JP2002121511A - 半導体ウエハ加工用粘着シート - Google Patents
半導体ウエハ加工用粘着シートInfo
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- JP2002121511A JP2002121511A JP2000319184A JP2000319184A JP2002121511A JP 2002121511 A JP2002121511 A JP 2002121511A JP 2000319184 A JP2000319184 A JP 2000319184A JP 2000319184 A JP2000319184 A JP 2000319184A JP 2002121511 A JP2002121511 A JP 2002121511A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ加工に際して、不純性が少な
くかつ耐チッピング特性に優れダイシングの際のチップ
飛びを防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供するこ
と。 【解決手段】 紫外線及び／又は電子線に対し透過性を
有するフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤からなる粘
着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着シートに
おいて、対シリコンウエハ鏡面に対しての放射線照射前
の粘着力が200〜2000gf/25mmかつ放射線照射後の粘着力
が10〜50gf/25mmでかつＪＩＳＺ０２３７保持力で規定
される凝集力が５mm以下である請求項１記載の半導体ウ
エハ加工用粘着シート。
くかつ耐チッピング特性に優れダイシングの際のチップ
飛びを防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供するこ
と。 【解決手段】 紫外線及び／又は電子線に対し透過性を
有するフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤からなる粘
着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着シートに
おいて、対シリコンウエハ鏡面に対しての放射線照射前
の粘着力が200〜2000gf/25mmかつ放射線照射後の粘着力
が10〜50gf/25mmでかつＪＩＳＺ０２３７保持力で規定
される凝集力が５mm以下である請求項１記載の半導体ウ
エハ加工用粘着シート。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明はシリコンやガリウ
ムヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用するウエ
ハ加工用の粘着シートに関するものである。
ムヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用するウエ
ハ加工用の粘着シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシン
グ、エキスパンティング等を行い、次いで該半導体ウエ
ハをピックアップすると同時にマウンティングする際に
用いる半導体ウエハ加工用シートとして、紫外線及び／
又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び／
又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布さ
れた粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び／又
は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応
をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハ（チップ）
をピックアップする方法が知られている。
グ、エキスパンティング等を行い、次いで該半導体ウエ
ハをピックアップすると同時にマウンティングする際に
用いる半導体ウエハ加工用シートとして、紫外線及び／
又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び／
又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布さ
れた粘着シートを用い、ダイシング後に紫外線及び／又
は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応
をさせ、粘着力を低下せしめて半導体ウエハ（チップ）
をピックアップする方法が知られている。
【０００３】近年、電子機器分野では部品が小型化・軽
量化しており、また、半導体ウエハ上への精密加工が可
能となり、ダイシングの際のウエハのカットサイズ#が
小さくなってきている。しかし、200gf/25mm以下の粘着
力のシートを用いた場合、小チップのダイシングの際、
粘着力が弱く、ウエハからチップが飛ぶという問題があ
った。特開昭62-59684号公報には、光照射前200〜1000g
f/20mmであり、光照射後は150gf/25mm以下となる接着フ
ィルムについての記載があるが、粘着特性の１つである
凝集力については検討がされていない。
量化しており、また、半導体ウエハ上への精密加工が可
能となり、ダイシングの際のウエハのカットサイズ#が
小さくなってきている。しかし、200gf/25mm以下の粘着
力のシートを用いた場合、小チップのダイシングの際、
粘着力が弱く、ウエハからチップが飛ぶという問題があ
った。特開昭62-59684号公報には、光照射前200〜1000g
f/20mmであり、光照射後は150gf/25mm以下となる接着フ
ィルムについての記載があるが、粘着特性の１つである
凝集力については検討がされていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピン
グ特性に優れ、小チップのダイシングの際のチップ飛び
を防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することに
ある。
体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピン
グ特性に優れ、小チップのダイシングの際のチップ飛び
を防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、紫外線及び／
又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上にベ
ース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始
剤及び架橋剤とからなる粘着剤層を塗布してなる半導体
ウエハ加工用粘着シートにおいて、対シリコンウエハ鏡
面に対しての放射線照射前の粘着力が200〜2000gf/25mm
かつ放射線照射後の粘着力が10〜50gf/25mmでかつＪＩ
Ｓ Ｚ ０２３７保持力で規定される凝集力が５mm以下
である半導体ウエハ加工用粘着シートである。
又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上にベ
ース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始
剤及び架橋剤とからなる粘着剤層を塗布してなる半導体
ウエハ加工用粘着シートにおいて、対シリコンウエハ鏡
