CN107408500B - 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种切割片，其具备基材与层叠于基材的至少一个面的粘着剂层，其中，粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物形成；粘着剂层于23℃的储能模量，在能量线照射前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下，并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上；粘着剂层的厚度小于20μm，粘着剂层的面，在照射能量线前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上、0.8mJ/5mmφ以下。

Description

切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及一种对树脂密封多个半导体芯片等芯片状部件而成的半导体封装等模具封装进行切割时使用的切割片。此外，本发明涉及一种上述切割片的制造方法、以及使用上述切割片的模具芯片的制造方法。
背景技术
关于半导体芯片等芯片状部件被树脂密封而成的部件(本说明书中称为“模具芯片”)，如果以被密封的芯片状部件为半导体芯片的情况为例，通常如下所述进行制作。
首先，在如TAB卷带的多个基台连接而成的集合体的各基台上装载半导体芯片，对这些半导体芯片全部一起进行树脂密封，获得电子部件集合体(本说明书中称为“半导体封装”)。
接着，在半导体封装的一个面上，通过粘贴具有基材与粘着剂层的粘着片(本说明书中称为“切割片”)，使半导体封装对切割片固定。将固定于切割片的半导体封装切断分离(切割)，使其单片化，制作多个模具芯片被邻近配置在切割片上的构件(切割工序)。
通常切割片的粘着剂层被设计为，可通过特定刺激减少粘着剂层相对于被粘着面的粘着性，作为特定刺激，举例来说，可采用能量线照射。另外，还包括在进行以下的工序前，对切割片照射能量线，使粘着剂层相对于被粘着面的粘着性降低的工序。
接着，根据需要，使该部件中的切割片扩展(Expand)(往主面内方向延展)，使切割片上配置的模具芯片的间隔拓宽(扩展工序)。
将成为如此在切割片上相互隔离的状态的模具芯片逐个拾取(Pick up)后，使其从切割片上分离(拾取工序)，移送至接着的工序。此时，由于包括使上述粘着剂层相对于模具芯片面的粘着性降低的工序，因此容易进行拾取。
在该一系列的工序中，在切割工序中，要求半导体封装以及将其切割而成的模具芯片维持被固定于切割片上的状态。从实现该目的的观点来看，优选切割片的粘着剂层相对于该半导体封装面以及模具芯片面的在照射能量线前的粘着性高。
在此，在切割片的被粘物为半导体封装的情况下，被粘着面通常为密封树脂的面，比起将半导体晶圆作为被粘物的情况，有被粘着面的凹凸变大的倾向。因此，若将以半导体晶圆作为被粘物的切割片，转用作在对于半导体封装的上述工序中使用的切割片，则相对于被粘着面的上述粘着性变得不充分，在切割工序中，切断半导体封装中，产生半导体封装被单片化而成的模具芯片自切割片剥离而飞散的不良情况。以下，将切割工序中所产生的该不良情况称为“芯片飞散”。
以减少产生该芯片飞散的可能性为目的，例如，如引用文献1中所记载，关于切割片的粘着剂层，使之含有用于提高照射能量线前的状态下的相对于被粘着面的粘着性的树脂材料(本说明书中称为“增粘树脂”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开第2005-229040号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
从提升粘着剂层对被粘着面的粘着性的观点来看，作为增粘树脂，一般的松香类材料为优选材料。然而，本发明人们经过详细地研究后明白，在粘着剂层含有增粘树脂这样的分子量较低的材料的情况下，有时不能恰当进行拾取工序。具体而言，有时在拾取工序中发生模具芯片无法拾取的不良状况。以下，将拾取工序中所发生的不良情况统称为“拾取不良”。
此外，切割工序中，有时要求降低产生所谓的“残胶”的可能性，所谓的“残胶”是指，在模具封装单片化而成的模具芯片上附着有由切割片的粘着剂层等组成的物质。若产生残胶，则在切割工序以及其后的工序中，有时模具芯片的操作性会降低。在本说明书中，将残胶视为切割工序中的不良状况之一。
本发明的目的在于，提供一种对于切割工序以及拾取工序中的所有工序，发生不良状况(具体而言，例如芯片飞散、残胶以及拾取不良)的可能性被降低了的切割片及其制造方法、以及使用该切割片的模具芯片的制造方法。
解决技术问题的技术手段
为了达到上述目的而提供的本发明，如下所述。
(1)一种切割片，其具备基材与层叠于所述基材的至少一个面的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团以及具反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与所述反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物形成；所述丙烯酸类聚合物(A)，通过具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)、和具有所述能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(A2)，在含有钛以及锆中的至少一种的有机金属催化剂(C)的存在下反应而得到；所述粘着剂层在23℃下的储能模量，在照射能量线前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下，并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上；所述粘着剂层的厚度小于20μm；所述粘着剂层的面，在照射能量线前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪(Probe tack)所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。
(2)根据上述(1)所述的切割片，其中，在照射能量线后的状态下，所述粘着剂层在23℃下的储能模量为500MPa以下。
(3)根据上述(1)或(2)所述的切割片，其中，，提供所述丙烯酸类聚合物(A1)中的具有所述反应性官能团的结构单元的单体(m1)、相对于提供所述丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例为5质量％以上且为30质量％以下；在用于形成所述丙烯酸类聚合物(A)的反应中，所述化合物(A2)的使用量相对于所述单体(m1)为0.4当量以上且为0.9当量以下。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所记载的切割片，其中，所述有机金属催化剂(C)含有含锆螯合物。
(5)根据上述(1)～(4)中任一项所记载的切割片，其中，在使用时，在所述粘着剂层的与所述基材侧相反侧的面，粘贴有将半导体芯片树脂密封而成的半导体封装的树脂密封面。
