JP6812213B2 - シート、テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、シートと、テープと、半導体装置の製造方法とに関する。

近年、フリップチップ実装の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ実装の半導体装置は、半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で半導体チップが基板に固定されたものである。このような半導体装置では、半導体チップの裏面が裏面保護フィルムで保護されている場合がある。

半導体チップの形成手法は、ブレードダイシングが一般的であるものの、ブレードダイシングでは、半導体チップ側面にチッピングと呼ばれる割れが発生することがある。この割れは、実装工程・信頼性試験などにおける加熱で拡大し、不良率増加の原因となる。

チッピングは、ステルスダイシング（登録商標）で低減できる。ステルスダイシングは、半導体ウエハにレーザーで改質層を形成し、半導体ウエハをダイシングフィルムにはりあわせ、ダイシングフィルムのエキスパンドで半導体ウエハをチップサイズに分断する方法である。

ステルスダイシングは、裏面保護フィルムを用いる場合、裏面保護フィルムを半導体ウエハにはりあわせ、裏面保護フィルムを熱硬化し、半導体ウエハにレーザーで改質層を形成し、裏面保護フィルム付きの半導体ウエハをダイシングフィルムにはりあわせ、エキスパンドで、分断後裏面保護フィルム付きのチップを形成するという手順（以下、「先行手順」という。）を踏むことがある。

特開２０１６−１１５９４３号公報 特開２０１５−９９８２５号公報 特開２０１４−１８５２８５号公報 特開２０１０−１９９５４１号公報

しかしながら、エキスパンドで、裏面保護フィルムがチップ輪郭に沿って分断されないことがある。分断の精度は、チップサイズが小さくなるほど低下する。チップの小型化が進むなか、裏面保護フィルムの分断精度を向上すべきである。

本開示は、エキスパンド時の分断精度に優れたシートを提供することを目的とする。本開示は、テープおよび半導体装置の製造方法を提供することも目的とする。

本開示のシートは、基材層および基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムを含む。本開示のシートは、粘着剤層上に位置するフィルムをさらに含む。本開示のシートにおいて、粘着剤層の厚みは２μｍ〜１０μｍであり、フィルムの厚みは５μｍ〜２０μｍである。本開示のシートは、半導体装置の製造方法に使用するためのものであることができる。半導体装置の製造方法は、本開示におけるシートのフィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、ダイシングフィルムを拡張することにより改質領域を起点に半導体ウエハを分断する工程とを含む。

本開示では、粘着剤層の厚み上限が１０μｍであるとともにフィルム厚みの上限が２０μｍであるため、チップの輪郭に沿ってフィルムを分断することができる。よって、従来サイズのチップ（たとえば、４ｍｍ角のチップ）の分断に使用できるだけでなく、小型チップ（たとえば、１ｍｍ角のチップ）にも使用できる。さらに、粘着剤層の厚み下限が２μｍであるため、基材層エンボス凸部が粘着剤層から突き出ることを防止することが可能であり、基材層エンボス凸部の突出による、粘着剤層とフィルムとの界面接着力の低下を抑制できる。さらに、フィルムの厚み下限が５μｍであるため、フィルムを半導体裏面保護用途に使用した場合に、フィルムを印字レーザーが貫通することを防止可能である。さらに、フィルムがダイシングフィルムと一体化されているため、先行手順と比べて工数を減らすことができる。

本開示のシートにおいて、０℃におけるフィルムの破断伸び率が２０％以下であることが好ましい。

本開示のシートでは、ダイシングフィルムにおける、−１５℃破断伸び率の２５℃破断伸び率に対する比が０．３以上１未満であることが好ましい。

基材層の両面は、第１主面と第２主面とで定義され、第１主面上に粘着剤層が位置し、第１主面の表面粗さは、第２主面の表面粗さよりも大きいことが好ましい。第２主面の表面粗さは２００ｎｍ以下であることが好ましい。

