TWI580755B - Cutting pieces - Google Patents

Cutting pieces Download PDF

Info

Publication number
TWI580755B
TWI580755B TW102117704A TW102117704A TWI580755B TW I580755 B TWI580755 B TW I580755B TW 102117704 A TW102117704 A TW 102117704A TW 102117704 A TW102117704 A TW 102117704A TW I580755 B TWI580755 B TW I580755B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
dicing sheet
mass
energy ray
adhesion
Prior art date
Application number
TW102117704A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201406913A (zh
Inventor
Takuo Nishida
Michio Kanai
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of TW201406913A publication Critical patent/TW201406913A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI580755B publication Critical patent/TWI580755B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L93/00—Compositions of natural resins; Compositions of derivatives thereof
    • C08L93/04—Rosin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J193/00—Adhesives based on natural resins; Adhesives based on derivatives thereof
    • C09J193/04—Rosin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/20—Presence of organic materials
    • C09J2400/22—Presence of unspecified polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2493/00—Presence of natural resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

切割片
本發明係關於用在切割樹脂封裝複數半導體晶片而成之半導體構裝時之切割片。
半導體晶片被樹脂封裝之半導體零件(在於本說明書稱為「封膠晶片」。)，通常如下製作。首先，將半導體晶片搭載於，TAB帶等之連接複數基台而成之集合體之各基台，將該等半導體晶片一起樹脂封裝得到電子零件集合體(在於本說明書，稱為「半導體構裝」。)。其次，藉由在於半導體構裝之一方的面，黏貼包括基材與黏著劑層之黏著片(於本說明書稱為「切割片」。)將半導體構裝固定於切割片。將固定於該切割片之半導體構裝切斷分離(切割)個片化，製作複數的封膠晶片近接配置於切割片上之構件(切割步驟)。通常，切割片之黏著劑層，係設計成可藉由特定的刺激使黏著劑層之黏著性降低，特定的刺激，例如採用，能量線照射。然後，在進行以下的步驟之前，包含對切割片照射能量線，使黏著劑層之黏著性降低之步驟。接著，將在於該構件之切割片擴展(向主面內方向伸長)，擴大配置於切割片上之封膠晶片之間隔(擴展步驟)。將如此地將在於切割片上以互相離間的狀態之封膠晶片，個別拾取由切割片分離(拾取步驟)移送致下一步驟。此時， 藉由包含使上述黏著劑層之黏著性降低的步驟，可使拾取步驟容易化。
這該一連串的步驟之中，於切割步驟的其後之擴展步驟，半導體構裝及其被切割而成之封膠晶片，要求可維持固定在切割片的狀態。由達成該目的的觀點，切割片的黏著劑層，對該半導體構裝及封膠晶片的能量線照射前之黏著性(於本說明書，若無提及「黏著性」係指能量線照射前之黏著性。)高為佳。在此切割片之被著體為半導體構裝及封膠晶片時，相較於以半導體晶片作為被著體時，被著面的凹凸有變大的趨勢。因此，將以半導體晶片作為被著體之切割片，轉用於使用在對半導體構裝之上述步驟之切割片，則對被著體之黏著性變得不充分，於切割步驟之切斷半導體構裝之中，有個片化之封膠晶片由切割片發生剝離飛散，或在於擴展步驟使切割片伸展時封膠晶片剝離飛散等之異常。以下，將在於切割步驟或擴展步驟所發生之該等異常總稱為「封膠晶片飛散」。以減少發生該封膠晶片飛散的可能性為目的，例如好引用文獻1所記載，進行於切割片之黏著劑層含有賦予黏著性之樹脂材料(於本說明書，稱為「黏著賦予樹脂」。)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-229040號公報
作為黏著賦予樹脂，一般的松香系材料由提升黏著劑層之黏著性的觀點為良好的材料。但是，本發明者們詳細研究的結果，松香系的黏著賦予樹脂，若不適切地控制其種類或含量，則在於黏著劑層之黏著性發生離散，或雖可確保黏著劑層之黏著性但無法適切地進行拾取步驟之情形。具體而言，在於拾取步驟，有發生無法拾取封膠晶片之異常之情形。以下，將該等異常總稱為「拾取不良」。
本發明之課題係在於提供，關於切割步驟、擴展步驟及拾取步驟之任一步驟，均可減少發生異常的可能性之切割片，及使用該切割片之封膠晶片之製造方法。
為達成上述目的，本發明者們研究的結果，得到藉由使含於切割片所包括之黏著劑層之黏著賦予樹脂，係由：聚合松香酯；不均化松香酯及石油系樹脂之至少一方所組成者，該等黏著賦予樹脂之中，使聚合松香酯之含量為既定量以上的同時，藉由使能量線照射前後的黏著力之比例(前/後)為3以上，關於切割步驟、擴展步驟及拾取步驟之任一步驟，均可減少發生異常的可能性之見識。
基於該見識所完成之本發明，於第1提供，一種切割片，其係包括：基材及層積於上述基材之至少一方的面之黏著劑層之切割片，其特徵在於：上述黏著劑層，係由含有丙烯酸系聚合物(A)、能量線聚合性化合物(B)及黏著賦予樹脂(C)之黏著劑所組成物者，上述黏著賦予樹脂(C)含有聚合松香酯(C1)的同時，含有不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之至少 一方，含於上述黏著劑組成物之上述聚合松香酯(C1)之含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，為5質量部以上，上述切割片，係以在於上述黏著劑層之與上述基材相對之側之相反側之露出面作為測定對象面，以半導體構裝的樹指封裝面作為被著面，遵照JIS Z0237：2000進行180°拉剝試驗時所測定之黏著力，在於能量線照射前的狀態之黏著力對能量線照射後的狀態之黏著力之比為3以上(發明1)。
該切割片，適切地含有黏著賦予樹脂(C)，由於黏著力比為3以上，不容易發生封膠晶片之飛散或拾取不良等的異常。
在於上述發明(發明1)，其中包含於上述黏著劑組成物之上述聚合松香酯(C1)的含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以5質量部以上20質量部以下為佳(發明2)。藉由使之在於該範圍，可減低發生黏著性的離散或黏著力比之降低的可能性，此外，可容易得到提升黏著劑層之黏著性之黏著劑層。
在於上述發明(發明1、2)，其中包含於上述黏著劑組成物之不均化松香酯(C2)之含量及石油系樹脂(C3)之含量之總和，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上為佳(發明3)。不均化松香酯(C2)之含量及石油系樹脂(C3)加上作為黏著賦予樹脂之功能，亦具有提升松香酯(C1)與丙烯酸系聚合物(A)之相溶性的功能，藉由滿足上述含量的範圍，可更穩定地發揮提升如此之相溶性的功能。
在於上述發明(發明1至3)，其中能量線聚合性化 合物(B)，以包含具有重量平均分子量(Mw)為100以上30,000以下之能量線聚合性基之低分子量化合物(B1)為佳(發明4)。該低分子量化合物(B1)，係由選自由具有能量線聚合性基之單官能單體及多官能單體以及該等單體之寡聚物所組成之群之一種或二種以上所組成者，藉由含有該低分子量化合物(B1)可減低黏著劑層之組成穩定性下降的可能性，且由於上述低分子量化合物(B1)可具有與黏著賦予樹脂(C)同樣的功能，更容易提高黏著劑層之黏著性。