(6)一种切割片的制造方法，该切割片具备基材和层叠于所述基材的至少一个面的粘着剂层，其特征在于，该方法包括下述工序中的至少一个工序：将含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与所述反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物，涂布于所述基材的一个面，由所获得的涂膜形成所述粘着剂层，获得所述切割片的工序；以及将所述粘着剂组合物涂布于剥离片的剥离面，由所获得的涂膜形成所述粘着剂层，将所述剥离片上的所述粘着剂层中的与所述剥离片相对侧的相反侧的面粘贴于所述基材的一个面，在所述剥离片粘贴于所述粘着剂层侧的面的状态下，得到所述切割片的工序；所述丙烯酸类聚合物(A)，通过具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)、和具有所述能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(A2)，在含有钛以及锆中的至少一种的有机金属催化剂(C)的存在下进行反应所获得；提供所述丙烯酸类聚合物(A1)中的具有所述反应性官能团的结构单元的单体(m1)、相对于提供所述丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例为5质量％以上且为30质量％以下；在用于形成所述丙烯酸类聚合物(A)的反应中，所述化合物(A2)的使用量相对于所述单体(m1)为0.4当量以上且为0.9当量以下；所述粘着剂层的厚度小于20μm；所述粘着剂层在23℃下的储能模量，在照射能量线前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下，并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上；所述粘着剂层的面，在照射能量线前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上、0.8mJ/5mmφ以下。
(7)一种模具芯片制造方法，其中，将上述(1)～(5)中任一项所述的切割片的所述粘着剂层侧的面粘贴于模具封装的树脂密封面，切断所述切割片上的所述模具封装，进行单片化，得到多个模具芯片。
发明效果
根据本发明，能够提供一种降低在切割工序、延展工序以及拾取工序的所有工序中发生不良状况的可能性的切割片及其制造方法。此外，通过使用该切割片，可制造品质优异、成本也有利的模具芯片。
具体实施方式
以下说明本发明的实施方式。
1.切割片
本发明的一种实施方式的切割片具有基材与粘着剂层。
(1)基材
本实施方式的切割片的基材只要在拾取工序等中不断裂，则其构成材料并无特别限制，通常由以树脂类材料作为主要材料的薄膜构成。作为该薄膜的具体例子，可列举出低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜；聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯树脂薄膜等聚烯烃类薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯类薄膜；聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜等聚酯类薄膜；聚氨酯薄膜；聚酰亚胺薄膜；离子聚合物树脂薄膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯类共聚薄膜；聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜；氟树脂薄膜；以及将这些树脂的氢化物与改性物作为主要材料的薄膜等。此外，也可使用这些膜的交联薄膜、共聚物薄膜。上述基材可为单独一种，也可为将两种以上这些薄膜组合而成的层叠薄膜。另外，本说明书的“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸以及甲基丙烯酸这两者。关于其他类似用语，也相同。
基材，也可以在以上述树脂类材料为主要材料的薄膜内，含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。作为着色剂，例如可列举出二氧化钛、碳黑等颜料、或各种的染料等。此外，作为填料，可例示出如三聚氰胺树脂的有机类材料、如气相二氧化硅的无机类材料、以及如镍颗粒的金属类材料。这种添加剂的含量虽无特别限制，但需止于基材发挥所希望的功能、且不失去所希望的平滑性与柔软性的范围内。
为使粘着剂层固化而使用紫外线作为照射的能量线的情况下，优选基材对于紫外线具有穿透性。此外，在使用电子束作为能量线的情况下，优选基材具有电子束的穿透性。
只要切割片在上述的各个工序中能适当地发挥功能，基材的厚度就不被限制，优选为20～450μm，更优选为25～200μm，特别优选为50～150μm的范围。
本实施方式中的基材的断裂伸长率，以在23℃、相对湿度为50％时测定的值计，优选为100％以上，特别优选为200％以上且为1000％以下。上述的断裂伸长率为100％以上的基材，在施行扩展工序时也不易断裂，容易使切断模具封装而形成的模具芯片分隔。此外，断裂伸长率为，在以JIS K7161:1994为基准的拉伸试验中，试验片损坏时的试验片的长度相对于原本长度的伸长率。
此外，本实施方式中，基材通过以JIS K7161:1994为基准的试验而测定的25％形变时拉伸应力优选为5N/10mm以上且为15N/10mm以下，最大拉伸应力优选为15MPa以上且为50MPa以下。25％形变时，若拉伸应力小于5N/10mm或最大拉伸应力小于15MPa，则在切割片上粘合模具封装后，固定于环状框架时，由于基材柔软而导致产生松弛，因而成为搬移错误的原因。另一方面，25％形变时，若拉伸应力超过15N/10mm或最大拉伸应力超过50MPa时，在进行扩展工序的情况下，由于施加于切割片的负载变大，因此，会有切割片自身从环状框架上脱落等问题发生的可能。本发明中的断裂伸长率、25％形变时的拉伸应力、最大拉伸应力，是指对基材的长边方向测定的值。
(2)粘着剂层
本实施方式的切割片所具有的粘着剂层，如以下所述，厚度小于20μm，具有储能模量等规定的特性，由含有具有能量线聚合性基团与反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物所形成。
(2-1)厚度
本实施方式的切割片所具有的粘着剂层的厚度小于20μm。通过使粘着剂层的厚度小于20μm，则不容易产生残胶，可减低在切割工序中发生不良状况的可能性。另外，还可降低在拾取工序中产生不良情况的可能性。特别是在实施切割工序，将模具封装单片化而制成模具芯片后，直至实施能量线照射为止的时间很长(例如30天)的情况下，若粘着剂层的厚度为20μm以上，则有时粘着剂层对于模具芯片的面的粘着性变得过高，即使照射能量线也无法适当地降低上述粘着性，发生拾取不良的可能性增高。本实施方式的切割片，由于粘着剂层厚度小于20μm，因此能够稳定降低上述拾取工序中发生不良状况的可能性。本实施方式的切割片具有的粘着剂层的厚度，优选为17μm以下，更优选为13μm以下，特别优选为10μm以下。由稳定地实现粘着剂层对于被粘着面具有适当的粘着性的观点来看，粘着剂层的厚度优选为2μm以上，更优选为4μm以上，特别优选为5μm以上。因此，粘着剂层的最优选厚度为5μm以上且为10μm以下。
(2-2)储能模量
对本实施方式的切割片具有的粘着剂层照射能量线前的、该粘着剂层在23℃下的储能模量(本说明书中也称为“照射前模量”)为50kPa以上且为80kPa以下。
通过使照射前模量在上述的范围，在作为粘着剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内，构成能量线照射前的粘着剂层的材料变得不容易进入，变得不易产生拾取不良。此外，通过使照射前模量在上述范围，粘着剂层相对于被粘着面的粘着性变得适当，不易产生芯片飞散。从进一步稳定降低发生拾取不良及芯片飞散的可能性的观点来看，照射前模量优选为50kPa以上且为75kPa以下，更优选为50kPa以上且为70kPa以下。
对本实施方式的切割片具有的粘着剂层照射能量线后的、该粘着剂层在23℃下的储能模量(本说明书中也称为“照射后模量”)为5.0MPa以上。
通过使照射后模量为5.0MPa以上，在作为粘着剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内，构成照射能量线后的粘着剂层的材料变得不容易进入，变得不易发生拾取不良。从更加稳定地减少发生拾取不良的可能性的观点来看，照射后模量优选为10MPa以上，更优选为15MPa以上，特别优选为20MPa以上。
从稳定地实现拾取工序中适当地从上述凹部隔离、即使在上述凹部内断裂也不易妨碍拾取等观点来看，在作为粘着剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内所进入的构成粘着剂层的材料，照射后模量优选为800MPa以下，更优选为700MPa以下，进一步优选为500MPa以下，特别优选为200MPa以下。
(2-3)粘性值
本实施方式的切割片的粘着剂层的面，在能量线照射前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力测试仪(Probe tack)所测定的能量的量(本说明书中也称为“粘性值”)为0.1mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。该粘性值以从测定开始至探针剥离为止所测得的峰值的积分值的方式而被求得。通过使粘性值为上述范围，可抑制芯片飞散的发生。从更稳定地减少芯片飞散发生的可能性的观点来看，粘性值优选为0.13mJ/5mmφ以上且为0.75mJ/5mmφ以下，更优选为0.15mJ/5mmφ以上且为0.7mJ/5mmφ以下，特别优选为0.18mJ/5mmφ以上且为0.65mJ/5mmφ以下。
(2-4)丙烯酸类聚合物(A)
用于形成本实施方式的切割片具有的粘着剂层的粘着剂组合物，含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)。丙烯酸类聚合物(A)为，含有以具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类化合物为基础的结构单元作为构成其骨架的单元的丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物(A)可为一种单体聚合而成的均聚物，也可为多种单体聚合而成的共聚物。从容易控制聚合物的物理特性以及化学特性的观点来看，丙烯酸类聚合物(A)优选为共聚物。
丙烯酸类聚合物(A)的换算成聚苯乙烯的重均分子量(Mw)优选为1万～200万。该丙烯酸类聚合物(A)，产生维持作为粘着剂主剂的一般功能的粘着剂层的凝集性的效果，分子量越大，该效果发挥越显著。另一方面，丙烯酸类聚合物(A)的分子量过大时，制造粘着剂层时，有时难以薄层化。因此，丙烯酸类聚合物(A)的换算成聚苯乙烯的重均分子量(Mw)更优选为10万～150万。此外，丙烯酸类聚合物(A)的玻璃化温度Tg优选为-70～30℃，更优选为-60～20℃的范围。此外，本说明书中的换算成聚苯乙烯的重均分子量，为通过凝胶渗透层析(GPC)法所测定的换算成聚苯乙烯的值。
丙烯酸类聚合物(A)具有的反应性官能团，为可与后述的异氰酸酯类交联剂(B)进行交联反应的官能团，可例示出羟基、羧基、氨基等。其中，优选将与异氰酸酯类交联剂(B)的异氰酸酯基的反应性高的羟基，作为丙烯酸类聚合物(A)所具有的反应性官能团。
丙烯酸类聚合物(A)具有的能量线聚合性基团的种类，没有特别限制。作为其具体例，可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基等具有烯属不饱和键的官能团等。从聚合反应性优异的观点来看，能量线聚合性基团优选为具有烯属不饱和键的官能团，其中，从照射能量线时的高反应性的观点来看，更优选(甲基)丙烯酰基。
作为用于使能量线聚合性基团反应的能量线，可列举电离辐射线，即X射线、紫外线、电子束等。其中，优选照射设备的导入较容易的紫外线。
在使用紫外线作为电离辐射线的情况下，从容易操作的方面来看，使用包含波长为200～380nm左右的紫外线的近紫外线即可。作为紫外线的量，根据丙烯酸类聚合物(A)具有的能量线聚合性基团的种类、以及粘着剂层的厚度，适当地设定即可，通常为50～500mJ/cm2左右，优选为100～450mJ/cm2，更优选为150～400mJ/cm2。此外，紫外线照度通常为50～500mW/cm2左右，优选为100～450mW/cm2，更优选为150～400mW/cm2。紫外线源并无特别限制，例如可使用高压汞灯、金属卤化物灯等。
在使用电子束作为电离辐射线的情况下，对于其加速电压，只要根据丙烯酸类聚合物(A)具有的能量线聚合性基团的种类、粘着剂层的厚度，适当地设定即可，通常加速电压优选为10～1000kV左右。此外，照射线的量，只要设定在丙烯酸类聚合物(A)具有的能量线聚合性基团的反应适当地进行的范围即可，通常在10～1000krad的范围选择。作为电子束源，并无特别限制，例如可使用科克罗夫特-沃尔顿(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振变压器型、铁心绝缘变压器型、或直线型、高频高压型(Dynamitron)、高频率型等各种电子束加速器。
丙烯酸类聚合物(A)通过以下的方式得到：由具有反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)、和具有能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(A2)，在含有钛与锆中的至少一种的有机金属催化剂(C)的存在下反应。通过在该有机金属催化剂(C)的存在下进行反应，所得到的含有丙烯酸类聚合物(A)的粘着剂组合物可形成具有适当的照射前模量以及适当的粘性值的粘着剂层。
(2-4-1)丙烯酸类聚合物(A1)
丙烯酸类聚合物(A1)为具有上述反应性官能团的丙烯酸类聚合物。提供丙烯酸类聚合物(A1)中的具有反应性官能团的结构单元的单体(m1)、相对于提供丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例，优选为5质量％以上且为30质量％以下。通过满足关于上述的质量比例的规定，含有从丙烯酸类聚合物(A1)所得到的丙烯酸类聚合物(A)的粘着剂组合物，可形成具有适当的照射前模量以及适当的粘性值的粘着剂层。上述的质量比例优选为7质量％以上且为25质量％以下，更优选为10质量％以上且为20质量％以下，特别优选为12质量％以上且为17质量％以下。
将丙烯酸类聚合物(A1)具有作为反应性官能团的羟基的情况作为具体例，对用于形成丙烯酸类聚合物(A1)的单体进行说明。