フィルムが半導体裏面保護フィルムであることが好ましい。

基材層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体層を含むことが好ましい。

本開示のテープは、はく離ライナーと、はく離ライナー上に位置するシートとを含む。

本開示における半導体装置の製造方法は、シートのフィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、ダイシングフィルムを拡張することにより改質領域を起点に半導体ウエハを分断する工程とを含む。

実施形態１におけるテープの概略平面図である。 実施形態１におけるテープの一部の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略斜視図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態１における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 変形例１におけるシートの概略断面図である。 実施形態２におけるテープの一部の概略断面図である。 実施形態２における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態２における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態２における半導体装置の製造工程の概略断面図である。

以下に実施形態１と実施形態２とを掲げ、本開示を詳細に説明するが、本開示はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。実施形態１では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、半導体裏面保護フィルムとして使用する。実施形態２では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、ダイボンディングフィルムとして使用する。

実施形態１
実施形態１では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、半導体裏面保護フィルムとして使用する。

図１に示すように、テープ１は、はく離ライナー１３と、はく離ライナー１３上に位置するシート７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、……、７１ｍ（以下、「シート７１」と総称する。）とを含む。テープ１はロール状をなすことができる。シート７１ａとシート７１ｂのあいだの距離、シート７１ｂとシート７１ｃのあいだの距離、……シート７１ｌとシート７１ｍのあいだの距離は一定である。

はく離ライナー１３はテープ状をなす。はく離ライナー１３は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。

図２に示すように、シート７１はダイシングフィルム１２を含む。ダイシングフィルム１２は円盤状をなす。

−１５℃におけるダイシングフィルム１２の破断伸び率は、たとえば４５０％以上である。−１５℃破断伸び率の上限は、たとえば５５０％である。−１５℃の「破断伸び率」は次式で求める。
破断伸び率＝（破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離）／引張前のチャック間距離×１００

２５℃におけるダイシングフィルム１２の破断伸び率は、たとえば５５０％以上である。２５℃破断伸び率の上限は、たとえば６００％である。２５℃の「破断伸び率」は次式で求める。
破断伸び率＝（破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離）／引張前のチャック間距離×１００

ダイシングフィルム１２において、−１５℃破断伸び率の２５℃破断伸び率に対する比（−１５℃破断伸び率／２５℃破断伸び率）は、好ましくは０．３以上、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは０．７以上である。０．３未満であると、クールエキスパンド（たとえば、−１５℃環境下のエキスパンド）でダイシングフィルム１２が裂けることがある。仮にダイシングフィルム１２が裂けなかったとしても、ダイシングフィルム１２のヒートシュリンク性能が悪い傾向がある。ヒートシュリンク性能が充分ではない場合、カーフ幅を維持することが難しい。この比は、好ましくは１未満である。

ダイシングフィルム１２は基材層１２１を含む。基材層１２１は円盤状をなす。基材層１２１の厚みは、たとえば５０μｍ〜１５０μｍである。基材層１２１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。基材層１２１の第１主面は粘着剤層１２２と接している。基材層１２１の第１主面は、エンボス面であることができる。基材層１２１における第１主面の表面粗さは、基材層１２１における第２主面の表面粗さよりも大きいことが好ましい。基材層１２１における第１主面の表面粗さは、たとえば５００ｎｍ〜１５００ｎｍである。基材層１２１における第２主面の表面粗さは２００ｎｍ以下が好ましい。「表面粗さ」は、算術平均粗さ Ｒａである。「表面粗さ」は、レーザー顕微鏡「装置名：ＯＰＴＩＣＳ ３ＣＣＤ ＣＯＬＯＲ ＣＯＮＦＯＣＡＬ ＭＩＣＲＯ ＳＣＯＰＥ Ｈ３００ （Ｌａｓｅｒ Ｔｅｃ社製）」を用い、倍率５０倍で基材層１２１表面に焦点が合う点を中心に深さ方向に±１５μｍでスキャンすることでＲａを算出する。

基材層１２１は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、「ＥＶＡ」という）層を含む。基材層１２１は、ＥＶＡ単層からなることができる。基材層１２１は、ＥＶＡ層とＥＶＡ層以外のプラスチック層とからなることも可能である。基材層１２１は、エネルギー線を透過する性質を有することが好ましい。

