WO2013065981A1 - 절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름 - Google Patents

절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름 Download PDF

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김장순
조현주
서주용
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Definitions

  • the present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafers with a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of the base film.
  • the adhesive film for semiconductor wafer protection should be cut well without resistance under any conditions when the film is cut into wafer shape, and this property is called cutting or cutting property.
  • the cutting property is not secured after actually applying the wafer, and the wafer has a problem in that warpage occurs a lot.
  • Korean Laid-Open Patent No. 2003-0061300 although the lecture degree according to the temperature is described, the solution of the above problem is still not secured.
  • the pressure-sensitive adhesive used as a wafer protection film does not contribute much to the cutting property because of its thin thickness, but the polymer film used as the base film makes a very big contribution, thereby increasing the wafer chip yield by securing the cutting property of the base film. It is urgent that the invention of the method which can be made.
  • Still another object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface and a method of manufacturing the same, which prevents warpage and cracking of the wafer even if the wafer becomes thin.
  • a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer with an adhesive layer formed on one surface of the base film the tensile strength of the base film is 2 ⁇ 10kg / mm 2 , the elongation at break is 50 ⁇ 200%, the adhesive layer It provides a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection, characterized in that the gel content of 80% or more.
  • forming a base film Controlling tensile strength and elongation at break of the base film; Forming an adhesive layer on one surface of the base film; And it provides a method for producing a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising the step of ultraviolet curing (UV) the base film on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed.
  • UV ultraviolet curing
  • the adhesive film for protecting a wafer having an adhesive layer formed on one surface of the base film ensures cutting property and cutting property, and does not occur such as melting at high temperature, thereby improving the yield during wafer grinding.
  • the resistance to cutting can be reduced and the cutting property to maintain a clean surface can be secured.
  • the wafer becomes thin it is possible to minimize the occurrence of warpage and to prevent the wafer from breaking.
  • the present invention provides a semiconductor wafer protective adhesive film having an adhesive layer formed on one surface of a base film.
  • the tensile strength and the elongation at break must be within an optimized range.
  • the tensile strength of the base film may be 2 ⁇ 10kg / mm 2
  • the elongation at break may be 50 ⁇ 200%.
  • the resistance is low when cutting, it is to ensure a very clean cutting. If the tensile strength is less than 2kg / mm 2 it is considered that the base film is soft and receded, the resistance to cutting can be increased.
  • the tensile strength exceeds 10kg / mm 2 , the film itself is reduced in the ability to absorb the impact when peeling, the wafer thinner during grinding may cause curl.
  • Elongation at break is also an important factor.
  • the range can be 50-200%. If the elongation at break is less than 50%, it is likely to curl and become thinner during wafer grinding in line with the higher tensile strength. In addition, when the elongation at break exceeds 200%, it suggests that the polymer array is elongated in that direction, thereby increasing the resistance to cutting.
  • the base film is at least one base film selected from the group consisting of polyvinyl chloride (PVC) film, polyurethane film, polyolefin film, ethylene-vinyl acetate (EVA) copolymer film, ethylene-alkyl acrylate copolymer film It can be characterized by.
  • PVC polyvinyl chloride
  • EVA ethylene-vinyl acetate
  • the thickness of the base film affects the strength of the film itself and also prevents wafer breakage during backside processing, it is preferable to select an appropriate thickness according to the surface level of the wafer, the presence or absence of bump electrodes, and the like. .
  • the thickness of a base film about 50-300 micrometers is preferable. Especially the thickness of a base film can be about 100-200 micrometers. If the thickness of the base film is too thin, the strength of the film itself becomes weak, and the adhesive film cannot sufficiently follow the projections on the wafer surface, resulting in insufficient adhesion to the projections, and the back surface of the wafer When grinding, dimples may occur in the back surface of the wafer corresponding to the projection.
  • the pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of the base film of the present invention has a gel content of 80% or more.
  • the gel content of the adhesive layer is preferably 80 to 99% in that cutting properties and cutting properties can be secured due to an increase in hardness of the polymer.
  • the gel content of the adhesive layer is less than 80%, the film is soft and the cutting property is lowered, thereby increasing the possibility of burr generation, and unreacted components may protrude to the surface and cause blocking when stored for a long time in a film roll state.
  • the gel content of the adhesive layer exceeds 99%, the film is hardened, so the cutting property is excellent, but the wafer may not absorb the impact and the yield may be lowered due to the increased occurrence of curl.
  • the gel content represents the gel content measured after soaking the resin composition constituting the adhesive layer in a polar solvent for 48 hours and drying at 110 ° C. for 2 hours, as shown in Equation 1 below.
  • Xi is the initial weight
  • Xs is the weight of organic matter remaining in the wire mesh after drying at 110 ° C. for 2 hours after filtering in 300 mesh wire mesh after dissolving in solvent.
  • X means the gel content mentioned in the present invention.
  • the sol fraction may be dissolved and separated, but the separation time may be sufficient for about 24 to 48 hours, so that only the gel fraction remains, and the polar solvent used in the present invention is not limited as long as it has a slight polarity.
  • Particularly preferred examples include chloroform, ethyl acetate, acetone, methanol, ethanol, isopropanol, butanol, dimethylformamide and the like.
  • the resin composition which forms the adhesion layer of the adhesive film for semiconductor wafer protection by this invention fully functions as an adhesive also in the temperature conditions which heat a semiconductor wafer, for example about 150 degreeC.
  • adhesive force rises and it does not produce a peeling defect or a residue does not arise after peeling.
  • the resin composition may include a silicone-based or acrylic-based resin composition.
  • an acrylic resin composition is preferable, and an ultraviolet irradiation type is most commonly used as the acrylic resin composition.
  • the ultraviolet irradiation type is typically applied when the wafer is thinned, when the thickness of the wafer is 100 ⁇ m or less after the calculation.
  • the said resin composition is hydrophobic, and when water solubility, the hardened
  • cured material of the resin composition does not swell or partially melt
  • the thickness of the said adhesion layer is 3-300 micrometers.