作为可用于形成上述的具有羟基的丙烯酸类聚合物(A1)的原料的单体(本说明书中也称为“原料单体”)，可列举出：具有羟基的丙烯酸类单体(本说明书中也称为“羟基丙烯酸类单体”)、具有羟基的非丙烯酸类单体、不具有羟基的丙烯酸类单体、以及不具有羟基的非丙烯酸类单体。具有羟基的丙烯酸类聚合物(A1)，在上述原料单体中，为使该聚合物成为丙烯酸类的聚合物，含有来自羟基丙烯酸类单体以及不具有羟基的丙烯酸类单体中的至少一种的结构单元；并且为使该聚合物(A1)具有羟基，含有来自羟基丙烯酸类单体以及具有羟基的非丙烯酸类单体中的至少一种的结构单元。
作为羟基丙烯酸类单体的具体例子，可列举出2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯、N-羟甲基丙烯酰胺等的具有羟基的(甲基)丙烯酸酯等。此外，作为具有羟基的非丙烯酸类单体的具体例子，可列举出羟基乙酸乙烯酯等。从提高操作性的观点、和容易调整粘着剂层的物性的观点来看，具有羟基的丙烯酸类聚合物，优选含有来自羟基丙烯酸类单体的结构单元。这些的具有羟基的单体，从容易控制在丙烯酸类聚合物(A)中的能量线聚合性基团的存在量的观点来看，优选仅具有一个羟基的单体。
上述的原料单体中，作为不具有羟基的丙烯酸类单体的具体例子，可列举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。关于(甲基)丙烯酸酯，若进一步举出具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、酰亚胺丙烯酸酯等的具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N-甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯等的具有除羟基以外的反应性官能团的(甲基)丙烯酸酯。此外，在不具有羟基的丙烯酸类单体为(甲基)丙烯酸烷基酯的情况下，其烷基的碳原子数优选在1～18的范围。此外，作为不具有羟基的非丙烯酸类单体，可例示出乙烯、降冰片烯等的烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
(2-4-2)异氰酸酯类化合物(A2)
异氰酸酯类化合物(A2)为：具有能量线聚合性基团、并且与丙烯酸类聚合物(A1)具有的反应性官能团反应时可具有异氰酸酯基的化合物。作为该异氰酸酯类化合物，可例示出：具有异氰酸酯基的化合物，具有封端异氰酸酯基的化合物，具有异氰酸酯基的化合物的缩二脲体或异氰脲酸酯体，作为具有异氰酸酯基的化合物、与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族性低分子含活性氢的化合物的反应物的加成物等改性体等。
作为异氰酸酯类化合物(A2)的具体例子，可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯。此外，作为异氰酸酯类化合物(A2)的具体例子，还可列举至少一个羟基残留的(甲基)丙烯酸酯与聚异氰酸酯化合物的反应产物。其中，从可使控制丙烯酸类聚合物(A)中的能量线聚合性基团的存在量变得容易的观点来看，优选仅具有一个能量线聚合性基团的异氰酸酯化合物，更优选为(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯。
在用于形成丙烯酸类聚合物(A)的反应中，化合物(A2)的使用量，相对于丙烯酸类聚合物(A)涉及的单体(m1)，优选为0.4当量以上且为0.9当量以下。通过满足关于上述的化合物(A2)的使用量的规定，通过含有从丙烯酸类聚合物(A1)以及化合物(A2)得到的丙烯酸类聚合物(A)的粘着剂组合物而得到的粘着剂层，可避免在能量线照射后过度固化、或因能量线照射而使对于被粘着面的粘着性的降低变得不充分。其结果，可容易地从切割片上拾取芯片。相对于所述单体(m1)的化合物(A2)的使用量，优选为0.4当量以上且为0.8当量以下，更优选为0.45当量以上且为0.75当量以下，特别优选为0.5当量以上且为0.7当量以下。
(2-5)异氰酸酯类交联剂(B)
本说明书中的“异氰酸酯类交联剂”为聚异氰酸酯化合物，指具有交联性的异氰酸酯类化合物的统称。作为其具体例，可列举甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环庚烷三异氰酸酯、亚环戊基二异氰酸酯(cyclopentylene diisocyanate)、亚环己基二异氰酸酯(cyclohexylene diisocyanate)、甲基亚环己基二异氰酸酯(methylcyclohexylenediisocyanate)、氢化苯二亚甲基二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等非环状脂肪族异氰酸酯，以及其缩二脲体或异氰脲酸酯体；作为具有异氰酸酯基的化合物与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族低分子量含活性氢的化合物的反应物的加成体等改性体等以聚异氰酸酯化合物为基础的化合物。粘着剂组合物中作为异氰酸酯类交联剂(B)发挥作用的化合物，可以是一种，也可以是多种。
粘着剂组合物中的异氰酸酯类交联剂(B)的含量，并无限制，可根据异氰酸酯类交联剂(B)的种类适当地设定，作为不被限定的例子，相对于粘着剂组合物整体，优选为0.01质量％以上且为10质量％以下，更优选为0.05质量％以上且为7质量％以下，特别优选为0.1质量％以上且为3质量％以下。
(2-6)有机金属催化剂(C)
有机金属催化剂(C)，含有钛以及锆中的至少一种，具体而言，由含有钛以及锆中的至少一种的有机金属化合物组成。作为该有机金属化合物，可举例这些金属元素的醇盐、螯合物、酰化物等，作为具体的例子，可列举出钛醇盐、钛螯合物、锆醇盐、锆螯合物等。其中，有机金属化合物所含有的金属元素优选含有锆，该金属元素优选为锆。此外，有机金属化合物优选为螯合物。因此，有机金属催化剂(C)优选含有含锆的螯合物，更优选由含锆的螯合物组成。
有机金属催化剂(C)优选不含有含锡的有机金属化合物。虽然原因不明确，但在有机金属催化剂(C)不含有含锡的有机金属化合物的情况下，粘着剂组合物容易形成具有适当的照射前模量以及适当的粘性值的粘着剂层。
在用于获得丙烯酸类聚合物(A)的反应中所使用的有机金属催化剂(C)的使用量并无限制。该使用量相对于丙烯酸类聚合物(A1)的固体成分100质量份，优选为0.01质量份以上且为0.5质量份以下，更优选为0.01质量份以上且为0.3质量份以下，特别优选为0.01质量份以上且为0.25质量份以下。
(2-7)其他成分
用于形成本实施方式的切割片所具有的粘着剂层的粘着剂组合物，除含有上述成分之外，还可以含有光聚合引发剂(D)、增粘树脂、染料以及颜料等着色材料、阻燃剂、填料、抗静电剂等各种添加剂。
在此，对于光聚合引发剂(D)稍做详细说明。作为光聚合引发剂(D)，可列举安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化合物等光引发剂；胺或醌等光敏剂等，具体可例示出1-羟基环己基苯基甲酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。在使用紫外线作为能量线的情况下，通过添加光聚合引发剂(D)，可减少照射时间与照射量。
(2-8)粘着剂组合物的制造方法
用于形成粘着剂层的粘着剂组合物的制造方法并无限制。优选按照下述说明的方法制造。
