WO2020003919A1 - 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

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adhesive tape
meth
acrylate
pressure
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和人 愛澤
前田　淳
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リンテック株式会社
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, and more particularly, to a method of forming grooves on the surface of a wafer, or providing a modified region inside the wafer with a laser, and dividing the wafer into pieces by stress or the like at the time of grinding the back surface of the wafer.
  • the present invention relates to an adhesive tape which is preferably used for temporarily holding a semiconductor wafer or a chip when manufacturing a semiconductor device using the same, and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape.
  • DBG Dicing Before Grinding
  • an adhesive tape called a back grinding sheet is attached to the wafer surface to protect the circuit on the wafer surface and to hold the semiconductor wafer and semiconductor chips. It is common to do.
  • an adhesive tape having a base material and an adhesive layer provided on one surface of the base material is used as the back grind sheet used in the DBG.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-183008
  • a rigid base, a buffer layer provided on one surface side of the rigid base, and the other of the rigid base are described.
  • An adhesive sheet having an adhesive layer provided on the surface side has been proposed.
  • Patent Document 1 discloses that when the rigid base material has a Young's modulus of 1000 MPa or more, and the tip of a triangular pyramidal indenter having a tip curvature radius of 100 nm and a ridge angle of 115 ° is pushed into the buffer layer at a speed of 10 ⁇ m / min. It is disclosed that the indentation depth required for the load to reach 2 mN is 2.5 ⁇ m or more.
  • Patent Document 2 Japanese Patent No. 5068793 proposes a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a sheet obtained by curing an energy ray-curable composition. Patent Document 2 discloses that the adhesive sheet has a breaking elongation of 50% or more and a tensile modulus of 10 to 1000 MPa.
  • LDBG Laser Dicing Before Grinding
  • the inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-described problems, and as a result, an adhesive tape is adhered to a semiconductor wafer, and the adhesive tape is cut along the outer periphery of the wafer with a cutter. It was found that cracks occurred. After the adhesive tape is attached to the wafer and the adhesive tape is cut along the outer periphery, the wafer is placed on the chuck table via the adhesive tape, and the back surface is ground by a grinder or the like. At this time, if the tape debris is between the adhesive tape and the chuck table, the tape deflected the adhesive tape and the wafer, causing a slight distortion on the ground surface of the wafer. When a wafer having such a distortion is ground, the grinder is caught on the distorted portion and the wafer cannot be ground uniformly. As a result, cracks are likely to be generated in the chips.
  • Tape waste is generated when the adhesive tape is cut with a cutter, and specifically, occurs when a part of the configuration of the adhesive tape is peeled off or cut off at the time of cutting. In addition, when a part of the configuration of the adhesive tape adheres to the blade of the cutter, tape debris may be more easily generated.
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional technology, and has as its object to provide a semiconductor processing adhesive tape that can suppress chip cracking even when used for DBG or LDBG.
  • the gist of the present invention for solving such a problem is as follows. (1) An adhesive tape having a substrate, a buffer layer provided on at least one surface side of the substrate, and an adhesive layer provided on the other surface side of the substrate, An adhesive tape for semiconductor processing, wherein the buffer layer has a breaking energy at 23 ° C. of 13 to 80 MJ / m 3 .
  • An adhesive tape having a substrate and an adhesive layer provided on at least one surface of the substrate, An adhesive tape for semiconductor processing, wherein the base material has a breaking energy at 23 ° C. of 13 to 80 MJ / m 3 .
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising:
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention can suppress the generation of tape debris when the adhesive tape is cut along the outer periphery of the wafer with a cutter. As a result, generation of cracks in the semiconductor chip can be reduced.
  • Form semiconductor processing means that the semiconductor wafer can be used in each step of transporting a semiconductor wafer, grinding a back surface, dicing, and picking up a semiconductor chip.
  • the “front surface” of the semiconductor wafer refers to a surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to a surface on which circuits are not formed. Separation of a semiconductor wafer refers to dividing a semiconductor wafer into circuits to obtain semiconductor chips.
  • DBG refers to a method of forming a groove of a predetermined depth on the front surface side of a wafer, then performing grinding from the back surface side of the wafer, and dividing the wafer into individual pieces by grinding.
  • the grooves formed on the front surface side of the wafer are formed by a method such as blade dicing, laser dicing, or plasma dicing.
  • LDBG is a modified example of DBG, and refers to a method in which a modified region is provided inside a wafer by laser, and the wafer is singulated by stress or the like at the time of grinding the back surface of the wafer.
  • each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention will be described in more detail.
  • an adhesive tape including a base material, a buffer layer provided on at least one surface side of the base material, and an adhesive layer provided on the other surface side of the base material will be described.
  • an adhesive tape including a base material and an adhesive layer provided on at least one surface of the base material will be described.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention may be simply referred to as “adhesive tape”.
  • an adhesive tape 10 includes a base material 11 and a buffer layer 12 provided on at least one surface side of the base material 11. It means a laminate including the pressure-sensitive adhesive layer 13 provided on the other surface side of the base material 11. In addition, it does not prevent including other constituent layers other than these.
  • a primer layer may be formed on the surface of the base material on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer until use.
  • the substrate may be a single layer or a multilayer. The same applies to the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the first embodiment will be described in more detail.
  • the base material preferably has a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more.
  • a base material having a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on a semiconductor wafer or a semiconductor chip is reduced, and vibration or the like during back surface grinding cannot be suppressed, resulting in chipping or breakage of the semiconductor chip. It will be easier.
  • the Young's modulus at 23 ° C. of the base material to 1000 MPa or more, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or the semiconductor chip is enhanced, vibration during back surface grinding is suppressed, and chipping or breakage of the semiconductor chip is prevented. it can.
  • the Young's modulus of the substrate at 23 ° C. is more preferably 1800 to 30000 MPa, and further preferably 2500 to 6000 MPa.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and further preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and further preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, and various resin films can be used.
  • a substrate having a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyester such as wholly aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide And resin films such as polysulfone, polyether ketone, and biaxially oriented polypropylene.
  • a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate film is more preferable.
  • the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, and the like, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the base material may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • at least one surface of the base material may be subjected to an adhesive treatment such as a corona treatment in order to improve the adhesiveness with at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the substrate may have the above-mentioned resin film and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the composition for forming the easy-adhesion layer for forming the easy-adhesion layer is not particularly limited, and examples thereof include a composition containing a polyester resin, a urethane resin, a polyester urethane resin, an acrylic resin, and the like. If necessary, the composition for forming an easily adhesive layer may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust inhibitor, a pigment, a dye, and the like. Good.
  • the thickness of the easily adhesive layer is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.03 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the easy-adhesion layer in the examples of the present application is smaller than the thickness of the base material, the thickness of the resin film having the easy-adhesion layer is substantially the same as the thickness of the base material. Further, since the material of the easy-adhesion layer is soft, the influence on the Young's modulus is small, and the Young's modulus of the base material is substantially the same as the Young's modulus of the resin film even when the easy-adhesion layer is provided.
  • the Young's modulus of the substrate can be controlled by selecting a resin composition, adding a plasticizer, and stretching conditions at the time of producing a resin film. Specifically, when a polyethylene terephthalate film is used as the base material, the Young's modulus of the base material tends to decrease as the content of the ethylene component in the copolymer component increases. Further, when the amount of the plasticizer added to the resin composition constituting the substrate increases, the Young's modulus of the substrate tends to decrease.
  • the buffer layer alleviates the stress at the time of grinding the back surface of the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from being cracked or chipped. After sticking the adhesive tape on the semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery, the semiconductor wafer is placed on the chuck table via the adhesive tape and ground back, but the adhesive tape has a buffer layer as a constituent layer This makes it easier for the semiconductor wafer to be properly held on the chuck table. On the other hand, it was found that tape debris was generated when the pressure-sensitive adhesive tape was cut because the buffer layer was softer than the base material. Therefore, as a result of the study, it was found that the generation of tape dust can be suppressed by the buffer layer having the following characteristics.
  • the breaking energy at 23 ° C. of the buffer layer is 13 to 80 MJ / m 3 .
  • the adhesive tape is affixed to a semiconductor wafer near normal temperature (23 ° C.) and cut along the outer periphery of the wafer. If the breaking energy of the buffer layer at room temperature (23 ° C.) is 13 to 80 MJ / m 3 , the buffer layer will not be deformed by the blade of the cutter during cutting, or will be deformed at the moment of the blade hit. Since the buffer layer returns to the original shape instantly, twisting and breaking of the buffer layer at the time of cutting can be suppressed, and generation of tape waste can be suppressed. On the other hand, if the breaking energy at 23 ° C.
  • the buffer layer is deformed when the cutter blade hits it during cutting and does not return to its original shape, so that the buffer layer is twisted or broken. May cause tape debris.
  • the breaking energy of the buffer layer at 23 ° C. is higher than 80 MJ / m 3 , the buffer layer may not be cut by a cutter, and the blade of the cutter may be worn. Even when the cutting is performed by heating the blade of the cutter, if the breaking energy at 23 ° C. of the buffer layer is 13 to 80 MJ / m 3 , twisting or breaking of the buffer layer during cutting is suppressed, and the tape is cut. Generation of waste can be suppressed.
  • the breaking energy of the buffer layer at 23 ° C. is preferably 13 to 60 MJ / m 3 , more preferably 14 to 58 MJ / m 3 , and still more preferably 15 to 37 MJ / m 3 .
  • the breaking energy is a value obtained by integrating the stress up to the breaking point in a stress-strain diagram obtained by performing a tensile test at 23 ° C based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999.
  • the strain (mm) can be determined by the initial test piece length (mm) ⁇ elongation (%).
  • the breaking stress and breaking elongation described below are the stress and breaking elongation at break in the tensile test, respectively.
  • the breaking stress of the buffer layer at 23 ° C. is preferably 15 to 300 MPa, more preferably 20 to 250 MPa, and further preferably 22 to 200 MPa.
  • the breaking stress can be measured based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999.
  • the breaking elongation at 23 ° C. of the buffer layer is preferably 50 to 400%, more preferably 70 to 350%, and further preferably 100 to 300%.
  • the elongation at break can be measured based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999.
  • the buffer layer is a layer that is softer than the base material. Therefore, the Young's modulus of the buffer layer at 23 ° C. is smaller than that of the base material at 23 ° C. Specifically, the Young's modulus of the buffer layer at 23 ° C. is preferably less than 1000 MPa, more preferably 700 MPa or less, and even more preferably 500 MPa or less.
  • the thickness of the buffer layer is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 5 to 80 ⁇ m, and still more preferably 10 to 60 ⁇ m. By setting the thickness of the buffer layer within the above range, the buffer layer can appropriately relieve stress at the time of back surface grinding.
  • the buffer layer is preferably a cured product of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound.
  • the layer may be a layer containing a polyolefin resin film or a layer mainly containing polyether.
  • each component contained in the layer formed from the composition for forming a buffer layer containing the energy ray polymerizable compound and each component contained in the layer containing the polyolefin resin film will be described in order.
  • the composition for forming a buffer layer containing the energy ray polymerizable compound can be cured by being irradiated with energy rays.
  • the “energy beam” refers to an ultraviolet ray, an electron beam, or the like, and preferably uses an ultraviolet ray.
  • the composition for forming a buffer layer containing the energy ray polymerizable compound more specifically contains urethane (meth) acrylate (a1).
