TW202016234A - 半導體加工用黏著帶及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，為提供一種即便使用DBG或LDBG、亦能夠抑制晶片龜裂之半導體加工用黏著帶。本發明之解決手段，為提供一種半導體加工用黏著帶，其具有基材、設置在該基材的至少一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶，前述緩衝層在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。

Description

半導體加工用黏著帶及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體加工用黏著帶，更詳言之，是有關於一種在將溝設置在晶圓表面、或藉由雷射將改質區域設置在晶圓內部，而且藉由晶圓背面研磨時的應力等、進行晶圓的個片化之方法而製造半導體裝置時，能夠適合使用於用於暫時保持半導體晶圓、晶片之黏著帶、及使用該黏著帶之半導體裝置的製造方法。
各種電子機器的小型化、多功能化的進展中，在該等所搭載的半導體晶片亦同樣地被要求小型化、薄型化。為了晶片的薄型化，通常進行將半導體晶圓的背面研磨而調整厚度。又，為了得到經薄型化的晶片，亦有利用以下的技術之情形：使用切割刀片從晶圓的表面側形成預定深度的溝之後，從晶圓背面側進行研磨，藉由研磨而將晶圓個片化且得到晶片之被稱為預切割法(DBG：Dicing Before Grinding；研磨前切割)。在DBG，因為能夠同時進行晶圓的背面研磨及晶圓的個片化，所以能夠效率良好地製造薄型晶片。
先前，在半導體晶圓的背面研磨時、藉由DBG而製造晶片等時，為了保護晶圓表面的電路且保持半導體晶圓及半導體晶片，通常將被稱為背面研磨之黏著帶貼附在晶圓表面。
作為使用在DBG之背面研磨片，使用具備基材、及設置在基材的一面之黏著劑層之黏著帶。作為此種黏著帶的一個例子，在專利文獻1(日本特開2015-183008號公報)提案揭示一種具有剛性基材、設置在剛性基材的一面側之緩衝層、及設置在剛性基材的另一面側之黏著劑層之黏著片。專利文獻1揭示剛性基材的楊格模數為1000MPa以上，將尖端曲率半徑100nm及稜間角115∘的三角錐形狀壓頭的尖端以10μm/分鐘之速度壓入緩衝層時，壓縮荷重到達2mN所必要的壓入深度為2.5μm以上。又，在專利文獻2(日本特許第5068793號)，提案揭示一種在將能量線硬化型組合物硬化而成之薄片的至少一面具有黏著劑層之黏著片。專利文獻2揭示黏著片的斷裂伸長率為50%以上，又，拉伸彈性模數為10~1000MPa。
近年來，作為預切割法的變形例，有提案揭示一種藉由將改質區域設置在晶圓內部且藉由晶圓背面研磨時的應力等而進行晶圓的個片化之方法。以下，有將該方法記載為LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前雷射切割)之情形。在LDBG，因為晶圓是將改質區域作為起點而在結晶方向被切斷，所以相較於使用切割刀片之預切割法，能夠減低碎屑(chipping)的產生。其結果，能夠得到具有優異的抗折強度之晶片，而且能夠有助於晶片的進一步薄型化。又，相較於使用切割刀片在晶圓表面形成預定深度的溝之DBG，因為沒有使用切割刀片而將晶圓削掉的區域，亦即因為切口寬度(kerf width)為極小，所以晶片具有優異的產率。
在DBG和LDBG，使用研磨機等、將晶圓背面進行研磨而使厚度極薄化時，晶圓的外周有多餘的黏著帶時，研磨機有將多餘的黏著帶咬入之情形。因此，在背面研磨前會沿著晶圓的外周將黏著帶切斷。但是，使用專利文獻1、2之黏著帶時，將晶片的精加工厚度薄化至30μm以下時，有產生晶片缺損、破損(以下有記載為「晶片龜裂」之情形)等之情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-183008號公報 [專利文獻2] 日本特許第5068793號
發明欲解決之課題
為了解決上述課題，本發明者等專心研討之結果，發現將黏著帶貼附在半導體晶圓，使用切刀將該黏著帶沿著晶圓的外周切斷時所產生的膠帶屑為原因且在晶片產生龜裂。將黏著帶貼附在晶圓，沿著外周將該黏著帶切斷之後，晶圓透過黏著帶而被設置在夾頭座(chuck table)上，使用研磨機等進行背面研磨。此時，膠帶屑位於黏著帶與夾頭座之間時，由於膠帶屑，致使黏著帶及晶圓產生撓曲且在晶圓的研磨面產生少許的應變。將具有此種應變的晶圓研磨時，研磨機在應變部分卡住而且無法均勻地研磨，其結果容易在晶片產生龜裂。
膠帶屑是在使用切刀將黏著帶切斷時產生，具體而言，由於切斷時、黏著帶的構成的一部分剝落或破碎而產生。又，由於黏著帶的構成的一部分附著在切刀的刀刃，亦有更容易產生膠帶屑之情形。
本發明是鑒於上述的先前技術而進行，其目的提供一種即便使用在DBG或LDBG，亦能夠抑制晶片龜裂之半導體加工用黏著帶。 用以解決課題之手段
本發明之目的是為了解決此種課題，其要旨如以下。 (1)一種半導體加工用黏著帶，含有基材、設置在該基材的至少一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶，前述緩衝層在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。
(2)如(1)所述之半導體加工用黏著帶，其中前述基材在23℃之楊格模數為1000MPa以上。
(3)如(1)或(2)所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層為含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物的硬化物。
(4)如(1)至(3)項中任一項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層的厚度為小於100μm。
(5)一種半導體加工用黏著帶，含有基材、及設置在該基材的至少一面側之黏著劑層之黏著帶，前述基材在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。
(6)一種半導體裝置的製造方法，具備下列步驟： 將如前述(1)至(5)項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面，將該黏著帶沿著該半導體晶圓的外周切斷之步驟； 從前述半導體晶圓的表面側形成溝、或從前述半導體晶圓表面或是背面在半導體晶圓內部形成改質區域之步驟； 將前述黏著帶貼附在表面，而且將形成有前述溝或前述改質區域之半導體晶圓從背面側進行研磨且將前述溝或前述改質區域作為起點而使其個片化成為複數個晶片之步驟；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離之步驟。 發明效果
本發明之半導體加工用黏著帶，在使用切刀將黏著帶沿著晶圓外周切斷時、能夠抑制產生膠帶屑。其結果，能夠減低在半導體晶片產生之龜裂。
用以實施發明之形態
以下，具體地說明本發明之半導體加工用黏著帶。首先，說明在本說明書所使用的主要用語。 在本說明書，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，是使用作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」的雙方之用語，針對其他類似用語亦同樣。
所謂「半導體加工用」，是意味著能夠使用在半導體晶圓的搬運、背面研磨、切割、半導體晶片的拾起等的各步驟。 所謂半導體晶圓的「表面」，是指形成有電路之面，所謂「背面」，指未形成有電路之面。 所謂半導體晶圓的個片化，是指將半導體晶圓分割為各個電路而得到半導體晶片。
所謂DBG，是指在晶圓的表面側形成預定深度的溝之後，從晶圓背面側進行研磨，藉此而將晶圓個片化之方法。在晶圓的表面側所形成的溝，能夠使用刀片切割、雷射切割、電漿切割等方法而形成。又，所謂LDBG是DBG的變形例，是指藉由雷射在晶圓內部設置改質區域，藉由晶圓背面研磨時的應力等而進行晶圓的個片化之方法。
其次，進一步詳細地說明本發明之半導體加工用黏著帶的各構件之構成。在第1實施形態，針對包含基材、設置在基材的至少一面側之緩衝層、及設置在基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶進行說明。在第2實施形態，針對包含基材、及設置在基材的至少一面側之黏著劑層之黏著帶進行說明。又，有將本發明之半導體加工用黏著帶簡記為「黏著帶」之情形。
第1實施形態 在本發明之第1實施形態，如第1圖顯示，所謂黏著帶10，意味著包含基材11、設置在基材11的至少一面側之緩衝層12、及設置在基材11的另一面側之黏著劑層13之積層體。又，包含該等以外的其它的構成層亦無妨。例如亦可在黏著劑層側的基材表面形成底漆層，亦可在黏著劑層表面積層有用以保護黏著劑層至使用時為止之剝離片。又，基材可為單層，亦可為多層。緩衝層及黏著劑層亦同樣。 以下進一步詳細地說明第1實施形態之半導體加工用黏著帶的各構件之構成。
[基材] 基材在23℃之楊格模數，以1000MPa以上為佳。使用楊格模數小於1000MPa的基材時，黏著帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能低落，且無法抑制背面研磨時的振動等，而且半導體晶片容易產生缺損和破損。另一方面，藉由將基材在23℃之楊格模數設為1000MPa以上，黏著帶對半導體晶圓或半導體晶片之保持性能提高，而且能夠抑制背面研磨時產生振動等，且能夠防止半導體晶片產生缺損和破損。又，能夠減小將黏著帶從半導體晶片剝離時的應力，且能夠防止在膠帶剝離時所產生的晶片缺損和破損。而且，亦能夠使將黏著帶貼附在半導體晶圓時的作業性成為良好。從此種觀點而言，基材在23℃之楊格模數較佳為1800~30000MPa，更佳為2500~6000MPa。
