DE60225375T2 - Druckempfindlicher Klebebogen zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines drucksensitiven Klebeblatts. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf das Bearbeiten von Halbleiterwafern in Vakuum.
  • Es ist allgemeine Praxis, einen Halbleiterwafer mit Schaltungen, die auf seiner Oberfläche ausgebildet sind, einem Schleifen einer Rückseite desselben auszusetzen, um eine Oxidschicht auf der Rückseite zu entfernen oder um die Dicke des Halbleiterwafers zu reduzieren und gleichförmig zu machen. Insbesondere in den letzten Jahren wurde der Halbleiterwafer gelegentlich bis zu einer Dicke von 100 μm oder weniger entsprechend der Reduktionsanforderung bezüglich der Chipdicke geschliffen. Bei dem Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers wird ein drucksensitives Klebeblatt auf die Schaltungsoberfläche des Halbleiterwafers geklebt, um die Schaltungen zu schützen oder um den Halbleiterwafer zu fixieren.
  • Die oben erwähnte Reduktion der Halbleiterwaferdicke verschlechtert die Antifalt-Stärke (engl. antifolding strength) des Wafers aufgrund von Schleifspuren auf der Rückseite des Halbleiterwafers, die aus einem mechanischen Schleifen unter Verwendung eines Schleifsteins, eines Schleifmittels oder Ähnlichem resultieren. Es wird daher vorgeschlagen, die Schleifspuren auf der Rückseite des Halbleiterwafers durch Trockenätzen zu entfernen.
  • Dieses Trockenätzen wird im Allgemeinen in einem Vakuum von 10–3 bis 10–4 torr (0.13 bis 0.013 Pa) durchgeführt. Doch hat in solch einem Vakuum, wenn ein Halbleiterwafer unter Verwendung von konventionellen ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebeblättern fixiert wird, dies gelegentlich zu dem Problem führt, dass flüchtige Komponenten aus der Schicht des ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebemittels des ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebeblatts herauskommen, so dass durch flüchtige Komponenten erzeugte Gase, die in der Schicht aus einem ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebemittel enthalten sind, zwischen dem Halbleiterwafer, der eine extrem reduzierte Dicke aufweist, und dem ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebeblatt gefangen sind, wodurch der Halbleiterwafer aufgrund einer Druckdifferenz zwischen dem Äußeren und dem Inneren des Halbleiterwafers deformiert wird, so dass das drucksensitive Klebeblatt verklebt wird. Diese Deformation des Halbleiterwafers verursacht gelegentlich, dass das drucksensitive Klebemittel an deformierten Abschnitten (verbeulte Abschnitte) des Halbleiterwafers geklebt bleibt, selbst nachdem das drucksensitive Klebeblatt abgelöst worden ist, wodurch der Halbleiterwafer verschlechtert wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist unter Berücksichtigung des oben genannten Standes der Technik gemacht worden. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines drucksensitiven Klebeblatts bereitzustellen, das selbst bei der Bearbeitung eines Halbleiterwafers in einem Vakuum frei ist von einer Erzeugung von Gasen von dem drucksensitiven Klebeblatt, um hierdurch zu ermöglichen, dass eine Waferdeformation und eine Klebemittelübertragung vermieden werden.
  • Das drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist ein drucksensitives Klebeblatt, das verwendet wird, um einen Halbleiterwafer in einer Halbleiterwaferbearbeitung im Vakuum zu fixieren, wobei das drucksensitive Klebeblatt aufweist:
    ein Substrat und, überlagert auf einer Seite oder beiden Seiten desselben, eine Schicht einer ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung, die ein ultraviolett-aushärtbares Copolymer mit ultraviolett-polymerisierbaren Gruppen als Seitenketten und einen Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator aufweist.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es bevorzugt, dass der Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator eine Acylphosphan-Oxid-Verbindung ist, bevorzugt eine Verbindung mit einer CO-PO-Bindung in ihrem Molekül und weiter bevorzugt eine Verbindung, die durch folgende Formel repräsentiert ist:
    Figure 00030001
    wobei R1 eine aromatische Gruppe repräsentiert, die einen Substituenten aufweisen kann, und er R2 und R3 unabhängig voneinander jeweils eine Phenyl-Gruppe, eine Alkyl-Gruppe, eine Alkoxy-Gruppe oder eine aromatische Acyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, repräsentieren.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es bevorzugt, dass die Schicht der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung 0.005 bis 20 Gewichtsanteile eines Phosphor-Fotopolymerisations-Initiators pro 100 Gewichtsanteilen des ultraviolett-aushärtbaren Copolymers aufweist.
  • Unten wird die vorliegende Erfindung detaillierter beschrieben. Das drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein drucksensitives Klebeblatt, das zum Fixieren eines Halbleiterwafers in einer Halbleiterwaferbearbeitung im Vakuum verwendet wird, wobei es aufweist: ein Substrat und, überlagert auf einer Seite oder beiden Seiten desselben, eine Schicht einer ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung, die ein ultraviolett-aushärtbares Copolymer (A) mit ultraviolett-polymerisierbaren Gruppen als Seitenketten und einen Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B) aufweist.
