JP4905934B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ装置 - Google Patents

プラズマ処理方法及びプラズマ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4905934B2
JP4905934B2 JP2006196558A JP2006196558A JP4905934B2 JP 4905934 B2 JP4905934 B2 JP 4905934B2 JP 2006196558 A JP2006196558 A JP 2006196558A JP 2006196558 A JP2006196558 A JP 2006196558A JP 4905934 B2 JP4905934 B2 JP 4905934B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tray
plasma processing
treated
substrate
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006196558A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007201404A5 (ja
JP2007201404A (ja
Inventor
智靖 西宮
浩通 扇谷
道広 平本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samco Inc
Original Assignee
Samco Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samco Inc filed Critical Samco Inc
Priority to JP2006196558A priority Critical patent/JP4905934B2/ja
Priority to TW095142559A priority patent/TWI387996B/zh
Priority to CN2006101732572A priority patent/CN1992162B/zh
Priority to KR1020060133529A priority patent/KR101310397B1/ko
Publication of JP2007201404A publication Critical patent/JP2007201404A/ja
Publication of JP2007201404A5 publication Critical patent/JP2007201404A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4905934B2 publication Critical patent/JP4905934B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816Pressure
    • H01J37/32825Working under atmospheric pressure or higher
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、プラズマにより被処理材表面にエッチング、堆積(成膜)、洗浄等の処理を施すプラズマ処理方法及び装置に関する。
基板等の被処理材(以下、単に基板と呼ぶ)表面のプラズマ処理は、次のようにして行われる。まず基板を真空容器内に搬入して支持台上に載置する。真空容器の内部を減圧状態にした後、処理用のガス(プラズマガス)を真空容器内に導入し、種々の方法でエネルギーを投入してプラズマガスをプラズマ化する。導入するプラズマガスの種類や投入するエネルギー等を適宜設定することにより、基板に対してエッチング、堆積、洗浄等の処理が行われる。
ここで、通常、ハンドリングの便宜のため、基板はまずトレイ上に載置・固定され、次に、基板を載置したトレイが真空容器内の支持台上に載置される。すなわち、基板はトレイと一緒に真空容器内に装入され、処理後はトレイと一緒に真空容器から取り出され、後工程の処理が行われる。所定の処理が終わった後、基板はトレイから取り外される。
支持台上でプラズマ処理が行われている間、プラズマのエネルギーが基板に投入されるため基板の温度は上昇する。この温度上昇が過度になると、基板自体の特性が変化又は劣化したり、フォトレジストが焼けてしまう。そのため、多くの場合、プラズマ処理の間、基板を冷却することが行われる。基板の冷却は、通常、それを載置する支持台を冷却することにより行われる。
基板と支持台の間に上記のようにトレイが介在する場合、トレイに熱伝導率の良好な材料を用いたとしても、支持台とトレイの接触面、及び、トレイと基板の接触面の熱伝達が良好でなければ、基板は十分に冷却されない。支持台とトレイは、従来より機械的な(メカニカル)チャックや静電チャック等で十分な密着性が確保され、場合によっては、それに加えて熱伝導率の良好なヘリウムガスを両者間に流す機構も備えられていた。そのため、支持台とトレイの間の熱伝達に大きな問題はなかった。
特開平5−160258号公報 特開平5−245967号公報 特開平8−124975号公報 特開2003−257907号公報 特開2005−150312号公報
トレイと基板は可搬性が重視されるため、両者の間に上記のようなチャック方法を用いることができない。しかし、単に基板をトレイに載置しただけでは、減圧下では両者の間が真空断熱されてしまう。この場合、基板の熱が十分支持台に伝達されず、折角支持台に冷却装置を設けてもその効果を奏することなく基板温度が上昇する。また、プラズマ処理では、複数枚の小径ウエハを真空容器に搬送して同時にプラズマ処理を行うことがあるが、従来の機械的なチャックでは、複数枚の基板を同時にトレイに固定できず、また、ウエハ端部を固定すると、基板表面の処理の均一性が低下して有効な処理面積が小さくなるなどの欠点があった。静電チャックでは、前述のようにトレイに載置した基板を冷却することができなかった。
