KR20170131338A - 다이싱 시트, 다이싱 시트의 제조 방법, 및 몰드 칩의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

기재와, 기재의 적어도 일방의 면에 적층된 점착제층을 구비한 다이싱 시트로서, 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서 50 ㎪ 이상 80 ㎪ 이하, 또한 에너지선이 조사된 후의 상태에 있어서 5.0 ㎫ 이상 120 ㎫ 이하이고, 점착제층의 두께는 20 ㎛ 미만이고, 점착제층의 면은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서, JIS Z 0237 : 1991 에 기재된 방법에 있어서, 박리 속도를 1 ㎜/분으로 변경한 조건에 의해 프로브 택을 사용하여 측정한 에너지량이, 0.10 mJ/5 ㎜φ 이상 0.8 mJ/5 ㎜φ 이하인 다이싱 시트. 이러한 다이싱 시트는, 다이싱 공정에 있어서의 문제 및 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않는다. 또한, 이러한 다이싱 시트를 사용함으로써, 인자의 시인성이 우수함과 함께, 품질이 우수하고 비용적으로도 유리한 몰드 칩을 제조할 수 있다.

Description

다이싱 시트, 다이싱 시트의 제조 방법, 및 몰드 칩의 제조 방법{DICING SHEET, METHOD FOR PRODUCING DICING SHEET, AND METHOD FOR PRODUCING MOLDED CHIP}

본 발명은, 반도체 칩 등의 칩상 부품의 복수가 수지 봉지되어 이루어지는 반도체 패키지 등의 몰드 패키지를 다이싱할 때에 사용되는 다이싱 시트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기의 다이싱 시트의 제조 방법, 및 상기의 다이싱 시트를 사용하는 몰드 칩의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 칩 등의 칩상 부품이 수지 봉지된 부품 (본 명세서에 있어서 「몰드 칩」 이라고 한다) 은, 봉지되는 칩상 부품이 반도체 칩인 경우를 예로 하면, 통상적으로 다음과 같이 하여 제작된다.

먼저, TAB 테이프와 같은 복수의 기대가 연접하여 이루어지는 집합체의 각 기대 상에 반도체 칩을 탑재하고, 이들 반도체 칩을 일괄하여 수지 봉지하여 전자 부품 집합체 (본 명세서에 있어서 「반도체 패키지」 라고 한다) 를 얻는다.

다음으로, 반도체 패키지의 일방의 면에, 기재와 점착제층을 구비한 점착 시트 (본 명세서에 있어서 「다이싱 시트」 라고 한다) 를 첩부하는 것에 의해 반도체 패키지를 다이싱 시트에 대하여 고정시킨다. 이 다이싱 시트에 대하여 고정된 반도체 패키지를 절단 분리 (다이싱) 하여 개편화하여, 다이싱 시트 상에 복수의 몰드 칩이 근접 배치된 부재를 제작한다 (다이싱 공정).

통상적으로 다이싱 시트의 점착제층은, 특정한 자극에 의해 피착면에 대한 점착제층의 점착성이 저하하도록 설계되어 있고, 특정한 자극으로는 예를 들어 에너지선 조사가 채용된다. 그리고, 이하의 공정이 실시되기 전에 다이싱 시트에 에너지선을 조사하여, 피착면에 대한 점착제층의 점착성을 저하시키는 공정이 포함된다.

계속해서, 필요에 따라, 이 부재에 있어서의 다이싱 시트를 익스팬드 (주면 내 방향으로 신장) 하여, 다이싱 시트 상에 배치된 몰드 칩의 간격을 확대한다 (익스팬드 공정).

이렇게 하여 다이싱 시트 상에서 서로 이간된 상태가 된 몰드 칩을, 개별적으로 픽업하여 다이싱 시트로부터 분리시키고 (픽업 공정), 다음 공정에 이송한다. 이 때, 몰드 칩의 면에 대한 상기의 점착제층의 점착성을 저하시키는 공정을 포함함으로써, 픽업을 실시하는 것이 용이화된다.

이 일련의 공정 중, 다이싱 공정에서는, 반도체 패키지 및 이것이 다이싱되어 이루어지는 몰드 칩은, 다이싱 시트 상에 고정된 상태를 유지하는 것이 요구된다. 이 목적을 달성하는 관점에서는, 다이싱 시트의 점착제층은, 그 반도체 패키지의 면 및 몰드 칩의 면에 대한 에너지선 조사 전의 점착성이 높은 것이 바람직하다.

여기서, 다이싱 시트의 피착체가 반도체 패키지인 경우에는, 피착면은 통상적으로 봉지 수지의 면이 되고, 반도체 웨이퍼를 피착체로 하는 경우에 비하여, 피착면의 요철이 커지는 경향이 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼를 피착체로 하는 다이싱 시트를 반도체 패키지에 대한 상기 공정에 사용되는 다이싱 시트로서 전용하면, 피착면에 대한 상기의 점착성이 불충분해져, 다이싱 공정에 있어서, 반도체 패키지를 절단 중에, 반도체 패키지가 개편화되어 이루어지는 몰드 칩이 다이싱 시트로부터 박리되어 비산하는 문제가 발생한다. 이하, 다이싱 공정에 있어서 발생하는 이 문제를 「칩 비산」 이라고 한다.

이 칩 비산의 발생 가능성을 저감시키는 것을 목적으로 하여, 예를 들어 인용 문헌 1 에 기재된 바와 같이, 다이싱 시트의 점착제층에 대하여, 에너지선 조사 전의 상태에 있어서의 피착면에 대한 점착성을 향상시키기 위한 수지 재료 (본 명세서에 있어서, 「점착 부여 수지」 라고 한다) 를 함유시키는 것이 실시되고 있다.

일본 공개특허공보 2005-229040호

점착 부여 수지로서 일반적인 로진계 재료는, 점착제층의 피착면, 즉, 몰드 패키지의 수지 봉지면에 대한 점착성을 향상시키는 관점에서는 바람직한 재료이다. 그러나, 수지 봉지면이, 레이저 가공 등에 의해 수지 재료가 제거되어 형성된 오목부에 의해 화성된 인자부를 갖는 경우에는, 다음과 같은 문제가 발생하는 경우가 있다. 즉, 다이싱 시트가 구비하는 점착제층에 점착 부여 수지를 함유시킨 것에 의해, 수지 봉지면과 같은 비교적 요철이 큰 면에 대한 점착성을 향상시키는 것은 달성할 수 있지만, 수지 봉지면이 인자부를 갖는 경우에는, 인자부의 오목부 내에 점착제층을 구성하는 재료가 들어가기 쉽다. 이 때문에, 몰드 패키지를 개편화하여 얻어진 몰드 칩을 다이싱 시트로부터 이간시켰을 때에, 인자부의 오목부 내에 점착제층을 구성하는 재료가 잔류하여, 인자의 시인성이 저하하는 경우가 있다. 수지 봉지면은 반도체 웨이퍼나 보호막보다 일반적으로 요철이 크기 때문에, 수지 봉지면에 오목부를 형성함으로써 인자하는 경우에는, 그 요철의 단차는 커지는 경향이 있다. 이 때문에, 상기의 인자의 시인성 저하의 문제가 발생하기 쉽다.

본 발명은, 다이싱 공정에 있어서의 문제 및 상기의 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제를 잘 일으키지 않는 다이싱 시트를 제공하는 것, 및 그 다이싱 시트를 사용하는 몰드 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서 제공되는 본 발명은 다음과 같다.

(1) 기재와, 상기 기재의 적어도 일방의 면에 적층된 점착제층을 구비한 다이싱 시트로서, 상기 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서 50 ㎪ 이상 80 ㎪ 이하, 또한 에너지선이 조사된 후의 상태에 있어서 5.0 ㎫ 이상 120 ㎫ 이하이고, 상기 점착제층의 두께는 20 ㎛ 미만이고, 상기 점착제층의 면은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서, JIS Z 0237 : 1991 에 기재된 방법에 있어서, 박리 속도를 1 ㎜/분으로 변경한 조건에 의해 프로브 택을 사용하여 측정한 에너지량이, 0.10 mJ/5 ㎜φ 이상 0.8 mJ/5 ㎜φ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.