ダイシングフィルム１２は粘着剤層１２２を含む。粘着剤層１２２は円盤状をなす。粘着剤層１２２の厚みは２μｍ〜１０μｍである。２μｍ未満であると、エキスパンド時にチップがはく離する危険がある。これは、基材層１２１における第１主面のエンボス凸部が粘着剤層１２２から突き出し、このエンボス凸部突出が、粘着剤層１２２と半導体裏面保護フィルム１１との界面の接着力が低下させるからだと考えられる。粘着剤層１２２が２μｍ未満であると、粘着剤層１２２が、基材層１２１における第１主面のエンボスを埋めることができない場合があり、この場合はレーザー印字性が悪い。これは、粘着剤層１２２と基材層１２１とにおける界面の空隙がレーザー透過率を低下させるからだと考えられる。いっぽう、粘着剤層１２２の厚みが１０μｍをこえると、分断性が悪い傾向がある。つまり、チップの輪郭に沿らないで半導体裏面保護フィルム１１が分断される傾向がある。粘着剤層１２２の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。粘着剤層１２２の第１主面は半導体裏面保護フィルム１１の第１層１１１と接している。粘着剤層１２２の第２主面は基材層１２１と接している。粘着剤層１２２を構成する粘着剤は、たとえばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤である。なかでもアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤は、たとえば（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤であることができる。

粘着剤層１２２は第１部分１２２Ａを含むことができる。第１部分１２２Ａは円盤状をなすことができる。第１部分１２２Ａは半導体裏面保護フィルム１１と接している。第１部分１２２Ａは、第２部分１２２Ｂより硬い。第１部分１２２Ａは、エネルギー線により硬化されていることができる。粘着剤層１２２は、第１部分１２２Ａを囲む第２部分１２２Ｂをさらに含むことができる。第２部分１２２Ｂはドーナツ板状をなすことができる。第２部分１２２Ｂは、エネルギー線により硬化する性質を有することができる。エネルギー線として紫外線などを挙げることができる。第２部分１２２Ｂは、ドーナツ板状の第１領域と、第１領域を囲むドーナツ板状の第２領域とからなることができる。第２部分１２２Ｂの第１領域は、半導体裏面保護フィルム１１と接する。いっぽう、第２部分１２２Ｂの第２領域は、半導体裏面保護フィルム１１と接していない。

シート７１は半導体裏面保護フィルム１１を含む。半導体裏面保護フィルム１１は円盤状をなす。半導体裏面保護フィルム１１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。半導体裏面保護フィルム１１の第１主面は、はく離ライナー１３と接している。半導体裏面保護フィルム１１の第２主面は粘着剤層１２２と接している。

半導体裏面保護フィルム１１の厚みは５μｍ〜２０μｍである。５μｍ未満であると、印字レーザーが半導体裏面保護フィルム１１を貫通し、チップにダメージを与えることがある。いっぽう、半導体裏面保護フィルム１１の厚みが２０μｍをこえると、分断性が悪い傾向がある。

０℃における半導体裏面保護フィルム１１の破断伸び率は２０％以下であることが好ましい。２０％をこえると、−１５℃環境下での分断性が悪い傾向がある。「破断伸び率」は次式で求める。
破断伸び率＝（破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離）／引張前のチャック間距離×１００

半導体裏面保護フィルム１１は、第１層１１１と第２層１１２とを含む。第１層１１１は、粘着剤層１２２と第２層１１２との間に位置する。第２層１１２は、はく離ライナー１３と第１層１１１との間に位置する。

半導体裏面保護フィルム１１は第１層１１１を含む。第１層１１１は円盤状をなす。第１層１１１の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。第１層１１１の第１主面は、第２層１１２と接している。第１層１１１の第２主面は粘着剤層１２２と接している。第１層１１１の厚みは、たとえば５μｍ〜１０μｍである。

第１層１１１は、硬化層であることが好ましい。第１層１１１は、成膜時の加熱で硬化させることができる。第１層１１１は、レーザーでマークを付すための層であることができる。

第１層１１１は有色であることが好ましい。有色であると、ダイシングフィルム１２と半導体裏面保護フィルム１１とを簡単に区別できることがある。第１層１１１は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。

濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。

なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。

第１層１１１は樹脂成分を含むことができる。第１層１１１における樹脂成分の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。第１層１１１における樹脂成分の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

樹脂成分は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを硬化前に含むことができる。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量上限は、たとえば７０重量％、好ましくは５０重量％、より好ましくは４０重量％である。熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂成分１００重量％において、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。熱硬化性樹脂の含有量上限は、樹脂成分１００重量％において、たとえば９０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは７０重量％である。

熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。

第１層１１１は、２５℃で液状のエポキシ樹脂と、２５℃で固体状のエポキシ樹脂とを硬化前に含むことができる。この場合、作業性に優れる。液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比の値は、たとえば０．４以上、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。ここで、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比は、液状エポキシ樹脂含有量の固体状エポキシ樹脂含有量に対する重量比である。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。

第１層１１１は熱硬化促進触媒を硬化前に含むことができる。たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。熱硬化促進触媒の含有量は、樹脂成分１００重量部に対してたとえば５重量部〜１５重量部である。

第１層１１１は充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

第１層１１１における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。第１層１１１における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。

第１層１１１は、好ましくは着色剤を含む。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。第１層１１１における着色剤の含有量は、硬化前において、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。第１層１１１における着色剤の含有量は、硬化前において、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。

第１層１１１は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

半導体裏面保護フィルム１１は第２層１１２を含む。第２層１１２は円盤状をなす。第２層１１２の両面は、第１主面と第２主面とで定義できる。第２層１１２の第１主面は、はく離ライナー１３と接している。第２層１１２の第２主面は第１層１１１と接している。第２層１１２の厚みは、たとえば５μｍ〜１０μｍである。

第２層１１２は、熱硬化性を有することができる。第２層１１２は、未硬化の層であることができる。

第２層１１２は有色であることができる。有色であると、ダイシングフィルム１２と半導体裏面保護フィルム１１とを簡単に区別できることがある。第２層１１２は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*の好適範囲は、第１層１１１におけるＬ^*の好適範囲と同じである。

第２層１１２は樹脂成分を含むことができる。第２層１１２における樹脂成分の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。第２層１１２における樹脂成分の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

樹脂成分は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含むことができる。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。樹脂成分１００重量％における熱可塑性樹脂の含有量上限は、たとえば７０重量％、好ましくは５０重量％、より好ましくは４０重量％である。熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂成分１００重量％において、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。熱硬化性樹脂の含有量上限は、樹脂成分１００重量％において、たとえば９０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは７０重量％である。

熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。

第２層１１２は、２５℃で液状のエポキシ樹脂と、２５℃で固体状のエポキシ樹脂とを含むことができる。この場合、作業性に優れる。液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比の値は、たとえば０．４以上、好ましくは０．６以上、より好ましくは０．８以上、さらに好ましくは１．０以上である。ここで、液状エポキシ樹脂の固体状エポキシ樹脂に対する比は、液状エポキシ樹脂含有量の固体状エポキシ樹脂含有量に対する重量比である。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。

第２層１１２は、熱硬化促進触媒を含まないことが好ましい。熱硬化促進触媒は、たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。

第２層１１２は、充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

第２層１１２における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。第２層１１２における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。

第２層１１２は、着色剤を含むことができる。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。第２層１１２における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。第２層１１２における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。

第２層１１２は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

シート７１は、半導体装置を製造するために使用される。ここからは、半導体装置の製造方法を説明する。

図３に示すように、照射前半導体ウエハ４Ｐの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、照射前半導体ウエハ４Ｐに改質領域４１を形成し、半導体ウエハ４を得る。照射前半導体ウエハ４Ｐとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。

レーザー光１００の照射条件は、たとえば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）照射前半導体ウエハ４Ｐが載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

