KR102642079B1 - 반도체 가공용 점착 테이프 - Google Patents
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Abstract
기재와, 기재의 일방의 면측에 형성된 점착제층을 갖는 점착 테이프로서, 점착제층에 대한 에너지선 조사 전에 있어서, 점착제층의 겔 분율이 35 ％ 이상이고, 50 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접이 0.65 미만이고, 점착제층에 대한 에너지선 조사 후에 있어서, 점착제층의 점착력이 3100 mN/25 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프이다.
Description
본 발명은, 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 회로면을 보호하기 위해서 바람직하게 사용되는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
각종 전자 기기에 탑재되는 반도체 칩은, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 개편화하는 것에 의해 얻어진다. 전자 기기는, 소형화, 다기능화가 급속히 진행되고 있고, 반도체 칩에도 소형화, 저배화, 고밀도화가 요구되고 있다. 칩을 소형화 및 저배화하기 위해서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 회로를 형성한 후, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 칩의 두께 조정을 실시하는 것이 일반적이다.
반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에는, 웨이퍼 표면의 회로를 보호하고, 또한 반도체 웨이퍼를 유지하기 위해, 웨이퍼 표면에 백 그라인드 테이프로 불리는 점착 테이프가 첩부된다.
이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼는, 웨이퍼를 개편화하는 다이싱 공정 등의 다음 공정으로 반송된다. 그러나, 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼는 매우 얇아, 점착 테이프와 함께 휘기 쉬운 경향이 있다. 또, 반도체 웨이퍼는, 강성이 낮은 점착 테이프에만 유지되어 있기 때문에, 반송시에 반도체 웨이퍼에 부하가 걸려 파손되기 쉬워진다.
그래서, 특허문헌 1 및 2 에는, 백 그라인드 테이프의 둘레 가장자리부를, 이면 연삭시에 연삭 장치에 장착되는 링상의 프레임 (이후, 링 프레임이라고도 한다) 에도 첩부하여, 반도체 웨이퍼를, 백 그라인드 테이프를 개재하여 링 프레임에 고정시키고 나서, 이면 연삭을 실시하는 것이 기재되어 있다. 즉, 금속제의 링 프레임과 반도체 웨이퍼와 백 그라인드 테이프가 일체화된 상태에서, 척 테이블 상에 재치 (載置) 및 고정되어, 그라인더에 의해, 반도체 웨이퍼의 이면이 연삭된다.
반도체 웨이퍼와 링 프레임이 일체화됨으로써, 이면 연삭 후의 반도체 웨이퍼를, 강성이 높은 링 프레임과 함께 다음 공정으로 반송할 수 있다. 따라서, 연삭 후의 반도체 웨이퍼가 매우 얇아도, 링 프레임에 의해 반도체 웨이퍼의 휨이 억제된다. 또한, 반송시에 웨이퍼에 부하가 거의 걸리지 않기 때문에, 웨이퍼의 파손을 억제할 수 있다.
또, 백 그라인드 테이프는 링 프레임에 고정된 상태에서, 다음 공정으로 반송되므로, 다음 공정이 다이싱 공정인 경우에는, 링 프레임에 첩부된 백 그라인드 테이프가 다이싱 테이프를 겸할 수 있다. 이후, 이와 같은 점착 시트를 총칭하여, 「반도체 가공용 점착 테이프」라고도 한다.
그러나, 반도체 웨이퍼는 링 프레임에 직접 지지되어 있는 것이 아니고, 백 그라인드 테이프에 첩부되어 있으므로, 백 그라인드 테이프에는, 반도체 웨이퍼의 하중이 가해진다. 이 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭 전의 웨이퍼이기 때문에, 이면 연삭 후의 웨이퍼에 비해 무겁다. 그 때문에, 반도체 웨이퍼의 자중에 의해, 백 그라인드 테이프가 늘어져 버린다는 문제가 있었다.
또, 특허문헌 1 및 2 에도 기재되어 있는 바와 같이, 이면 연삭시에는, 그라인더와 링 프레임이 접촉하지 않도록, 링 프레임측을 눌러 내리거나, 혹은, 반도체 웨이퍼가 재치되어 있는 척 테이블측을 밀어 올리는 것에 의해, 백 그라인드 테이프는 연신된다.
이면 연삭 종료 후에, 백 그라인드 테이프의 연신은 개방되지만, 이면 연삭 전의 백 그라인드 테이프의 상태까지 복귀하지 않고, 백 그라인드 테이프가 늘어져 버린다는 문제가 있었다.
또한, 이면 연삭 종료 후에는, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩을 다른 테이프에 전사하기 위해서, 반도체 가공용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼 및 링 프레임의 양방으로부터 박리할 필요가 있다. 당해 점착 테이프는 반도체 웨이퍼보다 링 프레임에 강고하게 접착되어 있기 때문에, 당해 점착 테이프의 박리시에, 링 프레임에 당해 점착 테이프의 점착제의 일부가 남거나, 당해 점착 테이프 자체가 찢어져 남거나 한다는 문제가 있었다. 이와 같은 풀 잔류가 발생하면, 그 후의 공정에 있어서 문제가 발생해 버린다.