(2) 사용에 있어서, 상기 점착제층의 상기 기재측과 반대측의 면에는, 몰드 패키지의 수지 봉지면이 첩부되고, 상기 수지 봉지면은 오목부에 의해 형성된 인자부를 갖는, 상기 (1) 에 기재된 다이싱 시트.

(3) 상기 수지 봉지면의 상기 인자부의 오목부의 평균 깊이가 0.5 ㎛ 이상인, 상기 (2) 에 기재된 다이싱 시트.

(4) 상기 점착제층은, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A), 및 상기 반응성 관능기와 가교 반응이 가능한 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 아크릴계 중합체 (A) 는, 상기 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A1) 과, 상기 에너지선 중합성기를 갖는 이소시아네이트계 화합물 (A2) 가, 티탄 및 지르코늄의 적어도 일방을 함유하는 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하에서 반응함으로써 얻어진 것인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.

(5) 상기 아크릴계 중합체 (A1) 에 있어서의 상기 반응성 관능기를 갖는 구성 단위를 부여하는 단량체 (m1) 의, 상기 아크릴계 중합체 (A1) 을 부여하는 단량체 전체에 대한 질량 비율이, 5 질량％ 이상 30 질량％ 이하이고, 상기 아크릴계 중합체 (A) 를 형성하기 위한 반응에 있어서, 상기 화합물 (A2) 의 사용량은, 상기 단량체 (m1) 에 대하여 0.4 당량 이상 0.8 당량 이하인, 상기 (4) 에 기재된 다이싱 시트.

(6) 상기 유기 금속 촉매 (C) 는 지르코늄 함유 킬레이트 화합물을 포함하는, 상기 (4) 또는 (5) 에 기재된 다이싱 시트.

(7) 상기 (1) 내지 (6) 의 어느 하나에 기재된 다이싱 시트의 상기 점착제층측의 면을, 상기 몰드 패키지의 상기 수지 봉지면에 첩부하고, 상기 다이싱 시트 상의 상기 몰드 패키지를 절단하여 개편화하여, 복수의 몰드 칩을 얻는, 몰드 칩의 제조 방법.

본 발명에 의하면, 다이싱 공정에 있어서의 문제 및 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제를 잘 일으키지 않는 다이싱 시트가 제공된다. 또한, 이러한 다이싱 시트를 사용함으로써, 인자의 시인성이 우수함과 함께, 품질이 우수하고 비용적으로도 유리한 몰드 칩을 제조할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

1. 다이싱 시트

본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 기재 및 점착제층을 구비한다.

(1) 기재

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 기재는, 픽업 공정 등에 있어서 파단하지 않는 한, 그 구성 재료는, 특별히 한정은 되지 않고, 통상적으로는 수지계의 재료를 주재로 하는 필름으로 구성된다. 그 필름의 구체예로서, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름 ; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름 ; 폴리우레탄 필름 ; 폴리이미드 필름 ; 아이오노머 수지 필름 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름 ; 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름 ; 불소 수지 필름 ; 그리고 이들 수지의 수 첨가물 및 변성물을 주재로 하는 필름 등을 들 수 있다. 또한 이들의 가교 필름, 공중합체 필름도 사용된다. 상기의 기재는 1 종 단독이어도 되고, 또한 이들을 2 종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴산」 은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.

기재는, 상기의 수지계 재료를 주재로 하는 필름 내에, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 착색제로는, 예를 들어, 이산화티탄, 카본 블랙 등의 안료나, 다양한 염료 등을 들 수 있다. 또한, 필러로서, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 퓸드 실리카와 같은 무기계 재료 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘하고, 원하는 평활성이나 유연성을 잃지 않는 범위로 제한해야 한다.

점착제층을 경화시키기 위해서 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 기재는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는 기재는 전자선의 투과성을 가지고 있는 것이 바람직하다.

기재의 두께는 다이싱 시트가 전술한 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 한정되지 않는다. 바람직하게는 20 ∼ 450 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 200 ㎛, 특히 바람직하게는 50 ∼ 150 ㎛ 의 범위에 있다.

본 실시형태에 있어서의 기재의 파단 신도는, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 일 때에 측정한 값으로서 100 ％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 200 ％ 이상 1000 ％ 이하인 것이 바람직하다. 상기의 파단 신도가 100 ％ 이상인 기재는, 익스팬드 공정이 실시된 경우에도 잘 파단되지 않고, 몰드 패키지를 절단하여 형성한 몰드 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다. 또한, 파단 신도는 JIS K 7161 : 1994 에 준거한 인장 시험에 있어서의, 시험편 파괴시의 시험편의 길이의 원래 길이에 대한 신장률이다.

또한, 본 실시형태에 있어서의 기재의 JIS K 7161 : 1994 에 준거한 시험에 의해 측정되는 25 ％ 변형시 인장 응력은 5 N/10 ㎜ 이상 15 N/10 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 최대 인장 응력은 15 ㎫ 이상 50 ㎫ 이하인 것이 바람직하다. 25 ％ 변형시 인장 응력이 5 N/10 ㎜ 미만이거나, 최대 인장 응력이 15 ㎫ 미만이면, 다이싱 시트에 몰드 패키지를 첩착한 후, 링 프레임에 고정시켰을 때, 기재가 유연하기 때문에 느슨함이 발생하여, 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 25 ％ 변형시 인장 응력이 15 N/10 ㎜ 를 초과하거나, 최대 인장 응력이 50 ㎫ 를 초과하면, 익스팬드 공정이 실시된 경우에 다이싱 시트에 가해지는 하중이 커지기 때문에, 링 프레임으로부터 다이싱 시트 자체가 박리되는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 본 발명에 있어서의 파단 신도, 25 ％ 변형시 인장 응력, 최대 인장 응력은 기재의 장척 방향에 대하여 측정한 값을 가리킨다.

(2) 점착제층

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층은, 다음에 설명하는 바와 같이, 두께가 20 ㎛ 미만이고, 저장 탄성률 등 소정의 특성을 구비한다. 당해 점착제층은, 바람직한 일 형태에 있어서, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A), 및 반응성 관능기와 가교 반응이 가능한 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이다.

(2-1) 두께

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층의 두께는 20 ㎛ 미만이다. 점착제층의 두께가 20 ㎛ 미만임으로써, 점착제 잔여물이 잘 발생하지 않게 되어, 다이싱 공정에 있어서 문제가 발생할 가능성이 저감된다. 또한, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제를 잘 일으키지 않는다. 특히, 다이싱 공정을 실시하여 몰드 패키지를 개편화하여 몰드 칩으로 한 후, 에너지선의 조사가 실시될 때까지의 기간이 긴 (예를 들어 30 일간) 경우에는, 점착제층의 두께가 20 ㎛ 이상이면, 몰드 칩의 면에 대한 점착제층의 점착성이 과도하게 높아져, 에너지선을 조사해도 상기의 점착성이 적절히 저감되지 않아, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 점착제층의 두께가 20 ㎛ 미만이기 때문에, 이와 같은 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제를 잘 일으키지 않는다. 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층의 두께는, 17 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 13 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 10 ㎛ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 점착제층이 피착면에 대하여 적절한 점착성을 갖는 것을 안정적으로 실현하는 관점에서, 점착제층의 두께는 2 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 4 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 따라서, 점착제층의 가장 바람직한 두께는, 5 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이다.

(2-2) 저장 탄성률

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층에 대하여 에너지선을 조사하기 전의 당해 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 (본 명세서에 있어서 「조사 전 탄성률」 이라고도 한다) 은, 50 ㎪ 이상 80 ㎪ 이하이다.