基材的厚度沒有特別限定，以110μm以下為佳，以15~110μm為較佳，以20~105μm為更佳。藉由將基材的厚度設為110μm以下，容易控制黏著帶的剝離力。又，藉由設為15μm以上，基材容易達成作為黏著帶的支撐體之功能。
作為基材的材質，只要滿足上述物性之物，就沒有特別限定且能夠使用各種樹脂膜。在此，作為在23℃之楊格模數為1000MPa以上的基材，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改質聚伸苯醚、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚碸、聚醚酮、雙軸延伸聚丙烯等的樹脂膜。 該等樹脂膜之中，以包含選自由聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、雙軸延伸聚丙烯膜的1種以上之薄膜為佳、以包含聚酯膜為較佳，以包含聚對苯二甲酸乙二酯膜為更佳。
又，基材在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。而且，基材可為透明物，亦可為不透明物，亦可依照需要而經著色或蒸鍍。 又，基材的至少一表面為了提升與緩衝層及黏著劑層的至少一方之密著性，亦可施行電暈處理等的接著處理。而且，基材亦可具有上述樹脂膜、及經被膜在樹脂膜的至少一表面之易接著層。
作為形成易接著層之易接著層形成用組合物，沒有特別限定，例如可舉出含有聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組合物。在易接著層形成用組合物，亦可按照必要而含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。 作為易接著層的厚度，良好為0.01~10μm，較佳為0.03~5μm。又，在本申請案實施例之易接著層的厚度因為相對於基材的厚度為較小，所以具有易接著層之樹脂膜的厚度與基材的厚度為實質上相同。又，因為易接著層的材質為柔軟的，對楊格模數所造成的影響較小之緣故，所以基材的楊格模數即便具有易接著層時，亦與樹脂膜的楊格模數實質上相同。
例如基材的楊格模數，能夠藉由樹脂組成的選擇、可塑劑的添加、樹脂膜製造時的延伸條件等而調控。具體而言，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜作為基材時，共聚合成分中的乙烯成分的含有比例變多時，基材的楊格模數有降低之傾向。又，相對於構成基材之樹脂組合物，可塑劑的調配量變多時，基材的楊格模數有降低之傾向。
[緩衝層] 緩衝層是緩和半導體晶圓的背面研磨時的應力，而防止在半導體晶圓產生裂紋及缺損。將黏著帶貼附在半導體晶圓，沿著外周將黏著帶切斷之後，半導體晶圓透過黏著帶而配置在夾頭座上且被背面研磨，黏著帶藉由具有緩衝層作為構成層，容易將半導體晶圓適當地保持在夾頭座。另一方面，因為緩衝層相較於基材為較軟質，得知在黏著帶的切斷時有產生膠帶屑之情形。因此，研討的結果，得知緩衝層藉由具有以下的特性，能夠抑制產生膠帶屑。
緩衝層在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。黏著帶在常溫(23℃)附近貼附在半導體晶圓且沿著晶圓的外周被切斷。緩衝層在常溫(23℃)之斷裂能量為13~80MJ/m3 時，因為緩衝層即便在切斷時切刀的刀刃碰觸亦不變形、或刀刃在碰觸到的瞬間產生變形，但轉瞬間返回原來的形狀，所以在切斷時能夠抑制緩衝層扭曲和破碎且能夠抑制產生膠帶屑。另一方面，緩衝層在23℃之斷裂能量小於13MJ/m3 時，因為緩衝層在切斷時切刀的刀刃碰觸時產生變形且維持、不返回原來的形狀，所以緩衝層扭曲、或破碎且有產生膠帶屑之可能性。又，緩衝層在23℃之斷裂能量為大於80MJ/m3 時，有無法使用切刀將緩衝層切斷之情形，而且切刀的刀刃有磨耗之可能性。 又，即便將切刀的刀刃加溫而切斷時，緩衝層在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 時，亦能夠抑制在切斷時緩衝層的扭曲和破碎，且能夠抑制產生膠帶屑。
從上述的觀點而言，緩衝層在23℃之斷裂能量良好為13~60MJ/m3 ，較佳為14~58MJ/m3 ，更佳為15~37MJ/m3 。
斷裂能量是將基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999且依照在23℃的拉伸試驗而得到的應力及應變進行線圖化而成之應力-應變線圖，進行積分至斷裂點為止而得到之值。應變(mm)能夠依照初期的試片長度(mm)×伸長率(%)而求取。又，後述斷裂應力及斷裂伸長率各自為在上述拉伸試驗之斷裂時的應力及伸長率。
從得到上述範圍的斷裂能量之觀點而言，緩衝層在23℃之斷裂應力良好為15~300MPa，較佳為20~250MPa，更佳為22~200MPa。 斷裂應力能夠基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999而測定。
又，從得到上述範圍的斷裂能量之觀點而言，緩衝層在23℃之斷裂伸長率良好為50~400%，較佳為70~350%，更佳為100~300%。 斷裂伸長率能夠基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999而測定。
緩衝層相較於基材為較軟質的層。因此，緩衝層在23℃之楊格模數小於基材在23℃之楊格模數。具體而言，緩衝層在23℃之楊格模數以小於1000MPa為佳，較佳為700MPa以下，更佳為500MPa以下。
緩衝層的厚度以1~100μm為佳，以5~80μm為較佳，以10~60μm為更佳。藉由將緩衝層的厚度設為上述範圍，能夠適當地緩和緩衝層在背面研磨時的應力。
緩衝層以含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物的硬化物為佳。又，可為包含聚烯烴樹脂膜之層，亦可為將聚醚作為主劑之層。 以下，依序說明在由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成之層所含有的各成分、及在包含聚烯烴樹脂膜之層所含有的各成分。
>在由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成之層> 含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物，能夠藉由照射能量線而硬化。又，所謂「能量線」，是指紫外線、電子射線等，較佳是使用紫外線。 又，含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物更具體地以含有胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)為佳。緩衝層形成用組合物藉由含有上述(a1)成分而容易使緩衝層的斷裂能量成為上述範圍內。而且，緩衝層形成用組合物除了上述(a1)以外，以亦含有具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)及/或具有官能基之聚合性化合物(a3)為較佳。又，緩衝層形成用組合物除了上述(a1)~(a3)成分以外，亦可含有多官能聚合性化合物(a4)。而且，緩衝層形成用組合物以含有光聚合起始劑為佳，在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑和樹脂成分。 以下，詳細地說明在含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物中所含有的各成分。
(胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)) 所謂胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)，是指至少具有(甲基)丙烯醯基及胺甲酸乙酯鍵之化合物，且為具有藉由能量線照射而聚合硬化的性質之物。胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)為寡聚物或聚合物。
成分(a1)的重量平均分子量(Mw)良好為1,000~100,000，較佳為2,000~60,000，更佳為10,000~30,000。又，作為成分(a1)中的(甲基)丙烯醯基數(以下亦稱為「官能基數」)，可為單官能、2官能、或3官能以上，以單官能或2官能為佳。 成分(a1)，例如能夠藉由使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯對使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚合物進行反應而得到。又，成分(a1)可單獨或組合2種以上而使用。
成分(a1)的原料之多元醇化合物，只要具有2個以上的羥基之化合物，就沒有特別限定。作為具體的多元醇化合物，例如可舉出伸烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。該等之中，以聚酯型多元醇或聚碳酸酯型多元醇為佳。 又，作為多元醇化合物，可為2官能的二醇、3官能的三醇、4官能以上的多元醇之任一種，以2官能的二醇為佳，以聚酯型二醇或聚碳酸酯型二醇為較佳。
作為多元異氰酸酯化合物，例如可舉出四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等的脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、伸苯二甲基(xylylene)二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基伸苯二甲基二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等的芳香族系二異氰酸酯類等。 該等之中，以異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸苯二甲基二異氰酸酯為佳。
