WO2022201790A1 - 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

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WO2022201790A1
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meth
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adhesive
mass
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和幸 田村
淳 前田
亮 飯塚
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor processing, and more particularly, a method of forming grooves on the surface of a wafer, or forming a modified region inside the wafer with a laser, and singulating the wafer by stress or the like during grinding of the backside of the wafer.
  • the present invention relates to an adhesive tape preferably used for temporarily holding a semiconductor wafer or chip when manufacturing a semiconductor device using , and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
  • DBG Dicing Before Grinding
  • LDBG Laser Dicing Before Grinding
  • an adhesive tape called a backgrind sheet is placed on the wafer surface to protect the circuits on the wafer surface and to hold the semiconductor wafer and semiconductor chips. is generally attached.
  • an adhesive tape having an adhesive layer is attached to the ground surface.
  • the adhesive tape attached to the wafer surface is peeled off after its adhesive strength is lowered by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays. Through such a process, an adhesive tape is attached to the back surface of the wafer.
  • Patent Document 1 proposes a pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer that uses a pressure-sensitive adhesive whose tack force decreases by 60% or more after UV irradiation in the presence of oxygen.
  • chip crack chipping or breakage of the chip
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing how the thickness of the semiconductor wafer 20 to which the adhesive tape 10 is attached is gradually reduced when the backside of the semiconductor wafer 20 is ground.
  • (1) shows the state before back grinding
  • (3) shows the state when the thickness of the semiconductor wafer is about 30 ⁇ m
  • (2) shows the state from (1) to (3).
  • the semiconductor wafer 20 before grinding has rounded side surfaces.
  • the adhesive tape 10 protects the circuits on the surface of the wafer, and usually includes a material that is flat and hard enough to hold the wafer and chips. Therefore, when the adhesive tape 10 is attached to the wafer 20 before grinding, there is a slight area where the adhesive tape does not adhere to the outer edge of the wafer 20, as shown in FIG. 1(1).
  • the thickness of the semiconductor wafer 20 decreases and the size changes as the wafer backside grinding progresses through (1), (2), and (3), but the size of the adhesive tape 10 does not change. do not have. Then, when the thickness of the wafer 20 is reduced to about 30 ⁇ m by grinding the back surface of the wafer, the rounded portion of the side surface of the wafer 20 is removed as shown in FIG. 1(3). Then, even if the shape of the adhesive tape is substantially the same as that of the wafer before grinding as shown in FIG. parts are exposed. When the adhesive tape is irradiated with energy rays such as ultraviolet rays in this state, the adhesive strength of the portion of the adhesive tape that is in close contact with the wafer is sufficiently reduced.
  • energy rays such as ultraviolet rays
  • the oxygen in the atmosphere inhibits the adhesive from curing, and the irradiation of energy rays such as ultraviolet rays can also cause the adhesive to harden.
  • the adhesive strength does not decrease sufficiently.
  • the adhesive tape has an uncured portion even after being irradiated with energy rays such as ultraviolet rays.
  • a dicing die bonding tape is attached as an adhesive tape to the back surface of the wafer after back grinding.
  • 2 and 3 are schematic diagrams of a laminated body in which a dicing/die bonding tape 30 is further attached to a semiconductor wafer 20 after back grinding to which an adhesive tape 10 is attached.
  • the dicing die bonding tape 30 includes an adhesive layer (not shown) and is attached to the semiconductor wafer 20 by the adhesive layer.
  • FIG. 3 shows a state in which a dicing die-bonding tape 30 is attached to a semiconductor wafer 20 whose backside has been ground to an extremely thin thickness of about 30 ⁇ m.
  • FIG. 3 shows a state in which a dicing die-bonding tape 30 is attached to a semiconductor wafer 20 whose backside has been ground to an extremely thin thickness of about 30 ⁇ m.
  • FIG. 1 shows a state in which a dicing die-bonding tape 30 is attached to a semiconductor wafer 20 whose backside has been ground to an extremely thin thickness of
  • FIG. 2 shows a state in which a dicing die bonding tape 30 is attached to a semiconductor wafer 20 and the thickness of the semiconductor wafer 20 is larger than that in FIG.
  • the thickness of the semiconductor wafer 20 after back grinding is greater than the thickness of the dicing die bonding tape 30, even if the dicing die bonding tape 30 is attached, the uncured portion of the adhesive tape 10 remains the same as the dicing die bonding tape 30. Do not touch the adhesive layer of the However, as shown in FIG.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and an object of the present invention is to provide an adhesive tape for semiconductor processing that can suppress chip cracking when the adhesive tape is peeled off.
  • the gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
  • An adhesive tape having a substrate and an adhesive layer, Adhesion of the exposed surface of the adhesive layer after irradiating the adhesive tape with ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light amount of 500 mJ/cm 2 with one surface of the adhesive layer exposed to the atmosphere.
  • An adhesive tape for semiconductor processing having an energy of 0.220 J/m 2 or less.
  • the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic resin
  • the pressure-sensitive adhesive layer With one surface of the pressure-sensitive adhesive layer exposed to the atmosphere, the pressure-sensitive adhesive layer is exposed after irradiating the pressure-sensitive adhesive tape with ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light intensity of 500 mJ/cm 2 .
  • the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the front surface and having the groove or the modified region formed therein is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region. process and peeling off the adhesive tape from the plurality of chips;
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the adhesive strength of the adhesive layer can be sufficiently reduced in an air atmosphere. As a result, the occurrence of cracks in the semiconductor chip can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the progress of backside grinding of a semiconductor wafer.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a laminate composed of the adhesive tape 10, the semiconductor wafer 20 after back grinding, and the dicing/die bonding tape 30, and shows the case where the thickness of the semiconductor wafer 20 is greater than that in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a laminated body composed of an adhesive tape 10, a semiconductor wafer 20 after back grinding, and a dicing/die bonding tape 30. The semiconductor wafer 20 is back ground to a very thin thickness of about 30 ⁇ m. Indicates status.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the adhesive tape according to this embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a laminated body composed of the adhesive tape according to the present embodiment, the semiconductor wafer 20 after back grinding, and the dicing die bonding tape 30. Shows if ground.
  • Form semiconductor processing means that it can be used in each process such as transportation of semiconductor wafers, back grinding, dicing, and pickup of semiconductor chips.
  • the "front surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which no circuits are formed. Separation of a semiconductor wafer means dividing the semiconductor wafer into individual circuits to obtain semiconductor chips.
  • DBG refers to a method in which a groove of a predetermined depth is formed on the front side of the wafer, then the wafer is ground from the back side, and the wafer is singulated by grinding.
  • the grooves formed on the surface side of the wafer are formed by a method such as blade dicing, laser dicing or plasma dicing.
  • LDBG is a modification of DBG, and refers to a method in which a laser is used to provide a modified region inside the wafer, and the wafer is singulated by stress or the like during grinding of the back surface of the wafer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention may be simply referred to as "adhesive tape".
  • the adhesive tape 100 means a laminate including a substrate 110 and an adhesive layer 120.
  • the adhesive tape 100 may have a buffer layer on at least one surface of the substrate 110 .
  • a primer layer may be formed on the surface of the substrate on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer until use.
  • the base material may be a single layer or may be a multilayer. The same applies to the adhesive layer and the buffer layer. The configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to this embodiment will be described in more detail below.
  • the cohesion energy of the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer is 0.220 J/m 2 or less, preferably 0.200 J/m 2 or less, more preferably 0.190 J/m 2 or less.
  • the lower limit of the adhesion energy is not particularly limited, it is usually 0.12 J/m 2 , preferably 0.14 J/m 2 .
  • the ultraviolet irradiation is performed from the substrate side.
  • the adhesion energy is measured using an atomic force microscope. Specifically, a silicon nitride cantilever (tip radius: 2 nm, resonance frequency: 70 kHz, spring constant: 0.4 N/m) installed in an atomic force microscope was used to irradiate the surface of the adhesive layer at room temperature. Pushing is performed at a pushing amount of 5 nm and a scanning speed of 5 Hz, followed by pulling apart. The obtained force curve (horizontal axis is the sample deformation amount and vertical axis is the measured load) is fitted with the JKR theoretical formula to calculate the adhesion energy. Let the average value of the value obtained by measuring 4096 points in 5 micrometers x 5 micrometers on the surface of an adhesive layer be adhesion energy (J/m ⁇ 2 >).
  • the cohesive energy is adjusted so that the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic resin, and further, by adjusting the amount of polymerized units derived from 2-hydroxyethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as HEMA). , can be controlled.
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • the adhesion energy can be controlled within the above range by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that the content of polymerized units derived from HEMA is 6 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acrylic resin.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light intensity of 500 mJ/cm 2 with one surface of the pressure-sensitive adhesive layer exposed to the atmosphere.
  • the surface free energy of the exposed surface of is preferably less than 36 mJ/m 2 , more preferably 32 mJ/m 2 or less, and preferably 30 mJ/m 2 or less. From the viewpoint of sufficiently reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, the surface free energy is preferably within the above range.
  • the lower limit of the surface free energy is not particularly limited, it is usually 18 mJ/m 2 , preferably 22 mJ/m 2 .
  • the ultraviolet irradiation is performed from the substrate side. Further, the surface free energy is determined by the Kitazaki-Hata method based on the contact angle (measurement temperature: 25° C.) of various droplets measured. Specifically, diiodomethane, 1-bromonaphthalene, and distilled water are used as droplets, and the contact angle (measurement temperature: 25° C.) is measured by the sessile droplet method in accordance with JIS R 3257:1999. Surface free energy (mJ/m 2 ) is determined by the Kitazaki-Hata method based on the value of the contact angle.
  • the above surface free energy can be controlled by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that it contains an acrylic resin, and further by adjusting the amount of polymerized units derived from HEMA.
  • the surface free energy can be controlled within the above range by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that the content of polymerized units derived from HEMA is 6 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total acrylic resin.
  • the The surface elastic modulus of the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 MPa or higher, more preferably 6 MPa or higher, and still more preferably 6.5 MPa or higher. From the viewpoint of sufficiently reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, the surface elastic modulus is preferably within the above range. Although the upper limit of the surface elastic modulus is not particularly limited, it is usually 17 MPa, preferably 14 MPa.
  • the ultraviolet irradiation is performed from the base material side.
  • the surface elastic modulus is measured using an atomic force microscope. Specifically, a silicon nitride cantilever (tip radius: 2 nm, resonance frequency: 70 kHz, spring constant: 0.4 N/m) installed in an atomic force microscope was used to irradiate the surface of the adhesive layer at room temperature. Pushing is performed at a pushing amount of 5 nm and a scanning speed of 5 Hz, followed by pulling apart.
  • the surface elastic modulus is calculated by fitting the obtained force curve curve (horizontal axis is sample deformation amount, vertical axis is measurement load) with JKR theoretical formula. Let the average value of the value obtained by measuring 4096 points in 5 micrometers x 5 micrometers on the surface of an adhesive layer be a surface elastic modulus (MPa).
  • the surface elastic modulus can be controlled by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that it contains an acrylic resin, and by adjusting the amount of polymerized units derived from HEMA.
  • the surface elastic modulus can be controlled within the above range by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that the content of polymerized units derived from HEMA is 6 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total acrylic resin.
  • the adhesive tape with one surface of the adhesive layer exposed to the atmosphere, the adhesive tape is irradiated with ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light amount of 500 mJ/cm 2 .
  • a PMMA plate is attached to the exposed surface of the layer at 23 ° C. and 50% RH under the conditions of one reciprocation with a 2 kg roll, left for 30 minutes, and then the adhesive tape is peeled off 180 °. It is 1600 mN/25 mm or less, more preferably 1100 mN/25 mm or less, still more preferably 980 mN/25 mm or less, and particularly preferably 800 mN/25 mm or less. From the viewpoint of sufficiently reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to set the peel strength in the above range.
  • the lower limit of the peel strength is not particularly limited, but is usually 50 N/25 mm, preferably 80 N/25 mm.
  • the ultraviolet irradiation is performed from the base material side.
  • PMMA is polymethyl methacrylate
  • the PMMA plate "Acrylite L001" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. having a thickness of 2 mm, a width of 70 mm, and a length of 150 mm is used.