조사 전 탄성률이 상기의 범위에 있음으로써, 점착제층의 피착면인 몰드 패키지의 봉지 수지의 면의 오목부 내에, 에너지선 조사 전의 점착제층을 구성하는 재료가 잘 들어가지 않게 되어, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않게 된다. 또한, 조사 전 탄성률이 상기의 범위에 있음으로써, 점착제층의 피착면에 대한 점착성이 적절해져, 칩 비산이 잘 발생하지 않게 된다. 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제 및 칩 비산이 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시키는 관점에서, 조사 전 탄성률은, 50 ㎪ 이상 75 ㎪ 이하인 것이 바람직하고, 50 ㎪ 이상 70 ㎪ 이하인 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층에 대하여 에너지선을 조사한 후의 당해 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 (본 명세서에 있어서 「조사 후 탄성률」 이라고도 한다) 은, 5.0 ㎫ 이상 120 ㎫ 이하이다.

조사 후 탄성률이 5.0 ㎫ 이상임으로써, 점착제층의 피착면인 몰드 패키지의 봉지 수지의 면의 오목부 내, 특히 인자부를 구성하는 오목부 내에, 에너지선 조사 후의 점착제층을 구성하는 재료가 잘 잔류하지 않게 되어, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않게 된다. 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않게 되는 것을 안정적으로 실현하는 관점에서, 조사 후 탄성률은, 10 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 15 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 ㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다.

조사 후 탄성률이 120 ㎫ 이하임으로써, 점착제층의 피착면인 몰드 패키지의 봉지 수지의 면의 오목부 내, 특히 인자부를 구성하는 오목부 내에 들어간 점착제층을 구성하는 재료가, 픽업 공정에 있어서, 상기의 오목부로부터 적절히 이간하기 쉬워진다. 이 때문에, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않는다. 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않게 되는 것을 안정적으로 실현하는 관점에서, 조사 후 탄성률은, 100 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 80 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 60 ㎫ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다.

(2-3) 택값

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 점착제층의 면은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서, JIS Z 0237 : 1991 에 기재된 방법에 있어서 박리 속도를 1 ㎜/분으로 변경한 조건에 의해 프로브 택을 사용하여 측정한 에너지량 (본 명세서에 있어서 「택값」 이라고도 한다) 이, 0.10 mJ/5 ㎜φ 이상 0.8 mJ/5 ㎜φ 이하이다. 이 택값은, 측정 개시부터 프로브가 박리할 때까지 측정된 피크의 적산치로서 구해진다. 택값이 상기의 범위임으로써, 칩 비산의 발생을 억제할 수 있다. 칩 비산이 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시키는 관점에서, 택값은, 0.13 mJ/5 ㎜φ 이상 0.75 mJ/5 ㎜φ 이하인 것이 바람직하고, 0.15 mJ/5 ㎜φ 이상 0.7 mJ/5 ㎜φ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.18 mJ/5 ㎜φ 이상 0.65 mJ/5 ㎜φ 이하인 것이 특히 바람직하다.

(2-4) 아크릴계 중합체 (A)

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물은, 바람직한 일 형태에 있어서, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A) 를 함유한다. 아크릴계 중합체 (A) 는, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 화합물에 기초하는 구성 단위를 그 골격을 구성하는 단위로서 포함하는 아크릴계 중합체이다. 아크릴계 중합체 (A) 는, 1 종류의 단량체가 중합하여 이루어지는 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 단량체가 중합하여 이루어지는 공중합체여도 된다. 중합체의 물리적 특성이나 화학적 특성을 제어하기 쉬운 관점에서, 아크릴계 중합체 (A) 는 공중합체인 것이 바람직하다.

아크릴계 중합체 (A) 의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하다. 이러한 아크릴계 중합체 (A) 는, 점착제 주제의 일반적인 기능인 점착제층의 응집성을 유지하는 효과를 발생시키는 것이고, 이와 같은 효과는 분자량이 높을수록, 더욱 발휘된다. 한편으로, 아크릴계 중합체 (A) 의 분자량이 과도하게 큰 경우에는, 점착제층을 제조하는 데에 있어서 박층화하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 따라서, 아크릴계 중합체 (A) 의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 아크릴계 중합체 (A) 의 유리 전이 온도 Tg 는, 바람직하게는 -70 ∼ 30 ℃, 더욱 바람직하게는 -60 ∼ 20 ℃ 의 범위에 있다. 또한, 본 명세서에 있어서의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다.

아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 반응성 관능기는, 후술하는 이소시아네이트계 가교제 (B) 와 가교 반응이 가능한 관능기이고, 수산기, 카르복실기, 아미노기 등이 예시된다. 이들 중에서도, 이소시아네이트계 가교제 (B) 에 관련된 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기가, 아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 반응성 관능기로서 바람직하다.

아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 에너지선 중합성기의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서, 비닐기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기 등을 들 수 있다. 중합 반응성이 우수한 관점에서, 에너지선 중합성기는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 에너지선이 조사되었을 때의 반응성의 높이의 관점에서 (메트)아크릴로일기가 보다 바람직하다.

에너지선 중합성기를 반응시키기 위한 에너지선으로는, 전리 방사선, 즉, X 선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.

전리 방사선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 취급의 용이함으로부터 파장 200 ∼ 380 ㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 이용하면 된다. 자외선량으로는, 아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 에너지선 중합성기의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적절히 설정하면 되고, 통상적으로 50 ∼ 500 mJ/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 mJ/㎠ 가 바람직하고, 150 ∼ 400 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 또한, 자외선 조도는, 통상적으로 50 ∼ 500 ㎽/㎠ 정도이고, 100 ∼ 450 ㎽/㎠ 가 바람직하고, 150 ∼ 400 ㎽/㎠ 가 보다 바람직하다. 자외선원으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등이 사용된다.

전리 방사선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 그 가속 전압에 대해서는, 아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 에너지선 중합성기의 종류나 점착제층의 두께에 따라 적절히 설정하면 되고, 통상적으로 가속 전압 10 ∼ 1000 ㎸ 정도인 것이 바람직하다. 또한, 조사선량은, 아크릴계 중합체 (A) 가 갖는 에너지선 중합성기의 반응이 적절히 진행되는 범위로 설정하면 되고, 통상적으로 10 ∼ 1000 krad 의 범위로 선정된다. 전자선원으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 코크로프트 월턴형, 반데그라프형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 혹은 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 사용할 수 있다.

아크릴계 중합체 (A) 는, 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A1) 과, 에너지선 중합성기를 갖는 이소시아네이트계 화합물 (A2) 가, 티탄 및 지르코늄의 적어도 일방을 함유하는 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하 반응함으로써 얻어진 것이다. 이와 같은 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하에서 반응함으로써, 얻어진 아크릴계 중합체 (A) 를 함유하는 점착제 조성물은, 적절한 조사 전 탄성률 및 적절한 택값을 갖는 점착제층을 형성하는 것이 가능해진다.

(2-4-1) 아크릴계 중합체 (A1)

아크릴계 중합체 (A1) 은, 전술한 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체이다. 아크릴계 중합체 (A1) 에 있어서의 반응성 관능기를 갖는 구성 단위를 부여하는 단량체 (m1) 의, 아크릴계 중합체 (A1) 을 부여하는 단량체 전체에 대한 질량 비율은, 5 질량％ 이상 30 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기의 질량 비율에 관한 규정을 만족함으로써, 아크릴계 중합체 (A1) 로부터 얻어진 아크릴계 중합체 (A) 를 함유하는 점착제 조성물은, 적절한 조사 전 탄성률 및 적절한 택값을 갖는 점착제층을 형성하는 것이 가능해진다. 상기의 질량 비율은, 7 질량％ 이상 25 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10 질량％ 이상 20 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 12 질량％ 이상 17 질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.

아크릴계 중합체 (A1) 이 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 경우를 구체예로 하여, 아크릴계 중합체 (A1) 을 형성하기 위한 단량체에 대하여 설명한다.