  • Das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) zeigt nicht nur ein Klebeverhalten, sondern auch eine Ultraviolett-Aushärtbarkeit. Details des ultraviolett-aushärtbaren Copolymers mit ultraviolett-polymerisierbaren Gruppen als Seitenketten sind beispielsweise in den japanischen offengelegten Patentveröffentlichungen mit den Nummern 5(1993)-32946 und 8(1996)-27239 beschrieben.
  • Beispielsweise wird das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) erhalten, indem ein Acryl-Copolymer (a1) mit Einheiten eines Monomers, die eine funktionale Gruppe aufweisen, mit einer Verbindung (a2) reagiert, die eine ungesättigte Gruppe enthält, die einen Substituenten aufweist, der bezüglich der oben genannten funktionalen Gruppe reaktiv ist.
  • Das Monomer, das eine funktionale Gruppe enthält, bezieht sich auf ein Monomer, das in seinem Molekül nicht nur eine polymerisierbare Doppelbindung aufweist, sondern auch eine funktionale Gruppe wie beispielsweise eine Hydroxyl-Gruppe, eine Carboxyl-Gruppe, eine Amino-Gruppe, eine substituierte Amino-Gruppe oder eine Epoxy-Gruppe. Bevorzugt wird eine ungesättigte Verbindung, die eine Hydroxyl-Gruppe enthält, oder eine ungesättigte Verbindung, die eine Carboxyl-Gruppe enthält, verwendet.
  • Spezielle Beispiele dieser funktionalen Gruppe, die Monomere enthalten, umfassen ein Acrylat, das eine Hydroxyl-Gruppe wie beispielsweise 2-hydroxyethyl-Acrylat, 2-hydroxyethyl-Methacrylat, 2-hydroxypropyl-Acrylat oder 2-hydroxypropyl-Methacrylat enthält, und eine Verbindung, die eine Carboxyl-Gruppe, wie beispielsweise Acrylsäure, Methacrylsäure oder Itaconsäure enthält.
  • Die oben genannte funktionale Gruppe, die Monomere enthält, kann einzeln oder in Kombination verwendet werden. Das Acryl-Copolymer (a1) ist aus strukturellen Einheiten zusammengesetzt, die von dem oben genannten Monomer abgeleitet sind, das eine funktionale Gruppe und strukturelle Einheiten enthält, die von einem (Meth)acrylester-Monomer oder einem Derivat desselben abgeleitet sind. Als das (Meth)acrylester-Monomer kann ein Cycloalkyl-(Meth)acrylat, ein Benzyl-(Meth)acrylat oder ein Alkyl-(Meth)acrylat, in dem die Alkyl-Gruppe 1–18 Kohlenstoffatome aufweist, verwendet werden. Von diesen ist ein Alkyl-(Meth)acrylat, in dem die Alkyl-Gruppe 1–18 Kohlenstoffatome aufweist, besonders bevorzugt, wobei es beispielsweise Methylacrylat, Methyl-Methacrylat, Ethylacrylat, Ethyl-Methacrylat, Propylacrylat, Propyl-Methacrylat, Butylacrylat oder Butyl-Methacrylat ist.
  • Das Acryl-Copolymer (a1) enthält im Allgemeinen die oben genannten strukturellen Einheiten, die von dem Monomer abgeleitet sind, das eine funktionale Gruppe in einer Menge von 3 bis 100 Gewichtsprozent, bevorzugt von 5 bis 40 Gewichtsprozent und weiter bevorzugt von 10 bis 30 Gewichtsprozent enthält. Des Weiteren enthält das Acryl-Copolymer (a1) im Allgemeinen die oben genannten strukturellen Einhei ten, die von dem (Meth)acrylester-Monomer oder einem Derivat desselben abgeleitet sind, in einer Menge von 0 bis 97 Gewichtsprozent, bevorzugt von 60 bis 95 Gewichtsprozent und weiter bevorzugt von 70 bis 90 Gewichtsprozent.
  • Das Acryl-Copolymer (a1) wird durch Copolymerisieren des oben genannten Monomers, das eine funktionale Gruppe mit dem oben genannten (Meth)acrylester-Monomer oder einem Derivat desselben aufweist, gemäß der herkömmlichen Prozedur erhalten. Bei dieser Copolymerisation kann eine kleine Menge (beispielsweise 10 Gewichtsprozent oder weniger, bevorzugt 5 Gewichtsprozent oder weniger) eines anderen Monomers wie beispielsweise Vinylformiat, Vinylacetat oder Styrol zusätzlich zu den oben genannten Monomeren verwendet werden.
  • Das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) kann erhalten werden, indem das oben genannte Acryl-Copolymer (a1), das Einheiten eines Monomers aufweist, das eine funktionale Gruppe enthält, mit einer Verbindung (a2) reagiert, die eine ungesättigte Gruppe enthält, die einen Substituenten aufweist, der bezüglich der oben genannten funktionalen Gruppe reaktiv ist.
  • Die Verbindung (a2), die eine ungesättigte Gruppe enthält, enthält einen Substituenten, der bezüglich der funktionalen Gruppe des Acryl-Copolymers (a1) reaktiv ist. Dieser Substituent kann in Abhängigkeit von der Art der oben genannten funktionalen Gruppe variieren. Beispielsweise ist, wenn die funktionale Gruppe eine Hydroxyl- oder Carboxyl-Gruppe ist, der Substituent bevorzugt ein Isocyanato, eine Epoxy-Gruppe oder Ähnliches. Wenn die funktionale Gruppe ein Amino oder eine substituierte Amino-Gruppe ist, ist der Substituent bevorzugt eine Isocyanato-Gruppe oder Ähnliches. Wenn die funktionale Gruppe eine Epoxy-Gruppe ist, ist der Substituent bevorzugt eine Carboxyl-Gruppe. Bezugnehmend auf diese Substituenten ist einer von diesen in jedem Molekül einer Verbindung (a2) enthalten, die eine ungesättigte Gruppe enthält.