  • the above-mentioned peel strength is measured under the conditions that the width of the adhesive tape is 25 mm, the peel speed is 300 mm/min, and the measurement temperature is 25°C.
  • the above peel strength can be controlled by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that it contains an acrylic resin, and by adjusting the amount of polymerized units derived from HEMA.
  • the peel strength can be controlled within the above range by preparing the pressure-sensitive adhesive layer so that the content of polymerized units derived from HEMA is 6 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total acrylic resin.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited as long as the adhesive layer has a peel strength of 1600 mN/25 mm or less after ultraviolet irradiation in a state of being exposed to the atmosphere as described above, but is preferably less than 100 ⁇ m, It is more preferably 5 to 80 ⁇ m, still more preferably 10 to 70 ⁇ m.
  • the adhesive layer is not particularly limited as long as the peel strength after ultraviolet irradiation is 1600 mN/25 mm or less in a state exposed to the atmosphere as described above, but it is preferably formed from an acrylic adhesive. Moreover, the adhesive layer is preferably formed from an energy ray-curable adhesive.
  • energy ray refers to ultraviolet rays, electron beams, etc., and preferably ultraviolet rays are used.
  • an energy ray-curable adhesive for forming the adhesive layer for example, in addition to a non-energy ray-curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”), an energy ray-curable compound other than the adhesive resin can be used.
  • An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter also referred to as “X-type pressure-sensitive adhesive composition”) can be used.
  • an energy ray-curable adhesive resin hereinafter also referred to as “adhesive resin II" obtained by introducing an unsaturated group into the side chain of a non-energy ray-curable adhesive resin is used.
  • a pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter, also referred to as "Y-type pressure-sensitive adhesive composition”) containing as a main component and not containing an energy ray-curable compound other than the pressure-sensitive adhesive resin may also be used.
  • the energy ray-curable adhesive a combined type of X-type and Y-type, that is, in addition to the energy ray-curable adhesive resin II, an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin is used.
  • An adhesive composition (hereinafter also referred to as "XY type adhesive composition") may be used. Among these, it is preferable to use the XY type adhesive composition. By using the XY type, it is possible to have sufficient adhesive properties before curing, while sufficiently reducing the peel strength to the semiconductor wafer after curing.
  • the adhesive may be formed from a non-energy ray-curable adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy rays.
  • the non-energy ray-curable adhesive composition contains at least the non-energy ray-curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray-curable adhesive resin II and the energy ray-curable compound. be.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II.
  • specific adhesive resins include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins, with acrylic resins being preferred.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive in which an acrylic resin is used as the pressure-sensitive adhesive resin will be described in more detail below.
  • Acrylic polymer is used for acrylic resin.
  • the acrylic polymer is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth)acrylate, and contains structural units derived from the alkyl (meth)acrylate.
  • Alkyl (meth)acrylates include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth)acrylates include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, ) acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate and the like. You may use an alkyl (meth)acrylate individually or in combination of 2 or more types.
  • the acrylic polymer preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkyl (meth)acrylate is preferably 4-12, more preferably 4-6.
  • the alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.
  • an alkyl group having a carbon number of 4 or more is added in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a copolymer containing 1 to 3 alkyl (meth)acrylate-derived structural units is preferred.
  • the alkyl (meth)acrylate is preferably an alkyl (meth)acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth)acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the content of the alkyl (meth)acrylate having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 3 to 26 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the monomer. parts by mass, more preferably 5 to 22 parts by mass.
  • the acrylic polymer preferably has structural units derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural units derived from the alkyl (meth)acrylate described above.
  • the functional group of the functional group-containing monomer includes a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, an epoxy group and the like.
  • the functional group-containing monomer reacts with a cross-linking agent described later to become a cross-linking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer. be.
  • Functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, and the like. In this embodiment, it is particularly preferable to use HEMA in a predetermined amount or more as the functional group-containing monomer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer preferably contains an acrylic resin, and the content of polymerized units derived from HEMA is preferably 6 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the total acrylic resin. .
  • the content of polymerized units derived from HEMA may be 10 parts by mass or more, or 12 parts by mass or more.
  • the content of polymerized units derived from HEMA is used within the above range, so that the peel strength, surface free energy, surface elastic modulus, and cohesion energy of the pressure-sensitive adhesive are within the desired ranges. can do.
  • the upper limit of the content of polymerized units derived from HEMA in the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but it is usually 35 parts by mass, preferably 32 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin.
  • hydroxyl group-containing monomers other than HEMA carboxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, and the like may be used alone or in combination of two or more.
  • hydroxyl group-containing monomers and carboxy group-containing monomers are preferably used, and hydroxyl group-containing monomers are more preferably used.
  • hydroxyl group-containing monomers other than HEMA described above examples include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3- Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as hydroxybutyl (meth)acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol;
  • Carboxy group-containing monomers include, for example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and their anhydrides , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid
  • dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and their anhydrides
  • 2-carboxyethyl methacrylate and the like include, for example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic
  • the content of functional group-containing monomers other than HEMA is preferably 1 to 35 parts by mass, more preferably 3 to 32 parts by mass, and still more preferably 6 to 35 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of monomers constituting the acrylic polymer. 30 parts by mass.
  • the acrylic polymer may contain structural units derived from monomers copolymerizable with the above acrylic monomers, such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. may contain.
  • the above acrylic polymer can be used as a non-energy ray-curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • the energy ray-curable acrylic resin include those obtained by reacting the functional group of the acrylic polymer I with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound). .
  • the unsaturated group-containing compound is a compound having both a substituent capable of bonding to the functional group of the acrylic polymer and a photopolymerizable unsaturated group.
  • the photopolymerizable unsaturated group includes a (meth)acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, a vinylbenzyl group, etc., and a (meth)acryloyl group is preferred.
  • an isocyanate group, a glycidyl group, etc. are mentioned as a functional group and a bondable substituent which the unsaturated group containing compound has.
  • examples of unsaturated group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloylisocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and the like.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer.
  • 50 to 98 mol% of the functional groups of the acrylic polymer include It is preferable to react the contained compounds, more preferably 55 to 93 mol %.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, and still more preferably 500,000 to 1,200,000.
  • Energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition, a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of being polymerized and cured by energy ray irradiation is preferable.
  • energy ray-curable compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4- Polyvalent (meth)acrylate monomers such as butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, epoxy ( Oligomers such as meth)acrylates can be mentioned.
  • urethane (meth)acrylate oligomers are preferred because they have relatively high molecular weights and are unlikely to reduce the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the energy ray-curable compound has a molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, still more preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.
  • the content of the energy ray-curable compound in the X-type adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and still more preferably 60 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 90 parts by mass.
  • the content of the energy ray-curable compound in the XY-type adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and even more preferably 100 parts by mass of the adhesive resin. is 3 to 15 parts by mass.
  • the adhesive resin is energy ray-curable, even if the content of the energy ray-curable compound is small, it is possible to sufficiently reduce the peel strength after energy ray irradiation. is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a cross-linking agent.
  • the cross-linking agent reacts with, for example, a functional group derived from a functional group-containing monomer possessed by the adhesive resin to cross-link the adhesive resins.
  • cross-linking agents examples include isocyanate-based cross-linking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; epoxy-based cross-linking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl ] aziridine-based cross-linking agents such as triphosphatriazine; chelate-based cross-linking agents such as aluminum chelate; These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • isocyanate-based cross-linking agents are preferable from the viewpoints of increasing cohesive strength and improving adhesive strength, and from the viewpoints of availability and the like.
  • the amount of the cross-linking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 0.05 to 4 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition when the pressure-sensitive adhesive composition is energy ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a photopolymerization initiator.
  • a photopolymerization initiator By including a photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can sufficiently proceed even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiators examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • the amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. is.
  • the adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like.
  • the blending amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
  • the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the adhesive composition, from the viewpoint of improving coatability to the base material, buffer layer and release sheet.
  • organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol and isopropanol.
  • the organic solvents used during the synthesis of the adhesive resin may be used as they are. may be added with one or more organic solvents.
  • the substrate preferably has a Young's modulus of 1000 MPa or more at 23°C. If a base material with a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or semiconductor chip is reduced, and vibrations, etc. during back grinding cannot be suppressed, resulting in chipping or breakage of the semiconductor chip. easier. On the other hand, by setting the Young's modulus of the base material to 1000 MPa or more at 23° C., the performance of holding the semiconductor wafer or semiconductor chip by the adhesive tape is enhanced, suppressing vibration during back grinding, etc., and preventing chipping and breakage of the semiconductor chip. can.
  • the Young's modulus of the substrate at 23° C. is more preferably 1800 to 30000 MPa, still more preferably 2500 to 6000 MPa.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, it is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, even more preferably 20 to 105 ⁇ m. By setting the thickness of the substrate to 110 ⁇ m or less, it becomes easier to control the peel strength of the adhesive tape. In addition, when the thickness is 15 ⁇ m or more, the base material can easily function as a support for the adhesive tape.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it satisfies the physical properties described above, and various resin films can be used.
  • a base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more at 23° C. for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyesters such as wholly aromatic polyesters, polyimides, polyamides, polycarbonates, polyacetals, modified polyphenylene oxides, and polyphenylene sulfides. , polysulfone, polyetherketone, and biaxially oriented polypropylene.
  • a film containing one or more selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, more preferably a polyester film, and further preferably a polyethylene terephthalate film.
  • the substrate may contain plasticizers, lubricants, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, catalysts, etc., as long as they do not impair the effects of the present invention. good.
  • the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • At least one surface of the base material may be subjected to adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion to at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the base material may have the resin film described above and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the easy-adhesion layer-forming composition for forming the easy-adhesion layer is not particularly limited, but examples thereof include compositions containing polyester-based resins, urethane-based resins, polyester-urethane-based resins, acrylic-based resins, and the like.
  • the easily adhesive layer-forming composition may optionally contain a cross-linking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, an antirust agent, a pigment, a dye, and the like. good.
  • the thickness of the easy-adhesion layer is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.03 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the easy-adhesion layer in the examples of the present application is smaller than the thickness of the substrate, the thickness of the resin film having the easy-adhesion layer and the thickness of the substrate are substantially the same.
  • the material of the easy-adhesion layer is soft, it has little effect on the Young's modulus, and the Young's modulus of the substrate is substantially the same as that of the resin film even when the easy-adhesion layer is provided.
  • the Young's modulus of the base material can be controlled by selecting the resin composition, adding a plasticizer, and stretching conditions during resin film production. Specifically, when a polyethylene terephthalate film is used as the substrate, the Young's modulus of the substrate tends to decrease as the content of the ethylene component in the copolymer component increases. Moreover, when the amount of the plasticizer blended with respect to the resin composition constituting the base material is increased, the Young's modulus of the base material tends to decrease.
  • the adhesive tape according to the present embodiment may have a buffer layer.
  • the buffer layer can be provided on at least one side of the substrate, and can also be provided on both sides of the substrate.
  • a pressure-sensitive adhesive layer may be provided on one side of the substrate, and a buffer layer may be provided on the other side of the substrate.
  • the buffer layer relieves the stress during grinding of the back surface of the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from cracking and chipping.
  • the buffer layer is a soft layer compared to the base material. Therefore, the Young's modulus of the buffer layer at 23°C is less than the Young's modulus of the substrate at 23°C. Specifically, the Young's modulus of the buffer layer at 23° C. is preferably less than 1000 MPa, more preferably 700 MPa or less, still more preferably 500 MPa or less.
  • the thickness of the buffer layer is preferably 1-100 ⁇ m, more preferably 5-80 ⁇ m, and even more preferably 10-60 ⁇ m. By setting the thickness of the buffer layer within the above range, the buffer layer can appropriately relax the stress during back grinding.
  • the buffer layer is preferably a cured product of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound. Further, it may be a layer containing a polyolefin resin film, or a layer containing polyether as a main component.
  • a component contained in the layer formed from the buffer layer-forming composition containing the energy ray-polymerizable compound and each component contained in the layer containing the polyolefin resin film will be described in order.