首先，作为第一工序，使丙烯酸类聚合物(A1)和异氰酸酯类化合物(A2)在有机金属催化剂(C)的存在下反应，获得含有丙烯酸类聚合物(A)以及以有机金属催化剂(C)为基础的成分的产物。上述反应中也可使用适当的溶剂。第一工序的反应的反应条件，可根据作为反应原料的丙烯酸类聚合物(A1)、异氰酸酯类化合物(A2)、以及有机金属催化剂(C)的种类及含量适当设定。通过该反应，可获得含有丙烯酸类聚合物(A)与以有机金属催化剂(C)为基础的成分的产物。以有机金属催化剂(C)为基础的成分，优选维持催化剂活性。通过维持催化剂活性，作为在由粘着剂组合物形成粘着剂层时产生的丙烯酸类聚合物(A)和异氰酸酯类交联剂(B)的反应的催化剂，可发挥以有机金属催化剂(C)为基础的成分的功能。
在第一工序之后接着进行的第二工序中，获得含有第一工序的产物、异氰酸酯类交联剂(B)以及根据所需加入的光聚合引发剂(D)等的混合体，作为粘着剂组合物。第一工序的产物只要含有丙烯酸类聚合物(A)，也可经过溶剂去除等步骤。混合方法并无限制，适当设定使得混合体的均匀性得到提高即可。
(3)剥离片
本实施方式的切割片，在将其粘着剂层粘贴于作为被粘物的模具封装(具体可举例半导体封装)为止的期间，以保护粘着剂层为目的，也可在粘着剂层的与基材相对的侧相反侧的面上，粘合剥离片的剥离面。剥离片的结构为任意，可举例在塑料薄膜上涂布剥离剂。作为塑料薄膜的具体例，可举例聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二酸乙二醇酯等聚酯薄膜，以及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烃薄膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，但其中优选价格低廉且可获得稳定性能的硅酮类。作为代替上述剥离片的塑料薄膜，也可以使用玻璃纸、涂布纸、优质纸等纸基材，或在纸基材上层压有聚乙烯等热塑性树脂的层压纸。对该剥离片的厚度，虽然没有特别限制，但通常为20μm以上且为250μm以下左右。
2.切割片的制造方法
切割片的制造方法，若能将由上述的粘着剂组合物所形成的粘着剂层层叠于基材的一面，则详细方法并无特别限制。列举出一个例子来说，调制上述的粘着剂组合物，以及根据所需进一步调制含有溶剂的涂布液，在基材的一面上通过模具涂布机、帘式涂布机、喷雾涂布机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等来涂布该涂布液，通过使该单面上的涂膜干燥，可形成粘着剂层。涂布液如果可进行涂布，则对其性状并无特别限制，有时含有用于形成粘着剂层的成分作为溶质，有时则作为分散体。
通过调整上述的干燥条件(温度、时间等)，或通过设置另外用于交联的加热处理，使涂膜内的丙烯酸类聚合物(A)与异氰酸酯类交联剂(B)进行交联反应，在粘着剂层内以所希望的存在密度形成交联结构即可。为了使该交联反应充分地进行，通过上述方法等在基材上层叠粘着剂层后，通常会将所获得的切割片例如在23℃、相对湿度50％的环境中静置几天实施养护。
或者，可在上述的剥离片的剥离面上涂布涂布液，形成涂膜，使其干燥，以形成由粘着剂层与剥离片构成的层叠体，将该层叠体的粘着剂层中的与剥离片相对侧相反侧的面粘贴于基材的一个面，获得切割片与剥离片的层叠体。该层叠体中的剥离片可作为工序材料剥离，也可在粘贴于模具封装之前不剥离，用来保护粘着剂层。
如以上说明，本发明的一种实施方式的制造方法，具有如下工序中的任一种：
将含有丙烯酸类聚合物(A)以及异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物涂布于基材的一面，由获得的涂膜形成粘着剂层，获得所述切割片的工序；以及
将粘着剂组合物涂布于剥离片的剥离面，由获得的涂膜形成粘着剂层，将剥离片上的粘着剂层中的与剥离片相对的侧相反侧的面粘贴于基材的一个面，在剥离片粘贴于粘着剂层侧的面的状态下获得切割片的工序。
在此，如上所述，丙烯酸类聚合物(A)通过丙烯酸类聚合物(A1)和异氰酸酯类化合物(A2)在有机金属催化剂(C)的存在下进行反应而得到，丙烯酸类聚合物(A1)中的单体(m1)的相对于提供丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例，优选为5质量％以上且为30质量％以下，在用于形成丙烯酸类聚合物(A)的反应中，化合物(A2)的使用量相对于单体(m1)优选为0.4当量以上且为0.9当量以下。
3.模具芯片的制造方法
在模具封装由半导体封装构成的情况下，将使用本实施方式的切割片由模具封装制造模具芯片的方法作为具体例子进行以下说明。
半导体封装，如上所述，为在基台的集合体的各基台上装载半导体芯片，并将这些半导体芯片一起树脂密封而成的电子部件集合体，但通常具有基板面和树脂密封面，其厚度为200～2000μm左右。树脂密封面粗糙到表面的算数平均粗糙度Ra为0.5～10μm左右，此外，为了易于从密封装置的模具上取出，密封材料有时含有脱膜成分。因此，在树脂密封面上粘贴了粘着片的情况下，有无法发挥充分的固定性能的倾向。
本实施方式的切割片，在使用时，将粘着剂层侧的面(即粘着剂层的与基材侧相反侧的面)粘贴于半导体封装的树脂密封面。此外，在切割片的粘着剂层侧的面上粘贴着剥离片的情况下，剥离该剥离片，使粘着剂层侧的面露出，在半导体封装的树脂密封面上粘贴该面即可。切割片的外周部，通常通过该部分所设置的粘着剂层，粘贴于被称为环状框架的用于搬移或向装置的固定的环状夹具上。粘着剂层由于由适当的粘着剂组合物形成，因此粘性值适当。因此，即使向切割工序中提供粘贴于切割片上的半导体封装，可减少半导体封装被单片化而成的模具芯片在加工中飞散的可能性。
此外，利用切割工序所形成的模具芯片的大小通常为5mm×5mm，近年来，虽有形成为1mm×1mm左右的情况，但本实施方式的切割片的粘着剂层由于粘性值适当，因此也能充分应对这样的微间距(fine pitch)的切割。
通过实施以上的切割工序，可由半导体封装获得多个模具芯片。切割工序结束后，为了方便拾取切割片上邻近配置的多个模具芯片，通常有时也会实施将切割片朝主面内方向延展的扩展工序。该延展的程度，只要考虑邻近的模具芯片需有的间隔、基材的拉伸强度等适当设定即可。
根据所需实施扩展工序后，使用吸引筒夹(Collet)等通用方法在粘着剂层上拾取模具芯片。将所拾取的模具芯片提供给搬运工序等接着的工序。
切割工序结束后，在拾取工序开始之前，若从本实施方式的切割片的基材侧进行能量线照射，则在切割片具有的粘着剂层内部，其中所含有的能量线聚合性基团进行反应，可使相对于模具芯片的面的粘着剂层的粘着性降低。并且，本实施方式的切割片所具有的粘着剂层，由于由适当的粘着剂组合物形成，因此在作为被粘物的半导体封装的树脂密封面的凹部内，构成粘着剂层的材料不易进入。因此，在拾取时，为了使进入上述的凹部内的材料从凹部离开而所需的力、以及为了使该材料因断裂而从粘着剂层分离所需的力不易增加。因此，本实施方式所涉及的切割片特别不易发生拾取不良。
如上所述，本实施方式的模具芯片的制造方法，不易发生芯片飞散，在之后的工序中也不易发生拾取不良。因此，经过将半导体封装等模具封装分割为多个模具芯片的切割工序与拾取工序后，直至接着的工序的一系列工序中，成品率不易下降。因此，通过使用本实施方式的切割片的本实施方式的制造方法所得到的模具芯片，易于在成本方面变得有利。此外，芯片飞散或拾取不良，除了与这些不良状况直接相关的模具芯片以外，还有因芯片冲突等产生利用相同路径所制造的模具芯片的缺损等问题的情况。因此，以本实施方式的模具芯片的制造方法所制造的模具芯片，可减少具有上述问题的可能性，且品质优异。
