TWI702269B - 切割片、切割片之製造方法與模具晶片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種切割片、切割片之製造方法與模具晶片之製造方法。其中，本發明之切割片包括基材與積層於基材至少一面的黏接劑層，黏接劑層係由含有具有能量線聚合性基以及具反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及可與反應性官能基進行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物形成；黏接劑層於23℃的儲存模數在能量線照射前之狀態中，係50kPa以上、80kPa以下，在照射能量線後的狀態中係5.0MPa以上，黏接劑層的厚度未滿20μm，黏接劑層的面在照射能量線前的狀態下，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，在剝離速度變更為1mm/分鐘的條件之下，利用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)所測量的能量的量係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。透過這種切割片，不管是用於切割製程、延展製程與頂取製程中任一製程，皆可減少問題發生的可能性。此外，藉由利用這種切割片，可製造出品質優秀，製造費用方面亦相當有利的模具晶片。

Description

切割片、切割片之製造方法與模具晶片之製造方法
本發明係關於一種切割片、切割片之製造方法與模具晶片之製造方法。本發明所有關之切割片，尤其係將半導體晶片等多個晶片狀零件，以樹脂封裝而成的半導體組件等的模具組件進行切割時使用的切割片。此外，本發明係關於上述切割片的製造方法，以及利用上述切割片製造方法與上述切割片的模具晶片之製造方法。
半導體晶片等的晶片狀零件以樹脂封裝成的零件(本發明專利說明書中稱為「模具晶片」)，封裝之晶片狀零件係半導體晶片的情況下，通常如以下例子進行製作。
首先，如TAB捲帶式自動接合(Tape automated bonding)一樣由多個基台連續形成的團聚體之各基台上裝載半導體晶片，其半導體晶片全部一起樹脂封裝，獲得電子零件團聚體(本發明專利說明書中稱為「半導體組件」)。
接著，於半導體組件的一面上，藉由黏貼具有基材與黏接劑層的黏接片(本發明專利說明書中稱為「切割片」)，使半導體組件對切割片固定。將此固定於切割片的半導體組件切斷分離(切割)後使其個片化，於切割片上製作多個模具晶片鄰近配置的構件(切割製程)。
通常切割片的黏接劑層被設計為可藉由特定刺激使對被黏接面的黏接劑層之黏接性減少，就這這種特定刺激而言，舉例來說，可採用能量線照射，另外，還包含進行以下製程前，對切割片照射能量線，使對被黏接面的黏接劑層之黏接性低落之製程。
接著根據所需使此構件的切割片延展(Expand)(往主面內方向延展)，讓切割片上配置的模具晶片間距拓寬(延展製程)。
將像這樣在切割片上相互離間的狀態下之模具晶片個別頂取(Pick up)後，使其與切割片分離(頂取製程)，接著移送下一個製程。此時，由於包含對於模具晶片面之上述降低黏接劑層的黏接性的製程，讓頂取變得更為容易。
在一連串的製程裡的切割製程階段中，半導體組件以及其切割而成的模具晶片需於切割片上維持固定的狀態，從達到此目的的觀點來看，切割片的黏接劑層對於該半導體組件的面，以及模具晶片面在照射能量線前的黏接性高為佳。
此處切割片的黏附體係半導體組件的情況下，通常被黏接面成為封裝樹脂的面，比起半導體晶圓作為黏附體的情況下，被黏接面的凹凸有擴大的傾向。因此，就將半導體晶圓作為黏附體的切割片，轉用於半導體組件之上述製程中而言，則對於被黏接面之上述黏接性便會變得不充分，在切割製程裡，導致切斷半導體組件之步驟中，半導體組件個片化所形成的模具晶片自切割片剝離飛散的問題。以下切割製程中所產 生的此缺陷稱為「晶片飛散」。
為了減少此晶片飛散的發生可能性，例如，如同專利文獻1中所記載，使切割片的黏接劑層含有用於提升照射能量線前狀態下之對被黏接面之黏接性的樹脂材料(本發明專利說明書中稱為「黏接賦予樹脂」)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開第2005-229040號公報
就黏接賦予樹脂而言，從對於提升黏接劑層的對被黏接面之黏接性觀點來看，一般的松香類材料係理想的材料。但，本發明者們經過詳細地探討後，發現在黏接劑層含有和黏接賦予樹脂一樣分子量較低的材料之情況下，頂取製程無法適當地進行，具體而言，係發生頂取製程中模具晶片無法頂取的問題。以下，頂取製程中所發生的問題統稱為「頂取不良」。
此外，切割製程中，有時需要降低模具組件個片化切割後所形成的模具晶片上，因切割片的黏接劑層等所形成的物質黏附之所謂「殘膠」的產生可能性，若產生殘膠，則切割製程以及其後製程中模具晶片的處理性會降低，本發明專利說明書中將殘膠視為切割製程的問題之一。
本發明係有鑒於上述問題而完成，目的在於提供 降低切割製程以及頂取製程中，任一製程的問題(具體而言，例如晶片飛散、殘膠以及頂取不良)之產生可能性的切割片與其製造方法，以及利用該切割片的模具晶片之製造方法。
為了達到上述目的，本發明所提供的內容如下。
(1)一種切割片，基材與上述基材至少一面上具有積層而成的黏接劑層，其特徵在於：上述黏接劑層係由含有具有能量線聚合性基以及具反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及反應性官能基與可行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物形成；上述丙烯酸類聚合物(A)係由具有上述反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A1)，和具有上述能量線聚合性基的異氰酸酯類化合物(A2)在含有鈦以及鋯中至少一種之有機金屬觸媒(C)的存在下反應所獲得。上述黏接劑層於23℃的儲存模數在照射能量線前之狀態中，係50kPa以上、80kPa以下，且在照射能量線後的狀態中，係5.0MPa以上。上述黏接劑層的厚度未滿20μm，上述黏接劑層的面在照射能量線前的狀態下，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，在剝離速度變更為1mm/分鐘的條件之下，利用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)所測量的能量的量係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。
(2)上述第(1)項所述之切割片中，上述黏接劑層於23℃時的儲存模數在照射能量線後的狀態中係500MPa以下。