図４に示すように、半導体ウエハ４は改質領域４１を含む。改質領域４１は、そのほかの領域とくらべて脆い。半導体ウエハ４は、半導体チップ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、……、４Ｆをさらに含む。

図５に示すように、テープ１からはく離ライナー１３を除き、加熱テーブルで温められた半導体ウエハ４をロールで、シート７１の半導体裏面保護フィルム１１に固定する。半導体ウエハ４の固定は、たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上でおこなう。半導体ウエハ４を固定は、たとえば１００℃以下、好ましくは９０℃以下でおこなう。半導体ウエハ４の固定圧力は、たとえば１×１０^５Ｐａ〜１×１０^７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。

半導体ウエハ４付きのシート７１を加熱することにより半導体裏面保護フィルム１１の第２層１１２を半導体ウエハ４に密着させる。加熱は、たとえば７０℃以上、好ましくは７５℃以上でおこなう。加熱温度の上限はたとえば８５℃である。加熱は、たとえば３０分以上おこなう。加熱時間の上限はたとえば６０分である。

半導体裏面保護フィルム１１の第１層１１１にダイシングフィルム１２越しにレーザーを照射し、第１層１１１にマークを付す。レーザーは、気体レーザー、固体レーザー、液体レーザーなどを使用することができる。気体レーザーは、たとえば炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）などである。固体レーザーは、たとえばＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーである。

図６に示すように、突き上げ手段３３でダイシングフィルム１２を押し上げ、ダイシングフィルム１２を拡張する。拡張の温度は、好ましくは１０℃以下、より好ましくは０℃以下である。温度の下限はたとえば−２０℃である。

ダイシングフィルム１２の拡張により、改質領域４１を起点に半導体ウエハ４が分断されるとともに、半導体裏面保護フィルム１１も分断される。この結果、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａがダイシングフィルム１２上に形成される。

図７に示すように、突き上げ手段３３を下降させる。この結果、ダイシングフィルム１２にたるみが生じる。たるみは、ダイシングフィルム１２のウエハ固定領域とダイシングリング固定領域との間に生じる。

図８に示すように、ダイシングフィルム１２を吸着テーブル３２で押し上げ拡張し、拡張を維持しながら吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定する。

図９に示すように、吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定したまま、吸着テーブル３２を下降させる。

吸着テーブル３２にダイシングフィルム１２を吸引固定したまま、ダイシングフィルム１２のたるみに熱風を当て、たるみを取り除く。熱風の温度は、好ましくは１７０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。熱風温度の上限は、たとえば２４０℃、好ましくは２２０℃である。

粘着剤層１２２に紫外線を照射し、粘着剤層１２２を硬化させる。

分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する。

図１０に示すように、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）で被着体６に固定する。具体的には、半導体チップ４Ａの回路面が被着体６と対向する形態で、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを被着体６に固定する。たとえば、半導体チップ４Ａのバンプ５１を被着体６の導電材（半田など）６１に接触させ、押圧しながら導電材６１を溶融させる。半導体チップ４Ａと被着体６との間には空隙がある。空隙の高さは一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。固定後は、空隙などの洗浄をおこなうことができる。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）などの基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、たとえば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。

バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、たとえば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材などの半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。なお、導電材６１の溶融時の温度は、通常２６０℃程度である。

半導体チップ４Ａと被着体６との間の空隙を封止樹脂で封止する。通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより封止樹脂を硬化させる。

封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されない。封止樹脂としては、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物などが挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができる。封止樹脂の形状は、フィルム状、タブレット状などである。

以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６と、被着体６に固定された、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａとを含む。

フリップチップ実装方式で実装された半導体装置は、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄く、小さい。このため、各種の電子機器・電子部品またはそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、フリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」、「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（たとえば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」およびコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（たとえば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤーなど）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品または、電子機器・電子部品の材料・部材としては、たとえば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

