CN117015842A - 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下。

Description

半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体加工用粘着胶带，更详细而言，涉及一种当使用在晶圆的表面设置沟槽或用激光在晶圆内部设置改质区域并利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化(singulation)的方法来制造半导体装置时，适合用于暂时保持半导体晶圆或芯片的粘着胶带，以及使用了该粘着胶带的半导体装置的制造方法。
背景技术
在各种电子设备的小型化、多功能化的进展中，也同样要求其中所搭载的半导体芯片的小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常研磨半导体晶圆的背面进行厚度调整。此外，为了得到经薄型化的芯片，有时也会利用被称为预切割法(DBG：Dicing BeforeGrinding；研磨前切割)的技术，该技术中，使用切割刀片从晶圆的表面侧形成一定深度的沟槽，然后从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨将晶圆单颗化而得到芯片。由于通过DBG能够同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。
此外，近年来，作为预切割法的变形例，提出了一种利用激光在晶圆内部设置改质区域，并利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的方法。以下，有时将该方法记载为LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前激光切割)。对于LDBG，由于晶圆以改质区域为起点而沿着结晶方向被切断，因此相较于使用切割刀片的预切割法，可以减少崩裂(chipping)的产生。其结果，可以得到抗折强度优异的芯片，而且能够有助于芯片的进一步薄型化。进一步，相较于使用切割刀片在晶圆表面形成一定深度的沟槽的DBG，由于不存在使用切割刀片将晶圆削掉的区域、即由于切口宽度(kerf width)极小，因此芯片的产率优异。
以往在进行半导体晶圆的背面研磨时或通过DBG、LDBG制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路且保持半导体晶圆及半导体芯片，通常会在晶圆表面贴附被称作背磨片(backgrinding sheet)的粘着胶带。在进行背面研磨后，在研磨面上贴附具有粘合剂层的粘合胶带。然后，对贴附于晶圆表面的粘着胶带照射紫外线等能量射线而使其粘着力降低后进行剥离。通过这样的工序，在晶圆背面贴附粘合胶带。
对此，专利文献1中提出了一种粘着胶带，其具有使用了粘着剂的粘着剂层，所述粘着剂在氧存在下照射紫外线后的粘力降低率为60％以上。然而，若使用专利文献1中记载的胶带，则在将芯片的完工厚度薄化至30μm左右的情况下剥离粘着胶带时，有时会发生芯片的缺损、破损(以下有时记载为“芯片的裂纹”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-185691号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本申请的发明人为了解决上述技术问题进行了深入研究，结果发现，起因于半导体晶圆的研磨后的厚度变薄，会产生即使对粘着胶带照射紫外线等能量射线，粘着力也不充分降低的区域，在剥离粘着胶带时，会在芯片中产生裂纹。
图1为示出了对贴附有粘着胶带10的半导体晶圆20进行背面研磨时，半导体晶圆20的厚度逐渐变薄的情况的示意图。在图1中，(1)示出了背面研磨前的情况，(3)示出了半导体晶圆的厚度为30μm左右时的情况，(2)示出了从上述(1)至上述(3)为止的过程中的情况。通常，如图1的(1)所示，研磨前的半导体晶圆20的侧面呈圆形。粘着胶带10保护晶圆表面的电路且通常包含可以保持晶圆及芯片的程度的平且硬的原材料。因此，将粘着胶带10贴附于研磨前的晶圆20时，如图1的(1)所示，会在晶圆20的外缘部略微地产生粘着胶带未密合的区域。
如图1所示，随着晶圆的背面研磨以(1)、(2)、(3)推进，半导体晶圆20的厚度变薄、尺寸也有变化，但粘着胶带10的尺寸无变化。并且，若对晶圆进行背面研磨而将厚度极度薄化到30μm左右，则如图1的(3)所示，晶圆20的侧面的呈圆形的部分会被去除。因此，即使在如图1的(1)般将粘着胶带的形状设为与研磨前的晶圆大致相同的情况下，在研磨后，粘着胶带10的外缘部也会如图1的(3)般在晶圆20的外周部露出。若以该状态对粘着胶带照射紫外线等能量射线，则在粘着胶带的与晶圆密合的部分，粘着力会充分降低。然而，在粘着胶带的未与晶圆密合而曝露于大气中的部分(外缘部的露出部分)，粘着剂的固化会被大气中的氧所阻碍，即使通过照射紫外线等能量射线，粘着力也不会充分降低。即，粘着胶带在照射紫外线等能量射线后仍具有未固化的部分。
在背面研磨后的晶圆的背面，例如贴附有作为粘合胶带的切割固晶胶带。图2、3是在贴附有粘着胶带10的背面研磨后的半导体晶圆20上进一步贴附切割固晶胶带30而成的层叠体的示意图。切割固晶胶带30包含粘合剂层(未图示)，且通过该粘合剂层贴附于半导体晶圆20。图3示出了在极薄至厚度为30μm左右的背面研磨后的半导体晶圆20上贴附有切割固晶胶带30的状态。另一方面，图2示出了处于在半导体晶圆20上贴附有切割固晶胶带30的状态且该半导体晶圆20的厚度大于图3的情况。如图2所示，当背面研磨后的半导体晶圆20的厚度更大时，即使贴附切割固晶胶带30，粘着胶带10的未固化部分也不会与切割固晶胶带30的粘合剂层接触。然而，如图3所示，当将背面研磨后的半导体晶圆20的厚度极度薄化到30μm左右时，若贴附切割固晶胶带30，则有粘着胶带10的未固化部分接触并贴附于切割固晶胶带30的粘合剂层的可能。切割固晶胶带未像晶圆一样被切断。因此，欲将贴附于切割固晶胶带的粘着胶带剥离时，粘着胶带与切割固晶胶带会一体化，切割固晶胶带也会随着粘着胶带的弯曲而弯曲。并且，夹在粘着胶带与切割固晶胶带之间的晶圆、芯片也会同时弯曲。其结果，容易在芯片上产生裂纹。此外，切割固晶胶带的粘合剂层有因弯曲而破损、其碎片发生脱落的可能。
即，由于粘着胶带中形成了即使照射紫外线等能量射线，粘着力也不充分降低的区域，因此在通过背面研磨将半导体晶圆的厚度极度薄化的情况下，存在在剥离粘着胶带时容易产生芯片的裂纹的问题。
本发明是鉴于上述现有技术而完成的，其目的在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。
解决技术问题的技术手段
以解决这样的技术问题为目的的本发明的主旨如下。
(1)一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，
在将所述粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能(adhesionenergy)为0.220J/m2以下。
(2)根据(1)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层包含丙烯酸类树脂，
相对于所述丙烯酸类树脂的总量100质量份，来自HEMA的聚合单元的含量为6质量份以上。
(3)根据(1)或(2)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，在将所述粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面自由能小于36mJ/m2。
(4)一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
将上述(1)～(3)中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附于半导体晶圆的表面，沿着该半导体晶圆的外周切断该粘着胶带的工序；
从所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
从背面侧对在表面贴附有所述粘着胶带且已形成所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆进行研磨，以所述沟槽或所述改质区域为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
从所述多个芯片上剥离所述粘着胶带的工序。
(5)根据(4)所述的半导体装置的制造方法，其进一步包含将切割固晶胶带贴附于半导体晶圆的背面的工序。
发明效果
本发明的半导体加工用粘着胶带可以在大气气氛中充分降低粘着剂层的粘着力。其结果，可以抑制半导体芯片中的裂纹的产生。
附图说明
图1为示出了半导体晶圆的背面研磨的过程的示意图。
图2为由粘着胶带10、背面研磨后的半导体晶圆20及切割固晶胶带30构成的层叠体的示意图，其示出了半导体晶圆20的厚度大于图3的情况。
图3为由粘着胶带10、背面研磨后的半导体晶圆20及切割固晶胶带30构成的层叠体的示意图，其示出了对半导体晶圆20进行背面研磨而将厚度极度薄化到30μm左右的状态。
图4为示出了本实施方案的粘着胶带的示意图。
图5为由本实施方案的粘着胶带、背面研磨后的半导体晶圆20及切割固晶胶带30构成的层叠体的示意图，其示出了对半导体晶圆20进行背面研磨而将厚度极度薄化到30μm左右的情况。
具体实施方式
以下，对本发明的半导体加工用粘着胶带进行具体说明。首先，对本说明书中使用的主要术语进行说明。
在本说明书中，例如“(甲基)丙烯酸酯”作为表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的术语使用，其他类似术语也相同。
“半导体加工用”是指可在半导体晶圆的搬运、背面研磨、切割或半导体芯片的拾取等各工序中使用。
半导体晶圆的“表面”是指形成有电路的面、“背面”是指未形成电路的面。
半导体晶圆的单颗化是指将半导体晶圆按照电路进行分割而获得半导体芯片。
