KR101849785B1 - 방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트 - Google Patents

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Abstract

적은 밀어올림에 의해, 양호하게 반도체 칩 등을 픽업할 수 있는 다이싱용 점착 시트용의 점착제 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 이것을 사용한 점착 시트를 제공할 수 있다. 적어도, 관능기 a를 갖는 단량체 A, 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체로 이루어진 단량체 B, 및 관능기 a와 반응할 수 있는 관능기 c와 중합성 탄소 이중 결합기 둘 다의 기를 갖는 단량체 C에서 유래하는 구조 단위를 갖는 베이스 중합체를 주된 원료로서 함유하고, 상기 베이스 중합체는, 상기 단량체 B가, 주쇄를 구성하는 전체 단량체의 50중량％ 이상의 비율로, 단량체 A와 함께 주쇄를 구성하고, 또한 상기 단량체 A에 있어서의 관능기 a의 일부가 상기 단량체 C에 있어서의 관능기 c와 반응해서 결합함으로써, 측쇄에 중합성 탄소 이중 결합기를 가져서 이루어지는 방사선 경화형 점착제 조성물을 제공한다.

Description

방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트{RADIATION-CURABLE PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE COMPOSITION AND PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET}
본 발명은 방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트에 관한 것이다.
방사선 경화형 점착제 조성물은, 강 점착성을 갖는 상태에서 방사선을 조사함으로써 경화되는 점에서, 점착성을 저감시킬 수 있어 간편하게 박리할 수 있다.
따라서, 강 점착성과 경 박리성의 상반되는 특성을 필요로 하는 용도에 있어서, 적절하게 사용되고 있다. 예를 들어, 이러한 방사선 경화형 점착제 조성물에 의해 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트를 피착체의 표면에 접착하고, 그 표면을 보호 또는 고정시키며, 그 필요가 없어졌을 때에, 피착체에 접착된 점착 시트에 대하여 방사선을 조사함으로써, 점착제가 경화함으로써 점착성을 저감시키고, 점착 시트를 경 박리로 간편하게 박리하는 것이 가능하게 된다.
특히, 반도체 웨이퍼 등의 다이싱용 점착 시트로서는, 다이싱 시에는 반도체 웨이퍼가 박리하지 않을 정도의 점착력 및 유지에 이용되는 다이싱 링으로부터 탈락하지 않을 정도의 점착력을 필요로 하고, 그 한편, 다이싱 후의 픽업 시에는, 용이하게 박리할 수 있으며, 또한, 반도체 웨이퍼가 파손되지 않을 정도의 낮은 점착력으로 용이하게 박리하는 것이 요구되고 있다.
그 때문에, 다양한 점착 시트가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 2).
또한, 다이싱용 점착 시트는 반도체 웨이퍼에 대하여 점착제 잔여가 발생하지 않는 등, 저오염성을 갖는 것도 요구되고 있어, 이들 특성의 양립을 시도한 재박리 시트가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 3).
통상, 다이싱 후의 픽업은 각 반도체 칩 사이의 간격을 넓히는 익스팬드 공정이 행해진 후에 실시된다. 익스팬드 공정은 다이싱용 점착 시트로부터 반도체 칩을 용이하게 박리할 수 있는 상태로 하는 공정이다. 또한, 이 공정은 다이싱용 점착 시트를 어느 정도 붙인 상태로 하여 픽업하는 반도체 칩 하부의 다이싱용 점착 시트를, 점 형상 또는 선 형상으로 들어올림(통상, 밀어올림이라고 함)으로써 행해진다. 그리고, 최근에는 반도체 칩을 이렇게 박리 용이한 상태로 한 후, 상부측에서 진공 흡착해서 픽업하는 방식이 주류가 되고 있다.
일본 특허 공개 제2005-019607호 공보 일본 특허 공개 제2007-220694호 공보 일본 특허 공개 제2001-234136호 공보
이 때문에, 반도체 제품의 경박화, 고 집적화에 수반하여, 반도체 웨이퍼가 박형화되는 가운데, 픽업 공정에서의 점착 시트의 밀어올림에 기인하는 변형에 의해, 반도체 웨이퍼가 파손된다고 하는 위험이 증대하고 있다.
따라서, 약간의 밀어올림에 의해, 칩에 손상을 초래하지 않는 안전한 픽업을 실현할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 적은 밀어올림에 의해, 양호하게 반도체 칩 등을 픽업할 수 있는 다이싱용 점착 시트에 사용되는 방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물은, 적어도 관능기 a를 갖는 단량체 A, 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체로 이루어진 단량체 B, 및 관능기 a와 반응할 수 있는 관능기 c와 중합성 탄소 이중 결합기 둘 다의 기를 갖는 단량체 C에서 유래하는 구조 단위를 갖는 베이스 중합체를 주된 원료로서 함유하고, 상기 베이스 중합체는 상기 단량체 B가 주쇄를 구성하는 전체 단량체의 50중량％ 이상의 비율로, 단량체 A와 함께 주쇄를 구성하고, 또한 상기 단량체 A에 있어서의 관능기 a의 일부가 상기 단량체 C에 있어서의 관능기 c와 반응해서 결합함으로써, 측쇄에 중합성 탄소 이중 결합기를 가져서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이러한 방사선 경화형 점착제 조성물에서는, 이하의 1 이상의 요건을 더 구비하는 것이 바람직하다.