(3)上述第(1)或(2)項所述之切割片中，上述丙烯酸類聚合物(A1)中，對於提供具上述反應性官能基之構成單位之單體(m1)之於提供上述丙烯酸類聚合物(A1)之單體整體，質量 比係5質量%以上、30質量%以下，在為了形成上述丙烯酸類聚合物(A)的反應中，上述化合物(A2)的使用量對於上述單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下。
(4)上述(1)至(3)中任一項所述之切割片中，上述有機金屬觸媒(C)包含鋯鉗合物化合物。
(5)上述(1)至(4)中任一項所述的切割片，使用時，上述黏接劑層的上述基材面之反面上，黏貼著將半導體晶片樹脂封裝而成的半導體組件之樹脂封裝面。
(6)一種切割片的製造方法，為包括基材和積層於上述基材的至少一面上的黏接劑層之切割片的製造方法，其特徵在於：包括：將含有具有能量線聚合性基以及反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及可與上述反應性官能基行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物塗佈於上述基材一面，在所獲得的塗膜上形成上述黏接劑層以獲得上述切割片的製程；以及將上述黏接劑組成物塗佈於剝離片的剝離面，於所獲得的塗膜上形成上述黏接劑層，將上述剝離片上的上述黏接劑層中的於上述剝離片相對的面之反面黏貼於上述基材的一面上，使上述切割片成為於上述黏接劑層面上貼附有上述剝離片黏貼的狀態之製程中至少一個製程。上述丙烯酸類聚合物(A)，為由具有上述反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A1)，和具有上述能量線聚合性基的異氰酸酯類化合物(A2)，在含有鈦以及鋯中至少一種之有機金屬觸媒(C)之存在下反應所獲得。對於上述丙烯酸類聚合物(A1)中的提供具有上述反應性官能基的構成單位的單體(m1)之於提供上述丙烯酸類聚合物(A1) 的單體整體，質量比係5質量%以上、30質量%以下，在為了形成上述丙烯酸類聚合物(A)的反應中，上述化合物(A2)的使用量對於上述單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下，上述黏接劑層的厚度未滿20μm，上述黏接劑層在23℃時的儲存模數，於照射能量線之前的狀態下係50kPa以上、80kPa以下，於照射能量線之後的狀態下係5.0MPa以上，在上述黏接劑層的面於照射能量線前的狀態下，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，在剝離速度變更為1mm/分鐘的條件下，使用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)測量之能量的量係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。
(7)將上述(1)至(5)中任一項所述之切割片中之上述黏接劑層面黏貼於上述模具組件的上述樹脂封裝面，切斷上述切割片上的上述模具組件使其個片化，而獲得多個模具晶片的模具晶片製造方法。
本發明提供一種不管對於切割製程、延展製程以及頂取製程中任一製程，皆可減少問題發生的可能性之切割片以及其製造方法。此外，藉由利用這種切割片，可製造品質優異、費用上亦相當有利的模具晶片。
以下說明本發明的實施形態。
1.切割片
本發明之其一實施形態所有關的切割片具有基材與黏接劑層。
(1)基材
本實施形態所有關的切割片之基材，於頂取製程中，在不致斷的前提下，其構成材料並無特別限制，通常以利用樹脂類材料作為主材料之薄膜構成。其薄膜之具體例子可舉例低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜；聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂薄膜等聚烯烴類薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯類薄膜；聚對酞酸乙二酯薄膜、聚乙烯對苯二甲酯薄膜等聚酯類薄膜；聚胺甲酸乙酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；離子聚合物樹脂薄膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯類聚合薄膜；聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜；以及將前述的樹脂之氫化物與改質物作為主材料的薄膜等。此外，亦可利用前述的架橋薄膜、共聚物薄膜。上述基材可係單獨1種，亦可係2種以上組合的積層薄膜。另外，本發明專利說明書的「(甲基)丙烯酸」，意指丙烯酸以及甲基丙烯酸，對於其他類似用語亦同。
作為基材，由上述樹脂類材料為主材料而製成的薄膜內亦可添加著色劑、阻燃劑、可塑劑、靜電防止劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。就著色劑而言，可舉例二氧化鈦、碳黑等顏料或多種不同的顏料，此外，就填料而言，可舉例如和 三聚氰胺樹脂一樣性質的有機類材料、和氣相二氧化矽一樣性質的無機類材料，以及和鎳粒子一樣性質的金屬類材料。這種添加劑的含量雖無特別限制，但基材需固定為可發揮所需功能、不失去所需平滑性與延展性的範圍內。
就用於使黏接劑層硬化的照射能量線而言，在使用紫外線的情況下，基材對於紫外線具有穿透性為佳，此外，就能量線而言，在使用電子束的情況下，基材對於電子束具有穿透性為佳。
切割片在前面敘述的各個製程中，只要能適當地發揮功能，基材的厚度並無限制，較佳係介於20~450μm、更佳係25~200μm、特佳係50~150μm的範圍內。
本實施形態中，基材的致斷延伸(Breaking elongation)於23℃、相對濕度50%時，測量的數值係100%以上較佳，更佳係200%以上、1000%以下。上述致斷延伸係100%以上之基材即使施行延展製程亦很難致斷，使切斷模具組件形成的模具晶片變得更加容易離間。此外，致斷延伸於以JIS K7161：1994為基準的延展測試延展測試中，係測試片損壞時的測試片長度對於原本長度的延展率。
此外，本實施形態中，基材透過以JIS K7161：1994為基準的測試，測得的25%變型時拉應力係5N/10mm以上、15N/10mm以下為佳，最大拉應力係15MPa以上、50MPa以下為佳。25%變型時，若拉應力未滿5N/10mm或最大拉應力未滿15MPa，則於切割片黏合模具組件後，固定於環狀框架時，由於基材柔軟而導致鬆弛發生，因而成為搬移錯誤之原因。另一 方面，25%變型時，若拉應力超過15N/10mm或最大拉應力超過50MPa時，進行延展製程的情況下，由於加諸於切割片的荷重變大，會有切割片自環狀框架上剝離等問題發生之虞。本發明的致斷延伸25%變型時，拉應力與最大拉應力意指對於基材的長度方向測量的數值。
(2)黏接劑層
