿設装置及びこの袋へのラベル熱溶着装置
JPH09221119A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Yamazaki Kikai Seisakusho:Kk 柔軟性筒体に対するラベル等の貼付方法及び装置
JP3099004B1 (ja) 1999-07-29 2000-10-16 株式会社ヤマガタグラビヤ チューブ体のラベル貼着方法
JP2002179038A (ja) * 2000-12-15 2002-06-26 Daifuku Co Ltd ケース体搬送設備
JP2005241818A (ja) 2004-02-25 2005-09-08 Lintec Corp 宅配用ラベル、ラベル付宅配用透明プラスチック製包装袋及び宅配用ラベルの使用方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1738882A (zh) * 2003-01-22 2006-02-22 琳得科株式会社 压敏胶粘剂片,保护半导体晶片表面的方法以及加工工件的方法
JP2008214386A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Lintec Corp 粘着シート
WO2014203792A1 (ja) * 2013-06-19 2014-12-24 綜研化学株式会社 偏光板用粘着剤組成物、偏光板用粘着シート、粘着剤層付き偏光板、積層体及びフラットパネルディスプレイ
TW201542753A (zh) * 2014-03-20 2015-11-16 Lintec Corp 黏著薄片

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