단량체 A와 단량체 B에서 유래하는 구조 단위를 주쇄로서 갖는 중합체가, 260K 이하의 Fox식으로부터 산출되는 계산 유리 전이 온도를 갖고,
관능기 a가 히드록실기이고, 또한 관능기 c가 이소시아네이트기이고,
단량체 C가 메타크릴산2-이소시아네이토에틸 또는/및 아크릴산2-이소시아네이토에틸이고,
단량체 A가, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 및 6-히드록시헥실메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체이고,
단량체 B가 도데실메타크릴레이트 및 트리데실메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체이고,
단량체 B가, 도데실메타크릴레이트를 포함하고,
단량체 C에서 유래하는 측쇄에 도입된 중합성 탄소 이중 결합의 수가, 베이스 중합체 전체 측쇄수에 대하여 5％ 이상 20％ 이하이다.
또한, 본 발명의 점착 시트는 상술한 방사선 경화형 점착제 조성물로 이루어진 점착제층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물은, 적은 밀어올림에 의해, 양호하게 반도체 칩 등을 픽업할 수 있는 다이싱용 점착 시트용 점착제 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 이것을 사용한 점착 시트를 제공할 수 있다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물은, 적어도 단량체 A 내지 단량체 C의 3종의 단량체에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 베이스 중합체를 주된 원료로 한다. 여기서, 「주된 원료로 한다」라는 것은, 본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물을 구성하는 원료에 있어서, 최다 중량으로 함유되어 있는 것을 의미하고, 원료의 전체 중량에 대하여 50％ 이상 함유되어 있는 것이 바람직하다.
단량체 A: 관능기 a를 갖는 단량체.
단량체 B: 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체.
단량체 C: 관능기 a와 반응할 수 있는 관능기 c와 중합성 탄소 이중 결합기 둘 다의 기를 갖는 단량체.
이 베이스 중합체는, 측쇄에 중합성 탄소 이중 결합을 갖는 중합체이지만, 이것은 단량체 B가 주쇄를 구성하는 전체 단량체의 50중량％ 이상의 비율로, 단량체 A와 함께 주쇄를 구성하고, 또한 단량체 A에 있어서의 관능기 a의 일부가 단량체 C에 있어서의 관능기 c와 반응해서 결합하고 있는 것에 의해 유도된다.
즉, 이러한 베이스 중합체를 합성하는 경우, 우선 단량체 A와 단량체 B를 공중합해서 중간 중합물을 얻는다. 이때, 단량체 A 및 단량체 B 이외의 공중합성 단량체(단, 단량체 C가 아닌 것이 적합하다)를 중합체의 물성의 조정 등을 위해서 첨가해도 된다.
중간 중합물 내, 단량체 B에서 유래하는 구조 단위는, 전체 단량체의 50중량％ 이상의 비율인 것이 적합하다. 바꾸어 말하면, 단량체 A와 단량체 B를 중합시킬 때, 단량체 A가 차지하는 중량 비율을 WA(％), 단량체 B가 차지하는 중량 비율을 WB(％)로 했을 때, 수학식 1을 만족하는 것이 적합하다. 또한, 단량체 A 및 단량체 B가 복수종의 단량체를 포함하는 경우는 중량 비율 WA 및 WB는 각각 단량체 A 및 단량체 B의 총량을 의미한다.
<수학식 1>
WB/(1-WA)≥50％
계속해서, 중간 중합물에 단량체 C를 첨가하고, 관능기 a와 관능기 c를 반응시킴으로써, 중합성 탄소 이중 결합기를 중간 중합물의 측쇄에 부가시켜, 베이스 중합체를 얻는다. 이때, 관능기 a와 관능기 c의 조합에 의해, 반응을 촉진시키기 위한 촉매를 첨가하여도 되고, 필요하면 열 등의 에너지를 외부로부터 가해도 된다.
단량체 A는 관능기 a를 갖고, 단량체 B와 공중합가능한 한, 특별히 그 종류는 한정되지 않는다.
관능기 a로서는, 예를 들어 카르복실기, 에폭시기(특히, 글리시딜기), 아지리딜기, 히드록실기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 히드록실기, 이소시아네이트기 등이 바람직하고, 히드록실기인 것이 보다 바람직하다.
관능기 a가 카르복실기인 경우, 단량체 A로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다.
관능기 a가 글리시딜기인 경우, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산메틸글리시딜 등을 들 수 있다.
관능기 a가 히드록실기인 경우, 단량체 A로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산3-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시기 함유 단량체, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 후술하는 메타크릴레이트계 단량체인 단량체 B와의 공중합성 및 재료 입수의 용이성 등의 관점에서, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 및 6-히드록시헥실메타크릴레이트가 바람직하다.
관능기 a가 이소시아네이트기인 경우, 단량체 A로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 메타크릴산2-이소시아네이토에틸, 아크릴로일이소시아네이트, 아크릴산2-이소시아네이토에틸, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다.
또한, 단량체 A는, 상술한 관능기에 의해 수소 결합으로 대표되는 분자간력이 측쇄끼리 작용하고, 중간 중합물의 취급이 곤란해지는 경향이 있기 때문에, 중간 중합물 전체에 대하여 15중량％ 이하인 것이 바람직하다.
본원 명세서에 있어서는, 용어 「(메트)아크릴」이란, 아크릴 및 메타크릴 둘 다를 포함하는 의미이다.
단량체 B는 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체이다.
