JP2002338936A - 半導体ウエハ加工用粘着シート - Google Patents

半導体ウエハ加工用粘着シート

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JP2002338936A JP2001149878A JP2001149878A JP2002338936A JP 2002338936 A JP2002338936 A JP 2002338936A JP 2001149878 A JP2001149878 A JP 2001149878A JP 2001149878 A JP2001149878 A JP 2001149878A JP 2002338936 A JP2002338936 A JP 2002338936A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空下で行われるウエハの加工時において
も、粘着シートからの揮発成分がなく、揮発したガス成
分によるウエハの変形およびこれに起因する糊残りを防
止できる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること
を目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、半導体ウエハを真空下で加工する際にウエハの
固定に用いられる粘着シートであって、基材および、そ
の片面または両面に形成された、側鎖に紫外線重合性基
を有する紫外線硬化型共重合体とリン系光重合開始剤と
からなる紫外線硬化型粘着剤組成物層からなることを特
徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ加工
用粘着シートに関し、特に真空中で行われるウエハ加工
に好適に用いられる半導体ウエハ加工用粘着シートに関
する。
【0002】
【従来の技術】表面に回路が形成された半導体ウエハ
は、ついで裏面の酸化物層を除去したり、あるいは厚み
を薄く均一にする目的で、裏面研削が施される。特に近
年は、チップの薄型化の要求により、ウエハは、100μ
m以下の厚さにまで研削されることがある。この際、ウ
エハの表面には、回路面を保護したり、あるいはウエハ
を固定する目的で、粘着シートが貼着されている。
【0003】このようにウエハの厚みが薄くなると、砥
石、グラインダー等を用いた機械研削によるウエハ裏面
表層の破砕層に起因して、ウエハの抗折強度を低下させ
ている。このため、ウエハ裏面表層の破砕層をドライエ
ッチングにより除去することが検討されている。このよ
うなドライエッチングは、一般に、10-3〜10-4torrの真
空中で行われる。しかし、このような真空中では、従来
の紫外線硬化型粘着シートを用いてウエハを固定する
と、粘着剤層から揮発性成分が発生し、極薄化されたウ
エハと粘着シートとの間に揮発化したガスが溜まり、内
外の圧力差によりウエハが変形することがあった。ま
た、このようにウエハが変形すると、粘着シートを剥離
後にも、ウエハの変形箇所(凹部分)に粘着剤が残着
し、ウエハを汚損することがあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、真空下で行
われるウエハの加工時においても、粘着シートからの揮
発成分がなく、ウエハの変形および糊残りを防止できる
半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを目的と
している。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハ加工用粘着シートは、半導体ウエハを真空下で加工す
る際にウエハの固定に用いられる粘着シートであって、
基材および、その片面または両面に形成された、側鎖に
紫外線重合性基を有する紫外線硬化型共重合体とリン系
光重合開始剤とからなる紫外線硬化型粘着剤組成物層か
らなることを特徴としている。
【0006】本発明においては、前記リン系光重合開始
剤が、アシルホスフィンオキサイド系化合物であること
が好ましく、さらには分子内にCO−PO結合を有する
化合物であることが好ましく、特に下記式にて示される
化合物であることが好ましい。
【0007】
【化2】
【0008】(式中、R1は、置換基を有していてもよ
い芳香族基であり、R2、R3はそれぞれ独立に、置換基
を有していてもよいフェニル基、アルキル基、アルコキ
シ基または芳香族アシル基である。) 本発明においては、紫外線硬化型粘着剤組成物層が、紫
外線硬化型共重合体100重量部に対して、リン系光重
合開始剤を0.005〜20重量部含有することが好ま
しい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに具体
的に説明する。本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シ
ートは、半導体ウエハを真空下で加工する際にウエハの
固定に用いられる粘着シートであって、基材および、そ
の片面または両面に形成された、側鎖に紫外線重合性基
を有する紫外線硬化型共重合体(A)とリン系光重合開
始剤(B)とからなる紫外線硬化型粘着剤組成物層から
なる。
【0010】紫外線硬化型共重合体(A)は、粘着性と
紫外線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖に紫外
線重合性基を有する紫外線硬化型共重合体は、たとえ
ば、特開平5−32946号公報、特開平8−2723
9号公報等にその詳細が記載されている。より具体的に
は、紫外線硬化型共重合体(A)は、官能基含有モノマ
ー単位を有するアクリル系共重合体(a1)と、該官能
基に反応する置換基を有する不飽和基含有化合物(a
2)とを反応させて得られる。
【0011】官能基含有モノマーは、重合性の二重結合
と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換
アミノ基、エポキシ基等の官能基を分子内に有するモノ
マーであり、好ましくはヒドロキシル基含有不飽和化合
物、カルボキシル基含有不飽和化合物が用いられる。こ
のような官能基含有モノマーのさらに具体的な例として
は、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエ
チルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート等のヒドロキ
シル基含有アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、
イタコン酸等のカルボキシル基含有化合物があげられ
る。
【0012】上記の官能基含有モノマーは、1種単独
で、または2種以上を組み合わせて用いてもよい。アク
リル系共重合体(a1)は、上記官能基含有モノマーか
ら導かれる構成単位と、(メタ)アクリル酸エステルモ
ノマーあるいはその誘導体から導かれる構成単位とから
なる。(メタ)アクリル酸エステルモノマーとしては、
(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)
アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が1
〜18である(メタ)アクリル酸アルキルエステルが用
いられる。これらの中でも、特に好ましくはアルキル基
の炭素数が1〜18である(メタ)アクリル酸アルキル
エステル、たとえばアクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリ
ル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸ブチル等が用いられる。
【0013】アクリル系共重合体(a1)は、上記官能
基含有モノマーから導かれる構成単位を通常3〜100
重量%、好ましくは5〜40重量%、特に好ましくは1
0〜30重量%の割合で含有し、(メタ)アクリル酸エ
ステルモノマーあるいはその誘導体から導かれる構成単
位を通常0〜97重量%、好ましくは60〜95重量
%、特に好ましくは70〜90重量%の割合で含有して
なる。
【0014】アクリル系共重合体(a1)は、上記のよ
うな官能基含有モノマーと、(メタ)アクリル酸エステ
ルモノマーあるいはその誘導体とを常法にて共重合する
ことにより得られるが、これらモノマーの他にも少量
(たとえば10重量%以下、好ましくは5重量%以下)
の割合で、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重
合されていてもよい。
【0015】上記官能基含有モノマー単位を有するアク
リル系共重合体(a1)を、該官能基に反応する置換基
を有する不飽和基含有化合物(a2)と反応させること
により紫外線硬化型共重合体(A)が得られる。不飽和
基含有化合物(a2)には、アクリル系共重合体(a
1)中の官能基と反応しうる置換基が含まれている。こ
の置換基は、前記官能基の種類により様々である。たと
えば、官能基がヒドロキシル基またはカルボキシル基の
場合、置換基としてはイソシアナート基、エポキシ基等
が好ましく、官能基がアミノ基または置換アミノ基の場
合、置換基としてはイソシアナート基等が好ましく、官
能基がエポキシ基の場合、置換基としてはカルボキシル
基が好ましい。このような置換基は、不飽和基含有化合
物(a2)1分子毎に一つずつ含まれている。
【0016】また不飽和基含有化合物(a2)には、紫
外線重合性炭素−炭素二重結合が、1分子毎に1〜5
個、好ましくは1〜2個含まれている。このような不飽
和基含有化合物(a2)の具体例としては、たとえばメ
タクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタ−イソ
プロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアナー
ト、メタクリロイルイソシアナート、アリルイソシアナ
ート;ジイソシアナート化合物またはポリイソシアナー
ト化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと
の反応により得られるアクリロイルモノイソシアナート
化合物;ジイソシアナート化合物またはポリイソシアナ
ート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレートとの反応により得られるアクリロ
イルモノイソシアナート化合物;グリシジル(メタ)ア
クリレート;(メタ)アクリル酸等が挙げられる。
【0017】不飽和基含有化合物(a2)は、上記アク
リル系共重合体(a1)の官能基含有モノマー100当
量当たり、通常20〜100当量、好ましくは40〜9
5当量、特に好ましくは60〜90当量の割合で用いら
れる。アクリル系共重合体(a1)と不飽和基含有化合
物(a2)との反応は、通常は、室温程度の温度で、常
圧にて、24時間程度行なわれる。この反応は、例えば
酢酸エチル等の溶液中で、ジブチル錫ラウレート等の触
媒を用いて行なうことが好ましい。
【0018】この結果、アクリル系共重合体(a1)中
の側鎖に存在する官能基と、不飽和基含有化合物(a
2)中の置換基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重
合体(a1)中の側鎖に導入され、紫外線硬化型共重合
体(A)が得られる。この反応における官能基と置換基
との反応率は、通常70%以上、好ましくは80%以上
であり、未反応の官能基が紫外線硬化型共重合体(A)
中に残留していてもよい。
【0019】紫外線硬化型共重合体(A)の分子量は、
100,000以上であり、好ましくは150,000
〜1,500,000であり、特に好ましくは200,
000〜1,000,000である。また共重合体
(A)のガラス転移温度は、通常20℃以下、好ましく
は−70〜0℃程度になり、常温(23℃)においては
粘着性を有する。さらに、紫外線硬化型共重合体(A)
中には、100g当たり、通常1×1022〜1×1024
個、好ましくは2×1022〜5×1023個、特に好まし
くは5×1022〜2×1023個の紫外線重合性不飽和基
が含有されている。
【0020】このような紫外線硬化型共重合体(A)中
には、紫外線重合性不飽和基が含まれているので、紫外
線照射により、重合硬化し、粘着性を失う。本発明で用
いる紫外線硬化型粘着剤組成物は、上記のような公知の
紫外線硬化型共重合体(A)に、リン系光重合開始剤
(B)を配合してなる。リン系光重合開始剤(B)は、
分子内にリンを含有する化合物であり、紫外線に暴露さ
れると、重合開始能を有するラジカルを発生する。この
ようなリン系光重合開始剤(B)としては、アシルホス
フィンオキサイド系化合物が好ましく、さらには分子内
にCO−PO結合を有する化合物が好ましい。また、リ
ン系光重合開始剤(B)の分子量は、好ましくは100
〜2000、特に好ましくは200〜1000である。
【0021】このようなリン系光重合開始剤(B)とし
ては、特に下記式にて示される化合物が好ましく用いら
れる。
【0022】
【化3】
【0023】上式中、R1は、置換基を有していてもよ
い芳香族基であり、好ましくはジメチルフェニル、トリ
メチルフェニル、トリメトキシフェニル、ジメトキシフ
ェニル、フェニル等をあげられる。また、R2、R3はそ
れぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、
アルキル基、アルコキシ基または芳香族アシル基であ
る。
【0024】置換基を有していてもよいフェニル基とし
ては、好ましくはジメチルフェニル、トリメチルフェニ
ル、トリメトキシフェニル、ジメトキシフェニル、フェ
ニル等があげられ、特に好ましくはフェニル基があげら
れる。また、置換基を有していてもよいアルキル基とし
ては、好ましくは2-メチルプロピル、2,4,4-トリメチル
ペンチル等があげられ、特に好ましくは2,4,4-トリメチ
ルペンチル基があげられる。
【0025】置換基を有していてもよいアルコキシ基と
しては、エトキシ基が特に好ましい。さらに、置換基を
有していてもよい芳香族アシル基としては、好ましくは
1CO−基(R1は前記と同じ)があげられる。したが
って、本発明において特に好ましいリン系光重合開始剤
としては、 ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルホスフィ
ンオキサイド
【0026】
【化4】
【0027】2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホ
スフィンオキサイド
【0028】
【化5】
【0029】ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-
トリメチル-ペンチルホスフィンオキサイド
【0030】
【化6】
【0031】等をあげることができる。これらのリン系
光重合開始剤(B)は、1種単独で用いてもよく、また
2種以上を併用して用いてもよい。本発明において用い
る紫外線硬化型粘着剤組成物において、上記リン系光重
合開始剤(B)は、紫外線硬化型共重合体(A)100
重量部に対して、リン系光重合開始剤を好ましくは0.
005〜20重量部、さらに好ましくは0.01〜10
重量部、特に好ましくは0.05〜1重量部含有してな
る。
【0032】このような紫外線硬化型粘着剤組成物は、
揮発性の低分子量化合物をほとんど含有していないの
で、高真空下においても、粘着剤中の成分が蒸発・昇華
することはない。したがって、かかる組成物層に極薄の
ウエハが貼付されていても、ウエハを変形することなく
保持できる。上記のような紫外線硬化型粘着剤組成物
は、紫外線照射前には被着体に対して充分な接着力を有
し、紫外線照射後には接着力が著しく減少する。すなわ
ち、紫外線照射前には、粘着シートとウエハとを充分な
接着力で密着させウエハを保持固定し、紫外線照射後に
は、加工されたウエハから容易に剥離することができ
る。
【0033】前記紫外線硬化型粘着剤組成物の弾性率を
高めるため、さらに充分な凝集力を得るために架橋剤を
添加することもできる。架橋剤は紫外線硬化型粘着剤組
成物を3次元架橋化し充分な弾性率、凝集力を与える。
架橋剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポ
キシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等
の公知の物が使用できる。多価イソシアナート化合物と
しては、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタ
ンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナートおよびこれらの多価イ
ソシアナートと多価アルコールとの付加物等が用いられ
る。多価エポキシ化合物としては、エチレングリコール
ジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエス
テルアクリレート等が用いられる。多価アジリジン化合
物としては、トリス-2,4,6-(1-アジリジニル)-1,3,5-ト
リアジン、トリス[1-(2-メチル)アジリジニル]トリホス
ファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物
としてはエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテ
ート)等が用いられる。これらは単独で用いても、混合
して用いても構わない。
【0034】架橋剤の配合量は、紫外線硬化型粘着剤組
成物100重量部に対して、好ましくは0.005〜2
0重量部、さらに好ましくは0.01〜10重量部であ
る。上記紫外線硬化型粘着剤組成物は、上記成分ならび
に所望により添加される他の成分を適宜に混合すること
により形成される。本発明に係る半導体ウエハ加工用粘
着シートは、上記の紫外線硬化型粘着剤組成物が、基材
上に塗布されてなることを特徴としている。なお、粘着
シートは、片面粘着シートであっても、両面粘着シート
であってもよい。
【0035】基材としては、特に限定されず、種々の薄
層品が用いられ、たとえば合成樹脂フィルム等が用いら
れる。本発明に使用できる合成樹脂フィルムとしては、
具体的には、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム等のポリオレフィンフィルム;ポリ塩化ビニルフィ
ルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィル
ム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリブタジ
エンフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン/酢酸
ビニル共重合体フィルム、エチレン/(メタ)アクリル
酸共重合体フィルム、エチレン/(メタ)アクリル酸エ
ステル共重合体フィルム、アイオノマーフィルム、ポリ
スチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフ
ィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリエーテ
ルエーテルケトンフィルムを例示することができる。
【0036】上記のような基材の厚さは、通常5〜30
0μmであり、好ましくは10〜200μmである。な
お、基材は、上記した各種フィルムの単層品であっても
よく積層品であってもよい。なお、半導体ウエハをドラ
イエッチングする場合は、100〜200℃程度の反応
熱が発生することがあり、この場合、基材はポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイ
ミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン等の耐熱性フィルムが好ましい。
【0037】紫外線硬化型粘着剤層が設けられる側の基
材面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処
理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。本
発明の半導体ウエハ加工用粘着シートは、上記紫外線硬
化型粘着剤組成物をロールコーター、ナイフコーター、
グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターな
ど一般に公知の方法にしたがって前述した基材上に適宜
の厚さで塗工して乾燥させて製造できる。紫外線硬化型
粘着剤組成物からなる粘着剤層の厚さは、通常は1〜1
00μmであり、好ましくは5〜50μm程度である。
製造後、必要に応じ紫外線硬化型粘着剤層を保護するた
めに、粘着剤層上に剥離性シートを貼付しておいてもよ
い。
【0038】次に本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着
シートの使用方法について、ウエハ裏面の機械研削に続
いて研削面をドライエッチングする場合を例にとって各
工程を説明する。この場合、まず常法により、半導体ウ
エハ表面に回路パターンを形成する。ついで、形成され
た回路面に、上記粘着シートの紫外線硬化型粘着剤組成
物層を貼付し、ウエハ回路面の保護と、ウエハの固定を
行う。
【0039】なお、粘着シートは、前述したように片面
粘着シートであっても、両面粘着シートであってもよ
い。両面粘着シートの場合には、ウエハ貼着面の反対側
の粘着剤層をガラス等の透明硬質板に貼着しておくこと
が好ましい。両面粘着シートの場合には、両方の粘着剤
層が上記紫外線硬化型粘着剤組成物からなる。このよう
に、粘着シートにウエハを貼着しておくと、極薄のウエ
ハであっても、強度が保たれるため、移送ないし保管中
のウエハの損壊を防止できる。
【0040】ついで、常法により、ウエハ裏面の機械研
削を行う。機械研削によれば、ドライエッチングよりも
効率的にウエハを削れるため、短時間でウエハの厚みを
薄くできる。しかし、砥石などにより研削痕(破砕層)
が不可避的に生じる。このような研削痕は、ウエハやチ
ップの抗折強度の低下やクラックの発生原因となる。し
たがって、ドライエッチングにより上記のような研削痕
を除去することが検討されている。ドライエッチング
は、高真空下(10-3〜10-4torr)において、SF 6などの
エッチングガスを裏面に噴霧することで行われる。この
ようなドライエッチングによれば、ウエハに機械的負荷
をかけることなく、その厚みを薄くでき、また研削痕を
除去でき、100μm以下の厚みで、かつ傷のない極薄ウ
エハが得られる。さらに、上記したような、本発明に係
るウエハ加工用粘着シートにおいては特殊な組成の紫外
線硬化型粘着剤組成物を用いているので、高真空下にお
いても、揮発成分がなく、揮発したガス成分の内外の圧
力差によるウエハの変形を防止できる。また、ウエハが
変形すれば粘着剤がウエハから剥離し、剥離した粘着面
にエッチングガスが作用して粘着剤を変質させ、糊残り
を発生させる。本発明のウエハ加工用粘着シートを用い
れば、ウエハが変形することがなく糊残りも防止でき
る。
【0041】また、本発明のウエハ加工用粘着シートを
用いた加工は、真空下の膜形成であってもよい。所要の
工程が終了した後には、紫外線を粘着シートの粘着剤層
に照射し、紫外線硬化型粘着剤層中に含まれる紫外線重
合性成分を重合硬化せしめる。このように粘着剤層に紫
外線を照射して粘着剤組成物層を重合硬化せしめると、
粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの接着力
が残存するのみとなる。したがって、ウエハを粘着シー
トから容易に剥離できる。
【0042】
【発明の効果】このような本発明に係る半導体ウエハ加
工用粘着シートよれば、特殊な成分からなる粘着剤層用
いてウエハを固定しているため、高真空下においても、
粘着剤層からの揮発成分がなく、揮発したガス成分の圧
力差によるウエハの変形やこれに起因する糊残りを防止
できる。
【0043】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。また、紫
外線硬化型共重合体、光重合開始剤およびその他の成分
として次のものを用いた。 A「紫外線硬化型共重合体」 n-ブチルアクリレート85重量部、2-ヒドロキシエチル
アクリレート15重量部からなる重量平均分子量650,00
0の共重合体100重量部と、メタクリロイルオキシエ
チルイソシアナート16重量部との反応により得られる
紫外線硬化型共重合体 B「光重合開始剤」 B1:ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォ
スフィンオキサイド B2:1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン C「紫外線硬化型粘着剤」 ブチルアクリレート90重量部、アクリル酸10重量部
からなる重量平均分子量500,000の共重合体を得た。紫
外線硬化成分としてジペンタエリスリトールヘキサアク
リレートを、共重合体100重量部(固形分)に対し、
150重量部(固形分)となるように配合した。 D「架橋剤」 トルイレンジイソシアナートとトリメチロールプロパン
の付加物
【0044】
【実施例1】表1に記載の各成分を表1に記載の割合で
混合し、紫外線硬化型粘着剤組成物を得た。この粘着剤
組成物を剥離フィルム(ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムにシリコーン剥離剤により剥離処理したもの:厚
さ38μm)上に塗布し、基材(ポリエチレンテレフタ
レートフィルム:厚さ50μm)に転写させ、厚さ20
μmの紫外線硬化型粘着剤層を有する片面粘着シートを
作成した。さらに、基材の他面にも同様にして、厚さ2
0μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成し、両面粘着シー
トを得た。
【0045】得られた両面粘着シートを介して、透明硬
質板(ソーダライムガラス、厚み700μm、直径20
0mm)上に8インチシリコンウエハ(厚さ725μm)
を固定し、ウエハ裏面研削装置(ディスコ社製、DFG-84
0)を用いて、厚さ50μmまで機械研削し、次いで0.3
torrの真空中で、SF6をウエハ露出面に噴霧し、ドライ
エッチングを行い、厚さ48μmにした。
【0046】「破損箇所数」、「アウトガス」、「糊残
り」の評価は次のようにして行った。 「破損箇所数」ドライエッチング終了後にウエハ1枚あ
たりに生じた破損箇所をカウントした。
【0047】「アウトガス」両面粘着シートから1cm角
のサンプルを切り出し、ヘリウム気流下(流量50ml/
分)で、150℃で10分間加熱し、ヘリウムに同伴す
る発生気体をガラスウール吸着剤(−60℃)に吸着さ
せ、次いで、発生気体をガスクロマトグラフ質量分析法
で測定した。この際、カラムとしてアジレントテクノロ
ジーズ社製HP-5(60mm×0.25mm×1.0μm)を用い、ヘ
リウムを流量1.5ml/分で流通させ、分子量範囲を10〜50
0m/zとし、また加熱は50℃2分〜280℃20分(昇温速度
10℃/分)とした。ただし、アウトガス量をn-デカン
換算として定量を行った。
【0048】「糊残り」10mm×10mmサイズのチップ
を作成し、そのうち20個のチップの貼着面を50倍の
顕微鏡で観察し、糊残りを有無を確認した。結果を表1
に示す。
【0049】
【実施例2】基材として、厚さ50μmポリエチレンナ
フタレートフィルムを用いた以外は、実施例1と同様の
操作を行った。結果を表1に示す。
【0050】
【比較例1】光重合開始剤として、B1に代えてB2を
6重量部用いた以外は、実施例1と同様の操作を行っ
た。結果を表1に示す。
【0051】
【比較例2】紫外線硬化型共重合体(A)に代えて低分
子量アクリレートを配合した紫外線硬化型粘着剤(C)
を用い、光重合開始剤としてB2を3重量部用い、架橋
剤を0.10重量部用いた以外は、実施例1と同様の操
作を行った。結果を表1に示す。
【0052】
【表1】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J004 AA10 AB01 AB07 CA06 CC02 EA06 FA05 FA08 GA01 4J040 DF041 DF051 GA01 GA05 GA07 GA11 GA14 GA20 HB44 HC16 HD23 KA13 KA16 LA01 LA02 LA06 MA10 NA20 PA32

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハを真空下で加工する際にウ
    エハの固定に用いられる粘着シートであって、 基材および、その片面または両面に形成された、側鎖に
    紫外線重合性基を有する紫外線硬化型共重合体とリン系
    光重合開始剤とからなる紫外線硬化型粘着剤組成物層か
    らなることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着シー
    ト。
  2. 【請求項2】 前記リン系光重合開始剤が、アシルホス
    フィンオキサイド系化合物であることを特徴とする請求
    項1に記載の半導体ウエハ加工用粘着シート。
  3. 【請求項3】 前記アシルホスフィンオキサイド系化合
    物が、分子内にCO−PO結合を有する化合物であるこ
    とを特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ加工用粘
    着シート。
  4. 【請求項4】 前記アシルホスフィンオキサイド系化合
    物が、下記式にて示される化合物であることを特徴とす
    る請求項3に記載の半導体ウエハ加工用粘着シート。 【化1】 (式中、R1は、置換基を有していてもよい芳香族基で
    あり、R2、R3はそれぞれ独立に、置換基を有していて
    もよいフェニル基、アルキル基、アルコキシ基または芳
    香族アシル基である。)
  5. 【請求項5】 紫外線硬化型粘着剤組成物層が、紫外線
    硬化型共重合体100重量部に対して、リン系光重合開
    始剤を0.005〜20重量部含有することを特徴とす
    る請求項1〜4の何れかに記載の半導体ウエハ加工用粘
    着シート。
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KR1020020027329A KR100938536B1 (ko) 2001-05-18 2002-05-17 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트
CNB021199841A CN100368498C (zh) 2001-05-18 2002-05-17 用于半导体晶片加工的压敏粘合片
US10/150,686 US6723619B2 (en) 2001-05-18 2002-05-17 Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing
EP02253476A EP1262533B1 (en) 2001-05-18 2002-05-17 Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing
DE60225375T DE60225375T2 (de) 2001-05-18 2002-05-17 Druckempfindlicher Klebebogen zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern
TW091110332A TW570967B (en) 2001-05-18 2002-05-17 Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing
KR1020080057762A KR20080063740A (ko) 2001-05-18 2008-06-19 반도체 웨이퍼의 가공방법 및 그를 위한 점착시트

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112966A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Nitto Denko Corp 放射線硬化型粘着シート
JP2005263876A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Lintec Corp 両面粘着シートおよび脆質部材の転写方法
JP2007149974A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2007158025A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用感圧型テープ
JP2009239298A (ja) * 2009-06-11 2009-10-15 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
JP2009245989A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
WO2011049138A1 (ja) * 2009-10-22 2011-04-28 電気化学工業株式会社 (メタ)アクリル系樹脂組成物
