KR20230134093A - 워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법 - Google Patents

워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법 Download PDF

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KR20230134093A
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Abstract

(과제) 점착제층 (12)/기재 (11)/완충층 (13) 의 적층 구조를 갖는 워크 가공용 보호 시트에 있어서, 워크 가공시에 발생하는 연삭 부스러기의 완충층에 대한 부착을 방지한다.
(해결 수단) 기재 (11) 와, 당해 기재 (11) 의 일방의 면측에 형성된 완충층 (13) 과, 당해 기재 (11) 의 타방의 면측에 형성된 점착제층 (12) 을 갖는 워크 가공용 보호 시트로서,
그 완충층 (13) 의 23 ℃ 에 있어서의 응력 완화율이 50 ％ 이하이고, 또한 그 완충층 (13) 의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 400 MPa 이상인, 워크 가공용 보호 시트.

Description

워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법{Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece}
본 발명은, 워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 워크의 이면 연삭을 실시하여, 그 응력 등으로 워크를 개편화하는 방법에 적합하게 사용되는 워크 가공용 보호 시트, 및 당해 워크 가공용 보호 시트를 사용하는 워크 개편화물의 제조 방법에 관한 것이다.
각종 전자 기기의 소형화, 다기능화가 진행되는 가운데, 그것들에 탑재되는 반도체 칩도 동일하게, 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 칩의 박형화를 위해서, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께 조정을 실시하는 것이 일반적이다. 또, 박형화된 칩을 얻기 위해서, 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 다이싱 블레이드에 의해 형성한 후, 웨이퍼 이면측으로부터 연삭을 실시하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하여, 칩을 얻는 선 (先) 다이싱법 (DBG : Dicing Before Grinding) 으로 불리는 공법을 이용하는 경우도 있다. DBG 에서는, 웨이퍼의 이면 연삭과 웨이퍼의 개편화를 동시에 실시할 수 있으므로, 박형 칩을 효율적으로 제조할 수 있다.
또, 최근, 선다이싱법의 변형예로서, 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하고, 웨이퍼 이면 연삭시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 실시하는 방법이 제안되어 있다. 이하, 이 방법을 LDBG (Laser Dicing Before Grinding) 라고 기재하는 경우가 있다. LDBG 에서는, 웨이퍼는 개질 영역을 기점으로 하여 결정 방향으로 절단되기 때문에, 다이싱 블레이드를 사용한 선다이싱법보다 치핑의 발생을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 항절 강도가 우수한 칩을 얻을 수 있고, 또, 칩의 추가적인 박형화에 기여할 수 있다. 또한, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼 표면에 소정 깊이의 홈을 형성하는 DBG 와 비교하여, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 깎아내는 영역이 없기 때문에, 요컨대, 커프 폭이 극소이기 때문에, 칩의 수율이 우수하다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 이면 연삭시나, DBG 나 LDBG 에 의한 워크의 개편화시에는, 워크나 그 개편화물을 보호하고, 또, 워크 및 워크 개편화물을 유지하기 위해서, 워크에 백그라인드 시트로 불리는 워크 가공용 보호 시트를 첩부하는 것이 일반적이다. 이면 연삭 후에는 연삭면에 접착제층을 갖는 접착 테이프를 첩부하거나, 혹은 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 테이프를 첩부한다. 그 후, 워크 표면에 첩부한 워크 가공용 보호 시트는, 자외선 등의 에너지선을 조사함으로써 그 점착력을 저하시킨 후, 박리된다. 이러한 공정에 의해, 워크 개편화물에는 접착제층이나 보호막 형성층이 형성된다.
워크 가공용 보호 시트로는, 기재와 점착제층과 완충층을 포함하는 적층 보호 시트가 사용되는 경우가 있다. 이와 같은 워크 가공용 보호 시트의 구체예는, 예를 들어 특허문헌 1 (일본 공개특허공보 2015-183008호) 등에 기재되어 있다. 완충층은, 워크 연삭시에 생기는 진동을 흡수하고, 또한 이물질에 의한 요철차를 완화하여, 워크를 안정적으로 평탄하게 유지하기 위해 형성되어 있다.
일본 공개특허공보 2015-183008호
반도체 기기의 소형화가 진행되어, 칩 등의 워크 개편화물의 최종적인 마무리 두께도 얇아지는 경향이 있다. 그러나, 워크 개편화물의 박화가 진행됨에 따라, 워크 개편화물이 파손되는 「치핑」이라고 불리는 현상이 증가했다. 이 원인을 예의 탐구한 결과, 본 발명자들은 이하의 지견을 얻었다.
반도체 웨이퍼 등의 워크의 이면 연삭시에는, 상기 워크 가공용 보호 시트를 워크의 회로면에 임시 부착하고, 물을 분무하면서 워크의 이면 (회로면의 반대면) 을 연삭한다. 물을 분무함으로써 이면 연삭시에 발생하는 마찰열을 제거하고, 또한 연삭에 의해 발생하는 워크의 연삭 부스러기나 지석의 파편을 씻어 내고 있다. 이하, 워크의 연삭 부스러기나 지석의 파편을 총칭하여 「연삭 부스러기」로 기재하는 경우가 있다. 또한, 연삭시에 분무하는 물을 「연삭수」로 기재하는 경우가 있다. 이면 연삭하는 동안, 워크 가공용 보호 시트의 완충층측의 표면이 흡착 테이블 상에 유지되어 있다.
이면 연삭 종료 후에는, 흡착 테이블의 흡인을 개방하여, 흡착 테이블로부터 워크 가공용 보호 시트를 분리한다. 워크 가공용 보호 시트 및 그 위에 유지되어 있는 워크 개편화물은 다음 공정으로 반송된다. 흡착 테이블의 흡인을 개방할 때에, 흡착 테이블과 워크 가공용 보호 시트의 완충층측의 면과의 사이의 공간이 부압 상태가 된다. 이 때문에, 연삭수의 일부가 흡착 테이블과 완충층의 사이로 침입하여, 연삭수가 완충층에 접촉한다. 연삭수에는 연삭 부스러기가 포함되기 때문에, 흡착 테이블의 흡인을 개방하면, 연삭 부스러기가 워크 가공용 보호 시트의 완충층측의 면에 부착되는 경우가 있었다.
워크 개편화물이 유지된 워크 가공용 보호 시트는, 다음 공정으로 이송되고, 워크 개편화물에는 여러 가지 가공이 실시된다. 예를 들어, 워크 개편화물이 반도체 칩인 경우에는, 그 연삭면에는, 다이 본드에 사용되는 접착 필름이나, 칩 이면을 보호하기 위한 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이들 공정에서는, 워크 가공용 보호 시트의 완충층측이 작업대 상에 유지된다. 완충층에 연삭 부스러기가 부착되어 있으면, 완충층과 작업대 사이에 이물질이 존재하게 된다. 이 상태에서 접착 필름, 보호막의 첩부시의 압력이 가해지면, 이물질의 근방에 존재하는 워크 개편화물에는 국소적으로 큰 힘이 가해져, 이물질 (연삭 부스러기) 을 지점으로 하여 워크 개편화물이 꺾여서, 치핑이 발생하는 경우가 있다.
이 때문에, 점착제층/기재/완충층의 적층 구조를 갖는 워크 가공용 보호 시트에 있어서, 워크 가공시에 발생하는 연삭 부스러기의 완충층에 대한 부착을 방지하는 것이 요구되고 있다.
이와 같은 과제의 해결을 목적으로 한 본 발명의 요지는 다음과 같다.
(1) 기재와, 당해 기재의 일방의 면측에 형성된 완충층과, 당해 기재의 타방의 면측에 형성된 점착제층을 갖는 워크 가공용 보호 시트로서,
그 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 응력 완화율이 50 ％ 이하이고, 또한 그 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 400 MPa 이상인, 워크 가공용 보호 시트.
(2) 상기 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 1000 MPa 이상인, (1) 에 기재된 워크 가공용 보호 시트.
(3) 상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인, (1) 또는 (2) 에 기재된 워크 가공용 보호 시트.