本實施形態所有關的切割片之黏接劑層如以下說明：厚度未滿20μm、具有儲存模數等所定的特性，由含有具有能量線聚合性基與具反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及與反應性官能基可行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物所形成。
(2-1)厚度
本實施形態所有關的切割片之黏接劑層的厚度未滿20μm，黏接劑層的厚度若未滿20μm，則不容易產生殘膠，可減低於切割製程中發生問題的可能性，此外，亦可減少頂取製程中發生問題的可能性。特別是實施切割製程，將模具組件個片化切割為模具晶片後，至實施能量線照射為止的時間很長的狀態下(例如30天)，黏接劑層的厚度若係20μm以上，對於模具晶片面的黏接劑層之黏接性將會變得太高，即使照射能量線，也無法適當地降低上述黏接性，頂取不良的發生可能性會提高。由於本實施形態所有關的切割片之黏接劑層厚度未滿20μm，因此可穩定地減少頂取製程中發生問題的可能性。具有本實施形態所有關的切割片的黏接劑層之厚度係17μm以下較佳，更佳係13μm以下，特佳係10μm以下。由穩定地實現黏接 劑層對於被黏接面具有適當的黏接性的觀點來看，黏接劑層的厚度係2μm以上為佳，更佳係4μm以上，特佳係5μm。因此，黏接劑層的最佳厚度係5μm以上、10μm以下。
(2-2)儲存模數
對於實施形態所有關的切割片之黏接劑層照射能量線之前的該黏接劑層，於23℃時的儲存模數(本發明專利說明書中亦稱為「照射前彈性模數」)係50kPa以上、80kPa以下。
藉由照射前彈性模數介於上述的範圍，黏接劑層的被黏接面之模具組件的封裝樹脂的面之凹陷部內，能量線照射前的黏接劑層構成材料變得不容易進入，頂取不良變得不容易發生。此外，藉由照射前彈性模數介於上述範圍，對於黏接劑層的被黏接面之黏接性變得適當，晶片飛散變得不容易發生。從較為穩定地減少頂取不良與晶片飛散產生的可能性之觀點來看，照射前彈性模數係50kPa以上、75kPa以下為佳，更佳係50kPa以上、70kPa以下。
對於本實施形態所有關的切割片之黏接劑層，照射能量線後的該黏接劑層，於23℃中的儲存模數(本發明專利說明書中亦稱為「照射後彈性模數」)係5.0MPa以上。
照射後，由於彈性模數係5.0MPa以上，接劑層的被黏接面之模具組件的封裝樹脂之面的凹陷部內，照射能量線後的構成黏接劑層材料變得不容易進入，頂取不良變得難以發生。從穩定地減少頂取不良發生的可能性的觀點來看，照射後彈性模數係10MPa以上較佳，更佳係15MPa以上，特佳係20MPa以上。
黏接劑層的被黏接面之模具組件的封裝樹脂之面的凹陷部內，所進入的黏接劑層構成材料，從穩定地實行於頂取製程中適當地離間至上述凹陷部、即使上述凹陷部內產生致斷亦難以妨礙頂取等的觀點來看，照射後的彈性模數係800MPa以下為佳，較佳係700MPa以下，更佳係500MPa以下，特佳係200MPa以下。
(2-3)TACK數值
本實施形態所有關的切割片之黏接劑層的面，在能量線照射前的狀態下，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，以剝離速度變更為1mm/分鐘的條件，利用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)所測量的能量的量(本發明專利說明書中亦稱為「TACK數值」)係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。此TACK數值從測量開始至探針剝離為止，作為測得的峰值積分值而求之，藉由TACK數值係上述範圍，便可抑制晶片飛散的發生。從可較為穩定地減少晶片飛散發生的可能性之觀點來看，TACK數值係0.13mJ/5mm ψ以上、0.75mJ/5mm ψ以下為佳，較佳係0.15mJ/5mm ψ以上、0.7mJ/5mm ψ以下，更佳係0.18mJ/5mm ψ以上、0.65mJ/5mm ψ以下。
(2-4)丙烯酸類聚合物(A)
用於形成具有本實施形態所有關的切割片之黏接劑層的黏接劑組成物，含有具有能量線聚合性基以及反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)。丙烯酸類聚合物(A)，係將根據具有能量線聚合性基以及反應性官能基的丙烯酸類化合物之構成單位作為構成其結構的單位所包含的丙烯酸類聚合物。丙烯酸類聚 合物(A)可係1種單體聚合而成的同元聚合物，亦可係多種單體聚合而成的共聚物。從容易抑制聚合物的物理特性以及化學特性的觀點來看，丙烯酸類聚合物(A)係共聚物為佳。
丙烯酸類聚合物(A)的聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)係1萬~200萬為佳，這種丙烯酸類聚合物(A)，係為發揮黏接劑主劑一般功能之維持黏接劑層的黏結性的效果，這種效果在分子量越大時便可發揮地更為顯著。另一方面，丙烯酸類聚合物(A)的分子量若過大，製造黏接劑層時將難以薄層化。因此，丙烯酸類聚合物(A)的聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)係10萬~150萬為佳。此外，丙烯酸類聚合物(A)的玻璃轉換溫度Tg係介於-70~30℃為佳，更佳係介於-60~20℃的範圍內。此外，本發明專利說明書的聚苯乙烯換算重量平均分子量係透過凝膠滲透層析術(GPC)所測量的聚苯乙烯換算數值。
丙烯酸類聚合物(A)具有的反應性官能基，係可與後面將敘述的異氰酸酯類架橋劑(B)進行架橋反應的官能基，可舉例羥基、羧基、胺基等。其中，以與異氰酸酯類架橋劑(B)的異氰酸基反應性高的羥基作為丙烯酸類聚合物(A)所具有的反應性官能基為佳。
丙烯酸類聚合物(A)具有的能量線聚合性基之種類沒有特別限制，具體可舉例乙烯基、(甲基)丙烯醯基等具有乙烯性不飽和鍵的官能基。從聚合反應性優秀的觀點來看，能量線聚合性基係具有乙烯性不飽和鍵的官能基為佳，其中又從照射能量線時的高反應性之觀點來看，(甲基)丙烯醯基更佳。
就用於使能量線聚合性基反應的能量線而言，可 列舉幾個游離輻射線的例子，即X線、紫外線、電子束等。其中又以照射設備的導入較為容易的紫外線為佳。
就游離輻射線而言，在利用紫外線的情況下，從處理的便利性方面來看，利用包含波長200~380nm左右的紫外線之近紫外線為佳。就紫外線的量而言，根據丙烯酸類聚合物(A)具有的能量線聚合性基之種類，以及黏接劑層的厚度適當地設定即可，通常係50~500mJ/cm2左右，較佳係100~450mJ/cm2，更佳係150~400mJ/cm2。此外，紫外線照度通常係50~500mW/cm2左右，較佳係100~450mW/cm2、更佳係150~400mW/cm2。就紫外線源而言並無特別限制，例如可利用高壓汞燈、金屬鹵素燈等。