在於上述發明(發明4)，其中含於上述黏著劑組成物之能量線聚合性基之低分子化合物(B1)之含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上150質量部以下為佳(發明5)。藉由使具有能量線聚合性基之低分子化合物(B1)之含量在於上述範圍內，可藉由照射能量線使黏著劑層之黏著性適切地降低的同時，使黏著劑層可塑化，可更顯著地發揮該黏著性提升的效果。此外，可防止發生起因於黏著劑層之各成分之相溶性降低之異常。
在於上述發明(發明1至5)，其中上述黏著劑組成物，含有可與上述丙烯酸系聚合物做架橋反應之架橋劑為佳(發明6)。此時，在由黏著劑組成物形成之黏著劑層，在於具有應與丙烯酸系聚合物(A)做架橋劑反應之官能基(於本說明書，將可與架橋劑反應之官能基亦稱為「反應性官能基」。)含有可與架橋劑做架橋反應之架橋物，藉由調整該架橋物所具有架橋構造(由反應性官能基-架橋劑-反應性官能基構成。)，於黏著劑層內的存在密度(於本說明書亦稱為「架橋密度」。)，可 控制黏著劑層之能量線照射前之黏著性等的特性。
在於上述發明(發明1至6)，其中上述黏著劑層之厚度以5μm以上35μm以下為佳(發明7)。藉由使該厚度在該範圍內，可減低黏著劑層之黏著性的離散會變大，難以使黏著力在上述範圍，而在拾取時黏著劑層在內部發生破壞團聚等的問題之可能性。
在於上述發明(發明1至7)，其中於上述基材的上述黏著劑層側之面，存在具有選自由羧基、以及由其離子及鹽所組成之群之一種或二種以上的成分為佳(發明8)。藉由該成分與關於黏著劑層之成分之化學性相互作用，可減低基材與黏著劑層之間發生剝離的可能性。
上述黏著劑層之與上述基材相反側之面，黏貼於樹脂封裝半導體晶片之半導體構裝之樹脂封裝面為佳(發明9)。藉由使黏著劑層之與基材之反對側之面黏貼於上述被著面，可實現作為切割片之適切的功能。
本發明，係於第2，提供一種封膠晶片之製造方法，其係將上述發明(發明1至9)之任一項之切割片之上述黏著劑層側之面，黏貼於半導體構裝之樹脂封裝面，將上述切割片上的上述半導體構裝切斷而個片化，得到複數封膠晶片(發明10)。
該製造方法，由於在其過程不容易發生封膠晶片之飛散及拾取不良，故可製造品質優良且有利於成本之封膠晶片。
根據本發明，可提供在於切割步驟、擴展步驟及拾取步驟之任一步驟均可減少發生異常的可能性之切割片。此外，藉由使用該切割片，可製造品質優良且有利於成本之封膠晶片。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材
3‧‧‧黏著劑層
第1圖係本發明之一實施形態之切割片之示意剖面圖
以下，說明本發明之實施形態。
如第1圖所示，關於本發明之一實施形態之切割片1，包括：基材2；及黏著劑層3。
1.基材
關於本實施形態之切割片1之基材2，只要在於擴展步驟或拾取步驟不會破斷，其構成材料並無特別限定，通常係以樹脂系的材料作為主材之薄膜所構成。該薄膜之具體例，可舉低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等之聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等的聚烯烴系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等的聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜等的聚酯系薄膜；聚氨酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；離聚物樹脂薄膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等之乙烯系共聚合薄膜；聚苯乙烯薄膜； 聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜；以及該等樹脂之加氫物及變性物作為主材之薄膜。此外，亦可使用該等的架橋薄膜、共聚物薄膜。上述基材2可以1種單獨，亦可為進一步組合2種以上之層積薄膜。再者，在於本說明書之「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸及甲基丙烯酸之雙方之意思。關於其他類似的用語亦相同。
基材2，亦可於上述樹脂系材料作為主材之薄膜內，含有顏料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑、填充劑等的各種添加劑。顏料，可舉例如，二氧化鈦、碳黑等。此外，填充劑，可例示例如三聚氰胺樹脂等之有機系材料，如氣相法二氧化矽等之無機系材料及鎳粒子等之金屬系材料。如此之添加劑之含量，並無特別限定，應保留在基材2可發揮所期望的功能，不失去平滑性及柔軟性的範圍。
使用紫外線作為使黏著劑層3硬化所照射之能量線時，基材2對紫外線具有穿透性為佳。再者，使用電子線作為能量線時，基材2具有電子線穿透性為佳。
此外，基材2之黏著劑層3側之面(以下，亦稱為「基材被著面」。)，存在有選自由羧基、以及其離子及鹽所組成之群之1種或2種以上的成分為佳。在於基材2之該成分與關於黏著劑層3之成分(可例示構成黏著劑層3之成分及架橋劑等形成黏著劑層3時使用之成分。)，藉由化學性的相互作用，可降低該等之間發生剝離的可能性。為在基材被著面存在如此之成分之具體手法，並無特別限定。例如，可使基材2本身，係例如以成為乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜等的材料之樹脂之構成單體，具有羧基、以及其離子及鹽 者。於基材被著面發生上述成分之其他手法，基材2亦可例如係聚烯烴系薄膜，對基材被著面施以電暈處理，或設置底漆層。此外，於基材2之與基材被著面之相反側的面，亦可設有各種塗膜。
基材2之厚度只要是切割片1可在上述各步驟適當地作用，並無限定。以20~450μm為佳，以25~200μm更佳，以50~150μm的範圍特別佳。
在於本實施形態之基材2之破斷伸度，於23℃、相對濕度50%所測定之值，以100%以上為佳，以200%以上特別佳，以1000%以下為佳。上述破斷伸度為100%以上之基材2，於擴展步驟時不容易破斷，容易將切斷裝置相關構件所形成之裝置晶片離間者。再者，破斷伸度，係遵照JIS K7161：1994之拉伸試驗，試驗片破斷時之試驗片之長度對原來的長度之伸長率。
此外，在於本實施形態之基材2之遵照JIS K7161：1994之試驗所測定之25%變形時之拉伸應力以5N/10mm以上15N/10mm以下為佳，最大拉伸應力以15MPa以上50MPa以下為佳。25%變形時之拉伸應力未滿5N/10mm，或最大拉伸應力未滿15MPa，則將半導體構裝黏貼於切割片1之後，固定於環形框等時，有因基材2柔軟而發生鬆弛，而成為輸送錯誤之原因。另一方面，25%變形時之拉伸應力超過15N/10mm，或最大拉伸應力未滿50MPa，則有於擴展步驟時施加的荷重變大，有發生切割片1本身由環形框剝落等的問題之虞。在於本發明之破斷伸度、25%變形時之拉伸應力、最大 拉伸應力係對基材的長條方向測定之值。
2.黏著劑層
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3，係由含有如下所說明之丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)及黏著賦予樹脂(C)等之黏著劑組成物所形成者。
(1)丙烯酸系聚合物(A)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，含有丙烯酸系聚合物(A)。在由該黏著劑組成物形成之黏著劑層3，丙烯酸系聚合物(A)亦有含有至少其一部分與後述之架橋劑進行架橋反應之架橋物之情形。於本說明書，將可與架橋劑進行架橋反應之官能基亦稱為「反應性官能基」。丙烯酸系聚合物(A)雖並不必須具有反應性官能基，惟丙烯酸系聚合物(A)具有反應性官能基時，由於可如上所述可與架橋劑形成架橋物而佳。再者，反應性官能基的種類，只要按照架橋劑的種類設定即可。
丙烯酸系聚合物(A)，可使用先前習知之丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)，以1萬以上200萬以下為佳，以10萬以上150萬以下更佳。此外，丙烯酸系聚合物(A)之玻璃轉移溫度Tg，以-70℃以上30℃以下為佳，以-60℃以上20℃以下的範圍更佳。
