TWI668287B

TWI668287B - Adhesive sheet

Info

Publication number: TWI668287B
Application number: TW104109384A
Authority: TW
Inventors: 山下茂之; 宮永朋治
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2014-03-26
Filing date: 2015-03-24
Publication date: 2019-08-11
Also published as: TW201608003A; KR20150111864A; KR102376559B1; JP6334223B2; JP2015183169A

Abstract

本發明係關於一種黏著薄片，其為使用於於板狀構件照射雷射光形成改質部，分割前述板狀構件使其晶片化時的黏著薄片，其為具備基材與設置於前述基材的一面之黏著劑層，前述基材係由含有作為主成分的丙烯酸共聚物(A)之丙烯酸薄膜所成者，該丙烯酸共聚物(A)為烷基之碳數為4~8的烷基(甲基)丙烯酸酯(a)、與烷基之碳數為1~3的烷基(甲基)丙烯酸酯(b)的共聚物。

Description

黏著薄片

本發明係關於使用於對於板狀構件照射雷射光而形成改質部，將板狀構件分割使其晶片化的黏著薄片、及使用該黏著薄片之晶片狀構件的製造方法。

過去作為1種切割法，已知有以雷射光進行內部加工，藉由之後的擴展而分割半導體晶圓的方法，具體可舉出Hamamatsu Photonics公司所提出的隱形切割等。在如此方法中，具體為於半導體晶圓藉由雷射光沿著切割線形成改質部後，使貼合於半導體晶圓之黏著薄片擴展後，將改質部作為起點進行半導體晶圓之分割(切割)而製造半導體晶片。

在上述分割方法中，於分割晶片之間所產生的所謂割縫(kerf)之間隙僅藉由擴展而產生，故作為黏著薄片，使晶片間隔能充分擴張之具有高擴展性者為必需。又，雷射光因隔著黏著薄片而照射於晶圓，故可望為於黏著薄片具有高透過性者。過去，欲滿足這些要求特性，作為使用於上述分割方法之黏著薄片的基材，廣泛使用聚氯乙烯(PVC)薄膜(例如，參照專利文獻1、2)。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2011-119548號公報

[專利文獻2]特開2009-272611號公報

然而，近年來由減輕環境負荷之觀點來看，雖為無鹵素，但可望具有與PVC同程度之高擴展性、高透過性之基材的開發。又，在上述分割方法中，藉由擴展黏著薄片，於黏著薄片之外周部分會產生鬆弛現像。該鬆弛現像因在之後的步驟中造成搬送性等惡化的要因，故經加熱後收縮者為佳，可望該收縮可均勻地進行。

本發明為有鑑於以上問題點所成者，本發明之課題為提供一種環境負荷低，且具有優良擴展性、透過性、及熱收縮性之黏著薄片。

本發明者們經過詳細檢討結果，發現即使使用環境負荷比較低的丙烯酸薄膜作為基材時，將烷基碳數比較大的烷基(甲基)丙烯酸酯與烷基碳數比較小的烷基(甲基)丙烯酸酯作為構成單體之丙烯酸共聚物作為主成分時可解決上述課題，而完成以下本發明。

(1)一種黏著薄片，其特徵為使用於於板狀構件照射雷射光形成改質部，分割前述板狀構件使其晶片化時的黏著薄片，其為具備基材與設置於前述基材的一面之黏著劑層，前述基材係由含有作為主成分的丙烯酸共聚物(A)之丙烯酸薄膜所成者，該丙烯酸共聚物(A)為烷基之碳數為4~8的烷基(甲基)丙烯酸酯(a)、與烷基之碳數為1~3的烷基(甲基)丙烯酸酯(b)的共聚物。

(2)如(1)之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A)為將烷基(甲基)丙烯酸酯(a)與烷基(甲基)丙烯酸酯(b)以質量比10：90~40：60進行共聚合者。

(3)如(1)或(2)之黏著薄片，其中前述丙烯酸共聚物(A)為無規共聚物。

4.如請求項1~3中任一項之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A)為混合重量平均分子量為60萬以上之丙烯酸共聚物(A1)、與重量平均分子量為40萬以下之丙烯酸共聚物(A2)而得者。

(5)如(4)之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A1)與丙烯酸共聚物(A2)之混合比率以質量比表示為5：95~35：65。

(6)如(1)~(5)中任一項之黏著薄片，其中烷基(甲基)丙烯酸酯(a)為烷基的碳數為4~8之烷基丙烯酸酯的同時，烷基(甲基)丙烯酸酯(b)為烷基的碳數為1~3之烷基甲基丙烯酸酯。