就游離輻射線而言，於利用電子束的情況下，對於其加速電壓，可根據具有丙烯酸類聚合物(A)的能量線聚合性基之種類，以及黏接劑層的厚度適當地設定即可，通常加速電壓係10~1000kV左右為佳。此外，照射線的量設定於具有丙烯酸類聚合物(A)的能量線聚合性基的反應可適當地進行之範圍內為佳，通常設定為10~1000krad範圍內。就電子束源而言並無特別限制，例如可利用科克羅夫特-沃爾頓(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振變壓器型、鐵心絕緣變壓器型、或直線型、高頻高壓型(Dynamitron)、高頻率型等各種電子束加速器。
丙烯酸類聚合物(A)係由具有反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A1)，和具有能量線聚合性基的異氰酸酯類化合物(A2)，在至少含有鈦與鋯中一種之有機金屬觸媒(C)的存在 下反應而得到。因在有機金屬觸媒(C)的存在下反應，所得到的含有丙烯酸類聚合物(A)之黏接劑組成物，可形成具有適當的照射前彈性模數以及適當的TACK數值的黏接劑層。
(2-4-1)丙烯酸類聚合物(A1)
丙烯酸類聚合物(A1)係具有前面所述的具反應性官能基丙烯酸聚合物，提供丙烯酸類聚合物(A1)的具反應性官能基構成單位之單體(m1)之對於提供丙烯酸類聚合物(A1)之單體整體，質量比係5質量%以上、30質量%以下為佳。藉由滿足上述質量比相關規定，自丙烯酸類聚合物(A1)所得到的含丙烯酸類聚合物(A)黏接劑組成物，可形成具有適當的照射前彈性模數與適當的TACK數值之黏接劑層。上述質量比係7質量%以上、25質量%以下較佳，更佳係10質量%以上、20質量%以下，特佳係12質量%以上、17質量%以下。
對於丙烯酸類聚合物(A1)作為反應性官能基，在具有羥基的情況下，具體可舉例用於形成丙烯酸類聚合物(A1)的單體進行說明。
作為與上述相同、用於形成具有羥基的丙烯酸類聚合物(A1)的原料之單體(本發明專利說明書中亦稱為「原料單體」)，可舉例具有羥基的丙烯酸類單體(本發明專利說明書中亦稱為「羥基丙烯酸類單體」)、具羥基的非丙烯酸類單體、不具羥基的丙烯酸類單體，以及不具羥基的非丙烯酸類單體。具羥基的丙烯酸類聚合物(A1)於上述原料單體中，含有選自來源於包含羥基丙烯酸類單體以及不含羥基的丙烯酸類單體中至少一種之構成單位，以使該聚合物成為丙烯酸類的聚合物， 同時，含有來源於包含羥基丙烯酸類單體以及具羥基的非丙烯酸類單體中至少一種之構成單位，以使該聚合物(A1)具有羥基。
作為羥基丙烯酸類單體的具體例子，可舉例2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酰胺、N-羥甲基丙烯酰胺等具有羥基的(甲基)丙烯酸酯。此外，就具有羥基的非丙烯酸類單體之具體的例子而言，有羥基乙酸乙烯酯等。從處理性高的觀點，以及容易調整黏接劑層的物性之觀點來看，具有羥基的丙烯酸類聚合物包含來自羥基丙烯酸類單體的構成單位為佳，前述之具有羥基的單體中，從容易控制在丙烯酸類聚合物(A)中的能量線聚合性基之存在量的觀點來看，僅具有一個羥基的單體為佳。
上述的原料單體中，不具有羥基的丙烯酸類單體之具體例子有(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。對於(甲基)丙烯酸酯更為具體的例子有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己(甲基)丙烯酸等具有鏈狀結構的(甲基)丙烯酸酯；環烷基(甲基)丙烯酸酯、二苯乙二酮(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環癸烷(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、酰亞胺丙烯酸酯等具有環狀結構的(甲基)丙烯酸酯；甲基丙烯酸環氧丙酯、N-甲基氨基乙酯(甲基)丙烯酸酯等羥基以外的具反應性官能基(甲基)丙烯酸酯。此外，不具羥基的丙烯酸類單體係烷基(甲基)丙烯酸酯的情況下，該烷基的碳數介於1至18 的範圍內為佳。又，作為不具羥基的非丙烯酸類單體，可舉例乙烯、降莰烯等的烯烴、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
(2-4-2)異氰酸酯類化合物(A2)
異氰酸酯類化合物(A2)係具有能量線聚合性基的同時，亦係與含丙烯酸類聚合物(A1)所含之反應性官能基反應時可具有異氰酸基之化合物。就這種異氰酸酯類化合物而言，可列舉具有異氰酸基的化合物、具有封閉型異氰酸基的化合物、具有異氰酸基的化合物之縮二脲體或三聚異氰體、具有異氰酸基的化合物，和乙二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等與含非芳香族性低分子活性氫化合物之反應物加成物體等的改質體。
就異氰酸酯類化合物(A2)的具體例子而言，可舉例(甲基)甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯，此外，至少一個羥基殘留的(甲基)丙烯酸酯和聚異氰酸酯化合物的反應生成物也可作為異氰酸酯類化合物(A2)的具體例子。其中，從可使控制丙烯酸類聚合物(A)中的能量線聚合性基之存在量變得容易的觀點來看，僅具有一個能量線聚合性基的異氰酸酯化合物為佳，更佳係(甲基)甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯。
為了形成丙烯酸類聚合物(A)的反應中，化合物(A2)的使用量對於丙烯酸類聚合物(A)相關的單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下為佳。透過滿足上述的化合物(A2)使用量相關規定，從丙烯酸類聚合物(A1)以及化合物(A2)得到的含丙烯酸類聚合物(A)之黏接劑組成物，以此得到的黏接劑可避免層在能量線照射後變得太硬，或因能量線照射而使對於被黏接面的黏接性降低，因而變得不充分的情況。其結果，可使切割 片上的晶片頂取變得容易。對於上述單體(m1)之化合物(A2)的使用量係0.4當量以上、0.8當量以下較佳，更佳係0.45當量以上、0.75當量以下，特佳係0.5當量以上、0.7當量以下。
(2-5)異氰酸酯類架橋劑(B)
本發明專利說明書中所謂的「異氰酸酯類架橋劑」係聚異氰酸酯化合物，意指具有架橋性的統稱，其具體的例子可舉甲苯異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸鹽、苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；環己胺-4、4’-二異氰酸酯、二環三異氰酸酯、亞環戊基二異氰酸酯、環己二異氰酸酯、甲基環己二異氰酸酯、氫化苯二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯化合物；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基環己烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等非環狀脂肪族異氰酸酯，以及其具縮二脲體或異氰脲酸酯體、異氰酸基的化合物，和乙二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族低分子量含活性氫的化合物與反應物之加成物體等改質體。黏接劑組成物中，以可作為異氰酸酯類架橋劑(B)而言，係1種或多種化合物皆佳。
黏接劑組成物中的異氰酸酯類架橋劑(B)之含量並無限制，可根據異氰酸酯類架橋劑(B)的種類適當地設定。作為不限定的例子，對黏接劑組成物整體係0.01質量%以上、10質量%以下較佳，更加係0.05質量%以上、7質量%以下，特佳係0.1質量%以上、3質量%以下。
(2-6)有機金屬觸媒(C)
有機金屬觸媒(C)至少含有鈦以及鋯中其中一種。具體而言，係以含有鈦以及鋯中至少一種的有機金屬化合物形成，就 這種有機金屬化合物而言，可舉例其金屬元素係烷氧化物、鉗合物、酰化物等，具體的例子可舉烷氧化鈦、鈦鉗合物、烷氧化鋯、鋯鉗合物等。其中，以有機金屬化合物含有的金屬元素含有鋯較佳，這種金屬元素係鋯為佳。此外，有機金屬化合物係鉗合物化合物者為佳，因此有機金屬觸媒(C)包含具鋯鉗合物化合物為佳，以具鋯鉗合物形成化合物則更佳。
有機金屬觸媒(C)不含具錫有機金屬化合物為佳，雖然原因不明確，但若在黏接劑組成物有機金屬觸媒(C)不含具錫有機金屬化合物的情況下，可容易形成具有適當的照射前彈性模數以及適當TACK數值的黏接劑層。
為了獲得丙烯酸類聚合物(A)的反應中，所使用的有機金屬觸媒(C)的使用量並無限制。該使用量對於丙烯酸類聚合物(A1)的固體含量100質量份時，係0.01質量份以上、0.5質量份以下為佳，較佳係0.01質量份以上、0.3質量份以下，更佳係0.01質量份以上、0.25質量份以下。
(2-7)其他成分
用於形成具有本實施形態所有關的切割片之黏接劑層之黏接劑組成物，可於上述成分中加入光起始劑(D)、黏接賦予樹脂、染料以及顏料等著色材料、阻燃劑、填料、靜電防止劑等各種添加劑。
在此對於光起始劑(D)稍做詳細說明，就光起始劑(D)而言，可列舉安息香化合物、甲基苯丙酮化合物、酰基膦氧化合物、二氯二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化合物等的光起始劑、胺與醌等的光敏感劑等，具體可舉例1-羥基環己 基苯基甲酮、安息香、安息香二甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、二苯乙二酮基硫醚、四甲胺硫甲醯、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、β-蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。就能量線而言，使用紫外線的情況下，藉由搭配光起始劑(D)，可減少照射時間與照射量。
(2-8)黏接劑組成物之製造方法
形成黏接劑層之黏接劑組成物的製造方法並無限制。按照下述說明的方法製造為佳。
首先，作為1製程，將丙烯酸類聚合物(A1)和異氰酸酯類化合物(A2)在有機金屬觸媒(C)的存在下使其反應，獲得包含丙烯酸類聚合物(A)以及以有機金屬觸媒(C)為基準的成分之生成物，上述反應中亦可適當使用溶劑。第1製程所有關的反應之反應條件，根據反應原料之丙烯酸類聚合物(A1)、異氰酸酯類化合物(A2)，以及有機金屬觸媒(C)的種類及含量適當設定。透過這種反應，可獲得包含丙烯酸類聚合物(A)與以有機金屬觸媒(C)為基準的成分之生成物。以有機金屬觸媒(C)為基準的成分，維持觸媒活性較佳。藉由維持觸媒活性，作為在黏接劑組成物中形成黏接劑層時產生的丙烯酸類聚合物(A)和異氰酸酯類架橋劑(B)之反應觸媒，可發揮以有機金屬觸媒(C)為基準的成分功能。
於第1製程之後實行的第2製程中，將包含第1製程的生成物、異氰酸酯類架橋劑(B)以及根據所需加入光起始劑(D)等之混和體作為黏接劑組成物而獲得。第1製程的生成物衹要包含丙烯酸類聚合物(A)，亦可為經過溶劑去除等步驟者。 混和的方法並無限制，盡量讓混和體的均一性提高，適當地設定即可。
(3)剝離片
實施形態所有關的切割片在其黏接劑層黏貼至黏附體的模具組件(具體可舉例半導體組件具體)上為止，以保護黏接劑層為目的，可對與黏接劑層的基材之對向面相反面上黏合剝離片的剝離面。剝離片的構成可任意調整，可舉例於塑膠薄膜上塗佈剝離劑。就塑膠薄膜的具體例子而言，可舉例聚對酞酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二酸乙二醇酯等的聚酯薄膜，就剝離劑而言，雖然可使用聚矽氧類、氟類、長鏈烷基類等，但以價格低廉，且可獲得穩定性能的聚矽氧類為佳。上述剝離片的塑膠薄膜可以玻璃紙、塗被紙、道林紙等紙基材，或在紙基材上層疊聚乙烯等熱可塑性樹脂的層疊紙替代。該剝離片厚度雖然沒有特別限制，通常係20μm以上、250μm以下左右。
2.切割片之製造方法
切割片之製造方法，衹要由前面所述之黏接劑組成物所形成的黏接劑層可於基材的一面上積層，則詳細方法並無特別限制。舉例來說，前面所述之黏接劑組成物以及根據所需額外添加的含溶劑塗工液調製後，在基材的一面上利用模具塗佈機、簾式塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等塗佈塗工液，藉由使該單面的面上之塗膜乾燥，可形成黏接劑層。若可塗佈塗工液，其性狀並無特別限制，有時作為用於形成黏接劑層的成分之溶質含有其中，有時則是作為分散體含有其中。
藉由調整上述乾燥條件(溫度、時間等)，此外，另 設用於架橋之加熱處理，使塗膜內的丙烯酸類聚合物(A)與異氰酸酯類架橋劑(B)進行架橋反應，於黏接劑層內形成所需之存在密度的架橋構造即可。為了使此架橋反應充分地進行，透過上述方法等在基材上積層黏接劑層後，通常會將所獲得的切割片例如在23℃、相對濕度50%的環境中實施養生靜置幾天。
抑或，在上述剝離片之剝離面上塗佈塗工液形成塗膜，使其乾燥以形成以黏接劑層與剝離片製成的積層體，亦可將此積層體的黏接劑層中之與剝離片對向面之相反面黏貼於基材的一面，獲得切割片與剝離片之積層體。該積層體的剝離片可作為製程材料剝離，亦可至黏貼於模具組件上之前不剝離，用來保護黏接劑層。
如同上述說明，本發明之其一實施形態所有關的製造方法具有如下製程中之一：將含有丙烯酸類聚合物(A)以及異氰酸酯類架橋劑(B)之黏接劑組成物塗佈於基材的一面，於獲得的塗膜上形成黏接劑層，獲得上述切割片之製程；以及將黏接劑組成物塗佈於剝離片之剝離面，透過獲得的塗膜形成黏接劑層，將剝離片上的黏接劑層之與剝離片對向之面之相反面黏接於基材的一面，獲得在黏接劑層側的面上黏貼有剝離片之狀態的切割片之製程。
在此按照前面所述，丙烯酸類聚合物(A)係由丙烯酸類聚合物(A1)和異氰酸酯類化合物(A2)於有機金屬觸媒(C)之存在下反應而得到，對於丙烯酸類聚合物(A1)中的單體(m1)之丙烯酸類聚合物(A1)所提供的單體整體之質量比係5質量%以上、30質量%以下為佳，用於形成丙烯酸類聚合物(A)的反應 中，化合物(A2)之使用量對於單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下為佳。