(4) 표면에 홈이 형성되거나, 또는 내부에 개질 영역이 형성된 워크의 이면을 연삭함으로써 워크를 워크 개편화물로 개편화하는 공정에 있어서, 워크의 표면에 첩부되어 사용되는, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 워크 가공용 보호 시트.
(5) 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 워크 가공용 보호 시트를 워크의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 워크의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 상기 워크의 표면 혹은 이면으로부터 워크 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,
상기 보호 시트가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 상기 개질 영역이 형성된 워크를, 이면측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 워크 개편화물로 개편화시키는 공정을 구비하는 워크 개편화물의 제조 방법.
본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트에서는, 워크 가공시에 발생하는 연삭 부스러기의 완충층에 대한 부착을 방지할 수 있다. 이 때문에, 다음 공정에서 워크 개편화물에 대해서 가압을 포함한 가공을 실시해도, 연삭 부스러기에서 기인하는 워크 개편화물의 손상을 저감할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태의 워크 가공용 보호 시트를 나타내는 모식도이다.
도 2 는, 이물질 부착수의 평가 방법에 있어서, 이물질의 배치예를 나타내는 도면이다.
이하에, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트에 대해 구체적으로 설명한다. 먼저, 본 명세서에서 사용하는 주된 용어를 설명한다.
워크란 본 실시형태에 관련된 워크 가공용 보호 시트가 첩부되고, 그 후, 개편화되는 판상체를 말한다. 워크로는, 원형 (단, 오리엔테이션 플랫을 갖는 경우를 포함한다) 의 웨이퍼, 각형의 패널 레벨 패키지 및 몰드 수지 봉지를 실시한 스트립 (단책형 (短冊形) 기판) 등을 들 수 있고, 그 중에서도 본 발명의 효과가 얻어지기 쉬운 관점에서, 웨이퍼가 바람직하다. 웨이퍼로는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼, 질화갈륨 웨이퍼, 인듐인 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼나, 유리 웨이퍼, 탄탈산리튬 웨이퍼, 니오브산리튬 웨이퍼 등의 절연체 웨이퍼여도 되고, 또, 팬 아웃 패키지 등의 제조에 사용하는 수지와 반도체로 이루어지는 재구성 웨이퍼여도 된다. 본 발명의 효과가 얻어지기 쉬운 관점에서, 웨이퍼로는, 반도체 웨이퍼 또는 절연체 웨이퍼가 바람직하고, 반도체 웨이퍼가 보다 바람직하다.
워크의 개편화는, 워크를 회로마다 분할하여, 워크 개편화물을 얻는 것을 말한다. 예를 들어, 워크가 반도체 웨이퍼인 경우에는, 워크 개편화물은 반도체 칩이고, 워크가 패널 레벨 패키지 또는 몰드 수지 봉지를 실시한 스트립 (단책형 기판) 인 경우에는, 워크 개편화물은 반도체 패키지이다.
워크의 「표면」은, 회로, 전극 등이 형성된 면을 가리키고, 워크의 「이면」은, 회로 등이 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다. 전극으로는, 범프 등의 볼록상 전극이어도 된다.
DBG 란, 워크의 표면측에 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 워크 이면측으로부터 연삭을 실시하여, 연삭에 의해 워크를 개편화하는 방법을 말한다. 워크의 표면측에 형성되는 홈은, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱, 플라즈마 다이싱 등의 방법에 의해 형성된다.
또, LDBG 란, DBG 의 변형예로서, 레이저로 워크 (예를 들어 웨이퍼) 내부에 취약한 개질 영역을 형성하고, 워크 이면 연삭시의 응력 등에 의해, 개질 영역을 기점으로 하는 균열을 진전시켜 워크의 개편화를 실시하는 방법을 말한다.
「워크 개편화물군」이란, 워크의 개편화 후에, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트 상에 유지된, 복수의 워크 개편화물을 말한다. 이들 워크 개편화물은, 전체적으로, 워크의 형상과 동일한 형상으로 개편화물이 정렬되어 있다. 또,「칩군」이란, 워크로서의 웨이퍼의 개편화 후에, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트 상에 유지된, 복수의 칩을 말한다. 이들 칩은, 전체적으로 웨이퍼의 형상과 동일한 형상으로 칩이 정렬되어 있다.
「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 쌍방을 나타내는 말로서 사용되고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.
「에너지선」은, 자외선, 전자선 등을 가리키고, 바람직하게는 자외선이다.
「중량 평균 분자량」은, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다. 이와 같은 방법에 의한 측정은, 예를 들어, 토소사 제조의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」에, 고속 칼럼 「TSK guard column HXL-H」, 「TSK Gel GMHXL」, 「TSK Gel G2000 HXL」(이상, 전부 토소사 제조) 을 이 순서로 연결한 것을 사용하여, 칼럼 온도 : 40 ℃, 송액 속도 : 1.0 mL/분의 조건으로, 검출기를 시차 굴절률계로 하여 실시된다.
박리 시트는, 점착제층을 박리 가능하게 지지하는 시트이다. 시트란, 두께를 한정하는 것은 아니며, 필름을 포함하는 개념으로 사용한다.
점착제층용 조성물 등의 조성물에 관한 설명에 있어서의 질량비는, 유효 성분 (고형분) 에 기초하고 있고, 특별한 설명이 없는 한, 용매는 산입하지 않는다.
다음으로, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트의 각 부재의 구성을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트를, 간단히 「보호 시트」로 기재하는 경우가 있다.
본 실시형태에 있어서, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 보호 시트 (10) 란, 기재 (11) 와 점착제층 (12) 을 포함하는 적층체를 의미한다. 보호 시트 (10) 는, 기재 (11) 의 점착제층 (12) 과는 반대측의 면에 완충층 (13) 을 갖는다. 또한, 이들 이외의 다른 구성층을 포함해도 무방하다. 예를 들어, 점착제층측의 기재 표면에는 프라이머층이 형성되어 있어도 되고, 점착제층의 표면에는, 사용시까지 점착제층을 보호하기 위한 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 또, 기재는 단층이어도 되고, 다층이어도 된다. 점착제층 및 완충층도 동일하다.
이하에, 본 실시형태에 관련된 워크 가공용 보호 시트의 각 부재의 구성을 더욱 상세하게 설명한다.
[기재 (11)]
기재 (11) 는, 종래부터 반도체 가공용 보호 시트의 기재로서 사용되고 있는 각종 수지 필름이 특별히 제한되지 않고서 사용될 수 있다. 웨이퍼나 칩 등의 워크를 보다 확실하게 유지하는 관점에서, 기재 (11) 의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 1000 MPa 이상인 것이 바람직하다. 영률이 1000 MPa 미만인 기재를 사용하면, 보호 시트에 의한 워크에 대한 유지 성능이 저하되어, 이면 연삭시의 진동 등을 억제할 수 없어, 워크의 결손이나 파손이 발생하기 쉬워진다. 한편, 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률을 1000 MPa 이상으로 함으로써, 보호 시트에 의한 워크에 대한 유지 성능이 높아져, 이면 연삭시의 진동 등을 억제하여, 워크의 결손이나 파손을 방지할 수 있다. 또한, 보호 시트를 워크로부터 박리할 때의 응력을 작게 하는 것이 가능해져, 테이프 박리시에 생기는 워크의 결손이나 파손을 방지할 수 있다. 나아가, 보호 시트를 워크에 첩부할 때의 작업성도 양호하게 하는 것이 가능하다. 이와 같은 관점에서, 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 보다 바람직하게는 1800 ∼ 30000 MPa, 더욱 바람직하게는 2500 ∼ 6000 MPa 이다.
기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 110 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 15 ∼ 110 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 105 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 기재의 두께를 110 ㎛ 이하로 함으로써, 보호 시트의 박리력을 제어하기 쉬워진다. 또, 15 ㎛ 이상으로 함으로써, 기재가 보호 시트의 지지체로서의 기능을 하기 쉬워진다.
기재의 재질로는, 상기 물성을 만족시키는 것이면 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 수지 필름을 사용할 수 있다. 여기서, 23 ℃ 에 있어서의 영률이 1000 MPa 이상인 기재로서, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2 축 연신 폴리프로필렌 등의 수지 필름을 들 수 있다.