(7)如(6)之黏著薄片，其中烷基(甲基)丙烯酸酯(a)為丁基丙烯酸酯，烷基(甲基)丙烯酸酯(b)為甲基甲基丙烯酸酯。

(8)如(1)~(7)中任一項之黏著薄片，其中前述基材的楊氏模率為50~500MPa。

(9)如(1)~(8)中任一項之黏著薄片，其中與前述基材的一面為反側的面之中心線平均粗度Ra為0.1μm以下。

(10)如(1)~(9)中任一項之黏著薄片，其中前述基材的一面的中心線平均粗度Ra為0.15μm以上。

(11)如(1)~(10)中任一項之黏著薄片，其中全光線透過率為85%以上，HAZE為7%以下。

(12)如(1)~(11)中任一項之黏著薄片，其中前述黏著劑層係由丙烯酸系黏著劑所形成。

(13)一種晶片狀構件之製造方法，其特徵為具備下述步驟者；於板狀構件的一面上，貼合如(1)~(12)中任一項之黏著薄片的步驟、隔著貼合於前述板狀構件之黏著薄片，於前述板狀構件照射雷射光而形成改質部之步驟、藉由前述黏著薄片之擴展，分割前述板狀構件而晶片化後得到晶片狀構件之步驟。

(14)如(13)之晶片狀構件之製造方法，其中進一步具備前述晶片狀構件貼合於黏著薄片之中央區域，將前述中央區域之外側區域的黏著薄片之外周區域進行加熱使其收縮的步驟。

本發明為提供一種環境負荷為低、擴展性、透過性、及熱收縮性優良的黏著薄片。

10‧‧‧黏著薄片

10A‧‧‧中央區域

10B‧‧‧周緣部

10C‧‧‧外周區域

11‧‧‧基材

12‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧環圈框架

14‧‧‧半導體晶圓(板狀構件)

15‧‧‧雷射光源

16‧‧‧改質部

18‧‧‧半導體晶片

20‧‧‧夾具

[圖1]表示本發明之黏著薄片的結構模式截面圖。

[圖2]表示使用本發明之黏著薄片製造晶片構件之方法的模式截面圖，其中表示於半導體晶圓設置改質部的步驟。

[圖3]表示使用本發明之黏著薄片製造晶片構件之方法的模式截面圖，其中表示黏著薄片經擴展之步驟。

以下對於本發明使用實施形態做詳細說明。且，以下記載中，「重量平均分子量(Mw)」表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值，具體為依據實施例所記載的方法經測定之值。又，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之雙方意思，其他類似用語亦相同。

〔黏著薄片〕

如圖1所示，本發明之黏著薄片10為，具備基材11與設置於基材11的一面之黏著劑層12，於板狀構件照射雷射光形成改質部，分割該板狀構件使其晶片化的方法中，其為貼合於半導體晶圓等板狀構件而使用的黏著薄片。以下對於各構件之構成做詳細說明。

〔基材〕

基材為含有以下丙烯酸共聚物(A)作為主成分的丙烯酸薄膜，該丙烯酸共聚物(A)為烷基碳數4~8之烷基(甲基)丙烯酸酯(a)、與烷基碳數1~3之烷基(甲基)丙烯酸酯(b)的共聚物。

本發明中，丙烯酸共聚物(A)為含有烷基碳數比較大之(a)成分與烷基碳數比較小之(b)成分作為構成單體，基材為不會表現表面黏著性下具有良好伸展性，故其為具有無產生阻塞下具有優良擴展性者。又，本發明之基材因將丙烯酸共聚物作為主成分而具有優良雷射透過性，且藉由加熱之收縮均勻性良好，故即使施予如後述之加熱收縮亦不會產生皺折。

欲使基材無表現表面黏著性而具有優良伸展性，上述(a)成分以烷基丙烯酸酯者為佳，又(b)成分以烷基甲基丙烯酸酯為佳。又，由同樣觀點來看，(a)成分中之烷基碳數以4~6為佳，以4為較佳。另一方面，(b)成分中之烷基碳數以1或2為佳，以1為較佳。

作為本發明可使用的(a)成分，具體可舉出丁基(甲基)丙烯酸酯、戊基(甲基)丙烯酸酯、己基(甲基)丙烯酸酯、庚基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸酯等，這些可為直鏈亦可為分支。又，這些之中以丁基(甲基)丙烯酸酯為佳，以丁基丙烯酸酯為較佳。作為(b)成分，可舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯，彼等中亦以甲基甲基丙烯酸酯、乙基甲基丙烯酸酯為佳，以甲基甲基丙烯酸酯為較佳。

丙烯酸共聚物(A)係以(a)成分與(b)成分以質量比10：90~40：60共聚合者為佳。若使質量比(以下亦稱為「質量比(a：b)」)在上述範圍內時，於基材不會表現表面黏著性，更容易成為適合伸展性者。由如此觀點來看，質量比(a：b)以15：85~30：70者為較佳。

