TW201539685A - 可延伸片材以及積層晶片之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠在多突設工件適當地製造包含最遠位凸部的積層晶片的可延伸片材,及使用該可延伸片材製造積層晶片的方法。
為瞭解決上述課題,提供一種可延伸片材10,其包括有熱收縮性的基材1與在基材1一方的主面上積層的黏著劑層2;加工用區域10a,由以平面視將加工用區域10a的外周作為其外周的環狀區域之第1區域11a,與位於環狀區域的第1區域11a的內周側,含有加工用區域10a的以平面視為中心的第2區域12a形成,上述加工用區域,在比可延伸片材10的基材1更近位於黏著劑層2之側的主面的第1主面,使用時應該被黏附於基板21上在厚度方向上包括複數個凸部22的被加工構件20上之區域;第1區域11a,包括由以第2區域12a為基準,作為從基材1離間方向的突起部的第1突起部11p形成的面11pa。
Description
本發明係關於一種將半導體晶圓等被加工構件分割成小片之際所使用之可延伸片材以及使用該可延伸片材的積層晶片之製造方法。再者,於本說明書中,「片材」之用語之概念為包含「帶」之用語之概念以及「膜」之用語之概念者。
近年來,封裝的高密度化進步,有將矽晶圓代替基板,使用Si貫通電極(TSV、Through-Silicon Via),在其上積層晶片之情形。將這樣積層製造晶片的技術亦稱為磊晶圓(Chip on Wafer)技術(例如,參照專利文獻1)。藉由COW技術製造的積層體在矽基板上晶片呈突起之狀態,其突起高度有達到數百μm之情形。
專利文獻1:日本特開2009-110995號公報
像這樣對基板上在厚度方向由包括複數個凸部的積層體構成的被加工構件(於本說明書中,將這樣的被加工構件亦稱為「多突設工件」。)進行分割,製造作為含有複數個凸
部中的至少一個的片狀體的積層晶片時,與存在含有溶質的加工液有進入構成積層晶片的複數個晶片間之可能性的刮刀切割(Blade Dicing)這樣的濕式切割加工相比,以隱形切割(Stealth Dicing)(註冊商標)這樣的乾式切割(dicing)加工為佳。
在此,在隱形切割(註冊商標)加工中,藉由對黏著於被加工構件的加工用片材賦予使其周緣部從中央部離間這樣的張力使加工用片材延伸,對黏著於加工用片材的被加工構件也賦予使其周緣部從其中央部離間方向之力,得到彼此離間了的複數個片狀體。於本說明書中,將用於隱形切割(註冊商標)加工等的可延伸的加工用片材稱為「可延伸片材」。
被加工構件為多突設工件的情形,僅對多突設工件的凸部黏附可延伸片材,基於可延伸片材的延伸,夾著分割預定線,藉由使所配置的凸部彼此離間進行多突設工件的分割。為此,多突設工件中位於離該工件中心最遠位的凸部(於本說明書中,亦稱為「最遠位凸部」),不能從位於比多突設工件中最遠位凸部更遠元的部分分離自己。故僅在凸部黏著可延伸片材的狀態,不可能將含有該最遠位凸部的積層晶片製造成適宜的大小,必要把最遠位凸部設為假定的凸部。設置這樣的假設的最遠位凸部之步驟其本身就是浪費,且從有效利用被加工構件的觀點亦期望有所改善。
本發明的課題在於提供一種於多突設工件中能適宜製造含有最遠位凸部的積層晶片的可延伸片材以及使用該可延伸片材製造積層晶片之方法。
為達成上述之目的本發明者等經過檢討,結果發現如下之新知見:以對多突設工件黏附可延伸片材之狀態,藉由可延伸片材具有在成為積層晶片的一部的部分以外之部分(於本說明書中,為最遠位殘餘部)進行黏著的部分,可以適宜製造含有最遠位凸部的積層晶片,上述部分以平面視為元於比多突設工件的最遠位凸部更遠離多突設工件中心的遠元之部分(當然不是凸部)。
基於上述知見完成的本發明,第1提供一種可延伸片材,其為包括有熱收縮性的基材與在上述基材一方的主面上積層有黏著劑層的可延伸片材;其特徵在於:加工用區域,由以平面視將上述加工用區域的外周作為其外周的環狀區域之第1區域,與位於環狀區域的上述第1區域的內周側,含有上述加工用區域的以平面視為中心的第2區域形成,上述加工用區域,在比上述可延伸片材的上述基材更近位於上述黏著劑層之側的主面的第1主面,使用時應該被黏附於在基板上在厚度方向上包括複數個凸部的被加工構件上之區域;上述第1區域,包括由以上述第2區域為基準,作為從上述基材離間方向的突起部的第1突起部形成的面(發明1)。
於上述發明(發明1)中,上述被加工構件為藉由含有分割步驟的工藝而被分割成複數個片狀體者,上述分割步驟為對被加工構件照射具有透過性的雷射光線連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟;上述複數個片狀體,以含有被分割成至少包括一個上述複數個凸部的片狀體之積層晶片為佳(發明2)。
於上述發明(發明1或2)中,使用時,上述被加工構件中最遠位殘餘部以黏著於由上述第1突起部形成的面為佳,上述最遠位殘餘部為以平面視,位於比位於上述被加工構件的中心最遠位的凸部更遠元的部分,為成為上述積層晶片之一部的部分以外的部分(發明3)。
於上述發明(發明1至3)中,在使用時,上述被加工構件中上述複數個凸部以黏著於上述第2區域為佳(發明4)。
於上述發明(發明1至4)中,上述可延伸片材的上述第1主面,較佳為以平面視在上述加工用區域的外周側包括第3區域,上述第3區域有由以上述第2區域為基準在從上述基材離間的方向上突出之突起部的第3突起部的面形成的第3突起區域,上述第3突起部有熱收縮性(發明5)。
於上述發明(發明1至5)中,在上述第3區域的至少一部分區域所對應的上述可延伸片材的部分,較佳上述基材為最厚的構件(發明6)。
於上述發明(發明1至6)中,將含有上述基材以及上述黏著劑層的積層體黏附於矽鏡面晶圓(Silicon mirror wafer),基於JIS Z0237:2000所測定的上述積層體的黏著力以1000mN/25mm以上20000mN/25mm以下為佳(發明7)。
於上述發明(發明1至7)中,上述第1區域的突起部較佳為上述第2區域基準之突起高度為200μm以上(發明8)。
於上述發明(發明1至8)中,上述基材以包括聚烯
烴膜為佳(發明9)。
本發明第2提供一種積層晶片的製造方法,其為在基板上在厚度方向從包括複數個凸部的被加工構件製造至少含有1個上述複數個凸部的片狀體的積層晶片的方法,其包括分割步驟、黏附步驟、擴展步驟與拾取步驟;上述分割步驟為對被加工構件照射雷射光線於上述被加工構件連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟;上述黏附步驟為在經過了對被加工構件照射雷射光線於上述被加工構件連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟的被加工構件,以及以平面視被配置於上述被加工構件的外周側的環狀框架上,黏附上述發明(發明1至9)所述之可延伸片材,在上述被加工構件中以平面視為位於比位於上述被加工構件的中心最遠位的凸部更遠元的部分,且為上述積層晶片之一部的部分以外的部分即最遠元殘餘部上,黏著由上述第1突起部形成的面,同時在上述被加工構件的上述複數個凸部,黏著有上述第2區域的狀態的步驟;上述擴展步驟為使上述可延伸片材延伸,將上述被加工構件分割成複數個片狀體,複數個包括上述複數個凸部的至少1個的片狀體的積層晶片彼此離間地配置於上述可延伸片材上,同時使黏著於由上述第1突起部形成的面的上述被加工構件的上述凸部以外的部分為從上述積層晶片離間的狀態的步驟;上述拾取步驟為使上述積層晶片從上述可延伸片材離間的步驟。
於上述發明(發明10)中,上述第1突起部以上述
第2區域為基準的突起高度對於上述被加工構件所包括的上述凸部的以上述基板為基準的突起高度的比例,以80%以上120%以下為佳(發明11)。
於上述發明(發明10或11)中,上述擴展步驟藉由在上述可延伸片材中對應於上述第3區域部分的一部分對接環狀的構件,進行上述可延伸片材的延伸,加熱上述可延伸片材中上述環狀構件所對接的部分,使該部分的上述基材收縮的復元步驟,以在結束上述擴展步驟之後開始上述拾取步驟之間準備為佳(發明12)。
