WO2018066480A1 - 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

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和人 愛澤
前田　淳
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    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing, and more specifically, when a semiconductor device is manufactured using a method in which a modified region is provided inside a wafer with a laser and the wafer is separated into pieces by stress during grinding of the wafer back surface.
  • the present invention relates to an adhesive tape preferably used for temporarily holding a semiconductor wafer or a chip, and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
  • DBG Dicing Before Grinding
  • Patent Document 1 discloses that a base material provided with a base film and a buffer layer and a surface on the opposite side of the base film provided with the buffer layer.
  • a back grind tape having an adhesive layer provided on the surface has been proposed.
  • Patent Document 1 discloses that the Young's modulus of the base film is 600 MPa or more, that the buffer layer is formed from a urethane-containing cured product, and the peak temperature of tan ⁇ of the buffer layer is 60 ° C. or less.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-183008 discloses a rigid base, a buffer layer provided on one side of the rigid base, and a second side of the rigid base. An adhesive sheet having an adhesive layer has been proposed.
  • the Young's modulus of the rigid substrate is 1000 MPa or more, or the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy beam polymerizable compound, and the buffer layer is dynamic at ⁇ 5 to 120 ° C. It is disclosed that the maximum value of viscoelasticity tan ⁇ is 0.5 or more.
  • LDBG Laser Dicing Before Grinding
  • chip crack chip chipping or breakage
  • the present inventors have found that the chip vibrates or moves due to stress (compression stress and shear stress) during back grinding, and the chip cracks due to the collision between the chips. Found out that it has occurred. Such chip cracks are more prominent because the kerf width is small in LDBG.
  • the present invention has been made in view of the above-described prior art, and even when used for DBG, especially LDBG, it is possible to suppress chip cracks, and when a pressure sensitive adhesive tape is applied to an uneven wafer surface, the wafer surface
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape that can sufficiently bring the unevenness of the pressure-sensitive adhesive layer into contact with the pressure-sensitive adhesive layer and can appropriately exhibit the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
  • An adhesive tape having a base material having a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more and an adhesive layer, When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is (N) [ ⁇ m] and the creep amount is (C) [ ⁇ m], the product (N) ⁇ (C) of (N) and (C) is 30 ° C.
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing which is 500 or more and 9000 or less at 60 ° C.
  • the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the surface and having the groove or the modified region formed thereon is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region. Process, Peeling the adhesive tape from the plurality of chips;
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is not easily deformed by stress during back grinding, and moderates the stress moderately. Therefore, the vibration or movement of the chips during back grinding can be suppressed, and collision between the chips can be prevented. As a result, the occurrence of cracks in the semiconductor chip can be reduced. Moreover, when sticking an adhesive tape on the wafer surface with an unevenness
  • Form semiconductor processing means that it can be used in each process such as transport of a semiconductor wafer, back surface grinding, dicing, and picking up a semiconductor chip.
  • the “front surface” of the semiconductor wafer refers to the surface on which the circuit is formed, and the “back surface” refers to the surface on which the circuit is not formed.
  • Dividing the semiconductor wafer into pieces means dividing the semiconductor wafer into circuits to obtain semiconductor chips.
  • DBG refers to a method in which after a groove having a predetermined depth is formed on the front surface side of the wafer, grinding is performed from the back surface side of the wafer, and the wafer is separated into pieces by grinding.
  • the groove formed on the front surface side of the wafer is formed by a method such as blade dicing, laser dicing or plasma dicing.
  • LDBG is a modification of DBG, and refers to a method in which a modified region is provided inside a wafer with a laser, and the wafer is singulated with stress during grinding of the wafer back surface.
  • each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention will be described in more detail.
  • the characteristic of the buffer layer in the adhesive tape containing a base material, the buffer layer provided in the at least one surface side of the base material, and the adhesive layer provided in the other surface side of the base material This will be explained with a focus on.
  • description will be made by paying attention to the characteristics of an adhesive layer in an adhesive tape including a base material and an adhesive layer provided on at least one surface side of the base material.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention may be simply referred to as “adhesive tape”.
  • the gist of the first embodiment of the present invention is as follows. [1] A base material having a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more, a buffer layer provided on at least one surface side of the base material, and an adhesive layer provided on the other surface side of the base material An adhesive tape comprising: The buffer layer has a tensile storage modulus (E 23 ) at 23 ° C. of 100 to 2000 MPa, A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, wherein the buffer layer has a tensile storage modulus (E 60 ) at 60 ° C. of 20 to 1000 MPa.
  • E 23 tensile storage modulus
  • E 60 tensile storage modulus
  • [8] A step of attaching the adhesive tape for semiconductor processing according to any one of [1] to [7] to the surface of a semiconductor wafer; Forming a modified region in the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer; Grinding the semiconductor wafer on which the adhesive tape is affixed to the front surface and the modified region is formed from the back side, and dividing into a plurality of chips starting from the modified region; and Peeling the adhesive tape from the plurality of chips;
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the adhesive tape includes a base material, a buffer layer provided on at least one surface side of the base material, and an adhesive layer provided on the other surface side of the base material.
  • Means a laminate comprising it does not prevent including other structural layers other than these.
  • a primer layer may be formed on the surface of the base material on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet for protecting the pressure-sensitive adhesive layer may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer until use.
  • the substrate may be a single layer or a multilayer. The same applies to the buffer layer and the adhesive layer.
  • the configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the first embodiment will be described in more detail.
  • the base material has a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more. If a base material with a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or semiconductor chip will be reduced, vibrations during back grinding cannot be suppressed, and chipping or breakage of the semiconductor chip will occur. It becomes easy. On the other hand, by setting the Young's modulus at 23 ° C. of the base material to 1000 MPa or more, the holding performance of the adhesive tape to the semiconductor wafer or semiconductor chip is enhanced, and vibration during back surface grinding is suppressed to prevent chipping or breakage of the semiconductor chip. it can.
  • the Young's modulus at 23 ° C. of the base material is preferably 1800 to 30000 MPa, more preferably 2500 to 6000 MPa.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and further preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the thickness of the base material 110 ⁇ m or less it becomes easy to control the peeling force of the adhesive tape.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, and various resin films can be used.
  • a base material having a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more for example, polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, wholly aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide , Resin films such as polysulfone, polyetherketone, and biaxially stretched polypropylene.
  • a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate film is further preferable.
  • the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst and the like as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • at least one surface of the substrate may be subjected to an adhesion treatment such as a corona treatment in order to improve adhesion with at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the base material may have the above-described resin film and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the composition containing a polyester-type resin, a urethane-type resin, a polyester urethane-type resin, an acrylic resin etc. is mentioned.
  • the easy-adhesion layer forming composition may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, an antirust agent, a pigment, a dye, and the like, if necessary. Good.
  • the thickness of the easy adhesion layer is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.03 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the easily bonding layer in an Example of this application is small with respect to the thickness of a base material, the thickness of the resin film which has an easily bonding layer, and the thickness of a base material are substantially the same. Further, since the material of the easy-adhesion layer is soft, the influence on the Young's modulus is small, and the Young's modulus of the base material is substantially the same as the Young's modulus of the resin film even when the easy-adhesion layer is provided.
  • the Young's modulus of the substrate can be controlled by selection of the resin composition, addition of a plasticizer, stretching conditions during resin film production, and the like. Specifically, when a polyethylene terephthalate film is used as the substrate, the Young's modulus of the substrate tends to decrease as the content of the ethylene component in the copolymer component increases. Moreover, when the compounding quantity of a plasticizer increases with respect to the resin composition which comprises a base material, there exists a tendency for the Young's modulus of a base material to fall.
  • the buffer layer is a soft layer as compared with the base material, and relaxes the stress at the time of grinding the back surface of the semiconductor wafer to prevent the semiconductor wafer from being cracked or chipped.
  • the semiconductor wafer with the adhesive tape attached is placed on the vacuum table via the adhesive tape during backside grinding.
  • the semiconductor wafer is easily held on the vacuum table. Become.
  • the tensile storage elastic modulus (E 23 ) at 23 ° C. of the buffer layer is 100 to 2000 MPa, and the tensile storage elastic modulus at 60 ° C. is 20 to 1000 MPa.
  • the adhesive tape may be affixed to the semiconductor wafer near normal temperature (23 ° C.). Further, the adhesive tape may be heated from around 23 ° C. to about 60 to 90 ° C. by frictional heat during back grinding. If the tensile storage elastic modulus (E 23 ) at room temperature (23 ° C.) of the buffer layer is less than 100 MPa, or the tensile storage elastic modulus (E 60 ) at 60 ° C. is less than 20 MPa, the pressure-sensitive adhesive tape is caused by the stress during back grinding.
  • the adhesive tape can be prevented from being deformed due to stress at the time of back grinding, and the buffer performance can be appropriately maintained. Cracks can be suppressed.
  • the tensile storage modulus (E 23) within the above range improves the adhesion between the adhesive tape and the vacuum table can suppress vibrations at the time of back grinding. Furthermore, it becomes easy to peel the adhesive tape after the back surface grinding.
  • the tensile storage elastic modulus (E 23 ) at 23 ° C. of the buffer layer is preferably 100 to 2000 MPa, more preferably 150 to 1000 MPa, and further preferably 200 to 700 MPa.
  • the tensile storage modulus (E 60 ) at 60 ° C. of the buffer layer is preferably 20 to 1000 MPa, more preferably 30 to 300 MPa, and still more preferably 40 to 200 MPa.
  • the tensile storage modulus (E 90 ) of the buffer layer at 90 ° C. is preferably 0.1 to 300 MPa, more preferably 5 to 100 MPa, and still more preferably 10 to 50 MPa.
  • the tensile storage elastic modulus (E 23 ) of the buffer layer at 23 ° C. and the tensile storage elastic modulus (E 60 ) of the buffer layer at 60 ° C. satisfy the relationship of (E 23 ) / (E 60 ) ⁇ 90. .
  • the tensile storage modulus at 23 ° C. of the buffer layer (E 23) and tensile storage modulus at 90 ° C. of the buffer layer (E 90) satisfies the relationship (E 23) / (E 90 ) ⁇ 90 Is preferred.
  • the ratio of the tensile storage modulus (E 23 ) to the tensile storage modulus (E 60 ) [(E 23 ) / (E 60 )] is an indicator of the change in tensile storage modulus from 23 ° C. to 60 ° C.
  • the ratio of the tensile storage modulus (E 23 ) to the tensile storage modulus (E 90 ) [(E 23 ) / (E 90 )] is the change in the tensile storage modulus from 23 ° C. to 90 ° C. It is an indicator.
  • the tensile storage elastic modulus of the buffer layer decreases as the temperature rises, but the fact that (E 23 ) / (E 60 ) and (E 23 ) / (E 90 ) are small indicates that the temperature dependence of the tensile storage elastic modulus. Means small.
  • the ratio between the tensile storage modulus (E 23 ) and the tensile storage modulus (E 60 ), the tensile storage modulus (E 23 ) and the ratio of the tensile storage modulus (E 90 ) within the above range can reduce the change in physical properties of the buffer layer with respect to the temperature change due to frictional heat during back grinding. As a result, it is possible to prevent deformation of the adhesive tape due to stress during back surface grinding in the above temperature range, maintain moderate buffer performance, and suppress the occurrence of chip cracks. From the above viewpoint, (E 23 ) / (E 60 ) ⁇ 33 is more preferable, and 1 ⁇ (E 23 ) / (E 60 ) ⁇ 18 is even more preferable. Further, (E 23 ) / (E 90 ) ⁇ 70 is more preferable, and 4 ⁇ (E 23 ) / (E 90 ) ⁇ 50 is further preferable.
  • the maximum value of tan ⁇ of dynamic viscoelasticity at ⁇ 5 to 120 ° C. of the buffer layer is preferably 1.0 or less.
  • the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer exceeds 1.0, the deformation of the buffer layer due to stress during back grinding increases, and the chips held on the adhesive tape are displaced, so that the chips collide with each other and the chips Cracks may occur.
  • the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer is more preferably 0.5 or less, and further preferably 0.05 to 0.5.
  • Tan ⁇ is called loss tangent, defined as “tensile loss elastic modulus / tensile storage elastic modulus”, and is measured by a response to stress such as tensile stress and torsional stress applied to the object by a dynamic viscoelasticity measuring device. Value.
  • the gel fraction of the buffer layer is preferably 70 to 99%, more preferably 90 to 99%. By setting the gel fraction of the buffer layer within the above range, deformation of the buffer layer due to stress during back grinding can be suppressed.
  • the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy beam polymerizable compound, either the gel fraction before energy beam curing or the gel fraction after energy beam curing is within the above range. If it is in.
  • the gel fraction of the buffer layer can be measured by the following method.
  • a buffer layer having a thickness of 20 ⁇ m is cut into a size of 50 mm ⁇ 100 mm to obtain a measurement sample.
  • the measurement sample is wrapped in a 100 mm ⁇ 150 mm nylon mesh (mesh size 200), the mass of the measurement sample and the nylon mesh are weighed with a precision balance, and the mass of the nylon mesh measured in advance from the weighed mass. Is obtained, the mass of only the sample for measurement is obtained. The mass at this time is M1.
  • the measurement sample wrapped in the nylon mesh is immersed in 100 mL of ethyl acetate at 25 ° C. for 24 hours. Then, the measurement sample is taken out, dried at 120 ° C.
  • the thickness of the buffer layer is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 5 to 80 ⁇ m, and even more preferably 10 to 60 ⁇ m. By setting the thickness of the buffer layer within the above range, the buffer layer can appropriately relieve the stress during back surface grinding.
  • a buffer layer is a layer formed from the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound, or a layer containing a polyolefin resin film.
  • a buffer layer is a layer formed from the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound, or a layer containing a polyolefin resin film.
  • the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound can be cured by irradiation with energy rays.
  • Energy rays refer to ultraviolet rays, electron beams, and the like, and preferably ultraviolet rays are used.
  • the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound contains urethane (meth) acrylate (a1) and a polyfunctional polymerizable compound (a2) more specifically.
  • the buffer layer-forming composition is a polymerizable compound (a3) having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms in addition to the components (a1) and (a2). And / or a polymerizable compound (a4) having a functional group is more preferable.
  • the buffer layer-forming composition preferably further contains a photopolymerization initiator, and other additives or additives within the range not impairing the effects of the present invention.
  • a resin component may be contained.
  • each component contained in the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound is demonstrated in detail.
  • the urethane (meth) acrylate (a1) is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of being polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • Urethane (meth) acrylate (a1) is an oligomer or a polymer.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, still more preferably 3,000 to 20,000. Further, the number of (meth) acryloyl groups (hereinafter also referred to as “number of functional groups”) in the component (a1) may be monofunctional, bifunctional, or trifunctional or more, but is preferably monofunctional or bifunctional. .
  • the component (a1) can be obtained, for example, by reacting a (meth) acrylate having a hydroxyl group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound. In addition, you may use a component (a1) individually or in combination of 2 or more types.
  • the polyol compound used as a raw material for the component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific examples of the polyol compound include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Among these, a polyester type polyol or a polycarbonate type polyol is preferable.