3.模具晶片之製造方法
利用本實施形態所有關的切割片，自模具組件製造模具晶片的方法，在模具組件係由半導體組件形成的情況下，以下將依此作為具體之例子說明。
半導體組件為如上所述在基台的團聚體之各基台上裝載半導體晶片，將前述之半導體晶片一同由樹脂封裝的電子零件團聚體，通常具有基版面樹脂封裝面，其厚度係200~2000μm左右。樹脂封裝面經過其表面的算數平均粗度Ra 0.5μm~10μm左右處理，此外，為了方便從封裝裝置的框架上提取，封裝材料有時含有脫膜劑。因此，樹脂封裝面上黏接黏接片的情況下，可能無法充分發揮固定功能
本實施形態所有關的切割片在使用上，黏接劑層面(即黏接劑層之基材面之反面)黏貼於半導體組件(模具組件)之樹脂封裝面。此外，切割片的黏接劑層面上黏貼著剝離片的情況下，使該剝離片剝離後顯露出黏接劑層面，在半導體組件之樹脂封裝面上黏上該面即可。切割片的外緣透過通常於該部分所形成的黏接劑層，黏貼於稱為環狀框架的搬移或裝置用於固定之環狀的治具，由於黏接劑層係由適當的黏接劑組成物所形成，故TACK數值亦恰當。因此，亦可減少半導體組件個片化切割後而成的模具晶片在加工中飛散的可能性。
以切割製程所形成的模具晶片之大小通常係5mm×5mm以下，近來雖有出現係1mm×1mm左右的情況，但本 實施形態所有關的切割片之黏接劑層由於TACK數值適當，也能充分應對那種基節距的切割。
透過實施以上的切割製程，可由半導體組件獲得多個模具晶片。切割製程結束後，為了方便頂取切割片上周圍配置的多個模具晶片，通常會將切割片朝主面內的方向實施延展的延展製程。此延展的程度，只要考慮鄰近的模具晶片需有的間距，以及基材的延展程度後適當設定即可。
根據所需實施延展製程後，利用吸引筒夾(Collet)等常用的方法在黏接劑層上頂取模具晶片，將頂取的模具晶片提供給搬運製程等下一製程。
切割製程結束後至頂取製程開始為止，本實施形態所有關的切割片之基材側上若照射能量線照射，則具有切割片的黏接劑層內部含有的能量線聚合性基會進行反應，可使模具晶片面的黏接劑層之黏接性低落。另外，具有本實施形態所有關的切割片的黏接劑層，由於係以適當的黏接劑組成物形成，黏附體之半導體組件的樹脂封裝面的凹陷部內，構成黏接劑層的材料不易進入。因此，於頂取時為了使進入上述凹陷部內的材料從凹陷部其離間而所需的力量，或使該材料致斷使其於黏接劑層分離而所需的力量將難以增加。因此，本實施形態所有關的切割片特別難以發生頂取不良。
如上所述，本實施形態所有關的模具晶片之製造方法，難以發生晶片飛散，於之後製程中亦難以發生頂取不良。因此，經過將半導體組件等模具組件分割為多個模具晶片的切割製程與頂取製程後，至下一製程為止的一連串製程中 產率亦很難下降。因此，利用本實施形態所有關的切割片的本實施形態所有關的製造方法所得到的模具晶片，易於形成費用方面之利。此外，有時會發生晶片飛散與頂取不良，係由其缺陷直接相關的模具晶片以外之晶片在因衝突等相同路徑上製造而成的模具晶片之瑕疵等問題。因此，以本實施形態所有關的模具晶片之製造方法所製造的模具晶片，可減少發生那種問題的可能性且品質優良。
以上說明的實施形態，是為了易於對本發明的理解而記述，並非對本發明進行限定而記述。因此，上述實施形態中所公開的各要素，屬於本發明的技術範圍的所有設計變更或其均等物亦包含其中。
[實施例]
以下，透過實施例等進一步對本發明進行具體說明，但本發明的範圍並不受這些實施例等限定。
(實施例1)
(1)塗工液之調製
調製具有以下成分之塗工液。
75質量份的丙烯酸2-乙基己酯與10質量份的甲基丙烯酸甲酯，和15質量份的丙烯酸2-羥乙酯(HEA)聚合後，得到作為丙烯酸類聚合物(A1)之共聚物(聚苯乙烯換算重量平均分子量70萬)。
作為化合物(A2)之甲基丙烯酸異氰基乙酯(MOI)，和將上述丙烯酸類聚合物(A1)作為有機金屬觸媒(C)之鋯鉗合物觸媒(MATSUMOTO FINE CHEMICAL CO.,LTD.製， 「ZC-700」)的存在下使其反應。化合物(A2)之使用量，作為丙烯酸類聚合物(A1)之具反應性官能基的氫基的構成單位提供的單體(m1)，對於賦予位置的HEA係0.6當量。有機金屬觸媒(C)的添加量對於丙烯酸類聚合物(A1)的固體含量係100質量份時係0.1質量份。透過上述反應，得到包含以丙烯酸類聚合物(A)以及有機金屬觸媒(C)為基準的成分之生成物。
對於上述生成物與生成物中的丙烯酸類聚合物(A)100質量份時，0.3質量份的異氰酸酯類架橋劑(B)(TOYOCHEM CO.,LTD.製，「BHS-8515」)，以及3.0質量份的光起始劑(D)(BASF公司製，「IRUGACURE(登記商標)184」)混和後(所有配合比例依照固體含量換算)得到黏接劑組成物。
(2)切割片之製作
準備在厚度係38μm之聚對酞酸乙二酯製基材薄膜的一面上，形成矽氧樹脂類的剝離劑層而製成的具剝離面之剝離片(Lintec Corporation製，「SP-PET381031))。此剝離片的剝離面上以刮刀塗佈機塗佈前面所述之塗工液，將所獲得的塗膜與每個剝離片皆於100℃的環境下使其硬化1分鐘，藉由乾燥塗膜的同時使其進行架橋反應，得到以剝離片與黏接劑層(厚度10μm)形成的積層體。
於以厚度係140μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜形成的基材一面(已完成電暈處理，表面張力：54mN/m)上，黏貼上述積層體的黏接劑層面，得到以基材與黏接劑層所形成的切割片，使黏接劑層面上剝離片具有更多積層的狀態。
(實施例2)
用於獲得丙烯酸類聚合物(A)所使用的有機金屬觸媒(C)，不用鋯鉗合物觸媒而改用鈦鉗合物觸媒(MATSUMOTO FINE CHEMICAL CO.,LTD.製，「TC-750」)，其使用量對於丙烯酸類聚合物(A1)之固體含量100質量份時係0.03質量份，此外，如實施例1進行相同作業後，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(比較例1)
用於獲得丙烯酸類聚合物(A)所使用的有機金屬觸媒(C)，不用鋯鉗合物觸媒而改用錫觸媒(TOYOCHEM CO.,LTD.製，「BXX-3778」)，其使用量對於丙烯酸類聚合物(A1)之固體含量100質量份時係0.03質量份。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(實施例3)
作為用於得到丙烯酸類聚合物(A)所使用的化合物(A2)之MOI的使用量，對於HEA係以0.7當量進行。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(實施例4)
作為用於得到丙烯酸類聚合物(A)所使用的化合物(A2)之MOI的使用量，對於HEA係以0.9當量進行。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(比較例2)