알킬기의 탄소수를 10 이상으로 함으로써, 방사선 조사 후의 점착력을 낮게 억제할 수 있다. 이것은, 주쇄 근방의 에스테르 결합이 갖는 극성이, 피착체에 전기적으로 서로 당기는 영향을 받기 어렵게 하기 위한 것이라고 추정된다.
한편, 아크릴레이트 단량체에서는, 측쇄의 탄소수가 8 이상에서는, 탄소수의 증가에 따라 유리 전이 온도가 상승한다. 이것은 측쇄에 의한 결정성에 의한 것으로 추정된다. 그 결과, 방사선 조사 전의 점착성이 저하하고, 방사선 조사 전의 유지성을 손상시키게 된다.
메타크릴레이트 단량체에서는, 측쇄의 탄소수가 10 이상이라도 유리 전이 온도가 낮고, 방사선 조사 전의 유지성을 손상시키지 않고, 측쇄의 탄소수를 증가시켜, 주쇄 근방의 에스테르 결합의 영향을 억제하는 것이 가능하다. 그러나, 메타크릴레이트 단량체일지라도, 측쇄의 탄소수가 18 이상에서는, 유리 전이 온도가 상승하여 방사선 조사 전의 유지성을 저하시키는 경우가 있다.
이러한 알킬기로서는, 예를 들어 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 1-메틸노닐, 1-에틸데실, 1,2-디메틸옥틸, 1,2-디에틸헥실 등의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 들 수 있다.
따라서, 단량체 B로서는, 예를 들어 메타크릴산데실, 메타크릴산도데실, 메타크릴산트리데실, 메타크릴산옥타데실 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메타크릴산도데실 또는 메타크릴산트리데실이 바람직하고, 메타크릴산도데실이 보다 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 이러한 단량체를 선택함으로써, 후술하는 계산 유리 전이 온도를 260K 이하로 제어하기 쉬워지고, 나아가서는 방사선 조사 전의 점착력을 증대시킬 수 있다.
본 발명의 점착제 조성물에서는, 알킬기의 탄소수가 10 이상 17 이하로, 비교적 긴 메타크릴레이트 단량체에서 유래하는 중합체를 사용하는 점에서, 방사선 조사 후의 점착력을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 보다 적은 밀어올림에 의해, 양호하게 반도체 칩 등을 픽업할 수 있다.
또한, 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 아크릴레이트 단량체를 사용함으로써도 방사선 조사 후의 점착력을 저감시킬 수 있지만, 측쇄의 탄소수가 많은 아크릴레이트 단량체로부터 생성되는 중합체는 측쇄의 알킬기에 의한 결정성이 현저하게 된다. 그 결과, 유리 전이 온도가 높아지고, 방사선 조사 전의 상온에서의 점착성이 낮아진다.
따라서, 방사선 조사 전의 점착성을 확보하고, 방사선 경화형 점착제 조성물로서 적합한 것으로 하기 위해서, 탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
단량체 C는, 관능기 a와 반응할 수 있는 관능기 c와, 중합성 탄소 이중 결합 둘 다를 포함하는 화합물이면, 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 관능기 a와 반응할 수 있는 관능기로서는, 상술한 관능기 a와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
관능기 a와 관능기 c의 조합으로서는, 카르복실기와 에폭시기(특히, 글리시딜기), 카르복실기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 이 조합을 선택함으로써, 관능기 c와 중합성 탄소 이중 결합기 둘 다를 갖는 단량체 C를, 단량체 A에 있어서의 관능기 a와 반응시키기 위해서, 고온 에너지를 사용할 필요가 없게 되고, 고온 에너지 부하에 기인하는 공중합물의 변성 등을 억제할 수 있다.
또한, 이들 관능기의 조합에서는, 어느 것이 관능기 a라도, 관능기 c라도 좋다. 중간 중합물의 관능기 a가 히드록실기, 단량체 C의 관능기 c가 이소시아네이트기인 것이 바람직하다.
따라서, 관능기 c가 이소시아네이트기인 경우, 단량체 C로서는, 단량체 A에 서와 마찬가지 것을 들 수 있고, 그 중에서도, 메타크릴산2-이소시아네이토에틸 또는/및 아크릴산2-이소시아네이토에틸이 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다.
단량체 A와 단량체 B에서 유래하는 구조 단위를 주쇄로서 갖는 중합체, 즉, 단량체 A에 있어서의 관능기 a의 일부가 단량체 C에 있어서의 관능기 c와 반응해서 결합한 것이 아니라, 단량체 A 및 단량체 B(단, 상술한 바와 같이, 단량체 A 및 단량체 B 이외의 공중합성 단량체가 사용되어도 좋다)에만 유래하는 구조 단위를 갖는 중합체, 바꾸어 말하면, 상술한 중간 중합물은, 260K 이하의 Fox식으로부터 산출되는 계산 유리 전이 온도를 갖는 것이 바람직하다. 이 계산 유리 전이 온도는, 단량체 A 및 단량체 B(임의로 그 이외의 공중합 단량체)의 종류 및 양 등을 선택함으로써 조정할 수 있다.
계산 유리 전이 온도(계산Tg)는 Fox식(수학식 2)로부터 산출할 수 있다.
