KR102660802B1 - 웨이퍼 처리용 점착 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 웨이퍼 처리용 점착 필름은, 상부 기재층 및 하부 기재층을 포함하는 다층 기재; 상기 상부 기재층 위에 배치된 제1 점착층; 및 상기 상부 기재층 및 하부 기재층 사이에 배치된 제2 점착층;을 포함하고, 상기 웨이퍼 처리용 점착 필름은 인장강도가 70~150 MPa의 범위를 만족하며, 상기 제1 점착층 및 제2 점착층의 유동성을 조절함으로써, 이면 연삭 공정 중 발생하는 응력(전단 응력)을 감소 또는 제거하여, 웨이퍼의 파손을 방지하고, 컬(curl)을 억제하면서, 개편화된 반도체 칩(chip)의 이동 또는 충돌과 크랙(crack) 현상을 방지하여 공정성이 매우 우수하다.

Description

웨이퍼 처리용 점착 필름 {ADHESIVE FILM FOR WAFER PROCESSING}
본 발명은 웨이퍼의 이면 연삭(wafer back grinding 또는 wafer lapping 또는 wafer thinning) 공정에서 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여 사용되는 점착 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 웨이퍼 이면 연삭 가공 진행 중 발생하는 응력을 감소 또는 제거하여 가공성이 매우 우수한 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름에 관한 것이다.
최근 기술의 발달에 따라, 반도체 칩의 소형화, 고밀도화 및 박형화가 요구되며, 이에 따라, 웨이퍼에 대해서도 박형화가 요구된다. 웨이퍼 칩의 박형화를 위한 대표적인 방법은 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께를 감소시켜, 박형화를 달성한다.
이와 같은 이면 연삭 공정 중에는 온도상승과 함께 전단 및 압축응력(진동, 충격 등)이 발생하게 되므로, 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여, 웨이퍼 처리용 점착 필름을 부착한 상태에서 웨이퍼의 이면 연삭 공정을 진행한다.
일반적으로 공지된 웨이퍼의 이면 연삭 공정 방법으로는, 종래부터 사용되어온 방법으로서 웨이퍼 이면을 먼저 연삭한 후 박막화된 웨이퍼를 칩 사이즈에 맞게 분할하는 방법('선(先) 연삭법') 및 최근 적용하는 방법으로서 웨이퍼에 미리 홈을 형성한 후 이면을 연삭하여 칩을 개편화하는 방법('선 다이싱법'또는 'DBG(Dicing Before Grinding)') 등이 주로 적용되고 있다.
선 연삭법으로 이면 연삭할 경우, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름은 연질의 기재와 기재의 일면에 웨이퍼와 부착되는 점착층을 갖거나 혹은, 경질의 기재와 기재의 일면에 웨이퍼와 부착되는 점착층을 갖는 동시에 점착층의 반대면에 충격을 완화할 수 있는 연질의 완충층을 갖는 형태가 대표적으로 적용되어왔다. 그러나, 연질의 기재를 사용하거나 경질의 기재와 연질의 완충층을 기재층으로 사용하게 되면, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름 전체의 강도를 저하시켜, 웨이퍼에 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 부착할 때 작용한 장력이 해소되지 않아 필름에 잔류응력이 남게 된다. 이러한 응력이 잔류하는 상태에서 선 연삭법으로 웨이퍼를 박막화하게 되면, 연삭이 완료된 웨이퍼에 잔류 응력에 의해 점착필름이 부착된 방향으로 컬(curl)이 발생하여 이후 웨이퍼를 분할할 때 웨이퍼 고정용 지그에 흡착이 불가하게 되어 분할 공정이 불가한 상태가 된다. 나아가, 컬이 매우 심한 경우, 웨이퍼 자체가 파손될 수도 있다.
한편, 선 다이싱법으로 이면 연삭할 경우, 칩의 개편화 이후에 연삭 공정에서 발생하는 전단 응력이 가해지게 된다. 전단 응력의 영향으로 점착층의 유동성에 의한 칩의 이동이 발생할 수 있고, 칩의 이동으로 인해 칩 끼리 충돌하여 생기는 크랙(crack) 불량이 발생할 수 있다.
특히 최근에는 레이저 빔을 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술인'SDBG(Stealth DBG) 공법'이 도입되면서 칩의 개편화 이후 칩 사이의 거리('커프 폭(kerf width)'이라고도 함)가 매우 좁아지게 됨에 따라, 칩의 이동 억제가 기술적으로 중요해지고 있다.