面に対しての放射線照射前の粘着力が200〜2000gf/25mm
かつ放射線照射後の粘着力が10〜50gf/25mmでかつＪＩ
Ｓ Ｚ ０２３７保持力で規定される凝集力が５mm以下
である半導体ウエハ加工用粘着シートである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】ベース樹脂にアクリル酸ブチルとアクリル
酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得ら
れる重量平均分子量１００００００〜２００００００の
共重合体を用いることで、硬化前の粘着力をアップする
ことができ、ダイシングの際のチップの飛散をなくすこ
とができる。
酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得ら
れる重量平均分子量１００００００〜２００００００の
共重合体を用いることで、硬化前の粘着力をアップする
ことができ、ダイシングの際のチップの飛散をなくすこ
とができる。
【０００８】ベース樹脂にアクリル酸２−エチルヘキシ
ルとアクリル酸ブチル、酢酸ビニル、メタクリル酸２−
ヒドロキシエチルとを共重合して得られた重量平均分子
量２５００００〜３５００００の共重合体を用いること
で、硬化前の粘着剤層に十分な凝集力を付与することが
でき、エキスパンディング時にアルミリング等の専用治
具から粘着シートが剥離、脱落する恐れがなくなる。更
に硬化反応後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与するこ
とができ、ダイシング時にチッピングを抑えることがで
きる。
ルとアクリル酸ブチル、酢酸ビニル、メタクリル酸２−
ヒドロキシエチルとを共重合して得られた重量平均分子
量２５００００〜３５００００の共重合体を用いること
で、硬化前の粘着剤層に十分な凝集力を付与することが
でき、エキスパンディング時にアルミリング等の専用治
具から粘着シートが剥離、脱落する恐れがなくなる。更
に硬化反応後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与するこ
とができ、ダイシング時にチッピングを抑えることがで
きる。
【０００９】アクリル酸ブチルとアクリル酸２−エチル
ヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得られる重量平均
分子量１００００００〜２００００００の共重合体とア
クリル酸２−エチルヘキシルとアクリル酸ブチル、酢酸
ビニル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチルとを共重合
して得られた重量平均分子量２５００００〜３５０００
０の共重合体の重量比は０．５：９９．５〜４０：６０
の範囲であり、好ましく１：９９〜３０：７０の範囲で
ある。０．５未満になると放射線照射前の粘着力が不足
して、ダイシングの際にチップ飛びの原因となり、４０
を越えると粘着剤層の凝集力が不足し、チッピングの原
因になる。
ヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得られる重量平均
分子量１００００００〜２００００００の共重合体とア
クリル酸２−エチルヘキシルとアクリル酸ブチル、酢酸
ビニル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチルとを共重合
して得られた重量平均分子量２５００００〜３５０００
０の共重合体の重量比は０．５：９９．５〜４０：６０
の範囲であり、好ましく１：９９〜３０：７０の範囲で
ある。０．５未満になると放射線照射前の粘着力が不足
して、ダイシングの際にチップ飛びの原因となり、４０
を越えると粘着剤層の凝集力が不足し、チッピングの原
因になる。
【００１０】前記放射線重合性化合物混合物は、紫外線
及び／又は電子線による硬化反応前には半導体ウエハに
対して十分な粘着力を有し、硬化反応後には粘着力が低
下し半導体ウエハ（チップ）のピックアップを容易に行
うことができ、しかも高い凝集力を保つために５０００
以上、好ましくは８０００以上、更に好ましくは１００
００以上の分子量を持つ多官能ウレタンアクリレートと
１０００以下の分子量を持つ多官能アクリレートモノマ
ーまたは２種類以上のアクリレートモノマーとを混合す
る必要がある。
及び／又は電子線による硬化反応前には半導体ウエハに
対して十分な粘着力を有し、硬化反応後には粘着力が低
下し半導体ウエハ（チップ）のピックアップを容易に行
うことができ、しかも高い凝集力を保つために５０００
以上、好ましくは８０００以上、更に好ましくは１００
００以上の分子量を持つ多官能ウレタンアクリレートと
１０００以下の分子量を持つ多官能アクリレートモノマ
ーまたは２種類以上のアクリレートモノマーとを混合す
る必要がある。
【００１１】５０００以上の分子量を持つ多官能ウレタ
ンアクリレートを用いることで、硬化反応前の粘着剤層
に十分な凝集力を付与することができ、エキスパンディ
ング時にアルミリング等の専用治具から粘着シートが剥
離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯下に長時間
暴露しても粘着力を安定することができ、更に硬化反応
後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与することができ、
ダイシング時にチッピングを抑えることができる。分子
量が５０００以下であると粘度が低くなり、粘着剤層の
凝集力が不足し、官能基数が１であると硬化後の粘着剤
層の架橋密度が十分に上がらず、硬化後の粘着力の低下
が不十分となる。
ンアクリレートを用いることで、硬化反応前の粘着剤層
に十分な凝集力を付与することができ、エキスパンディ
ング時にアルミリング等の専用治具から粘着シートが剥
離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯下に長時間
暴露しても粘着力を安定することができ、更に硬化反応
後の粘着剤層にも十分な凝集力を付与することができ、
ダイシング時にチッピングを抑えることができる。分子
量が５０００以下であると粘度が低くなり、粘着剤層の
凝集力が不足し、官能基数が１であると硬化後の粘着剤
層の架橋密度が十分に上がらず、硬化後の粘着力の低下
が不十分となる。
【００１２】一方、５０００以上の分子量を持つ多官能
のウレタンアクリレートのみでは粘度が高く取扱が困難
で、硬化後の粘着力の低下が十分でなくチップのピック
アップが困難になる。これを調整するために１０００以
下の分子量を持つ多官能のアクリレートモノマーを併用
すると粘着物性のバランスが好適になる。多官能のアク
リレートモノマーを使用するのは硬化後の粘着剤層の架
橋密度を上げ、粘着力を十分に低下させるためのであ
り、これらの組み合わせ以外では硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になる等とい
う問題が発生する。
のウレタンアクリレートのみでは粘度が高く取扱が困難
で、硬化後の粘着力の低下が十分でなくチップのピック
アップが困難になる。これを調整するために１０００以
下の分子量を持つ多官能のアクリレートモノマーを併用
すると粘着物性のバランスが好適になる。多官能のアク
リレートモノマーを使用するのは硬化後の粘着剤層の架
橋密度を上げ、粘着力を十分に低下させるためのであ
り、これらの組み合わせ以外では硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になる等とい
う問題が発生する。
【００１３】本発明において用いる放射線重合性化合物
中の多官能のウレタンアクリレートとしては、ジイソシ