又，因欲使楊氏模量容易成為適當值，質量比(a：b)以15：85~25：75者為更佳。

丙烯酸共聚物(A)可採用無規共聚物、嵌段共聚物、交互共聚物等種種結構，以無規共聚物為佳。丙烯酸共聚物(A)若為無規共聚物時，對於熔融物之固化段階，考慮為因構造變化所引起的步驟失敗(例如所得到的膜上產生皺折，無法得到平滑薄膜等)比嵌段共聚物更難產生，可使藉由押出成形法等熔融成形之製膜變的容易。又，丙烯酸共聚物(A)若為無規共聚物時，與交互共聚物相比較容易合成。

無規共聚物若為以上述(a)成分與(b)成分以無規方式共聚合者即可，例如可舉出藉由各種自由基聚合法進行聚合者。作為自由基聚合法，可舉出溶液聚合、懸浮聚合、乳化聚合等。又，作為於自由基聚合物所使用之聚合起始劑，可舉出偶氮化合物、過氧化物等種種氧化還原起始劑等。

丙烯酸共聚物(A)係以混合重量平均分子量為60萬以上之丙烯酸共聚物(A1)與重量平均分子量為40萬以下之丙烯酸共聚物(A2)者為佳。本發明中，將如此相對性分子量高的共聚物與相對性分子量低之共聚物進行混合時，可提高薄膜之保形性的同時，對於薄膜可容易賦予適度伸展性。

由這些觀點來看，丙烯酸共聚物(A1)的重量平均分子量為80萬~130萬之同時，丙烯酸共聚物(A2)的重量平均分子量以1萬~20萬者為較佳，丙烯酸共聚物(A1)的重量平均分子量為90萬~110萬之同時，丙烯酸共聚物(A2)的重量平均分子量為3萬~8萬時為更佳。

且，丙烯酸共聚物(A1)及丙烯酸共聚物(A2)各若為上述丙烯酸共聚物(A)，構成丙烯酸共聚物(A1)之單體組成(構成單體之種類與各單體之質量比)可與構成丙烯酸共聚物(A2)之單體組成相同或亦可相異。

丙烯酸共聚物(A1)與丙烯酸共聚物(A2) 之混合比率(A1：A2)在質量基準下以5：95~35：65為佳，以5：95~25：75為較佳。本發明中，使混合比率在此範圍下時，可使保形性良好下基材之伸展性亦良好。

混合比率(A1：A2)在欲使楊氏模量容易成為適當值時，以8：92~15：85為更佳，特別將混合比率(A1：A2)為8：92~15：85下，使上述質量比(a：b)為15：85~25：75時為最佳。

丙烯酸共聚物(A)可為僅將上述(a)及(b)成分作為構成單位者，亦可不損害本發明之效果下，將上述(a)成分、(b)成分與(a)及(b)成分以外的其他單體進行共聚合者。其他單體一般為丙烯酸共聚物(A)之構成單體中的20質量%以下，較佳為5質量%以下。作為其他單體，例如可舉出烷基碳數與(a)及(b)成分之碳數相異的烷基(甲基)丙烯酸酯；具有羥基、羧基、胺基等(甲基)丙烯酸酯；乙酸乙烯酯；苯乙烯；丙烯醯基等。

基材以楊氏模量為50~500MPa者為佳。將楊氏模量設定在此範圍時，可維持良好伸展性下，提高基材之機械強度，形成黏著劑層時的步驟適性會良好。例如將成為基材之丙烯酸薄膜組裝於塗布機時，可防止施予張力時的丙烯酸薄膜的不經意延伸。

上述楊氏模量由不容易產生阻塞等，且提高機械強度下可使擴展性更為良好之觀點來看，以60~450MPa為較佳，以100~420MPa為更佳，以150~300MPa為進一步更佳。

對於設置基材的黏著劑層之面(第1面)的反面(第2面)，其中心線平均粗糙度Ra以、0.1μm以下為佳。將未設置黏著劑層之側的基材表面變的平滑下，提高黏著薄片之光線透過性，藉由雷射照射可良好精度下形成後述改質部。又，第2面之中心線平均粗糙度Ra雖無特別限定，通常為0.02μm以上較佳為0.05μm以上。

又，設置於基材黏著劑層之側面(第1面)的中心線平均粗糙度Ra以0.15μm以上者為佳，以0.25μm以上者為較佳。又，第1面之中心線平均粗糙度Ra雖無特別限定，通常為3.0μm以下，較佳為1.0μm以下。

第1面因具有以上平均粗糙度，即使將第2面作為平滑面，可防止捲取丙烯酸薄膜時的阻塞。且即使基材之黏著劑層側的表面可具有粗凹凸，藉由層合黏著劑層，因於界面中之光擴散被減低，對於黏著薄片之光線透過性的影響較為小。