トレイと基板の間にグリスを塗布して両者の密着性を上げることにより、両者の間の熱伝達率を上げることができるが、プラズマ処理中にグリスの一部が気化することによって真空容器の内部や基板表面を汚染する。また、グリスはトレイと基板を接着する効果も有するが、熱伝達率向上の効果を上げようとするとその接着力も強力となり、支持台から基板を剥離する際に基板に無理な力が加わって基板を損傷するという問題がある。更に、プラズマ処理後はグリスを有機溶媒で除去する必要がある。
本発明が解決しようとする課題は、プラズマ処理時及びその前後には基板を確実にトレイに固定して処理性及びハンドリング性を上げるとともに、必要な時には容易に基板をトレイから剥離することができる方法及び装置を提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明は、被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、トレイの表面のうち被処理材が載置される面よりも大きい範囲に溝を設け、該トレイと該被処理材の間にある気体を該溝から逃がしながら、該トレイと該被処理材を熱剥離接着部材で接着することを特徴とする。
ここで、熱剥離接着部材とは、所定以上の温度になると剥離する接着部材のことを言う。例えば、特許文献1〜5に記載の発泡剥離性シート又は発泡剥離剤は本発明に好適に用いることができる。ただし、特許文献1〜5にはプラズマ処理容器内で発泡剥離性シート又は発泡剥離剤を用いることは記載されていない。もちろん本発明では、このような発泡剥離性シート・発泡剥離剤以外にも、熱を加えることにより接着力が弱まる又は接着力を失う接着部材であればいずれも使用することができる。
上で述べた「トレイ上に載置」又は「支持台上に載置」とは、重力方向に関する上下を言うのではなく、単に一つの方向を示すのみである。すなわち、例えば支持台が重力方向に関して上部に配置され、その下面にトレイが何らかの方法で固定され、そのトレイの下面に被処理材が熱剥離接着部材で接着される場合も、本発明の範囲に含まれる。
上記「プラズマ処理」には、プラズマエッチング処理、プラズマ成膜処理、プラズマ洗浄処理等、プラズマを用いたあらゆる処理が含まれる。
プラズマ処理における被処理材への入熱量が少ない場合は、被処理材の温度はそう上がらないが、投入エネルギが大きくなるにつれ、被処理材の温度が上昇する。このプラズマ処理中の被処理材の温度が熱剥離接着部材の剥離温度を超えると好ましくないため、プラズマ処理時には支持台を冷却することが望ましい。
溝を設けたトレイを用いる場合、被処理材の周囲に配置したシール材を介して蓋を載置し、蓋を機械的に被処理材に押圧しつつ、被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入することにより被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることが望ましい。この場合において、前記押圧の際に、被処理材の下面を排気することがより望ましい。ここで「下面」とは、被処理材の、与圧室とは反対側の面を指す。
表面に溝を有するトレイと被処理材の接着は以下に述べる被処理材接着装置を用いて行うことが望ましい。即ち、この装置は、板状の被処理材を、表面のうち該被処理材が載置される面よりも大きい範囲に溝を有するトレイに均等に接着させるための被処理材接着装置であって、
被処理材とトレイの間に配置される熱剥離接着部材と、
該被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材と、
該シール材を介して被処理材の上側に配置される蓋と、
該シール材を押圧しつつ該蓋を該トレイに固定する固定手段と、
被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入するための与圧手段と、
を備えることを特徴とする。
上記被処理材接着装置は、与圧室の周囲の空間を減圧する減圧手段を備えることが望ましい。
本発明に係るプラズマ処理方法又はプラズマ処理装置では、プラズマ処理中及びその前後において被処理材がトレイに確実に固定されているため、被処理材の処理室(真空容器)への搬入や搬出等のハンドリングが容易となる。また、プラズマ処理中は、被処理材に投入されたエネルギにより生じる熱を効率よくトレイ及び支持台に伝達するため、被処理材の温度上昇を抑えることができる。この効果は、支持台を冷却した場合により顕著である。
そして、プラズマ処理が終了し、被処理材とトレイを処理室から取り出して必要な後処理を行った後は、熱剥離接着部材を加熱して所定の剥離温度以上とするだけで、被処理材はトレイから離れる。従って、処理全体を通して被処理材に無理な力を加えることなく、迅速なプラズマ処理を行うことができる。さらに、グリスを使用しないので、その洗浄工程を省くことが可能となる。
本発明が対象とする被処理材は、シリコンや化合物などの半導体、ガラスや樹脂などの絶縁体、金属などの導体など、その種類を問わない。また、その形状についても、大きな1枚板であるウエハ状のものはもちろん、小さなチップ状のものが多数配列したものであってもよい。
トレイの表面に溝を設けることにより、トレイと被処理材を接着する際に、被処理材とトレイの間にある気体を、溝を通して外部へ逃がすことができるため、トレイと被処理材の間に気体が残留することを防止することができる。これにより、被処理材からトレイへの熱の伝導性がより高まり、プラズマ処理中における被処理材の温度上昇をより確実に抑えることができる。
被処理材の上部に与圧室を設け、与圧室内に気体を注入し被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることにより、被処理材の全面を均等な圧力で押圧することができるため、トレイと被処理材の間の一部に気体が残留することを防ぐことができ、トレイへの被処理材の接着性を更に高めることができる。
その際、機械的な押圧により加えられるシール材への圧力に偏りが生じたとしても、被処理材の下面を排気することにより、その偏りを補正してシール材に均等な圧力を加えることができる。
本発明の一実施形態を図1により説明する。図1は、カソードカップリング型プラズマCVD装置10の断面図である。上下分割型の真空容器11内には、上部電極12と下部電極13がほぼ平行に配設されている。上部電極12の下面には多数の細かいガス導入口が設けられ、一方、下部電極13内には冷却装置が設けられている。電気的には、上部電極12及び容器11が接地される一方、下部電極13には高周波電力が投入される。なお、本実施例では下部電極13が上記支持台として作用する。
本プラズマCVD装置10を用いた被処理材(以下、基板と呼ぶ)14の処理方法は、次の通りである。
まず、真空容器11の外で、図2(a)に示すように、アルミナ等から成るトレイ15上に、発泡剥離性シート16を介して基板14を載置する。発泡剥離性シート16は、常温では粘着性を有するが、熱を加えることにより含有成分が発泡し、それにより粘着性を失うというものである。例えば、日東電工株式会社製「リバアルファ」(登録商標)を用いることができる。
こうして基板を固定したトレイ15を下部電極13上に載置し、静電クランプ等でトレイ15を下部電極13に固定する。真空容器11を閉じた後、上部電極12から処理ガスを真空容器11内に導入しつつ、下部電極13に高周波電力を投入する。これにより、処理ガスがプラズマ化され、基板14上に成膜が行われる。その間、下部電極13の冷却装置には冷却液が所定流量で流され、基板14が所定温度以上に上昇しないように制御される。
所定時間の処理が終了した後、高周波電力の投入が停止され、真空容器11内の処理ガスを十分吸引除去した後、真空容器11内に空気が導入されて真空容器11が開放される。トレイ15のクランプが解除され、トレイ15が下部電極13から取り外されて真空容器11外に取り出される。そして、図2(b)に示すように、トレイ15を加熱台17上に載置し、所定の剥離温度以上に加熱することにより、発泡剥離性シート16は粘着力を失い、基板14をトレイから持ち上げることができるようになる。発泡剥離性シート16が発泡し、粘着力を失う温度は、各種のものが用意されている。例えば、上記日東電工株式会社製リバアルファでは90℃、120℃、150℃などで剥離するものが用意されている。これらは、基板14の種類やプラズマ処理条件に応じて適宜選択して使用することが可能である。
次に、図3を用いてトレイの好適な一実施形態であるトレイ15Aについて説明する。図3(a)はトレイ15Aの上面図である。トレイ15Aは、基板14を載置する側の表面に溝21を設けたものである。この例では、溝21を蜂の巣(ハニカム)状に、トレイ15の端部22にまで延びるように形成した。
このように溝21を設けることにより、図3(b)の縦断面図に示すように、発泡剥離性シート16を用いてトレイ15A上に基板14を接着する際に、基板14からトレイ15Aに圧力を加えるにより発泡剥離性シート16から押し出される気体を溝21から端部22を通過して外部に逃がすことができる。そのため、接着後にトレイ15Aと基板14の間に気体が残留することを防ぐことができ、溝21がない場合よりもトレイ15Aと基板14の接着性が向上する。そのため、プラズマCVD装置10により基板14上に成膜が行われる際に基板14の熱をより確実にトレイ15Aに逃がすことができ、基板14が所定温度以上に上昇することを防ぐことができる。なお、図3(b)では説明の都合上、溝21は図3(a)に示した蜂の巣状のものとは異なる形状で示した。
上述の効果を確実に得るために、溝21は、トレイ15Aの表面の面積のうち5%以上に形成されていることが望ましい。しかし、溝21が占める面積が大きすぎると基板14からトレイ15Aへの熱の伝導効率が低下するため、この面積は40%以下とすることが望ましい。また、溝21の深さは、溝21を通過する空気のコンダクタンス及び熱の伝導効率を考慮して、10μm〜200μmとすることが望ましい。
ここで、溝21は正方格子状や三角格子状等、蜂の巣状以外の形状に形成してもよい。また、溝21が図3に示したように端部22にまで延びていなくとも、基板14の面よりも大きい範囲に溝21が形成されていれば、トレイと基板の間の発泡剥離性シートが含んでいる気体を外部に排出するという、溝を設ける目的を達成することができる。
次に、トレイと基板を接着する接着装置30について、図4〜図7を用いて説明する。図4は接着装置30の縦断面図である。接着装置30はトレイを載置する載置台30Aと、載置台30Aを覆う蓋30Bと、載置台30Aと蓋30Bを重ねて固定するクランプ30Cを有する。
載置台30Aの構成を図4及び載置台30Aの上面図である図5を用いて説明する。載置台30Aの上面の中央部31Aは、載置台30Aを蓋30Bで覆うことによりこの中央部31Aに排気室31が形成されるように、周囲よりも一段低くなっている。中央部31A内に、トレイを嵌め込むための窪み32が形成されている。中央部31A内の窪み32から離れた位置に、排気室31内の空気を排出するための排出口33が設けられている。また、中央部31Aの周囲には、排気室31内の気密を保つための排気室Oリング34が設けられている。
蓋30Bの構成を図4及び蓋30B下面図である図6を用いて説明する。蓋30Bを載置台30Aに被せた際に窪み32の直上になる位置に、各窪み32と1対1に対応して、蓋30Bの下面よりも上側に窪んで成る与圧室35が形成されている。各与圧室35の上面に、気体を注入するための気体注入口36が設けられている。本実施例では注入される気体は窒素ガスとしたが、気体の種類は特に問わない。また、各与圧室35の周囲には、窪み32に被処理材を載置した時に被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材(Oリング)37が設けられている。
図4及び図4中に破線で囲った1個の与圧室35の近傍を拡大した図である図7を用いて、接着装置30の動作を説明する。まず、使用者は窪み32にトレイ15Aを嵌め込み、トレイ15Aの上に発泡剥離性シート16を介して基板14を載置する。次に、使用者は載置台30Aに蓋30Bを被せ、クランプ30Cにより両者を固定する。これにより、蓋30Bはシール材37を押圧するようにトレイ15Aに固定される。そして、排出口33から空気を排出して排気室31内を減圧する。これにより、仮にクランプ30Cによりシール材37に加えられた圧力に偏りが生じていたとしても、その偏りを補正してシール材37に均一に圧力を加えることができる。
次に、気体注入口36から各与圧室35に窒素ガスを供給する。これにより、基板14の表面に均一な圧力が加えられ、基板14がトレイ15Aに接着する。この時、トレイ15Aと基板14の間に残存していた空気は、トレイ15Aの溝を通って排出口33から排出される。
与圧室35に供給する気体の圧力は、大気圧よりも大きく、且つ基板に不要な力を加えることなく基板をトレイに接着するために、0.2MPa〜5MPaとすることが望ましい。
ここでは1台の接着装置に窪み32、与圧室35、気体注入口36及びシール材37を7組設けた例を示したが、その個数は任意である。
発泡剥離性シートを用いた場合とそれを用いない場合で、プラズマ処理時の基板の温度上昇がどのように変化するかを測定する試験を行った。プラズマ処理装置にはサムコ株式会社製RIE-200誘導結合型プラズマエッチング装置を使用した。その概略構成を図8に示す。基板には50×50×0.2mmの熱酸化膜付Siチップを、発泡剥離性シートには日東電工株式会社製リバアルファNo.3195Mを用いた。トレイには、第1試験ではNi被覆アルミナ板(Al2O3/Ni)を、第2試験では表面を酸化したシリコンウエハ(SiO2/Si)を用いた。なお、リバアルファNo.3195Mの粘着力は3.7N/20mm、剥離温度は120℃である。第1試験におけるトレイのNi被覆は、支持台への静電チャックのためである。
図9に示すように、発泡剥離性シート41により基板42をトレイ43上に固定し、基板42表面とトレイ43表面にそれぞれ温度測定用のサーモラベル44を貼付した。なお、サーモラベル44をプラズマから保護するため、サーモラベル44の上にカプトンテープ(デュポン社の登録商標)45を貼付した。また、比較のために、発泡剥離性シートを使用せず、基板をトレイ上に単に載置しただけの場合の試験も行った。
こうして準備したトレイ43及び基板42を上記プラズマ処理装置に装入し、図10に示す処理条件でプラズマエッチング処理を行った。これらの処理の間の基板42表面の最高温度を測定した結果を図11に示す。アルミナトレイの場合、発泡剥離性シート41を用いることにより、基板温度は10℃低下している。また、シリコントレイの場合、35〜40℃も低下している。
プラズマエッチング処理を行った後、トレイ43をプラズマ処理装置から取り出し、図示しないホットプレートに載置した。ホットプレートに通電し、トレイ43を徐々に150℃まで加熱したところ、発泡剥離性シートが発泡して粘着力を失い、基板42をトレイ43から容易に剥離することができた。
次に、基板42をΦ50mm×0.2mmサファイア(Al2O3)とし、トレイ43にNi被覆アルミナ板(Al2O3/Ni)を用いてプラズマエッチング処理を行った。処理条件は、ガス種をCl2/SiCl4 = 50/5(sccm)、ICP/バイアス=800/500(W)、処理時間10分、圧力0.6Paとした。その最高温度測定結果を図12に示す。投入電力が小さい場合には、発泡剥離性シート41を使用することによる温度低下は10℃に留まっているが、投入電力が大きくなると、その温度低下効果は顕著となり、約140℃も低下している。
プラズマエッチング処理を行った後は上記同様、トレイ43をプラズマ処理装置から取り出し、図示しないホットプレートに載置してトレイ43を徐々に150℃まで加熱した。これにより、発泡剥離性シートが発泡して粘着力を失い、基板42をトレイ43から容易に剥離することができた。
上述の溝つきのトレイ15Aに発泡剥離性シートを介してサファイア基板を接着した時の、サファイア基板の剥がれ難さを確認する実験を行った。この実験では、(i)接着装置30を用いて接着を行った試料A、(ii)接着装置30を用いることなく、トレイ15A上に発泡剥離性シートを介してサファイア基板を載置し、サファイア基板上から該基板の全面に手で圧力を加えて接着を行った試料B、(iii)同じく接着装置30を用いることなく、トレイ15A上に発泡剥離性シートを介してサファイア基板を載置し、サファイア基板上のうちプラズマ処理がなされない周辺部にのみ手で圧力を加えて接着を行った試料C、を用いた。
これら3個の試料につき、サファイア基板をピンセットで挟んで持ち上げようとしたところ、試料Cはすぐにサファイア基板がトレイ15Aから剥がれた。また、試料Bは、試料Cよりは剥がれ難かったものの、やはりサファイア基板はトレイ15Aから剥がれた。それに対して試料Aでは、試料Bのサファイア基板が剥がれた位置までサファイア基板を持ち上げても剥がれることはなかった。