본 발명은 웨이퍼 이면 연삭 공정 중의 웨이퍼의 표면의 보호 효과(완충 효과)가 우수하면서도, 공정 중 발생하는 응력(전단 응력)을 감소 또는 제거하여, 웨이퍼의 파손을 방지하고, 웨이퍼에 잔류 응력에 의해 점착필름이 부착된 방향으로 발생되는 컬(curl)을 억제하면서, 개편화된 반도체 칩(chip)의 이동 또는 충돌과 크랙(crack) 현상을 방지함으로써, 가공성이 매우 우수한 웨이퍼 처리용 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름은, 상부 기재층 및 하부 기재층을 포함하는 다층 기재; 상기 상부 기재층 위에 배치된 제1 점착층; 및 상기 상부 기재층 및 하부 기재층 사이에 배치된 제2 점착층;을 포함하고, 상기 웨이퍼 처리용 점착 필름은 인장강도가 70~150 MPa의 범위를 만족하며, 상기 제1 점착층 및 제2 점착층은 하기 식 1 및 식 2를 만족할 수 있다.
[식 1] 0.2 ≤ C1/C2 ≤ 1.4
상기 식 1에서, C1은 제1 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2는 제2 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이다.
[식 2] 0.2 ≤ C1′/C2′ ≤ 1.4
상기 식 2에서, C1′은 제1 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2′은 제2 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이다.
상기 식 1 및 식 2에서 상기 C1 및 C1′은 30~200㎛일 수 있고, C2 및 C2′은 50~350㎛일 수 있다.
상기 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은 20~150㎛일 수 있다.
상기 제1 점착층은 UV 경화성 점착 조성물로 형성될 수 있다.
상기 제2 점착층은 열경화성 점착 조성물로 형성될 수 있다.
상기 제2점착층의 30℃ 및 60℃의 온도에서 전단 저장 탄성률은 0.02~1.0 MPa일 수 있다.
상기 하부 기재층 및 상부 기재층은 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤 및 2 축 연신 폴리프로필렌으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트 재질일 수 있다.
상기 상부 기재층의 상부면, 상기 상부 기재층의 하부면 및 상기 하부 기재층의 상부면 중 적어도 하나의 면에는 프라이머층이 추가로 포함될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 처리용 점착 필름을 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용시, 웨이퍼의 표면의 보호 효과(완충 효과)가 우수하다.
본 발명의 웨이퍼 처리용 점착 필름은 이면 연삭 공정시 발생하는 응력을 감소 또는 억제함으로써, 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 처리용 점착 필름은 웨이퍼에 잔류 응력에 의해 점착필름이 부착된 방향으로 발생되는 컬(curl)을 억제할 수 있으며, 개편화된 반도체 칩(chip)의 이동 또는 충돌과 크랙 현상을 방지하여, 웨이퍼 가공성 및 제조되는 반도체 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 본 기술분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. 상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 양태에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실험예 5의 칩(chip) 간 거리(=커프 폭) 측정 방법을 간략히 설명하기 위한 모식도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
본 명세서에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 "일면", "타면", "양면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
본 명세서서의 기재 중 "(메트)아크릴레이트"는 "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"를 포괄하는 용어로서 사용되는 것이며, 이와 유사한 용어에 대해서도 동일하다.
이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름(100)을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름은 다층 기재(110)와, 다층 기재의 상부 기재층(112) 위에 배치된 제1 점착층(120) 및 상기 상부 기재층(112) 및 하부 기재층(111) 사이에 배치된 제2 점착층(115)를 포함한다.
제1 점착층(120)은 웨이퍼 표면에 부착되어 웨이퍼를 고정시키는 역할을 하며, 제2 점착층(115)은 상부 기재층(112)과 하부 기재층(111)의 사이에 배치되어 이면 연삭시 가해지는 진동 및 충격을 완화하는 완충층으로 작용할 수 있다.
특히, 본 발명자들은 예의 연구한 결과, 상부 기재층(112)과 하부 기재층(111)을 강성 기재로 형성함으로써, 웨이퍼 처리용 점착 필름(100)의 인장 강도를 증가시켜 이면 연삭 공정시 잔류 응력을 억제할 수 있고, 제2 점착층(115)은 이면 연삭 공정시 발생하는 충격을 완화시킬 수 있음을 확인하였다. 다만, 웨이퍼 처리용 점착 필름(100)의 인장 강도가 지나치게 높아지게 되면, 이면 연삭 공정에 사용할 수 없을 정도로 너무 단단한 구조가 될 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 본 발명의 웨이퍼 처리용 점착 필름(100)의 인장 강도는 70~150 MPa인 것이 바람직하고, 70~120 MPa인 것이 보다 바람직하며, 70~100 MPa인 것이 가장 바람직하다.
또한, 본 발명에서는 제1 점착층(120)과 제2 점착층(115)의 유동 정도를 적절히 조절함으로써, 이면 연삭 공정시의 응력으로 인해 개편화된 반도체 칩이 이동하는 문제와 반도체 칩끼리 충돌하여 발생하는 크랙 현상의 문제를 해결하여 공정성을 현저히 향상시킬 수 있다는 점도 실험적으로 확인하였다.