JP2011213919A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
WO2013065981A1 (ko) * 2011-11-02 2013-05-10 (주)엘지하우시스 절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름
WO2014010933A1 (ko) * 2012-07-10 2014-01-16 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
JP2016089045A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2017125093A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 積水化学工業株式会社 半導体保護テープ及びウエハの処理方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641966B2 (en) * 1999-06-14 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Re-release adhesive and re-release adhesive sheet
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
US20050158500A1 (en) * 2002-03-13 2005-07-21 Hideki Kitano Photo-curable adhesive sheet, photo-curable transfer sheet, optical information recording medium, and method for preparing optical information recording medium
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP5027460B2 (ja) 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
JP4881208B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-22 リンテック株式会社 日射遮蔽フィルム用粘着剤及び日射遮蔽フィルム
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR20100050793A (ko) * 2008-11-06 2010-05-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
US9243168B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-26 Cheil Industries, Inc. Adhesive composition and optical member using the same
JP5770038B2 (ja) * 2011-07-25 2015-08-26 リンテック株式会社 粘着シート

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532946A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Lintec Corp 再剥離型粘着性ポリマー
JPH0649420A (ja) * 1992-07-29 1994-02-22 Modern Plast Kogyo Kk 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPH0733837A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Three Bond Co Ltd 光硬化性樹脂組成物
JPH0827239A (ja) * 1994-07-12 1996-01-30 Lintec Corp エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
JPH10130591A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの製造方法
JPH1177878A (ja) * 1997-07-11 1999-03-23 Asahi Glass Co Ltd 透明被覆成形品
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3114341A1 (de) * 1981-04-09 1982-11-11 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Acylphosphinverbindungen, ihre herstellung und verwendung
DE69727714T2 (de) * 1996-07-15 2004-11-25 Sekisui Kagaku Kogyo K.K. Verfahren zum Verbinden von Teilen
US6224976B1 (en) * 1996-08-14 2001-05-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive transparent resin and a composite including the same
KR100539141B1 (ko) * 1997-02-13 2005-12-26 코닌클리즈케 디에스엠 엔.브이. 광경화성 수지 조성물
US6294439B1 (en) * 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP4072927B2 (ja) * 1997-08-28 2008-04-09 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