본 발명은, 이와 같은 실상을 감안하여 이루어지고, 점착 테이프의 늘어짐이 억제되고, 또한 링 프레임으로부터의 박리성이 양호한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 양태는,
[1] 기재와, 기재의 일방의 면측에 형성된 점착제층을 갖는 점착 테이프로서,
점착제층에 대한 에너지선 조사 전에 있어서, 점착제층의 겔 분율이 35 ％ 이상이고, 50 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접이 0.65 미만이며,
점착제층에 대한 에너지선 조사 후에 있어서, 점착제층의 점착력이 3100 mN/25 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프이다.
[2] 점착제층이 가교 구조와 에너지선 경화성 수지를 갖는 것을 특징으로 하는 [1] 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프이다.
[3] 가교 구조는, 적어도 아크릴계 중합체와 가교제로 구성되는 것을 특징으로 하는 [2] 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프이다.
[4] 가교 구조의 겔 분율이 70 ％ 이상 95 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 [3] 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프이다.
[5] 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정에 있어서, 가공 장치에 고정되는 링 프레임과 반도체 웨이퍼가 점착제층에 첩부되는 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프이다.
본 발명에 의하면, 점착 테이프의 늘어짐이 억제되고, 또한 링 프레임으로부터의 박리성이 양호한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프의 단면도이다.
도 2a 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 2b 는, 도 2a 에 이어지는 도면이다.
도 2c 는, 도 2b 에 이어지는 도면이다.
도 2d 는, 도 2c 에 이어지는 도면이다.
도 2e 는, 도 2d 에 이어지는 도면이다.
도 2f 는, 도 2e 에 이어지는 도면이다.
도 2a 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 2b 는, 도 2a 에 이어지는 도면이다.
도 2c 는, 도 2b 에 이어지는 도면이다.
도 2d 는, 도 2c 에 이어지는 도면이다.
도 2e 는, 도 2d 에 이어지는 도면이다.
도 2f 는, 도 2e 에 이어지는 도면이다.
이하, 본 발명을, 구체적인 실시형태에 기초하여, 이하의 순서로 상세하게 설명한다.
(1. 반도체 가공용 점착 테이프)
본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기재 (10) 상에 점착제층 (20) 이 적층된 구성을 가지고 있다. 반도체 가공용 점착 테이프는, 도 1 에 기재된 구성에 한정되지 않고, 본 발명의 효과가 얻어지는 한에 있어서, 다른 층을 가지고 있어도 된다. 예를 들어, 점착제층 (20) 을 피착체에 첩부할 때까지 점착제층 (20) 을 보호하기 위해서, 점착제층 (20) 의 주면 (20a) 에 박리 시트가 형성되어 있어도 된다. 이하, 반도체 가공용 점착 테이프의 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.
(1.1. 점착제층)
본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 가공 (예를 들어 이면 연삭) 하기 전에, 피착체 (반도체 웨이퍼를 고정시키는 링 프레임 및 반도체 웨이퍼의 표면) 가 점착제층 (20) 의 주면 (20a) 에 첩부된다. 그리고, 반도체 웨이퍼의 가공 후에, 반도체 가공용 점착 테이프, 즉, 점착제층 (20) 이 반도체 웨이퍼 및 링 프레임으로부터 박리된다. 따라서, 점착제층은, 피착체인 반도체 웨이퍼 및 링 프레임의 양방에 대해, 적당한 재박리성을 나타내는 점착력을 가지고 있다.
점착제층 (20) 의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 12 ㎛ 이상 18 ㎛ 이하이다. 점착제층의 두께가 지나치게 얇으면, 반도체 웨이퍼의 가공시에 있어서의 점착제층의 점착력이 낮은 경향이 있다. 한편, 지나치게 두꺼우면, 이면 연삭 중에, 반도체 웨이퍼의 두께가 불규칙한 경향이 있다.
본 실시형태에서는, 링 프레임 및 반도체 웨이퍼가 첩부되는 점착제층의 주면은 이하의 물성을 가지고 있다. 이하의 물성은, 점착제층의 주면에 있어서, 적어도 링 프레임 및 반도체 웨이퍼가 첩부되는 영역에 있어서 발현되고 있다.
(1.1.1. 에너지선 조사 전의 겔 분율)
본 실시형태에서는, 점착제층에 대한 에너지선 조사 전에 있어서, 점착제층의 겔 분율이 35 ％ 이상이다. 에너지선 조사 전, 즉, 이면 연삭 등의 공정에 있어서 겔 분율이 상기의 범위 내인 것에 의해, 점착제층에 힘이 가해진 경우여도, 점착제층이 잘 변형되지 않는다. 그 결과, 테이프의 늘어짐이 억제되는 경향이 있다.
점착제층의 겔 분율은 37 ％ 이상인 것이 바람직하고, 40 ％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착제층의 겔 분율은 70 ％ 이하인 것이 바람직하고, 60 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 겔 분율이 지나치게 큰 경우에는, 테이프의 늘어짐은 충분히 억제되지만, 이면 연삭시의 테이프의 연신이 작아져, 그라인더가 링 프레임에 접촉해 버리는 경향이 있다.
(1.1.2. 에너지선 조사 전의 손실 정접)
본 실시형태에서는, 50 ℃ 에 있어서의 점착제층의 손실 정접 (tanδ) 이 0.65 미만이다. 손실 정접 (tanδ) 은, 「손실 탄성률/저장 탄성률」로 정의되고, 동적 점탄성 측정 장치에 의해 대상물에 부여한 인장 응력이나 비틀림 응력 등의 응력에 대한 응답에 의해 측정되는 값이다. 손실 정접이 상기의 범위 내인 것에 의해, 점착제층에 힘이 가해진 경우여도, 점착제층이 잘 변형되지 않기 때문에, 테이프의 늘어짐이 억제되는 경향이 있다.