구체적으로, 제1 점착층(120)과 제2 점착층(115)의 유동 정도를 조절하기 위한 수단으로서, 제1 점착층(120) 및 제2 점착층(115) 각각의 30℃ 및 60℃(이면 연삭 공정시 상승되는 최대 온도)에서 각각의 크리프량(단위: ㎛)을 측정하여 이들의 비율이 특정 범위에 속하도록 할 수 있으며, 바람직하게는 하기 식 1 및 식 2의 범위를 만족할 수 있다.
[식 1] 0.2 ≤ C1/C2 ≤ 1.4
상기 식 1에서, C1은 제1 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2는 제2 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이다.
[식 2] 0.2 ≤ C1'/C2' ≤ 1.4
상기 식 2에서, C1'은 제1 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2'는 제2 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이다.
본 발명에서 크리프량을 측정하기 위한 점착층 샘플은, 측정 대상 점착층을 형성하기 위한 점착 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)에 도포하고 100℃에서 4분간 건조한 다음, 40℃의 온도 및 50%의 상대습도로 유지되는 항온·항습 장치에서 3일간 숙성시켜 제작하였다. 이후, 제작된 점착층 샘플을 15mm×120mm 크기로 자르고, 크리프량 측정용 피착재(SUS, Glass등)에 부착 면적이 15mm×15mm가 되도록 부착하고 만능물성분석기(장비명: TA.XT Plus_Stable Micro Systems)를 이용하여, 30℃ 및 60℃ 환경 하에서, 1.5kg의 힘을 1,000초 동안 가하였을 때, 점착층이 힘을 가한 방향으로 변형된 길이(㎛)를 크리프량으로 하였다.
또한, 상기 식 1 및 식 2의 C1, C2, C1'및 C2'의 값은, 바람직하게는 제1 점착층에 관한 상기 C1 및 C1'은 30~200㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 30~160㎛일 수 있으며, 가장 바람직하게는 70~160㎛일 수 있다. 또한, 바람직하게는 제2 점착층에 관한 상기 C2 및 C2'은 50~350㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 50~320㎛일 수 있으며, 가장 바람직하게는 80~320㎛일 수 있다.
상기 식 1 및 식 2의 C1, C2, C1'및 C2'의 값이 각각 바람직한 하한치 보다 작아지면, 점착층 자체 응집력이 매우 높다는 것을 의미하므로, 피착재에 대한 밀착력이 낮아지고, 전단 응력에 대한 저항성이 낮아지게 되며, 나아가, 제2 점착층에 관한 C2 및 C2'은 하한치보다 작아지면, 제2 점착층의 전단 저장 탄성률이 너무 높아져서 완충층으로서 충분히 기능할 수 없게 되는 문제점이 있으며, 한편, 바람직한 상한치 보다 커지면, 점착층의 유동성이 높아져서 칩의 이동 및 이로 인한 크랙 불량 문제가 발생할 수 있다,
본 발명의 제1 점착층(120)과 제2 점착층(115)의 두께는 한정되는 것은 아니지만, 각각 10~100㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
또한, 제1 점착층(120)과 제2 점착층(115)의 두께의 합은 20~150㎛일 수 있고, 보다 바람직하게는 80~150㎛일 수 있다. 제1 점착층(120)과 제2 점착층(115)의 두께의 합이 20㎛ 미만이면 전단 응력에 의한 진동 및 충격을 흡수하지 못하여 크랙 불량이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 150㎛ 초과이면 크리프량의 증가로 인해 칩의 이동 및 이로 인한 크랙 불량이 발생하는 문제가 있을 수 있다.
이하에서는, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 각 층에 대해 상세하게 설명한다.
<다층 기재>
다층 기재(110)는 하부 기재층(111), 상부 기재층(112) 및 제2 점착층(115)을 포함한다. 제1 점착층(120)은 상부 기재층(112) 위에 배치되고, 제2 점착층(115)은 하부 기재층(111)과 상부 기재층(112) 사이에 배치된다. 본 발명에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름에서 다층 기재는 제2 점착층(115)이 하부 기재층(111)과 상부 기재층(112) 사이에 배치된 샌드위치 구조를 갖는다.
하부 기재층(111)과 상부 기재층(112)은 높은 인장 탄성률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)은 1,000MPa 이상, 예를 들어 1,200MPa 이상, 1,500MPa 이상, 2,000MPa 이상의 인장 탄성률을 가질 수 있고, 3,000MPa 이상인 것이 가장 바람직하다.
상부 기재층(112) 및 하부 기재층(111)의 인장 타성률이 1,000MPa 미만으로 상대적으로 낮은 경우 웨이퍼 또는 개편화된 반도체 칩의 지지력이 낮아, 백그라인딩 공정에서 반도체 칩의 충돌이 발생할 가능성이 있다.