以上说明的实施方式，是为了易于理解本发明而记载的，并非用于限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素，为还包括属于本发明的技术范围的所有设计变更或其等同物的宗旨。
实施例
以下，通过实施例等进一步对本发明进行具体说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
(1)涂布液的调制
调制具有以下组成的涂布液。
将75质量份的丙烯酸2-乙基己酯、10质量份的甲基丙烯酸甲酯、以及15质量份的丙烯酸2-羟乙酯(HEA)共聚，得到作为丙烯酸类聚合物(A1)的共聚物(换算成聚苯乙烯的重均分子量为70万)。
使作为化合物(A2)的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)与上述的丙烯酸类聚合物(A1)，在作为有机金属催化剂(C)的锆螯合物催化剂(MATSUMOTO FINE CHEMICAL CO.,LTD.制造，“ZC-700”)的存在下进行反应。关于化合物(A2)的使用量，相对于被定位作为单体(m1)的HEA，为0.6当量，所述单体(m1)提供具有作为丙烯酸类聚合物(A1)中的反应性官能团的羟基的结构单元。有机金属催化剂(C)的添加量，相对于丙烯酸类聚合物(A1)的固体成分100质量份，为0.1质量份。通过上述的反应，得到含有丙烯酸类聚合物(A)以及以有机金属催化剂(C)为基础的成分的产物。
将上述的产物，以及相对于产物中的丙烯酸类聚合物(A)100质量份为0.3质量份的异氰酸酯类交联剂(B)(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，“BHS-8515”)、以及3.0质量份的光聚合引发剂(D)(BASF公司制造，“IRUGACURE(注册商标)184”)掺合(全部为换算成固体成分的掺合比)，得到粘着剂组合物。
(2)切割片的制作
准备剥离片(Lintec Corporation制造，“SP-PET381031”)，该剥离片在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯制基材薄膜的一面上，具有形成有硅酮类剥离剂层而成的剥离面。在该剥离片的剥离面上以刮刀涂布机涂布上述的涂布液。使所获得的涂膜与剥离片一起在100℃的环境下经过1分钟，由此干燥涂膜，同时使其进行交联反应，得到由剥离片与粘着剂层(厚度10μm)形成的层叠体。
在由厚度为140μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜形成的基材一面(已完成电晕处理，表面张力：54mN/m)上，粘贴上述的层叠体的粘着剂层侧的面，在粘着剂层侧的面进一步层叠有剥离片的状态下，得到由基材与粘着剂层所形成的切割片。
[实施例2]
关于为了获得丙烯酸类聚合物(A)而使用的有机金属催化剂(C)，使用钛螯合物催化剂(MATSUMOTO FINE CHEMICAL CO.,LTD.制造，“TC-750”)来代替锆螯合物催化剂，其使用量相对于丙烯酸类聚合物(A1)的固体成分100质量份，为0.03质量份，除此之外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[比较例1]
关于为了获得丙烯酸类聚合物(A)而使用的有机金属催化剂(C)，使用锡催化剂(TOYOCHEM CO.,LTD.制造，“BXX-3778”)来代替锆螯合物催化剂，其使用量相对于丙烯酸类聚合物(A1)的固体成分100质量份，为0.03质量份，除此之外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[实施例3]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(A)而使用的化合物(A2)的MOI的使用量，相对于HEA设为0.7当量以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[实施例4]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(A)而使用的化合物(A2)的MOI的使用量相对于HEA设为0.9当量以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[比较例2]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(A)而使用的化合物(A2)的MOI的使用量相对于HEA设为0.3当量以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[比较例3]
除了将粘着剂层的厚度设为30μm以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[比较例4]
将85质量份的丙烯酸2-乙基己酯和15质量份的丙烯酸2-羟乙酯共聚，获得共聚物(换算为聚苯乙烯的重均分子量为70万)。除了使用该共聚物代替丙烯酸类聚合物(A1)以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
[比较例5]
除了使用以下说明的方法调制粘着剂组合物以外，以与实施例1相同的方式，在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态下获得切割片。
相对于共聚物100质量份，添加交联剂10质量份、能量线固化性化合物40质量份(掺合量均为固体成分的量)，获得作为有机溶剂的溶液的粘着剂涂布用组合物。
上述的共聚物、交联剂以及能量线固化性化合物的详细内容如下所述。
共聚物：丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸甲酯/丙烯酸＝50/40/10的组成比例，换算成聚苯乙烯的重均分子量：80万
交联剂：三羟甲基丙烷甲苯二异氰酸酯(TDI-TMP)，TOYOCHEM CO.,LTD.制造，“BHS8515”
能量线固化性化合物：10官能度聚氨酯丙烯酸酯，分子量：1700、NIPPONSYNTHETIC CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造，“UV-1700B”
[试验例1])<芯片飞散的评价及残胶的评价>
使用半导体封装用树脂(SUMITOMO BAKELITE CO.,LTD.制造，“G700”)，制作50mm×50mm、厚度600μm、密封树脂面的算数平均粗糙度Ra为1μm的模拟半导体封装。使用贴膜机(Lintec Corporation制造，“Adwill RAD2500”)，将通过上述实施例以及比较例所制造的切割片的粘着剂层侧的面，粘贴于上述所制作的模拟半导体封装的密封树脂面。将像这样获得的切割片与模拟半导体封装的层叠体安装于切割用环状框架(DISCO CORPORATION制造，“2-6-1”)，使用切割装置(DISCO CORPORATION制造，“DFD-651”)从模拟半导体封装侧切断，进行切割工序，分割为大小为1mm×1mm的模具芯片。此外，切割条件如下所述：
切割刀片：DISCO CORPORATION制造，“ZBT-5074(Z1110LS3)”