能夠使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，對使上述多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚合物進行反應而得到胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)。作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，只要至少1分子中具有羥基及(甲基)丙烯醯基之化合物，就沒有特別限定。
作為具體地具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基環己酯、(甲基)丙烯酸5-羥基環辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇一(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇一(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等含羥基的(甲基)丙烯醯胺；使用(甲基)丙烯酸對乙烯醇、乙烯基苯酚、雙酚A的二環氧丙酯進行反應而得到之反應物等。 該等之中，以(甲基)丙烯酸羥基烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為較佳。
作為使具有末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚合物與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應之條件，以按照必要在所添加的溶劑、觸媒之存在下使其於60~100℃反應1~4小時之條件為佳 緩衝層形成用組合物中的成分(a1)之含量相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，良好為10~70質量%，較佳為20~60質量%。
(具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物(a2)) 成分(a2)為具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基之聚合性化合物，而且以具有至少一個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳，較佳為具有一個(甲基)丙烯醯基之化合物。藉由使用成分(a2)，能夠使所得到的緩衝層形成用組合物的成膜性提升。
又，成分(a2)的定義與後述成分(a3)的定義有重複的部分，但是重複部分被包含在成分(a3)。例如具有至少一個(甲基)丙烯醯基、及環形成原子數6~20的脂環基或雜環基、以及羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之化合物是被成分(a2)及成分(a3)的雙方的定義所包含，但是在本發明該化合物設為被成分(a3)包含之物。
成分(a2)所具有之脂環基或雜環基的環形成原子數良好為6~20，較佳為6~18，更佳為6~16，特佳為7~12。作為形成該雜環基的環構造之原子，例如可舉出碳原子、氮原子、氧原子、硫原子等。 又，所謂環形成原子數，是表示原子環狀地鍵結而成的構造的化合物之構成該環本身的原子之數目，未構成環的原子(例如鍵結在構成環的原子上之氫原子)、及該環為經取代基取代時之取代基所含有的原子不包含在環形成原子數。
作為具體的成分(a2)，例如可舉出(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等的含脂環基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎福林酯等的含雜環基(甲基)丙烯酸酯等。 又，成分(a2)可單獨或組合2種以上而使用 在含脂環基的(甲基)丙烯酸酯之中，以(甲基)丙烯酸異莰酯為佳，在含雜環基的(甲基)丙烯酸酯之中，以(甲基)丙烯酸四氫糠酯為佳。
緩衝層形成用組合物中的成分(a2)的含量相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，良好為10~80質量%，較佳為20~70質量%。
(具有官能基之聚合性化合物(a3)) 成分(a3)為含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基之聚合性化合物，而且，以具有至少一個(甲基)丙烯醯基之化合物為佳，較佳為具有一個(甲基)丙烯醯基之化合物。 成分(a3)與成分(a1)的相溶性為良好，容易將緩衝層形成用組合物的黏度調整在適當的範圍。而且容易使由該組合物所形成的緩衝層的斷裂能量成為上述範圍，即便使緩衝層較薄，緩衝性能亦良好。 作為成分(a3)，例如可舉出含羥基的(甲基)丙烯酸酯、含環氧基的化合物、含醯胺基的化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
作為含羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等。 作為含環氧基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等，該等之中，以(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯等的含環氧基(甲基)丙烯酸酯為佳。 作為含醯胺基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等。 作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出含一級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含二級胺基的(甲基)丙烯酸酯、含三級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
該等之中，以含羥基的(甲基)丙烯酸酯為佳，以(甲基)丙烯酸苯基羥基丙酯等具有芳香環之含羥基的(甲基)丙烯酸酯為較佳。 又，成分(a3)可單獨或組合2種以上而使用。
緩衝層形成用組合物中的成分(a3)之含量，為了使緩衝層的斷裂能量容易成為上述範圍，而且使緩衝層形成用組合物的成膜性提升，相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，良好為5~40質量%，較佳為7~35質量%，更佳為10~30質量%。 又，緩衝層形成用組合物中的成分(a2)與成分(a3)之含量比[(a2)/(a3)]，良好為0.5~3.0，較佳為1.0~3.0，更佳為1.3~3.0，特佳為1.5~2.8。
(多官能聚合性化合物(a4)) 所謂多官能聚合性化合物，是指具有2個以上的光聚合性不飽和基之化合物。光聚合性不飽和基為含有碳-碳雙鍵之官能基，例如可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等。光聚合性不飽和基亦可組合2種以上。藉由多官能聚合性化合物中的光聚合性不飽和基與成分(a1)中的(甲基)丙烯醯基進行反應、或成分(a4)中的光聚合性不飽和基彼此進行反應，而能夠形成三維網狀結構(交聯結構)。使用多官能聚合性化合物時，相較於使用只含有一個光聚合性不飽和基之化合物時，因為藉由能量線照射而形成的交聯結構增加，所以緩衝層顯示獨特的黏彈性，且容易將斷裂能量控制在上述範圍。
又，成分(a4)的定義與前述成分(a2)、(a3)等的定義有重複的部分，但是重複部分被包含在成分(a4)。例如，具有環形成原子數6~20的脂環基或雜環基且具有2個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物被包含在成分(a4)及成分(a2)的雙方之定義中，但是在本發明、該化合物設為被包含在成分(a4)之物。又，含有羥基、環氧基、醯胺基、胺基等的官能基且具有2個以上的(甲基)丙烯醯基之化合物被包含在成分(a4)及成分(a3)的雙方之定義，但是在本發明、該化合物設為被包含在成分(a4)之物。
從上述的觀點而言，在多官能聚合性化合物中之光聚合性不飽和基的數目(官能基數)以2~10為佳，以3~6為較佳。
又，成分(a4)的重量平均分子量良好為30~40000，較佳為100~10000，更佳為200~1000。
作為具體的成分(a4)，例如可舉出二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯苯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、N,N’-亞甲基雙(甲基)丙烯醯胺等。 又，成分(a4)可單獨或組合2種以上而使用 該等之中，以二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯為佳。
緩衝層形成用組合物中的成分(a4)之含量，相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)，良好為2~40質量%，較佳為3~20質量%，更佳為5~15質量%。
(成分(a1)~(a4)以外的聚合性化合物(a5)) 緩衝層形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有上述成分(a1)~(a4)以外的其它聚合性化合物(a5)。 作為成分(a5)，例如可舉出具有碳數1~20的烷基之(甲基)丙烯酸烷酯；苯乙烯、羥乙基乙烯醚、羥丁基乙烯醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯系化合物等。又，成分(a5)能夠單獨或組合2種以上而使用。