  • the adhesion layer does not produce the contamination by pool residue etc. on the surface of a semiconductor wafer.
  • the adhesive layer has a reactive functional group so that the adhesive force does not become too large and the contamination of the surface of the semiconductor wafer does not increase even after the heating step after the adhesive film for protecting the semiconductor wafer is adhered to the circuit forming surface of the semiconductor wafer. It is preferable to crosslink at high density by a crosslinking agent, peroxide, radiation or the like.
  • the adhesive film according to the present invention is characterized in that the peeling force before ultraviolet irradiation is greater than the peeling force after ultraviolet irradiation. More specifically, the peeling force before ultraviolet irradiation may be 400-1200 g / in, and the peeling force after ultraviolet irradiation may be 20-200 g / in.
  • the peeling force before the ultraviolet irradiation of the adhesive film is less than 400g / in the initial peeling force is low and likely to be immersed, when exceeding 1200g / in, the initial adhesive force is high and the wafer is too firmly held the residue after UV irradiation Or burrs are more likely to occur due to the presence of soft or adhesive layers, and the wafer becomes thinner after the grinding process.
  • the peeling force after the ultraviolet irradiation of the pressure-sensitive adhesive film is less than 20g / in, the desorption occurs naturally during handling of the UV-irradiated wafer, the surface of the wafer is likely to be contaminated. It is unlikely that the wafer will break.
  • the present invention is a step of forming a base film; Controlling tensile strength and elongation at break of the base film; Forming an adhesive layer on one surface of the base film; And it provides a method for producing a pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising the step of ultraviolet curing (UV) the base film on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed.
  • UV ultraviolet curing
  • the process of forming the base film may include an extrusion process, an ultraviolet curing process, a casting process, a calendaring process, a thermosetting process and the like.
  • an acrylic film is formed through ultraviolet curing, and an ethylene-vinyl acetate copolymer film and a polyolefin film may be formed by an extrusion process, and a polyurethane film may be formed by a thermosetting process.
  • the polyvinyl chloride film may be formed by a casting process or a calendering process.
  • the process of controlling the tensile strength and elongation at break of the base film is characterized by controlling the tensile strength to 2 ⁇ 10kg / mm 2 , the elongation at break to 50 ⁇ 200%.
  • tensile strength and elongation at break can be controlled by irradiating an electromagnetic wave or plasma treatment to the film.
  • the step of controlling the tensile strength and elongation at break of the base film may be characterized in that the electromagnetic film irradiation or plasma treatment on the base film.
  • the electromagnetic beam refers to gamma rays, X rays, ultraviolet rays, electron beams, and the like, but ultraviolet rays and electron beams are preferable.
  • ultraviolet rays are preferable because they are easy to handle and high energy is easily obtained, and any ultraviolet light source can be used.
  • a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a carbon arc, a metal halide lamp, a xenon lamp, etc. can be used.
  • an ArF excimer laser, a KrF excimer laser, an excimer lamp or a xenon lamp may be used.
  • ArF excimer lasers, KrF excimer lasers, excimer lamps or synchrotron radiation can also be used.
  • irradiation conditions differ with each lamp
  • electron beams that can be used include electron beams having energy emitted from various electron beam accelerators such as cocroft Walton type, van degraf type, resonance transformer type, insulation core transformer type, linear type, dynamtron type, and high frequency type. Can be.
  • an acceleration voltage selects an appropriate acceleration voltage according to film thickness and the depth which wants to process. It is preferable that acceleration voltage is 50 kV or more.
  • irradiation dose it is preferable to select an appropriate irradiation dose according to desired film physical property. It is preferable that irradiation dose is 50-1000 kGy. If the radiation dose is outside the above range it is likely that the film is too soft or stiff, which makes it difficult to control the desired cutting and curl, and can also cause performance degradation if too much radiation dose is applied to the film.
  • Plasma treatment is particularly preferably performed by atmospheric plasma treatment, and rare gases such as helium and argon or discharge gases such as nitrogen and air, and oxygen, hydrogen, nitrogen, carbon monoxide, carbon dioxide, nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, water vapor and methane as necessary. And a reaction gas containing at least one of tetrafluoromethane and the like can be used.
  • rare gases such as helium and argon or discharge gases such as nitrogen and air, and oxygen, hydrogen, nitrogen, carbon monoxide, carbon dioxide, nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, water vapor and methane as necessary.
  • a reaction gas containing at least one of tetrafluoromethane and the like can be used.
  • the process of controlling the tensile strength and elongation at break may vary.
  • the cutting property is poor due to the arrangement of the polymer chain, and thus electron beam curing is required.
  • the arrangement of the polymer chain is Since it has a relatively even distribution, it is excellent in cutting property, and it can ensure cutting property and cutting property even if it is not based on an electron beam.
  • the film which does not irradiate with an electron beam is preferable as a film laminated
  • a polyethylene an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene- alkylacrylate copolymer ( The alkyl group has 1 to 4 carbon atoms), an ethylene- ⁇ -
  • the adhesion layer forming method a conventionally known method, for example, a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, a die coater method, or the like can be adopted.
  • a drying condition of the formed adhesion layer In general, it is preferable to dry for 10 second-10 minutes in the temperature range of 80-200 degreeC. More preferably, it is dried at 80-170 degreeC for 15 second-5 minutes.
  • the adhesive layer may include a silicone-based or acrylic resin composition, as described above. More specifically, ethylhexyl acrylate (2-EHA: 2-ethyl hexylacrylate), ethyl hexyl methacrylate (2-EHMA: 2-ethyl hexyl methacrylate), hydroxy ethyl acrylate (2-HEA: 2-Hydroxy ethyl acrylate ) And acrylic acid monomers may be copolymerized by a solution polymerization method under a solvent to prepare a resin composition having a hydroxyl group.
  • the base film in which the adhesion layer was formed may include the process of ultraviolet-ray (UV) hardening.
