JP2004022571A

JP2004022571A - ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法

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Publication number: JP2004022571A
Application number: JP2002171235A
Authority: JP
Inventors: Naoyuki Yamashita; 山下　直之
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2002-06-12
Filing date: 2002-06-12
Publication date: 2004-01-22
Anticipated expiration: 2022-06-12
Also published as: JP4096636B2

Abstract

【課題】ウエハの反りを抑えつつそのウエハを支持することのできるウエハ支持治具、およびその支持治具を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持治具１は、環状の第一支持部材１０と環状の第二支持部材３０とを備える。第一支持部材１０は環状の第一支持面５２を有する。その第一支持面５２上にウエハ２を載置し、その上から第二支持部材３０を配置する。これにより、環状の第一支持面５２と、第二支持部材３０に設けられた第二支持面５６との間で、ウエハ２の外周をその厚み方向に挟持する。支持治具１にセットされたウエハ２は、その表側面２ａおよび裏側面２ｂの両面が支持治具５０の内方にある開口部５０から露出している。第一支持部材１０の裏側端面には、支持治具１の外周からその開口部５０に至る溝２０が設けられている。
【選択図】　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを支持するウエハ支持治具に関する。また、そのウエハ支持治具を用いて半導体素子を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚みの小さい（薄厚の）半導体素子を製造するために、薄厚のウエハを取り扱う技術が重要となってきている。薄厚（例えば厚さ１５０μｍ以下）のウエハは、ウエハ処理工程や搬送工程等の際に割れや反りを生じやすい。そのため作業性や製品歩留まりが低下しがちである。
このような薄厚のウエハは、ウエハの表側面にウエハ処理（回路等のパターンを形成する処理をいう。）を施した後、そのウエハの裏側面（背面）をバックグラインディングすることによりウエハを薄厚化して製造されることが多い。このバックグラインディングに先立ってウエハの表側面に粘着テープを貼り付けておき、バックグラインディングの後（ウエハの厚みを薄くした後）は常にウエハのいずれかの面にテープを貼り付けて取り扱う（搬送やダイシング等を行う）ことにより、ウエハの割れを防止する方法が知られている。すなわち、ウエハに貼り付けたテープによってウエハを支持する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、粘着テープ等を貼り付けてウエハを支持する方法では、通常このようなテープは厚み方向（ウエハ面に垂直な方向）に対する形状維持性に乏しいため、ウエハの反りを十分に抑えることは困難である。例えば、バックグラインディング後のウエハに対してさらにウエハ処理を行う場合（ウエハの裏側面に裏面電極を形成する場合等）、ウエハが反った状態で支持されていると、ウエハの裏側面内でその処理の程度が不均一になるので好ましくない。
【０００４】
そこで本発明は、ウエハの反りを抑えつつそのウエハを支持することのできるウエハ支持治具を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、このようなウエハ支持治具を用いた半導体素子の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用と効果】本発明者は、ウエハの周縁部をその厚み方向に挟持してウエハを支持することにより上記課題を解決できることを見出して本発明を完成した。
【０００６】
本発明により提供されるウエハ支持治具は、環状の第一支持面を有する環状の第一支持部材と、その第一支持面と対向する第二支持面を有する第二支持部材とを備える。その支持治具は、ウエハをセットしたとき、第一支持面および第二支持面によりウエハの周縁部を厚み方向に挟持するとともに、第一支持部材の内周側に形成された開口部からウエハが露出するように構成されている。