<수학식 2>
1/계산Tg=W1/Tg(1)+W2/Tg(2)+… +Wn/Tn
여기서, W1, W2, … Wn은 공중합체를 구성하는 성분(1), 성분(2), … 성분(n)의 중합체에 대한 각 중량분율을 의미하고, Tg(1), Tg(2), … Tg(n)은, 성분(1), 성분(2), … 성분(n)의 단독중합체의 유리 전이 온도(단위는 절대 온도)를 나타낸다.
또한, 단독중합체의 유리 전이 온도는, 각종 문헌, 카탈로그 등으로부터 공지이며, 예를 들어 J. Brandup, E. H. Immergut, E. A. Grulke: Polymer Handbook:JOHNWILEY & SO NS, INC에 기재되어 있다. 각종 문헌에 수치가 없는 단량체에 대해서는 일반적인 열 분석, 예를 들어 시차 열 분석이나 동적 점탄성 측정법 등에 의해 측정한 값을 채용할 수 있다.
계산 유리 전이 온도를 이 범위로 설정함으로써, 방사선 조사 전의 점착성을 높게 할 수 있고, 본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물을 점착제층으로서 구비하는 점착 시트를 다이싱용 시트로 해서 사용했을 때, 반도체 웨이퍼의 박리를 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 프레임에의 밀착성을 증대시킬 수 있고, 의도하지 않는 프레임으로부터의 박리를 방지할 수 있다.
단량체 C에서 유래하는 측쇄에 도입된 중합성 탄소 이중 결합의 수는, 베이스 중합체 전체 측쇄수에 대하여 5％ 이상 20％ 이하인 것이 적합하고, 7％ 이상 18％ 이하가 바람직하며, 7％ 이상 15％ 이하가 더욱 바람직하다.
베이스 중합체에 있어서, 측쇄에 도입되는 중합성 탄소 이중 결합의 수는, 단량체 C의 첨가 비율로 제어할 수 있다. 이 중합성 탄소 이중 결합을 5％ 이상으로 함으로써, 방사선 조사로 적당한 경화성을 부여할 수 있다. 또한, 20％ 이하로 함으로써, 중합성 탄소 이중 결합기의 점착제 조성물 중에서의 존재량을 적절한 범위로 하여 의도하지 않는 경화를 방지할 수 있고, 방사선 조사 전의 점착성의 상실, 급격한 점착력의 저하 등을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물을 점착제층으로서 구비하는 점착 시트를 다이싱용 시트로 해서 사용했을 때, 반도체 웨이퍼의 의도하지 않는 박리를 방지할 수 있고, 방사선 조사 후의 픽업성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기로부터, 히드록실기 함유 메타크릴레이트 단량체인 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 6-히드록시헥실 메타크릴레이트에서 선택되는 1종 또는 복수종의 단량체를 공중합 단량체로서 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 이 공중합 단량체 이외의 공중합 단량체 내, 도데실메타크릴레이트 또는/및 트리데실메타크릴레이트가 차지하는 비율이 50중량％ 이상인 메타크릴레이트 함유 공중합물로 하는 것이 바람직하다. 또한, 메타크릴산2-이소시아네이토에틸 또는/및 아크릴산2-이소시아네이토에틸을, 히드록실기 함유 메타크릴레이트 단량체의 히드록실기 중 적어도 일부에 반응시켜서 얻어지는 중합체를, 주된 원료로 하는 방사선 경화형 점착제 조성물이 바람직하다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에 있어서의 베이스 중합체는, 단량체 A 및 단량체 B 이외에, 주쇄를 구성하는 구조 단위로서, 공중합가능한 단량체(이하, 「공중합가능 단량체」라고 기재하는 경우가 있다)에서 유래하는 구조 단위를 포함하고 있어도 좋다. 즉, 상술한 중간 중합물을 합성할 때, 단량체 C 이외의 공중합가능한 단량체를 사용해도 좋다. 예를 들어, 이러한 단량체는 응집력, 내열성, 유리 전이 온도, 방사선 조사 전의 점착성 등의 개질에 기여한다.
공중합가능 단량체로서는, 포화 탄화수소의 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 포화 탄화수소의 탄소수는, 예를 들어 1 내지 30 정도를 들 수 있고, 1 내지 18 정도가 바람직하며, 4 내지 18 정도가 보다 바람직하다.
포화 탄화수소로서는, 알킬기, 시클로알킬기 또는 이들을 조합시킨 기를 들 수 있다. 구체적으로는, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 예를 들어 메틸, 에틸, 부틸, 2-에틸헥실, 옥틸, 데실, 도데실, 트리데실, 옥타데실 등을 들 수 있다.
시클로알킬기로서는, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로헥실 등을 들 수 있다.
공중합가능한 단량체로서는, 또한, 예를 들어 (메트)아크릴산, 카르복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체;
무수말레산, 무수이타콘산 등의 산무수물 단량체;
스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체;
2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체;
아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등이라도 좋다.
그 중에서도, 메타크릴레이트계 단량체인 단량체 B와의 공중합성의 관점에서, 메타크릴레이트계 단량체인 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다.
공중합가능한 단량체의 사용량은, 주쇄를 구성하는 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다. 여기서, 전체 단량체 성분이란, 주쇄를 구성하는 단량체 성분을 의미한다.
또한, 공중합가능한 단량체에서 유래하는 구조 단위는, 후술하는 바와 같이 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에 있어서의 베이스 중합체는, 가교시키는 것을 목적으로, 공중합용 단량체 성분으로서의 다관능성 단량체 등을 필요에 따라 사용할 수 있다. 이 다관능 단량체에서 유래하는 구조 단위는, 주쇄 및 측쇄의 어느 한 쪽 또는 양쪽에 도입되어도 좋다.