刀片厚度：0.17mm
出刀量：3.3mm
刀片转速：30000rpm
切削速度：100mm/分钟
向基材的切入深度：50μm
切削水量：1.0L/min
切削水温度：20℃
目视观察通过切割工序所得到的、在切割片的粘着剂层侧的面上粘附模具芯片而成的部件，数出切割工序中自切割片脱落的模具芯片的个数，该个数除以切割工序中的分割数，求得芯片飞散率(单位:％)。芯片飞散率为小于10％的情况下，判断为良好；为10％以上的情况下，则判断为不良。结果如表1所示。表1中，“A”指判断为良好，“B”指判断为不良。
此外，在上述切割片上，从单片化了的芯片组中，随机选择纵5列、横5列，由此选出250个模具芯片，从中进一步选择150个模具芯片作为测定对象芯片。利用显微镜观察这些测定对象芯片的侧面，通过10μm以上的粘着剂凝聚物是否粘附在模具芯片的侧面上，来判断是否有产生残胶。结果如表1所示。表1中，“A”表示判断为良好(没有产生残胶)，“B”表示判断为不良(产生残胶)。
[试验例2])<短期与长期拾取性的评价>
使用半导体封装用树脂(SUMITOMO BAKELITE CO.,LTD.制造，“G700”)，制作50mm×50mm、厚度600μm、密封树脂面的算数平均粗糙度Ra为1μm的模拟半导体封装。使用贴膜机(LintecCorporation制造，“Adwill RAD2500”)，将通过上述实施例以及比较例所制造的切割片的粘着剂层侧的面，粘贴于上述所制作的模拟半导体封装的密封树脂面。将如此获得的切割片与模拟半导体封装的层叠体安装在切割用环状框架(DISCOCORPORATION制造，“2-6-1”)上，使用切割装置(DISCOCORPORATION制造，“DFD-651”)，从模拟半导体封装侧切断，进行切割工序，分割为大小为10mm×10mm的模具芯片。此外，切割条件如下所述：
切割刀片：DISCO CORPORATION制造，“ZBT-5074(Z1110LS3)”
刀片厚度：0.17mm
出刀量：3.3mm
刀片转速：30000rpm
切削速度：100mm/分钟
向基材的切入深度：50μm
切削水量：1.0L/min
切削水温度：20℃
上述的切割工序结束后，立刻使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造，RAD-2000m/12)，从切割工序后的切割片的基材侧，在氮气的气氛下照射紫外线(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)。
紫外线照射后，对于切割片的粘着剂层侧的面上贴附模具芯片而成的部件中的切割片，使用扩展装置(JCM CO.,LTD.制造，“ME-300B型”)，以速度1mm/秒对该片实施扩展工序，使该片在主面内方向上延伸20mm。
然后，对位于切割片上的100个模具芯片进行拾取试验，评价拾取性(短期)。即，对切割片上的与作为拾取对象的模具芯片接触的部分，从基材侧以针(Needle)上顶1.5mm，在与突出的模具芯片的切割片相对的侧相反侧的面上贴附真空筒夹(Collet)，上提粘附于真空筒夹的模具芯片。拾取性(短期)按照以下基准评价。结果示于表1。
A：拾取成功，在所拾取的模具芯片的与粘着剂层相对的面上，构成粘着剂的物质并无粘附。
B：拾取成功，在所拾取的模具芯片上，虽然存在在与粘着剂层相对的面上粘附着构成粘着剂的物质的情况，但大部分的模具芯片上未确认到上述物质的粘附。
C：拾取成功，在所拾取的模具芯片上，存在较多在与粘着剂层相对的面上粘附着构成粘着剂的物质的情况。
D：无法拾取。
切割工序结束后，除了将进行紫外线照射为止的时间设置为30天以外，进行与上述的拾取性(短期)的评价一样的操作，以上述的A～D的基准评价拾取性(长期)。结果如表1所示。
[试验例3])<粘性值的测定>
对于在实施例以及比较例中制造的切割片所具有的粘着剂层的能量线照射前的状态的面，使用直径5mm(5mmφ)的探针，利用探头式初粘力试验仪(RHESCA CORPORATION制造，“RPT-100”)进行测定。关于测定方法，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，将剥离速度变更为1mm/分钟，另一方面，负载为100gf/cm2、接触时间为1秒钟，如上述的JIS规定的记载所述。求出所测定的能量的量(峰值积分值)，作为粘性值(单位:mJ/5mmφ)。结果如表1所示。
[试验例4]<粘着剂层的厚度的测定>
以与实施例以及比较例相同的条件，将实施例以及比较例中使用的粘着剂组合物涂布在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯制薄膜的一面上并干燥，获得由薄膜与粘着剂层所形成的层叠体。使用定压厚度测定器(TECLOCK CORPORATION制造，“PG-02J”)测定该层叠体的厚度，从所获得的测定值中减去薄膜厚度，求得粘着剂层的厚度(单位:μm)。结果如表1所示。
[试验例5]<照射前模量以及照射后模量的测定>
以使干燥后的厚度为40μm的方式，将实施例以及比较例中所使用的粘着剂组合物涂布在厚度为38μm的剥离薄膜(Lintec Corporation制造，“SP-PET381031”)的剥离面上，通过将由获得的涂膜以及剥离薄膜所形成的层叠体在100℃下保持1分钟，进行涂膜的干燥。准备多个以该顺序得到的剥离薄膜上的粘着剂层，制作粘贴而成的层叠体，直至厚度为800μm，穿凿直径为10mm的圆形，作为用于测定的样本。利用粘弹性测定装置(TAINSTRUTMENTS公司制造，“ARES”)，对样本施以频率1Hz的形变，测定-50～150℃的储能模量，获得23℃时的储能模量的值，作为照射前模量(单位:kPa)。结果如表1所示。
与上述相同，获得由在实施例以及比较例中所使用的粘着剂组合物形成的粘着剂层在剥离薄膜上层叠而成的部件。对于该部件，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造，RAD-2000m/12)，从上述部件的剥离薄膜侧在氮气的气氛下进行紫外线照射(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)。对于紫外线照射后的部件，进行与上述的照射前模量的测定时相同的操作，得到23℃下的储能模量的值，作为照射后模量(单位:MPa)。结果如表1所示。
[表1]
Figure BDA0001286250530000251
从表1可以明确看出，满足本发明的条件的实施例的切割片，在切割工序与拾取工序的全部工序中，都不易发生不良状况。特别是实施例1至3中所制造的切割片，不仅短期拾取性优异，长期拾取性也优异，即使切割工序后直至照射紫外线的期间为30天，也可将拾取试验中所提供的所有模具芯片拾取。
工业实用性
本发明所涉及的切割片，适合被用作被粘面的凹凸大的模具封装的切割片。

Claims (7)

1.一种切割片，其具备基材与层叠于所述基材的至少一个面的粘着剂层，其特征在于，
所述粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与所述反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物形成；
所述丙烯酸类聚合物(A)，通过具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)、和具有所述能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(A2)，在含有钛以及锆中的至少一种的有机金属催化剂(C)的存在下反应而得到；