DBG是指在晶圆的表面侧形成一定深度的沟槽后，从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨对晶圆进行单颗化的方法。形成于晶圆表面侧的沟槽通过刀片切割、激光切割或等离子切割等方法而形成。此外，LDBG是DBG的变形例，是指利用激光在晶圆内部设置改质区域，通过晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的方法。
接着，进一步详细地说明本发明的半导体加工用粘着胶带的各构件的构成。另外，有将本发明的半导体加工用粘着胶带简写为“粘着胶带”的情况。
在本实施方案中，如图4所示，粘着胶带100是指包含基材110与粘着剂层120的层叠体。粘着胶带100也可在基材110的至少一面具有缓冲层。另外，包含除上述以外的其他构成层也无妨。例如可在粘着剂层侧的基材表面形成底漆层，也可在粘着剂层的表面层叠用于保护粘着剂层直至使用时为止的剥离片。此外，基材可为单层，也可为多层。粘着剂层及缓冲层也同样。
以下，进一步详细说明本实施方案的半导体加工用粘着胶带的各构件的构成。
○粘着剂层
对于本实施方案的粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下，优选为0.200J/m2以下，更优选为0.190J/m2以下。通过将上述粘附能设为上述范围，可以充分降低粘着剂层的粘着力，其结果可以抑制芯片的裂纹的产生。此外，上述粘附能的下限没有特别限制，通常为0.12J/m2，优选为0.14J/m2。
在上述粘附能的测定中，从基材侧进行紫外线的照射。此外，使用原子力显微镜测定粘附能。具体而言，使用设置于原子力显微镜的氮化硅原材料的悬臂(cantilever)(前端半径：2nm、共振频率：70kHz、弹簧常量：0.4N/m)，在室温下以5nm的压入量、5Hz的扫描速度对粘着剂层的表面进行压入、分离。针对所得到的力曲线(横轴为试样变形量、纵轴为测定载荷)，进行与JKR理论公式的拟合(fitting)，算出粘附能。将在粘着剂层的表面5μm×5μm中测定4096个点所得到的值的平均值作为粘附能(J/m2)。
上述粘附能可以以下述方式控制：将粘着剂层制备为包含丙烯酸类树脂，进一步调整来自甲基丙烯酸2-羟基乙酯(以下，有时简写为HEMA)的聚合单元的量。特别是通过以使来自HEMA的聚合单元的含量相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份为6质量份以上的方式制备粘着剂层，可以将粘附能控制在上述范围。
在本实施方案的粘着胶带中，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的粘着剂层的暴露面的表面自由能优选小于36mJ/m2，更优选为32mJ/m2以下，进一步优选为30mJ/m2以下。从使粘着剂层的粘着力充分降低的角度出发，优选将上述表面自由能设为上述范围。另外，上述表面自由能的下限没有特别限制，通常为18mJ/m2，优选为22mJ/m2。
在上述表面自由能的测定中，从基材侧进行紫外线的照射。此外，表面自由能是测定各种液滴的接触角(测定温度：25℃)，基于该接触角的值并通过Kitazaki-Hata法而求出的。具体而言，使用二碘甲烷、1-溴萘及蒸馏水作为液滴，通过卧滴法，以JIS R 3257:1999为基准测定接触角(测定温度：25℃)，基于该接触角的值并通过Kitazaki-Hata法求出表面自由能(mJ/m2)。
上述表面自由能可以以下述方式控制：将粘着剂层制备为包含丙烯酸类树脂，进一步调整来自HEMA的聚合单元的量。特别是通过以使来自HEMA的聚合单元的含量相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份为6质量份以上的方式制备粘着剂层，可以将表面自由能控制在上述范围。
此外，对于本实施方案的粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面弹性模量优选为5MPa以上，更优选为6MPa以上，进一步优选为6.5MPa以上。从使粘着剂层的粘着力充分降低的角度出发，优选将上述表面弹性模量设为上述范围。此外，上述表面弹性模量的上限没有特别限制，通常为17MPa，优选为14MPa。
在上述表面弹性模量的测定中，从基材侧进行紫外线的照射。此外，使用原子力显微镜测定表面弹性模量。具体而言，使用设置于原子力显微镜的氮化硅原材料的悬臂(cantilever)(前端半径：2nm，共振频率：70kHz，弹簧常量：0.4N/m)，在室温下以5nm的压入量、5Hz的扫描速度对粘着剂层的表面进行压入、分离。针对所得到的力曲线(横轴为试样变形量，纵轴为测定载荷)，进行与JKR理论公式的拟合(fitting)，算出表面弹性模量。将在粘着剂层的表面5μm×5μm中测定4096个点所得到的值的平均值作为表面弹性模量(MPa)。
上述表面弹性模量可以以下述方式控制：将粘着剂层制备为包含丙烯酸类树脂，进一步调整来自HEMA的聚合单元的量。特别是通过以使来自HEMA的聚合单元的含量相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份为6质量份以上的方式制备粘着剂层，可以将表面弹性模量控制在上述范围。
进一步，对于本实施方案的粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线，在23℃、50％RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度优选为1600mN/25mm以下，更优选为1100mN/25mm以下，进一步优选为980mN/25mm以下，特别优选为800mN/25mm以下。从充分降低粘着剂层的粘着力的角度出发，优选将上述剥离强度设为上述范围。另外，上述剥离强度的下限没有特别限制，通常为50N/25mm，优选为80N/25mm。
另外，在上述剥离强度的测定中，从基材侧进行紫外线的照射。此外，PMMA为聚甲基丙烯酸甲酯，作为上述PMMA板，使用厚度为2mm、宽度为70mm、长度为150mm的MitsubishiChemical Corporation制造的“ACRYLITE L001”。上述剥离强度以粘着胶带的宽度为25mm、剥离速度为300mm/分钟、测定温度为25℃的条件测定，将以相同条件重复测定两次时的平均值作为该剥离强度。
上述剥离强度可以以下述方式控制：将粘着剂层制备为包含丙烯酸类树脂，进一步调整来自HEMA的聚合单元的量。特别是通过以使来自HEMA的聚合单元的含量相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份为6质量份以上的方式制备粘着剂层，可以将上述剥离强度控制在上述范围。
关于粘着剂层的厚度，只要如上所述地使粘着剂层的在暴露于大气气氛的状态下照射紫外线后的剥离强度为1600mN/25mm以下，则没有特别限定，但优选小于100μm，更优选为5～80μm，进一步优选为10～70μm。
此外，对于粘着剂层，只要如上所述地使在暴露于大气气氛的状态下照射紫外线后的剥离强度为1600mN/25mm以下，则没有特别限定，但优选由丙烯酸类粘着剂形成。此外，粘着剂层优选由能量射线固化性粘着剂形成。另外，“能量射线”是指紫外线、电子线等，优选使用紫外线。
以下，对粘着剂的具体例进行详细说明，但这些具体例为非限定性的例示，本发明的粘着剂层不应被限定性解释为这些具体例。
[粘着剂组合物]
作为形成粘着剂层的能量射线固化性粘着剂，可使用例如：除了含有非能量射线固化性的粘着性树脂(也称为“粘着性树脂I”)以外，还含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“X型的粘着剂组合物”)。此外，作为能量射线固化性粘着剂，也可使用含有在非能量射线固化性的粘着性树脂的侧链导入不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(以下，也称为“粘着性树脂II”)作为主成分，而不含有除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(以下，也称为“Y型的粘着剂组合物”)。
进一步，作为能量射线固化性粘着剂，还可使用X型与Y型的并用型，即除了含有能量射线固化性的粘着性树脂II以外，还包含除粘着性树脂以外的能量射线固化性化合物的能量射线固化性粘着剂组合物(以下，也称为“XY型的粘着剂组合物”)。
其中，优选使用XY型的粘着剂组合物。通过使用XY型的粘着剂组合物，在固化前具有充分的粘着特性，另一方面，在固化后可充分降低对半导体晶圆的剥离强度。
然而，作为粘着剂，也可由即使照射能量射线也不固化的非能量射线固化性的粘着剂组合物形成。非能量射线固化性的粘着剂组合物至少含有非能量射线固化性的粘着性树脂I，但不含有上述能量射线固化性的粘着性树脂II及能量射线固化性化合物。
另外，在以下的说明中，将“粘着性树脂”作为指代上述粘着性树脂I及粘着性树脂II中的一种或两种的术语使用。作为具体的粘着性树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂等，优选丙烯酸类树脂。
以下，对作为粘着性树脂的使用了丙烯酸类树脂的丙烯酸类粘着剂进行更详细的说明。
丙烯酸类树脂中使用丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物通过使至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯的单体进行聚合而得到，其包含来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，烷基可以是直链，也可以是支链。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体实例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用或组合使用两种以上。
此外，从提升粘着剂层的粘着力的角度出发，丙烯酸类聚合物优选含有来自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯的碳原子数，优选为4～12，进一步优选为4～6。此外，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯，优选为丙烯酸烷基酯。