본 발명에서는 웨이퍼가 점착되는 쪽의 상부 기재층(112) 뿐만 아니라 하부 기재층(111)도 강성 기재로 적용함으로써, 웨이퍼 처리용 점착 필름의 인장 강도가 70 MPa 이상을 만족할 수 있게 되는 것이며, 인장 강도가 70 MPa 이상이 되면, 이면 연삭 공정시 강한 응력에 대해서도 저항성을 가져 공정성을 향상시킬 수 있다.
하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)은 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리카보네이트(PC), 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2 축 연신 폴리프로필렌(Oriented Poly-propylene)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
바람직하게는 하부 기재층(111)과 상부 기재층(112)은 동일한 재질일 수 있다. 예컨대 상기 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)은 3,000MPa 이상의 인장 탄성률을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질일 수 있다.
하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)은 동일한 두께를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)은 각각 약 10~150㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다. 한편, 본 발명에서는 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)이 높은 인장 탄성률을 가지므로, 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112), 특히 상부 기재층(112)의 두께가 너무 두꺼울 경우에는 이면 연삭 공정시 발생하는 충격에 취약할 수 있다. 이에 하부 기재층(111) 및 상부 기재층(112)의 두께는 각각 약 150㎛ 이하로 정해지는 것이 바람직하다.
한편, 필요에 따라 하부 기재층(111) 및/또는 상부 기재층(112)에는 커플링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제 등 각종 첨가제가 소량 포함될 수 있다.
<제1 점착층>
도 1에서 제1 점착층(120)은 웨이퍼와 점착되는 부분이다. 제1 점착층(120)은 상온에서 적당한 점착성을 갖는 한 특별히 한정은 되지 않으며, 공지된 UV 경화성 점착 조성물이 다양하게 적용될 수 있다.
예컨대, 제1 점착층은 아크릴계, 우레탄계, 고무계, 실리콘계 점착 수지를 포함하는 점착 조성물 등으로 형성되지만, 바람직하게는 UV 경화성 아크릴계 점착 수지를 포함하는 점착 조성물(아크릴계 점착 조성물)로 형성될 수 있다.
상기 UV 경화성 아크릴계 점착 수지는 적어도 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머를 중합하여 제조된 것일 수 있고, 상기 모노머의 예시로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, n-헵실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 4-메틸-2-펜틸아크릴레이트 등이 있으며, 알킬(메트)아크릴레이트는 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다.
필요에 따라 아크릴계 점착 조성물의 점착 특성 조절을 위해 알킬(메트)아크릴레이트 모노머 외에, 관능기 함유하는 모노머를 더 포함하여 중합시킬 수 있다. 상기 관능기의 예로는, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등이 있다.
하이드록실기 함유 모노머로는, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 또는 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 등이 있다.
관능기를 함유하는 모노머를 포함하여 중합한 아크릴계 점착 조성물의 경우, 광 중합성 불포화기를 갖는 화합물을 추가로 반응시켜 제조할 수도 있다. 불포화기를 갖는 화합물은 아크릴계 점착 조성물 내의 관능기와 결합 가능한 치환기 및 광 중합성 불포화기를 모두 갖는 화합물이다. 광 중합성 불포화기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있고, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
또한, 불포화기를 갖는 화합물에서, 관능기와 결합 가능한 치환기로는, 이소시아네이트, 글리시딜기 등이 있다. 예컨대, 불포화기를 갖는 화합물로는, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등이 있다.
제1 점착 조성물은 가교제, 광 중합 개시제 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
UV 경화 가교제로는, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 가교제 또는 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시 가교제 또는 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 또는 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 등이 있다.
광 중합 개시제로는 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스피녹사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물이 있으며, 그 예로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티롤니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로르안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등이 있다.
제1 점착층(120)의 두께는 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 10~100㎛ 정도가 될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 처리용 점착 필름(100)을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 다층 기재의 상부 기재층(112)의 상부면에 프라이머층(113)이 추가로 포함될 수 있다. 이러한 프라이머층(113)은 제1 점착층(120)과 다층 기재(110) 간의 부착력을 향상시키기 위한 것일 수 있다.
프라이머층(113)은 상부 기재층(112)의 상부면, 즉 제1 점착층(120)이 형성되는 면에 별도의 층으로 형성될 수 있다. 다른 예로, 프라이머층(113)은 상부 기재층(112)의 상부면의 개질에 의해 형성될 수 있다.
도 2에서는 프라이머층(113)이 상부 기재층(112)의 상부면에 형성된 예를 나타내었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 상부 기재층(112)의 하부면이나 하부 기재층(111)의 상부면에도 프라이머층이 형성될 수 있다.
도 2에 도시되지 않았으나, 제1 점착층의 상면에 구비되어 상기 점착층에 의해 점착된 이형 필름을 더 포함할 수 있다. 상기 이형 필름은 일면이 이형처리될 수 있다. 상기 이형처리는 당업계에서 통상적으로 이형처리에 사용할 수 있는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 실리콘으로 이형처리 하는 것이 바람직하다.