  • Des Weiteren sind 1 bis 5, bevorzugt 1 bis 2, ultraviolett-polymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen in der Verbindung (a2) enthalten, die eine ungesättigte Gruppe enthalten. Als Beispiel einer derartigen ungesättigten Gruppe, die Verbindungen (a2) enthält, können die Folgenden genannt werden:
    Methacryloyloxyethyl-Isocyanat, Metha-Isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl-Isocyanat, Methacryloyl-Isocyanat und Allyl-Isocyanat;
    Acryloyl-Monoisocyanat-Verbindungen, die jeweils durch eine Reaktion einer Diisocyanat- oder Polyisocyanat-Verbindung mit einem Hydroxyethyl-(Meth)acrylat erhalten werden;
    Acryloyl-Monoisocyanat-Verbindungen, die jeweils durch eine Reaktion einer Mischung einer Diisocyanat- oder Polyisocyanat-Verbindung, einer Polyol-Verbindung und einem Hydroxyethyl-(Meth)acrylat erhalten werden;
    Glycidyl-(Meth)acrylat; und
    (Meth)Acryl-Säure.
  • Die Verbindung (a2), die eine ungesättigte Gruppe enthält, wird im Allgemeinen in einem Verhältnis von 20 bis 100 Äquivalenten, bevorzugt von 40 bis 95 Äquivalenten und weiter bevorzugt von 60 bis 90 Äquivalenten pro 100 Äquivalenten des eine funktionale Gruppe enthaltenen Monomers des oben genannten Acryl-Copolymers (a1) verwendet.
  • Die Reaktion zwischen dem Acryl-Copolymer (a1) und der Verbindung (a2), die eine ungesättigte Gruppe enthält, wird im Allgemeinen bei ungefähr Raumtemperatur unter atmosphärischem Druck über einen Zeitraum von ungefähr 24 Stunden durchgeführt. Es ist bevorzugt, dass diese Reaktion in einer Lösung bewirkt wird, beispielsweise, in einer Ethylacetat-Lösung, wobei ein Katalysator wie beispielsweise Dibutyl-Zinnlaurat vorhanden sind.
  • Im Ergebnis reagiert jede funktionale Gruppe, die in Seitenketten des Acryl-Copolymers (a1) vorhanden ist, mit dem Substituenten der Verbindung (a2), die eine ungesättigte Gruppe enthält, so dass die ungesättigte Gruppe in Seitenketten des Acryl-Copolymers (a1) eingeführt wird, wodurch das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) erhalten wird. Bei dieser Reaktion beträgt das Reaktionsverhältnis zwischen der funktionalen Gruppe und dem Substituenten im Allgemeinen zumindest 70%, bevorzugt zumindest 80%. Funktionale Gruppen, die nicht reagiert haben, können in dem ultraviolett-aushärtbaren Copolymer (A) verbleiben.
  • Das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) hat ein Molekulargewicht von zumindest 100.000, bevorzugt in dem Bereich von 150.000 bis 1.500.000 und weiter bevorzugt in dem Bereich von 200.000 bis 1.000.000. Das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) hat im Allgemeinen eine Glasübergangstemperatur von bis zu 20°C, bevorzugt von ungefähr –70°C bis 0°C. Das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) weist bei Raumtemperatur (23°C) Klebeeigenschaften auf. Des Weiteren sind in dem ultraviolett-aushärtbaren Copolymer (A) im Allgemeinen 1 × 1022 bis 1 × 1024, bevorzugt 2 × 1022 bis 5 × 1023 und weiter bevorzugt 5 × 1022 bis 2 × 1023 ultraviolett-polymerisierbare ungesättigte Gruppen pro 100 g desselben enthalten.
  • In diesem ultraviolett-aushärtbaren Copolymer (A) sind ultraviolett-polymerisierbare ungesättigte Gruppen enthalten, so dass das ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A), wenn es ultraviolett bestrahlt wird, eine Polymerisation und ein Aushärten erfährt, so dass die Klebeeigenschaften desselben verloren gehen.
  • Die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung zum Verwenden in der vorliegenden Erfindung umfasst das oben erwähnte ultraviolett-aushärtbare Copolymer (A) und einen Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B).
  • Der Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B) bezieht sich auf eine Verbindung, die Phosphor in ihrem Molekül aufweist, das, wenn es ultravioletter Strahlung ausgesetzt wird, Radikale erzeugt, die eine Polymerisation initiieren können. Dieser Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B) ist bevorzugt eine Acylphosphin-Oxid-Verbindung, weiter bevorzugt eine Verbindung mit einer CO-PO-Bindung in ihrem Molekül. Das Molekulargewicht des Phosphor-Fotopolymerisations-Initiators (B) liegt bevorzugt in dem Bereich von 100 bis 2000 und weiter bevorzugt in dem Bereich von 200 bis 1000.