緩衝層形成用組合物中的成分(a5)之含量，良好為0~20質量%，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，特佳為0~2質量%。
(光聚合起始劑) 緩衝層形成用組合物，從形成緩衝層時縮短藉由光照射而聚合的時間，而且使光照射量減低的觀點而言，以進一步含有光聚合起始劑為佳。
作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮(thioxanthone)化合物、過氧化物化合物、而且，胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
該等光聚合起始劑能夠單獨或組合2種以上而使用。
緩衝層形成用組合物中的光聚合起始劑之含量，相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，良好為0.05~15質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.3~5質量份。
(其它添加劑) 緩衝層形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑。作為其它添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，緩衝層形成用組合物中的各添加劑之含量，相對於能量線聚合性化合物的合計量100質量份，良好為0.01~6質量份，較佳為0.1~3質量份。
(樹脂成分) 緩衝層形成用組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有樹脂成分。作為樹脂成分，例如可舉出多烯-硫醇系樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴系樹脂、及苯乙烯系共聚物等的熱可塑性樹脂等。 緩衝層形成用組合物中的該等樹脂成分之含量，良好為0~20質量%，較佳為0~10質量%，更佳為0~5質量%，特佳為0~2質量%。
由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物所形成的緩衝層，藉由將上述組成的緩衝層形成用組合物照射能量線而聚合硬化來得到。亦即，該緩衝層為緩衝層形成用組合物的硬化物。 因而，該緩衝層含有源自成分(a1)的聚合單元。又，該緩衝層以源自成分(a2)的聚合單元及/或源自成分(a3)的聚合單元為佳。而且，亦可含有源自成分(a4)的聚合單元及/或源自成分(a5)的聚合單元。在緩衝層之各聚合單元的含有比例通常與構成緩衝層形成用組合物之各成分的比率(添加比)一致。例如緩衝層形成用組合物中的成分(a1)之含量相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)為10~70質量%時，緩衝層含有10~70質量%之源自成分(a1)的聚合單元。又，緩衝層形成用組合物中的成分(a2)之含量相對於緩衝層形成用組合物的總量(100質量%)為10~80質量%時，緩衝層含有10~80質量%之源自成分(a2)的聚合單元。針對成分(a3)~(a5)亦相同。
>包含聚烯烴樹脂膜之層> 藉由使用包含聚烯烴樹脂膜之層而形成的緩衝層，能夠容易地使緩衝層的斷裂能量在上述範圍內。
緩衝層包含聚烯烴樹脂膜之層時，相較於緩衝層由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物形成之層時，有應力緩和性較低之情形。此時，在基材的一面側具有由包含聚烯烴樹脂膜之層所形成的緩衝層之黏著帶，有產生翹曲之可能性。雖然在由包含聚烯烴樹脂膜之層所形成的緩衝層設置在基材的至少一面側即可，但是從防止此種不良之觀點而言，包含聚烯烴樹脂膜之層所形成的緩衝層以設置在基材的兩面為佳。
聚烯烴樹脂沒有特別限定，例如可舉出超低密度聚乙烯(VLDPE、密度： 880kg/m3 以上且小於910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3 以上且小於930kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE、密度：930kg/m3 以上且小於942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3 以上)等的聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯-聚丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、環烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物等。 該等聚烯烴樹脂能夠單獨或組合2種以上而使用。
上述聚烯烴樹脂之中，從得到具有特定物性的緩衝層之觀點，以聚乙烯樹脂為佳，以低密度聚乙烯為較佳。
在上述緩衝層，在不損害本發明的效果之範圍，亦可使其含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等的添加劑。又，上述緩衝層可為透明，亦可為不透明，亦可依照需要而經著色或蒸鍍。
在第1實施形態，緩衝層為含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物的硬化物時、緩衝層在23℃之斷裂能量例如能夠藉由調整上述胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯(a1)的重量平均分子量、緩衝層的厚度等，而且適當地選擇單體種類而調控。又，緩衝層包含聚烯烴樹脂膜之層時，能夠藉由調整聚烯烴的密度，而且適當地選擇添加劑而調控。
[黏著劑層] 黏著劑層是只要在常溫具有適當的感壓接著性，就沒有特別限定，在23℃之剪切儲存模數以0.05~0.50MPa為佳。在半導體晶圓的表面形成有電路等且通常具有凹凸。藉由黏著劑層的剪切儲存模數成為上述範圍內，將黏著帶貼附在具有凹凸之晶圓表面時，能夠使晶圓表面凹凸與黏著劑層充分地接觸且能夠使黏著劑層的接著性適當地發揮。因此，能夠確實地進行將黏著帶固定在半導體晶圓，且在背面研磨時適當地保護晶圓表面。從該等的觀點而言、黏著劑層的剪切儲存模數以0.12~0.35MPa為較佳。又，所謂黏著劑層的剪切儲存模數，黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成時，意味著藉由能量線照射之硬化前的剪切儲存模數。
剪切儲存模數能夠使用以下的方法而測定。將厚度為約0.5~1mm的黏著劑層沖切成為直徑7.9mm的圓形之物作為測定試料。使用Rheometric公司製的動態黏彈性測定裝置ARES，在頻率1Hz測定以升溫速度3℃/分鐘使其在從溫度-30℃起至150℃的溫度範圍變化時之測定試料的彈性模數。將在測定溫度23℃的彈性模數作為在23℃之剪切儲存模數。
黏著劑層的厚度以小於100μm為佳，以5~80μm為較佳，以10~70μm為更佳。將黏著劑層如此地薄化時，在黏著帶的切斷時能夠抑制產生膠帶屑且在背面研磨時容易進一步防止半導體晶片龜裂。
黏著劑層，例如由丙烯酸系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等所形成，以丙烯酸系黏著劑為佳 又，黏著劑層以由能量線硬化性黏著劑所形成者為佳。藉由黏著劑層由能量線硬化性黏著劑所形成，在藉由能量線照射之硬化前，能夠將在23℃之剪切儲存模數設定在上述範圍，同時在硬化後能夠將剝離力容易地設定在1000mN/50mm以下。
以下，詳述黏著劑的具體例，但是該等為非限定的例示，在本發明之黏著劑層不應該被解釋為限定於該等。 作為能量線硬化性黏著劑，例如能夠使用除了非能量線硬化性黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)以外，亦含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「X型的黏著劑組合物」)。又，作為能量線硬化性黏著劑，亦可使用將不飽和基導入至非能量線硬化性黏著性樹脂的側鏈而成之能量線硬化性黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分而含有，而且不含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之黏著劑組合物(以下亦稱為「Y型的黏著劑組合物」)。
而且，作為能量線硬化性黏著劑，除了X型與Y型的併用型，亦即、能量線硬化性黏著性樹脂II以外，亦含有黏著性樹脂以外的能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組合物(以下亦稱為「XY型的黏著劑組合物」)。 該等之中，以使用XY型的黏著劑組合物為佳。藉由使用XY型之物，在硬化前具有充分的黏著特性，另一方面在硬化後能夠充分地降低對半導體晶圓之剝離力。
但是作為黏著劑，亦可由即便照射能量線亦不硬化的非能量線硬化性黏著劑組合物所形成。非能量線硬化性黏著劑組合物至少含有非能量線硬化性黏著性樹脂I，另一方面不含有上述能量線硬化性黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物之物。
