JP6812213B2 - シート、テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施形態1では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、半導体裏面保護フィルムとして使用する。
破断伸び率=(破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離)/引張前のチャック間距離×100
破断伸び率=(破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離)/引張前のチャック間距離×100
破断伸び率=(破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離)/引張前のチャック間距離×100
(A)レーザー光100
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10−8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz以下
パルス幅 1μs以下
出力 1mJ以下
レーザー光品質 TEM00
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 100倍以下
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 100%以下
(C)照射前半導体ウエハ4Pが載置される裁置台の移動速度 280mm/秒以下
図11に示すように、半導体裏面保護フィルム11は単層である。半導体裏面保護フィルム11の好適な構成成分は第2層112のそれと同じである。半導体裏面保護フィルム11における構成成分の好適な含有量は、第2層112における構成成分のそれと同じである。
粘着剤層122の第1部分122Aは、エネルギー線により硬化する性質を有する。粘着剤層122の第2部分122Bもエネルギー線により硬化する性質を有する。変形例2では、分断後半導体裏面保護フィルム11A付きの半導体チップ4Aを形成する工程の後に、粘着剤層122にエネルギー線を照射し分断後半導体裏面保護フィルム11A付きの半導体チップ4Aをピックアップする。エネルギー線を照射するため、分断後半導体裏面保護フィルム11A付きの半導体チップ4Aのピックアップが容易である。
粘着剤層122の第1部分122Aはエネルギー線により硬化されている。粘着剤層122の第2部分122Bもエネルギー線により硬化されている。
粘着剤層122の第1主面全体が半導体裏面保護フィルム11と接している。
変形例1〜変形例4などは、任意に組み合わせることができる。
実施形態2では、「課題を解決するための手段」のフィルムを、ダイボンディングフィルムとして使用する。
アクリル酸エステル共重合体(ナガセケムテックス社製 SG−P3)
エポキシ樹脂1(日本化薬社製 EPPN−501HY)
エポキシ樹脂2(東都化成社製 KI−3000−4)
エポキシ樹脂3(三菱化学社製 jER YL980)
フェノール樹脂1(明和化成社製 MEH7851−H)
フェノール樹脂2(明和化成社製 MEH7851−SS)
フィラー(アドマテックス社製 SO−25R 平均粒径0.5μmの球状シリカ)
染料(オリエント化学工業社製 OIL BLACK BS)
触媒(四国化成社製 キュアゾール2PZ)
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」という。)100重量部、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル(以下、「HEA」という。)19重量部、過酸化ベンゾイル0.4重量部およびトルエン80重量部を入れ、窒素気流中で60℃にて10時間重合処理をし、アクリル系ポリマーAを得た。アクリル系ポリマーAに、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(以下、「MOI」という。)12重量部を加え、空気気流中で50℃にて60時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーA’を得た。次に、アクリル系ポリマーA’100重量部(固形分)に対し、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン社製)0.75重量部および光重合開始剤(イルガキュア651、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製)2重量部を加え、固形分濃度28%になるようにトルエンを加え、粘着剤溶液を得た。粘着剤溶液を、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱乾燥し、粘着剤層を形成した。次いで、粘着剤層の露出面に、EVAフィルムを貼り合わせ、23℃にて72時間保存し、ダイシングフィルムを得た。
表1にしたがって原料・薬品をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度28重量%の樹脂組成物の溶液を調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナー(シリコーン離型処理した厚み50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム)に塗布し、130℃で2分間乾燥させ、半導体裏面保護フィルムを得た。半導体裏面保護フィルムを、ダイシングフィルムの粘着剤層にハンドローラーで積層し、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを得た。
実施例1〜5・比較例1〜8におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図11に示すそれと同じである。実施例1〜5・比較例1〜8のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、EVAフィルムと粘着剤層とからなる。
表1にしたがって原料・薬品をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度28重量%の樹脂組成物の溶液を調製し、樹脂組成物の溶液をはく離ライナーに塗布し、130℃で2分間乾燥させ、レーザーマーク層(以下、「LM層」ということがある。)を得た。ウエハマウント層(以下、「WM層」ということがある。)は、レーザーマーク層と同じ手順で作製した。レーザーマーク層とウエハマウント層とを100℃、0.6MPaでラミネータで積層し、半導体裏面保護フィルムを得た。半導体裏面保護フィルムを、ダイシングフィルムの粘着剤層にハンドローラーで積層し、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを得た。