基材厚度較佳為40~200μm，更佳為50~150μm之範圍。

基材以不損害本發明之目的的範圍下，可近一步含有滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、加工助劑、填充劑、帶電防止劑、安定劑、抗菌劑、難燃劑、顏料或染料等著色劑等各種添加劑。又，基材為作為樹脂成分僅由丙烯酸共聚物(A)所成者為佳，但丙烯酸共聚物(A) 以外的樹脂成分可視必要下含有。基材雖以丙烯酸聚合物(A)作為主成分者即可，通常含有丙烯酸共聚物(A)80質量%以上，較佳為含有90質量%以上，更佳為含有95質量%以上。

本發明之基材(丙烯酸薄膜)之成形方法雖無特別限定，可舉出使用膨脹法、T型模等押出成形、壓延成型等，彼等之中亦以押出成形為佳。又，欲得到上述中心線平均粗糙度Ra，例如可將押出薄膜經壓花輥進行壓付下可適宜地調整基材表面狀態即可。

〔黏著劑層〕

黏著劑層為由各種黏著劑所形成，故作為該黏著劑，雖無特別限定，例如可使用橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚等黏著劑，這些之中亦以丙烯酸系黏著劑為佳。使用丙烯酸系黏著劑時，因黏著劑為基材與同種聚合物所構成，故可使基材與黏著劑層之折射率相近。藉此，可容易防止在基材與黏著劑層之界面的雷射光反射。

又，對於黏著劑亦可使用能量線硬化型或加熱發泡型、水膨潤型之黏著劑。作為能量線硬化(紫外線硬化、電子線硬化等)型黏著劑，特別以使用紫外線硬化型黏著劑者為佳。藉由使用能量線硬化型黏著劑，在黏著薄片貼合於半導體晶圓或半導體晶片等被黏物的狀態下，確實地可保持或保護被黏物。另一方面，藉由拾取等將晶片自黏著薄片進行剝離時，藉由照射能量線使黏著劑層的黏著力降低，不會對晶片造成傷害，且於晶片上不會殘留黏著劑，可使黏著薄片自晶片剝離。

構成黏著劑層之黏著劑組成物其除使用於賦予黏著性的黏著成分，欲改善各種物性，視必要可含有交聯劑等其他成分。作為交聯劑，可舉出有機多價異氰酸酯化合物、有機多價環氧化合物、有機多價亞胺化合物等。又，將黏著劑層以能量線硬化型黏著劑形成時，使用添加能量線硬化型黏著成分與視必要的光聚合起始劑之黏著劑組成物，進而形成黏著劑層為佳。

以下，對於作為黏著劑使用丙烯酸系黏著劑之情況的例子做具體說明。作為黏著劑使用丙烯酸系黏著劑時，黏著劑組成物因賦予充分黏著性及造膜性(薄片加工性)，故作為黏著成分含有丙烯酸聚合物(X)。作為丙烯酸聚合物(X)，可使用作為黏著劑使用的過去已知的丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物(X)之重量平均分子量(Mw)以1萬~200萬為佳，以10萬~150萬為較佳。

作為構成上述丙烯酸聚合物(X)之單體，可舉出(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。例如為烷基碳數為1~18之烷基(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等；具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出環烷基(甲基)丙烯酸酯、苯甲基(甲基)丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、二環戊基丙烯酸酯、二環戊烯基丙烯酸酯、二環戊烯基氧基乙基丙烯酸酯、醯亞胺丙烯酸酯等；可舉出具有羥基之2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等，可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、縮水甘油基甲基丙烯酸酯、縮水甘油基丙烯酸酯等。又，上述丙烯酸聚合物(X)可為乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等經共聚合之丙烯酸共聚物。

又，丙烯酸系黏著劑為能量線硬化型黏著劑時，能量線硬化型黏著成分除丙烯酸聚合物(X)以外，進一部可含有能量線硬化性化合物(Y)。能量線硬化性化合物(Y)為含有能量線聚合性基，接受紫外線、電子線等能量線之照射而進行聚合硬化後，具有降低黏著劑組成物之黏著力的功能者。又，作為能量線硬化型黏著成分，作為兼具上述(X)及(Y)成分之性質者，可使用於主鏈或側鏈上鍵結能量線聚合性基所成的能量線硬化型黏著性聚合物(以下有時記載為(XY)成分)。如此能量線硬化型黏著性聚合物(XY)具有兼備黏著性與能量線硬化性之性質。

能量線硬化性化合物(Y)係為接受紫外線、電子線等能量線照射而進行聚合硬化的化合物。作為該能量線聚合性化合物之例子，可舉出具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能、多官能之單體及寡聚物)，具體可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、 1,6-已二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯等之環狀脂肪族骨架含有丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。如此化合物為於分子內具有至少1個聚合性雙鍵，通常分子量或重量平均分子量(Mw)為100~30000，以300~10000程度為佳。一般對於(X)成分100質量份，(Y)成分為10~400質量份，較佳為使用30~350質量份程度之比例。