又，在以下的說明，「黏著性樹脂」使用作為上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II之一方或雙方之用語。作為具體的黏著性樹脂，例如可舉出丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂等，以丙烯酸系樹脂為佳。 以下，作為黏著性樹脂，進一步詳細地說明使用丙烯酸系樹脂之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系樹脂使用丙烯酸系聚合物(b)。丙烯酸系聚合物(b)是使至少含有(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得到之物，且含有源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元。作為(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出烷基的碳數為1~20之物，烷基可為直鏈，亦可為支鏈。作為(甲基)丙烯酸烷酯的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨或組合2種以上而使用。
又，丙烯酸系聚合物(b)從使黏著劑層的黏著力提升之觀點而言，以含有源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元為佳。作為該(甲基)丙烯酸烷酯的碳數，較佳為4~12，更佳為4~6。又，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，以丙烯酸烷酯為佳。
在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯，相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量(以下亦簡稱為"單體總量")，良好為40~98質量%，較佳為45~95質量%，更佳為50~90質量%。
丙烯酸系聚合物(b)除了源自烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，為了調整黏著劑層的彈性模數和黏著特性，以亦含有源自烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元之共聚物為佳。又，該(甲基)丙烯酸烷酯以碳數1或2的(甲基)丙烯酸烷酯為佳，以(甲基)丙烯酸甲酯為較佳，以甲基丙烯酸甲酯為最佳。在丙烯酸系聚合物(b)，烷基的碳數為1~3之(甲基)丙烯酸烷酯相對於單體總量，良好為1~30質量%，較佳為3~26質量%，更佳為6~22質量%。
丙烯酸系聚合物(b)除了上述源自(甲基)丙烯酸烷酯的結構單元以外，以亦具有源自含官能基單體的結構單元為佳。作為含官能基單體的官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、環氧基等。含官能基單體能夠與後述的交聯劑反應且成為交聯起點、或與含不飽和基的化合物反應而將不飽和基導入至丙烯酸系聚合物(b)的側鏈。
作為含官能基單體，可舉出含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。該等單體可單獨或組合2種以上而使用。該等之中，以含羥基單體、含羧基單體為佳，以含羥基單體為較佳。
作為含羥基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙醇類等的不飽和醇類等。
作為含羧基單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等的乙烯性不飽和單羧酸；反丁烯二酸、伊康酸、順丁烯二酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。
含官能基單體相對於構成丙烯酸系聚合物(b)之單體總量，良好為1~35質量%，較佳為3~32質量%，更佳為6~30質量%。 又，丙烯酸系聚合物(b)除了上述以外，亦可含有源自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等能夠與上述丙烯酸系單體共聚合的單體之結構單元。
上述丙烯酸系聚合物(b)能夠使用作為非能量線硬化性黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)。又，作為能量線硬化性丙烯酸系樹脂，可舉出使具有光聚合性不飽和基之化合物(亦稱為含不飽和基的化合物)對上述丙烯酸系聚合物(b)的官能基進行反應而成之物。
含不飽和基的化合物具有能夠與丙烯酸系聚合物(b)的官能基鍵結之取代基、及光聚合性不飽和基的雙方之化合物。作為光聚合性不飽和基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，以(甲基)丙烯醯基為佳。 又，作為能夠與含不飽和基的化合物所具有的官能基鍵結之取代基，可舉出異氰酸酯基和環氧丙基等。因而，作為含不飽和基的化合物，例如可舉出(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。
又，含不飽和基的化合物以對丙烯酸系聚合物(b)的官能基的一部分進行反應為佳，具體而言，以使含不飽和基的化合物對丙烯酸系聚合物(b)所具有的官能基的50~98莫耳%進行反應為佳，以使55~93莫耳%進行反應為較佳。如此，在能量線硬化性丙烯酸系樹脂中，藉由官能基的一部分不與含不飽和基的化合物反應而殘留，容易被交聯劑交聯。 又，丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(Mw)良好為30萬~160萬，較佳為40萬~140萬，更佳為50萬~120萬。
(能量線硬化性化合物) 作為在X型或XY型的黏著劑組合物所含有的能量線硬化性化合物，以在分子內具有不飽和基且能夠藉由能量線照射而聚合硬化之單體或寡聚物為佳。 作為此種能量線硬化性化合物，例如可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等的多元(甲基)丙烯酸酯單體、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等的寡聚物。
該等之中，從分子量較高、不容易使黏著劑層的剪切儲存模數低落之觀點而言，以胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物為佳。 能量線硬化性化合物的分子量(寡聚物時為重量平均分子量)良好為100~12000，較佳為200~10000，更佳為400~8000，特佳為600~6000。
在X型的黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，良好為40~200質量份，較佳為50~150質量份，更佳為60~90質量份。 另一方面，在XY型的黏著劑組合物之能量線硬化性化合物的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，良好為1~30質量份，較佳為2~20質量份，更佳為3~15質量份。在XY型的黏著劑組合物，因為黏著性樹脂為能量線硬化性，即便能量線硬化性化合物的含量較少，能量線照射後亦能夠使剝離力充分地降低。
(交聯劑) 黏著劑組合物以進一步含有交聯劑為佳。交聯劑例如與黏著性樹脂所具有之源自含官能基單體的官能基反應而將黏著性樹脂彼此交聯之物。作為交聯劑，例如可舉出甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等、及該等的加成物等的異氰酸酯系交聯劑；乙二醇環氧丙基醚等的環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三等的氮丙啶系交聯劑；鋁螯合物等的螯合物系交聯劑等。該等交聯劑可單獨或組合2種以上而使用。
該等之中，從提高凝聚力而使黏著力提升之觀點、及取得容易性等的觀點而言，以異氰酸酯系交聯劑為佳。 交聯劑的調配量從促進交聯反應的觀點而言，相對於黏著性樹脂100質量份，良好為0.01~10質量份，較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~4質量份。
(光聚合起始劑) 又，黏著劑組合物為能量線硬化性的情況時，黏著劑組合物以進一步含有光聚合起始劑為佳。藉由含有光聚合起始劑，即便紫外線等較低能量的能量線，亦能夠使黏著劑組合物的硬化反應充分地進行。
作為光聚合起始劑，例如可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物、以及胺、苯醌等的光敏化劑等，更具體地，例如可舉出1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、8-氯蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。
該等光聚合起始劑可單獨或組合2種以上而使用。 光聚合起始劑的調配量相對於黏著性樹脂100質量份，良好為0.01~10質量份，較佳為0.03~5質量份，更佳為0.05~5質量份。
(其它添加劑) 黏著性組合物在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有其它添加劑。作為其它添加劑，例如可舉出抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。調配該等添加劑時，添加劑的調配量相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~6質量份。
又，黏著性組合物從使其對基材、緩衝層、剝離片等的塗佈性提升之觀點而言，亦可進一步使用有機溶劑進行稀釋而成為黏著性組合物溶液的形態。 作為有機溶劑，例如可舉出甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二㗁烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、異丙醇等。 又，該等有機溶劑亦可直接使用在黏著性樹脂的合成時所使用的有機溶劑，亦能夠以能夠將該黏著劑組合物的溶液均勻地塗佈之方式，添加合成時所使用的有機溶劑以外之1種以上的有機溶劑。
[剝離片] 亦可將剝離片貼附在黏著帶的表面。具體而言，剝離片是貼附在黏著帶的黏著劑層表面。剝離片藉由貼附在黏著劑層表面，在輸送時、保管時保護黏著劑層。剝離片以能夠剝離地貼附在黏著帶，且在使用黏著帶之前(亦即晶圓貼附前)被從黏著帶剝離而除去。 剝離片使用至少一面經剝離處理之剝離片，具體而言，可舉出將剝離劑塗佈在剝離片用基材的表面上而成之物等。
作為剝離片用基材，以樹脂膜為佳，作為構成該樹脂膜之樹脂，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等的聚酯樹脂膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等的聚烯烴樹脂等。作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離片的厚度沒有特別限制，良好為10~200μm，較佳為20~150μm。
[黏著帶的製造方法] 作為本發明的黏著帶的製造方法，沒有特別限制，能夠使用習知的方法製造。 例如具有基材、設置在該基材的一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶的製造方法如以下所述。
緩衝層由含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物形成的情況時，能夠藉由將緩衝層形成用組合物塗佈在剝離片上且硬化而設置之緩衝層、與基材貼合且將剝離片除去，來得到緩衝層與基材之積層體。又，緩衝層包含聚烯烴樹脂膜之層的情況時，藉由將緩衝層與基材貼合而能夠得到緩衝層與基材之積層體。
接著，將設置在剝離片上的黏著劑層貼合在積層體的基材側，而能夠製造在黏著劑層的表面貼附有剝離片之黏著帶。貼附在黏著劑層的表面之剝離片在黏著帶的使用前適當地剝離而除去即可。
作為將緩衝層形成在剝離片上之方法，能夠藉由將緩衝層形成用組合物使用習知的塗佈方法直接塗佈在剝離片上而形成塗佈膜，而且對該塗佈膜照射能量線而形成緩衝層。又，亦可將緩衝層形成用組合物直接塗佈在基材的一面，藉由加熱乾燥或對塗佈膜照射能量線而形成緩衝層。
作為緩衝層形成用組合物的塗佈方法，例如可舉出旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。又，為了使塗佈性提升，亦可在緩衝層形成用組合物調配有機溶劑，且以溶液的形態塗佈在剝離片上。
緩衝層形成用組合物含有能量線聚合性化合物的情況時，藉由對緩衝層形成用組合物的塗佈膜照射能量線使其硬化，而形成緩衝層為佳。緩衝層的硬化可進行一次的硬化處理，亦可分成複數次而進行。例如，使剝離片上的塗佈膜完全硬化而形成緩衝層之後貼合在基材，亦可使該塗佈膜不完全硬化而形成半硬化狀態的緩衝層形成膜，將該緩衝層形成膜貼合在基材之後，再次照射能量線使其完全硬化而形成緩衝層。作為該硬化處理照射的能量線，以紫外線為佳。又，雖然硬化時亦可為緩衝層形成用組合物的塗佈膜被暴露的狀態下，但是以使用剝離片和基材覆蓋塗佈膜且在塗佈膜不被暴露的狀態下照射能量線而硬化為佳。
緩衝層包含聚烯烴樹脂膜之層的情況時，亦可藉由擠壓積層使緩衝層與基材貼合。具體而言，使用T型模具製膜機等將構成緩衝層之聚烯烴樹脂熔融‧混煉，而且使基材以一定的速度邊移動邊將熔融的聚烯烴樹脂擠壓積層至基材的一面側。又，緩衝層亦可藉由熱密封等而直接積層在基材。而且亦可使用乾式積層法等的方法透過易接著層而積層。
作為在剝離片上形成黏著劑層之方法，能夠藉由將黏著劑(黏著劑組合物)使用習知的塗佈方法直接塗佈在剝離片上的塗佈膜加熱乾燥，而能夠形成黏著劑層。
又，亦可將黏著劑(黏著劑組合物)直接塗佈在基材的一面而形成黏著劑層。作為黏著劑的塗佈方法，可舉出在緩衝層的製造法已揭示之噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刀片塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等。
而且，將緩衝層設置在基材的兩面之黏著帶的製造方法，例如使用上述方法而得到依序將緩衝層、基材及緩衝層積層而成之積層體，隨後，將黏著劑層形成在一邊的緩衝層側即可。
[半導體裝置的製造方法] 本發明之黏著帶，較佳是貼附在半導體晶圓表面、進行晶圓的背面研磨時的情況使用。本發明之黏著帶，更佳是能夠適合使用在同時進行晶圓的背面研磨與晶圓的個片化之DBG。本發明之黏著帶，特佳是能夠適合使用在將半導體晶圓個片化時、能夠得到切口寬度較小的晶片群之LDBG。又，所謂「晶片群」，是指被保持在本發明之黏著帶上之晶圓形狀的複數個半導體晶片。 作為黏著帶的非限定的使用例，以下更具體地說明半導體裝置的製造方法。
具體而言，半導體裝置的製造方法至少具備以下的步驟1~步驟4。 步驟1：將上述黏著帶貼附在半導體晶圓表面，且將黏著帶沿著半導體晶圓的外周切斷之步驟； 步驟2：從半導體晶圓的表面側形成溝、或從半導體晶圓表面或是背面在半導體晶圓內部形成改質區域之步驟； 步驟3：將黏著帶貼附在表面，而且將形成有上述溝或改質區域之半導體晶圓從背面側進行研磨，且將溝或改質區域作為起點，使其個片化成為複數個晶片之步驟；及 步驟4：將黏著帶從經個片化的半導體晶圓(亦即複數個半導體晶片)剝離之步驟。
以下，詳細地說明上述半導體裝置的製造方法之各步驟。 (步驟1) 在步驟1，將本發明的黏著帶透過黏著劑層而貼附在半導體晶圓表面，沿著半導體晶圓的外周而切斷。黏著帶以將半導體晶圓及在其外周擴大之外周機台覆蓋之方式貼附。接著，黏著帶沿著半導體晶圓外周，被切刀等切斷。切斷速度通常為10~300mm/s。切斷時的切刀的刀刃之溫度可為室溫，而且亦可將切刀的刀刃加熱再進行切斷。
本步驟可在後述步驟2之前進行，亦可在步驟2之後進行。例如在半導體晶圓形成改質區域的情況時，以在步驟2之前進行步驟1為佳。另一方面，在半導體晶圓表面藉由切割等而形成溝的情況時，在步驟2之後進行步驟1。亦即，藉由本步驟1而將黏著帶貼附在具有後述步驟2所形成的溝之晶圓的表面。
在本製造方法所使用的半導體晶圓可為矽晶圓，而且亦可為鎵砷、碳化矽、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、銦磷等的晶圓、玻璃晶圓等。半導體晶圓的研磨前之厚度沒有特別限定，通常為500~1000μm左右。又，半導體晶圓通常在其表面形成有電路。在晶圓表面形成電路，能夠使用包含蝕刻法、剝離法等先前泛用的方法之各式各樣的方法來進行。
(步驟2) 在步驟2，從半導體晶圓的表面側形成溝、或從半導體晶圓的表面或背面在半導體晶圓的內部形成改質區域。 在本步驟所形成的溝相較於半導體晶圓的厚度為較淺深度的溝。溝的形成能夠使用先前習知的晶圓切割裝置等、藉由切割來進行。又，半導體晶圓在後述步驟3，沿著溝而被分割成為複數個半導體晶片。
又，改質區域是在半導體晶圓為經脆化的部分，藉由研磨步驟之研磨，半導體晶圓變薄、或藉由研磨所施加的力量，而成為半導體晶圓被破壞且成為半導體晶片個片化的起點之區域。亦即在步驟2，溝及改質區域在後述步驟3，以半導體晶圓被分割且成為半導體晶片個片化時的分割線之方式形成。
改質區域的形成，是藉由照射將焦點對在半導體晶圓的內部之雷射而進行，改質區域形成在半導體晶圓的內部。雷射的照射可從半導體晶圓的表面側進行，亦可從背面側進行。又，在形成改質區域之態樣中，在步驟1之後進行步驟2之從晶圓表面進行雷射照射時，是透過黏著帶而對半導體晶圓照射雷射。 貼附有黏著帶且形成有溝或改質區域之半導體晶圓是被載置在夾頭座上，且被夾頭座吸附而保持。此時，半導體晶圓是表面側被配置在機台側而被吸附。
(步驟3) 步驟1及步驟2之後，將夾頭座上的半導體晶圓的背面研磨而將半導體晶圓個片化成為複數個半導體晶片。 在此，背面研磨在半導體晶圓形成有溝時，以將半導體晶圓薄化到至少到達溝的底部之位置的方式進行。藉由該背面研磨，溝成為將晶圓貫穿之切口，而且半導體晶圓藉由切口而被分割，且個片化為各個半導體晶片。
另一方面，形成有改質區域的情況時，藉由研磨而研磨面(晶圓背面)可到達改質區域，亦可未嚴密地到達改質區域。亦即，以改質區域作為起點，半導體晶圓被破壞且個片化成為半導體晶片之方式、研磨至接近改質區域的位置即可。例如，半導體晶片的實際個片化，亦可貼附後述拾起膠帶之後，藉由將拾起膠帶延伸而進行。
又，背面研磨結束後，亦可在晶片的拾起之前進行乾拋光。
經個片化的半導體晶片之形狀可為方形亦可為矩形等的細長形狀。又，經個片化的半導體晶片的厚度沒有特別限定，良好為5~100μm左右，較佳為10~45μm。藉由雷射而在晶圓內部設置改質區域、且以晶圓背面研磨時的應力等進行晶圓的個片化之LDBG時，容易將經個片化的半導體晶片的厚度設為50μm以下，較佳為10~45μm。又，經個片化的半導體晶片之大小沒有特別限定，晶片尺寸良好為小於600mm2 ，較佳為小於400mm2 ，更佳為小於300mm2 。
使用本發明的黏著帶時，即便如此薄型及/或小型的半導體晶片，亦能夠防止在背面研磨時(步驟3)、及黏著帶剝離時(步驟4)在半導體晶片產生龜裂。
(步驟4) 其次，從經個片化的半導體晶圓(亦即、複數個半導體晶片)，將半導體加工用黏著帶剝離。本步驟例如使用以下的方法進行。 首先，黏著帶的黏著劑層是由能量線硬化性黏著劑所形成的情況時，照射能量線而使黏著劑層硬化。其次，將拾起膠帶貼附在經個片化的半導體晶圓的背面側，且以能夠拾起之方式進行位置及方向對準。此時，配置在晶圓的外周側之環狀框(ring frame)亦貼合在拾起膠帶，且將拾起膠帶的外周緣部固定在環狀框。拾起膠帶可同時貼合在晶圓及環狀框，亦可依照各別的時機而貼合。其次，將被保持在拾起膠帶上之複數個半導體晶片從黏著帶剝離。
隨後，將位於拾起膠帶上之複數個半導體晶片拾起，且固定在基板等的上面來製造半導體裝置。 又，拾起膠帶沒有特別限定，例如能夠由具備基材、及設置在基材的至少一邊的面之黏著劑層之黏著帶所構成。