이들 수지 필름 중에서도, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 2 축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 필름이 바람직하고, 폴리에스테르 필름을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 기재에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유시켜도 된다. 또, 기재는, 투명한 것이어도 되고, 불투명한 것이어도 되고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.
또, 기재의 적어도 일방의 표면에는, 완충층 및 점착제층의 적어도 일방과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 된다. 또, 기재는, 상기한 수지 필름과, 수지 필름의 적어도 일방의 표면에 피막된 프라이머층을 가지고 있는 것이어도 된다.
프라이머층을 형성하는 프라이머층 형성용 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 함유하는 조성물을 들 수 있다. 프라이머층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광중합 개시제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.
프라이머층의 두께로는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 본원 실시예에 있어서의 프라이머층의 두께는, 기재의 두께에 대하여 작기 때문에, 프라이머층을 갖는 수지 필름의 두께와 기재의 두께는 실질적으로 동일하다. 또, 프라이머층의 재질은 부드럽기 때문에, 영률에 미치는 영향은 작아, 기재의 영률은, 프라이머층을 갖는 경우에도, 수지 필름의 영률과 실질적으로 동일하다.
예를 들어, 기재의 영률은, 수지 조성의 선택, 가소제의 첨가, 수지 필름 제조시의 연신 조건 등에 의해 제어할 수 있다. 구체적으로는, 기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하는 경우, 공중합 성분 중의 에틸렌 성분의 함유 비율이 많아지면, 기재의 영률은 저하되는 경향이 있다. 또, 기재를 구성하는 수지 조성물에 대해 가소제의 배합량이 많아지면 기재의 영률은 저하되는 경향이 있다.
[점착제층 (12)]
점착제층 (12) 은, 상온에 있어서 적당한 감압 접착성을 갖는 한 특별히 한정되지는 않지만, 23 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률이 0.05 ∼ 0.50 MPa 인 것이 바람직하다. 워크가 반도체 웨이퍼인 경우, 그 표면에는, 회로 등이 형성되고 통상 요철이 있다. 점착제층의 전단 저장 탄성률이 상기 범위 내가 됨으로써, 요철이 있는 웨이퍼 표면에 보호 테이프를 첩부할 때, 웨이퍼 표면의 요철과 점착제층을 충분히 접촉시키고, 또한 점착제층의 접착성을 적절히 발휘시키는 것이 가능해진다. 그 때문에, 보호 시트의 반도체 웨이퍼에 대한 고정을 확실하게 실시하고, 또한 이면 연삭시에 웨이퍼 표면을 적절하게 보호하는 것이 가능해진다. 이러한 관점에서, 점착제층의 전단 저장 탄성률은, 0.12 ∼ 0.35 MPa 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층의 전단 저장 탄성률이란, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 전단 저장 탄성률을 의미한다.
전단 저장 탄성률은 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다. 두께가 약 0.5 ∼ 1 ㎜ 인 점착제층을 직경 7.9 ㎜ 의 원형으로 타발한 것을 측정 시료로 한다. 레오메트릭사 제조의 동적 점탄성 측정 장치 ARES 를 사용하여, 주파수 1 Hz, -30 ℃ 에서 150 ℃ 의 온도 범위를 승온 속도 3 ℃/분으로 온도 변화시켰을 때의 측정 시료의 탄성률을 측정한다. 측정 온도 23 ℃ 에서의 탄성률을, 23 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률로 한다.
점착제층의 두께는, 100 ㎛ 미만인 것이 바람직하고, 5 ∼ 60 ㎛ 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 50 ㎛ 가 더욱 바람직하다. 점착제층을 이와 같이 얇게 하면, 보호 시트의 절단시에 있어서 부스러기의 발생이 억제되고, 이면 연삭시에 발생하는 워크 개편화물의 크랙을 한층 방지하기 쉬워진다.
점착제층은, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등으로 형성되지만, 아크릴계 점착제가 바람직하다.
또, 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 것이 바람직하다. 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 조사에 의한 경화 전에는, 23 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률을 상기 범위로 설정하면서, 경화 후에 있어서는 박리력을 1000 mN/50 mm 이하로 용이하게 설정하는 것이 가능해진다.
이하, 점착제의 구체예에 대해 상세히 서술하지만, 이들은 비한정적 예시로서, 본 발명에 있어서의 점착제층은 이들에 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
[점착제 조성물]
점착제층을 형성하는 에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들어, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (「점착성 수지 I」이라고도 한다) 에 추가하여, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「X 형의 점착제 조성물」이라고도 한다) 이 사용 가능하다. 또, 에너지선 경화성 점착제로서, 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하, 「점착성 수지 II」라고도 한다) 를 주성분으로서 함유하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 점착제 조성물 (이하, 「Y 형의 점착제 조성물」이라고도 한다) 도 사용해도 된다.
또한 에너지선 경화성 점착제로는, X 형과 Y 형의 병용형, 즉, 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 에 더하여, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물도 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「XY 형의 점착제 조성물」이라고도 한다) 을 사용해도 된다.
이들 중에서는, XY 형의 점착제 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. XY 형의 것을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착 특성을 갖는 한편, 경화 후에 있어서는, 워크 또는 워크 개편화물에 대한 박리 강도를 충분히 낮게 하는 것이 가능하다.
단, 점착제로는, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 비에너지선 경화성의 점착제 조성물로 형성해도 된다. 비에너지선 경화성의 점착제 조성물은, 적어도 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 상기한 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것이다.
또한, 이하의 설명에 있어서 「점착성 수지」는, 상기한 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 구체적인 점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있지만, 아크릴계 수지가 바람직하다.
이하, 점착성 수지로서, 아크릴계 수지가 사용되는 아크릴계 점착제에 대해 보다 상세히 서술하여 설명한다.
아크릴계 수지에는, 아크릴계 중합체가 사용된다. 아크릴계 중합체는, 적어도 알킬(메트)아크릴레이트를 함유하는 모노머를 중합하여 얻은 것이고, 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함한다. 알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 것을 들 수 있고, 알킬기는 직사슬이어도 되고, 분기이어도 된다. 알킬(메트)아크릴레이트의 구체예로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.
또, 아크릴계 중합체는, 점착제층의 점착력을 향상시키는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 그 알킬(메트)아크릴레이트의 탄소수로는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다. 또, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트는, 알킬아크릴레이트인 것이 바람직하다.
아크릴계 중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 함유량은, 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 전체량 (이하 간단히 "모노머 전체량"이라고도 한다) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 98 질량부, 보다 바람직하게는 45 ∼ 95 질량부, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 90 질량부이다.
아크릴계 중합체는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 점착제층의 탄성률이나 점착 특성을 조정하기 위해서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 그 알킬(메트)아크릴레이트는, 탄소수 1 또는 2 의 알킬(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 가장 바람직하다. 아크릴계 중합체에 있어서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트의 함유량은, 모노머 전체량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 26 질량부, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 22 질량부이다.
아크릴계 중합체는, 상기한 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 관능기 함유 모노머의 관능기로는, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 관능기 함유 모노머는, 후술하는 가교제와 반응하여, 가교 기점이 되거나, 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 중합체의 측사슬에 불포화기를 도입시키거나 하는 것이 가능하다.
관능기 함유 모노머로는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머를 사용하는 것이 바람직하고, 수산기 함유 모노머를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 등을 들 수 있다.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물, 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
관능기 함유 모노머의 함유량은, 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 전체량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 32 질량부, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 30 질량부이다. 또, 아크릴계 중합체는, 상기 이외에도, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등의 상기의 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 모노머 유래의 구성 단위를 포함해도 된다.