兼備上述(X)及(Y)成分性質之能量線硬化型黏著性聚合物(XY)為，於主鏈或側鏈上結合能量線聚合性基而成。能量線硬化型黏著性聚合物(XY)之主骨架並無特別限定，可為與作為黏著劑而泛用之上述丙烯酸共聚物相同者。

結合於能量線硬化型黏著性聚合物之主鏈或側鏈上的能量線聚合性基，例如為含有能量線聚合性碳-碳雙鍵之基，具體可例示出(甲基)丙烯醯基等。能量線聚合性基可隔著伸烷基、伸烷基氧基、聚伸烷基氧基結合於能量線硬化型黏著性聚合物。

能量線聚合性基所結合之能量線硬化型黏著性聚合物(XY)的重量平均分子量(Mw)以1萬~200萬為佳，以10萬~150萬為較佳。

能量線硬化型黏著性聚合物(XY)，例如由將含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之丙烯酸黏著性聚合物與以下含有聚合性基之化合物進行反應而得，該含有聚合性基之化合物係由將與該官能基進行反應之取代基，與每1分子中具有1~5個能量線聚合性碳-碳雙鍵之聚合性基含有化合物進行反應而得者。丙烯酸黏著性聚合物係由具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之(甲基)丙烯酸酯單體或構成含有該衍生物之(X)成分的單體所成的共聚物為佳。作為含有聚合性基之化合物，可舉出(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、對-異丙烯基-α,α-二甲基苯甲基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸等。

含有如上述之丙烯酸聚合物(X)及能量線硬化性化合物(Y)、或能量線硬化型黏著性聚合物(XY)的能量線硬化型黏著成分為藉由能量線照射可硬化者。作為能量線，具體可使用紫外線、電子線等。

作為光聚合起始劑，可舉出安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等光起始劑、胺或醌等光增感劑等，具體可例示出1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苯甲基二苯基硫化物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、二苯甲基、二乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。作為能量線使用紫外線時，藉由添加光聚合起始劑可使照射時間、照射量減少。

黏著劑層之厚度並無特別限定，以1~20μm為佳，較佳為2~15μm，更佳為3~10μm之範圍。若黏著劑層之厚度在上述範圍時，可保持良好半導體晶圓，在擴展時可防止晶片或環圈框架之脫落。又，黏著劑層之厚度若在上述範圍時，可良好地進行半導體晶片之拾取步驟。

本發明之黏著薄片以全光線透過率85%以上、HAZE7%以下者為佳，以透過率90%以上、HAZE6%以下者為較佳。若黏著薄片在如此透過率時，因具有HAZE，故即使隔著黏著薄片以雷射光照射半導體晶圓等，可使藉由破壞改質部的加工性變良好。

又，於黏著劑層在使用前欲保護黏著劑層可層合剝離薄片。剝離薄片並無特別限定，例如可使用由聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯等樹脂所成的薄膜或彼等發泡薄膜或格拉辛紙、塗佈紙、層合紙等紙上以聚矽氧系、氟系、含有長鏈烷基之胺基甲酸酯等剝離劑進行剝離處理者。

於基材的一面上設置黏著劑層的方法，可為將於剝離薄片上塗布至所定膜厚而形成之黏著劑層轉印製基材表面，亦可於基材表面上直接塗佈而形成黏著劑層。

〔晶片狀構件之製造方法〕

其次，對於使用本發明之黏著薄片製造晶片狀構件之方法做說明。晶片狀構件之製造方法為具備於板狀構件之一面上，貼合上述黏著薄片之步驟、隔著貼合於板狀構件之黏著薄片，於板狀構件照射雷射光而形成改質部之步驟、藉由黏著薄片之擴展，分割板狀構件而晶片化後得到晶片狀構件之步驟。

以下對於本製造方法，其中板狀構件為半導體晶圓，將製造半導體晶片時的一例子參照圖2、3做詳細說明。

首先，於半導體晶圓14之表面上形成回路。半導體晶圓14可為矽晶圓，亦可為鎵．砒素等晶圓。對於晶圓表面之回路的形成可使用含有蝕刻法、提離法等過去泛用的方法之種種方法進行。晶圓14之研削前厚度並無特別限定，通常為500~1000μm程度。

其次，將半導體晶圓14之裏面進行研削。於裏面研削時欲保護表面之回路，於回路面可貼合過去公知之黏著膠帶所構成之表面保護薄片。裏面研削為將晶圓14之回路面側(即表面保護薄片側)藉由夾盤桌等固定後，將未形成回路之裏面側藉由粉碎機進行研削。該結果為研削後之半導體晶圓14的厚度並無特別限定，通常為50~200μm程度。裏面研削步驟之後，可進行除去藉由研削所生成之破碎層的步驟。