所述粘着剂层在23℃下的储能模量，在照射能量线前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下，并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上；
所述粘着剂层的厚度小于20μm；
所述粘着剂层的面，在照射能量线前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。
2.根据权利要求1所述的切割片，其中，在照射能量线后的状态下，所述粘着剂层在23℃下的储能模量为500MPa以下。
3.根据权利要求1所述的切割片，其中，提供所述具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)中的具有所述反应性官能团的结构单元的单体(m1)、相对于提供所述具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例为5质量％以上且为30质量％以下；
在用于形成所述丙烯酸类聚合物(A)的反应中，所述化合物(A2)的使用量相对于所述单体(m1)为0.4当量以上且为0.9当量以下。
4.根据权利要求1所述的切割片，其中，所述有机金属催化剂(C)含有含锆螯合物。
5.根据权利要求1所述的切割片，其中，在使用时，在所述粘着剂层的与所述基材侧相反侧的面，粘贴有将半导体芯片树脂密封而成的半导体封装的树脂密封面。
6.一种切割片的制造方法，该切割片具备基材和层叠于所述基材的至少一个面的粘着剂层，其特征在于，
该方法包括下述工序中的至少一个工序：
将含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A)、以及可与所述反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(B)的粘着剂组合物，涂布于所述基材的一个面，由所获得的涂膜形成所述粘着剂层，获得所述切割片的工序，以及
将所述粘着剂组合物涂布于剥离片的剥离面，由所获得的涂膜形成所述粘着剂层，将所述剥离片上的所述粘着剂层中的与所述剥离片相对侧的相反侧的面粘贴于所述基材的一个面，在所述剥离片粘贴于所述粘着剂层侧的面的状态下，得到所述切割片的工序；
所述丙烯酸类聚合物(A)，通过具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)、和具有所述能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(A2)，在含有钛以及锆中的至少一种的有机金属催化剂(C)的存在下进行反应所获得；
提供所述具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)中的具有所述反应性官能团的结构单元的单体(m1)、相对于提供所述具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(A1)的单体整体的质量比例为5质量％以上且为30质量％以下；
在用于形成所述丙烯酸类聚合物(A)的反应中，所述化合物(A2)的使用量相对于所述单体(m1)为0.4当量以上且为0.9当量以下；
所述粘着剂层的厚度小于20μm；
所述粘着剂层在23℃下的储能模量，在照射能量线前的状态下为50kPa以上且为80kPa以下，并且在照射能量线后的状态下为5.0MPa以上；
所述粘着剂层的面，在照射能量线前的状态下，在JIS Z0237:1991中所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力测试仪所测定的能量的量为0.1mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。
7.一种模具芯片的制造方法，其中，将权利要求1～5中任一项所述的切割片的所述粘着剂层侧的面粘贴于模具封装的树脂密封面，切断所述切割片上的所述模具封装，进行单片化，得到多个模具芯片。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7079609B2 (ja) * 2018-01-19 2022-06-02 日東電工株式会社 電磁波シールド形成用マスキングテープ
JP2021118330A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 日東電工株式会社 マスキング材
CN116987468B (zh) * 2023-09-26 2023-12-22 北京序轮科技有限公司 一种无迁移快速uv减粘高分子组合物及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203822A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
CN102632650A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 日东电工株式会社 自卷绕性粘合片及切断体的制造方法
JP2014022476A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Lintec Corp ダイシングシート

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005229040A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 半導体基盤固定用粘着シート
JP2009246302A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Lintec Corp ダイソートテープ
JP5975621B2 (ja) * 2011-11-02 2016-08-23 リンテック株式会社 ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
EP2975098B1 (en) * 2013-03-11 2021-07-21 Lintec Corporation Adhesive sheet, and production method for processed device-related members

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203822A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Lintec Corp 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
CN102632650A (zh) * 2011-02-10 2012-08-15 日东电工株式会社 自卷绕性粘合片及切断体的制造方法
JP2014022476A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Lintec Corp ダイシングシート

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