상기와 같은 수산기를 갖는 아크릴계 중합체 (A1) 을 형성하기 위한 원료가 될 수 있는 단량체 (본 명세서에 있어서 「원료 단량체」 라고도 한다) 로서, 수산기를 갖는 아크릴계 단량체 (본 명세서에 있어서 「하이드록시아크릴계 단량체」 라고 한다), 수산기를 갖는 비아크릴계 단량체, 수산기를 가지지 않는 아크릴계 단량체 및 수산기를 가지지 않는 비아크릴계 단량체를 들 수 있다. 수산기를 갖는 아크릴계 중합체 (A1) 은, 상기의 원료 단량체 중, 당해 중합체가 아크릴계의 중합체가 되도록, 하이드록시아크릴계 단량체 및 수산기를 가지지 않는 아크릴계 단량체의 적어도 1 종에서 유래하는 구성 단위를 포함함과 함께, 당해 중합체 (A1) 이 수산기를 갖도록, 하이드록시아크릴계 단량체 및 수산기를 갖는 비아크릴계 단량체의 적어도 1 종에서 유래하는 구성 단위를 포함한다.

하이드록시아크릴계 단량체의 구체예로서, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, N-메틸올아크릴아미드 등의 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 수산기를 갖는 비아크릴계 단량체의 구체예로서, 하이드록시아세트산비닐 등을 들 수 있다. 취급성을 높이는 관점이나 점착제층의 물성의 조정을 용이하게 하는 관점에서, 수산기를 갖는 아크릴계 중합체는, 하이드록시아크릴계 단량체에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 수산기를 갖는 단량체는, 아크릴계 중합체 (A) 에 있어서의 에너지선 중합성기의 존재량을 제어하는 것이 용이해지는 점에서, 수산기를 단 1 개 갖는 단량체가 바람직하다.

상기의 원료 단량체 중, 수산기를 가지지 않는 아크릴계 단량체의 구체예로서, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산에스테르, 그 유도체 (아크릴로니트릴 등) 를 구체예로서 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 추가로 구체예를 나타내면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등의 사슬형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 글리시딜(메트)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 이외의 반응성 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 수산기를 가지지 않는 아크릴계 단량체가 알킬(메트)아크릴레이트인 경우에는, 그 알킬기의 탄소수는 1 내지 18 의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 수산기를 가지지 않는 비아크릴계 단량체로는, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀, 아세트산비닐, 스티렌 등이 예시된다.

(2-4-2) 이소시아네이트계 화합물 (A2)

이소시아네이트계 화합물 (A2) 는, 에너지선 중합성기를 가짐과 함께, 아크릴계 중합체 (A1) 이 갖는 반응성 관능기와의 반응에 있어서 이소시아네이트기를 가질 수 있는 화합물이다. 이러한 이소시아네이트계 화합물로서, 이소시아네이트기를 갖는 화합물, 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물, 이소시아네이트기를 갖는 화합물의 뷰렛체나 이소시아누레이트체, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 에틸렌글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 비방향족성 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물인 어덕트체 등의 변성체 등이 예시된다.

이소시아네이트계 화합물 (A2) 의 구체예로서, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 들 수 있다. 이 외에, 적어도 1 개의 수산기가 잔류한 (메트)아크릴레이트와, 폴리이소시아네이트 화합물의 반응 생성물도 이소시아네이트계 화합물 (A2) 의 구체예로서 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴계 중합체 (A) 에 있어서의 에너지선 중합성기의 존재량을 제어하는 것이 용이해지는 점에서, 에너지선 중합성기를 단 1 개 갖는 이소시아네이트 화합물이 바람직하고, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트가 보다 바람직하다.

아크릴계 중합체 (A) 를 형성하기 위한 반응에 있어서, 화합물 (A2) 의 사용량은, 아크릴계 중합체 (A) 에 관련된 단량체 (m1) 에 대하여 0.4 당량 이상 0.8 당량 이하인 것이 바람직하다. 상기의 화합물 (A2) 의 사용량에 관한 규정을 만족함으로써, 아크릴계 중합체 (A1) 및 화합물 (A2) 로부터 얻어진 아크릴계 중합체 (A) 를 함유하는 점착제 조성물은, 이에 의해 얻어지는 점착제층이, 에너지선 조사 후에 과도하게 경화하거나, 에너지선 조사에 의해 피착면에 대한 점착성을 저하시키는 것이 불충분해지는 것을 회피할 수 있다. 그 결과, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 잘 발생하지 않게 된다. 상기의 단량체 (m1) 에 대한 화합물 (A2) 의 사용량은, 0.4 당량 이상 0.75 당량 이하인 것이 바람직하고, 0.45 당량 이상 0.7 당량 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5 당량 이상 0.7 당량 이하인 것이 특히 바람직하다.

(2-5) 이소시아네이트계 가교제 (B)

본 명세서에 있어서 「이소시아네이트계 가교제」 란, 폴리이소시아네이트 화합물로서, 가교성을 갖는 것의 총칭을 의미한다. 그 구체예로서, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트 ; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 비시클로헵탄트리이소시아네이트, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌디이소시아네이트, 수첨 (水添) 자일릴렌디이소시아네이트 등의 지환식 이소시아네이트 화합물 ; 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트 등의 비고리형 지방족 이소시아네이트 및 그 뷰렛체나 이소시아누레이트체, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 에틸렌글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 비방향족성 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물인 어덕트체 등의 변성체 등을 들 수 있다. 점착제 조성물에 있어서 이소시아네이트계 가교제 (B) 로서 기능하는 화합물은, 1 종류여도 되고, 복수 종류여도 된다.

점착제 조성물에 있어서의 이소시아네이트계 가교제 (B) 의 함유량은 한정되지 않는다. 이소시아네이트계 가교제 (B) 의 종류에 따라 적절히 설정된다. 한정되지 않는 예시로서, 점착제 조성물 전체에 대하여, 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 바람직하고, 0.05 질량％ 이상 7 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 특히 바람직하다.

(2-6) 유기 금속 촉매 (C)

유기 금속 촉매 (C) 는, 티탄 및 지르코늄의 적어도 일방을 함유한다. 구체적으로는, 티탄 및 지르코늄의 적어도 일방을 함유하는 유기 금속 화합물로 이루어진다. 이러한 유기 금속 화합물로서, 이들 금속 원소의 알콕시드, 킬레이트, 아실레이트 등이 예시되고, 구체예로서, 티탄알콕시드, 티탄킬레이트, 지르코늄알콕시드, 지르코늄킬레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유기 금속 화합물이 함유하는 금속 원소가 지르코늄을 포함하는 것이 바람직하고, 이러한 금속 원소가 지르코늄인 것이 바람직하다. 또한, 유기 금속 화합물은 킬레이트 화합물인 것이 바람직하다. 따라서, 유기 금속 촉매 (C) 는, 지르코늄 함유 킬레이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 지르코늄 함유 킬레이트 화합물로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.

유기 금속 촉매 (C) 는 주석 함유 유기 금속 화합물을 함유하지 않는 것이 바람직하다. 이유는 명확하지 않지만, 점착제 조성물이 유기 금속 촉매 (C) 가 주석 함유 유기 금속 화합물을 함유하지 않는 경우에는, 적절한 조사 전 탄성률 및 적절한 택값을 갖는 점착제층을 형성하기 쉬워진다.

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위한 반응에 있어서 사용되는 유기 금속 촉매 (C) 의 사용량은 한정되지 않는다. 당해 사용량은, 아크릴계 중합체 (A1) 의 고형분 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 0.5 질량부 이하가 바람직하고, 0.01 질량부 이상 0.3 질량부 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량부 이상 0.25 질량부 이하가 특히 바람직하다.

(2-7) 그 밖의 성분

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물은, 상기의 성분에 더하여, 광 중합 개시제 (D), 점착 부여 수지, 염료나 안료 등의 착색 재료, 난연제, 필러, 대전 방지제 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.