於上述發明(發明10至12)中,包括上述可延伸片材的上述黏著劑層,含有能量線硬化性材料,藉由對上述黏著劑層照射能量線使上述能量線硬化性材料硬化,使上述黏著劑層之對上述晶片的粘著性降低的能量線照射步驟,以在結束上述擴展步驟之後開始上述拾取步驟之間準備為佳(發明13)。
藉2由使用關於本發明的可延伸片材,實施關於本發明的製造方法,可以適宜地製造含有在多突設工件最遠位凸部之積層晶片。
10‧‧‧可延伸片材
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
10A‧‧‧可延伸片材10的第1主面
10a‧‧‧加工用區域
11a‧‧‧第1區域
11p‧‧‧第1突起部
11pa‧‧‧第1凸出面
12a‧‧‧第2區域
13a‧‧‧第3區域
13p‧‧‧第3突起部
13b‧‧‧第3凸出區域
13c‧‧‧易復原區域
10L‧‧‧負荷區域
20‧‧‧多突設工件
21‧‧‧基板
21R‧‧‧最遠位殘餘部
21m‧‧‧改性層
22‧‧‧復數的凸部
22d‧‧‧最遠位凸部
30‧‧‧環狀框架
40‧‧‧積層晶片
40d‧‧‧最遠位積層晶片
50‧‧‧可延伸片材10第1主面1A上由多突設工件20和環狀框架30積層而構成的積層構造體
60‧‧‧環狀構件
70‧‧‧擴展後的積層體
圖1:係關於本發明一實施形態之可延伸片材之一例的概略剖面圖。
圖2:係關於本發明一實施形態之可延伸片材之一例的概略平面圖。
圖3:係關於本發明一實施形態之可延伸片材的其他之一例的概略平面圖。
圖4:係關於本發明一實施形態之可延伸片材的其他之一例的概略剖面圖。
圖5:係表示在圖1所示可延伸片材黏著多突設工件以及環狀框架而成之積層構造體的概略剖面圖。
圖6:係表示對圖5所示積層構造體實施擴展步驟之狀態的概略剖面圖。
圖7:係表示由圖6所示積層構造體所得的擴展後之積層體的概略剖面圖。
圖8:係表示對在圖3以及4所示之可延伸片材黏著多突設工件以及環狀框架而成的積層構造體實施擴展步驟之狀態的概略剖面圖。
圖9:係表示由圖8所示積層構造體所得的擴展後之積層體的概略剖面圖。
於以下記載中,「改性層破斷式拉伸分割」係指對於被加工構件,照射具有透過性的雷射光線連續地形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件。作為基於改性層破斷式拉伸分割的晶片的製造方法,可舉濱松赫德尼古斯公司(Hamamatsu Photonics)提唱的隱形切割(註冊商標)法等。
以下,關於本發明的實施形態進行說明。
1.可延伸片材
圖1係示意性地表示關於本發明之一實施形態的可延伸片材之一例的構造的剖面圖。關於本發明之一實施形態的可延伸片材10,包括有熱收縮性之基材1與積層於上述基材1之一方主面上的黏著劑層2。
(1)基材
關於本實施形態之可延伸片材10的基材1,具有熱收縮性,同時只要在為得到積層晶片爾使可延伸片材10伸長時(於本說明書中,將使可延伸片材10伸長的步驟亦稱為「擴展步驟」)不破斷,則其構成材料無特別限定,通常由以樹脂系的材料為主材料的膜構成。作為該膜的具體例,可以例示含有具有基於烯烴的構成單位的聚合物的膜的聚烯烴膜。作為聚烯烴膜之具體例,可舉出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等的乙烯系共聚物膜;低密度聚乙烯(LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等的聚乙烯膜。再者,聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯樹脂膜等亦可作為聚烯烴膜之具體例而列舉。再者,亦可使用該等聚烯烴膜之架橋膜、如離子聚合物(ionomer)膜這樣的變性膜。上述基材1可為該等1種構成的膜,進一步亦可為將該等2種類以上組合所成的積層膜。又,於本說明書中,「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸以及甲基丙烯酸兩方。關於其他類似用語亦同樣。
構成基材1的膜,從熱收縮性以及擴展步驟之適性(不易破斷)的觀點考慮,以包括乙烯系共聚膜為佳。
基材1,在以上述樹脂系材料作為主材料的膜內,可以含有顏料、阻燃劑、可塑劑、抗靜電劑、滑劑、填料等的各種添加劑。作為顏料,例如可舉出二氧化鈦、碳黑等。又,作為填料,可例示像三聚氰胺樹脂這樣的有機系材料、像煙霧矽膠這樣的無機系材料以及像鎳粒子這樣的金屬系材料。這些添加劑的含有量並無特別限定。
對黏著劑層2照射能量線時,使用紫外線作為能量線時,基材1對紫外線以有透過性為佳。作為對黏著劑層2進行照射的能量線使用電子線時,基材1以具有電子線透過性為佳。
再者,基材1之面對黏著劑層2的主面之反對側的面上,只要能實現所希望的機能,則可以設置各種塗膜。
基材1之厚度並無特別限定。以20μm以上450μm以下範圍為佳,以25μm以上400μm以下範圍為更佳,以50μm以上350μm以下範圍為特別佳。
於本實施形態中基材1的破斷伸度,作為23℃、相對濕度50%時所測定的值,以100%以上為佳,以200%以上1000%以下為特別佳。在此,破斷伸度係在基於JIS K7161:1994(ISO 527-1 1993)的拉伸試驗中試驗片破斷時的試驗片之長度相對於元有長度的拉伸率。上述破斷伸度為100%以上的基材1,於擴展步驟之際不易破斷,易於將分割多突設工件所形成的積層晶片離間。
再者,關於本實施形態之基材1的25%應變時拉伸應力以5N/10mm以上15N/10mm以下為佳,最大拉伸應力
以15MPa以上50MPa以下為佳。在此,25%應變時拉伸應力以及最大拉伸應力藉由依據JIS K7161:1994的試驗而測定。如果25%應變時拉伸應力未滿5N/10mm或最大拉伸應力未滿15MPa,則將可延伸片材10黏附於多突設工件後,固定於環狀框架等夾具之際,因基材1發軟有發生鬆弛之虞,該鬆弛有成為搬送故障原因之情形。再者,25%應變時拉伸應力超過15N/10mm,或最大引張應力超過50MPa,則擴展步驟時有可延伸片材10從環狀框架等夾具剝離等問題易於發生之虞。又,上述破斷伸度、25%應變時拉伸應力以及最大拉伸應力,指於其原材料之長度方向對基材1進行測定所得之值。
(2)黏著劑層
關於本實施形態之可延伸片材10之黏著劑層2,可以藉由先前習知之各種的黏著劑組成物形成。作為像這樣的黏著劑,沒有任何的限定,可以使用譬如橡膠系、丙烯系、矽樹脂系、聚乙烯醚等的黏著劑組成物。再者,亦可以使用能量線硬化型或加熱發泡型、水膨脹型的黏著劑組成物。
關於本實施形態之可延伸片材10所包括之黏著劑層2,亦有由含有藉由照射能量線產生聚合反應的成分的能量線聚合型黏著劑組成物構成之情形。作為用於該聚合之能量線,可例示X射線、紫外線之類的電磁波、電子線等。於該等能量線中,以設置設備所需成本低,作業性亦優異之紫外線為佳。
成為藉由紫外線可聚合的黏著劑組成物之一例,可列舉如下所說明之丙烯酸系聚合物(α)及能量線聚合性化合
物(β)、按照必要進一步含有架橋劑(γ)等的黏著劑組成物。
(2-1)丙烯酸系聚合物(α)
用於形成關於本實施形態之黏著劑層2的黏著劑組成物之一例,含有丙烯酸系聚合物(α)。在由該黏著劑組成物形成的黏著劑層2中,丙烯酸系聚合物(α)的至少一部分作為架橋物被含有,與後述之架橋劑(γ)進行架橋反應。
作為丙烯酸系聚合物(α)可使用先前習知之丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物(α)之重量平均分子量(Mw),從用於形成上述黏著劑層2之黏著劑組成物或於其中加入溶劑所得之組成物所成的塗工液(於本說明書,將該等塗工液總稱為「黏著層形成用塗工液」)的塗層時之造膜性的觀點來考慮,以1萬以上200萬以下為佳,以10萬以上150萬以下更佳。此外,丙烯酸系聚合物(α)之玻璃轉移溫度Tg,以-70℃以上30℃以下為佳,以-60℃以上20℃以下的範圍更佳。玻璃轉移溫度,可藉由Fox式計算。