【０００７】
かかる構成の支持治具にウエハをセットすると、環状の第一支持面に沿って、そのウエハの周縁部が厚み方向に挟持される。ウエハを挟持する箇所がウエハの周方向に広がっているので、ウエハの反りを防止する効果に優れる。ウエハの少なくとも一方の面は第一支持部材の内周側の開口部から露出しているので、ウエハを支持治具にセットしたまま、その露出部分にウエハ処理（例えば、電極を形成するための一連の処理等）を施すことができる。このとき、支持治具によってウエハの反りが防止されていることにより、ウエハの面内に施される処理（スパッタ処理、イオン注入処理等）の程度をより均一化することができる。
【０００８】
本発明の支持治具の好ましい一態様では、その支持治具の外周から開口部に至る溝が設けられている。このような溝が設けられていると、開口部から露出したウエハに流体（ガスや薬液等）を接触させやすい。このことは、ウエハを支持治具にセットしたままウエハ処理を行うにあたり好都合である。特に、複数の支持治具を積み重ねてウエハ処理（エッチング処理、熱処理等）を行う場合には、開口部から露出されたウエハに流体を行き渡らせやすくする効果がよく発揮される。
【０００９】
本発明の支持治具の他の好ましい一態様では、第二支持部材が環状である。そして、環状の第一支持部材と環状の第二支持部材とを備える支持治具にウエハをセットしたとき、両支持部材の内周側に形成された開口部からウエハの両面が露出するように構成されている。このようにウエハの両面を露出するように支持することにより、ウエハを支持治具にセットしたままの状態で、その表側面および裏側面のいずれの面に対してもウエハ処理（ウエハテスト等の検査処理を含む。）を行うことができる。
【００１０】
本発明の支持治具の他の好ましい一態様では、第一支持部材が、第一支持面の外周端から立ち上がる筒状面を有する。ウエハをセットするときには、その筒状面の内側に第二支持部材を嵌め込んでウエハを挟持する。かかる構成によると、第一支持部材と第二支持部材との位置決めが容易である。また、その筒状面の内側にウエハをセットすれば、ウエハの位置決めが容易である。この筒状面は、ウエハに設けられた位置決め部（オリエンテーションフラット、Ｖノッチ等）に対応した形状とすることができる。
【００１１】
本発明によると、上述したいずれかのウエハ支持治具を用いた半導体素子製造方法が提供される。その製造方法は、本発明のいずれかのウエハ支持治具にウエハをセットする工程と、支持治具の開口部から露出したウエハにウエハ処理を施す工程とを含む。このようなウエハ処理工程の代表例としては、ウエハに電極を形成する工程が挙げられる。かかる製造方法は、支持治具にセットされるウエハが薄厚（例えば厚さ１５０μｍ以下）である場合に特に好適である。
【００１２】
支持治具にセットされたウエハにウエハ処理を施す工程は、ウエハにテープが貼られていない状態で行うことが好ましい。ウエハ処理工程（例えば、ウエハに電極を形成する工程）は、高温および／または高真空条件下で行われることがある。テープの貼られたウエハを高温および／または高真空に曝すと、テープの構成材料（テープ基材や粘着剤等）によっては、その構成材料の分解や揮発によりガスが発生し、このガスがウエハを汚染する虞がある。あるいは、テープが劣化してウエハから剥がれ難くなることがある。本発明の支持治具によれば、テープを用いることなくウエハを支持し得るので、ウエハにテープが貼られていない状態でウエハ処理を行うことができる。したがって、ウエハにテープが貼られていることに起因する上記事象の発生を回避することができる。
なお、本発明の支持治具は、テープの貼られていないウエハの支持のみならず、テープの貼られたウエハの支持にも使用することができる。
【００１３】
支持治具にセットされたウエハにウエハ処理を施す工程は、ウエハのセットされた支持治具を複数個積み重ねて行うことができる。このように支持治具を積み重ねてウエハ処理を行う製造方法には、前述のように、外周から開口部に至る溝が設けられた構成の支持治具が特に適している。
【００１４】
本発明の製造方法は、両面にウエハ処理が施された（典型的には、両面に回路パターンが形成された）半導体素子の製造に対して特に好ましく適用される。このような半導体素子の製造にあたっては、ウエハの少なくとも一方の面はウエハを薄厚化した後にウエハ処理することとなる。したがって、薄厚のウエハを反りの少ない状態に支持したまま（支持治具にセットしたまま）ウエハ処理を施すことができる、という本発明の効果がよく発揮される。