接著裏面研削步驟之後，視必要於裏面可施予伴著蝕刻處理等發熱的加工處理，或對裏面之金屬膜蒸鍍、如有機膜之燒刻高溫下進行之處理。且進行在高溫之處理時，通常將表面保護薄片剝離後進行對裏面之處理。

裏面研削後，於晶圓14之裏面將本發明的黏著薄片10隔著黏著劑層12進行貼合。且，在表面保護薄片貼合於晶圓表面之情況為，於黏著薄片10之貼合前或貼合後剝離表面保護薄片。對於黏著薄片10之晶圓裏面的貼合為，藉由稱為貼片機之裝置進行為一般，並無特別限定。通常半導體晶圓14為如圖2所示，貼合於黏著薄片10之中央區域10A，該中央區域10A之外側的外周區域10C之周緣部10B上貼合環圈框架13。環圈框架為支持後述各步驟中之黏著薄片者。

其次，如圖2所示，自黏著薄片10之基材11側隔著黏著薄片10，於晶圓14照射雷射光。照射雷射光之雷射光源15係為可產生合併波長及位相之光的裝置，作為雷射光之種類，可舉出產生脈衝雷射光之Nd-YAG雷射、Nd-YVO雷射、Nd-YLF雷射、鈦藍寶石雷射等引起多光子吸收者。雷射光之波長以800~1100nm為佳，以1064nm為更佳。

雷射光照射於晶圓內部，沿著切斷預定線，於晶圓內部形成改質部16。對於其中一切斷預定線以雷射光掃描的次數可為1次亦可為數次。較佳為監控雷射光之照射位置與回路間之切斷預定線的位置，一邊進行雷射光位置之合併一邊進行雷射光之照射。

藉由雷射光照射於晶圓內部形成改質部16後進行擴展。擴展並無特別限定，通常為自黏著薄片10之中心賦予向著面方向外側之拉力而進行者。更具體為，如圖3所示，可舉出安裝有複數半導體晶片之黏著薄片10 的中央區域10A、與於環圈框架13被支持之周緣部10B之間的區域之外周區域10C的一部份上，例如設置筒狀夾具20，將周緣部10B往向著重力方向進行拉伸使其降下的方法。

藉由該黏著薄片10之擴展，半導體晶圓11為將晶圓內部之改質部16作為起點切斷分離為各晶片18。又，可與擴展同時，將黏著薄片10自基材11側，使用夾具等進行刮擦，將晶圓10切斷分離成晶片18。擴展係以5~600mm/分之速度進行為佳。

其後，將往重力方向下降的周緣部10B上昇至恢復至原來位置之同時，將外周區域10C(更具體為周緣部10B與中央區域10A之間的區域)藉由未圖示之加熱手段進行加熱後，將對應該加熱區域的部分之黏著薄片經加熱收縮。藉由此步驟，可防止外周區域10C之鬆弛，貼合半導體晶片18之黏著薄片10被搬運至拾取裝置等時的搬送性不會下降。

其後，各晶片18藉由拾取裝置進行拾取，經由黏接步驟製造出半導體裝置。且，將黏著劑層12以能量線硬化型黏著劑形成時，於拾取步驟之前，欲使黏著劑之黏著力降低使晶片18的剝離更容易進行時照射能量線為佳。

以上對於本發明之黏著薄片的使用例做說明，但本發明之黏著薄片可使用於半導體晶圓以外，亦可使用於玻璃基板、陶瓷基板、FPC等有機材料基板、或將精密零件等金屬材料等種種板狀構件經切割後得到各種晶片狀構件之方法。

[實施例]

以下依據實施例對本發明做更詳細說明，但本發明並未受到這些例子的限制。

本發明中之測定方法、評估方法如以下所示。

〔重量平均分子量(Mw)〕

對於使用於基材之丙烯酸共聚物，可藉由以下條件進行測定。

裝置：Tosoh公司製HLC-8121GPC/HT

管柱：Shodex GPC HT-806M×2

烤箱溫度：135℃

溶離液：二氯苯

又，對於使用於黏著劑組成物之丙烯酸聚合物，可藉由以下條件進行測定。

使用凝膠滲透層析法裝置(Tosoh公司股份有限公司製，製品名「HLC-8020」)，以下述條件下進行測定，使用標準聚苯乙烯換算所測定之值。

(測定條件)

．管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(皆為Tosoh公司股份有限公司製)

．管柱溫度：40℃

．展開溶劑：四氫呋喃

．流速：1.0mL/min

〔楊氏模量評估〕

使用萬能型拉伸試驗機(Orientec公司製TENSILONRTA-T-2M)，對於23℃ 50RH%環境下，以寬15mm、夾具間長度100mm之拉伸速度200mm/分下測定基材之拉伸強度及延伸，藉此得到楊氏模量。