  • the breaking energy of the buffer layer can be easily set within the above range.
  • the composition for forming a buffer layer may be a polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and / or a polymerizable compound having a functional group, in addition to the above (a1). More preferably, it contains the compound (a3). Further, the composition for forming a buffer layer may contain a polyfunctional polymerizable compound (a4) in addition to the components (a1) to (a3). Further, the composition for forming a buffer layer preferably contains a photopolymerization initiator, and may contain other additives and resin components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • each component contained in the composition for forming a buffer layer containing the energy ray polymerizable compound will be described in detail.
  • the urethane (meth) acrylate (a1) is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of being polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • Urethane (meth) acrylate (a1) is an oligomer or a polymer.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the component (a1) is preferably from 1,000 to 100,000, more preferably from 2,000 to 60,000, and still more preferably from 10,000 to 30,000.
  • the number of (meth) acryloyl groups in the component (a1) (hereinafter, also referred to as “functional group number”) may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but is preferably monofunctional or difunctional.
  • the component (a1) can be obtained, for example, by reacting a (meth) acrylate having a hydroxyl group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyvalent isocyanate compound.
  • the component (a1) may be used alone or in combination of two or more.
  • the polyol compound as a raw material of the component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific examples of the polyol compound include an alkylene diol, a polyether type polyol, a polyester type polyol, and a polycarbonate type polyol. Among them, polyester type polyol or polycarbonate type polyol is preferable.
  • the polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, and a polyfunctional or higher polyol, but a bifunctional diol is preferable, and a polyester diol or a polycarbonate diol is more preferable.
  • polyvalent isocyanate compound examples include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate, and dicyclohexylmethane-2.
  • aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate
  • isophorone diisocyanate norbornane diisocyanate
  • dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate dicyclohexylmethane-2.
  • Alicyclic diisocyanates such as 4,4'-diisocyanate and ⁇ , ⁇ '-diisocyanate dimethylcyclohexane; 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- And aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate.
  • isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate are preferred.
  • a urethane (meth) acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-mentioned polyol compound with a polyvalent isocyanate compound.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxycyclohexyl (meth).
  • Acrylate 5-hydroxycyclooctyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, etc.
  • Hydroxyalkyl (meth) acrylates hydroxy-containing (meth) acrylamides such as N-methylol (meth) acrylamide; vinyl alcohol, vinyl phenol, bisphenol The reaction product obtained by the diglycidyl ester of Nord A (meth) acrylic acid by reacting; and the like.
  • hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferred, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferred.
  • the conditions for reacting the isocyanate urethane prepolymer and the (meth) acrylate having a hydroxy group the conditions for reacting at 60 to 100 ° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary are preferable.
  • the content of the component (a1) in the composition for forming a buffer layer is preferably from 10 to 70% by mass, more preferably from 20 to 60% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming a buffer layer. It is.
  • the component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and is preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group. Preferably, it is a compound having one (meth) acryloyl group.
  • a compound having at least one (meth) acryloyl group, an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group is a component having Although included in the definitions of both (a2) and component (a3), in the present invention, the compound is included in component (a3).
  • the number of ring-forming atoms of the alicyclic group or heterocyclic group contained in the component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, further preferably 6 to 16, and particularly preferably 7 to 12. is there.
  • Examples of atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
  • the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself in a compound having a structure in which atoms are cyclically bonded, and atoms that do not form a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms that constitute the ring) Also, the atoms included in the substituent when the ring is substituted by the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.
  • Specific components (a2) include, for example, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, Alicyclic group-containing (meth) acrylates such as adamantane (meth) acrylate; and heterocyclic group-containing (meth) acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholine (meth) acrylate.
  • the component (a2) may be used alone or in combination of two or more.
  • Isobornyl (meth) acrylate is preferred among the alicyclic group-containing (meth) acrylates, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate is preferred among the heterocyclic group-containing (meth) acrylates.
  • the content of the component (a2) in the composition for forming a buffer layer is preferably from 10 to 80% by mass, more preferably from 20 to 70% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming a buffer layer. It is.
  • the component (a3) is a polymerizable compound having a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, and an amino group, and is further preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group. Preferably, it is a compound having one (meth) acryloyl group.
  • the component (a3) has good compatibility with the component (a1), and it is easy to adjust the viscosity of the composition for forming a buffer layer to an appropriate range. In addition, the breaking energy of the buffer layer formed from the composition is easily set in the above range, and the buffer performance is improved even when the buffer layer is relatively thin.
  • the component (a3) include a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, an epoxy group-containing compound, an amide group-containing compound, and an amino group-containing (meth) acrylate.
  • Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxy Butyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, phenylhydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, and the like.
  • Examples of the epoxy group-containing compound include glycidyl (meth) acrylate, methyl glycidyl (meth) acrylate, and allyl glycidyl ether.
  • epoxy such as glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate Group-containing (meth) acrylates are preferred.
  • the amide group-containing compound include (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, -Methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide and the like.
  • amino group-containing (meth) acrylate examples include a primary amino group-containing (meth) acrylate, a secondary amino group-containing (meth) acrylate, and a tertiary amino group-containing (meth) acrylate.
  • a hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferable, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the component (a3) may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the component (a3) in the buffer layer-forming composition is such that the breaking energy of the buffer layer can be easily set in the above-mentioned range, and the buffer layer-forming composition can be improved in film-forming properties.
  • the amount is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 7 to 35% by mass, and still more preferably 10 to 30% by mass based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming.
  • the content ratio of the component (a2) to the component (a3) [(a2) / (a3)] in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1. It is preferably from 0 to 3.0, more preferably from 1.3 to 3.0, particularly preferably from 1.5 to 2.8.
  • the polyfunctional polymerizable compound refers to a compound having two or more photopolymerizable unsaturated groups.
  • the photopolymerizable unsaturated group is a functional group containing a carbon-carbon double bond, and includes, for example, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and a vinylbenzyl group. Two or more photopolymerizable unsaturated groups may be combined.
  • the photopolymerizable unsaturated group in the polyfunctional polymerizable compound reacts with the (meth) acryloyl group in the component (a1), or the photopolymerizable unsaturated groups in the component (a4) react with each other, A three-dimensional network structure (crosslinked structure) is formed.
  • the cross-linking structure formed by irradiation with energy rays is increased as compared with the case where a compound containing only one photopolymerizable unsaturated group is used. It exhibits viscoelasticity and makes it easy to control the breaking energy within the above range.
  • the definition of the component (a4) overlaps with the definition of the component (a2) or the component (a3) described above, but the overlapping portion is included in the component (a4).
  • a compound having an alicyclic group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and having two or more (meth) acryloyl groups is included in the definition of both the component (a4) and the component (a2).
  • the compound is included in the component (a4).
  • a compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group and having two or more (meth) acryloyl groups is included in both the definition of the component (a4) and the component (a3).
  • the compound is included in the component (a4).
  • the number of the photopolymerizable unsaturated groups (the number of functional groups) in the polyfunctional polymerizable compound is preferably from 2 to 10, more preferably from 3 to 6.
  • the component (a4) preferably has a weight average molecular weight of 30 to 40,000, more preferably 100 to 10,000, and still more preferably 200 to 1,000.
  • Specific components (a4) include, for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexane Diol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, divinylbenzene, vinyl (meth) acrylate , Divinyl adipate, N, N'-methylenebis (meth) acrylamide and the like.
  • the component (a4) may be used alone or in combination of two or more. Among these, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate is
  • the content of the component (a4) in the composition for forming a buffer layer is preferably 2 to 40% by mass, more preferably 3 to 20% by mass based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming a buffer layer. And more preferably 5 to 15% by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds (a5) other than the above components (a1) to (a4) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the component (a5) for example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam and the like Vinyl compound: and the like.
  • the component (a5) may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the component (a5) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2% by mass. %.
  • the composition for forming the buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation.
  • photopolymerization initiator examples include, for example, a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, and a photosensitizer such as an amine or quinone.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzyl phenyl sulfide Tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyronitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, etc. It is below.
  • photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. It is part by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the buffer layer-forming composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other additives include an antistatic agent, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust inhibitor, a pigment, a dye, and the like.
  • the content of each additive in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compound. More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resin component include polyene / thiol resins, polyolefin resins such as polybutene, polybutadiene and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene copolymers.
  • the content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 2% by mass. %.
  • the buffer layer formed from the composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound is obtained by polymerizing and curing the composition for forming a buffer layer having the above composition by irradiation with energy rays. That is, the buffer layer is a cured product of the composition for forming a buffer layer. Therefore, the buffer layer contains a polymerized unit derived from the component (a1).
  • the buffer layer preferably contains a polymerized unit derived from the component (a2) and / or a polymerized unit derived from the component (a3). Further, it may contain a polymerized unit derived from component (a4) and / or a polymerized unit derived from component (a5).
  • the content ratio of each polymerized unit in the buffer layer usually corresponds to the ratio (feed ratio) of each component constituting the composition for forming a buffer layer.
  • the buffer layer is added to the component (a1). It contains 10 to 70% by mass of polymer units derived therefrom.
  • the buffer layer is added to the component (a2). It contains 10 to 80% by mass of polymer units derived therefrom.
  • the components (a3) to (a5) are the same applies to the components (a3) to (a5).
  • the breaking energy of the buffer layer can be easily set within the above range.
  • the buffer layer When the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film, the buffer layer may have a lower stress relaxation property than a layer formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray-polymerizable compound.
  • the pressure-sensitive adhesive tape having the buffer layer formed of the layer containing the polyolefin resin film on one side of the substrate may be warped.
  • the buffer layer formed by the layer containing the polyolefin resin film may be provided on at least one surface side of the base material. From the viewpoint of preventing such a problem, the buffer layer formed by the layer containing the polyolefin resin film is used. Is preferably provided on both sides of the substrate.
  • the polyolefin resin is not particularly limited, for example, ultra low density polyethylene (VLDPE, density: 880 kg / m 3 or more and less than 910 kg / m 3), low density polyethylene (LDPE, density: 910 kg / m 3 or more, 930 kg / m 3 below), medium density polyethylene (MDPE, density: 930 kg / m 3 or more and less than 942kg / m 3), high density polyethylene (HDPE, density: 942kg / m 3 or higher) such as polyethylene resin, polypropylene resin, polyethylene - polypropylene co Polymer, olefin elastomer (TPO), cycloolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (Meth) acrylate copolymer, d Tylene- (meth
  • a polyethylene resin is preferable, and a low-density polyethylene is more preferable.
  • the buffer layer described above contains additives such as a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, and a catalyst as long as the effects of the present invention are not impaired. You may let it. Further, the above-mentioned buffer layer may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • the breaking energy at 23 ° C. of the buffer layer is, for example, the urethane (meth) acrylate ( It can be controlled by adjusting the weight average molecular weight of a1) and the thickness of the buffer layer, and by appropriately selecting the monomer species.
  • the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film, it can be controlled by adjusting the density of the polyolefin and appropriately selecting additives.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has an appropriate pressure-sensitive adhesive property at room temperature, but preferably has a shear storage modulus at 23 ° C. of 0.05 to 0.50 MPa. Circuits and the like are formed on the surface of the semiconductor wafer and usually have irregularities.