점착제층의 손실 정접은 0.60 이하인 것이 바람직하고, 0.55 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착제층의 손실 정접은 0.30 이상인 것이 바람직하고, 0.40 이상인 것이 보다 바람직하다. 손실 정접이 지나치게 작은 경우에는, 테이프의 늘어짐은 충분히 억제되지만, 이면 연삭시의 테이프의 연신이 작아져, 그라인더가 링 프레임에 접촉할 우려가 있다.
(1.1.3. 에너지선 조사 후의 점착력)
점착제층에 대한 에너지선 조사 후에 있어서, 점착제층의 점착력이 3100 mN/25 ㎜ 이하이다. 에너지선 조사 후, 즉, 반도체 가공용 점착 테이프를 링 프레임으로부터 박리할 때에, 점착제층의 점착력이 상기의 범위 내인 것에 의해, 웨이퍼뿐만 아니라, 링 프레임으로부터 양호하게 박리할 수 있다.
에너지선 조사 후의 점착제층의 점착력은 3000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 2500 mN/25 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착제층이 상기의 (1.1.1.) 내지 (1.1.3.) 에 나타내는 물성을 가짐으로써, 이면 연삭시에는 점착 테이프의 늘어짐이 억제되고, 이면 연삭 후에 링 프레임으로부터 양호하게 박리할 수 있다.
(1.2. 점착제층의 구조 및 구성 성분)
점착제층은 상기의 물성을 가지고 있으면, 점착제층의 구조 및 조성은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, 이하와 같은 구조 및 구성 성분을 가지고 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼 및 링 프레임으로부터의 점착 테이프의 박리를 양호하게 하기 위해서, 에너지선 조사 전후에 있어서의 점착제층의 점착력의 변화를 이용하고 있다. 즉, 이면 연삭 등의 가공 공정에서는, 점착제층에 대해 에너지선 조사를 실시하지 않고, 점착 테이프와, 링 프레임 및 반도체 웨이퍼의 접착성을 확보한다. 가공 공정 후에 링 프레임으로부터 박리할 때에는, 점착제층에 에너지선을 조사하여, 점착제층의 점착력을 저하시켜, 점착 테이프를 링 프레임으로부터 박리하기 쉽게 하고 있다.
따라서, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제층에는, 구성 성분으로서, 에너지선 경화성 수지가 함유되어 있는 것이 바람직하다. 그런데, 이와 같은 에너지선 경화성 수지는 비교적 저분자량이며 응집성이 낮다. 그 때문에, 점착제층에, 에너지선 조사 전의 에너지선 경화성 수지가 함유되어 있는 경우, 점착제층에 힘이 가해지면 에너지선 경화성 수지가 움직이기 쉽다. 그 결과, 점착제층의 변형이 발생하기 쉬워, 테이프의 늘어짐을 억제하는 것이 곤란해져 버린다.
그래서, 에너지선 경화성 수지를 함유함으로써 얻어지는 반도체 가공용 점착 테이프의 재박리성을 유지하면서, 반도체 웨이퍼의 가공시에 있어서의 반도체 가공용 점착 테이프에 대한 부하에서 기인하는 점착제층의 변형을 억제하기 위해서, 본 실시형태에서는, 점착제층 중에 가교 구조를 도입하고 있다. 가교 구조가 존재 함으로써, 에너지선 경화성 수지의 움직임이 가교 구조에 의해 저해되어, 상기 서술한 겔 분율 및 손실 정접을 상기의 범위 내로 하는 것이 용이해지고, 게다가 에너지선 조사 후에 있어서의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 상기의 가교 구조는, 관능기 함유 아크릴계 중합체 및 가교제에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 점착제층은, 관능기 함유 아크릴계 중합체, 가교제 및 에너지선 경화성 수지를 가지고 있는 것이 바람직하다. 이들 구성 성분에 대해 상세하게 설명한다.
(1.2.1. 관능기 함유 아크릴계 중합체)
관능기 함유 아크릴계 중합체로는, 공지된 아크릴계 중합체이면 된다. 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 1 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 공중합체여도 되며, 1 종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로 형성된 공중합체여도 된다.
본 실시형태에서는, 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 알킬(메트)아크릴레이트와 관능기 함유 모노머를 공중합한 아크릴계 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」및 「메타크릴레이트」의 쌍방을 나타내는 용어로서 사용하고 있고, 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 탄소수 1 ∼ 18 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이것들 중에서는, 부틸아크릴레이트가 바람직하다.
알킬(메트)아크릴레이트는, 관능기 함유 아크릴계 공중합체에 있어서 1 종만이 함유되어 있어도 되고, 2 종 이상이 함유되어 있어도 된다.
알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위는, 관능기 함유 아크릴계 공중합체의 전체 구성 단위 중, 70 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 80 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위는, 99 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 90 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
관능기 함유 모노머는, 반응성 관능기를 함유하는 모노머이다. 반응성 관능기는, 후술하는 가교제 등의 다른 화합물과 반응하는 것이 가능한 관능기이다. 아크릴계 공중합체는, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 가짐으로써, 가교제에 의해 가교된다.