在丙烯酸类聚合物中，相对于构成丙烯酸类聚合物的单体的总量(以下也简称为“单体总量”)100质量份，烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量优选为35～98质量份，更优选为45～95质量份，进一步优选为50～90质量份。
丙烯酸类聚合物优选为除了包含来自烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，为了调整粘着剂层的弹性模量或粘着特性而包含来自烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的共聚物。另外，该(甲基)丙烯酸烷基酯优选为碳原子数为1或2的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为(甲基)丙烯酸甲酯，最优选为甲基丙烯酸甲酯。在丙烯酸类聚合物中，相对于单体总量100质量份，烷基的碳原子数为1～3的(甲基)丙烯酸烷基酯的含量优选为1～30质量份，更优选为3～26质量份，进一步优选为5～22质量份。
丙烯酸类聚合物优选除了具有来自上述(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还具有来自含官能团单体的结构单元。作为含官能团单体的官能团，可列举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。含官能团单体可以与下述交联剂进行反应而形成交联起点，或者也可以与含不饱和基团化合物进行反应从而在丙烯酸类聚合物的侧链导入不饱和基团。
作为含官能团单体，可列举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。在本实施方案中，作为含官能团单体，特别优选使用一定量以上的HEMA。
此处，在本实施方案的粘着胶带中，优选粘着剂层包含丙烯酸类树脂，且相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份，来自HEMA的聚合单元的含量为6质量份以上。来自HEMA的聚合单元的含量也可以进一步为10质量份以上或是12质量份以上。在粘着剂层的制备中，通过以使来自HEMA的聚合单元的含量为上述范围的方式使用，可以使粘着剂的上述剥离强度、表面自由能、表面弹性模量、粘附能在所需范围内。此外，粘着剂层中的来自HEMA的聚合单元的含量的上限没有特别限制，相对于丙烯酸类树脂的总量100质量份，通常为35质量份，优选为32质量份。
在本实施方案中，除HEMA以外的含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等，可以单独使用或组合使用两种以上。其中，优选使用含羟基单体及含羧基单体，特别优选使用含羟基单体。
作为含羟基单体，除了上述HEMA以外，例如可列举出丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇等。
作为含羧基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二元羧酸及其酸酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
相对于构成丙烯酸类聚合物的单体的总量100质量份，除HEMA以外的含官能团单体的含量优选为1～35质量份，更优选为3～32质量份，进一步优选为6～30质量份。
此外，除上述以外，丙烯酸类聚合物也可含有来自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等可与上述丙烯酸类单体共聚的单体的结构单元。
上述丙烯酸类聚合物可作为非能量射线固化性的粘着性树脂I(丙烯酸类树脂)使用。此外，作为能量射线固化性的丙烯酸类树脂，可列举出使具有光聚合性不饱和基团的化合物(也称为含不饱和基团化合物)与上述丙烯酸类聚合物I的官能团反应而成的丙烯酸类树脂。
含不饱和基团化合物为具有可与丙烯酸类聚合物的官能团键合的取代基以及光聚合性不饱和基团这两者的化合物。作为光聚合性不饱和基团，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，优选(甲基)丙烯酰基。
此外，作为含不饱和基团化合物所具有的可与官能团键合的取代基，可列举出异氰酸酯基、缩水甘油基等。因此，作为含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
此外，含不饱和基团化合物优选与丙烯酸类聚合物的官能团的一部分反应，具体而言，优选丙烯酸类聚合物所具有的官能团的50～98摩尔％与含不饱和基团化合物反应，更优选55～93摩尔％与含不饱和基团化合物反应。如此，在能量射线固化性丙烯酸类树脂中，官能团的一部分未与含不饱和基团化合物反应而残留，由此易于通过交联剂使其交联。
另外，丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为30万～160万，更优选为40万～140万，进一步优选为50万～120万。
(能量射线固化性化合物)
作为X型或XY型的粘着剂组合物中所含有的能量射线固化性化合物，优选在分子内具有不饱和基团并可通过能量射线照射而聚合固化的单体或低聚物。
作为这样的能量射线固化性化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯单体、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、环氧基(甲基)丙烯酸酯等低聚物。
其中，从分子量较高，不易使粘着剂层的剪切储能模量降低的角度出发，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
能量射线固化性化合物的分子量(低聚物的情况下为重均分子量)优选为100～12000，更优选为200～10000，进一步优选为400～8000，特别优选为600～6000。
相对于100质量份的粘着性树脂，X型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为40～200质量份，更优选为50～150质量份，进一步优选为60～90质量份。
另一方面，相对于100质量份的粘着性树脂，XY型的粘着剂组合物中的能量射线固化性化合物的含量优选为1～30质量份，更优选为2～20质量份，进一步优选为3～15质量份。在XY型的粘着剂组合物中，由于粘着性树脂为能量射线固化性，因此即使能量射线固化性化合物的含量较少，在能量射线照射后也可使剥离强度充分降低。
(交联剂)
优选粘着剂组合物进一步含有交联剂。交联剂例如与来自粘着性树脂所具有的含官能团单体的官能团进行反应，使粘着性树脂彼此交联。作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等及其加合物等的异氰酸酯类交联剂；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪等氮丙啶类交联剂；铝螯合物等螯合物类交联剂等。这些交联剂可单独使用或组合使用两种以上。
其中，从提高内聚力而使粘着力上升的角度、以及从易于获得等角度出发，优选异氰酸酯类交联剂。
从促进交联反应的角度发出，相对于100质量份的粘着性树脂，交联剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～4质量份。
(光聚合引发剂)
此外，当粘着剂组合物为能量射线固化性时，优选粘着剂组合物进一步含有光聚合引发剂。通过含有光聚合引发剂，即使是紫外线等能量较低的能量射线，也可使粘着剂组合物的固化反应充分进行。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物，以及胺、醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、联乙酰、8-氯蒽醌、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等。
这些光聚合引发剂可单独使用或组合使用两种以上。
相对于100质量份的粘着性树脂，光聚合引发剂的掺合量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～5质量份。
(其他的添加剂)
在不损害本发明效果的范围内，粘着性组合物也可含有其他的添加剂。作为其他的添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。当掺合这些添加剂时，相对于100质量份的粘着性树脂，添加剂的掺合量优选为0.01～6质量份。
此外，从提升对基材、缓冲层或剥离片的涂布性的角度出发，粘着性组合物也可进一步用有机溶剂进行稀释，从而制成粘着性组合物的溶液的形态。
作为有机溶剂，例如可列举出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氢呋喃、二噁烷、环己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、异丙醇等。
另外，这些有机溶剂可以直接使用在合成粘着性树脂时所使用的有机溶剂，也可以加入除合成时使用的有机溶剂以外的1种以上的有机溶剂以能够均匀地涂布该粘着剂组合物的溶液。
○基材
优选基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上。若使用杨氏模量小于1000MPa的基材，则粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能下降，无法抑制背面研磨时的振动等，半导体芯片容易产生缺损、破损。另一方面，通过使基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上，粘着胶带对半导体晶圆或半导体芯片的保持性能提高，可抑制背面研磨时的振动等，能够防止半导体芯片的缺损、破损。此外，能够减小将粘着胶带从半导体芯片上剥离时的应力，能够防止在剥离胶带时产生的芯片缺损、破损等。进一步，也能够使将粘着胶带贴附于半导体晶圆时的操作性良好。从这样的角度出发，基材在23℃下的杨氏模量优选更为1800～30000MPa，进一步优选为2500～6000MPa。