上述丙烯酸系聚合物(A)，可為1種丙烯酸系單體所形成之單獨聚合物，亦可為複數種丙烯酸系單體所形成之共聚物，亦可為1種或複數種丙烯酸系單體與丙烯酸系單體以外的單體所形成之共聚物。成為丙烯酸系單體之化合物之具體種 類並無特別限定，具體例可舉，(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。關於(甲基)丙烯酸酯，進一步表示具體例，則可舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、醯亞胺丙烯酸酯等的環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等的具有羥基之丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等的具有羥基以外的反應性官能基之(甲基)丙烯酸酯。此外，丙烯酸系單體以外的單體，可例示乙烯、降冰片烯等的烯烴、醋酸乙烯酯、苯乙烯等。再者，丙烯酸系單體為(甲基)丙烯酸烷基酯時，該烷基之碳數以1~18的範圍為佳。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，如後所述地含有可將丙烯酸系聚合物(A)架橋之架橋劑時，丙烯酸系聚合物(A)所具有的反應性官能基之種類並無特別限定，基於架橋劑的種類等適宜決定即可。例如，架橋劑為聚異氰酸酯化合物時，丙烯酸系聚合物(A)所具有的反應性官能基，可例示羥基、羧基、胺基等。該等極性的官能基，與架橋劑反應之功能之外，亦具有提升丙烯酸系聚合物(A)與黏著賦予樹脂(C)之相溶性的效果。該等之中，架橋劑係聚異氰酸酯化合物時，採用與異氰酸酯基的反應性高的羥基作為反應性 官能基為佳。於丙烯酸系聚合物(A)導入羥基作為反應性官能基之方法並無特別限定。作為一例，可舉丙烯酸系聚合物(A)於骨架含有基於(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等的具有羥基之丙烯酸酯之構成單位之情形。
(2)能量線聚合性化合物(B)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物所含有之能量線聚合性化合物(B)，只要是具有能量線聚合性基，可受紫外線、電子線等的能量線的照射而聚合反應，具體的構成並無特別限定。藉由聚合能量線聚合性化合物(B)，使黏著劑層3之黏著性降低，可提升拾取步驟之工作性。
能量線聚合性基的種類並無特別限定。其具體例，可舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基等的乙烯性不飽和鍵結之官能基等。由聚合反應性優良的觀點，能量線聚合性基以具有乙烯性不飽和鍵結之官能基為佳，其中，由照射能量線時之反應性高的觀點，以(甲基)丙烯醯基更佳。
能量線聚合性化合物(B)，可大致區分為具有能量線聚合性基之低分子量化合物(在於本說明書，簡稱為「低分子量化合物」。)(B1)，及於主鏈或側鏈具有由能量線聚合性基之高分子所構成之能量線硬化型聚合物(B2)。關於本實施形態之黏著劑層3，可使用該等的任一，或並用。
i)低分子量化合物(B1)
能量線聚合物(B)含有低分子量化合物(B1)時，由於低分子量化合物(B1)可與後述之黏著賦予樹脂(C)同樣地，使黏著劑層3可塑化，故可容易提升黏著劑層3之黏著性。低分子量化合物 (B1)，可由1種化合物構成，亦可由複數種化合物構成。低分子量化合物(B1)以分子當量所具有的能量線聚合性基數可為1個(單官能)，亦可為複數(多官能)。此外，低分子量化合物(B1)亦可具有被稱為所謂寡聚物(具有10至100個來自單體的構成單位之化合物)之程度之分子量，其分子量以100以上30,000以下為佳。低分子量化合物(B1)分子量過小時，有在製造過程揮發之虞，此時會降低黏著劑層3之穩定性。另一方面，低分子量化合物(B1)之分子量過大時，有難以得到使黏著劑層3可塑化之功能之虞。使在於製造過程減低揮發的可能性與提高使黏著劑層3可塑化的功能穩定地並存的觀點，低分子量化合物(B1)之分子量，以重量平均分子量(Mw)以200以上20,000以下為佳，以300以上10000以下更佳，以300以上4,000以下特別佳。
上述低分子量化合物(B1)之具體的組成並無特別限定。具體例，可舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二異戊四醇基單羥基酯、六(甲基)丙烯酸二異戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯等的具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯；二環戊二烯基二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯等的具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧基變性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等的丙烯酸酯系化合物等。該等之中，丙烯酸酯系化合物由於對丙烯酸系聚 合物(A)之相溶性高而佳。
低分子量化合物(B1)，以於一分子中具有3個以上的能量線聚合性基者為佳。本發明之黏著劑層3，係含有如後所述之聚合松香酯(C1)者，惟由於聚合松香酯(C1)具有不飽和碳-碳雙鍵鍵結，故有阻礙低分子量化合物(B1)之能量線聚合性基之聚合之情形。但是，低分子量化合物(B1)，於一分子中所具有的能量線聚合性基在如上所述之範圍，則可有效地進行聚合，容易將後述之切割片1之黏著力比調整於較佳的範圍。特別是，低分子量化合物(B1)，於一分子中所具有的能量線聚合性基為5個以上，則即使低分子量化合物(B1)之調合量並非過大的量，亦可使聚合有效地進行而更佳。
此外，使低分子量化合物(B1)於一分子中所具有的能量線聚合性基之數量為n，低分子量化合物(B1)之重量平均分子量為M，將n以M商除之值n/M以1×10-4以上為佳。n/M在如上所述之範圍者，則即使黏著劑層3含有聚合松香酯(C1)，亦可有效地進行聚合，容易將後述之切割片1之黏著力比調整於較佳的範圍。特別是n/M為1×10-3以上，則由於即使低分子量化合物(B1)之調合量並不過大的量，亦可有效率地使聚合進行而更佳。抑制黏著劑層3在於保管中的硬化等的操作上的觀點，n/M之較佳的範圍之上限為5×10-2程度。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物之低分子量化合物(B1)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上300質量部以下為佳，以75質量部以上150質量部以下更佳。再者，在於本說明書，表示各成 分之含量之「質量部」係固形分的量的意思。藉由使低分子量化合物(B1)之含量為如此之範圍，可使能量線聚合性基在黏著劑層3之存在密度適當，可藉由照射能量線使黏著劑層3的黏著性適切地降低，藉由本成分使黏著劑層3可塑化，更顯著地發揮提升其黏著性之的效果。另一方面，不容易發生丙烯酸系聚合物(A)及後述之黏著賦予樹脂(C)之相溶性下降之異常。結果，可防止黏著劑層3之黏著性發生離散，或於黏著劑層3與被著體之界面附近，局部性地產生能量線聚合性化合物(B)之濃度低的部分，使後述之切割片1之黏著力無法充分上升。再者，上述n/M亦納入考慮，則用於形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物之低分子量化合物(B1)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部之含量與上述n/M之積之值，以成為1.0×10-1以上15以下的含量為佳，以成為1.5×10-1以上5以下的含量更佳，以成為3.0×10-1以上1.0以下的含量特別佳。
ii)能量線硬化型聚合物(B2)
能量線硬化型聚合物(B2)之具體構造，並無限定，以丙烯酸系聚合物，於主鏈或側鏈具有能量線聚合性基之構成單位時，具有作為丙烯酸系聚合物(A)之性質。因此，可簡化黏著劑層3之製造步驟，具有容易控制在於黏著劑層3之能量線聚合性基之存在密度等的優點。此外，此時，亦可另外含有丙烯酸系聚合物(A)。再者，如此之能量線硬化型聚合物(B2)具有丙烯酸系聚合物(A)之性質時，用於特定上述低分子量化合物(B1)或後述之黏著賦予樹脂(C)等，含於形成黏著劑層3之黏著劑組合物之丙烯酸系聚合物(A)以外的成分之含量於合適範圍 時之所為「丙烯酸系聚合物(A)100質量部」，係指丙烯酸系聚合物(A)之含量及具有作為丙烯酸系聚合物(A)之性質之能量線硬化型聚合物(B2)之總計含量為100質量部。再者，能量線硬化型聚合物(B2)具有作為丙烯酸系聚合物(A)之性質時，丙烯酸系聚合物(A)之全量亦可為能量線硬化型聚合物(B2)。此時，能量線硬化型聚合物(B2)加上能量線聚合性基亦可具有反應性官能基。能量線硬化型聚合物(B2)所具有之反應性官能基之至少一部分，亦可與架橋劑架橋反應。
能量線硬化型聚合物(B2)係具有能量線聚合性基之聚合物，重量平均分子量(Mw)較30,000大。該能量線硬化型聚合物(B2)，係與丙烯酸系聚合物(A)同樣地產生維持作為黏著劑主劑之一般功能之黏著劑層之團聚性的效果者，如此之效果分子量越高，可更加發揮。另一方面，能量線硬化型聚合物(B2)之分子量過大時，發生製造黏著劑層3時難以薄層化等的問題的可能性會變高。因此，能量線硬化型聚合物(B2)之重量平均分子量，以10萬以上200萬以下左右為佳，以15萬以上150萬以下左右更佳。
