CN107275252A - 真空装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种真空装置，即使是小型的通信用模块也能以充分地抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。真空装置(100)包括配置于真空腔室(1)内部的被处理物载放部(2)；以及与真空腔室(1)相连接的真空排气部(9)。被处理物载放部(2)具有载放被处理物(5)的一个主面(2a)、以及与一个主面(2a)相连接的侧面，且设置有多条在一个主面(2a)具有开口的槽(3)。从一个主面(2a)侧观察被处理物载放部(2)时，一个主面上的槽(3)的开口的最短宽度(w1)为被处理物(5)的最短宽度(w2)的一半以下。

Description

真空装置
技术领域
本发明涉及真空装置，特别涉及对电子元器件等被处理物实施溅射处理或等离子处理等时所使用的真空装置。
背景技术
近年来，由于多功能移动电话等电子设备中所使用的电子元器件的增加、以及电子设备的小型化所造成的电子元器件的安装密度上升，电子元器件中的噪声干涉成为问题。为此，对于所述电子元器件中的一种、即通信用模块产品(下文中有时简称为产品)，多要求形成有用于保护功能部不受噪声影响的屏蔽膜。对于形成这样的屏蔽膜，例如采用溅射装置。溅射处理在高真空中进行，并且使溅射处理中的产品成为高温。
为了降低溅射处理中的产品的温度，提出了将产品载放在具备冷却单元的被处理物载放部上来实施溅射处理的方案。该情况下，为了使产品与被处理物载放部粘接，使热传导可靠地进行，例如有时会采用双面粘接胶带等将产品粘贴在被处理物载放部上。然而，将双面粘接胶带粘贴至被处理物载放部时，在被处理物载放部与双面粘接胶带之间有部分的空气残留。若以这样的状态直接在高真空中实施溅射处理，则残留在被处理物载放部与双面粘接胶带之间的空气体积膨胀，产生使产品无法正确保持在所期望的位置上的问题。
对于上述问题，例如像日本专利特开平11-251413号公报(专利文献1)所记载的那样，通过在被处理物载放部上设置用于将空气排出至基板载放部的上表面的槽能得到解决。
图8是专利文献1所记载的真空装置200的剖视图。真空装置200中，通过基板载放部即电极202、盖构件206、以及底座构件207来构成真空腔室201。电极202与高频电源212连接。在底座构件207中设置管部208，经由管部208将作为排气单元的真空排气部209和等离子气体提供部210连接在真空腔室201。基板205利用引导构件204被固定在电极202的上表面。
在图8中的真空装置200中，等离子体产生气体被提供至呈高真空的真空腔室201内，通过对电极202施加高频电压，在真空腔室201内产生等离子体。其结果是，通过产生的离子、电子在基板205的表面上产生冲突，来对基板205的表面进行等离子处理。
这里，在电极202的上表面沿传送基板205的方向设置有以直线状连续排列的多个槽203。该情况下，即使在电极202的上表面与基板205的下表面的间隙中残留有空气，也能利用槽203迅速地排出间隙内的空气，因此在基板205的上表面与下表面之间不产生压力差。由此，在真空装置200中能防止这样的压力差造成真空排气时的基板205的位置偏移。
即，即使在利用双面粘接胶带等将产品粘贴在被处理物载放部上的情况下，也能通过在被处理物载放部上设置槽，来排出残留在被处理物载放部与双面粘接胶带之间的空气。结果，可以认为能正确地将产品保持在期望的位置上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平11-251413号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
另一方面，在专利文件1的记载中未提及槽203的宽度。近年来，由于通信用模块产品的小型化不断推进，产品的尺寸可能变得比槽的宽度要小。例如，如图9所示，在设置了宽度w1的槽303的被处理物载放部302上，若利用双面粘接胶带304粘贴比宽度w1窄的宽度w2的产品305，则存在位于槽303上的产品305。即，从其上方观察被处理物载放部302时，这样的产品305成为与被处理物载放部302中未形成槽303的部分不重叠的状态。