なお、実際にプラズマ処理を行う場合には、基板の表面に形成されたレジストが不均一に力を加えられることにより破壊されるおそれがある等の理由により、試料Bのようにサファイア基板の全面に手で圧力を加えることはできない。そのため、手で力を加えて接着を行う限り、試料Cのように周辺部にしか圧力を加えることができず、試料Bよりも更に接着力が弱くなる。従って、接着装置30を用いて確実に接着を行うことが望ましい。
本発明の一実施形態で用いるカソードカップリング型プラズマCVD装置の概略構成図。 トレイ、発泡剥離性シートと基板の関係を示す断面図であり、(a)は接着状態、(b)は剥離状態を表す。 トレイの好適な一実施形態であるトレイ15Aを示す上面図(a)及びトレイ15Aに基板14を接着する際に基板14とトレイ15Aの間から気体を排出することができることを示す縦断面図(b)。 トレイと被処理材を接着するための装置の一実施形態を示す縦断面図。 接着装置30のステージ30Aを示す上面図。 接着装置30の蓋30Bを示す下面図。 1個の与圧室35の周囲を拡大して示した縦断面図。 温度上昇測定試験に用いたICPプラズマエッチング装置の概略構成図。 温度上昇測定試験に用いたトレイと基板の斜視図。 温度上昇測定試験条件の表。 温度上昇測定試験条件の結果の表。 温度上昇測定試験条件の結果の表。
符号の説明
10…プラズマCVD装置
11…真空容器
12…上部電極
13…下部電極
14、42…被処理材(基板)
15、15A、43…トレイ
16、41…発泡剥離性シート
17…加熱台
21…溝
22…トレイの端部
30…接着装置
30A…載置台
30B…蓋
30C…クランプ
31…空間
31A…載置台の中央部
33…排出口
34…排気室Oリング
35…与圧室
36…気体注入口
37…シール材
44…サーモラベル
45…サーモラベル保護シート

Claims (18)

  1. 被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、
    トレイの表面のうち被処理材が載置される面よりも大きい範囲に溝を設け、該トレイと該被処理材の間にある気体を該溝から逃がしながら、該トレイと該被処理材を熱剥離接着部材で接着することを特徴とするプラズマ処理方法。
  2. プラズマ処理時に該支持台を冷却することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
  3. 熱剥離接着部材が発泡剥離剤である請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
  4. 熱剥離接着部材が発泡剥離性シートである請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
  5. トレイの表面のうち溝が占める面積の割合が5%〜40%であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理方法。
  6. 溝の深さが10μm〜200μmであることを特徴とする請求項4又は5に記載のプラズマ処理方法。
  7. 被処理材の周囲に配置したシール材を介して蓋を載置し、蓋を機械的に被処理材に押圧しつつ、被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入することにより被処理材の全面を押圧して被処理材をトレイに接着させることを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
  8. 前記気体の圧力が0.2MPa〜5MPaであることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理方法。
  9. 前記押圧の際に、被処理材の下面を排気することを特徴とする請求項7又は8に記載のプラズマ処理方法。
  10. 被処理材をトレイ上に載置し、更に該トレイを支持台上に載置して、該被処理材の表面をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、
    トレイの表面のうち被処理材が載置される面よりも大きい範囲に溝を設け、該トレイと該被処理材を接着する熱剥離接着部材を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  11. 前記溝が網目状であることを特徴とする、請求項10に記載のプラズマ処理装置。
  12. 該支持台を冷却する冷却装置が設けられている請求項10又は11に記載のプラズマ処理装置。
  13. 熱剥離接着部材が発泡剥離剤である請求項10〜12のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  14. 熱剥離接着部材が発泡剥離性シートである請求項10〜12のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  15. トレイの表面のうち溝が占める面積の割合が5%〜40%であることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  16. 溝の深さが10μm〜200μmであることを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  17. 板状の被処理材を、表面のうち該被処理材が載置される面よりも大きい範囲に溝を有するトレイに均等に接着させるための被処理材接着装置であって、
    被処理材とトレイの間に配置される熱剥離接着部材と、
    該被処理材の上面の周囲に対応する位置に配置されるシール材と、
    該シール材を介して被処理材の上側に配置される蓋と、
    該シール材を押圧しつつ該蓋を該トレイに固定する固定手段と、
    被処理材、シール材及び蓋により形成される与圧室内に気体を注入するための与圧手段と、