  • a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound can be cured by being irradiated with an energy ray.
  • the composition for forming a buffer layer containing the energy ray-polymerizable compound more specifically contains the urethane (meth)acrylate (a1).
  • the composition for forming a buffer layer includes a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and/or a polymerizable compound having a functional group. It is more preferable to contain compound (a3).
  • the composition for forming a buffer layer may contain a polyfunctional polymerizable compound (a4).
  • the composition for forming a buffer layer preferably contains a photopolymerization initiator, and may contain other additives and resin components within a range that does not impair the effects of the present invention.
  • a photopolymerization initiator e.g., a photopolymerization initiator
  • each component contained in the buffer layer-forming composition containing the energy ray-polymerizable compound will be described in detail below.
  • the urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of being polymerized and cured by energy ray irradiation.
  • Urethane (meth)acrylates (a1) are oligomers or polymers.
  • the weight average molecular weight (Mw) of component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, still more preferably 10,000 to 30,000.
  • the number of (meth)acryloyl groups (hereinafter also referred to as "number of functional groups") in component (a1) may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but monofunctional or difunctional is preferred.
  • Component (a1) can be obtained, for example, by reacting a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound with a (meth)acrylate having a hydroxyl group. In addition, you may use a component (a1) individually or in combination of 2 or more types.
  • the polyol compound used as the raw material of component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific polyol compounds include, for example, alkylene diols, polyether polyols, polyester polyols, and polycarbonate polyols. Among these, polyester-type polyols and polycarbonate-type polyols are preferred.
  • the polyol compound may be a difunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, preferably a bifunctional diol, more preferably a polyester diol or a polycarbonate diol.
  • polyvalent isocyanate compounds include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic diisocyanates such as ,4'-diisocyanate, ⁇ , ⁇ '-diisocyanatedimethylcyclohexane;4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate; Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferred.
  • a urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth)acrylate having a hydroxyl group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-mentioned polyol compound and a polyvalent isocyanate compound.
  • the (meth)acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.
  • Specific (meth)acrylates having a hydroxy group include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) Acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene glycol mono(meth)acrylate, polypropylene glycol mono(meth)acrylate, etc.
  • hydroxyalkyl (meth)acrylate hydroxy group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide
  • hydroxyalkyl (meth)acrylates are preferred, and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferred.
  • the conditions for reacting the isocyanate-terminated urethane prepolymer and the (meth)acrylate having a hydroxy group are preferably conditions for reacting at 60 to 100° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary.
  • the content of component (a1) in the buffer layer-forming composition is preferably 10 to 70 parts by mass, more preferably 20 to 60 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. is.
  • Component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and more preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. Compounds having one (meth)acryloyl group are preferred.
  • component (a2) overlaps with the definition of component (a3) described later, the overlapping part is included in component (a3).
  • a compound having at least one (meth)acryloyl group, an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms, and a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group is a component
  • the compound is included in component (a3).
  • the number of ring-forming atoms in the alicyclic group or heterocyclic group of component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, particularly preferably 7 to 12. be.
  • Atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include, for example, a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like.
  • the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are cyclically bonded, and atoms that do not constitute a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms that constitute a ring). Also, when the ring is substituted with a substituent, the atoms included in the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.
  • component (a2) examples include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, alicyclic group-containing (meth)acrylates such as adamantane (meth)acrylate; heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate and morpholine (meth)acrylate; and the like.
  • alicyclic group-containing (meth)acrylates isobornyl (meth)acrylate is preferred, and among heterocyclic group-containing (meth)acrylates, tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate is preferred.
  • the content of the component (a2) in the buffer layer-forming composition is preferably 10 to 80 parts by mass, more preferably 20 to 70 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. is.
  • Component (a3) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group, and is preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. Compounds having one (meth)acryloyl group are preferred.
  • the component (a3) has good compatibility with the component (a1), and it becomes easy to adjust the viscosity of the composition for forming a buffer layer within an appropriate range. Moreover, even if the buffer layer is made relatively thin, the buffer performance is improved. Examples of component (a3) include hydroxyl group-containing (meth)acrylates, epoxy group-containing compounds, amide group-containing compounds, and amino group-containing (meth)acrylates.
  • hydroxyl group-containing (meth)acrylates examples include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxy Butyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, phenylhydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate and the like.
  • epoxy group-containing compounds include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, allyl glycidyl ether, and the like.
  • epoxy groups such as glycidyl (meth)acrylate and methylglycidyl (meth)acrylate Group-containing (meth)acrylates are preferred.
  • amide group-containing compounds include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N-methylolpropane(meth)acrylamide, N -Methoxymethyl(meth)acrylamide, N-butoxymethyl(meth)acrylamide and the like.
  • amino group-containing (meth)acrylates include primary amino group-containing (meth)acrylates, secondary amino group-containing (meth)acrylates, and tertiary amino group-containing (meth)acrylates.
  • hydroxyl group-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl group-containing (meth)acrylates having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth)acrylate are more preferable.
  • the content of the component (a3) in the buffer layer-forming composition is, in order to improve the film-forming properties of the buffer layer-forming composition, the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition: It is preferably 5 to 40 parts by mass, more preferably 7 to 35 parts by mass, still more preferably 10 to 30 parts by mass.
  • the content ratio [(a2)/(a3)] of the component (a2) and the component (a3) in the buffer layer-forming composition is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1.0. 0 to 3.0, more preferably 1.3 to 3.0, particularly preferably 1.5 to 2.8.
  • a polyfunctional polymerizable compound refers to a compound having two or more photopolymerizable unsaturated groups.
  • a photopolymerizable unsaturated group is a functional group containing a carbon-carbon double bond, and examples thereof include (meth)acryloyl group, vinyl group, allyl group, vinylbenzyl group and the like. Two or more photopolymerizable unsaturated groups may be combined.
  • a three-dimensional network structure (crosslinked structure) is formed.
  • the number of crosslinked structures formed by energy ray irradiation tends to increase, compared to when a compound containing only one photopolymerizable unsaturated group is used.
  • component (a4) overlaps with the definitions of components (a2) and (a3) described above, the overlap is included in component (a4).
  • a compound having an alicyclic or heterocyclic group with 6 to 20 ring atoms and two or more (meth)acryloyl groups is included in the definition of both component (a4) and component (a2).
  • the compound is included in component (a4).
  • compounds containing functional groups such as hydroxyl groups, epoxy groups, amide groups and amino groups and having two or more (meth)acryloyl groups are included in the definition of both component (a4) and component (a3).
  • the compound is included in component (a4).
  • the number of photopolymerizable unsaturated groups (number of functional groups) in the polyfunctional polymerizable compound is preferably 2-10, more preferably 3-6.
  • the weight average molecular weight of component (a4) is preferably 30-40,000, more preferably 100-10,000, and even more preferably 200-1,000.
  • Examples of specific component (a4) include diethylene glycol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, and 1,6-hexane.
  • the content of the component (a4) in the buffer layer-forming composition is preferably 2 to 40 parts by mass, more preferably 3 to 20 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 5 to 15 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain a polymerizable compound (a5) other than the components (a1) to (a4) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • component (a5) include alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like. vinyl compound of: and the like.
  • the content of the component (a5) in the buffer layer-forming composition is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 0 to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation when forming the buffer layer.
  • photopolymerization initiators examples include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzylphenyl sulfide tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyrolnitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and the like.
  • photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerization initiator in the buffer layer-forming composition is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. parts by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like.
  • the content of each additive in the buffer layer-forming composition is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resin component include polyene/thiol-based resins, polyolefin-based resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene-based copolymers.
  • the content of these resin components in the buffer layer-forming composition is preferably 0 to 20 parts by mass, more preferably 0 to 10 parts by mass, relative to the total amount (100 parts by mass) of the buffer layer-forming composition. , more preferably 0 to 5 parts by mass, particularly preferably 0 to 2 parts by mass.
  • the buffer layer formed from the composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound is obtained by polymerizing and curing the composition for forming a buffer layer having the above composition by irradiation with an energy ray. That is, the buffer layer is a cured product of the composition for forming a buffer layer. Therefore, the buffer layer contains polymerized units derived from component (a1). Moreover, the buffer layer preferably contains polymerized units derived from the component (a2) and/or polymerized units derived from the component (a3). Furthermore, polymerized units derived from component (a4) and/or polymerized units derived from component (a5) may be contained.
  • the content ratio of each polymer unit in the buffer layer usually corresponds to the ratio (feed ratio) of each component constituting the buffer layer-forming composition.
  • the buffer layer contains component (a1). It contains 10 to 70 parts by mass of the derived polymerized units.
  • the buffer layer It contains 10 to 80 parts by mass of the derived polymerized units. The same applies to components (a3) to (a5).
  • the buffer layer may be formed of a layer containing a polyolefin resin film.
  • the stress relaxation property may be lower than when the buffer layer is a layer formed from a buffer layer-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound.
  • the pressure-sensitive adhesive tape having a buffer layer formed of a layer containing a polyolefin resin film on one side of the substrate may warp.
  • the buffer layer formed of the layer containing the polyolefin resin film may be provided on at least one side of the substrate, but from the viewpoint of preventing such problems, the buffer layer formed of the layer containing the polyolefin resin film is used. are preferably provided on both sides of the substrate.
  • the polyolefin resin is not particularly limited . less than), medium density polyethylene (MDPE, density: 930 kg/m 3 or more, less than 942 kg/m 3 ), high density polyethylene (HDPE, density: 942 kg/m 3 or more), polypropylene resin, polyethylene-polypropylene Polymer, olefin elastomer (TPO), cycloolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene- Examples thereof include (meth)acrylic acid ester copolymers and ethylene-(meth)acrylic acid ester-maleic anhydride copolymers. These polyolefin resins can be used alone or in combination of two or more.
  • polyethylene resins are preferable, and low-density polyethylene is more preferable, from the viewpoint of obtaining a buffer layer having specific physical properties.
  • the buffer layer described above contains additives such as plasticizers, lubricants, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, and catalysts, as long as they do not impair the effects of the present invention. You may let Moreover, the buffer layer described above may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • a release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape.
  • the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer of the adhesive tape.
  • the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer to protect the adhesive layer during transportation and storage.
  • the release sheet is releasably attached to the adhesive tape, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before wafer attachment).
  • a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specific examples include a release sheet base material coated with a release agent on the surface thereof.
  • a resin film is preferable, and as the resin constituting the resin film, for example, polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, etc. and the like polyolefin resins.
  • polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, etc. and the like polyolefin resins.
  • release agents include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, fluorine-based resins, and the like.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10-200 ⁇ m, more preferably 20-150 ⁇ m.
  • the method for producing the adhesive tape of the present invention is not particularly limited, and it can be produced by a known method.
  • a method for producing an adhesive tape having a substrate, an adhesive layer provided on one side of the substrate, and a buffer layer provided on the other side of the substrate is as follows. be.
  • the buffer layer is formed from a buffer layer-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound, a buffer layer provided by coating and curing the buffer layer-forming composition on a release sheet, and a substrate; and removing the release sheet, a laminate of the buffer layer and the substrate is obtained.
  • the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film, a laminate of the buffer layer and the base material can be obtained by bonding the buffer layer and the base material together.
  • the adhesive layer provided on the release sheet can be attached to the substrate side of the laminate to manufacture an adhesive tape in which the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer.
  • the release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off and removed before use of the pressure-sensitive adhesive tape.
  • an adhesive (adhesive composition) is directly applied on a release sheet by a known coating method, and the coating film is dried by heating to form an adhesive layer. Layers can be formed.
  • an adhesive may be directly applied to one side of the substrate to form an adhesive layer.
  • the method of applying the pressure-sensitive adhesive include the spray coating method, bar coating method, knife coating method, roll coating method, blade coating method, die coating method, gravure coating method, etc. shown in the manufacturing method of the buffer layer.
  • the composition for forming the buffer layer is directly applied on the release sheet by a known coating method to form a coating film, and the coating film is irradiated with energy rays.
  • a buffer layer can be formed.