【００１５】
両面にウエハ処理が施された半導体素子を製造する方法の好ましい一態様は、ウエハの表側の面（表側面）にウエハ処理を施す工程を含む。また、そのウエハの厚みを薄くする（例えばバックグラインディングを行う）工程を含む。また、厚みを薄くしたウエハを、上述したいずれかのウエハ支持治具に、その支持治具の開口部からウエハの少なくとも裏側の面（裏側面）が露出するようにセットする工程を含む。さらに、その露出した裏側面にウエハ処理を施す工程を含む。かかる方法により好ましく製造される半導体素子としては、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、パワーＭＯＳ等の、裏面電極を有する半導体素子（典型的には電極用半導体素子）が例示される。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明は、また、下記の形態で実施することを特徴とする。
【００１７】
（形態１）
第一支持面の外周端から立ち上がる筒状面は、この第一支持面に連なる小径筒面と、その小径筒面よりも第一支持面から遠い側に設けれらた大径筒面とを有する段付筒状に形成されている。ウエハをセットするときには、その小径筒面の内側にウエハが収容される。また、大径筒面と小径筒面の間に形成された環状の係止面に第二支持部材が係止される。かかる形状とすることにより、第一支持面と第二支持面の最小間隔が定まる。したがって、ウエハの損傷を防止する効果がより高められる。例えば、ウエハをセットした支持治具の外周部をウエハの厚み方向に押圧した場合にも、これらの間に挟持されたウエハにその押圧力が直接伝わることが防止される。このことは、ウエハをセットした支持治具を搬送アーム等によってウエハの厚み方向に挟んで搬送する場合等に有利である。
【００１８】
（形態２）
支持治具の外周から開口部に至る溝は、支持治具の半径方向に沿って延びている。この場合には、溝の長さを短くすることができること、溝内を流れる流体の流路抵抗を少なくすること等により、溝を通じてウエハの露出面に流体を行き渡らせる効果がよく発揮される。例えば、環状の第一支持部材の端面に、その環状部分を半径方向に貫通して延びる溝を設けることが好ましい。
この溝の本数は、２本以上とすることが好ましく、４〜１２本とすることが好ましく、６本または８本とすることが特に好ましい。これら複数本の溝を、支持治具の周方向に対してほぼ等間隔で（隣接する溝との間に形成される中心角がほぼ等しい角度となるように）設けるとよい。
【００１９】
（形態３）
第一支持部材および第二支持部材は、高温および／または高真空に耐え得る材料を主体に構成されていることが好ましい。好ましく用いられる材料としては、金属（アルミニウム、ステンレス等）およびセラミック（アルミナ、ジルコニア、窒化珪素等）が例示される。一般にセラミックは熱膨張係数がウエハに近いので、支持治具の構成材料として好適である。
【００２０】
（形態４）
本発明の支持治具および製造方法の好ましい適用対象は厚さ１０〜２００μｍ程度のウエハであり、より好ましくは２５〜１５０μｍのウエハである。また、直径が６インチ（約１５ｃｍ）を超える（典型的には、直径が約１５〜３０ｃｍの範囲にある）ウエハに対して好ましく適用され、より好ましい適用対象は直径が８インチ（約２０ｃｍ）を超える（典型的には、直径が約２０〜３０ｃｍの範囲にある）ウエハである。このように薄厚および／または大径のウエハは反りを生じやすいので、本発明の適用効果がよく発揮される。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
＜第一実施例＞
本発明の一実施例に係るウエハ支持治具を図１〜８に示す。
図１および図２に示すように、この支持治具１は、環状（リング状）の第一支持部材１０と、環状（リング状）の第二支持部材３０とから構成されており、第一支持部材１０と第二支持部材３０との間にウエハ２をセットして用いられる。セットされたウエハ２の両面（表側面２ａおよび裏側面２ｂ）は、支持治具１の内周側に形成された開口部５０から露出する。これら第一支持部材１０および第二支持部材３０は、いずれもセラミック材（ここではアルミナを用いた）を主体に構成されている。
【００２２】
第一支持部材１０を表側（図２の上側；第二支持部材３０が配置される側）から見た形状を図３に、裏側から見た形状を図４に示す。また、図５および図６は、第一支持部材１０を図３に示すＶ−Ｖ線およびＶＩ−ＶＩ線でそれぞれ切断した断面図である。