上述丙烯酸系聚合物(α)可為1種丙烯酸系單體所形成之單獨聚合物,亦可為複數種丙烯酸系單體所形成之共聚物,亦可為1種或複數種丙烯酸系單體與丙烯酸系單體以外的單體所形成之共聚物。成為丙烯酸系單體之化合物之具體種類並無特別限定,具體例可舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。
關於(甲基)丙烯酸酯,進一步表示具體例,則可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的具有鏈狀骨
架之(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、醯亞胺丙烯酸酯等的具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等的具有羥基之(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等的具有羥基以外的反應性官能團之(甲基)丙烯酸酯。此外,成為丙烯酸系單體以外的單體,可例示乙烯、降冰片烯等的烯烴、醋酸乙烯酯、苯乙烯等。再者,丙烯酸系單體為(甲基)丙烯酸烷基酯時,該烷基之碳數以1~18的範圍為佳。
作為形成關於本實施形態之黏著劑層2之黏著劑組成物,如後所述地含有可將丙烯酸系聚合物(α)架橋之架橋劑(γ)時,丙烯酸系聚合物(α)所具有的反應性官能團之種類並無特別限定,基於架橋劑(γ)的種類等適宜決定即可。例如,架橋劑(γ)為聚異氰酸酯化合物時,作為丙烯酸系聚合物(α)所具有的反應性官能團,可例示羥基、羧基、胺基等。該等之中,架橋劑(γ)係聚異氰酸酯化合物時,採用與異氰酸酯基的反應性高的羥基作為反應性官能團為佳。於丙烯酸系聚合物(α)導入羥基作為反應性官能團之方法並無特別限定。作為一例,可舉丙烯酸系聚合物(α)於骨架含有基於(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等的具有羥基之丙烯酸酯之構成單位之情形。
丙烯酸系聚合物(α)具有反應性官能團時,以作為形成丙烯酸系聚合物(α)之單體換算,具有反應性官能團之單體對全單體之含有比例,以1質量%以上20質量%以下之程度為
佳,以2質量%以上10質量%以下更佳。
(2-2)能量線聚合性化合物(β)
含有作為形成關於本實施形態之黏著劑層2的黏著劑組成物之能量線聚合性化合物(β),只要是具有能量線聚合性基,可受紫外線、電子線等的能量線的照射而聚合反應,具體的構成並無特別限定。藉由聚合能量線聚合性化合物(β),可使黏著劑層2對保護膜形成用膜4的黏著性降低。
能量線聚合性基的種類並無特別限定。作為其具體例,可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基等的乙烯性不飽和鍵結之官能團等。黏著劑組成物含有架橋劑(γ)時,從減少與架橋劑(γ)之進行架橋反應的部位產生功能性重複的可能性之觀點來考慮,能量線聚合性基以具有乙烯性不飽和鍵結之官能團為佳,其中,從照射能量線時之反應性高的觀點來考慮,以(甲基)丙烯醯基為更佳。
能量線聚合性化合物(β)之分子量並無特別限定。其分子量過度小時,於黏著劑組成物或黏著劑層2之製造過程,有該化合物揮發之虞,此時黏著劑層2之組成的安定性降低。因此,能量線聚合性化合物(β)之分子量,作為重量平均分子量(Mw)以100以上為佳,以200以上為更佳,以300以上為特別佳。
能量線聚合性化合物(β)之至少一部分的分子量,作為重量平均分子量(Mw)為4,000以下為佳。作為如此之能量線聚合性化合物(β),可例示由選自具有能量線聚合性基之單官能單體及多官能單體,以及該等單體之寡聚物所組成之群之1
種或2種以上所組成之化合物。
上述化合物之具體的組成並無特別限定。作為上述化合物之具體例,可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、五(甲基)丙烯酸二異戊四醇基單羥基酯、六(甲基)丙烯酸二異戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯等的具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯;二環戊二烯基二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯等的具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯;聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧基變性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等的丙烯酸酯系化合物等。該等之中,丙烯酸酯系化合物由於對丙烯酸系聚合物(α)之相溶性高而佳。
能量線聚合性化合物(β)於一分子中所具有的能量線聚合性基之數量並無限定,惟以複數為佳,以3以上為更佳,以5以上為特別佳。
作為形成關於本實施形態之黏著劑層2之黏著劑組成物所含有之能量線聚合性化合物(β)之含量,對丙烯酸系聚合物(α)100質量部,以50質量部以上300質量部以下為佳,以75質量部以上150質量部以下為更佳。再者,於本說明書中,表示各成分之含量之「質量部」係指固體物之量之意思。藉由使能量線聚合性化合物(β)之含量在於如此之範圍,可充分確保能量線照射後黏著劑層2對多突設工件或分割其所得積層晶片之黏著性、與能量線照射前黏著劑層2對多突設工件或分
割其所得積層晶片之黏著性之差。
作為能量線聚合性化合物(β)之其他例,可舉能量線聚合性化合物(β)係丙烯酸系聚合物,於主鏈或側鏈具有含有能量線聚合性基之構成單位者。此時,由於能量線聚合性化合物(β)具有作為丙烯酸系聚合物(α)之性質,故可簡化形成黏著劑層2之組成物的組成,具有容易控制在黏著劑層2中之能量線聚合性基之存在密度等優點。
具有如上所述之丙烯酸系聚合物(α)之性質之能量線聚合性化合物(β),例如,可以用如下方法調製。藉由使包含基於含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能團之(甲基)丙烯酸酯之構成單位及基於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位而成之共聚物即丙烯酸系聚合物,與於1分子內具有可與上述官能團反應之官能團及能量線聚合性基(例如,具有乙烯性雙鍵鍵結之基)之化合物反應,可對上述丙烯酸系聚合物上加成能量線聚合性基。
為使能量線聚合性化合物(β)硬化之能量線,可舉電離輻射線,即X射線、紫外線、電子線等。該等之中以照射設備相對較容易導入之紫外線為佳。
使用紫外線作為電離輻射線時,由容易操作的觀點使用包含波長200~380nm程度之紫外線之近紫外線即可。作為紫外線量,可按照能量線聚合性化合物(β)之種類或黏著劑層2之厚度適宜選擇即可,通常為50~500mJ/cm2左右,以100~450mJ/cm2為佳,以200~400mJ/cm2為更佳。此外,紫外線照度通常為50~500mW/cm2左右,以100~450mW/cm2為佳,
以200~400mW/cm2為更佳。作為紫外線源,並無特別限制,例如可使用高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、UV-LED等。
使用電子線作為電離輻射線時,關於其加速電壓,只要按照能量線聚合性化合物(β)之種類或黏著劑層2之厚度適宜選定即可,通常加速電壓以10~1000kV程度為佳。此外,照射線量,只要設定於能量線聚合性化合物(β)適當地硬化之範圍即可,通常於10~1000krad的範圍選定。作為電子線源並無特別限制,例如可使用柯克考羅夫特-華登(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van-de-Graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型或直線型、Dynamitron型、高頻波型等之各種電子線加速器。