能量線硬化型聚合物(B2)具有基於(甲基)丙烯酸酯之構成單位者時，例如可以如下方法調製。含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基於(甲基)丙烯酸酯之構成單位及含有基於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位而成之共聚物之丙烯酸系聚合物，將可與上述官能基反應之取代基及能量線聚合性基(例如具有乙烯性雙鍵鍵結之基)於每1分子具有1~5個化合物，可對上述丙烯酸系聚合物加成能量線聚合性基。
使能量線聚合性化合物(B)硬化之能量線，可舉電離輻射線、X射線、紫外線、電子線等。該等之中，以比較容易導入之照射裝置之紫外線為佳。
使用紫外線作為電離輻射線時，由操作的容易度使用包含波長200~380nm程度之紫外線之近紫外線即可。紫外線量，只要按照能量線聚合性化合物(B)之種類或黏著劑層3之厚度適宜選擇即可，通常為50~500mJ/cm2左右，以100~450mJ/cm2為佳，以200~400mJ/cm2更佳。此外，紫外線照度，通常為50~500mW/cm2左右，以100~450mW/cm2為佳，以200~400mW/cm2更佳。紫外線源，並無特別限制，可使用例如高壓水銀燈、金屬鹵素燈等。
使用電子線作為電離輻射線時，關於其加速電壓，只要按照能量線聚合性化合物(B)之種類或黏著劑層3之厚度適宜選定即可，通常加速電壓以10~1000kV程度為佳。此外，照射劑量，只要設定於能量線聚合性化合物(B)適當地硬化之範圍即可，通常於10~1000krad的範圍選定。電子線源並無特別限制，例如柯克考羅夫特-華登(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van-de-Graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型或直線型、Dynamitron型、高頻波型等的各種電子線加速器。
(3)黏著賦予樹脂(C)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，亦可含有聚合松香酯(C1)作為黏著賦予樹脂(C)的同時，含有不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之至少一方。藉由含有分子量由數百至數千左右的寡聚物所組成之黏著賦予樹脂(C)，黏著劑 層3之黏著性會增加。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組合物之黏著賦予樹脂(C)之含量，可按照要求黏著劑層3之黏著性等適宜設定。基本的趨勢，係黏著賦予樹脂(C)之含量過少時，難以提高黏著性，相反地含量過多時，與丙烯酸系聚合物(A)或能量線聚合性化合物(B)之相溶性下降，而於黏著劑層之黏著性發生離散，或提高切割片1之黏著力比下降等的異常的可能性。使黏著性容易在適當的範圍的觀點，形成黏著劑層3之黏著劑組成物之黏著賦予樹脂(C)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以55質量部以上200質量部以下為佳，以100質量部以上175質量部以下更佳。
聚合松香酯(C1)之具體的種類，並無特別限定。只要是使松脂酸與以其異構物之混合物為主成分之松香聚合(二聚化)，藉由使羧基的部分酯化使其化學穩定化者，酯化的醇的種類(可例示甘油、異戊四醇等。)等為任意。聚合松香酯(C1)之具體例，可舉荒川化學工業公司製「PENSEL D125」、「PENSEL D135」、「PENSEL D160」等。
由穩定地增加基於含有黏著賦予樹脂(C)之黏著劑層之黏著性之增加的觀點，形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物之聚合松香酯(C1)的含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，為5質量部以上。該含量未滿5質量部時，有難以得到基於含有聚合松香酯(C1)之黏著性之提升效果之虞。另一方面，聚合松香酯(C1)之含量過多時，有聚合松香酯(C1)與丙烯酸系聚合物(A)之相溶性變得容易下降，於黏著劑 層3之黏著性發生離散，或切割片1之黏著力比容易下降之虞。因此，形成關於本實施形態的黏著劑層3之黏著劑組成物之聚合松香酯(C1)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以20質量部以下為佳。由可減低黏著性發生離散的可能性及可更穩定地實現黏著性的提升的觀點，形成黏著劑層3之黏著劑組成物之聚合松香酯(C1)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以8質量部以上18質量部以下更佳，以10質量部以上15質量部以下特別佳。
不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)均加上作為黏著賦予樹脂之功能，亦具有提高聚合松香酯(C1)與丙烯酸系聚合物(A)之相溶性之功能。因此，丙烯酸系聚合物(A)與聚合松香酯(C1)之SP值之差很大時，含有不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之雙方，在使黏著劑層3之黏著性的離散少，且提高切割片1之黏著力比之觀點而佳。
由可更穩定地發揮上述功能的觀點，含於形成黏著劑層3之黏著劑組成物之不均化松香酯(C2)之含量及石油系樹脂(C3)之含量之總和，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上為佳，以80質量部以上更佳，以100質量部以上特別佳。含於形成黏著劑層3之黏著劑組成物之不均化松香酯(C2)之含量及石油系樹脂(C3)之含量之總和之上限，係基於應滿足黏著性等的黏著劑層3之其他的事項所決定者，通常，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以200質量部以下為佳，以170質量部以下為佳。形成黏著劑層3之黏著劑組成物之不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之各個含量的範圍並無特別限 定，於任一對丙烯酸系統聚合物(A)100質量部，以25質量部以上140質量部以下有較佳之情形。
不均化松香酯(C2)之具體的組成等，並無特別限定。其具體例，可舉荒川化學工業公司製「Super Ester A100」、「KE656」等。另一方面，石油系樹脂(C3)之具體的種類，亦無特別限定，C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5/C9系石油樹脂及該等之加氫樹脂等。此外，作為具體例，三井化學公司製「FTR6100」、「FTR7100」、「FTR8100」等。
形成黏著劑層3之黏著劑組成物，包含具有能量線聚合性基之低分子量化合物(B1)時，由於在由其黏著劑組成物形成之黏著劑層3，該化合物可發揮與黏著賦予樹脂同樣的功能(黏著劑層3之可塑化)之情形，故使具有能量線聚合性基之低分子量化合物(B1)之含量與黏著賦予樹脂(C)之含量之總和，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，包含165質量部以上400質量部以下為佳，以190質量部以上300質量部以下更佳，以200質量部以上275質量部以下更佳。
(4)架橋劑
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，亦可如上所述地含有可與丙烯酸系聚合物(A)反應之架橋劑。此時，關於本實施形態之黏著劑層3，含有丙烯酸系聚合物(A)與架橋劑之架橋反應所得之架橋物。作為架橋劑，可舉例如，環氧系化合物、異氰酸酯系化合物、金屬螯合物系化合物、氮丙啶系化合物等的聚醯亞胺化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物、金屬烷氧化合物、金屬鹽等。該 等之中，由容易控制架橋反應等的理由，架橋劑以聚異氰酸酯化合物為佳。
在此，稍微詳細地說明關於聚異氰酸酯化合物。聚異氰酸酯化合物係於1分子具有2個異氰酸酯基之化合物，可舉例如甲苯基二異氰酸酯、二苯基二異氰酸酯、二甲苯基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環庚烷三異氰酸酯、亞環戊基二異氰酸酯、亞環己烯二異氰酸酯、甲基亞環己基二異氰酸酯、加氫亞二甲苯基二異氰酸酯等的脂環式異氰酸酯化合物；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等的具有鏈狀骨架之異氰酸酯。