  • Als dieser Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B) wird besonders bevorzugt eine Verbindung verwendet, die durch folgende Formel repräsentiert ist:
    Figure 00080001
    wobei R1 eine aromatische Gruppe repräsentiert, die einen Substituenten aufweisen kann. Diese ist bevorzugt, beispielsweise, Dimethylphenyl, Trimethylphenyl, Trimethoxyphenyl, Dimethoxylphenyl oder Phenyl.
  • Jede von den Gruppen R2 und R3 repräsentiert unabhängig eine Phenyl-Gruppe, eine Alkyl-Gruppe, eine Alkoxy-Gruppe oder eine aromatische Acyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann.
  • Die Phenyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, ist bevorzugt beispielsweise Dimethylphenyl, Trimethylphenyl, Trimethoxyphenyl, Dimethoxyphenyl oder Phenyl. Weiter bevorzugt ist sie Phenyl.
  • Die Alkyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, ist bevorzugt beispielsweise 2-Methylpropyl oder 2,4,4-Trimethylpentyl. Weiter bevorzugt ist sie 2,4,4-Trimethylpentyl.
  • Es ist besonders bevorzugt, dass die Alkoxy-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, eine Ethoxy-Gruppe ist.
  • Die aromatische Acyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, ist bevorzugt eine Gruppe der Formel R1CO- (R1 ist wie oben definiert).
  • Daher kann der Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator, der besonders bevorzugt in der vorliegenden Erfindung angewendet wird, beispielsweise bis(2,4,6-Trimethylbenzoyl)-Phenylphosphin-Oxid mit folgender Formel sein:
    Figure 00090001
    2,4,6-Trimethylbenzoyldiphenylphosphin-Oxid mit der Formel:
    Figure 00090002
    oder
    bis(2,6-Dimethoxybenzoyl)-2,4,4-Trimethyl-Pentylphosphin-Oxid mit der Formel:
    Figure 00100001
  • Diese Phosphor-Fotopolymerisations-Initiatoren (B) können einzeln oder in Kombination verwendet werden.
  • In der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung zur Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren ist der Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator (B) bevorzugt in einer Menge von 0.005 bis 20 Gewichtsanteilen, weiter bevorzugt in einer Menge von 0.01 bis 10 Gewichtsanteilen, und optimalerweise in einer Menge von 0.05 bis 1 Gewichtsanteilen pro 100 Gewichtsanteilen eines ultraviolett-aushärtbaren Copolymers (A) enthalten.
  • Die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung enthält keine signifikante Menge flüchtiger Verbindungen mit niedrigem Molekulargewicht. Daher würde selbst in einem Hochvakuum ein Verdunsten oder ein Sublimieren von Komponenten aus der drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung nicht auftreten. Demgemäß kann, selbst wenn ein extrem dünner Halbleiterwafer auf die Schicht dieser drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung geklebt wird, der Halbleiterwafer, ohne verformt zu werden, gehalten werden.
  • Diese ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung weist vor einer Beleuchtung mit ultravioletter Strahlung bezüglich eines Haftpartners eine zufriedenstellende Haftung auf, aber nachdem mit ultravioletter Strahlung bestrahlt worden ist, ist die Haftung merklich reduziert. Das heißt, bevor mit ultravioletter Strahlung bestrahlt wird, klebt die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung das drucksensitive Klebeblatt an den Halbleiterwafer mit zufriedenstellender Haftung, um dadurch ein Halten und Fixieren des Halbleiterwafers zu erhalten. Nach dem mit ultravioletter Strahlung bestrahlt worden ist, ermöglicht es die drucksensitive Klebstoffzusammensetzung, das drucksensitive Klebeblatt leicht von dem verarbeiteten Halbleiterwafer abzulösen.
  • Ein Vernetzungsmittel kann der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung hinzugefügt werden, um das Elastizitätsmodul derselben zu vergrößern und um zu bewirken, dass sie eine zufriedenstellende Kohäsionsstärke aufweist. Das Vernetzungsmittel konvertiert die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung zu einer dreidimensionalen vernetzten Struktur, um dadurch derselben ein zufriedenstellendes Elastizitätsmodul und eine Kohäsionsstärke zu verleihen. Es können bekannte Vernetzungsmittel verwendet werden, wie beispielsweise Polyisocyanat-Verbindungen, Polyepoxid-Verbindungen, Polyaziridin-Verbindungen und Chelat-Verbindungen. Beispiele der Polyisocyanat-Verbindungen umfassen Toluylen-Diisocyanat, Diphenylmethan-Diisocyanat, Hexamethylen-Diisocyanat, Isophoron-Diisocyanat und Addukte dieser Polyisocyanate und polyhydrische Alkohole. Beispiele der Polyepoxid-Verbindungen umfassen Ethylen-Glykol-Diglycidyl-Ether und Diglycidyl-Terephthalat-Acrylat. Beispiele der Polyaziridin-Verbindungen umfassen Tris-2,4,6-(1-aziridinyl)-1,3,5-triazin und Tris[1-(2-Methyl)aziridinyl]triphosphatriazin. Beispiele der Chelat-Verbindungen umfassen Ethylacetoacetatoaluminum-Diisopropylat und Aluminum-Tris(Ethylacetoacetat). Diese Verbindungen können einzeln oder in Kombination verwendet werden.
  • Das Vernetzungsmittel wird bevorzugt in einer Menge von 0.005 bis 20 Gewichtsanteilen, weiter bevorzugt 0.01 bis 10 Gewichtsanteilen, pro 100 Gewichtsanteilen der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung hinzugefügt.