(2-3)架橋劑(γ)
用於形成關於本實施形態之黏著劑層2之黏著劑組成物,亦可如上所述地含有可與丙烯酸系聚合物(α)反應之架橋劑(γ)。此時,關於本實施形態之黏著劑層2,含有藉由丙烯酸系聚合物(α)與架橋劑(γ)之架橋反應所得之架橋物。
作為架橋劑(γ)之種類,例如,可舉環氧系化合物、異氰酸酯系化合物、金屬螯合物系化合物、氮丙啶系化合物等的聚醯亞胺化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物、金屬烷氧化物、金屬鹽等。該等之中,由容易控制架橋反應等的理由,架橋劑(γ)以聚異氰酸酯化合物及/或聚環氧化合物為佳。
在此,關於聚異氰酸酯化合物進行詳細說明。聚異氰酸酯化合物係於1分子具有2個以上異氰酸酯基之化合物
,例如可舉出甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯;二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環庚烷三異氰酸酯、亞環戊基二異氰酸酯、亞環己烯二異氰酸酯、甲基亞環己基二異氰酸酯、加氫亞二甲苯基二異氰酸酯等的脂環式異氰酸酯化合物;六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等的具有鏈狀骨架之異氰酸酯。
此外,亦可使用該等化合物之雙縮脲體、異氰脲酸酯體,或該等的化合物,與乙二醇、三甲醇基丙烷、蓖麻油等的非芳香族性低分子活性氫含有化合物之反應物之加成物等的變性體。上述聚異氰酸酯化合物,可以為1種,亦可以為複數種。
關於本實施形態之黏著劑層2,具有基於丙烯酸系聚合物(α)與架橋劑(γ)的架橋物時,藉由調整含於黏著劑層2之架橋物之架橋密度,可控制黏著劑層2之照射前儲存彈性模數等的特性。該架橋密度,可藉由改變用於形成黏著劑層2之組成物所含有之架橋劑(γ)之含量等而進行調整。具體而言,藉由使用於形成黏著劑層2之黏著劑組成物之架橋劑(γ)之含量,對丙烯酸系聚合物(α)100質量部為5質量部以上,可容易地將黏著劑層2之照射前儲存彈性模數等控制於適當的範圍。由提高該控制性的觀點,架橋劑(γ)之含量,對丙烯酸系聚合物(α)100質量部,以10質量部以上為更佳,以20質量部以上為特別佳。架橋劑(γ)之含量之上限並無特別限定,惟含量過高時,有難以將黏著劑層2之黏著性控制在後述之範圍之情形,故
對丙烯酸系聚合物(α)100質量部,以50質量部以下為佳,以40質量部以下為更佳。
用於形成關於本實施形態之黏著劑層2之黏著劑組成物含有架橋劑(γ)時,按照該架橋劑(γ)之種類等,含有適當的架橋促進劑為佳。例如,架橋劑(γ)為聚異氰酸酯化合物時,用於形成黏著劑層2之黏著劑組成物含有有機錫化合物等的有機金屬化合物系之架橋促進劑為佳。
(2-4)其他的成分
用於形成關於本實施形態之可延伸片材10所包括之黏著劑層2之黏著劑組成物,加上上述成分,亦可含有具有黏著賦予樹脂或長鏈烷基之丙烯酸聚合物之寡聚物等之寡聚物成分、光聚合起始劑、染料或顏料等的著色材料、阻燃劑、填充劑、抗靜電劑等的各種添加劑。
作為光聚合起始劑,可舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等,具體而言,可例示1-羥基環己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、苯偶醯異丁腈、二苄基、聯乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。使用紫外線作為能量線時,藉由調合光聚合起始劑,可減少照射時間,照射量。
(2-5)厚度
關於本實施形態之可延伸片材10所包括之黏著劑層2之厚度並無特別限定。從適當地維持黏著劑層2對被著體(多突
設工件、多突設工件分割所成之積層晶片、環狀框架等夾具等)之黏著性之觀點來考慮,黏著劑層2之厚度以1μm以上為佳,以2μm以上為更佳,以3μm以上為特別佳。再者,從降低於切割步驟中發生晶片缺損之可能性的觀點來考慮,黏著劑層2之厚度以80μm以下為佳,以50μm以下為更佳,以30μm以下為特別佳。
(2-6)黏著性
關於本實施形態之可延伸片材10所包括之黏著劑層2之黏著性並無特別限定。於改性層破斷式拉伸分割中,從使所得到之晶片安定地保持於黏著劑層上之觀點來考慮,將由基材1以及黏著劑層2形成的積層體黏附於矽鏡面晶圓(Silicon mirror wafer)上所測定之基於JIS Z0237:2000的黏著力(以低減黏附於被著體後的黏著性為目的,由能量線聚合型之黏著劑組成物構成黏著劑層2的情形時,為照射能量線之前的黏著力)以1000mN/25mm以上20000mN/25mm以下為佳,以1500mN/25mm以上15000mN/25mm以下為更佳。
(3)第1主面10A
關於本發明之一實施形態的可延伸片材10所黏附的被加工構件,如圖5所示,為包括基板21、與積層於基板21之一方的主面上在厚度方向突出的複數個凸部22的多突設工件20。於基板21內,沿著分割預定線,形成有改性層21m。該等凸部22內,以平面視位於從多突設工件20之中心最遠位之凸部,為最遠位凸部22d。多突設工件20中,以平面視為比最遠位凸部22d位於從多突設工件20之中心更遠元的部分,被分
割之際成為積層晶片40之一部的部分以外的部分為最遠元殘餘部21r。如圖6等所示,於多突設工件20被分割所得到之積層晶片40中,包括最遠位凸部22d之積層晶片為最遠位積層晶片40d。
位於可延伸片材10之相比基材1更近位於黏著劑層2一側之主面的第1主面10A包括加工用區域10a,該加工用區域10a為在可延伸片材10之使用時,應黏附在基板21上之在厚度方向包括複數個凸部22的部分,即被加工構件之多突設工件20上的區域。加工用區域10a的形狀當然與多突設工件20的形狀一樣。通常可延伸片材10,為對周緣部從其中心離間方向賦予張力,加工用區域10a位於第1主面10A之幾乎中央部。
加工用區域10a由如下說明的第1區域11a及第2區域12a所構成。
(3-1)第1區域11a
第1區域11a以平面視為將加工用區域10a的外圍作為其外圍的環形區域。第1區域11a包括由以後述第2區域12a為基準在基材1離間方向上的突起部之第1突起部11p所構成的面11pa。本說明書中,將由第1突起部11p所構成的面11pa稱為「第1凸出面」。如圖1及2所示,第1區域11a其整個面由第1凸出面11pa所構成也可。如圖3及4所示,第1區域11a其一部分由第1凸出面11pa所構成也可。作為圖3及4中第1區域11a的一部分由第1凸出面11pa所構成的情況的具體例,有第1突起部11p由復數個排列於圓環上的小凸起構
成,包含其頂點的面構成第1凸出面11pa的情況。
第1凸出面11pa在使用可延伸片材10時,黏附於最遠位殘餘部21r。
(3-2)第2區域12a
第2區域12a如上所述以平面視位於環狀的第1區域11a的內周側,包含加工用區域10a以平面視的中心。第2區域12a在使用可延伸片材10時,黏附在多突設工件20的復數個凸部22上。
由此,因加工用區域10a由第1區域11a和第2區域12a所構成,將可延伸片材10黏附於多突設工件20上時,實現於最遠位殘餘部21r上黏附有第1區域11a,於最遠位凸部22d上黏附有第2區域12a的狀態。在該狀態下若將可延伸片材10伸長,伴隨第1區域11a和黏附在最遠位凸部22d上的第2區域12a的離間,連接在最遠位凸部22d上的基板21和最遠位殘餘部21r之間被賦予離間力,可實現將最遠位殘餘部21r從最遠位積層晶片40d分離。
(3-3)第1突起部11p
第1區域11a包括可維持黏附於最遠位殘餘部21r狀態的高度,在該黏附狀態下,由於可延伸片材10伸長而發生的剪切力賦予第1突起部11p時,只要可將為分離最遠位殘餘部21r和最遠位積層晶片40d所需的張力賦予最遠位殘餘部21r,則第1突起部11p的具體結構不受限定。