  • the polyol compound may be a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, but is preferably a bifunctional diol, more preferably a polyester type diol or a polycarbonate type diol.
  • polyvalent isocyanate compound examples include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2 , 4'-diisocyanate, ⁇ , ⁇ '-diisocyanate dimethylcyclohexane, etc .; 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- And aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate.
  • a urethane (meth) acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-described polyol compound with a polyvalent isocyanate compound.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxycyclohexyl (meth).
  • Acrylate 5-hydroxycyclooctyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, etc.
  • Hydroxy-alkyl (meth) acrylates hydroxy-group-containing (meth) acrylamides such as N-methylol (meth) acrylamide; vinyl alcohol, vinyl phenol, bisphenol The reaction product obtained by the diglycidyl ester of Nord A (meth) acrylic acid by reacting; and the like.
  • hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth) acrylate having a hydroxy group are preferably the conditions of reacting at 60 to 100 ° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary.
  • the content of the component (a1) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by weight, more preferably 20 to 60% by weight, based on the total amount (100% by weight) of the buffer layer forming composition. More preferably, it is 25 to 55% by mass, particularly preferably 30 to 50% by mass.
  • a polyfunctional polymerizable compound refers to a compound having two or more photopolymerizable unsaturated groups.
  • the photopolymerizable unsaturated group is a functional group containing a carbon-carbon double bond, and examples thereof include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and a vinylbenzyl group. Two or more photopolymerizable unsaturated groups may be combined.
  • a three-dimensional network structure (crosslinked structure) is formed.
  • the cross-linked structure formed by irradiation with energy rays is increased compared to the case where a compound containing only one photopolymerizable unsaturated group is used. Viscoelasticity is exhibited, and it becomes easy to control the maximum values of the tensile storage elastic modulus (E 23 , E 60 , E 90 ) and tan ⁇ within the above range.
  • a component (a2) and the definition of the component (a3) and component (a4) mentioned later have an overlapping part
  • an overlapping part is contained in a component (a2).
  • a compound having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and having two or more (meth) acryloyl groups is included in the definitions of both component (a2) and component (a3).
  • the said compound shall be contained in a component (a2).
  • a compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group or an amino group and having two or more (meth) acryloyl groups is included in the definitions of both the component (a2) and the component (a4).
  • the compound is included in the component (a2).
  • the number of photopolymerizable unsaturated groups (the number of functional groups) in the polyfunctional polymerizable compound is preferably 2 to 10, and more preferably 3 to 6.
  • the weight average molecular weight of the component (a2) is preferably 30 to 40,000, more preferably 100 to 10,000, and still more preferably 200 to 1,000.
  • Specific components (a2) include, for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and 1,6-hexane.
  • the content of the component (a2) in the buffer layer forming composition is preferably 2 to 40% by weight, more preferably 3 to 20% by weight, based on the total amount (100% by weight) of the buffer layer forming composition. More preferably, it is 5 to 15% by mass.
  • Component (a3) is a polymerizable compound having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and more preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group, A compound having one (meth) acryloyl group is preferred.
  • a component (a3) and the definition of the component (a4) mentioned later have an overlapping part
  • an overlapping part is contained in a component (a4).
  • a compound having at least one (meth) acryloyl group, an alicyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms or a heterocyclic group, and a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group Although included in the definitions of both (a3) and component (a4), in the present invention, the compound is included in component (a4).
  • the number of ring-forming atoms of the alicyclic group or heterocyclic group contained in the component (a3) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, particularly preferably 7 to 12. is there.
  • Examples of the atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
  • the number of ring-forming atoms means the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are bonded in a ring, and atoms that do not form a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms forming the ring)
  • an atom included in a substituent when the ring is substituted with a substituent is not included in the number of ring-forming atoms.
  • component (a3) examples include, for example, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, And alicyclic group-containing (meth) acrylates such as adamantane (meth) acrylate; heterocyclic group-containing (meth) acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholine (meth) acrylate; In addition, you may use a component (a3) individually or in combination of 2 or more types.
  • alicyclic group-containing (meth) acrylates isobornyl (meth) acrylate is preferable, and among the heterocyclic group-containing (meth) acrylates, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate is preferable.
  • the content of the component (a3) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by weight, more preferably 20 to 60% by weight, based on the total amount (100% by weight) of the buffer layer forming composition. More preferably, it is 25 to 55% by mass. Further, the content ratio [(a2) / (a3)] of the component (a2) and the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.1 to 3.0, more preferably 0.00. It is 15 to 2.0, more preferably 0.18 to 1.0, and particularly preferably 0.2 to 0.5.
  • Component (a4) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, an amino group, and more preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group, A compound having one (meth) acryloyl group is preferred.
  • the component (a4) has good compatibility with the component (a1), and the viscosity of the composition for forming a buffer layer can be easily adjusted to an appropriate range. Moreover, it becomes easy to make the maximum value of the tensile storage elastic modulus (E 23 , E 60 , E 90 ) and tan ⁇ of the buffer layer formed from the composition within the above-described range. Will be better.
  • Examples of the component (a4) include a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, an epoxy group-containing compound, an amide group-containing compound, and an amino group-containing (meth) acrylate.
  • Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxy Examples include butyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, phenylhydroxypropyl (meth) acrylate, and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate.
  • Examples of the epoxy group-containing compound include glycidyl (meth) acrylate, methyl glycidyl (meth) acrylate, and allyl glycidyl ether.
  • epoxy such as glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate is used.
  • Group-containing (meth) acrylates are preferred.
  • amide group-containing compounds include (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N -Methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide and the like.
  • Examples of amino group-containing (meth) acrylates include primary amino group-containing (meth) acrylates, secondary amino group-containing (meth) acrylates, and tertiary amino group-containing (meth) acrylates.
  • a hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferable, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the content of the component (a4) in the composition for forming a buffer layer makes it easy to make the maximum values of the tensile storage modulus (E 23 , E 60 , E 90 ) and tan ⁇ of the buffer layer within the above-mentioned ranges, and the buffer.
  • it is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 7 to 35% by mass, and more preferably 7 to 35% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the buffer layer forming composition.
  • the amount is preferably 10 to 30% by mass, particularly preferably 13 to 25% by mass.
  • the content ratio [(a3) / (a4)] of the component (a3) to the component (a4) in the buffer layer forming composition is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1. It is 0 to 3.0, more preferably 1.3 to 3.0, and particularly preferably 1.5 to 2.8.
  • the composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compound (a5) other than the components (a1) to (a4) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the component (a5) include alkyl (meth) acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, etc. Vinyl compounds: and the like.
  • the content of the component (a5) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, further preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2% by mass. %.
  • the composition for forming a buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation.
  • a photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzyl phenyl sulfide Tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyronitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, etc.
  • These photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts per 100 parts by mass of the total amount of the energy beam polymerizable compound. Part by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes.
  • the content of each additive in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy beam polymerizable compound, More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resin component include polyene / thiol resins, polyolefin resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene copolymers.
  • the content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, further preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2% by mass. %.
  • the buffer layer formed from the composition for forming a buffer layer containing the energy beam polymerizable compound is obtained by polymerizing and curing the composition for forming a buffer layer having the above composition by irradiation with energy rays. That is, the buffer layer is a cured product of the buffer layer forming composition. Therefore, the said buffer layer contains the polymerization unit derived from a component (a1) and the polymerization unit derived from a component (a2). Moreover, it is preferable that the said buffer layer contains the polymerization unit derived from a component (a3) and / or the polymerization unit derived from a component (a4), and may contain the polymerization unit derived from a component (a5).
  • the content ratio of each polymerization unit in the buffer layer usually matches the ratio (preparation ratio) of each component constituting the composition for forming a buffer layer.
  • the buffer layer is added to the component (a1). 10 to 70% by mass of derived polymer units are contained.
  • the buffer layer is added to the component (a2). 2 to 40% by mass of derived polymer units are contained. The same applies to the components (a3) to (a5).
  • the buffer layer By forming the buffer layer with a layer containing a polyolefin resin film, the tensile storage modulus (E 23 , E 60 , E 90 ) and the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer can be easily set within the above-described ranges.
  • the stress relaxation property may be lower than when the buffer layer is a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy beam polymerizable compound.
  • the pressure-sensitive adhesive tape having a buffer layer formed by a layer containing a polyolefin resin film on one surface side of the substrate may be warped.
  • the buffer layer formed by the layer containing the polyolefin resin film may be provided on at least one surface side of the base material. From the viewpoint of preventing such problems, the buffer layer formed by the layer containing the polyolefin resin film Is preferably provided on both sides of the substrate.
  • the polyolefin resin is not particularly limited, for example, ultra low density polyethylene (VLDPE, density: 880 kg / m 3 or more and less than 910 kg / m 3), low density polyethylene (LDPE, density: 910 kg / m 3 or more, 930 kg / m 3 below), medium density polyethylene (MDPE, density: 930 kg / m 3 or more and less than 942kg / m 3), high density polyethylene (HDPE, density: 942kg / m 3 or higher) such as polyethylene resin, polypropylene resin, polyethylene - polypropylene co Polymer, olefin elastomer (TPO), cycloolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (Meth) acrylic acid ester copolymer, D Examples include tylene
  • a polyethylene resin is preferable and a low density polyethylene is more preferable from the viewpoint of obtaining a buffer layer having specific physical properties.
  • the buffer layer described above may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, and the like as long as the effects of the present invention are not impaired. Good.
  • the buffer layer described above may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • the tensile storage elastic modulus (E 23 , E 60 , E 90 ), (E 23 ) / (E 60 ) or (E 23 ) / (E 90 ) of the buffer layer is the composition of the component (a1), the component ( It can be controlled by the weight average molecular weight of a1) and the blending amounts of components (a2) to (a3).
  • the tensile storage elastic modulus of the buffer layer tends to decrease.
  • diol or triol is selected as the polyol compound, the tensile storage modulus of the buffer layer tends to decrease.
  • the tensile storage elastic modulus of the buffer layer tends to decrease.
  • the content of the component (a2) is increased, the tensile storage elastic modulus of the buffer layer tends to increase.
  • the content of the component (a3) is increased, the tensile storage elastic modulus of the buffer layer tends to slightly decrease.
  • the content of the component (a4) is increased, the tensile storage elastic modulus of the buffer layer tends to slightly decrease.
  • the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer tends to increase as the content of the component (a1) is increased.
  • the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer tends to decrease.
  • the gel fraction of the buffer layer tends to decrease when the content of components (a2) to (a4) is small. In particular, when the content of the component (a2) is small, the gel fraction of the buffer layer may be greatly reduced.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has an appropriate pressure-sensitive adhesive property at room temperature, but preferably has a shear storage modulus at 23 ° C. of 0.05 to 0.50 MPa.
  • a circuit or the like is formed on the surface of the semiconductor wafer and is usually uneven.
  • the adhesive storage layer has a shear storage elastic modulus within the above range, the adhesive surface of the wafer surface is sufficiently brought into contact with the adhesive layer when the adhesive tape is applied to the uneven wafer surface. It becomes possible to exhibit adhesiveness appropriately. Therefore, it becomes possible to securely fix the adhesive tape to the semiconductor wafer and to appropriately protect the wafer surface during back grinding.
  • the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is more preferably 0.12 to 0.35 MPa.
  • the shear storage elastic modulus of an adhesive layer means the shear storage elastic modulus before hardening by energy ray irradiation, when an adhesive layer is formed from an energy ray-curable adhesive.
  • the shear storage modulus can be measured by the following method.
  • a measurement sample is obtained by punching a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 0.5 to 1 mm into a circle having a diameter of 7.9 mm.
  • the elastic modulus of the measurement sample is measured when the temperature is changed at a rate of 3 ° C./min in a temperature range of ⁇ 30 ° C. to 150 ° C. with a frequency of 1 Hz. .
  • the elastic modulus at the measurement temperature of 23 ° C. is defined as the shear storage elastic modulus at 23 ° C.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably less than 100 ⁇ m, more preferably 5 to 80 ⁇ m, and even more preferably 10 to 70 ⁇ m.
  • the ratio of the low-rigidity portion of the pressure-sensitive adhesive tape can be reduced, so that it becomes easier to prevent chipping of the semiconductor chip that occurs during back surface grinding.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, etc., and an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. Moreover, it is preferable that an adhesive layer is formed from an energy-beam curable adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an energy-ray curable pressure-sensitive adhesive, so that the shear storage elastic modulus at 23 ° C. is set in the above range before curing by energy beam irradiation, and the peeling force after curing is 1000 mN. / 50 mm or less can be easily set.
  • the adhesive layer in this invention should not be limitedly limited to these.
  • the energy ray curable adhesive include an energy ray curable adhesive containing an energy ray curable compound other than an adhesive resin in addition to a non-energy ray curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”).
  • An agent composition (hereinafter also referred to as “X-type pressure-sensitive adhesive composition”) can be used.
  • an energy ray curable adhesive an energy ray curable adhesive resin having an unsaturated group introduced into the side chain of a non-energy ray curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “adhesive resin II”).
  • An adhesive composition that is contained as a main component and does not contain an energy ray curable compound other than an adhesive resin hereinafter also referred to as “Y-type adhesive composition”).
  • an X ray and Y type combined type that is, an energy ray curable compound containing an energy ray curable compound other than the adhesive resin in addition to the energy ray curable adhesive resin II.
  • An adhesive composition (hereinafter, also referred to as “XY-type adhesive composition”) may be used.
  • XY-type adhesive composition it is preferable to use an XY type pressure-sensitive adhesive composition.
  • the pressure-sensitive adhesive may be formed from a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy rays.
  • the non-energy ray curable adhesive composition contains at least the non-energy ray curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray curable adhesive resin II and the energy ray curable compound described above. is there.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II.
  • Specific examples of the adhesive resin include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins. Acrylic resins are preferable.
  • acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
  • the acrylic polymer (b) is used for the acrylic resin.
  • the acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth) acrylate, and includes a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • Examples of the alkyl (meth) acrylate include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth) acrylate examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) ) Acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate and the like.
  • Alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic polymer (b) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group with 4 or more carbon atoms from the viewpoint of improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the alkyl (meth) acrylate preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • the alkyl (meth) acrylate whose carbon number of an alkyl group is 4 or more is an alkyl acrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter also simply referred to as “monomer total amount”). Thus, it is preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
  • the acrylic polymer (b) A copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms is preferred.
  • the alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of monomers. More preferably, it is 6 to 22% by mass.
  • the acrylic polymer (b) preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate.
  • the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group.
  • the functional group-containing monomer reacts with a crosslinking agent described later to become a crosslinking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b). Is possible.
  • Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth) ) Acrylates, hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof. , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • the functional group monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and still more preferably 6 to 30% by mass with respect to the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b).
  • the acrylic polymer (b) is derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomers such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
  • a structural unit may be included.
  • the acrylic polymer (b) can be used as a non-energy ray curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • a resin obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group also referred to as an unsaturated group-containing compound. Can be mentioned.
  • An unsaturated group containing compound is a compound which has both the substituent which can be couple
  • the photopolymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and a vinylbenzyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.