〔透過率評估〕

依據JIS 7361-1：1997，使用HAZE METER(日本電色工業公司製NDH-5000)測定黏著薄片之全光線透過率。

〔HAZE評估〕

依據JIS 7136：2000，使用HAZE METER(日本電色工業公司製NDH-5000)測定黏著薄片之HAZE。

〔中心線平均粗糙度Ra〕

中心線平均粗糙度Ra為使用股份有限公司三豐製SV-3000S4依據JIS B-6001進行測定。

〔分割適性評估〕

於黏著薄片貼合矽晶圓及環圈框架，以下述分割條件下，隔著黏著薄片照射雷射後於晶圓內部形成改質部。

(分割條件)

雷射：Nd-YAG、波長：1064nm、重複頻率數：100kHz

脈衝幅：30nm、加工速度：100mm/分、

矽晶圓：直徑200mm 、厚度10μm晶片尺寸：5mm×5mm

其後，使用擴展裝置(JCM製ME-300B)，以拉落量25mm拉落黏著薄片之周緣部並進行擴展後使矽晶圓個片化。

(加工性評估)

經個片化之晶片的截面使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-1000)進行觀察，在一定間隔下，藉由雷射所形成的改質部為直線狀時評估為“A”，改質部之間隔為不均勻或連接改質部之線非直線時評估為“E”。

(擴展性評估)

又，將如上述之經個片化的晶片轉印製轉印薄片，以數位顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-1000)測定晶片間隔。晶片間隔為測定之任意9點所算出的平均值。

(熱收縮性(HS性)評估)

轉印晶片後，將成品(即貼合於環圈框架之黏著薄片)於加熱至50℃之加熱板(加熱面鐵製)上放置30秒，當黏著薄片之鬆弛完全解除時評估為“A”，鬆弛未解除或產生皺折時評估為“E”。

〔實施例1〕 (黏著劑組成物之製作)

添加丙烯酸聚合物(構成單體比：丁基丙烯酸酯/丙烯酸=90/10(質量比)、重量平均分子量：60萬，以溶劑稀釋之濃度34質量%的稀釋液)34質量份、能量線聚合性化合物(6官能丙烯酸酯寡聚物，Mw=2000，以溶劑稀釋之濃度90質量%的稀釋液)30質量份、光聚合起始劑(BASF公司製「Irgacure184」)0.1質量份、環氧系交聯劑(TETRAD-C三菱氣體化學製)0.04質量份(皆為固體成分換算之份數)，以溶劑稀釋後得到黏著劑組成物。

(基材之製作)

將丁基丙烯酸酯(BA)與甲基甲基丙烯酸酯(MAA)以30：70之質量比下進行無規共聚合，各製作出重量平均分子量100萬之丙烯酸共聚物(A1)與重量平均分子量5萬之丙烯酸聚合物(A2)，將這些以混合比率 10：90之比例下進行混合者，經押出成型而製膜下壓至壓花輥，得到厚度80μm之丙烯酸薄膜。該丙烯酸薄膜的一面(第1面)之中心線平均粗糙度Ra為0.281μm，另一面(第2面)之中心線平均粗糙度Ra為0.084μm。

(黏著薄片之製作)

將上述製作之黏著劑組成物塗布至剝離薄膜(SP-PET381031、Lintec Corporation製)上至乾燥後的厚度成為5μm，在80℃下進行1分鐘乾燥所形成之黏著劑層貼合於作為基材之丙烯酸薄膜，得到附有剝離薄片之黏著薄片。且，黏著劑層之貼合對第1面進行。

〔實施例2〕

對於基材，除變更為將丁基丙烯酸酯與甲基甲基丙烯酸酯以30：70的質量比進行無規共聚合後得到重量平均分子量100萬之丙烯酸共聚物(A1)、與重量平均分子量5萬之丙烯酸共聚物(A2)以質量比20：80的比例下混合，將該混合物藉由押出成型進行製膜後得到厚度80μm之丙烯酸薄膜的點以外，實施與實施例1之相同方法。

〔實施例3〕

對於基材，除變更為將丁基丙烯酸酯與甲基甲基丙烯酸酯以20：80的質量比進行無規共聚合所得之重量平均分子量100萬的丙烯酸共聚物(A1)與重量平均分子量5 萬的丙烯酸共聚物(A2)以質量比10：90的比例下混合，將該混合物藉由押出成型進行製膜後所得之厚度80μm的丙烯酸薄膜之點以外，實施與實施例1之相同方法。

〔實施例4〕

對於基材，除變更為將丁基丙烯酸酯與甲基甲基丙烯酸酯以20：80的質量比進行無規共聚合所得之重量平均分子量100萬的丙烯酸共聚物(A1)與重量平均分子量5萬的丙烯酸共聚物(A2)以質量比20：80的比例下混合，將該混合物藉由押出成型進行製膜後所得之厚度80μm的丙烯酸薄膜之點以外，實施與實施例1之相同方法。