從更加穩定地實現將最遠位殘餘部21r和最遠位積層晶片40d進行適度地分離的觀點考慮,第1突起部11p的
第2區域12a基準凸出高度,相對於最遠位凸部22d的基板21基準凸出高度的比率,以80%以上120%以下為佳。若該比率過低,則第1區域11a無法適度地黏附於最遠位殘餘部21r,在擴展步驟中,第1區域11a和最遠位殘餘部21r之間發生剝離的可能性增加。與此相反,若上述比率過高,則與最遠位殘餘部21r鄰近的遠位凸部22d上,第2區域12a不能適度黏附,在擴展步驟中,第2區域12a和最遠位凸部22d之間發生剝離的可能性增加。作為第1突起部11p以第2區域12a為基準的凸出高度的具體例,可舉出200μm以上,300μm以上或400μm以上也可以作為第1突起部11p以第2區域12a為基準的凸出高度的具體例而列舉。
在擴展步驟中,從更穩定容易地將最遠位殘餘部21r從最遠位凸部22d離間的觀點考慮,第1突起部11p在23℃時的儲能模量以0.01MPa以上為佳,以0.1MPa以上10000MPa以下為更佳,以1MPa以上1000MPa以下為特別佳。第1突起部11p在23℃時的儲能模量為0.01MPa以上,則在擴展步驟中可延伸片材10破斷的可能性減少。若第1突起部11p在23℃時的儲能模量為10000MPa以下,則可提高可延伸片材10對多突設工件20的黏著性。
構成第1突起部11p的材料,只要可維持所定的凸出高度以及對最遠位殘餘部21r的剝離強度適合,則無特別限製。此外,「對最遠位殘餘部21r的剝離強度適合」意味著在擴展步驟中,在第1區域11a和最遠位殘餘部21r之間不產生剝離。此外,也有意味著擴展步驟結束後,可將由最遠位殘
餘部21r構成的片狀體從可延伸片材10上適當剝離的情況。
為了實現將第1區域11a黏附於最遠位殘餘部21r上,第1凸出面11pa以具有黏著性為佳。作為第1凸出面11pa為具有黏著性的第1突起部11p的具體例,可舉出由包括以樹脂系材料構成的薄膜(樹脂薄膜)和黏著劑層的積層體、由黏著劑層構成的積層體(各層也可以為復數)和自帶黏性樹脂構成的構造體等。
作為上述積層體的樹脂薄膜的具體例,可舉出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等的乙烯系共聚物膜;低密度聚乙烯(LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等的聚乙烯膜;聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯樹脂膜等聚烯烴類膜;聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯膜;聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯類薄膜;聚氨酯膜;聚醯亞胺膜;聚苯乙烯膜;聚碳酸酯膜;氟樹脂膜等。再者,亦可使用該等之架橋膜、如離子聚合物(ionomer)膜這樣的變性膜。此外,作為樹脂薄膜,還可使用以能量線將能量線硬化性組成物硬化而構成的硬化物。作為上述硬化物,可舉出日本專利第4841802號中作為中間層使用的、將含有聚氨酯低聚物的組成物成膜並硬化而構成的薄膜(聚氨酯薄膜)。以能量線將能量線硬化性組成物硬化而構成的層,可以為無溶劑型,幹燥步驟可省略。因此,樹脂薄膜為流延膜時,可在不降低生產率的情況下得到厚膜,使
第1突起部11p的高度變高。
上述積層體的黏著劑層,可通過已知的各種黏著劑組合物形成。作為這樣的黏著劑組合物,雖然沒有任何限製,但可以使用例如橡膠類、丙烯酸類、矽類、聚醚乙烯類等黏著劑組合物。並且可使用如上所述的能量線硬化型黏著劑組合物。另外,還可使用加熱發泡型、水膨脹型的黏著劑組合物。
作為自黏性樹脂,可以列舉丙烯酸樹脂和具有膜厚度的矽樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚氨酯樹脂等。作為具有自黏性的丙烯酸樹脂,可以列舉丙烯酸酯共聚物。用於該目的的丙烯酸酯共聚物的重均分子量為100,000以上,以100,000~1,500,000為佳,以150,000~1,000,000為特別佳。丙烯酸酯共聚物由(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯單體或從其衍生物等中衍生出的構成單位所構成。作為(甲基)丙烯酸酯單體,使用了烷基的碳原子數為1~18的(甲基)丙烯酸烷基酯。作為(甲基)丙烯酸酯單體的衍生物,可以列舉二甲基丙烯醯胺、二甲基甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、二乙基甲基丙烯醯胺等的二烷基(甲基)丙烯醯胺。其中,特別以丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、二甲基丙烯醯胺等為佳。除了這些單體外,由乙酸乙烯酯、苯乙烯、醋酸乙烯酯等共聚合也可。
作為具有官能團的丙烯酸酯共聚物,具有2-羥乙
基丙烯酸酯、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、2-羥丙基甲基丙烯酸酯、2-羥丁基丙烯酸酯、2-羥丁基甲基丙烯酸酯等含羥基的丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基化合物作為構成單位。
丙烯酸酯共聚物是作為黏著劑而通用的聚合物,較多時,具有黏著劑特有的黏稠感。因此,作為自黏性樹脂層使用時,以架橋劑進行部分架橋,抑製粘稠感,為得到前面所述的儲能模量值而進行調整。作為架橋劑,可以列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元環氧化合物、有機多元亞胺化合物等。一般情況下,如果架橋劑的使用量增多,則丙烯酸酯共聚物的黏稠性降低,儲能模量上升。
從更加穩定地表現自黏性的觀點考慮,在由自黏性樹脂構成的構造體中構第1突起部11p時,表面的算術平均粗糙度Ra以1μm以下為佳,以0.7μm以下為更佳,以0.0001μm以上0.2μm以下為特別佳。
(3-4)第3區域13a
可延伸片材10的第1主面10A由加工用區域10a、平面視時為加工用區域10a的外周側區域的第3區域13a構成。
通常,第3區域13a的外周近處區域黏於環狀框架30等的夾具。並且,在擴展步驟中,對位於環狀框架30的內周側多突設工件20外側的可延伸片材10的第3區域13a相對應的部分,按下環狀構件60,該環狀構件與環狀框架30等夾具的垂直方向相符位置發生變化(一般而言,在與可延伸片材10的第1主面10A相反一側的面上,使環狀構件60相撞。
)。其結果,以平面視時位於環狀構件60的內周側的可延伸片材10的部分和環狀框架30黏著的可延伸片材10的部分,在垂直方向上位置出現差異,可延伸片材10根據其位置差異量伸長。
此時,可延伸片材10與環狀構件60相接的部分,或其近處部分,特別容易受到機械負荷,會成為最為伸長的部分。即,可延伸片材10中與第3區域13a相對應的部分,在擴展步驟中,包括最為伸長的部分。
如後所述,從提高操縱性的觀點等考慮,有對可延伸片材10中與第3區域13a相對應部分實施熱收縮(復原步驟)的情況。為使該部分的熱收縮得以適當實施,與本發明一實施形態相關的可延伸片材10包括以下構成也可。
(3-4-1)第3凸出區域13b
第3區域13a包括以第2區域12a為基準,由向從基材11離間的方向凸出的突起部第3突起部13p的面構成的第3凸出區域13b也可。第3凸出區域13b為第3區域13a的一部分也可,如圖1及2中所示,為第3區域13a的全部也可。
第1突起部11p與第3突起部13p的關系沒有特別的限製。它們可以由相互不同的構件構成,也可以由同樣的構件構成。此外,第1突起部11p與第3突起部13p可以具有相連續的部分,也可以不連續。圖1及2中所示的可延伸片材10中,第1突起部11p與第3突起部13p是連續的。
第3突起部13p的材料與結構(特別是積層結構)沒有特別的限製。第3突起部13p以具有熱收縮性為佳,以與