作為用於得到丙烯酸類聚合物(A)所使用的化合物(A2)之 MOI的使用量，對於HEA係以0.3當量進行。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(比較例3)
黏接劑層的厚度以30μm進行。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(比較例4)
將85質量份的丙烯酸2-乙基己酯和15質量份的丙烯酸2-羥乙酯聚合後，獲得共聚物(聚苯乙烯換算重量平均分子量70萬)。在此不用丙烯酸類聚合物(A1)而改用此共聚物。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
(比較例5)
以下列說明的方法調製黏接劑組成物。此外，如實施例1進行相同作業，在黏接劑層面上積層剝離片的狀態下獲得切割片。
對於共聚物係100質量份時，添加架橋劑10質量份、能量線硬化性化合物40質量份(混和量係全部固體含量的量)，獲得作為有機溶劑之溶液的黏接劑塗工用組成物。
上述共聚物、架橋劑以及能量線硬化性化合物的詳細內容如下：共聚物：丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸甲酯/丙烯酸=50/40/10之組成比例，聚苯乙烯換算重量平均分子量：80萬
架橋劑：甲苯二異氰酸酯-三羥甲基丙烷(TDI-TMP)， TOYOCHEM CO.,LTD.製，「BHS 8515」
能量線硬化性化合物：10官能聚氨酯丙烯酸酯，分子量：1700、NIPPON SYNTHETIC CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.製，「UV-1700B」
(測試例1)<晶片飛散之評價>
利用半導體組件用樹脂(SUMITOMO BAKELITE CO.,LTD.製，「G700」)，以50mm×50mm、厚度600μm，製作封裝樹脂面的算數平均粗度Ra係1μm的模擬半導體組件。根據上述實施例以及比較例，所製造而成的切割片之黏接劑層面利用貼膜機(Lintec Corporation製，「Adwill RAD2500」)黏貼於上面敘述製作而成的模擬半導體組件之封裝樹脂面。像這樣獲得的切割片與模擬半導體組件以外的積層體，將其安置於切割用環狀框架(DISCO CORPORATION製，「2-6-1」)後利用切割裝置(DISCO CORPORATION製，「DFD-651」)在模擬半導體組件面上進行切斷的切割製程，分割為大小為1mm×1mm之模具晶片。此外，切割條件如下：切割刀：DISCO CORPORATION製，「ZBT-5074(Z1110LS3)」
切割刀厚度：0.17mm
切割刀突出量：3.3mm
切割刀轉速：30000rpm
切斷速度：100mm/分鐘
對基材的凹口深度：50μm
切削水量：1.0L/min
切削水溫度：20℃
透過切割製程所得到的切割片之黏接劑層面上，以肉眼觀察黏附模具晶片而製成的構件，清數切割製程中自切割片淘汰的模具晶片的個數，將其個數除以切割製程的分割數後求得晶片飛散率(單位：%)。晶片飛散率係未滿10%的情況下判斷為良好，10%以上的情況下則判斷為不良。結果如表1所示。表1中，「A」意指判斷為良好，「B」意指判斷為不良。
此外，於上述切割片上個片化切割而成的晶片群中，隨意選擇直列5列、橫列5列，挑選250模具晶片，其中追加挑選150個模具晶片作為測量對象晶片。以顯微鏡觀察這些測量對象晶片的側面，檢視是否有10μm以上的黏接劑凝聚物黏附在模具晶片的側面上，判斷是否有產生殘膠。結果如表1所示。表1中，「A」表示判斷為良好(沒有產生殘膠)，「B」表示判斷為不良(產生殘膠)
(測試例2)<短期與長期頂取性之評價>
利用半導體組件用樹脂(SUMITOMO BAKELITE CO.,LTD.製，「G700」)，以50mm×50mm、厚度600μm，製作封裝樹脂面的算數平均粗度Ra係1μm的模擬半導體組件。根據上述實施例以及比較例，所製造而成的切割片之黏接劑層面利用貼膜機(LintecCorporation製，「AdwillRAD2500」)黏貼於上面敘述製作而成的模擬半導體組件之封裝樹脂面像這樣獲得的切割片與模擬半導體組件以外的積層體，將其安置於切割用環狀框架(DISCOCORPORATION製，「2-6-1」)後利用切割裝置(DISCOCORPORATION製，「DFD-651」)在模擬半導體組件面上進行切斷的切割製程，分割為大小為10m m×10mm之模具晶片。此外，切割條件如下：切割刀：DISCO CORPORATION製，「ZBT-5074(Z1110LS3)」
切割刀厚度：0.17mm
切割刀突出量：3.3mm
切割刀轉速：30000rpm
切斷速度：100mm/分鐘
對基材的凹口深度：50μm
切削水量：1.0L/min
切削水溫度：20℃
上述切割製程結束後，在無鬆弛的狀態下利用紫外線照射裝置(Lintec Corporation製，RAD-2000m/12)，照射切割製程後的切割片之基材側，於氮氣的氣氛下進行(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)。
紫外線照射後，對於切割片的黏接劑層側面上貼附著模具晶片所形成的構件之切割片，利用延展裝置(JCM CO.,LTD.製，「ME-300B型」)，以速度1mm/秒對該片實施延展製程，使其朝周面內方向延伸20mm。
接著對位於切割片上的100個模具晶片進行頂取測試，評價其頂取性(短期)。即，對於作為切割片的頂取對象之模具晶片接觸的部分，於基材側以針(Needle)上頂1.5mm，使突出的模具晶片之切割片相對側的反對側面黏附真空筒夾(Collet)，上提黏附於真空筒夾的模具晶片。頂取性(短期)可利用以下基準進行評價。結果如表1所示。
A：頂取成功，頂取的模具晶片之黏接劑層相對的面上，構成黏接劑的物質並無黏附。
B：頂取成功，頂取的模具晶片上，黏接劑層相對的面上雖然存在以黏接劑構成的物質黏附，但大部分的模具晶片上無法辨識上述物質的黏附。
C：頂取成功，頂取的模具晶片之黏接劑層相對的面上，構成黏接劑的物質大多數存在。
D：無法頂取。
切割製程結束後，直到紫外線照射時為止的時間為30天，此外，與上述頂取性(短期)之評價進行一樣的作業，於上述A中，以D的基準評價頂取性(長期)。結果如表1所示。
(測試例3)<TACK數值之測量>
對於具有自實施例以及比較例中製造的切割片之黏接劑層的能量線照射前狀態的面，利用直徑5mm(5mm ψ)的探針，以探頭式初黏力測試儀(RHESCA CORPORATION製，「RPT-100」)測量。測量方法以JIS Z0237：1991中所記載的方法，將剝離速度變更為1mm/分鐘，另一方面，荷重係100gf/cm2、接觸時間係1秒鐘，根據上述JIS規定之記載內容實行。將求得測量出的能量之量(峰值積分值)作為TACK數值(單位：mJ/5mm ψ)。結果如表1所示