여기서, 광 중합 개시제 (D) 에 대하여 약간 상세하게 설명한다. 광 중합 개시제 (D) 로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 예시할 수 있다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 광 중합 개시제 (D) 를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.

(2-8) 점착제 조성물의 제조 방법

본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층이, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A), 및 반응성 관능기와 가교 반응이 가능한 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것인 경우에 있어서, 그 점착제 조성물의 제조 방법은 한정되지 않는다. 다음에 설명하는 방법에 의해 제조하는 것이 바람직하다.

먼저, 제 1 공정으로서, 아크릴계 중합체 (A1) 과 이소시아네이트계 화합물 (A2) 를, 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하 반응시켜, 아크릴계 중합체 (A) 및 유기 금속 촉매 (C) 에 기초하는 성분을 포함하는 생성물을 얻는다. 상기의 반응에 있어서 적절한 용매를 사용해도 된다. 제 1 공정에 관련된 반응의 반응 조건은, 반응 원료인 아크릴계 중합체 (A1), 이소시아네이트계 화합물 (A2) 및 유기 금속 촉매 (C) 의 종류 및 함유량에 따라 적절히 설정된다. 이러한 반응에 의해 아크릴계 중합체 (A) 및 유기 금속 촉매 (C) 에 기초하는 성분을 포함하는 생성물을 얻을 수 있다. 유기 금속 촉매 (C) 에 기초하는 성분은, 촉매 활성을 유지하고 있는 것이 바람직하다. 촉매 활성을 유지하고 있음으로써, 점착제 조성물로부터 점착제층을 형성할 때에 발생하는 아크릴계 중합체 (A) 와 이소시아네이트계 가교제 (B) 의 반응의 촉매로서, 유기 금속 촉매 (C) 에 기초하는 성분을 기능시킬 수 있다.

제 1 공정 다음에 실시되는 제 2 공정에서는, 제 1 공정의 생성물, 이소시아네이트계 가교제 (B), 및 필요에 따라 광 중합 개시제 (D) 등을 포함하는 혼합체를 점착제 조성물로서 얻는다. 제 1 공정의 생성물은, 아크릴계 중합체 (A) 를 포함하는 한, 용매 제거 등의 프로세스를 거친 것이어도 된다. 혼합 방법은 한정되지 않고, 혼합체의 균일성이 높아지도록 적절히 설정하면 된다.

(3) 박리 시트

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 그 점착제층을 피착체인 몰드 패키지 (반도체 패키지를 구체예로서 들 수 있다) 에 첩부할 때까지의 사이에 있어서 점착제층을 보호할 목적으로, 점착제층의 기재에 대향하는 측과 반대측의 면에, 박리 시트의 박리면이 첩합되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이고, 플라스틱 필름에 박리제를 도포한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하고 안정적인 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 상기의 박리 시트의 플라스틱 필름 대신에, 글라신지, 코트지, 상질지 등의 종이 기재 또는 종이 기재에 폴리에틸렌 등의 열 가소성 수지를 라미네이트한 라미네이트지를 사용해도 된다. 그 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 20 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하 정도이다.

2. 다이싱 시트의 제조 방법

본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 제조 방법은 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층이, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A), 및 반응성 관능기와 가교 반응이 가능한 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것인 경우에는, 전술한 점착제 조성물로부터 형성되는 점착제층을 기재의 하나의 면에 적층할 수 있으면, 상세한 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면, 전술한 점착제 조성물, 및 원하는 바에 따라 추가로 용매를 함유하는 도공액을 조제하고, 기재의 하나의 면 상에, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등에 의해 그 도공액을 도포하고, 당해 하나의 면 상의 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 실시하는 것이 가능하면 그 성상은 특별히 한정되지 않고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 분산질로서 함유하는 경우도 있다.

상기의 건조 조건 (온도, 시간 등) 을 조정함으로써, 또는 별도 가교를 위한 가열 처리를 형성함으로써, 도막 내의 아크릴계 중합체 (A) 와 이소시아네이트계 가교제 (B) 의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기의 방법 등에 의해 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 다이싱 시트를, 예를 들어 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 환경에 수일간 정치 (靜置) 한다는 양생이 통상적으로 실시된다.

혹은, 상기의 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도포하여 도막을 형성하고, 이것을 건조시켜 점착제층과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성하고, 이 적층체의 점착제층에 있어서의 박리 시트에 대향하는 측과 반대측의 면을, 기재의 하나의 면에 첩부하여, 다이싱 시트와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 되고, 몰드 패키지에 첩부할 때까지 박리하지 않고, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 제조 방법은, 다음 공정의 어느 것을 구비한다 :

아크릴계 중합체 (A) 및 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물을, 기재의 일방의 면에 도포하고, 얻어진 도막으로부터 점착제층을 형성하고, 상기 다이싱 시트를 얻는 공정 ; 및

점착제 조성물을 박리 시트의 박리면에 도포하고, 얻어진 도막으로부터 점착제층을 형성하고, 박리 시트 상의 점착제층에 있어서의 박리 시트에 대향하는 측과 반대측의 면을 기재의 일방의 면에 첩부하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 첩부된 상태로 얻는 공정.

여기서, 전술한 바와 같이, 아크릴계 중합체 (A) 는, 아크릴계 중합체 (A1) 과 이소시아네이트계 화합물 (A2) 가 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하 반응함으로써 얻어진 것이고, 아크릴계 중합체 (A1) 에 있어서의 단량체 (m1) 의 아크릴계 중합체 (A1) 을 부여하는 단량체 전체에 대한 질량 비율은 5 질량％ 이상 30 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 아크릴계 중합체 (A) 를 형성하기 위한 반응에 있어서, 화합물 (A2) 의 사용량은, 단량체 (m1) 에 대하여 0.4 당량 이상 0.9 당량 이하인 것이 바람직하다.

3. 몰드 칩의 제조 방법

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트를 사용하여 몰드 패키지로부터 몰드 칩을 제조하는 방법을, 몰드 패키지가 반도체 패키지로 이루어지는 경우를 구체예로 하여 이하에 설명한다.

반도체 패키지는 상기 서술한 바와 같이 기대의 집합체의 각 기대 상에 반도체 칩을 탑재하고, 이들 반도체 칩을 일괄하여 수지 봉지한 전자 부품 집합체인데, 통상적으로 기판면과 수지 봉지면을 갖고, 그 두께는 200 ∼ 2000 ㎛ 정도이다. 수지 봉지면은 그 표면의 산술 평균 거칠기 Ra (JIS B 0601 : 2001 (ISO 4287 : 1997)) 가 0.5 ㎛ 정도로 거칠고, 또한, 봉지 장치의 형으로부터의 취출을 용이하게 하기 위해서, 봉지 재료가 이형 성분을 함유하고 있는 경우가 있다. 이 때문에, 수지 봉지면에 점착 시트를 첩부한 경우, 충분한 고정 성능이 발휘되지 않는 경향이 있다.

이 반도체 패키지 (몰드 패키지) 의 수지 봉지면은, 레이저 가공 등에 의해 수지 재료가 제거되어 형성된 오목부에 의해 화성된 인자부를 갖는다. 반도체 패키지는, 인자부 이외의 수지 봉지 표면과 인자부의 평면 사이에서 높낮이차를 갖고, 본 명세서에 있어서 이 높낮이차를 인자부의 오목부의 (평균) 깊이라고 한다. 인자부에 의한 인자의 시인성을 향상시키는 관점에서, 인자부의 오목부의 평균 깊이는, 0.5 ㎛ 이상이 바람직하고, 0.5 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 인자부의 오목부의 평균 깊이는, 다음과 같이 하여 구한 것으로 한다. 레이저 현미경으로 반도체 패키지의 인자부 이외의 수지 봉지 표면과 인자부를 구성하는 오목부의 평면을 관측하고, 그 높낮이차를 측정한다. 또한, 인자부와 인자부 이외의 경계선을 포함하는 영역에서의 5 점을 측정점으로 하고, 측정점에 있어서의 높낮이차의 평균치를 인자부의 오목부의 평균 깊이로 한다.