図５および図６によく示されるように、第一支持部材１０には、裏側（図２の下側；第二支持部材３０が配置される側とは反対側）から順に、ウエハ２が載置される載置部１２、ウエハ２の外側を囲む保持部１４、第二支持部材３０が嵌め込まれる嵌合部１６が設けられている。図３によく示されるように、載置部１２、保持部１４、嵌合部１６は、同軸かつ同一外径の環状に形成されている。その内径は、載置部１２、保持部１４、嵌合部１６の順に拡大している。図２および図３に示すように、載置部１２の表側面によって、ウエハ２の裏側面２ｂに対向する環状の第一支持面５２が形成されている。また、保持部１４および嵌合部１６の内周壁面によって、第一支持面５２の外周端に連なる（外周端から立ち上がる）段付筒状面５４が形成されている。この段付筒状面３４は、保持部１４の内周壁面に相当する第一筒面５４ａと、嵌合部１６の内周壁面に相当する第二筒面５４ｂとを含む。第一筒面５４ａと第二筒面５４ｂとの間には、それらの内径の違いにより、環状の係止面５４ｃが形成されている。
【００２３】
図４に示すように、第一支持部材１０の裏側端面には、この第一支持部材１０の半径方向に延びる（載置部１２を半径方向に貫通する）８本の溝２０が４５°間隔で設けられている。各溝２０の深さは載置部１２の厚さと同等である。したがって、図３に示すように、環状の第一支持面５２は、複数（ここでは８つ）の円弧状の部分に分割されている。なお、溝２０の深さを載置部１２の厚さよりも浅くし、第一支持面５２が閉環状（分割されていない環状）となるように第一支持部材１０を設計してもよい。
【００２４】
第二支持部材３０の形状を図７および図８に示す。この第二支持部材３０は、環状部３２と、環状部３２の外周下部から外側に突出する４つの爪部３４とを有する。図７に示すように、これらの爪部３４は９０°間隔で設けられている。図８に示すように、爪部３４の厚さは環状部３２よりも薄い。また、図３、図５および図６に示すように、第一支持部材１０の嵌合部１６には、その周方向の４箇所に、図７に示す爪部３４と係合可能な鉤部１８が９０°間隔で設けられている。
図２に示すように、第二支持部材３０の環状部３２の内径は第一支持部材１０の載置部１２の内径と同等である。環状部３２の外径は第一支持部材１０の嵌合部１６の内径と同等であり、その厚さは嵌合部１６の厚さと同等である。この環状部３２の下面によって、ウエハ２の表側面２ａに対向する環状の第二支持面５６が形成されている。この第二支持面５６は、第一支持部材１０に設けられた第一支持面５２とも対向している。
【００２５】
この支持治具１にウエハ２をセットする操作につき、図１および図２を用いて説明する。まず、図２に示すように、第一支持部材１０の載置部１２上にウエハ２を、その裏側面２ｂと第一支持面５２が対向する向きで載置する。ここで、第一支持部材１０の形状は、支持対象たるウエハ２の厚さに比べて、保持部１４の厚さが同等かわずかに（例えば０．１〜１０％程度）大きくなるように定められている。また、ウエハ２の直径に比べて保持部１４の内径が同等かわずかに（例えば０．１〜５％程度）大きくなるように定められている。次いで、図１に示すように、鉤部１８の開口部と爪部３４とを位置合わせして、嵌合部１６（第二筒面５４ｂの内側）に環状部３２を嵌め込む。このとき、図２に示すように、環状部３２は係止面５４ｃ上に係止される。第二支持部材３０を図１の右方向に回転させると、鉤部１８と爪部３４とが係合して、第一支持部材１０と第二支持部材３０とが固定される。このようにして、ウエハ２の外縁部が第一支持面５４および第二支持面５６によって厚み方向に挟持される。図２に示すように、ウエハ２の表側面２ａおよび裏側面２ｂは、支持治具１の内周側に形成された開口部５０から露出している。
【００２６】
このような構成のウエハ支持治具１を用いて、両面に回路パターンを有する半導体素子を製造する方法の一例につき、図９〜図２４を用いてその要部を説明する。なお、これらの図では支持治具１を、図１のＩＩ−ＩＩ線断面に相当する断面図として示している。
まず、図９に示すように、直径８インチ、厚さ約７００μｍのウエハ２の片面（表側面）２ａにウエハ処理を施すことにより、表面回路パターン２ｃを形成する。次いで、図１０に示すように、ウエハ２の表側面２ａ（回路パターン２ｃ）上に保護テープ４２を貼り付けて、ウエハ２の背面（表側面２ａとは反対側）を常法により所望の厚さまで（図１０に仮想線で示す裏側面２ｂが現れるまで）バックグラインディングする。これにより、図１１に示すように、ウエハ２の厚さを厚さ約５０μｍまで薄くする。このようにして、表側面２ａにウエハ処理が施され（回路パターン２ｃが形成され）、その表側面２ａにテープ４２が貼り付けられた薄厚のウエハ２を容易する。