此外，亦可使用該等化合物之雙縮脲體、異氰脲酸酯體，或該等的化合物，與乙二醇、三甲醇基丙烷、蓖麻油等的非芳香族性低分子活性氫含有化合物之反應物之加成物等的變性體。上述聚異氰酸酯化合物，可以1種，亦可以複數種。
關於本實施形態之黏著劑層3，具有基於丙烯酸系聚合物(A)與架橋劑之架橋物時，可藉由調整架橋密度，控制黏著劑層3之能量線照射前黏著性等的特性。因此，該架橋密度，亦可按照要求黏著劑層3之特性適宜設定。再者，用於形成關於本實施形態的黏著劑層3之黏著劑組成物含有架橋劑時，按照該架橋劑之種類，含有適當的架橋促進劑為佳。例如，架橋劑為聚異氰酸酯化合物時，用於形成黏著劑層3之黏著劑組成物含有有機錫化合物等的有機金屬化合物系之架橋促進 劑為佳。
(5)其他的成分
用於形成包括關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之黏著劑組成物，加上上述成分，亦可含有光聚合起始劑、染料或顏料等的著色材料、難燃劑、填充劑等的各種添加劑。
在此，關於光聚合起始劑稍微詳細地說明。光聚合起始劑，可舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體而言，可例示1-羥基環己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、苯偶醯異丁腈、二苄基、聯乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。使用紫外線作為能量線時，藉由調合光聚合起始劑，可減少照射時間，照射量。
(6)物性、形狀等
i)黏著力比
在於本說明書，所謂黏著力比，係將關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之與基材2相對之側之相反側之露出面作為測定對象面，以半導體構裝的樹脂封裝面作為被著面，遵照JIS Z0237：2000以180°進行拉剝試驗時所測定之切割片1之黏著力，能量線照射前之狀態的黏著力(以下，亦稱為「照射前黏著力」。)對能量線照射後之狀態之黏著力(以下，亦稱為「照射後黏著力」。)之比(前/後)之意思。關於本實施形態之切割片1之黏著力比為3以上。藉由使黏著力比在於該範 圍，可實現減低封膠晶片在於切割步驟或擴展步驟發生飛散的可能性，且可減低在於拾取步驟發生拾取不良的可能性。黏著力比未滿3時，有因難以維持照射前之高黏著力，故有封膠晶片變得容易發生飛散，或因難以維持照射後之低黏著力，而容易發生拾取不良。由可更穩定地減低封膠晶片之飛散及/或發生拾取不良的可能性之觀點，黏著力比以4.5以上為佳，以8.0以上更佳。黏著力比之上限並無特別設定，黏著劑層3藉由能量線照射之硬化時所產生的體積收縮的程度，由於與黏著力比有正相關的關係，故黏著力比過高時，有封膠晶片在黏著劑層3之硬化時發生移動之異常之虞。因此，通常，黏著力比以20以下為佳，以13以下更佳，以10以下特別佳。
再者，照射前黏著力及照射後黏著力之合適範圍，應按照切割步驟、擴展步驟及拾取步驟之具體條件，被著體之半導體構裝之材質或表面狀態(凹凸的程度等)適宜設定。通常，照射前黏著力，以2000mN/25mm以上為佳，以2500mN/25mm以上更佳。此外，照射後黏著力，以600mN/25mm以下為佳，以400mN/25mm以下更佳，以300mN/25mm以下特別佳。
ii)厚度
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之厚度，並無特別限定。過薄時，有發生黏著劑層之黏著性之離散性變大之問題之虞，於過厚時，黏著性過高而難以將切割片1之黏著力比控制於上述範圍，或於拾取時在黏著劑層3內部發生團聚破壞的可能性變高，而黏著劑殘留率(其定義等之細節將後 述於實施例。)變高之虞。由穩定地減低發生如此之問題之可能性之觀點，黏著劑層3之厚度，以2μm以上50μm以下為佳，以5μm以上35μm以下更佳，以5μm以上20μm以下更佳，以5μm以上15μm以下特別佳。黏著劑層3之厚度成20μm以下，則可使黏著劑殘留率特別低，黏著劑層3之厚度成15μm以下，則可使黏著劑留下率為20%以下。
iii)剝離片
關於本實施形態之切割片1，在直到將黏著劑3黏貼於被著體之半導體構裝之前之間，以保護黏著劑層3為目的，亦可於黏著劑層3與基板相對之側之相反側的面，黏貼剝離片之剝離面。剝離片之構成為任意，可例示將塑膠薄膜以剝離劑等塗布者。塑膠薄膜之具體例，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜，或聚乙烯或聚丙烯等的聚烯烴薄膜。剝離劑，使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等，該等之中，以可得廉價而穩定的性能之矽酮系為佳。代替上述剝離片之塑膠膜，亦可使用玻璃紙、塗層紙、優質紙等的紙基材或於紙基材層壓聚乙烯等的熱塑性樹脂之層壓紙。剝離片的厚度，並無特別限制，通常為20μm以上250μm以下的程度。
3.切割片之製造方法
切割片1的製造方法，只要是可將由上述黏著劑組成物形成之黏著劑層3層積於基材2一面，詳細的方法並無特別限定。舉一例，則調製含有上述黏著劑組成物、及根據所期望進一步含有溶劑之塗層液，於基材2的一面上，藉由模具塗佈機、 淋幕塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等將該塗層液塗佈形成塗膜，藉由使該一面上的塗膜乾燥，形成黏著劑層3。塗層液，只要可進行塗佈，其性狀並無特別限定，有將用於形成黏著劑層3之成分作為溶質含有之情形，亦有作為分散質含有之情形。
黏著劑組成物含有架橋劑時，藉由改變上述乾燥條件(溫度、時間等)，或者另外設置其他架橋用的加熱處理，使塗膜內的丙烯酸系聚合物(A)與架橋劑進行架橋反應，於黏著劑層3內以所期望的存在密度形成架橋構造即可。為使該架橋反應充分進行，亦可藉由上述方法等將黏著劑層3層積於基材2之後，將所得切割片1，進行例如於23℃、相對濕度50%之環境靜置數日之熟成。
或者，亦可將塗層液塗佈於上述剝離片之剝離面上形成塗膜，將此乾燥形成黏著劑層3與剝離片所組成之層積體，將在於該層積體之黏著劑層3與剝離片相對之側之相反側之面黏貼於基材2之基材被著面，得到切割片1與剝離片之層積體。在於該層積體之剝離片可作為步驟材剝離，亦可直到黏貼於半導體構裝之間保護黏著劑層3。
4.封膠晶片之製造方法
將使用關於本實施形態之切割片1由半導體構裝製造封膠晶片之方法說明如下。
半導體構裝，係如上所述於基台的集合體之各基台上搭載半導體晶片，將該等半導體晶片一起以樹脂封裝的電子零件的集合體，而通常具有基板面與樹脂封裝面，其厚度為 200~2000μm程度。於樹脂封裝面之表面之算術平均粗糙度Ra為0.5~10μm程度而粗糙，此外，為容易地由封裝裝置之模具取出，封裝材料有含有脫模成分之情形。因此，將黏著片黏貼於樹脂封裝面時，有無法充分發揮固定性能之傾向。關於本實施形態之切割片1，在於使用時，將黏著劑層3側之面(即，黏著劑層3之與基材2相反側之面)黏貼於半導體構裝樹脂封裝面。再者，於切割片1之黏著劑層3側之面黏貼有剝離片時，將該剝離片剝離使黏著劑層3側之面露出，將該面黏貼於半導體構裝之樹脂封裝面即可。切割片1之周緣部，通常係藉由設於該部分之黏著劑層3，黏貼於稱為環形框之輸送或用於固定在裝置之環狀夾具。黏著劑層3，由於以適當的量含有黏著賦予樹脂(C)，故照射前黏著力充分的高。因此，即使將黏貼於切割片1之半導體構裝供於切割步驟，可減低將半導體構裝個片化而得之封膠晶片在加工中飛散的可能性。再者，藉由切割步驟所形成之封膠晶片的尺寸，通常為5mm×5mm以下，近年亦有作成1mm×1mm程度之情形，惟關於本實施形態之切割片1之黏著劑層3由於照射前具有優良的黏著性，對如此之細微間距之切割亦可充分對應。
藉由實施以上的切割步驟，可由半導體構裝得到複數的封膠晶片。切割步驟結束後，為容易拾取近接配置於切割片1上之複數封膠晶片，進行將切割片1向主面內方向伸長之擴展步驟。該伸長的程度，考慮鄰接之封膠晶片應具有的間隔、基材2之拉伸強度等適宜設定即可。
藉由實施擴展步驟，使鄰接配置之封膠晶片互相 適當地離間，則藉由真空夾頭等的泛用手段，進行黏著劑層3上的封膠晶片之拾取。拾取之封膠晶片，將供於輸送步驟等下一步驟。
切割步驟結束後，到開始拾取步驟，藉由對關於本實施形態之切割片1，由基材2側進行能量線照射，使切割片1所包括之黏著劑層3內部，含於此之能量線聚合性化合物(B)進行聚合反應，使照射後黏著力變成照射前黏著力之1/3以下。因此，不容易發生拾取不良。該能量線照射之實施時期，只要在結束切割步驟之後，開始拾取步驟之前，並無特別限定。由減低封膠晶片在擴展步驟時飛散的可能性的觀點，於擴展步驟之後實施為佳，但由於隨著黏著劑層3藉由能量線照射硬化，而該層會稍微收縮，故基於該收縮的位移將成問題時等，亦可將能量線照射在實施擴展步驟前實施。