アネート、ポリオール及びヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートとにより合成される化合物であり、好ましくは２個
のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートであ
る。前記のイソシアネートとしては、例えばトルエンジ
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイ
ソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げる
ことができる。前記のポリオールとしては、例えばエチ
レングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオー
ル、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記の
ヒドロキシ（メタ）アクリレートとしては、例えば、２
−ヒドルキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドル
キシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることがで
きる。
中の多官能のウレタンアクリレートとしては、ジイソシ
アネート、ポリオール及びヒドロキシ（メタ）アクリレ
ートとにより合成される化合物であり、好ましくは２個
のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートであ
る。前記のイソシアネートとしては、例えばトルエンジ
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイ
ソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げる
ことができる。前記のポリオールとしては、例えばエチ
レングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオー
ル、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記の
ヒドロキシ（メタ）アクリレートとしては、例えば、２
−ヒドルキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドル
キシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることがで
きる。
【００１４】また放射線重合性化合物中の多官能アクリ
レートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を
挙げることができる。放射線重合性化合物の多官能のウ
レタンアクリレートと多官能のアクリレートモノマーの
重量比は１０：９０〜９０：１０の範囲であり、好まし
く２０：８０〜８０：２０の範囲である。多官能ウレタ
ンアクリレートの重量比が１０未満になると粘着剤層の
凝集力が不足し、９０を越えると硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になるという
問題が生じる。
レートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を
挙げることができる。放射線重合性化合物の多官能のウ
レタンアクリレートと多官能のアクリレートモノマーの
重量比は１０：９０〜９０：１０の範囲であり、好まし
く２０：８０〜８０：２０の範囲である。多官能ウレタ
ンアクリレートの重量比が１０未満になると粘着剤層の
凝集力が不足し、９０を越えると硬化後の粘着力の低下
が十分でなくチップのピックアップが困難になるという
問題が生じる。
【００１５】本発明に用いる放射線重合性重合開始剤と
しては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベ
ンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジ
ルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノ
サルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジ
ル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙
げられる。
しては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベ
ンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジ
ルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノ
サルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジ
ル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙
げられる。
【００１６】本発明に用いる架橋剤としては、具体的に
は多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およ
びポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシア
ネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られ
る末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシ
アネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム
類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物
が挙げられる。
は多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およ
びポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシア
ネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られ
る末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシ
アネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム
類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物
が挙げられる。
【００１７】多価イソシアネートの具体例としては、例
えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジ
イソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,
4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4'-
ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4'-ジイソシア
ネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4'-ジイソシアネ
ート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4'-ジイソシアネー