実施例6〜9におけるダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの構造は、図2に示すそれと同じである。実施例6〜9のダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムは、ダイシングフィルムと、ダイシングフィルムの粘着剤層上に位置する半導体裏面保護フィルムとからなる。ダイシングフィルムは、EVAフィルムと粘着剤層とからなる。半導体裏面保護フィルムは、レーザーマーク層とウエハマウント層とからなる。レーザーマーク層は、図2の第1層111に相当する。ウエハマウント層は、図2の第2層112に相当する。
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムを凍結切断し、顕微鏡「VHX−2000(KEYENCE製)」にて断面観察を行い、各層の厚みを計測した。各層における最も厚い部分の厚みを表1・2に示す。
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムをはく離し、半導体裏面保護フィルムから、幅25mmの試験片を切り出した。試験片を、引張試験機「AUTOGRAPH AG−X(SHIMADZU社製)」にチャック間距離100mmとなるようにセットし、0℃の雰囲気下において速度50mm/minで試験片を引張り、完全に破断した時の伸び量を測定し、「伸び率」を次式で求めた。この式によれば、破断時のチャック間距離が200mmである場合、伸び率は100%となる。
(破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離)/引張前のチャック間距離×100
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムのダイシングフィルムをはく離し、ダイシングフィルムから、幅10mmの試験片を切り出した。試験片を、引張試験機「AUTOGRAPH AG−X(SHIMADZU社製)」にチャック間距離50mmとなるようにセットし、25℃または−15℃の雰囲気下において速度300mm/minで試験片を引張り、完全に破断した時の伸び量を測定し、「伸び率」を次式で求めた。この式によれば、破断時のチャック間距離が100mmである場合、伸び率は100%となる。
(破断時のチャック間距離−引張前のチャック間距離)/引張前のチャック間距離×100
ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルム(実施例6〜9ではウエハマウント層)にシリコンウエハを、温度80℃、0.15MPaでラミネータではりあわせた。半導体裏面保護フィルム(実施例6〜9ではレーザーマーク層)に、レーザーマーキング装置「MD−S9910」(KEYENCE社製)にて、レーザーパワー0.23W、マーキングスピード300mm/s、周波数10kHzの条件でレーザーをダイシングフィルム越しで照射した。レーザー照射で半導体裏面保護フィルムに貫通孔が形成された場合を×とし、貫通孔が形成されなかった場合を○とした。
厚み300μmの12インチウエハを3mm角のチップサイズにダイシングし、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムにダイシング後ウエハを温度80℃、0.15MPaでラミネータではりあわせた。エキスパンダー「DDS2300(DISCO社製)」で−15℃で2分間冷却し、突き上げ量15mm、突き上げ速度150mm/sでエキスパンドし、その状態で1分間保持し、ダイシングフィルムに裂けがあるか否かを観察した。ダイシングフィルムに裂けがあった場合を×とし、裂けがなかった場合を○とした。
厚み300μmの12インチウエハを3mm角のチップサイズにダイシングし、ダイシングフィルム一体型半導体裏面保護フィルムの半導体裏面保護フィルムにダイシング後ウエハを温度80℃、0.15MPaでラミネータではりあわせた。エキスパンダー「DDS2300(DISCO社製)」で−15℃で2分間冷却し、突き上げ量15mm、突き上げ速度150mm/sでエキスパンドし、その状態で1分間保持した。エキスパンドを解き、突き上げ量15mm、突き上げ速度1mm/sで再度突き上げ、ダイシングフィルムとヒーターとの間の距離20mm、回転速度5°/s、200℃でダイシングフィルムの突き上げ領域を加熱し、収縮させた。その後、半導体裏面保護フィルムにおいて、チップそれぞれと接した四角形状の接触領域を観察した。接触領域の輪郭を構成する4つの各線分がチップに沿って延びているかを観察した。次式で分断率を算出し、分断率が、90%以上の場合をA、90%未満70%以上の場合をB、70%未満50%以上の場合をC、50%未満30%以上の場合をD、30%未満をEとした。チップが、エキスパンドでダイシングフィルムから剥がれた場合は×とした。
分断率=チップに沿って延びる線分の数/全線分の数×100
Claims (7)
- 基材層および前記基材層上に位置する粘着剤層を含むダイシングフィルムと、
前記粘着剤層上に位置するフィルムと
を含むシートであって、
前記粘着剤層の厚みが2μm〜10μmであり、
前記フィルムの厚みが5μm〜20μmであり、
前記シートは、
前記シートの前記フィルムに、改質領域を有する半導体ウエハを固定する工程と、
前記ダイシングフィルムを拡張することにより前記改質領域を起点に前記半導体ウエハを分断する工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用するためのものであり、
前記ダイシングフィルムにおいて、−15℃破断伸び率の25℃破断伸び率に対する比が0.3以上1未満である、
シート。 - 0℃における前記フィルムの破断伸び率が20%以下である、請求項1に記載のシート。
- 前記基材層の両面は、第1主面と第2主面とで定義され、
前記第1主面上に粘着剤層が位置し、
前記第1主面の表面粗さは、前記第2主面の表面粗さよりも大きく、
前記第2主面の表面粗さは200nm以下である、
請求項1または2に記載のシート。 - 前記フィルムが半導体裏面保護フィルムである、請求項1〜3のいずれかに記載のシート。
- 前記基材層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体層を含む、請求項1〜4のいずれかに記載のシート。
- はく離ライナーと、
前記はく離ライナー上に位置する、請求項1〜5のいずれかに記載のシートと
を含む、テープ。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のシートの前記フィルムに、前記改質領域を有する前記半導体ウエハを固定する工程と、
前記ダイシングフィルムを拡張することにより前記改質領域を起点に前記半導体ウエハを分断する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
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