  • the buffer layer may be formed by directly applying the composition for forming a buffer layer on one side of the base material and drying it by heating or by irradiating the coating film with energy rays.
  • Examples of methods for applying the buffer layer-forming composition include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating.
  • an organic solvent may be added to the composition for forming a buffer layer, and the composition may be applied in the form of a solution onto the release sheet.
  • the composition for forming a buffer layer contains an energy ray-polymerizable compound
  • the hardening of the buffer layer may be performed in one hardening process, or may be performed in multiple times.
  • the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer and then attached to the base material, and a semi-cured buffer layer forming film may be formed without completely curing the coating film. Then, after bonding the buffer layer-forming film to the base material, the energy beam may be irradiated again to completely cure the film, thereby forming the buffer layer.
  • Ultraviolet rays are preferable as the energy rays to be irradiated in the curing treatment.
  • the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or base material, and the energy beam is irradiated in a state where the coating film is not exposed. Curing is preferred.
  • the cushioning layer is a layer containing a polyolefin resin film
  • the cushioning layer and the substrate may be attached together by extrusion lamination.
  • the polyolefin resin constituting the buffer layer is melted and kneaded, and while moving the base material at a constant speed, on one side of the base material, Extrusion lamination of molten polyolefin resin.
  • the buffer layer may be directly laminated on the substrate by heat sealing or the like.
  • it may be laminated via an easy-adhesion layer by a method such as a dry lamination method.
  • the method for producing an adhesive tape having buffer layers on both sides of a base material is, for example, by obtaining a laminate in which a buffer layer, a base material, and a buffer layer are laminated in this order by the method described above, and then A pressure-sensitive adhesive layer may be formed on the buffer layer side.
  • the adhesive tape according to the present invention is preferably used when the back surface of the wafer is ground after being attached to the front surface of a semiconductor wafer. More preferably, the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used in DBG in which wafer backside grinding and wafer singulation are performed simultaneously. Particularly preferably, the adhesive tape according to the present invention is preferably used for LDBG in which a group of chips with a small kerf width can be obtained when a semiconductor wafer is singulated.
  • chip group refers to a plurality of semiconductor chips arranged in a wafer shape and held on the adhesive tape according to the present invention.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes at least steps 1 to 4 below.
  • Step 1 A step of applying the above adhesive tape to the surface of a semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer
  • Step 2 Forming a groove from the front surface side of the semiconductor wafer, or forming a groove on the front surface or the back surface of the semiconductor wafer
  • Step 3 The semiconductor wafer with the adhesive tape attached to the surface and the groove or modified region formed is ground from the back side to form the groove or modified region
  • Step 4 A step of peeling the adhesive tape from the singulated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips)
  • Step 1 the adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer via an adhesive layer, and cut along the outer circumference of the semiconductor wafer.
  • the adhesive tape is attached so as to cover the semiconductor wafer and the peripheral table extending around its periphery.
  • the adhesive tape is cut by a cutter or the like along the outer periphery of the semiconductor wafer.
  • the cutting speed is usually 10-300 mm/s.
  • the temperature of the cutter blade during cutting may be room temperature, or the cutting may be performed by heating the cutter blade.
  • step 1 may be performed before step 2, which will be described later, or after step 2.
  • step 1 is preferably performed before step 2.
  • step 1 is performed after step 2.
  • the semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a wafer of gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalate, lithium niobate, gallium nitride, indium phosphide, or the like, or a glass wafer. .
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, it is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • a semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. Formation of circuits on the wafer surface can be performed by various methods including conventional methods such as an etching method and a lift-off method.
  • Step 2 grooves are formed from the front surface side of the semiconductor wafer, or modified regions are formed inside the semiconductor wafer from the front surface or rear surface of the semiconductor wafer.
  • the grooves formed in this process are shallower than the thickness of the semiconductor wafer.
  • the grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like. Also, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the grooves in step 3, which will be described later.
  • the modified region is an embrittled portion of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is thinned by grinding in the grinding process, or the semiconductor wafer is destroyed by grinding force, resulting in a semiconductor chip.
  • This is the region that becomes the starting point for individualization into . That is, in step 2, the grooves and modified regions are formed along dividing lines along which the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips in step 3, which will be described later.
  • the modified region is formed by irradiating laser focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer.
  • the laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer.
  • the laser is applied to the semiconductor wafer through the adhesive tape.
  • the semiconductor wafer on which the adhesive tape is attached and the grooves or modified regions are formed is placed on the chuck table and is held by suction on the chuck table. At this time, the semiconductor wafer is sucked with its surface side arranged on the table side.
  • Step 3 After steps 1 and 2, the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table is ground to singulate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • the back surface grinding is performed so as to thin the semiconductor wafer at least to the position reaching the bottom of the groove. By this back-grinding, the grooves become cuts penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the cuts into individual semiconductor chips.
  • the ground surface may reach the modified region by grinding, but it does not have to reach the modified region strictly. That is, the semiconductor wafer may be ground from the modified region to a position close to the modified region so that the semiconductor wafer is broken into individual semiconductor chips starting from the modified region.
  • the actual singulation of the semiconductor chips may be performed by applying a pick-up tape, which will be described later, and then stretching the pick-up tape.
  • dry polishing may be performed prior to picking up the chips.
  • the shape of the individualized semiconductor chips may be a square or an elongated shape such as a rectangle.
  • the thickness of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, it is preferably about 5 to 100 ⁇ m, more preferably 10 to 45 ⁇ m.
  • LDBG a modified region is provided inside the wafer with a laser, and the wafer is singulated by stress or the like during wafer backside grinding. ⁇ 45 ⁇ m becomes easy.
  • the size of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm 2 , more preferably less than 400 mm 2 , and even more preferably less than 300 mm 2 .
  • Step 4 The adhesive tape is peeled off from the semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips aligned in a wafer shape) that has been separated into pieces.
  • This step is performed, for example, by the following method. First, when the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is formed from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiation with energy rays. Next, a pick-up tape is attached to the rear surface side of the separated semiconductor wafer, and the position and direction are aligned so that pick-up is possible.
  • the ring frame arranged on the outer peripheral side of the wafer is also adhered to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pick-up tape is fixed to the ring frame.
  • the wafer and the ring frame may be attached to the pickup tape at the same time, or may be attached at separate timings.
  • the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips held on the pickup tape.
  • the pickup tape is not particularly limited, it is composed of, for example, a base material and an adhesive tape provided with an adhesive layer provided on at least one surface of the base material.
  • an adhesive tape can be used instead of the pickup tape.
  • the adhesive tape includes a laminate of a film-like adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film-like adhesive, and an adhesive layer and a release sheet that function as both a dicing tape and a die bonding tape.
  • a dicing die bonding tape and the like can be mentioned. That is, the present embodiment may include a step of attaching a dicing die bonding tape to the back surface of the semiconductor wafer.
  • a film-like adhesive may be applied to the back side of the semiconductor wafer that has been divided into individual pieces. When a film adhesive is used, the film adhesive may have the same shape as the wafer.
  • the adhesive layer of the adhesive tape is formed from an energy ray-curable adhesive
  • the portion of the adhesive layer that is in close contact with the wafer is cured, and the adhesive strength of that portion is increased. drops sufficiently.
  • the curing of the adhesive is usually inhibited by the oxygen in the atmosphere. power is not reduced enough.
  • the thickness of the semiconductor wafer is extremely thinned to about 30 ⁇ m by back grinding, if a dicing die bonding tape or the like is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer will not be smooth.
  • the uncured portion of the adhesive layer of the attached adhesive tape contacts and sticks to the adhesive layer of the dicing die bonding tape or the like.
  • the adhesive tape attached to the dicing/die-bonding tape or the like is peeled off, the adhesive tape and the dicing/die-bonding tape are integrated, and the dicing/die-bonding tape is also curved as the adhesive tape is curved.
  • the wafer or chip sandwiched between the adhesive tape and the dicing/die-bonding tape also bends. As a result, cracks are likely to occur in the chip.
  • the adhesive layer of the dicing die bonding tape or the like may be damaged by bending, and the fragments may fall off.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a laminate obtained by attaching a dicing die bonding tape 30 to the semiconductor wafer 20 after back grinding to which the adhesive tape according to the present embodiment is attached.
  • FIG. 5 shows a case where a dicing die bonding tape 30 is attached to a semiconductor wafer 20 whose back surface has been ground to an extremely thin thickness of about 30 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present embodiment even when the pressure-sensitive adhesive layer is exposed to the atmosphere, the pressure-sensitive adhesive strength can be sufficiently reduced by irradiation with energy rays. Therefore, as shown in FIG.
  • the plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or the pick-up tape is a semiconductor. It is picked up together with the adhesive layer divided into the same shape as the chip. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer to manufacture a semiconductor device. The division of the adhesive layer is performed by laser or expansion.
  • the adhesive tape according to the present invention is used in a method for singulating semiconductor wafers by DBG or LDBG. It can be preferably used for LDBG where a group of chips having a smaller width and thinner can be obtained.
  • the adhesive tape according to the present invention can also be used for normal back grinding, and can also be used to temporarily hold a workpiece during processing of glass, ceramics, etc. It can also be used. It can also be used as various removable adhesive tapes.
  • Adhesion energy Regarding the adhesive tape for semiconductor processing, one surface of the adhesive layer is exposed to the atmosphere, and an ultraviolet irradiation device ( manufactured by Lintec, device name “RAD 2000”) is used to illuminate at 220 mW / cm and light intensity is 500 mJ / cm. Under the conditions of 2 , the adhesive tape was irradiated with ultraviolet rays from the substrate side.
  • an ultraviolet irradiation device manufactured by Lintec, device name “RAD 2000”
  • a silicon nitride cantilever (“SCANASYST-AIR” manufactured by Bruker Corporation) installed in an atomic force microscope (manufactured by Bruker Corporation, device name “Dimension Icon”), nominal tip radius: 2 nm, resonance frequency: 70 kHz, spring constant : 0.4 N/m) at room temperature, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer was pressed with a pressing amount of 5 nm and a scanning speed of 5 Hz, and separated. The surface elastic modulus was calculated by fitting the obtained force curve curve (horizontal axis is sample deformation amount, vertical axis is measurement load) with JKR theoretical formula. The average value of the values obtained by measuring 4096 points on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (5 ⁇ m ⁇ 5 ⁇ m) was taken as the adhesion energy (J/m 2 ).
  • the adhesive tape was applied to a silicon wafer having a diameter of 12 inches and a thickness of 775 ⁇ m using a tape laminator for back grinding (manufactured by Lintec, device name: RAD-3510F/12), and cut along the periphery of the silicon wafer.
  • a laser saw manufactured by Disco, device name "DFL7361"
  • a silicon wafer is irradiated with a laser beam having a wavelength of 1342 nm from the surface of the silicon wafer, and the chip size becomes 5 mm ⁇ 5 mm inside the silicon wafer.
  • the modified region was formed.
  • the adhesive tape was sized to cover the outer periphery of the silicon wafer after grinding, and was 1.0 mm larger than the outer periphery of the silicon wafer.
  • an ultraviolet irradiation device manufactured by Lintec, device name “RAD 2000”
  • the adhesive tape is irradiated with ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 220 mW/cm 2 and a light intensity of 500 mJ/cm 2 from the substrate side, that is, from the surface side of the silicon wafer. did.
  • the adhesive layer surface of the dicing die bonding tape (Lintec Co., Ltd., LD01D-07) is heated to 60 ° C. using a tape mounter (Lintec Co., device name "ADWILL RAD-2700") to the back surface of the silicon wafer. affixed.
  • the adhesive tape was peeled off. At this time, the degree of peeling of the adhesive layer of the dicing die bonding tape was observed and evaluated according to the following criteria.
  • B The peeled area is 70% or more and less than 97%.
  • C The peeled area is 97% or more.
  • a silicon nitride cantilever (“SCANASYST-AIR” manufactured by Bruker Corporation) installed in an atomic force microscope (manufactured by Bruker Corporation, device name “Dimension Icon”), nominal tip radius: 2 nm, resonance frequency: 70 kHz, spring constant : 0.4 N/m) at room temperature, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer was pressed with a pressing amount of 5 nm and a scanning speed of 5 Hz, and separated.