又，亦能夠使用接著帶來代替拾起膠帶。所謂接著帶，可舉出薄膜狀接著劑與剝離片之積層體、切割膠帶與薄膜狀接著劑之積層體、具有切割膠帶與晶粒接合膠帶的雙方的功能之由接著劑層及剝離片所構成之切割‧晶粒接合膠帶等。又，可在將拾起膠帶貼附之前，將薄膜狀接著劑貼合在經個片化的半導體晶圓之背面側。使用薄膜狀接著劑時，薄膜狀接著劑亦可與晶圓相同形狀。
使用接著帶時、在貼附拾起膠帶之前，將薄膜狀接著劑貼合在經個片化的半導體晶圓的背面側時，位於接著帶和拾起膠帶上之複數個半導體晶片是將半導體晶片與經分割成為相同形狀的接著劑層一起被拾起。接著，半導體晶片能夠透過接著劑層而被固定化在基板等之上，來製造半導體裝置。接著劑層的分割藉由雷射和擴展而進行。
以上，針對本發明之黏著帶，已針對使用於藉由DBG或LDBG而將半導體晶圓個片化之方法的例子進行說明，本發明之黏著帶亦能夠適合使用在將半導體晶圓個片化時能夠得到切口寬度較小且更薄化的晶片群之LDBG。又，本發明之黏著帶亦能夠使用在通常的背面研磨，又，亦能夠使用在玻璃、陶瓷等的加工時用以將被加工物暫時保持。而且亦能夠使用作為各種再剝離黏著帶。
第2實施形態 在本發明之第2實施形態，如第2圖顯示，所謂黏著帶20，意味著包含基材21、及設置在基材的至少一面側之黏著劑層13之積層體。又，包含該等以外的其它構成層亦無妨。例如，亦可將底漆層形成在黏著劑層側的基材表面，亦可將用以保護黏著劑層至使用時為止之剝離片積層在黏著劑層的表面。又，基材可為單層，亦可為多層。黏著劑層亦同樣。 以下，進一步詳細地說明第2實施形態之半導體加工用黏著帶的各構件之構成。
[基材] 基材在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。黏著帶在常溫(23℃)附近被貼附在半導體晶圓，且沿著晶圓的外周被切斷。基材在常溫(23℃)之斷裂能量為13~80MJ/m3 時，因為基材即便在切斷時切刀的刀刃碰觸亦不變形、或在刀刃碰觸到的瞬間雖然變形、但是轉瞬間返回原來的形狀，所以在切斷時能夠抑制基材扭曲和破碎，且能夠抑制產生膠帶屑。另一方面，基材在23℃之斷裂能量為小於13MJ/m3 時，因為基材在切斷時切刀的刀刃碰觸時產生變形且維持、不返回原來的形狀、或是基材扭曲或破碎，且有產生膠帶屑之可能性。又，基材在23℃之斷裂能量為大於80MJ/m3 時，有無法使用切刀將基材切斷之情形，而且切刀的刀刃有磨耗之可能性。 又，即便將切刀的刀刃加溫而進行切斷時，基材在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 時，則切斷時亦能夠抑制基材扭曲和破碎，且能夠抑制產生膠帶屑。
從上述的觀點而言，基材在23℃之斷裂能量良好為13~60MJ/m3 ，較佳為23~58MJ/m3 ，更佳為25~56MJ/m3 。
斷裂能量是基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999、在23℃的拉伸試驗而得到的應力及應變進行線圖化而成之應力-應變線圖，進行積分至斷裂點為止而得到之值。應變(mm)能夠依照初期的試片長度(mm)×伸長率(%)而求取。又，後述斷裂應力及斷裂伸長率各自為在上述拉伸試驗之斷裂時的應力及伸長率。
從得到上述範圍的斷裂能量之觀點而言，基材在23℃之斷裂應力良好為15~300MPa，較佳為20~250MPa，更佳為22~200MPa。 斷裂應力能夠基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999而測定。
又，從得到上述範圍的斷裂能量之觀點而言，基材在23℃之斷裂伸長率良好為50~400%，較佳為70~350%，更佳為100~300%。 斷裂伸長率能夠基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999而測定。
基材在23℃之楊格模數良好為1000MPa以上。使用楊格模數小於1000MPa的基材時，藉由黏著帶之對於半導體晶圓或半導體晶片之保持性能低落，且有無法抑制背面研磨時的振動等之情形，而且半導體晶片容易產生缺損和破損。另一方面、藉由使基材在23℃之楊格模數成為1000MPa以上，藉由黏著帶之對於半導體晶圓或半導體晶片之保持性能提高，且能夠抑制背面研磨時的振動等，而且能夠防止半導體晶片缺損和破損。又，能夠減小將黏著帶從半導體晶片剝離時的應力，且能夠防止膠帶剝離時產生的晶片缺損和破損。進而，亦能夠使將黏著帶貼附在半導體晶圓時之作業性成為良好。從此種的觀點而言，基材在23℃之楊格模數良好為1800~30000MPa，較佳為2500~6000MPa。
基材的厚度沒有特別限定，以110μm以下為佳，以15~110μm為較佳，以20~105μm為更佳。藉由將基材的厚度設為110μm以下，容易控制黏著帶的剝離力。又，藉由設為15μm以上，基材容易達成作為黏著帶的支撐體之功能。
作為基材的材質，只要滿足上述物性之物，就沒有特別限定，且能夠使用各種樹脂膜。在此，作為在23℃之楊格模數為1000MPa以上的基材，例如可舉出，聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳香族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改質聚伸苯醚、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚碸、聚醚酮、雙軸延伸聚丙烯等的樹脂膜。 該等樹脂膜之中，以包含選自聚酯膜、聚醯胺膜、聚醯亞胺膜、雙軸延伸聚丙烯膜之1種以上之薄膜為佳，以包含聚酯膜為較佳，以包含聚對苯二甲酸乙二酯膜為更佳。
在第2實施形態，只要斷裂能量為上述範圍，亦可使用在23℃之楊格模數為小於1000MPa的基材。例如藉由使用包含聚烯烴樹脂膜之層來形成基材，容易使基材的斷裂能量成為上述範圍內。
聚烯烴樹脂沒有特別限定，例如可舉出超低密度聚乙烯(VLDPE,密度：880kg/m3 以上且小於910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3 以上且小於930kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE,密度：930kg/m3 以上且小於942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3 以上)等的聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚乙烯-聚丙烯共聚物、烯烴系彈性體(TPO)、環烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-乙酸乙烯酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物等。 該等聚烯烴樹脂能夠單獨或組合2種以上而使用。
上述聚烯烴樹脂之中，從得到具有特定物性的基材之觀點而言，以聚乙烯樹脂為佳，以低密度聚乙烯為較佳。
又，基材在不損害本發明的效果之範圍，亦可含有可塑劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、觸媒等。又，基材可為透明物，亦可為不透明物，亦可依照需要而經著色或蒸鍍。 又，在基材的至少一邊的表面，亦可施行電暈處理等的接著處理用以使用其與黏著劑層的密著性提升。又，基材亦可為具有上述樹脂膜、及經被膜在樹脂膜的至少一邊的表面的易接著層之物。
作為形成易接著層之易接著層形成用組合物，沒有特別限定，例如可舉出含有聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯胺甲酸乙酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等之組合物。易接著層形成用組合物亦可按照需要而含有交聯劑、光聚合起始劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。 作為易接著層的厚度，良好為0.01~10μm，較佳為0.03~5μm。又，因為在本申請案實施例之易接著層的厚度相對於基材的厚度為較小，所以具有易接著層之樹脂膜的厚度與基材的厚度為實質上相同。而且，因為易接著層的材質為較柔軟，所以對斷裂能量所造成的影響較小，且即便具有易接著層時，基材的斷裂能量與樹脂膜的斷裂能量為實質上相同。
例如，基材的斷裂能量能夠藉由樹脂組成的選擇、可塑劑的添加、樹脂膜製造時的延伸條件等而控制。具體而言，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜作為基材時，共聚合成分中的乙烯成分含有比例變多時，基材的斷裂能量有低落之傾向。又，相對於構成基材之樹脂組合物，可塑劑的調配量變多時，基材的斷裂能量有低落之傾向。
在第2實施形態之黏著劑層、剝離片、半導體裝置的製造方法，能夠與第1實施形態同樣進行。 又，針對黏著帶的製造方法，除了不設置緩衝層以外，能夠設為與第1實施形態同樣進行。 實施例
以下，基於實施例而進一步說明本發明，但是本發明不被該等例限制。
測定方法、評價方法如以下。又，在表1之最外層是指，由基材及黏著劑層所構成之黏著片的情況時，意味著基材；由基材、緩衝層及黏著劑層所構成之黏著片的情況時，意味著緩衝層。
[斷裂能量、楊格模數、斷裂伸長率、斷裂應力] 基材及緩衝層的斷裂能量、楊格模數、斷裂伸長率及斷裂應力，使用精密萬能試驗機(股份公司島津製作所製 裝置名「AUTOGRAPH AG-IS」)而測定。具體而言，製造實施例5、6所使用的基材、或實施例1~4及比較例1、2所使用之由緩衝層形成用組合物的硬化物所構成、寬度1.5mm×長度150mm×厚度0.2mm的測定用試樣，而且針對該測定用試樣，在夾頭之間100mm(將測定用試樣的長度方向的兩端各25mm固定在裝置)且在拉伸速度200mm/sec、23℃、50%RH的條件下進行測定。