ト、リジンイソシアネートなどがあげられる。
えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジ
イソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,
4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4'-
ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4'-ジイソシア
ネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシ
アネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4'-ジイソシアネ
ート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4'-ジイソシアネー
ト、リジンイソシアネートなどがあげられる。
【００１８】架橋剤の混合割合は、ベース樹脂１００重
量部に対して、２〜１２重量部、好ましくは２．５〜７
重量部である。２重量部より少ないと、粘着剤層の凝集
力が不足し、チッピング性が悪くなる。また、１２重量
部を超える量で用いられると、放射線照射前の粘着力が
不足し、チップ飛びの原因となり、好ましくない。
量部に対して、２〜１２重量部、好ましくは２．５〜７
重量部である。２重量部より少ないと、粘着剤層の凝集
力が不足し、チッピング性が悪くなる。また、１２重量
部を超える量で用いられると、放射線照射前の粘着力が
不足し、チップ飛びの原因となり、好ましくない。
【００１９】放射線重合性化合物、放射線重合性重合開
始剤の混合割合は、ベース樹脂１００重量部に対して、
放射線重合性化合物が３０〜９０重量部、放射線重合性
重合開始剤０．０５〜２０重量部の混合割合である。放
射線重合性化合物の割合が３０重量部未満であると硬化
後の粘着力の低下が十分でなくチップのピックアップが
困難になり、９０重量部を越えると粘着剤層の凝集力が
不足し好ましくない。放射線重合性重合開始剤の割合が
０．０５重量部未満であると紫外線及び／又は電子線照
射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり
粘着力の低下が不十分となりピックアップ時にチップが
取れなくなるので好ましくなく、２０重量部を越えると
硬化時に架橋反応が短鎖で終点を迎え、分子量の小さな
ものが残り、パーティクルの原因になることや硬化の粘
着力が低すぎるために、チップのピックアップの際にチ
ップがシートから外れるので好ましくない。
始剤の混合割合は、ベース樹脂１００重量部に対して、
放射線重合性化合物が３０〜９０重量部、放射線重合性
重合開始剤０．０５〜２０重量部の混合割合である。放
射線重合性化合物の割合が３０重量部未満であると硬化
後の粘着力の低下が十分でなくチップのピックアップが
困難になり、９０重量部を越えると粘着剤層の凝集力が
不足し好ましくない。放射線重合性重合開始剤の割合が
０．０５重量部未満であると紫外線及び／又は電子線照
射における放射線重合性化合物の硬化反応が乏しくなり
粘着力の低下が不十分となりピックアップ時にチップが
取れなくなるので好ましくなく、２０重量部を越えると
硬化時に架橋反応が短鎖で終点を迎え、分子量の小さな
ものが残り、パーティクルの原因になることや硬化の粘
着力が低すぎるために、チップのピックアップの際にチ
ップがシートから外れるので好ましくない。
【００２０】また本発明の粘着剤には、凝集力を高める
ためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェ
ノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族
系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付
与剤等を添加しても構わない。
ためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェ
ノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族
系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付
与剤等を添加しても構わない。
【００２１】さらに上記の粘着剤層中に帯電防止剤を添
加することもできる。帯電防止剤を添加することによ
り、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する
静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する。
帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン
性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面
活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモン
ドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの
粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤層中に０〜３
０重量部、特には０〜２０重量部の範囲で用いられるこ
とが好ましい。
加することもできる。帯電防止剤を添加することによ
り、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する
静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する。
帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン
性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面
活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモン
ドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの
粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤層中に０〜３
０重量部、特には０〜２０重量部の範囲で用いられるこ
とが好ましい。
【００２２】本発明に用いるフィルム基材は、紫外線及
び／又は電子線に対し透過性を有するものである。この
例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ
ン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチ
レン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)ア
クリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステ
ル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポ
リカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂からなる透明
フィルムが用いられる。さらに透明であればこれらの樹
脂の混合物からなるフィルムあるいはこれらの樹脂の積
層フィルムでもあってもよい。
び／又は電子線に対し透過性を有するものである。この