반응성 관능기로는, 구체적으로는, 카르복시기, 하이드록시기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 이것들 중에서는 가교제와의 반응성이 양호하기 때문에, 카르복시기가 보다 바람직하다.
관능기 함유 모노머로는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복실산이 예시된다. 또, 하이드록시메틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴레이트가 예시된다. 또, 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올이 예시된다. 또, 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트가 예시된다. 또, 글리시딜크로토네이트, 알릴글리시딜에테르 등의 비아크릴계 에폭시기 함유 모노머가 예시된다.
관능기 함유 모노머는, 아크릴계 공중합체에 있어서 1 종만이 함유되어 있어도 되고, 2 종 이상이 함유되어 있어도 된다.
이것들 중에서는, 가교제와의 반응성의 관점에서, 에틸렌성 불포화 카르복실산이 바람직하고, 그 중에서도 아크릴산, 메타크릴산이 보다 바람직하며, 아크릴산이 더욱 바람직하다.
관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위는, 관능기를 함유하는 아크릴계 공중합체의 전체 구성 단위 중, 1 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위는, 30 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 15 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
관능기 함유 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 도공시의 조막성의 관점에서 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다.
또, 관능기를 함유하는 아크릴계 중합체는, 상기 서술한 알킬(메트)아크릴레이트 및 관능기 함유 모노머 이외의 구성 모노머를 함유하고 있어도 된다. 구체적으로는, 시클로알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 정도인 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 등의 고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 아크릴아미드, N-메틸아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드 등의 아크릴아미드 화합물 ; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르 화합물 ; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀 ; 염화비닐, 비닐리덴클로라이드 등의 할로겐화올레핀 ; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체 ; 부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 디엔계 단량체 ; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴계 단량체 등을 들 수 있다.
(1.2.2. 가교제)
가교제로는, 점착제층이 상기의 특성을 만족하는 것이 용이한 가교 구조를 형성 가능한 가교제이면 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에서는, 이와 같은 가교 구조로서, 비교적 느슨하게 가교된 구조를 주로 형성하고, 당해 구조 중에, 부분적으로 비교적 강하게 가교된 구조를 존재시키고 있다. 비교적 느슨하게 가교된 구조의 일부가, 비교적 강하게 가교된 구조로 되어 있는 것에 의해, 상기의 점착제층의 물성을 만족시키는 것이 용이해진다.
이와 같은 가교 구조를 형성하기 위해, 관능기를 함유하는 아크릴계 공중합체에 대한 가교제로서, 적어도 2 종류의 가교제를 사용한다. 이와 같이 함으로써, 가교 구조 중에, 비교적 느슨하게 가교된 구조와 비교적 강하게 가교된 구조를 공존시키는 것이 용이해진다.
구체적으로는, 비교적 느슨하게 가교된 구조를 형성하는 가교제로서, 폴리이소시아네이트계 가교제를 사용하고, 비교적 강하게 가교된 구조를 형성하는 가교제로서, 에폭시계 가교제를 사용하는 것이 바람직하다.
이들 가교제는, 관능기 함유 아크릴계 중합체 중의 관능기와 반응하여, 관능기 함유 아크릴계 중합체를 가교한다. 폴리이소시아네이트계 가교제와 에폭시계 가교제는, 가교의 정도가 상이하며, 이들 가교제를 사용함으로써, 에너지선 조사 전의 겔 분율 및 손실 정접과, 에너지선 조사 후의 점착력을 양립 가능한 가교 구조를 형성할 수 있다. 즉, 얻어지는 가교 구조의 가교의 정도를 바람직한 범위로 제어할 수 있다.
폴리이소시아네이트계 가교제는, 1 분자당 이소시아네이트기를 2 개 이상 갖는 화합물이다. 구체적으로는, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트 ; 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트 ; 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또, 그것들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 나아가서는, 그것들과 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트계 가교제는, 1 종만이 함유되어 있어도 되고, 2 종 이상이 함유되어 있어도 된다.
에폭시계 가교제로는, 예를 들어, 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다. 에폭시계 가교제는, 1 종만이 함유되어 있어도 되고, 2 종 이상이 함유되어 있어도 된다.
폴리이소시아네이트계 가교제의 함유량은, 관능기 함유 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해, 5 질량부 이상인 것이 바람직하다. 한편, 당해 함유량은 15 질량부 이하인 것이 바람직하다.
또, 에폭시계 가교제의 함유량은, 관능기 함유 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해, 0.01 질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.03 질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 당해 함유량은 0.5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.3 질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.1 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
폴리이소시아네이트계 가교제 및 에폭시계 가교제의 함유량이 상기의 범위 내에 있으면, 반도체 웨이퍼 및 링 프레임에 대한 에너지선 조사 전의 반도체 가공용 점착 테이프의 점착력을 조정하는 것이 용이해진다. 또, 반도체 가공용 점착 테이프의 제조 후, 과도하게 긴 양생 기간을 필요로 하지 않고 점착 특성이 안정된다.
또, 본 실시형태에서는, 가교 구조의 겔 분율, 즉, 관능기 함유 아크릴계 중합체와 가교제로 형성되는 가교 구조의 겔 분율이, 70 ％ 이상 95 ％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 서술한 점착제층의 겔 분율은, 가교 구조뿐만 아니라, 비교적 저분자량인 에너지선 경화성 수지도 고려된 겔 분율이기 때문에, 에너지선 경화성 수지의 양 및 분자량에 좌우된다. 예를 들어, 저분자량의 에너지선 경화성 수지가 많이 함유되어 있으면, 점착제층의 겔 분율은 낮아지는 경향이 있다. 한편, 가교 구조의 겔 분율은, 에너지선 경화성 수지의 영향을 배제하고 있으므로, 가교의 정도를 보다 반영하고 있는 것으로 생각된다. 본 실시형태에서는, 가교 구조의 겔 분율은, 점착제층의 겔 분율보다 큰 것이 바람직하다.
(1.2.3. 에너지선 경화성 수지)
에너지선 경화성 수지는, 분자 내에, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 불포화기를 갖는 수지이다. 이와 같은 불포화기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기 등이 예시된다.
본 실시형태에서는, 에너지선 경화성 수지는, 저분자량 화합물 (단관능형, 다관능형의 모노머 및 올리고머) 인 것이 바람직하다. 또, 상기의 가교 구조는 열가교에 의해 형성되므로, 에너지선 조사 전의 점착력을 확보하기 위해서, 에너지선 경화성 수지는 열가교하기 어려운 것이 바람직하다.
이와 같은 저분자량의 에너지선 경화성 수지로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 혹은, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트 ; 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물 등이 예시된다. 이것들은 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
이것들 중에서도, 다관능형 모노머 또는 올리고머인 것이 보다 바람직하고, 다관능형 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머인 것이 특히 바람직하다.
에너지선 경화성 수지의 분자량 (올리고머의 경우에는 중량 평균 분자량) 은, 500 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 당해 분자량은 10000 이하인 것이 바람직하고, 7000 이하인 것이 보다 바람직하고, 5000 이하인 것이 더욱 바람직하며, 3000 이하인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화성 수지의 분자량이 상기의 범위 내인 것에 의해, 에너지선 조사 전에는, 소정의 점착력을 갖고, 에너지선 조사 후에는, 링 프레임으로부터 박리 가능한 정도로 점착력을 저하시키는 것이 용이해진다.
또, 비교적 저분자량 (2000 미만) 의 에너지선 경화성 수지와 비교적 고분자량 (2000 이상) 의 에너지선 경화성 수지를 병용함으로써, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 점착력의 조정이 용이해진다.
에너지선 경화성 수지의 함유량은, 관능기 함유 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해, 50 질량부 이상인 것이 바람직하고, 100 질량부 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 당해 함유량은 250 질량부 이하인 것이 바람직하고, 200 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 에너지선 경화성 수지의 함유량이 상기의 범위 내임으로써, 에너지선 조사 전에는, 소정의 점착력을 갖고, 에너지선 조사 후에는, 링 프레임으로부터 박리 가능한 정도로 점착력을 저하시키는 것이 용이해진다.
점착제층을 경화시키기 위한 에너지선으로는, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.
자외선을 사용하는 경우에는, 취급이 용이한 점에서 파장 200 ∼ 380 ㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 사용하는 것이 바람직하다. 광량으로는, 점착제층이 갖는 에너지선 경화성기의 종류나, 반도체 가공용 점착 테이프의 두께에 따라 적절히 선택하면 되고, 통상적으로 50 ∼ 500 mJ/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 mJ/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 또, 자외선 조도는, 통상적으로 50 ∼ 500 ㎽/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 ㎽/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 ㎽/㎠ 가 보다 바람직하다. 자외선원으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등이 사용된다.
(1.2.4. 그 밖의 성분)
또, 점착제층은, 그 밖의 성분으로서, 염료, 안료, 열화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물, 연쇄 이동제, 가소제, 광 중합 개시제 등을 함유해도 된다.
점착제층이, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우, 광 중합 개시제를 함유시킴으로써, 경화가 충분히 실시되어, 에너지선 조사 후의 점착력을 링 프레임으로부터 양호하게 박리 가능한 정도까지 낮출 수 있다.
광 중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있다. 구체적으로는, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-크롤안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 예시된다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 광 중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.
(1.3. 기재)
본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 의 기재 (10) 는, 반도체 웨이퍼의 가공시에 있어서, 그라인더와 링 프레임이 접촉하지 않을 정도로 연신되고, 또한 점착 테이프가 파단되지 않는 재료로 구성되어 있으면 특별히 제한되지 않는다.
구체적으로는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합체 필름 ; 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름 ; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름 ; 폴리우레탄 필름 등을 들 수 있다.
또, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용할 수 있다. 상기의 기재 (10) 는 이것들의 1 종으로 이루어지는 필름이어도 되고, 이것들을 2 종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다.
또, 기재 (10) 에 있어서, 점착제층 (20) 이 형성되는 면에는, 코로나 처리가 실시되어 있어도 되고, 프라이머층이 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태에서는, 기재 (10) 를 구성하는 필름은, 에틸렌계 공중합체 필름 및 폴리올레핀계 필름에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
기재 (10) 의 두께는, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 가 본 발명의 효과를 발휘하는 한에 있어서 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 바람직하게는 20 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 25 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 50 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위에 있다.
(2. 반도체 가공용 점착 테이프의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프를 제조하는 방법은, 기재의 일방의 면에 점착제층을 형성할 수 있는 방법이면 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 이용하면 된다.
먼저, 점착제층을 형성하기 위한 조성물로서, 예를 들어, 상기 서술한 구성 성분 (관능기 함유 아크릴계 중합체, 가교제, 에너지선 경화성 수지) 을 함유하는 점착제 조성물, 또는 당해 점착제 조성물을 용매 등에 의해 희석한 조성물을 조제한다.
용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등의 유기 용제를 들 수 있다.
그리고, 이 점착제 조성물 등을, 기재 상에, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등의 공지된 방법에 의해 도포하고, 가열하여 건조시켜 기재 상에 점착제층을 형성한다. 혹은, 박리 시트의 박리 처리면에, 점착제 조성물 등을 도포하고, 가열하여 건조시켜 박리 시트 상에 점착제층을 형성하고, 그 후, 그 박리 시트 상의 점착제층과 기재를 첩합 (貼合) 하여, 기재 상에, 점착제층, 및 박리 시트가 이 순으로 형성된 반도체 가공용 점착 테이프를 제조해도 된다.
도포 후의 건조 조건으로는, 예를 들어, 80 ∼ 150 ℃ 의 온도에서 30 초 ∼ 5 분간 가열하면 된다. 점착제 조성물 등이 가교제를 함유하는 경우에는, 가열에 의해 가교 반응이 발생하므로, 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기의 건조의 조건 (온도, 시간 등) 을 바꾸어도 되고, 가열 처리를 별도로 마련해도 된다. 또한, 통상적으로, 기재 (10) 에 점착제층 (20) 을 형성한 후, 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를, 예를 들어 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 환경에 1 주일 정도 정치 (靜置) 하는 양생을 실시한다.
(3. 반도체 장치의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례로서, 반도체 웨이퍼로부터 반도체 장치로서의 회로가 형성된 반도체 칩을 제조하는 방법을 도 2a 내지 도 2f 를 사용하여 설명한다.
먼저, 도 2a 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (50) 의 회로가 형성된 면 (표면 (50a)) 과 링 프레임 (60) 을 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 의 점착제층의 일방의 주면에 첩부하여, 회로면을 보호하면서, 반도체 웨이퍼 (50) 를, 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 를 개재하여 링 프레임 (60) 에 고정시킨다.
반도체 웨이퍼는, 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼여도 된다. 또, 회로를 형성하는 방법은 공지된 방법을 채용하면 된다. 소정의 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상적으로는 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다.
계속해서, 반도체 웨이퍼가, 연삭 장치의 척 테이블 상에 재치되고, 링 프레임이 연삭 장치에 고정된다. 이 때, 도 2b 에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치에 있어서, 그라인더 (70) 와 링 프레임 (60) 의 접촉을 방지하기 위해서, 링 프레임 (60) 측을 눌러 내리거나, 혹은, 척 테이블 (75) 측을 밀어 올린다. 이것에 수반하여, 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 는 연신되고, 이 상태에서 반도체 웨이퍼 (50) 의 이면 (50b) 이 그라인더 (70) 에 의해 연삭된다.
반도체 웨이퍼 (50) 가 소정의 두께까지 연삭되면, 이면 연삭이 종료되고, 링 프레임 (60) 측 또는 척 테이블 (75) 측이 당초의 위치로 되돌아와, 반도체 가공용 점착 테이프 (1) 의 연신이 개방된다.
이면 연삭 후, 반도체 가공용 점착 테이프에 에너지선을 조사하고, 점착제를 경화시키고, 점착력을 저하시켜, 회로면으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리해도 되지만, 본 실시형태에서는, 반도체 가공용 점착 테이프가 링 프레임 및 반도체 웨이퍼에 첩부된 상태에서, 다이싱 공정으로 반송한다. 즉, 반도체 가공용 점착 테이프가 백 그라인드 테이프뿐만 아니라, 다이싱 테이프도 겸한다.
다이싱 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다. 개편화하는 방법으로는, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 도 2c 에 나타내는 바와 같이, 다이서 등의 회전날 (80) 을 사용하여 반도체 웨이퍼 (50) 의 표면과 이면을 관통하는 홈을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼 (50) 를 절단하여 개편화한다. 개편화된 반도체 웨이퍼는 반도체 칩 (51) 으로서 얻어진다.
다음으로, 개편화된 반도체 웨이퍼 (즉, 복수의 반도체 칩) 로부터, 반도체 가공용 점착 테이프를 박리한다.
먼저, 점착 테이프 (1) 의 점착제층이 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 도 2d 에 나타내는 바와 같이, 에너지선 조사원 (90) 으로부터 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화시켜, 점착제층의 점착력을 저하시킨다. 이어서, 도 2e 에 나타내는 바와 같이, 복수의 반도체 칩 (51) 의 이면 (51b) 측 및 링 프레임 (60) 에, 픽업 테이프 (100) 를 첩부한다. 이어서, 도 2f 에 나타내는 바와 같이, 픽업 테이프 (100) 상에 유지된 복수의 반도체 칩 (51) 으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리하여, 반도체 칩의 회로면 (51a) 을 노출시킨다.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 공지된 방법에 의해 픽업하고 기판 등의 위에 고정시켜, 반도체 장치를 제조한다.
또한, 상기에서는, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 후에 다이싱 공정을 실시하고 있지만, 이른바 선 (先) 다이싱 공정을 실시해도 된다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면 (표면) 에, 웨이퍼 두께보다 얕은 절입 깊이의 홈을 형성한 후, 당해 회로 형성면과 링 프레임에 대해, 반도체 가공용 점착 테이프를 첩부한다. 그리고, 상기와 마찬가지로, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 함으로써 웨이퍼의 두께를 얇게 함과 함께, 연삭면이 절입까지 도달하는 것에 의해 반도체 웨이퍼를 개편화해도 된다.