이러한 다관능성 단량체로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등에서, 주쇄를 구성하는 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다. 여기서, 전체 단량체 성분이란, 주쇄를 구성하는 단량체 성분을 의미한다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에 있어서의 베이스 중합체는, 상술한 바와 같이, 우선 적어도 단량체 A 및 단량체 B의 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 모든 방식으로 행할 수도 있다. 계속해서, 단량체 C를, 얻어진 중합체에 대하여 부가 중합시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 효과적으로 단량체 C를 베이스 중합체의 측쇄에 도입할 수 있다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물을 점착제층으로서 구비하는 점착 시트를 다이싱용 시트로 해서 사용하는 경우, 점착제층은 반도체 웨이퍼 등에 대한 오염 방지 등의 면에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 따라서, 베이스 중합체의 중량 평균 분자량은 30만 정도 이상이 바람직하고, 50만 내지 300만 정도가 보다 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에는, 베이스 중합체의 중량 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 사용해도 좋다. 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 무수 화합물, 폴리아민, 카르복실기 함유 중합체 등의 소위 가교제를 들 수 있다. 이들 외부 가교제는 베이스 중합체에 첨가함으로써 가교시킬 수 있다.
외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 의해, 또한, 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절히 조정할 수 있다. 일반적으로는, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 0.01 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에는, 베이스 중합체 이외에, 방사선 조사 전후의 점착성을 조정하는 관점에서, 방사선 경화성의 단량체 또는 올리고머 성분 등을 첨가하여도 된다. 방사선 경화성의 단량체 또는 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르화물; 에스테르아크릴레이트 올리고머; 2-프로페닐-3-부테닐시아누레이트; 이소시아누레이트, 이소시아누레이트 화합물, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다.
이 방사선 경화성의 단량체 또는 올리고머 성분의 배합량은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 픽업시, 즉 방사선 조사 후의 피가공물에 대한 박리 점착력을 저하시키는 것을 고려하면, 점착제 조성물 중 1 내지 50중량％을 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 20중량％이다. 또한, 방사선 경화성의 단량체 성분 또는 올리고머 성분의 점도는, 점착제의 용도 등에 따라 적절히 조정하는 것이 바람직하다.
점착제층에는, 광중합 개시제로서 자외선을 조사함으로써 여기, 활성화해서 라디칼을 생성하고, 예를 들어 상술한 방사선 경화성 단량체 또는 올리고머를 라디칼 중합에 의해 경화시키는 작용을 갖는 것을 첨가하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 점착 시트의 접착시에는, 단량체 또는 올리고머 성분에 의해 점착제에 소성 유동성이 부여되기 때문에, 접착이 용이해지고, 점착 시트의 박리시에, 방사선을 조사해서 점착제층을 경화시켜 점착력을 유효하게 저감시킬 수 있다.
광중합 개시제로서는, 예를 들어,
벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인 이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류;
벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤류의 방향족 케톤류;
벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류;
폴리비닐벤조페논, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.1 내지 15중량부, 바람직하게는 0.5 내지 10중량부 정도이다.
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물에 있어서의 베이스 중합체는, 필요에 따라, 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 중합 개시제 등의 종래 공지의 각종 첨가제를 함유시켜도 좋다.
또한, 본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물은 방사선을 조사해서 그 가교도를 증대시킴으로써, 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 방사선으로서는, 예를 들어 전파, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, 감마선 등의 다양한 것을 들 수 있고, 그 중에서도, 취급의 용이성 등의 관점에서, 자외선, 전자선 등이 바람직하고, 특히 자외선이 보다 바람직하다. 이 때문에, 고압 수은등, 저압 수은등, 블랙 라이트 등을 사용할 수 있다. 경화시키기 위한 방사선의 조사량은, 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 50mJ/cm2 정도 이상을 들 수 있다.
본 발명의 점착 시트는, 상술한 방사선 경화형 점착제 조성물을 점착제층으로서 구비한다. 통상, 점착제층은 기재층의 한쪽에 배치되어 형성된다. 또한, 점착제층의 기재층과 반대측에는 세퍼레이터가 적층되어 있어도 좋다. 단, 이들 층은 반드시 1층뿐만 아니라, 예를 들어 기재층의 양면에 점착제층을 구비한 형태, 기재층과 점착제층 사이에 중간층, 프라이머층 등이 있는 형태, 기재층의 배면에 대전 방지층, 배면 경 박리화 처리층, 마찰 저감층, 접착 용이화 처리층이 있는 형태 등이라도 좋다.
점착 시트는 시트 형상, 롤 형상 등, 용도에 따라서 적당한 형상으로 할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 다이싱 용도의 경우, 미리 소정의 형상으로 절단 가공된 것이 적절하게 사용된다.
기재층은, 점착 시트의 강도 모체가 되는 것이다.
기재층의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 플라스틱 필름이 특히 적절하게 사용된다. 플라스틱 필름의 구성 재료로서, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에테르케톤, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 불소 수지, 실리콘 수지, 셀룰로오스계 수지 및 이들의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 구성 재료는 필요에 따라 관능기, 기능성 단량체 및 개질성 단량체 등을 그래프트해서 사용해도 좋다.
기재층은, 단층 또는 2종 이상의 적층층이라도 좋다.