[膠帶屑的評價] 將實施例1~6及比較例1、2所製造的半導體加工用黏著帶，使用背面研磨用膠帶積層機(LINTEC公司製、裝置名「RAD-3510F/12」)而貼附在直徑12英吋、厚度775μm的矽晶圓，且沿著矽晶圓的外周而切斷。使用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察切斷後的黏著帶之剖面且依據下述基準而進行評價。 1：薄片剖面為粗糙且產生多處破碎。 2：薄片剖面為粗糙且能夠觀察到破碎。 3：薄片剖面為稍微粗糙且能夠觀察到少許破碎。 4：雖然在薄片剖面有稍微粗糙之處但是無法觀察到破碎。 5：在薄片剖面無法觀察到粗糙和破碎。
又，以下實施例及比較例的質量份是全部換算為固體成分。
[實施例1] (1)基材 作為基材，準備兩面附易接著層的PET膜(東洋紡公司製COSMOSHINE A4300、厚度：50μm、在23℃之楊格模數：2550MPa)。
(2)緩衝層 (胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物的合成) 將使聚碳酸酯二醇與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到的末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚合物與丙烯酸2-羥基乙酯進行反應，而得到重量平均分子量(Mw)為約25000的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)。
(緩衝層形成用組合物的調製) 調配上述合成的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-1)20質量份、丙烯酸異莰酯(IBXA)70質量份、及丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)10質量份，而且調配作為光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF JAPAN公司製、製品名「IRGACURE 1173」)2.0質量份，來調製緩衝層形成用組合物。
(3)黏著劑層 (黏著劑組合物的調製) 在使丙烯酸正丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到的丙烯酸系聚合物(b)，以附加於丙烯酸系聚合物(b)的總羥基之中90莫耳%的羥基之方式，使其與2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應，而得到能量線硬化性丙烯酸系樹脂(Mw：50萬)。
在該能量線硬化性丙烯酸系樹脂100質量份，調配能量線硬化性化合物之多官能胺甲酸乙酯丙烯酸酯6質量份、異氰酸酯系交聯劑(TOSOH公司製、製品名「CORONATE L」)1質量份、作為光聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦1質量份，且使用甲基乙基酮稀釋，來調製固體成分濃度32質量%的黏著劑組合物的塗佈液。
(4)黏著帶的製造 將上述得到的黏著劑組合物的塗佈液塗佈在剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面，且使其加熱乾燥，而在剝離片上形成厚度為30μm的黏著劑層。
又，將緩衝層形成用組合物塗佈在另外的剝離片(LINTEC公司製、商品名「SP-PET381031」)的剝離處理面而形成塗佈膜。其次，對該塗佈膜照射紫外線且使塗佈膜半硬化，來形成厚度為53μm的緩衝層形成膜。 而且，上述的紫外線照射使用輸送帶式紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「US2-0801」)及高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製、裝置名「H08-L41」)，且在燈高度230mm、輸出功率80mW/cm、光線波長365nm的照度90mW/cm2 、照射量50mJ/cm2 的照射條件下進行。
而且，將所形成的緩衝層形成膜表面與基材貼合，從緩衝層形成膜上的剝離片側再次照射紫外線，而使該緩衝層形成膜完全地硬化，來形成厚度53μm的緩衝層。又，上述的紫外線照射使用上述紫外線照射裝置及高壓水銀燈且在燈高度220mm、換算輸出功率120mW/cm、光線波長365nm的照度160mW/cm2 、照射量650mJ/cm2 的照射條件下進行。
隨後，將黏著劑層貼合在基材之形成有緩衝層的面的相反面，來製造半導體加工用黏著帶。
[實施例2] 在緩衝層的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物的合成，得到重量平均分子量(Mw)為約20000的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)，而且在緩衝層形成用組合物的調製中、除了變更為35質量份胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)、40質量份丙烯酸異莰酯(IBXA)、及25質量份丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例3] 在緩衝層形成用組合物的調製，除了變更為25質量份胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)、及50質量份丙烯酸異莰酯(IBXA)以外，與實施例2同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例4] 在緩衝層的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物的合成，得到重量平均分子量(Mw)為約10000的胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-3)，而且在緩衝層形成用組合物的調製中、除了變更為40質量份胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-3)、40質量份丙烯酸異莰酯(IBXA)、及20質量份丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例5] 除了將基材變更為低密度聚烯烴膜(厚度：25μm、在23℃之楊格模數：380Mpa)，且不設置緩衝層以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[實施例6] 除了不設置緩衝層以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[比較例1] 在緩衝層形成用組合物的調製，除了變更為30質量份胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-3)、50質量份丙烯酸異莰酯(IBXA)、及20質量份丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[比較例2] 在緩衝層形成用組合物的調製，除了變更成為30質量份胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物(UA-2)，而且調配20質量份丙烯酸四氫糠酯(THFA)及50質量份4-丙烯醯基嗎福林(ACMO)代替丙烯酸異莰酯(IBXA)及丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)以外，與實施例1同樣地進行而得到黏著帶。
[表1]
Figure 02_image001
從以上的結果，得知根據本發明之半導體加工用黏著帶時，能夠減低膠帶屑的產生。產生許多膠帶屑之黏著片，在半導體裝置的製造步驟中、進行龜裂且產生破損之可能性較高。 因而，得知使用本發明之黏著帶時，半導體裝置具有優異的生產性。
10:黏著片 11:基材 12:緩衝層 13:黏著劑層 20:黏著片 21:基材
第1圖為本發明之第1實施形態的黏著片之示意圖。 第2圖為本發明之第2實施形態的黏著片之示意圖。
10:黏著片
11:基材
12:緩衝層
13:黏著劑層

Claims (6)

  1. 一種半導體加工用黏著帶，係含有基材、設置在該基材的至少一面側之緩衝層、及設置在該基材的另一面側之黏著劑層之黏著帶， 前述緩衝層在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述基材在23℃之楊格模數為1000MPa以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述緩衝層為含有能量線聚合性化合物之緩衝層形成用組合物的硬化物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體加工用黏著帶，其中前述黏著劑層的厚度為小於100μm。
  5. 一種半導體加工用黏著帶，係含有基材、及設置在該基材的至少一面側之黏著劑層之黏著帶， 前述基材在23℃之斷裂能量為13~80MJ/m3 。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，係具備下列步驟： 將如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之半導體加工用黏著帶貼附在半導體晶圓表面，將該黏著帶沿著該半導體晶圓的外周切斷； 從前述半導體晶圓的表面側形成溝、或從前述半導體晶圓表面或是背面在半導體晶圓內部形成改質區域； 將前述黏著帶貼附在表面，而且將形成有前述溝或前述改質區域之半導體晶圓從背面側進行研磨且將前述溝或前述改質區域作為起點而使其個片化成為複數個晶片；及 將前述黏著帶從前述複數個晶片剝離。
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