変形例１
図１１に示すように、半導体裏面保護フィルム１１は単層である。半導体裏面保護フィルム１１の好適な構成成分は第２層１１２のそれと同じである。半導体裏面保護フィルム１１における構成成分の好適な含有量は、第２層１１２における構成成分のそれと同じである。

変形例２
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａは、エネルギー線により硬化する性質を有する。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化する性質を有する。変形例２では、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを形成する工程の後に、粘着剤層１２２にエネルギー線を照射し分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをピックアップする。エネルギー線を照射するため、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａのピックアップが容易である。

変形例３
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａはエネルギー線により硬化されている。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化されている。

変形例４
粘着剤層１２２の第１主面全体が半導体裏面保護フィルム１１と接している。

（そのほか）
変形例１〜変形例４などは、任意に組み合わせることができる。

以上のとおり、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、シート７１の半導体裏面保護フィルム１１に、改質領域４１を有する半導体ウエハ４を固定する工程と、ダイシングフィルム１２を拡張することにより改質領域４１を起点に半導体ウエハ４を分断する工程とを含む。半導体裏面保護フィルム１１に半導体ウエハ４を固定する工程と、半導体ウエハ４を分断する工程との間に、半導体ウエハ４付きのシート７１を加熱する工程を実施形態１に係る半導体装置の製造方法はさらに含む。

実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４を分断する工程で形成された、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する工程をさらに含む。半導体裏面保護フィルム１１に半導体ウエハ４を固定する工程と、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する工程との間に、半導体裏面保護フィルム１１を硬化する工程を実施形態１に係る半導体装置の製造方法は含まない。

実施形態２
実施形態２では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、ダイボンディングフィルムとして使用する。

図１２に示すように、実施形態２のテープ１は、半導体裏面保護フィルム１１に代えてダイボンディングフィルム１１を備える。ダイボンディングフィルム１１の厚みは、実施形態１における半導体裏面保護フィルム１１のそれと同じである。ダイボンディングフィルム１１の好適な物性（たとえば、破断伸び率）は、実施形態１における半導体裏面保護フィルム１１のそれと同じである。ダイボンディングフィルム１１の好適な構成成分は、実施形態１における第２層１１２のそれと同じである。ダイボンディングフィルム１１における構成成分の好適な含有量は、実施形態１における第２層１１２のそれと同じである。

図１３に示すように、分断後ダイボンディングフィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを形成する。これの形成手順は、分断後半導体裏面保護フィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａのそれと同じである（図３〜図９参照）。

図１４に示すように、分断後ダイボンディングフィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａを被着体６に圧着し、分断後ダイボンディングフィルム１１Ａを硬化させる。

図１５に示すように、半導体チップ４Ａの電極パッドと被着体６の端子部とをボンディングワイヤー７で電気的に接続し、封止樹脂８で半導体チップ４Ａを封止する。

以上のとおり、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、シート７１のダイボンディングフィルム１１に、改質領域４１を有する半導体ウエハ４を固定する工程と、ダイシングフィルム１２を拡張することにより改質領域４１を起点に半導体ウエハ４を分断する工程とを含む。半導体ウエハ４を分断する工程で形成された、分断後ダイボンディングフィルム１１Ａ付きの半導体チップ４Ａをダイシングフィルム１２から剥離する工程を、実施形態１に係る半導体装置の製造方法はさらに含む。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

原料・薬品を次に示す。
アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製 ＳＧ−Ｐ３)
エポキシ樹脂１（日本化薬社製 ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）
エポキシ樹脂２（東都化成社製 ＫＩ−３０００−４）
エポキシ樹脂３（三菱化学社製 ｊＥＲ ＹＬ９８０）
フェノール樹脂１（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−Ｈ）
フェノール樹脂２（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）
フィラー（アドマテックス社製 ＳＯ−２５Ｒ 平均粒径０．５μｍの球状シリカ）
染料(オリエント化学工業社製 ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ)
触媒（四国化成社製 キュアゾール２ＰＺ）