  • the shear storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is within the above range, when sticking the pressure-sensitive adhesive tape on the wafer surface having irregularities, the unevenness of the wafer surface and the pressure-sensitive adhesive layer sufficiently contact, and the pressure-sensitive adhesive layer It becomes possible to exhibit adhesiveness appropriately. Therefore, it is possible to securely fix the adhesive tape to the semiconductor wafer, and to appropriately protect the wafer surface during back surface grinding.
  • the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is more preferably 0.12 to 0.35 MPa.
  • the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer means a shear storage modulus before curing by irradiation with energy rays.
  • Shear storage modulus can be measured by the following method.
  • a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 0.5 to 1 mm was punched out into a circular shape having a diameter of 7.9 mm to be used as a measurement sample.
  • the elastic modulus of the measurement sample is measured when the temperature is changed at a frequency of 1 Hz and a temperature range of ⁇ 30 ° C. to 150 ° C. at a heating rate of 3 ° C./min. .
  • the elastic modulus at a measurement temperature of 23 ° C. is defined as the shear storage elastic modulus at 23 ° C.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably less than 100 ⁇ m, more preferably 5 to 80 ⁇ m, and still more preferably 10 to 70 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or the like, and an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. Further, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably formed from an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive. Since the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive, the shearing storage modulus at 23 ° C. is set to the above range before curing by energy ray irradiation, and the peeling force after curing is 1000 mN. / 50 mm or less can be easily set.
  • the pressure-sensitive adhesive layer in the present invention should not be construed as being limited thereto.
  • the energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive include an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive containing an energy-ray-curable compound other than the adhesive resin in addition to a non-energy-ray-curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”).
  • Agent composition hereinafter also referred to as "X-type pressure-sensitive adhesive composition" can be used.
  • an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin having an unsaturated group introduced into a side chain of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (hereinafter, also referred to as “pressure-sensitive resin II”) is used.
  • a pressure-sensitive adhesive composition that is contained as a main component and does not include an energy-ray-curable compound other than the pressure-sensitive adhesive resin (hereinafter, also referred to as “Y-type pressure-sensitive adhesive composition”) may be used.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive a combination type of X-type and Y-type, that is, an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin in addition to the energy ray-curable adhesive resin II.
  • An adhesive composition (hereinafter, also referred to as “XY-type adhesive composition”) may be used.
  • XY-type adhesive composition it is preferable to use an XY type pressure-sensitive adhesive composition.
  • the pressure-sensitive adhesive may be formed from a non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy rays.
  • the non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive composition contains at least the non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive resin I, but does not contain the above-described energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive resin II and energy-ray-curable compound. is there.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-mentioned adhesive resin I and adhesive resin II.
  • specific examples of the adhesive resin include an acrylic resin, a urethane resin, a rubber resin, and a silicone resin, and an acrylic resin is preferable.
  • an acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
  • Acrylic polymer (b) is used for the acrylic resin.
  • the acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth) acrylate, and contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • Examples of the alkyl (meth) acrylate include those having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth) acrylate examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth).
  • Alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic polymer (b) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms.
  • the alkyl (meth) acrylate preferably has 4 to 12 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Further, the alkyl (meth) acrylate having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is preferably an alkyl acrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms is based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter, also simply referred to as “the total amount of monomers”).
  • the content is preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
  • the acrylic polymer (b) includes, in addition to a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms, an alkyl group having an alkyl group in order to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the adhesive layer. It is preferably a copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms.
  • the alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of monomers. More preferably, the content is 6 to 22% by mass.
  • the acrylic polymer (b) preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate.
  • the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group.
  • the functional group-containing monomer reacts with a cross-linking agent described below to be a cross-linking origin or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into a side chain of the acrylic polymer (b). Is possible.
  • Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth)
  • hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate
  • unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof. And 2-carboxyethyl methacrylate.
  • monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid
  • dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof.
  • 2-carboxyethyl methacrylate examples include 2-carboxyethyl methacrylate.
  • the functional group-containing monomer is preferably from 1 to 35% by mass, more preferably from 3 to 32% by mass, and still more preferably from 6 to 30% by mass, based on the total amount of the monomers constituting the acrylic polymer (b).
  • the acrylic polymer (b) may also be derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomer such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. It may include a structural unit.
  • the acrylic polymer (b) can be used as a non-energy radiation curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • the energy ray-curable acrylic resin is obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound). No.
  • the unsaturated group-containing compound is a compound having both a substituent capable of binding to a functional group of the acrylic polymer (b) and a photopolymerizable unsaturated group.
  • the photopolymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, and a vinylbenzyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.
  • examples of the substituent which the unsaturated group-containing compound can bond to a functional group include an isocyanate group and a glycidyl group. Therefore, examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer (b), specifically, 50 to 98 mol of the functional groups of the acrylic polymer (b).
  • % Is preferably reacted with an unsaturated group-containing compound, more preferably 55 to 93 mol%.
  • Mw weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1.6 million, more preferably 400,000 to 1.4 million, and further preferably 500,000 to 1.2 million.
  • Energy ray curable compound contained in the X- or XY-type pressure-sensitive adhesive composition, a monomer or oligomer having an unsaturated group in a molecule and capable of being polymerized and cured by irradiation with energy rays is preferable.
  • Such energy ray-curable compounds include, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4- Polyvalent (meth) acrylate monomers such as butylene glycol di (meth) acrylate and 1,6-hexanediol (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, epoxy ( Oligomers such as (meth) acrylate.
  • urethane (meth) acrylate oligomers are preferred from the viewpoint that the molecular weight is relatively high and it is difficult to lower the shear storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of the energy ray-curable compound is preferably from 100 to 12,000, more preferably from 200 to 10,000, further preferably from 400 to 8000, and particularly preferably from 600 to 6000.
  • the content of the energy ray-curable compound in the X-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably from 40 to 200 parts by mass, more preferably from 50 to 150 parts by mass, and still more preferably from 60 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive resin. 90 parts by mass.
  • the content of the energy ray-curable compound in the XY-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight, and still more preferably 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive resin. Is from 3 to 15 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive resin is energy-ray-curable, even if the content of the energy-ray-curable compound is small, it is possible to sufficiently lower the peeling force after irradiation with energy rays. It is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition further contains a crosslinking agent.
  • the crosslinking agent reacts with, for example, a functional group derived from a functional group-containing monomer of the adhesive resin to crosslink the adhesive resins.
  • crosslinking agent examples include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl Aziridine-based crosslinking agents such as triphosphatriazine; chelating-based crosslinking agents such as aluminum chelates; and the like. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • an isocyanate-based cross-linking agent is preferable from the viewpoint of increasing the cohesive force to improve the adhesive strength and from the viewpoint of easy availability.
  • the amount of the crosslinking agent to be added is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0 to 100 parts by mass, from the viewpoint of accelerating the crosslinking reaction. 0.05 to 4 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition When the pressure-sensitive adhesive composition is energy-ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a photopolymerization initiator. By containing the photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can be sufficiently advanced even with relatively low energy rays such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiator examples include, for example, a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, and a photosensitizer such as an amine or quinone.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzyl phenyl Sulfide tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyronitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, etc. It is below.
  • photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin. It is.
  • the adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • additives include an antistatic agent, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust inhibitor, a pigment, a dye, and the like.
  • the amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
  • the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the adhesive composition from the viewpoint of improving coatability on a substrate, a buffer layer and a release sheet.
  • organic solvent include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol and the like.
  • the organic solvent used at the time of synthesizing the adhesive resin may be used as it is, or an organic solvent other than the organic solvent used at the time of synthesis so that the solution of the adhesive composition can be uniformly applied. May be added.
  • a release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape.
  • the release sheet is specifically attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape.
  • the release sheet protects the pressure-sensitive adhesive layer during transportation and storage by being attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the release sheet is peelably attached to the adhesive tape, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before the wafer is attached).
  • a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specific examples include a release sheet applied on the surface of a release sheet substrate.
  • a resin film is preferable, and as a resin constituting the resin film, for example, a polyester resin film such as a polyethylene terephthalate resin, a polybutylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate resin, a polypropylene resin, a polyethylene resin, and the like And the like.
  • the release agent include a rubber-based elastomer such as a silicone-based resin, an olefin-based resin, an isoprene-based resin, and a butadiene-based resin, a long-chain alkyl-based resin, an alkyd-based resin, and a fluorine-based resin.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 ⁇ m, and more preferably 20 to 150 ⁇ m.
  • the method for producing the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is not particularly limited, and it can be produced by a known method.
  • a method for producing a pressure-sensitive adhesive tape having a base material, a buffer layer provided on one surface side of the base material, and an adhesive layer provided on the other surface side of the base material is as follows. is there.
  • the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound
  • the composition for forming a buffer layer is coated on a release sheet, and a buffer layer provided by curing, and a base material. Are laminated and the release sheet is removed to obtain a laminate of the buffer layer and the base material.
  • the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film
  • a laminate of the buffer layer and the substrate can be obtained by bonding the buffer layer and the substrate.
  • the pressure-sensitive adhesive layer provided on the release sheet is bonded to the base material side of the laminate, and a pressure-sensitive adhesive tape having the release sheet adhered to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer can be manufactured.
  • the release sheet to be attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately removed and removed before the use of the pressure-sensitive adhesive tape.
  • a composition for forming a buffer layer is directly applied on a release sheet by a known coating method to directly form a coating film, and the coating film is irradiated with energy rays.
  • a buffer layer can be formed.
  • the buffer layer may be formed by directly applying the composition for forming a buffer layer to one surface of the substrate and drying by heating or irradiating the applied film with energy rays.
  • Examples of the method for applying the composition for forming a buffer layer include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. Further, in order to improve the coating property, an organic solvent may be blended with the composition for forming a buffer layer, and the composition may be applied on a release sheet in the form of a solution.
  • the coating film of the composition for forming a buffer layer is cured by irradiating it with energy rays to form a buffer layer.
  • the buffer layer may be cured by a single curing treatment or may be divided into a plurality of times.
  • the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer, and then bonded to the base material, to form a semi-cured buffer layer forming film without completely curing the coating film.
  • the buffer layer may be formed by irradiating the substrate with energy rays again to completely cure the film.
  • Ultraviolet rays are preferable as the energy rays irradiated in the curing treatment.
  • the coated film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but the coated film is covered with a release sheet or a base material, and irradiated with energy rays in a state where the coated film is not exposed. It is preferably cured.
  • the buffer layer is a layer containing a polyolefin resin film
  • the buffer layer and the substrate may be bonded by extrusion lamination. Specifically, using a T-die film forming machine or the like, the polyolefin resin constituting the buffer layer is melted and kneaded, and while moving the substrate at a constant speed, on one side of the substrate, The molten polyolefin resin is extruded and laminated. Further, the buffer layer may be directly laminated on the base material by heat sealing or the like. Further, the layers may be laminated via an easy-adhesion layer by a method such as a dry lamination method.
  • a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) is directly applied on a release sheet by a known coating method, and the coated film is heated and dried. Layers can be formed.
  • the pressure-sensitive adhesive may be directly applied to one surface of the substrate to form a pressure-sensitive adhesive layer.
  • the method for applying the pressure-sensitive adhesive include a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method, which are described in the method for producing the buffer layer.