<제2 점착층>
본 발명에서 제2 점착층(115)은 상부 기재층(112) 및 하부 기재층(111) 사이에 배치되는 점착층이며, 웨이퍼 가공시 웨이퍼의 표면을 보호하기 위한 완충 효과가 높은 완충층 혹은 충격 흡수층으로서 기능할 수 있다.
본 발명에 따른 제2 점착층은 열경화성 수지 조성물로 형성될 수 있으며, 공지된 열경화성 점착 조성물이 다양하게 적용될 수 있으며, 바람직하게는 열경화성 아크릴계 점착 수지를 포함하는 점착 조성물을 사용할 수 있다.
상기 열경화성 아크릴계 점착 수지는 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머를 중합하여 제조된 것일 수 있고, 필요에 따라 점착 특성 조절을 위해 알킬(메트)아크릴레이트 모노머 외에, 관능기 함유하는 모노머를 더 포함하여 중합시킬 수 있다. 상기 관능기의 예로는, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등이 있다.
열경화성 아크릴계 점착 조성물에 이용가능한 아크릴레이트 화합물로서는 (메타)아크릴레이트, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트와 같은 알킬(메트)아크릴레이트, 비-우레탄계 다관능 (메타)아크릴레트 등일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제2 점착 조성물은 열경화제를 더 포함할 수 있고, 예컨대 이소시아네이트계 열경화제, 카르보디이미드계 열경화제, 옥사졸린계 열경화제, 에폭시계 열경화제, 아지리딘계 열경화제, 과산화물계 열경화제 등일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 점착 조성물의 점착수지 100 중량부에 대하여 열경화제를 2 중량부 이하로 포함될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 제2 점착층(115)은 완충층으로서 기능하므로, 낮은 전단 저장 탄성률을 가질수록 완충 효과가 우수하여 웨이퍼의 표면을 효과적으로 보호할 수 있다. 반면, 낮은 전단 저장 탄성률을 갖는 완충층의 경우 이면 연삭 공정 시 온도 상승에 의해 완충층이 고온에서 흐르거나 두께가 불균일해지는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 제2 점착층(115)은 30℃ 및 60℃의 온도에서 전단 저장 탄성률은 바람직하게는 0.02~1.0 MPa일 수 있고, 보다 바람직하게는 0.02~0.5 MPa일 수 있고, 가장 바람직하게는 0.02~0.2 MPa일 수 있다.
상기 제2 점착층(115)은 10℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 가질 수 있으며, 바람직하게는 -35~10℃ 사이의 유리전이온도를 가질 수 있으며, 보다 바림직하게는 -30~8℃ 사이의 유리전이온도를 가질 수 있다. 이러한 제2 점착층의 낮은 유리전이온도에 의해 강한 점착력을 가질 수 있고, 그 결과 웨이퍼 이면 연삭 공정의 온도가 상온부터 최대 90℃으로 상승시키더라도, 상부 기재층(112) 및 하부 기재층(111)가 분리되는 현상을 방지할 수 있다. 다만, -35℃ 미만의 지나치게 낮은 유리전이온도를 가질 경우 웨이퍼 이면 연삭 공정에서 발생하는 열과 압력에 의하여 제2 점착 조성물이 흐르게 되어 웨이퍼를 오염시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야의 통상의 기술자라면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
[제조예 1] 점착 조성물 A1의 제조
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 n-부틸아크릴레이트(BA) 27g, 메틸아크릴레이트(MA) 48g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다.
이어서, 상기 단량체 혼합물 100 중량부에 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100 중량부를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 50℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 아조비스이소부티로니트릴 0.1 중량부 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 24시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 24.6중량부 및 MOI 대비 1 중량부의 촉매(DBTDL: dibutyl tin dilaurate)를 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 중량 평균 분자량 60만의 아크릴계 수지를 얻었다.
상기 조작에 의해 얻어진 중합액(아크릴계 폴리머. 함유량: 100중량부)에, 광중합 개시제로서 이르가큐어(Irgacure) 184(BASF사제, 상품명)를 0.1 중량부를 배합하고, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 2 중량부를 첨가하여, 점착 조성물 A1을 얻었다.
[제조예 2] 점착 조성물 A2의 제조
점착 조성물 A1 제조과정 중 n-부틸 아크릴레이트(BA) 45g, 메틸 아크릴레이트(MA) 30g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25g로 구성되는 단량체들의 혼합물로 변경하였고, 이소시아네이트계 가교제 (「코로네이트 C」)를 1중랑부로 변경한 것 외에는 점착 조성물 A1과 동일하게 제조하였다.
[제조예 3] 점착 조성물 B1의 제조
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 n-부틸아크릴레이트(BA) 33g, 메틸아크릴레이트(MA) 50g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 10g, 2-에틸헥실아크릴레이트(EHA) 10g으로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다.