该情况下，被处理物载放部302与产品305之间的热传导变得不充分，因此在溅射处理中产品305恐怕会变为高温。若产品305变为高温，则恐怕发生例如由模塑树脂等的产品305所具备的树脂部分的热膨胀所造成的变形，或在产品305中使电子元器件与基板连接的焊料发生再熔融等，从而导致产品305成为次品。
于是，本发明的目的在于提供一种真空装置，即使是小型的通信用模块也能以充分抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明中，为了使得即使是小型的通信用模块也能以充分抑制了温度上升的状态在真空中实施表面处理，因此，能力图改善设置于载放被处理物的被处理物载放部上的槽的形态。
本发明涉及的真空装置的第一方式包括：被处理物载放部，该被处理物载放部配置于真空腔室的内部；以及真空排气部，该真空排气部与真空腔室连接。被处理物载放部具有载放被处理物的一个主面、以及与一个主面连接的侧面，且设置了多条在一个主面具有开口的槽。并且，从一个主面侧观察被处理物载放部时，一个主面的槽的开口的最短宽度为被处理物的最短宽度的一半以下。
从一个主面观察被处理物载放部时，在所述真空装置中即使是小型的被处理物，也能成为与被处理物载放部的未形成槽的部分充分重叠的状态。由此，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气被排出，并且在被处理物与被处理物载放部之间进行热传导。
因此，即使是小型的被处理物，在实施溅射处理、等离子处理等的情况下，也充分抑制了被处理物的温度上升，被处理物不会变为高温。即，抑制了由被处理物中的树脂部分的热膨胀所造成变形、以及被处理物中使电子元器件与基板连接的焊料的再熔融等，提高了被处理物的成品率。
本发明涉及的真空装置的第一方式中的第一优选方式具备如下特征。即，槽的一端到达被处理物载放部的侧面。
所述真空装置中，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气从被处理物载放部的侧面有效地被排出。
本发明涉及的真空装置的第一方式中的第二优选方式具备如下特征。即，所述槽被设置为格子状。
所述真空装置中，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气易于在槽中被捕获，并被有效排出。
本发明涉及的真空装置的第一方式及其第一和第二优选方式下的第三优选方式优选具备如下特征。即，从一个主面侧观察被处理物载放部时，一个主面上的槽的开口面积的总和为一个主面的面积的一半以下。
从一个主面观察被处理物载放部时，在所述真空装置中，即使是小型的被处理物，也能成为与被处理物载放部的未形成槽的部分可靠地重叠的状态。由此，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气被排出，并且可靠地在被处理物与被处理物载放部之间进行热传导。
因此，即使是小型的被处理物，在实施溅射处理、等离子处理等的情况下，也可靠抑制了被处理物的温度上升，被处理物不会变为高温。即，可靠地抑制了由被处理物中的树脂部分的热膨胀所造成的变形、以及被处理物中使电子元器件与基板连接的焊料的再熔融等，提高了被处理物的成品率。
本发明涉及的真空装置的第二方式包括：被处理物载放部，该被处理物载放部配置于真空腔室的内部；以及真空排气部，该真空排气部与真空腔室连接。被处理物载放部具有载放被处理物的一个主面、另一个主面、及与一个主面和另一个主面连接的侧面，且设置有多处在一个主面具有开口的凹部。被处理物载放部还包括流路，该流路至少在被处理物载放部的另一个主面和侧面中的至少一个上具有开口。凹部与所述流路连接。并且，从一个主面侧观察被处理物载放部时，一个主面的凹部的开口的最短宽度为被处理物的最短宽度的一半以下。
从一个主面观察被处理物载放部时，在所述真空装置中，即使是小型的被处理物，也能成为与被处理物载放部的未形成凹部的部分充分重叠的状态。由此，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气被排出，并且在被处理物与被处理物载放部之间进行热传导。
因此，本发明涉及的真空装置的实施方式2可得到与所述第一方式相同的效果。