상기 아크릴계 중합체는, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I (아크릴계 수지) 로서 사용할 수 있다. 또, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지로는, 상기 아크릴계 중합체의 관능기에, 광중합성 불포화기를 갖는 화합물 (불포화기 함유 화합물이라고도 한다) 을 반응시킨 것을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체의 관능기와 결합 가능한 치환기, 및 광중합성 불포화기의 쌍방을 갖는 화합물이다. 광중합성 불포화기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있고, (메트)아크릴로일기가 바람직하다. 또, 불포화기 함유 화합물이 갖는, 관능기와 결합 가능한 치환기로는, 이소시아네이트기나 글리시딜기 등을 들 수 있다. 따라서, 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또, 불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체의 관능기의 일부에 반응하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴계 중합체가 갖는 관능기의 50 ∼ 98 몰％ 에, 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 것이 바람직하고, 55 ∼ 93 몰％ 반응시키는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 에너지선 경화성 아크릴계 수지에 있어서, 관능기의 일부가 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않고 잔존함으로써, 가교제에 의해 가교되기 쉬워진다. 또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 30 만 ∼ 160 만, 보다 바람직하게는 40 만 ∼ 140 만, 더욱 바람직하게는 50 만 ∼ 120 만이다.
(에너지선 경화성 화합물)
X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다. 이와 같은 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머를 들 수 있다.
이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 전단 저장 탄성률을 저하시키기 어려운 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물의 분자량 (올리고머의 경우에는 중량 평균 분자량) 은, 바람직하게는 100 ∼ 12000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8000, 특히 바람직하게는 600 ∼ 6000 이다.
X 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다. 한편, XY 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다. XY 형의 점착제 조성물에서는, 점착성 수지가 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 충분히 박리 강도를 저하시키는 것이 가능하다.
(가교제)
점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제는, 예를 들어 점착성 수지가 갖는 관능기 함유 모노머 유래의 관능기에 반응하여, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다. 가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등, 및 그들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 ; 등을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. 가교제의 배합량은, 가교 반응을 촉진시키는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.
(광중합 개시제)
또, 점착제 조성물이 에너지선 경화성인 경우에는, 점착제 조성물은, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 점착제 조성물의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.
광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등을 들 수 있다.
이들 광중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.
(그 밖의 첨가제)
점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 첨가제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6 질량부이다.
또, 점착제 조성물은, 기재, 완충층이나 박리 시트에 대한 도포성을 향상시키는 관점에서, 추가로 유기 용매로 희석시켜, 점착제 조성물의 용액의 형태로 해도 된다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다. 또한, 이들 유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 그 점착제 조성물의 용액을 균일하게 도포할 수 있도록, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 첨가해도 된다.
[완충층 (13)]
본 실시형태에 관련된 보호 시트 (10) 는, 완충층 (13) 을 갖는다. 기재 (11) 의 일방의 면에 점착제층 (12) 이 형성되고, 기재 (11) 의 타방의 면에 완충층 (13) 이 형성된다.
완충층은, 워크의 가공시, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시의 응력을 완화하여, 반도체 웨이퍼에 균열 및 결손이 생기는 것을 방지한다. 워크에 보호 시트를 첩부한 후, 워크는 보호 시트를 개재하여 척 테이블 상에 배치되고 이면 연삭되는데, 보호 시트가 구성층으로서 완충층을 가짐으로써, 워크가 척 테이블에 적절하게 유지되기 쉬워진다. 또한, 척 테이블 상에 이물질이 있어도, 완충층의 변형에 의해 이물질의 요철을 흡수할 수 있어, 워크를 평활하고 또한 균일한 두께로 연삭할 수 있다.
본 실시형태의 보호 시트는, 완충층에 연삭 부스러기가 접촉한 경우라도, 완충층에 연삭 부스러기가 부착되기 어렵다는 특성을 갖는다. 이 특성을 발현하기 위해서, 완충층은 특이한 점탄성을 갖도록 재료 설계되어 이루어지고, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 응력 완화율 및 23 ℃ 에 있어서의 영률이 특정 범위로 제어되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
완충층의 23 ℃ 에 있어서의 응력 완화율은 50 ％ 이하이고, 바람직하게는 15 ∼ 49 ％ 이고, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 48 ％ 이며, 특히 바람직하게는 38 ∼ 47 ％ 이다. 또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은 400 MPa 이상이고, 바람직하게는 450 MPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 500 MPa 이상이다.
완충층은, 응력 완화율이 50 ％ 이하이고, 고무 탄성적인 성질을 가지면서도, 영률은 400 MPa 이상이며, 비교적 경질이라는, 상반되는 성질을 만족하고 있다. 완충층이 비교적 경질이기 때문에, 연삭 부스러기와 접촉해도, 이것이 완충층에 매립되지 않아, 연삭 부스러기의 부착을 방지할 수 있다. 또한, 고무 탄성적인 성질을 갖기 때문에, 연삭 부스러기가 완충층에 매립되었다고 해도, 고무 탄성적 거동에 의해 완충층이 원래의 형상으로 복원되기 때문에, 매립된 연삭 부스러기가 압출되어, 연삭 부스러기의 부착을 방지할 수 있다.
완충층은, 후술하는 완충층 형성용 조성물이 경화되어 이루어지는 층으로, 완충층 형성용 조성물의 조성의 선택에 따라 점탄성을 조정할 수 있다.
완충층의 두께는, 15 ∼ 80 ㎛ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 70 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 완충층의 두께를 상기 범위로 함으로써, 완충층이 이면 연삭시의 응력을 적절히 완화시킬 수 있다.
완충층은, 상기 응력 완화율 및 영률을 만족하는 한, 그 조성은 한정되지 않지만, 점탄성의 제어가 용이하다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인 것이 바람직하다.
이하, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층에 포함되는 각 성분에 대해 순서대로 설명한다.
<에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층>
에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 에너지선이 조사됨으로써 경화시키는 것이 가능해진다.
또, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 보다 구체적으로는, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 또, 완충층 형성용 조성물은, 상기 (a1) 에 더하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및/또는 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 완충층 형성용 조성물은, 상기 (a1) ∼ (a3) 성분에 더하여, 다관능 중합성 화합물 (a4) 를 함유하는 것이 바람직하다. 또한 완충층 형성용 조성물은 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제나 수지 성분을 함유해도 된다.
이하, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.
(우레탄(메트)아크릴레이트 (a1))
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 이란, 적어도 (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화되는 성질을 갖는 것이다. 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 올리고머 또는 폴리머이다.
성분 (a1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더욱 바람직하게는 10,000 ∼ 30,000 이다. 또, 성분 (a1) 중의 (메트)아크릴로일기수 (이하, 「관능기수」라고도 한다) 로는, 단관능, 2 관능, 혹은 3 관능 이상이어도 되지만, 단관능 또는 2 관능인 것이 바람직하다.
성분 (a1) 은, 예를 들어, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프레폴리머에, 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다. 또한, 성분 (a1) 은, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
성분 (a1) 의 원료가 되는 폴리올 화합물은, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 폴리올 화합물로는, 예를 들어, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올 또는 폴리카보네이트형 폴리올이 바람직하다.
또한, 폴리올 화합물로는, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 4 관능 이상의 폴리올 중 어느 것이어도 되지만, 2 관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올 또는 폴리카보네이트형 디올이 보다 바람직하다.
다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류 ; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ωω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 ; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.
상기 서술한 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프레폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 얻을 수 있다. 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 적어도 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.
구체적인 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드 ; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 ; 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
말단 이소시아네이트우레탄 프레폴리머 및 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건으로는, 필요에 따라 첨가되는 용제, 촉매의 존재하, 60 ∼ 100 ℃ 에서, 1 ∼ 4 시간 반응시키는 조건이 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a1) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량부, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량부이다.
(고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2))
성분 (a2) 는, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물이고, 나아가서는, 적어도 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이다. 성분 (a2) 를 사용함으로써, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시킬 수 있다.
또한, 성분 (a2) 의 정의와, 후술하는 성분 (a3) 의 정의는 중복되는 부분이 있지만, 중복 부분은 성분 (a3) 에 포함된다. 예를 들어, 적어도 1 개의 (메트)아크릴로일기와, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기와, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 갖는 화합물은, 성분 (a2) 와 성분 (a3) 의 양방의 정의에 포함되지만, 본 발명에 있어서 당해 화합물은, 성분 (a3) 에 포함되는 것으로 한다.
성분 (a2) 가 갖는 지환기 또는 복소 고리기의 고리 형성 원자수는, 바람직하게는 6 ∼ 20 이지만, 보다 바람직하게는 6 ∼ 18, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 16, 특히 바람직하게는 7 ∼ 12 이다. 당해 복소 고리기의 고리 구조를 형성하는 원자로는, 예를 들어, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.