基材1具有同樣的熱收縮性為更佳。第3突起部13p與基材1具有同樣的熱收縮性時,通過加熱,可延伸片材10進行熱收縮時,第3突起部13p先收縮或基材1先收縮的可能性降低,其結果,第3凸出區域3B中妨礙基材1的熱收縮的可能性降低。
第3突起部13p也可以包括基材1中包括的熱收縮性材料。這種情況下,第3突起部13p與基材1同樣可進行熱收縮,因此可更穩定地減小可延伸片材10的松動量(以可延伸片材10中與環狀框架30相黏部分的下側面為基準,可延伸片材10的底面垂直方向的離間距離)。
第3突起部13p在通常的使用形態中由於不黏附於被加工構件(多突設工件20),因此第3凸出區域13b不包括黏著性也可。但,如上所述,因第1突起部11p與第3突起部13p有連續部分等理由,在第1突起部11p和第3突起部13p為同樣材料構成時,第3區域13a也可以不具有黏著性。這種情況下,從提高熱收縮後可延伸片材10的形狀穩定性觀點考慮,第1突起部11p與第3突起部13p以包括基材1所包括的的熱收縮性材料為佳。
(3-4-2)易復原區域13c
第3區域13a對應該區域的可延伸片材10的部分也可以包括基材1為最厚構件的易復原區域13c。易復原區域13c可以為第3區域13a的一部分,也可以為第3區域13a的全部。圖3及4中所示的可延伸片材10中,第3區域13a全部由易復原區域13c構成。通過這樣的構成,可延伸片材10中與易
復原區域13c對應的部分加熱時,通過使基材1熱收縮,可延伸片材10的變形變得容易。第3區域13a也可以包括第3凸出區域13b和易復原區域13c的兩方。此外,與第3區域13a對應的可延伸片材10部分的總厚度中所占據的基材的厚度比率,以50%以上為佳,以70%以上100%以下為更佳,以90%以上100%以下為特別佳。可延伸片材10的總厚度中所占據的基材的厚度比率越厚,藉由基材以外構件的存在,易復原區域13c加熱時,妨礙可延伸片材10變形將被防止。
(4)剝離片
本發明一實施形態相關的可延伸片材10的第1主面10A,直到使用時剝離片的剝離面一直被黏附也可。剝離片的構成為任意,可以列舉將塑膠薄膜用剝離劑進行了剝離處理的剝離片。作為塑膠薄膜的具體例,可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯薄膜;聚丙烯和聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑,雖然可以使用矽酮類、氟類、長鏈烷基類等,但其中價格低廉、可獲得穩定性能的矽酮類為佳。對於剝離片的厚度沒有特別限製,但通常為20μm以上250μm以下左右。
(5)長尺體、卷收體
本發明一實施形態相關的可延伸片材10,也可以為其復數朝著同一方向連續排列所構成的長尺體之形態。作為此種情況的具體例,可以列舉基材1裁斷前的長尺布卷狀態,以該布卷將基材1作為共同構件的復數個可延伸片材10所構成的長尺體。該長尺體也可以卷取作為卷收體進行保管和運
輸。使用時將卷收體展開,從長尺的布卷中將基材1裁斷,可製造可延伸片材10。
本發明一實施形態相關的可延伸片材10,還可以為與剝離片的積層體為長尺體的形態。作為此種情況的具體例,可列舉在長尺的剝離片上沿著該長尺方向復數個可延伸片材10排列所構成的長尺體。該長尺體也可以卷取作為卷收體進行保管和運輸。使用時將卷收體展開,從剝離片上將可延伸片材10剝離即可。
2.可延伸片材10的製造方法
可延伸片材10的製造方法沒有特別的限製。對於所定材料實施裁斷(包括半切。)操作及積層操作(包括形成膜狀構件的操作。)即可製造。以下,對可延伸片材10和剝離片的積層體的製造方法的一例進行說明。
首先,準備提供基材1的長尺布卷。其次,在長尺布卷一側的主面上,對為形成黏著劑層2的黏著劑組合物進行塗布獲得塗膜。塗布方法沒有限製。根據黏著劑組合物的組成及黏著劑層2的厚度,進行適當設定即可。具體可列舉模塗布、簾式塗布、噴霧塗布、狹縫塗布、刮刀塗布等已知的塗布方法。通過對長尺布卷上的塗膜進行幹燥,可以得到長尺布卷和黏著劑層2的積層體(以下稱為「第1積層體」。)。該幹燥條件無特別限製,根據黏著劑組合物的組成及黏著劑層2的厚度適當設定即可。作為幹燥條件的具體例,可列舉在70℃以上130℃以下時進行20秒至3分鐘左右的幹燥。
然後,在由第1積層體的黏著劑層2構成的面上
形成第1突起部11p。形成第1突起部11p的方法沒有特別限製。具體例如下所述。準備為形成第1突起部11p的液體組合物,將該液體組合物在適當的支持體上塗布,通過將得到的塗膜幹燥或硬化,得到提供第1突起部11p的膜狀構件(樹脂薄膜及黏著劑層)。對該膜狀構件進行半切或將不需要部分切除的修剪程式,即可得到提供所希望形狀的第1突起部11p的構件。將這種提供第1突起部11p的構件黏附於由第1積層體的黏著劑層2所構成的面上,除去支持體,則可形成於第1積層體的黏著劑層2所構成的面上。如果提供第1突起部11p的構件為樹脂薄膜,樹脂薄膜為通過壓出成型等所得到的的薄膜也可。提供第1突起部11p的構件如果為包括樹脂薄膜和黏著劑層的積層體,則最好在修剪各自要素之前提前積層。
作為用於形成第1突起部11p的其他具體例,也可以使用分配器、旋塗、噴墨、絲網印刷等印刷,3D列印機等積層造型法、射出成型等,將為形成第1突起部11p的液體組合物等在由第1積層體的黏著劑層2所構成的面上實施印出、造型等,通過對印出物等進行幹燥或硬化,得到第1突起部11p。這種情況下,無需如前所述的修剪,即可將所希望形狀的第1突起部11p形成於由第1積層體的黏著劑層2所構成的面上。通過分配器等形成第1突起部11p,不是在由黏著劑層2所構成的面上實施,例如也可以在基材1上直接形成。
第3突起部13p基本上也可使用與形成第1突起部11p的方法同樣的方法形成。通過包括塗布在內的操作,製造第1突起部11p時,從生產率觀點考慮,第3突起部13p在
形成第1突起部11p的同時形成為佳。具體而言,在進行修剪時通過改變半切位置,減少除去不需要部分的量,可形成與第1突起部11p連續的第3突起部13p。
由此,在第1積層體上形成第1突起部11p等,在第1積層體上第1突起部11p等形成的側的面上黏附剝離片。對於得到的第1積層體和剝離片的積層體,從第1積層體一側實施半切,除去不需要部分,形成基材1。通過上述操作,在剝離片上可延伸片材10以第1主面10A與剝離面呈對向的方式黏附在剝離片上的狀態而獲得。
3.積層晶片40的製造方法
以下,為形成改性層,對多突設工件20實施雷射光照射,根據多突設工件20的基板21內預計分割線,在形成改性層21m的狀態下的多突設工件20中,使用可延伸片材10,對製造積層晶片40的方法進行說明。
(1)黏附步驟
在經過改性層形成的多突設工件20及以平面視時多突設工件20的外周側排列的環狀框架30上,將可延伸片材10進行黏附。其結果,如圖5所示,得到由第1突起部11p所構成的面黏附於最遠位殘餘部21r上的同時,第2區域12a黏附於多突設工件20的復數個凸部22上的狀態。這樣得到在可延伸片材10的第1主面1A上,由多突設工件20及環狀框架30積層而形成的積層構造體50。在此,如上所述,從使最遠位殘餘部21r和最遠位積層晶片40d的適度分離能夠更加穩定實現的觀點考慮,在黏附步驟結束的階段,第1突起部11p以第2
區域12a為基準的凸出高度,與最遠位凸部22d以基板21為基準的凸出高度之比率,以80%以上120%以下為佳。
(2)擴展步驟
然後,積層構造體50在平面視時可延伸片材10的第1主面10A露出的環狀區域,即在與第3區域13a的一部分對應的部分,從與第1主面10A相反的主面一側按下環狀構件60。本說明書中,將可延伸片材10的環狀構件60被按下的部分及與其周圍對應的第1主面1A的區域稱作「負荷區域10L」。
並且,為達到使環狀構件60對可延伸片材10的接觸部分的,以可延伸片材10中黏附在環狀框架30的部分的下側面為基準的垂直方向的離間距離變大的目的,將環狀構件60朝著垂直方向移動。其結果,對可延伸片材10以平面視從中央部分向外周部分方向賦予張力。