基材的厚度没有特别限定，优选为110μm以下，更优选为15～110μm，进一步优选为20～105μm。通过使基材的厚度为110μm以下，容易控制粘着胶带的剥离强度。此外，通过使其为15μm以上，基材容易发挥作为粘着胶带的支撑体的功能。
作为基材的材质，只要满足上述物性则没有特别限定，能够使用各种树脂膜。其中，作为23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、全芳香族聚酯等聚酯；聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮、双向拉伸聚丙烯等树脂膜。
这些树脂膜中，优选包含选自聚酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、双向拉伸聚丙烯膜中的一种以上的膜，更优选包含聚酯膜，进一步优选包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
此外，在不损害本发明效果的范围内，基材中也可含有增塑剂、润滑剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、填料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、催化剂等。此外，基材可以透明，也可以不透明，还可以根据需要而进行着色或蒸镀。
此外，为了提升与缓冲层及粘着剂层中的至少一层的密合性，还可以对基材的至少一个表面实施电晕处理等粘合处理。此外，基材也可具有上述树脂膜与覆膜在树脂膜的至少一个表面的易粘合层。
作为形成易粘合层的易粘合层形成用组合物，没有特别限定，例如可列举出包含聚酯类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚酯氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸类树脂等的组合物。也可根据需要在易粘合层形成用组合物中含有交联剂、光聚合引发剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。
作为易粘合层的厚度，优选为0.01～10μm，更优选为0.03～5μm。另外，由于本申请实施例中的易粘合层的厚度相对于基材的厚度较小，因此具有易粘合层的树脂膜的厚度与基材的厚度实质上相同。此外，由于易粘合层的材质柔软，因此对杨氏模量造成的影响较小，即便在具有易粘合层的情况下，基材的杨氏模量也与树脂膜的杨氏模量实质上相同。
例如，基材的杨氏模量能够通过树脂组成的选择、增塑剂的添加、制造树脂膜时的拉伸条件等进行控制。具体而言，将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜用作基材时，若共聚成分中的乙烯成分的含有比例变多，则基材的杨氏模量有下降的倾向。此外，若增塑剂的掺合量相对于构成基材的树脂组合物增多，则基材的杨氏模量有下降的倾向。
○缓冲层
本实施方案的粘着胶带也可具有缓冲层。缓冲层可以设置在基材的至少一面，也可以设置在基材的两面。此外，还可以在基材的一面设置粘着剂层，在基材的另一面设置缓冲层。
缓冲层缓解半导体晶圆的背面研磨时的应力，防止在半导体晶圆中产生裂纹及缺损。将粘着胶带贴附于半导体晶圆并沿着外周将粘着胶带切断后，将半导体晶圆经由粘着胶带配置在卡盘工作台(chuck table)上而进行背面研磨，通过使粘着胶带具有缓冲层作为构成层，易于将半导体晶圆适当地保持在卡盘工作台上。
缓冲层相较于基材为软质的层。因此，缓冲层在23℃下的杨氏模量小于基材在23℃下的杨氏模量。具体而言，缓冲层在23℃下的杨氏模量优选小于1000MPa，更优选为700MPa以下，进一步优选为500MPa以下。
缓冲层的厚度优选为1～100μm，更优选为5～80μm，进一步优选为10～60μm。通过将缓冲层的厚度设为上述范围，缓冲层能够适当地缓解背面研磨时的应力。
缓冲层优选为包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。此外，也可以为包含聚烯烃树脂膜的层，还可以为将聚醚作为主剂的层。
以下，依次对由包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层所含有的各成分、包含聚烯烃树脂膜的层所含有的各成分进行说明。
<由包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层>
包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物能够通过照射能量射线而固化。
此外，更具体而言，包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物优选包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。此外，更优选缓冲层形成用组合物除了含有上述(a1)以外，还含有具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2)和/或具有官能团的聚合性化合物(a3)。此外，缓冲层形成用组合物除了含有上述(a1)～(a3)成分以外，还可含有多官能聚合性化合物(a4)。进一步，缓冲层形成用组合物优选含有光聚合引发剂，在不损害本发明效果的范围内，还可含有其他的添加剂、树脂成分。
以下，对包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物中所含有的各成分进行详细说明。
(氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1))
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)是指至少具有(甲基)丙烯酰基及氨基甲酸酯键的化合物，其具有通过能量射线照射而聚合固化的性质。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)为低聚物或聚合物。
成分(a1)的重均分子量(Mw)优选为1,000～100,000，更优选为2,000～60,000，进一步优选为10,000～30,000。此外，作为成分(a1)中的(甲基)丙烯酰基数(以下也称为“官能团数”)，可为单官能、二官能或三官能以上，优选为单官能或二官能。
成分(a1)例如能够通过多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应并使由此得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯进行反应而得到。另外，成分(a1)可单独使用或组合使用两种以上。
作为成分(a1)的原料的多元醇化合物只要为具有两个以上的羟基的化合物，则没有特别限定。作为具体的多元醇化合物，例如可列举出亚烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。其中，优选聚酯型多元醇或聚碳酸酯型多元醇。
另外，多元醇化合物可以为二官能的二醇、三官能的三醇、四官能以上的多元醇中的任意一种，优选二官能的二醇，更优选聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇。
作为多异氰酸酯化合物，例如可列举出四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族类多异氰酸酯类；异佛尔酮二异氰酸酯、降冰片烷二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、ω,ω’-二异氰酸酯二甲基环己烷等脂环族类二异氰酸酯类；4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、二甲基联苯二异氰酸酯、四亚甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯等芳香族类二异氰酸酯类等。
其中，优选异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯。
能够使上述多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应并使由此得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯进行反应而得到氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，只要为至少在一分子中具有羟基及(甲基)丙烯酰基的化合物，则没有特别限定。
作为具体的具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基环己酯、(甲基)丙烯酸5-羟基环辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等含羟基的(甲基)丙烯酰胺；使(甲基)丙烯酸与乙烯醇、乙烯基苯酚、双酚A的二缩水甘油酯进行反应而得到的反应物等。
其中，优选(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，更优选(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
作为使末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物及具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应的条件，优选在根据需要添加的溶剂、催化剂的存在下使其于60～100℃反应1～4小时的条件。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的成分(a1)的含量优选为10～70质量份，更优选为20～60质量份。
(具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2))
成分(a2)为具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物，进一步，优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物，更优选为具有一个(甲基)丙烯酰基的化合物。通过使用成分(a2)，能够使所得到的缓冲层形成用组合物的成膜性提升。
另外，成分(a2)的定义与后述成分(a3)的定义有重复的部分，但重复部分包含于成分(a3)。例如，具有至少一个(甲基)丙烯酰基、成环原子数为6～20的脂环基或杂环基、以及羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团的化合物包含在成分(a2)与成分(a3)这两者的定义中，但在本发明中，该化合物被视作包含于成分(a3)。
成分(a2)所具有的脂环基或杂环基的成环原子数优选为6～20，更优选为6～18，进一步优选为6～16，特别优选为7～12。作为形成该杂环基的环结构的原子，例如可列举出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。
另外，成环原子数表示原子键合成环状而成的结构的化合物的构成该环本身的原子的数目，未构成环的原子(例如键合在构成环的原子上的氢原子)、该环被取代基取代时的取代基所含有的原子不包含在成环原子数中。
作为具体的成分(a2)，例如可列举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯等含脂环基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、吗啉(甲基)丙烯酸酯等含杂环基的(甲基)丙烯酸酯等。
另外，成分(a2)可单独使用或组合使用两种以上。
在含脂环基的(甲基)丙烯酸酯中，优选(甲基)丙烯酸异冰片酯，在含杂环基的(甲基)丙烯酸酯中，优选(甲基)丙烯酸四氢糠基酯。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)的含量优选为10～80质量份，更优选为20～70质量份。
(具有官能团的聚合性化合物(a3))
成分(a3)为含有羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团的聚合性化合物，进一步，优选为具有至少一个(甲基)丙烯酰基的化合物，更优选为具有一个(甲基)丙烯酰基的化合物。
成分(a3)与成分(a1)的相容性良好，容易将缓冲层形成用组合物的粘度调整在适当的范围内。此外，即便使缓冲层较薄，缓冲性能也良好。
作为成分(a3)，例如可列举出含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含环氧基化合物、含酰胺基化合物、含氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
作为含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯等。
作为含环氧基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等，其中，优选(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等含环氧基的(甲基)丙烯酸酯。
作为含酰胺基化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等。
作为含氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出含伯氨基的(甲基)丙烯酸酯、含仲氨基的(甲基)丙烯酸酯、含叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
其中，优选含羟基的(甲基)丙烯酸酯，更优选(甲基)丙烯酸苯基羟基丙酯等具有芳香环的含羟基的(甲基)丙烯酸酯。
另外，成分(a3)可单独使用或组合使用两种以上。
为了使缓冲层形成用组合物的成膜性提升，相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的成分(a3)的含量优选为5～40质量份，更优选为7～35质量份，进一步优选为10～30质量份。
此外，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)与成分(a3)的含量比[(a2)/(a3)]优选为0.5～3.0，更优选为1.0～3.0，进一步优选为1.3～3.0，特别优选为1.5～2.8。
(多官能聚合性化合物(a4))
多官能聚合性化合物是指具有两个以上的光聚合性不饱和基团的化合物。光聚合性不饱和基团为含有碳-碳双键的官能团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等。光聚合性不饱和基团也可以组合两种以上。通过使多官能聚合性化合物中的光聚合性不饱和基团与成分(a1)中的(甲基)丙烯酰基进行反应、或使成分(a4)中的光聚合性不饱和基团彼此进行反应，能够形成三维网状结构(交联结构)。使用多官能聚合性化合物时，相较于使用只含有一个光聚合性不饱和基团的化合物，容易增加通过能量射线照射而形成的交联结构。
另外，成分(a4)的定义与上述的成分(a2)或(a3)的定义有重复的部分，但重复部分包含于成分(a4)。例如，具有成环原子数为6～20的脂环基或杂环基且具有两个以上的(甲基)丙烯酰基的化合物包含在成分(a4)与成分(a2)这两者的定义中，但在本发明中，该化合物被视作包含于成分(a4)。此外，含有羟基、环氧基、酰胺基、氨基等官能团且具有两个以上的(甲基)丙烯酰基的化合物包含在成分(a4)与成分(a3)这两者的定义中，但在本发明中，该化合物被视作包含于成分(a4)。
从上述角度出发，多官能聚合性化合物中的光聚合性不饱和基团的数目(官能团数)优选为2～10，更优选为3～6。
另外，成分(a4)的重均分子量优选为30～40000，更优选为100～10000，进一步优选为200～1000。
作为具体的成分(a4)，例如可列举出二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亚甲基双(甲基)丙烯酰胺等。
另外，成分(a4)可单独使用或组合使用两种以上。
其中，优选二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的成分(a4)的含量优选为2～40质量份，更优选为3～20质量份，进一步优选为5～15质量份。
(成分(a1)～(a4)以外的聚合性化合物(a5))
在不损害本发明效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有除上述成分(a1)～(a4)以外的其他聚合性化合物(a5)。
作为成分(a5)，例如可列举出具有碳原子数为1～20的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯；苯乙烯、羟基乙基乙烯基醚、羟基丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己内酰胺等乙烯化合物等。另外，成分(a5)能够单独使用或组合使用两种以上。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的成分(a5)的含量优选为0～20质量份，更优选为0～10质量份，进一步优选为0～5质量份，特别优选为0～2质量份。
(光聚合引发剂)
从形成缓冲层时缩短通过光照射而聚合的时间并且使光照射量减少的角度出发，优选缓冲层形成用组合物进一步含有光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物，以及胺、醌等光敏剂等，更具体而言，例如可列举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、联乙酰、8-氯蒽醌、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦等。
这些光聚合引发剂能够单独使用或组合使用两种以上。
相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的光聚合引发剂的含量优选为0.05～15质量份，更优选为0.1～10质量份，进一步优选为0.3～5质量份。
(其他的添加剂)
在不损害本发明效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有其他的添加剂。作为其他的添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充剂、防锈剂、颜料、染料等。当掺合这些添加剂时，相对于能量射线聚合性化合物的合计量100质量份，缓冲层形成用组合物中的各添加剂的含量优选为0.01～6质量份，更优选为0.1～3质量份。
(树脂成分)
在不损害本发明效果的范围内，缓冲层形成用组合物也可含有树脂成分。作为树脂成分，例如可列举出多烯-硫醇类树脂或聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃类树脂、以及苯乙烯类共聚物等热塑性树脂等。
相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)，缓冲层形成用组合物中的这些树脂成分的含量优选为0～20质量份，更优选为0～10质量份，进一步优选为0～5质量份，特别优选为0～2质量份。
由含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的缓冲层通过对上述组成的缓冲层形成用组合物照射能量射线使其聚合固化而得到。即，该缓冲层为缓冲层形成用组合物的固化物。
因此，该缓冲层包含来自成分(a1)的聚合单元。此外，该缓冲层优选含有来自成分(a2)的聚合单元和/或来自成分(a3)的聚合单元。进一步，还可含有来自成分(a4)的聚合单元和/或来自成分(a5)的聚合单元。缓冲层中的各聚合单元的含有比例通常与构成缓冲层形成用组合物的各成分的比率(添加比)一致。例如缓冲层形成用组合物中的成分(a1)的含量相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)为10～70质量份时，缓冲层含有10～70质量份的来自成分(a1)的聚合单元。此外，缓冲层形成用组合物中的成分(a2)的含量相对于缓冲层形成用组合物的总量(100质量份)为10～80质量份时，缓冲层含有10～80质量份的来自成分(a2)的聚合单元。成分(a3)～(a5)也同样。