또한, 고리 형성 원자수란, 원자가 고리형으로 결합한 구조의 화합물의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 고리를 구성하지 않는 원자 (예를 들어, 고리를 구성하는 원자에 결합한 수소 원자) 나, 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다.
구체적인 성분 (a2) 로는, 예를 들어, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트, 고리형 트리메틸올프로판포르말아크릴레이트 등의 복소 고리기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 등을 들 수 있다.
또한, 성분 (a2) 는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
지환기 함유 (메트)아크릴레이트 중에서는 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 80 질량부, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량부이다.
(관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3))
성분 (a3) 은, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하는 중합성 화합물이고, 나아가서는, 적어도 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이다.
성분 (a3) 은, 성분 (a1) 과의 상용성이 양호하여, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 완충층을 비교적 얇게 해도 완충 성능이 양호해진다.
성분 (a3) 으로는, 예를 들어, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 에폭시기 함유 화합물, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
수산기 함유 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 페닐하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에폭시기 함유 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 이들 중에서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하다.
아미드기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아미노기 함유 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 제 1 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 2 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 3 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 페닐하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향 고리를 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
또한, 성분 (a3) 은, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a3) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 40 질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 35 질량부, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 30 질량부이다.
(다관능 중합성 화합물 (a4))
다관능 중합성 화합물이란, 광중합성 불포화기를 2 개 이상 갖는 화합물을 말한다. 광중합성 불포화기는, 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기이고, 예를 들어, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 비닐벤질기 등을 들 수 있다. 광중합성 불포화기는 2 종 이상을 조합해도 된다. 다관능 중합성 화합물 중의 광중합성 불포화기와 성분 (a1) 중의 (메트)아크릴로일기가 반응하거나, 성분 (a4) 중의 광중합성 불포화기끼리가 반응함으로써, 삼차원 망목 구조 (가교 구조) 가 형성된다. 다관능 중합성 화합물을 사용하면, 광중합성 불포화기를 1 개밖에 함유하지 않은 화합물을 사용한 경우와 비교하여, 에너지선 조사에 의해 형성되는 가교 구조가 증가하기 쉽다.
또한, 성분 (a4) 의 정의와, 전술한 성분 (a2) 나 성분 (a3) 의 정의는 중복되는 부분이 있지만, 중복 부분은 성분 (a4) 에 포함된다. 예를 들어, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖고, (메트)아크릴로일기를 2 개 이상 갖는 화합물은, 성분 (a4) 와 성분 (a2) 의 양방의 정의에 포함되지만, 본 발명에 있어서 당해 화합물은, 성분 (a4) 에 포함되는 것으로 한다. 또, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하고, (메트)아크릴로일기를 2 개 이상 갖는 화합물은, 성분 (a4) 와 성분 (a3) 의 양방의 정의에 포함되지만, 본 발명에 있어서 당해 화합물은, 성분 (a4) 에 포함되는 것으로 한다.
상기 관점에서, 다관능 중합성 화합물 중에 있어서의 광중합성 불포화기의 수 (관능기수) 는, 2 ∼ 10 이 바람직하고, 3 ∼ 6 이 보다 바람직하다.
또, 성분 (a4) 의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30 ∼ 40000, 보다 바람직하게는 100 ∼ 10000, 더욱 바람직하게는 200 ∼ 1000 이다.
구체적인 성분 (a4) 로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리콜 유래의 반복 단위의 수가 200 ∼ 800 의 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디비닐벤젠, (메트)아크릴산비닐, 아디프산디비닐, N,N'-메틸렌비스(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트는, 글리콜 단위의 수를 괄호 안에 나타내는 것이 일반적이며, 예를 들어 글리콜 단위의 수가 600 인 경우에는, 폴리에틸렌글리콜 (600) 디아크릴레이트로 표시된다.
또한, 성분 (a4) 는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a4) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 40 질량부, 보다 바람직하게는 3 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 15 질량부이다.
(성분 (a1) ∼ (a4) 이외의 중합성 화합물 (a5))
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 상기의 성분 (a1) ∼ (a4) 이외의 그 밖의 중합성 화합물 (a5) 를 함유해도 된다.
성분 (a5) 로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 ; 스티렌, 하이드록시에틸비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르, N-비닐포름아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 : 등을 들 수 있다. 또한, 성분 (ａ５) 는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a5) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량부, 특히 바람직하게는 0 ∼ 2 질량부이다.
(광중합 개시제)
완충층 형성용 조성물에는, 완충층을 형성할 때, 광 조사에 의한 중합 시간을 단축시키고, 또, 광 조사량을 저감시키는 관점에서, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로르안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
이들 광중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
완충층 형성용 조성물 중의 광중합 개시제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.
(그 밖의 첨가제)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 완충층 형성용 조성물 중의 각 첨가제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량부이다.
(수지 성분)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 수지 성분을 함유해도 된다. 수지 성분으로는, 예를 들어, 폴리엔·티올계 수지나, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 및 스티렌계 공중합체 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.
완충층 형성용 조성물 중의 이들 수지 성분의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량부, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량부, 특히 바람직하게는 0 ∼ 2 질량부이다.
에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 완충층은, 상기 조성의 완충층 형성용 조성물을 에너지선 조사에 의해 중합 경화시켜 얻어진다. 요컨대, 당해 완충층은, 완충층 형성용 조성물의 경화물이다.
따라서, 당해 완충층은, 성분 (a1) 유래의 중합 단위를 함유한다. 또, 당해 완충층은, 성분 (a2) 유래의 중합 단위 및/또는 성분 (a3) 유래의 중합 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 또한 성분 (a4) 유래의 중합 단위 및/또는 성분 (a5) 유래의 중합 단위를 함유하고 있어도 된다. 완충층에 있어서의 각 중합 단위의 함유 비율은, 통상, 완충층 형성용 조성물을 구성하는 각 성분의 비율 (주입비) 에 일치한다. 예를 들어, 완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a1) 의 함유량이 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여 10 ∼ 70 질량부인 경우, 완충층은 성분 (a1) 에서 유래하는 중합 단위를 10 ∼ 70 질량부 함유한다. 또, 완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2) 의 함유량이 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량부) 에 대하여 10 ∼ 80 질량부인 경우, 완충층은 성분 (a2) 에서 유래하는 중합 단위를 10 ∼ 80 질량부 함유한다. 성분 (a3) ∼ (a5) 에 대해서도 동일하다.
(완충층의 점탄성의 제어)
완충층은, 상기한 완충층 형성용 조성물을 경화시킴으로써 얻어진다. 완충층의 점탄성은, 완충층 형성용 조성물의 조성의 선택에 의해 조정할 수 있다. 따라서, 완충층의 응력 완화율 및 영률을 상기의 범위로 제어하기 위해서는, 완충층 형성용 조성물을 구성하는 상기 성분의 종류나 양을 조정하면 된다. 이하에 각 성분의 종류나 양을 조정하기 위한 지침을 설명한다.
예를 들어, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 (메트)아크릴로일기의 수가 많으면 완충층 내에 가교 구조가 증가하여, 완충층은 단단해지고, 영률은 증가한다. 이 때문에, 가교 구조의 형성에 관여하는 성분량을 조정함으로써, 영률을 적절한 범위로 제어할 수 있다. 가교 구조의 형성에 관여하는 성분으로는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 (메트)아크릴로일기, 다관능 중합성 화합물 (a4) 를 들 수 있다. 특히 다관능 중합성 화합물 (a4) 는, 사용이 용이하고, 가교 구조의 형성에 유용한 성분이다.
다관능 중합성 화합물 (a4) 를 추가함으로써, 경화물 내부의 분자의 운동이 저해되어, 응력 완화성을 낮게, 영률을 높게 설계할 수 있다. 즉, 다관능 중합성 화합물 (a4) 의 첨가량을 증량함으로써 상기 물성의 발현이 용이해진다. 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 나 장사슬 구조의 형성에 관여하는 성분은, 응력 완화율의 저하에 수반하여, 완충층이 취약해지는 것을 완화하는 역할이 있다.
상기 서술한 완충층에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등의 첨가제를 함유시켜도 된다. 또, 상기 서술한 완충층은, 투명이어도 되고, 불투명이어도 되고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.
[박리 시트]
보호 시트의 표면에는, 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 구체적으로는, 보호 시트의 점착제층의 표면에 첩부된다. 박리 시트는, 점착제층 표면에 첩부됨으로써 수송시, 보관시에 점착제층을 보호한다. 박리 시트는, 박리 가능하게 보호 시트에 첩부되어 있고, 보호 시트가 사용되기 전 (즉, 워크 첩부 전) 에는, 보호 시트로부터 박리되어 제거된다.
박리 시트는, 적어도 일방의 면이 박리 처리가 된 박리 시트가 사용되고, 구체적으로는, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.
박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 당해 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.
박리 시트의 두께는, 특별히 제한 없지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150 ㎛ 이다.
[보호 시트의 제조 방법]
본 발명의 보호 시트의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
예를 들어, 기재와, 당해 기재의 일방의 면측에 형성된 점착제층과, 당해 기재의 타방의 면측에 형성된 완충층을 갖는 보호 시트의 제조 방법은 이하와 같다.
완충층이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 경우에는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물을 도공, 경화시켜 형성한 완충층과, 기재를 첩합하고, 박리 시트를 제거함으로써, 완충층과 기재의 적층체가 얻어진다.
그리고, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을, 적층체의 기재측에 첩합하여, 점착제층의 표면에 박리 시트가 첩부된 보호 시트를 제조할 수 있다. 점착제층의 표면에 첩부되는 박리 시트는, 보호 시트의 사용 전에 적절히 박리하여 제거하면 된다.
박리 시트 상에 점착제층을 형성하는 방법으로는, 박리 시트 상에 점착제 (점착제 조성물) 를, 공지된 도포 방법으로, 직접 도포하여 도포막을 가열 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다.
또, 기재의 편면에, 점착제 (점착제 조성물) 를 직접 도포하여, 점착제층을 형성해도 된다. 점착제의 도포 방법으로는, 완충층의 제조법에서 나타낸 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.
박리 시트 상에 완충층을 형성하는 방법으로는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물을, 공지된 도포 방법으로, 직접 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막에 에너지선을 조사함으로써, 완충층을 형성할 수 있다. 또, 기재의 편면에, 완충층 형성용 조성물을 직접 도포하고, 가열 건조 혹은 도포막에 에너지선을 조사함으로써, 완충층을 형성해도 된다.
완충층 형성용 조성물의 도포 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다. 또, 도포성을 향상시키기 위해서, 완충층 형성용 조성물에 대해 유기 용매를 배합하고, 용액의 형태로서, 박리 시트 상에 도포해도 된다.
완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 완충층 형성용 조성물의 도포막에 대해, 에너지선을 조사함으로써 경화시켜, 완충층을 형성하는 것이 바람직하다. 완충층의 경화는, 한 번의 경화 처리로 실시해도 되고, 복수회로 나누어 실시해도 된다. 예를 들어, 박리 시트 상의 도포막을 완전히 경화시켜 완충층을 형성한 후에 기재에 첩합해도 되고, 당해 도포막을 완전히 경화시키지 않고 반경화 상태의 완충층 형성막을 형성하고, 당해 완충층 형성막을 기재에 첩합한 후, 다시 에너지선을 조사하여 완전히 경화시켜 완충층을 형성해도 된다. 당해 경화 처리에서 조사하는 에너지선으로는, 자외선이 바람직하다. 또한, 경화할 때에는, 완충층 형성용 조성물의 도포막이 노출된 상태여도 되지만, 박리 시트나 기재로 도포막이 덮여, 도포막이 노출되지 않은 상태에서 에너지선을 조사하여 경화하는 것이 바람직하다.
또한, 기재의 양면에 완충층이 형성된 보호 시트의 제조 방법은, 예를 들어, 상기 서술한 방법에 의해, 완충층과 기재와 완충층이 이 순서로 적층된 적층체를 얻고, 그 후, 일방의 완충층측에 점착제층을 형성하면 된다.
[워크 개편화물의 제조 방법]
본 발명에 관련된 보호 시트는, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 유리, 세라믹 등의 워크의 가공시에 워크를 일시적으로 유지하기 위해서 사용된다. 워크의 가공은, 예를 들어 절단, 연마 등이지만, 이것에 한정되지 않는다. 이들 용도 중에서도, 특히 바람직하게는, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 표면에 첩부하고 워크의 이면 연삭을 실시하여, 반도체 칩 등의 워크 개편화물을 제조하는 방법에 사용된다. 보다 바람직하게는, 본 발명에 관련된 보호 시트는, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 이면 연삭과 워크의 개편화를 동시에 실시하는 DBG 에 있어서 바람직하게 사용된다. 특히 바람직하게는, 본 발명에 관련된 보호 시트는, 반도체 웨이퍼를 개편화했을 때에, 커프 폭이 작은 칩군이 얻어지는 LDBG 에 바람직하게 사용된다. 또한, 「칩군」이란, 본 발명에 관련된 보호 시트 상에 유지된, 웨이퍼 형상으로 정렬한 복수의 반도체 칩을 말한다.
보호 시트의 비한정적인 사용예로서, 이하에 반도체 장치의 제조 방법을 더욱 구체적으로 설명한다.
워크 개편화물의 제조 방법은, 구체적으로는, 이하의 공정 1 ∼ 공정 3 을 적어도 구비한다.
공정 1 : 상기 보호 시트를 워크의 표면에 첩부하는 공정
공정 2 : 워크의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 워크의 표면 혹은 이면으로부터 워크 내부에 개질 영역을 형성하는 공정
공정 3 : 보호 시트가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 개질 영역이 형성된 워크를, 이면측으로부터 연삭하여, 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정
이하, 상기 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.
(공정 1)
공정 1 에서는, 본 발명의 보호 시트를, 점착제층을 개재하여 워크 표면에 첩부한다. 보호 시트는, 미리 워크와 대략 동일한 형상으로 절단되어 있어도 되고, 큰 보호 시트를 워크에 첩부하고, 그 후에, 워크의 외주를 따라 보호 시트를 절단해도 된다.
본 공정은, 후술하는 공정 2 의 전에 실시되어도 되지만, 공정 2 의 후에 실시해도 된다. 예를 들어, 워크에 개질 영역을 형성하는 경우에는, 공정 1 을 공정 2 의 전에 실시하는 것이 바람직하다. 한편, 워크 표면에, 다이싱 블레이드 등에 의해 홈을 형성하는 경우에는, 공정 2 의 후에 공정 1 을 실시한다. 즉, 후술하는 공정 2 에서 형성한 홈을 갖는 워크의 표면에, 본 공정 1 에서 보호 시트를 첩부하게 된다.
본 제조 방법에서 사용되는 워크는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또 갈륨비소, 탄화규소, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 질화갈륨, 인듐인 등의 웨이퍼나, 유리 웨이퍼여도 된다. 워크의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다. 또한, 워크가 반도체 웨이퍼인 경우, 통상, 그 표면에 회로가 형성되어 있다. 웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 실시할 수 있다.
(공정 2)
공정 2 에서는, 워크의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 워크의 표면 또는 이면으로부터 워크의 내부에 개질 영역을 형성한다.
본 공정에서 형성되는 홈은, 워크의 두께보다 얕은 깊이의 홈이다. 홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용하여 다이싱 블레이드에 의해 실시하는 것이 가능하다. 또, 워크는, 후술하는 공정 3 에 있어서, 홈을 따라 복수의 워크 개편화물로 개편화된다.
또, 개질 영역은, 워크에 있어서 취질화된 부분으로, 연삭 공정에 있어서의 연삭에 의해, 워크가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해지거나 함으로써 워크가 파괴되어 워크 개편화물로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 즉, 공정 2 에 있어서 홈 및 개질 영역은, 후술하는 공정 3 에 있어서, 워크가 분할되어 워크 개편화물로 개편화될 때의 분할선을 따르도록 형성된다.