此被賦予的張力,通過黏著劑層2,傳達至多突設工件20的凸部22及通過第1突起部11p,傳達至多突設工件20的最遠位殘餘部21r,在多突設工件20的最遠位凸部22d與最遠位殘餘部21r之間,在離間它們的方向上產生力。通過該力,產生最遠位凸部22d和最遠位殘餘部21r的破斷和它們的離間。另外,通過為形成改性層而照射雷射光,雖然也有最遠位凸部22d和最遠位殘餘部21r已經破斷的情況,但是這種情況時,由於上述離間方向上的力,最遠位凸部22d和最遠位殘餘部21r離間。因此,最遠位積層晶片40d可以在與最遠位殘餘部21r相分離的狀態下得到。由此,在可延伸片材10上,包括最遠位積層晶片40d的多數積層晶片40以彼此離間的
狀態排列,同時可以得到以平面視時,外周部近處有環狀框架30黏附而構成的積層構造體(以下稱為「擴展後積層體70」。)
(3)拾取步驟
在拾取步驟中,將擴展後積層體70包括的積層晶片40從可延伸片材10上離間。
(4)復原步驟
如上所述,可延伸片材10中與負荷區域10L相對應的部分,相對而言被賦予最強的外力,對於此部分,可延伸片材10處為最為伸長的狀態。因此,將與擴展後積層體70接觸的環狀構件60離間,使可延伸片材10處於無負荷狀態,如圖7及9所示,擴展後積層體70包括的可延伸片材10變松,黏附於環狀框架30上的可延伸片材10的部分和可延伸片材10的中央部分在垂直方向離間。該松動量過多,則在運輸時可延伸片材10變松的底面或其近處容易與異物碰撞,擴展後積層體70在使用時操作性降低。
因此,對擴展後積層體70的可延伸片材10中的負荷區域10L對應的部分實施加熱的復原步驟也可。通過加熱該部分,可延伸片材10的基材1進行熱收縮,可減少擴展後積層體70可延伸片材10的松動量。
如圖7所示,負荷區域10L與第3凸出區域13b重復的情況,第3突起部13p由熱收縮性材料構成的情況時,對可延伸片材10中負荷區域10L對應的部分加熱,可將第3突起部13p與基材1一同進行熱收縮。第3突起部13p在包括基材1所包括的的熱收縮性材料的情況時,則與基材
1同樣熱收縮,可以更穩定地降低可延伸片材10的松動量。
如圖9所示,負荷區域10L與易復原區域13c重復的情況時,可延伸片材10中易復原區域13c對應部分的熱收縮特性為,在這一部分最厚的構件基材1的影響大,因此由於基材1的熱收縮,可以更穩定地降低可延伸片材10的松動量。
對可延伸片材10的負荷區域10L對應部分加熱時的條件(具體列舉溫度與時間等。)為,構成可延伸片材10的構件的至少一個,只要由於熱收縮可以降低可延伸片材10的松動量,則沒有特別限製。作為加熱條件的具體一例,可以列舉可延伸片材10在50℃到70℃左右的溫度狀態下保持1分鐘左右。
在實施復原步驟的情況下,只要其實施時間在擴展步驟後就沒有特別限製。在到拾取步驟開始前的時間內實施為佳,接著擴展步驟實施為更佳。
(5)能量線照射步驟
具有可延伸片材10的黏著劑層2,在含有能量線硬化材料(作為具體例,可以舉出包括上述能量線聚合性化合物(β)的材料。)的情況時,通過能量線的照射,將上述能量線硬化性材料進行硬化,降低黏著劑層2對多突設工件20的黏著性的步驟即能量線照射步驟,通常在拾取步驟開始前進行。能量線照射步驟的實施時間與復原步驟的實施時間之間的關係沒有限製。
以上說明的實施形態,是為了易於對本發明的理
解而記述的,並不是對本發明進行限定而進行的記述。因此,上述實施形態中所公開的各要素,也包括屬於本發明的技術範圍的所有設計變更以及均等物。
例如,可延伸片材10在第1主面10A上的第2區域12a,在上述實施形態中雖然由以黏著劑層2所構成的面構成,但並不局限於此。例如,也可以是在黏著劑層2上由另外的膜狀構件積層,通過由該積層體構成的面構成上述第2區域12a。作為這種薄膜狀構件的具體例,可舉出在積層晶片40上積層,直接或較佳通過加熱及能量線照射而硬化形成的作為積層晶片40的保護膜的構件、為將積層晶片40與其他構件黏附而使用的作為黏附層的構件(以下稱為「硬化性薄膜等」。)。
此外,黏著劑層2其本身為硬化性薄膜等也可。此時,在拾取步驟中,積層晶片40和硬化性薄膜等黏著劑層2的積層體在可延伸片材10中除去。
實施例
以下,通過實施例等進一步對本發明進行具體說明,但是本發明的範圍並不受這些實施例等的限定。
〔實施例1〕
(1)可延伸片材的製作
準備黏合有厚度為38μm的矽酮剝離處理聚對苯二甲酸乙二酯類剝離薄膜的乙烯甲基丙烯酸共聚物薄膜及兩張由丙烯酸類黏著劑所構成的厚度為220μm的黏附片,將1張上的剝離薄膜除去。將未除去剝離薄膜的黏附片的薄膜面與除去剝離薄膜的黏附片面相黏合的方式將兩層進行積層,得到除
剝離薄膜以外總厚度為440μm的構件。對該構件,通過將除去剝離薄膜的構件完全切斷的半切及對不需要部分的修剪進行形狀加工。由此,得到帶有缺損部分以平面視為環狀(外徑:270mm、內徑:194mm)的構件,作為提供突起部的構件。在由作為基材厚度為80μm的乙烯甲基丙烯酸共聚物薄膜及作為黏著劑層厚度為10μm的丙烯酸類黏著劑所構成的黏附片(以下稱為「第1黏附片」。)的黏著劑層所構成的主面上,將上述提供突起部的構件,與該提供突起部構件的薄膜面以對向的方式進行黏合,得到積層體。
其後,進行整體裁斷,得到以平面視時外徑為270mm包括上述突起部的可延伸片材。
該可延伸片材的加工用區域從平面視,為與可延伸片材為共同中心的直徑200mm的圓形區域。因此,第1區域為由第1凸出區域構成,外徑為200mm、內徑為194mm的圓環狀區域。此外,第3區域為由第3凸出區域構成,外徑為270mm、內徑為200mm的圓環狀區域。
(2)積層晶片的製造
在具有以平面視直徑為200mm的圓形的矽晶圓的一側主面,在以平面視與矽晶圓擁有共同中心的直徑為180mm的圓形區域,準備長寬為5mm×5mm、高度為400μm的方柱,以平面視時與距離最近的方柱的離間距離為5mm,以有序排列的狀態固定而構成的構件作為被加工構件。
使用黏帶設備(LINTEC公司製,「RAD2700m/8」),將通過實施例與比較例製成的可延伸片材的基材側與相反側
主面,對經過上述形成改性層步驟的被加工構件及環狀框架(內徑250mm),進行黏附使他們成為同心圓。
對於被加工構件的矽晶圓,用波長為1064nm的脈沖雷射光照射可延伸片材的基材側,沿著20mm×20mm的預計分割線,在矽晶圓內形成改性層。
對於依據黏附步驟所得到的可延伸片材、被加工構件及以環狀框架構成的積層構造體,使用分離擴片機(DISCO公司製,「DDS2300」),按照以下條件實施以加熱器擴展分割晶片的擴展步驟。其結果,被加工構件被分割,在可延伸片材上形成若幹以20mm×20mm的片狀體所構成的積層晶片。
<擴展條件>
溫度:23℃
壓力速度:1mm/S
壓力量:12mm
壓力後維持時間:1分鐘
使用上述分離擴片機,對可延伸片材上以平面視位於被加工構件與環狀框架之間的部分(第3區域的一部分)實施進行加熱的復原步驟。具體而言,從兩個位置的送風口噴射暖風,以1°/S的速度旋轉著進行180秒。加熱條件如下所述。其結果,該部分熱收縮,可延伸片材的松動量減少。
<擴展條件>
溫度:23℃
壓力速度:1mm/S
壓力量:12mm
<復原條件>
暖風輸入溫度:220℃
送風口~可延伸片材之間距離:20mm
速度:1°/S、180秒加溫
對於經過復原步驟的可延伸片材,實施將黏附的復數個積層晶片分別從可延伸片材上單獨分離的拾取步驟。
由此,在被加工構件上使用可延伸片材製造積層晶片。
〔實施例2〕
準備將能量線硬化性組合物通過能量線照射硬化的聚氨酯薄膜及丙烯酸類黏著劑所構成的厚度為330μm的黏附片(以下稱為「第2黏附片」。)和在第2黏附片的丙烯酸類黏著劑側的面上,黏附其剝離面的厚度為38μm的矽酮剝離處理聚對苯二甲酸乙二酯類剝離薄膜所構成的積層體。在該積層體的聚氨酯薄膜一側實施將第2黏附片完全切斷的半切及對不需要部分的修剪,進行形狀加工。由此,在剝離片上得到平面視時圓環形狀(外徑:272mm、內徑:266mm)的構件,作為提供第1突起部的構件。將該提供第1突起部的構件和由剝離片構成的積層體提供第1突起部構件側的面(薄膜面),黏合在由實施例1中使用的第1黏附片與由同種黏附片黏著劑層構成的主面上。將由此得到的積層體的第1黏附片裁斷,使其成為平面視時外徑為270mm的圓形。此時,使該圓與提供第1突起部的構件以平面視時界限明顯突出的2個圓(內周側的圓和外周側的圓)為同心圓。由此,得到平面視時外徑為270mm,包括第1突起部的可延伸片材。使用該可延伸片材,以