【００２７】
このようにテープ４２の貼り付けられたウエハ２を、図２に示す支持治具１にセットする。このセット工程は、図１２に示すような吸着ステージ６０を用いて行われる。吸着ステージ６０には、図２に示す載置部１２に対応した形状の環状溝６２が形成されている。吸着ステージ６０を作動させ、図１３に示すように、環状溝６２に載置部１２を嵌合させて、第一支持部材１０を吸着ステージ６０に吸着させる。このとき、吸着ステージ６０の上面（環状溝６２に囲まれた面）と第一支持面５２とがほぼ同一平面をなすように環状溝６２の形状（深さ）を定めるとよい。
【００２８】
図１４に示すように、テープ４２の貼り付けられたウエハ２を吸着ステージ６０へと搬送する。そのウエハ２を、裏側面２ｂ（バックグラインディングにより生成した面）が第一支持面５２側（吸着ステージ６０側）となる向きで、第一支持面５２上（第一筒面５４ａの内側）に載置する。第一支持部材１０の内周側から露出したウエハ２は吸着ステージ６０に吸着される。この状態で、図１５に示すように、ウエハ２の表側面２ａからテープ４２を剥離する。テープ４２の剥離は常法により行うことができる。このように、支持治具１へのセットを開始するまではウエハ２にテープ４２を貼り付けて取り扱うことにより、それ以前の工程（バックグラインディングを行う工程、ウエハ２を吸着ステージ６０まで搬送する工程等）は従来と同様に行うことができる。
【００２９】
引き続きウエハ２を吸着ステージ６０に吸着させた状態で、図１６に示すように、第一支持部材１０の上方から第二支持部材３０を配置し、前述のように第二支持部材３０を回転させて固定する。このように、ウエハ２を吸着ステージ６０に吸着させた状態で第二支持部材３０を配置することにより、ウエハ２が反っている場合にも、その反りを矯正しつつ支持治具１にセットすることができる。
その後、吸着ステージ６０の作動を停止し、支持治具１にセットされたウエハ２を後続するウエハ処理工程（例えば裏面電極を形成する工程）に、この支持治具１とともに搬送する。ウエハ２の搬送は、例えば、支持治具１を搬送装置（搬送アーム等）に吸着固定することにより行うことができる。
【００３０】
ウエハ２の裏側面２ｂを処理（エッチング処理、熱処理等）する工程は、図１７に示すように、ウエハ２のセットされた支持治具１を複数個積み重ねて行うことができる。この図１７では、ウエハ２のセットされた支持治具１が、図１６とは上下を反転させて配置されている。このとき、第一支持部材１０の裏面（図１７の上側）に、支持治具１の外周から内周（開口部）に至る溝２０が形成されていることにより、図中に矢印Ｇで示すように、処理装置内のガスや薬液等をウエハ２によく行き渡らせることができる。また、支持治具１によってウエハ２が反りのない状態で支持されているので、ウエハ２の裏側面２ｂを均一に処理することができる。このようにして、ウエハ２の裏側面２ｂに裏面回路パターン（裏面電極等）２ｄを形成する。なお、ウエハ２に貼り付けられていたテープ４２（図１５参照）は、このウエハ処理工程の開始前にウエハ２から除去されている。したがって、高温および／または高真空条件でウエハ処理工程を行う場合にも、テープ４２からガスが発生したり、ウエハ２からテープ４２が剥がれ難くなったりすることはない。
【００３１】
次に、ウエハ２を支持治具１から取り外す工程および取り外されたウエハ２にダイシングテープを貼り付ける工程につき説明する。これらの工程は、図１８に示す貼付台７０を用いて行われる。この貼付台７０は開口部７２を有し、その周囲に環状の吸着ステージ７４が設けられている。吸着ステージ７４の幅は、図２に示す第二支持部材３０の環状部３２の幅と同等である。また、吸着ステージ７４の外側には、第一支持部材１０の嵌合部１６に対応した形状の環状溝７６が設けられている。
【００３２】
吸着ステージ７４を作動させ、図１９に示すように、ウエハ処理工程を終えたウエハ２を支持治具１とともに貼付台７０に搬送する。この支持治具１を、ウエハ２の表側面２ａを下にして貼付台７０側にセットすると、嵌合部１６が環状溝７６に嵌まるとともに、第二支持部材３０の環状部３２が吸着ステージ７２に吸着される。次いで、第一支持部材１０を回転させて第二支持部材３０との係合を解く。引き続き吸着ステージ７４を作動させたまま、図２０に示すように、第二支持部材３０およびウエハ２を残して、第一支持部材１０（図１９参照）を貼付台７０から除去する。