  • the surface elastic modulus was calculated by fitting the obtained force curve curve (horizontal axis is sample deformation amount, vertical axis is measurement load) with JKR theoretical formula.
  • the average value of the values obtained by measuring 4096 points on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (5 ⁇ m ⁇ 5 ⁇ m) was defined as the surface elastic modulus (MPa).
  • ⁇ Example 1> Substrate As a substrate, a PET film with an easily adhesive layer on both sides (Cosmoshine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23° C.: 2550 MPa) was prepared.
  • Adhesive layer preparation of adhesive composition
  • An acrylic polymer obtained by copolymerizing 50 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), 2-Methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted so as to be added to 90 mol % of hydroxyl groups out of all the hydroxyl groups in the above to obtain an energy ray-curable acrylic resin.
  • Example 2 In the preparation of the adhesive composition, 50 parts by weight of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the acrylic polymer was obtained by copolymerizing parts by mass.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • Example 3 In preparing the adhesive composition, 60 parts by mass of ethyl acrylate (EA), 10 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) are copolymerized to obtain an acrylic polymer. , 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (manufactured by IGM Resins B.V., product A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass of OMNIRAD 651) was used.
  • EA ethyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • Example 4 In the preparation of the pressure-sensitive adhesive composition, 60 parts by weight of n-butyl acrylate (BA), 10 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) are copolymerized to form an acrylic polymer. and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (manufactured by IGM Resins B.V.) instead of 3.3 parts by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator. , product name "OMNIRAD 651”) was used in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass was used to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • Example 5 In the preparation of the adhesive composition, 65 parts by weight of n-butyl acrylate (BA), 5 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) are copolymerized to form an acrylic polymer. and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (manufactured by IGM Resins B.V.) instead of 3.3 parts by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator. , product name "OMNIRAD 651”) was used in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass was used to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • Example 6> In the preparation of the adhesive composition, 60 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), 10 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) are copolymerized to form an acrylic polymer. 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (IGM Resins B.V. A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was prepared in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass of OMNIRAD 651 (manufactured by Co., Ltd.) was used.
  • OMNIRAD 651 manufactured by Co., Ltd.
  • Example 7 In the preparation of the adhesive composition, 40 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), 20 parts by weight of ethyl acrylate (EA), 10 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) to obtain an acrylic polymer, and replace 3.3 parts by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator with 2,2-dimethoxy-2-
  • EHA 2-ethylhexyl acrylate
  • EA ethyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass of phenylacetophenone (manufactured by IGM Resins B.V., product name "OMNIRAD 651”) was used.
  • Example 8> In the preparation of the adhesive composition, 60 parts by weight of ethyl acrylate (EA), 10 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) to obtain an acrylic polymer, and 2,2-dimethoxy-2-phenyl instead of 3.3 parts by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator.
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass of acetophenone (manufactured by IGM Resins B.V., product name "OMNIRAD 651”) was used.
  • Example 9 In the preparation of the adhesive composition, 60 parts by weight of n-butyl acrylate (BA), 10 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) 2,2-dimethoxy-2 in place of 3.3 parts by weight of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator to obtain an acrylic polymer by copolymerizing parts by weight of
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 2.4 parts by mass of -phenylacetophenone (manufactured by IGM Resins B.V., product name "OMNIRAD 651”) was used.
  • Example 10 In the preparation of the adhesive composition, 52 parts by weight of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by weight of methyl methacrylate (MMA), 21 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that 7 parts by mass of the polymer was copolymerized to obtain an acrylic polymer.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • HEMA 2-hydroxyethyl methacrylate
  • ⁇ Comparative Example 1> In the preparation of the pressure-sensitive adhesive composition, 52 parts by mass of n-butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) are copolymerized to form an acrylic polymer. A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesive tape was obtained.
  • BA n-butyl acrylate
  • MMA methyl methacrylate
  • HOA 2-hydroxyethyl acrylate
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention reduces the adhesion energy of the adhesive layer even in the atmosphere due to the irradiation of energy rays such as ultraviolet rays, and the adhesive strength is sufficiently reduced. Therefore, by using the adhesive tape according to the present invention, even when the thickness of the semiconductor wafer is extremely thinned by back-grinding, the occurrence of cracks in the semiconductor chip can be suppressed, and the productivity of the semiconductor device can be improved.
  • Adhesive tape 10 adhesive tape 20 semiconductor wafer 30 adhesive tape (dicing die bonding tape) REFERENCE SIGNS LIST 100 Adhesive tape according to the present embodiment 110 Base material 120 Adhesive layer

Abstract

【課題】　粘着テープを剥離する際にチップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供すること。　【解決手段】　基材と粘着剤層とを有する粘着テープであって、前記粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の凝着エネルギーが０．２２０Ｊ／ｍ２以下である、半導体加工用粘着テープ。　

Description

半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
　本発明は半導体加工用粘着テープに関し、さらに詳しくは、ウエハの表面に溝を設け、又はレーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を用いて半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に保持するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、薄型化されたチップを得るために、ウエハの表面側から所定深さの溝をダイシングブレードにより形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法（ＤＢＧ：Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と呼ばれる工法を利用することもある。ＤＢＧでは、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。
　また、近年、先ダイシング法の変形例として、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法が提案されている。以下、この方法をＬＤＢＧ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と記載することがある。ＬＤＢＧでは、ウエハは改質領域を起点として結晶方向に切断されるため、ダイシングブレードを用いた先ダイシング法よりもチッピングの発生を低減できる。その結果、抗折強度に優れたチップを得ることができ、また、チップのさらなる薄型化に寄与できる。さらに、ダイシングブレードによりウエハ表面に所定深さの溝を形成するＤＢＧと比較して、ダイシングブレードによりウエハを削り取る領域がないため、つまり、カーフ幅が極小であるため、チップの収率に優れる。
　従来、半導体ウエハの裏面研削時や、ＤＢＧやＬＤＢＧによるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを保持するために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。裏面研削後には研削面に接着剤層を有する接着テープを貼付する。その後、ウエハ表面に貼付した粘着テープは、紫外線等のエネルギー線を照射することによりその粘着力を低下させた後、剥離される。このような工程により、ウエハ裏面には接着テープが貼付される。
　ここで、特許文献１には、酸素介在下における紫外線照射後のタック力の低下率が６０％以上である粘着剤を用いた粘着剤層を有する粘着テープが提案されている。しかし、特許文献１に記載のテープを用いると、チップの仕上げ厚みを３０μｍ程度にまで薄くした場合には、粘着テープを剥離する際にチップの欠けや破損（以下、「チップのクラック」と記載することがある）が発生することがあった。
特開２０１５－１８５６９１号公報
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、半導体ウエハの研削後の厚みが薄くなったことに起因して、粘着テープに紫外線等のエネルギー線を照射しても粘着力が十分低下しない領域が生じ、粘着テープを剥離する際にチップにクラックが発生することを見出した。
　図１は、粘着テープ１０を貼付した半導体ウエハ２０を裏面研削するとき、半導体ウエハ２０の厚みが徐々に薄くなっていく様子を示す模式図である。図１において、（１）は裏面研削前の様子を示しており、（３）は半導体ウエハの厚さが３０μｍ程度であるときを示しており、（２）は上記（１）から上記（３）に至るまでの途中の様子を示している。通常、図１（１）に示すように、研削前の半導体ウエハ２０では、側面が丸みを帯びている。粘着テープ１０は、ウエハ表面の回路を保護し、また、通常ウエハ及びチップを保持できる程度に平らで硬い素材を含む。そのため、研削前のウエハ２０に粘着テープ１０を貼付すると、図１（１）に示すように、ウエハ２０の外縁部では、わずかに粘着テープが密着しない領域が生じる。
　図１に示すように、（１）、（２）、（３）とウエハの裏面研削が進むにしたがって半導体ウエハ２０の厚みは薄くなり大きさも変化するが、粘着テープ１０の大きさに変化はない。そして、ウエハを裏面研削して厚みを３０μｍ程度にまで極薄くしていくと、図１（３）に示すように、ウエハ２０の側面の丸みを帯びている部分は除去される。そうすると、図１（１）のように粘着テープの形状を研削前のウエハと略同じとした場合でも、研削後には、図１（３）のようにウエハ２０の外周部で粘着テープ１０の外縁部は露出する。この状態で粘着テープに紫外線等のエネルギー線を照射すると、粘着テープのウエハと密着している部分では粘着力が十分に低下する。しかし、粘着テープのウエハと密着せずに大気に曝されている部分（外縁部の露出した部分）では、大気中の酸素によって粘着剤の硬化が阻害され、紫外線等のエネルギー線の照射によっても粘着力が十分低下しない。つまり、粘着テープは、紫外線等のエネルギー線の照射後も、未硬化部分を有することになる。
　裏面研削後のウエハの裏面には、例えば接着テープとしてダイシング・ダイボンディングテープが貼付される。図２、３は、粘着テープ１０が貼付された裏面研削後の半導体ウエハ２０に、さらにダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付した積層体の模式図である。ダイシング・ダイボンディングテープ３０は接着剤層（図示しない）を含み、その接着剤層によって半導体ウエハ２０に貼付される。図３は、厚さ３０μｍ程度にまで極薄く裏面研削した半導体ウエハ２０にダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付した状態を示している。一方で、図２は、半導体ウエハ２０にダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付した状態であって、該半導体ウエハ２０の厚さが図３より大きい場合を示している。図２に示すように、裏面研削後の半導体ウエハ２０の厚さがより大きい場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付しても、粘着テープ１０の未硬化部分はダイシング・ダイボンディングテープ３０の接着剤層に接触しない。しかし、図３に示すように、裏面研削後の半導体ウエハ２０の厚さを３０μｍ程度にまで極薄くした場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付すると、粘着テープ１０の未硬化部分がダイシング・ダイボンディングテープ３０の接着剤層に接触し貼り付くおそれがある。ダイシング・ダイボンディングテープはウエハのように切断されていない。そのため、ダイシング・ダイボンディングテープに貼り付いた粘着テープを剥離しようすると、粘着テープとダイシング・ダイボンディングテープとが一体化し、粘着テープの湾曲に伴いダイシング・ダイボンディングテープも湾曲する。そして、粘着テープとダイシング・ダイボンディングテープとの間に挟持されたウエハやチップも同時に湾曲する。その結果、チップにクラックが発生しやすくなる。また、ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層は、湾曲により破損し、その破片が脱落するおそれがある。
　すなわち、粘着テープに紫外線等のエネルギー線を照射しても粘着力が十分低下しない領域が生じることで、裏面研削により半導体ウエハの厚さを極薄くする場合において、粘着テープを剥離する際にチップのクラックが発生しやすくなることが問題となっていた。
　本発明は、上述した従来技術に鑑みてなされたものであり、粘着テープを剥離する際にチップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供することを目的としている。
　このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）基材と粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の凝着エネルギーが０．２２０Ｊ／ｍ２以下である、半導体加工用粘着テープ。
（２）前記粘着剤層がアクリル系樹脂を含み、