例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ
ン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチ
レン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)ア
クリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステ
ル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポ
リカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂からなる透明
フィルムが用いられる。さらに透明であればこれらの樹
脂の混合物からなるフィルムあるいはこれらの樹脂の積
層フィルムでもあってもよい。
【００２３】本発明において、前記粘着剤層の厚さは特
に限定されるものではないが、５〜３５μｍ程度である
のが好ましい。本発明において、前記粘着剤層を前記基
材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着紙とを製造する
には、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当
な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビア
コーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に
公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により
基材上に塗工し、例えば８０〜１００℃、３０秒〜１０
分程度加熱処理等により乾燥させることにより得ること
ができる。
に限定されるものではないが、５〜３５μｍ程度である
のが好ましい。本発明において、前記粘着剤層を前記基
材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着紙とを製造する
には、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当
な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビア
コーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に
公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により
基材上に塗工し、例えば８０〜１００℃、３０秒〜１０
分程度加熱処理等により乾燥させることにより得ること
ができる。
【００２４】本発明の半導体ウエハ加工用粘着シートを
使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半
導体ウエハ加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付け
て固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを素子小片（以
下チップという）に切断する。その後、前記加工用粘着
シートの基材側から紫外線及び／又は電子線を照射し、
次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シート放
射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップを
ニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エア
ピンセット等で吸着する方法等によりピックアップする
と同時にマウンティングすればよい。
使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半
導体ウエハ加工用粘着シートを半導体ウエハに貼り付け
て固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを素子小片（以
下チップという）に切断する。その後、前記加工用粘着
シートの基材側から紫外線及び／又は電子線を照射し、
次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シート放
射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップを
ニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エア
ピンセット等で吸着する方法等によりピックアップする
と同時にマウンティングすればよい。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により、更
に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するもので
はない。 《実施例１》アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸
２−エチルヘキシル２５重量部と酢酸ビニル５重量部と
を共重合して得られた重量平均分子量１５０００００の
共重合体(A)１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシ
ル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニ
ル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重
量部とを共重合して得られた重量平均分子量３００００
０の共重合体(B)９０重量部に対し、放射線重合性化合
物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレ
ート(C)と分子量が５００の５官能アクリレートモノマ
ー(D)が、それぞれ３０重量部、３０重量部、放射線重
合性重合開始剤(E)として２，２−ジメトキシ−２−フ
ェニルアセトフェノンをベース樹脂１００重量部に対し
て５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤(F)をベース
樹脂１００重量部に対して、６重量部を配合した粘着剤
層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリ
エステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるよう
に塗工し、８０℃５分間乾燥した。その後、基材として
厚さ１００μｍのポリエチレンシート(タマポリ、SE-62
0N)をラミネートし、半導体加工用粘着シートを作製し
た。
に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するもので
はない。 《実施例１》アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸
２−エチルヘキシル２５重量部と酢酸ビニル５重量部と
を共重合して得られた重量平均分子量１５０００００の
共重合体(A)１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシ
ル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニ
ル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重
量部とを共重合して得られた重量平均分子量３００００
０の共重合体(B)９０重量部に対し、放射線重合性化合