下,與實施例1同樣地操作,由被加工構件製造積層晶片。
〔比較例1〕
將作為基材的乙烯甲基丙烯酸共聚物薄膜與由作為黏著劑層的丙烯酸類黏著劑構成的厚度為90μm的黏附片裁斷,作為平面視時外徑為270mm的可延伸片材。使用該可延伸片材,以下,與實施例1同樣地操作,由被加工構件製造積層晶片。
〔試驗例1〕<黏附狀態的觀察>
對經過黏附步驟所得到的可延伸片材、被加工構件及環狀框架所構成的積層構造體,以肉眼觀察以下觀點。
(觀點1)對被加工構件的最遠位殘餘部的第1凸出區域的黏附狀態
(觀點2)對被加工構件的凸部的第2區域的黏附狀態
對於觀察結果,按照如下判定標準進行評估。
A:適度黏附(良好)
B:未適度黏附(不良)
將評估結果示於表1。
〔試驗例2〕<擴展性評估>
觀察擴展步驟後的可延伸片材,按照如下判定標準進行評估。
A:可延伸片材適度伸長(良好)
B:可延伸片材未適度伸長(不良)
將評估結果示於表1。
〔試驗例3〕<晶片分割性評估>
觀察擴展步驟後被加工構件分割狀態,按照如下判定標準進行評估。
A:包含最遠位凸部的積層晶片適度從最遠位殘餘部分割(良好)
B:包含最遠位凸部的積層晶片未適度從最遠位殘餘部分割(不良)
將評估結果示於表1。
〔試驗例4〕<熱收縮性評估>
觀察復原步驟後的可延伸片材,按照如下判定標準進行評估。
A:可伸長片材的復數積層晶片在相互適度離間的同時,可延伸片材鬆弛充分減少(良好)
B:可延伸片材的黏附片部分雖然熱收縮,但第3凸出部未進行熱收縮,其結果可延伸片材的鬆弛未能充分減少(不良)
將評估結果示於表1。此外,在比較例1中,由於晶片分割性不良,因此未進行熱收縮性評估。
由表1可知,滿足本發明條件的實施例的可延伸
片材,可以說在擴展步驟和復原步驟中都不易發生問題。
產業上可利用性
本發明相關的可延伸片材,適合用於從藉由COW技術製造的像積層體這樣的多突設工件中為得到積層晶片的片,例如適合作為切割片而使用。
10‧‧‧可延伸片材
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
10A‧‧‧可延伸片材10的第1主面
10a‧‧‧加工用區域
11a‧‧‧第1區域
11p‧‧‧第1突起部
11pa‧‧‧第1凸出面
13p‧‧‧第3突起部
13b‧‧‧第3凸出區域
Claims (13)
- 一種可延伸片材,其為包括有熱收縮性的基材與在上述基材一方的主面上積層有黏著劑層的可延伸片材;其特徵在於:加工用區域,由以平面視將上述加工用區域的外周作為其外周的環狀區域之第1區域,與位於環狀區域的上述第1區域的內周側,含有上述加工用區域的以平面視為中心的第2區域形成,上述加工用區域,在相比上述可延伸片材的上述基材更近位於上述黏著劑層之側的主面之第1主面上,使用時應該於基板上被黏附在厚度方向上包括複數個凸部的被加工構件之區域;上述第1區域,包括由以上述第2區域為基準在上述基材離間方向上的突起部之第1突起部形成的面。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,上述被加工構件為藉由含有分割步驟的工程而被分割成複數個片狀體者,上述分割步驟為對被加工構件照射具有透過性的雷射光線連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟;上述複數個片狀體,含有被分割成至少包括一個上述複數個凸部的片狀體之積層晶片。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,使用時,上述被加工構件中最遠位殘餘部黏附於由上述第1突起部形成的面,上述最遠位殘餘部為於上述被加工構件以平面視,位於比位於上述被加工構件的離中心最遠位的凸部更 遠元的部分,為成為上述積層晶片之一部的部分以外的部分。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,在使用時,上述被加工構件中上述複數個凸部黏附於上述第2區域。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,上述可延伸片材的上述第1主面,以平面視在上述加工用區域的外周側包括第3區域,上述第3區域有由以上述第2區域為基準在從上述基材離間的方向上突出的突起部之第3突起部的面形成的第3突起區域,上述第3突起部有熱收縮性。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,在上述第3區域的至少一部分區域所對應的上述可延伸片材的部分,上述基材為最厚的構件。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,將含有上述基材以及上述黏著劑層的積層體黏附於矽鏡面晶圓(Silicon mirror wafer),基於JIS Z0237:2000所測定的上述積層體的黏著力為1000mN/25mm以上20000mN/25mm以下。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,上述第1區域的突起部相比上述第2區域基準之突起高度為200μm以上。
- 根據申請專利範圍第1項所述的可延伸片材,上述基材包括聚烯烴膜。
- 一種積層晶片的製造方法,其為從在基板上在厚度方向包括複數個凸部的被加工構件製造至少含有1個上述複數個凸部的片狀體之積層晶片的方法, 其包括分割步驟、黏附步驟、擴展步驟與拾取步驟;上述分割步驟為,對被加工構件照射雷射光線使上述被加工構件連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟;上述黏附步驟為,在經過了對被加工構件照射雷射光線使上述被加工構件連續形成改性層,藉由該改性層的形成沿著強度降低了的分割預定線分割被加工構件的步驟的被加工構件,以及以平面視被配置於上述被加工構件的外周側的環狀框架上,黏附根據申請專利範圍第1~第9項任意一項所述的可延伸片材,在上述被加工構件中以平面視為位於比位於上述被加工構件的離中心最遠位的凸部更遠元的部分,且為上述積層晶片之一部的部分以外的部分即最遠元殘餘部上,黏附由上述第1突起部形成的面,同時在上述被加工構件的上述複數個凸部,黏附有上述第2區域的狀態的步驟;上述擴展步驟為,使上述可延伸片材延伸,將上述被加工構件分割成複數個片狀體,複數個包括上述複數個凸部的至少1個的片狀體之積層晶片彼此離間地配置於上述可延伸片材上,同時使黏附於由上述第1突起部形成的面的上述被加工構件的上述凸部以外的部分為從上述積層晶片離間的狀態的步驟;上述拾取步驟為,使上述積層晶片從上述可延伸片材離間的步驟。
- 根據申請專利範圍第10項所述的積層晶片的製造方法,上述第1突起部以上述第2區域為基準的突起高度對於上述被加工構件所包括的上述凸部的以上述基板為基準的突起 高度的比例,為80%以上120%以下。
- 根據申請專利範圍第10項所述的積層晶片的製造方法,上述擴展步驟藉由在上述可延伸片材中對應於上述第3區域部分的一部分對接環狀的構件,進行上述可延伸片材的延伸,加熱上述可延伸片材中上述環狀構件所對接的部分,使該部分的上述基材收縮的復元步驟,在結束上述擴展步驟之後開始上述拾取步驟之間準備。
- 根據申請專利範圍第10項所述的積層晶片的製造方法,包括上述可延伸片材的上述黏著劑層,含有能量線硬化性材料,藉由對上述黏著劑層照射能量線使上述能量線硬化性材料硬化,使上述黏著劑層之對上述晶片的粘著性降低的能量線照射步驟,在結束上述擴展步驟之後開始上述拾取步驟之間準備。
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