〔比較例1〕

對於丙烯酸薄膜，除變更為構成單體比為伸乙基/甲基丙烯酸=91/9(質量比)之厚度80μm的EMAA(伸乙基甲基丙烯酸共聚物樹脂)薄膜之點以外，實施與實施例1之相同方法。

〔比較例2〕

對於丙烯酸薄膜，除變更為EVA(伸乙基乙酸乙烯基共聚物樹脂)薄膜(郡是股份有限公司製「Fan ClaireLEB」、厚度120μm)之點以外，實施與實施例1 之相同方法。

〔比較例3〕

將實施例1的丙烯酸薄膜變更為PVC薄膜(二乙基己基鄰苯二甲酸酯添加量25質量%，厚度80μm)之點以外，實施與實施例1之相同方法。

〔比較例4〕

將實施例1的丙烯酸薄膜變更為厚度80μm之PP(聚丙烯)薄膜之點以外，實施與實施例1之相同方法。

對於以上的實施例及比較例之基材、黏著薄片的測定結果、及評估結果如表1所示。

由以上實施例1~4得知，藉由將基材由烷基碳數為4~8之烷基(甲基)丙烯酸酯(a)，與烷基碳數為1~3之烷基(甲基)丙烯酸酯(b)的共聚物之丙烯酸共聚物(A)所構成，基材之伸展性及熱收縮性變的良好。因此，藉由擴展可使晶片間隔變的充分廣，可適切地解除藉由熱收縮之擴展所產生之鬆弛。又，基材由丙烯酸共聚物(A)所構成時，可使透過率或HAZE變為良好值，故藉由雷射加工可高精度下形成改質部。且基材的楊氏模量為適切值，具有優良機械強度與耐阻塞性。

另一方面，於基材使用丙烯酸共聚物(A)以外之比較例1~4中，基材的擴展性、熱收縮性、雷射透過性中任一項皆非良好者，於板狀構件照射雷射光形成改質部，分割板狀構件使其晶片化時所使用的黏著薄片並未能發揮其優良性能。

Claims

一種黏著薄片，其特徵為使用於於板狀構件照射雷射光形成改質部，分割前述板狀構件使其晶片化時的黏著薄片，其為具備基材與設置於前述基材的一面之黏著劑層，前述基材係由含有作為主成分的丙烯酸共聚物(A)之丙烯酸薄膜所成者，該丙烯酸共聚物(A)為烷基之碳數為4~8的烷基(甲基)丙烯酸酯(a)，與烷基之碳數為1~3的烷基(甲基)丙烯酸酯(b)的共聚物。
如請求項1之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A)為將烷基(甲基)丙烯酸酯(a)與烷基(甲基)丙烯酸酯(b)以質量比10：90~40：60進行共聚合者。
如請求項1或2之黏著薄片，其中前述丙烯酸共聚物(A)為無規共聚物。
如請求項1或2之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A)為混合重量平均分子量為60萬以上之丙烯酸共聚物(A1)，與重量平均分子量為40萬以下之丙烯酸共聚物(A2)而得者。
如請求項4之黏著薄片，其中丙烯酸共聚物(A1)與丙烯酸共聚物(A2)之混合比率以質量比表示為5：95~35：65。
如請求項1或2之黏著薄片，其中烷基(甲基)丙烯酸酯(a)為烷基的碳數為4~8之烷基丙烯酸酯的同時，烷基(甲基)丙烯酸酯(b)為烷基的碳數為1~3之烷基甲基丙烯酸酯。
如請求項6之黏著薄片，其中烷基(甲基)丙烯酸酯(a)為丁基丙烯酸酯，烷基(甲基)丙烯酸酯(b)為甲基甲基丙烯酸酯。
如請求項1或2之黏著薄片，其中前述基材的楊氏模率為50~500MPa。
如請求項1或2之黏著薄片，其中與前述基材的一面為反側的面之中心線平均粗度Ra為0.1μm以下。
如請求項1或2之黏著薄片，其中前述基材的一面的中心線平均粗度Ra為0.15μm以上。
如請求項1或2之黏著薄片，其中全光線透過率為85%以上，HAZE為7%以下。
如請求項1或2之黏著薄片，其中前述黏著劑層係由丙烯酸系黏著劑所形成。
一種晶片狀構件之製造方法，其特徵為具備下述步驟者：於板狀構件的一面上，貼合如請求項1~12中任一項之黏著薄片的步驟；隔著貼合於前述板狀構件之黏著薄片，於前述板狀構件照射雷射光而形成改質部之步驟；藉由前述黏著薄片之擴展，分割前述板狀構件而晶片化後得到晶片狀構件之步驟。
如請求項13之晶片狀構件之製造方法，其中進一步具備前述晶片狀構件貼合於黏著薄片之中央區域，將前述中央區域之外側區域的黏著薄片之外周區域進行加熱使其收縮的步驟。