<包含聚烯烃树脂膜的层>
缓冲层可由包含聚烯烃树脂膜的层形成。
当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，应力缓解性有时比缓冲层为由包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成的层时低。此时，在基材的一面侧具有由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层的粘着胶带可能会发生翘曲。虽然由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层设置在基材的至少一面侧即可，但是从防止这样的不良情况的角度出发，优选由包含聚烯烃树脂膜的层形成的缓冲层设置在基材的两面。
聚烯烃树脂没有特别限定，例如可列举出超低密度聚乙烯(VLDPE、密度:880kg/m3以上且小于910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE、密度:910kg/m3以上且小于930kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE、密度:930kg/m3以上且小于942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE、密度:942kg/m3以上)等聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚乙烯-聚丙烯共聚物、烯烃类弹性体(TPO)、环烯烃树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-顺丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-顺丁烯二酸酐共聚物等。
这些聚烯烃树脂能够单独使用或组合使用两种以上。
上述聚烯烃树脂中，从得到具有特定物性的缓冲层的角度出发，优选聚乙烯树脂，更优选低密度聚乙烯。
在不损害本发明效果的范围内，也可使上述缓冲层含有增塑剂、润滑剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、填料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、催化剂等添加剂。此外，上述缓冲层可以透明，也可以不透明，还可以根据需要进行着色或蒸镀。
○剥离片
可在粘着胶带的表面贴附剥离片。具体而言，剥离片被贴附在粘着胶带的粘着剂层的表面。通过将剥离片贴附在粘着剂层表面，在运输时、保存时保护粘着剂层。剥离片可剥离地贴附于粘着胶带，且在使用粘着胶带之前(即晶圆贴附前)被从粘着胶带上剥离而去除。
作为剥离片，使用至少一面经剥离处理的剥离片，具体而言，可列举出将剥离剂涂布在剥离片用基材的表面上而得到的剥离片等。
作为剥离片用基材，优选树脂膜，作为构成该树脂膜的树脂，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜；聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。作为剥离剂，例如可列举出有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟类树脂等。
剥离片的厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为20～150μm。
○粘着胶带的制造方法
作为本发明的粘着胶带的制造方法，没有特别限制，可以通过公知的方法制造。
例如，具有基材、设置在该基材的一面侧的粘着剂层及设置在该基材的另一面侧的缓冲层的粘着胶带的制造方法如下所述。
当缓冲层由包含能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物形成时，通过贴合将缓冲层形成用组合物涂布在剥离片上且固化而设置的缓冲层与基材并去除剥离片，得到缓冲层与基材的层叠体。此外，当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，将缓冲层与基材贴合，得到缓冲层与基材的层叠体。
然后，将设置在剥离片上的粘着剂层贴合于层叠体的基材侧，由此能够制造在粘着剂层的表面贴附有剥离片的粘着胶带。贴附于粘着剂层的表面的剥离片在使用粘着胶带前适当地剥离去除即可。
作为在剥离片上形成粘着剂层的方法，可以利用公知的涂布方法将粘着剂(粘着剂组合物)直接涂布在剥离片上并将涂布膜加热干燥而形成粘着剂层。
此外，也可以将粘着剂(粘着剂组合物)直接涂布于基材的单面来形成粘着剂层。作为粘着剂的涂布方法，可列举出在缓冲层的制造方法中示出的喷雾涂布法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
作为在剥离片上形成缓冲层的方法，能够通过利用公知的涂布方法将缓冲层形成用组合物直接涂布在剥离片上而形成涂布膜，对该涂布膜照射能量射线而形成缓冲层。此外，也可将缓冲层形成用组合物直接涂布于基材的单面，通过加热干燥或对涂布膜照射能量射线而形成缓冲层。
作为缓冲层形成用组合物的涂布方法，例如可列举出旋涂法、喷雾涂布法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。此外，为了使涂布性提升，还可在缓冲层形成用组合物中掺合有机溶剂，以溶液的形态涂布在剥离片上。
当缓冲层形成用组合物包含能量射线聚合性化合物时，优选通过对缓冲层形成用组合物的涂布膜照射能量射线而使其固化来形成缓冲层。关于缓冲层的固化，可进行一次固化处理，也可分成多次进行。例如，可以使剥离片上的涂布膜完全固化而形成缓冲层后贴合于基材，也可使该涂布膜不完全固化而形成半固化状态的缓冲层形成膜，将该缓冲层形成膜贴合于基材后，再次照射能量射线而使其完全固化来形成缓冲层。作为该固化处理中照射的能量射线，优选紫外线。另外，进行固化时，虽然可在缓冲层形成用组合物的涂布膜被暴露的状态下照射能量射线而进行固化，但是优选用剥离片、基材等覆盖涂布膜且在涂布膜未被暴露的状态下照射能量射线而进行固化。
当缓冲层为包含聚烯烃树脂膜的层时，可通过挤压层叠将缓冲层与基材贴合。具体而言，使用T型模具制膜机等将构成缓冲层的聚烯烃树脂熔融·混炼，边使基材以恒定速度移动边将熔融的聚烯烃树脂挤压层叠至基材的一面侧。此外，缓冲层也可通过热封等而直接层叠在基材上。进一步，还可使用干式层叠法等方法经由易粘合层而层叠。
另外，关于在基材的两面设置有缓冲层的粘着胶带的制造方法，例如使用上述方法得到由缓冲层、基材及缓冲层依次层叠而成的层叠体后，将粘着剂层形成在一侧的缓冲层侧即可。
○半导体装置的制造方法
本发明的粘着胶带优选贴附于半导体晶圆的表面并在进行晶圆的背面研磨时使用。本发明的粘着胶带更优选适宜地用于同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化的DBG。本发明的粘着胶带特别优选适宜地用于将半导体晶圆单颗化时可得到切口宽度较小的芯片组的LDBG。另外，
“芯片组”是指被保持在本发明的粘着胶带上的整齐排列成晶圆形状的多个半导体芯片。
作为粘着胶带的非限定的使用例，以下进一步具体地说明半导体装置的制造方法。
具体而言，半导体装置的制造方法至少具备以下的工序1～工序4。
工序1：将上述粘着胶带贴附于半导体晶圆的表面，沿着半导体晶圆的外周切断粘着胶带的工序；
工序2：从半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
工序3：从背面侧对在表面贴附有粘着胶带且已形成上述沟槽或改质区域的半导体晶圆进行研磨，以沟槽或改质区域为起点而将半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；
工序4：从已单颗化的半导体晶圆(即，多个半导体芯片)上剥离粘着胶带的工序。
以下，详细地说明上述半导体装置的制造方法的各工序。
(工序1)
在工序1中，将本发明的粘着胶带经由粘着剂层贴附于半导体晶圆表面，沿着半导体晶圆的外周将其切断。粘着胶带以覆盖半导体晶圆与扩及其外周的外周工作台的方式贴附。然后，沿着半导体晶圆的外周使用切刀等切断粘着胶带。切断速度通常为10～300mm/s。切断时的切刀刀片的温度可为室温，此外也可将切刀刀片加热再进行切断。
本工序可在后述工序2之前进行，也可在工序2之后进行。例如，当在半导体晶圆内形成改质区域时，优选在工序2之前进行工序1。另一方面，当通过切割等在半导体晶圆表面形成沟槽时，在工序2之后进行工序1。即，通过本工序1，将粘着胶带贴附于后述工序2中形成具有沟槽的晶圆的表面。
本制造方法中使用的半导体晶圆可为硅晶圆，此外也可为砷化镓、碳化硅、钽酸锂、铌酸锂、氮化镓、磷化铟等的晶圆或玻璃晶圆。半导体晶圆的研磨前的厚度没有特别限定，通常为500～1000μm左右。此外，半导体晶圆通常在其表面形成有电路。能够通过包含蚀刻法、剥离法(lift-off method)等以往通用的方法在内的各种方法将电路形成至晶圆表面。
(工序2)
在工序2中，从半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆的内部形成改质区域。
相较于半导体晶圆的厚度，本工序中形成的沟槽为深度较浅的沟槽。沟槽的形成可以使用以往公知的晶圆切割装置等通过切割来进行。此外，在后述工序3中，沿着沟槽而将半导体晶圆分割为多个半导体芯片。
此外，改质区域为半导体晶圆中经脆化的部分，且是成为半导体晶圆因下述原因破裂而被单颗化为半导体芯片的起点的区域：因研磨工序中的研磨而使得半导体晶圆变薄；或者被施加了由研磨造成的力。即，在工序2中，沿着在后述工序3中分割半导体晶圆而单颗化为半导体芯片时的分割线形成沟槽及改质区域。
改质区域的形成通过照射焦点聚焦于半导体晶圆内部的激光而进行，改质区域形成在半导体晶圆的内部。激光的照射可从半导体晶圆的表面侧进行，也可从背面侧进行。另外，在形成改质区域的方案中，在工序1之后进行工序2且从晶圆表面进行激光照射时，隔着粘着胶带对半导体晶圆照射激光。
贴附有粘着胶带且形成有沟槽或改质区域的半导体晶圆被载置在卡盘工作台上，且被吸附并保持在卡盘工作台上。此时，半导体晶圆的表面侧被配置并被吸附于工作台侧。
(工序3)