    を備えることを特徴とする被処理材接着装置。
  18. 与圧室の周囲の空間を減圧する減圧手段を備えることを特徴とする請求項17に記載の被処理材接着装置。
JP2006196558A 2005-12-27 2006-07-19 プラズマ処理方法及びプラズマ装置 Active JP4905934B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006196558A JP4905934B2 (ja) 2005-12-27 2006-07-19 プラズマ処理方法及びプラズマ装置
TW095142559A TWI387996B (zh) 2005-12-27 2006-11-17 A plasma processing method and a plasma processing apparatus
CN2006101732572A CN1992162B (zh) 2005-12-27 2006-12-15 等离子体处理方法以及等离子体装置
KR1020060133529A KR101310397B1 (ko) 2005-12-27 2006-12-26 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005376568 2005-12-27
JP2005376568 2005-12-27
JP2006196558A JP4905934B2 (ja) 2005-12-27 2006-07-19 プラズマ処理方法及びプラズマ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007201404A JP2007201404A (ja) 2007-08-09
JP2007201404A5 JP2007201404A5 (ja) 2009-05-14
JP4905934B2 true JP4905934B2 (ja) 2012-03-28

Family

ID=38455632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006196558A Active JP4905934B2 (ja) 2005-12-27 2006-07-19 プラズマ処理方法及びプラズマ装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4905934B2 (ja)
KR (1) KR101310397B1 (ja)
CN (1) CN1992162B (ja)
TW (1) TWI387996B (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5002505B2 (ja) * 2008-03-26 2012-08-15 株式会社アルバック 搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置
JP5131762B2 (ja) * 2008-05-09 2013-01-30 サムコ株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置並びにプラズマ処理用トレイ
US8582274B2 (en) 2009-02-18 2013-11-12 Ulvac, Inc. Tray for transporting wafers and method for fixing wafers onto the tray
CN103081101B (zh) 2010-04-29 2016-01-06 斯马特拉克Ip有限公司 一种天线组件以及用于通过蚀刻来制造天线组件的方法和蚀刻掩模
CN103590114B (zh) * 2012-08-17 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备
CN104515339B (zh) * 2013-09-26 2017-01-04 正达国际光电股份有限公司 冷却系统
CN104614879B (zh) * 2013-11-04 2018-03-27 苏州璨宇光学有限公司 显示装置的固定结构
JP2016092308A (ja) * 2014-11-07 2016-05-23 株式会社アルバック 基板温度制御装置、基板処理システム、及び、基板温度制御方法
CN104835766B (zh) * 2015-04-27 2018-06-26 沈阳拓荆科技有限公司 一种雪花形表面结构的可控温加热盘
JP6572800B2 (ja) * 2016-02-26 2019-09-11 株式会社村田製作所 真空装置
JP2018182290A (ja) * 2017-04-18 2018-11-15 日新イオン機器株式会社 静電チャック
CN108735647A (zh) * 2017-04-18 2018-11-02 日新离子机器株式会社 静电吸盘
CN107779819A (zh) * 2017-11-02 2018-03-09 丰盛印刷(苏州)有限公司 芯片溅镀治具及溅镀方法
CN113324781A (zh) * 2021-06-18 2021-08-31 山东中保康医疗器具有限公司 离心式血浆分离器、单采血浆机泡沫测试方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139165A (ja) * 1994-11-02 1996-05-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハ貼り付け装置
JP3339231B2 (ja) * 1995-01-19 2002-10-28 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3553204B2 (ja) * 1995-04-28 2004-08-11 アネルバ株式会社 Cvd装置