本发明涉及的真空装置的第二方式的第一优选方式具备如下特征。即，从一个主面侧观察被处理物载放部时，一个主面上的凹部为槽状，一个主面上的槽状的凹部的开口的最短宽度为被处理物的最短宽度的一半以下。
所述真空装置中，由于凹部为槽状，因此，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气有效地被排出。
本发明涉及的真空装置的第二方式及其第一优选方式下的第二优选方式具备如下特征。即，从一个主面侧观察被处理物载放部时，一个主面上的凹部的开口面积的总和为一个主面的面积的一半以下。
从一个主面观察被处理物载放部时，在所述真空装置中，即使是小型的被处理物，也能成为与被处理物载放部的未形成凹部的部分可靠地重叠的状态。由此，当存在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件的情况下，残留在该粘接构件与被处理物载放部之间的空气被排出，并且在被处理物与被处理物载放部之间可靠地进行热传导。
因此，本发明涉及的真空装置的第二方式的第二优选方式可得到与所述第一方式的第二优选方式相同的效果。
本发明涉及的真空装置的第一方式和第二方式、以及它们的优选方式下的其它优选方式具备如下特征。即，被处理物的最短宽度为0.25mm以上2.5mm以下。
所述真空装置中，即使是如所述规定那样的小型的被处理物，也能得到第一方式和第二方式、以及它们的优选方式的说明所叙述的效果。
发明效果
本发明涉及的真空装置中，残留在提供至被处理物与被处理物载放部之间、或被处理物上的粘接构件、与被处理物载放部之间的空气被排出，并且在被处理物与被处理物载放部之间进行热传导。因此，即使是小型的被处理物，在实施溅射处理、等离子处理等的情况下，也充分抑制了被处理物的温度上升，被处理物不会变为高温。即，抑制了由被处理物中的树脂部分的热膨胀所造成变形、或被处理物中使电子元器件与基板连接的焊料的再熔融等，提高了被处理物的成品率。
附图说明
图1是本发明涉及的真空装置的实施方式即真空装置100的剖视图。
图2是实施方式1涉及的被处理物载放部2的俯视图、表示经由双面粘接胶带4将被处理物5载放于被处理物载放部2的状态的俯视图、以及载放有被处理物5的被处理物载放部2的剖视图。
图3是实施方式1的变形例1以及变形例2涉及的被处理物载放部2的剖视图。
图4是实施方式1的变形例3涉及的被处理物载放部2的俯视图、表示经由双面粘接胶带4将被处理物5载放于被处理物载放部2的状态的俯视图、以及载放有被处理物5的被处理物载放部2的剖视图。
图5是表示将单独涂布了粘结剂14的被处理物5载放于被处理物载放部2的情况、以及将未提供粘接构件的被处理物5载放于被处理物载放部2的情况的剖视图。
图6是实施方式2涉及的被处理物载放部2的俯视图、表示经由双面粘接胶带4将被处理物5载放于被处理物载放部2的状态的俯视图、以及载放有被处理物5的被处理物载放部2的剖视图。
图7是实施方式2的变形例涉及的被处理物载放部2的俯视图、表示经由双面粘接胶带4将被处理物5载放于被处理物载放部2的状态的俯视图、以及载放有被处理物5的被处理物载放部2的剖视图。
图8是背景技术的真空装置200的剖视图。
图9是用于对发明人探讨的结果进行说明的、被处理物载放部302的剖视图。
具体实施方式
下面示出本发明的实施方式，进一步详细地说明作为本发明特征的内容。作为本发明所适用的真空装置，可以举出例如对电子元器件等被处理物实施溅射处理、等离子处理等时所使用的真空装置等，但不限于此。
-真空装置的实施方式-
利用图1，对本发明涉及的真空装置的实施方式即真空装置100进行说明。这里，以真空装置100是对电子元器件实施溅射处理时所使用的真空装置的情况为例。
图1为真空装置100的剖视图。真空装置100具备：配置于真空腔室1的内部的被处理物载放部2、对象构件11和磁铁12；以及与真空腔室1连接的真空排气部9、气体提供部10和直流电源13。真空腔室1构成为包含盖构件6、底座构件7、以及与真空排气部9和气体提供部10相连接的连接配管即管部8。另外，图1中，被处理物载放部2被载放于底座构件7之上，呈配置在真空腔室1的内部的结构，但被处理物载放部2也可为真空腔室1的结构要素。
被处理物载放部2兼具电极，直流电源13连接在被处理物载放部2与对象构件11之间。在利用真空排气部9达到1×10-3Pa以上1×10-1Pa以下的真空状态的真空腔室1内，利用气体提供部10例如以30sccm以上300sccm以下的流量提供Ar气体。并且，通过利用直流电源13在被处理物载放部2与对象构件11之间施加直流电压，在真空腔室1内产生等离子体。利用磁铁12产生的磁力线，被吸引至对象构件11附近的等离子体与对象构件11高效地进行冲突。结果，高效地进行溅射处理。
另外，在被处理物载放部2中具备未图示的冷却机构，以抑制溅射处理时的被处理物5的温度上升。在下文对被处理物载放部2及与其关联的事物进行进一步详细说明。
根据目的适当选择对象构件11的材质。例如，如下文所述被处理物5为电子元器件的情况下，通过溅射处理形成密接层时，能使用不锈钢、Ti、Cr、Ni、TiAl合金、透磁合金等作为对象构件11的材质。通过溅射处理形成屏蔽层时，能使用Cu等作为对象构件11的材质。通过溅射处理形成抗蚀层时，能使用不锈钢、Ti、Cr、Ni、TiAl合金、透磁合金等作为对象构件11的材质。
本发明的特征在于被处理物载放部2的形态。以下，利用各图，对被处理物载放部2的实施方式进行说明。
-被处理物载放部的实施方式1-
利用图2对实施方式1涉及的被处理物载放部2进行说明。图2(A)是实施方式1涉及的被处理物载放部2的俯视图。图2(B)是表示经由粘接构件即双面粘接胶带4将被处理物5载放于实施方式1涉及的被处理物载放部2的状态的俯视图。图2(C)是沿着图2(B)的A1-A1线的截面的剖视图。
作为被处理物5，例如可以列举利用焊料将电路元件(未图示)连接至基板5a、利用模塑树脂5b覆盖该电路元件的所述通信用模块产品等电子元器件。对于基板5a，例如采用包含玻璃或二氧化硅等的纺织布或无纺布、以及环氧树脂等绝缘性树脂的复合材料、低温烧成陶瓷材料等。基板5a也可在内部以及表面具备布线导体(未图示)。对于模塑树脂5b，采用例如作为填料而分散有玻璃材料、Si氧化物等的绝缘性的树脂材料。
上述那样的被处理物5由公知的方法来制作。另外，本发明中，最短宽度为0.25mm以上2.5mm以下那样的小型电子元器件为被处理物的情况下，产生的效果尤其优异。
被处理物载放部2的材质优选为例如Al那样热导率高的金属材料。为了使被处理物载放部2与被处理物5之间的接触面积增大，高效地进行热传导，优选地被处理物载放部2的表面粗糙度尽可能小。以Ra表示被处理物载放部2的表面粗糙度时，优选地例如Ra为0.3μm以上10μm以下。
图2中，如上文所述，被处理物5经由粘接构件即双面粘接胶带4载放于被处理物载放部2。优选地，被处理物5预先被载放于粘贴至被处理物载放部2的双面粘接胶带4上。这时，为了尽可能减少残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气量，优选地，双面粘接胶带4在减压环境下被粘贴至被处理物载放部2。双面粘接胶带4的粘贴能利用公知的方法进行。另外，为了提高粘接力，优选地在粘贴时进行加热，使双方例如达到50℃以上80℃以下。
被处理物载放部2具有载放被处理物5的一个主面2a、以及与一个主面2a连接的侧面2b，且设置了多条在一个主面2a具有开口的槽3。如图2所示，为了易于将残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气排出，优选地，槽3的至少一端到达被处理物载放部2的侧面2b。另一方面，即使槽3的一端未到达被处理物载放部2的侧面2b，通过调整槽3的形状、双面粘接胶带4的粘贴方式等，也能使残留的空气排出。例如，通过在槽3的开口设置未被双面粘接胶带4覆盖的部位，也能从该部位使空气排出。
优选地，使槽3的深度大于双面粘接胶带4的胶厚。若槽3的深度较浅，则通过将双面粘接胶带4粘贴至被处理物载放部2时的压力使槽3被双面粘接胶带4的胶部掩埋，恐怕无法充分地使残留在两者之间的空气排出。一般胶厚为100μm以上200μm以下。因此，优选地，槽3的深度为300μm以上1000μm以下。
并且，从一个主面2a侧观察被处理物载放部2时，一个主面的槽3的开口最短宽度w1(图2的情况中为槽3的开口的任意部位的宽度)为被处理物5的最短宽度w2的一半以下。
被处理物载放部2为上述方式的情况下，即使是小型被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成槽3部分充分重叠的状态。由此，残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气被排出，且在被处理物载放部2与被处理物5之间进行热传导。
因此，即使是小型的被处理物5，在实施溅射处理的情况下，也充分抑制了被处理物5的温度上升，被处理物5不会变为高温。即，抑制了被处理物5中的模塑树脂5b的热膨胀造成变形、被处理物5中电子元器件与基板5a连接的焊料的再熔融等，提高了被处理物5的成品率。
另外，从一个主面2a侧观察被处理物载放部2时，优选地，一个主面2a的槽3的开口面积的总和为一个主面2a的面积的一半以下。该情况下，即使是小型的被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成槽3的部分可靠地重叠的状态。由此，可靠地在被处理物载放部2与被处理物5之间进行热传导。因此，即使是小型的被处理物5，在实施溅射处理的情况下，也可靠地抑制了被处理物5的温度上升，被处理物5不会变为高温。即，进一步提高了被处理物5的成品率。
-被处理物载放部的实施方式1的变形例1以及变形例2-
利用图3，对实施方式1的变形例1以及变形例2涉及的被处理物载放部2进行说明。图3(A)是实施方式1的变形例1涉及的被处理物载放部2的剖视图。图3(B)是实施方式1的变形例2涉及的被处理物载放部2的、相当于图2(C)的剖视图。
图3(A)所示的被处理物载放部2中，槽3的垂直于长边方向的剖面呈V字状。该情况下，槽3的被处理物载放部2的一个主面2a的开口较宽，另一方面，由于槽3的被处理物载放部2的体积被抑制得较小，因此，被处理物载放部2的热容量变高。由此，残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气被有效地排出，且有效地对因被处理物载放部2而造成的被处理物5的温度上升进行抑制。
图3(B)所示的被处理物载放部2中，槽3的垂直于长边方向的剖面呈U字状。该情况下，也能得到与图3(A)所示的被处理物载放部2相同的效果。
-被处理物载放部的实施方式1的变形例3-
利用图4对实施方式1的变形例3涉及的被处理物载放部2进行说明。图4(A)是实施方式1的变形例3涉及的被处理物载放部2的俯视图。图4(B)是示出经由粘接构件即双面粘接胶带4将被处理物5载放在实施方式1的变形例3涉及的被处理物载放部2的状态的俯视图。图4(C)是沿着图4(B)的A2-A2线截面的剖视图。
在图4所示的被处理物载放部2中，设置于被处理物载放部2的一个主面2a的槽3呈格子状，该格子状的槽3包含向第一方向延伸的槽3a、和向垂直于第一方向的第二方向延伸的槽3b。槽3a和槽3b也可以正交以外的角度相交。另外，图4(A)中，槽3a以及槽3b均具有宽度w1，但也可具有互不相同的宽度。该情况下，可有效地排出残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气。
另外，从一个主面2a侧观察被处理物载放部2时，优选地，一个主面2a的格子状的槽3的开口面积的总和为一个主面2a的面积的一半以下。该情况下，即使是小型的被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成槽3的部分可靠地重叠的状态。因此，在实施溅射处理的情况下，可靠地抑制了被处理物5的温度上升，被处理物5不会变为高温。即，进一步提高了被处理物5的成品率。
到此为止，对本发明涉及的真空装置100中被处理物5经由粘接构件即双面粘接胶带4被载放在被处理物载放部2的情况进行了说明。另一方面，本发明涉及的真空装置100中，被处理物5也可不经由双面粘接胶带4载放于被处理物载放部2。
利用图5，对这样的事例进行说明。图5(A)是表示单独涂布了粘接构件即粘接剂14的被处理物5被载放于实施方式1涉及的被处理物载放部2的情况的剖视图。图5(B)是表示未提供粘接构件的被处理物5被载放于实施方式1涉及的被处理物载放部2的情况的剖视图。
即使是图5(A)所示的单独涂布了粘接剂14的被处理物5，在槽3的开口最短宽度w1为被处理物5的最短宽度w2的一半以下的情况下，也能得到同时确保空气排出和热传导这一本发明的效果。该情况下，即使槽3的端部未到达被处理物载放部2的侧面2b，也可从槽3的被处理物载放部2的一个主面2a的开口的、未被被处理物5覆盖的部位排出残留的空气。另外，即使是未提供粘接构件的被处理物5，也同样能得到本发明的效果。
-被处理物载放部的实施方式2-
利用图6对实施方式2涉及的被处理物载放部2进行说明。图6(A)是实施方式2涉及的被处理物载放部2的俯视图。图6(B)是表示经由粘接构件即双面粘接胶带4将被处理物5载放于实施方式2涉及的被处理物载放部2的状态的俯视图。图6(C)是沿着图4(B)的A3-A3线的截面的剖视图。
实施方式2涉及的被处理物载放部2的材质与实施方式1相同，因此在这里省略说明。图6中，被处理物5经由粘接构件即双面粘接胶带4载放于被处理物载放部2。另一方面，如利用图5所说明的那样，在被处理物5涂布了粘接剂14的情况下，或对被处理物5未提供粘接构件的情况下，同样可得到以下说明的效果。
图6所示的被处理物载放部2具有载放被处理物5的一个主面2a、另一个主面2c、以及与一个主面和另一个主面连接的侧面2b，且设置有多处一个主面2a具有开口的凹部15。另外，被处理物载放部2还包括在另一个主面2c具有开口的流路15a。凹部15与所述流路15a连接。流路15a的开口位于被处理物载放部2的另一个主面2c以及侧面b的至少一处即可。另外，图6所示的被处理物载放部2中，凹部15的开口为圆形，凹部15和流路15a形成一体，成为从一个主面到达另一个主面的一个圆筒状的贯通孔。其中，凹部15的开口的形状不限于此。
并且，从一个主面2a侧观察被处理物载放部2时，一个主面2a的凹部15的开口的最短宽度w1(图6的情况中为圆形的凹部15的开口直径)为被处理物5的最短宽度w2的一半以下。
被处理物载放部2为上述方式的情况下，也与实施方式1的情况同样，即使是小型被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成槽3的部分充分重叠的状态。由此，残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气被排出，且在被处理物载放部2与被处理物5之间进行热传导。
因此，本发明涉及的真空装置的实施方式2也可得到与所述实施方式1相同的效果。
另外，被处理物载放部2为所述方式的情况下，也与实施方式1的情况同样，优选地，一个主面2a的凹部15的开口面积总和为一个主面2a的面积的一半以下。该情况下也同样地，即使是小型的被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成凹部15的部分可靠地重叠的状态。因此，在实施溅射处理的情况下，可靠地抑制了被处理物5的温度上升，被处理物5不会变为高温。即，进一步提高了被处理物5的成品率。
-被处理物载放部的实施方式2的变形例-
利用图7对实施方式2的变形例涉及的被处理物载放部2进行说明。图7(A)是实施方式2的变形例涉及的被处理物载放部2的俯视图。图7(B)是示出经由双面粘接胶带4将被处理物5载放于实施方式2的变形例涉及的被处理物载放部2的状态的俯视图。图7(C)是沿着图7(B)的A4-A4线的截面的剖视图。
从一个主面2a侧观察被处理物载放部2时，图7所示的被处理物载放部2中，一个主面2a的凹部15为槽状，一个主面2a的槽状的凹部15的开口的最短宽度w1为被处理物5的最短宽度w2的一半以下。该情况下，由于凹部15为槽状，因此可有效地排出残留在被处理物载放部2与双面粘接胶带4之间的空气。
另外，被处理物载放部2为所述方式的情况下，也与实施方式2的情况同样地，优选地，一个主面2a的槽状的凹部15的开口面积总和为一个主面2a的面积的一半以下。该情况下也同样地，即使是小型的被处理物5，也可成为与被处理物载放部2的未形成凹部15的部分可靠地重叠的状态。因此，在实施溅射处理的情况下，可靠地抑制了被处理物5的温度上升，被处理物5不会变为高温。即，进一步提高了被处理物5的成品率。
-实验例-
接着，基于实验例对本发明进一步具体地进行说明。该实施例中，通过使用了真空装置的溅射装置，在被处理物的表面形成Cu膜，调查了各条件中被处理物的表面温度的不同，所述真空装置具备了具有各种不同的槽宽度以及槽条数的被处理物载放部。