개질 영역의 형성은, 워크의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 실시하여, 개질 영역은 워크의 내부에 형성된다. 레이저의 조사는, 워크의 표면측으로부터 실시해도 되고, 이면측으로부터 실시해도 된다. 또한, 개질 영역을 형성하는 양태에 있어서, 공정 2 를 공정 1 의 후에 실시하고 워크 표면으로부터 레이저 조사를 실시하는 경우, 보호 시트를 개재하여 워크에 레이저를 조사하게 된다.
보호 시트가 첩부되고, 또한 홈 또는 개질 영역을 형성한 워크는, 척 테이블 상에 놓여지고, 척 테이블에 흡착되어 유지된다. 이 때, 보호 시트의 완충층이 테이블측에 배치되어 흡착된다.
(공정 3)
공정 1 및 공정 2 의 후, 척 테이블 상의 워크의 이면을 연삭하여, 워크를 복수의 워크 개편화물로 개편화한다. 연삭시에 발생하는 마찰열이나 연삭 부스러기를 제거하기 위해서, 연삭수를 분무하면서 연삭을 실시한다.
여기서, 이면 연삭은, 워크에 홈이 형성되는 경우에는, 적어도 홈의 바닥부에 이르는 위치까지 워크를 얇게 하도록 실시한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은, 워크를 관통하는 노치가 되고, 워크는 노치에 의해 분할되어, 개개의 워크 개편화물로 개편화된다.
한편, 개질 영역이 형성되는 경우에는, 연삭에 의해 연삭면 (웨이퍼 이면) 은, 개질 영역에 도달해도 되지만, 엄밀하게 개질 영역까지 도달하지 않아도 된다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 워크가 파괴되어 워크 개편화물로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 된다. 예를 들어, 워크 개편화물의 실제의 개편화는, 후술하는 픽업 테이프를 첩부하고 나서 픽업 테이프를 연신하는 것에 의해 실시해도 된다.
개편화된 워크 개편화물의 형상은, 사각형이어도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상으로 되어 있어도 된다. 또한, 개편화된 워크 개편화물의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 정도이고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다. 레이저로 워크 내부에 개질 영역을 형성하고, 워크 이면 연삭시의 응력 등으로 워크의 개편화를 실시하는, LDBG 에 의하면, 개편화된 워크 개편화물의 두께를 50 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 로 하는 것이 용이해진다. 또한, 개편화된 워크 개편화물의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 칩 사이즈가 바람직하게는 600 mm2 미만, 보다 바람직하게는 400 mm2 미만, 더욱 바람직하게는 300 mm2 미만이다. 칩의 픽업에 앞서, 드라이 폴리시를 실시해도 된다. 드라이 폴리시란, 개편화된 칩의 이면을 건식 지석에 의해, 경면 마무리하는 공정을 말한다. 이 공정을 거침으로써, 칩 이면의 파쇄층이 감소하여, 항절 강도가 높아진다.
이상의 공정을 거쳐, 보호 시트 상에 워크 개편화물이 얻어지고, 워크가 반도체 웨이퍼인 경우에는, 절단 전의 웨이퍼 형상으로 정렬된 복수의 반도체 칩이 얻어진다. 워크 개편화물이 첩부되어 있는 보호 시트를 척 테이블로부터 떼어내고, 다음 공정으로 이송한다. 척 테이블로부터 보호 시트를 떼어낼 때에는, 흡인이 개방되고, 연삭수의 일부가 보호 시트의 완충층과 테이블 사이로 침입하여, 연삭 부스러기가 완충층에 부착되는 경우가 있다.
이면 연삭의 종료 후, 연삭면에는, 이후의 다이 본드 공정에서 사용하는 필름상 접착제나, 보호막 (혹은 그 전구체 필름) 을 첩부해도 된다. 필름형 접착제나 보호막을 형성할 때에는, 접착제나 보호막이 되는 수지 필름을 칩 이면에 압착한다.
칩 이면에 수지 필름을 압착할 때에는, 칩군에 압력이 가해진다. 이 때에, 보호 시트의 완충층 표면에 절삭 부스러기 등의 이물질이 존재하면, 이 이물질의 근방에 존재하는 칩에는 국소적으로 큰 힘이 가해져, 이물질을 기점으로 하여 칩을 파손시키는 경우가 있다.
본 발명의 보호 시트에서는, 상기한 바와 같이 완충층이 특이한 점탄성을 갖도록 재료 설계되어 있기 때문에, 완충층에 연삭 부스러기가 접촉한 경우라도, 완충층에 연삭 부스러기가 부착되기 어렵다는 특성을 갖는다. 이 때문에 수지 필름의 압착시에 있어서의, 연삭 부스러기에서 기인하는 칩의 파손을 방지할 수 있다.
다음으로, 개편화된 워크 (즉, 복수의 워크 개편화물) 로부터, 워크 가공용 보호 시트를 박리한다. 본 공정은, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 실시한다.
먼저, 보호 시트의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화시킨다. 이어서, 개편화된 워크 개편화물의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 워크 개편화물의 외주측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하고, 픽업 테이프의 외주연부를 링 프레임에 고정시킨다. 픽업 테이프에는, 워크 개편화물과 링 프레임을 동시에 첩합해도 되고, 별도의 타이밍에 첩합해도 된다. 이어서, 픽업 테이프 상에 유지된 복수의 워크 개편화물로부터 보호 시트를 박리한다.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 워크 개편화물을 픽업한다. 워크 개편화물이 반도체 칩인 경우에는, 반도체 장치용의 기판 등의 위에 고정하여, 반도체 장치를 제조한다.
또한, 픽업 테이프는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 기재와, 기재의 적어도 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 테이프에 의해 구성된다.
또, 픽업 테이프 대신에, 접착 테이프를 사용할 수도 있다. 접착 테이프란, 필름상 접착제와 박리 시트의 적층체, 다이싱 테이프와 필름상 접착제의 적층체나, 다이싱 테이프와 다이 본딩 테이프의 양방의 기능을 갖는 접착제층과 박리 시트로 이루어지는 다이싱·다이 본딩 테이프 등을 들 수 있다. 즉, 본 실시형태에서는 다이싱·다이 본딩 테이프를 워크의 이면에 첩부하는 공정을 포함해도 된다. 또한, 픽업 테이프를 첩부하기 전에, 개편화된 워크의 이면측에 필름상 접착제를 첩합해도 된다. 필름상 접착제를 사용하는 경우, 필름상 접착제는 웨이퍼와 동일한 형상으로 해도 된다.
접착 테이프를 사용하는 경우나 픽업 테이프를 첩부하기 전에 개편화된 워크의 이면측에 필름상 접착제를 첩합하는 경우에는, 접착 테이프나 픽업 테이프 상에 있는 복수의 워크 개편화물은, 워크 개편화물과 동일 형상으로 분할된 접착제층과 함께 픽업된다. 그리고, 워크 개편화물은 접착제층을 통하여 기판 등의 위에 고정화되어, 반도체 장치가 제조된다. 접착제층의 분할은, 레이저나 익스팬드에 의해 실시된다. 또한, 접착 테이프 대신에, 칩 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 테이프를 사용해도 된다.
이상, 본 발명에 관련된 보호 시트에 대해서, DBG 또는 LDBG 에 의해 워크를 개편화하는 방법에 사용하는 예에 대해서 설명했지만, 본 발명에 관련된 보호 시트는, 통상적인 이면 연삭에 사용하는 것도 가능하고, 또한, 유리, 세라믹 등의 가공시에도 피가공물을 일시적으로 유지하기 위해 사용할 수도 있다. 또한, 각종 재박리 보호 시트로서도 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다.
측정 방법, 평가 방법을 이하에 나타낸다.
[응력 완화율의 측정]
실시예 및 비교예에서 제조한 완충층만의 단체 (單體) 필름을 폭 15 mm, 길이 150 mm 로 잘라내고, 두께가 0.1 mm 가 되도록 적층하여, 시험편을 얻는다. 이 시험편을, 척간 거리 100 mm 로 정밀 만능 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조 오토그래프 AG-IS) 에 장착하고, 속도 200 mm/분으로 잡아당겨, 10 ％ 신장시의 응력 A 와, 신장 정지 1 분 후의 응력 B 로부터 (A－B)/A×100 (％) 에 의해 완충층의 응력 완화율을 산출한다. 또한, 측정은 23 ℃, 50 ％RH 의 환경하에서 실시한다.