기재층은, 예를 들어 대전 방지능을 부여하기 위해서, 그 표면에 금속, 합금 또는 이들 산화물 등으로 이루어진 도전층을 구비하고 있어도 좋다. 이 경우의 도전층은, 예를 들어 금속 등을 증착하거나 한 것을 사용할 수 있고, 그 두께는 3 내지 50nm 정도를 들 수 있다.
기재층은 방사선 경화형 수지 조성물에 방사선을 조사시키기 위해서, 방사선 중 적어도 일부를 투과시키는 것인 것이 바람직하다. 여기에서의 일부 투과란, 50％ 정도 이상, 60％ 정도 이상, 70％ 정도 이상 또는 80％ 정도 이상을 의미한다.
기재층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 10 내지 300μm, 바람직하게는 30 내지 200μm정도이다.
기재층은 종래 공지의 제막 방법을 이용해서 제조할 수 있다. 예를 들어, 캘린더 제막, 캐스팅 제막, 인플레이션 압출, T 다이 압출 등을 들 수 있다.
기재층이 다층 구조인 경우, 상술한 재료 등을 사용하여, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용의 필름 적층법으로 제조할 수 있다. 또한, 기재층은 비연신으로 사용해도 좋고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시해도 좋다.
기재층의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리, 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리, 하도제에 의한 코팅 처리, 가교 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리가 실시되어 있어도 좋다.
점착제층은, 상술한 방사선 경화형 점착제 조성물로 형성할 수 있다.
점착제층의 두께는, 1 내지 50μm 정도의 범위 내인 것이 바람직하다. 점착 시트에 부착된 피착체는, 그 처리(예를 들어, 다이싱)시에 진동하는 경우가 있다. 이 때, 그 진동 폭이 크면, 피착체(예를 들어, 절단 칩)에 절결(칩핑) 등이 발생하는 경우가 있다. 그러나, 점착제층의 두께를 50μm 이하로 함으로써, 피착체를 다이싱하거나 할 때에 발생하는 진동의 진동 폭이 지나치게 커지는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 절단 칩에 절결이 발생하는, 소위 칩핑의 저감이 도모된다. 그 한편, 점착제층의 두께를 1μm 이상으로 함으로써, 다이싱하거나 할 때에 피착체가 용이하게 박리되지 않도록, 피착체를 확실하게 유지할 수 있다.
점착제층의 두께는, 3 내지 20μm 정도의 범위 내로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내로 함으로써, 칩핑의 저감을 한층 도모할 수 있고, 또한 다이싱 시의 피가공물의 고정도 더욱 확실하게 하고, 다이싱 불량의 발생을 방지할 수 있다.
점착제층을 형성하는 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 기재층 표면에 점착제층의 구성 재료를 직접 도포하는 방법, 이형제가 도포된 시트 위에 점착제의 구성 재료를 도포·건조해서 점착제층을 형성한 후, 기재층 위에 전사하는 방법 등을 들 수 있다.
세퍼레이터는 점착제층의 보호, 라벨 가공 및 점착제층의 표면을 평활하게 하는 기능을 갖고, 적절히 필요에 따라서 설치된다.
세퍼레이터의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 표면에는 점착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해서, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 필요에 따라, 점착제층이 환경 자외선에 의해 반응하는 것을 방지하기 위해서, 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 좋다. 세퍼레이터(13)의 두께는, 통상 10 내지 200μm이며, 25 내지 100μm정도가 바람직하다.
본 발명의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지, 유리, 세라믹스 등 각종 피착체에 접착해서 사용할 수 있다.
일반적으로, 실리콘, 게르마늄, 갈륨-비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는 대직경의 상태로 제조된 후, 소정의 두께가 되게 이면 연삭(백그라인드)되어, 필요에 따라 이면 처리(에칭, 폴리싱 등) 등이 이루어진다. 이어서, 다이싱 프레임이라고 불리는 링 형상 지그에 고정된 다이싱용 점착 시트가, 반도체 웨이퍼의 이면에 부착되어, 소자 소편에 절단 분리(다이싱)된다. 계속해서, 세정 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 마운트 공정의 각 공정이 실시된다.
본 발명의 점착 시트는, 이러한 반도체 장치의 제조 공정에서 적절하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 백그라인드용 표면 보호 시트 또는 고정 시트, 반도체 웨이퍼 다이싱용 표면 보호 시트 또는 고정 시트, 반도체 회로의 보호용 시트 등으로서 이용할 수 있다.
구체적으로는, 본 발명의 점착 시트를, 우선 반도체 부품 등의 반도체 웨이퍼에 접합한다(마운트 공정). 마운트 공정은 반도체 웨이퍼와 점착 시트를, 점착제층측이 접합면이 되도록 중첩하고, 압착 롤 등의 가압 수단으로 가압하면서 행한다. 또한, 가압 가능한 용기(예를 들어, 오토클레이브 등) 중에서, 반도체 웨이퍼와 점착 시트를 겹치고, 용기 내를 가압함으로써 부착할 수도 있다. 이때, 가압 수단으로 가압하면서 부착해도 좋다. 또한, 진공 챔버 내에서 부착해도 좋다. 부착시의 부착 온도 등은 한정되지 않지만, 예를 들어 20 내지 80℃인 것이 바람직하다.