JP2001210708A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Dowa Mining Co Ltd 基板の搬送方法及び基板搬送用のトレー
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4284911B2 (ja) * 2002-01-09 2009-06-24 ソニー株式会社 素子の転写方法
JP3911174B2 (ja) * 2002-03-01 2007-05-09 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
CN1228820C (zh) * 2002-09-04 2005-11-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
JP2004111533A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Tokyo Electron Ltd 静電吸着装置
JP4179041B2 (ja) * 2003-04-30 2008-11-12 株式会社島津製作所 有機el用保護膜の成膜装置、製造方法および有機el素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR101310397B1 (ko) 2013-09-17
KR20070069037A (ko) 2007-07-02
TW200746236A (en) 2007-12-16
JP2007201404A (ja) 2007-08-09
CN1992162A (zh) 2007-07-04
TWI387996B (zh) 2013-03-01
CN1992162B (zh) 2010-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4905934B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ装置
TWI286352B (en) Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same
US9508541B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
TW200527579A (en) Substrate supporting plate and striping method for supporting plate
JP3502036B2 (ja) 半導体素子の製造方法および半導体素子
JP6007688B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN107180753B (zh) 元件芯片的制造方法
TWI630650B (zh) Flat processing method for sapphire substrate
JP2004063645A (ja) 半導体ウェハの保護部材剥離装置
JP4624836B2 (ja) 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いるウエーハ保持用治具
JP6555656B2 (ja) プラズマ処理装置および電子部品の製造方法
JP2004241568A (ja) 基板脱着装置、基板脱着方法及び基板処理システム
JP2004022571A (ja) ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法
TWI810309B (zh) 晶圓的加工方法
JP2012043928A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP5131762B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置並びにプラズマ処理用トレイ
US9281225B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10714356B2 (en) Plasma processing method
JP4245868B2 (ja) 基板載置部材の再利用方法、基板載置部材および基板処理装置
CN107154369A (zh) 等离子体处理方法
JP2006165136A (ja) エッチング方法
KR101468184B1 (ko) 히터가 구비된 정전척 및 그 제조방법
JP2006128205A (ja) ウェハ支持部材
JP2000068172A (ja) 試料の分離装置及び分離方法
JP2001308033A (ja) ウエハ固定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090331

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090331

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110602

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110920

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120105

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4905934

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250