如上所述，關於本實施形態之封膠晶片之製造方法，不容易發生封膠晶片的飛散，在於之後的步驟，亦不容易發生拾取不良。因此，將半導體構裝經由分割成複數的封膠晶片之切割步驟、擴展步驟及拾取步驟到下一步驟之一連串步驟，不容易降低良率。因此，使用關於本實施形態之切割片1之本實施形態之製造方法所得之封膠晶片，容易在成本上較有利。此外，封膠晶片的飛散或拾取不良，於直接關聯於該等異常之封膠晶片之外，因晶片撞擊等，而有使同批次所製造的其他封膠晶片發生缺陷等的問題之情形。因此，關於本實施形態之封膠晶片之製造方法所製造之封膠晶片，減低具有如此之問題的可能性，而品質優良。
以上所說明之實施形態，係為容易理解本發明而記載者，並非限定本發明而記載者。因此揭示於上述實施形態之各要素，係包含屬於本發明之技術性範圍之所有設計變更或均等物者之主旨。
[實施例]
以下，藉由實施例等進一步具體說明本發明，惟本發明之範圍並非限定於該等實施例等。
〔實施例1〕
(1)塗層液之調製
調製具有如下組成之塗層液。
i)作為丙烯酸系聚合物(A)，將100質量部丙烯酸丁基、2質量部丙烯酸及0.5質量部丙烯酸2-羥基乙酯共聚合而得之共聚物(重量平均分子量60萬，固體分濃度40質量%)，以固形分100質量部；ii)作為能量線聚合性化合物(B)，由6官能尿烷丙烯酸酯寡聚物(大日精化工業公司製SEIKABEAM 14-29B，重量平均分子量2000，固體分濃度80質量%、n/M=3×10-3)所組成之丙烯酸酯化合物，以固形分100重量部；iii)作為黏著賦予樹脂(C)之聚合松香酯(C1)，荒川化學工業公司製PENSEL D125(固體分濃度100質量%)，以固形分12.5質量部；iv)作為黏著賦予樹脂(C)之不均化松香酯(C2)，荒川化學工業公司製SUPERESTER A100(固體分濃度100質量%)，以固形分62.5質量部； v)作為黏著賦予樹脂(C)之中石油系樹脂(C3)，三井化學公司製FTR6100(固體分濃度100質量%)，以固形分62.5質量部；vi)與丙烯酸系聚合物(A)反應之架橋劑，由日本聚氨酯公司製CORONATE L組成之聚異氰酸酯化合物(甲苯基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物，1分子中的異氰酸酯基數3個，固體分濃度75質量%)，以固形分9質量部；及vii)作為光聚合起始劑，IRGACURE184(Ciba．Speciality．Chemicals公司製、固體分濃度100質量%)，以固形分7.5質量部。
(2)切割片的製作
準備於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯製基材薄膜之一方的主面上形成矽酮系剝離劑層而成之剝離片(LINTEC公司製：SP-PET381031)。於該剝離片之剝離面上，以刮刀塗佈機，使最終所得之黏著劑層之厚度為10μm地塗佈上述塗層液。將所得塗膜，每剝離片在80℃的環境下經過1分鐘使塗膜乾燥並進行架橋反應，得到由剝離片與黏著劑層(厚度：10μm)之層積體。
以厚度140μm之乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜(25%變形時拉伸應力：10.8N/10mm、最大拉伸應力：25.5MPa、破斷伸度：525%)所組成之基材之一方的面作為基材被著面，於該面，黏貼上述層積體之黏著劑層側之面，得到將由第1圖所示之基材與黏著劑層所組成之切割片，進一步於黏著劑層之表層積剝離片的狀態。
〔實施例2〕
在於實施例1，將塗層液所含有之丙烯酸系聚合物(A)，變更為共聚合塗層液所含有的100質量部的丙烯酸丁酯、5質量部的丙烯酸及0.2質量部的丙烯酸2-羥基乙酯之聚合物(重量平均分子量60萬，固體分濃度40質量%)以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例3〕
在於實施例1，將塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，進行使不均化松香酯(C2)之含量以固形分為125質量部，石油系樹脂(C3)之含量以固形分為50質量部之變更，將作為黏著賦予樹脂(C)之含量由實施例1之137.5質量部變更為182.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例4〕
在於實施例1，將黏著劑層之厚度由10μm變更為15μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例5〕
在於實施例1，將黏著劑層之厚度由10μm變更為30μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例6〕
在於實施例1，塗層液所含有的黏著賦予樹脂(C)之中，不含石油系樹脂(C3)，使黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為75質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例7〕
在於實施例1，塗層液所含有的黏著賦予樹脂(C)之中，不 含不均化松香酯(C2)，使石油系樹脂(C3)之含量以固形分為75質量部，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為87.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例8〕
在於實施例1，將塗層液所含有的能量線聚合性化合物(B)之種類，由6官能尿烷丙烯酸酯變更為3官能尿烷丙烯酸酯寡聚物(大日精化工業公司製SEIKABEAM EXL-810TL，重量平均分子量5000，固形分濃度60質量%，n/M=6×10-4)，將含量變更為250質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例1〕
在於實施例1，將塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，不含聚合松香酯(C1)，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為125質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例2〕
在於實施例1，將塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，不含聚合松香酯(C1)及不均化松香酯(C2)之雙方，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為62.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例3〕
在於實施例1，將塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，關於聚合松香酯(C1)、不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之 任一均將含量以固形分為125質量部，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為375質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例4〕
在於實施例1，於塗層液不含有能量線聚合性化合物(B)及光聚合起始劑之雙方以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例5〕
在於實施例1，使塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之含量如下，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為52.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
聚合松香酯(C1)：以固形分2.5質量部、 不均化松香酯(C2)：以固形分25質量部、及 石油系樹脂(C3)：以固形分25質量部。
〔比較例6〕
在於實施例1，使塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，使聚合松香酯(C1)之含量以固形分為50質量部、石油系樹脂(C3)之含量以固形分為75質量部，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為187.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例7〕