  • UV ultraviolet-ray
  • the lamination process is performed after lamination on the wafer prior to the wafer grinding process, and then the UV protection is performed to lower the peeling force and then artificially protect the film.
  • the wafer grinding process is completed by stripping off the wafer.
  • thermosetting agent when acrylic acid is used as the functional group, a resin composition having an aziridine group and an epoxy group is used as the thermosetting agent, and when a hydroxyl group is used as the functional group, an isocyanate group is used as the thermosetting agent.
  • Primary thermosetting is performed using the resin composition which has.
  • the photoinitiator is added to the resin composition to induce a curing reaction by ultraviolet irradiation to the branched double bonds that have not yet participated in the reaction, thereby obtaining a lower peeling force than the primary heat curing.
  • the peeling force before UV curing is a thermosetting state
  • the peeling force after UV curing is a value obtained by measuring the peeling force after attaching a thermosetting adhesive film to a wafer and irradiating ultraviolet rays.
  • the peeling force before the ultraviolet irradiation of the adhesive film is 400 ⁇ 1200g / in
  • the peeling force after the ultraviolet irradiation is preferably 20 ⁇ 150g / in.
  • the type of the base film was changed, and tensile strength and elongation at break were controlled differently according to the process in which the base film was formed, and the cutting property and the cutting property of the base film were measured.
  • Example 1 Example 2
  • Example 3 Example 4
  • Example 6 Base Film EVA Acrylic film Polyolefin film PVC PVC Polyurethane film Substrate Forming Process Extrusion UV curing Extrusion casting Calendaring Thermosetting Electron beam (kGy) 500 - 50 - 100 - Tensile Strength (kg / mm 2 ) 6 3 8 9 4 5.0 Elongation at Break (%) 50 100 120 80 110 180
  • the base film of [Table 1] and [Table 2] having a thickness of 100 ⁇ m was prepared in a size of 5 cm ⁇ 1 cm in width / length, and the tensile test was carried out under a load of 30 kg of load cell by holding the upper and lower parts with jig in a tensile tester. .
  • the horizontal axis represents distance and the vertical axis represents a force curve, and the elongation at break was measured, and the maximum force at break was measured as tensile strength.
  • the final cutting property was determined to be good when the film was torn without any resistance when the center portion of the specimen prepared with a size of 10 cm ⁇ 10 cm was scratched with a very sharp knife and spread from side to side. However, if it was torn but difficult to open, the presence of burrs was observed.
  • Curl was evaluated by applying a 20um adhesive to the base film, and deposited on a 10cmx 10cm size aluminum sheet having a thickness of 50um and then left at 100 °C for about 10 minutes to take out the room temperature to evaluate the degree of bending the aluminum sheet. Curl was formed when the aluminum sheet was bent due to curling at the edge portion exceeding about 2 mm from the bottom, and if it was less than about 2 mm, no curl was considered.
  • the tensile strength of the base film is 2 ⁇ 10kg / mm2
  • the elongation at break is out of the range of 50 ⁇ 200%, too large or too small when the burr occurs and curl occurs
  • the cutability and cutability could not be secured.
  • this showed a different aspect depending on the material of the base film, when the tensile strength and elongation at break is out of the above range, it was found that the tendency of poor cutting and cutability is the same.
  • the method of controlling the tensile strength and elongation at break varies according to the method of forming the base film, so that even if the electron beam is not irradiated, the tensile strength and the elongation at break of the base film can be sufficiently cut to meet the mechanical properties within the scope of the present invention. It was confirmed that sex and cleavability were maintained.
  • Example 1 Example 2
  • Example 3 Example 4
  • Example 5 Machinability Good Good Good Good Good Good Curl none none none none none none none none none
  • the base film was formed by changing the type of base film, and an adhesive layer was formed on one surface of the formed base film by a comma coater method.
  • the adhesive layer comprises an acrylic resin composition, wherein the resin composition comprises 60 parts by weight of ethylhexyl acrylate, 20 parts by weight of methyl acrylate, and 20 parts by weight of hydroxy ethyl acrylate based on 100 parts by weight of the total resin composition. do.
  • the resin composition was mixed with a solvent ethyl acetate, 0.01 part by weight of a thermal initiator 2,2-azobisisobutyroni-trile (AIBN, Japan) was added to the total resin composition, and the temperature was raised to 60 ° C. for 8 hours.
  • the reaction was carried out to polymerize the resin composition with a polymer resin having a molecular weight of 500,000.
  • MOI Metaloyloxyethyl Isocyanate
  • NCO isocyanate
  • the prepared pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the base films of Examples and Comparative Examples of [Table 5] and [Table 6], and the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection in a semi-cured state was prepared after aging at 40 ° C. for 3 days. .
  • Example 7 Example 6
  • Example 9 Base Film EVA Acrylic film Acrylic film Substrate Forming Process
  • Extrusion UV curing UV curing Thermoset HDI 1.0 parts by weight 1.5 parts by weight 2.0 parts by weight Igacure 651 5.0 parts by weight 5.0 parts by weight 5.0 parts by weight
  • the adhesive film prepared as shown in [Table 5] and [Table 6] was cut into 1 cm width 10 cm and attached to the polyimide by reciprocating five times with a 2 kg roller. After 30 minutes, the UTM (Universal Testing Machine) The peeling force before ultraviolet irradiation was measured by making peeling rate 300 mm / min. Thereafter, energy of 1500 mJ / cm 2 ultraviolet rays was irradiated in a state of being attached to the polyimide surface, and the peeling force after ultraviolet irradiation was measured in the same manner.
  • the adhesive films were immersed in a tray containing water in a state before ultraviolet irradiation and maintained for 24 hours to observe whether or not water immersion occurred. On the other hand, after taking out the specimen in the state of water and left at room temperature for 24 hours, after completely drying the water and irradiated with ultraviolet rays again, peeling off the protective film and observed whether the residue on the polyimide substrate was recorded.
  • the gel content was measured by dipping the adhesive layer formed on one surface of the substrate film in ethyl acetate for 1 day and then filtering at 300 mesh for 2 hours at 110 °C, weight loss degree.