  • Diese ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung wird erhalten, indem die oben genannten Komponenten und andere Komponenten, die, wenn sie benötigt werden, hinzugefügt werden, geeignet miteinander vermischt werden.
  • Das drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein Substrat, das mit der oben genannten ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung beschichtet ist. Das druck sensitive Klebeblatt kann ein einseitig beschichtetes drucksensitives Klebeblatt oder ein zweiseitig beschichtetes drucksensitives Klebeblatt sein.
  • Der Substrattyp ist nicht besonders eingeschränkt und unterschiedliche Dünnschicht-Produkte können als das Substrat verwendet werden. Beispielsweise können synthetische Harzfilme verwendet werden. Beispiele der synthetischen Harzfilme, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, umfassen:
    Polyolefin-Filme wie ein Polyethylen-Film, ein Polypropylen-Film, ein Polybuten-Film und ein Polymethylpenten-Film;
    ein Polyvinyl-Chlorid-Film, ein Polyvinyliden-Chlorid-Film, ein Polyethylen-Terephthalat-Film, ein Polyethylen-Naphthalat-Film, ein Polybutylen-Terephthalat-Film, ein Polybutadien-Film, ein Polyurethan-Film, ein Ethylen/Vinyl-Acetat-Copolymer-Film, ein Ethylen/(Meth)Acrylsäure-Copolymer-Film, ein Ethylen/(Meth)Acrylester-Copolymer-Film, ein Ionomer-Film, ein Polystyrol-Film, ein Polyamid-Film, ein Polyimid-Film, ein Polyether-Sulfon-Film und ein Polyether-Ether-Keton-Film.
  • Die Dicke von jedem dieser Substrate liegt im Allgemeinen in einem Bereich von 5 bis 300 μm, bevorzugt in einem Bereich von 10 bis 200 μm. Das Substrat kann ein Einschicht-Objekt oder ein Laminat der oben genannten verschiedenen Filme sein. Wenn ein Trockenätzen des Halbleiterwafers durchgeführt wird, kann eine Reaktionswärme von ungefähr 100 bis 200°C auftreten. Daher ist in diesem Fall das Substrat bevorzugt zusammengesetzt aus einem thermisch stabilen Film aus beispielsweise Polyethylen-Terephthalat, Polyethylen-Naphthalat, Polyamid, Polyether-Sulfon oder Polyether-Ether-Keton.
  • Das Substrat kann auf seiner Seite, die mit der Schicht eines ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffs zu versehen ist, einer Corona-Behandlung unterzogen werden oder kann eine andere Schicht aufweisen, wie beispielsweise einen Primer, die mit diesem verbunden ist, um die Haftung des Substrats an dem ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebemittel zu verbessern.
  • Das drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung kann erhalten werden, indem das oben genannte Substrat mit einer geeigneten Dicke der oben genannten ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung gemäß der üblichen Technik beschichtet wird, die einen Rollbeschichter, einen Messerbeschichter, einen Gravurbeschichter, einen Die-Beschichter, einen Gegenlaufbeschichter oder Ähnliches verwendet, und indem die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung getrocknet wird. Die Dicke der Schicht der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung liegt im Allgemeinen in einem Bereich von 1 bis 100 μm, bevorzugt in einem Bereich von 5 bis 50 μm. Nach dem Beschichten und dem Trocknen kann, wenn es als notwendig erachtet wird, ein Trennschichtträger (Release-Liner) auf die Schicht der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung aufgetragen werden, um dieselbe zu schützen.
  • Jeder Schritt des Verfahrens zum Verwenden des ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebeblatts zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf einen Bearbeitungsmodus beschrieben, wobei nach einem mechanischen Schleifen einer hinteren Oberfläche eines Halbleiterwafers ein Trockenätzen auf der geschliffenen Oberfläche durchgeführt wird.
  • In diesem Bearbeitungsmodus wird zunächst ein Schaltungsmuster auf einer Oberfläche eines Halbleiterwafers durch eine übliche Technik ausgebildet. Danach wird die Schicht einer ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung des oben genannten drucksensitiven Klebeblattes auf die ausgebildete Schaltungsoberfläche des Halbleiterwafers geklebt, wodurch nicht nur der Schutz der Schaltungsoberfläche des Halbleiterwafers, sondern auch das Befestigen des Halbleiterwafers bewirkt wird.
  • Das drucksensitive Klebeblatt kann, wie zuvor erwähnt, ein einseitig beschichtetes drucksensitives Klebeblatt oder ein zweiseitig beschichtetes drucksensitives Klebeblatt sein. Bei der Verwendung eines zweiseitig beschichteten drucksensitiven Klebeblatts ist es bevorzugt, dass die drucksensitive Klebeschicht, die der Seite gegenüberliegt, die mit dem Halbleiterwafer verklebt ist, an eine transparente Hartplatte aus beispielsweise Glas geklebt wird. Bei der Verwendung eines zweiseitig beschichteten drucksensitiven Klebeblattes weisen die beiden drucksensitiven Klebeschichten die oben genannte ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung auf.
  • Wenn der Halbleiterwafer auf die oben genannte Art mit dem drucksensitiven Klebeblatt verklebt ist, kann, selbst wenn der Halbleiterwafer extrem dünn ist, die Festigkeit desselben bewahrt werden, um dadurch zu ermöglichen, ein Beschädigen des Halbleiterwafers während des Transports oder der Lagerung desselben zu vermeiden.
  • Danach wird die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers mittels einer üblichen Technik geschliffen. Ein mechanisches Schleifen ermöglicht es, im Vergleich zu einem Trockenätzen, den Halbleiterwafer effizient zu schleifen und damit die Dicke des Halbleiterwafers innerhalb einer kurzen Zeitdauer zu reduzieren. Unvermeidlich treten jedoch beispielsweise aufgrund des verwendeten Schleifsteins Schleifspuren (gebrochene Schichten) auf. Derartige Schleifspuren würden die Antifaltungs-Festigkeit des Halbleiterwafers und von Chips herabsetzen und ein Brechen derselben verursachen.
  • Es wird daher vorgeschlagen, diese Schleifspuren durch Trockenätzen zu entfernen. Das Trockenätzen wird durchgeführt, indem ein Ätz-Gas, beispielsweise SF6, über die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers in einem Hochvakuum (10–3 bis 10–4 Torr (0.13 bis 0.013 Pa)) gesprüht wird. Dieses Trockenätzen kann, ohne eine mechanische Kraft auf den Halbleiterwafer auszuüben, die Dicke des Halbleiterwafers reduzieren und kann des Weiteren Schleifspuren entfernen, so dass ein extrem dünner fehlerloser Halbleiterwafer mit einer Dicke von 100 μm oder weniger hierdurch erhalten werden kann. Des Weiteren wird die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung einer spezifizierten Rezeptur in dem oben genannten drucksensitiven Klebeblatt zum Bearbeiten des Halbleiterwafers verwendet, so dass, selbst in einem Hochvakuum, keine flüchtigen Komponenten vorhanden sind, wodurch es ermöglicht wird, jegliche Deformation eines Halbleiterwafers, die durch eine Druckdifferenz von verdunsteten Gaskomponenten zwischen der Außenseite und der Innenseite des Halbleiterwafers verursacht werden, der auf das drucksensitive Klebeblatt geklebt worden ist, zu vermeiden. Des Weiteren würde, wenn der Halbleiterwafer deformiert wird, der drucksensitive Klebstoff vom dem Halbleiterwafer gelöst werden und das Ätzgas würde auf eine abgelöste Oberfläche des drucksensitiven Klebstoffs einwirken, wodurch die Eigenschaften des drucksensitiven Klebstoffs mit dem Resul tat verändert werden, dass ein Haftungstransfer auftreten würde. Jedoch kann, wenn das oben genannte drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers verwendet wird, eine Deformation des Halbleiterwafers vermieden werden, wodurch jeglicher Haftungstransfer vermieden werden kann.
  • Des Weiteren kann das Bearbeiten unter Verwendung des drucksensitiven Klebeblatts zur Verarbeitung eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung eine Filmausbildung in Vakuum sein.
  • Nachdem die erforderlichen Schritte durchgeführt worden sind, wird die ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebeschicht des drucksensitiven Klebeblattes mit ultravioletter Strahlung bestrahlt, so dass die ultraviolett-polymerisierbaren Komponenten, die in der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebeschicht enthalten sind, polymerisiert und ausgehärtet werden. Beim Polymerisieren und Aushärten der drucksensitiven Klebstoffzusammensetzungsschicht durch Bestrahlen derselben mit ultravioletter Strahlung wird die Haftung der drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung extrem erniedrigt, was zu einem Verbleiben von nur einer geringen Klebrigkeit führt. Daher kann der Halbleiterwafer leicht von dem drucksensitiven Klebeblatt gelöst werden.
  • Das oben genannte drucksensitive Klebeblatt zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung ist aufgrund des Befestigens des Halbleiterwafers unter Verwendung der Schicht aus drucksensitivem Klebstoff, der spezifizierte Komponenten aufweist, frei vom Erzeugen von Gasen aus der drucksensitiven Klebeschicht selbst in einem Hochvakuum, wodurch es ermöglicht wird, jegliche Deformation eines Halbleiterwafers, die durch eine Druckdifferenz verursacht durch verdunstete Gaskomponenten bewirkt wird, und einen dadurch verursachten Haftungstransfer zu vermeiden.
  • BEISPIEL
  • Die vorliegende Erfindung wird unten des Weiteren unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele illustriert, die in keiner Weise den Schutzbereich der Erfindung begrenzen.
  • Die folgenden Materialien wurden als das ultraviolett-aushärtbare Copolymer, als Fotopolymerisations-Initiator und als andere Komponenten verwendet.
  • A „ultraviolett-aushärtbares Copolymer"
  • Dieses ultraviolett-aushärtbare Copolymer wurde erhalten, indem 100 Gewichtsanteile eines Copolymers mit einem Gewichtsdurchschnittsmolekulargewicht von 650.000 mit 16 Gewichtsanteilen Methacryloxyethyl-Isocyanat reagieren, wobei das Copolymer 85 Gewichtsprozent n-Butylacrylat und 15 Gewichtsprozent 2-Hydroxyethyl-Acrylat aufwies.
  • B „Fotopolymerisations-Initiator"
    • B1: Bis(2,4,6-Trimethylbenzoyl)Phenylphosphin-Oxid, und
    • B2: 1-Hydroxycyclohexyl-Phenyl-Keton.
  • C „Ultraviolett-aushärtbarer drucksensitiver Klebstoff"
  • Ein Copolymer mit einem Gewichtsdurchschnittsmolekulargewicht von 500.000, das 90 Gewichtsanteile Butylacrylat und 10 Gewichtsanteile Acrylsäure aufweist, wurde erhalten. Dipentaerythritolhexaacrylat wurde als eine ultraviolett-aushärtbare Komponente in einer Menge von 150 Gewichtsanteilen (Festgehalt) pro 100 Gewichtsanteilen (Festgehalt) des Copolymers zu diesem hinzugefügt.
  • D „Vernetzungsmittel"
  • Ein Addukt aus Toluylen-Diisocyanat und Trimethylolpropan.
  • Beispiel 1
  • Eine ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoffzusammensetzung wurde erhalten, indem die in Tabelle 1 aufgeführten Komponenten in den in Tabelle 1 spezifizierten Verhältnissen gemischt wurden. Ein Trennschichtträger (Release-Liner) (erhalten durch Behandeln eines Polyethylen-Terephthalat-Films mit einem Silikonlösemittel mit einer Dicke von 38 μm) wurde mit der erhaltenen ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung beschichtet. Die resultierende Schicht der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung wurde auf eine Seite eines Substrats (Polyethylen-Terephthalat-Film mit einer Dicke von 50 μm) übertragen, wodurch ein einseitig beschichtetes drucksensitives Klebeblatt erhalten wurde, das eine Schicht eines ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffs mit einer Dicke von 20 μm aufweist. Die andere Seite des Substrates wurde auch mit einer 20 μm dicken Schicht eines ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffs auf die gleiche Art versehen. Daher wurde ein zweiseitig beschichtetes drucksensitives Klebeband erhalten.
  • Ein 8-Inch (20.3-cm)-Siliziumwafer (Dicke: 725 μm) wurde auf einer transparenten harten Platte (Natronkalkglas) mit einer Dicke von 700 μm und einem Durchmesser von 200 μm) fixiert, indem das erhaltene zweiseitig beschichtete drucksensitive Klebeblatt dazwischen angeordnet wurde. Ein mechanisches Schleifen des Siliziumwafers wurde bis zu einer Dicke von 50 μm bewirkt, indem eine Maschine zum Schleifen einer hinteren Oberfläche eines Wafers verwendet wurde (DFG-840, hergestellt durch Disco Corporation). Danach wurde SF6 über die freiliegende Oberfläche des Siliziumwafers in einem Vakuum von 0.3 torr (40 Pa) gesprüht, um dadurch ein Trockenätzen durchzuführen. Die Dicke des Siliziumwafers wurde auf 48 μm reduziert.
  • Die „Anzahl von Bruchstellen", das „Gas" und der „Haftungstransfer" wurden auf die folgende Art ermittelt.
  • „Anzahl von Bruchstellen"
  • Nach der Beendigung des Trockenätzens wurde die Anzahl von Bruchstellen, die pro Siliziumwafer beobachtet worden sind, gezählt.
  • „Gas"
  • Eine 1-cm-Quadrat-Probe wurde aus dem zweiseitig beschichteten drucksensitiven Klebeblatt herausgeschnitten und in einem Heliumstrom (Strömungsrate: 50 ml/min) bei 15°C für 10 Minuten erwärmt. Gas, das mittels des Heliumstromes transportiert worden ist, wurde auf einem Glaswolleadsorber adsorbiert (–60°C) und das Ausgangsgas wurde mittels Chromatographie-Massenspektrometrie gemessen. Bei dieser Messung wurde eine Säule HP-5, hergestellt von Agilent Technologies Inc., (60 mm × 0.25 mm × 1.0 μm) verwendet und Helium strömte mit einer Strömungsrate von 1.5 ml/min. Das Molekulargewicht lag in einem Bereich von 10 bis 500 m/z und eine Wärmebehandlung wurde bei 50°C für zwei Minuten bis 280°C für 20 Minuten durchgeführt (Temperaturanstiegsrate: 10°C/min). Hierbei wurde vorausgesetzt, dass die Menge an Ausgangsgas bezogen auf m-Dekan bestimmt worden ist.
  • „Haftungstransfer"
  • Chips mit einer Größe von 10 mm × 10 mm wurden präpariert und die Haftoberfläche von jedem Chip von 20 Chips, die als Probe von diesen genommen worden sind, wurde durch ein Mikroskop mit einer Verstärkung von 50 betrachtet, wodurch das Auftreten von Haftungstransfers inspiziert worden ist.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt.
  • Beispiel 2
  • Die gleiche Prozedur wie beim Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass als das Substrat ein Polyethylen-Naphthalat-Film mit einer Dicke von 50 μm verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt.
  • Vergleichspiel 1
  • Die gleiche Prozedur wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass anstelle der Verbindung B1 die Verbindung B2 in einer Menge von 6 Gewichtsanteilen als der Fotopolymerisations-Initiator verwendet worden ist. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Die gleiche Prozedur wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass der ultraviolett-aushärtbare drucksensitive Klebstoff (C), der mit einem Niedrig-Molekulargewicht-Acrylat gemischt worden ist, anstelle des ultraviolett-aushärtbaren Copolymers (A) verwendet worden ist, so dass die Verbindung B2 in eine Menge von drei Gewichtsanteilen als der Fotopolymerisations-Initiator verwendet worden ist und dass das Vernetzungsmittel in einer Menge von 0.10 Gewichtsanteilen verwendet worden ist. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 aufgeführt.