　前記アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上である、（１）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（３）前記粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で前記粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の表面自由エネルギーが３６ｍＪ／ｍ２未満である、（１）または（２）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（４）　上記（１）～（３）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
（５）さらに、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体ウエハの裏面に貼付する工程を含む、（４）に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明に係る半導体加工用粘着テープでは、大気雰囲気において粘着剤層の粘着力を十分に低下できる。その結果、半導体チップにおけるクラックの発生を抑制できる。
図１は、半導体ウエハの裏面研削の経過を示す模式図である。 図２は、粘着テープ１０、裏面研削後の半導体ウエハ２０、およびダイシング・ダイボンディングテープ３０からなる積層体の模式図であり、半導体ウエハ２０の厚さが図３よりも大きい場合を示す。 図３は、粘着テープ１０、裏面研削後の半導体ウエハ２０、およびダイシング・ダイボンディングテープ３０からなる積層体の模式図であり、半導体ウエハ２０が厚さ３０μｍ程度にまで極薄く裏面研削されている状態を示す。 図４は、本実施形態に係る粘着テープを示す模式図である。 図５は、本実施形態に係る粘着テープ、裏面研削後の半導体ウエハ２０、およびダイシング・ダイボンディングテープ３０からなる積層体の模式図であり、半導体ウエハ２０が厚さ３０μｍ程度にまで極薄く裏面研削されている場合を示す。
　以下に、本発明に係る半導体加工用粘着テープについて具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
　本明細書において、例えば「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
　「半導体加工用」とは、半導体ウエハの搬送、裏面研削、ダイシングや半導体チップのピックアップ等の各工程において使用できることを意味する。
　半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」とは回路が形成されていない面を指す。
　半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
　ＤＢＧとは、ウエハの表面側に所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。ウエハの表面側に形成される溝は、ブレードダイシング、レーザーダイシングやプラズマダイシングなどの方法により形成される。また、ＬＤＢＧとはＤＢＧの変形例であり、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を言う。
　次に、本発明に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。なお、本発明に係る半導体加工用粘着テープを、単に「粘着テープ」と記載することがある。
　本実施形態において、図４に示すように、粘着テープ１００とは、基材１１０と、粘着剤層１２０とを含む積層体を意味する。粘着テープ１００は、基材１１０の少なくとも一方の面に緩衝層を有していてもよい。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。粘着剤層および緩衝層も同様である。
　以下に、本実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
〇粘着剤層
　本実施形態に係る粘着テープにおいて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の凝着エネルギーは、０．２２０Ｊ／ｍ２以下であり、好ましくは０．２００Ｊ／ｍ２以下であり、より好ましくは０．１９０Ｊ／ｍ２以下である。上記凝着エネルギーを上記範囲とすることで、粘着剤層の粘着力を十分に低下でき、その結果、チップのクラックの発生を抑制できる。また、上記凝着エネルギーの下限は、特に制限されないが、通常０．１２Ｊ／ｍ２であり、好ましくは０．１４Ｊ／ｍ２である。
　上記凝着エネルギーの測定において、紫外線の照射は基材側から行う。また、凝着エネルギーは原子間力顕微鏡を用いて測定する。具体的には、原子間力顕微鏡に設置した窒化ケイ素素材のカンチレバー（先端半径：２ｎｍ、共振周波数：７０ｋＨｚ、バネ定数：０．４Ｎ／ｍ）で、室温下で、粘着剤層の表面を、押し込み量５ｎｍ、スキャン速度５Ｈｚで押し込み、引き離しを行う。得られるフォースカーブ曲線（横軸が試料変形量であり、縦軸は測定荷重である。）について、ＪＫＲ理論式とフィッテングを行い、凝着エネルギーを算出する。粘着剤層の表面５μｍ×５μｍ中で４０９６点を測定して得られる値の平均値を、凝着エネルギー（Ｊ／ｍ２）とする。
　上記凝着エネルギーは、粘着剤層がアクリル系樹脂を含むように調製し、さらに、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（以下、ＨＥＭＡと略記することがある。）由来の重合単位の量を調整することで、制御できる。特に、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上となるように粘着剤層を調製することで、凝着エネルギーを上記範囲に制御できる。
　本実施形態に係る粘着テープにおいて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、粘着剤層の露出した面の表面自由エネルギーは、好ましくは３６ｍＪ／ｍ２未満であり、より好ましくは３２ｍＪ／ｍ２以下であり、好ましくは３０ｍＪ／ｍ２以下である。粘着剤層の粘着力を十分に低下させる観点から、上記表面自由エネルギーは上記範囲とすることが好ましい。また、上記表面自由エネルギーの下限は、特に制限されないが、通常１８ｍＪ／ｍ２であり、好ましくは２２ｍＪ／ｍ２である。
　上記表面自由エネルギーの測定において、紫外線の照射は基材側から行う。また、表面自由エネルギーは、各種液滴の接触角（測定温度：２５℃）を測定し、その接触角の値をもとに北崎・畑法により求める。具体的には、ジヨードメタン、１－ブロモナフタレン、及び蒸留水を液滴として使用し、静滴法により、ＪＩＳ　Ｒ　３２５７：１９９９に準拠して接触角（測定温度：２５℃）を測定し、その接触角の値に基づいて北崎・畑法により、表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ２）を求める。
　上記表面自由エネルギーは、粘着剤層がアクリル系樹脂を含むように調製し、さらに、ＨＥＭＡ由来の重合単位の量を調整することで、制御できる。特に、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上となるように粘着剤層を調製することで、表面自由エネルギーを上記範囲に制御できる。
　また、本実施形態に係る粘着テープにおいて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の表面弾性率は、好ましくは５ＭＰａ以上であり、より好ましくは６ＭＰａ以上であり、さらに好ましくは６．５ＭＰａ以上である。粘着剤層の粘着力を十分に低下させる観点から、上記表面弾性率を上記範囲とすることが好ましい。また、上記表面弾性率の上限は、特に制限されないが、通常１７ＭＰａであり、好ましくは１４ＭＰａである。
　上記表面弾性率の測定において、紫外線の照射は基材側から行う。また、表面弾性率は原子間力顕微鏡を用いて測定する。具体的には、原子間力顕微鏡に設置した窒化ケイ素素材のカンチレバー（先端半径：２ｎｍ、共振周波数：７０ｋＨｚ、バネ定数：０．４Ｎ／ｍ）で、室温下で、粘着剤層の表面を、押し込み量５ｎｍ、スキャン速度５Ｈｚで押し込み、引き離しを行う。得られるフォースカーブ曲線（横軸が試料変形量であり、縦軸は測定荷重である。）について、ＪＫＲ理論式とフィッテングを行い、表面弾性率を算出する。粘着剤層の表面５μｍ×５μｍ中で４０９６点を測定して得られる値の平均値を、表面弾性率（ＭＰａ）とする。
　上記表面弾性率は、粘着剤層がアクリル系樹脂を含むように調製し、さらに、ＨＥＭＡ由来の重合単位の量を調整することで、制御できる。特に、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上となるように粘着剤層を調製することで、表面弾性率を上記範囲に制御できる。
　さらに、本実施形態に係る粘着テープにおいて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射し、当該粘着剤層の露出した面に、２３℃、５０％ＲＨにおいてＰＭＭＡ板を２ｋｇロールで１往復の条件で貼り付けて３０分間放置した後、当該粘着テープを１８０°剥離するときの剥離強度は、好ましくは１６００ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、より好ましくは１１００ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは９８０ｍＮ／２５ｍｍ以下であり、特に好ましくは８００ｍＮ／２５ｍｍ以下である。粘着剤層の粘着力を十分に低下する観点から、上記剥離強度を上記範囲とすることが好ましい。また、上記剥離強度の下限は、特に制限されないが、通常５０Ｎ／２５ｍｍであり、好ましくは８０Ｎ／２５ｍｍである。
　なお、上記剥離強度の測定において、紫外線の照射は基材側から行う。また、ＰＭＭＡとはポリメチルメタアクリレートであり、上記ＰＭＭＡ板としては、厚さ２ｍｍ、幅７０ｍｍ、長さ１５０ｍｍの、三菱ケミカル株式会社製「アクリライトＬ００１」を用いる。上記剥離強度は、粘着テープの幅２５ｍｍ、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度２５℃の条件で測定し、同じ条件で２回測定を繰り返したときの平均値をその剥離強度とする。
　上記剥離強度は、粘着剤層がアクリル系樹脂を含むように調製し、さらに、ＨＥＭＡ由来の重合単位の量を調整することで、制御できる。特に、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上となるように粘着剤層を調製することで、上記剥離強度を上記範囲に制御できる。
　粘着剤層の厚さは、上述したように粘着剤層において大気雰囲気に露出した状態での紫外線照射後の剥離強度が１６００ｍＮ／２５ｍｍ以下となれば特に限定されないが、好ましくは１００μｍ未満であり、より好ましくは５～８０μｍであり、さらに好ましくは１０～７０μｍである。
　また、粘着剤層は、上述したように大気雰囲気に露出した状態での紫外線照射後の剥離強度が１６００ｍＮ／２５ｍｍ以下であれば特に限定されないが、アクリル系粘着剤から形成されることが好ましい。また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。
　以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
［粘着剤組成物］
　粘着剤層を形成するエネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（「粘着性樹脂Ｉ」ともいう）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「Ｘ型の粘着剤組成物」ともいう）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂ＩＩ」ともいう）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（以下、「Ｙ型の粘着剤組成物」ともいう）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「ＸＹ型の粘着剤組成物」ともいう）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離強度を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー線を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩ及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において「粘着性樹脂」は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂ＩＩの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体が使用される。アクリル系重合体は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、さらに好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートの含有量、アクリル系重合体を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）１００質量部に対して、好ましくは３５～９８質量部、より好ましくは４５～９５質量部、さらに好ましくは５０～９０質量部である。
　アクリル系重合体は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートの含有量は、モノマー全量１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは３～２６質量部、さらに好ましくは５～２２質量部である。
　アクリル系重合体は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。本実施形態では、官能基含有モノマーとして、特にＨＥＭＡを所定量以上用いることが好ましい。
　ここで、本実施形態に係る粘着テープにおいて、粘着剤層はアクリル系樹脂を含み、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量は６質量部以上であることが好ましい。ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量は、さらには１０質量部以上、または１２質量部以上とすることもできる。粘着剤層の調製において、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が上記範囲となるように用いることで、粘着剤についての上記剥離強度、表面自由エネルギー、表面弾性率、凝着エネルギーを所望の範囲とすることができる。また、粘着剤層におけるＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量の上限は特に制限されないが、アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、通常３５質量部であり、好ましくは３２質量部である。
　本実施形態において、ＨＥＭＡ以外の水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等は、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマーおよびカルボキシ基含有モノマーを用いることが好ましく、水酸基含有モノマーを用いることがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、上述したＨＥＭＡの他に、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　ＨＥＭＡ以外の官能基含有モノマーの含有量は、アクリル系重合体を構成するモノマー全量１００質量部に対して、好ましくは１～３５質量部、より好ましくは３～３２質量部、さらに好ましくは６～３０質量部である。
　また、アクリル系重合体は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体Ｉの官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
　なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、さらに好ましくは５０万～１２０万である。
（エネルギー線硬化性化合物）
　Ｘ型又はＸＹ型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
　このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレートモノマー、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート，ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
　これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　エネルギー線硬化性化合物の分子量（オリゴマーの場合は重量平均分子量）は、好ましくは１００～１２０００、より好ましくは２００～１００００、さらに好ましくは４００～８０００、特に好ましくは６００～６０００である。
　Ｘ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは４０～２００質量部、より好ましくは５０～１５０質量部、さらに好ましくは６０～９０質量部である。
　一方で、ＸＹ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは２～２０質量部、さらに好ましくは３～１５質量部である。ＸＹ型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離強度を低下させることが可能である。
（架橋剤）
　粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基含有モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
　架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～７質量部、さらに好ましくは０．０５～４質量部である。
（光重合開始剤）
　また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部、さらに好ましくは０．０５～５質量部である。
（その他の添加剤）
　粘着性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部である。
　また、粘着性組成物は、基材、緩衝層や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、さらに有機溶媒で希釈して、粘着性組成物の溶液の形態としてもよい。
　有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、トルエン、キシレン、ｎ－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
　なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の１種以上の有機溶媒を加えてもよい。
〇基材
　基材は、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。ヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。一方、基材の２３℃におけるヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材の２３℃におけるヤング率は、より好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、さらに好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　基材の厚さは特に限定されないが、１１０μｍ以下であることが好ましく、１５～１１０μｍであることがより好ましく、２０～１０５μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを１１０μｍ以下とすることで、粘着テープの剥離強度を制御しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
　易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　易接着層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、本願実施例における易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さいため、易接着層を有する樹脂フィルムの厚みと基材の厚みとは実質的に同一である。また、易接着層の材質は柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
　例えば、基材のヤング率は、樹脂組成の選択、可塑剤の添加、樹脂フィルム製造時の延伸条件などにより制御できる。具体的には、基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、共重合成分中のエチレン成分の含有割合が多くなると、基材のヤング率は低下する傾向がある。また、基材を構成する樹脂組成物に対して可塑剤の配合量が多くなると基材のヤング率は低下する傾向がある。
〇緩衝層
　本実施形態に係る粘着テープは、緩衝層を有していてもよい。緩衝層は、基材の少なくとも一方の面に設けることができ、基材の両面に設けることもできる。また、基材の一方の面に粘着剤層を設け、基材の他方の面に緩衝層を設けることもできる。
　緩衝層は、半導体ウエハの裏面研削時の応力を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。半導体ウエハに粘着テープを貼付け、外周に沿って粘着テープが切断された後、半導体ウエハは粘着テープを介してチャックテーブル上に配置され裏面研削されるが、粘着テープが構成層として緩衝層を有することで、半導体ウエハがチャックテーブルに適切に保持されやすくなる。
　緩衝層は、基材と比較して軟質の層である。したがって、緩衝層の２３℃におけるヤング率は、基材の２３℃におけるヤング率より小さい。具体的には、緩衝層の２３℃におけるヤング率は１０００ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは７００ＭＰａ以下、さらに好ましくは５００ＭＰａ以下である。
　緩衝層の厚さは、１～１００μｍであることが好ましく、５～８０μｍであることがより好ましく、１０～６０μｍであることがさらに好ましい。緩衝層の厚さを上記範囲とすることで、緩衝層が裏面研削時の応力を適切に緩和できるようになる。
　緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物であることが好ましい。また、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層であってもよく、ポリエーテルを主剤とする層であってもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層に含まれる各成分、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層に含まれる各成分について順に説明する。
＜エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層＞
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。
　また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を含むことが好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）に加えて、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）及び／又は官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含有することがより好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）～（ａ３）成分に加えて、多官能重合性化合物（ａ４）を含有してもよい。さらに、緩衝層形成用組成物は光重合開始剤を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
（ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１））
　ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）とは、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）は、オリゴマーまたはポリマーである。
　成分（ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは２，０００～６０，０００、さらに好ましくは１０，０００～３０，０００である。また、成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基数（以下、「官能基数」ともいう）としては、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、単官能又は２官能であることが好ましい。
　成分（ａ１）は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分（ａ１）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　成分（ａ１）の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールまたはポリカーボネート型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、２官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールまたはポリカーボネート型ジオールがより好ましい。
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
　上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を得ることができる。ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物；等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは１０～７０質量部、より好ましくは２０～６０質量部である。
（環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２））
　成分（ａ２）は、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。成分（ａ２）を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
　なお、成分（ａ２）の定義と、後述する成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ３）に含まれる。例えば、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基と、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基と、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基とを有する化合物は、成分（ａ２）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ３）に含まれるものとする。
　成分（ａ２）が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは６～２０であるが、より好ましくは６～１８、さらに好ましくは６～１６、特に好ましくは７～１２である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子に結合した水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
　具体的な成分（ａ２）としては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等の脂環基含有（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート等の複素環基含有（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
　なお、成分（ａ２）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　脂環基含有（メタ）アクリレートの中ではイソボルニル（メタ）アクリレートが好ましく、複素環基含有（メタ）アクリレートの中ではテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは１０～８０質量部、より好ましくは２０～７０質量部である。
（官能基を有する重合性化合物（ａ３））
　成分（ａ３）は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。
　成分（ａ３）は、成分（ａ１）との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくなる。また、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
　成分（ａ３）としては、例えば、水酸基含有（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシー３－フェノキシプロピルアクリレート等が挙げられる。
　エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレートが好ましい。
　アミド基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　アミノ基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、水酸基含有（メタ）アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有（メタ）アクリレートがより好ましい。
　なお、成分（ａ３）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）の含有量は、緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させるために、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは５～４０質量部、より好ましくは７～３５質量部、さらに好ましくは１０～３０質量部である。
　また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）と成分（ａ３）との含有量比〔（ａ２）／（ａ３）〕は、好ましくは０．５～３．０、より好ましくは１．０～３．０、さらに好ましくは１．３～３．０、特に好ましくは１．５～２．８である。
（多官能重合性化合物（ａ４））
　多官能重合性化合物とは、光重合性不飽和基を２つ以上有する化合物をいう。光重合性不飽和基は、炭素－炭素二重結合を含む官能基であり、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。光重合性不飽和基は２種以上を組み合わせてもよい。多官能重合性化合物中の光重合性不飽和基と成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基とが反応したり、成分（ａ４）中の光重合性不飽和基同士が反応することで、三次元網目構造（架橋構造）が形成される。多官能重合性化合物を使用すると、光重合性不飽和基を１つしか含まない化合物を使用した場合と比較して、エネルギー線照射により形成される架橋構造が増加しやすい。
　なお、成分（ａ４）の定義と、先述した成分（ａ２）や成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ４）に含まれる。例えば、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ２）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。また、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。
　上記観点から、多官能重合性化合物中における光重合性不飽和基の数（官能基数）は、２～１０が好ましく、３～６がより好ましい。
　また、成分（ａ４）の重量平均分子量は、好ましくは３０～４００００、より好ましくは１００～１００００、さらに好ましくは２００～１０００である。
　具体的な成分（ａ４）としては、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニル、アジピン酸ジビニル、Ｎ，Ｎ'－メチレンビス（メタ）アクリ
ルアミド等が挙げられる。
　なお、成分（ａ４）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ４）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは２～４０質量部、より好ましくは３～２０質量部、さらに好ましくは５～１５質量部である。
（成分（ａ１）～（ａ４）以外の重合性化合物（ａ５））
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分（ａ１）～（ａ４）以外のその他の重合性化合物（ａ５）を含有してもよい。
　成分（ａ５）としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物：等が挙げられる。なお、成分（ａ５）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ５）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは０～２０質量部、より好ましくは０～１０質量部、さらに好ましくは０～５質量部、特に好ましくは０～２質量部である。
（光重合開始剤）
　緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、さらに好ましくは０．３～５質量部である。
（その他の添加剤）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
（樹脂成分）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
　緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して、好ましくは０～２０質量部、より好ましくは０～１０質量部、さらに好ましくは０～５質量部、特に好ましくは０～２質量部である。
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される緩衝層は、上記組成の緩衝層形成用組成物をエネルギー線照射により重合硬化して得られる。つまり、当該緩衝層は、緩衝層形成用組成物の硬化物である。
　したがって、当該緩衝層は、成分（ａ１）由来の重合単位を含む。また、当該緩衝層は、成分（ａ２）由来の重合単位及び／又は成分（ａ３）由来の重合単位を含有することが好ましい。さらに、成分（ａ４）由来の重合単位及び／又は成分（ａ５）由来の重合単位を含有していてもよい。緩衝層における各重合単位の含有割合は、通常、緩衝層形成用組成物を構成する各成分の比率（仕込み比）に一致する。例えば、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して１０～７０質量部の場合、緩衝層は成分（ａ１）に由来する重合単位を１０～７０質量部含有する。また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量部）に対して１０～８０質量部の場合、緩衝層は成分（ａ２）に由来する重合単位を１０～８０質量部含有する。成分（ａ３）～（ａ５）についても同様である。
＜ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層＞
　緩衝層は、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成されてもよい。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合は、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層である場合よりも応力緩和性が低いことがある。この場合、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層を基材の一方の面側に有する粘着テープには反りが発生するおそれがある。ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の少なくとも一方の面側に設けられればよいが、このような不具合を防止する観点から、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の両面に設けられることが好ましい。
　ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ，密度：８８０ｋｇ／ｍ３以上、９１０ｋｇ／ｍ３未満）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ，密度：９１０ｋｇ／ｍ３以上、９３０ｋｇ／ｍ３未満）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ，密度：９３０ｋｇ／ｍ３以上、９４２ｋｇ／ｍ３未満）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ，密度：９４２ｋｇ／ｍ３以上）等のポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン－ポリプロピレン共重合体、オレフィン系エラストマー（ＴＰＯ）、シクロオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル－無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。
　これらのポリオレフィン樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記ポリオレフィン樹脂の中でも、特定の物性を有する緩衝層を得る観点から、ポリエチレン樹脂が好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましい。
　上述した緩衝層には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等の添加剤を含有させてもよい。また、上述した緩衝層は、透明であっても、不透明であってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
〇剥離シート
　粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前（すなわち、ウエハ貼付前）には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍである。
〇粘着テープの製造方法
　本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
　例えば、基材と、当該基材の一方の面側に設けられた粘着剤層と、当該基材の他方の面側に設けられた緩衝層とを有する粘着テープの製造方法は以下のとおりである。
　緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される場合には、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を塗工、硬化して設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。また、緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、緩衝層と基材とを貼り合わせることで、緩衝層と基材との積層体が得られる。
　そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に粘着剤（粘着剤組成物）を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。
　また、基材の片面に、粘着剤（粘着剤組成物）を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、緩衝層の製造法で示した、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
　剥離シート上に緩衝層を形成する方法としては、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成することができる。また、基材の片面に、緩衝層形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成してもよい。
　緩衝層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。
　緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、押出ラミネートによって緩衝層と基材と貼り合わせてもよい。具体的には、Ｔダイ製膜機等を使用して、緩衝層を構成するポリオレフィン樹脂を溶融・混練し、基材を一定の速度にて移動させながら、基材の一方の面側に、溶融したポリオレフィン樹脂を押出しラミネートする。また、緩衝層はヒートシール等により基材に直接積層されてもよい。さらに、ドライラミネーション法などの方法で、易接着層を介して積層されてもよい。
　なお、基材の両面に緩衝層が設けられた粘着テープの製造方法は、例えば、上述の方法により、緩衝層と基材と緩衝層とがこの順に積層された積層体を得、その後、一方の緩衝層側に粘着剤層を形成すればよい。
〇半導体装置の製造方法
　本発明に係る粘着テープは、好ましくは、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行う場合に使用される。より好ましくは、本発明に係る粘着テープは、ウエハの裏面研削とウエハの個片化とを同時に行うＤＢＧにおいて好ましく使用される。特に好ましくは、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さいチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用される。なお、「チップ群」とは、本発明に係る粘着テープ上に保持された、ウエハ形状に整列している複数の半導体チップをいう。
　粘着テープの非限定的な使用例として、以下に半導体装置の製造方法をさらに具体的に説明する。
　半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程１～工程４を少なくとも備える。
　工程１：上記の粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、粘着テープを半導体ウエハの外周に沿って切断する工程
　工程２：半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程
　工程３：粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程
　工程４：個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する工程
　以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
（工程１）
　工程１では、本発明の粘着テープを、粘着剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付し、半導体ウエハの外周に沿って切断する。粘着テープは、半導体ウエハおよびその外周に拡がる外周テーブルを覆うように貼り付けられる。そして、粘着テープは、半導体ウエハの外周に沿って、カッター等により切断される。切断速度は、通常１０～３００ｍｍ／ｓである。切断時のカッター刃の温度は室温でもよく、また、カッター刃を加熱して切断してもよい。
　本工程は、後述する工程２の前に行われてもよいが、工程２の後に行ってもよい。例えば、半導体ウエハに改質領域を形成する場合には、工程１を工程２の前に行うことが好ましい。一方で、半導体ウエハ表面に、ダイシング等により溝を形成する場合には、工程２の後に工程１を行う。すなわち、後述する工程２で形成した溝を有するウエハの表面に、本工程１にて粘着テープを貼付することになる。
　本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム砒素、炭化ケイ素、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化ガリウム、インジウム燐などのウエハや、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は５００～１０００μｍ程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。