  • the manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive tape in which the buffer layer is provided on both surfaces of the base material is, for example, by the above-described method, a laminate in which the buffer layer, the base material, and the buffer layer are stacked in this order is obtained.
  • the adhesive layer may be formed on the side of the buffer layer.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used when affixing to the front surface of a semiconductor wafer and grinding the back surface of the wafer. More preferably, the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used in a DBG in which grinding of the back surface of a wafer and singulation of the wafer are performed simultaneously. Particularly preferably, the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is preferably used for an LDBG in which a chip group having a small kerf width is obtained when a semiconductor wafer is singulated.
  • the “chip group” refers to a plurality of wafer-shaped semiconductor chips held on the adhesive tape according to the present invention.
  • a method for manufacturing a semiconductor device will be described more specifically below.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes at least the following steps 1 to 4.
  • Step 1 Affixing the adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer and cutting the adhesive tape along the outer periphery of the semiconductor wafer
  • Step 2 Forming a groove from the front side of the semiconductor wafer, or the front or back surface of the semiconductor wafer
  • Step 3 Forming a modified region inside a semiconductor wafer from Step 3: Grinding the semiconductor wafer on which an adhesive tape is stuck on the front surface and on which the groove or the modified region is formed from the back side, to form the groove or the modified region
  • Step 4 Separating the adhesive tape from the singulated semiconductor wafer (that is, the plurality of semiconductor chips) from the starting point.
  • Step 1 the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer via a pressure-sensitive adhesive layer, and cut along the outer periphery of the semiconductor wafer.
  • the adhesive tape is affixed so as to cover the semiconductor wafer and an outer peripheral table extending around the semiconductor wafer.
  • the adhesive tape is cut along a periphery of the semiconductor wafer by a cutter or the like.
  • the cutting speed is usually from 10 to 300 mm / s.
  • the temperature of the cutter blade at the time of cutting may be room temperature, or the cutter blade may be heated for cutting.
  • This step may be performed before step 2 described later, or may be performed after step 2.
  • Step 1 when forming a modified region in a semiconductor wafer, it is preferable to perform Step 1 before Step 2.
  • Step 1 is performed after Step 2. That is, the adhesive tape is attached in the present step 1 to the surface of the wafer having the groove formed in the step 2 described later.
  • the semiconductor wafer used in the present manufacturing method may be a silicon wafer, or a wafer of gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalate, lithium niobate, gallium nitride, indium phosphorus, or a glass wafer. .
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • circuits are usually formed on the surface of a semiconductor wafer. The formation of the circuit on the wafer surface can be performed by various methods including a conventionally widely used method such as an etching method and a lift-off method.
  • Step 2 a groove is formed from the front side of the semiconductor wafer, or a modified region is formed inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer.
  • the groove formed in this step is a groove having a depth smaller than the thickness of the semiconductor wafer.
  • the grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing apparatus or the like. Further, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the groove in a step 3 described later.
  • the modified region is a brittle portion of the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is thinned by the grinding in the grinding process, or the semiconductor wafer is broken by a force applied by the grinding, and the semiconductor chip is broken.
  • This is a region serving as a starting point for singulation. That is, in the step 2, the grooves and the modified regions are formed along the dividing line when the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips in the step 3 described later.
  • the modified region is formed by irradiating a laser focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer.
  • the laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is irradiated with the laser via the adhesive tape.
  • the semiconductor wafer to which the adhesive tape has been attached and in which the groove or the modified region has been formed is placed on a chuck table, and is held by being attracted to the chuck table. At this time, the front side of the semiconductor wafer is arranged on the table side and is sucked.
  • Step 3 the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table is ground to separate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • the back surface grinding is performed so that the semiconductor wafer is thinned at least to a position reaching the bottom of the groove.
  • the grooves are cut into the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the cut into individual semiconductor chips.
  • the ground surface may reach the modified region by grinding, but may not strictly reach the modified region. That is, grinding may be performed to a position close to the modified region so that the semiconductor wafer is broken and singulated into semiconductor chips starting from the modified region. For example, the actual singulation of a semiconductor chip may be performed by sticking a pickup tape described later and then stretching the pickup tape.
  • dry polishing may be performed before picking up the chips.
  • the shape of the singulated semiconductor chip may be a square or an elongated shape such as a rectangle.
  • the thickness of the singulated semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 ⁇ m, and more preferably 10 to 45 ⁇ m.
  • LDBG a modified region is provided inside a wafer by a laser and the wafer is singulated by stress or the like at the time of grinding the back surface of the wafer, and the thickness of the singulated semiconductor chip is 50 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less. It is easy to set it to 45 ⁇ m.
  • the size of the singulated semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm 2 , more preferably less than 400 mm 2 , and still more preferably less than 300 mm 2 .
  • Step 4 the semiconductor processing adhesive tape is peeled from the singulated semiconductor wafer (ie, a plurality of semiconductor chips).
  • This step is performed, for example, by the following method.
  • a pickup tape is attached to the back surface side of the singulated semiconductor wafer, and the position and direction are adjusted so that pickup is possible.
  • the ring frame disposed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame.
  • the wafer and the ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time, or may be bonded at different timings.
  • the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips held on the pickup tape.
  • the pickup tape is not particularly limited, but is constituted by, for example, an adhesive tape including a base material and an adhesive layer provided on at least one surface of the base material.
  • an adhesive tape can be used instead of the pickup tape.
  • the adhesive tape is a laminate of a film adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film adhesive, and an adhesive layer and a release sheet having both functions of a dicing tape and a die bonding tape. Dicing and die bonding tapes.
  • a film-like adhesive may be attached to the back side of the singulated semiconductor wafer. When a film adhesive is used, the film adhesive may have the same shape as the wafer.
  • the plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or the pickup tape are It is picked up together with the adhesive layer divided into the same shape as the chip. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer, and a semiconductor device is manufactured.
  • the division of the adhesive layer is performed by laser or expanding.
  • the adhesive tape according to the present invention can be used to cut a semiconductor wafer into individual pieces. It can be preferably used for an LDBG from which a thinner chip group having a smaller width can be obtained.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention can be used for normal back grinding, and can also be used for temporarily holding a workpiece even when processing glass, ceramic, or the like. In addition, it can be used as various kinds of removable adhesive tapes.
  • the adhesive tape 20 is composed of a base material 21 and an adhesive layer 13 provided on at least one surface side of the base material. Includes a laminate. In addition, it does not prevent including other constituent layers other than these.
  • a primer layer may be formed on the surface of the base material on the pressure-sensitive adhesive layer side, and a release sheet may be laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer to protect the pressure-sensitive adhesive layer until use.
  • the substrate may be a single layer or a multilayer. The same applies to the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the configuration of each member of the adhesive tape for semiconductor processing according to the second embodiment will be described in more detail.
  • the breaking energy at 23 ° C. of the substrate is 13 to 80 MJ / m 3 .
  • the adhesive tape is affixed to a semiconductor wafer near normal temperature (23 ° C.) and cut along the outer periphery of the wafer.
  • the breaking energy of the base material at room temperature (23 ° C.) is 13 to 80 MJ / m 3 , the base material does not deform even when hit by the blade of the cutter during cutting, or deforms instantly when the blade hits, but instantaneously. As a result, the base material is prevented from being twisted or broken at the time of cutting, and the generation of tape dust can be suppressed.
  • the base material is smaller than 13 MJ / m 3 , the base material is deformed when hit by the blade of a cutter during cutting and does not return to its original shape. May cause tape debris.
  • the breaking energy at 23 ° C. of the base material is larger than 80 MJ / m 3 , the base material may not be cut by the cutter, and the blade of the cutter may be worn.
  • the breaking energy at 23 ° C. of the base material is 13 to 80 MJ / m 3 , twisting and breaking of the base material during cutting are suppressed, and the tape is cut. Generation of waste can be suppressed.
  • the breaking energy of the substrate at 23 ° C. is preferably 13 to 60 MJ / m 3 , more preferably 23 to 58 MJ / m 3 , and still more preferably 25 to 56 MJ / m 3 .
  • the breaking energy is a value obtained by integrating a stress-strain diagram obtained by a tensile test at 23 ° C. based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999 up to a breaking point in a stress-strain diagram.
  • the strain (mm) can be determined by the initial test piece length (mm) ⁇ elongation (%).
  • the breaking stress and breaking elongation described below are the stress and breaking elongation at break in the tensile test, respectively.
  • the breaking stress at 23 ° C. of the substrate is preferably 15 to 300 MPa, more preferably 20 to 250 MPa, and further preferably 22 to 200 MPa.
  • the breaking stress can be measured based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999.
  • the elongation at break of the substrate at 23 ° C. is preferably 50 to 400%, more preferably 70 to 350%, and further preferably 100 to 300%.
  • the elongation at break can be measured based on JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999.
  • the Young's modulus of the substrate at 23 ° C is preferably 1000 MPa or more.
  • a base material having a Young's modulus of less than 1000 MPa is used, the holding performance of the adhesive tape on a semiconductor wafer or a semiconductor chip is reduced, and vibration or the like during back surface grinding cannot be suppressed, resulting in chipping or breakage of the semiconductor chip. It will be easier.
  • the Young's modulus at 23 ° C. of the base material to 1000 MPa or more, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or the semiconductor chip is enhanced, vibration during back surface grinding is suppressed, and chipping or breakage of the semiconductor chip is prevented. it can.
  • the Young's modulus of the substrate at 23 ° C. is preferably 1800 to 30000 MPa, more preferably 2500 to 6000 MPa.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, but is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and further preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and further preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it satisfies the above physical properties, and various resin films can be used.
  • a substrate having a Young's modulus at 23 ° C. of 1000 MPa or more for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyester such as wholly aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide And resin films such as polysulfone, polyether ketone, and biaxially oriented polypropylene.
  • a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate film is more preferable.
  • a substrate having a Young's modulus at 23 ° C. of less than 1000 MPa may be used as long as the breaking energy is within the above range.
  • the breaking energy of the substrate can be easily set within the above range.
  • the polyolefin resin is not particularly limited, for example, ultra low density polyethylene (VLDPE, density: 880 kg / m 3 or more and less than 910 kg / m 3), low density polyethylene (LDPE, density: 910 kg / m 3 or more, 930 kg / m 3 below), medium density polyethylene (MDPE, density: 930 kg / m 3 or more and less than 942kg / m 3), high density polyethylene (HDPE, density: 942kg / m 3 or higher) such as polyethylene resin, polypropylene resin, polyethylene - polypropylene co Polymer, olefin elastomer (TPO), cycloolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (Meth) acrylate copolymer, d Tylene- (meth
  • a polyethylene resin is preferable, and a low-density polyethylene is more preferable.
  • the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, and the like, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the base material may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • at least one surface of the base material may be subjected to an adhesive treatment such as a corona treatment in order to improve the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the substrate may have the above-mentioned resin film and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the composition for forming the easy-adhesion layer for forming the easy-adhesion layer is not particularly limited, and examples thereof include a composition containing a polyester resin, a urethane resin, a polyester urethane resin, an acrylic resin, and the like. If necessary, the composition for forming an easily adhesive layer may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softener (plasticizer), a filler, a rust inhibitor, a pigment, a dye, and the like. Good.