  • the substituent that the unsaturated group-containing compound can bind to the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group.
  • examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate, and the like.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional group of the acrylic polymer (b), specifically, 50 to 98 mol of the functional group of the acrylic polymer (b).
  • % Is preferably reacted with an unsaturated group-containing compound, more preferably 55 to 93 mol%.
  • Mw weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, still more preferably 500,000 to 1,200,000.
  • the energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of being polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • energy ray curable compounds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4- Polyvalent (meth) acrylate monomers such as butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, epoxy ( And oligomers such as (meth) acrylate.
  • trimethylolpropane tri (meth) acrylate pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate
  • urethane (meth) acrylate oligomers are preferable from the viewpoint of relatively high molecular weight and difficulty in reducing the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the molecular weight of the energy ray curable compound (weight average molecular weight in the case of an oligomer) is preferably 100 to 12000, more preferably 200 to 10,000, still more preferably 400 to 8000, and particularly preferably 600 to 6000.
  • the content of the energy ray-curable compound in the X-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and still more preferably 60 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 90 parts by mass.
  • the content of the energy ray-curable compound in the XY type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and still more preferably with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. Is 3 to 15 parts by mass.
  • the adhesive resin is energy ray curable, so even if the content of the energy ray curable compound is small, it is possible to sufficiently reduce the peeling force after irradiation with energy rays. It is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a crosslinking agent.
  • a crosslinking agent reacts with the functional group derived from the functional group monomer which adhesive resin has, for example, and bridge
  • the crosslinking agent include: tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and the like, and isocyanate-based crosslinking agents such as adducts thereof; epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl ] Aziridine type crosslinking agents such as triphosphatriazine; Chelate type crosslinking agents such as aluminum chelate; These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoints of increasing cohesive force and improving adhesive force, and availability.
  • the blending amount of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.03 to 7 parts by weight, and still more preferably 0 with respect to 100 parts by weight of the adhesive resin from the viewpoint of promoting the crosslinking reaction. .05 to 4 parts by mass.
  • an adhesive composition when an adhesive composition is energy-beam curable, it is preferable that an adhesive composition contains a photoinitiator further.
  • the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can sufficiently proceed even with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiator examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzylphenyl Such as sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, etc. It is below.
  • photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and further preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. It is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes.
  • the amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
  • the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent from the viewpoint of improving the applicability to the base material, the buffer layer and the release sheet, and may be in the form of a solution of the adhesive composition.
  • organic solvent include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol and the like.
  • the organic solvent used at the time of the synthesis of the adhesive resin may be used as it is, or other than the organic solvent used at the time of synthesis so that the solution of the pressure-sensitive adhesive composition can be uniformly applied.
  • One or more organic solvents may be added.
  • a release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is detachably attached to the adhesive tape, and is peeled off from the adhesive tape and removed before the adhesive tape is used (that is, before attaching the wafer). As the release sheet, a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specifically, a release sheet coated on the surface of the release sheet substrate may be used.
  • a resin film is preferable, and examples of the resin constituting the resin film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, and the like. Polyolefin resin and the like.
  • the release agent include rubber elastomers such as silicone resins, olefin resins, isoprene resins, and butadiene resins, long chain alkyl resins, alkyd resins, and fluorine resins.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 ⁇ m, more preferably 20 to 150 ⁇ m.
  • the manufacturing method of the adhesive tape which has a base material, the buffer layer provided in the one surface side of the said base material, and the adhesive layer provided in the other surface side of the said base material is as follows. is there.
  • the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy beam polymerizable compound
  • a buffer layer provided by coating and curing the composition for forming a buffer layer on a release sheet, and a base material are laminated together, and the release sheet is removed to obtain a laminate of the buffer layer and the substrate.
  • a buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film
  • the laminated body of a buffer layer and a base material is obtained by bonding a buffer layer and a base material.
  • the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet is bonded to the base material side of the laminate, and the pressure-sensitive adhesive tape having the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer can be produced.
  • the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately peeled and removed before using the pressure-sensitive adhesive tape.
  • a composition for forming a buffer layer is directly applied on the release sheet by a known application method to form a coating film, and this coating film is irradiated with energy rays.
  • a buffer layer can be formed.
  • the buffer layer may be formed by directly applying the buffer layer forming composition on one side of the substrate and irradiating the coating film with energy rays.
  • Examples of the method for applying the buffer layer forming composition include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. Moreover, in order to improve applicability
  • the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound
  • the buffer layer may be cured by a single curing process, or may be performed in multiple steps.
  • the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer, and then bonded to the base material.
  • a semi-cured buffer layer forming film is formed without completely curing the coating film.
  • the buffer layer may be formed by irradiating energy rays again to be completely cured.
  • an ultraviolet-ray is preferable.
  • the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or a substrate, and an energy ray is irradiated in a state where the coating film is not exposed. It is preferable to cure.
  • the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film
  • the buffer layer and the substrate may be bonded together by extrusion lamination. Specifically, using a T-die film forming machine or the like, the polyolefin resin constituting the buffer layer is melted and kneaded, and while moving the base material at a constant speed, on one surface side of the base material, The molten polyolefin resin is extruded and laminated.
  • the buffer layer may be directly laminated on the base material by heat sealing or the like. Furthermore, it may be laminated via an easy adhesion layer by a method such as a dry lamination method.
  • the pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) is directly applied on the release sheet by a known application method, and the coating film is heated and dried, whereby the pressure-sensitive adhesive is obtained.
  • a layer can be formed.
  • an adhesive may be directly applied to one side of the substrate to form an adhesive layer.
  • the method for applying the pressure-sensitive adhesive include the spray coating method, bar coating method, knife coating method, roll coating method, blade coating method, die coating method, and gravure coating method described in the buffer layer manufacturing method.
  • the manufacturing method of the adhesive tape with which the buffer layer was provided on both surfaces of the base material obtained the laminated body by which the buffer layer, the base material, and the buffer layer were laminated
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used when DBG is applied to the surface of a semiconductor wafer and backside grinding of the wafer is performed in DBG.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used for an LDBG from which a chip group having a small kerf width can be obtained when a semiconductor wafer is separated.
  • the “chip group” refers to a plurality of wafer-shaped semiconductor chips held on the adhesive tape according to the present invention.
  • a method for manufacturing a semiconductor device will be described more specifically below.
  • the semiconductor device manufacturing method includes at least the following steps 1 to 4.
  • Step 1 Step of applying the above-mentioned adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer
  • Step 2 Step of forming a groove from the front surface side of the semiconductor wafer or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front surface or the back surface of the semiconductor wafer
  • Step 3 A semiconductor wafer having an adhesive tape attached to the surface and having the groove or the modified region formed thereon is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region.
  • Step 4 Step of peeling the adhesive tape from the singulated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips)
  • step 1 the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer via a pressure-sensitive adhesive layer.
  • This step may be performed before step 2 described later, but may be performed after step 2.
  • step 1 when forming a modified region in a semiconductor wafer, it is preferable to perform step 1 before step 2.
  • step 1 is performed after step 2. That is, the pressure-sensitive adhesive tape is affixed in step 1 to the surface of the wafer having the grooves formed in step 2 described later.
  • the semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, or may be a wafer such as gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalate, lithium niobate, gallium nitride, indium phosphide, or a glass wafer. .
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • a semiconductor wafer usually has a circuit formed on the surface thereof. Formation of the circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method.
  • a groove is formed from the front surface side of the semiconductor wafer, or a modified region is formed in the semiconductor wafer from the front surface or the back surface of the semiconductor wafer.
  • the groove formed in this step is a groove having a depth shallower than the thickness of the semiconductor wafer.
  • the groove can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing apparatus or the like. Further, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the groove in step 3 to be described later.
  • the modified region is a brittle portion of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is destroyed by thinning the semiconductor wafer or applying grinding force due to grinding in the grinding process.
  • This is a region that is a starting point for singulation. That is, in step 2, the groove and the modified region are formed along a dividing line when the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips in step 3 to be described later.
  • the modified region is formed by laser irradiation focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer. Laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is irradiated with the laser through the adhesive tape.
  • the semiconductor wafer to which the adhesive tape is applied and the groove or the modified region is formed is placed on the chuck table and is sucked and held by the chuck table. At this time, the surface of the semiconductor wafer is adsorbed by being arranged on the table side.
  • step 3 the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table is ground to divide the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • the back surface grinding is performed so that the semiconductor wafer is thinned at least to a position reaching the bottom of the groove.
  • the groove becomes a notch penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the notch and separated into individual semiconductor chips.
  • the grinding surface may reach the modified region by grinding, but may not reach the modified region strictly.
  • the semiconductor wafer may be ground to a position close to the modified region so that the semiconductor wafer is broken and separated into semiconductor chips starting from the modified region.
  • the actual separation of the semiconductor chip may be performed by attaching a pickup tape described later and then stretching the pickup tape.
  • dry polishing may be performed prior to chip pickup.
  • the shape of the separated semiconductor chip may be a square or may be an elongated shape such as a rectangle.
  • the thickness of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 ⁇ m, more preferably 10 to 45 ⁇ m.
  • LDBG a modified region is provided inside the wafer with a laser, and the wafer is separated into pieces by stress at the time of wafer back grinding.
  • the thickness of the separated semiconductor chip is 50 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m. It becomes easy to set it to ⁇ 45 ⁇ m.
  • the size of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm 2 , more preferably less than 400 mm 2 , and even more preferably less than 300 mm 2 .
  • the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is peeled from the separated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips).
  • This step is performed, for example, by the following method.
  • a pick-up tape is affixed to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are adjusted so that pick-up is possible.
  • the ring frame disposed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame.
  • a wafer and a ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time, or may be bonded at different timings.
  • the adhesive tape is peeled from the plurality of semiconductor chips held on the pickup tape.
  • a pickup tape is not specifically limited, For example, it is comprised by the adhesive sheet provided with the adhesive layer provided in the one surface of the base material and the base material.
  • an adhesive tape can be used instead of the pickup tape.
  • the adhesive tape is a laminate of a film adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film adhesive, and an adhesive layer and a release sheet having the functions of both a dicing tape and a die bonding tape.
  • the dicing die-bonding tape etc. which become.
  • a film adhesive may be bonded to the back side of the separated semiconductor wafer before the pickup tape is applied. When using a film adhesive, the film adhesive may have the same shape as the wafer.
  • the adhesive tape according to the present invention can be used when a semiconductor wafer is separated into pieces. It can be preferably used for an LDBG from which a chip group having a smaller width and a thinner thickness can be obtained.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention can be used for ordinary back surface grinding, and can also be used for temporarily holding a workpiece during processing of glass, ceramic, or the like. It can also be used as various re-peeling adhesive tapes.
  • the pressure-sensitive adhesive tape means a laminate including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on at least one surface side of the base material.
  • it does not prevent including other structural layers other than these.
  • you may include the adhesive layer provided in the at least one surface side of the base material, and the buffer layer provided in the other surface side of the base material.
  • the primer layer may be formed in the base-material surface at the side of an adhesive layer, and the peeling sheet for protecting an adhesive layer until the time of use may be laminated
  • the substrate may be a single layer or a multilayer. The same applies to the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the gist of the second embodiment of the present invention is as follows.
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing which is 500 or more and 9000 or less at 60 ° C.
  • the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the surface and having the groove or the modified region formed thereon is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region. Process, Peeling the adhesive tape from the plurality of chips;
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a single layer or a multilayer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer refers to a layer interposed between the base material and the wafer when the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer.
  • the plurality of layers are regarded as one pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the characteristics such as the creep amount, thickness, and shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer described in detail below are the same as those when a single pressure-sensitive adhesive layer exists between the substrate and the wafer. Yes, when there are a plurality of layers between the substrate and the wafer, this is a characteristic when the plurality of layers are regarded as one adhesive layer.
  • the numerical range for each property should be satisfied by a single adhesive layer when there is a single adhesive layer between the substrate and the wafer.
  • the plurality of layers should be satisfied as one pressure-sensitive adhesive layer.
  • a base material consists of a several layer, if the Young's modulus in 23 degreeC in these several layers is 1000 Mpa or more, it will be considered as one base material.
  • the Young's modulus at 23 ° C. of the base material provided with the easy adhesion layer is 1000 MPa or more, the base material and the easy adhesion layer are regarded as one base material, and the easy adhesion layer is not included in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the product (N) ⁇ (C) of (N) and (C) when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is (N) ⁇ m and the creep amount is (C) ⁇ m is 30 ° C. 500 or more and 9000 or less at 60 ° C.
  • a circuit or the like is formed on the surface of the semiconductor wafer and is usually uneven.
  • the product (N) ⁇ (C) of (N) and (C) at 30 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 500 to 8000, more preferably 1000 to 7000.
  • the product (N) ⁇ (C) of (N) and (C) at 60 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0 to 8000, more preferably 1000 to 7000.
  • the thickness (N) of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably less than 100 ⁇ m, more preferably 5 to 80 ⁇ m, and even more preferably 10 to 70 ⁇ m.
  • the creep amount (C) of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as the product (N) ⁇ (C) of (N) and (C) is in the above range, but the creep amount at 30 ° C. is more than 5 ⁇ m. It is preferably 50 ⁇ m or more.
  • the creep amount at 60 ° C. is preferably 210 ⁇ m or less, more preferably 115 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive layer has a creep amount at 30 ° C. of 5 ⁇ m or less, the unevenness on the wafer surface and the pressure-sensitive adhesive layer may not be sufficiently contacted when the adhesive tape is applied to the uneven wafer surface.
  • the creep amount at 60 ° C. exceeds 210 ⁇ m, when the temperature of the semiconductor wafer rises to about 60 ° C. due to friction with a grinder or the like during back surface grinding, the chip position is displaced and die shift occurs. There is a fear.
  • the amount of creep of the pressure-sensitive adhesive layer is determined by combining the adhesive tape cut into a width of 25 mm and a length of 150 mm with the mark of the adherend for holding force test (SUS304). Pasting (2kg roll, 5 reciprocations) so that the pasting area is 25mm wide x 25mm long to make a test sample, then using a holding force tester, load with 1kg weight under 30 ° C and 60 ° C environment ( 9.8 N) to measure the holding force. The test time is 10,000 seconds, and the amount of deviation at that time is the creep amount (C) [ ⁇ m].
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has an appropriate pressure-sensitive adhesive property at room temperature, but the shear storage modulus at 30 ° C. is preferably 0.03 MPa or more, and the shear storage modulus at 60 ° C. It is preferably 0.20 MPa or less.
  • the shear storage modulus at 30 ° C. is preferably 0.03 MPa or more, the adhesive surface of the wafer surface is sufficiently brought into contact with the adhesive layer when the adhesive tape is applied to the uneven wafer surface, and the adhesive layer It becomes possible to exhibit adhesiveness appropriately.
  • the shear storage elastic modulus at 60 ° C.
  • the shear storage elastic modulus of an adhesive layer means the shear storage elastic modulus before hardening by energy ray irradiation, when an adhesive layer is formed from an energy ray-curable adhesive.