  • the resin composition constituting the adhesive layer formed on one side of the base film maintains a constant gel content, thereby forming Since the adhesive film had a peel force of a predetermined range before or after ultraviolet irradiation, it was found that the grinding process was smoothly performed during wafer processing.
  • Example 7 Example 8
  • Example 9 Peeling force before UV irradiation 850 g / in 740 g / in 550 g / in Peeling force after UV irradiation 110 g / in 85 g / in 70 g / in Immersion none none none Residue none none none Adhesive layer gel content (%) 95 85 80

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Abstract

본 발명은 기재 필름의 한쪽 표면에 점착층이 형성된 웨이퍼 보호용 점착 필름으로서, 상기 기재필름의 인장강도가 2~10kg/mm2, 파단신율이 50~200%이고, 상기점착층의 겔 함량이 80% 이상 인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름을 제공한다. 상기 웨이퍼 보호용 점착필름은 커팅성 및 절단성이 확보되며,웨이퍼 박막화에 따른 휨 발생 및 웨이퍼 깨짐 현상을 방지하고, 고온에서도 융해와 같은 현상이 발생하지 않아 웨이퍼 연삭시 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름
본 발명은 기재필름의 한쪽 표면에 점착층이 형성된 반도체 웨이퍼 보호용 점착필름에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 보호용 점착필름은 웨이퍼 모양으로 필름을 도려낼 때 어떤 조건에서도 저항없이 잘 잘려져야 하고, 이러한 성질을 절단성 또는 커팅성이라고한다. 이와 관련하여 실제로 웨이퍼 도포 후에 커팅성이 확보되지 아니하고, 웨이퍼가 얇아지는 경우 휨이 많이 발생하는 문제점을 가지고 있다. 한국공개특허 제2003-0061300호에서는 온도에 따른 강연도가 기재되어 있기는 하나, 상기와 같은 문제점의 해결책을 여전히 확보하지 못하고 있다.
통상적으로 웨이퍼 보호필름으로 사용되는 점착제는 두께가 얇아 커팅성에 그다지 큰 기여를 하지 못하지만, 기재필름으로 사용되는 고분자 필름은 매우 큰 기여를 하는바, 기재필름의 커팅성을 확보하여 웨이퍼 칩 수율을 증대시킬 수 있는방안의 발명이 시급한 실정이다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 연삭시에 사용되는 우수한 커팅성과 절단성을 가진 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼가 얇아지더라도 휨 현상 및 웨이퍼의 깨짐현상을 방지하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 기재 필름의 한쪽 표면에 점착층이 형성된 반도체 웨이퍼 보호용 점착필름으로서, 상기 기재필름의 인장강도가 2~10kg/mm2, 파단신율이 50~200%이고, 상기 점착층의 겔 함량이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름을 제공한다.
또한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 기재필름을 형성하는 공정; 상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정; 상기 기재필름의 한쪽 표면에점착층을 형성하는 공정; 및 상기 점착층을 형성한 기재필름을 자외선(UV) 경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착 필름의 제조방법을 제공한다.
기재필름의 한쪽 표면에 접착층이 형성된 웨이퍼 보호용 점착필름은 커팅성및 절단성이 확보되며, 고온에서도 융해와 같은 현상이 발생하지 않아 웨이퍼 연삭시 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 웨이퍼 표면보호용 점착 필름의 제조방법에 있어서, 인장강도와 파단신율을 제어하는 단계를 포함함으로써, 커팅에 대한 저항성이 감소되고 깨끗한 면을유지하는 커팅성을 확보할 수 있다. 더불어 웨이퍼가 얇아지는 경우, 휨 발생을 최소화하고, 웨이퍼의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 본 발명에 대하여 자세히 설명한다.
웨이퍼 표면 보호용 점착필름
본 발명은 기재필름의 한쪽 표면에 점착층이 형성된 반도체 웨이퍼 보호용점착필름을 제공한다.
상기 기재필름의 커팅성을 우수하게 하기 위해서는 인장강도 및 파단신율이최적화된 범위 내에 존재하여야 한다. 이때 상기 기재필름의 인장강도가 2~10kg/mm2 이고, 파단신율이 50~200%일 수 있다. 상기 인장강도가 2~10kg/mm2인 경우, 절단시 저항성이 낮고, 매우 깔끔한 커팅성이 확보되는 것이다. 인장강도가 2kg/mm2미만이면 기재필름이 부드러워 물러진 것으로 여겨지며, 커팅에 대한 저항성이 높아질 수 있다. 또한 인장강도가 10kg/mm2를 초과하면 필름자체가 박리시 충격을 흡수하는 능력이 낮아져 웨이퍼가 연삭시 얇아지면서 Curl이 발생할 수 있다.
파단신율 또한 중요한 요소이다. 그 범위는 50~200%로 할 수 있다. 파단신율이 50% 미만이면, 인장강도가 큰 것과 일치하여 웨이퍼 연삭시 얇아지면서 curl이발생할 가능성이 높다. 또한 파단신율이 200%를 초과하면, 고분자 배열이 그 방향으로 길게 늘어져 있는 것을 암시하므로 커팅에 대한 저항성이 커질 수 있다.
상기 기재필름은 폴리비닐클로라이드(PVC) 필름, 폴리우레탄 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-초산비닐(EVA) 공중합체 필름, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체필름으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기재필름 인 것을 특징으로 할수 있다.
상기 기재필름의 두께는, 필름 자체의 강도에 영향을 주고, 또 이면 가공시의 웨이퍼 파손 방지에도 영향을 주기 때문에, 웨이퍼의 표면 단차, 범프 전극의유무 등에 따라, 적절한 두께를 선택하는 것이 바람직하다.
기재 필름의 두께는 50∼300㎛ 정도가 바람직하다. 특히 기재필름의 두께는100∼200㎛ 정도로 할 수 있다. 기재필름의 두께가 너무 얇아지면, 필름 자체의 강도가 약해지는 동시에, 웨이퍼 표면상의 돌기상물에 대하여 점착 필름이 충분하게추종할 수 없어, 돌기상물에 대한 밀착성이 불충분하게 되고, 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에, 돌기상물에 대응하는 웨이퍼의 이면에 딤플이 발생하는 경우가 있다.
두께가 너무 두꺼워지면, 점착 필름의 제작이 곤란하게 되고, 생산성에 영향을 끼쳐 제조비용의 증가로 이어지는 경우가 있다.
본 발명의 기재필름의 한쪽 표면에 형성된 점착층은 겔 함량이 80% 이상인것으로 한다. 구체적으로는 상기 점착층의 겔 함량을 80~99%으로 하는 것이 고분자의 경도증가로 인해 절단성 및 커팅성을 확보할 수 있다는 점에서 바람직하다. 상기 점착층의 겔 함량이 80% 미만이면 필름이 부드러워 커팅성이 저하됨으로서 burr발생 가능성이 커지며, 필름 롤 상태로 장기간 보관시 미반응된 성분들이 표면으로돌출되어 블로킹을 유발할 수 있다. 또한 상기 점착층의 겔 함량이 99%를 초과하면필름이 딱딱해짐으로서 절단성은 우수하나 wafer 연삭시 충격을 흡수하지 못하고 curl 발생 소지가 커짐으로 인해 수율이 낮아질 우려가 있다.
이 때 상기 겔 함량은 하기 수학식 1과 같이, 상기 점착층을 구성하는 수지조성물을 극성 용제에 48시간 동안 담근 후 110℃에서 2시간 동안 건조한 후에 측정한 겔 함량을 나타낸다.
[수학식 1]
X(겔 함량) = [1-(Xi-Xs)/Xi] × 100 (%)
여기서 Xi는 초기 무게, Xs는 용제에 녹인후 300 메시 철망에 걸러서 110℃에서 2시간 건조 후 철망에 남은 유기물의 무게이며 X는 본 발명에서 언급하고 있는 겔 함량을 의미한다.
극성에 따라 졸 분율이 녹아 분리되는 시간이 다를 수 있으나, 24~48시간 정도면 충분히 분리되어 겔 분율만 남게 되므로 본 발명에 사용되는 극성 용제는 극성이 조금이라도 존재하는 용제라면 제한이 없다. 특히 바람직한 예로는 클로로포름, 에틸아세테이트, 아세톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 디메틸포름아마이드 등을 들 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름의 점착층을 형성하는 수지조성물은, 반도체 웨이퍼를 가열하는 온도 조건하, 예를 들면 150℃정도의 온도에서도, 점착제로서 충분히 기능하는 것이 바람직하다. 다만, 온도 150℃ 이상의 조건하에서 가열 처리된 경우라도, 접착력이 상승해서 박리 불량을 일으키지 않거나박리후 잔사가 발생하지 않는 것은 바람직하다.
상기 수지 조성물은 실리콘계 또는 아크릴계 수지 조성물을 포함할 수 있다.이때, 아크릴계 수지 조성물이 바람직한바, 상기 아크릴계 수지 조성물로는 자외선조사형이 가장 범용적으로 사용된다. 특히 자외선 조사형으로는 웨이퍼가 박막화된경우, 웨이퍼의 두께가 연산 후 100㎛ 이하인 경우 적용 되는 것이 통상적이다.
상기 수지 조성물은 소수성인 것이 보다 바람직하고, 수용성인 경우에는 연삭 가공시에 수지 조성물의 경화체가 팽윤함으로써 위치 어긋남을 일으켜 가공 정밀도가 떨어질 우려가 있다. 그러나, 친수성이어도 그 수지 조성물의 경화체가물에의해서 팽윤 혹은 일부 용해하는 일이 없으면 사용하는데 제한이 없다.
상기 점착층의 두께는 3∼300㎛인 것이 바람직하다. 점착층은, 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름을 웨이퍼의 회로 형성면(이하, 표면이라고 함)으로부터 박리한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 풀 잔사 등에 의한 오염이 생기지 않는 것이 바람직하다. 상기 점착층은, 특히, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름을 첩착한 후의 가열 공정을 거쳐도, 점착력이 너무 커지지 않도록,또한 반도체 웨이퍼 표면의 오염이 증가하지 않도록, 반응성 관능기를 갖는 가교제, 과산화물, 방사선 등에 의해 고밀도로 가교된 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 점착필름은 자외선 조사전 박리력이 자외선 조사후의 박리력보다 큰 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로는 자외선 조사전 박리력은400~1200g/in, 자외선 조사후 박리력은 20~200g/in으로 할 수 있다.
상기 점착필름의 자외선 조사전의 박리력이 400g/in 미만인 경우에는 초기박리력이 낮아 수침이 될 가능성이 높으며, 1200g/in를 초과하는 경우에는 초기 점착력이 높고 웨이퍼를 너무나 세게 붙잡아주므로 자외선 조사후 잔사가 남거나 점착층이 부드러워서 burr의 발생 가능성이 높고, 연삭 공정후 웨이퍼가 얇아지면서 휨이 발생할 가능성이 높다.
또한 상기 점착필름의 자외선 조사후의 박리력이 20g/in 미만인 경우에는 자외선 조사된 웨이퍼를 핸들링하는 도중에 자연스럽게 탈착이 이루어져 웨이퍼 표면이 오염될 가능성이 높으며, 200g/in를 초과하는 경우에는 탈착이 용이하게 이루어지지 않아 웨이퍼가 깨질 가능성이 높다.
웨이퍼 표면 보호용 점착필름 제조방법
본 발명은 기재필름을 형성하는 공정; 상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정; 상기 기재필름의 한쪽 표면에 점착층을 형성하는 공정; 및 상기 점착층을 형성한 기재필름을 자외선(UV) 경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착 필름의 제조방법을 제공한다.
상기 기재필름을 형성하는 공정은 압출공정, 자외선 경화 공정, 캐스팅 공정, 캘린더링 공정, 열경화 공정 등을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 자외선 경화를 통해 아크릴필름을 형성하고, 압출공정에 의해에틸렌-초산비닐 공중합체 필름 및 폴리올레핀 필름이, 또한 열경화 공정에 의해 폴리우레탄 필름이 형성될 수 있다. 나아가 폴리비닐클로라이드 필름은 캐스팅 공정이나 캘린더린 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정은 인장강도를 2~10kg/mm2, 파단신율을 50~200%으로 제어하는 것을 특징으로 한다. 상기 방법에 의해 기재필름을 형성한 후, 그 필름에 전자기선(electromagnetic wave) 조사나 플라즈마 처리함으로써 인장강도 및 파단신율을 제어할 수 있다. 또한 상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정은 상기 기재필름에 전자기선 조사나 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자기선는 감마선, X선, 자외선, 전자선 등을 말하나, 자외선, 전자선이 바람직하다. 특히 자외선은 취급이 간편하고 고에너지가 용이하게 얻어진다는 점에서 바람직하며, 자외선을 발생하는 광원이면 모두 사용할 수 있다. 예를 들면 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본아크 등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 사용할 수 있다. 또한 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머레이저, 엑시머 램프 또는 크세논 램프 등을 사용할 수 있다.
또한, ArF엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, 엑시머 램프 또는 싱크로트론방사광 등도 사용할 수 있다. 조사 조건은 각각의 램프에 따라 상이하지만, 조사광량은 1 mJ/㎠ 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 200 ~ 10,000 mJ/㎠이며,특히 바람직하게는 500 ~ 5,000 mJ/㎠이다.
또한, 전자선도 사용할 수 있는 바, 코크로프트 월턴형, 반데그라프형, 공진변압형, 절연 코어 변압기형, 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선가속기로부터 방출되는 에너지를 갖는 전자선을 들 수 있다.
전자선 조사장치로서는 에리어빔형 전자선 조사장치, 주사형 전자선 조사장치 등을 들 수 있다. 조사 조건에 대해서는, 가속 전압은 필름 두께나 처리를 행하고 싶은 깊이에 따라 적절한 가속 전압을 선택하는 것이 바람직하다. 가속 전압은50kV 이상인 것이 바람직하다. 조사선량에 대해서는, 원하는 필름 물성에 따라 적절한 조사선량을 선택하는 것이 바람직하다. 조사선량은 50∼1000kGy인 것이 바람직하다. 조사선량이 상기 범위를 벗어나는 경우 필름이 너무 부드러워지거나 딱딱해질 가능성이 크며 이 경우 원하는 커팅성 및 Curl 제어가 어려워지며, 또한 너무많은 양의 조사선량이 필름에 가해지는 경우 성능저하를 초래할 수 있다.
플라즈마 처리는 특히 대기 플라즈마 처리를 실시하는 것이 바람직하고, 헬륨, 아르곤 등의 희가스 또는 질소, 공기 등의 방전 가스와 필요에 따라서 산소,수소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 일산화질소, 이산화질소, 수증기, 메탄, 4불화메탄 등을 1종 이상 함유하는 반응 가스를 사용할 수 있다.
또한 기재필름을 형성하는 공정에 따라, 인장강도 및 파단신율을 제어하는공정이 달라질 수 있다. 예를 들어, 압출공정에 의해 기재필름이 형성된 경우는 고분자 사슬의 배열로 절단성이 떨어짐으로 전자빔 경화를 해야 하지만 캐스팅을 통하여 형성된 기재필름, 아크릴 필름이나 폴리비닐클로라이드 필름의 경우 고분자사슬의 배열이 비교적 고른 분포를 가짐으로 절단성이 우수하여, 전자빔에 의하지아니하여도 커팅성과 절단성을 확보할 수 있다.
기재 필름이 2층 이상으로 구성되는 경우에는, 상기 기재필름과 적층하는 필름으로는 전자선 조사하지 않은 필름이 바람직하며, 구체적으로는 폴리에틸렌, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체(알킬기의 탄소수는 1∼4이다), 에틸렌-α-올레핀 공중합체, 프로필렌-α-올레핀 공중합체, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 우레탄, 액정 및 이들의 혼합 수지로부터 성형된 수지 필름을 들 수있다.
상기 기재필름의 한쪽 표면에 점착층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 점착층 형성방법으로는, 종래 공지의 방법, 예를 들면 롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 형성된 점착층의 건조 조건에는 특별한 제한은 없지만, 일반적으로는, 80∼200℃의 온도 범위에서, 10초∼10분간 건조하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 80∼170℃에서, 15초∼5분간 건조한다. 가교제와 점착층과의 가교반응을 충분하게 촉진시키기 위해서, 점착층의 건조가 종료된 후, 보호 점착필름을 40∼80℃에서 5∼300시간 정도 가열하여도 좋다.
상기 점착층은 실리콘계 또는 아크릴계 수지조성물을 포함할 수 있고, 이는전술한 바와 같다. 보다 구체적으로 에틸헥실아크릴레이트(2-EHA : 2-ethyl hexylacrylate), 에킬헥실메타아크릴레이트(2-EHMA : 2-ethyl hexyl methacrylate), 하이드록시 에틸아크릴레이트(2-HEA : 2-Hydroxy ethyl acrylate) 및 아크릴산 모노머를 용제하에서 용액중합법에 의해 공중합하여 하이드록시기를 가진 수지 조성물로 제조될 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면보호용 웨이퍼 점착 필름을 제조하기 위해서,상기 점착층을 형성한 기재필름을 자외선(UV) 경화하는 공정을 포함할 수 있다.
즉, 상기의 점착층을 상기 기재필름에 전사 코팅하여 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조한 후 웨이퍼 연삭공정에 앞서 웨이퍼에 라미네이션후 연삭공정을 수행한후 자외선을 조사하여 박리력을 낮춘 후 인위적으로 보호필름을 벗겨내는 공정을 통해 웨이퍼 연삭공정을 완성을 하는 것이다.
보다 구체적으로는 상기 점착층을 형성하는 수지조성물에 있어서, 작용기로아크릴산을 사용한 경우에는 열경화제로서 아지리딘기, 에폭시기를 가지고 있는 수지 조성물을, 작용기로 하이드록실기를 사용한 경우에는 열경화제로 이소시아네이트기를 가지고 있는 수지 조성물을 사용하여 1차 열경화를 실시한다. 이때 상기 수지 조성물에 광개시제를 투입하여 1차 열경화된 상태에서 아직 반응에 참여하지 않은 branching된 이중결합에 자외선 조사에 의한 경화반응을 유도하여 1차 열경화에비해 낮은 박리력을 얻게 되는 것이다.
즉 자외선 경화전의 박리력은 열경화된 상태이며 자외선 경화후 박리력은 열경화된 상태의 점착필름을 wafer에 부착하고 자외선을 조사한 후의 박리력을 측정한 값이다. 이 경우, 상기 점착필름의 자외선 조사전 박리력은 400~1200g/in이고, 자외선 조사후 박리력은 20~150g/in 인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 다음의 실시예에 의해 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기실시예는 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐 발명의 범위가 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실험예1 - 기재필름의 절단성 및 커팅성 측정
<실시예 및 비교예>
하기 표1 및 표2와 같이 기재필름의 종류를 달리하고, 기재필름이 형성된 공정에 따라 각각 상이하게 인장강도 및 파단신율을 제어하여, 상기 기재필름의 절단성 및 커팅성을 측정하였다.
표 1
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
기재필름 EVA 아크릴필름 폴리올레핀필름 PVC PVC 폴리우레탄 필름
기재형성공정 압출 자외선경화 압출 캐스팅 캘린더링 열경화
전자빔(kGy) 500 - 50 - 100 -
인장강도(kg/mm2) 6 3 8 9 4 5.0
파단신율(%) 50 100 120 80 110 180
표 2
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6
기재필름 EVA 아크릴필름 폴리올레핀필름 PVC PVC 폴리우레탄필름
기재형성공정 압출 자외선 경화 압출 캐스팅 캘린더링 열경화
전자빔(kGy) 200 500 30 30 - 600
인장강도(kg/mm2) 1.5 13 6 16 1.0 28
파단신율(%) 400 30 250 10 300 5
<평가방법>
두께가 100um인 상기 [표1] 및 [표2]의 기재필름을 가로/세로 5cm × 1cm의크기로 준비하여 인장시험기에 jig로 상부 및 하부를 잡고 load cell 30kg의 하중하에 인장시험을 실시하였다. 이때 가로축은 distance를 나타내고 세로축은 힘을나타내는 curve를 얻어서 파단신율로, 파단시 최대 힘을 인장강도로 측정하였다.
최종 커팅성은 가로/세로 10cm × 10cm의 크기로 준비된 시편의 중앙부분을매우 날카로운 칼로 흠집을 내고 이를 중심으로 좌우로 벌렸을 때, 아무 저항없이잘 찢어지는 필름인 경우 커팅성이 양호하다고 판단하였다. 그러나, 찢어지기는 하지만 벌리는데 있어서 힘이 드는 경우에는 burr가 있는지 여부를 관찰하였다.
Curl에 대한 평가는 기재필름에 점착제를 20um 도포하고 두께가 50um인 10cmx 10cm크기의 알루미늄 시트에 증착 한 후에 100℃에 약 10분간 방치 후 상온으로 꺼내서 알루미늄 시트가 휘어지는 정도를 평가하였다. 알루미늄 시트에 Curl이 생겨 휘어지는 정도가 가장자리 부위에서 바닥으로부터 약 2mm를 초과하면 Curl 발생하고 약 2mm미만이면 Curl 발생이 없는 것으로 간주하였다.
<평가결과>
하기 [표3] 및 [표4]에서 관찰하였듯이 기재필름의 인장강도가 2~10kg/mm2,파단신율이 50~200%의 범위를 벗어나, 너무 크거나 너무 작은 경우 burr발생 및 Curl 발생이 이루어져 커팅성 및 절단성을 확보하지 못함을 알 수 있었다. 또한 이는 기재필름의 재질에 따라 다른 양상을 보여주었으나, 인장강도 및 파단신율이 상기 범위를 벗어났을 때, 커팅성과 절단성이 떨어지는 경향은 동일함을 알 수 있었다.
나아가 기재필름의 형성된 방법에 따라, 인장강도 및 파단신율을 제어하는방법이 달라지는바, 전자빔을 굳이 조사하지 않더라도 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 본 발명의 범위 내로 기계적 물성을 맞추기만 하면 충분히 커팅성 및 절단성이 유지됨을 확인할 수 있었다.
표 3
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
커팅성 양호 양호 양호 양호 양호 양호
Curl 없음 없음 없음 없음 없음 없음
표 4
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6
커팅성 불량 양호 불량 양호 불량 양호
Curl 없음 심함 없음 심함 없음 심함
실험예 2 - 점착층의 겔함량 및 점착필름의 박리력 측정
<실시예 및 비교예>
하기 [표5] 및 [표6]와 같이 기재필름의 종류를 달리하여 기재필름을 형성하였고, 상기 형성된 기재필름의 한쪽 면에 콤마 코터법에 의해 점착층을 형성하였다. 상기 점착층은 아크릴계 수지 조성물을 포함하는 바, 상기 수지 조성물은 전체수지 조성물 100중량부에 대해서 에틸헥실아크릴레이트 60 중량부, 메틸아크릴레이트 20 중량부, 하이드록시 에틸아크릴레이트 20중량부의 배합으로 구성된다. 그 후상기 수지 조성물을 용제 에틸아세테이트에 혼합하고, 열개시제인 2,2-azobisisobutyroni-trile(AIBN, Japan)을 전체 수지 조성물 대비 0.01 중량부 투입한 후 온도를 60℃로 상승시킨 후 8시간 동안 반응시켜, 상기 수지 조성물을 분자량이 50만인 고분자 수지로 중합하였다.