被处理物对厚度0.4mm的PCB基板提供以二氧化硅为填料的绝缘性树脂作为模塑树脂。另外，被处理物的大小为长度10mm、宽度6mm、高度1.5mm。被处理物利用双面粘接胶带，以粘接载放在被处理物载放部上的状态进行溅射处理。这时，使被处理物位于槽的上方。
以功率为25kW、Cu的成膜时间为900秒、压力1.5Pa、对象构件与被处理物的间隔为50mm的条件进行溅射处理。另外，通过在被处理物的表面粘贴测温标签并在溅射处理后进行温度确认，来进行被处理物的表面温度测定。各条件的被处理物的表面温度的测定结果如表1所示。
[表1]
表1
被处理物的宽度：6mm
*：表示本发明的范围外
如表1所示，将被处理物的宽度作为分母、槽的宽度作为分子时的比以百分比表示的数值为50％以下的情况下(条件1至6)，被处理物的表面温度达到150℃以下。进一步减少槽的条数，将被处理物载放部的一个主面的面积作为分母、槽的面积的总和作为分子时的比以百分比表示的数值为50％以下的情况下(条件1至5)，被处理物的表面温度达到120℃以下。即，可知对被处理物实施溅射处理的情况下，通过适用该发明，能可靠地抑制被处理物的温度上升。
另外，本发明不限于上述实施方式，在本发明的范围内能附加各种应用、变形。另外，还指出了该说明书中所记载的各实施方式均为例示内容，在不同的实施方式之间，可对结构进行部分置换或组合。
标号说明
100 真空装置
1 真空腔室
2 被处理物载放部
3 槽
4 双面粘接胶带(粘接构件)
5 被处理物
6 盖构件
7 底座构件
8 管部
9 真空排气部(排气单元)
10 气体提供部
11 对象构件
12 磁铁
13 直流电源
14 粘结剂
15 凹部
15a 流路

Claims (8)

1.一种真空装置，包括：被处理物载放部，该被处理物载放部配置于真空腔室的内部，具有载放被处理物的一个主面、及与所述一个主面相连接的侧面，且设置有多条在所述一个主面具有开口的槽；以及排气单元，该排气单元与所述真空腔室相连接，所述真空装置的特征在于，从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时，所述一个主面上的所述槽的开口的最短宽度为所述被处理物的最短宽度的一半以下。
2.如权利要求1所述的真空装置，其特征在于，
所述槽的一端到达所述被处理物载放部的侧面。
3.如权利要求1或2所述的真空装置，其特征在于，
所述槽设置为格子状。
4.如权利要求1至3的任一项所述的真空装置，其特征在于，
从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时，所述一个主面上的所述槽的开口的面积的总和为所述一个主面的面积的一半以下。
5.一种真空装置，包括：被处理物载放部，该被处理物载放部配置于真空腔室的内部，具有载放被处理物的一个主面、另一个主面、及与所述一个主面和所述另一个主面相连接的侧面，且设置有多处在所述一个主面具有开口的凹部；以及排气单元，该排气单元与所述真空腔室相连接，所述真空装置的特征在于，
所述被处理物载放部还包括流路，该流路至少在所述被处理物载放部的另一个主面以及侧面中的至少一个上具有开口，
所述凹部与所述流路相连接，
从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时，所述一个主面上的所述凹部的开口的最短宽度为所述被处理物的最短宽度的一半以下。
6.如权利要求5所述的真空装置，其特征在于，
从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时，所述一个主面上的所述凹部为槽状，
所述一个主面上的所述槽状的凹部的开口的最短宽度为所述被处理物的最短宽度的一半以下。
7.如权利要求5或6所述的真空装置，其特征在于，
从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时，所述一个主面上的所述凹部的开口的面积的总和为所述一个主面的面积的一半以下。
8.如权利要求1至7的任一项所述的真空装置，其特征在于，
所述被处理物的最短宽度为0.25mm以上2.5mm以下。
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