  • the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 30 ° C. is more preferably 0.05 to 0.18 MPa, still more preferably 0.10 to 0.15 MPa. Further, the shear storage modulus at 60 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer is more preferably 0.01 to 0.15 MPa, and further preferably 0.03 to 0.10 MPa.
  • the shear storage modulus can be measured by the following method.
  • a measurement sample is obtained by punching a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 0.5 to 1 mm into a circle having a diameter of 7.9 mm.
  • ARES manufactured by Rheometric Co. the elastic modulus of the measurement sample is measured when the temperature is changed at a temperature rise rate of 3 ° C./min in a temperature range of ⁇ 30 ° C. to 150 ° C. at a frequency of 1 Hz. .
  • the elastic modulus at a measurement temperature of 30 ° C. is defined as a shear storage elastic modulus at 30 ° C.
  • the elastic modulus at a measurement temperature of 60 ° C. is defined as a shear storage elastic modulus at 60 ° C.
  • the adhesive layer in this embodiment should not be interpreted limitedly to these.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a single layer or a multilayer as long as the above properties are satisfied.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, etc., and an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. Moreover, it is preferable that an adhesive layer is formed from an energy-beam curable adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an energy-ray curable pressure-sensitive adhesive, so that the shear storage elastic modulus at 30 ° C. is set within the above range before curing by irradiation with energy rays, and the peeling force after curing is 1000 mN. / 50 mm or less can be easily set.
  • the same pressure-sensitive adhesive as in the first embodiment can be used.
  • an energy ray curable adhesive composition (X-type adhesive composition) containing an energy ray curable compound other than an adhesive resin. It can be used.
  • an energy ray curable adhesive an energy ray curable adhesive resin (adhesive resin II) having an unsaturated group introduced in the side chain of a non-energy ray curable adhesive resin as a main component
  • a pressure-sensitive adhesive composition (Y-type pressure-sensitive adhesive composition) that does not contain an energy ray-curable compound other than the adhesive resin may also be used.
  • an X ray and Y type combined type that is, an energy ray curable compound containing an energy ray curable compound other than the adhesive resin in addition to the energy ray curable adhesive resin II.
  • You may use an adhesive composition (XY type adhesive composition).
  • XY type adhesive composition it is preferable to use an XY type pressure-sensitive adhesive composition.
  • the pressure-sensitive adhesive may be formed from a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy rays.
  • the non-energy ray curable adhesive composition contains at least the non-energy ray curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray curable adhesive resin II and the energy ray curable compound described above. is there.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II.
  • Specific examples of the adhesive resin include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins. Acrylic resins are preferable.
  • acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
  • the acrylic polymer (b) is used for the acrylic resin.
  • the acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth) acrylate, and includes a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • Examples of the alkyl (meth) acrylate include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth) acrylate examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) ) Acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate and the like.
  • Alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic polymer (b) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group with 4 or more carbon atoms from the viewpoint of improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the alkyl (meth) acrylate preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • the alkyl (meth) acrylate whose carbon number of an alkyl group is 4 or more is an alkyl acrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter also simply referred to as “monomer total amount”). Thus, it is preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
  • the acrylic polymer (b) A copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms is preferred.
  • the alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 20 to 50% by mass, based on the total amount of monomers. More preferably, it is 30 to 50% by mass.
  • the acrylic polymer (b) preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate.
  • the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group.
  • the functional group-containing monomer reacts with a crosslinking agent described later to become a crosslinking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b). Is possible.
  • Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth) ) Acrylates, hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof. , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • the functional group monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and still more preferably 6 to 30% by mass with respect to the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b).
  • the acrylic polymer (b) is derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomers such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
  • a structural unit may be included.
  • the acrylic polymer (b) can be used as a non-energy ray curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • a resin obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group also referred to as an unsaturated group-containing compound. Can be mentioned.
  • An unsaturated group containing compound is a compound which has both the substituent which can be couple
  • the photopolymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and a vinylbenzyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.
  • the substituent that the unsaturated group-containing compound can bind to the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group.
  • examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate, and the like.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional group of the acrylic polymer (b), specifically, 50 to 98 mol of the functional group of the acrylic polymer (b).
  • % Is preferably reacted with an unsaturated group-containing compound, more preferably 55 to 93 mol%.
  • Mw weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, still more preferably 500,000 to 1,200,000.
  • the creep amount of the pressure-sensitive adhesive layer can be increased or decreased by adjusting the shear storage modulus by the type and amount of the crosslinking agent and the type and amount of the monomer.
  • the energy ray-curable compound, the crosslinking agent, the photopolymerization initiator, and other additives in the pressure-sensitive adhesive layer of the second embodiment can be the same as those of the first embodiment.
  • the manufacturing method of the base material, the buffer layer, the release sheet, and the semiconductor device in the second embodiment can be the same as that in the first embodiment.
  • the manufacturing method of an adhesive tape it can be the same as that of 1st Embodiment except not having provided a buffer layer.
  • Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 The measurement methods and evaluation methods in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 are as follows.
  • the Young's modulus of the substrate was calculated from a tensile strength and elongation chart obtained by conducting a tensile test using a tensile tester. Specifically, a measurement film having a width of 15 mm, a length of 150 mm, and a thickness of 50 ⁇ m made of the same material as the film or sheet constituting the substrate was prepared. It was installed in a tensile / compression tester (manufactured by A & D, product name “Tensilon”) so that the stretchable portion of the film for measurement was 100 mm. And it measured at 23 degreeC and the test speed of 200 mm / min, and calculated the Young's modulus from the inclination in the origin of the obtained chart.
  • a buffer layer forming film having a thickness of 0.2 mm made of the buffer layer forming composition used in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 was formed on the first release sheet, and further on the buffer layer forming film The 2nd peeling sheet was bonded together.
  • the first and second release sheets used were polyethylene terephthalate films (trade name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Co., Ltd.) subjected to silicone release treatment. And the ultraviolet-ray was irradiated again from the 1st peeling sheet side, the said buffer layer formation film was hardened
  • the above ultraviolet irradiation uses a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (product name “ECS-401GX” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.) and a high pressure mercury lamp (device name “H04-L41” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.).
  • the measurement was performed under irradiation conditions of a lamp height of 150 mm, a lamp output of 3 kW (converted output of 120 mW / cm), an illuminance of 160 mW / cm 2 with a light wavelength of 365 nm, and an irradiation amount of 500 mJ / cm 2 .
  • an automatic dynamic viscoelasticity tester product name “Rheobibron DDV, manufactured by Orientec Co., Ltd.” was used using a test piece cut to a width of 4 mm ⁇ a length of 50 mm. -0.1FP "), the tensile storage elastic modulus and tensile loss elastic modulus were measured for 10 test pieces in the temperature range of -5 to 120 ° C at a measurement frequency of 1 Hz and a heating rate of 3 ° C / min.
  • the buffer layer (LDPE having a thickness of 27.5 ⁇ m) used in Examples 5 and 6 was laminated, and the test buffer layer having a thickness of 0.1 mm was used as described above. Similar measurements were made.
  • the average value of “tensile loss elastic modulus / tensile storage elastic modulus” at each temperature is calculated as tan ⁇ of the temperature, and the maximum value of tan ⁇ in the range of ⁇ 5 to 120 ° C. is determined as “maximum tan ⁇ of the buffer layer”. Values are shown in Table 1.
  • the average value of the tensile storage modulus at 23 ° C. was E 23
  • the average value of the tensile storage modulus at 60 ° C. was E 60
  • the average value of the tensile storage modulus at 90 ° C. was E 90 .
  • Example 1 Substrate A PET film with a double-sided easy-adhesion layer (Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa) was prepared as a substrate.
  • a double-sided easy-adhesion layer Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa
  • Buffer layer Synthesis of urethane acrylate oligomer
  • Urethane acrylate oligomer Urethane acrylate oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 5000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polycarbonate diol and isophorone diisocyanate.
  • buffer layer forming composition 50 parts by mass of urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 30 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), 40 parts by mass of tetrahydrofurfuryl acrylate (THFA), and dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) 15 Formulated with 1 part by mass, and further with 1.0 part by mass of 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (product name “Irgacure 1173” manufactured by BASF Japan Ltd.) as a photopolymerization initiator Then, a composition for forming a buffer layer was prepared.
  • IBXA isobornyl acrylate
  • THFA tetrahydrofurfuryl acrylate
  • DPHA dipentaerythritol hexaacrylate
  • a buffer layer-forming composition was applied to the release-treated surface of another release sheet (trade name “SP-PET 381031” manufactured by Lintec Corporation) to form a coating film.
  • the coating film was irradiated with ultraviolet rays, and the coating film was semi-cured to form a buffer layer forming film having a thickness of 53 ⁇ m.
  • the above-mentioned ultraviolet irradiation uses a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics, device name “US2-0801”) and a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, device name “H08-L41”).
  • the measurement was performed under irradiation conditions of a lamp height of 230 mm, an output of 80 mW / cm, a light wavelength of 365 nm, an illuminance of 90 mW / cm 2 , and an irradiation amount of 50 mJ / cm 2 .
  • the surface of the formed buffer layer forming film and the base material are bonded together, and ultraviolet rays are irradiated again from the release sheet side on the buffer layer forming film to completely cure the buffer layer forming film, and the thickness is 53 ⁇ m.
  • the buffer layer was formed.
  • the above ultraviolet irradiation using the ultraviolet irradiation apparatus and a high-pressure mercury lamp described above, the lamp height 220 mm, in terms of output 120 mW / cm, the light wavelength 365nm illumination 160 mW / cm 2, irradiation dose 350 mJ / cm 2 Performed under conditions.
  • an adhesive layer was bonded to the surface opposite to the surface on which the buffer layer of the base material was formed, to produce an adhesive tape for semiconductor processing.
  • Example 2 In the preparation of the buffer layer forming composition, an adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the DPHA content was changed to 20 parts by mass.
  • Example 3 In preparing the buffer layer forming composition, instead of DPHA, 20 parts by mass of pentaerythritol triacrylate (PETA, triester 57%, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name “A-TMM-3LM-N”) The adhesive tape was obtained like Example 1 except having used it.
  • PETA pentaerythritol triacrylate
  • Example 4 An adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following buffer layer forming composition was used as the buffer layer forming composition.
  • Urethane acrylate oligomer Urethane acrylate oligomer (UA-2) having a weight average molecular weight (Mw) of about 5000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polyester diol with isophorone diisocyanate.
  • Example 5 A low density polyethylene film (thickness: 27.5 ⁇ m) was prepared as a buffer layer. Using the same base material as in Example 1, the buffer layer was laminated on both sides of the base material by a dry laminating method to obtain a laminate of the base material and the buffer layer laminated in the order of LDPE / PET / LDPE. .
  • the pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the obtained laminate in the same manner as in Example 1 to obtain a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing.
  • An adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 5 except that the thickness of the adhesive layer was 60 ⁇ m.
  • Example 1 An adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the following buffer layer forming composition was used as the buffer layer forming composition.
  • buffer layer forming composition 50 parts by mass of urethane acrylate oligomer (UA-2), 40 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), and 20 parts by mass of 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate (HPPA) are blended, and further a photopolymerization initiator.
  • 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one product name “Irgacure 1173” manufactured by BASF Japan Ltd.
  • the occurrence of cracks can be reduced with the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing according to the present invention can reduce the number of large cracks and medium cracks.
  • a chip having a large crack or a medium crack is highly likely to break due to the progress of the crack in the manufacturing process of the semiconductor device. Therefore, it can be seen that when the adhesive tape according to the present invention is used, the productivity of the semiconductor device is excellent.
  • Examples 7 to 17 and Comparative Examples 2 to 6 The measurement methods and evaluation methods in Examples 7 to 17 and Comparative Examples 2 to 6 are as follows.
  • Shear storage modulus G ′ The shear storage modulus G ′ of the buffer layer was formed from the solutions of the pressure-sensitive adhesive compositions used in Examples 7 to 17 and Comparative Examples 2 to 6 using a viscoelasticity measuring device (DYNAMIC ANALYZER RDA ⁇ manufactured by Rheometrics). A sample in which the single-layer pressure-sensitive adhesive was laminated was measured under the following conditions. ⁇ Sample size: 8mm diameter x 3mm thickness Measurement temperature: 30 ° C and 60 ° C ⁇ Measurement frequency: 1Hz
  • the thickness of the base material was measured according to JISK7130 using a constant pressure thickness measuring instrument (product name “PG-02” manufactured by Teclock Co., Ltd.).
  • the thickness (N) of the pressure-sensitive adhesive layer is determined by measuring the thickness of the surface protective sheet with the PET film subjected to the silicone release treatment, and subtracting the thickness of the base material and the PET film after the silicone release treatment from the thickness. Value [ ⁇ m].
  • a silicon wafer having a diameter of 12 inches and a thickness of 775 ⁇ m was pasted with a semiconductor processing adhesive sheet manufactured in Examples and Comparative Examples using RAD-3510F / 12 manufactured by Lintec, and stealthed to a chip size of 11 mm ⁇ 8 mm using DFL 7361 manufactured by Disco Corporation. Dicing. Next, grinding (dry polishing) was performed using DGP8761 manufactured by Disco Corporation until the thickness reached 20 ⁇ m.
  • the average value of A ave , B ave , C ave , D ave at the outer peripheral part [(A ave + B ave + C ave + D ave ) / 4] is ⁇ , and ⁇ / ⁇ when E ave at the central part is ⁇ Based on the values, the size of the die shift was evaluated according to the following criteria. ⁇ : ⁇ / ⁇ ⁇ 3.0 ⁇ : 3.0 ⁇ / ⁇ 5.0 ⁇ : 5.0 ⁇ / ⁇
  • Example 7 Substrate A PET film with a double-sided easy-adhesion layer (Cosmo Shine A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa, breaking strength: 55.3 MJ / m 3 ) was prepared as a substrate.
  • a double-sided easy-adhesion layer Cosmo Shine A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa, breaking strength: 55.3 MJ / m 3
  • Laminate base material and buffer layer
  • a low density polyethylene film (thickness: 27.5 ⁇ m) was prepared as a buffer layer.
  • the buffer layer was laminated on both surfaces of the base material by a dry laminating method to obtain a laminate (A1) of the base material and the buffer layer laminated in the order of LDPE / PET / LDPE.
  • Pressure-sensitive adhesive layer (Preparation of pressure-sensitive adhesive composition B1) An acrylic polymer (b1) obtained by copolymerizing 40 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 30 parts by mass of methyl methacrylate (MMA) and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) By reacting 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) so as to add to 90 mol% of the total hydroxyl groups of the polymer (b1), an energy ray curable acrylic resin (Mw: 500,000) is obtained. Obtained.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • 2HEA 2-hydroxyethyl acrylate
  • MOI 2-methacryloyloxyethyl isocyanate
  • this energy ray curable acrylic resin 100 parts by mass of this energy ray curable acrylic resin, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate which is an energy ray curable compound, and 1 part by mass of an isocyanate crosslinking agent (product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation) 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, diluted with methyl ethyl ketone and coated with a pressure-sensitive adhesive composition having a solid content of 35% by weight (B1 ) Was prepared.
