JP6572800B2 - 真空装置 - Google Patents
真空装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6572800B2 JP6572800B2 JP2016036436A JP2016036436A JP6572800B2 JP 6572800 B2 JP6572800 B2 JP 6572800B2 JP 2016036436 A JP2016036436 A JP 2016036436A JP 2016036436 A JP2016036436 A JP 2016036436A JP 6572800 B2 JP6572800 B2 JP 6572800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- workpiece
- processed
- groove
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
Description
この発明に係る真空装置の実施形態である真空装置100について、図1を用いて説明する。ここでは、真空装置100が電子部品にスパッタ処理を施す際に用いられる真空装置である場合を例として取り上げる。
第1の実施形態に係る被処理物載置部2について、図2を用いて説明する。図2(A)は、第1の実施形態に係る被処理物載置部2の上面図である。図2(B)は、第1の実施形態に係る被処理物載置部2に接着部材である両面接着テープ4を介して被処理物5を載置した状態を示す上面図である。図2(C)は、図2(B)のA1−A1線に沿った切断面における断面図である。
第1の実施形態の第1の変形例および第2の変形例に係る被処理物載置部2について、図3を用いて説明する。図3(A)は、第1の実施形態の第1の変形例に係る被処理物載置部2の断面図である。図3(B)は、第1の実施形態の第2の変形例に係る被処理物載置部2の、図2(C)に相当する断面図である。
第1の実施形態の第3の変形例に係る被処理物載置部2について、図4を用いて説明する。図4(A)は、第1の実施形態の第3の変形例に係る被処理物載置部2の上面図である。図4(B)は、第1の実施形態の第3の変形例に係る被処理物載置部2に接着部材である両面接着テープ4を介して被処理物5を載置した状態を示す上面図である。図4(C)は、図4(B)のA2−A2線に沿った切断面における断面図である。
第2の実施形態に係る被処理物載置部2について、図6を用いて説明する。図6(A)は、第2の実施形態に係る被処理物載置部2の上面図である。図6(B)は、第2の実施形態に係る被処理物載置部2に接着部材である両面接着テープ4を介して被処理物5を載置した状態を示す上面図である。図6(C)は、図6(B)のA3−A3線に沿った切断面における断面図である。
第2の実施形態の変形例に係る被処理物載置部2について、図7を用いて説明する。図7(A)は、第2の実施形態の変形例に係る被処理物載置部2の上面図である。図7(B)は、第2の実施形態の変形例に係る被処理物載置部2に両面接着テープ4を介して被処理物5を載置した状態を示す上面図である。図7(C)は、図7(B)のA4−A4線に沿った切断面における断面図である。
次に、この発明を実験例に基づいてより具体的に説明する。この実験例では、種々の溝幅および溝本数を有する被処理物載置部を備えた真空装置を用いたスパッタ装置により、被処理物の表面にCu膜を形成し、各条件における被処理物の表面温度の違いを調べた。
1 真空チャンバ
2 被処理物載置部
3 溝
4 両面接着テープ(接着部材)
5 被処理物
6 蓋部材
7 ベース部材
8 管部
9 真空排気部(排気手段)
10 ガス供給部
11 ターゲット部材
12 磁石
13 直流電源
14 接着剤
15 凹部
15a 流路
Claims (10)
- 真空チャンバの内部に配置され、被処理物が載置される一方主面と、前記一方主面に接続された側面とを有し、かつ前記一方主面に開口を有する溝が複数本設けられている被処理物載置部と、前記被処理物載置部の前記一方主面上に設けられた接着部材と、前記真空チャンバに接続された排気手段とを備える真空装置であって、
前記被処理物として、基板に接続された回路素子が樹脂に覆われているモジュール部品が載置され、当該モジュール部品に対して、ひとつ以上の前記溝が重なっており、
前記溝の深さは、前記接着部材の糊厚よりも大きくされており、
前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記溝の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、真空装置。 - 前記被処理物載置部の前記一方主面の算術平均粗さは、0.3μm以上10μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の真空装置。
- 前記溝は、一端が前記被処理物載置部の側面に到達していることを特徴とする、請求項1または2に記載の真空装置。
- 前記溝は、格子状に設けられていることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の真空装置。
- 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記溝の開口の面積の総和は、前記一方主面の面積の半分以下であることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の真空装置。
- 真空チャンバの内部に配置され、被処理物が載置される一方主面と、他方主面と、前記一方主面および前記他方主面に接続された側面とを有し、かつ前記一方主面に開口を有する凹部が複数箇所に設けられている被処理物載置部と、前記被処理物載置部の前記一方主面上に設けられた接着部材と、前記真空チャンバに接続された排気手段とを備える真空装置であって、
前記被処理物として、基板に接続された回路素子が樹脂に覆われているモジュール部品が載置され、当該モジュール部品に対して、ひとつ以上の前記凹部が重なっており、
前記凹部の深さは、前記接着部材の糊厚よりも大きくされており、
前記被処理物載置部は、前記被処理物載置部の他方主面および側面の少なくとも一方に開口を有する流路をさらに備えており、
前記凹部は、前記流路に接続されており、
前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、真空装置。 - 前記被処理物載置部の前記一方主面の算術平均粗さは、0.3μm以上10μm以下であることを特徴とする、請求項6に記載の真空装置。
- 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部は溝状であり、
前記一方主面における前記溝状の凹部の開口の最も短い幅は、前記被処理物の最も短い幅の半分以下であることを特徴とする、請求項6または7に記載の真空装置。 - 前記被処理物載置部を前記一方主面側から見たとき、前記一方主面における前記凹部の開口の面積の総和は、前記一方主面の面積の半分以下であることを特徴とする、請求項6ないし8のいずれか1項に記載の真空装置。
- 前記被処理物の最も短い幅は、0.25mm以上2.5mm以下であることを特徴とする、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の真空装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036436A JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
US15/427,721 US10861683B2 (en) | 2016-02-26 | 2017-02-08 | Vacuum device |
KR1020170024338A KR101897394B1 (ko) | 2016-02-26 | 2017-02-23 | 진공 장치 |
CN202210185473.8A CN114566414A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-24 | 真空装置 |
CN201710102611.0A CN107275252A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-24 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036436A JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017150060A JP2017150060A (ja) | 2017-08-31 |
JP6572800B2 true JP6572800B2 (ja) | 2019-09-11 |
Family
ID=59680080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016036436A Active JP6572800B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 真空装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10861683B2 (ja) |
JP (1) | JP6572800B2 (ja) |
KR (1) | KR101897394B1 (ja) |
CN (2) | CN114566414A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111051209B (zh) | 2017-08-02 | 2022-03-11 | 株式会社细川洋行 | 喷口帽、喷口及带喷口的容器 |