이어서, 상기 단량체 혼합물 100중량부에 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100 중량부를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 50℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 아조비스이소부티로니트릴 0.1 중량부 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 24시간 중합하여 평균 분자량 50만의 아크릴계 수지를 얻었다.
상기 조작에 의해 얻어진 중합액 (아크릴계 폴리머, 함유량: 100 중량부)에, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 1.5 중량부를 첨가하여, 점착 조성물 B1을 얻었다.
[제조예 4] 점착 조성물 B2의 제조
점착 조성물 A1 제조과정 중 n-부틸아크릴레이트(BA) 50g, 메틸아크릴레이트(MA) 20g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 8g, 2-에틸헥실아크릴레이트(EHA) 22g으로 구성되는 단량체들의 혼합물로 변경하였고, 이소시아네이트계 가교제 (「코로네이트 C」)를 0.5 중랑부로 변경한 것 외에는 점착 조성물 A1과 동일하게 제조하였다.
[실시예 1]
제조예 1의 점착 조성물 A1을 이형처리 된 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 두께 50㎛) 상에 두께가 30㎛가 되도록 도포 후 두께 50㎛의 이축 연신 PET 필름(상부 기재층)을 접합하여 두께가 130㎛ 제1 점착층을 가지는 복합 필름을 제작하였다.
이어서 제조예 3의 점착제 조성물 B1을 두께 25㎛의 이축 연신 PET 필름(하부 기재층)상에 두께가 50㎛가 되도록 도포하여 두께가 75㎛인 제2 점착층을 가지는 복합 필름을 제작 하였다.
상기 제1 점착층을 가지는 복합 필름에 제2 점착층을 가지는 복합 필름을 접합하여 전체 두께가 205㎛인 웨이퍼 처리용 점착필름을 제작하였다.
[실시예 2~9 및 비교예 1~5]
실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼 처리용 점착 필름을 제작하되, 하기 표 1 ~ 표 3과 같이 점착 조성물의 종류와 두께, 상부 기재층과 하부 기재층의 종류 및 두께를 변경하여, 실시예 2~9 및 비교예 1~5 각각의 웨이퍼 처리용 점착 필름을 제작하였다.
[실험예 1 : 기재층의 인장 탄성률 및 웨이퍼 처리용 점착 필름의 인장 강도]
실시예 1~9 및 비교예 1~5의 상부 기재층, 하부 기재층의 인장 탄성률 및 웨이퍼 처리용 점착 필름의 인장 강도는 15mm×200mm 크기의 시편을 제조하여 만능재료시험기 장비(장비명 : 5566A_Instron)를 이용하여 200mm/분의 속도에서 측정하였으며, 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
[실험예 2 : 제2 점착층의 전단 저장 탄성률]
실시예 1~9 및 비교예 1~5의 제2 점착층의 전단 저장 탄성률은, 제조예 3 및 4의 점착 조성물을 적층하여 직경 8mm, 두께 500㎛의 원형 시편을 제작하여 측정 온도 0~80℃, 승온속도 10/분, 측정주파수 0.796 Hz으로 설정하여 전단 저장 탄성률 측정장치(장비명 : ARES G2_TA Instruments)로 측정하였으며, 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
[실험예 3 : 크리프량]
실시예 1~9 및 비교예 1~5의 제1 점착 조성물 및 제2 점착 조성물 각각을 샘플을 제작하여, 크리프량을 측정하였다. 상기 샘플은, 측정 대상 점착층을 형성하기 위한 점착 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 피착재에 하기 표 1 ~ 표 3에 기재된 제1 점착층 및 제 2점착층의 두께만큼 도포하고 100℃에서 4분간 건조한 다음, 40℃의 온도 및 50%의 상대습도로 유지되는 항온·항습 장치에서 3일간 숙성시켜 제작하였다. 이후, 제작된 점착층 샘플을 15mm×120mm 크기로 자르고, 크리프량 측정용 피착재에 부착 면적이 15mm×15mm가 되도록 부착하고 만능물성분석기(장비명: TA.XT Plus_Stable Micro Systems)를 이용하여, 30℃ 및 60℃ 환경 하에서, 1.5kg의 힘을 1,000초 동안 가하였을 때, 점착층이 힘을 가한 방향으로 변형된 길이(㎛)를 크리프량으로 하였으며, 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
[실험예 4 : 이면 연삭 공정]
직경 8인치, 두께 775㎛을 갖는 웨이퍼의 반도체 회로 면에 다이싱 분할(쏘잉; sawing) 장치(장비명: DFD6341_DISCO)를 이용하여 32.5㎛의 너비를 갖는 블레이드로 5mm×5mm 사이즈로 하프 컷(선 다이싱)을 진행 후, 실시예 1~9 및 비교예 1~5의 웨이퍼 처리용 점착필름을 부착(장비명: DT-ECS2030-SL_Dynatech) 하였다. 이후 웨이퍼의 두께가 50㎛가 될 때까지 이면 연삭 공정(장비명: DGP8760_DISCO)을 실시하였다. 이면 연삭 공정 이후 웨이퍼 처리용 점착 필름 부착된 웨이퍼 이면에 다이싱 테이프를 부착 한 후 웨이퍼 처리용 점착 필름면에 UV A 300 mJ/㎠을 조사한 다음, 웨이퍼 처리용 점착 필름을 제거하여 개편화된 웨이퍼 칩을 얻었다.