  • the thickness of the easily adhesive layer is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.03 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the easy-adhesion layer in the examples of the present application is smaller than the thickness of the base material, the thickness of the resin film having the easy-adhesion layer is substantially the same as the thickness of the base material. Further, since the material of the easy-adhesion layer is soft, the influence on the breaking energy is small, and the breaking energy of the base material is substantially the same as the breaking energy of the resin film even when the easy-adhesion layer is provided.
  • the breaking energy of the substrate can be controlled by selecting a resin composition, adding a plasticizer, and stretching conditions at the time of producing a resin film. Specifically, when a polyethylene terephthalate film is used as the substrate, the breaking energy of the substrate tends to decrease as the content of the ethylene component in the copolymer component increases. Further, when the blending amount of the plasticizer with respect to the resin composition constituting the base material increases, the breaking energy of the base material tends to decrease.
  • the method for manufacturing the pressure-sensitive adhesive layer, the release sheet, and the semiconductor device in the second embodiment can be the same as in the first embodiment.
  • the method for producing the pressure-sensitive adhesive tape can be the same as that of the first embodiment except that the buffer layer is not provided.
  • the measuring method and evaluation method are as follows.
  • the outermost layer in Table 1 means a substrate in the case of a pressure-sensitive adhesive sheet composed of a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer, and means a buffer layer in the case of a pressure-sensitive adhesive sheet composed of a substrate, a buffer layer and a pressure-sensitive adhesive layer. I do.
  • a sample for measurement having a size of 150 mm ⁇ 0.2 mm in thickness was prepared, and the sample for measurement was 100 mm between chucks (25 mm at both ends in the longitudinal direction of the sample for measurement was fixed to the device), the pulling speed was 200 mm / sec, 23 ° C., 50 ° C.
  • the measurement was performed under the condition of% RH.
  • Example 1 Substrate As a substrate, a PET film with a double-sided adhesive layer (Cosmoshine A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa) was prepared.
  • a PET film with a double-sided adhesive layer Cosmoshine A4300, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 2550 MPa
  • Buffer layer (synthesis of urethane acrylate oligomer) Urethane acrylate oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 25,000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polycarbonate diol and isophorone diisocyanate.
  • Urethane acrylate oligomer Urethane acrylate oligomer (UA-1) having a weight average molecular weight (Mw) of about 25,000 by reacting 2-hydroxyethyl acrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polycarbonate diol and isophorone diisocyanate.
  • composition for forming buffer layer 20 parts by mass of the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 70 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), and 10 parts by mass of phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) are blended. 2.0 parts by weight of 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one (manufactured by BASF Japan Ltd., product name “Irgacure 1173”) was blended to prepare a composition for forming a buffer layer.
  • a composition for forming a buffer layer was applied to a release-treated surface of another release sheet (trade name “SP-PET381031”, manufactured by Lintec Corporation) to form a coating film.
  • the coating film was irradiated with ultraviolet rays, and the coating film was semi-cured to form a buffer layer forming film having a thickness of 53 ⁇ m.
  • the above-mentioned ultraviolet irradiation uses a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics Co., Ltd., device name "US2-0801") and a high pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics Co., Ltd., device name "H08-L41").
  • the irradiation was performed under the conditions of a lamp height of 230 mm, an output of 80 mW / cm, a light wavelength of 365 nm, an illuminance of 90 mW / cm 2 , and an irradiation amount of 50 mJ / cm 2 .
  • the above-mentioned ultraviolet irradiation uses the above-mentioned ultraviolet irradiation apparatus and a high-pressure mercury lamp, and is irradiated at a lamp height of 220 mm, a converted output of 120 mW / cm, an illuminance of 160 mW / cm 2 at a light wavelength of 365 nm, and an irradiation amount of 650 mJ / cm 2 . It was performed under the conditions.
  • Example 2 In the synthesis of the urethane acrylate oligomer for the buffer layer, a urethane acrylate oligomer (UA-2) having a weight average molecular weight (Mw) of about 20,000 was obtained, and in the preparation of the composition for forming the buffer layer, the urethane acrylate oligomer (UA) was used. -2) was changed to 35 parts by mass, isobornyl acrylate (IBXA) to 40 parts by mass, and phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) to 25 parts by mass, to obtain an adhesive tape in the same manner as in Example 1. .
  • IBXA isobornyl acrylate
  • HPPA phenylhydroxypropyl acrylate
  • Example 3 A pressure-sensitive adhesive tape was prepared in the same manner as in Example 2, except that in the preparation of the composition for forming a buffer layer, the urethane acrylate oligomer (UA-2) was changed to 25 parts by mass and the isobornyl acrylate (IBXA) was changed to 50 parts by mass.
  • U-2 the urethane acrylate oligomer
  • IBXA isobornyl acrylate
  • Example 4 In the synthesis of the urethane acrylate oligomer for the buffer layer, a urethane acrylate oligomer (UA-3) having a weight average molecular weight (Mw) of about 10,000 was obtained, and the urethane acrylate oligomer (UA) was obtained in the preparation of the composition for forming the buffer layer. -3) was changed to 40 parts by mass, isobornyl acrylate (IBXA) was changed to 40 parts by mass, and phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) was changed to 20 parts by mass, to obtain an adhesive tape in the same manner as in Example 1. .
  • IBXA isobornyl acrylate
  • HPPA phenylhydroxypropyl acrylate
  • Example 5 A pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate was changed to a low-density polyolefin film (thickness: 25 ⁇ m, Young's modulus at 23 ° C .: 380 MPa), and no buffer layer was provided.
  • Example 6 An adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that no buffer layer was provided.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention can reduce the generation of tape scraps.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet that generates a large amount of tape dust has a high possibility of being cracked and damaged in the process of manufacturing a semiconductor device. Therefore, it can be seen that the use of the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is excellent in the productivity of the semiconductor device.
  • Adhesive sheet 11 Base material 12 Buffer layer 13 Adhesive layer 20 Adhesive sheet 21 Base material

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Abstract

【課題】ＤＢＧまたはＬＤＢＧに用いても、チップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供すること。　【解決手段】基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、前記緩衝層の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３である、半導体加工用粘着テープ。　

Description

半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
　本発明は半導体加工用粘着テープに関し、さらに詳しくは、ウエハの表面に溝を設け、又はレーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を用いて半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に保持するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、薄型化されたチップを得るために、ウエハの表面側から所定深さの溝をダイシングブレードにより形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法（ＤＢＧ：Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と呼ばれる工法を利用することもある。ＤＢＧでは、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。
　従来、半導体ウエハの裏面研削時や、ＤＢＧによるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを保持するために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。
　ＤＢＧにおいて使用するバックグラインドシートとしては、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層とを備える粘着テープが使用されている。このような粘着テープの一例として、特許文献１（特開２０１５－１８３００８号公報）では、剛性基材と、剛性基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、剛性基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着シートが提案されている。特許文献１には、剛性基材のヤング率が１０００ＭＰａ以上であり、緩衝層に先端曲率半径１００ｎｍ及び稜間角１１５°の三角錘形状圧子の先端を１０μｍ／分の速度で押し込んだ際の圧縮荷重が２ｍＮに到達するのに必要な押し込み深さが２．５μｍ以上であることが開示されている。また、特許文献２（特許第５０６８７９３号）では、エネルギー線硬化型組成物を硬化してなるシートの少なくとも片面に粘着剤層を有する粘着シートが提案されている。特許文献２には、粘着シートの破断伸度が５０％以上であり、また引張弾性率が１０～１０００ＭＰａであることが開示されている。
　近年、先ダイシング法の変形例として、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法が提案されている。以下、この方法をＬＤＢＧ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と記載することがある。ＬＤＢＧでは、ウエハは改質領域を起点として結晶方向に切断されるため、ダイシングブレードを用いた先ダイシング法よりもチッピングの発生を低減できる。その結果、抗折強度に優れたチップを得ることができ、また、チップのさらなる薄型化に寄与できる。また、ダイシングブレードによりウエハ表面に所定深さの溝を形成するＤＢＧと比較して、ダイシングブレードによりウエハを削り取る領域がないため、つまり、カーフ幅が極小であるため、チップの収率に優れる。
　ＤＢＧやＬＤＢＧでは、ウエハをグラインダ等により裏面研削して厚みを極薄くするときに、ウエハの外周に余分な粘着テープがあると、グラインダが余分な粘着テープを咬み込むことがある。そこで、粘着テープは、裏面研削の前にウエハの外周に沿って切断される。しかし、特許文献１、２に記載の粘着テープを用いると、チップの仕上げ厚みを３０μｍ以下にまで薄くした場合には、チップの欠けや破損（以下、「チップのクラック」と記載することがある）が発生することがあった。
特開２０１５－１８３００８号公報 特許第５０６８７９３号
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、半導体ウエハに粘着テープを貼付け、該粘着テープをカッターでウエハの外周に沿って切断する際に発生するテープ屑が原因で、チップにクラックが発生することを見出した。ウエハに粘着テープを貼付け、外周に沿って粘着テープが切断された後、ウエハはチャックテーブル上に粘着テープを介して設置され、グラインダ等により裏面研削される。このとき、テープ屑が粘着テープとチャックテーブルとの間にあると、テープ屑によって粘着テープおよびウエハがたわみ、ウエハの研削面にわずかな歪みが生じる。このような歪みを有するウエハを研削すると、グラインダが歪み部分に引っかかり、また均一に研削することができず、その結果チップにクラックが発生しやすくなる。
　テープ屑は、粘着テープをカッターで切断するときに発生しており、具体的には、切断時に粘着テープの構成の一部が剥がれたり千切れたりすることにより発生する。また、カッターの刃に粘着テープの構成の一部が付着することで、テープ屑がより生じやすくなることもある。
　本発明は、上述した従来技術に鑑みてなされたものであり、ＤＢＧまたはＬＤＢＧに用いても、チップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供することを目的としている。
　このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
（１）基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記緩衝層の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３である、半導体加工用粘着テープ。
（２）前記基材の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上である、（１）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（３）前記緩衝層が、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物である、（１）または（２）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（４）前記粘着剤層の厚さが１００μｍ未満である、（１）～（３）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