  • an isocyanate crosslinking agent product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation
  • Example 8 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 7 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 20 ⁇ m.
  • Example 9 Except having changed the thickness of the adhesive layer into 60 micrometers, it carried out similarly to Example 7, and obtained the adhesive tape for semiconductor processing.
  • Example 10 An adhesive tape for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 7 except that the adhesive composition was changed to B2 below and the thickness of the adhesive layer was changed to 30 ⁇ m.
  • this energy ray curable acrylic resin 100 parts by mass of this energy ray curable acrylic resin, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate which is an energy ray curable compound, and 1 part by mass of an isocyanate crosslinking agent (product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation) And 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, diluted with methyl ethyl ketone, and coated with a pressure-sensitive adhesive composition (B2) having a solid content concentration of 32% by weight A liquid was prepared.
  • an isocyanate crosslinking agent product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation
  • Example 11 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 10 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 40 ⁇ m.
  • Example 12 A pressure-sensitive adhesive composition for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 7 except that the pressure-sensitive adhesive composition was changed to B3 below and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 30 ⁇ m.
  • Example 13 Except having changed the adhesive composition into following B4, it carried out similarly to Example 7, and obtained the adhesive tape for semiconductor processing.
  • this energy ray curable acrylic resin 100 parts by mass of this energy ray curable acrylic resin, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate which is an energy ray curable compound, and 1 part by mass of an isocyanate crosslinking agent (product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation) 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, diluted with methyl ethyl ketone, and coated with a pressure-sensitive adhesive composition having a solid content concentration of 35% by weight (B4 ) Was prepared.
  • an isocyanate crosslinking agent product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation
  • Example 14 The adhesive tape for semiconductor processing was obtained like Example 7 except having changed the laminated body into A2 below.
  • Substrate A PET film with a double-sided easy-adhesion layer (Cosmo Shine A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa, breaking strength: 55.3 MJ / m 3 ) was prepared as a substrate.
  • Buffer layer Synthesis of urethane acrylate oligomer
  • Urethane acrylate oligomer Urethane acrylate oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 5000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polycarbonate diol and isophorone diisocyanate.
  • buffer layer forming composition 50 parts by mass of the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 30 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), 40 parts by mass of tetrahydrofurfuryl acrylate (THFA), and 15 of dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) Formulated with 1 part by mass, and further with 1.0 part by mass of 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (product name “Irgacure 1173” manufactured by BASF Japan Ltd.) as a photopolymerization initiator
  • a buffer layer forming composition (a2) was prepared.
  • the buffer layer-forming composition (a2) was applied to the release-treated surface of another release sheet (trade name “SP-PET 381031”, manufactured by Lintec Corporation) to form a coating film.
  • the coating film was irradiated with ultraviolet rays, and the coating film was semi-cured to form a buffer layer forming film having a thickness of 53 ⁇ m.
  • the above-mentioned ultraviolet irradiation uses a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics, device name “US2-0801”) and a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, device name “H08-L41”).
  • the measurement was performed under irradiation conditions of a lamp height of 230 mm, an output of 80 mW / cm, a light wavelength of 365 nm, an illuminance of 90 mW / cm 2 , and an irradiation amount of 50 mJ / cm 2 .
  • a buffer layer was formed to obtain a laminate (A2).
  • the above ultraviolet irradiation using the ultraviolet irradiation apparatus and a high-pressure mercury lamp described above, the lamp height 220 mm, in terms of output 120 mW / cm, the light wavelength 365nm illumination 160 mW / cm 2, irradiation dose 350 mJ / cm 2 Performed under conditions.
  • Example 15 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 14 except that the pressure-sensitive adhesive composition was changed to B2.
  • Example 16 A pressure-sensitive adhesive composition for semiconductor processing was obtained in the same manner as in Example 14 except that the pressure-sensitive adhesive composition was changed to B5 below and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 30 ⁇ m.
  • this energy ray curable acrylic resin 100 parts by mass of this energy ray curable acrylic resin, 6 parts by mass of polyfunctional urethane acrylate which is an energy ray curable compound, and 1 part by mass of an isocyanate crosslinking agent (product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation) 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, diluted with methyl ethyl ketone, and a coating solution of a pressure-sensitive adhesive composition having a solid content concentration of 32% by weight (B5 ) was prepared.
  • an isocyanate crosslinking agent product name “Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation
  • Example 17 Except having changed the adhesive composition into following B6, it carried out similarly to Example 7, and obtained the adhesive tape for semiconductor processing.
  • Example 2 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 7 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 80 ⁇ m.
  • Example 3 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 10 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 60 ⁇ m.
  • Example 4 A semiconductor processing adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 12 except that the thickness of the adhesive layer was changed to 45 ⁇ m.
  • Example 6 A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 14 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was changed to 80 ⁇ m.

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Abstract

【課題】ＤＢＧ、特にＬＤＢＧに用いても、チップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供すること。　【解決手段】本発明に係る半導体加工用粘着テープは、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である。　

Description

半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
　本発明は半導体加工用粘着テープに関し、さらに詳しくは、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を用いて半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に保持するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、薄型化されたチップを得るために、ウエハの表面側から所定深さの溝をダイシングブレードにより形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法（ＤＢＧ：Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と呼ばれる工法を利用することもある。ＤＢＧでは、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。
　従来、半導体ウエハの裏面研削時や、ＤＢＧによるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを保持するために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。
　ＤＢＧにおいて使用するバックグラインドシートとしては、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層とを備える粘着テープが使用されている。このような粘着テープの一例として、特許文献１（ＷＯ２０１５／１５６３８９Ａ１）には、基材フィルム及び緩衝層を備える基材と、基材フィルムの緩衝層が設けられた一方の面とは反対側の面に設けられる粘着剤層とを備えるバックグラインドテープが提案されている。特許文献１では、基材フィルムのヤング率が６００ＭＰａ以上であることや、緩衝層がウレタン含有硬化物から形成され、緩衝層のｔａｎδのピーク温度が６０℃以下であることが開示されている。また、特許文献２（特開２０１５－１８３００８号公報）には、剛性基材と、剛性基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、剛性基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着シートが提案されている。特許文献２では、剛性基材のヤング率が１０００ＭＰａ以上であることや、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成され、緩衝層の－５～１２０℃における動的粘弾性のｔａｎδの最大値が０．５以上であることが開示されている。
　近年、先ダイシング法の変形例として、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法が提案されている。以下、この方法をＬＤＢＧ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と記載することがある。ＬＤＢＧでは、ウエハは改質領域を起点として結晶方向に切断されるため、ダイシングブレードを用いた先ダイシング法よりもチッピングの発生を低減できる。その結果、抗折強度に優れたチップを得ることができ、また、チップのさらなる薄型化に寄与できる。また、ダイシングブレードによりウエハ表面に所定深さの溝を形成するＤＢＧと比較して、ダイシングブレードによりウエハを削り取る領域がないため、つまり、カーフ幅が極小であるため、チップの収率に優れる。
　しかし、ＤＢＧやＬＤＢＧに、特許文献１や特許文献２に記載の粘着テープを用いると、チップを３０μｍ以下まで薄くした場合に、チップの欠けや破損（以下、「チップのクラック」と記載することがある）が発生することがあった。
ＷＯ２０１５／１５６３８９Ａ１ 特開２０１５－１８３００８号公報
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、裏面研削時の応力（圧縮応力及びせん断応力）によりチップが振動または移動し、チップ同士が衝突することに起因してチップにクラックが発生していることを見出した。このようなチップのクラックは、ＬＤＢＧではカーフ幅が小さいために、より顕著に発生する。
　本発明は、上述した従来技術に鑑みてなされたものであり、ＤＢＧ、特にＬＤＢＧに用いても、チップのクラックを抑制でき、また、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能な半導体加工用粘着テープを提供することを目的としている。
　このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
 〔１〕２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である、半導体加工用粘着テープ。
 〔２〕前記粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であり、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である、〔１〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔３〕前記粘着剤層の厚さが１００μｍ以下である、〔１〕または〔２〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔４〕上記〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
　本発明に係る半導体加工用粘着テープは、裏面研削時の応力により変形しにくく、かつ、該応力を適度に緩和する。そのため、裏面研削時のチップの振動または移動を抑制し、チップ同士の衝突を防止できる。その結果、半導体チップにおけるクラックの発生を低減できる。また、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。
実施例において、ダイシフトの大きさを評価する方法を説明する模式図である。
　以下に、本発明に係る半導体加工用粘着テープについて具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
　本明細書において、例えば「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
　「半導体加工用」とは、半導体ウエハの搬送、裏面研削、ダイシングや半導体チップのピックアップ等の各工程において使用できることを意味する。
　半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」とは回路が形成されていない面を指す。
　半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
　ＤＢＧとは、ウエハの表面側に所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。ウエハの表面側に形成される溝は、ブレードダイシング、レーザーダイシングやプラズマダイシングなどの方法により形成される。また、ＬＤＢＧとはＤＢＧの変形例であり、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を言う。
　次に、本発明に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。第１実施形態では、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープにおける緩衝層の特性に着目して説明する。第２実施形態では、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープにおける粘着剤層の特性に着目して説明する。なお、以下において本発明に係る半導体加工用粘着テープを、単に「粘着テープ」と記載することがある。
第1実施形態
　本発明の第１実施形態の要旨は以下の通りである。
 〔１〕２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）が１００～２０００ＭＰａであり、
　前記緩衝層の６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）が２０～１０００ＭＰａである、半導体加工用粘着テープ。
 〔２〕前記緩衝層の－５～１２０℃における動的粘弾性のｔａｎδの最大値が１．０以下である、〔１〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔３〕前記緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）及び前記緩衝層の６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）が、（Ｅ２３）／（Ｅ６０）≦９０の関係を満たす、〔１〕または〔２〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔４〕前記緩衝層が、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔５〕前記エネルギー線重合性化合物が、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーと多官能重合性化合物とを含む、〔４〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔６〕前記緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔７〕前記粘着剤層の厚さが１００μｍ未満である、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔８〕上記〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
　前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
　本発明に係る第1実施形態では、粘着テープとは、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを含む積層体を意味する。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。緩衝層および粘着剤層も同様である。
　以下に、第1実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
 ［基材］
　基材は、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上である。ヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。一方、基材の２３℃におけるヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材の２３℃におけるヤング率は、好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、より好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　基材の厚さは特に限定されないが、１１０μｍ以下であることが好ましく、１５～１１０μｍであることがより好ましく、２０～１０５μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを１１０μｍ以下とすることで、粘着テープの剥離力を制御しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
　易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　易接着層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、本願実施例における易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さいため、易接着層を有する樹脂フィルムの厚みと基材の厚みとは実質的に同一である。また、易接着層の材質は柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
　例えば、基材のヤング率は、樹脂組成の選択、可塑剤の添加、樹脂フィルム製造時の延伸条件などにより制御できる。具体的には、基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、共重合成分中のエチレン成分の含有割合が多くなると、基材のヤング率は低下する傾向がある。また、基材を構成する樹脂組成物に対して可塑剤の配合量が多くなると基材のヤング率は低下する傾向がある。
 ［緩衝層］
　緩衝層は、基材と比較して軟質の層であり、半導体ウエハの裏面研削時の応力を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。また、粘着テープを貼付した半導体ウエハは、裏面研削時に、粘着テープを介して真空テーブル上に配置されるが、粘着テープの構成層として緩衝層を有することで、真空テーブルに適切に保持されやすくなる。
　緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）は１００～２０００ＭＰａであり、６０℃における引張貯蔵弾性率は２０～１０００ＭＰａである。粘着テープは、常温（２３℃）付近で半導体ウエハに貼付されることがある。また、粘着テープは、裏面研削時の摩擦熱により２３℃付近から６０～９０℃程度にまで加熱されることがある。緩衝層の常温（２３℃）における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）が１００ＭＰａ未満であったり、６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）が２０ＭＰａ未満であると、裏面研削時の応力により粘着テープが変形し、粘着テープ上に保持されたチップが変位するため、チップ同士が衝突し、チップにクラックが発生する。一方、緩衝層の常温（２３℃）における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）が２０００ＭＰａを超えたり、６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）が１０００ＭＰａを超えると、裏面研削時の応力を十分に緩和できず、粘着テープの反り等によりチップ同士が衝突し、チップにクラックが発生する。
　引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）と引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）を上記範囲にすることで、裏面研削時の応力による粘着テープの変形を防止すると共に、緩衝性能が適度に保たれ、チップのクラックを抑制できる。また、引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）を上記範囲とすることで、粘着テープと真空テーブルとの密着性が向上し、裏面研削時の振動を抑制できる。さらに、裏面研削後に粘着テープを剥離しやすくなる。
　上記の観点から、緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）は、好ましくは１００～２０００ＭＰａ、より好ましくは１５０～１０００ＭＰａ、さらに好ましくは２００～７００ＭＰａである。また、緩衝層の６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）は、好ましくは２０～１０００ＭＰａ、より好ましくは３０～３００ＭＰａ、さらに好ましくは４０～２００ＭＰａである。さらに、緩衝層の９０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ９０）は好ましくは０．１～３００ＭＰａ、より好ましくは５～１００ＭＰａ、さらに好ましくは１０～５０ＭＰａである。
　緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）及び前記緩衝層の６０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）は、（Ｅ２３）／（Ｅ６０）≦９０の関係を満たすことが好ましい。また、緩衝層の２３℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）及び前記緩衝層の９０℃における引張貯蔵弾性率（Ｅ９０）は、（Ｅ２３）／（Ｅ９０）≦９０の関係を満たすことが好ましい。
　引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）と引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）との比〔（Ｅ２３）／（Ｅ６０）〕は、２３℃から６０℃までの引張貯蔵弾性率の変化の指標であり、また、引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）と引張貯蔵弾性率（Ｅ９０）との比〔（Ｅ２３）／（Ｅ９０）〕は、２３℃から９０℃までの引張貯蔵弾性率の変化の指標である。一般に、温度が上がると緩衝層の引張貯蔵弾性率は小さくなるが、（Ｅ２３）／（Ｅ６０）や（Ｅ２３）／（Ｅ９０）が小さいことは、引張貯蔵弾性率の温度依存性が小さいことを意味する。
　引張貯蔵弾性率（Ｅ２３）と引張貯蔵弾性率（Ｅ６０）との比や、引張貯蔵弾性率（Ｅ
２３）と引張貯蔵弾性率（Ｅ９０）との比を上記範囲とすることで、裏面研削時の摩擦熱
による温度変化に対する緩衝層の物性変化を小さくすることができる。その結果、上記温度領域において裏面研削時の応力による粘着テープの変形を防止すると共に、緩衝性能が適度に保たれ、チップクラックの発生を抑制できる。
　上記の観点から、（Ｅ２３）／（Ｅ６０）≦３３であることがより好ましく、１≦（Ｅ２３）／（Ｅ６０）≦１８であることがさらに好ましい。また、（Ｅ２３）／（Ｅ９０）≦７０であることがより好ましく、４≦（Ｅ２３）／（Ｅ９０）≦５０であることがさらに好ましい。
　緩衝層の－５～１２０℃における動的粘弾性のｔａｎδの最大値（以下、単に「ｔａｎδの最大値」ともいう）は、１．０以下であることが好ましい。緩衝層のｔａｎδの最大値が１．０を超えると、裏面研削時の応力による緩衝層の変形が大きくなり、粘着テープ上に保持されたチップが変位するため、チップ同士が衝突し、チップにクラックが発生することがある。上記の観点から、緩衝層のｔａｎδの最大値は、０．５以下がより好ましく、０．０５～０．５がさらに好ましい。
　なお、ｔａｎδは損失正接と呼ばれ、「引張損失弾性率／引張貯蔵弾性率」で定義され、動的粘弾性測定装置により対象物に与えた引張り応力やねじり応力等の応力に対する応答によって測定される値である。
　緩衝層のゲル分率は、７０～９９％であることが好ましく、９０～９９％であることがより好ましい。緩衝層のゲル分率を上記範囲とすることで、裏面研削時の応力による緩衝層の変形を抑制することができる。
　なお、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される場合には、エネルギー線硬化前のゲル分率とエネルギー線硬化後のゲル分率のいずれかが上記範囲内にあればよい。
　緩衝層のゲル分率は以下の方法により測定できる。
　厚さ２０μｍの緩衝層を５０ｍｍ×１００ｍｍのサイズに裁断して測定用サンプルとする。測定用サンプルを１００ｍｍ×１５０ｍｍサイズのナイロンメッシュ（メッシュサイズ２００）に包み、測定用サンプル及びナイロンメッシュの質量を精密天秤にて秤量し、秤量した質量から、あらかじめ測定しておいたナイロンメッシュの質量を減じることで、測定用サンプルのみの質量を得る。このときの質量をＭ１とする。
　次に、上記ナイロンメッシュに包まれた測定用サンプルを、２５℃の酢酸エチル１００ｍＬに２４時間浸漬させる。そして、測定用サンプルを取り出し、１２０℃で１時間乾燥させ、次いで、温度２３℃、相対湿度５０％の条件下に１時間放置して調湿を行う。その後の測定用サンプル及びナイロンメッシュの質量を精密天秤にて秤量し、秤量した質量から、あらかじめ測定しておいたナイロンメッシュの質量を減じることで、測定用サンプルのみの質量を得る。このときの質量をＭ２とする。ゲル分率（％）は以下の式により算出できる。
　ゲル分率（％）＝（Ｍ２／Ｍ１）×１００
　緩衝層の厚さは、１～１００μｍであることが好ましく、５～８０μｍであることがより好ましく、１０～６０μｍであることがさらに好ましい。緩衝層の厚さを上記範囲とすることで、緩衝層が裏面研削時の応力を適切に緩和できるようになる。
　緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層、または、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層であることが好ましい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層に含まれる各成分、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層に含まれる各成分の順に説明する。
 ＜エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層＞
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。
　また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）と多官能重合性化合物（ａ２）とを含むことが好ましい。緩衝層形成用組成物は、これら２成分を含有することで、緩衝層の引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）、及びｔａｎδの最大値を上記した範囲内としやすくなる。また、緩衝層形成用組成物は、これらの観点から、上記（ａ１）及び（ａ２）成分に加えて、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ３）及び／又は官能基を有する重合性化合物（ａ４）を含有することがより好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）～（ａ４）成分に加えて、光重合開始剤を含有することがさらに好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
 （ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１））
　ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）とは、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）は、オリゴマーまたはポリマーである。
　成分（ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは２，０００～６０，０００、さらに好ましくは３，０００～２０，０００である。また、成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基数（以下、「官能基数」ともいう）としては、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、単官能又は２官能であることが好ましい。
　成分（ａ１）は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分（ａ１）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　成分（ａ１）の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールまたはポリカーボネート型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、２官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールまたはポリカーボネート型ジオールがより好ましい。
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
　上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を得ることができる。ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物；等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～７０質量％、より好ましくは２０～６０質量％、さらに好ましくは２５～５５質量％、特に好ましくは３０～５０質量％である。
 （多官能重合性化合物（ａ２））
　多官能重合性化合物とは、光重合性不飽和基を２つ以上有する化合物をいう。光重合性不飽和基は、炭素－炭素二重結合を含む官能基であり、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。光重合性不飽和基は２種以上を組み合わせてもよい。多官能重合性化合物中の光重合性不飽和基と成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基とが反応したり、成分（ａ２）中の光重合性不飽和基同士が反応することで、三次元網目構造（架橋構造）が形成される。多官能重合性化合物を使用すると、光重合性不飽和基を１つしか含まない化合物を使用した場合と比較して、エネルギー線照射により形成される架橋構造が増加するため、緩衝層が特異な粘弾性を示し、引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）やｔａｎδの最大値を上記範囲に制御することが容易になる。
　なお、成分（ａ２）の定義と、後述する成分（ａ３）や成分（ａ４）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ２）に含まれる。例えば、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ２）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ２）に含まれるものとする。また、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ２）と成分（ａ４）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ２）に含まれるものとする。
　上記観点から、多官能重合性化合物中における光重合性不飽和基の数（官能基数）は、２～１０が好ましく、３～６がより好ましい。
　また、成分（ａ２）の重量平均分子量は、好ましくは３０～４００００、より好ましくは１００～１００００、さらに好ましくは２００～１０００である。
　具体的な成分（ａ２）としては、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニル、アジピン酸ジビニル、Ｎ，Ｎ'－メチレンビス（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　なお、成分（ａ２）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは２～４０質量％、より好ましくは３～２０質量％、さらに好ましくは５～１５質量％である。
 （環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ３））
　成分（ａ３）は、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。成分（ａ３）を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
　なお、成分（ａ３）の定義と、後述する成分（ａ４）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ４）に含まれる。例えば、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基と、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基と、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基とを有する化合物は、成分（ａ３）と成分（ａ４）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。
　成分（ａ３）が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは６～２０であるが、より好ましくは６～１８、さらに好ましくは６～１６、特に好ましくは７～１２である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子に結合した水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
　具体的な成分（ａ３）としては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等の脂環基含有（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート等の複素環基含有（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
　なお、成分（ａ３）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　脂環基含有（メタ）アクリレートの中ではイソボルニル（メタ）アクリレートが好ましく、複素環基含有（メタ）アクリレートの中ではテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～７０質量％、より好ましくは２０～６０質量％、さらに好ましくは２５～５５質量％である。
　また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）と成分（ａ３）との含有量比〔（ａ２）／（ａ３）〕は、好ましくは０．１～３．０、より好ましくは０．１５～２．０、さらに好ましくは０．１８～１．０、特に好ましくは０．２～０．５である。
 （官能基を有する重合性化合物（ａ４））
　成分（ａ４）は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。
　成分（ａ４）は、成分（ａ１）との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくなる。また、当該組成物から形成される緩衝層の引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）やｔａｎδの最大値を上記した範囲としやすくなり、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
　成分（ａ４）としては、例えば、水酸基含有（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシー３－フェノキシプロピルアクリレート等が挙げられる。
　エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレートが好ましい。
　アミド基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　アミノ基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、水酸基含有（メタ）アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有（メタ）アクリレートがより好ましい。
　なお、成分（ａ４）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ４）の含有量は、緩衝層の引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）やｔａｎδの最大値を上述の範囲としやすくし、かつ、緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させるために、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは５～４０質量％、より好ましくは７～３５質量％、さらに好ましくは１０～３０質量％、特に好ましくは１３～２５質量％である。
　また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）と成分（ａ４）との含有量比〔（ａ３）／（ａ４）〕は、好ましくは０．５～３．０、より好ましくは１．０～３．０、さらに好ましくは１．３～３．０、特に好ましくは１．５～２．８である。
 （成分（ａ１）～（ａ４）以外の重合性化合物（ａ５））
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分（ａ１）～（ａ４）以外のその他の重合性化合物（ａ５）を含有してもよい。
　成分（ａ５）としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物：等が挙げられる。なお、成分（ａ５）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ５）の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、さらに好ましくは０～５質量％、特に好ましくは０～２質量％である。
 （光重合開始剤）
　緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、さらに好ましくは０．３～５質量部である。
 （その他の添加剤）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
 （樹脂成分）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
　緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、さらに好ましくは０～５質量％、特に好ましくは０～２質量％である。
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される緩衝層は、上記組成の緩衝層形成用組成物をエネルギー線照射により重合硬化して得られる。つまり、当該緩衝層は、緩衝層形成用組成物を硬化した物である。
　したがって、当該緩衝層は、成分（ａ１）由来の重合単位及び成分（ａ２）由来の重合単位を含む。また、当該緩衝層は、成分（ａ３）由来の重合単位及び／又は成分（ａ４）由来の重合単位を含有することが好ましく、成分（ａ５）由来の重合単位を含有していてもよい。緩衝層における各重合単位の含有割合は、通常、緩衝層形成用組成物を構成する各成分の比率（仕込み比）に一致する。例えば、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して１０～７０質量％の場合、緩衝層は成分（ａ１）に由来する重合単位を１０～７０質量％含有する。また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して２～４０質量％の場合、緩衝層は成分（ａ２）に由来する重合単位を２～４０質量％含有する。成分（ａ３）～（ａ５）についても同様である。
 ＜ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層＞
　緩衝層を、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成することで、緩衝層の引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）、及びｔａｎδの最大値を上記した範囲内としやすくなる。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合は、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層である場合よりも応力緩和性が低いことがある。この場合、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層を基材の一方の面側に有する粘着テープには反りが発生するおそれがある。ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の少なくとも一方の面側に設けられればよいが、このような不具合を防止する観点から、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の両面に設けられることが好ましい。
　ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ，密度：８８０ｋｇ／ｍ３以上、９１０ｋｇ／ｍ３未満）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ，密度：９１０ｋｇ／ｍ３以上、９３０ｋｇ／ｍ３未満）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ，密度：９３０ｋｇ／ｍ３以上、９４２ｋｇ／ｍ３未満）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ，密度：９４２ｋｇ／ｍ３以上）等のポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン－ポリプロピレン共重合体、オレフィン系エラストマー（ＴＰＯ）、シクロオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル－無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。
　これらのポリオレフィン樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記ポリオレフィン樹脂の中でも、特定の物性を有する緩衝層を得る観点から、ポリエチレン樹脂が好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましい。
　上述した緩衝層には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、上述した緩衝層は、透明であっても、不透明であってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　例えば、緩衝層の引張貯蔵弾性率（Ｅ２３、Ｅ６０、Ｅ９０）、（Ｅ２３）／（Ｅ６０）や（Ｅ２３）／（Ｅ９０）は、成分（ａ１）の組成、成分（ａ１）の重量平均分子量や、成分（ａ２）～（ａ３）の配合量により制御できる。具体的には、ポリオール化合物としてポリエステル型ポリオールやポリカーボネート型ポリオールを選択すると、緩衝層の引張貯蔵弾性率は減少する傾向となる。また、ポリオール化合物としてジオールまたはトリオールを選択すると、緩衝層の引張貯蔵弾性率は減少する傾向となる。また、成分（ａ１）の重量平均分子量を小さくすると、緩衝層の引張貯蔵弾性率は減少する傾向となる。また、成分（ａ２）の含有量を多くすると、緩衝層の引張貯蔵弾性率は増加する傾向となる。また、成分（ａ３）の含有量を多くすると、緩衝層の引張貯蔵弾性率はわずかに低下する傾向となる。また成分（ａ４）の含有量を多くすると、緩衝層の引張貯蔵弾性率はわずかに低下する傾向となる。
　緩衝層のｔａｎδの最大値は、成分（ａ１）の含有量を多くすると上昇する傾向となる。一方、成分（ａ２）～（ａ４）の添加、特に成分（ａ２）の含有量を多くすると、緩衝層のｔａｎδの最大値は減少する傾向となる。
　緩衝層のゲル分率は、成分（ａ２）～（ａ４）の含有量が少ないと減少する傾向となる。特に成分（ａ２）の含有量が少ないと、緩衝層のゲル分率は大きく減少することがある。
 ［粘着剤層］
　粘着剤層は、常温において適度な感圧接着性を有する限り特に限定はされないが、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０５～０．５０ＭＰａであるものが好ましい。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着剤層のせん断貯蔵弾性率が上記範囲内となることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率は、０．１２～０．３５ＭＰａであることがより好ましい。なお、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前のせん断貯蔵弾性率を意味する。
　せん断貯蔵弾性率は以下の方法により測定できる。厚みが約０．５～１ｍｍの粘着剤層を直径７．９ｍｍの円形に打ち抜いたものを測定試料とする。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、周波数１Ｈｚ、―３０℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度３℃／分で温度変化させたときの測定試料の弾性率を測定する。測定温度２３℃での弾性率を、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率とする。
　粘着剤層の厚さは、１００μｍ未満であることが好ましく、５～８０μｍがより好ましく、１０～７０μｍがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープにおいて、剛性の低い部分の割合を少なくすることができるため、裏面研削時に生じる半導体チップの欠けを一層防止しやすくなる。
　粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下に容易に設定することが可能になる。
　以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
　エネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（「粘着性樹脂Ｉ」ともいう）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「Ｘ型の粘着剤組成物」ともいう）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂ＩＩ」ともいう）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（以下、「Ｙ型の粘着剤組成物」ともいう）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「ＸＹ型の粘着剤組成物」ともいう）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離力を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー線を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩ及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において「粘着性樹脂」は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂ＩＩの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体（ｂ）が使用される。アクリル系重合体（ｂ）は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、さらに好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）に対して、好ましくは４０～９８質量％、より好ましくは４５～９５質量％、さらに好ましくは５０～９０質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは１～３０質量％、より好ましくは３～２６質量％、さらに好ましくは６～２２質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体（ｂ）の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　官能基モノマーは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量に対して、好ましくは１～３５質量％、より好ましくは３～３２質量％、さらに好ましくは６～３０質量％である。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体（ｂ）は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体（ｂ）の官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体（ｂ）が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
　なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、さらに好ましくは５０万～１２０万である。
 （エネルギー線硬化性化合物）
　Ｘ型又はＸＹ型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
　このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレートモノマー、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート，ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
　これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　エネルギー線硬化性化合物の分子量（オリゴマーの場合は重量平均分子量）は、好ましくは１００～１２０００、より好ましくは２００～１００００、さらに好ましくは４００～８０００、特に好ましくは６００～６０００である。
　Ｘ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは４０～２００質量部、より好ましくは５０～１５０質量部、さらに好ましくは６０～９０質量部である。
　一方で、ＸＹ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは２～２０質量部、さらに好ましくは３～１５質量部である。ＸＹ型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離力を低下させることが可能である。
 （架橋剤）
　粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
　架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～７質量部、さらに好ましくは０．０５～４質量部である。
 （光重合開始剤）
　また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部、さらに好ましくは０．０５～５質量部である。
 （その他の添加剤）
　粘着性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部である。
　また、粘着性組成物は、基材、緩衝層や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、さらに有機溶媒で希釈して、粘着性組成物の溶液の形態としてもよい。
　有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、トルエン、キシレン、ｎ－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
　なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の１種以上の有機溶媒を加えてもよい。
 ［剥離シート］
　粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前（すなわち、ウエハ貼付前）には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍである。
 ［粘着テープの製造方法］
　本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
　例えば、基材と、当該基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープの製造方法は以下のとおりである。
　緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される場合には、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を塗工、硬化して設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。また、緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、緩衝層と基材とを貼り合わせることで、緩衝層と基材との積層体が得られる。
　そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　剥離シート上に緩衝層を形成する方法としては、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成することができる。また、基材の片面に、緩衝層形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成してもよい。
　緩衝層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。
　緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、押出ラミネートによって緩衝層と基材と貼り合わせてもよい。具体的には、Ｔダイ製膜機等を使用して、緩衝層を構成するポリオレフィン樹脂を溶融・混練し、基材を一定の速度にて移動させながら、基材の一方の面側に、溶融したポリオレフィン樹脂を押出しラミネートする。また、緩衝層はヒートシール等により基材に直接積層されてもよい。さらに、ドライラミネーション法などの方法で、易接着層を介して積層されてもよい。
　剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に粘着剤（粘着剤組成物）を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。
　また、基材の片面に、粘着剤（粘着剤組成物）を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、緩衝層の製造法で示した、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
　なお、基材の両面に緩衝層が設けられた粘着テープの製造方法は、例えば、上述の方法により、緩衝層と基材と緩衝層とがこの順に積層された積層体を得、その後、一方の緩衝層側に粘着剤層を形成すればよい。
 ［半導体装置の製造方法］
　本発明に係る粘着テープは、ＤＢＧにおいて、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行われる際に好ましく使用される。特に、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さいチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用される。なお、「チップ群」とは、本発明に係る粘着テープ上に保持された、ウエハ形状の複数の半導体チップをいう。
　粘着テープの非限定的な使用例として、以下に半導体装置の製造方法をさらに具体的に説明する。
　半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程１～工程４を少なくとも備える。
　工程１：上記の粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程
　工程２：半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程
　工程３：粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程
　工程４：個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する工程
　以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
 （工程１）
　工程１では、半導体ウエハ表面に、本発明の粘着テープを粘着剤層を介して貼付する。本工程は、後述する工程２の前に行われてもよいが、工程２の後に行ってもよい。例えば、半導体ウエハに改質領域を形成する場合には、工程１を工程２の前に行うことが好ましい。一方で、半導体ウエハ表面に、ダイシング等により溝を形成する場合には、工程２の後に工程１を行う。すなわち、後述する工程２で形成した溝を有するウエハの表面に、本工程１にて粘着テープを貼付することになる。
　本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム砒素、炭化ケイ素、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化ガリウム、インジウム燐などのウエハや、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は５００～１０００μｍ程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。
 （工程２）
　工程２では、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面又は裏面から半導体ウエハの内部に改質領域を形成する。
　本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程３において、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
　また、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であり、研削工程における研削によって、半導体ウエハが薄くなったり、研削による力が加わったりすることにより半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域である。すなわち、工程２において溝及び改質領域は、後述する工程３において、半導体ウエハが分割されて半導体チップに個片化される際の分割線に沿うように形成される。
　改質領域の形成は、半導体ウエハの内部に焦点を合わせたレーザーの照射により行い、改質領域は、半導体ウエハの内部に形成される。レーザーの照射は、半導体ウエハの表面側から行っても、裏面側から行ってもよい。なお、改質領域を形成する態様において、工程２を工程１の後に行いウエハ表面からレーザー照射を行う場合、粘着テープを介して半導体ウエハにレーザーを照射することになる。
　粘着テープが貼付され、かつ溝又は改質領域を形成した半導体ウエハは、チャックテーブル上に載せられ、チャックテーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。
 （工程３）
　工程1及び工程２の後、チャックテーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
　ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
　一方、改質領域が形成される場合には、研削によって研削面（ウエハ裏面）は、改質領域に至ってもよいが、厳密に改質領域まで至らなくてもよい。すなわち、改質領域を起点として半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化されるように、改質領域に近接する位置まで研削すればよい。例えば、半導体チップの実際の個片化は、後述するピックアップテープを貼付してからピックアップテープを延伸することで行ってもよい。
　また、裏面研削の終了後、チップのピックアップに先立ち、ドライポリッシュを行ってもよい。
　個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは５～１００μｍ程度であるが、より好ましくは１０～４５μｍである。レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う、ＬＤＢＧによれば、個片化された半導体チップの厚さを５０μｍ以下、より好ましくは１０～４５μｍとすることが容易になる。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは６００ｍｍ２未満、より好ましくは４００ｍｍ２未満、さらに好ましくは３００ｍｍ２未満である。
　本発明の粘着テープを使用すると、このように薄型及び／又は小型の半導体チップであっても、裏面研削時（工程３）、及び粘着テープ剥離時（工程４）に半導体チップにクラックが生じることが防止される。
 （工程４）
　次に、個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、半導体加工用粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
　まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に保持された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。
　その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
　なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着シートによって構成される。
　また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。
　接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。
　以上、本発明に係る粘着テープについて、ＤＢＧまたはＬＤＢＧにより半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さく、より薄化されたチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用できる。なお、本発明に係る粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に保持するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。
第２実施形態
　本発明に係る第２実施形態では、粘着テープとは、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを含む積層体を意味する。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層と、基材の他方の面側に設けられた緩衝層とを含んでもよい。また、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。粘着剤層も同様である。
　以下に、第２実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
　本発明の第２実施形態の要旨は以下の通りである。
 〔１〕２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である、半導体加工用粘着テープ。
 〔２〕前記粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であり、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である、〔１〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔３〕前記粘着剤層の厚さが１００μｍ以下である、〔１〕または〔２〕に記載の半導体加工用粘着テープ。
 〔４〕上記〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
 ［粘着剤層］
　粘着剤層は単層であってもよく、多層であってもよい。第２実施形態では、粘着剤層とは、粘着シートを半導体ウエハに貼り付けたとき、基材とウエハとの間に介在する層をいう。基材とウエハとの間に複数の層が存在する場合には、それら複数の層を１つの粘着剤層とみなす。したがって、以下に詳述する粘着剤層のクリープ量、厚さ、せん断貯蔵弾性率といった特性は、基材とウエハとの間に単一の粘着剤層が存在する場合には、そのものの特性であり、基材とウエハとの間に複数の層が存在する場合には、それら複数の層を１つの粘着剤層とみなしたときの特性である。すなわち、各特性における数値範囲は、基材とウエハとの間に単一の粘着剤層が存在する場合には、その単一の粘着剤層により満足されるべきであり、基材とウエハとの間に複数の層が存在する場合には、それら複数の層を１つの粘着剤層として満足すべきである。なお、基材が複数の層からなる場合には、それら複数の層での２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上であれば１つの基材とみなす。例えば、易接着層を設けた基材の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の場合、基材および易接着層を１つの基材とみなし、易接着層は粘着剤層に含めない。
　第２実施形態において、粘着剤層の厚みを（Ｎ）μｍ、クリープ量を（Ｃ）μｍとしたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）は、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。３０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を５００以上とすることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。また、グラインダ等よりに半導体ウエハが裏面研削される際、半導体ウエハには、グラインダが押し当てられることによる圧縮応力、およびグラインダが回転することによるせん断応力がかかる。ＤＢＧやＬＤＢＧ等の先ダイシング法では、上述のような裏面研削時の圧縮応力およびせん断応力によってダイシフトが生じることがある。粘着剤層の６０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を９０００以下とすることで、裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合でも、ダイシフトを抑制できる。
　このような観点から、粘着剤層の３０℃における（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）は、好ましくは５００～８０００、より好ましくは１０００～７０００である。また、粘着剤層の６０℃における（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）は、好ましくは０～８０００、より好ましくは１０００～７０００である。
　粘着剤層の厚さ（Ｎ）は、１００μｍ未満であることが好ましく、５～８０μｍがより好ましく、１０～７０μｍがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープにおいて、剛性の低い部分の割合を少なくすることができるため、裏面研削時に生じる半導体チップの欠けを一層防止しやすくなる。
　粘着剤層のクリープ量（Ｃ）は、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が上記範囲である限り特に限定はされないが、３０℃におけるクリープ量は５μｍ超であることが好ましく、より好ましくは５０μｍ以上である。また、６０℃におけるクリープ量は２１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１１５μｍ以下である。粘着剤層の３０℃におけるクリープ量が５μｍ以下であると、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とが十分に接触できないおそれがある。また、６０℃におけるクリープ量が２１０μｍを超えると、裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合に、チップの位置にズレが生じて、ダイシフトが発生するおそれがある。
　粘着剤層のクリープ量（Ｃ）は、ＪＩＳＺ０２３７（２００９）に準拠して、幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍに切り出した粘着テープを保持力試験用の被着体（ＳＵＳ３０４）の標線に併せて、貼付面積が幅２５ｍｍ×長さ２５ｍｍとなるように貼付（２ｋｇロール、５往復）して試験サンプルとし、その後、保持力試験機を用い、３０℃及び６０℃環境下、１ｋｇの錘で荷重（９．８Ｎ）をかけて保持力を測定する。試験時間は１００００秒とし、その際のズレ量をクリープ量（Ｃ）［μｍ］とする。
　粘着剤層は、常温において適度な感圧接着性を有する限り特に限定はされないが、３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であることが好ましく、また、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下であることが好ましい。３０℃におけるせん断貯蔵弾性率を０．０３ＭＰａ以上とすることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。また、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率を０．２０ＭＰａ以下とすることで、ウエハを加熱して、回路等の凹凸部分に表面保護シートの貼付（熱貼り）する際に、ウエハ表面の凹凸部分に粘着剤層が追従し、ウエハの凹凸部分と粘着剤層との非接触領域を少なくしてウエハを保持することでダイシフトを抑制できる。なお、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前のせん断貯蔵弾性率を意味する。
　このような観点から、粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率は、より好ましくは０．０５～０．１８ＭＰａ、さらに好ましくは０．１０～０．１５ＭＰａである。また、粘着剤層の６０℃におけるせん断貯蔵弾性率は、より好ましくは０．０１～０．１５ＭＰａ、さらに好ましくは０．０３～０．１０ＭＰａである。
　せん断貯蔵弾性率は以下の方法により測定できる。厚みが約０．５～１ｍｍの粘着剤層を直径７．９ｍｍの円形に打ち抜いたものを測定試料とする。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、周波数１Ｈｚ、－３０℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度３℃／分で温度変化させたときの測定試料の弾性率を測定する。測定温度３０℃での弾性率を３０℃におけるせん断貯蔵弾性率とし、測定温度６０℃での弾性率を６０℃におけるせん断貯蔵弾性率とする。
　以下、第２実施形態における粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本実施形態における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。粘着剤層は、上記特性を満足する限り、単層であってもよく、多層であってもよい。
　粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、３０℃におけるせん断貯蔵弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下に容易に設定することが可能になる。
　エネルギー線硬化性粘着剤としては、第1実施形態と同様の粘着剤を用いることができる。例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（粘着性樹脂Ｉ）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（Ｘ型の粘着剤組成物）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（粘着性樹脂ＩＩ）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（Ｙ型の粘着剤組成物）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（ＸＹ型の粘着剤組成物）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離力を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー線を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩ及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において“粘着性樹脂”は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂ＩＩの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体（ｂ）が使用される。アクリル系重合体（ｂ）は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、さらに好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）に対して、好ましくは４０～９８質量％、より好ましくは４５～９５質量％、さらに好ましくは５０～９０質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは１～５０質量％、より好ましくは２０～５０質量％、さらに好ましくは３０～５０質量％である。アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートの含有量を上記範囲とすることで、粘着剤層の６０℃におけるクリープ量（Ｃ）を低減できる。
　アクリル系重合体（ｂ）は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体（ｂ）の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　官能基モノマーは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量に対して、好ましくは１～３５質量％、より好ましくは３～３２質量％、さらに好ましくは６～３０質量％である。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体（ｂ）は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体（ｂ）の官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体（ｂ）が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
　なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、さらに好ましくは５０万～１２０万である。
　第２実施形態において、粘着剤層のクリープ量は、架橋剤の種類や量、およびモノマーの種類や量で、せん断貯蔵弾性率を調整することにより増減できる。
　第２実施形態の粘着剤層におけるエネルギー線硬化性化合物、架橋剤、光重合開始剤、その他の添加剤は、第１実施形態と同様とすることができる。
　また、第２実施形態における基材、緩衝層、剥離シート、および半導体装置の製造方法も、第１実施形態と同様とすることができる。
　粘着テープの製造方法については、緩衝層を設けても設けなくてもよいとする他は、第１実施形態と同様とすることができる。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
＜実施例１～６および比較例１＞
　実施例１～６および比較例１における測定方法、評価方法は以下のとおりである。
 ［ヤング率］
　基材のヤング率は、引張試験機を用いて引張試験を行い、得られた引張強度と伸びのチャートから算出した。具体的には、基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる幅１５ｍｍ×長さ１５０ｍｍ×厚み５０μｍの測定用フィルムを準備した。測定用フィルムの延伸可能部が１００ｍｍになるように引張・圧縮試験機（エー・アンド・デイ社製、製品名「テンシロン」）に設置した。そして、２３℃、試験スピード２００ｍｍ／分で測定を行い、得られたチャートの原点における傾きからヤング率を算出した。
 ［引張貯蔵弾性率及びｔａｎδ］
　実施例１～４及び比較例１で用いた緩衝層形成用組成物からなる、厚さ０．２ｍｍの緩衝層形成膜を第１の剥離シート上に形成し、さらに、当該緩衝層形成膜上に、第２の剥離シートを貼り合わせた。なお、第１、第２の剥離シートは、シリコーン剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ：３８μｍ）を使用した。
　そして、第１の剥離シート側から再度紫外線を照射して、上記緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ０．２ｍｍの試験用緩衝層を形成した。なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、装置名「ＥＣＳ－４０１ＧＸ」）及び高圧水銀ランプ（アイグラフィックス社製、装置名「Ｈ０４－Ｌ４１」）を使用し、ランプ高さ１５０ｍｍ、ランプ出力３ｋＷ（換算出力１２０ｍＷ／ｃｍ）、光線波長３６５ｎｍの照度１６０ｍＷ／ｃｍ２、照射量５００ｍＪ／ｃｍ２の照射条件にて行った。
　作製した試験用緩衝層上の両面の剥離シートを除去した後、幅４ｍｍ×長さ５０ｍｍに切断した試験片を用いて、自動動的粘弾性試験機（オリエンテック社製、製品名「Ｒｈｅｏｖｉｂｒｏｎ　ＤＤＶ－０．１ＦＰ」）により、測定周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／分で、温度範囲－５～１２０℃における、引張貯蔵弾性率及び引張損失弾性率を１０個の試験片について測定した。なお、実施例５，６に関しては、実施例５，６で用いた緩衝層（厚み２７．５μｍのＬＤＰＥ）を積層し、厚さ０．１ｍｍの試験用緩衝層を用いたこと以外は上記と同様の測定を行った。
　各温度の「引張損失弾性率／引張貯蔵弾性率」の値の平均値を、その温度のｔａｎδとして算出し、－５～１２０℃の範囲におけるｔａｎδの最大値を、「緩衝層のｔａｎδの最大値」として表１に示した。
　また、２３℃における引張貯蔵弾性率の平均値をＥ２３、６０℃における引張貯蔵弾性率の平均値をＥ６０、９０℃における引張貯蔵弾性率の平均値をＥ９０とした。
 ［クラック］
　直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウエハに、実施例および比較例で製造した半導体加工用粘着テープを、バックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ－３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付した。レーザーソー（ディスコ社製、装置名「ＤＦＬ７３６１」）を用い、ウエハに格子状の改質領域を形成した。なお、格子サイズは１１ｍｍ×８ｍｍとした。
　次いで、裏面研削装置（ディスコ社製、装置名「ＤＧＰ８７６１」）を用いて、厚さ２０μｍになるまで研削（ドライポリッシュを含む）を行い、ウエハを複数のチップに個片化した。研削工程後にエネルギー線（紫外線）照射を行い、半導体加工用粘着テープの貼付面の反対面にダイシングテープ（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ　Ｄ-１７６）を貼付後、半導体加工用粘着テープを剥離した。その後、個片化されたチップをデジタル顕微鏡で観察し、クラックの発生したチップを数え、クラックのサイズ毎に以下の基準で分類した。なお、クラックのサイズ（μｍ）は、チップの縦方向に沿ったクラックの長さ（μｍ）と、チップの横方向に沿ったクラックの長さ（μｍ）とを対比し、その数値の大きい方とした。
　（基準）
　大クラック：クラックのサイズが５０μｍ超
　中クラック：クラックのサイズが２０μｍ以上５０μｍ以下
　小クラック：クラックのサイズが２０μｍ未満
　また、以下の式に基づき、クラック発生率（％）を算出した。クラック発生率が２．０％以下であり、大クラックの個数が０個、中クラックの個数が１０個以下、小クラックの個数が２０個以下の場合を「良好」、それ以外の場合を「不良」と評価した。
　クラック発生率(％)＝クラックが発生したチップ数／全チップ数×１００
　なお、以下の実施例及び比較例の質量部は全て固形分換算である。
 ［実施例１］
 （１）基材
　基材として、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製　コスモシャイン　Ａ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ）を準備した。
 （２）緩衝層
 （ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成）
　ポリカーボネートジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）を得た。
 （緩衝層形成用組成物の調製）
　上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）５０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）３０質量部、テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）４０質量部、及び、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）１５質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）１．０質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
 （３）粘着剤層
 （粘着剤組成物の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ）に、アクリル系重合体（ｂ）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物の塗工液を調製した。
 （４）粘着テープの作製
　剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが３０μｍの粘着剤層を形成した。
　また、別の剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、緩衝層形成用組成物を塗布し、塗布膜を形成した。次いで、この塗布膜に対して、紫外線を照射し、塗布膜を半硬化して厚さが５３μｍの緩衝層形成膜を形成した。
　なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、装置名「ＵＳ２－０８０１」） 及び高圧水銀ランプ（アイグラフィックス社製、装置名「Ｈ０８－Ｌ４１」） を使用し、ランプ高さ２３０ｍｍ、出力８０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度９０ｍＷ／ｃｍ２、照射量５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
　そして、形成した緩衝層形成膜の表面と、基材とを貼り合わせ、緩衝層形成膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ５３μｍの緩衝層を形成した。なお、上記の紫外線照射は、上述の紫外線照射装置及び高圧水銀ランプを使用し、ランプ高さ２２０ｍｍ、換算出力１２０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度１６０ｍＷ／ｃｍ２、照射量３５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
　その後、基材の緩衝層が形成された面の反対面に、粘着剤層を貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを作製した。
 ［実施例２］
　緩衝層形成用組成物の調製において、ＤＰＨＡの配合量を２０質量部に変更した他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
 ［実施例３］
　緩衝層形成用組成物の調製において、ＤＰＨＡに代えて、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ、トリエステル５７％、新中村化学工業社製、製品名「Ａ－ＴＭＭ－３ＬＭ－Ｎ」）２０質量部を用いた他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
 ［実施例４］
　緩衝層形成用組成物として、以下の緩衝層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
 （ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成）
　ポリエステルジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）を得た。
 （緩衝層形成用組成物の調製）
　ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）５０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）４０質量部、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）２０質量部、及び、ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）１０質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）１．０質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
 ［実施例５］
　緩衝層として低密度ポリエチレンフィルム（厚み：２７．５μｍ）を準備した。
　実施例１と同様の基材を用い、当該基材の両面に当該緩衝層をドライラミネート法により積層し、ＬＤＰＥ／ＰＥＴ／ＬＤＰＥの順に積層された基材と緩衝層との積層体を得た。
　得られた積層体に、実施例１と同様にして粘着剤層を貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを得た。
 ［実施例６］
　粘着剤層の厚みを６０μｍとした他は、実施例５と同様にして粘着テープを得た。
 ［比較例１］
　緩衝層形成用組成物として、以下の緩衝層形成用組成物を用いた他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
 （緩衝層形成用組成物の調製）
　ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）５０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）４０質量部、及び、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）２０質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）１．０質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上の結果から、本発明に係る半導体加工用粘着テープによれば、クラックの発生を低減できることが分かる。特に、本発明に係る半導体加工用粘着シートは、大クラック及び中クラックの発生個数を低減できる。大クラックまたは中クラックを有するチップは、半導体装置の製造工程においてクラックが進行し破損する可能性が高い。したがって、本発明に係る粘着テープを用いると、半導体装置の生産性に優れることが分かる。
＜実施例７～１７および比較例２～６＞
　実施例７～１７および比較例２～６における測定方法、評価方法は以下のとおりである。
 ［せん断貯蔵弾性率Ｇ’］
　緩衝層のせん断貯蔵弾性率Ｇ’は、粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｏｒｉｃｓ社製 ＤＹＮＡＭＩＣ　ＡＮＡＬＹＺＥＲ　ＲＤＡ■）を用いて、実施例７～１７及び比較例２～６で用いた粘着剤組成物の溶液から形成された単層の粘着剤を積層させたサンプルを下記の条件下で測定した。
・サンプルサイズ：直径８ｍｍ×厚さ３ｍｍ
・測定温度：３０℃及び６０℃
・測定周波数：１Ｈｚ
 ［クリープ量（Ｃ）］
　ＪＩＳＺ０２３７（２００９）に準拠して、幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍに切り出した粘着テープを保持力試験用の被着体（ＳＵＳ３０４）の標線に併せて、貼付面積が幅２５ｍｍ×長さ２５ｍｍとなるように貼付（２ｋｇロール、５往復）して試験サンプルとし、その後、保持力試験機を用い、３０℃及び６０℃環境下、１ｋｇの錘で荷重（９．８Ｎ）をかけて保持力を測定した。なお、試験時間は１００００秒とし、その際のズレ量をクリープ量（Ｃ）［μｍ］とした。
 ［厚み（Ｎ）］
　基材（基材を構成する樹脂フィルム）の厚みは、ＪＩＳＫ７１３０に準じて、定圧厚さ測定器（テクロック社製、製品名「ＰＧ－０２」）を用いて測定した。粘着剤層の厚み（Ｎ）は、シリコーン剥離処理を行ったＰＥＴフィルムが付いた状態の表面保護シートの厚みを測定し、その厚みから基材及びシリコーン剥離処理を行ったＰＥＴフィルムの厚みを減じた値［μｍ］である。
 ［（Ｎ）×（Ｃ）］
　粘着剤層の厚み（Ｎ）と上記クリープ試験により得られた粘着剤層のクリープ量（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）を算出した。
 ［ダイシフト及びクラック発生率］
　直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウエハに実施例および比較例で製造した半導体加工用粘着シートをリンテック製　ＲＡＤ－３５１０Ｆ／１２にて貼付し、ディスコ社製　ＤＦＬ７３６１を用い、チップサイズ１１ｍｍ×８ｍｍにステルスダイシングした。次いで、ディスコ社製ＤＧＰ８７６１を用いて、厚さ２０μｍになるまで研削（ドライポリッシュ）を行った。次いで、リンテック社製ＲＡＤ－２７００Ｆ／１２を用い、エネルギー線（紫外線）照射を行い、半導体加工用粘着シートの貼付面の反対面にダイシングテープ（Ａｄｗｉｌｌ　Ｄ-８２１ＨＳ、リンテック社製）を貼付後、半導体加工用粘着シートを剥離した。その後、分割されたチップをデジタル顕微鏡（キーエンス社製　ＶＨＸ－１０００）で観察し、下記のとおりダイシフトの大きさおよびクラック発生率を評価した。
 （ダイシフトの大きさ）
　図１に示すように、デジタル顕微鏡にて、半導体ウエハ１０の外周部４点（Ａ～Ｄ）および中心部１点（Ｅ）を観察した。点Ａにおいて、隣り合う４つのチップ１１のカーフ幅Ｌ１～Ｌ４を測定し、その平均値Ａａｖｅ［（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４）／４］を算出した。同様に、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点におけるカーフ幅Ｌ１～Ｌ４の平均値Ｂａｖｅ、Ｃａｖｅ、Ｄａｖｅ、Ｅａｖｅをそれぞれ算出した。外周部のＡａｖｅ、Ｂａｖｅ、Ｃａｖｅ、Ｄａｖｅの平均値［（Ａａｖｅ＋Ｂａｖｅ＋Ｃａｖｅ＋Ｄａｖｅ）／４］をα、中心部のＥａｖｅをβとしたときの、α／βの値に基づき、下記の基準でダイシフトの大きさを評価した。
○：α／β≦３．０
△：３．０＜α／β≦５．０
×：５．０＜α／β
 （クラック発生率）
　個片化されたチップをデジタル顕微鏡で観察し、クラックの発生したチップを数え、下式によりクラック発生率を算出し、下記の基準で評価した。
　クラック発生率（％）＝クラックが発生したチップ数／全チップ数×１００
○：クラック発生率≦２．０％
△：２．０％＜クラック発生率≦３．０％
×：３．０％＜クラック発生率
 ［実施例７］
 （１）基材
　基材として、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製　コスモシャイン　Ａ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ、破断強度：５５.３ＭＪ／ｍ３）を準備した。
 （２）積層体（基材および緩衝層）
　緩衝層として低密度ポリエチレンフィルム（厚み：２７．５μｍ）を準備した。
　基材の両面に当該緩衝層をドライラミネート法により積層し、ＬＤＰＥ／ＰＥＴ／ＬＤＰＥの順に積層された基材と緩衝層との積層体（Ａ１）を得た。
 （３）粘着剤層
 （粘着剤組成物Ｂ１の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）４０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）３０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ１）に、アクリル系重合体（ｂ１）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３５質量％の粘着剤組成物の塗工液（Ｂ１）を調製した。
 （４）粘着テープの作製
　剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが４０μｍの粘着剤層を形成した。
　その後、積層体（Ａ１）と粘着剤層を貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを作製した。
 ［実施例８］
　粘着剤層の厚みを２０μｍに変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［実施例９］
　粘着剤層の厚みを６０μｍに変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［実施例１０］
　粘着剤組成物を下記Ｂ２に変更し、粘着剤層の厚みを３０μｍに変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （粘着剤組成物Ｂ２の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）７３質量部、ジメチルメタクリレート（ＤＭＭＡ）1０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）１７質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ２）に、アクリル系重合体（ｂ２）の全水酸基のうち８３モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物（Ｂ２）の塗工液を調製した。
 ［実施例１１］
　粘着剤層の厚みを４０μｍに変更した他は、実施例１０と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［実施例１２］
　粘着剤組成物を下記Ｂ３に変更し、粘着剤層の厚みを３０μｍに変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （粘着剤組成物Ｂ３の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）７３質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）８質量部、アクリル酸（ＡＡ）３重量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）５質量部を共重合しアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを４０質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物（Ｂ３）の塗工液を調製した。
 ［実施例１３］
　粘着剤組成物を下記Ｂ４に変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （粘着剤組成物Ｂ４の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）３２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）４０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ１）に、アクリル系重合体（ｂ１）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３５質量％の粘着剤組成物の塗工液（Ｂ４）を調製した。
 ［実施例１４］
　積層体を下記Ａ２に変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （１）基材
　基材として、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製　コスモシャイン　Ａ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ、破断強度：５５.３ＭＪ／ｍ３）を準備した。
 （２）緩衝層
 （ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成）
　ポリカーボネートジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）を得た。
 （緩衝層形成用組成物の調製）
　上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）５０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）３０質量部、テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）４０質量部、及び、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）１５質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）１．０質量部を配合し、緩衝層形成用組成物（ａ２）を調製した。
　また、別の剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、緩衝層形成用組成物（ａ２）を塗布し、塗布膜を形成した。次いで、この塗布膜に対して、紫外線を照射し、塗布膜を半硬化して厚さが５３μｍの緩衝層形成膜を形成した。
　なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、装置名「ＵＳ２－０８０１」） 及び高圧水銀ランプ（アイグラフィックス社製、装置名「Ｈ０８－Ｌ４１」） を使用し、ランプ高さ２３０ｍｍ、出力８０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度９０ｍＷ／ｃｍ２、照射量５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
　そして、形成した緩衝層形成膜の表面と、基材とを貼り合わせ、緩衝層形成膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ５３μｍの緩衝層を形成し、積層体（Ａ２）とした。なお、上記の紫外線照射は、上述の紫外線照射装置及び高圧水銀ランプを使用し、ランプ高さ２２０ｍｍ、換算出力１２０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度１６０ｍＷ／ｃｍ２、照射量３５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
 ［実施例１５］
　粘着剤組成物をＢ２に変更した他は、実施例１４と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［実施例１６］
　粘着剤組成物を下記Ｂ５に変更し、粘着剤層の厚みを３０μｍに変更した他は、実施例１４と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （粘着剤組成物Ｂ５の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ）に、アクリル系重合体（ｂ）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物の塗工液（Ｂ５）を調製した。
 ［実施例１７］
　粘着剤組成物を下記Ｂ６に変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 （粘着剤組成物Ｂ６の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）７４質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）６質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ１）に、アクリル系重合体（ｂ１）の全水酸基のうち５０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を０．２質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、トルエンで希釈し、固形分濃度３５質量％の粘着剤組成物の塗工液（Ｂ６）を調製した。
 ［比較例２］
　粘着剤層の厚みを８０μｍに変更した他は、実施例７と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［比較例３］
　粘着剤層の厚みを６０μｍに変更した他は、実施例１０と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［比較例４］
　粘着剤層の厚みを４５μｍに変更した他は、実施例１２と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［比較例５］
　粘着剤層の厚みを６０μｍに変更した他は、実施例１２と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
 ［比較例６］
　粘着剤層の厚みを８０μｍに変更した他は、実施例１４と同様にして半導体加工用粘着テープを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
１０　半導体ウエハ
１１　チップ

Claims (4)

  1. 　２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
    　前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である、半導体加工用粘着テープ。
  2. 　前記粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であり、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 　前記粘着剤層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
  4. 　請求項１～３のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
    　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
    　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
    　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
    　を備える半導体装置の製造方法。
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