物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレ
ート(C)と分子量が５００の５官能アクリレートモノマ
ー(D)が、それぞれ３０重量部、３０重量部、放射線重
合性重合開始剤(E)として２，２−ジメトキシ−２−フ
ェニルアセトフェノンをベース樹脂１００重量部に対し
て５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤(F)をベース
樹脂１００重量部に対して、６重量部を配合した粘着剤
層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリ
エステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるよう
に塗工し、８０℃５分間乾燥した。その後、基材として
厚さ１００μｍのポリエチレンシート(タマポリ、SE-62
0N)をラミネートし、半導体加工用粘着シートを作製し
た。
【００２６】《実施例２》Eを１重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例３》 Eを15重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例４》 Fを４重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例５》 Fを１０重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例６》 Cを２０、 Dを２０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例７》 Cを４０、 Dを４０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例８》 Cを４５、 Dを１５重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例９》 Cを１５、 Dを４５重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例10》 Aを５、 Bを９５重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例11》 Aを３０、 Bを７０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例３》 Eを15重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例４》 Fを４重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例５》 Fを１０重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例６》 Cを２０、 Dを２０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例７》 Cを４０、 Dを４０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例８》 Cを４５、 Dを１５重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例９》 Cを１５、 Dを４５重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例10》 Aを５、 Bを９５重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《実施例11》 Aを３０、 Bを７０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
【００２７】《比較例１》 Eを0.02重量部に変えた以外
は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価し
た。 《比較例２》 Eを２５重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例３》 Fを１重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例４》 Fを１５重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例５》 Cを１０、 Dを１０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例６》 Cを５０、 Dを５０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例７》 Cを５７、 Dを３重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例８》 Cを３、 Dを５７重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例９》Aを０．３、 Bを９９．７重量部に変えた
以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価
した。 《比較例10》 Aを５０、 Bを５０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価し
た。 《比較例２》 Eを２５重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例３》 Fを１重量部に変えた以外は実施例１と同
様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例４》 Fを１５重量部に変えた以外は実施例１と
同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例５》 Cを１０、 Dを１０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例６》 Cを５０、 Dを５０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例７》 Cを５７、 Dを３重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例８》 Cを３、 Dを５７重量部に変えた以外は実
施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。 《比較例９》Aを０．３、 Bを９９．７重量部に変えた
以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価
した。 《比較例10》 Aを５０、 Bを５０重量部に変えた以外は
実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】尚、実施例及び比較例の評価は、以下の評
価方法を用いた。 （１）放射線照射前粘着力 実施例あるいは比較例において得られた塗工後７日後の
粘着フィルムを２３℃、６５％RHの雰囲気下で、シリコ
ンウエハ鏡面に２ｋｇゴムローラーを往復させることに
より貼り付け、20分放置した後、万能型引っ張り試験機
(TENSILON)を用いて剥離強度300mm/minで180゜剥離粘着
力を測定した。 ＪＩＳＺ０２３７準拠。
価方法を用いた。 （１）放射線照射前粘着力 実施例あるいは比較例において得られた塗工後７日後の
粘着フィルムを２３℃、６５％RHの雰囲気下で、シリコ
ンウエハ鏡面に２ｋｇゴムローラーを往復させることに
より貼り付け、20分放置した後、万能型引っ張り試験機