DE19907957A1 (de) 1998-02-27 1999-09-02 Ciba Geigy Ag Pigmentierte photohärtbare Zusammensetzung
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
JP2001035817A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
JP4597323B2 (ja) * 2000-07-07 2010-12-15 リンテック株式会社 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート
US6472065B1 (en) * 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US6517776B1 (en) * 2000-11-03 2003-02-11 Chevron Phillips Chemical Company Lp UV oxygen scavenging initiation in angular preformed packaging articles

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532946A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Lintec Corp 再剥離型粘着性ポリマー
JPH0649420A (ja) * 1992-07-29 1994-02-22 Modern Plast Kogyo Kk 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPH0733837A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Three Bond Co Ltd 光硬化性樹脂組成物
JPH0827239A (ja) * 1994-07-12 1996-01-30 Lintec Corp エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
JPH10130591A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの製造方法
JPH1177878A (ja) * 1997-07-11 1999-03-23 Asahi Glass Co Ltd 透明被覆成形品
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112966A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Nitto Denko Corp 放射線硬化型粘着シート
JP4514428B2 (ja) * 2003-10-07 2010-07-28 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着シート
JP2005263876A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Lintec Corp 両面粘着シートおよび脆質部材の転写方法
JP2007149974A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2007158025A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用感圧型テープ
JP2009245989A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2009239298A (ja) * 2009-06-11 2009-10-15 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
US8901192B2 (en) 2009-10-22 2014-12-02 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha (Meth)acrylic resin composition
WO2011049138A1 (ja) * 2009-10-22 2011-04-28 電気化学工業株式会社 (メタ)アクリル系樹脂組成物
JP5812863B2 (ja) * 2009-10-22 2015-11-17 電気化学工業株式会社 接着体の使用方法
JP2011213919A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
WO2013065981A1 (ko) * 2011-11-02 2013-05-10 (주)엘지하우시스 절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름
KR101393895B1 (ko) * 2011-11-02 2014-05-13 (주)엘지하우시스 절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름
WO2014010933A1 (ko) * 2012-07-10 2014-01-16 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
KR101539133B1 (ko) * 2012-07-10 2015-07-23 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
JP2016089045A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2017125093A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 積水化学工業株式会社 半導体保護テープ及びウエハの処理方法

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