在於實施例1，使塗層液所含有之黏著賦予樹脂(C)之中，使聚合松香酯(C1)之含量以固形分為50質量部、不含有不均 化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之雙方，黏著賦予樹脂(C)以固形分之含量由實施例1之137.5質量部變更為50質量部。除該等變更以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例8〕
在於實施例1，將塗層液所含有之能量線聚合性化合物(B)之種類，由6官能尿烷丙烯酸酯變更為3官能尿烷丙烯酸酯寡聚物(大日精化工業公司製SEIKABEAM EXL-810TL，重量平均分子量5000，固體分濃度60質量%，n/M=6×10-4)以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
將用於製造關於以上的實施例及比較例之切割片而調製之塗層液之組成等及所得切割片的厚度，整理表示於第1表。再者，關於實施例及比較例之塗層液所含有之能量線聚合性化合物(B)均為尿烷丙烯酸酯寡聚物，故於第1表關於能量線聚合性化合物(B)之種類之欄，表示官能基數。
[第1表]
〔試驗例1〕<黏著力比的測定>
將上述實施例及比較例所製造之切割片，裁切得到寬度25mm之黏著力測定用片。使用半導體構裝用樹脂(KYOCERA CHEMICALS公司製KE-G1250)，製造厚度600μm，一方的主面之算術平均粗糙度Ra為2μm之片狀構件。於該片狀構件之上述一方的主面黏貼黏著力測定用片之黏著劑層側之表面，得到由片狀構件與黏著力測定用片所組成之層積體。將所得層積體，於23℃、相對濕度50%之氣氛下放置20分鐘。對放置後之層積體，使用萬能拉伸試驗機(ORIENTEC公司製，TENSILON/UTM-4-100)，遵照JIS Z0237：2000進行180°拉剝試驗(拉剝黏著力測定用片側之構件。)，測定照射前之黏著力(單位：mN/25mm)。
再製作一個由上述片狀構件與黏著力測定用片組成之層積體，於23℃、相對濕度50%的氣氛下放置20分鐘。之後，使用紫外線照射裝置(LINTEC公司製，RAD-2000m/12)，於氮氣氣氛下由切割片側照射紫外線(照度230mW/cm2，紫外輻射劑量190mJ/cm2)，使在於上述層積體之黏著劑層所含有之能量線聚合性化合物(B)聚合。對該紫外線照射之後的層積體，以與測定上述照射前黏著力之拉剝試驗相同的條件進行拉剝試驗，測定照射後之黏著力(單位：mN/25mm)。
由如此所得之照射前的黏著力及照射後的黏著力，求黏著力比。將該等的結果示於第2表。
〔試驗例2〕<在於切割步驟之封膠晶片飛散率之 測定>
使用半導體構裝用樹脂(KYOCERA CHEMICALS公司製KE-G1250)，製作50mm×50mm，厚度600μm，一方的主面之算術平均粗糙度Ra為2μm之模擬半導體構裝。將以上述實施例及比較例所製造之切割片裁切成直徑207mm之圓形，將所得圓形之切割片之黏著劑層側之面，使用貼膜機(LINTEC公司製Adwill RAD2500)，將上述所製作之模擬半導體構裝黏貼於上述之一方的面。將如此所得之切割片與模擬半導體構裝之層積體，安裝於環形框(DISCO公司製2-6-1)，使用切割裝置(株式會社DISCO公司製DFD651)，進行由模擬半導體構裝側切割之切割步驟，分割成1mm×1mm大小之封膠晶片(分割數2500)。再者，切割條件如下所示。
切割刀片：株式會社DISCO公司製ZBT-5074(Z1110LS3)
刀片厚度：0.17mm
刀尖露出量：3.3mm
刀片旋轉數：30000rpm
切割速度：50mm/分
切割片對基材之切入深度：50μm
切削水量：1.0L/min
切削水溫度：20℃
以目視觀察切割步驟所得，封膠晶片附著在切割片之黏著劑層側之面而成之構件，數在於切割步驟中由切割片脫落之封膠晶片之個數，將該個數以切割步驟之分割數2500商除，求封膠晶片之飛散率(單位：%)。將結果示於第2表。
〔試驗例3〕<拾取試驗>
使用半導體構裝用樹脂(KYOCERA CHEMICALS公司製KE-G1250)製作50mm×50mm，厚度600μm，一方的主面之算術平均粗糙度Ra為2μm之模擬半導體構裝。將由上述實施例及比較例所製造的切割片，裁切成直徑207mm，將所得切割片之黏著劑層側之面，使用貼膜機(Lintec公司製：Adwi11 RAD-2500m)，黏貼於上述所製作之模擬半導體構裝之上述一方的面。將如此所得之切割片與模擬半導體構裝之層積體安裝於切割用環形框(DISCO公司製2-6-1)，使用切割裝置(株式會社DISCO公司製DFD651)，進行由模擬半導體構裝側切斷之切割步驟，分割成1mm×1mm大小之封膠晶片(分割數2500)。再者，切割條件，與試驗例3之切割條件相同。
將藉由切割步驟所得，於切割片之黏著劑層側之面附著封膠晶片而成之構件之切割片，使用擴展裝置(JAM公司製ME-300B型)，以速度300mm/分實施使該片於主面方向伸展20mm之擴展步驟。
對擴展步驟之後之上述構件，使用紫外線照射裝置(LINTEC公司製RAD-2000m/12)，於氮氣氣氛下由切割片側照射紫外線(照度230mW/cm2，紫外線量190mJ/cm2)，使切割片所具有的黏著劑層所含有之能量線聚合性化合物(B)聚合。
接著，對位於切割片的主面之中心附近之100個封膠晶片進行拾取試驗。即，將在於切割片接於拾取對象之封膠晶片之部分，由基材側以針舉起1.5mm，使突出之封膠晶片之與切割片相對之側之相反側之面附著於真空夾頭，將附著於 真空夾頭之封膠晶片舉起。此時，測定以真空夾頭拾取之封膠晶片的個數，以其試驗個數(100)商除求得拾取率(單位：%)。將結果示於第2表。
此外，以光學顯微鏡觀察在於拾取之封膠晶片與切割片相對側之面，確認是否有殘留構成黏著劑層之材料，將有殘留之封膠晶片的個數，以試驗個數(100)商除求得黏著劑殘留率(單位：%)。將結果示於第2表。
由第2表可知滿足本發明之條件之實施例之切割片，不容易在切割步驟、擴展步驟及拾取步驟之任一發生異常。
【產業上的可利性】
關於本發明之切割片，可良好地使用於被著面之凹凸大的半導體構裝之切割片。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材
3‧‧‧黏著劑層

Claims (12)

  1. 一種切割片，包括：基材及層積於上述基材之至少一方的面之黏著劑層，其特徵在於：上述黏著劑層，係由含有丙烯酸系聚合物(A)、能量線聚合性化合物(B)及黏著賦予樹脂(C)之黏著劑組成物所形成者，上述黏著賦予樹脂(C)含有聚合松香酯(C1)的同時，含有不均化松香酯(C2)及石油系樹脂(C3)之至少一方，包含於上述黏著劑組成物之上述聚合松香酯(C1)之含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，為5質量部以上，上述切割片，係以在於上述黏著劑層之與上述基材相對之側之相反側之露出面作為測定對象面，以半導體構裝的樹脂封裝面作為被著面，遵照JIS Z0237：2000進行180°拉剝試驗時所測定之黏著力，在於能量線照射前的狀態之黏著力對能量線照射後的狀態之黏著力之比為3以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中上述黏著劑層為能量線硬化性。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中在能量線照射後的狀態之上述黏著力為600mN/25mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中包含於上述黏著劑組成物之上述聚合松香酯(C1)的含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，係5質量部以上20質量部以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中包含於上述黏著劑組成物之不均化松香酯(C2)之含量及石油系樹脂(C3) 之含量之總和，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，係50質量部以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中能量線聚合性化合物(B)，包含具有重量平均分子量為100以上30,000以下之能量線聚合性基之低分子量化合物(B1)。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之切割片，其中包含於上述黏著劑組成物之具有能量線聚合性基之低分子化合物(B1)之含量，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，係50質量部以上300質量部以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中上述黏著劑組成物，含有可與上述丙烯酸系聚合物做架橋反應之架橋劑。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中上述黏著劑層之厚度係5μm以上35μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中於上述基材的上述黏著劑層側之面，存在具有選自由羧基、以及由其離子及鹽所組成之群之一種或二種以上的成分。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之切割片，其中將上述黏著劑層之與上述基材相反側之面，黏貼於樹脂封裝半導體晶片之半導體構裝之樹脂封裝面。