ダイシングフィルムの作製
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）１００重量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１９重量部、過酸化ベンゾイル０．４重量部およびトルエン８０重量部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。アクリル系ポリマーＡに、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１２重量部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。次に、アクリル系ポリマーＡ’１００重量部（固形分）に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．７５重量部および光重合開始剤（イルガキュア６５１、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２重量部を加え、固形分濃度２８％になるようにトルエンを加え、粘着剤溶液を得た。粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、粘着剤層を形成した。次いで、粘着剤層の露出面に、ＥＶＡフィルムを貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングフィルムを得た。

実施例１〜５・比較例１〜８におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの作製
表１にしたがって原料・薬品をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度２８重量％の樹脂組成物の溶液を調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させ、半導体裏面保護フィルムを得た。半導体裏面保護フィルムを、ダイシングフィルムの粘着剤層にハンドローラーで積層し、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを得た。

実施例１〜５・比較例１〜８におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造
実施例１〜５・比較例１〜８におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図１１に示すそれと同じである。実施例１〜５・比較例１〜８のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、ＥＶＡフィルムと粘着剤層とからなる。

実施例６〜９におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの作製
表１にしたがって原料・薬品をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度２８重量％の樹脂組成物の溶液を調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナーに塗布し、１３０℃で２分間乾燥させ、レーザーマーク層（以下、「ＬＭ層」ということがある。）を得た。ウエハマウント層（以下、「ＷＭ層」ということがある。）は、レーザーマーク層と同じ手順で作製した。レーザーマーク層とウエハマウント層とを１００℃、０．６ＭＰａでラミネータで積層し、半導体裏面保護フィルムを得た。半導体裏面保護フィルムを、ダイシングフィルムの粘着剤層にハンドローラーで積層し、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを得た。

実施例６〜９におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造
実施例６〜９におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図２に示すそれと同じである。実施例６〜９のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、ＥＶＡフィルムと粘着剤層とからなる。半導体裏面保護フィルムは、レーザーマーク層とウエハマウント層とからなる。レーザーマーク層は、図２の第１層１１１に相当する。ウエハマウント層は、図２の第２層１１２に相当する。

厚み測定
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを凍結切断し、顕微鏡「ＶＨＸ−２０００（ＫＥＹＥＮＣＥ製）」にて断面観察を行い、各層の厚みを計測した。各層における最も厚い部分の厚みを表１・２に示す。

半導体裏面保護フィルムにおける伸び率の測定
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムをはく離し、半導体裏面保護フィルムから、幅２５ｍｍの試験片を切り出した。試験片を、引張試験機「ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧ−Ｘ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）」にチャック間距離１００ｍｍとなるようにセットし、０℃の雰囲気下において速度５０ｍｍ/ｍｉｎで試験片を引張り、完全に破断した時の伸び量を測定し、「伸び率」を次式で求めた。この式によれば、破断時のチャック間距離が２００ｍｍである場合、伸び率は１００％となる。
（破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離）／引張前のチャック間距離×１００

ダイシングフィルムにおける伸び率の測定
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムのダイシングフィルムをはく離し、ダイシングフィルムから、幅１０ｍｍの試験片を切り出した。試験片を、引張試験機「ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧ−Ｘ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）」にチャック間距離５０ｍｍとなるようにセットし、２５℃または−１５℃の雰囲気下において速度３００ｍｍ/ｍｉｎで試験片を引張り、完全に破断した時の伸び量を測定し、「伸び率」を次式で求めた。この式によれば、破断時のチャック間距離が１００ｍｍである場合、伸び率は１００％となる。
（破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離）／引張前のチャック間距離×１００

レーザー印字性評価
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルム（実施例６〜９ではウエハマウント層）にシリコンウエハを、温度８０℃、０．１５ＭＰａでラミネータではりあわせた。半導体裏面保護フィルム（実施例６〜９ではレーザーマーク層）に、レーザーマーキング装置「ＭＤ−Ｓ９９１０」（ＫＥＹＥＮＣＥ社製）にて、レーザーパワー０．２３Ｗ、マーキングスピード３００ｍｍ／ｓ、周波数１０ｋＨｚの条件でレーザーをダイシングフィルム越しで照射した。レーザー照射で半導体裏面保護フィルムに貫通孔が形成された場合を×とし、貫通孔が形成されなかった場合を○とした。