(4. 본 실시형태에 있어서의 효과)
링 프레임과 반도체 웨이퍼가 동일한 면에 첩부되는 점착제층에는, 반도체 웨이퍼의 가공시에 요구되는 특성과, 반도체 웨이퍼의 가공 후에 요구되는 특성이 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼의 가공시에 요구되는 특성으로서, 에너지선 조사 전의 점착제층의 겔 분율 및 손실 정접에 주목하고, 이것들을 특정한 범위 내로 제어하고 있다. 한편, 반도체 웨이퍼의 가공 후에 요구되는 특성으로서, 에너지선 조사 후의 점착력에 주목하고, 이것을 특정한 범위 내로 제어하고 있다.
그 결과, 본 실시형태에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 가공시에는 늘어짐이 억제되어, 반도체 웨이퍼의 가공 후에 링 프레임으로부터 당해 점착 테이프를 박리할 때에도 양호한 박리성을 나타낼 수 있다.
이와 같은 특성을 실현하는 점착제층의 일례로서, 상기 서술한 바와 같이, 에너지선 경화성 수지와 소정의 가교 구조를 점착제층에 존재시키고 있다. 또, 소정의 가교 구조는, 2 종류의 가교제를 사용함으로써 용이하게 얻을 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기의 실시형태에 전혀 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지의 양태로 개변해도 된다.
실시예
이하, 실시예를 사용하여, 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에 있어서의 측정 방법 및 평가 방법은 이하와 같다.
(겔 분율)
표 1 에 나타내는 조성의 점착제를 박리 시트 상에 도공, 건조시켰다. 도공하고 나서 7 일 후의 점착제를 0.3 g 계량하고, ＃200 메시로 감싸 23 ℃ 조건 하에서 아세트산에틸 중에 1 일간 침지하였다. 침지 후 메시를 꺼내고, 100 ℃ 에서 2 시간 건조 후, 23 ℃ 50 RH 의 환경 하에서 1 시간 습도 조정한 후, 점착제의 중량을 측정하였다. 겔 분율 (％) 은, 하기의 식으로부터 산출하였다.
((침지 전 점착제 중량 ― 침지 후 점착제 중량)/침지 전 점착제 중량) × 100
또, 실시예 4 및 비교예 1 에 대해서는, 점착제로부터 에너지선 경화성 수지를 제거한 조성의 점착제를 박리 시트 상에 도공, 건조시켰다. 도공하고 나서 7 일 후의 점착제에 대해, 상기와 동일한 방법에 의해 겔 분율을 측정하였다.
(에너지선 조사 후의 점착력)
점착력의 측정 방법을 규정하는 JIS Z0237 에 준하여, 다음의 순서에 따라 측정하였다. 23 ℃, 50 RH％ 의 환경 하에서, 2 ㎏ 고무 롤러를 사용하여, 점착 시트를 피착체인 스테인리스강 (SUS304) 제 경면판 (산술 평균 조도 Ra = 0.05 ㎛) 에 첩부하였다. 50 ℃ 조건 하에 있어서 7 일간 경과 후, 린텍사 제조 자외선 조사 장치 (RAD-2000 m/12) 를 사용하여, 기재측으로부터 조도 230 ㎽/㎠, 적산 광량 500 mJ/㎠ 의 조사 조건에서 자외선을 조사하고, 점착제층을 경화시켰다. 점착제층을 경화시킨 점착 시트를, 시마즈 제작소 제조 만능형 인장 시험기 (오토그래프 AG-IS) 를 사용하여 박리 각도 180°, 박리 속도 300 ㎜/분으로, 스테인리스강 (SUS304) 제 경면판으로부터 박리하여, 점착력을 측정하였다. 얻어진 값을 에너지선 조사 후의 점착력으로 하였다.
(손실 정접)
점착제층 (두께 1000 ㎛) 의 양면에 PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031, 두께 : 38 ㎛) 이 첩부된 적층체를 조제하였다. 다음으로, 얻어진 적층체를 8 ㎜φ × 3 ㎜ 의 원 기둥으로 커트하여, 손실 정접을 측정하기 위한 시료를 얻었다. 점탄성 측정 장치 (TA Instruments 사 제조 : ARES) 를 사용하여, 상기의 시료에 주파수 1 ㎐ 의 변형을 주어, 0 ∼ 100 ℃ 의 저장 탄성률 G' 및 손실 탄성률 G" 을 측정하고, 그 값들로부터 50 ℃ 에 있어서의 손실 정접 tanδ 를 산출하였다.
(테이프 늘어짐)
8 인치 웨이퍼용 SUS304 제 링 프레임과, 4 인치의 실리콘 웨이퍼에, 실시예 및 비교예의 반도체 가공용 점착 테이프를 RAD-2700 으로 첩부하였다. 연삭 장치에, 링 프레임과 실리콘 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 테이프를 재치하고, 링 프레임을 하방으로 4 ㎜ 까지 눌러 내려, 반도체 가공용 점착 테이프를 연신시켰다. 그 후, 링 프레임의 눌러 내림을 해제하고, 5 분 후에 늘어짐의 크기를 측정하여, 이하의 기준으로 테이프의 늘어짐을 평가하였다.