（工程２）
　工程２では、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面又は裏面から半導体ウエハの内部に改質領域を形成する。
　本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程３において、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
　また、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であり、研削工程における研削によって、半導体ウエハが薄くなったり、研削による力が加わったりすることにより半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域である。すなわち、工程２において溝及び改質領域は、後述する工程３において、半導体ウエハが分割されて半導体チップに個片化される際の分割線に沿うように形成される。
　改質領域の形成は、半導体ウエハの内部に焦点を合わせたレーザーの照射により行い、改質領域は、半導体ウエハの内部に形成される。レーザーの照射は、半導体ウエハの表面側から行っても、裏面側から行ってもよい。なお、改質領域を形成する態様において、工程２を工程１の後に行いウエハ表面からレーザー照射を行う場合、粘着テープを介して半導体ウエハにレーザーを照射することになる。
　粘着テープが貼付され、かつ溝又は改質領域を形成した半導体ウエハは、チャックテーブル上に載せられ、チャックテーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。
（工程３）
　工程1及び工程２の後、チャックテーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
　ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
　一方、改質領域が形成される場合には、研削によって研削面（ウエハ裏面）は、改質領域に至ってもよいが、厳密に改質領域まで至らなくてもよい。すなわち、改質領域を起点として半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化されるように、改質領域に近接する位置まで研削すればよい。例えば、半導体チップの実際の個片化は、後述するピックアップテープを貼付してからピックアップテープを延伸することで行ってもよい。
　また、裏面研削の終了後、チップのピックアップに先立ち、ドライポリッシュを行ってもよい。
　個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは５～１００μｍ程度であるが、より好ましくは１０～４５μｍである。レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う、ＬＤＢＧによれば、個片化された半導体チップの厚さを５０μｍ以下、より好ましくは１０～４５μｍとすることが容易になる。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは６００ｍｍ２未満、より好ましくは４００ｍｍ２未満、さらに好ましくは３００ｍｍ２未満である。
　本発明の粘着テープを使用すると、このように薄型及び／又は小型の半導体チップであっても、以下の粘着テープ剥離時（工程４）において半導体チップにクラックが生じることが防止される。
（工程４）
　個片化された半導体ウエハ（すなわち、ウエハ形状に整列している複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
　まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に保持された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。
　その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
　なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着テープによって構成される。
　また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。すなわち、本実施形態では、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体ウエハの裏面に貼付する工程を含んでもよい。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。
　ここで、粘着テープの粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射すると、粘着剤層のウエハと密着している部分は硬化し、その部分の粘着力は十分に低下する。しかし、粘着剤層のウエハと密着せずに大気に曝されている部分では、通常、大気中の酸素によって粘着剤の硬化が阻害され、紫外線等のエネルギー線の照射によっても硬化せず、粘着力が十分低下しない。そのために、図３に示すように、裏面研削により半導体ウエハの厚さを３０μｍ程度にまで極薄くした場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ等を半導体ウエハの裏面に貼付すると、半導体ウエハの表面に貼付した粘着テープの粘着剤層の未硬化部分が、ダイシング・ダイボンディングテープ等の接着剤層と接触し貼り付く。そして、ダイシング・ダイボンディングテープ等に貼り付いた粘着テープを剥離しようすると、粘着テープとダイシング・ダイボンディングテープとが一体化し、粘着テープの湾曲に伴いダイシング・ダイボンディングテープも湾曲する。そして、粘着テープとダイシング・ダイボンディングテープとの間に挟持されたウエハやチップも同時に湾曲する。その結果、チップにクラックが発生しやすくなる。また、ダイシング・ダイボンディングテープ等の接着剤層は、湾曲により破損し、その破片が脱落するおそれがある。
　一方、本実施形態に係る粘着テープによれば、粘着テープを剥離する際に、半導体チップにクラックが生じることを防止できる。図５は、本実施形態に係る粘着テープが貼付された裏面研削後の半導体ウエハ２０に、さらにダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付した積層体の模式図である。図５は、厚さ３０μｍ程度にまで極薄く裏面研削した半導体ウエハ２０にダイシング・ダイボンディングテープ３０を貼付した場合を示す。本実施形態に係る粘着テープでは、粘着剤層は、大気雰囲気に露出した状態でも、エネルギー線の照射によって粘着力を十分に低下できる。そのため、図５に示すように、裏面研削により半導体ウエハの厚さを３０μｍ程度にまで極薄くした場合に、半導体ウエハの表面に貼付した粘着テープの粘着剤層の一部とダイシング・ダイボンディングテープ等の接着剤層とが接触しても、両者が貼り付くことはない。そのため、粘着テープは、ダイシング・ダイボンディングテープと一体化することなく剥離できる。その結果、チップのクラックを抑制できる。
　接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。
　以上、本発明に係る粘着テープについて、ＤＢＧまたはＬＤＢＧにより半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さく、より薄化されたチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用できる。なお、本発明に係る粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に保持するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
　測定方法、評価方法は以下のとおりである。結果は表１に示す。
［凝着エネルギー］
　半導体加工用粘着テープについて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、紫外線照射装置（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ　２０００」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を基材側から照射した。原子間力顕微鏡（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、装置名「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ」）に設置した窒化ケイ素素材のカンチレバー（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、「ＳＣＡＮＡＳＹＳＴ－ＡＩＲ」、公称先端半径：２ｎｍ、共振周波数：７０ｋＨｚ、バネ定数：０．４Ｎ／ｍ）で、室温下で、粘着剤層の表面を、押し込み量５ｎｍ、スキャン速度５Ｈｚで押し込み、引き離しを行った。得られたフォースカーブ曲線（横軸が試料変形量であり、縦軸は測定荷重である。）について、ＪＫＲ理論式とフィッテングを行い、表面弾性率を算出した。粘着剤層の表面５μｍ×５μｍ中で４０９６点を測定して得られる値の平均値を、凝着エネルギー（Ｊ／ｍ２）とした。
［剥離評価］
　粘着テープを、直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウエハにバックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ－３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付けし、シリコンウエハの外周に沿って切断した。シリコンウエハに対して、レーザーソー（ディスコ社製、装置名「ＤＦＬ７３６１」）を用いて、波長１３４２ｎｍのレーザー光をシリコンウエハの表面から照射して、シリコンウエハ内部にチップサイズが５ｍｍ×５ｍｍとなるように改質領域を形成した。次いで、グラインダー（ディスコ社製、装置名「ＤＧＰ８７６０」）を用いて、シリコンウエハの裏面を、研削後の厚みが３０μｍとなるように研削した。このとき、粘着テープは、研削後のシリコンウエハの外周を覆う大きさとなっており、シリコンウエハの外縁より１．０ｍｍ大きい大きさとなるようにした。紫外線照射装置（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ　２０００」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を基材側、すなわちシリコンウエハの表面側から照射した。ダイシング・ダイボンディングテープ（リンテック社製、ＬＤ０１Ｄ－０７）の接着剤層面を、テープマウンター（リンテック社製、装置名「ＡＤＷＩＬＬ　ＲＡＤ－２７００」）を用いて６０℃に加熱しながらシリコンウエハの裏面に貼付した。粘着テープを剥離した。このときの、ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層の剥離の程度を観察し、以下の基準で評価した。
　Ａ：剥離した面積が７０％未満。
　Ｂ：剥離した面積が７０％以上９７％未満。
　Ｃ：剥離した面積が９７％以上。
［表面自由エネルギー］
　半導体加工用粘着テープについて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、紫外線照射装置（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ　２０００」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を基材側から照射した。接触角計（協和界面化学株式会社製、装置名「ＤＭ－７０」）を用いて、ジヨードメタン、１－ブロモナフタレン、及び蒸留水を液滴として使用し、静滴法により、ＪＩＳ　Ｒ　３２５７：１９９９に準拠して接触角（測定温度：２５℃）を測定し、その接触角の値に基づいて北崎・畑法により、表面自由エネルギー（ｍＪ／ｍ２）を算出した。
［表面弾性率］
　半導体加工用粘着テープについて、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、紫外線照射装置（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ　２０００」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を基材側から照射した。原子間力顕微鏡（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、装置名「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ」）に設置した窒化ケイ素素材のカンチレバー（Ｂｒｕｋｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、「ＳＣＡＮＡＳＹＳＴ－ＡＩＲ」、公称先端半径：２ｎｍ、共振周波数：７０ｋＨｚ、バネ定数：０．４Ｎ／ｍ）で、室温下で、粘着剤層の表面を、押し込み量５ｎｍ、スキャン速度５Ｈｚで押し込み、引き離しを行った。得られたフォースカーブ曲線（横軸が試料変形量であり、縦軸は測定荷重である。）について、ＪＫＲ理論式とフィッテングを行い、表面弾性率を算出した。粘着剤層の表面５μｍ×５μｍ中で４０９６点を測定して得られる値の平均値を、表面弾性率（ＭＰａ）とした。
［剥離強度］
　基材および粘着剤層からなる半導体加工用粘着テープ（幅２５ｍｍ）について、粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、紫外線照射装置（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ　２０００」）を用いて、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を基材側から照射した。当該粘着剤層の露出した面に、２３℃、５０％ＲＨにおいてＰＭＭＡ板（厚さ２ｍｍ、幅７０ｍｍ、長さ１５０ｍｍの、三菱ケミカル株式会社製「アクリライトＬ００１」）を２ｋｇロールで１往復の条件で貼り付けて３０分間放置した後、当該粘着テープを、測定温度２５℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で１８０°剥離するときの剥離強度を測定した。同じ条件で２回測定し、その平均値を表１に示す。
　以下の実施例及び比較例の質量部は全て固形分換算である。
＜実施例１＞
（１）基材
　基材として、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製　コスモシャイン　Ａ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ）を準備した。
（２）粘着剤層
（粘着剤組成物の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合して得たアクリル系重合体に、該アクリル系重合体の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂全量１００質量部に対し、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを１２質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１．１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　ＴＰＯ」）を３．３質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物の塗工液を調製した。
（３）粘着テープの作製
　剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが３０μｍの粘着剤層を形成した。形成した粘着剤層の表面と、基材とを貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例２＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１５質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１５質量部を共重合してアクリル系重合体を得た以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例３＞
　粘着剤組成物の調製において、エチルアクリレート（ＥＡ）６０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例４＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）６０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例５＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）６５質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）５質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例６＞
　粘着剤組成物の調製において、２－エチルへキシルアクリレート（２ＥＨＡ）６０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例７＞
　粘着剤組成物の調製において、２－エチルへキシルアクリレート（２ＥＨＡ）４０質量部、エチルアクリレート（ＥＡ）２０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）３０質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例８＞
　粘着剤組成物の調製において、エチルアクリレート（ＥＡ）６０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１５質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１５質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例９＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）６０質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１０質量部、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１５質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１５質量部を共重合してアクリル系重合体を得て、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド３．３質量部の代わりに２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ.Ｖ.社製、製品名「ＯＭＮＩＲＡＤ　６５１」）２．４質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜実施例１０＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２１質量部、及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）７質量部を共重合してアクリル系重合体を得た以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
＜比較例１＞
　粘着剤組成物の調製において、ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２８質量部を共重合してアクリル系重合体を得た以外は、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上の結果から、本発明に係る半導体加工用粘着テープによれば、紫外線等のエネルギー線の照射よって大気中でも、粘着剤層の凝着エネルギーが低下し、粘着力が十分低下することが分かる。したがって、本発明に係る粘着テープを用いることで、裏面研削により半導体ウエハの厚さを極薄くする場合でも、半導体チップのクラックの発生が抑制され、半導体装置の生産性を向上できる。
１０　粘着テープ
２０　半導体ウエハ
３０　接着テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）
１００　本実施形態に係る粘着テープ
　１１０　基材
　１２０　粘着剤層

Claims (5)

  1. 　基材と粘着剤層とを有する粘着テープであって、　　　　　　　　　 
    　前記粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の凝着エネルギーが０．２２０Ｊ／ｍ２以下である、半導体加工用粘着テープ。
  2. 　前記粘着剤層がアクリル系樹脂を含み、
    　前記アクリル系樹脂全量１００質量部に対し、ＨＥＭＡ由来の重合単位の含有量が６質量部以上である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 　前記粘着剤層の一面を大気雰囲気に露出した状態で、照度２２０ｍＷ／ｃｍ２および光量５００ｍＪ／ｃｍ２の条件で前記粘着テープに紫外線を照射した後の、当該粘着剤層の露出した面の表面自由エネルギーが３６ｍＪ／ｍ２未満である、請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
  4. 　請求項１～３のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
    　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
    　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
    　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
    　を備える半導体装置の製造方法。
  5. 　さらに、ダイシング・ダイボンディングテープを半導体ウエハの裏面に貼付する工程を含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
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