(測試例4)<黏接劑層的厚度之測量>
將實施例以及比較例中使用的黏接劑組成物，於厚度38μm的聚對酞酸乙二酯製薄膜的一面上，以如同實施例以及比較例中相同的條件塗佈．乾燥，獲得以薄膜與黏接劑層所形成的積 層體。此積層體的厚度利用厚度定壓測量器(TECLOCK CORPORATION製，「PG-02J」)測量，從所獲得的測量數值中扣除薄膜厚度而求得黏接劑層厚度(單位：μm)。結果如表1所示。
(測試例5)<照射前彈性模數以及照射後彈性模數之測量>
將實施例以及比較例中所使用的黏接劑組成物，於厚度38μm的剝離薄膜(Lintec Corporation製，「SP-PET381031」)之剝離面上乾燥後進行塗佈使其厚度達40μm，接著把以獲得的塗膜以及剝離薄膜所形成的積層體置於100℃中維持1分鐘使塗膜乾燥。準備多個以此順序所形成的剝離薄膜上之黏接劑層，製作厚度達800μm的相接的積層體，穿鑿直徑10mm的圓形孔洞，作為用於測量的樣本。接著以黏接測量裝置(TA INSTRUTMENTS公司製，「ARES」)對樣本施以頻率1Hz的變型，測量-50~150℃的儲存模數，獲得作為23℃時的儲存模數之數值照射前彈性模數(單位：kPa)。結果如表1所示。
如同上述，於實施例以及比較例中所使用的黏接劑組成物中形成的黏接劑層獲得剝離薄膜上積層而成的構件，對於該構件使用紫外線照射裝置(Lintec Corporation製，RAD-2000m/12)，於上述構件的剝離薄膜側在氮氣的氣氛下實施紫外線照射(照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2)。紫外線照射後，對構件進行與上述照射前彈性模數所測量的情況相同作業，獲得於23℃時的儲存模數數值作為照射後彈性模數(單位：MPa)。結果如表1所示。
Figure 105108932-A0202-12-0033-1
如表1所示，滿足本發明條件的實施例之切割片在切割製程與頂取製程中，所有問題都不容易發生，特別是實施例1至3中所製造的切割片，不僅短期頂取性優秀，長期頂取性亦十分出色，即使切割製程後至紫外線照射時為止的期間係30天，亦可將頂取測試中所提供的所有模具晶片施行頂取。
[產業上之可利用性]
本發明所有關的切割片，適合作為被黏接面之凹凸大的模具組件之切割片使用。

Claims (7)

  1. 一種切割片，包括基材與積層於上述基材至少一側面的黏接劑層，其特徵在於：上述黏接劑層係由含有具有能量線聚合性基以及反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及可與上述反應性官能基進行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物形成；上述丙烯酸類聚合物(A)係由具有上述反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A1)，和具有上述能量線聚合性基的異氰酸酯類化合物(A2)，在含有鈦以及鋯中至少一種之有機金屬觸媒(C)的存在下反應所獲得；上述黏接劑層於23℃的儲存模數在照射能量線前之狀態中，係50kPa以上、80kPa以下，在照射能量線後的狀態中，係5.0MPa以上，上述黏接劑層的厚度未滿20μm，上述黏接劑層的面在照射能量線前的狀態下，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，在剝離速度變更為1mm/分鐘的條件之下，利用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)所測量的能量的量係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之切割片，上述黏接劑層於23℃時的儲存模數在照射能量線後的狀態中係500MPa以下。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項所述之切割片，上述丙烯酸類聚合物(A1)中，提供具上述反應性官能基之構成單位之單體(m1)之對於提供上述丙烯酸類聚合物(A1)之單體整體， 質量比係5質量%以上、30質量%以下，在為了形成上述丙烯酸類聚合物(A)的反應中，上述化合物(A2)的使用量對於上述單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項所述之切割片，其中，上述有機金屬觸媒(C)包含鋯鉗合物化合物。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項所述之切割片，其中，使用時，上述黏接劑層的上述基材面之反面上，黏貼著將半導體晶片由樹脂封裝而成的半導體組件之樹脂封裝面。
  6. 一種切割片的製造方法，係包括基材和積層於上述基材的至少一面上的黏接劑層之切割片的製造方法；其特徵在於：包含：將含有具有能量線聚合性基以及反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A)，以及可與上述反應性官能基行架橋反應的異氰酸酯類架橋劑(B)的黏接劑組成物，塗佈於上述基材一面，由所獲得的塗膜形成上述黏接劑層以獲得上述切割片的製程；以及將上述黏接劑組成物塗佈於剝離片剝離面，由所獲得的塗膜形成上述黏接劑層，將上述剝離片上的上述黏接劑層中的與上述剝離片對向的面之相反面黏貼於上述基材的一面上，使上述切割片成為於上述黏接劑層面上黏貼有上述剝離片之狀態之製程之至少一個；上述丙烯酸類聚合物(A)，為由具有上述反應性官能基的丙烯酸類聚合物(A1)和具有上述能量線聚合性基的異氰酸酯類化合物(A2)在含有鈦以及鋯中至少一種之有機金屬觸媒(C)之存在下反應所獲得；上述提供丙烯酸類聚合物(A1)中 的含有上述反應性官能基的構成單位的單體(m1)之對於提供上述丙烯酸類聚合物(A1)的單體整體，質量比係5質量%以上、30質量%以下；在為了形成上述丙烯酸類聚合物(A)的反應中，上述化合物(A2)的使用量對於上述單體(m1)係0.4當量以上、0.9當量以下；上述黏接劑層的厚度係未滿20μm，上述黏接劑層在23℃時的儲存模數，於照射能量線之前的狀態下係50kPa以上、80kPa以下，照射能量線之後的狀態中，係5.0MPa以上；在上述黏接劑層的面照射能量線前的狀態中，於JIS Z0237：1991所記載的方法中，在剝離速度變更為1mm/分鐘的條件下，使用探頭式初黏力測試儀(Probe tack)測量之能量的量係0.1mJ/5mm ψ以上、0.8mJ/5mm ψ以下。
  7. 一種製造方法，為將申請專利範圍第1或2項所述之切割片之上述黏接劑層面，黏貼於上述模具組件的上述樹脂封裝面，切斷上述切割片上的上述模具組件，得到個片化而成的多個模具晶片的模具晶片之製造方法。
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