(TENSILON)を用いて剥離強度300mm/minで180゜剥離粘着
力を測定した。 ＪＩＳＺ０２３７準拠。
【００３３】（２）放射線照射後粘着力 （１）と同様の条件で貼り付け、放置後、基材フィルム
側から高圧水銀灯で85mW/cm2ライン速度5m/minで紫外線
照射した後、同様に１８０゜剥離粘着力を測定した。 （３）凝集力 ２３℃、１時間保持でズレを測定する。ＪＩＳＺ０２３
７準拠
側から高圧水銀灯で85mW/cm2ライン速度5m/minで紫外線
照射した後、同様に１８０゜剥離粘着力を測定した。 （３）凝集力 ２３℃、１時間保持でズレを測定する。ＪＩＳＺ０２３
７準拠
【００３４】（４）チップ飛び 半導体ウエハを、粘着シートに保持固定し、ダイシング
ソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数３
０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／
ｍｉｎ．で、５mm□のチップサイズにカット後、粘着シ
ートより剥離したチップの総数をカウントし、評価し
た。 評価基準 ○：５個以下 △：５〜１０個 ×：１０個以上
ソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピンドル回転数３
０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／
ｍｉｎ．で、５mm□のチップサイズにカット後、粘着シ
ートより剥離したチップの総数をカウントし、評価し
た。 評価基準 ○：５個以下 △：５〜１０個 ×：１０個以上
【００３５】（５）チッピング特性 ５インチサイズの半導体ウエハを、粘着シートに保持固
定し、ダイシングソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピ
ンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピー
ド１２０ｍｍ／ｍｉｎ．でチップサイズにカット後、チ
ップを粘着シートより剥離しその裏面の欠けの状態を実
体顕微鏡で観察することにより評価した。 評価基準 ○：チップの欠けの幅が最大で30mm以下のもの △：チップの欠けの幅が最大で30〜50mmのもの ×：チップの欠けの幅が最大で50mm以上のもの
定し、ダイシングソー(DISCO製 DAD-2H6M)を用いてスピ
ンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピー
ド１２０ｍｍ／ｍｉｎ．でチップサイズにカット後、チ
ップを粘着シートより剥離しその裏面の欠けの状態を実
体顕微鏡で観察することにより評価した。 評価基準 ○：チップの欠けの幅が最大で30mm以下のもの △：チップの欠けの幅が最大で30〜50mmのもの ×：チップの欠けの幅が最大で50mm以上のもの
【００３６】（６）パーティクル測定 ５インチサイズの半導体ウエハを、粘着シートに保持固
定し、放射線を照射し、ウエハを粘着シートより剥離し
その裏面に付着している粒子を実体顕微鏡で観察するこ
とにより評価した。 評価基準 ○：３個以下 △：３〜１０個 ×：１０個以上
定し、放射線を照射し、ウエハを粘着シートより剥離し
その裏面に付着している粒子を実体顕微鏡で観察するこ
とにより評価した。 評価基準 ○：３個以下 △：３〜１０個 ×：１０個以上
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハ加工に際
して優れたエキパンド性を示し、かつ耐チッピング特性
に優れた半導体ウエハ加工用粘着シートが得られる。
して優れたエキパンド性を示し、かつ耐チッピング特性
に優れた半導体ウエハ加工用粘着シートが得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｐ Ｙ Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA02 AA09 AA10 AA14 AA17 AB01 AB06 AB07 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 FA05 GA01 GA02 4J040 DE021 DF041 DF061 EF181 EF291 EF301 EF321 EF331 FA141 FA291 GA05 HB19 HB20 HB21 HC18 HD05 HD10 JA09 JB08 JB09 KA13 KA16 LA01 LA06 MA02 NA20
Claims (4)
- 【請求項１】 紫外線及び／又は電子線に対し透過性を
有するフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化
合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤からなる粘
着剤層を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着シートに
おいて、対シリコンウエハ鏡面に対しての放射線照射前
の粘着力が２００〜２０００gf/２５mmかつ放射線照射
後の粘着力が１０〜５０gf/２５mmでかつＪＩＳＺ０２
３７保持力で規定される凝集力が５mm以下である半導体
ウエハ加工用粘着シート。 - 【請求項２】 ベース樹脂１００重量部に対して、放射
線重合性化合物が３０〜９０重量部、放射線重合性重合
開始剤が０．０５〜２０重量部で架橋剤が２〜１２重量
部である請求項１記載の半導体ウエハ加工用粘着シー
ト。 - 【請求項３】 ベース樹脂が、アクリル酸ブチルとアク
リル酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して
得られる重量平均分子量１００００００〜２０００００
０の共重合体０．５〜４０重量％と、アクリル酸２−エ
チルヘキシルとアクリル酸ブチル、酢酸ビニル、メタク
リル酸２−ヒドロキシエチルとを共重合して得られた重
量平均分子量２５００００〜３５００００の共重合体９
９．５〜６０重量％とからなる請求項１または２記載の
半導体ウエハ加工用粘着シート。 - 【請求項４】 放射線重合性化合物が、１０００以下の
分子量を持つ多官能のアクリレートモノマー１０重量％
〜９０重量％と、５０００以上の分子量を持つ多官能の
ウレタンアクリレート９０重量％〜１０重量％との混合
物からなることを特徴とする請求項１、２または３記載
の半導体ウエハ加工用粘着シート。
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| JP2000319184A JP4608759B2 (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
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| JP2006328160A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Emulsion Technology Co Ltd | 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法 |
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-
2000
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| JP4608759B2 (ja) | 2011-01-12 |
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