본 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 사용에 있어서, 점착제층측의 면 (즉, 점착제층의 기재측과 반대측의 면) 을 반도체 패키지 (몰드 패키지) 의 수지 봉지면에 첩부한다.

또한, 다이싱 시트의 점착제층측의 면에 박리 시트가 첩부되어 있는 경우에는, 그 박리 시트를 박리하여 점착제층측의 면을 표출시키고, 반도체 패키지의 수지 봉지면에 그 면을 첩부하면 된다. 다이싱 시트의 외주부는, 통상적으로 그 부분에 형성된 점착제층에 의해, 링 프레임이라고 불리는 반송이나 장치에 대한 고정을 위한 환상의 지그에 첩부된다. 점착제층은, 택값 등이 적절하기 때문에, 다이싱 시트에 첩부된 반도체 패키지를 다이싱 공정에 제공해도, 반도체 패키지가 개편화되어 이루어지는 몰드 칩이 가공 중에 비산할 가능성은 저감되어 있다.

다이싱 공정에 의해 형성되는 몰드 칩의 사이즈는 통상적으로 5 ㎜ × 5 ㎜ 이하이고, 최근에는 1 ㎜ × 1 ㎜ 정도가 되는 경우도 있는데, 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 점착제층은 택값이 적절하기 때문에, 그러한 파인 피치의 다이싱에도 충분히 대응할 수 있다.

이상의 다이싱 공정을 실시하는 것에 의해 반도체 패키지로부터 복수의 몰드 칩을 얻을 수 있다. 다이싱 공정 종료 후, 다이싱 시트 상에 근접 배치된 복수의 몰드 칩을 픽업하기 쉽도록, 통상적으로는, 다이싱 시트를 주면 내 방향으로 신장하는 익스팬드 공정이 실시되는 경우도 있다. 이 신장의 정도는, 인접하는 몰드 칩이 가져야 하는 간격, 기재의 인장 강도 등을 고려하여 적절히 설정하면 된다.

필요에 따라 실시된 익스팬드 공정을 실시한 후, 흡인 콜릿 등의 범용 수단에 의해, 점착제층 상의 몰드 칩의 픽업을 실시한다. 픽업된 몰드 칩은, 반송 공정 등 다음 공정으로 제공된다.

다이싱 공정의 종료 후, 픽업 공정 개시까지, 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 기재측으로부터 에너지선 조사를 실시하면, 다이싱 시트가 구비하는 점착제층 내부에 있어서, 이것에 함유되는 에너지선 중합성기의 반응이 진행되어, 몰드 칩의 면에 대한 점착제층의 점착성을 저하시킬 수 있다. 게다가, 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 구비하는 점착제층은, 적절한 점착제 조성물로부터 형성되어 있기 때문에, 피착체인 반도체 패키지의 수지 봉지면의 오목부 내, 특히 인자부를 구성하는 오목부 내에, 점착제층을 구성하는 재료가 잘 잔류하지 않는다. 이 때문에, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제가 특히 잘 발생하지 않는다.

상기와 같이, 본 실시형태에 관련된 몰드 칩의 제조 방법은 칩 비산이 잘 발생하지 않고, 그 후 공정에 있어서도, 문제가 잘 발생하지 않는다. 이 때문에, 반도체 패키지 등의 몰드 패키지를 복수의 몰드 칩으로 분할하는 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐 다음 공정에 이를 때까지의 일련의 공정에서, 수율이 잘 저하하지 않는다. 그러므로, 본 실시형태에 관련된 다이싱 시트를 사용하는 본 실시형태에 관련된 제조 방법에 의해 얻어진 몰드 칩은, 비용적으로 유리한 것이 되기 쉽다. 또한, 칩 비산은, 이들 문제에 직접적으로 관련하는 몰드 칩 이외에, 칩의 충돌 등에 의해, 동(同) 로트에서 제조된 몰드 칩이 결손 등의 문제를 발생시키는 경우가 있다. 따라서, 본 실시형태에 관련된 몰드 칩의 제조 방법에 의해 제조된 몰드 칩은, 그러한 문제를 가질 가능성이 저감되어, 품질이 우수하다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

실시예

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.

〔실시예 1〕

(1) 도공액의 조제

다음의 조성을 갖는 도공액을 조제하였다.

75 질량부의 2-에틸헥실아크릴레이트와 10 질량부의 메틸메타크릴레이트와 15 질량부의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 를 공중합하여, 공중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 70 만) 를, 아크릴계 중합체 (A1) 로서 얻었다.

화합물 (A2) 로서의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 와, 상기의 아크릴계 중합체 (A1) 을, 유기 금속 촉매 (C) 로서의 지르코늄킬레이트 촉매 (마츠모토 파인 케미컬사 제조 「ZC-700」) 의 존재하, 반응시켰다. 화합물 (A2) 의 사용량은, 아크릴계 중합체 (A1) 에 있어서의 반응성 관능기인 수산기를 갖는 구성 단위를 부여하는 단량체 (m1) 로서 위치가 부여되는 HEA 에 대하여 0.6 당량이었다. 유기 금속 촉매 (C) 의 첨가량은, 아크릴계 중합체 (A1) 의 고형분 100 질량부에 대하여 0.1 질량부였다. 상기의 반응에 의해, 아크릴계 중합체 (A) 및 유기 금속 촉매 (C) 에 기초하는 성분을 포함하는 생성물을 얻었다.

상기의 생성물과, 생성물 중의 아크릴계 중합체 (A) 100 질량부에 대하여, 0.3 질량부의 이소시아네이트계 가교제 (B) (토요켐사 제조 「BHS-8515」) 및 3.0 질량부의 광 중합 개시제 (D) (BASF 사 제조 「이르가큐어 (등록상표) 184」) 를 배합 (모두 고형분 환산에 의한 배합비) 하여, 점착제 조성물을 얻었다.

(2) 다이싱 시트의 제작

두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 기재 필름의 일방의 면 상에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리면을 구비하는 박리 시트 (린텍사 제조 「SP-PET381031」) 를 준비하였다. 이 박리 시트의 박리면 상에, 전술한 도공액을 나이프 코터로 도포하였다. 얻어진 도막을 박리 시트째로 100 ℃ 의 환경하에서 1 분간 경과시킴으로써 도막을 건조시킴과 함께 가교 반응을 진행시켜, 박리 시트와 점착제층 (두께 10 ㎛) 으로 이루어지는 적층체를 얻었다.

두께 140 ㎛ 의 에틸렌-메타크릴산 공중합체 (EMAA) 필름으로 이루어지는 기재의 일방의 면 (코로나 처리 완료, 표면 장력 : 54 mN/m) 에, 상기의 적층체의 점착제층측의 면을 첩부하여, 기재와 점착제층으로 이루어지는 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 추가로 적층된 상태로 얻었다.

〔실시예 2〕

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위해서 사용한 유기 금속 촉매 (C) 를, 지르코늄킬레이트 촉매 대신에, 티탄킬레이트 촉매 (마츠모토 파인 케미컬사 제조 「TC-750」) 로 하고, 그 사용량을, 아크릴계 중합체 (A1) 의 고형분 100 질량부에 대하여 0.03 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 1〕

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위해서 사용한 유기 금속 촉매 (C) 를, 지르코늄킬레이트 촉매 대신에, 주석 촉매 (토요켐사 제조 「BXX-3778」) 로 하고, 그 사용량을, 아크릴계 중합체 (A1) 의 고형분 100 질량부에 대하여 0.03 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔실시예 3〕

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위해서 사용한 화합물 (A2) 로서의 MOI 의 사용량을, HEA 에 대하여 0.7 당량으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 2〕

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위해서 사용한 화합물 (A2) 로서의 MOI 의 사용량을, HEA 에 대하여 0.9 당량으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 3〕

아크릴계 중합체 (A) 를 얻기 위해서 사용한 화합물 (A2) 로서의 MOI 의 사용량을, HEA 에 대하여 0.3 당량으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 4〕

점착제층의 두께를 30 ㎛ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 5〕

85 질량부의 2-에틸헥실아크릴레이트와 15 질량부의 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 공중합하여 공중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 70 만) 를 얻었다. 아크릴계 중합체 (A1) 대신에 이 공중합체를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

〔비교예 6〕

점착제 조성물을, 다음에 설명하는 방법에 의해 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 다이싱 시트를, 점착제층측의 면에 박리 시트가 적층된 상태로 얻었다.