図２１および図２２に示すように、ダイシングテープ８０が付着されたダイシングリング７８を貼付台７０上に、ウエハ２を囲むように配置し、ダイシングテープ８０にウエハ２を付着させる。そして、図２３に示すように、ダイシングテープ８０およびダイシングリング７８とともにウエハ２を次工程（ダイシング工程等）へと搬送する。その後、吸着ステージ７４の作動を止めて、図２４に示すように、吸着ステージ７４から第二支持部材３０を取り外す。
【００３３】
なお、本実施例では第二支持部材３０の形状を環状としたが、円板状（例えば、図７において環状部３２の中央部が塞がった形状）の第二支持部材を用いることもできる。
【００３４】
＜第二実施例＞
この第二実施例は、第一実施例とは支持治具の形状および材質が異なる例である。以下、第一実施例に係る部材と同様の機能を果たす部材については同じ符号を付し、その説明を省略する。
図２５および図２６に示すように、本実施例に係る支持治具３は、環状の第一支持部材１０および環状の第二支持部材３０から構成されている。第一支持部材１０および第二支持部材３０はいずれも磁性材料から形成されている（例えば、鉄にＡｌ，Ｎｉ，Ｃｏを加えた合金を鋳造してなるアルニコ磁石製）。本実施例では、嵌合部１６に嵌め込まれた第二支持部材３０と第一支持部材１０との間に、磁力による吸引力が働く。このことによって、ウエハ２の外縁部を第一支持面５４と第二支持面５６との間で挟持する。このように、第一支持部材１０と第二支持部材３０とを磁力で固定する構成によると、支持治具３の形状を簡略化し得るので好ましい。
なお、本実施例では第一支持部材１０として裏面に溝２０（図４参照）が形成されていない形状のものを用いたが、第一実施例と同様に溝２０が形成された第一支持部材１０を用いてもよい。
【００３５】
＜第三実施例＞
この第三実施例は、第一実施例とは支持治具の形状および材質が異なる他の例である。
図２７および図２８に示すように、本実施例に係る支持治具４は、環状の第一支持部材１０および環状の第二支持部材３０を備え、これらが４つの止め具９０によって係止（固定）された構成を有する。第一支持部材１０、第二支持部材３０および止め具９０は、いずれもセラミック材（ここではアルミナを用いた）を主体に形成されている。
図２９は、第三実施例に係る第一支持部材１０を表側から見た形状を、図３０はこの第一支持部材１０を裏側から見た形状を示している。図３０に示すように、第一支持部材１０の裏側端面には、第一実施例と同様に、半径方向に延びる８本の溝２０が設けられている。ただし本実施例では、図２８に示すように、これらの溝２０の深さは載置部１２の厚さよりも浅い。
【００３６】
第三実施例に係る第二支持部材３０を表側から見た形状を図３１に示す。この第二支持部材３０を構成する環状部３２は、同心円状に設けられた内周部３２ａと外周部３２ｂとを有する。図２８に示すように、外周部３２ｂは内周部３２ａよりも薄肉に形成されている。この外周部３２ｂの厚さは、第一支持部材１０の嵌合部１６の厚さと同等である。
止め具９０の断面図を図３２に、止め具９０を後側（この止め具９０が支持治具４を構成するときの外周側）から見た形状を図３３に示す。図示するように、この止め具９０はコの字状（略Ｕ字状）の断面を有している。
【００３７】
図２８に示すように、第一支持面５２上にウエハ２を載置し、その上から第二支持部材３０を配置する。このように第一支持部材１０と第二支持部材３０を重ねた状態で、これらの外周側から溝２０の位置に合わせて４つの止め具９０を差し込む。これにより第一支持部材１０と第二支持部材３０とが固定され、第一支持面５２と第二支持面５６との間でウエハ２が環状に挟持される。
【００３８】
なお、本明細書により開示される技術範囲には以下のものが含まれる。
（１）本発明のいずれかのウエハ支持治具にセットされたウエハを搬送する工程を含む半導体素子製造方法。
（２）本発明のいずれかのウエハ支持治具にセットされたウエハにウエハ処理を施す工程を含む半導体素子製造方法。
【００３９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一実施例の支持治具を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】第一実施例の支持治具を構成する第一支持部材を示す平面図である。
【図４】第一実施例の支持治具を構成する第一支持部材を示す底面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】第一実施例の支持治具を構成する第二支持部材を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【図９】ウエハの表側面に回路パターンを形成した状態を示す断面図である。