  • Figure 00200001

Claims (5)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers mit folgenden Schritten: Befestigen einer ersten Oberfläche eines Halbleiterwafers an einem drucksensitiven Klebeblatt mit einem Substrat und, überlagert auf einer Seite oder beiden Seiten desselben, einer Schicht einer ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung, die ein ultraviolett-aushärtbares Copolymer mit ultraviolett-polymerisierbaren Gruppen als Seitenketten und einen Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator aufweist, und Bearbeiten einer zweiten Oberfläche des Halbleiterwafers in Vakuum, während die erste Oberfläche des Halbleiterwafers fixiert und geschützt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Phosphor-Fotopolymerisations-Initiator eine Acylphosphan-Oxid-Verbindung ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Acylphosphan-Oxid-Verbindung eine Verbindung ist, die eine CO-PO-Bindung in ihrem Molekül aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Acylphosphan-Oxid-Verbindung eine Verbindung ist, die durch folgende Formel repräsentiert ist:
    Figure 00210001
    wobei R1 eine aromatische Gruppe repräsentiert, die einen Substituenten aufweisen kann, und R2 und R3 unabhängig voneinander jeweils eine Phenyl-Gruppe, eine Alkyl-Gruppe, eine Alkoxy-Gruppe oder eine aromatische Acyl-Gruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, aufweist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht der ultraviolett-aushärtbaren drucksensitiven Klebstoffzusammensetzung 0.005 bis 20 Gewichtsanteile des Phosphor-Fotopolymerisations-Initiators pro 100 Gewichtsanteilen des ultraviolett-aushärtbaren Copolymers aufweist.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641966B2 (en) * 1999-06-14 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Re-release adhesive and re-release adhesive sheet
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
EP1484377B9 (de) * 2002-03-13 2013-04-10 Bridgestone Corporation Photohärtbare klebfolie, photohärtbare transferfolie, optischer aufzeichnungsträger und verfahren zur herstellung eines optischen aufzeichnungsträgers
JP4514428B2 (ja) * 2003-10-07 2010-07-28 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着シート
JP2005263876A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Lintec Corp 両面粘着シートおよび脆質部材の転写方法
JP2007149974A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2007158025A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用感圧型テープ
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP5027460B2 (ja) 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
JP4881208B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-22 リンテック株式会社 日射遮蔽フィルム用粘着剤及び日射遮蔽フィルム
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5464635B2 (ja) * 2008-03-28 2014-04-09 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
KR20100050793A (ko) * 2008-11-06 2010-05-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
JP2009239298A (ja) * 2009-06-11 2009-10-15 Nitto Denko Corp ロール状ウエハ加工用粘着シート
WO2011049138A1 (ja) * 2009-10-22 2011-04-28 電気化学工業株式会社 (メタ)アクリル系樹脂組成物
US9243168B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-26 Cheil Industries, Inc. Adhesive composition and optical member using the same
JP5307069B2 (ja) * 2010-03-31 2013-10-02 古河電気工業株式会社 放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5770038B2 (ja) * 2011-07-25 2015-08-26 リンテック株式会社 粘着シート
KR101393895B1 (ko) * 2011-11-02 2014-05-13 (주)엘지하우시스 절단성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착필름
KR101539133B1 (ko) * 2012-07-10 2015-07-23 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
JP6606325B2 (ja) * 2014-11-05 2019-11-13 日東電工株式会社 粘着テープ
JP2017125093A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 積水化学工業株式会社 半導体保護テープ及びウエハの処理方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3114341A1 (de) * 1981-04-09 1982-11-11 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Acylphosphinverbindungen, ihre herstellung und verwendung
JP2601956B2 (ja) * 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
JP3491911B2 (ja) * 1992-07-29 2004-02-03 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP3296033B2 (ja) * 1993-07-20 2002-06-24 株式会社スリーボンド 光硬化性樹脂組成物
JP2984549B2 (ja) * 1994-07-12 1999-11-29 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
DE69727714T2 (de) * 1996-07-15 2004-11-25 Sekisui Kagaku Kogyo K.K. Verfahren zum Verbinden von Teilen
US6224976B1 (en) * 1996-08-14 2001-05-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Adhesive transparent resin and a composite including the same
JPH10130591A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープの製造方法
EP0960355A1 (de) * 1997-02-13 1999-12-01 Dsm N.V. Photohärtbare harzzusammensetzung
JPH1177878A (ja) * 1997-07-11 1999-03-23 Asahi Glass Co Ltd 透明被覆成形品
US6294439B1 (en) * 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP4072927B2 (ja) * 1997-08-28 2008-04-09 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
IT1309578B1 (it) * 1998-02-27 2002-01-24 Ciba Sc Holding Ag Composizione fotoinduribile pigmentata.
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2001035817A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
JP4597323B2 (ja) * 2000-07-07 2010-12-15 リンテック株式会社 紫外線硬化型粘着剤組成物および紫外線硬化性粘着シート
US6472065B1 (en) * 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US6517776B1 (en) * 2000-11-03 2003-02-11 Chevron Phillips Chemical Company Lp UV oxygen scavenging initiation in angular preformed packaging articles

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