이후 상기 하이드록시 에틸아크릴레이트 100중량부에 대해, 90 중량부의MOI(Methacryloyloxyethyl Isocyanate)를 투입하고 25℃에서 24시간 동안 변성반응을 시켜 상기 수지 조성물의 하이드록실기와 MOI의 이소시아네이트(NCO) 를 반응시킨다. 이후 광개시제인 이가큐어 651과, HDI(1.6-Hexamethylene diisocyanate) 경화제를 투입하여 혼합한 후 두께가 38um인 이형 PET 상에 코팅 후 건조하여 두께가20um이 되도록 하였다. 이후 제조된 점착층을 하기 [표5] 및 [표6]의 실시예 및 비교예의 기재필름에 전사하여 40℃로, 3일 숙성을 거쳐 반경화 상태의 반도체용 웨이퍼 표면보호용 점착필름을 제조하였다.
표 5
실시예7 실시예6 실시예9
기재필름 EVA 아크릴필름 아크릴필름
기재형성공정 압출 자외선경화 자외선경화
열경화제 HDI 1.0중량부 1.5중량부 2.0중량부
이가큐어 651 5.0중량부 5.0중량부 5.0중량부
표 6
비교예7 비교예8 비교예9
기재필름 EVA 아크릴필름 아크릴필름
기재형성공정 압출 자외선경화 자외선경화
열경화제 HDI 0.3중량부 0.1중량부 4.5중량부
이가큐어 651 5.0중량부 5.0중량부 5.0중량부
<평가방법>
상기의 [표5], [표6]과 같이 제조된 점착필름을 폭 1인치 길이 10cm로 잘라서 폴리이미드 면에 2kg 롤러로 5회 왕복하여 부착하고, 30분 경과 후 UTM(Universal Testing Machine)으로 박리속도를 300mm/min로 하여 자외선 조사전의 박리력을 측정하였다. 이후 폴리이미드 면에 부착된 상태로 자외선 1500mJ/cm2의 에너지를 조사하여 동일한 방법으로 자외선 조사후의 박리력을 측정하였다. 또한 상기 점착필름들을 자외선 조사전의 상태로 물이 담긴 쟁반에 담가서 24시간 동안 유지시킨 후 수침이 발생하였는지 여부를 관찰하였다. 한편 물에 담겨진 상태의 시편을 꺼내어 상온에서 24시간 방치후 물을 완전히 건조한 후에 다시 자외선을 조사한후 보호필름을 박리하고 폴리이미드 기재 위에 잔사가 남는지 여부를 관찰하여 그 결과를 기록하였다.
아울러, 겔 함량은 상기 기재 필름의 한쪽 표면에 형성된 점착층을 에틸아세테이트에 1일 담근 후 300 메쉬에 걸러서 110℃에서 2시간 건조시킨 후, 무게 감소정도를 통하여 측정하였다.
<평가결과>
하기 [표7] 및 [표8]에서 알 수 있듯이 UV 조사전 박리력이 1200g/in를 초과하는 경우 수침 발생이 없더라도 UV 조사후에 잔사가 남는 결과를 얻게 되었으며,UV 조사전 박리력이 400g/in 미만인 경우 UV 조사후 잔사가 남지 않더라도 수침이발생되는 결과를 얻게 되었다. 아울러, 점착필름의 자외선 조사 후의 박리력은20~200g/in의 범위 내가 가장 적절함을 알 수 있었다. 아울러, 커팅성과 절단성을확보한 기재필름에 한쪽 표면에 형성되어 있는 점착제층의 겔함량이 50~90%의 범위내임을 확인할 수 있었다.
결과적으로, 기재필름의 종류나 인장강도 및 파단신율이 본 발명에서 제한하는 범위내에 있는 경우, 상기 기재필름의 한쪽면에 형성된 점착층을 구성하는 수지조성물이 일정한 겔함량을 유지하고, 이로 인해 형성된 점착필름이 자외선 조사전, 또는 조사 후에 일정범위의 박리력을 가짐으로써, 웨이퍼 가공시에 연삭공정이 원활하게 이루어짐을 알 수 있었다.
표 7
실시예7 실시예8 실시예9
UV조사전 박리력 850g/in 740g/in 550g/in
UV조사후 박리력 110g/in 85g/in 70g/in
수침 없음 없음 없음
잔사 없음 없음 없음
점착제층 겔함량(%) 95 85 80
표 8
비교예7 비교예8 비교예9
UV조사전 박리력 1800g/in 2200g/in 230g/in
UV조사후 박리력 150g/in 180g/in 63g/in
수침 없음 없음 발생
잔사 발생 발생 없음
점착제층 겔함량(%) 40 68 38

Claims (9)

  1. 기재 필름의 한쪽 표면에 점착층이 형성된 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름으로서, 상기 기재필름의 인장강도가 2~10kg/mm2 파단신율이 50~200% 이고, 상기 점착층의 겔 함량이 80%이상 인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 점착필름은 자외선 조사전 박리력이 자외선 조사후의 박리력보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 점착필름의 자외선 조사전 박리력은 400~1200g/in, 자외선 조사후 박리력은 20~200g/in인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름이 폴리비닐클로라이드 필름, 폴리우레탄 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 필름으로이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기재필름 인 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 표면보호용 점착필름.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름의 두께가 50~300㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름.
  6. 기재필름을 형성하는 공정;
    상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정;
    상기 기재필름의 한쪽 표면에 점착층을 형성하는 공정; 및
    상기 점착층을 형성한 기재필름을 자외선(UV) 경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착 필름의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 기재필름의 인장강도 및 파단신율을 제어하는 공정은 상기 기재필름의 인장강도를 2~10kg/mm2, 파단신율을 50~200%으로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 기재필름의 한쪽 면에 점착층을 형성하는 공정은 롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법 및 다이코터법 중 어느 하나를 선택하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면보호용 점착필름의 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 점착필름은 자외선 조사전 박리력은 400~1200g/in, 자외선 조사후 박리력은 20~200g/in인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면보호용 점착필름의 제조방법.
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