  12. 一種封膠晶片之製造方法，將如申請專利範圍第1項所述之切割片之上述黏著劑層側之面，黏貼於半導體構裝之樹脂封裝面，將上述切割片上的上述半導體構裝切斷而個片化，得到複數封膠晶片。
TW102117704A 2012-05-25 2013-05-20 Cutting pieces TWI580755B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012119884 2012-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201406913A TW201406913A (zh) 2014-02-16
TWI580755B true TWI580755B (zh) 2017-05-01

Family

ID=49623681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102117704A TWI580755B (zh) 2012-05-25 2013-05-20 Cutting pieces

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6139515B2 (zh)
CN (1) CN104303271B (zh)
MY (1) MY186486A (zh)
PH (1) PH12014502606B1 (zh)
TW (1) TWI580755B (zh)
WO (1) WO2013175987A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9853193B2 (en) * 2014-06-04 2017-12-26 Dow Corning Corporation Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
US9934997B2 (en) 2014-07-14 2018-04-03 Denka Company Limited Adhesive sheet and method of manufacturing electronic component
JP6470944B2 (ja) * 2014-11-04 2019-02-13 リンテック株式会社 導電性粘着剤組成物及び導電性粘着シート
SG11201707934QA (en) * 2015-03-26 2017-10-30 Lintec Corp Dicing sheet, method for producing dicing sheet, and method for producing mold chips
WO2017018270A1 (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 デンカ株式会社 半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法
JP6220481B2 (ja) * 2015-09-01 2017-10-25 リンテック株式会社 粘着シート
JP6572800B2 (ja) 2016-02-26 2019-09-11 株式会社村田製作所 真空装置
US10896827B2 (en) 2016-06-28 2021-01-19 Zeon Corporation Support for manufacturing semiconductor packages, use of support for manufacturing semiconductor packages, and method for manufacturing semiconductor packages
JP6875011B2 (ja) * 2016-09-20 2021-05-19 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP2020043150A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7254669B2 (ja) * 2019-09-20 2023-04-10 リンテック株式会社 ワーク加工用シートおよび半導体装置の製法方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712849A (zh) * 2008-09-30 2010-05-26 荒川化学工业株式会社 活性能量线固化型粘合剂组合物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4461359B2 (ja) * 2003-09-24 2010-05-12 Ｄｉｃ株式会社 Ｌｃｄモジュール用粘着テープ
JP2009246216A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着テープ
JP4994429B2 (ja) * 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010258408A (ja) * 2009-03-31 2010-11-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着フィルム、半導体ウエハ、半導体素子および半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101712849A (zh) * 2008-09-30 2010-05-26 荒川化学工业株式会社 活性能量线固化型粘合剂组合物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013175987A1 (ja) 2013-11-28
TW201406913A (zh) 2014-02-16
JP6139515B2 (ja) 2017-05-31
JPWO2013175987A1 (ja) 2016-01-12
CN104303271A (zh) 2015-01-21
CN104303271B (zh) 2017-02-22
PH12014502606A1 (en) 2015-01-21
MY186486A (en) 2021-07-22
PH12014502606B1 (en) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI580755B (zh) Cutting pieces
JP6744930B2 (ja) ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法
TWI564363B (zh) A method for manufacturing a wafer and a device wafer
JP6609473B2 (ja) 粘着シートおよび加工されたデバイス関連部材の製造方法
JP6731852B2 (ja) 粘着シート、および加工物の製造方法
JP6424205B2 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
JPWO2015133420A6 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
TW201539685A (zh) 可延伸片材以及積層晶片之製造方法
TWI702271B (zh) 切割片、切割片之製造方法與模具晶片之製造方法
WO2016017265A1 (ja) ダイシングシート、ダイシングシートの製造方法、およびモールドチップの製造方法
CN107408500B (zh) 切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
JP6087122B2 (ja) ダイシングシート
JP6190134B2 (ja) ダイシングシート用基材フィルム、ダイシングシート、ダイシングシート用基材フィルムの製造方法およびチップ状部材の製造方法