공중합체 100 질량부에 대하여, 가교제를 10 질량부, 에너지선 경화성 화합물을 40 질량부 (배합량은 모두 고형분량) 첨가하여, 유기 용매의 용액으로서의 점착제 도공용 조성물을 얻었다.

상기의 공중합체, 가교제 및 에너지선 경화성 화합물의 상세한 것은 다음과 같았다.

공중합체 : 2-에틸헥실아크릴레이트/메틸아크릴레이트/아크릴산 = 50/40/10 의 조성비, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 : 80 만

가교제 : 트리메틸올프로판톨릴렌디이소시아네이트 (TDI-TMP), 토요켐사 제조 「BHS 8515」

에너지선 경화성 화합물 : 10 관능 우레탄아크릴레이트, 분자량 : 1700, 닛폰 합성 화학 공업사 제조 「UV-1700B」

〔시험예 1〕＜칩 비산의 평가＞

반도체 패키지용 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조 「G700」) 를 사용하여, 50 ㎜ × 50 ㎜, 두께 600 ㎛ 이고, 봉지 수지면의 산술 평균 거칠기 Ra 가 1 ㎛ 인 모의 반도체 패키지를 제작하였다. 상기의 실시예 및 비교예에 의해 제조한 다이싱 시트의 점착제층측의 면을, 테이프 마운터 (린텍사 제조 「Adwill RAD2500」) 를 사용하여, 상기 서술한 제작한 모의 반도체 패키지의 봉지 수지면에 첩부하였다. 이렇게 하여 얻어진 다이싱 시트와 모의 반도체 패키지의 적층체를 다이싱용 링 프레임 (디스코사 제조 「2-6-1」) 에 장착하고, 다이싱 장치 (디스코사 제조 「DFD-651」) 를 사용하여, 모의 반도체 패키지측으로부터 절단하는 다이싱 공정을 실시하여, 1 ㎜ × 1 ㎜ 의 크기의 몰드 칩으로 분할하였다. 또한, 다이싱 조건은 하기와 같았다.

다이싱 블레이드 : 디스코사 제조 「ZBT-5074 (Z1110LS3)」

블레이드 두께 : 0.17 ㎜

날 꺼냄량 : 3.3 ㎜

블레이드 회전수 : 30000 rpm

절단 속도 : 100 ㎜/분

기재로의 절입 깊이 : 50 ㎛

절삭수량 : 1.0 ℓ/min

절삭수 온도 : 20 ℃

다이싱 공정에 의해 얻어진, 다이싱 시트의 점착제층측의 면에 몰드 칩이 부착하여 이루어지는 부재를 육안으로 관찰하여, 다이싱 공정 중에 다이싱 시트로부터 탈락해 있는 몰드 칩의 개수를 세어, 그 개수를 다이싱 공정에 있어서의 분할수로 나누어, 칩 비산률 (단위 : ％) 을 구하였다. 칩 비산률이 10 ％ 미만인 경우를 양호라고 판단하고, 10 ％ 이상인 경우를 불량이라고 판단하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 표 1 중, 「A」 는 양호라고 판단된 것을 의미하고, 「B」 는 불량이라고 판단된 것을 의미한다.

〔시험예 2〕＜몰드 칩에 있어서의 인자 시인성의 평가＞

반도체 패키지용 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조 「G700」) 를 사용하여, 50 ㎜ × 50 ㎜, 두께 600 ㎛ 이고, 봉지 수지면의 산술 평균 거칠기 Ra 가 1 ㎛ 인 모의 반도체 패키지를 제작하였다. 모의 반도체 패키지의 수지 봉지면에, 다음의 조건으로 인자 가공을 실시하여, 인자부를 형성하였다.

레이저 인자 장치 : Panasonic 사 제조 「LP-V10U-W20」

인자용 레이저 : FAYb Laser

레이저 파장 : 1064 ㎚

스캔 스피드 : 400 ㎜/초

인자 펄스 주기 : 1000 ㎲

인자부의 오목부의 평균 깊이는 2 ㎛ 였다. 인자부의 오목부의 평균 깊이는 다음과 같이 하여 구하였다. 레이저 현미경 (KEYENCE 사 제조 「VK-9700」) 으로 반도체 패키지의 인자부 이외의 수지 봉지 표면과 인자부를 구성하는 오목부의 평면을 관측하고, 그 높낮이차를 측정하였다. 또한, 인자부와 인자부 이외의 경계선을 포함하는 영역에서의 5 점을 측정점으로 하여, 측정점에 있어서의 높낮이차의 평균치를 인자부의 오목부의 평균 깊이로 하였다.

상기의 실시예 및 비교예에 의해 제조한 다이싱 시트의 점착제층측의 면을, 테이프 마운터 (린텍사 제조 「Adwill RAD2500」) 를 사용하여, 상기 서술한 제작한 모의 반도체 패키지의 봉지 수지면에 첩부하였다. 이렇게 하여 얻어진 다이싱 시트와 모의 반도체 패키지의 적층체를 다이싱용 링 프레임 (디스코사 제조 「2-6-1」) 에 장착하고, 다이싱 장치 (디스코사 제조 「DFD-651」) 를 사용하여, 모의 반도체 패키지측으로부터 절단하는 다이싱 공정을 실시하여, 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 크기의 몰드 칩으로 분할하였다. 또한, 다이싱 조건은 하기와 같았다.

다이싱 블레이드 : 디스코사 제조 「ZBT-5074 (Z1110LS3)」

블레이드 두께 : 0.17 ㎜

날 꺼냄량 : 3.3 ㎜

블레이드 회전수 : 30000 rpm

절단 속도 : 100 ㎜/분

기재로의 절입 깊이 : 50 ㎛

절삭수량 : 1.0 ℓ/min

절삭수 온도 : 20 ℃

상기의 다이싱 공정의 완료 후, 다이싱 시트에 몰드 칩 군이 배치된 상태로 30 일간 정치하였다. 30 일간의 정치 후, 자외선 조사 장치 (린텍사 제조 RAD-2000m/12) 를 이용하여, 다이싱 공정 후의 다이싱 시트의 기재측으로부터, 질소 분위기하에서 자외선 조사 (조도 230 ㎽/㎠, 광량 190 mJ/㎠) 를 실시하였다.

자외선 조사 후, 다이싱 시트의 점착제층측의 면에 몰드 칩이 부착하여 이루어지는 부재에 있어서의 다이싱 시트를, 익스팬드 장치 (제이씨엠사 제조 「ME-300B 타입」) 를 사용하여, 속도 1 ㎜/초로 당해 시트의 주면 내 방향으로 20 ㎜ 신장시키는 익스팬드 공정을 실시하였다.

계속해서, 다이싱 시트 상에 위치하는 100 개의 몰드 칩을 픽업 시험하였다. 즉, 다이싱 시트에 있어서의 픽업 대상으로 하는 몰드 칩에 접하는 부분을, 기재측으로부터 니들로 1.5 ㎜ 밀어 올리고, 돌출된 몰드 칩의 다이싱 시트에 대향하는 측과 반대측의 면에 진공 콜릿을 부착시켜, 진공 콜릿에 부착한 몰드 칩을 들어 올렸다.

픽업된 몰드 칩의 수지 봉지면의 인자부를 포함하는 영역을 관찰하고, 필요에 따라 현미 FT-IR (퍼킨 엘머사 제조 「Spectrum One」) 에 의해 인자부의 오목부를 측정하여, 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성을 다음의 기준으로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

A : 인자의 시인성이 저하되었다고 확인되는 몰드 칩은 없었다.