（５）基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記基材の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３である、半導体加工用粘着テープ。
（６）前記（１）～（５）のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
　本発明に係る半導体加工用粘着テープは、粘着テープをカッターでウエハの外周に沿って切断する際のテープ屑の発生を抑制できる。その結果、半導体チップにおけるクラックの発生を低減できる。
本発明に係る第１実施形態の粘着シートの模式図である。 本発明に係る第２実施形態の粘着シートの模式図である。
　以下に、本発明に係る半導体加工用粘着テープについて具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
　本明細書において、例えば「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
　「半導体加工用」とは、半導体ウエハの搬送、裏面研削、ダイシングや半導体チップのピックアップ等の各工程において使用できることを意味する。
　半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」とは回路が形成されていない面を指す。
　半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
　ＤＢＧとは、ウエハの表面側に所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。ウエハの表面側に形成される溝は、ブレードダイシング、レーザーダイシングやプラズマダイシングなどの方法により形成される。また、ＬＤＢＧとはＤＢＧの変形例であり、レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う方法を言う。
　次に、本発明に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。第１実施形態では、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープについて説明する。第２実施形態では、基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープについて説明する。なお、本発明に係る半導体加工用粘着テープを、単に「粘着テープ」と記載することがある。
第1実施形態
　本発明に係る第1実施形態では、図１に示すように、粘着テープ１０とは、基材１１と、基材１１の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層１２と、基材１１の他方の面側に設けられた粘着剤層１３とを含む積層体を意味する。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。緩衝層および粘着剤層も同様である。
　以下に、第1実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
［基材］
　基材は、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。ヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。一方、基材の２３℃におけるヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材の２３℃におけるヤング率は、より好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、さらに好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　基材の厚さは特に限定されないが、１１０μｍ以下であることが好ましく、１５～１１０μｍであることがより好ましく、２０～１０５μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを１１０μｍ以下とすることで、粘着テープの剥離力を制御しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
　易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　易接着層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、本願実施例における易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さいため、易接着層を有する樹脂フィルムの厚みと基材の厚みとは実質的に同一である。また、易接着層の材質は柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
　例えば、基材のヤング率は、樹脂組成の選択、可塑剤の添加、樹脂フィルム製造時の延伸条件などにより制御できる。具体的には、基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、共重合成分中のエチレン成分の含有割合が多くなると、基材のヤング率は低下する傾向がある。また、基材を構成する樹脂組成物に対して可塑剤の配合量が多くなると基材のヤング率は低下する傾向がある。
［緩衝層］
　緩衝層は、半導体ウエハの裏面研削時の応力を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。半導体ウエハに粘着テープを貼付け、外周に沿って粘着テープが切断された後、半導体ウエハは粘着テープを介してチャックテーブル上に配置され裏面研削されるが、粘着テープが構成層として緩衝層を有することで、半導体ウエハがチャックテーブルに適切に保持されやすくなる。一方、緩衝層が基材と比較して軟質であるために、粘着テープの切断時にテープ屑が発生することがわかった。そこで、検討の結果、緩衝層が以下の特性を有することにより、テープ屑の発生を抑制できることがわかった。
　緩衝層の２３℃における破断エネルギーは１３～８０ＭＪ／ｍ３である。粘着テープは、常温（２３℃）付近で半導体ウエハに貼付され、ウエハの外周に沿って切断される。緩衝層の常温（２３℃）における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３であると、緩衝層は、切断時にカッターの刃が当たっても変形しないか、または刃が当たった瞬間には変形するが瞬時に元の形に戻るため、切断時における緩衝層の撚れや千切れが抑制され、テープ屑が発生するのを抑制できる。一方、緩衝層の２３℃における破断エネルギーが１３ＭＪ／ｍ３より小さいと、緩衝層は、切断時にカッターの刃が当たると変形しそのまま元の形に戻らないため、緩衝層が撚れたり千切れたりしてテープ屑が発生するおそれがある。また、緩衝層の２３℃における破断エネルギーが８０ＭＪ／ｍ３より大きいと、緩衝層をカッターで切断できないことがあり、またカッターの刃が摩耗するおそれがある。
　なお、カッターの刃を加温して切断する場合でも、緩衝層の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３であれば、切断時における緩衝層の撚れや千切れが抑制され、テープ屑が発生するのを抑制できる。
　上記の観点から、緩衝層の２３℃における破断エネルギーは、好ましくは１３～６０ＭＪ／ｍ３、より好ましくは１４～５８ＭＪ／ｍ３、さらに好ましくは１５～３７ＭＪ／ｍ３である。
　破断エネルギーは、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づく２３℃における引張試験により得られる、応力とひずみとを線図化した応力－ひずみ線図において破断点までを積分した値である。ひずみ（ｍｍ）は、初期の試験片長さ（ｍｍ）×伸度（％）により求めることができる。なお、後述する破断応力および破断伸度は、それぞれ上記引張試験における破断時の応力および伸度である。
　上記範囲の破断エネルギーを得る観点から、緩衝層の２３℃における破断応力は、好ましくは１５～３００ＭＰａ、より好ましくは２０～２５０ＭＰａ、さらに好ましくは２２～２００ＭＰａである。
　破断応力は、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づいて測定できる。
　また、上記範囲の破断エネルギーを得る観点から、緩衝層の２３℃における破断伸度は、好ましくは５０～４００％、より好ましくは７０～３５０％、さらに好ましくは１００～３００％である。
　破断伸度は、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づいて測定できる。
　緩衝層は、基材と比較して軟質の層である。したがって、緩衝層の２３℃におけるヤング率は、基材の２３℃におけるヤング率より小さい。具体的には、緩衝層の２３℃におけるヤング率は１０００ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは７００ＭＰａ以下、さらに好ましくは５００ＭＰａ以下である。
　緩衝層の厚さは、１～１００μｍであることが好ましく、５～８０μｍであることがより好ましく、１０～６０μｍであることがさらに好ましい。緩衝層の厚さを上記範囲とすることで、緩衝層が裏面研削時の応力を適切に緩和できるようになる。
　緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物であることが好ましい。また、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層であってもよく、ポリエーテルを主剤とする層であってもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層に含まれる各成分、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層に含まれる各成分について順に説明する。
＜エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層＞
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。
　また、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を含むことが好ましい。緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）成分を含有することで、緩衝層の破断エネルギーを上記した範囲内としやすくなる。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）に加えて、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）及び／又は官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含有することがより好ましい。また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）～（ａ３）成分に加えて、多官能重合性化合物（ａ４）を含有してもよい。さらに、緩衝層形成用組成物は光重合開始剤を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
　以下、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
（ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１））
　ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）とは、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）は、オリゴマーまたはポリマーである。
　成分（ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは２，０００～６０，０００、さらに好ましくは１０，０００～３０，０００である。また、成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基数（以下、「官能基数」ともいう）としては、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、単官能又は２官能であることが好ましい。
　成分（ａ１）は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分（ａ１）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　成分（ａ１）の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールまたはポリカーボネート型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、２官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールまたはポリカーボネート型ジオールがより好ましい。
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
　上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を得ることができる。ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物；等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～７０質量％、より好ましくは２０～６０質量％である。
（環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２））
　成分（ａ２）は、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。成分（ａ２）を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
　なお、成分（ａ２）の定義と、後述する成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ３）に含まれる。例えば、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基と、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基と、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基とを有する化合物は、成分（ａ２）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ３）に含まれるものとする。
　成分（ａ２）が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは６～２０であるが、より好ましくは６～１８、さらに好ましくは６～１６、特に好ましくは７～１２である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子に結合した水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
　具体的な成分（ａ２）としては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等の脂環基含有（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート等の複素環基含有（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
　なお、成分（ａ２）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　脂環基含有（メタ）アクリレートの中ではイソボルニル（メタ）アクリレートが好ましく、複素環基含有（メタ）アクリレートの中ではテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～８０質量％、より好ましくは２０～７０質量％である。
（官能基を有する重合性化合物（ａ３））
　成分（ａ３）は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましく、より好ましくは１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。
　成分（ａ３）は、成分（ａ１）との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくなる。また、当該組成物から形成される緩衝層の破断エネルギーを上記した範囲としやすくなり、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
　成分（ａ３）としては、例えば、水酸基含有（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート等が挙げられる。
　エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレートが好ましい。
　アミド基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　アミノ基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、水酸基含有（メタ）アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有（メタ）アクリレートがより好ましい。
　なお、成分（ａ３）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）の含有量は、緩衝層の破断エネルギーを上述の範囲としやすくし、かつ、緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させるために、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは５～４０質量％、より好ましくは７～３５質量％、さらに好ましくは１０～３０質量％である。
　また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）と成分（ａ３）との含有量比〔（ａ２）／（ａ３）〕は、好ましくは０．５～３．０、より好ましくは１．０～３．０、さらに好ましくは１．３～３．０、特に好ましくは１．５～２．８である。
（多官能重合性化合物（ａ４））
　多官能重合性化合物とは、光重合性不飽和基を２つ以上有する化合物をいう。光重合性不飽和基は、炭素－炭素二重結合を含む官能基であり、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。光重合性不飽和基は２種以上を組み合わせてもよい。多官能重合性化合物中の光重合性不飽和基と成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基とが反応したり、成分（ａ４）中の光重合性不飽和基同士が反応することで、三次元網目構造（架橋構造）が形成される。多官能重合性化合物を使用すると、光重合性不飽和基を１つしか含まない化合物を使用した場合と比較して、エネルギー線照射により形成される架橋構造が増加するため、緩衝層が特異な粘弾性を示し、破断エネルギーを上記範囲に制御することが容易になる。
　なお、成分（ａ４）の定義と、先述した成分（ａ２）や成分（ａ３）の定義とは重複する部分があるが、重複部分は成分（ａ４）に含まれる。例えば、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ２）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。また、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有し、（メタ）アクリロイル基を２つ以上有する化合物は、成分（ａ４）と成分（ａ３）の両方の定義に含まれるが、本発明において当該化合物は、成分（ａ４）に含まれるものとする。
　上記観点から、多官能重合性化合物中における光重合性不飽和基の数（官能基数）は、２～１０が好ましく、３～６がより好ましい。
　また、成分（ａ４）の重量平均分子量は、好ましくは３０～４００００、より好ましくは１００～１００００、さらに好ましくは２００～１０００である。
　具体的な成分（ａ４）としては、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニル、アジピン酸ジビニル、Ｎ，Ｎ'－メチレンビス（メタ）アクリ
ルアミド等が挙げられる。
　なお、成分（ａ４）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートが好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ４）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは２～４０質量％、より好ましくは３～２０質量％、さらに好ましくは５～１５質量％である。
（成分（ａ１）～（ａ４）以外の重合性化合物（ａ５））
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分（ａ１）～（ａ４）以外のその他の重合性化合物（ａ５）を含有してもよい。
　成分（ａ５）としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物：等が挙げられる。なお、成分（ａ５）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ５）の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、さらに好ましくは０～５質量％、特に好ましくは０～２質量％である。
（光重合開始剤）
　緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、さらに好ましくは０．３～５質量部である。
（その他の添加剤）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
（樹脂成分）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
　緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、さらに好ましくは０～５質量％、特に好ましくは０～２質量％である。
　エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される緩衝層は、上記組成の緩衝層形成用組成物をエネルギー線照射により重合硬化して得られる。つまり、当該緩衝層は、緩衝層形成用組成物の硬化物である。