【図１０】ウエハの表側面に保護テープを貼り付けた状態を示す断面図である。
【図１１】バックグラインディングされたウエハを示す断面図である。
【図１２】半導体素子の製造に用いられる吸着ステージを示す断面図である。
【図１３】吸着ステージに第一支持部材を配置した状態を示す断面図である。
【図１４】第一支持部材にウエハを載置した状態を示す断面図である。
【図１５】ウエハから保護テープを除去する様子を示す断面図である。
【図１６】第二支持部材を配置した状態を示す断面図である。
【図１７】ウエハをセットした支持治具を積み重ねてウエハ処理を行う工程を示す断面図である。
【図１８】半導体素子の製造に用いられる貼付台を示す断面図である。
【図１９】ウエハをセットした支持治具を貼付台に配置した状態を示す断面図である。
【図２０】第一支持部材を除去した状態を示す断面図である。
【図２１】ダイシングテープが付着されたダイシングリングを貼付台に配置する様子を示す断面図である。
【図２２】ウエハをダイシングテープに貼り付けた状態を示す断面図である。
【図２３】ダイシングテープに貼り付けられたウエハを次工程に搬送する様子を示す断面図である。
【図２４】貼付台から第二支持部材を取り外す工程を示す断面図である。
【図２５】第二実施例の支持治具を示す平面図である。
【図２６】図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線断面図である。
【図２７】第三実施例の支持治具を示す平面図である。
【図２８】図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。
【図２９】第三実施例の支持治具を構成する第一支持部材を示す平面図である。
【図３０】第三実施例の支持治具を構成する第一支持部材を示す底面図である。
【図３１】第三実施例の支持治具を構成する第二支持部材を示す平面図である。
【図３２】第三実施例の支持治具を構成する止め具を示す断面図である。
【図３３】図３２のＸＸＸＩＩＩ方向矢視図である。
【符号の説明】
１，３，４：支持治具
２　：ウエハ
２ａ：表側面
２ｂ：裏側面
１０　：第一支持部材
２０　：溝
３０　：第二支持部材
３２　：環状部
４２　：保護テープ（テープ）
５０　：開口部
５２　：第一支持面
５４　：段付筒状面（筒状面）
５４ａ：第一筒面（小径筒面）
５４ｂ：第二筒面（大径筒面）
５６　：第二支持面
９０　：止め具

Claims

環状の第一支持面を有する環状の第一支持部材と、
その第一支持面と対向する第二支持面を有する第二支持部材とを備え、
ウエハをセットしたとき、前記第一支持面および前記第二支持面によりウエハの周縁部をその厚み方向に挟持するとともに、第一支持部材の内周側に形成された開口部からウエハが露出するように構成されているウエハ支持治具。
その支持治具の外周から前記開口部に至る溝が設けられている請求項１に記載のウエハ支持治具。
前記第二支持部材は環状であり、
ウエハをセットしたとき、前記第一支持部材および前記第二支持部材の内周側に形成された開口部からウエハの両面が露出するように構成されている請求項１または２に記載のウエハ支持治具。
前記第一支持部材は前記第一支持面の外周端から立ち上がる筒状面を有し、その筒状面の内側に前記第二支持部材を嵌め込んでウエハを挟持する請求項１〜３のいずれか一項に記載のウエハ支持治具。
請求項１〜４のいずれか一項に記載のウエハ支持治具にウエハをセットする工程と、
その支持治具の開口部から露出したウエハにウエハ処理を施す工程とを含む半導体素子製造方法。
前記ウエハ処理を施す工程はウエハにテープが貼られていない状態で行われる請求項５に記載の半導体素子製造方法。
前記ウエハ処理を施す工程は電極を形成する工程である請求項５または６に記載の半導体素子製造方法。
前記ウエハ処理を施す工程は、ウエハのセットされた支持治具を複数個積み重ねて行われる請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体素子製造方法。
ウエハの表側面にウエハ処理を施す工程と、
そのウエハの厚みを薄くする工程と、
厚みを薄くしたウエハを、請求項１〜４のいずれか一項に記載のウエハ支持治具に、その支持治具の開口部からウエハの少なくとも裏側面が露出するようにセットする工程と、
その露出した裏側面にウエハ処理を施す工程とを含む半導体素子製造方法。