B : 인자의 시인성이 조금 저하되었다고 확인되는 몰드 칩이 존재했지만, 대부분의 몰드 칩에 대해서는 시인성의 저하는 확인되지 않았다. 시인성이 조금 저하되었다고 확인되는 몰드 칩에 대해서는, 현미 FT-IR 을 사용하여 인자부의 오목부를 측정했지만, 점착제층을 구성하는 재료로 동정되는 물질의 부착은 확인되지 않았다.

C : 인자의 시인성이 조금 저하되었다고 확인되는 몰드 칩이 상당수 존재하였다. 시인성이 조금 저하되었다고 확인되는 몰드 칩에 대해서는, 현미 FT-IR 을 사용하여 인자부의 오목부를 측정했지만, 점착제층을 구성하는 재료로 동정되는 물질의 부착은 확인되지 않았다.

D : 인자의 시인성이 분명하게 저하되었다고 확인되는 몰드 칩이 존재하였다. 시인성이 분명하게 저하되었다고 확인되는 몰드 칩에 대해서는, 현미 FT-IR 을 사용하여 인자부의 오목부를 측정한 결과, 점착제층을 구성하는 재료로 동정되는 물질의 부착이 확인되었다.

〔시험예 3〕＜택값의 측정＞

실시예 및 비교예에 있어서 제조한 다이싱 시트가 구비하는 점착제층에 있어서의 에너지선이 조사되기 전의 상태의 면에 대하여, 직경 5 ㎜ (5 ㎜φ) 의 프로브를 사용하여, 프로브 택 시험기 (레스카사 제조 「RPT-100」) 에 의해 측정하였다. 측정 방법은, JIS Z 0237 : 1991 에 기재된 방법에 있어서, 박리 속도를 1 ㎜/분으로 변경하는 한편, 하중은 100 gf/㎠, 접촉 시간은 1 초간으로, 상기의 JIS 규정의 기재된 바와 같이 하였다. 측정한 에너지량 (피크 적산치) 을 구하고, 택값 (단위 : mJ/5 ㎜φ) 으로 하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

〔시험예 4〕＜점착제층의 두께의 측정＞

실시예 및 비교예에 있어서 사용한 점착제 조성물을, 두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 일방의 면 상에, 실시예 및 비교예와 동일 조건으로 도포·건조시켜, 필름과 점착제층으로 이루어지는 적층체를 얻었다. 이 적층체의 두께를, 정압 두께 측정기 (테크로크사 제조 「PG-02J」) 를 사용하여 측정하고, 얻어진 측정치로부터 필름의 두께를 빼서, 점착제층의 두께 (단위 : ㎛) 를 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

〔시험예 5〕＜조사 전 탄성률 및 조사 후 탄성률의 측정＞

실시예 및 비교예에 있어서 사용한 점착제 조성물을, 두께 38 ㎛ 의 박리 필름 (린텍사 제조 「SP-PET381031」) 의 박리면 상에 건조 후의 두께가 40 ㎛ 가 되도록 도포하고, 얻어진 도막 및 박리 필름으로 이루어지는 적층체를 100 ℃ 에서 1 분간 유지함으로써, 도막의 건조를 실시하였다. 이 순서에 의해 얻어지는 박리 필름 상의 점착제층을 복수 준비하여, 두께 800 ㎛ 가 될 때까지 첩합한 적층체를 제작하고, 직경 10 ㎜ 의 원형으로 타발하여 측정을 위한 시료로 하였다. 점탄성 측정 장치 (TA 인스트루먼트사 제조 「ARES」) 에 의해, 시료에 주파수 1 ㎐ 의 변형을 가하여, -50 ∼ 150 ℃ 의 저장 탄성률을 측정하여, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률의 값을 조사 전 탄성률 (단위 : ㎪) 로서 얻었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

상기와 동일하게 하여, 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 점착제 조성물로부터 형성된 점착제층이 박리 필름 상에 적층된 부재를 얻었다. 당해 부재에 대하여, 자외선 조사 장치 (린텍사 제조 RAD-2000m/12) 를 이용하여, 상기 부재의 박리 필름측으로부터, 질소 분위기하에서 자외선 조사 (조도 230 ㎽/㎠, 광량 190 mJ/㎠) 를 실시하였다. 자외선 조사 후의 부재에 대하여, 상기의 조사 전 탄성률의 측정의 경우와 동일한 작업을 실시하여, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률의 값을 조사 후 탄성률 (단위 : ㎫) 로서 얻었다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 조건을 만족하는 실시예의 다이싱 시트는, 다이싱 공정에 있어서 문제가 잘 발생하지 않고, 전술한 몰드 칩에 있어서의 인자 시인성에 관한 문제도 잘 발생하지 않는다고 할 수 있는 것이었다.

산업상 이용가능성

본 발명에 관련된 다이싱 시트는, 피착면인 수지 봉지면에 인자부를 갖는 몰드 패키지의 다이싱 시트로서 바람직하게 사용된다.

Claims (7)

1. 기재와, 상기 기재의 적어도 일방의 면에 적층된 점착제층을 구비한 다이싱 시트로서,
   상기 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서 50 ㎪ 이상 80 ㎪ 이하, 또한 에너지선이 조사된 후의 상태에 있어서 5.0 ㎫ 이상 120 ㎫ 이하이고,
   상기 점착제층의 두께는 20 ㎛ 미만이고,
   상기 점착제층의 면은, 에너지선이 조사되기 전의 상태에 있어서, JIS Z 0237 : 1991 에 기재된 방법에 있어서, 박리 속도를 1 ㎜/분으로 변경한 조건에 의해 프로브 택을 사용하여 측정한 에너지량이, 0.10 mJ/5 ㎜φ 이상 0.8 mJ/5 ㎜φ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
2. 제 1 항에 있어서,
   사용에 있어서, 상기 점착제층의 상기 기재측과 반대측의 면에는, 몰드 패키지의 수지 봉지면이 첩부되고,
   상기 수지 봉지면은 오목부에 의해 형성된 인자부를 갖는, 다이싱 시트.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 수지 봉지면의 상기 인자부의 오목부의 평균 깊이가 0.5 ㎛ 이상인, 다이싱 시트.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 점착제층은, 에너지선 중합성기 및 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A), 및 상기 반응성 관능기와 가교 반응이 가능한 이소시아네이트계 가교제 (B) 를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이고,
   상기 아크릴계 중합체 (A) 는, 상기 반응성 관능기를 갖는 아크릴계 중합체 (A1) 과, 상기 에너지선 중합성기를 갖는 이소시아네이트계 화합물 (A2) 가, 티탄 및 지르코늄의 적어도 일방을 함유하는 유기 금속 촉매 (C) 의 존재하에서 반응함으로써 얻어진 것인, 다이싱 시트.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 아크릴계 중합체 (A1) 에 있어서의 상기 반응성 관능기를 갖는 구성 단위를 부여하는 단량체 (m1) 의, 상기 아크릴계 중합체 (A1) 을 부여하는 단량체 전체에 대한 질량 비율이, 5 질량％ 이상 30 질량％ 이하이고,
   상기 아크릴계 중합체 (A) 를 형성하기 위한 반응에 있어서, 상기 화합물 (A2) 의 사용량은, 상기 단량체 (m1) 에 대하여 0.4 당량 이상 0.8 당량 이하인, 다이싱 시트.
6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
   상기 유기 금속 촉매 (C) 는 지르코늄 함유 킬레이트 화합물을 포함하는, 다이싱 시트.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 시트의 상기 점착제층측의 면을, 상기 몰드 패키지의 상기 수지 봉지면에 첩부하고, 상기 다이싱 시트 상의 상기 몰드 패키지를 절단하여 개편화하여, 복수의 몰드 칩을 얻는, 몰드 칩의 제조 방법.