在工序1及工序2之后，研磨卡盘工作台上的半导体晶圆的背面，将半导体晶圆单颗化为多个半导体芯片。
此处，当在半导体晶圆形成有沟槽时，以将半导体晶圆至少薄化至到达沟槽底部的位置的方式进行背面研磨。通过该背面研磨，沟槽成为贯穿晶圆的切口，半导体晶圆通过切口而被分割，被单颗化为各个半导体芯片。
另一方面，当形成改质区域时，可以通过研磨而使研磨面(晶圆背面)到达改质区域，但也可不精确地到达改质区域。即，研磨至接近改质区域的位置，从而使半导体晶圆以改质区域为起点发生破裂而被单颗化为半导体芯片即可。例如，半导体芯片的实际的单颗化也可在贴附后述拾取胶带后通过拉伸拾取胶带来进行。
此外，背面研磨结束后，可在拾取芯片之前进行干式抛光。
经单颗化的半导体芯片的形状可为正方形，也可为矩形等细长形状。此外，经单颗化的半导体芯片的厚度没有特别限定，优选为5～100μm左右，更优选为10～45μm。通过利用激光在晶圆内部设置改质区域且利用晶圆背面研磨时的应力等进行晶圆的单颗化的LDBG，容易使经单颗化的半导体芯片的厚度为50μm以下，更优选使之为10～45μm。此外，经单颗化的半导体芯片的大小没有特别限定，芯片尺寸优选小于600mm2，更优选小于400mm2，进一步优选小于300mm2。
若使用本发明的粘着胶带，则即便是如此薄型和/或小型的半导体芯片，也可防止在进行以下的粘着胶带剥离时(工序4)在半导体芯片中产生裂纹。
(工序4)
将粘着胶带从经单颗化的半导体晶圆(即，整齐排列成晶圆形状的多个半导体芯片)上剥离。本工序例如通过以下的方法进行。
首先，当粘着胶带的粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，照射能量射线而使粘着剂层固化。接着，将拾取胶带贴附于经单颗化的半导体晶圆的背面侧，以可拾取的方式进行位置及方向对准。此时，将配置在晶圆的外周侧的环形框架(ring frame)也贴合于拾取胶带，且将拾取胶带的外周缘部固定于环形框架。可将晶圆及环形框架同时贴合于拾取胶带，也可在不同的时机贴合。接着，将粘着胶带从被保持在拾取胶带上的多个半导体芯片上剥离。
然后，拾取位于拾取胶带上的多个半导体芯片并固定在基板等上，制造半导体装置。
另外，拾取胶带没有特别限定，例如能够由具备基材与设置在基材的至少一面上的粘着剂层的粘着胶带构成。
此外，也可以使用粘合胶带来代替拾取胶带。粘合胶带可列举出膜状粘合剂与剥离片的层叠体、切割胶带与膜状粘合剂的层叠体、具有切割胶带与固晶胶带这两者的功能的由粘合剂层与剥离片构成的切割固晶胶带等。即，本实施方案也可包含将切割固晶胶带贴附于半导体晶圆的背面的工序。此外，还可以在贴附拾取胶带前，将膜状粘合剂贴合于已单颗化的半导体晶圆的背面侧。使用膜状粘合剂时，膜状粘合剂也可设为与晶圆相同的形状。
此处，当粘着胶带的粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，若照射能量射线，则粘着剂层的与晶圆密合的部分固化，该部分的粘着力会充分降低。然而，对于粘着胶带的未与晶圆密合而曝露于大气中的部分，通常粘着剂的固化会受大气中的氧阻碍，即使照射紫外线等能量射线仍不固化，粘着力不会充分降低。因此，如图3所示，当已通过背面研磨将半导体晶圆的厚度极度薄化到30μm左右时，若将切割固晶胶带等贴附于半导体晶圆的背面，则贴附于半导体晶圆的表面的粘着胶带的粘着剂层的未固化部分会接触并贴附于切割固晶胶带等的粘合剂层。并且，欲将贴附于切割固晶胶带等的粘着胶带剥离时，粘着胶带与切割固晶胶带一体化，切割固晶胶带也会随着粘着胶带的弯曲而弯曲，并且，夹在粘着胶带与切割固晶胶带之间的晶圆、芯片也同时弯曲。其结果，容易在芯片中产生裂纹。另外，切割固晶胶带等的粘合剂层会有因弯曲而破损、其碎片发生脱落的可能。
另一方面，通过本实施方案的粘着胶带，能够在剥离粘着胶带时防止在半导体芯片中产生裂纹。图5为在贴附有本实施方案的粘着胶带的背面研磨后的半导体晶圆20上进一步贴附有切割固晶胶带30的层叠体的示意图。图5示出了将切割固晶胶带30贴附于进行背面研磨而将厚度极度薄化到30μm左右的半导体晶圆20的情况。对于本实施方案的粘着胶带，粘着剂层即使处于曝露于大气气氛的状态，也能够通过能量射线的照射而使粘着力充分降低。因此，如图5所示，当通过背面研磨而将半导体晶圆的厚度极度薄化到30μm左右时，即使贴附于半导体晶圆的表面的粘着胶带的粘着剂层的一部分与切割固晶胶带等的粘合剂层接触，二者也不会贴附。因此，粘着胶带不与切割固晶胶带一体化而可以剥离。其结果，可以抑制芯片的裂纹。
当使用粘合胶带时或在贴附拾取胶带前将膜状粘合剂贴合于经单颗化的半导体晶圆的背面侧时，将位于粘合胶带、拾取胶带上的多个半导体芯片与分割成同半导体芯片相同形状的粘合剂层一同拾取。然后，半导体芯片经由粘合剂层而被固定化在基板等上，从而制造半导体装置。粘合剂层的分割通过激光、扩展来进行。
以上，对将本发明的粘着胶带使用于通过DBG或LDBG而将半导体晶圆单颗化的方法的实例进行了说明，但本发明的粘着胶带能够适合用于将半导体晶圆单颗化时可得到切口宽度较小且更薄的芯片组的LDBG。另外，本发明的粘着胶带能够使用于通常的背面研磨，此外，也能够在加工玻璃、陶瓷等时用以暂时保持被加工物。而且，还能够作为各种再剥离粘着胶带使用。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行进一步详细说明，但本发明不被这些实施例限制。
测定方法、评价方法如下。将结果示于表1。
[粘附能]
针对半导体加工用粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，装置名称“RAD 2000”)，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件从基材侧对粘着胶带照射紫外线。使用设置于原子力显微镜(Bruker Corporation制造，装置名称“Dimension Icon”)的氮化硅原材料的悬臂(BrukerCorporation制造，“SCANASYST-AIR”，标称前端半径：2nm、共振频率：70kHz、弹簧常量：0.4N/m)，在室温下以5nm的压入量、5Hz的扫描速度对粘着剂层的表面进行压入、分离。针对所得到的力曲线(横轴为试样变形量、纵轴为测定载荷)，进行与JKR理论公式的拟合，算出表面弹性模量。将在粘着剂层的表面5μm×5μm中测定4096个点所得的值的平均值作为粘附能(J/m2)。
[剥离评价]
使用背面研磨用胶带贴合机(LINTEC Corporation制造、装置名称“RAD-3510F/12”)，将粘着胶带贴附于直径为12英寸、厚度为775μm的硅晶圆，沿着硅晶圆的外周切断粘着胶带。对于硅晶圆，使用激光切割机(DISCO公司制造，装置名称“DFL7361”)，从硅晶圆的表面照射波长为1342nm的激光，以使芯片尺寸为5mm×5mm的方式在硅晶圆的内部形成改质区域。接着，使用研磨机(DISCO公司制造，装置名称“DGP8760”)，研磨硅晶圆的背面而使研磨后的厚度为30μm。此时，粘着胶带为覆盖研磨后的硅晶圆的外周的大小，使其成为比硅晶圆的外缘大1.0mm的大小。使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，装置名称“RAD2000”)，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件从基材侧、即硅晶圆的表面侧对粘着胶带照射紫外线。使用晶圆贴膜机(tape mounter)(LINTEC Corporation制造，装置名称“ADWILL RAD-2700”)，边将切割固晶胶带(LINTEC Corporation制造，LD01D-07)的粘合剂层面加热至60℃、边贴附于硅晶圆的背面。将粘着胶带剥离。观察此时的切割固晶胶带的粘合剂层的剥离程度，并以以下标准进行评价。
A：剥离面积小于70％。
B：剥离面积为70％以上且小于97％。
C：剥离面积为97％以上。
[表面自由能]
针对半导体加工用粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，装置名称“RAD 2000”)，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件从基材侧对粘着胶带照射紫外线。使用接触角测量仪(KyowaInterface Science Co.,Ltd.制造，装置名称“DM-70”)，使用二碘甲烷、1-溴萘及蒸馏水作为液滴，通过卧滴法，以JIS R 3257:1999为标准测定接触角(测定温度：25℃)，基于该接触角的值并通过Kitazaki-Hata法计算出表面自由能(mJ/m2)。
[表面弹性模量]
针对半导体加工用粘着胶带，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，装置名称“RAD 2000”)，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件从基材侧对粘着胶带照射紫外线。使用设置于原子力显微镜(Bruker Corporation制造，装置名称“Dimension Icon”)的氮化硅原材料的悬臂(BrukerCorporation制造，“SCANASYST-AIR”，标称前端半径：2nm、共振频率：70kHz、弹簧常量：0.4N/m)，在室温下以5nm的压入量、5Hz的扫描速度对粘着剂层的表面进行压入、分离。针对所得到的力曲线(横轴为试样变形量、纵轴为测定载荷)，进行与JKR理论公式的拟合，算出表面弹性模量。将在粘着剂层的表面5μm×5μm中测定4096个点所得的值的平均值作为表面弹性模量(MPa)。
[剥离强度]
针对由基材及粘着剂层构成的半导体加工用粘着胶带(宽度25mm)，在将粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，使用紫外线照射装置(LINTEC Corporation制造，装置名称“RAD 2000”)，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件从基材侧对粘着胶带照射紫外线。在23℃、50％RH下，将PMMA板(厚度为2mm、宽度为70mm、长度为150mm的MitsubishiChemical Corporation制造的“ACRYLITE L001”)以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后，在测定温度为25℃、剥离速度为300mm/分钟的条件下测定对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度。以相同条件测定两次，将其平均值示于表1。