[실험예 5 : 칩(chip) 간 거리 (=커프; kerf) 측정]
상기 실험예 4에서 다이싱 테이프에 부착되어 있는 개편화된 웨이퍼 상에서 임의의 웨이퍼 칩 4개의 모서리가 모이는 지점을 측정 개소 P 라고 할 때, P 주위의 4개의 칩 중 이웃하는 칩 사이의 거리를 L (P 1개당 4개의 칩간 거리 측정, L1~L4)이라 한다. 웨이퍼 1장 당 임의의 P를 12곳 선정하여(P1~P12), L1~L48까지 측정하였다(자세한 측정 방법은 도 3 참조). 이 때 L1~L48 중 가장 큰 값과 가장 작은 값의 차이를 칩 간 거리 변화(=커프 변화)로 정의하였다. 실시예 1~9 및 비교예 1~5의 웨이퍼 처리용 점착필름에 대하여 커프 변화를 측정하였으며, 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
[실험예 6 : 칩(chip) 간 크랙 발생율]
상기 실험예 4에서 다이싱 테이프에 부착되어 있는 칩을 현미경으로 관찰하여 크랙을 관찰하였다. 크랙 발생률은 개편화된 모든 웨이퍼 칩 중 크랙이 발생한 칩의 비율을 의미하며, 하기 식 3에 의해 정의하여 계산하여 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
[식 3] 크랙 발생율 (%) = (크랙이 발생한 웨이퍼 칩 개수 / 총 웨이퍼 칩 개수) × 100(%)
[실험예 7 : 컬(curl) 측정]
직경 8인치, 두께 775㎛를 갖는 웨이퍼의 반도체 회로면에 실시예 1~9 및 비교예 1~5의 웨이퍼 처리용 점착 필름을 부착하였다(장비명: DT-ECS2030-SL_Dynatech). 이후 웨이퍼의 두께가 50㎛가 될 때까지 이면 연삭 공정(장비명: DGP8760_DISCO)을 실시하였다.
이면 연삭 공정 이후 점착 필름이 부착된 웨이퍼를 온도 25℃, 상대습도 50%의 환경 하의 수평 테이블 위에 볼록한 부분이 테이블과 맞닿게 놓은 후 수평 테이블로부터 가장 높이 들려진 위치의 높이를 자를 이용하여 측정하였고, 그 길이를 컬(curl)로 정의하였다. 컬의 길이가 10mm 이하이면 양호(○)로, 10mm 초과이면 불량(×)으로 평가하여, 이를 하기 표 1 ~ 표 3에 나타냈다.
실시예
1 		실시예
2 		실시예
3 		실시예
4 		실시예
5
제1 점착층
종류 및 두께 [㎛] 		A1 30 30 60
A2 30 30
제2 점착층
종류 및 두께 [㎛] 		B1 50 50 50 50 50
B2
상부 기재층 종류 및
두께 [㎛] 		PET
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)
하부 기재층 종류 및
두께 [㎛] 		PET
(25)		 PET
(50)		 PET
(25)		 PET
(50)		 PET
(25)
상부 기재층 인장 탄성률[MPa] 3000 3000 3000 3000 3000
하부 기재층 인장 탄성률[MPa] 3000 3000 3000 3000 3000
제2 점착층
전단 저장 탄성률
[MPa] 		30℃ 0.19 0.19 0.19 0.19 0.19
60℃ 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
인장강도 [MPa] 79 98 78 97 79
크리프량
(㎛, @30℃) 		C1 72 72 94 94 91
C2 81 81 81 81 81
크리프량
(㎛, @60℃) 		C1' 98 98 153 153 131
C2' 115 115 115 115 115
크리프량 비 C1 / C2 0.89 0.89 1.16 1.16 1.12
C1'/ C2' 0.85 0.85 1.33 1.33 1.14
커프 변화 (㎛) 19.7 11.4 21.0 12.3 20.8
크랙 발생율 (%) 0.8 0.6 1.5 1.0 1.4
컬 (curl) ○ ○ ○ ○ ○
실시예
6 		실시예
7 		실시예
8 		실시예
9
제1 점착층
종류 및 두께 [㎛] 		A1 60 30 30 30
A2
제2 점착층
종류 및 두께 [㎛] 		B1 100 50 50
B2 50
상부 기재층 종류 및
두께 [㎛] 		PET
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)
하부 기재층 종류 및
두께 [㎛] 		PET
(25)		 PET
(25)		 PI
(25)		 PEN
(25)
상부 기재층 인장 탄성률[MPa] 3000 3000 3000 3000
하부 기재층 인장 탄성률[MPa] 3000 3000 4300 5000
제2 점착층
전단 저장 탄성률
[MPa] 		30℃ 0.08 0.19 0.19 0.19
60℃ 0.02 0.1 0.1 0.1
인장강도 [MPa] 78 79 85 89
크리프량
(㎛, @30℃) 		C1 91 72 72 72
C2 122 106 81 81
크리프량
(㎛, @60℃) 		C1' 131 98 98 98
C2' 303 154 115 115
크리프량 비 C1 / C2 0.75 0.68 0.89 0.89
C1'/ C2' 0.43 0.64 0.85 0.85
커프 변화 (㎛) 12.8 19.2 16.7 15.4
크랙 발생율 (%) 1.6 1.3 0.8 0.7
컬 (curl) ○ ○ ○ ○
상기 표 1 및 표 2의 ‘PI’및 ‘PEN’은 폴리이미드(polyimide) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate)를 의미한다.