○ : 늘어짐 없음
△ : 늘어짐이 있지만 실용상 문제 없음
× : 늘어짐이 있고 실용상 문제 있음
(링 프레임으로부터의 박리)
다음으로, 링 프레임을 눌러 내린 상태에서, 실리콘 웨이퍼를 마무리 두께 150 ㎛ 가 되도록 연삭하였다. 연삭 후, 링 프레임의 높이를 원래대로 되돌려, 자외선 조사 (조도 : 230 ㎽/㎠, 광량 : 190 mJ/㎠) 를 실시한 후, 반도체 가공용 점착 테이프를 링 프레임으로부터 박리하고, 링 프레임으로부터의 박리 상태를 이하의 기준으로 평가하였다.
○ : 박리 불량 없음
△ : 박리 불량 발생 (중 (重) 박리화)
× : 박리 불량 발생 (링 프레임에 테이프가 고착)
(실시예 1)
(점착제 조성물의 조제)
부틸아크릴레이트 (BA) 91 질량부와, 아크릴산 (AA) 9 질량부를 공중합하여, 관능기 함유 아크릴계 공중합체 (중량 평균 분자량 : 70 만) 를 얻었다. 얻어진 아크릴계 중공중합체 100 질량부 (고형분 환산, 이하 동일) 와, 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제 (토소사 제조, 제품명 「콜로네이트 L」) 9 질량부와, 폴리글리시딜아민계 화합물 (미츠비시 가스 화학사 제조, TETRAD-C) 0.045 질량부와, 다관능형 우레탄아크릴레이트 올리고머 A (세이카빔 EXL-810TL : Mw = 5000) 127 질량부와, 다관능형 우레탄아크릴레이트 올리고머 B (시코우 UV-5806 : Mw = 1740) 40 질량부를 용매로서의 메틸에틸케톤 중에서 혼합하여, 고형분의 함유량이 35 질량％ 인 점착제 조성물을 얻었다.
(반도체 가공용 점착 테이프의 제조)
박리 시트 (린텍사 제조, SP-PET381031) 의 박리면 상에, 상기의 점착제 조성물을 도포하였다. 이어서, 가열에 의한 건조를 실시하고, 가교 반응을 진행시켜, 점착제 조성물의 도막을 점착제층으로 하였다. 이 점착제층의 두께는 15 ㎛ 였다. 그 후, 얻어진 박리 시트 상의 점착제층과, 기재로서 일방의 면이 코로나 처리된 에틸렌-메타크릴산 공중합체 (EMAA) 필름 (두께 : 80 ㎛) 의 코로나 처리면을 첩합함으로써, 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
(실시예 2 ∼ 5, 비교예 1 및 2)
점착제의 조성을 표 1 에 나타내는 조성으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
얻어진 시료 (실시예 1 ∼ 5, 비교예 1 및 2) 에 대해, 상기의 측정 및 평가를 실시하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다. 또한, 실시예 1 에 있어서, 점착제로부터 에너지선 경화성 수지를 제거한 조성의 점착제의 겔 분율은 75 ％ 이고, 실시예 4 에 있어서, 점착제로부터 에너지선 경화성 수지를 제거한 조성의 점착제의 겔 분율은 85 ％ 였다. 또, 비교예 1 에 있어서, 점착제로부터 에너지선 경화성 수지를 제거한 조성의 점착제의 겔 분율은 55 ％ 였다.
표 2 로부터, 겔 분율 및 손실 정접이 상기 서술한 범위 내인 경우에는, 테이프의 늘어짐이 양호한 것을 확인할 수 있었다. 또, 자외선 조사 후의 점착력이 상기 서술한 범위 내인 경우에는, 링 프레임으로부터의 박리성이 양호한 것을 확인할 수 있었다.
또, 실시예 1 및 4 로부터, 가교 구조의 겔 분율은, 점착제층의 겔 분율보다 매우 높은 것을 확인할 수 있었다. 즉, 실시예에 관련된 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제층에는, 겉보기의 겔 분율보다 강하게 가교된 가교 구조가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 예를 들어, 링 프레임과 반도체 웨이퍼에 첩부된 상태에서의 반도체 웨이퍼의 가공에 바람직하게 사용할 수 있다.
1 : 점착 시트
10 : 기재
20 : 점착제층
10 : 기재
20 : 점착제층
Claims (5)
- 기재와, 기재의 일방의 면측에 형성된 점착제층을 갖는 점착 테이프로서,
상기 점착제층에 대한 에너지선 조사 전에 있어서, 상기 점착제층의 겔 분율이 35 ％ 이상 60 ％ 이하이고, 50 ℃ 에 있어서의 상기 점착제층의 손실 정접이 0.30 이상 0.65 미만이며,
상기 점착제층에 대한 에너지선 조사 후에 있어서, 상기 점착제층의 점착력이 0 mN/25 ㎜ 초과 3100 mN/25 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프. - 제 1 항에 있어서,
상기 점착제층이 가교 구조와 에너지선 경화성 수지를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프. - 제 2 항에 있어서,
상기 가교 구조는, 적어도 아크릴계 중합체와 가교제로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프. - 제 3 항에 있어서,
상기 가교 구조의 겔 분율이 70 ％ 이상 95 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
반도체 웨이퍼를 가공하는 공정에 있어서, 가공 장치에 고정되는 링 프레임과 상기 반도체 웨이퍼가 상기 점착제층에 첩부되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
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