以下实施例及比较例的质量份均为固体成分换算。
<实施例1>
(1)基材
作为基材，准备两面带易粘合层的PET膜(TOYOBO CO.,LTD.制造的COSMOSHINEA4300，厚度：50μm，23℃下的杨氏模量：2550MPa)。
(2)粘着剂层
(粘着剂组合物的制备)
使50质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、20质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，以加成于该丙烯酸类聚合物的所有羟基中的90摩尔％的羟基的方式使该丙烯酸类聚合物与2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)反应，得到能量射线固化性丙烯酸类树脂。
相对于该能量射线固化性丙烯酸类树脂的总量100质量份，掺合12质量份的作为能量射线固化性化合物的多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、1.1质量份的异氰酸酯类交联剂(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)、3.3质量份的作为光聚合引发剂的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(IGM Resins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRADTPO”)，使用甲基乙基酮进行稀释，制备固体成分浓度为32质量％的粘着剂组合物的涂布液。
(3)粘着胶带的制作
将上述得到的粘着剂组合物的涂布液涂布在剥离片(LINTEC Corporation制造，商品名称“SP-PET381031”)的剥离处理面，将其加热干燥，从而在剥离片上形成厚度为30μm的粘着剂层。将所形成的粘着剂层的表面与基材贴合而制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例2>
在粘着剂组合物的制备中，使50质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、20质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、15质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)及15质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例3>
在粘着剂组合物的制备中，使60质量份的丙烯酸乙酯(EA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGM Resins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例4>
在粘着剂组合物的制备中，使60质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGM Resins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例5>
在粘着剂组合物的制备中，使65质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、5质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGM Resins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制造半导体加工用粘着胶带。
<实施例6>
在粘着剂组合物的制备中，使60质量份的丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGM Resins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制造半导体加工用粘着胶带。
<实施例7>
在粘着剂组合物的制备中，使40质量份的丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、20质量份的丙烯酸乙酯(EA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)及30质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGMResins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例8>
在粘着剂组合物的制备中，使60质量份的丙烯酸乙酯(EA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、15质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)及15质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGMResins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例9>
在粘着剂组合物的制备中，使60质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、10质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、15质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)、及15质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，并使用2.4质量份的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGMResins B.V.公司制造，产品名称“OMNIRAD 651”)代替3.3质量份的双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦作为光聚合引发剂，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<实施例10>
在粘着剂组合物的制备中，使52质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、20质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、21质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)及7质量份的甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)共聚得到丙烯酸类聚合物，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
<比较例1>
在粘着剂组合物的制备中，使52质量份的丙烯酸正丁酯(BA)、20质量份的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、及28质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)共聚得到丙烯酸类聚合物，除此以外，用与实施例1相同的方式制作半导体加工用粘着胶带。
由以上的结果可知，根据本发明的半导体加工用粘着胶带，通过紫外线等能量射线的照射即使在大气中也会使粘着剂层的粘附能降低、并使粘着力充分降低。因此，通过使用本发明的粘着胶带，即使在通过背面研磨而将半导体晶圆的厚度极度薄化的情况下，仍可以抑制半导体芯片的裂纹的产生、提升半导体装置的生产率。
附图标记说明
10：粘着胶带；20：半导体晶圆；30：粘合胶带(切割固晶胶带)；100：本实施方案的粘着胶带；110：基材；120：粘着剂层。

Claims (5)

1.一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，
在将所述粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层包含丙烯酸类树脂，
相对于所述丙烯酸类树脂的总量100质量份，来自HEMA的聚合单元的含量为6质量份以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘着胶带，其中，在将所述粘着剂层的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的表面自由能小于36mJ/m2。
4.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
将权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附于半导体晶圆的表面，沿着该半导体晶圆的外周切断该粘着胶带的工序；
从所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；
从背面侧对在表面贴附有所述粘着胶带且已形成所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆进行研磨，以所述沟槽或所述改质区域为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及
从所述多个芯片上剥离所述粘着胶带的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其进一步包含将切割固晶胶带贴附于半导体晶圆的背面的工序。
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