　したがって、当該緩衝層は、成分（ａ１）由来の重合単位を含む。また、当該緩衝層は、成分（ａ２）由来の重合単位及び／又は成分（ａ３）由来の重合単位を含有することが好ましい。さらに、成分（ａ４）由来の重合単位及び／又は成分（ａ５）由来の重合単位を含有していてもよい。緩衝層における各重合単位の含有割合は、通常、緩衝層形成用組成物を構成する各成分の比率（仕込み比）に一致する。例えば、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して１０～７０質量％の場合、緩衝層は成分（ａ１）に由来する重合単位を１０～７０質量％含有する。また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量が緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して１０～８０質量％の場合、緩衝層は成分（ａ２）に由来する重合単位を１０～８０質量％含有する。成分（ａ３）～（ａ５）についても同様である。
＜ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層＞
　緩衝層を、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成することで、緩衝層の破断エネルギーを上記した範囲内としやすくなる。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合は、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層である場合よりも応力緩和性が低いことがある。この場合、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層を基材の一方の面側に有する粘着テープには反りが発生するおそれがある。ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の少なくとも一方の面側に設けられればよいが、このような不具合を防止する観点から、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成された緩衝層は基材の両面に設けられることが好ましい。
　ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ，密度：８８０ｋｇ／ｍ３以上、９１０ｋｇ／ｍ３未満）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ，密度：９１０ｋｇ／ｍ３以上、９３０ｋｇ／ｍ３未満）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ，密度：９３０ｋｇ／ｍ３以上、９４２ｋｇ／ｍ３未満）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ，密度：９４２ｋｇ／ｍ３以上）等のポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン－ポリプロピレン共重合体、オレフィン系エラストマー（ＴＰＯ）、シクロオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル－無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。
　これらのポリオレフィン樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記ポリオレフィン樹脂の中でも、特定の物性を有する緩衝層を得る観点から、ポリエチレン樹脂が好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましい。
　上述した緩衝層には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等の添加剤を含有させてもよい。また、上述した緩衝層は、透明であっても、不透明であってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　第1実施形態において、緩衝層の２３℃における破断エネルギーは、緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物である場合には、例えば上述のウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）の重量平均分子量や緩衝層の厚みを調整し、またモノマー種を適宜選択することにより制御できる。また、緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、ポリオレフィンの密度を調整し、また添加剤を適宜選択することにより制御できる。
［粘着剤層］
　粘着剤層は、常温において適度な感圧接着性を有する限り特に限定はされないが、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０５～０．５０ＭＰａであるものが好ましい。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着剤層のせん断貯蔵弾性率が上記範囲内となることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率は、０．１２～０．３５ＭＰａであることがより好ましい。なお、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前のせん断貯蔵弾性率を意味する。
　せん断貯蔵弾性率は以下の方法により測定できる。厚みが約０．５～１ｍｍの粘着剤層を直径７．９ｍｍの円形に打ち抜いたものを測定試料とする。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用い、周波数１Ｈｚ、－３０℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度３℃／分で温度変化させたときの測定試料の弾性率を測定する。測定温度２３℃での弾性率を、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率とする。
　粘着剤層の厚さは、１００μｍ未満であることが好ましく、５～８０μｍがより好ましく、１０～７０μｍがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープの切断時におけるテープ屑の発生が抑制され、裏面研削時に生じる半導体チップのクラックを一層防止しやすくなる。
　粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、２３℃におけるせん断貯蔵弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下に容易に設定することが可能になる。
　以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
　エネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（「粘着性樹脂Ｉ」ともいう）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「Ｘ型の粘着剤組成物」ともいう）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂ＩＩ」ともいう）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（以下、「Ｙ型の粘着剤組成物」ともいう）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「ＸＹ型の粘着剤組成物」ともいう）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離力を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー線を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂ＩＩ及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において「粘着性樹脂」は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂ＩＩの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳細に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体（ｂ）が使用される。アクリル系重合体（ｂ）は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、さらに好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）に対して、好ましくは４０～９８質量％、より好ましくは４５～９５質量％、さらに好ましくは５０～９０質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは１～３０質量％、より好ましくは３～２６質量％、さらに好ましくは６～２２質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体（ｂ）の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　官能基含有モノマーは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量に対して、好ましくは１～３５質量％、より好ましくは３～３２質量％、さらに好ましくは６～３０質量％である。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体（ｂ）は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体（ｂ）の官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基、ビニルベンジル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体（ｂ）が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
　なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、さらに好ましくは５０万～１２０万である。
（エネルギー線硬化性化合物）
　Ｘ型又はＸＹ型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
　このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレートモノマー、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート，ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
　これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層のせん断貯蔵弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　エネルギー線硬化性化合物の分子量（オリゴマーの場合は重量平均分子量）は、好ましくは１００～１２０００、より好ましくは２００～１００００、さらに好ましくは４００～８０００、特に好ましくは６００～６０００である。
　Ｘ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは４０～２００質量部、より好ましくは５０～１５０質量部、さらに好ましくは６０～９０質量部である。
　一方で、ＸＹ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは２～２０質量部、さらに好ましくは３～１５質量部である。ＸＹ型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離力を低下させることが可能である。
（架橋剤）
　粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基含有モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフォスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
　架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～７質量部、さらに好ましくは０．０５～４質量部である。
（光重合開始剤）
　また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部、さらに好ましくは０．０５～５質量部である。
（その他の添加剤）
　粘着性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部である。
　また、粘着性組成物は、基材、緩衝層や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、さらに有機溶媒で希釈して、粘着性組成物の溶液の形態としてもよい。
　有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、トルエン、キシレン、ｎ－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
　なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の１種以上の有機溶媒を加えてもよい。
［剥離シート］
　粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前（すなわち、ウエハ貼付前）には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍである。
［粘着テープの製造方法］
　本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
　例えば、基材と、当該基材の一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープの製造方法は以下のとおりである。
　緩衝層がエネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される場合には、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を塗工、硬化して設けた緩衝層と、基材とを貼り合わせ、剥離シートを除去することで、緩衝層と基材との積層体が得られる。また、緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、緩衝層と基材とを貼り合わせることで、緩衝層と基材との積層体が得られる。
　そして、剥離シート上に設けた粘着剤層を、積層体の基材側に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　剥離シート上に緩衝層を形成する方法としては、剥離シート上に緩衝層形成用組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成することができる。また、基材の片面に、緩衝層形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、緩衝層を形成してもよい。
　緩衝層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。
　緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。
　緩衝層がポリオレフィン樹脂フィルムを含む層である場合には、押出ラミネートによって緩衝層と基材と貼り合わせてもよい。具体的には、Ｔダイ製膜機等を使用して、緩衝層を構成するポリオレフィン樹脂を溶融・混練し、基材を一定の速度にて移動させながら、基材の一方の面側に、溶融したポリオレフィン樹脂を押出しラミネートする。また、緩衝層はヒートシール等により基材に直接積層されてもよい。さらに、ドライラミネーション法などの方法で、易接着層を介して積層されてもよい。
　剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に粘着剤（粘着剤組成物）を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。
　また、基材の片面に、粘着剤（粘着剤組成物）を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、緩衝層の製造法で示した、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
　なお、基材の両面に緩衝層が設けられた粘着テープの製造方法は、例えば、上述の方法により、緩衝層と基材と緩衝層とがこの順に積層された積層体を得、その後、一方の緩衝層側に粘着剤層を形成すればよい。
［半導体装置の製造方法］
　本発明に係る粘着テープは、好ましくは、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行う場合に使用される。より好ましくは、本発明に係る粘着テープは、ウエハの裏面研削とウエハの個片化とを同時に行うＤＢＧにおいて好ましく使用される。特に好ましくは、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さいチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用される。なお、「チップ群」とは、本発明に係る粘着テープ上に保持された、ウエハ形状の複数の半導体チップをいう。
　粘着テープの非限定的な使用例として、以下に半導体装置の製造方法をさらに具体的に説明する。
　半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程１～工程４を少なくとも備える。
　工程１：上記の粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、粘着テープを半導体ウエハの外周に沿って切断する工程
　工程２：半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程
　工程３：粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程
　工程４：個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する工程
　以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
（工程１）
　工程１では、本発明の粘着テープを、粘着剤層を介して半導体ウエハ表面に貼付し、半導体ウエハの外周に沿って切断する。粘着テープは、半導体ウエハおよびその外周に拡がる外周テーブルを覆うように貼り付けられる。そして、粘着テープは、半導体ウエハの外周に沿って、カッター等により切断される。切断速度は、通常１０～３００ｍｍ／ｓである。切断時のカッター刃の温度は室温でもよく、また、カッター刃を加熱して切断してもよい。
　本工程は、後述する工程２の前に行われてもよいが、工程２の後に行ってもよい。例えば、半導体ウエハに改質領域を形成する場合には、工程１を工程２の前に行うことが好ましい。一方で、半導体ウエハ表面に、ダイシング等により溝を形成する場合には、工程２の後に工程１を行う。すなわち、後述する工程２で形成した溝を有するウエハの表面に、本工程１にて粘着テープを貼付することになる。
　本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム砒素、炭化ケイ素、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化ガリウム、インジウム燐などのウエハや、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は５００～１０００μｍ程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。
（工程２）
　工程２では、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面又は裏面から半導体ウエハの内部に改質領域を形成する。
　本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程３において、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
　また、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であり、研削工程における研削によって、半導体ウエハが薄くなったり、研削による力が加わったりすることにより半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域である。すなわち、工程２において溝及び改質領域は、後述する工程３において、半導体ウエハが分割されて半導体チップに個片化される際の分割線に沿うように形成される。
　改質領域の形成は、半導体ウエハの内部に焦点を合わせたレーザーの照射により行い、改質領域は、半導体ウエハの内部に形成される。レーザーの照射は、半導体ウエハの表面側から行っても、裏面側から行ってもよい。なお、改質領域を形成する態様において、工程２を工程１の後に行いウエハ表面からレーザー照射を行う場合、粘着テープを介して半導体ウエハにレーザーを照射することになる。
　粘着テープが貼付され、かつ溝又は改質領域を形成した半導体ウエハは、チャックテーブル上に載せられ、チャックテーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。
（工程３）
　工程1及び工程２の後、チャックテーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
　ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
　一方、改質領域が形成される場合には、研削によって研削面（ウエハ裏面）は、改質領域に至ってもよいが、厳密に改質領域まで至らなくてもよい。すなわち、改質領域を起点として半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化されるように、改質領域に近接する位置まで研削すればよい。例えば、半導体チップの実際の個片化は、後述するピックアップテープを貼付してからピックアップテープを延伸することで行ってもよい。
　また、裏面研削の終了後、チップのピックアップに先立ち、ドライポリッシュを行ってもよい。