[영률의 측정]
실시예 및 비교예에서 제조한 완충층만의 단체 필름을 폭 15 mm, 길이 150 mm 로 잘라내고, 두께가 0.1 mm 가 되도록 적층하여, 시험편을 얻는다. 이 시험편을, 척간 거리 100 mm 로 정밀 만능 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조 오토그래프 AG-IS) 에 장착하고, 속도 200 mm/분으로 잡아당겨, 영률을 측정한다. 또한, 측정은 23 ℃, 50 ％RH 의 환경하에서 실시한다.
[이물질 부착수의 평가 방법]
연삭 부스러기의 대용으로서 미소한 실리콘 칩을 준비하고, 보호 시트의 완충층에 부착되는 실리콘 칩의 수를 카운트하여, 완충층의 이물질 부착성을 평가한다.
구체적으로는, 린텍 제조 RAD-2700F/12 의 마운트 테이블 상에, 1 mm×1 mm 로 다이싱한 300 ㎛ 두께의 9 개의 실리콘 칩을 거의 등간격이 되도록 배치한다 (도 2 참조). 실시예 및 비교예에서 제조한 보호 시트를 직경 12 인치의 원형으로 커트하고, 1 분간 이오나이저를 사용하여 제전한 후, 보호 시트의 완충층측의 면이 실리콘 칩과 접촉하도록 마운트 테이블 상에 세팅한다. 이 상태에서 마운트 테이블의 흡인 (진공) 을 실시하고, 20 초 후에 흡인을 개방하여, 핀셋으로 천천히 보호 시트를 들어 올린다. 들어 올렸을 때에 칩이 완충층에 부착되어 있는 수를 계측한다. 이 조작을 10 회 실시하고, 그 평균값을 이물질 부착수로 하였다.
평균값이 0 ∼ 2 개를 A, 2 를 초과 4 개 이하를 B, 4 를 초과 6 개 이하를 C, 6 을 초과 9 개 이하를 D 로 하였다.
이하의 실시예 및 비교예의 질량부는 모두 고형분 환산이다.
[실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 5]
(1) 기재
기재로서, 양면 코트층이 형성된 PET 필름 (토요보사 제조, 제품명 [코스모샤인 A4300], 두께 : 50 ㎛, 23 ℃ 에 있어서의 영률 : 2550 MPa) 을 준비하였다.
(2) 점착제층
N-부틸아크릴레이트 (BA), 메틸메타크릴레이트 (MMA) 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (BA/MMA/2HEA = 65/20/15 (질량％) 를 공중합하여 얻은 아크릴계 공중합체) 에, 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 80 몰％ 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 (Mw : 50 만) 를 얻었다.
이 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 100 질량부에, 에너지선 경화성 화합물인 다관능 우레탄아크릴레이트 (상품명 : 시코 UT-4332, 미츠비시 케미컬 공업 주식회사 제조) 6 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소 주식회사 제조, 상품명 : 콜로네이트 L) 를 고형분 기준으로 0.375 질량부, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드로 이루어지는 광중합 개시제 1 중량부를 첨가하고, 용제로 희석함으로써 점착제 조성물의 도공액을 조정하였다. 그리고, 박리 시트 (린텍사 제조, 상품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 두께 : 38 ㎛) 의 박리 처리가 된 면 위에 상기 점착제 조성물의 도공액을 도포하고, 건조시켜, 두께 20 ㎛ 의 점착제층을 갖는, 점착제층이 형성된 박리 시트를 제작하였다.
(3) 완충층
(완충층 형성용 조성물의 조제)
에너지선 중합성 화합물로서, 사토머사로부터 구입한 우레탄아크릴레이트계 올리고머 (CN8881), 이소보르닐아크릴레이트 (IBXA), 폴리에틸렌글리콜 (200) 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 (400) 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 (600) 디아크릴레이트, 에톡시화 (3) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에톡시화 (6) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에톡시화 (9) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트를, 표 1 에 기재된 배합량으로 배합하고, 추가로 광중합 개시제로서 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 (IGM Resin 사 제조, 제품명 「Omnirad 1173」) 을 2.0 질량부 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제하였다.
박리 시트 (린텍사 제조, 상품명 「SP-PET381031」 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 두께 : 38 ㎛) 의 박리 처리가 된 면 위에 상기 완충층 형성용 조성물을 도포하여 도포막을 형성하였다. 그리고, 당해 도포막에 대해 자외선을 조사하여, 당해 도포막을 반경화시키고, 두께 28 ㎛ 의 완충층의 반경화막을 형성하였다.
또한, 상기의 자외선 조사는 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치 (제품명 「ECS-401GX」아이그래픽스사 제조) 및 고압 수은 램프 (제품명 「H04-L41」아이그래픽스사 제조) 를 사용하여, 램프 높이 260 mm, 출력 80 W/cm, 조도 70 mW/cm2, 조사량 30 mW/cm2 의 조사 조건하에서 실시하였다.
그리고, 형성한 반경화막의 표면과 기재의 제 1 코팅층을 첩합하고, 반경화막 상의 박리 시트측으로부터 다시 자외선을 조사하여, 당해 반경화막을 완전히 경화시키고, 두께 28 ㎛ 의 완충층을 형성하였다. 또한, 2 번째의 자외선 조사는, 상기 서술한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 사용하여, 램프 높이 210 mm, 출력 120 W/cm, 조도 155 mW/cm2, 조사량 600 mW/cm2 의 조사 조건하에서 실시하였다. 얻어진 완충층의 응력 완화율 및 영률을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(4) 보호 시트의 제조
이어서, 상기 양면 코트층이 형성된 PET 필름의 제 2 코트층 상에, 상기 점착제층이 형성된 박리 시트의 점착제층을 첩합하여 워크 가공용 보호 시트를 제조하였다. 얻어진 워크 가공용 보호 시트를 사용하여 이물질 부착수를 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
Figure pat00001
표 1 중의 약호는 이하와 같다.
CN8881 : 사토머사 제조 우레탄아크릴레이트계 올리고머
IBXA : 이소보르닐아크릴레이트
PEG (200) : 폴리에틸렌글리콜 (200) 디아크릴레이트
PEG (400) : 폴리에틸렌글리콜 (400) 디아크릴레이트
PEG (600) : 폴리에틸렌글리콜 (600) 디아크릴레이트
3TMPTA : 에톡시화 (3) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트
6TMPTA : 에톡시화 (6) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트
9TMPTA ; 에톡시화 (9) 트리메틸올프로판트리아크릴레이트
Figure pat00002
이상의 결과로부터, 본 발명에 관련된 워크 가공용 보호 시트에 의하면, 완충층이 특이한 점탄성을 갖기 때문에, 완충층과 이물질이 접촉해도 완충층에 이물질이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
10 : 보호 시트
11 : 기재
12 : 점착제층
13 : 완충층

Claims (5)

  1. 기재와, 당해 기재의 일방의 면측에 형성된 완충층과, 당해 기재의 타방의 면측에 형성된 점착제층을 갖는 워크 가공용 보호 시트로서,
    그 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 응력 완화율이 50 ％ 이하이고, 또한 그 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 400 MPa 이상인, 워크 가공용 보호 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 1000 MPa 이상인, 워크 가공용 보호 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 완충층이, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물의 경화물인, 워크 가공용 보호 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    표면에 홈이 형성되거나, 또는 내부에 개질 영역이 형성된 워크의 이면을 연삭함으로써 워크를 워크 개편화물로 개편화하는 공정에 있어서, 워크의 표면에 첩부되어 사용되는, 워크 가공용 보호 시트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 워크 가공용 보호 시트를 워크의 표면에 첩부하는 공정과,
    상기 워크의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 상기 워크의 표면 혹은 이면으로부터 워크 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,
    상기 보호 시트가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 상기 개질 영역이 형성된 워크를, 이면측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 워크 개편화물로 개편화시키는 공정을 구비하는 워크 개편화물의 제조 방법.
KR1020230029254A 2022-03-10 2023-03-06 워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법 KR20230134093A (ko)

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