계속해서, 반도체 웨이퍼를 다이싱한다(다이싱 공정). 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼를 개편화해서 반도체 칩을 제조하기 위해서 행한다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 회로면측에서, 블레이드를 고속 회전시켜, 반도체 웨이퍼를 소정의 크기로 절단해서 행해진다. 또한, 점착 시트까지 절입을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용해도 좋다. 절단 방법으로서는, 고속 회전하는 블레이드, 자외, 적외, 가시 영역의 레이저 등을 사용하는 방법, 표면에 다이아몬드 커터등으로 절결을 실시하여 외력으로 분할하는 방법, 피절단체의 두께 방향의 내부에 결함층을 형성해 외력으로 분할하는 방법 등 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 점착 시트로 접착 고정되어 있기 때문에, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 파손도 억제할 수 있다.
그 후, 반도체 칩을 픽업한다(픽업 공정). 픽업 공정은 점착 시트에 접착 고정된 반도체 칩을 박리하기 위해서 행한다. 픽업 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지의 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩을 점착 시트측에서 니들로 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩을 픽업 장치로 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
픽업 전에, 점착제층에 방사선 조사 처리를 실시한다. 이에 의해 점착성을 저하시켜 픽업의 용이화를 도모한다. 방사선 조사시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고 적절히 필요에 따라 설정할 수 있다.
이하, 본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트를, 실시예에 기초하여 보다 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 있어서 「부」는, 중량부를 의미하는 것으로 한다.
우선, 방사선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다.
(중간 중합물 용액의 제조)
표 2-1 및 표 3-1에 도시한 바와 같이, 소정의 단량체에 중합 개시제와 용매를 투입했다.
열 중합 개시제는 2,2'-아조비스-이소부티로니트릴(기시다 가가꾸사제)을 단량체 총량에 대하여 0.2중량％가 되도록, 용매는 톨루엔을 단량체 총량에 대하여 50중량％가 되도록 투입했다.
이 혼합물을 1L의 바닥이 둥근 세퍼러블 플라스크, 세퍼러블 커버, 분액 로트, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 진공 시일, 교반봉, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입했다.
투입한 혼합물을 교반하면서, 상온에서 질소 치환을 1시간 실시했다. 그 후, 질소 유입하, 교반하면서, 워터 배스에서 실험 장치 내 용액 온도가 60℃±2℃가 되도록 제어하면서, 12시간 유지하여 중간 중합물 용액을 얻었다.
또한, 중합 도중에, 중합 중의 온도 제어를 위해서 톨루엔을 적하했다. 또한, 측쇄의 극성기 등에 의한 수소 결합에 의한 급격한 점도 상승을 방지하기 위해서 아세트산 에틸을 적하했다.
또한, 얻어진 중간 중합물의 계산 Tg(K)을 표 1 및 표 3에 나타낸 단독중합체의 Tg의 문헌값에서 Fox식을 사용해서 산출했다.
(베이스 중합체의 제조)
얻어진 중간 중합물 용액을 실온까지 냉각하고, 표 1 및 표 3에 나타내는 양의 메타크릴산2-이소시아네이토에틸(카렌즈 MOI:쇼와덴코사제) 및 디라우르산디부틸주석IV(와코 쥰야꾸 고교사제)을 첨가하고, 공기 분위기 하에서 50℃로 24시간 교반 및 유지하여 베이스 중합체 용액을 얻었다.
또한, 측쇄에 대한 이중 결합수를, 아울러 표 1 및 표 3에 나타낸다.
(점착제 용액의 제조)
베이스 중합체 용액, 광중합 개시제로서 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(이르가큐어 184;시바 스페셜티 케미컬즈사제)을 베이스 중합체 고형분 100중량부당 3중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(코로네이트 L;닛본 폴리우레탄사제)을 베이스 중합체 고형분 100중량부당 3중량부를 혼합하고, 균일하게 교반하여 점착제 용액을 얻었다.
(점착 시트의 제작)
얻어진 점착제 용액을 실리콘계 이형 처리된 PET 필름의 이형 처리면에 어플리케이터로 도포하고, 120℃의 건조기에서 5분간 건조하여 두께 10μm의 점착제층을 얻었다.
계속해서, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 수지를 T 다이 압출로 제막하고, 편면을 코로나 처리한 두께 100μm의 필름을 기재층으로서 준비했다. 이 기재층의 코로나 처리면에 점착제층을 핸드 롤러로 접합하고, 50℃로 72시간 밀착화 처리를 행하여 점착 시트를 얻었다.
얻어진 점착 시트에 대해서 픽업 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2 및 표 4에 나타낸다.
(픽업 평가)
이하에 나타내는 조건에서, 백그라인드된 실리콘 미러 웨이퍼의 백그라인드면에, 얻어진 점착 테이프를 8인치용 다이싱 링(2-8-1;디스코사제)과 함께 부착하고, 백그라인드 테이프를 박리하고, 다이싱용 워크를 준비했다. 다이싱용 워크를 상온, 암소에서 7일 방치했다.
그 후, 이하에 나타내는 조건에서 다이싱을 실시했다. 이때, 다이싱 링으로부터 점착 테이프가 박리·탈리한 것은 이 시점에서 불량으로 했다. 양호하게 다이싱할 수 있었던 것에 관해서, 자외선을 이하에 나타내는 조건에서 점착 테이프면에서 조사하고, 픽업 평가용 워크로 했다. 자외선 조사로부터 3시간 후에, 이하에 나타내는 조건에서 픽업 평가를 실시했다. 또한, 니들 높이는 150μm에서 실시하고, 픽업 불가능인 경우 10μm씩 니들 높이를 증가시키고, 50칩 연속으로 픽업할 수 있었을 때의 니들 높이를 픽업성의 평가값으로 했다. 본 평가값은, 값이 작을수록 점착 테이프의 픽업성이 양호한 것을 나타내고 있고, 니들 높이가 250μm 이하인 때를 픽업 양호, 250μm보다 큰 경우를 픽업 불량으로 했다.