　個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは５～１００μｍ程度であるが、より好ましくは１０～４５μｍである。レーザーでウエハ内部に改質領域を設け、ウエハ裏面研削時の応力等でウエハの個片化を行う、ＬＤＢＧによれば、個片化された半導体チップの厚さを５０μｍ以下、より好ましくは１０～４５μｍとすることが容易になる。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは６００ｍｍ２未満、より好ましくは４００ｍｍ２未満、さらに好ましくは３００ｍｍ２未満である。
　本発明の粘着テープを使用すると、このように薄型及び／又は小型の半導体チップであっても、裏面研削時（工程３）、及び粘着テープ剥離時（工程４）に半導体チップにクラックが生じることが防止される。
（工程４）
　次に、個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、半導体加工用粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
　まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に保持された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。
　その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
　なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着テープによって構成される。
　また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。
　接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。
　以上、本発明に係る粘着テープについて、ＤＢＧまたはＬＤＢＧにより半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明に係る粘着テープは、半導体ウエハを個片化した際に、カーフ幅の小さく、より薄化されたチップ群が得られるＬＤＢＧに好ましく使用できる。なお、本発明に係る粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に保持するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。
第２実施形態
　本発明に係る第２実施形態では、図２に示すように、粘着テープ２０とは、基材２１と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層１３とを含む積層体を意味する。なお、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。例えば、粘着剤層側の基材表面にはプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。粘着剤層も同様である。
　以下に、第２実施形態に係る半導体加工用粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
［基材］
　基材の２３℃における破断エネルギーは１３～８０ＭＪ／ｍ３である。粘着テープは、常温（２３℃）付近で半導体ウエハに貼付され、ウエハの外周に沿って切断される。基材の常温（２３℃）における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３であると、基材は、切断時にカッターの刃が当たっても変形しないか、刃が当たった瞬間には変形するが瞬時に元の形に戻るため、切断時における基材の撚れや千切れが抑制され、テープ屑が発生するのを抑制できる。一方、基材の２３℃における破断エネルギーが１３ＭＪ／ｍ３より小さいと、基材は、切断時にカッターの刃が当たると変形しそのまま元の形に戻らないため、基材が撚れたり千切れたりしてテープ屑が発生するおそれがある。また、基材の２３℃における破断エネルギーが８０ＭＪ／ｍ３より大きいと、基材をカッターで切断できないことがあり、またカッターの刃が摩耗するおそれがある。
　なお、カッターの刃を加温して切断する場合でも、基材の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３であれば、切断時における基材の撚れや千切れが抑制され、テープ屑が発生するのを抑制できる。
　上記の観点から、基材の２３℃における破断エネルギーは、好ましくは１３～６０ＭＪ／ｍ３、より好ましくは２３～５８ＭＪ／ｍ３、さらに好ましくは２５～５６ＭＪ／ｍ３である。
　破断エネルギーは、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づく２３℃における引張試験により得られる、応力とひずみとを線図化した応力－ひずみ線図において破断点までを積分した値である。ひずみ（ｍｍ）は、初期の試験片長さ（ｍｍ）×伸度（％）により求めることができる。なお、後述する破断応力および破断伸度は、それぞれ上記引張試験における破断時の応力および伸度である。
　上記範囲の破断エネルギーを得る観点から、基材の２３℃における破断応力は、好ましくは１５～３００ＭＰａ、より好ましくは２０～２５０ＭＰａ、さらに好ましくは２２～２００ＭＰａである。
　破断応力は、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づいて測定できる。
　また、上記範囲の破断エネルギーを得る観点から、基材の２３℃における破断伸度は、好ましくは５０～４００％、より好ましくは７０～３５０％、さらに好ましくは１００～３００％である。
　破断伸度は、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４およびＪＩＳ　Ｋ７１２７：１９９９に基づいて測定できる。
　基材の２３℃におけるヤング率は、好ましくは１０００ＭＰａ以上である。ヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が低下し、裏面研削時の振動等を抑制することができず、半導体チップの欠けや破損が発生しやすくなる。一方、基材の２３℃におけるヤング率を１０００ＭＰａ以上とすることで、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制し、半導体チップの欠けや破損を防止できる。また、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止できる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好にすることが可能である。このような観点から、基材の２３℃におけるヤング率は、好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、より好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　基材の厚さは特に限定されないが、１１０μｍ以下であることが好ましく、１５～１１０μｍであることがより好ましく、２０～１０５μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを１１０μｍ以下とすることで、粘着テープの剥離力を制御しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　基材の材質としては、上記物性を満たすものであれば特に限定されず、種々の樹脂フィルムを用いることができる。ここで、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等の樹脂フィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　第２実施形態では、破断エネルギーが上記範囲であれば、２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ未満の基材を用いてもよい。例えば、基材を、ポリオレフィン樹脂フィルムを含む層により形成することで、基材の破断エネルギーを上記した範囲内としやすくなる。
　ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ，密度：８８０ｋｇ／ｍ３以上、９１０ｋｇ／ｍ３未満）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ，密度：９１０ｋｇ／ｍ３以上、９３０ｋｇ／ｍ３未満）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ，密度：９３０ｋｇ／ｍ３以上、９４２ｋｇ／ｍ３未満）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ，密度：９４２ｋｇ／ｍ３以上）等のポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン－ポリプロピレン共重合体、オレフィン系エラストマー（ＴＰＯ）、シクロオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル－無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。
　これらのポリオレフィン樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記ポリオレフィン樹脂の中でも、特定の物性を有する基材を得る観点から、ポリエチレン樹脂が好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましい。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、粘着剤層との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
　易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　易接着層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、本願実施例における易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さいため、易接着層を有する樹脂フィルムの厚みと基材の厚みとは実質的に同一である。また、易接着層の材質は柔らかいため、破断エネルギーに与える影響は小さく、基材の破断エネルギーは、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムの破断エネルギーと実質的に同一である。
　例えば、基材の破断エネルギーは、樹脂組成の選択、可塑剤の添加、樹脂フィルム製造時の延伸条件などにより制御できる。具体的には、基材としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いる場合、共重合成分中のエチレン成分の含有割合が多くなると、基材の破断エネルギーは低下する傾向がある。また、基材を構成する樹脂組成物に対して可塑剤の配合量が多くなると基材の破断エネルギーは低下する傾向がある。
　第２実施形態における粘着剤層、剥離シート、半導体装置の製造方法は、第１実施形態と同様とすることができる。
　また、粘着テープの製造方法については、緩衝層を設けない他は、第１実施形態と同様とすることができる。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
　測定方法、評価方法は以下のとおりである。なお、表１における最外層とは、基材および粘着剤層からなる粘着シートの場合には基材を意味し、基材、緩衝層および粘着剤層からなる粘着シートの場合は緩衝層を意味する。
［破断エネルギー、ヤング率、破断伸度、破断応力］
　基材および緩衝層の破断エネルギー、ヤング率、破断伸度および破断応力は、精密万能試験機（株式会社島津製作所製　装置名「オートグラフＡＧ－ＩＳ」）を用いて測定した。具体的には、実施例５、６で用いた基材、または実施例１～４および比較例１、２で用いた緩衝層形成用組成物の硬化物からなる、幅１．５ｍｍ×長さ１５０ｍｍ×厚み０．２ｍｍの測定用サンプルを作成し、その測定用サンプルについて、チャック間１００ｍｍ（測定用サンプルの長手方向の両端２５ｍｍずつを装置に固定）、引張速度２００ｍｍ／ｓｅｃ、２３℃、５０％ＲＨの条件で測定を行った。
［テープ屑の評価］
　実施例１～６および比較例１、２で製造した半導体加工用粘着テープを、直径１２インチ、厚み７７５μｍのシリコンウエハにバックグラインド用テープラミネーター（リンテック社製、装置名「ＲＡＤ－３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付けし、シリコンウエハの外周に沿って切断した。切断した粘着テープの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、下記基準にて評価した。
１：シート断面が荒れており、千切れが多発している。
２：シート断面が荒れており、千切れが見られる。
３：シート断面がやや荒れており、わずかに千切れが見られる。
４：シート断面にやや荒れがあるものの千切れは見られない。
５：シート断面に荒れや千切れが見られない。
　なお、以下の実施例及び比較例の質量部は全て固形分換算である。
［実施例１］
（１）基材
　基材として、両面易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡社製　コスモシャイン　Ａ４３００、厚み：５０μｍ、２３℃におけるヤング率：２５５０ＭＰａ）を準備した。
（２）緩衝層
（ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成）
　ポリカーボネートジオールと、イソホロンジイソシアネートとを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、重量平均分子量（Ｍｗ）が約２５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）を得た。
（緩衝層形成用組成物の調製）
　上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）２０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）７０質量部、及び、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）１０質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦジャパン社製、製品名「イルガキュア１１７３」）２．０質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
（３）粘着剤層
（粘着剤組成物の調製）
　ｎ－ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（２ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ）に、アクリル系重合体（ｂ）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレートを６質量部、イソシアネート系架橋剤（東ソー社製、製品名「コロネートＬ」）を１質量部、光重合開始剤としてビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドを１質量部配合し、メチルエチルケトンで希釈し、固形分濃度３２質量％の粘着剤組成物の塗工液を調製した。
（４）粘着テープの作製
　剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に厚さが３０μｍの粘着剤層を形成した。
　また、別の剥離シート（リンテック社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に、緩衝層形成用組成物を塗布し、塗布膜を形成した。次いで、この塗布膜に対して、紫外線を照射し、塗布膜を半硬化して厚さが５３μｍの緩衝層形成膜を形成した。
　なお、上記の紫外線照射は、ベルトコンベア式紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、装置名「ＵＳ２－０８０１」）及び高圧水銀ランプ（アイグラフィックス社製、装置名「Ｈ０８－Ｌ４１」）を使用し、ランプ高さ２３０ｍｍ、出力８０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度９０ｍＷ／ｃｍ２、照射量５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
　そして、形成した緩衝層形成膜の表面と、基材とを貼り合わせ、緩衝層形成膜上の剥離シート側から再度紫外線を照射して、当該緩衝層形成膜を完全に硬化させ、厚さ５３μｍの緩衝層を形成した。なお、上記の紫外線照射は、上述の紫外線照射装置及び高圧水銀ランプを使用し、ランプ高さ２２０ｍｍ、換算出力１２０ｍＷ／ｃｍ、光線波長３６５ｎｍの照度１６０ｍＷ／ｃｍ２、照射量６５０ｍＪ／ｃｍ２の照射条件下にて行った。
　その後、基材の緩衝層が形成された面の反対面に、粘着剤層を貼り合わせ、半導体加工用粘着テープを作製した。
［実施例２］
　緩衝層のウレタンアクリレート系オリゴマーの合成において、重量平均分子量（Ｍｗ）が約２００００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）を得て、緩衝層形成用組成物の調製において、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）を３５質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）を４０質量部、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）を２５質量部に変更した他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
［実施例３］
　緩衝層形成用組成物の調製において、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）を２５質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）を５０質量部に変更した他は、実施例２と同様にして粘着テープを得た。
［実施例４］
　緩衝層のウレタンアクリレート系オリゴマーの合成において、重量平均分子量（Ｍｗ）が約１００００のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－３）を得て、緩衝層形成用組成物の調製において、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－３）を４０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）を４０質量部、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）を２０質量部に変更した他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
［実施例５］
　基材を低密度ポリオレフィンフィルム（厚み：２５μｍ、２３℃におけるヤング率：３８０ＭＰａ）に変更し、緩衝層を設けない他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
［実施例６］
　緩衝層を設けない他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
［比較例１］
　緩衝層形成用組成物の調製において、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－３）を３０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）を５０質量部、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）を２０質量部に変更した他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
［比較例２］
　緩衝層形成用組成物の調製において、ウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－２）を３０質量部に変更し、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）の代わりに、テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）を２０質量部及び４－アクリロイルモルフォリン（ＡＣＭＯ）を５０質量部配合した他は、実施例１と同様にして粘着テープを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上の結果から、本発明に係る半導体加工用粘着テープによれば、テープ屑の発生を低減できることが分かる。テープ屑を多く発生する粘着シートは、半導体装置の製造工程においてクラックが進行し破損する可能性が高い。したがって、本発明に係る粘着テープを用いると、半導体装置の生産性に優れることが分かる。
１０　粘着シート
　１１　基材
　１２　緩衝層
　１３　粘着剤層
２０　粘着シート
　２１　基材

Claims (6)

  1. 　基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
    　前記緩衝層の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３である、半導体加工用粘着テープ。
  2. 　前記基材の２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 　前記緩衝層が、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物の硬化物である、請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
  4. 　前記粘着剤層の厚さが１００μｍ未満である、請求項１～３のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープ。
  5. 　基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
    　前記基材の２３℃における破断エネルギーが１３～８０ＭＪ／ｍ３である、半導体加工用粘着テープ。
  6. 　請求項１～５のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを半導体ウエハの表面に貼付し、当該粘着テープを当該半導体ウエハの外周に沿って切断する工程と、
    　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
    　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
    　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
    　を備える半導体装置の製造方法。
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