비교예
1 		비교예
2 		비교예
3 		비교예
4 		비교예
5
제1 점착층 종류
및 두께 [㎛] 		A1 30 30 30 30
A2 60
제2 점착층
종류 및 두께 [㎛] 		B1 50 50 50 50
B2 120
상부 기재층
종류 및 두께 [㎛] 		PET
(50)		 PET
(50)		 PE
(50)		 PET
(50)		 PET
(50)
하부 기재층
종류 및 두께 [㎛] 		EVA
(25)		 PE
(25)		 PET
(25)		 PET
(50)		 PET
(25)
상부 기재층 인장 탄성률[MPa] 3000 3000 350 3000 3000
하부 기재층인장 탄성률[MPa] 100 350 3000 3000 3000
제2 점착층
전단 저장 탄성률
[MPa] 		30℃ 0.19 0.19 0.19 0.08 0.19
60℃ 0.1 0.1 0.1 0.02 0.1
인장강도 [MPa] 49 53 50 95 79
크리프량
(㎛, @30℃) 		C1 72 72 72 72 123
C2 81 81 81 216 81
크리프량
(㎛, @60℃) 		C1' 98 98 98 98 275
C2' 115 115 115 681 115
크리프량 비 C1 / C2 0.89 0.89 0.89 0.33 1.52
C1'/ C2' 0.85 0.85 0.85 0.14 2.39
커프 변화 (㎛) 31.9 34.2 36.0 40.1 32.8
크랙 발생율 (%) 3.4 4.1 4.9 6.7 4.8
컬 (curl) × × × ○ ○
상기 표 3의 ‘EVA’및 ‘PE’는 에틸렌 비닐 아세테이트(ethylene vinyl acetate) 및 폴리에틸렌(polyethylene)을 의미한다.
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.
100 : 웨이퍼 처리용 점착 필름
110 : 기재
111 : 하부 기재층
112 : 상부 기재층
113 : 프라이머층
115 : 제2 점착층
120 : 제1 점착층

Claims (10)

  1. 상부 기재층 및 하부 기재층을 포함하는 다층 기재;
    상기 상부 기재층 위에 배치된 제1 점착층; 및
    상기 상부 기재층 및 하부 기재층 사이에 배치된 제2 점착층;
    을 포함하고,
    하기 식 1 및 식 2를 만족하고,
    인장강도가 70~150 MPa 이며,
    상기 제2점착층의 30℃ 및 60℃의 온도에서 전단 저장 탄성률은 0.02~1.0 MPa 인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름:
    [식 1] 0.2 ≤ C1/C2 ≤ 1.4
    상기 식 1에서, C1은 제1 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2는 제2 점착층의 30℃에서의 크리프량(㎛)이다.
    [식 2] 0.2 ≤ C1'/C2' ≤ 1.4
    상기 식 2에서, C1'은 제1 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이고, C2'은 제2 점착층의 60℃에서의 크리프량(㎛)이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 C1 및 C1'은 30~200㎛인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 C2 및 C2'은 50~350㎛인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께의 합은 20~150㎛인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기재층 및 상부 기재층은 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤 및 2 축 연신 폴리프로필렌으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하부 기재층 및 상부 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 재질인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 점착층은 UV 경화성 점착 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 점착층은 열경화성 점착 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 상부 기재층의 상부면, 상기 상부 기재층의 하부면 및 상기 하부 기재층의 상부면 중 적어도 하나의 면에는 프라이머층이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 처리용 점착 필름.
  10. 삭제
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