(백그라인드 조건)
장치 DFG-8560(디스코사제)
연삭 숫돌 1축 #600, 2축 #2000
연삭 두께 1축에서 250μm까지, 2축에서 200μm까지 연삭
백그라인드 테이프 BT-150E-KL(닛토덴코사제)
(다이싱 조건)
장치 DFD-651(디스코사제)
다이싱 블레이드 ZBC-ZH 205O-27HECC(디스코사제)
다이싱 속도 80mm/sec
블레이드 회전수 40,000rpm
절삭수 유량 1L/min
커팅 모드 A
커트 방법 싱글 컷
인덱스 크기 10mm×10mm
절입량 테이프에 30μm
(픽업 조건)
장치 FED-1870(시바우라사제)
픽업 스피드 인덱스 4
픽업 타임 100msec
밀어올림량 150μm에서
익스팬드량 3mm
니들 배치 7×7mm
니들R 250μm
콜릿 크기 9×9mm
Figure 112011103830214-pat00001
Figure 112011103830214-pat00002
Figure 112011103830214-pat00003
Figure 112011103830214-pat00004
표 1 및 표 3에 있어서,
Tg(K)*은 단독중합체의 유리 전이점 온도(Tg)의 문헌값을 나타낸다.
BM: 부틸 메타크릴레이트:아크리에스테르 B(미쯔비시 레이온사제)
2-EHM: 2-에틸헥실메타크릴레이트:라이트에스테르 EH(교에샤 가가꾸 고교사제)
DM: 도데실메타크릴레이트:엑세팔 L-MA(가오사제)
TDM: 트리데실메타크릴레이트(도꾜 가세이 고교사제)
ODM: 옥타데실메타크릴레이트(도꾜 가세이 고교사제)
2-HEM: 2-히드록시에틸메타크릴레이트:아크리에스테르 HO(미쯔비시 레이온사제)
2-IEM: 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트:카렌즈 MOI(쇼와덴코사제)
BA: 부틸아크릴레이트: (도아 고세사제)
2-EHA: 2-에틸헥실아크릴레이트:아크릴산2-에틸헥실(도아 고세사제)
DA: 도데실 아크릴레이트(도꾜 가세이 고교사제)
2-HEA: 2-히드록시에틸 아크릴레이트:아크릭스 HEA(도아 고세사제)
본 발명의 방사선 경화형 점착제 조성물 및 그것을 사용한 점착 시트는, 예를 들어 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 반도체 패키지, 세라믹스, 유리 등의 다양한 피착체에 대하여 접착해서 이용할 수 있고, 이들 피착체, 특히 반도체 웨이퍼의 가공 공정 등에서 사용되는 웨이퍼 임시 고정용, 웨이퍼 보호용, 웨이퍼 다이싱용 등의 다양한 용도의 재박리 가능한 점착 시트 등으로서 넓은 적용 대상에 대하여 유용하다.

Claims (9)

  1. 적어도,
    관능기 a로서 히드록실기를 갖는 메타크릴계 단량체 A,
    탄소수 10 이상 17 이하의 알킬기를 갖는 메타크릴레이트 단량체로 이루어진 단량체 B, 및
    관능기 a와 반응할 수 있는 관능기 c로서 이소시아네이트기와 중합성 탄소 이중 결합기 둘 다의 기를 갖는 메타크릴계 단량체 C에서 유래하는 구조 단위를 갖는 베이스 중합체를 주된 원료로서 함유하고,
    상기 베이스 중합체는,
    상기 단량체 B가, 주쇄를 구성하는 전체 단량체의 50중량％ 이상의 비율로, 단량체 A와 함께 주쇄를 구성하고, 또한
    상기 단량체 A에 있어서의 관능기 a의 일부가 상기 단량체 C에 있어서의 관능기 c와 반응해서 결합함으로써, 측쇄에 중합성 탄소 이중 결합기를 갖고,
    상기 단량체 C에서 유래하는 측쇄에 도입된 중합성 탄소 이중 결합의 수가, 베이스 중합체 전체 측쇄수에 대하여 7％ 이상 18％ 이하인 것을 특징으로 하는 방사선 경화형 점착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 단량체 A와 단량체 B에서 유래하는 구조 단위를 주쇄로서 갖는 중합체가, 260K 이하의 Fox식으로부터 산출되는 계산 유리 전이 온도를 갖는 방사선 경화형 점착제 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단량체 C가, 메타크릴산2-이소시아네이토에틸인 방사선 경화형 점착제 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단량체 A가, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 및 6-히드록시헥실메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체인 방사선 경화형 점착제 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단량체 B가, 도데실메타크릴레이트 및 트리데실메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단량체인 방사선 경화형 점착제 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 단량체 B가 도데실메타크릴레이트를 포함하는 방사선 경화형 점착제 조성물.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 방사선 경화형 점착제 조성물로 이루어진 점착제층을 구비하는 것을 특징으로 하는 점착 시트.
  8. 삭제
  9. 삭제
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