ダイシングフィルムの裂け評価
厚み３００μｍの１２インチウエハを３ｍｍ角のチップサイズにダイシングし、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムにダイシング後ウエハを温度８０℃、０．１５ＭＰａでラミネータではりあわせた。エキスパンダー「ＤＤＳ２３００（ＤＩＳＣＯ社製）」で−１５℃で２分間冷却し、突き上げ量１５ｍｍ、突き上げ速度１５０ｍｍ／ｓでエキスパンドし、その状態で１分間保持し、ダイシングフィルムに裂けがあるか否かを観察した。ダイシングフィルムに裂けがあった場合を×とし、裂けがなかった場合を○とした。

分断性評価
厚み３００μｍの１２インチウエハを３ｍｍ角のチップサイズにダイシングし、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムにダイシング後ウエハを温度８０℃、０．１５ＭＰａでラミネータではりあわせた。エキスパンダー「ＤＤＳ２３００（ＤＩＳＣＯ社製）」で−１５℃で２分間冷却し、突き上げ量１５ｍｍ、突き上げ速度１５０ｍｍ／ｓでエキスパンドし、その状態で１分間保持した。エキスパンドを解き、突き上げ量１５ｍｍ、突き上げ速度１ｍｍ／ｓで再度突き上げ、ダイシングフィルムとヒーターとの間の距離２０ｍｍ、回転速度５°／ｓ、２００℃でダイシングフィルムの突き上げ領域を加熱し、収縮させた。その後、半導体裏面保護フィルムにおいて、チップそれぞれと接した四角形状の接触領域を観察した。接触領域の輪郭を構成する４つの各線分がチップに沿って延びているかを観察した。次式で分断率を算出し、分断率が、９０％以上の場合をＡ、９０％未満７０％以上の場合をＢ、７０％未満５０％以上の場合をＣ、５０％未満３０％以上の場合をＤ、３０％未満をＥとした。チップが、エキスパンドでダイシングフィルムから剥がれた場合は×とした。
分断率＝チップに沿って延びる線分の数／全線分の数×１００

Claims (7)

1. 基材層および前記基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムと、
   前記粘着剤層上に位置するフィルムと
   を含むシートであって、
   前記粘着剤層の厚みが２μｍ〜１０μｍであり、
   前記フィルムの厚みが５μｍ〜２０μｍであり、
   前記シートは、
   前記シートの前記フィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、
   前記ダイシングフィルムを拡張することにより前記改質領域を起点に前記半導体ウエハを分断する工程と
   を含む半導体装置の製造方法に使用するためのものであり、
   前記ダイシングフィルムにおいて、−１５℃破断伸び率の２５℃破断伸び率に対する比が０．３以上１未満である、
   シート。
2. ０℃における前記フィルムの破断伸び率が２０％以下である、請求項１に記載のシート。
3. 前記基材層の両面は、第１主面と第２主面とで定義され、
   前記第１主面上に粘着剤層が位置し、
   前記第１主面の表面粗さは、前記第２主面の表面粗さよりも大きく、
   前記第２主面の表面粗さは２００ｎｍ以下である、
   請求項１または２に記載のシート。
4. 前記フィルムが半導体裏面保護フィルムである、請求項１〜３のいずれかに記載のシート。
5. 前記基材層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体層を含む、請求項１〜４のいずれかに記載のシート。
6. はく離ライナーと、
   前記はく離ライナー上に位置する、請求項１〜５のいずれかに記載のシートと
   を含む、テープ。
7. 請求項１〜５のいずれかに記載のシートの前記フィルムに、前記改質領域を有する前記半導体ウエハを固定する工程と、
   前記ダイシングフィルムを拡張することにより前記改質領域を起点に前記半導体ウエハを分断する工程と
   を含む半導体装置の製造方法。

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