CN114516536A (zh) * | 2020-11-19 | 2022-05-20 | 日本电产三协(浙江)有限公司 | 吸附垫和工业用机器人 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58189372A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | マグネトロンスパツタ装置 |
US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
US5597458A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Advanced Micro Devices | Method for producing alloy films using cold sputter deposition process |
US6077357A (en) * | 1997-05-29 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Orientless wafer processing on an electrostatic chuck |
JPH11251413A (ja) | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
US6634882B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
JP2002270681A (ja) | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Anelva Corp | 基板処理用静電吸着機構 |
JP4905934B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-03-28 | サムコ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 |
US20080173541A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Eal Lee | Target designs and related methods for reduced eddy currents, increased resistance and resistivity, and enhanced cooling |
JP5131762B2 (ja) | 2008-05-09 | 2013-01-30 | サムコ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置並びにプラズマ処理用トレイ |
JP2011009007A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Texas Instr Japan Ltd | イオン注入装置のウエハ温度補償システム |
GB2485603B (en) * | 2010-11-22 | 2017-06-14 | Flexenable Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
JP5886625B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2016-03-16 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 非晶質炭素膜積層部材及びその製造方法 |
JP2013129723A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Lintec Corp | 粘着シートおよび半導体チップの製造方法 |
WO2013175987A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | リンテック株式会社 | ダイシングシート |
KR101324711B1 (ko) | 2013-03-15 | 2013-11-05 | 쿠어스텍아시아 유한회사 | 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀이 교번하여 형성되는 웨이퍼 척 장치 |
JP2015198157A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電気光学装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036436A patent/JP6572800B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-08 US US15/427,721 patent/US10861683B2/en active Active
- 2017-02-23 KR KR1020170024338A patent/KR101897394B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-24 CN CN202210185473.8A patent/CN114566414A/zh active Pending
- 2017-02-24 CN CN201710102611.0A patent/CN107275252A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10861683B2 (en) | 2020-12-08 |
KR20170101142A (ko) | 2017-09-05 |
JP2017150060A (ja) | 2017-08-31 |
CN107275252A (zh) | 2017-10-20 |
CN114566414A (zh) | 2022-05-31 |
KR101897394B1 (ko) | 2018-09-10 |
US20170250061A1 (en) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10354904B2 (en) | Electrostatic chuck | |
JP5987966B2 (ja) | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 | |
CN104472022B (zh) | 散热基板的制造方法 | |
US10026634B2 (en) | Electrostatic chuck and base member for use in the same | |
EP2763166A1 (en) | Heat dissipation structure, power module, method for manufacturing heat dissipation structure and method for manufacturing power module | |
JP2011151411A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP6325424B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6572800B2 (ja) | 真空装置 | |
JP2018026427A (ja) | 基板固定装置及びその製造方法 | |
JP2007042704A (ja) | 加熱装置およびそれを搭載したウェハプローバ | |
JP6105983B2 (ja) | 放熱基板の製造方法 | |
JP2006319192A (ja) | 電極および該電極を用いたプラズマプロセス装置 | |
JP2007227442A (ja) | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ | |
JP5240160B2 (ja) | マスクを用いた成膜品の製造方法 | |
JP2006332599A (ja) | 電子装置 | |
JP6911101B2 (ja) | 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー | |
JP6489717B2 (ja) | 面状発熱体およびそれを備える半導体製造装置 | |
US11164728B2 (en) | Plasma treatment apparatus and driving method thereof | |
JP6280012B2 (ja) | 試料保持具 | |
WO2022264922A1 (ja) | プラズマ処理装置用部材 | |
JP6465948B1 (ja) | 基板処理装置及び成膜装置 | |
JP4515171B2 (ja) | 真空処理方法 | |
JP2010278172A (ja) | 多数個取り回路基板、回路基板、及びそれを用いたモジュール | |
JP2007035746A (ja) | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ | |
JP2016225579A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160909 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6572800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |